Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК 01.04.10, кандидат физико-математических наук Свиридовский, Лев Савельевич

Диссертация и автореферат на тему «Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия». disserCat — научная электронная библиотека.
Автореферат
Диссертация
Артикул: 283586
Год: 
1984
Автор научной работы: 
Свиридовский, Лев Савельевич
Ученая cтепень: 
кандидат физико-математических наук
Место защиты диссертации: 
Москва
Код cпециальности ВАК: 
01.04.10
Специальность: 
Физика полупроводников и диэлектриков
Количество cтраниц: 
145

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Свиридовский, Лев Савельевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Электронная и атомная структура чистой поверхности полупроводниковых кристаллов - современная точка зрения и существующие проблемы

I.IД. Кремний.

I.1V2, Германий.

I.I.3. Фосфид галлия.

1.2. Методектропии поверхнной фото-э.д - вкочувительный метод ледования поверхнныхстояний в запрещенной зоне полупроводников

Выводы главы I .'.*.-'. ".

Глава П. МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Свервысоковакуумная установка для исследования фотоэлектрических свойств чистой поверхности полупроводников

2.2. Приготовление образцов.

2.3. Установка для исследования рельефа сколотой поверхности методом оптического отражения.

2.4. Методики измерений работы выхода электрона,ектропии поверхнной фото-э.д и фотопроводими

Выводы главы П.

Глава Ш. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СКОЛОТОЙ ПОВЕРХНОСТИ

III) КРЕМНИЯ.

3.1. Исследование рельефа сколотой поверхности (III) кремния методом оптического отражения.

3.2. Обратный фотовольтаический эффект на кремнии,сколотом в вакууме 3 • 10 торр. с парциальным давлением Hg0 -2-1СГ9торр.

3.3. Спектроскопия ПФЭДС чистой поверхности So (III) - 2x1 (Т=130 К).

Выводы главы Ш

Глава 17. АНОМАЛЬНО БОЛЬШАЯ ПФЭДС И МОДЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНОГО ФОТОГАЛЬВАШМЕСКОГО ЭФФЕКТА НА ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ Sc (III) - 2x

4.1. Экспериментальные результаты

4.2. Обсуждение экспериментальных результатов

4.2.1. Введение

4.2.2. Аномально большая ПФЭДС,вызванная неоднородностью поверхности

4.2.3. Поверхностный фотогальванический эффект.

4.3. Дополнительные эксперименты и их обсуждение

Выводы главы 1У

Глава У. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

ГЕРМАНИЯ И ФОСФИДА ГАЛЛИЯ. СРАВНЕНИЕ СО

СТРУКТУРОЙ Si (III) - 2x1.

5.1. Спектроскопия ПФЭДС чистой поверхности £е (III)- 2x

5.2. Электронная структура чистой поверхности (НО).

5.3. Сравнение фотоэлектрических свойств чистых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия.

Взводы главы У.

ВЫВОДЫ .••••

Введение диссертации (часть автореферата) На тему "Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия"

Поверхность твердого тела превратилась в настоящее время в один из важных объектов физических исследований. Чистая поверхность представляет особое состояние конденсированного вещества, свойства которого существенно отличаются от объемных свойств твердых тел. Изучение физических свойств чистой поверхности является неотъемлемым этапом в понимании строения веществ в целом.

Несмотря на более чем двадцатилетнюю историю интенсивного экспериментального и теоретического исследования электронной и атомной структуры чистой поверхности полупроводников, данная проблема остается до конца не решенной.Получение новых экспериментальных сведений о фотоэлектрических свойствах чистой поверхности представляет интерес как с научной, так и с практической точек зрения. Уровень понимания электронных и оптических явлений на чистой поверхности полупроводников определяет сейчас дальнейший прогресс в таких областях как микроэлектроника, эмиссионная электроника, гетерогенный катализ и др.

Делью работы являлось изучение фундаментальных свойств чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия - таких как термодинамическая работа выхода электрона, изгиб зон в приповерхностной области полупроводника, плотность и энергетическое расположение поверхностных состояний в запрещенной зоне, взаимодействие света с носителями зарядов на поверхностных состояниях (ПС), электронный обмен между поверхностью и объемом.

Научная новизна«

I. Обнаружен и изучен новый поверхностный фотоэлектрический эффект - возникновение аномально большой поверхностной фото-э.д.с. (ПФЭДС) на чистой поверхности Sc (III) - 2x1, в несколько раз превышающей ширину объемной запрещенной зоны при оптическом межзонном (поверхностном) поглощении.

2. Впервые обнаружено значительное изменение работы выхода электрона (единицы вольт при Т = 90 К) на чистой поверхности (III) - 2x1 с понижением .температуры, начиная с Т = 120 К,

3. Для объяснения указанных выше экспериментальных результатов предложена модель поверхностного фотогальванического эффекта. Впервые проведена оценка проводимости по поверхностным состояниям при Т = 90 К.

4. Впервые на чистой поверхности Si (III) - 2x1 п-типа обнаружены отрицательные сигналы ПФЭДС и фотопроводимости в интервале энергий фотонов, соответственно, 0,36 эВ ^ <■ 0,72 эВ и 0,4 эВ <

Ai) < 0,6 эВ.

5. Впервые изучены спектральная зависимость и кинетика ПФЭДС на чистой сколотой поверхности фосфида галлия и определены параметры ПС: энергетическое положение, концентрация, сечения захвата фотона и электрона.

6. Впервые прямым экспериментом по "спрямлению" энергетических зон светом определен изгиб зон на чистой поверхности Qo-P (ПО).

7. Впервые обнаружено отражение света в направлении [lI2] от сколотой поверхности (III) кремния. Предложена модель этой поверхности, в которой террасы, ограниченные моноатомными ступенями ÎI2,прерываются макроступенями 112 .

8. Впервые обнаружен обратный фотовольтаический эффект (увеличение первоначального изгиба зон) на кремнии, сколотом в Q вакууме 3'ICn7 торр.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

I* Экспериментальные результаты по электронной структуре сколотой поверхности кремния.

2. Аномально большая поверхностная фото-э.д.с. и модель поверхностного фотогальванического эффекта на чистой поверхности Яс (III) - 2x1 .

3. Экспериментальные результаты по электронной структуре чистой поверхности С-аР (НО) .

4. Экспериментальные результаты по спектроскопии ПФЭДС чистой поверхности (III) - 2x1 •

Заключение диссертации по теме "Физика полупроводников и диэлектриков", Свиридовский, Лев Савельевич

ВЫВОДЫ

1. Исследованы спектральные зависимости поверхностной фото-э.д.с. (ПФЭДС) и фотопроводимости (ФП) чистой поверхности ч

III) - 2x1 р- и п-типа (соответственно, Р - 2000 Ом-см и 750 Ом-см), полученной сколом в сверхвысоком вакууме 5-Ю-** торр., в температурном интервале 90*300 К. Впервые обнаружены на кремнии п-типа отрицательные сигналы ПФЭДС и ФП в интервалах энергий фотонов соответственно 0,36 эВ * М * 0,72 эВ и 0,4 эВ hJ < 0,6 эВ. При низких температурах (Т = 90 К) обнаружен новый поверхностный фотоэлектрический эффект - возникновение аномально большой ПФЭДС, в несколько раз превышающей ширину объемной запрещенной зоны при межзонном {поверхностном) оптическом поглощении ( ~ 0,45 эВ).

2. Установлено, что термодинамическая работа выхода электрона (РВЭ) чистой поверхности Sc (III)-2x1 р- и п-типа црактич чески не изменяется в температурном интервале 300+120 К, что подтверждает модель закрепления уровня Ферми. При понижении температуры от 120 К до 90 К впервые обнаружено значительное изменение РВЭ (единицы вольт), причем для Sc р-типа работа выхода уменьшается, а для п-типа увеличивается.

3. Предложен механизм образования аномально большой ПФЭДС и изменения РВЭ через модель поверхностного фотогальванического эффекта (ПФГЭ). Модель основана на появлении фототока по поверхч ностным состояниям (ПС) вдоль полярного направления 112 > плоскости (III) цри оптических переходах электронов между двумя зонами ПС "оборванных" связей кремния. На основании экспериментальных результатов и предложенной модели ПФГЭ впервые проведена оценка проводимости по ПС чистой поверхности Ä( III)-2x1 при Т = 90 К.

4. Методом оптического отражения света исследована сколотая поверхность кремния. Впервые обнаружено отражение света в направлении [112] слабой интенсивности (по сравнению с отражением 112) и углом отклонения, достигающий 45°. Предложена модель сколотой поверхности (III) кремния, в которой террасы, ограненные моноатомными ступенями 112, прерываются ступенями I12. а

5. На образцах кремния р-типа, сколотых в вакууме 3-10 торр. с парциальным давлением 1^0 2-Юторр., при исследовании спектральной зависимости ПФЭДС обнаружен обратный фотовольта-ический эффект (увеличение первоначального изгиба зон) в области энергий фотонов I эВ < /п? 1,2 эВ. Предложена модель, согласно которой данный эффект обусловлен оптическим поглощением электронов двумя уровнями (зонами) несобственных ПС адсорбированных молекул воды на моноатомных ступенях сколотой поверхности кремния.

6. Впервые исследованы спектральная зависимость и кинетика ПФЭДС чистой поверхности £аР{ПО). Предполагается, что сигнал ПФЭДС в интервале энергий фотонов 1,75 эВ ^ ^ < 2,24 эВ обусловлен оптическим переходом электронов с ПС, расположенных на 0,5 эВ выше потолка валентной зоны, в зону проводимости. Определены параметры этих ПС: концентрация, сечение захвата фотона и электрона,соответственно:

5-Ю10, (ИГ14, Ю-15) см -2, (см2).

7. Впервые прямым экспериментом по спрямлению энергетических зон светом определен изгиб зон 0,75 эВ на чистой поверхности

Со.Р (ПО) п-типа, что подтверждает модель "закрепления" уровня 4

Ферми зоной незаполненных ПС "оборванных" связей атомов галлия.

8. Исследована спектральная зависимость ПФЭДС чистой поверхности германия (III) - 2x1 р- и п-типа. Сделано предположение, что сигнал ПФЭДС чистой поверхности германия р-типа в интервале энергий фотонов 0,55 эВ ^ Е^ обусловлен оптическим переходом электронов из объемной валентной зоны на незаполненные несобственные ПС (дефекты), расположенные на 0,55 эВ выше края объемной валентной зоны.

9, В результате проведенных исследований ПФЭДС на чистых поверхностях Л'(III)-2x1, СаР(ПО) и Ь е (ш)-2x1 установ * ^ лено, что величина и направление электрического поля на чистой поверхности существенно определяют вклад в величину ПФЭДС двух типов оптических переходов электронов: зона заполненных ПС -зона проводимости и валентная зона - зона незаполненных ПС. Для изгиба зон вверх превалирующий вклад в ПФЭДС вносит первый переход, для изгиба зон вниз - второй переход.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Свиридовский, Лев Савельевич, 1984 год

1. H cinc ft И/. PiífSccs of reconstructed .s ¿Ce со/ь surfaces.-- Surf. ., 1979,f.86, р.Ш с. 672-699.

2. С ft a dt 0- J. /ttomíc structure ùf Si (ni) surfaces . ~ Surf. Sei 1980, v.90, »I, p.I-I2.

3. East ma a DE. GeometricaC a л с! е(&с/ъоыс siracft/re. of St (001) and Si'(III) surfaces : л s/afas repos-/.- j. Vac. Set. TecA^oß., 1980, 17, №1, p.492-500.

4. Нестеренко Б.А., Снитко O.B. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полуцроводников. Киев: Наук, думка, 1983 - 264 с.

5. Нерввгг M. L с L tf¿o /u0/¡ еб é Und fe€dc!e ffect reí fier s¿6¿é¿UJ7bspcuifeco с&аъ.

6. PAtfS. s/*/ 5об. , 1967, V. 19, p.833-845.

7. Möncfi И/. Surface о л с Ceo я and о л се ¿¡¿и /л coveredсСса\,ecl 9iàcôfb surfaces.-/%. sU1970, tf40, p.257-266.

8. Дэвиеон С., Левин Дж. Поверхностные (таммовские) состояния.- M.: Мир, 1973 232 с.10. flristou VJu-, ßaiov I E-, Gr-asâù€cs i/, ß- toca temperature L EED Q.ûd eEecéric. conde/ctefrfy measureme/?h for ûEea-i/ed

9. I) surface^- 4urf. Sc¿. , 1983, u 132, № 1-3, ' p. 73-81.

10. Fisher Т.Е. Surface f?*iope2t¿es of S¿ fio/n pfrotoeEectric émisse огь a¿ room iehiparaiuf^ and 80 К. Surf Sb';1968, I/10., p. 399-409.

11. Ciia.ro tt i G., /Van/ш rone Pastore ; ß. 9 CPior-odio, P. Opt¿ -tai akoiptco/h of surface states in uCtrbkgh тип m ctoai/edi (III) s¿ir/ûecs of èe Q/iJÇ;.-/^ç. Rev. В, 1971, у. 4, МО, р. 3398-3402.

12. Сйсигсьс/сси P. , ChcaroÜí sVct

13. CftiaradicL P, Afannarone S ■ Opt ¿сов f?2o/>erf¿ts cf tÂe càûs/г and sCoivCy oy,/d(¿ed surfaces of sí&co/b.- Surf. Sec. , 1976, /54, p.547-552.

14. Cf¡ la rotte G., Manna rone S-, ЬрИсов detect ¿on of surfacestates го semiconductors- /Vüo№ C¿rr>. f 1977, V39B, Ш, p.739-747.

15. Mdffer W.j Моле ft Ц/. DetcrnnnaKoa nf мфаг sbte at Свесь/ь с Ceased sißcca, snrfaee^ fwm j>fpi о conduct ¡^(ttj. ~-Pkjsfav.M. , 1971, t/ 27, Jfö, p.250-253.

16. Катрке М, Иепввег М. ffurface. siamés froperéíes of c&q/i c&a. -•W ZlEícml as derii/eci from ¿fie ée/>i/x.rafure с(ерсло!елсе of tAe Su фее pUoi/оСЩа.- SurfSd,, ,1976, £/54, p.III-I20.

17. C&ies J., HenzCer- M. Oefern/i^o h'o/i of ъцфсе S fahs on Se (III) ву su фее. pñoéoi/oftQ^ s/>ec/rosccpcf/?еи Q 1980, ■ i/ 21, Ж, p .625-631.

18. КиЬв/лат НепгСег Af. А/оп- eyuiári¿//» sur face sfafe proper бсеъ ai с&ал, c^eai/ed st£¿cca su фее as mmsared surfice. p^oíoi/oC^- Zurf.Sc/. ,1980, i/ 99, p.45-58.

19. Assmann J., M'ónef, W. Óptica £procer/¿es of с/ал^/уд éonds Shtes a { c&aved siácon surfoees Syrf. £c¿. ? 1980, И 99,р.34-44.

20. Нй nema а Р. Surfaee. struefures and properéc'e^ of d/crno/id-- sirucíure. Semiconductor-s.- PAys. Rev-1961, 1/I2I, №4, p.I093-II00.

21. С filara cítoy Р., C&arotfi Q., Se вес J¿. ffrc/roMc sur-faea shies ai skf>s ¿n (III)-2x1 Surf. £/.,1983,и 132, р.62-67.

22. Не n ъ Ce г М. LEED -¿шЖда&ол of síep> arraya о/? efécuedyermanium (tn)snrfrees SurfSci. , 1970, V 19, p.I59-I7I.

23. Hender Ü., C6aies -J. &гис{игав a/iofe.6ecfro/?tc p>ro/ber¿¿es of steppeof se/bicondudor surface^r Jap^n. J. /^,1974, SuppC.2, Pt. 2, p. 389-396.

24. Неигвег* M- Tfe roujúfíess of cEearect se^iconducfor surfae&b. Sc/rf. Sc¡. ? 1973, f 36, p. 109-122.

25. Ióncft H, Hora Оог/г £ ¿¿¡¿A //. 7tfe adsorciónof о?(/уел W sc&con. (III) si/rfaces. . I Surf. Ясс. ,1973, 38, р.433-454.

26. PvÁ ¿W/7/? M/., Hender M. ¿r>ffue/ice, fa/owc sM/>s on if¡fL eCecíroníc. prope.r£¿of c tean. cfeaved s¿6tco/i, as derite4 /rom if)& surfoce. ptofovoCÍQtje. $urf. Se/. ,1977,^69,p.533-546.

27. Stecnñsser E, VeincA ñ-E. H/ave fe/y ¿A defe/)dence of ¿de. surfaee. f>/ovo6frctge. ¿n i/acuc/m efeai/ed CdS.- Sut-f. £c/.,1971, U28, p.607-620.

28. Rolde J.E.j Cfircs-f/nnnn S. 6.,IfácJl M PAotoe/n/'sst'on mea-Suremeñh of síep de/e/idenf surfa

29. Krueqer S./ Ploncf0 l¿/. £ fe cfao of sfeps 0/1 cCea ved se/vtcoi dac /or faces. —- Sarf. Ce/., 1980, t/99, p.157-164.

30. Ciado D.J^ CAc&eowsêtf Stef> for/naUorL e/iercj¡c<> fond domain, on'e/t/a/-¿ons ai Çi (m) surfaces.-PAys. Ñev. B91981, 1/24, JP6, p.4892-4895.

31. Bcttericlcje G. P.? Hetue H. Ca6cuCah'o/i of Me ojbtccoâ ai sor/Mo h Coinueeu sorfae^ s Mes of s ¿freo/? .- Surf.1974, 1/43, p.417-430.43. Feo re s F., Page o J.

32. SeCecJ-co/L ruées /or op{¿caC aêsorpt^ù/L on,

33. S¿ (m) faces . PAifS- 3M. soC.7 (B), 1975, i/68, P.KI7-K20.

34. Cf0 K?PaseT. Podan ¿alón dejbcudc/ice vf fAe. aésorph'o/t speebum of /Ae recohdruded surface. S¿ (IH)-2xI SoCt'd

35. Sé*l Potnm., 1978, ^28, №4, p.333-335.

36. Cfadi D.J., Pc ê Sofa P. z/ïeory of (fie. e&c/romc Wcuio/vec si ru dure 5¿ (III) : surface. Sficn. fioChrc ¿q A ¿ou effech.- Pfys. Peu.ltfr., 1982, v2I, №t p.319-326.

37. Pan dey P.C. d/ecO P- go/icJed cAa¿/> rtodeC for Si (/n)-¿x(

38. Surface.r Pfys.Re*.Leti.f 1981, /47, »86, p.I9I3-I9I7.47. fforttrup xPP.y {Poñen Af.P P&c(route structure cf//te. F-éo»-ded cfcùr? o?odeg fine! -f-Âs. /?o/iêucPed a/j/c ferro/nayci¿c tu su 6a /or /r?odce for ¿Ac £ (III) sur/^ce.-J.

39. W/»X982, i/ 21, №2, p.333-336.

40. Lancier J.J., ff^êcCt J., /Yorr/so/i V. S/rue Aura P ^roferh'cí of cCeaved s¿C¿cojv ond ger/naftium surfaces. J 4pp6. P/ys.1963, i/34, №8, p.2298-2306.

41. Se £Conc A), To3qéf¿ E. A/oJeC gaud dructur-e sf recofidruc-¿ej (///)-2*/ surface of s¿Úcon So?. ÇM Coa,*,., 1975, u 17, 3, p.387-390.

42. НоЫШу Е у G-асе for £ /V., Р/л cPcli/X , Pe ¿г off / f&ciro -hic îhfes of Çï{IIl) surfaces. J. Vac. Sc,'. PectnoC. , 1981, ^ 18,3, p.860-865.

43. Fecfer P., P¿ncPL И/., Puer P P. /оШ слегдр евс-С^ол diffraction from (IH)-2xI: tfeory алс! experiment- J. PÁys. С: 1979, v. 12, L 179- 184.

44. HimpseE F.J. ¡Heinmunn P.? Eastman O.E. Surface staleso/i Si (III)-2x1- PAifs. Rev. Bf 1981,1/.24, №4, p.2003-2008.

45. Himpset F. -J. > Hein man P., Pfiang EC. Ecid man. O.E. Geometry- dependent Si (2p) surface core-ßeveE excitations £>i (III)anJ Ъ{100) w/acei.-Pfafiev./etf. ,1980,1/. 45, №13, p.III2-III5.

46. Вгелгт ri S., S/ôâr xTгедег R.t Ро'сое J f. Core Pei/eE Binding -energy S Pdf s due to reconstruction on tAe. fr t"0-2* I surface.- Pßcp.Rau. Lett. ? 1980, 1/.45, M7, p.I4I4-I4I8

47. Redondo PyCEam Ц/.^CaEdomo A . Summary detract? Hott insulator mocteC of tfe Si (HI)-2x1 --surface J.Vac.

48. ScL. Tccf)not.} 1982, i/. 21, №2, p.328-329.58. /¡CEcrt Q.Uonoo M. P r?eiO /Ptcfanis/п for tAe 2x1 reconstruction of tAe ^lCícd/i s¿/rfcce ÇurfÇç/., 1977,и.63, p.11-20.

49. Nor tñrup J. E., Iß/n J., РоРе/ъ P/.l. Sp¿n робъri¿црол u/ict atome geometry ûf ffe Si {\Ц)sarfQeer Pfitp.ßeuШ981, 47,1. Jfê6, p.1910-1913.

50. Duke. C.B.ford W.U. TJÎe /у! structure of S¿ (ш).sirofly corrections in outface dde gauds.- So 4- ^'-1981, YIII, p.685- 689.

51. Ufaêerej PI-Cr., Hanson V., ^icAoCss J.M., feodstro/n S. A Fxperi-rimenf*? evidence for we tyhfy dispersive dififty-AanJ fand fl^III)-2x1- Ptys ■ Rev. tetF. , 1982, U. 48, №15, p. 1032-1035.

52. Lüii //-, Rd* d., tiah R 7%e. I-bonded efiaifi-/node£ -for(III)-2x1 in ylek) t?f recent u>#ve vector reiaCved electron e/ier~ W Poss spectra Surf. Te/.,1983, *I32, p.46-48.

53. Feder R>. Fest of a, /ku) Si (HI)-2x1 surface /node 6 fy foeO energy electron, diffraction- SoP.St. Cc*>/».% 1983, 1/45, n.I, p.5I-52.

54. Mönci itt.?Ro4e P., ttrueger S. bn tAe electronic structure oftfCea,/b ,2x1 reconstructed, siFcon, (001) Surfaces- diûe. Çcl . TtcRndd., ,1981, V. 19, №3, p.313-318.

55. CAaêat Y. J., CR ri st m dp- S.B., CAaêart F.f., /¿7z tf.T. Summary distract: Surface s fa ix. opt ¿cat adsorption, oft t.fie eFeasi (jqo)2x1 surface -J.l/ie-Sei. TecA^e. ? 1983, v I »ß, p.I24I-I242.

56. Cfiadi D J. frt&mLeiiwi 'electronic structures ofreconsbM £(100)surfaces.- PAijs.Pev. Utt.7 1979, ¿/.43, №1, p.43-47.

57. Cfioidi. D.d. Reexamination of t/e £'(100) surface reconstruction- flppt. optics , 1980, (/. 19, №23, p.3971-3973.

58. Ptys. ,1964, 1/. 35, №3, p. 597-605.

59. HeiCand G. > LamoFcF P. Surface séries o/? cFea/t siFico/i-Surf Sa'., 1964, i/ 2, p.18-25.

60. FrÇudat. tt.,FiscAer FF. Pe&liohsAip fetioecn, atomicstructure qnd electronic properties of (HI) Surface, of siùco/i.- PAys.PevML,iortZ% (/29, HI, p.732-735.72. ^cfmer DM. 3 VIЫе C-W. , НестЛП Р., fe¿A£ 8., támftsee F J, Easf

61. Mp.fi, /)£. Sim¡6^r¡{^ of -¿fíe &ser o/?cf -¿fier/г?а€бу оппеа6е£

62. S¿ (III) surfacas г Mp. Я*- S. ,1981, V. 24, №8, p.4875-4878.73. /l/ec/c/ermeyer H-, ft'sse. U., Pvp¿c/>er P. PPofoe/??/ssIo/i- sfc/c/y of ¿fe sc/фее efecfro/?¿c sfrucfure SV(ui)-IxI и

63. Se (III)-7x7." Su Sct\, 1982, V. П7, p.405-4I6.

64. Cf¡((?roé{¿ CAt\aradia, P, Мал na голе S. &pf¿c¿>6 úisorpéio/i, vf sWifaee s/q/es а/ 5V(ni)-7x7.~ 5V/ SW.,1975, I/. 49, p.315-317.75. l/?o Я. /¡леи) ъЬас^чге. л?ос?ев for //e 5¡('")-?y? sc/rfaczsíructure-Jqp. J. A/>?£ PJp., 1980, 19, Ш, p. 61- 64.

65. Miffer AJ., Но nema a P- £isaáiáo/? of rece* é SV (III) -7x7 Surfacc fnodz&.-SurfiZci1980, и 94, р.555-563.

66. Me Rae. Б .6- • Sérudure of /5?(lll)-7x7Surf. SV., 1983, V. 124, p. 106-128.

67. P/>¿f€¿/>c S.C. Меш /noJe{? -for reembudd Si (III)-7x7 sinfaee

68. Supereaíiees.-Pev. ¿e#., 1980, /.45, MI, p.905-911.

69. Cordt fío М- /.У* fu re of /¿t £( III)-7x7 reco^/rac/fo/i.

70. В у 1981,1/.23, №8, p.4279-4282.83. f.G.fioedwceeс.ш. of z/aii)-™ И-рл^. Reu. letf-j 1981,1/-46, №25, p.I632-I635.

71. Pandey КС. Sitfnmqry Afeírad of re/tuco*-Mor surfm: 5/(111)-2x1, S¿ (III)-7x7, andP«As (но) / ¡/яс.

72. Se/. Tectnoe. (A), 1983, (/-I, №2, p.I099-II00.85. (oa£ У. Pouje J.f., £>.&. rzco/is 1 ruchan on easer a/jnea6ec( S¡ (»0. - /%

73. Mclinfetj A., W¡№ams Я//■, PorÁe A., Qr/i/ash^ G. P.

74. W/ sidicon. 5urfaeo. -efecíronic sírudure ahd s¿/r/w Chista Мод-\kctwK } 1981, v 31, МО-12, р.549-552.

75. Степанов B.E., Чалдышев В.А., Чернышов В.Н. Теория поверхностных состояний в полупроводниках. В кн.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников / Под ред. А.В.Ра-синова. Новосибирск: Наука, 1978, с. 5-43.

76. Катрич Г.А.,Сарбей О.Г. 0 поверхностной проводимости германия, легированного золотом. ФТТ, 1963, т.5, в.11, с.3321-3322.

77. ChQht Jp P.) lA/eésfer PS. Purface. ccncladivdy of с ве^ ved per-тпЫт strrfaees-J tifas., 1968,^39, W7, p.3I29-3I3I.

78. Wietisioidskí J.V. ,/Yo/7cA И/. ¿%a/t/?e€ eMebch'isity ef C&ai/ecf a/id й/ineaCect дегмаЫмч ft^.JjJl(B), 1971,^45,p.583-589.

79. Her?¿€er Pf. Corre tiflón, Between Svrftee. ?fr¿/cf¿r*e ¿Wsofoca 5/4 ¿es ai Me eéka/i ?er/»a/i<ü/7> (f/) Svrfaee. J-#/>/>e. Pfys. 1969,v. 40, №9, p.3758-3765.

80. Pñi¿¡roff¿ Stßiore Уаллагрле S- боссов c/efec/con of'Surf¿tee 5Ufas о/? cPcai/

81. Mloro&c £, М>г>/и?го/?е S. £ffi>c¿ of евес/гсс freedor> fÁe ор/сслв ßty ¿f ge (III)-2x1 surface sbfes.-Pßys.

82. Rev. Lett., 1976,v.37, $14, p.934-936.

83. Bücßet /У., ¿u ¿A И. Surface ^ofoi/оЩс sfiecfbxco/y of electronic surface s/z/es ол c&aved qe,rst\ahiuM (Ш) s^m- Surf. Sd., ,1975, V- 50, p.451-464.

84. Галаев A.A., Выговская E.A., Сулеева JI.В.,Пархоменко D.H. Исследование электронной структуры атомарно-чистой поверхности (III) Изв. АН СССР, сер.физ., 1979, т.43, №3, с. 469-472.

85. Аристов В.Ю., Батов И.Е.,Головко Н.И., Гражулис В.А., Тальянский В.И. Исследование электрических и структурных свойств поверхности скола и бе В кн.: Физика поверхности. Тезисы оригинальных докладов Всесоюзной школы. Ташкент, 1983, с.4.

86. Гаи л венчай /Л, 5с? Л Ra Я ft А., farÁ Р. ¿¿o/nie ¿truc}«-re

87. PaCngerq P. 14/. S'érudttre íransforfc}t(o/t$ ол c&avecf ancí алпеаЫ Ge(m)surfaces- Surf. 9с/. , 1967, i/.6, p.57-97.

88. PnCmier^ P.W. fou> ъ/tergy e вес fron d'i // c-f/oh sfctc/ies.о л ёе (III) ahef tft- сouerre} V/^I968,1/. 11, p. 153158.

89. Arisfov I/. Уч. > воео\,£о A/.I. , erasßae/s VA-, Ós/fVQh y«.h„

90. To,eyans&¡¿ I/. \ Structure. of (Ш) sur frets0@éai/ieaf fy C&íii/tvge ¿» super i/acius/» о/ /ел?peuhres. Surf. 9C¿ 1982, 117, p.204-207.

91. Pa As (ПО) Ñev. Lett., i976j №I7> p.i058-I06I.

92. CaC&ndrch С., ^£L/){oro 7/?/г/л sc'c sorfiiee s/a/es ¿/t

93. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1971. -480 с.

94. Си г ret С. С. В. , B>ra-frqih w.H. Pisir/Gu /¡oh and cbosssec/c o/jS of /W <>Mes ол уегматт* sorfaees. Be/!в 5p.Tect,h. J. t 1956, p.1041-1058.

95. JoA/^son ¿¿. 0. large st'

96. Wi^t'tims /?■ W- Surface. pAoiovoUagc hieasure/nehh 0/1 cadni-m suCficfe J PAys. . 5Ы?. ? 1962,1/23, p.I057-I066.

97. Bui м> sirdv I/ £ оrfa/v A. P., ¿¿Awctfetdo I/. 6. A^O /0 ¡/€>£¿¿1 -je. ¿hducecf -fy carfare of? pAofa eerners; Ад surfaet irfysSc/rf.

98. Sci.} 1965, 1/. 3, p.445-460.

99. FrahM ¿/¿/пег ¿.A. TAeorjf rf iA* ~ ffio-fovo&a-cje. a/ se/mlcoridbcfor Surfaces. ~ S/urfCc,\f 1966, f 6,p.I15-123.

100. Bodes-fra, P. A., Aa

101. Sfxichoflt&try:Ce/S- Surf. 1971, ¿/26, p.317-320.

102. La(joiv?£y -J., fa&stra, в. A., £a£os //.C. PAoAovo&age. ¿Aversion effect and c£s ярр&еа ¿¿oh /0 se/n/со*due/or sctrfitee.shJies : Й/? S«//. SC. , I9?I f „ я,, p.547-558.

103. Laßou)S$C J., ßa&strcb C.I., fos //. e. Pg,cfio„;c tfaracterts-tics of геов ejs sc/фееъ,- Sarf. 5с/. , 1972, ¿29, p.213-229.

104. UßOivsii J., fa&sfra, e.l., //-С. Pzfer/yii/izf/oi. of Surface 5/4/e fiarGtoe-f-er? from surface pDofoi/off^e irartiet

105. СМ.- V/So:,1972, 1/. 29, p.203-212.125. ßafesircb C.i-j laßoujsic J\ 6a As HC- Defer/л t fish on sf Surface

106. Ривьере X. Работа выхода. Измерения и результаты. В. кн.: Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М.Грина. - М.: Мир, 1972, с. 208.

107. Sfct/o г esse г F, Hefrtc & £^ecfго/?fecß/if'f ле, for wea-Sur/fig aovo^f Cßafiqes ih ¿obfacf/yo/efift'a?'.- flev. Sb/.1971, v 42, p.304 308.

108. Ger/nwo i/¿v K.G., /Со/75 A /, i ¿/у ou /. /., Ь/га ü.¿. Su@~£a/>c¿ surface jbßo/o vpe^jQ ¿b dee/? ¿tufar'^

109. Semi сон Julón. Suri Sc¡. , J983, к 128, p. 447-463.133. bshpkovt'd P.¿. , РалавЛ /V. //>; бк/ъ/ее» optical or ¿eh та ft oh accuracy а и с/ ilíue.- J. /1Cectrec¿e*. 50c . , 1959, H06, p.315-317.

110. Реньян В.Р. Технология полуцроводникового кремния. -М.: Металлургия, 1969, с. 132.

111. Галаев A.A., Свиридовский Л.С., Суховский В.Н. Поляризационная зависимость поверхностной фото-э.д.с. сколотой поверхности Ä (III). В кн. Шизика поверхности. Тезисы оригинальных докладов Всесоюзной школы. Ташкент, 1983, с.79.

112. Свиридовский Л.С., Галаев A.A., Горюнова И.И. Спектроскопия поверхностной фото-э.д.с. сколотого в сверхвысоком вакууме кремния. В кн.: Физика поверхности твердых тел. Тезисы докладов Всесоюзного симпозиума. - Киев. Наук.думка, 1983, с.28.

113. Свиридовский Л.С., Галаев A.A., Горюнова И.И. Чистая поверхность Ä- (III)-2xI: большие неравновесные изгибы зон.-Письма в ЖЭТФ, 1983, т.38, в.II, с.527-529.

114. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973, с.346.

115. Фридкин В.М., Попов Б.Н. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках. УФН, т.126, с.657-671.

116. Белиничер В.И., Стурман Б.И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии. УФН, 1980, т.130, в.З,с.415-458.

117. Фридкин В.И. Фотосегнетоэлектрики М.: Наука, 1979, - 264 с.

118. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках. В кн.: Проблемы современной физики. - Л.: Наука, 1980, с. 275-293.

119. Ефанов A.B., Энтин М.В. Поляризационно-зависящие фотопроводимость и поверхностный фототок в многодолинных полупроводниках. ФТП, 1982, т.16, в.4, с.662-668.

120. Белиничер В.И., Ивченко Е.Л., Стурман Б.И. Кинетическая теория сдвигового фотогальванического эффекта в пьезоэлект-риках. ЖЭТФ, 1982, т.83, в.2, jc. 649-661.

121. Свиридовский Л.С., Галаев A.A., Горюнова И.И. Пархоменко Ю.Н., Новаковекая Т.Т. Фотоэлектрические свойства чистой поверхности G&P (IIÖ). В кн.: Физика поверхности. Тезисы оригинальных докладов Всесоюзной школы. Ташкент, 1983,с.80.

122. Дмитрук Н.Л., Лшенко В.И., Терещенко А.К. Влияние света на работу выхода монокристаллов G& 0s при низких температурах. УМ, 1972, т.17, Ш, с. 1356-1358.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания.
В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.

Автореферат
200 руб.
Диссертация
500 руб.
Артикул: 283586