Межфазные явления в многокомпонентных растворах, соединениях и гетерогенных структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.14, доктор физико-математических наук Кармоков, Ахмед Мацевич

• Кармоков, Ахмед Мацевич
• доктор физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Кармоков, Ахмед Мацевич

Введние.

1. Термодинамическая теория межфазных явлений на границе раздела конденсированных фаз в изобарических условиях.

1.1 .Краткий обзор исследований. межфазной сегрегации и межфазного натяжения на границе раздела конденсированных фаз.,.

1.2.Уравнения изобар состава межфазного слоя и межфазного натяжения в бинарных системах на границе конденсированных фаз.

1.2.1. Приближение идеальных растворов.

1.2.2. Многокомпонентные системы в приближении идеальных растворов.

1.2.3. Нулевое приближение теории регулярных растворов.

1.2.4. Первое приближение теории регулярных растворов.

1.2.5.Приближение субрегулярных растворов.

1.3. Адгезия, краевой угол смачивания и коэффициент растекания на границе раздела конденсированных фаз.

1.4.Активность малых примесей на межфазных границах бинарных конденсированных фаз в изобарических условиях.

Выводы из 1 главы.

2. Аппаратура и методика вторично-ионной и электронной спектрометрии для исследования поверхностных и межфазных слоев материалов.

2.1. Экспериментальные установки . для исследования состава, структуры и профилей распределения элементов с помощью ионных пучков.

2.1.1. Метод вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС).

2.1.2 Спектроскопия обратно-рассеянных ионов низкой энергии

2.2. Экспериментальные установки для изучения химического состава, атомной и электронной структуры поверхностного слоя материалов методами электронной спектроскопии.

Выводы из 2 главы.

3. Исследование методами ионной спектроскопии поверхностной сегрегации и профилей распределения элементов в бинарных системах.

3.1. Исследование методом ВИМС профилей распределения сегрегировавщих элементов в поверхностном слое кристаллов.

3.1.1 Методические особенности исследования распределения элементов в поверхностном слое материалов с помощью ВИМС.

3.1.2. Исследование профилей распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Си-А1 и Cu-Ge методом ВИМС. л.

3.1.3. Сегрегация элементов в поверхностном слое интерметаллидов типа фаз Лавеса.

3.1.4. Исследование методом ВИМС распределения элементов в поверхностном слое монокристаллов InSb (111) и GaP (111).

3.1.5. Определение параметров диффузии в поверхностном слое кристаллов.

3.2. Исследование методом СОРИНЭ поверхности кристаллов.

3.2.1. Современное состояние исследований поверхности кристаллов методом СОРИНЭ.!.i.

3.2.2. Исследование методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий структуры поверхности монокристалла

Си + 6 ат. %Ge(111).

Выводы из 3 главы.

4. Особенности поверхностной сегрегации легирующих примесей в элементарных полупроводниках.

4.1. Поверхностная сегрегация и профили распределения элементов в поверхностном слое полупроводниковых кристаллов.

4.2. Влияние заряда в поверхностном слое на перераспределение примеси в полуограниченном полупроводниковом кристалле.

4.3. Теоретическое рассмотрение поверхностной сегрегации примесей n-типа в кристаллах кремния и германия.

4.4. Расчет термодинамических характеристик поверхности легированного кремния и коэффициентов диффузии примесей в кремнии.

Выводы из 4 главы.

5. Исследование методом ВИМС профилей распределения бора и фосфора на межфазных границах кремний - металлическая пленка.

5.1. Послойный анализ границ раздела разнородных материалов.

5.2. Методика приготовления образцов и структур границы кремний - пленка алюминия.

5.3. Сегрегация легирующей примеси на межфазной границе кремний-металл.

5.4. Влияние процесса силицидообразования на перераспределение примеси бора в системах Ni-Si и Ti-Si.

Выводы из 5 главы.

6. Контактное плавление кристаллов и практические применения результатов исследования.

6.1. Контактное плавление в направленно кристаллизованных эвтектических сплавах.

6.2. Теоретическое исследование кинетики контактного плавления эвтектических композиций.

6.3. Контактное плавление в системах с химическим взаимодействием компонентов.

6.4. Практические применения разработанных методик и результатов исследования поверхностных и межфазных явлений.

6.4.1. Контактно-реактивная пайка металлов.

6.4.2. Активная и контактно-реактивная пайка металлов с керамическими материалами.

6.4.3. Межфазные взаимодействия металлических расплавов с некоторыми пьезокерамиками при пайке.

6.4.4. Исследования состояния поверхности и межфазной границы при формировании полупроводниковых структур в технологических процессах изготовления ИС.

6.5. Разработка методик формирования сильнолегированных полупроводниковых структур методами ионной имплантации и диффузии.

6.5.1. Исследование методом ВИМС одновременной имплантации В иА1в Si.

Выводы из 6 главы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Межфазные явления в многокомпонентных растворах, соединениях и гетерогенных структурах»

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ. За последние десятилетия необычайно I возрос интерес к исследованиям поверхностных явлений. Это связано, в первую очередь, с осознанием того факта, что решение огромного числа фундаментальных и практических задач, выдвигаемых научно-техническим прогрессом, зависит от знания свойств поверхностей и уровня понимания процессов, протекающих с их участием. Дальнейший прогресс во многих перспективных направлениях современной техники и технологии в значительной степени зависит от успехов в развитии физических представлений о свойствах тонких переходных слоев между фазами.

Для исследования свойств поверхностного слоя и межфазных границ I разработаны и широко используются такие уникальные по своим характеристикам экспериментальные методы, как электронная и ионная спектроскопия поверхности материалов. Однако, в случае определения химического состава поверхности и характера распределения элементов в поверхностном слое и межфазных границах большинство этих методов дает усредненное по достаточно большой толщине материала значение. Это искажает реальную картину и затрудняет понимание природы физико-химических явлений, происходящих на межфазных границах.

В большинстве случаев экспериментальные исследования свойств границ раздела фаз носит эмпирический характер, а теоретически, как правило, проводятся методами функционала электронной плотности, а также электронно-статистическим и термодинамическим методами при изотермических условиях. На практике же наиболее часто встречаются изобарические условия, которые до настоящего времени при решении подобных задач не рассматривались.

Анализ литературных данных показывает, что к настоящему времени наиболее полно изучена поверхностная сегрегация в металлических сплавах, однако мало изученными остаютря поверхностная сегрегация в металлических монокристаллических твердых растворах, ее ориентационная зависи7 мость, распределение атомов в поверхностном монослое. Также мало изучено распределение элементов в поверхностном слое интерметаллических соединений типа фаз Лавеса, которые находят широкое применение на практике в качестве конструкционных материалов."

Одним из интересных явлений, возникающих на границе раздела I твердых фаз, является контактное плавление, приводящее к образованию жидкой фазы в зоне контакта при температуре ниже температуры плавления чистых компонентов. Закономерности кинетики контактного плавления получили широкое применение в решении ряда вопросов сварки и пайки металлов (контактно-реактивная пайка). Теоретические и экспериментальные исследования в этом направлении позволяют проследить кинетику процессов, протекающих при повышенных температурах в контакте разнородных кристаллов и дать соответствующие рекомендации по вопросам пайки. Однако, несмотря на практическую и теоретическую значимость исследований контактного плавления, механизм и кинетика этого процесса в гетерогенных структурах, в частности в эвтектических композициях и в системах с химическим взаимодействием компонентов, мало изучены.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Цель работы заключается в проведении теоретических и экспериментальных исследований термодинамических свойств поверхности металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также границ раздела: полупроводник - металлическая пленка, металлическая композиция - жидкость. .Здесь под термодинамическими характеристиками понимаются - состав поверхности и межфазной области, поверхностное и межфазное натяжение, работа адгезии, краевой угол смачивания, коэффициент растекания. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- Разработка термодинамической теории межфазной сегрегации и межфазного натяжения многокомпонентных систем в изобарических условиях. 8

- Исследование методами ионной и электронной спектроскопии поверхностной сегрегации в однофазных металлических, интерметаллических и полупроводниковых материалах.

- Экспериментальное исследование сегрегации легирующей примеси в кремнии на границе с металлической пленкой.

- Теоретическое и экспериментальное исследования кинетики контактного плавления в эвтектических композициях и дистектических системах.

-Исследование влияния физико-химических свойств поверхности и границ раздела фаз на технологические процессы пайки металлов и сплавов с металлами, полупроводниками и керамиками, а также на формирование полупроводниковых структур при создании интегральных микросхем.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. В рамках термодинамического метода слоя конечной толщины развита теория межфазных явлений на границе раздела конденсированных фаз в изобарических условиях.

Впервые получены новые уравнения изобар состава межфазного слоя, межфазного натяжения, работы адгезии, краевого угла смачивания и коэффициента растекания на границе раздела конденсированных фаз с учетом межчастичных взаимодействий в различных приближениях для бинарных и многокомпонентных систем.

Исходя из этих уравнений, установлены новые критерии межфазной активности компонентов на межфазной границе.

Создана новая экспериментальная установка для определения состава и структуры моноатомного поверхностного слоя методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии (СОРИНЭ) и модернизировано устройство вторично- ионной масс спектрометрии (ВИМС) для построения профилей распределенйя элементов в ультратонких поверхностных слоях материалов.

Впервые экспериментально изучены профили распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов, 9 фаз Лавеса, элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях типа АгВ5.

Впервые методом СОРИНЭ изучены структура поверхности монокристалла твердого раствора Си + 6 ат. % Ge (111) и реконструкция поверхностного слоя при напылении долей монослоя Sn на эту поверхность.

Впервые изучено распределение легирующих примесей на межфазной границе кремния с металлической пленкой, а также перераспределение их в процессе образования и роста силицидов металлов.

Обнаружена анизотропия кинетики, контактного плавления эвтектических композиций с чистыми металлами и установлено существование массопереноса вдоль межфазной границы композиционный материал-жидкость, влияющего на процесс, контактного плавления.

Используя полученные экспериментальные данные, проведены расчеты термодинамических характеристик поверхностного слоя исследованных систем.

Разработаны новые способы определения толщины силицидных пленок на межфазной границе металл-кремний, соединения металлов с керамическими материалами, а также поверхностной энергии твердых тел. Разработанные способы защищены авторскими свидетельствами на изобретения.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ. Полученные уравнения изобар межфазного натяжения, состава доежфазного слоя, работы адгезии, краевого угла смачивания и коэффициента растекания могут быть использованы при разработке новых и оптимизации существующих технологических процессов создания изделий микроэлектроники и машиностроения, а также в планировании экспериментов.

Разработанное для диагностики поверхности экспериментальное оборудование используется для научных исследований и в учебном процессе при выполнении курсовых и дипломных работ.

10

V.

Результаты исследования поверхностных и межфазных характеристик полупроводниковых структур внедрены в ОАО СКБ "Элькор" (Нальчик) 1992 и 1997г и ОАО НЗПП (Нальчик) 1994 г.

Разработанные рекомендации по пайке металлов с металлами, полупроводниками и керамическими материалами использованы во Всесоюзном электротехническом институте (Москва) и ОАО СКБ "Элькор" .

Результаты исследований используются также в курсе лекций по термодинамике межфазных явлений, в спецкурсе "Методы исследования твердотельных структур с помощью ионных пучков", а также в лабораторv. • ном практикуме "Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионных пучков".

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ:

Заключение диссертации по теме «Теплофизика и теоретическая теплотехника», Кармоков, Ахмед Мацевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Построена термодинамическая теория межфазной сегрегации и межфазного натяжения на границе двух конденсированных фаз в состоянии равновесия при изобарических условиях. Получены новые аналитические выражения для, расчета состава межфазного слоя и межфазного натяжения для бинарных систем с учетом межчастичных взаимодействий различных приближений.

2. Получены новые аналитические выражения для расчета работы адгезии, коэффициента растекания и краевого угла смачивания при изобарических условиях, которые могут быть применены для решения практических задач. Проведены численные расчеты составов сосуществующих фаз, межфазного слоя, межфазного натяжения, адгезии, коэффициента растекания, краевого угла смачивания и ряда термодинамических параметров межфазного: слоя в зависимости от температуры для бинарных металлических систем Au - Ag, Со - Fe, Си -Ag, Ni - Си, Sn - Bi, Zn - Mg, Cu-Au. Опираясь на полученные аналитические выражения, сформулированы качественные критерии межфазной сегрегации компонентов, межфазного натяжения и адгезии, а также коэффициента растекания на границе двух предельно разбавленных конденсированных фаз.

3. Модернизированная автором экспериментальная установка ВИМС МС 7201 позволяет проводить анализ состава ультратонкого поверхностного слоя в квазистатическом режиме и строить профили пространственного распределения элементов по глубине металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов в динамическом режиме с относительной погрешностью до 5%. Позволяет in situ проводить контролируемое напыление металлов, прогрев образца до 523 К, менять предел развертки по

312 массе и проводить анализ до 2501й (а.е.м.) атомных единиц с разрешением не хуже 1 атомной единицы массы.

4. Созданная экспериментальная установка спектроскопии обратно v рассеянных ионов низкой энергии позволяет проводить анализ состава, структуры и топографию поверхности кристалла с локальностью в один монослой, а также исследовать поверхность при углах падения первичных ионов от 0 до 90 градусов, углах рассеяния до 120 градусов и повороте образца по азимуту на 360 градусов вокруг нормали к исследуемой поверхности.

5. Впервые методом ВИМС построены профили распределения элементов по глубине ультратонкого поверхностного слоя монокристаллов Си+10 ат.% А1 и Си+6 ат.% Ge, фаза Лавеса HfMo2, HfW2, ZrMo2, TiCo2, TiCr2 и полупроводниковых соединениях InSb и GaP, которые апроксимируются экспоненциальной зависимостью. В монокристаллах проявляется ориентационная зависимость поверхностной концентрации (сегрегации).

6. Рассчитаны поверхностное натяжение монокристаллов в зависимости от кристаллографической ориентации, активности, коэффициенты активности компонентов в поверхностном слое сплавов, поверхностные натяжения и термодинамические параметры поверхностного слоя в фазах Лавеса. Исходя их профилей распределения элементов и кинетических кривых сегрегации, рассчитаны коэффициенты диффузии в поверхностном слое кристаллов, которые, как оказалось, отличаются от объемных.

7. Спектры обратно рассеянных ионов показывают, что при температуре 323 К на поверхность монокристалла твердого раствора Си+6 ат.% Ge сегрегирует Ge и его концентрация составляет ~15 ат. % Ge. Исследованы зависимости интенсивности рассеянных ионов на атомах Си I и Ge от углов падения первичного пучка, рассеяния и вращения образца по азимуту. Исходя из этих результатов, оценена атомная шероховатость

313 поверхности и установлено, что атомы Ge смещены относительно атомов Си на ( 0.66 АО вниз. С помощью ЭВМ построены модели первого атомного слоя монокристалла твердого раствора Си+15 ат.% Ge и Си+15 ат.% Ge с осаждением Sn. Установлено, что в первом атомном слое поверхности твердого раствора Cu-Ge сохраняется поворотная ось симметрии шестого порядка, характерная для плоскости ориентации (111) объемной структуры и элементарные ячейки меди и германия на поверхности ориентированы друг относительно друга на ~ 30°.

8. Установлено резкое расхождение экспериментальных данных по поверхностной сегрегации легирующих, примесей фосфора, сурьмы и мышьяка на грани (111) кремния, а также фосфора на грани (111) германия, полученных методом электронной оже - спектроскопии и вторично ионной масс- спектрометрии, с результатами численных расчетов в рамках термодинамической теории поверхностной сегрегации с учетом межчастичных взаимодействий, причем теоретические данные в десятки раз превосходят значения, полученные в эксперименте.

9. Получено уравнение, позволяющее рассчитать поверхностную концентрацию легирующих примесей донорного типа в кристаллах элементарных полупроводников при различных температурах. В ходе решения поставленной задачи рассчитаны значения поверхностного натяжения фосфора, сурьмы и мышьяка, коэффициентов диффузии этих металлов в кремнии и фосфора в германии, а также разность потенциалов на поверхности и в объеме для тех же температур.

10. Обнаружена сегрегация легирующих примесей бора и фосфора в кремнии на межфазную границу. В зависимости от металла пленки контактирующего с кремнием, содержание примеси на границе раздела фаз может возрастать в несколько раз или же примесь может отойти от межфазной границы вглубь кристалла. Оценка протяженности межфазного слоя во всех исследованных системах, в которых наблюдается сегрегация

314 легирующих примесей на межфазную границу, дает значения 10-15 нм. Наиболее точно эта величина определяется по ширине профиля распределения примеси на анализируемой границе.

11. В результате образования интерметаллических соединений на межфазной границе происходит перераспределение профилей элементов. В системах Ti-Si и Ni-Si наблюдается обогащение примесью силицидных слоев. На межфазных границах раздела силицидов и силицидов с металлом и кремнием тоже возрастает их содержание. Диффузия примеси через межфазную границу и увеличение содержания примеси в интерметаллических соединении способствует увеличению коэффициента диффузии и уменьшению энергии активации диффузии. Разработан новый способ определения толщины силицидов с применением процесса сегрегации легирующих примесей на межфазной границе.

12. Экспериментально определены скорости контактного плавления направленно кристаллизованных эвтектических композиций Bi-Cd и Cd-Sn с Sn, Bi и Pb в нестационарно-диффузионном режиме. Установлено, что скорость контактного плавления эвтектических композиции зависит от угла ориентации пластинчатой структуры по отношению к плоскости контакта с третьим чистым компонентом и толщины пластин композиции. v. •

Разработана теория процесса контактного плавления эвтектической композиции с третьим чистым компонентом в квазистационарном приближении. Результаты расчета для трех систем находятся в удовлетворительном согласии с данными эксперимента. Обнаружено, что при температурах, близких к эвтектической, имеет место существенное отклонение режима контактного плавления от автомодельного закона перемещения межфазных границ."

13. В системах с равновесной дистектической диаграммой состояния наблюдается контактное плавление по метастабильной диаграмме. При контактировании нагретых образцов происходит контактное плавление

315 компонентов при температурах значительно ниже наинизшей эвтектической температуры. Термодинамические расчеты, проведенные в квазихимическом приближении, подтверждают существование метастабильной диаграммы состояния. Образование жидкости при температурах ниже наинизшей эвтектики, в зоне контакта Bi-Tl и Bi-Te, подтверждается также рентгенографическим, рентгеноспектральным и металлографическим методами.

14. Методика обработки поверхности кремниевых пластин, предложенная в работе, нашли применение в научно-исследовательских лаборатория КБГУ и технологических процессах производства интегральных микросхем в СКБ ПО "Элькор". Исследования физико-химических процессов, происходящих на межфазных границах в многослойных системах металлизации, показали более высокую надежность работы и термостойкость интегральных микросхем, чем с алюминиевой металлизацией.

15. Исследование профилей распределения атомов отдачи алюминия и бомбардирующих ионов бора в кремнии,, полученных при бомбардировке системы пленка, алюминия- кремний ионами бора, показало, что при толщине пленки алюминия 100 и 170 нм образуется слой, легированный алюминием и бором. Толщина сдоя, легированного алюминием - 350 нм, бором - 300 нм. Средняя доля атомов алюминия в них - 0,01-0,02% и бора -0,15-0,16%. При толщине пленки алюминия 380 нм (толщина пленки больше среднего проективного пробега атомов бора данной энергии) эффект легирования атомами отдачи алюминия исчезает и формируется тонкий легированный бором слой толщиной около 100 нм со средней долей бора 0,025%, Ионной имплантацией с использованием лазерных источников ионов можно получить примеси алюминия, что позволяет формировать мелкозалегающие слои с акцепторной примесью. При этом

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Кармоков, Ахмед Мацевич, 2000 год

1. Русанов А.И. К термодинамике дефформируемых твердых поверхностей.//В кн.: Физика межфазных явлений./ Нальчик, КБГУ, -1980, -с. 26-56.

2. Задумкин С.Н., Хоконов Х.Б. Физика межфазных явлений. Нальчик: КБГУ,-1980, -ч.1,-84 с.

3. Шебзухов А.А. Поверхностная сегрегация в разбавленных металлических растворах.//Поверхность -1983, -№ 8, -с. 13-22.

4. Гиббс Д.В. Термодинамические работы. М., Гостехиздат, -1950, -421 с.

5. Русанов А.И. Фазовые равновесия и поверхностные явления. Л., Химия, Ленинградское отделение, -1967, -388 с.

6. Оно С., Кондо С. Молекулярная теория поверхностного натяжения в жидкостях. М.: Изд-во иностр. литература -1963, -291 с.

7. Задумкин С.Н., Шебзухов А.А. О межфазном натяжении в конденсированных системах.//В кн: Адгезия расплавов и пайка материалов ./Киев: Наукова думка, -1976, -с. 34 39.

8. Шебзухов А.А., Хоконов Х.Б. Статистические теории межфазных энергий и адсорбция в многокомпонентных системах.// В кн.: Физика межфазных явлений./ Нальчик, КБГУ, -1979, -с. 3-23.

9. Шебзухов А.А., Хоконов Х.Б. Статистические теории межфазного натяжения и адсорбция в многокомпонентных системах.// В кн.: Физика межфазных яявлений./ Нальчик, -1980, -с. 3-25.

10. Ю.Шебзухов А.А., Карачаев A.M., К расчету термодинамических свойств межфазного слоя на границе двух конденсированных фаз методом слоя конечной толщины .//В кн. Поверхностные явления на границах конденсированных фаз., -1983, -с. 23-48.

11. Шебзухов А.А. Теория поверхностной сегрегации в концентрированных растворах.//Поверхность, -1983, -№ 9, -с. 31 39.318

12. Шебзухов А.А., Осико Т.П., Кожокова О.М., Мозговой А.Г. Поверхностное натяжение жидких щелочных металлов и их сплавов./Юбзор по теплофизическим. свойствам веществ. М.: Ин-т высоких температур АН СССР, -1981, -№ 5 (31), -141 с.

13. Хоконов X.JI., Задумкин JI.C. Уравнение изотерм межфазного натяжения бинарных конденсированных систем.//В кн.: Физика межфазных явлений, Нальчик, -1981, -с. 84 92.

14. Попель С.И. Теория металлургических процессов. Итоги науки и техники. М.: ВИНИТИ, -1971, -132 с.

15. Павлов В.В., Попель С.И., Есин О.А. Зависимость межфазного натяжения от состава и температуры.//В кн.: Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах./Нальчик, Каб.-Балк. книжное изд-во, -1965, -с. 136 141.

16. Пинес Б .Я. Межфазное поверхностное натяжение у металлов и сплавов.//ЖТФ, -1952, -т. 12, -вып. 12, -с. 1985 2003.

17. Щукин Е.Д., Ющенко B.C. О связи хрупкости под действием жидких металлов с характерами магнитных взаимодйствий.//В кн.: Поверхностные явления в расплавах. Киев: Наукова Думка, -1968, -с. 415 420.

18. Попель С.И., Павлов В.В., Жуков А.А., Кожурков В.Н. Адсорбция компонентов металлмческого расплава на границе с газом и с другим расплавом.//В кн.: Физика межфазных явлений./Нальчик, -1976, -с. 12 -20.

19. Mezey L.Z., Giber J. New simple rules of interface segregation.// Surf. Sci. -1985,-162,-p. 514-518.

20. Дигилов P.M., Созаев В.А. Индуцированная поверхностная сегрегация в сплавах щелочных металлов.// Поверхность -1992, -№ 4, -с. 22-25.

21. Алчагиров Б.Б., Созаев В.А., Хоконов Х.Б. Влияние адсорбированных диэлектрических покрытий на межфазную энергию металлических сплавов.//ЖТФ, -1997, -т.67, -№ 1, -с. 133-13,5.

22. Пригожин И.Р. Молекулярная теория растворов. М.: Металлургия.-1990.-380С.320

23. Сторонкин А.В. Термодинамика гетерогенных систем. Л.: -1967.-1-2 ч.

24. Кармоков A.M. Уравнения изобар состава и межфазного натяжения на границе конденсированных фаз в приближении идеальных растворов.// Вестник Кабардино-Балкарского отделения технологической АН РФ, -1998, -в.2 -с.23-32.

25. Кармоков A.M., Шебзухова М.А., Шебзухов А.А. Сегрегация и натяжение на границе двух многокомпонентных конденсированных фаз в изобарических условиях.//Тез. Всеросийской научн. конференции -1995 -с.65.

26. Гультяий И. И. Расчет термодинамических свойств бинарных металлических расплавов по свойствам образующих их металлов.//ДАН РФ, Химия -1995, -344, -№ 2, -с. 164-196.

27. Хоконов М.Х., Хоконов Х.Б. Об уравнении равновесия фаз малых размеров и некоторых его применениях.// В кн.: Вопросы физики формообразования и фазовых превращений./ Калинин, КГУ, -1979, -с. 114-122.

28. Шебзухов А.А., Карачаев A.M., Сегрегация, избыточная напряжение и адгезия на границе многокомпонентных конденсированных фаз.// Поверхность -1984, -№ 5, -с.5 8-67.321

29. Miedema A.R., den Broeder F.J.A. On the Interfacial energy in solid-liquid and solid-solid metal combinations.// Z. Metallkde -1979, -70, -№1. -p.14-20.

30. Cahn J.W. Interfacial free energy and interfacial stress: the case of an internal interface in a solid.// Acta metall. -1989, -v.37, -№ 3, -p.773-776.

31. Chipman J., Floridis T.R. Activity of aluminum in liquid Ag-Al, Fe-Al, Fe-Al-C and Fe-Al-C-Si alloys.// Acta Metall. -1954, -v.3, -№ 5, -p.456-459.

32. Gonser U. Bestimmung termodynamischer aktiviten mittels radiaktiver isotope.//Z. Phys. Chem. -1954, -1, -№ 1-2, -p.1-20.

33. Птак В. Коэффициенты активности некоторых цветных металлов в бинарных растворах.// Бюл. Польск. АН, отд. 4, -1954, -2, -№ 3, -с.139-144.

34. Imrich-Schwarz G., Gamsjager Н. Computerun terstutzte Auswertung der Gibbs-Duhem-Gleichung: binare sisteme.//Berg-und Huttenmann. Monatsh --1981, -45, -126, -№ 7, -p.275-277.

35. Williams F. L., Mason D. Binari alloy surface compositions from bulk alloy thermodinamic data.//Surf. Sci. -1974, -v. 45, -№ 2, -p. 377-408.

36. Свойства элементов. 4.2. Физические свойства. Справочник. /2-ое издание под ред. Самсонов Г.В. М.;- Металлургия -1976, -600 с.у ■

37. Рябин В.А., Остроумова Г.В., Свит Т.Ф. Термодинамические свойства веществ. Справочник. JL, Химия -1977, -292 с.

38. Физические величины. Справочник./Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.3.,-М.; Энергоиздат -1991,-1232 с.

39. Шанк Ф. Структура двойных сплавов. М. Металлургия. -1973, -760. -с.322.

40. Таблицы физических величин. Под ред. Кикойн И.К. М. Атомиздат, -1976,-1008 с.

41. Лифшиц Б.Г., Крапошин B.C., Липецкий Я.Л. Физические свойства металлов и сплавов. М., Металлургия, -1980, -320 с.

42. Хансен М. Андерко К. Структура двойных сплавов: пер. с англ. Новикова П.К. и др./ Под ред. Новикова И.И. и Рогельберга И.Л., т. 1-2. М.: Металлургиздат.-1962. 1488 с.

43. Ниженко В.И. Плотность жидких металлов и их температурная зависимость. Методы исследований и 'свойства границ раздела конденсированных фаз./ Киев. Наукова думка, -1977, -с. 125.

44. Сумм Б.Д. Горюнов Ю.В. Физико-химические свойства смачивания и растекания. -М.: Химия. -1983, -192 с.

45. Быховский А.И. Растекание.-Киев : Наукова думка. -1983.-192 с.

46. Корольков А.И.Поверхностное натяжение алюминия и его сплавов.//Изв. АН СССР, отд. тех. наук -1956, -№2, -с.35.

47. Ниженко А.И., Еременко В.Н.О поверхностной активности присадок в жидких металлах. //Порошковая металлургия -1964, -№2, -с. 11-18.

48. Burton J.J., Machline E.S. Prediction of segregation to alloys surfacces from bulk phase diagrams//Phys. Rev. Lett. -1976, -v. 37, -№15, -p.1433-1436.323

49. Hamilton J. G. Prediction of surface segregation in binary alloys using bulk alloy variables //Phys. Rev. Lett.,-1979, -v. 42, -№15, -p. 989-992.

50. Abraham F.F., Tsai N.H., Pound G.M. Bond and strain energy effects in surface segregation: atomic calculation.//Surf. sci., -1979, -v. 83, -p. 406.

51. Abraham F.F. Surface segregation in binary solid solution: the e* -a* representation.//Phys. Rev. Lett.,'-1981, -v. 46, -p.546.

52. Русанов А.И., В кн., Современная теория капиллярности, Л. Химия, -1980, -с. 13.

53. Шебзухов А.А., Хамиш Л., Кармоков A.M. Влияние малой примеси на термодинамические характеристики плоской поверхности на границе жидкость пар. Деп. ВИНИТИ, -1990, -18 с.

54. Шебзухов А.А., Лефкаер И.-К., Кармоков A.M. О новых критериях межфазной активности компонентов на границе двух конденсированных фаз.// Тез. Всесоюз. Конференции "Поверхность 88", Черноголовка-1989,-с. 62-63.'

55. Кармоков A.M. Шебзухова М.А., Шебзухов А.А. О критерии межфазной активности малых добавок в изобарических условиях.// Тез. Всеросийской научной конференции./Нальчик, -1995, -с. 95-96.

56. Глазов B.M., Вобет M., Тимошенко В.И. Методы исследования свойств жидких металлов и полупроводников. М.: Металлургия.-1989.-384 с.

57. Морисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, -1980, -488 с.

58. Методы анализа поверхностей. Под ред. Зандерны А.: пер. с англ. /под ред. Кораблева В.В., Петрова Н.Н.-М.: Мир,-1979.-540 с.324 .i

59. Вернер Г. Введение в вторично-ионную масс-спектрометрию (ВИМС).// В кн.: Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под ред. J1. Фирмэнса, Дж. Вэнника, В. Декейсера. М.: Мир, -1981. -с.345-459.

60. Новое в исследовании поверхности твердого тела. /Под ред. Гиваргизова Е.И., Ждана А.Г., Сандамирского В.Б. М.: Мир,-1977,-в. 1 и -в.2 -314 с. и -371 с.

61. Козлов И.Г. Методы энергетического анализа электронных потоков. М.: Атомиздат, -1971, -189 с.

62. Черепин В.Т. Ионный зонд. Киев: Наук, думка, -1981. -328с.

63. Петров Н. Н., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л. Из-во ЛГУ. -1977. -160 с.

64. Arnot F.L., Milligan J.C.// Proc. Roy. Soc., Ser.1 A, -1936, -156, -538.

65. Herzog R.F.K., Viehbock F.P.//Phys. Rev.,-1949, -76, -855.

66. Werner H.W. В кн.: Dev. Appl. Spectroscopy, vol. 7A, eds. E.L. Grove, A.J. Perkins, Plenum, New York, -1969, -p.239.

67. Werner H.W., de Grefte H.A.M.Masse-spektrometer zur untersuchng dunner schichter.// Vacuum Techn. -1968. -17 -№ 2. -p. 37-41.

68. Carter G., Colligon J.S., Ion Bombardment of Solids.//Heinemann Educational Books Ltd, London, -1968.

69. Chi P.H., Simons D.S., Wickenden A.E., Koleske D.D., Pepeatability of Si concentration measurements in Si- dopid GaN films.//J. Vac.Sci. and Technolog. A., -1997, -v.15, -№ 5, -p. 2565-2568.

70. Evans Charles A.S. Pecent advances and applications of SIMS to electronic materials.//16 Conf. solid stase devices and mater, final program and late news abstr. kobe, 1984", Tokio, -77-88.

71. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. (составитель Машкова Е.С.), М.: Мир, -1989? -352 с.

72. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. (Под ред. Бериша) Вып. 2, М.: Мир, -1986, -488 с.325

73. Кармоков A.M., Шебзухов А.А. Методическая разработка "Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионного пучка"/ Нальчик. Изд. КБГУ, -1992, -86 с.I

74. Молоканов О.А., Кармоков A.M. Некоторые изменения в электронных схемах масс-спектрометра МС-7201.//Тез. 6 Всесоюзн. семин. "Вторичная ионная и ионн-фотонная эмиссия", Харьков, -1991, -с. 247249.

75. Шухостанов А.К., Кармоков A.M., Шауцуков, Кожокова Ф.М. Исследование методом вторично ионной масс-спектрометрии одновременной имплантации бора и алюминия в кремний.// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1988, -вып.6, -57-59.

76. Гуревич Ю.Я. Твердые электролиты.- М.: Наука, -1986.- 176 с.

77. Бородин О.М., Гимельфарб Ф.А., Орлов П.Б. и др. // ЖАХ. -1986, -т.41, -№12,-с. 2164-2174.

78. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф. Кумахов М.А. и др. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (теория, методы расчетов, таблицы). Минск: изд. БГУ им. Ленина, -1980. -348с.

79. Еремеев М.А. Испускание электронов и отражение ионов отповерхности металла .//Докл. АН СССР -1951, -т.79, -№2, -175-780.

80. Арифов У. А., Агафонов А.Х., Поверхностные явления при бомбардировке металлов положительныим ионами.//Докл. АН Уз ССР, -1951, -№4, -с. 12-16.

81. Smith D.P. Scattering of low-energy noble gas ions from metal surfaces.//J. Appl. Phys. -1967, -v.38, -№1, -p.340-347.

82. Арифов У. А. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела. М., -1968, -372 с.326i .

83. Векслер В. И. Вторичная эмиссия атомных частиц. Ташкент. 1970. 244с.

84. Smith D. P. Analysis of surface composition with low-energy backscattering ions.// Surface sci. -1971, -v. 25, -№1, -p.171-191.

85. Петров H. H., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Д.: Из-во ЛГУ. -1977. -С. 160.

86. Афанасьев В.П., Явор С .Я. Электростатические анализаторы для пучков заряженных частиц. М.: Наука. -1978.- 224 с.

87. Протопопов О.Д., Машинский Ю.П. Энергетические анализаторы оже-электронной спектроскопии. Обзоры по электронной технике. Серия 7, "Технология, организация производства и оборудование", вып. 4(363), ЦНИИ Электроника, М. -1976. -49 с.

88. Приборы и методы анализа поверхностей материала с помощью обратного рассеяния ионов низких энергий. Отчет о патентных исследованиях. ВЦПУ, Волгоградский филиал. Per. № ВЦПУ 1101/86, -1986,-119 с.

89. Волков С.С., Гутенко В.Т. Исследованиевнешнего моноатомного слоя поверхности методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий.// Электронная промышленность, -1984, -№ 2, -27-31.327

90. Волков С.С., Денисов А.Г.,и др. Автоматизированная установка для анализа поверхности методами ионной и электронной спектроскопии.// Тезисы докладов "Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия", Харьков,-1980.-С .67-69.

91. Попов В.П., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. М. Высшая школа, -1988, -239-244.

92. Saiton М., Oura К., Asano К., Shoji F., Hanawa Т., Low energy ion scattering study of adsorption and desorption processes of Pb on Si(lll) surfaces.// Surface Sciens -1985, -№ 154, -394.

93. Souda R., Aono M., ОбЫгпд С., Otani S., Ishizawa Y. Mechanism of electron exchage between fow energy He+ and solid surfaces.// Surf. Sci. ~ 1985, -№ 1, -L59-L65.

94. Oura K., Katayama M., Shoji F., Simp. Атёг. Vac. Soc., Reno, Nev., 4-7 Dec.-1984,-1507-1510

95. Speller S., Schleberger M., Heiland W., Structural stadies of the Pb(110) surface with ISS and RHEED.//Surf. Sci. -1997, -380, -№ 1, -p. 1-8.

96. Creemers C., Dual mode segregation of Pd to the surface of polycristaleine Fe99Pdi.// Surf. Sci. -1996, -360, -№ 1-3, -p. 10-20.

97. Niehus H., Bauer E. Low energy ion: backscattering spectroscopy (ISS) with a commercial auger cylindrical analyzer (CMA).// Rev. Sci. Instrum. -1975 -v. 46, -№9, -1275-1277.

98. Wheatley G.H., Caldwell C.W. UHV systems for surface studies by ion scattering.//Rev. Sci. Instrum. -1973 -v. 44, -№ 6, -744-747.

99. Ковалев А.И., Щербединский Г.В., Современные методы исследования поверхности металлов и сплавов. М.: Металлургия, -1989, -192 с.

100. Кармоков A.M., Матвеев Г.И., Тешев Р.Ш. Исследование поверхности материалов метрдом спектроскопии обратно-рассеянных328ионов низкой энергии (СОРИНЭ).// Тез. 6 Всесоюзн. семин."Вторичная ионная иионн-фотонная эмиссия", Харьков, -1991, -с. 256-257.

101. Кармоков A.M., Матвеев Г.Н. Исследование поверхности кремния методом спектоскопии обратно рассеянных ионов низких энергий. Сб.Iнаучн. трудов.// Физика и технология поверхности./ Нальчик, -1990, -9299.

102. Кармоков A.M., Шебзухов А.А. Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионных пучков. Нальчик, КБГУ, -1993, -76 с.

103. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично- эмиссионные методы исследования твердого тела. М., "Наука".-1977, -551 с.

104. Митягин А.Ю., Черевацкий Н.Я., Дворянкин В.Ф. Электронная оже-спектроскопия метод исследования поверхностных явлений. //"Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы", -1971, -т.7, -№ 12, -с. 21212133.

105. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А., и др. Электронная спектроскопия./ Пер. с англ. под ред. Боровского И.Б. М., "Мир", -1971, -432с.

106. Ашхотов О.Г., Шебзухов А.А., Кармоков A.M. Сверхвысоковакуумная установка для комплексного исследования поверхности.//В кн.: Физика межфазных явлений. Нальчик, : Кабард.-Балкар. ун-т,-1980,-с. 94-100.

107. Ашхотов О.Г., Шебзухов А.А., Кармоков A.M. Исследование малых примей серы на поверхности чистого индия при фазовом329превращении.// Сб. "Всесоюзная школа по физике, химии, механике поверхности", Черноголовка, -1981, -с.82.

108. Ашхотов О.Г., Шебзухов А.А., Кармоков A.M. Исследование состава поверхности жидких растворов индий- свинец и олово- свинец методом ЭОС.// Изв. АН СССР, Поверхность. Физика, химия, механика. -1982, -№10 , -с101-106.

109. Журтов З.М., Кармоков A.M., Шауцуков А.Г., Строева Т.В., Шухостанов А.К. Исследование профилей распределения элементов в имплантированных слоях кремния методом ЭОС.// Сб. "Физика межфазных явлений", Нальчик, -1985, -с. 143-149.

110. Шебзухов А.А., Ашхотов О.Г., Кармоков A.M. Электронная спектроскопия поверхбности жидких металлов и сплавов.// Тез. Всесоюзн. Конференц."Научное приборостроение", Рязань, -1986, -с.76.

111. Ашхотов О.Г., Гришутин Г.С., Журтов З.М., Кармоков A.M., Молоканов О.А., Сергеев И.Н. Исследование поверхности керамики 22ХС методом электронной оже- спектроскопии.//Адгезия расплавов и пайка материалов, Киев, Наукова думка, -1986, -с.29-31.

112. Журтов З.М. Электронная спектроскопия и атомная структура поверхности моно и поликристалличёских сплавов Си-А1 и W-Mo.

113. ДКФМН, Нальчик, -1991, -165 с.•

114. Ашхотов О.Г. Поверхностные характеристики р- металлов и их двойных сплавов.// Автореферат диссертаци ДФМН. -1997, -316 с.330

115. Хофман С. Послойный анализ.// Анализ поверхности методами оже-и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: -Мир. -1987. -с. 110.

116. Машкова Е.С. Современные тенденции в исследовании распыления твердых тел./Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. М.: Мир, -1989. -с. 5-45.

117. Но P.S., Lewis J. Е., Wildman H.S., Howard J.K. Auger stady of preferred sputtering on binary alios surfaces.// Surf. Sci. -1976. -57. -p.393-405.

118. Patterson W. L., Shim G. A. The sputtering of nickel-chromium olloys.// J. Vac. Sci. Technol., -1967. -4. 343-346. ;

119. Werner H. W., Warmoltz N. The influence of selective sputtering onsurface composition.// Surf. Sci. -1976 -57. -p.706-714.i. .

120. Бетц Г., Венер Г. Распыление многокомпонентных материалов / Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Бериша. М.: Мир,-1986. -с. 24.

121. Kelly R. 141. On the problem of whether mass or chemical bonding is more important to bombardmentinoluced-compositional changels in alloys and oxides.// Surf. Sci. -1980. -100. .-p. 85-107.

122. Бондарчук A.B., Кармоков A.M., Аксёльруд E.A. Исследование методом ВИМС профилей распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Cu-10%A1, Cu-6%Ge.//v •

123. Физика и химия перспектив, мате-ов. -Нальчитк. -КБГУ. -1998. -с.30-39.

124. Oeshsner Н. Energieverteilungen bei der festkorzerstaubung durch ionenbeschub Z. Phys.//Zs. Phys., -1970. -V. 238. -P. 433-451.

125. Laegreid W., Wehrner G.K. // J. Appl. Phys., -1961. -V. 32. -p. 365.

126. Sigmund P. Theory of spyttering. 1. Spyttering yield of amorphous and polycristalline targets. // Phys. R'ew. -1969. -V. 184. -p.383-416.331

127. Бондарчук А.В., Кармоков A.M., Аксельруд Е.А. Исследование методом ВИМС профилей распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Cu-Al, Cu-Ge и фаз Лавеса.// Вестник КБО АТН РФ. -1997. -в.1 -с. 24-30.

128. Журтов З.М., Шебзухов А.А. Поверхностная сегрегация на гранях (111), (110) и (100) твердого раствора алюминия и меди (10 ат. %).// Тез. док. Всесоюзной конференции "Поверхность-89". -Черноголовка. -1989. -с. 81.

129. Журтов 3.M., Лефкаер И.-Х- //Физика и: технология поверхности. -Нальчик. 1990. -с.70.

130. Лефкаер И.-Х., Шебзухов А.А. //Тезисы докладов и сообщений республиканской научно-практической конференции молодых ученых и специалистов. Нальчик. - 1988. -с. 106.

131. Лефкаер И.-Х., Шебзухов А.А. Поверхностная сегрегация и некоторые термодинамические свойства поверхности ряда фаз Лавеса,332образованных тугоплавкими металлами. Нальчик. - 1990. С. 24. Деп. в ВИНИТИ № 5624-В90.

132. Кармоков A.M., Лефкаер И.-Х,. Шебзухов А.А., Исследование сегрегации элементов в поверхностном слое интерметаллидов типа фаз Лавеса.//Вестник КБГУ, сер. физ.-мат. наук, -1996 -в.1 -с.261-266.

133. Попов В.Ф., Горин A.M. Процессы и установки электронно-ионной технологии./М.: Высшая школа., 1988.-255 с.

134. Рейнор Г.В. Металловедение магния и его сплавов./ Перевод с англ.

135. Гальперина Е.Л., Тиховой Н.М. Под редакцией Михеевой В.И.-М., Металлургия.-1964. -487 с.

136. Krimmal E.F., Pilender Н. Implantation profiles modified by sputtering. //Radiat eff. -1973. -V. 19. -P. 83-85.

137. Вол A.E. Строение и свойства двойных металлических систем, т.1 и 2. 1959 и 1962

138. Ниженко В.И., Флока Л.И. Поверхностное натяжения жидких металлов и сплавов. Справочник. М., Металлургия, -1981,-208 с.

139. Кауфман Л., Бернстейн X. Расчет диаграмм состояний с помощью ЭВМ./ Пер. с англ. под ред. Аптекоря И. Л. и Шиняева А.Я. М. : Мир, -1972. - 328 с

140. Нефедов В.И. Физические основы рентгеноэлектронного анализа состава поверхности.//Поверхность -1982, № 1, с.4-21.

141. Мс Lean D., Grain boundarias in Menals // Oxford, Clareydol Press, -1957-X.-346 p.

142. Du Plessis J., Viljoen P.E., Non-eguilibrium surface segregation of silicon in Fe-6,3 at.% Si(l 11).

143. Crank J. The Matematics of diffusion. //Oxford University Press, -1975.e

144. Lea C., Seah M.P. //Phil. Mag. -1977, -35, -213.333

145. Hofmann S., Erlewein J. A model of the kinetics and equilibria of surface segregation in the monolayer regime.// Surface Sci. -1978. -77. -№3. -p.591-592.

146. Журтов 3.M., Шебзухов A.A. Исследование поверхности сплавов методом ЭОС //Химия и технология молибдена и вольфрама. Нальчик. -1987.-С.11-19.

147. Strehlow W.H., Smith David P., Determination of the chrystallographic polarity of CdS by ion sectering. //Apll. Phys. Letters. -1968. -13. -№ 4.-p. 34-35.i

148. Волков C.C., Толстогузов А.Б. Спектроскопия обратно рассеянных ионов низкой энергии./ Обзор электронной техники. -1981. -Сер.7.-вып. 15.(820).-83с.

149. Suurmeijer Е.Р., Boers A.L. Low-energy ion reflection from metal surfaces.// Surface Sci. -1974, -v. 43, -№ 1, -p. 309-352.

150. Smith David P., Analysis of surface composition with low-energy backscattered ions.// Surface Sci.- 1971, -v. 25, -№ 1, -p.171-191.334

151. Bronckers R.P.N., de Wit A.G.J., Shadjwing, focussing end Chang-exchange effect in the angular distributions of keV Ne+ and H20+ ions scettered from Cu jl 11}.// Surface sci. -1981, -112, -p. 111-132.

152. Bronckers R.P.N., de Wit A.G.J., Reconstruchion of the oxygen-covered Cu {l 11} surface idetified with low energa Ne+ and H20+ ions scettering.//

153. Hupkens Th. M. Low energy ion scattering study of oxygen adsorption on a Cu {ill} single crystal surface. Part 1: Surface characteristics .//Nuclear1.struments and Methods in Physics Research, B9, -1985, -277-284.

154. Hupkens Th. M. Low energy ion scattering study of oxygen adsorption on a Cu {l 1lj single crystal surface. Part 2: Kinetics.//Nuclear Instruments and

155. Methods in Physics Research, B9, -1985, -285-290.

156. Van de Riet E., Smeets J. B. J., Fluit J. M.1, Niehaus A. The structure of clean and oxygen covered copper surface stadied by low energy ion scattering.// Surface Sci. -1989, -214, -111-140.

157. Narmann A., Derks H., Heiland W., Monreal R, Goldberg E., Flores F., Cristallografic effects in charge exchange processes: He scattering from Ni(110).// Surface Sci. -1989, -№ 217, -255-266.

158. Moller J., Snowdon K.J., Heiland W. Low energy ion scattering from the Au(l 10) surface.// Surface Sci. -1986, -178,- 475-482.

159. Heiland W., Taglauer E., The backscattering of low energy ions and surface structure .//Surface Sci. -1977, -№ 68, -96-107.

160. Oura K., Hanawa T. Structure of metal/silicon cubmonolaeyer interface.// Semiconductor Tehnologies. -1984,-v. 13,-197-213.

161. Green A.K., Bauer E.// J. Appl Phys. -1976, -47, -1284.

162. Oura K., Hanawa T. //Surface Sci. -1979, -82, -202.

163. Lelay G., Faurie J.P. Aes study of the very finst stages of condensation of gold films on silicon (111) surfaces.// Surface Sci. -1977 -69. -p.295-300.

164. Okada S., Oura K., Hanawa Т., Satoh.K. A LEED-AES study of thin Pd films on Si (111) and (100) substrates.// Surface Sci. 1-980. -97. -p.88-100.

165. Rubloff G.W., Ho P.S., Freeouf J.L., Lewis L.E. Chemical bonding and reactions at the Pd/Si interface.// Phys. Rev. -1981. -B23. -p. 4183-4193.

166. Heiland W., Ion Scattering stadies of surface cristallography.// Applications of surface Sci., -1982, -№ 13, -282-291.

167. Van Zoest J. M., Van Der Mei C.E., Fluit J.M., Nichaus A. Directional dependence of ion neutralization at a surface.//Surf.sci.-1985.-p.l52-153.

168. Lee Hai-Woong, George Tomas F. Analysis of experimental data for neutralization of low-energy ions at a solid surface.//Surface sci. -1986.-172.-№2.-p.211-229.

169. Saiton M., Oura K., Asano K., Shoji F., Hanawa Т., Low energy ion scattering study of adsorption and desorption processes of Pb on Si(lll) surfaces. //Surface Science. -1985, -№ 154, -394-416.

170. Chorkendorff I., Kofoed J., Onsgaard J., Spektroscopic and structural investigatins of the Yb-Al(llO), Yb-Ni(llO) and Yb-Si(lll) interfaces as a function of temperature.//Surface Sci. -1985, -№ 152/153, -749-756.

171. Graham G.W. An investigation of "Cu(100)-c(2x2)Au": LEED, AES, ISS, ARUPS and XPS results.// Surface Sci. -1987, -№ 184, -137-162.

172. Лихтман В.И., Щукин Е.Д., Ребиндер П.А. Физико-химическая механика металлов/М.: АН СССР, -1962.- 182 с.336

173. Корольков Д.М. Литейные свойства металлов и сплавов./ М.: Наука, -1967.-195 с.

174. Кунин Л. Л. Поверхностные явления в металлах./ М.: Металлургиздат, -1955,- 304 с."

175. ChebzoukhovA.A. Lefkaier L.K., Karmokov A.M., Bontessouna D. A bout new criteria of component activities at the interface between twoк. ■condensed phases./ Surface sci. -2000, -445, -№1, p. 65-70.

176. Williams F. L., Mason D. Binari alloy surface compositions from bulk alloy thermodinamic data.-Surf. Sci., -1974, -v. 45, -№ 2, -p. 377-408.

177. Семенченко B.K. Поверхностные явления в металлах и сплавах./ М.: ГИТТЛ,-1957.-350 с.

178. Васильев М.А., Черепин В.Т., Якубцов О.А. Зависимость энергии связи электронов поверхностных атомов от состава сплавов Fe-Cr.// Д АН СССР -1979, -246, -вып.1, -с.75-77.

179. Watanabe К., Hashiba М., Yamashina Т.А. quantitative analysis of surface segregation and in-depht profile of copper-nickel alloys.// Surf. Sci. --1976, -v.61, -№2, -p.483-490. '

180. Leygrar C., Hultquist G., Ekelund S., Eriksson J.C. Surface composition studies of the (100) and (110) faces of monocrystalline Fe0.84Cr0.i6- //Surf. Sci. -1974, -v. 46, -№1, -p.157-176.

181. Mathieu H.J., Landolt D. Quantitative Auger electron spectroscopy analysis of Ag-Pd and Ni-Pd alloys. //Surf. Sci. -1975, -v. 53, -№1, -p.228-240.337

182. Pollizzoti R.S., Burton J.J. Surface segregation in alloys: dilute binary iron/ zirconium solid solutions.//.!. Vac. Sci. Technol. -1977, -v. 14, -№1, -p.347-350.

183. Van Santen R.A., Toneman L.H., Bouwman R. Surface enrichment in Cu3Au and Au3Cu alloys. //Surf. Sci. -1975, -v.47, -№1, -p.64-76.

184. Burton J.J., Helms C.R., Pollizzoti R.S. Surface segregation in alloys: existence of ordered overlayers.of Au segregated to the Ni (111) surface.// Surf. Sci. -1976, -v.57, -№1, -p.425-430.

185. Алешин В.Г., Немошкаленко B.B., Прокопенко B.M. Изменение концентрации "летучего" компонента на поверхности сплава при температуре ниже порога испарения.//Металлофизика, -1980, -т.2. -вып.4, -с. 104-108.

186. Bouwman R., Sachtler W.M.H. Photoelectrical determination of the equilibration of metal and alloy films. //Surfase Sci. -1971, -v. 24, -№1, -p.350-352.

187. Thomas J.H., Sharma S.R. A study of the passive layer on Sn-Ni alloy.// J. Vac. Sci. Technol.-1987,-v. 14, -№5, -p. 1168-1172.

188. Beretolini J.C., Massardier J., Delichere P., Tardy В., Imelic В.,i. .

189. PtioNi9o(lll) single cristal alloy: determination of the surface composision by AES, XPS and ISS.// Surface Sci. -1982, -119, -p.95-106.

190. Kannar S., Mohazzabi P., An ion-scattering spektrometric study of cuprous sulphide.// Journal of Materials Sci. Let. -1985, -№4, -p.720-724.

191. Sato K., Kono S., Teruyama Т., Higashiyama K., Sagawa Т., Ion scattering spektroscopic stady of clean and Sn-cvered Ge(lll) surfaces.// Surface Sci. -1985, -№158, -p.644-657. :

192. Aono M., Katayama M., Nomura E., Chasse Т., Choi D., Kato M., Recent developments in low-energy ion scattering spectroscopy (ISS) for surface structural analysis.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research ~ 1989, -B37/38, -p.264-269.338

193. Tromp R.M., Van Loenen E.J., Ion beam cristallography of silicon surfaces, 3. Si(l 1 l)-(7x7).// Surface Sci. -1985, -№ 155, -p.441-479.

194. Aono M., Hou Y., Oshima C., Ishizawa Y., Low-Energy ion Scattering the Si(OOl) surface.// Physical review letters -1982, -v.49, -№ 8, -p.567-570.

195. Davis H.L., Noonan J.R., Rippled relaxation in the (110) surface of the ordered metallic alloy NiAl.// Physical review letters. -1985 -v.54, -№ 6, -p.566-569.

196. Brongersma H.H., Buck T.M., Low-energy ion scatteing (LEIS) for composition and structure analysis of the outer surface.// Nuclear instruments and methods. -1978, -№ 149, -p.569-575. •

197. Kumar R., Mintz M.H., Rabalais J.W., Ion survival probabilities for 3 keV Ar+ Scattering from La, Yb, and chemisorbed H2, 02, and H20 on La syrfaces.// Surface Science -1984, .-№ 147, -p. 15-3 6.

198. Orvek K.J., Helbig H.F., Czanderna A.W., Thygesen K.H., Neutralisationof helium ions backscattered from tungsten.// Surface Science -1985,-№ 159, -p.35-48.

199. Souda R., Aono M., Oshima C., Otani S., Ishizawa Y., Multiple Scatering of low-energy rare -gas ions at solid surfaces// Surface Science -1986, -№ 176,-657-668.

200. Niehus H., Comsa G., Alkali ion impact collision scattering at Pt(lll).// Surface Science -1985, -№ 152/153, -93-98.

201. Drummond I.W., Small electron and ion beams in surface analysis :ther optics, interactions and uses.// Vacuum -1981, -V 31, -№ 10-12, -579-588.

202. Tenner A.D., Saxon R.R., Gillen K.T., Harison D.E., Horn T.G.M., Kleyn A.W. Computer simulation and rainbow paterns of alkali ion scattering from metal surfaces.//Surface Sci. -1986. -№1, -p.121-150.

203. Hellig H.F., J. Vacuum Sci. Technol. -1976, -13, -368.

204. Hellig H.F., Linder M.W., Morris G.A., Steward S.A.//Surface Sci. -1982, -144,-251.339

205. Кармоков А. М., Матвеев Г. Н. Исследование поверхности кремния методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии./Физика и технология поверхности. Нальчик, -1990, -с. 92-98.

206. Матвеев Г.Н., Кармоков A.M., Тешев Р.Ш. ИсследованиеIповерхности материалов методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии.// Тез. 6 Всесоюз. Семинара "Вторичная ионная и ионн- фотонная эмиссия", Харьков, -1991, -с. 255-258.

207. Куршев М.О., Кармоков A.M. Исследование поверхности твердого раствора Cu-Ge (111) методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии.// Тез. 3 Всеросийской научной конференции студентов-физиков, Екатеринбург, -1995, -с. 111.

208. Беждугов A.M., Дышеков М.Б., Кармоков A.M. Исследование методом спектроскопии обратно рассеянных имонов низкой энергийIструктуры поверхности монокристалла Cu-+-6aT.%Ge(lll).// Вестник КБГУ, сер. физические науки, Нальчик, -1997, -с. 9-12.

209. Davis Н. L., Noonon J. R. Atomic rippling of a metallicordered alloy surface-NiAl(l 10) //J. Vac. and Technol. 1985, A3, Pt 2: Proc. 31 Nat. Symp. Amer. Vac. Sol., Reno, Nev., 4-7 Dec. -1984, -p. 1507-1510.

210. Mfrchut L., Buck Т. M., Mc Mfchon C. J., Wheatley G. H., Augustynik W. M. //Surface Science -1987, -p. 252-262.

211. Whetley G. H., Calatteing C. W. UNV sistems for surface studies be ion scattering.// Rev. Su. Instrum. -1973. -44. -№6 . -p. 744-747.

212. Niehys H., Bauer E. Quantitative aspects of ion scattering spectroscopy (ISS). // Rev. Sei. Instrum. -1975. -№9. -46. -p. 222-333.

213. Аристархова А. А., Волков С. С., Гутенко В.Т., Дорожкин Н.В., Мишурова Е.А. Влияние изотопного состава на элементный и количественный анализ поверхности методом ионного рассеяния. //Поверхность.-1991. -%5 -с. 133-138.340

214. Аристархова А. А., Волков С. С., Исаев Т. Н., Машкова Т. М.,1. •

215. Тимашев М. Ю. Установка для исследования поверхности и эммисионных свойств пленочных эмитеров.// Электронная промышленность —1987, -№5, -с. 47-49.

216. Примаченко В. Е., Снитко О. В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, -1988, -232 с.

217. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, -1987, -240 с.

218. Алябин Н.А., Логинова Р.Г., Овсянников М.И., Шамов С.А. Испарение фосфора и бора из кремния в вакууме. № 354-77. Горький, -1976.-10 с.

219. Кожухов А.В., Кантор Б.З., Сидоров Ю.Г., Стенин С.И. // Поверхность -1990, -№ 9, -с. 30.

220. Кожухов А.В., Кантор Б.З., Стенин С.И. и др. Испарение и сегрегация галлий при нагреве легированного кремния в вакууме. // Поверхность -1989, -№ 3, -с. 160-162.

221. Люев В.К., Кармоков A.M., Шебзухов А.А. Поверхностная сегрегация фосфора, сурьмы и мышьяка в бинарных твердых растворах на основе кремния.// Коллоидный журнал -1996, -58, -№ 4, -с. 503-508.у ■

222. Анализ поверхности методами оже- рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. /Под ред. Брига Д. Сиха М.П. М.: Мир, -1987, -с. 598.

223. Hall Н.М., Morabito I.M. // Surf. Sci., -1979, -v. 83, -p.391.

224. Shimizu R., Iohumura S. Quantitative Analysis by Anger Elektron Spektroscopy.// Toyata Foundation Research Report 1-006 № 76-0175, Osaka, P.-1981.

225. Ichimura S., Shimizu R. Backscattering correction for guantitative Auger analysis. // Surf. Sci. -1981. v.112. -N3. -p.386-408.341

226. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Eds. Davis L.E., Mac Donald N.C., Palmberg P.W., Rioch G.E., WeberRE. Minnesota: Phys. Electron. Indust. - 1976. - 252 p.

227. Ferrante J. An auger elektron spektroscopy and LEED study of equlibrium surface segregation in copper-aluminum alloys.//Acta Metallurgies -1971. -v. 19. №8. -p.743-748.

228. Ковалев В.П. Вторичные электроны. M.: Энергоатомиздат. -1987.-177с.

229. Люев В.К. Исследование поверхностной сегрегации фосфора и сурьмы в кремнии методами оже-электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов: //; Физика и технология поверхности.- Нальчик.- 1990.- с. 134-138.

230. Люев В.К., Шебзухов А.А., Кармоков A.M. Сегрегация легирующих примесей на поверхности элементарных полупроводников (Si, Ge). // Тезисы докладов VI межотраслевого семинара " Радиационные процессы в электронике". Москва. -1994. с.51.

231. Кузнецов B.C., Сандомирский В.В. //Кинетика и катализ. -1962. -т.З, -с. 742.

232. Волькенштейн Ф.Ф. Физика-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, -1973, -400 с.

233. Люев В. К., Кармоков А. М., Шебзухов А.А. Поверхностная сегрегация легирующей примеси элемента донорного типа в342монокристаллах кремния и германия. // Журнал физической химии. -1998. -том 72.-N6.- с. 1111 1115.

234. Белоусов В. Н., Кочина Э. А., Иванова Т. В.//Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1980, -т. 16, -N4, -с. 586.

235. Задумкин С. Н., Карашаев А. А.// Ученые записки, Нальчик, -1962,с.243-244.

236. Задумкин С. Н., Темроков А. И. //Изв. вузов, физика, -1968, -9

237. Найдич Ю. В., Перевертайло В. М., Неводник Г. М. В кн.: Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твердых тел, Киев, Наукова думка, -1972, -с. 61.

238. Задумкин С. Н. В кн.: Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых тел, Кабардино-Балкарское книжное издательство, Нальчик, -1965, -с. 26.

239. Weisz Р.В. /П. Chem. Phys. -1953. -V. 21. -P. 1531.

240. Овсюк В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск, Наука, -1984, -264 с.

241. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М., Высшая школа, 1986,368 с.

242. Tabe М., Nakamura М. Segregation and desorption kinetics for evaporation of arsenic from silicon. // J. Appl. Phys. -1979. -V. 50. -№ 8. -P. 5292-5295.

243. Gilman I.I. Terraces on etchpits.// J. Appl. Phys. 1960. - 31 (2). - p.2208.

244. ВасильевМ.А., Ченакин С.П., Черепин B.T. Особенности вторичной ионно- ионной эмиссии границы разделаразнородных металлов.//Изв. АН СССР. Сер. физ. -1976, -40, -№ 12, -с. 2571-2574.

245. Prudon G., Gantier В., Dupua J.C., Dubois С., Bonneau М. Delmas J., Valard J.P., Bremond G., Brenier R. Quantification of germanium and boron343in heterostructures Si/SibxGex/Si by SIMS//Thin Solid Films.- 1977.-294, №l-2.-p.54-58.у •

246. Chi P.H., Simons D.S., Wickenden A.E., Koleske D.D. Pepeotabilety of Si concentration measuremments in Si-doped GaN films.//J. Vac. Sci. and Tehnol. A.- 1997.-15. №5.-p.2565-2568.

247. Альтудов Ю.К., Быковский А., Неволин H. Малогабаритная установка для прямого легирования с лазерным источником.// ЖТФ, -1980, -40,-1,-с. 173-179.

248. Шухостанов А.К., Шауцуков А.Г., Кармоков A.M., Кожокова Ф.М., Молоканов О.А. Исследование профилей распределения примесей в р+-р- слоях двухпролетных лавинно- пролетных диодов методом ВИМС.//1. У •

249. Электронная техника. Сер. 2,полупроводниковые приборы, -1989, -в. 2, -с. 57-60.

250. Шауцуков А.Г., Дружинин А.В., Шухостанов Б.К., Аталиков С.Ч. Автоматизированное проектирование многократной имплантации для создания Р-областей двухпролетной ЛПД. //Электронная промышленность.- М., ЦНИИ.- 1990.- в.2.- с.26-27

251. Кармоков A.M., Молоканов О.А., Панчёнко В.А., Альтудова Ю.К. Исследование методом ВИМС влияния ионной имплантации на степень загрязнения кремниевых пластин.// Тез. 1 подотраслевой конф.у ■

252. Молодых специалистов. Нальчик, -1985, -с.76.

253. Шауцуков А.Г., Журтов З.М., Кармоков A.M., Шухостанов А.К. Оже анализ концентрационных профилей имплантированных слоев кремния.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик,-1985,-с.71.

254. Панченко В.А., Нейман Г.В., Журтов З.М., Кармоков А.М, Профили концентрационного распределения элементов в кремнии, легированном на ЛПУ и Везувий 1.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик, -1985, -с.96.344 .

255. Кармоков A.M., Молоканов О.А., Панченко В.А., Шухостанов А.К. Влияние химической обработки на распределение элементов в кремниевых пластинах дегированных ; алюминием.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик, -1985, -с. 118.

256. Шухостанов А.К., Шауцуков А.Г., Кармоков A.M., Кожокова Ф.М., Молоканов О.А., Шебзухов А.А. Исследование распределения бора и атомов отдачи алюминия, одновременно имплантированных в кремний.// Сб. Физика-химия межфазных явлений. Нальчик, -1986, -с.57.

257. Nauberger М. Oup if semiconducting materials. Handbook of electronic materials, v. 5, New-York, -1971.

258. Fuller C.S., Ditrenberge J.A. // J. Appl:. Pfis.^ -1956.-27,- 544.

259. Oechsner H. Analysis of thin film interfaces.// Proc. 9. Int. Vac. Cong, and 5. Int. Conf., 30, -1983, -316-323.

260. Krimmel E., Pilederer H. Implantation profiles modified by sputtering.// lRadiat. Eff., -1973, -vol. 19, -p. 83-85.

261. Заводинский В. Г., Куянов И. А. Влияние примеси в приграничном слое кремния на величину барьера Шоттки в эпитаксиальной системе Al/n-Si.// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -1996, -№ 11, -с. 51-55.

262. Horiuchi Masatada, Yamaguchi Ken. SOLID: high-voltage, high-gain 300 nm channel-length MOSFETs-1. Simulation.// Solid-State Elektron. -1985. -28, -№ 5, -465-472.

263. Васильев C.B., Герасименко H.H. Поведение примеси в процессе формирования силицидов металлов. // Поверхность.- 1986.-№7.- с.57-62

264. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир. -1986. -176 с.

265. Кожокова Ф.М., Кармоков A.M. Перераспределение ионов бора и фосфора на границе металл- кремний.// Тез. докл. и сообщен, республиканской конференции молодых ученных. -1988, -с.23.345

266. Kogokova F.M., Karmokov A.M., Matveev G.N. The diagnostic of semiconductor structures by ion beams.// The 4- th All-Union Conference on Interection of Radiation with Solids. Moscow. -1990, -p.20.

267. Кармоков A.M., Кожокова Ф.М., Молоканов O.A.,Исследование сегрегации легирующих примесей на межфазной границе кремний-металл.// Поверхность. Физика, химия, .механика. -1996, -№ 2, -с. 81-84.

268. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М. Металлургие. -1986, -574 с.

269. Кажокова Ф.М., Кармоков A.M. -Исследование сегрегации легирующей примеси на межфазных границах кремний- силицид-металл.// Тез. 6 Всесоюз. семинара "Вторичная ионная и ионн-фотонная эмиссия", Харьков, -1991, -с. 148-149.

270. Кармоков A.M., Кожокова Ф.М., Молоканов О.А., Влияние процесса силицидообразования и перераспределения примеси бора в системах Ni-Si и Ti-Si.// Поверхность. Физика, химия, механика. -1995, -№ 2, -с. 41-44.

271. Кармоков А.М., Молоканов О.А., Кожокова Ф.М. Способ измерения толщины интерметаллического слоя. Патент № 1777667 от 9.07.90 зарегистр. 22.07.92.

272. Tsai M.Y., Chao Н.Н., Ephrath L.M., Crowder B.L., Cramer A., Bennett R.S., Lucehese C.A., Wordeman M.R.// J. Electrochem. Soc., -1981, -128, -2207.

273. Pan P., Hsieh N., Gorpel H.J., Slusser G.J.// J. Appl. Phys., -1982, -53.3059.1

274. Ostling M., Petersson C.S., Norstrom H., Runove., Buchta R., Wiklund P. The Behavior of Arsenic in TiSi2-// Polyside Layers, ESSDERC, Sept. 1982, Munchen, W.Germany.

275. Фельдман Э. П., Юрченко' В.Н. Кинетика сегрегации примесей на поверхностях раздела в твердых телах.// Поверхность, -1990. -№12, -138.у ■

276. Саратовкин Д.Д., Тихоновский М.А. Образование жидкой фазы в месте контакта двух кристаллов, составляющих эвтектическую пару.// ДАН СССР, -1941, -33, -№ 4, -с.1303-1309.

277. Савинцев П.А. Некоторые свойства эвтектических сплавов и молекулярная концентрация.//Известия-ТПИ -1958, -95, -с.146-151

278. Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации, Металлургия, М.-1974,-200 с:

279. Вигдорович В.Н.Исследование условий получения синтетических магниточувствительных электросопротивлений из эвтектическихv. •сплавов, ДАН СССР, -1969, -186, -№ 4, -с.842-845,

280. Джексон К.А. Механизм роста кристаллов. Жидкие кристаллы и их затвердевание, М., Мепталлургиздат, -1962, -с.200-215.

281. Джексон К.А. Основные представления о росте кристаллов. Проблемы роста кристаллов М.: Мир, -1-968, -с. 13-25.

282. Ренольдс Д. Рост кристаллов. Физика и химия твердого состояния органических соединений. М.:', Мир, -1967, -с.191-230.

283. Филоненко В.А. Кристаллизация двойных эвтектик.// ЖФХ -1970, -44, -№ 8, -с.2071-2075.

284. Филоненко В.А. О фазовой ориентации в композиционных материалах.// ФММ -1970, -29, -№ 3, -641-644.

285. Сомов А.И., Тихоновский М.А. Эвтектические композиции, М., Металлургия,-1975,-308

286. Кармоков A.M. Контактное плавление в эвтектических композициях и сложных системах ДК ФМН, Нальчик, -1978.347

287. Нилова Н.Н., Бартенев Г.М., Борисов В.Т., Матвеев Ю.Е. Исследование контактного плавления в системе галлий-цинк.// ДАН СССР -1968, -180, -№ 2, -с.394-397.

288. Савинцев П.А., Кармоков A.M., Гетажеев К.А. Влияние тангенциальной диффузии в жидкости на кинетику перемещение межфазной границы при контактном плавлении.// Физическая химия границ раздела контактирующих фаз, Киев, Наукова думка, -1976, -с.176-180.

289. Гетажеев К.А., Кармоков A.M., Борисов В.Т., Савинцев П.А. Кинетика контактного плавления направленно кристаллизованой эвтектики.// Изв. АН СССР, Металлы, -1977, -№1, -173-180.

290. Мирошниченко И.С. Образование метастабильных фаз при затвердевании быстроохлаждаемых расплавов.// "Рост кристаллов" , Ереван, -1975, -XI, -337-348.

291. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкости, Л., "Наука",-1975, -592.

292. Палатник Л.С., Косевич В,М., Антонов В.А. К вопросу образования метастабильных модификаций в конденсированных пленках.// ЖФХ, -1966, -40, -10, -2458-2463.348

293. Iosiaki Т., Nobuo A. Behaviors of Eutektik Crystals below Their Eutektik Points.//Japonesse Jornal of Applied Physiks. -1968, -9, -1005-1011.

294. Iosiaki Т., Nobuo A. Behaviors of Eutektik Crystals below Their Eutektik Points (II). //Japonesse, Journal of Applied Physics. -1971, -10, -9, -11561162.

295. Nobuo A., On Dond itic Structures Caused by Contact between Iron and Silicon belqw Their Eutectic Temperatures.// Japones Jurnal of Appl. Phys1974,-13, -3, -p.534-538.

296. Хайрулаев M.P. Контактное плавление в бинарных системах с химическим взаимодействием компонентов. ДК ФМН, Махачкала,1975.

297. Шебзухов А.А. О природе и некоторых закономерностях контактного плавления. ДК ФМН -1970.

298. Шебзухов А.А., Савинцев П.А. Контактное плавление кристаллов. Деп. 2330-70, ВИНИТИ,-1971.

299. Жданов В.В., Савицкий А.П. Влияние легирования на скорость движения межфазной границы при контактном плавлении металлов.// Тез. докл. 7 Всесоюзной конференции "Поверхностные явления в расплавах", Тбилиси, -1974, -с.91.

300. Задумкин С.Н., Понежев М.Х., Белоусов В.Н. Уравнение изотермы поверхностного натяжения бинарного раствора.//ЖФХ -1971, -7, -1, -с.134-140.

301. Алдушин А.П., Некрасов Е.А., Максимов Ю.М. Влияние тепловыделения на кинетику роста слоя продукта при реакционной диффузии.// Изв. АН СССР, Металлы -1977,-№2, -с.121-125.

302. Кармоков A.M., Кириллов В.М. Исследование контактного плавления в металлических си системах с химическим взаимодействием. //Изв. ВУЗов, Физика, 1976.-1. -с. 94-97.349 .

303. Савинцев П.А., Кармоков A.M., Кириллов В.М. Образование жидкой фазы в контакте при температуре ниже эвтектической.//Адгезия металлов и сплавов. Киев, Наукова думка.-1977.-с.70-73.

304. Кармоков A.M., Кириллов В.М. Об Определении адгезионной прочности паянных соединений.// Тез. Докл. 13 республ. конференц.,Нальчик, -1986, -с.17-18.

305. Кармоков A.M., Шебзухов А.А. Контактное плавление кристаллов.// Тез. Докл. 13 республ. конференц.,Нальчик, -1986,-с.23-24.

306. Григорьев Ю.В., Шантурин Л.П. ЧЬтырехэлектродная электронная пушка сечением 10x80 см в атмосферу.// Приборы и техника эксперимента. -1979, №4, 194-196.

307. Кармоков А.М., Журтов З.М., Кириллов В.М. К вопросу соединения алюминиевой фольги с компактной медью.// Физика межфазных явлений, Нальчик, -1981, -С123-126.

308. Эйчис А.П., Темнина Б.Я. //Технология поверхностной обработки алюминия и его сплавов. Киев, "Машгиз", -1963, -с.137-148.

309. Иващенко Ю. Н., Еременко В.Н., Богатыренко Б.Б. //Поверхностные явления в расплавах и процессах порошковой металлургии. Киев, издво АН УССР, -1963, -с.391-417.1

310. Хантадзе Д.В., Оникошвили Э.Г.,Тавадзе Ф.Н. Некоторые приложения теории капиллярности при физико-химическом исследовании сплавов. Тбилиси, "Мецниерефа", -1971, -134с.

311. Кармоков A.M., Сергеев И.Н., Молоканов О.А., Шериев В.Х. Контактно-реактивная пайка керамики с металлами без применения серебра.// Тез. 12 Республик. Конференции по проблем, сроит, и машиностроения. Нальчик, -1985, -с.59—60.

312. Кармоков A.M., Кириллов В.М., Гришутин Г.С., Шебзухов А.А. Исследование межфазных взаимодействии на границе ультрафарфора350

313. УФ-46 с некоторыми металлическими сплавами применительно к условиям пайки.// Тез. Пайка в машиностроении. Омск, -1980, -с. 63.

314. Кармоков A.M., Сергеев И.Н., Мрлоканова О.А., Шериев В.Х. Способ соединения корунднвой керамики с титаном. Авт. свид. № 1606502 от 15.07.90. •

315. Талант М. Б., Гогичаев В. А. Об одной из причин появления паразитной проводимости между электродами в ЭВП.// Электрон, техника. Сер. Электрон СВЧ -1980, -вып.9, -с. 52-53.

316. Батыгин В.Н., Метелкин И-.И. и др. Вакуумноплотная керамика и ее спаи с металлами./ -М.: Энергия. -1973. С. 31.

317. Пантелеев В.В., Митягин А.Ю. и др.// Микроэлектроника, Москва, -1977 г. С136-143.

318. Кузьминов Ю.С., Ниобат и танталат лития /материалы для нелинейной оптики/, Наука, Москва, -1975, -170 с.

319. Шауцуков А.Г., Журтов З.М., Кармоков А,М., Шухостанов А.К. Оже-анализ концентрационных профилей имплантированных слоев кремния.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик,-1985,-с. 23.351

320. Кармоков A.M., Молоканов О.А., Панченко В.А., Альтудов Ю.К. Исследование методом ВИМС влияние ионной имплантации на степень загрячзнения кремниевых пластин.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик, -1985, -с. 47.

321. Scah P.M., Woodruff D.P. The temperature dependence of the energy of LEED intensity peaks and its effect on the surface Debye temperature.// Phys. Lett. A. 1969. -130. -№4. -p. 263-264.

322. Janssen A.P., Schoonmaker R.C. Comparative study of single cristal magnesium oxide and oxidised magnesium by Auger electron spectroscopy. 41-47.// Surf. Sci. -1975. -47. -p.41-47.

323. Tabor D., Wilson J.M., J.J. Bastow. Surface Debye-Waller factors for Cr (111) and Mo (100).// Surf. Sci. -1978-26. -p. 471-489.

324. Галаев A.A., Пархоменко Ю.Н. Исследование атомной структуры поверхности полупроводниковых кристаллов методом дифракции медленных электронов.// Поверхностные явления в полупроводниках. М.: Металлургия, -1976, -с. 92-106.

325. Шебзухов А.А., Журтов З.М., Кармоков A.M. Способ определения температурного коэффициента свободной поверхностной энергии. Авт. свид. № 1323930, 1987.

326. Ахметов А.Н.,Гаев Д.С., Барашев Н;Н., Кармоков A.M., Шухостанов *

327. А.К. Исследование кинетики межфазных взаимодействии в »fмногослойных системах металлизации.// Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов. Махачкала. -1990, -с.42.1