Методы и экспериментальные установки формирования микрорельефа дифракционных оптических элементов видимого и инфракрасного диапазонов волн тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, доктор технических наук Волков, Алексей Васильевич

• Волков, Алексей Васильевич
• доктор технических наук
• 2002

Оглавление диссертации доктор технических наук Волков, Алексей Васильевич

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПОГРЕШНОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА НА ПАРАМЕТРЫ ДОЭ.

1.1. Фазовая функция оптического элемента и реализующий ее дифракционный микрорельеф.

1.2. Основные технологические процессы, применяемые при формировании микрорельефа ДОЭ.

1.2.1. Литография.

1.2.2. Качественный анализ погрешностей фотолитографического процесса.

1.3. Анализ влияния технологических погрешностей формирования микрорельефа на параметры ДОЭ.

1.3.1. Влияние технологических погрешностей на параметры дифракционной линзы.

1.3.2. Моделирование влияния смещения шаблонов на параметры дифракционной линзы.

1.3.3. Влияние погрешностей формирования микрорельефа на качество формирования интенсивности в фокальной плоскости аксикона

1.3.4. Влияние ошибки глубины травления на дифракционную картину и распределение интенсивности.

1.3.5. Влияние технологических погрешностей на величину среднеквадратичной ошибки формирования интенсивности

Выводы.

2. ФОРМИРОВАНИЕ МИКРОРЕЛЬЕФА ДОЭ С

ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОПТИЧЕСКОЙ ЛИТОГРАФИИ.

2.1. Формирование микрорельефа фокусаторов лазерного излучения с использованием жидкостного травления.

2.1.1. Изготовление фотошаблоно ДОЭ.

2.1.2. Изготовление микрорельефа фокусаторов.

2.1.3. Экспериментальное исследование фокусаторов.

2.2. Формирование микрорельефа ДОЭ вакуумно-плазменным травлением.

2.2.1. Вакуумно-плазменные методы формирования микрорельефа.

2.2.2. Исследования режимов травления материалов, используемых в качестве маскирующих слоев.

2.2.3. Исследование режимов травления кремния и изготовление ДОЭ на его основе.

2.3. Формирование микрорельефа ДОЭ методом послойного наращивания фоторезиста.

2.3.1. Исследование механизмов взаимодействия слоев фоторезиста при их послойном наращивании.

2.3.2. Оценка параметров фокусаторов в «кольцо» и «отрезок», изготовленных послойным наращиванием фоторезиста.

Выводы.

3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА В МАТЕРИАЛАХ, ПЕРСПЕКТИВНЫХ ДЛЯ ДИФРАКЦИОННОЙ ОПТИКИ.

3.1. Создание и исследование опытных образцов дифракционных оптических элементов для фокусировки лазерного излучения на кварцевых подложках

3.1.1. Исследование технологических режимов травления кварцевых пластин.

3.1.2. Изготовление бинарных фокусаторов на кварцевых подложках.

3.1.3. Исследование микрорельефа фокусаторов.

3.1.4. Оценка энергетической эффективности элементов.

3.2. Исследование и разработка методов формирования микрорельефа ДОЭ в поликристаллических алмазных пленках.

3.2.1. Термохимический способ формирования микрорельефа.

3.2.2. Исследование режимов формирования дифракционного микрорельефа методом ионно-химического травления поликристаллических алмазных пленок.

3.3. Исследование и разработка методов формирования микрорельефа ДОЭ в сапфировых подложках.

3.4. Формирование микрорельефа с использованием халькогенидных стеклообразных полупроводников.

3.4.1. Оптические свойства ХСП.

3.4.2. Получение пленок ХСП.

3.4.3. Оптическая запись дифракционного микрорельефа в пленках As2 S

3.4.4. Формирование микрорельефа ДОЭ с использованием ХСП в качестве маскирующего слоя.

Выводы.

4. АНАЛИЗ МЕТОДА ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА ДОЭ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ

МАТЕРИАЛОВ.

4.1. Физические параметры, характеризующие ионно-лучевое травление.

4.1.1. Общая характеристика метода ионно-лучевого травления материалов.

4.1.2. Энергетические характеристики ионно-лучевого травления материалов.

4.1.3. Коэффициент распыления материала мишени.

4.1.4. Скорость и селективность травления материала мишени.

4.2. Особенности формирования и трасформации микрорельефа ДОЭ с использованием ионно-лучевого травления.

4.2.1. Травление микрорельефа на фоторезистной основе.

4.2.2. Процесс травления микрорельефа на подложке.

4.2.3. Формирование микрорельефа ДОЭ в стационарном режиме ионно-лучевого травления.

4.2.4. Вычислительный эксперимент формирования и трансформации микрорельефа ДОЭ.

4.3. Численная оценка изменения профиля микрорельефа при ионно-лучевом травлении.

4.3.1. Исходные данные моделирования режимов травления микрорельефа ДОЭ.

4.3.2. Моделирование профилей травления микрорельефа

ДОЭ на основе бинарных структур.

4.4. Результаты экспериментальных исследований

Выводы.

5. ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ МИКРОРЕЛЬЕФА И ПАРАМЕТРОВ ДОЭ.

5.1. Основные операции технологического контроля.

5.2. Контроль физической чистоты поверхности подложек.

5.3. Технологический контроль микрорельефа с использованием тестовых дифракционных структур

5.3.1. Тестовые дифракционные структуры.

5.3.2. Диагностика качества микрорельефа с помощью тестовых дифракционных структур.

5.4. Контроль линейных размеров микрорельефа

5.4.1. Лазерный микроинтерферометр.

5.4.2. Сканирующий зондовый микроскоп.

5.5. Автоматизированное устройство контроля параметров ДОЭ.

5.6. Разработка и контроль параметров светотехнических устройств с ДОЭ.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методы и экспериментальные установки формирования микрорельефа дифракционных оптических элементов видимого и инфракрасного диапазонов волн»

Диссертация посвящена разработке и исследованию методов и экспериментальных установок формирования микрорельефа дифракционных оптических элементов (ДОЭ). Предложены методы формирования микрорельефа, технологические приемы и решения, включая использование новых, перспективных для дифракционной оптики материалов, приборов и установок. Практически реализованы ДОЭ в виде дифракционных решеток и линз, широкоапертурных силовых фокусаторов инфракрасного и видимого диапазонов волн лазерного излучения и устройств на основе ДОЭ. Предложены методы и приборы контроля параметров формируемого микрорельефа, дифракционных оптических элементов и устройств на их основе.

Актуальность темы.

Дифракционный оптический элемент представляет собой пропускающую или отражающую пластинку с фазовым микрорельефом. Первыми представителями этого класса плоских оптических элементов являются дифракционные решетки Релея - Сорэ и зонные пластинки Френеля, разработанные более 200 лет и 150 лет тому назад соответственно, представляющие собой дифракционную микроструктуру с периодическим фазовым рельефом и предназначенные для формирования одномерного или двумерного набора плоских пучков с заданным соотношением энергии между пучками /129/. Многопорядковые дифракционные решетки применяются в оптических устройствах мультипликации изображений, в соединителях для оптических волокон и свободного пространства, в устройствах оптической связи и обработки информации, в когерентных оптических процессорах /16, 52, 112, 89, 229, 248, 250/. Следующим по хронологии представителем этого класса, является зонная пластинка. Эти элементы имеют бинарное амплитудное или фазовое пропускание и используются в таких отраслях, как оптические средства связей и обработки информации /185,265/. 8

Настоящую революцию в создании ДОЭ произвело применение компьютеров (1970 год), лазерной техники и микроэлектроники (1980 год), позволивших сделать практически реализуемой задачу создания ДОЭ со сложным профилем зон. Это послужило толчком к компьютеризированному синтезу бинарных амплитудно-фазовых и фазовых пространственных фильтров, корректоров волновых фронтов, к созданию многоуровневых ДОЭ с уникальными характеристиками, не достижимыми в рамках традиционной оптики /97, 99, 108, 213/. Были созданы фокусаторы лазерного излучения, осуществляющие фокусировку падающего на них излучения за счет дифракции света на чисто фазовом микрорельефе /28, 100, 105/ и мо-даны, используемые для формирования и селекции мод лазерного излучения/13, 106, 253/.

Фокусаторы лазерного излучения были предложены и впервые исследованы в нашей стране в 1981 году (М.А. Голуб, С.В. Карпеев,

A.M. Прохоров, И.Н. Сисакян, В.А. Сойфер, /19/). В работах И.Н. Сисакяна,

B.А. Сойфера, В.А. Данилова и ряда других отечественных исследователей в первой половине 80-х годов получены основные решения задачи фокусировки для различных фокальных областей по созданию разнообразных фокусирующих ДОЭ /100, 108, 109, 118-120/. В последующие годы к исследованиям в области фокусировки лазерного излучения с помощью дифракционных оптических элементов присоединились многочисленные отечественные и зарубежные ученые /102-112, 225-230, 237, 238, 265/.

Фокусаторы - ДОЭ фокусирующие лазерное излучение в заданную область пространства, имеют значительные перспективы для использования в промышленной технологии /27, 59*, 84, 177, 179, 200/. Например, для решения задачи создания тепловых полей с заданным распределением температур в физических исследованиях, лазерного термоядерного синтеза, лазерной технологии термообработки материалов /2, 29, 36, 114/. В частности, для сверления отверстий с высокой точностью, маркировки изделий, обработки поверхностей со сложным профилем, закалки поверхно9 стей деталей, лазерных сварки и резки. Представляется эффективным применение фокусаторов лазерного излучения в установках микроэлектроники (распайка выводов и корпусирование микросхем) /30*, 77*, 201*/, в оптических приборах (приборы ночного видения, корректоры аберраций, компланарные осветители) /31*-33*, 164*/, в системах обработки информации, устройствах визуализации фазовых объектов и преобразования изображений /84, 103, 213/, медицина нуждается в сложной фокусировке лазерного излучения (лазерокоагуляционное ограничение опухолей; регенерация роговой оболочки глаза; расслаивание биологических тканей при эвакуации хрусталиковых масс; радиальная, тангенциальная и продольная кератотомия; лазерная коагуляция сетчатки и т.д.) /81, 101, 223/.

Анализ вышеперечисленных работ, показывает, что теоретические вопросы построения ДОЭ разработаны достаточно полно, чего нельзя сказать о технологической подготовке производства. Так например, изготовление ДОЭ из традиционных материалов и традиционными методами не позволяет полностью реализовать потенциал дифракционной оптики, так как невозможно получать без чрезмерных затрат непрерывные или почти непрерывные рельефы, необходимые для построения оптических элементов.

Ключевой проблемой при создании фокусаторов является одновременное достижение высокой энергетической эффективности и требуемого распределения интенсивности в фокальной области. Следует отметить, что практически все работы по теоретической оценке эффективности оптических элементов сделаны в предположении идеальной, или почти идеальной точности изготовления микрорельефа. В реальном случае, безусловно, имеют место погрешности, определяемые методами формирования микроструктур и технологическими погрешностями: размеры, смещение зон, высота микрорельефа и т.д.

Указанное определяет актуальность темы диссертации.

10

Краткий анализ методов формирования дифракционного микрорельефа

В истории физики дифракционные решетки выступают как один из самых незаменимых инструментов. До изобретения интерферометра дифракционные решетки были единственным инструментом, с помощью которого измерялись характеристические длины волн атомных спектров.

Амплитудная одномерная дифракционная решетка представляла собой плоский транспарант, с чередующимися светлыми и темными параллельными полосками (штрихи и щели), которые в ранних конструкциях изготавливались намоткой нитей с определенным шагом на рамку или механическим нанесением царапин на основание транспаранта (скрайбирова-ние). Более распространенными являются решетки, выполненные путем нанесения алмазным резцом тончайших канавок на поверхность стекла для пропускающих решеток или на зеркальные металлические поверхности для отражательных решеток. Существуют технологии, реализующие запись фазовой функции на оптическую среду. Например, делительные машины позволяют непосредственно получать дифракционные решетки (в т.ч. с блеском) и, поскольку в данном случае границы зон представляют собой прямые линии, управление делительной машиной не требует реализации сложных алгоритмов. Существует также возможность непосредственного перевода на физическую среду радиально-симметричных и даже более сложных фазовых функций с помощью прецизионных механических станков с программным управлением /100, 157/. Такая возможность реализована при изготовлении ДОЭ субмиллиметрового и дальнего ИК диапазонов /94, 158/, но из-за трудностей, связанных со сложностью применяемых механических устройств, не находит широкого применения.

С точки зрения близости параметров физической реализации ДОЭ к расчетным значениям фазовой функции наиболее естественно создание зон с непрерывным профилем микрорельефа. В настоящее время существует большое количество методов и технологий, позволяющих получать микро

11 рельеф с непрерывным профилем различной высоты и разрешения. Все они характеризуются своими особенностями и недостатками. Универсального метода, позволяющего создавать непрерывный профиль микрорельефа со сложным рисунком на поверхности и высотой от долей до десятков микрон для разных областей спектра оптического диапазона, в настоящее время нет.

В 1962 г. Ю.Н. Денисюк рассмотрел возможность получения дифракционных решеток с помощью записи интерференционных полос /121/. Современная технология позволяет получать периодическое гофрирование с помощью так называемого голографического метода. Рельеф решетки в этом методе создается путем интерферометрической экспозиции и обработки фоторезиста. Затем с помощью ионной бомбардировки или химического травления решетка переносится на подложку. С тех пор созданы решетки для видимого, УФ и мягкого рентгеновского диапазонов. Голографические решетки могут быть изготовлены на искривленной поверхности. Кроме того, в принципе можно создать решетки, период которых будет изменяться по поверхности и таким образом обеспечивать возможность фокусировки дифрагированных пучков. Отражательная способность голографических решеток меньше чем у гравированной и сильно зависит от поляризации падающей волны. С целью решения проблем массового тиражирования голограмм проводились исследования по формированию рельефных голограмм на полупроводниковых фоторезистах /98, 63*/. В частности, для создания синтезированных голограмм и ДОЭ широкое применение в 70-х годах получили электромеханические фотопостроители, управляемые компьютером. Так, на тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), напыленных в вакууме, получены дифракционные решетки с высотой штриха 0, 1 - 0, 12 мкм и пространственной частотой 1000 лин/мм /138/. Но ХСП отличаются нестабильностью оптических параметров, определяемых технологическими режимами получения пленок ХСП /68-72*/.

Еще недавно широко использовалась технология производства ДОЭ с использованием бихромированного желатина (БХЖ) /187/. Качество фо

12 кусировки, представленное в данной работе, позволяет говорить, в принципе, о широких возможностях фокусаторов, изготовленных на основе БХЖ. Однако относительно простая технология формирования микрорельефа на основе БХЖ не нашла широкого применения в производстве ДОЭ, главным образом из-за шероховатости поверхности микрорельефа, снижающего эффективность ДОЭ, и ограниченной разрешающей способности, не позволяющей выполнять элементы с числовой апертурой выше 0, 1.

Перспективным является метод формирования непрерывного микрорельефа ДОЭ, базирующийся на применении жидких фотополимеризую-щихся композиций (ЖФПК) /197, 202, 204, 205, 224, 260-264**/. ЖФПК — это композиции на основе олигомеров и мономеров органической природы, имеющие в своем составе фотоинициатор, позволяющий производить отверждение в результате реакции радикальной полимеризации под действием актиничного светового излучения. Это доступные недорогие материалы, допускающие химический синтез с высокой чистотой состава и воспроизводимостью параметров. При отверждении они образуют сетчатые полимеры в стеклообразном или эластичном состоянии, обладающие высокой лучевой прочностью 500 Мвт/см для излучения наносекундной длительности и имеющие окно прозрачности 0, 35 — 2 мкм /34*, 224/. ЖФПК имеют хорошие физико-механические свойства, но при высотах рельефа порядка нескольких микрон резко падает пространственное разрешение, вследствие этого разрешающая способность не превышает 40 лин/мм /35*, 174/.

Наиболее перспективным является метод прямой лазерной записи в слоях светочуствительных материалов. На базе круговой записывающей лазерной системы посредством создания полутонового шаблона на поверхности аморфного кремния и поверхностно-модифицированных LDW-стекол получены ДОЭ ИК диапазона /147, 148, 186/. Но высокая стоимость LDW-стекол, проблемы управления мощностью лазерного пучка круговой записывающей лазерной системы при записи полутонового фотошаблона и

13 формирования микрорельефа более 5-10 мкм, являются сдерживающими факторами.

Особое внимание специалистов в области дифракционной оптики при формировании ступенчатого микрорельефа ДОЭ привлекают технологии, основанные на достижениях и оборудовании микроэлектроники. Определяющими в таком выборе являются следующие основные факторы: близость геометрических размеров ДОЭ и микросхем; близость требуемых характеристик пространственного разрешения; высокий уровень автоматизации микроэлектронного оборудования и возможность реализации на нем сложных топологий зон; возможность получения многих градаций фазового микрорельефа; наличие множества технологических участков микроэлектроники и возможность аренды оборудования; высокая степень надежности технологических автоматов и повторяемость результатов; возможность использования материалов, имеющихся в микроэлектронике (субстраты, резисты и т.п.);

Поэтому вполне естественно, что работы /6, 17-19, 82, 136, 149, 150, 203, 239/, касающиеся вопросов изготовления дифракционных оптических элементов (киноформных оптических элементов, элементов компьютерной оптики), базируются на использовании оборудования, подложек, методов и технологических режимов, заимствованных из микроэлектроники. И если в первых работах преобладает метод фотолитографии с применением жидкостного травления стеклянных подложек, то в последнее время для изготовления ДОЭ используются прецизионное, дорогостоящее оборудование и более сложные технологические процессы.

Так, для изготовления ДОЭ, работающих в видимом диапазоне с маломощными источниками лазерного излучения, используется литографи

14 ческое травление /141, 156, 209, 231-233/. Технологическая реализация таких элементов производится равномерным травлением резиста на основе полиметилметакрилата (ПММА), нанесенного на кварцевое стекло, по заданному числу уровней квантования фазы (обычно 2 — 16 уровней). Для осуществления равномерного травления резиста по рассчитанной полутоновой фазовой маске элемента рассчитывается комплект технологических бинарных файлов (виртуальных бинарных масок), определяющих пошаговый процесс литографического травления резиста. Эффективность 16-ти уровневого элемента составила 83% от теоретической.

ДОЭ, работающие в ИК-диапазоне, изготовлены с использованием метода степенного травления кварцевого стекла и ZnSe-подложек с нанесением покрытия из золота на отражающую поверхность, а также гальванопластического тиражирования изготовленных фокусаторов /232/. Для формирования микрорельефа ДОЭ используется, как правило, плазменное травление подложки по 8 или 16 уровням, для чего на литографе выводится комплект, соответственно из 3-х или 4-х бинарных фотошаблонов.

Наличие низковольтного электронного генератора изображений Leica LION LV1, обеспечивающего предельное разрешение около 0, 04 микрона, позволило изготовить бинарный ДОЭ (модан) на кварцевой подложке /233/. С помощью электронного луча в слое ПММА, толщиной 0, 18 мкм, осажденного на подложке из плавленого кварца, рисуется изображение в соответствии с топологией бинарного фазового элемента. После операции проявления, осаждением в вакууме на поверхность структуры с бинарным изображением наносится слой хрома толщиной 0, 05 мкм. Затем используется процедура вымывания оставшегося резиста на основе ПММА вместе со слоем хрома из областей, не подвергшихся экспонированию. И, наконец, с помощью реактивного ионного травления, при котором слой хрома выступает в качестве защитной маски, в кварце создается требуемый бинарный профиль микрорельефа.

15

Интересные возможности открывает метод лазерного формирования микрорельефа ДОЭ при работе с таким труднообрабатываемым материалом, как алмаз, крайне перспективным для создания пропускающей оптики среднего ИК-диапазона (к = 10, 6 мкм). В качестве примера, для оценки возможности формирования микрорельефа ДОЭ на алмазоподобных подложках, методом селективного лазерного травления была изготовлена четырехуровневая цилиндрическая линза /144, 247/, работающая в средней ИК области спектра (А, = 10, 6 мкм), с фокусным расстоянием /=25 мм и апертурой S = 4 х 4 мм . Дифракционная эффективность ДОЭ, измеренная в ходе эксперимента, составила 78%.

Высокая степень автоматизации технологических операций микроэлектроники позволяет говорить об автоматизированном проектировании дифракционного микрорельефа оптических элементов. Такое проектирование включает в себя не только выбор специальных методов, учитывающих технологические ограничения, но и возможность итерационной оптимизации важнейших параметров ДОЭ на основе анализа результатов контроля качества получаемого микрорельефа и эффективности работы ДОЭ в оптической схеме. При этом выбор размера, формы используемого материала, пространственного разрешения проектируемого микрорельефа (и соответственно выбор технологий) определяется как задачами, стоящими перед ДОЭ, так и оптическим диапазоном его работы.

Резюмируя, следует отметить, что наиболее приемлемыми методами формирования ступенчатого микрорельефа ДОЭ являются методы, базирующиеся на технологических процессах, используемых в микроэлектронике. Несмотря на большое количество, приводимых в качестве примера образцов ДОЭ, в литературе отсутствуют четкая схема последовательности технологических операций их изготовления и технологические режимы. Достаточно широко проработаны вопросы расчета, моделирования и теоретического исследования параметров ДОЭ, чего нельзя сказать о методах и установках формирования микрорельефа ДОЭ.

16

Целью работы является разработка, исследование и анализ методов формирования микрорельефа ДОЭ инфракрасного и видимого диапазонов волн лазерного излучения, создание методов и средств контроля параметров формируемого микрорельефа, дифракционных оптических элементов и устройств на их основе.

В соответствии с поставленной целью определены основные задачи диссертации:

1. Исследование технологических режимов и разработка последовательности технологических операций формирования микрорельефа ДОЭ с использованием жидкостного и вакуумно-плазменного травлений материалов.

2. Исследование влияния погрешностей формируемого микрорельефа на характеристики дифракционных оптических элементов.

3. Разработка и экспериментальное исследование способа получения пленок многокомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников стехиометрического состава для записи микрорельефа с высоким разрешением.

4. Исследование и разработка новых методов, обеспечивающих снижение трудоемкости и повышение качества формируемого микрорельефа широкоапертурных ДОЭ инфракрасного диапазона длин волн.

5. Исследование и разработка методов формирования микрорельефа силовых фокусаторов инфракрасного и видимого диапазонов волн лазерного излучения с использованием перспективных для дифракционной оптики материалов.

6. Исследование и разработка светотехнических устройств на базе дифракционных оптических элементов.

7. Модернизация и разработка приборов, устройств и методов для контроля параметров микрорельефа, исследования дифракционных оптических элементов и устройств.

17

Структура и краткое содержание диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Волков, Алексей Васильевич

Выводы

1. Существующие методы и устройства для осуществления контроля степени чистоты подложек, параметров формируемого микрорельефа ДОЭ и устройств на их основе являются недостаточно эффективными, дорогостоящими или не предназначены для непосредственного использования при создании дифракционных оптических элементов.

2. Перспективным является способ экспресс-контроля степени чистоты подложки ДОЭ, осуществляющего контроль по динамике растекания

10 2 капли жидкости до 10" г/см . Метод и устройство экспресс-контроля на его основе позволяют с высокой степенью достоверности (до 3%) оценивать степень чистоты поверхности подложек, используемых в технологическом процессе формирования микрорельефа. Представление результатов измерений растекания капли жидкости в электронно-цифровом виде позволяет использовать устройство в автоматизированном цикле создания ДОЭ.

3. Методика контроля параметров микрорельефа ДОЭ с использованием тестовых дифракционных структур является перспективной. Использование этого метода позволяет контролировать высоту формируемого микрорельефа ДОЭ ( при высоте 1-1,5 мкм с точностью до 0,1 мкм) непосредственно при выполнении технологической операции травления без изъятия образца из вакуумной системы.

4. Установка для тестирования фокусаторов лазерного излучения позволяет анализировать распределение интенсивности вдоль сложной линии фокусировки (или в заданной плоской области — в случае фокусировки в плоскую область) и оценить на этой основе энергетическую эффективность ДОЭ. Программно (или аппаратно) отслеживать долю энергии, попадающей в заданный (определяемый на основе данных о конфигурации области фокусировки испытываемого ДОЭ) участок фокальной области,

219 оценивать распределение интенсивности на любом участке фокальной области элемента.

5. Проведенные натурные исследования макетных образцов компланарных осветителей подтверждают перспективность использования ДОЭ в светотехнике. Особый выигрыш в массогабаритных характеристиках и эффективности достигается при совместном использовании волно-водных, дифракционных и других структур современной оптики; так, как это происходит при проектировании компланарных осветителей.

220

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации на основе теоретического и экспериментального анализа разработаны новые методы формирования микрорельефа ДОЭ видимого и инфракрасного диапазонов волн лазерного излучения в перспективных для дифракционной оптики материалах с использованием ионно-химического и ионно-лучевого травлений. Предложены новые способы и устройства технологического контроля формируемого микрорельефа ДОЭ, параметров материалов, характеристик дифракционных оптических элементов и устройств.

Основными результатами работы являются следующие:

1. Разработаны численные методы оценки влияния технологических погрешностей формирования микрорельефа ДОЭ на среднеквадратичную ошибку распределения интенсивности лазерного излучения в плоскости изображения ДОЭ.

2. Предложена последовательность технологических операций формирования микрорельефа ДОЭ на базе оптической литографии, позволившая изготовить широкоапертурные и короткофокусные ДОЭ лазерного излучения ближнего ИК диапазона с энергетической эффективностью до 70%.

3. Разработан метод и устройство экспресс-контроля степени чистоты поверхности подложек по динамике растекания капли жидкости на основе эффекта динамического отклика оптического сигнала.

4. Разработан метод формирования микрорельефа ДОЭ послойным наращиванием фоторезиста, обеспечивающий снижение трудоемкости, повышение качества формируемого микрорельефа и эффективности ДОЭ ИК диапазона (для фокусаторов в «кольцо» и «отрезок» на 810%).

5. Разработан способ получения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников стехиометрического состава, в слоях которых была выполнена голографическая запись микрорельефа дифракционных решеток с разрешением свыше 3000 линий на миллиметр.

6. Разработана методика контроля параметров формируемого микрорельефа ДОЭ с использованием тестовых дифракционных структур, позволяющая осуществлять контроль высоты микрорельефа ДОЭ непосредственно в процессе его формирования.

7. Предложены технологические режимы формирования бинарного микрорельефа высокоэффективных силовых фокусаторов ближнего ИК-диапазона (работающих в нескольких дифракционных порядках) ионно-химическим травлением кварцевых подложек.

8. Предложены способы формирования микрорельефа в поликристаллических алмазных (алмазоподобных) подложках для создания силовых фокусаторов лазерного излучения инфракрасного диапазона.

9. Разработана математическая модель формирования микрорельефа ДОЭ методом ионно-лучевого травления с трансформацией геометрии исходного микрорельефа.

10.Разработаны алгоритм и программные продукты компьютерного моделирования процессов переноса микрорельефа с фоторезистного слоя в материал подложки методом ионно-лучевого травления.

11. Проведенные исследования послужили основой при отработке технологических режимов формирования микрорельефа ДОЭ при создании дифракционных решеток, бинарных и многоуровневых фокусаторов лазерного излучения инфракрасного и видимого длин волн и оптических приборов с использованием ДОЭ.

12.Ряд технологических процессов, дифракционных оптических элементов и устройств нашли применение в производстве, используются в учебном процессе и защищены авторскими свидетельствами и патентами.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Волков, Алексей Васильевич, 2002 год

1. Аброян Н.А., Андропов А.Н., Титов Л.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. -379с.

2. Аморфные и поликристаллические полупроводники /Под ред.

3. B. Хейванса. М.: Мир, 1986. - 315 с.

4. Аморфные полупроводники. / Под ред. -М.: Бродски. М.: Мир, 1982. - 341 с.

5. Аристов В.В., Бабин С.В., Ерко А.И. Возможности технологии микроэлектроники для создания элементов компьютерной оптики // Компьютерная оптика. М.: МЦНТИ, 1989. - Вып.4.1. C.61-65.

6. Аристов В.В., Казьмирук В.В. Разработка электронно-лучевого оборудования для литографии и электронной микроскопии //Тезисы докл. Всероссийской НТК Микро- и наноэлектроника 2001. Звенигород. 2001.

7. Аристов В.В., Ерко А.Ч. Рентгеновская оптика- М.:Наука, 1991.-145 с.

8. Арифов А.В. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела,- М.: Наука, 1968. -428с.

9. Пальчикова И.Г., Рябчун А.Г. О влиянии погрешностей изготовления киноформов на функцию зрачка // Автометрия. -1985. №6. С. 98-99.

10. Ахмадеев М.Х.,Пашинкина Г.З.ДСараулова О.Д.,Фазуллина А.В. Методы травления оптических покрытий //Аналитический обзор за 1950-1979 гг. №3059. - М.:ЦНИИ Электроника, 1982. -72 с.

11. Батерс Дж. Голография и ее применение. М.: Энергия, 1977. -202 с.

12. Бахарев М.А., Котляр В.В., Павельев B.C., Хонина С.Н. Эффективное возбуждение пакетов мод идеального градиентного волновода с заданными фазовыми скоростями. // Компьютерная оптика.-1997. Вып. 17. - С. 21.

13. Бобров С.Т., Котлецов Б.И., Минаков В.И., Туркевич Ю.Г. Изготовление оптических элементов методами фотолитографии и ионного травления. В сб.: Оптическая голография ее применение в промышленности. JL, 1976, с. 31.

14. Бобров С.Т., Туркевич Ю.Г. В сб.: Применение лазеров в системах преобразования, передачи и обработки информации, Л., 1978, с.73-77.

15. Бобров С.Т. Влияние ошибок изготовления дифракционных линз на качество формируемого изображения // Автометрия. -1987, № 5. С.62-66.

16. Богатырев А.Е., Давыдова Т.А., Дьяконов В.А. и др. Получение и анализ веществ особой чистоты. -М.: Наука, 1978. С. 255260.

17. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников,- Л.: ЛГУ, 1972. 189 с.

18. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. -Л.: ЛГУ, 1983.-263 с.

19. Борн В., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. 720 с. Браун С. Элементарные процессы в плазме газового разряда. М. Госатомиздат. 1961. 349 с.

20. Васин А.Г., Голуб М.А., Данилов В.А., Казанский Н.Л., Сиса-кян И.Н., Сойфер В.А., Уваров Г.В. Расчет и исследование когерентного волнового поля в фокальной области радиально-симметричных оптических элементов. // Препринт № 304. -М.: ФИАН, 1983.-38с.

21. Волков А.В., Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Успленьев Г.В., Занелли А. Создание и исследование бинарных фокусаторов для мощного ND-YAG лазера. //.Компьютерная оптика. -2000. -Вып.20. С. 84-89.

22. Волков А.В. Исследование режимов лазерной технологии изготовления прецизионных гибридных интегральных микросхем частного применения, ч.1., ч.2 / Реферат. Отчет: Лазерная физика. Вып. 5, 9. -СПб: Российский центр лазерной физики, 1993, 1994гг.

23. Волков А.В. Контроль параметров микрорельефа дифракционных оптических элементов с использованием тестовых дифракционных структур. Вестник СамГТУ, сер. Физико-математические науки. 2001. -Вып. 10.

24. Волков А.В., Казанский Н.Л, Моисеев О.Ю., Сойфер В.А. Метод формирования дифракционного микрорельефа на основе послойного наращивания фоторезиста. //Компьютерная оптика. -1996.-Вып.16. -С.12-14.

25. Амиров И.И. Ионно-химическое травление кремния и окиси кремния в многокомпонентной плазме. // -М.: Труды ФТИАН. -1997.-Вып. 12. С.19-36.

26. Ануфриенко В.В., Неустроев Е.М., Новикова Е.М. Влияние режимов центрифугирования на толщину и стабильность пленок фоторезиста. // Электронная техника, -1970. -№1(33). -С.42-45.

27. Волков А.В., Казанский H.JL, Колпаков В.А. Физико-математическая модель плазмохимического травления микроструктур дифракционных оптических элементов на кварце. // Труды международной конференции «Математическое моделирование», ММ-2001, Самара.

28. Волков А.В., Казанский H.JL, Моисеев О.Ю. Подготовка поверхности подложек для изготовления ДОЭ методом послойного наращивания фоторезиста. //Компьютерная оптика. -2001. -Вып.21.

29. Волков А.В., Казанский Н.Л., Сойфер В.А., Соловьев B.C. Технология изготовления непрерывного микрорельефа дифракционных оптических элементов. //Компьютерная оптика. -1997. -Вып. 17.

30. Волков А.В., Костюк Г.В., Саноян А.Г. Математическая модель формирования микрорельефа методами плазменноготравления. //Труды 10 межвуз. конференции, Самара, май, 2000г.

31. Бабич С.С., Волков А.В., Михалевский А.Н. Расчет емкости планарного переключателя с толстыми электродами //Межвуз. сборн.: ЛЭТИ. -1975. -Вып. 165.

32. Бабич С.С., Волков А.В., Михалевский А.Н Сверхвысокочастотный коммутатор А.с. №633244 1978г.

33. Волков А.В., Моисеев О.Ю. Процесс удаления фоторезиста в ВЧ плазме. //Материалы конференции ученых и специалистов, г.Самара, 1988г. -0,02 п.л.

34. Волков А.В., Моисеев О.Ю., и др. Способ изготовления печатной схемы А.с. №1493084 1989г.

35. Волков А.В., Пиганов М.Н,.Буренин П.В, Довченко Н.К. Уч. пособие «Функциональная микроэлектроника» КуАИ, Куйбышев 86г.

36. Волков А.В., Рыбаков О.Е., Соловьев B.C. Исследование режимов плазменного травления синтезированных полимери-зующихся композиций. //Компьютерная оптика. -1997. -Вып. 17.

37. Волков А.В., Рыбаков О.Е., Успленьев Г.В. Исследование режимов лазерной технологии изготовления прецизионных гибридных интегральных микросхем частного применения, ч.2

38. Реферат. Отчет: Лазерная физика. Вып. 9. -СПб: Российский центр лазерной физики, 1994.

39. Волков А.В., Саноян А.Г. Оценка эффективности использования микротехнологий при создании дифракционных оптических элементов. //Труды 10 межвуз. конференции, Самара, май, 2000г.

40. Волков А.В., Скиданов Р.В. Формирование микрорельефа ДОЭ с использованием достижений микроэлектроники. //Компьютерная оптика. -2002. -Вып.22.

41. Коронкевич В.П., Полещук А.Г., Чурин Е.Г., Юрлов Ю.И. Лазерная термохимическая технология синтеза дифракционных оптических элементов в пленках хрома //Квантовая электрони-ка.-1985,- №4. с. 755.

42. Котляр В.В., Сойфер В.А., Волков А.В. и др. Бинарный дифракционный оптический элемент, фокусирующий гауссовый пучок в продольный отрезок. //Оптика и спектроскопия. -2000. -Т.89, №2.

43. Сисакян И.Н., Сойфер В.А. и др. Способ фокусировки монохроматического излучения и устройство для его излучения. А.с. № 1302233 от 8.12.86. Приоритет от 09.03.82. Валиев КА Физика субмикронной литографии М.:Наука, 1990.-528с.

44. Введение в фотолитографию Под ред. Лаврищева В П // -М.: Энергия, -1997.

45. Метфессель Э. Тонкие пленки, их изготовление и измерение. // -М.: Госэнергоиздат, 1963. -470с.

46. Холлэнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. // -М.: Госэнергоиздат, 1963. -332с.

47. Верещагин В.В. и др. Зонная пластинка. Формулы для полной освещенности. // Оптика и спектроскопия. -1983. -Т.54, N 5. -С. 861-865.

48. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом // Материалы VIII Всеросийской конференции,- Минск : МРТИ,1987. -327с.

49. Волков В.В., Герасимов Л.Л. и др. Оптические методы измерения размеров элементов топологического рисунка БИС и СБИС. //Микроэлектроника.,т.9, вып.6. С. 554-563. Волков В.В., Герасимов Л.Л. и др. // Микроэлектроника, т.12, вып.2. С. 107-112.

50. Амиров И.И., Изюмов М.О. Характеристики травления кремния и окиси кремния во фторуглеродной плазме ВЧ-индукционного разряда пониженного давления. // Микроэлектроника. 1996. Т.25, №3. С.233-238

51. Голография и обработка информации /Под ред. С.Б. Гуревича. -Л.: Наука, 1976. 139 с.

52. Голуб М.А., Казанский H.JL, Сисакян И.Н., Сойфер В.А. Синтез эталонов для контроля внеосевых сегментов асферических поверхностей. // Оптика и спектроскопия. Т.68, № 2. - 1990. -С.461-466.

53. Голуб М.А., Карпеев С.В., Мурзин С.П., Овчинников К.В., Соловьев B.C., Шинкарев М.В. Оптическая запись и обработка информации. Самара: СГАУ. Сборник научных трудов. -1988. С. 14-18.

54. Голуб М.А., Живописцев Е.С., Карпеев С.В., Прохоров A.M., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. ДАН СССР, 1980, т. 253, № 5, с. 1104.

55. Голуб М.А., Дегтярев В.П., Климов А.Н., Попов В.В., Прохоров A.M., Сисакян Е.В., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. Машинный синтез фокусирующих элементов для С02 лазера. // Письма в ЖТФ. Т.8.- Вып. 8,- 1982. - С. 449-451

56. Голуб М.А., Досколович JLJL, Казанский H.JL, Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Харитонов С.И. Оптический элемент для коррекции зрения. А.с. № 4493050/31-10 от 09.02.89. Приоритет от 01.09.88.

57. Голуб М.А., Досколович JLJL, Казанский Н.Л., Сойфер В.А., Харитонов С.И. Дифракционный подход к синтезу многофункциональных фазовых элементов. // Оптика и спектроскопия. -Т.73, № 1. 1992. С.191-195.

58. Голуб М.А., Казанский Н.Л., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. Устройство для контроля оптических асферических поверхностей. //А.с. 1516767 СССР. Бюлл. изобретений. № 39. 1989.

59. Голуб М.А., Казанский Н.Л., Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Харитонов С.И Дифракционный расчет интенсивности поля вблизи фокальной линии фокусатора. // Оптика и спектроскопия. -Т.67, № 6. 1989. - С.1387-1389.

60. Гончарский А.В., Данилов В.А., Попов ВВ., Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Степанов В.В. Плоские фокусирующие элементы видимого диапазона. // Квантовая электроника. Т. 13, № 3. -1986.-С. 660-662.

61. Гончарский А.В., Данилов В.А., Попов В.В., Прохоров A.M., Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Степанов В.В. Фокусаторы лазерного излучения, падающего под углом. // Квантовая электроника. -Т. 11, № 1. 1984. С.166-168.

62. Гончарский А.В., Степанов В.В. Обратные задачи когерентной оптики. Фокусировка в линию // Журнал вычислительной математики и математической физики. 1986. - Т.26, № 1. - С.80-91.

63. Григорьев А.П., Лифшиц С.У., Шамаев П.П. Механизм гидрирования углерода в присутствии никеля, железа и платины //Кинетика и катализ,- 1977. Т. 18, №4. -С.948-952. 10. Орлов Ю.Л. Минералогия алмаза. -М.: Наука, 1973.-223с.

64. Григорьянц А.Г., Сафонов А.Н. Лазерная техника и технология. Кн.З. Методы поверхностной лазерной обработки. М.: Выс. шк. 1987.- 191 с.

65. Грошковский Я. Техника высокого вакуума. -М.: Мир. 1975. 623 с.

66. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для очистки и травления материалов. М.: Энергоиз-дат, 1987. - 297с

67. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Расчет скорости ионного травления // Электронная техника. Микроэлектроника. 1974. Вып.4. -С.35-37.

68. Данилов В.А., Дубов М.В. Влияние исследования искажений освещающего пучка на работу фокусаторов // Компьютерная оптика. М.: МЦНТИ, 1987. - Вып.1. - С.52-67.

69. Данилов В.А., Попов В.В., Прохоров A.M., Сагателян Д.М., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. Синтез оптических элементов, создающих фокальную линию произвольной формы. // Письма в ЖТФ. Т.8, № 13. 1982. - - С.810-815.

70. Данилов В.А., Попов В.В., Прохоров A.M., Сагателян Д.М., Сисакян Е.В., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. Оптические элементы, фокусирующие когерентное излучение в произвольную фокальную линию. // Препринт № 69. М.: ФИАН СССР. -1983.-41с.

71. Денисюк Ю.Н. Принципы голографии. Л.: ГОИ, 1978.

72. Досколович JI.Jl., Казанский Н.Л., Харитонов С.И. Проектирование светотехнических устройств с ДОЭ // Компьютерная оптика. -М.: 1998. Вып. 18. - С.91-96.

73. Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Сойфер В.А. Расчет двухпо-рядковых фокусаторов // Автометрия. 1993, № 1. - С.58-63. Дунаевский С.М. Хемосорбция на переходных металлах и их сплавах. Поверхность. Физика, химия, механика. -1985.-N11. -С. 7-13.

74. Ермолаев И.Н., Останин Ю.Я. Методы и средства неразру-щающего контроля качества.- М.: Высш. Шк., 1988. -368 с. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники // М.: Высшая школа, -1983.

75. Жарких Ю.С., Евдоким Ю.Г. // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. -Вып. 9(182). С. 67.

76. Сойфер В.А. Дифракционная оптика и обработка изображений в научном приборостроении. // -С-Пб.: Научное приборостроение. -1993. -Том. 3, №1. С.3-7.

77. Каминский М.Н. Атомные и ионные столкновения на поверхности металлов. -М.: Мир, 1967. -438с.

78. Коронкевич В.П., Ленкова Г.А., Михальцова И.А., Пальчикова И.Г., Полещук А.Г., Седухин А.Г., Чурсин Е.Г., Юрлов Ю.И Киноформные оптические элементы: методы расчета, технология изготовления, практическое применение. // Автометрия. -1985, № 1. С.4-25.

79. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. // Электроника. М.: Радио и связь. 1983. - 126 с.

80. Климин А.Н., Пен Е.Ф., Ремесник В.Г., Рыжиков А.Б., Цукер-ман В.Г. Рельефные голограммы на пленках ХСП. // Автометрия. 1979. №1, с. 70-74.

81. Кнорре Д.Г., Крылова Л.Ф., Музыкантов B.C. Физическая химия. -М.: Высшая школа. 1981. С.328.

82. Ковалев А.С., Муратов Е.А., Озеренко А.А. и др. Исследование структуры высокочастотного несамостоятельного разряда в потоке газа. Физика плазы, т.11. 1985. с 882. Колобов Н.А. Основы технологии электронных приборов. -М.:. Высш. школа. 1980, 288с.

83. Коломиец Б.Т., Любин В.М., Шило В.П. Фотостимулирован-ные изменения растворимости ХСП. // Физика и химия стекла. Т. 4, № 3. 1978.-с. 351-357.

84. Комов А.Н., Колпаков А.И., Бондарева Н.И., Захаренко В.В. // ПТЭ, N5. 1984. С. 218.

85. Кононенко В.В., Конов В. И., Пименов С. М., Прохоров A.M., Казанский Н. Л., Павельев B.C., Сойфер В. А. // Компьютерная оптика. Вып. 19. 1999.

86. Корольков В.П. Коронкевич В.П. Михальцова И.А. Пальчикова И.Г. Полещук А.Г. и др. Киноформы: Технологии, новые элементы и оптические системы// Автометрия, No 3, No 4. 1989. -С.95, С.47.

87. Коронкевич В.П., Ленкова Г.А., Михальцова И.А., Пальчикова И.Г. и др. Киноформные оптические элементы: методы расчета, технология изготовления, практические применения // Автометрия 1985. No 6.-С.34.

88. Коронкевич В.П., Корольков В.П., Полещук А.Г., Харисов А.А., Черкашин В.В. Точность изготовления дифракционных оптических элементов лазерными записывающими системами с круговым сканированием. // Компьютерная оптика. Вып. 17. 1997. С. 63-74.

89. Коронкевич В.П., Ремесник В.Г., Фатеев В.А., Цукерман В.Г. Киноформные оптические элементы в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников. // Автометрия. № 51976. С. 3-9.

90. Вычислительный эксперимент с элементами плоской оптики / Голуб М.А., Казанский Н.Л., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. // Автометрия. 1988. - № 1. - С. 70-82.

91. Лифшиц С.Х., Григорьев А.П., Ковальский В.В. Взаимодействие углерода (алмаза) с водородом в присутствии никелевого катализатора. // Кинетика и катализ. Т. 28, №2. 1987. -С. 313318.

92. Лансберг Г.С. Оптика. М.: Наука. 1976. 928с. *Моисеев О.Ю., Волков А.В., Казанский Н.Л., Сойфер В.А. Способ формирования диаграммы направленности светотехнических устройств транспортных средств. // Патент №2094256 от 27.11.97.

93. Методы компьютерной оптики. / Под ред. В.А.Сойфера. Глава 4- Волков А.В., Казанский Н.Л., Сойфер В.А., Успленьев Г.В. -М.: Физматлит, 2000, -688с.

94. Материалы и устройства для регистрации голограмм. / Под ред. В.А. Барачевского. -Л.: 1986. -156 с.

95. Материалы и элементы оптоэлектроники. / Известия ЛЭТИ. // Сб. науч. тр., вып. 365. Л.: издательство ЛЭТИ, 1986. - 82 с. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. - М.: Мир, 1991. - 345 с.

96. Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. -М.: Металлургия, 1991. 326 с.

97. Багрий И.П., Чечко Г.А. Моделирование процессов плазмохимического травления в технологии производства ИС. / (Препринт / АН УССР. Ин-т кибернетики им. М.М. Глушкова; 89-46).//-Киев:-1989.-21с.

98. Моисеев О.Ю., Колпаков А.И., Волков А.В., Бородин С.А. Испаритель многокомпонентных материалов. А.с. № 1491029 от 01.03.1989. Приоритет от 05.05.87.

99. Моисеев О.Ю., Волков А.В., Дмитриев В.Д., Вербенко И.В., Бородин С.А. Испаритель многокомпонентных материалов. А.с. № 1824457 от 12.11.1992. Приоритет от 02.07.90. Моро У. Микролитография. В 2-х частях. Пер. с англ. -М.:Мир, 1980.

100. Дементьев А.С., Домаркене Д.П. Фокальный сдвиг при дифракции сфокусированного излучения на малом прямоугольном отверстии // Литовский физический сборник. 1984. - Т.24, № 3. -С.59-68.

101. Оптические методы обработки информации. / Под ред. С.Б. Гуревича. Л.: Наука, 1974,- 147 с.

102. Голуб М.А., Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Сойфер В.А., Харитонов С.И. Дифракционный подход к синтезу многофункциональных фазовых элементов // Оптика и спектроскопия. -1992. Т.73, № 1. - С.191-195.

103. Пиганов М.Н., Волков А.В., Носов Н.А. Испаритель А.с. №1316297 1987г.

104. Пастухов В.А., Боксер Э. Л., Царевский Б.В. // А.с. 531065 СССР Б.И. 1976. N37, С. 8.

105. Патент 852586 Российская Федерация. МКИ В 28 Д 5/00. Способ размерной обработки алмаза /А.П.Григорьев, С.Х.Лифшиц, П.П.Шамаев (Российская Федерация). 2 с.

106. Пат. 2008285 Российской Федерации, МКИ5 С 03 С 15/00, 23/00. Раствор для негативного травления халькогенидных стекол /Индутный И.З., Костюкевич С.А., Шепелявый П.Е. //Открытия, изобр. 1994. № 4.

107. Полупроводниковый приемник. Под ред. Стафеева В.И. -М.: Радио и связь, 1984.-207 с.

108. Свойства материалов, используемых в устройствах оптоэлек-троники. // Сб. науч. тр. /Под ред. К.С.Александрова. Красноярск: 1975. - 160 с.

109. Сойфер В.А. Введение в дифракционную микрооптику. Самара: СГАУ, 1996. - 95с.

110. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986, -605 с.

111. Физика тонких пленок. / Под общей ред. Г.Хасса. М.: Мир, 1967. - 337с.

112. Хонина С.Н, Котляр В.В, Сойфер В.А, Хонканен М, Турунен Я Компьютерная оптика, -1998. -Вып. 18. С.24-28.

113. Хонина С.Н., Баранов В.Г., Котляр В.В. Спектральный метод увеличения фрагментов цифровых изображений. // Компьютерная оптика. -1999. -Вып.19. С. 165-174.

114. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М.: Радио и связь, 1987. - 454с.

115. Шестопалов В.П., Сиренко Ю.К. Динамическая теория решеток. Киев: Наукова думка, 1989. - 223 с.

116. Tomita A., Tamai Y. Hydrogenation of carbons catalysed by transition metals //J. Catalysis. 1972. - V.27. - P. 293-300.

117. Rewick R.T„ Wentrcek P.R. Wise H. Carbon gasification in the presence of metal catalysts //Fuel. 1974. - V.53, №4. - P.274-279.

118. Olander D.R. Balooch M. Platinum-catalyzed gasification of graphite by hydrogen II/. Catalysis. 1979. -V.60. - P.41-56.

119. Aagedal H., Beth Т., Schwarzer H., Teiwes S. Modern concepts for computer-aided design in diffractive optics // OS A Proceedings of the International Optical Design Conference. 1994. - Vol.22. -P.257-260.

120. Usplenjev G.V., Volkov A.V. // Proceedings of the 5th International Workshop on Digital Image Processing and Computer Graphics "Image Processing and Computer Optics", August 22-26, 1994. Samara.

121. Boiko Y B, Granchak V M, Dilung I, Solovjev V S, Sojfer V A //Proceedings SPIE. 1990. - Vol. 1238. - P. 253-257.

122. Borsboom P-P., Frankena H.J. Field analysis of two-dimensional integrated optical gratings // Journal of Optical Society of America A. 1995. - Vol. 12, 15. - P.l 134-1141.

123. Borsboom P.P., Frankena H.J. Field analysis of two-dimensional fcusing grating couplers // Journal of Optical Society of America A. 1995.-Vol. 12, 15.-P.l 142-1146.

124. Bi I., Li Z. Experimental study of submicron focused ion beam sputtering etching // Micromanuf. Technol, 1996, Vol. 6, №2. P. 61-65.

125. Clark P.P., Londono C. Production of kinoform by single point diamond machining // Optics News. 1989. - Vol.15. - P.39-40.

126. Damman M., Golub M. A., Ludge В., Pavelyev V. S., Soifer V. A., Uspleniev G. V., Volotovskii S. G. // Applied Optics. -1995. -Vol.34, ,№14.-P. 2489-2497.

127. Duparre M., Pavelyev V. S., Luedge В., Kley E. В., Kowarschik R., Soifer V. A. //Proceedings SPIE. 1997. - Vol 3110. - P. 741-751.

128. Duparre M., Pavelyev V. S., Luedge В., Kley E. В., Kowarschik R., Soifer V. A. // Proceedings SPIE. 1997. - Vol 3134. - P. 357368.

129. Duparre M., Pavelyev V., Luedge В., Kley E., Soifer V. A., Kowarschik R. // Proceedings SPIE. -1998. Vo3291. - P. 104114.

130. Angel D. Semicond. Int. -April 1983. -P.72

131. Dudee A. Applications of ion milling // Microelectron. Reliab.-1974 Vol.13, N6. -P.455-462.

132. Dimigen H. Influence of mask materials on ion etched structures // J.Vac.Sci.Techn., -1976.-Vol.13, N 4. -P. 976-980.

133. Farn M.W. Modeling of diffractive optics // OSA Proceedings of the International Optical Design Conference. 1994. - Vol.22. -P.246-250.

134. Futhey J.A. Diffractive bifocal intraocular lens // Proceedings SPIE. 1989. - Vol.1052 "Holographic Optics: Optically and Computer Generated".-P.142-149.

135. Golub V.A., Sisakian I.N., Soifer V.A. Infra-red radiation focusators // Optics and Lasers in Engineering. -1991/ Vol.15, №5. -P.297-309

136. Krackhard U., Schwider J., Schrader M., Stiedl N. //Optical Engineering. -1993. -Vol.32. № 4. P.781-785.

137. Kononenko V.V., Konov V.I., Pimenov S.M., Prokhorov A.M., Pavelyev V.S., Soifer V.A. "CVD diamond transmissive diffractive optics for C02 lasers"// New Diamond and Frontier Carbon Technology 10. -2000. P. 97-107.

138. Kononenko T.V., Kononenko V.V., Konov V.I., Pimenov S.M., Garnov S.V., Tischenko A.V., Prokhorov A.M., Khomich A.V. // Applied Physics A 68(1). 1999. P. 99-102.

139. Mait J.N., Brenner K. //Appl. Opt. -1989. N 27. P. 1692.

140. Manufacturin by E-Beam and Ion Beam. H. // Guo, ed. Beijing: Mechanical Industry Press. - 1989.

141. Simpson M.J. //Appl. Opt. -1987. N 26. P. 1786.

142. Swanson G. J., Veldkamp W. B. //Optical Engineering 28(6). -1989. -P.605-608.

143. Swanson G. J. Technical Report 854, Lincoln Laboratory. II-Cambridge: Mass. Inst, of Technology . -1989.

144. Soifer V.A., Golub M.A. Laser Beam Mode Selection by Computer Generated Holograms // CRC Press, -1994.

145. Stern M.B. Binary optics fabrication // Micro-Optics: Elements, Systems, and Applications, H. P. Herzig, ed., Chapter 3. // -London: Taylor & Francis, -1997.

146. Yuko Orihara, Werner Klaus, Makoto Fujino, Kashiko Kodate. Оптимизация и применение многоуровневых бинарных зонных пластин . // Applied Optics. 2001. - Vol.40. № 32. - P. 58775885.

147. Hessler Т., Rossi M., Kunz R.E., Gale M.T. Analysis and optimization of fabrication of continuous-relief diffractive optical elements // Appl. Opt.- 1998. v.3. pp.4069-4079.

148. Гудмен Дж. Введение в Фурье-оптику, // М., Мир, 1970.

149. Рабинер Л., Гоулд Б. Теория и применение цифровой обработки сигналов. // М: Мир, -1978.