Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Давыдов, Валерий Юрьевич

  • Давыдов, Валерий Юрьевич
  • доктор физико-математических наукдоктор физико-математических наук
  • 2009, Санкт-Петербург
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 352
Давыдов, Валерий Юрьевич. Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики: дис. доктор физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Санкт-Петербург. 2009. 352 с.

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Давыдов, Валерий Юрьевич

Введение.

Глава 1. Спектроскопия КР гексагональных GaN и A1N.

1.1 Введение.

1.2 Особенности измерения частот оптических фононов в спектрах КР

1-го порядка гексагональных GaN и A1N.

1.2.1 Фононные моды гексагональных GaN и A1N в Г-точке зоны Бриллюэна.

1.2.2 Спектры КР 1-го порядка GaN.

1.2.3 Спектры КР 1-го порядка AIN.

1.2.4 Анизотропия эффективного заряда Борна в гексагональных

GaN и A1N.

1.3 Влияние деформаций на оптические фононы в слоях GaN.

1.4 Рассеяние света плазмон-ЬО-фононными модами в гексагональном GaN

1.4.1 Анализ формы линий плазмон-фононных мод.

1.4.2 Коэффициент Фауста-Генри.

1.4.3 Экспериментальное исследование плазмон-ЬО-фононных мод в и-GaN.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики»

2.2 Образцы, используемые в экспериментах, и процедура измерений.63

2.3 Модель динамики кристаллической решетки.64

2.4 Теоретико-групповой анализ симметрии фононов в GaN и A1N.69

2.5 Спектры КР 2-го порядка гексагональных GaN и A1N.77

2.6 Анализ полученных результатов.88

2.7 Заключение.97

Глава 3. Оптические фононы в твердых растворах AlGaN.99

3.1 Введение.99

3.2 Образцы, используемые в экспериментах, и процедура измерений.102

3.3 Исследования спектров КР 1-го порядка твердых растворов AlxGaixN во всем диапазоне составов от GaN до A1N.106

3.3.1 Фононы в вюрцитной структуре.106

3.3.2 Фононные моды симметрии A](LO) и is^LO).108

3.3.3 Фононные моды симметрии £2(high) и Е\(ТО).113

3.3.4 Фононная мода симметрии A i(TO).115

3.3.5 Фононная мода симметрии £2(low).118

3.3.6 Послесловие.120

3.4 Сравнительный анализ спектров КР 1-го и 2-го порядков AlxGa^N во всем диапазоне составов и мода i?i(high).121

3.4.1 Спектры КР 2-го порядка.121

3.4.2 Фононная мода симметрии В\(high).125

3.5 Зависимость уширения фононных линий в спектрах 1-го порядка AlxGaixN от состава твердого раствора.130

3.5.1 Теоретическое рассмотрение уширения фононных линий AlxGaixN, обусловленного флуктуациями состава.130

3.5.2 Одноузельное рассеяние фононов.132

3.5.3 Вероятность флуктуаций ниже порога протекания.134

3.5.4 Область высоких концентраций.137

3.5.5 Анализ экспериментальных данных в рамках развитой теории. 139

3.6 Заключение.143

Глава 4. Оптические фононы в сверхрешетках GaN/AIN и GaN/AlGaN.145

4.1 Введение.145

4.2 Модель и схема расчетов колебательного спектра CP GaN/AIN.146

4.3 Результаты численного моделирования.149

4.3.1 Частоты колебаний.149

4.3.2 Формы колебаний.155

4.3.3 Угловая дисперсия.156

4.4 Модель диэлектрического континуума.160

4.5 Экспериментальные результаты.164

4.5.1 Сверхрешетки GaN/AIN.165

4.5.2 Сверхрешетки GaN/AlGaN.171

4.6 Обсуждение результатов.182

4.7 Количественные оценки деформации в слоях структуры, состава твердого раствора, толщины индивидуальных слоев и периода СР GaN/AIN и СР GaN/AlGaN.185

4.7.1 Оценка деформации.185

4.7.2 Оценка состава твердого раствора.189

4.7.3 Оценка толщины индивидуальных слоев СР.189

4.7.4 Оценка периода СР.191

4.8 Заключение.195

Глава 5. Колебательная спектроскопия гексагонального InN.197

5.1 Введение.197

5.2 Правила отбора для оптических мод в спектре КР гексагонального InN. 197

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Давыдов, Валерий Юрьевич

Результаты исследования резонансного КР на продольных оптических фононах в твердых растворах 1пхСа1.хМ при возбуждении вблизи края оптического поглощения представлены нами в работе [А48].

7.3.1 Резонансное поведение сечения KP

Резонансное однофононное сечение KP, вызванное механизмом деформационного потенциала вблизи порога поглощения, может быть записано следующим образом: \%(o>i)-x(fi)f)^ > гДе ^0»)есть тензор межзонной диэлектрической восприимчивости [169].

Амплитуда рассеяния для 7LO KP, вызванного фрелиховским взаимодействием, является более резонансной и поперечное сечение пропорционально [169].

Если закон сохранения момента нарушен вследствие рассеяния электронов и дырок на флуктуациях изоэлектронных примесей, характеризующихся короткодйствующим потенциалом, ILO амплитуда подобна LO+TO амплитуде рассеяния, рассчитанной в [170], и в этом случае поперечное сечение пропорционально ^(й?,) - %{(of )|3.

Тогда поперечное сечение для трех рассмотренных случаев может быть записано как

Pß О) ~ \xpß И - Xßß - )f » С7-1 ) где ß - это поляризация падающего или рассеянного фотона и Q/0 это частота фонона. Тензор межзонной диэлектрической восприимчивости можно представить в виде:

4яе2 у \\.р |2 u с 11 х»ко)-ho)2v0 p^r^'1 L®-С(р) + <.(р) + /о + <.(р)-^.(р) + /о

7.2)

Здесь \ßca<p a - это межзонный матричный элемент электронного тока между состояниями характеризуемыми спином <т в валентной зоне v и состояниями со спином сг' в зоне проводимости с, а ^'"(р) — это энергии электронов в зоне проводимости и валентной зоне. Для вертикальных переходов оба состояния характеризуются одним и тем же моментом р и суммирование в уравнении (7.2) идет по всей зоне Бриллюэна; и0 - это объем элементарной ячейки.

Ферми функция йр><т = "^(^(р)) Для валентной зоны кристалла «-типа равна единице. Высокая концентрация электронов влияет на межзонную восприимчивость, сдвигая порог поглощения к более высоким энергиям. Заселенность зоны проводимости зависит от концентрации электронов и от температуры -<Ж(Р» = еХр[«(р)-^-£,,)/Г] + 1 (73) где Ер - это энергия Ферми, измеренная от дна зоны проводимости, а ширина запрещенной зоны Е„ и температура Г даны в энергетических единицах.

Как результат, суммирование по р в уравнении (7.2) ограничено состояниями зоны проводимости, которые остаются незаселенными, т.е для которых (1-Лр;(Т) * 0.

Рассчитанное поведение 1ЬО-поперечного сечения с использованием уравнения (7.1) для т=6 и т-3 для различных концентраций электронов представлено на рис.7.9(а). Положение максимума сечения КР, рассчитанного согласно уравнению (7.1), определяется шириной запрещенной зоны Её и сдвигается в сторону высоких энергий с увеличением энергии Ферми. Приблизительно положение максимума близко к порогу оптического поглощения и может быть оценено как Етах я Е„ + Е,, + М1Ю / 2. Следовательно, для твердых растворов 1пхОа1хЫ может быть оценено из данных КР, если известны концентрация электронов и эффективная масса.

7.3.2. Резонансный профиль интенсивности 7ЬО фононной линии 1пСаМ

Для получения резонансного профиля интенсивности 1ЬО фононной линии, проводились КР-эксперименты с использованием различных энергий возбуждения

Аг+,Кг+и Не-Сс1 лазеров. Нарис.7.9(Ь) и рис.7.9(с) представлены спектры КР, полученные для двух твердых растворов Ino.23Gao.77N и Ino.35Gao.65N, а на рис.7.9(с1) и рис.7.9(е) представлены нормированные интенсивности А\(ЬО) фонона в зависимости от энергии возбуждения. Нормировка спектров осуществлялась с w 'с si 1 го Л с ф Л с 3

XI 1 га Л с ф

1.75

2.00 2.25 Energy (eV)

2.50

1 x10

500 ' 1000 1500 2000 Raman shift (cm'1)

2.0 2.4 2.8 Energy (eV)

3.2

Raman shift (cm")

1.8 2.2 2.6 Energy (eV)

Рис. 7.9 a - поперечное сечение KP рассчитанное для т=6 (сплошные кривые) и т-Ъ (пунктирные кривые) для значений энергии Ферми 0, 50, 100, 150 и 200 мэВ (кривые 1, 2, 3, 4 и 5 соответственно). Ь,с - спектры КР твердых растворов Ino.23Gao.77N (Ь) и Ino.35Gao.65N (с), записанные в геометрии рассеяния z(yy)z при разных энергиях возбуждения. d,e - спектры поглощения, ФЛ и профиль поперечного сечения резонансного рассеяния КР твердых растворов Ino.23Gao.77N (d) и Ino.35Gao.65N (е); символы - данные КР. использованием линии КР СаРг, измеряемой при той же мощности и энергии возбуждающего излучения, что и полоса КР твердого раствора. На этих же рис.7.9(с1) и рис.7.9(е) представлены спектры ФЛ и поглощения исследуемых твердых растворов. Видно, что положение максимума интенсивности А [ (ЬО) фонона для обоих образцов хорошо совпадает с порогом поглощения, что согласуется с теоретическим предсказанием. Сравнение расчетных поперечных сечений КР с экспериментальными данными показывает, что профили поперечных сечений, рассчитанные согласно уравнению (7.1) с т между т=2 и т-3, хорошо удовлетворяют результатам эксперимента.

Как следует из теоретического рассмотрения, положение максимума сечения КР может быть оценено как £тах « Ея + ЕР + Ш/() / 2, где ЕР - это энергия Ферми, а

Лаю- это энергия ЬО фонона. Зависимость энергии Ферми для вырожденного полупроводника п-типа от концентрации и эффективной массы имеет вид Ер =3.581{т01 те)(п/п0)2П мэВ (где п0 =10|8см"3). Данные о концентрациях электронов в образцах 1пхОа].хК были получены из измерений методом Холла, а эффективные массы электронов в них были оценены путем линейной интерполяции между значениями эффективной массы электрона для ММ и СаИ (те =0.07то и те = 0.20то соответственно). В результате оценки Ег составили 1.90 эВ и 2.40 эВ для Ino.35Gao.65N и Ino.23Gao.77N соответственно. Отметим, что величина £■^=1.90 эВ хорошо совпадает с величиной ширины запрещенной зоны полученной по формуле Ес =3.49-2.84„г -Ьх{\ - х) при условии параметра прогиба Ь=2.5 эВ, в то время как £^=2.40 эВ соответствует параметру прогиба ¿=2.6 эВ.

Модельные подгоночные спектры поглощения и ФЛ на рис.7.7 были выполнены с использованием процедуры описанной в Главе 6, разделы 6.4 и 6.6, которая также дает возможность оценить ширину запрещенной зоны Е8 и энергию Ферми Ер зоны проводимости. Полученное значение Е8 хорошо согласуется с ее оценкой, полученной из резонансного КР.

Таким образом изложенное выше показывает, что эксперименты по резонансному КР могут быть полезны при изучении межзонных переходов в твердых растворах ТпхОа^хЫ. Другое заключение, касающееся резонансного поведения сечения КР связано с приближением эффективной массы для зоны проводимости. Резонансное увеличение сечения КР в уравнении (7.1) возникает

288 вследствие Ваи-Хофовской особенности на границе зоны. На это поведение сильно влияет непараболичность зоны проводимости, поскольку она ведет к подавлению резонансного усиления сечения КР. В исследованной области составов и величин ширин запрещенной зоны не обнаружено никаких указаний на отклонения от параболичности для зоны проводимости, как это следует из изложенных выше результатов.

7.4. Оптические фононы в гексагональном lnxGaixN

Теоретически динамика кристаллической решетки гексагонального InxGaixN была рассмотрена в работе [74]. Расчеты, основанные на использовании модели случайных элементарных изосмещений показали, что для твердого раствора должны сохраняться правила отбора, характерные для составляющих его бинарных соединений, и все КР-активные моды должны иметь одномодовый характер поведения. При изменении состава твердого раствора этот тип поведения характеризуется непрерывным и приблизительно линейным изменением частот оптических мод между их значениями в GaN и InN.

Экспериментально динамика кристаллической решетки гексагональных твердых растворов InxGaixN была изучена несколькими исследовательскими группами методом КР спектроскопии [А28, 171-177]. Большинство исследователей концентрировались на изучении двух из шести оптических фононов, разрешенных к наблюдению в спектрах КР, а именно: фононов с симметрией £2(high) h^i(LO). В результате были получены данные о поведении этих фононов для диапазонов концентраций д:=0—0.11 [171] и л: = 0-0.07 [172]. Согласно результатам этих работ, оба типа фононов, наблюдаемых в спектрах КР InxGaixN, имеют одномодовый характер поведения в диапазоне исследованных составов, что согласуется с теоретическими предсказаниями [74]. В то же время в работе [173] на основании обнаруженного отклонения от линейной зависимости был предложен двухмодовый тип поведения для фонона симметрии ü^high). Данные о поведении ^i(TO) и Л](ТО) фононных мод в диапазоне концентраций 0.10<х<0.2б были получены в работе [176]. Эпитаксиальные слои InxGaixN с высоким и промежуточным содержанием In (0.4<х< 1) были исследованы в нашей работе [А28]. Как правило, во всех упомянутых выше исследованиях использовались образцы InxGaixN, состав которых изменялся в очень ограниченном диапазоне. Единственным исключением является работа [177], где исследовались оптические фононы симметрии и

ЬО) во всей области концентраций, однако шаг изменения состава был очень грубым и составлял —10-15%.

Для того чтобы получить более полную информацию о поведении фононных мод как функций состава 1пхОа1.х1М, мы провели исследования спектров КР на большом наборе образцов с шагом изменения состава не превышающим 3-5% во всем диапазоне от ваИ до 1п]Ч.

Гексагональные эпитаксиальные слои 1пхСа1хЫ выращивались на сапфировых подложка с ориентацией (0001). Твердые растворы в диапазоне составов 0.05<х<0.30 были выращены методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, а слои с составами

0.35<х<0.95 были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии в

Корнельском университете, США [129]. Толщина слов было ~ 0.5 мкм для образцов, выращенных методом МОСУБ, и изменялась от 0.2 до 0.5 мкм в образцах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Все твердые растворы были исходно нелегированными и, согласно данным полученным

1 б методом Холла, имели концентрацию свободных электронов в диапазоне от 1-10 до 5-1019 см"3. Для диагностики кристаллического совершенства и состава образцов 1пхОа].хК были использованы методы рентгеновской дифракции, обратного резерфордовского рассеяния и КР. Для выяснения зависимости поведения оптических фононных мод от состава отбирались образцы, обладавшие лучшими структурными характеристиками (см. рис.7.3). Данные о составе были получены с помощью обратного резерфордовского рассеяния дейтронов (рис.7.4).

Процесс КР в 1пхОа1.хМ может быть описан различными механизмами рассеяния в зависимости от соотношения между энергией возбуждения и шириной запрещенной зоны этого твердого раствора, изменяющейся от 3.4 до 0.7 эВ. Измерения спектров КР были проведены при комнатной температуре в геометрии рассеяния "назад" с использованием Не-Сс1 лазера (3.81 и 2.81 эВ), Аг+ лазера (2.41, 2.54 и 2.71 эВ), 2-й гармоники Ш:УАС лазера (2.33 эВ), Не-Ые лазера (1.96 эВ) и Кг+ лазера (1.92 и 1.83 эВ) в качестве источников возбуждения. Использование широкого набора энергий возбуждения (3.81-1.83 эВ) позволило проследить смену механизмов рассеяния при подзонном и внутризонном возбуждениях спектров КР целого ряда составов.

Использование геометрии рассеяния от плоскости слоя 1пхОа1хК и его торцевой части позволило получить детальную информацию о поведении четырех из шести фононных мод, разрешенных к наблюдению в КР спектрах. В качестве примера, на рис.7.10(а-<1) представлены спектры КР, полученные в геометриях рассеяния, соответствующих фононным модам симметрии /^(ТО), £](ТО), ^О^ёЮ и ^(Ш), для ТпчСа].хК в диапазоне составов 0.01<т<0.16. Спектры нормированы на максимумы соответствующих линий КР. В качестве возбуждающего излучения использовалась линия аргонового лазера Л =5.14 нм (2.41 эВ). Хорошее согласие поляризованных спектров КР с правилами отбора для вюрцитной структуры указывает на высокое кристаллическое качество твердых растворов.

На рис.7.11 представлены спектры КР для фононных мод симметрии ^(ЫёЬ) и А! (ТО), полученные во всем диапазоне составов 1пхОа]хМ. Спектры были получены с использованием различных энергий возбуждения в диапазоне энергий 1.82-3.81 эВ, выбранных для каждого состава таким образом, чтобы возбуждающее излучение значительно превышало порог поглощения исследуемого образца. Такие условия эксперимента, вне зависимости от состава твердого раствора, позволяют рассчитывать на идентичность механизмов рассеяния ответственных за процессе КР.

Как видно из рисунка, в спектрах наблюдается только одна мода симметрии Л](ЬО), что подтверждает теоретическое предсказание одномодового характера поведения этого фонона. Видно также, что Л](ЬО) фононная мода является достаточно узкой для образцов с низкой концентрацией 1п или ва, однако эта мода испытывает существенное уширение для образцов с промежуточным составом. Уширение ^(ЬО) линии указывает на присутствие существенного беспорядка в кристаллической решетке и наличие флуктуаций состава в твердом растворе. Однако для всех составов не наблюдается никакого добавочного высокочастотного плеча в линии ^(ЬО) моды, которое обычно связывают со спинодальным фазовым распадом твердого раствора. Контур линии ^(ЬО) моды описывается монотонной асимметричной кривой с затянутым низкочастотным крылом и резким высокоэнергетическим краем. Таким образом, данные КР указывают на отсутствие

Рис. 7.10 (а-ё) - поляризованные спектры КР твердых растворов 1пхОа1.>ЛЧ с малым содержанием 1п (0<х<0.2); е - зависимости частот оптических фононов симметрии А\(ЬО), £2(1^11) и ^(ТО) в слоях 1пхОа1хЫ от содержания 1п: сплошные линии -расчет в рамках ШУИ модели [74]; открытые символы - экспериментальные частоты фононов; темные символы - их значения с учетом величин деформаций, оцененных из данных рентгеноструктурных измерений. Пунктирные линии -аппроксимационные зависимости экспериментальных данных: со(у41(ЬО))=733-150-х, ю(£2№Ь)) =567.8-165.6-л:+189.1а2 и ©(^(ТО)) =531.8-131.7ос+50.7-х2.

Raman shift (cm1) Raman shift (cm'1)

Рис. 7.11 Поляризованные спектры КР твердых растворов 1пхСа].хК в широком диапазоне составов (0<л:<1). Спектры нормированы на интенсивность фононов симметрии ¿¡^(Ы^) (левая панель) и А (правая панель). фазовой сепарации в исследованных твердых растворах, что согласуется с данными рентгеновских измерений. Фононная линия .Е^^Ь) в спектрах, представленных на рис.7.11, достаточно узкая для образцов с низкой концентрацией 1п или ва, однако эта мода испытывает очень сильное уширение для образцов с промежуточным составом.

Все исследованные твердые растворы были выращены таким образом, что гексагональная ось слоя 1пхСа1хМ располагалась перпендикулярно плоскости подложки. Согласно правилам отбора (см. глава 5, табл. 5.1 ), фононы симметрии

А ¡(ТО) могут быть получены в спектрах КР в геометрии рассеяния с использованием торцевой части слоя твердого раствора. Однако для 1побогащенных 1пхОа].хМ такие измерения представляют значительные трудности в силу небольшой толщины слоев (0.2-Ю.5 мкм) и сильного поглощения в области используемых энергий возбуждения. Чтобы преодолеть эти трудности, были изучены твердые растворы 1пхСа1х1Ч (0.4<л<1) с высокой концентрацией

10 1 электронов («=7^-9x10 ст" ) с использованием геометрии рассеяния 'назад' от плоскости слоя. При такой высокой концентрации электронов положение нижней связанной фонон-плазмонной моды (17 моды), регистрируемой в спектре КР, должно быть близко к положению^](ТО) фононной моды. Следовательно, частоты фононных мод симметрии (ТО) в 1п-обогащенных образцах (0.4<х<1) могут быть приблизительно оценены из положения нижней связанной фонон-плазмонной моды (17 моды). Эти спектры показаны на рис.7.12.

Деформации, возникающие в слоях 1пхСа].хМ вследствие их неполной релаксации и разницы в термических коэффициентах слоя и подложки, могут приводить к существенным ошибкам при оценке зависимости частот фононов 1пхСа1хК состава Поэтому измеренные частоты фононов корректировались с учетом величин деформаций, которые были получены из данных рентгеновских измерений.

В случае двухосных деформаций линии в спектрах КР сдвигаются на величину Да>=я(0ец+&(1,£ь где ат и Ьы - деформационные потенциалы соответствующих фононных мод, а 5ц и е± - деформация в плоскости слоя и вдоль гексагональной оси соответственно. Параметры аа и Ь(1) для 1пхОа1.хК были рассчитаны на основе известных параметров для 1пЫ и ОаЫ: аю(х) = хасо(1п№)+(1— x)aa(GaN) и bjx) = xbJJnN)+{\-x)bJ(GaN). Деформационные потенциалы для ^li(TO), ^i(TO), £2(high) и ^i(LO) фононных мод GaN были заимствованы из [А1, 33]. Деформационные потенциалы для .Ei(TO), ^(high) и ^ii(LO) фононных мод InN были заимствованы из [178, 179]. Поскольку в литературе отсутствуют данные о деформационном потенциале yii(TO) фононной моды в InN, для оценки сдвига фононных частот под влиянием деформации для Ga-обогащенных InxGaixN твердых растворов (0<.r<0.2) мы использовали значение деформационного потенциала Л] (ТО) моды в GaN. Мы не делали поправок в частотах Л] (ТО) фононной моды для In-обогащенных твердых растворов InxGai„xN (0.6<х<1) поскольку эти частоты были получены из положений L~ моды, измеряемой в образцах с высокой концентрацией электронов, а следовательно, могут рассматриваться только как оценочные.

На рис.7.10е представлены рассчитанные в [74] зависимости частот центрозонных фононов гексагонального InxGaixN от состава твердого раствора в диапазоне концентраций (0<х<0.2). На этом же рисунке показаны полученные в наших исследованиях экспериментальные результаты с учетом поправок на наличие деформаций в слоях. Видно, что только частоты фонона ^i(LO) следуют теоретическим предсказаниям, в то время как наблюдаемые зависимости для частот фононов ^i(TO) и £'1(ТО) сильно отличаются от предсказанных теоретически. Для диапазона концентраций (0<г<0.2) получены аналитические зависимости частот фононов симметрии Aj(LO), E2(high) и А ¡(ТО) от состава InxGaixN, которые могут быть использованы для диагностики этих соединений: со (А 1 (LO))=733-150'л:, co(£2(high)) =567.8-165.6-*+189.1-дг2 и со(А{( ТО)) =531.8-131.7-х+50.7-л:2.

На рис.7.13а представлены зависимости частот исследованных фононов для всего композиционного ряда InxGaixN (0<х<1). Видно, что измеряемые частоты фонона /li(LO) хорошо совпадают с теоретически предсказанной линейной зависимостью только для Ga- обогащенных (0<х<0.2) и In-обогащенных (0.7<х<1) твердых растворов. Наличие участков в композиционном поведении фонона y4i(LO) хорошо совпадающих с теоретически предсказанной линейной зависимостью, является благоприятным фактором для создания количественного метода оценки состава InvGaivN по данным спектроскопии КР. Зависимость частоты /i,(LO)

LO) ■x—1-х

In Ga. N

X 1-х

488nm x=0.68 x=0.83 x=0.96

400

500

600

700

-1

800

Raman shift (cm")

Рис. 7.12 Спектры KP твердых растворов InxGa!xN с высокой концентрацией электронов п=5-7х10

19

СМ

-3

720

680 о

640

3

600

Е о

560 '

520

480

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 X о

540

500

460

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 X

520

480

440

Рис. 7.13 Зависимости частот оптических фононов симметрии А\(ЪО) (а), Е\(ТО) (Ь), (с) и у4[(ТО) (ф в слоях 1пхОа|.хК от содержания 1п (0<х<1): сплошные линии - рассчитанные в рамках КМ1 модели [74]; темные символы -экспериментальные данные. Открытыми символами показаны частоты фононных мод симметрии ^(ТО), оцененные из положения 17 моды; пунктирные линии -аппроксимационные зависимости экспериментальных данных. фонона 1плСа1гК от содержания 1п в диапазонах 0<т<0.2 и 0.7<х<1 может быть представлена следующим выражением: со (А\(ЬО))=1ЪЪ—150л:. Аналогичное выражение для зависимости ^(ЬО) фоионной моды в диапазоне составов 0<х<0.3 было получено для ненапряженных твердых растворов 1пхСа1-ЛК в работе [175].

В то же время А\(ЬО) фононные частоты для промежуточных составов (0.3<х<0.6) находятся выше линейной аппроксимации. Одной из возможных причин такого поведения может быть нарушение правил отбора, вызванное значительным количеством структурных дефектов в 1пЛОа1тЫ с составами, попадающими в этот диапазон. В результате так называемые квази-ЬО фононы могут наблюдаться в спектре КР вследствие угловой дисперсии полярных фононов. Энергии таких фононов зависят от направления распространения фонона по отношению к оптической оси кристалла, и их значения находятся между энергиями А\(ЪО) и £[(ЬО) фононов. Поскольку частоты ^(ЪО) фононов для всего композиционного ряда ^Оаь^Ы выше, чем частоты ^(ЬО) фононов, можно ожидать, что именно квази-ЬО фононы ответственны за наблюдаемое отклонение вверх по энергиям от предсказанного теоретически поведения дляЛ](ЬО) фононов.

Зависимость частот фонона симметрии от состава, полученная экспериментально, сильно отличается от теоретической и демонстрирует явную нелинейность (рис.7.13с). В то же время в спектрах не наблюдается явных признаков двухмодового характера поведения этого фонона, что могло бы объяснить столь сильное отклонение от линейной зависимости. Как уже указывалось выше, значительное отклонение от зависимостей предсказанных теоретически наблюдалось также для мод ^(ТО) и £[(ТО) в диапазоне концентраций 0.01<х<0.16. Поведение V моды, измеряемой для образцов 1пхОа1х]ЧГ с составами в диапазоне 0.4<л*<1, также отличается от линейного.

Таким образом, значительная нелинейность, выявленная в поведении ^(ТО) и ^(ТО) фононных мод как функций состава 1пхСа1хМ, указывает на то, что динамика кристаллической решетки этих твердых растворов должна быть исследована более тщательно как экспериментально, так и теоретически.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе выполнения диссертационной работы были получены следующие основные результаты.

1. С использованием экспериментальных данных об энергиях оптических фононов в центре зоны Бриллюэна и высокосимметричных точках на ее границе для гексагональных A1N и GaN, в рамках феноменологической модели, впервые рассчитаны дисперсионные кривые для акустических и оптических фононов вдоль высокосимметричных направлений зоны Бриллюэна, а также функции плотности фононных состояний этих соединений. Анализ данных свидетельствует о наличии существенных различий в динамике кристаллической решетки этих материалов как в области акустических, так и в области оптических колебаний.

2. Впервые получены значения констант деформационного потенциала, описывающего поведение фононных мод при наличии деформации в слое, для четырех из шести оптических фононов, активных в спектре КР гексагонального GaN. Предложен метод количественной оценки величины деформации в слоях GaN по данным КР.

3. Установлены основные механизмы, отвечающие за эффективность рассеяния света на плазмон-фононных модах в гексагональном «-GaN. Экспериментально определены значения коэффициента Фауста-Генри, используемого при расчете формы фонон-плазмонных линий, для мод симметрии Ai и Ei. Разработана и опробована количественная методика определения концентрации и подвижности свободных носителей в гексагональном «-GaN в диапазоне концентраций от 1х1017 до 5х1019 см"3 по данным КР.

4. Впервые экспериментально установлены зависимости частот всех оптических фононов твердых растворов AlxGaixN как функций состава во всем диапазоне концентраций. Теоретически и экспериментально изучено влияние флуктуации состава на колебательный спектр этих твердых растворов. Предложен метод количественной оценки состава и однородности AlxGaixN , основанный на совокупности полученных экспериментальных и теоретических данных.

5. Выполнены экспериментальные и теоретические исследования динамики кристаллической решетки гексагональных сверхрешеточных структур GaN/AIN и GaN/AlGaN. Впервые установлен эффект сосуществования локализованных и делокализованных мод в их колебательном спектре и предложено объяснение их природы. Создана количественная методика диагностики, позволяющая оценивать величину и знак деформации в слоях многослойной структуры, процентное содержание А1 в слое твердого раствора и соотношение между толщинами индивидуальных слоев в СР по данным спектроскопии КР.

6. Выполнены детальные исследования фононного спектра гексагонального 1пК методами КР- и ИК-спектроскопии. Впервые зарегистрированы все шесть КР-аьсгивных оптических фононов ЬтК и определены их частоты. Выполнены модельные расчеты динамики кристаллической решетки 1пЫ. Впервые рассчитаны дисперсионные кривые акустических и оптических фононов для высокосимметричных направлений ЗБ и функция плотности состояний фононов гексагонального 1п1Ч. Впервые рассчитана температурная зависимость решеточной теплоемкости 1пЫ и сделана оценка температуры Дебая, величина которой при О К составляет 370 К. Предсказаны возможные каналы распада ЬО фононов.

7. Впервые выполнены систематические экспериментальные и теоретические исследования динамики кристаллической решетки слоев 1п1Ч, легированных акцепторными примесями. Оценка энергетических значений локальных колебательных мод, полученная в рамках кластерного приближения, совместно с результатами теоретико-группового анализа, позволила установить микроскопическую природу новых фононных мод, наблюдаемых в спектрах КР таких образцов. Показано, что КР спектроскопия является перспективным методом количественной диагностики слоев 1иМ, легированных М§. и может быть полезной в поиске путей решения проблемы получения ГпИ с дырочным типом проводимости.

8. Установлено, что спектральное положение края собственного поглощения в условиях вырождения сильно зависит от концентрации электронов и для интерпретации результатов эксперимента необходимо учесть эффект Бурштейна-Мосса.

9. Впервые обнаружена ФЛ в ближней ИК области спектра гексагонального 1пМ. Анализ зависимости спектров ФЛ от концентрации электронов, температуры и интенсивности возбуждения позволил установить ее межзонный характер и выявить черты, характерные для ФЛ кристаллов с вырожденными электронами.

10. Совместный анализ спектров ФЛ и спектров поглощения я-1пМ с

17 1 й 1 концентрацией электронов в диапазоне от 3x10 до 6><10 см" позволил оценить важнейшие фундаментальные физические параметры 1пЫ. Установлено, что ширина запрещенной зоны ЫМ в пределе малых концентраций электронов и низких температур составляет 0.67±0.01 эВ. Ранее считалось, что ее величина лежит в интервале 1.86-2.0 эВ. Показано, что экспериментальные спектры поглощения и ФЛ хорошо согласуются с результатами модельных теоретических расчетов в предположении непараболической зоны проводимости, где эффективная масса в Г-точке /я*=0.07то

11. Комплексные исследования образцов 1пхСа1хК методами оптического поглощения, ФЛ и резонансного КР позволили получить новые данные о зависимости ширины их запрещенной зоны от состава. Установлено, что эта фундаментальная характеристика хорошо описывается выражением =3.49-2.84х-Ьх(1-х) с большим параметром прогиба 6=2.5±0.1 эВ во всем диапазоне составов. Данные, полученные при исследовании 1п-обогащенных образцов 1пхОах.хМ (0.40<л:<1), подтверждают оценку величины запрещенной зоны Её~0.7 эВ в ШЧ.

12. Выполнены систематические исследования поведения оптических фононов в твердых растворах 1пхОа1хК во всем диапазоне составов методом спектроскопии КР. Для диапазона концентраций (0<\'<0.2) получены аналитические зависимости частот фононов симметрии ^(ЬО), и ((ТО) от состава 1пхОа1хМ, которые могут быть использованы для диагностики этих соединений. Впервые выявлена большая нелинейность в композиционном поведении фононов симметрии Л,(ТО), ^(ТО) и что указывает на необходимость новых теоретических и экспериментальных исследований динамики кристаллической решетки.

13. Показано, что исследование резонансного КР 1-го порядка, индуцированного примесями, позволяет получать данные о дисперсии полярных оптических и акустических ветвей колебательного спектра гексагонального МуГ в широкой области волновых векторов. Установлено, что величины волновых векторов возбуждаемых фононов однозначно связаны с энергией возбуждающего фотона. Проведены измерения частот ЬО фононов Ы^ при изменении энергии возбуждающего света в диапазоне от 2.81 до 1.17 эВ и ЬА фононов в диапазоне от

2.81 до 1.83 эВ. Полученные дисперсионные зависимости позволили найти новые значения частот А¡(1^0) и О) ветвей в Г-точке ЗБ, которые оказались равными 592±1 см"1 и 604±1 см"1 соответственно, что почти на 10 см"1 отличается от имеющихся в литературе данных для этих фононов. Была получена оценка скорости звука в плоскости перпендикулярной гексагональной оси, которая составила составила величину (5.20 - 5.40)х 105 см/сек.

Совокупность решенных в работе проблем может быть сформулирована как решение важной научной и практической задачи — определение фундаментальных физических свойств полупроводниковых соединений, перспективных для использования в электронных и оптоэлектронных приборах нового поколения. *

В заключение я хочу выразить свою искреннюю благодарность Альберту Аркадьевичу Клочихину, Никите Сергеевичу Аверкиеву, Михаилу Борисовичу Смирнову и Юрию Эруандовичу Китаеву за многолетнее плодотворное сотрудничество и теоретические исследования, которые в значительной степени определили современный уровень понимания экспериментальных результатов, рассмотренных в диссертации.

Я благодарен Игорю Николаевичу Гончаруку за большое количество проведенных измерений спектров КР. Особую признательность хочу выразить Александру Николаевичу Смирнову, который не только принимал непосредственное участие в большинстве выполненных исследований, но и оказал неоценимую помощь в оформлении диссертационной работы.

Хочу искренне поблагодарить Сергея Александровича Пермогорова за многочисленные полезные обсуждения полученных результатов, а также всех моих соавторов, принимавших участие в выполнении работы на разных ее этапах.

Я очень благодарен Александру Александровичу Каплянскому, заведующему лабораторией спектроскопии твердого тела ФТИ им. А.Ф. Иоффе, где была выполнена эта работа, и всем сотрудникам лаборатории за дружескую помощь, внимание и поддержку.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Давыдов, Валерий Юрьевич, 2009 год

1. Arguello С.А., Rousseau D.L., and Porto S.P.S. First-Order Raman Effect in Wurtzite-Type Crystals // Phys. Rev. -1969. -v.181. -pp.1351-1363.

2. Leszczynski M., Suski Т., Teisseyre H., Perlin P., Grzegory Т., Jun J., Porowski S., Moustakas T.D. Thermal expansion of gallium nitride // J. Appl. Phys. -1994. -v.76. -pp.4909-4911.

3. Loudon R. The Raman Effect in Crystals // Advan. Phys. -1964. -v. 13. -pp.423-482.

4. Filippidis L., Siegle H., Hoffmann A., Thomsen C., Karch K., Bechstedt F. Raman Freqencies and Angular Dispersion of Polar Modes in Aluminum Nitride and Gallium Nitride // Phys. Stat. Sol. B. -1996. -v.198. -pp.621-627

5. Azuhata Т., Ono M., Torii K., Sota Т., Chichibu S.F., Nakamura S. Forward Raman scattering by quasilongitudinal optical phonons in GaN // J. Appl. Phys. -2000. -v.88. -pp.5202-5205.

6. Azuhata Т., Sota Т., Suzuki K., Nakamura S. Polarized Raman spectra in GaN // J. Phys.: Condens.Matter. -1995. -v.7. -pp.L129-L131.

7. Link A., Bitzer K., Limmer W., Sauer R., Kirchner C., Schwegler V., Kamp M., Ebling D.G., Benz K.W. Temperature dependence of the E2 and^i(LO) phonons in GaN and A1N // J. Appl. Phys. -1999. -v.86. -pp.6256-6260.

8. Li W.S., Shen Z.X., Feng Z.C., Chua S.J. Temperature dependence of Raman scattering in hexagonal gallium nitride films // J. Appl. Phys. -2000. -v.87. -pp.3332

9. Lyddane R.H., Sachs R.G., Teller E. On the polar vibration of alkali halides // Phys. Rev. -1941. -v.59. -pp.673-676.

10. Barker A.S., Ilegems M. Infrared Lattice Vibration and Free -Electron Dispersion in GaN // Phys. Rev. B. -1973. -v.7. -p.743-750.3337.

11. Goldberg Yu. in Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe . Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, -pp.31-47.

12. Bergman L., Dutta M., Balkas C., Davis R., Christman J., Alexson D., Nemanich R. Raman analysis of the E\ and A\ quasi -longitudinal optical and quasi -transverse optical modes in wurtzite AIN // J. Appl. Phys. -1999. -v.85. -pp.3535-3539.

13. McNail L.E., Grimsditch M., French R.H. Vibrational Spectroscopy of Aluminum

14. Nitride // J. Am. Ceram. Soc. -1993. -v.76. -pp.1132-1136.

15. Hayes J., Kuball M., Shi Y., Edgar H. Temperature dependence of the phonons of bulk A1N // Jpn. J. Appl. Phys. -2000. -v.39 Part 2. -pp.L710-L712.

16. Chin V., Tansley T.L., Osotchan T. Electron mobilities in gallium, indium, and aluminum nitrides // J. Appl. Phys. -1994. -v.75. -pp.7365-7372.

17. Collins A.T., Lightowlers E.C., Dean P.J. Lattice vibration spectra of aluminum nitride // Phys. Rev. 1967. -v.158. -pp.833-838.

18. Akaski L., Hashimoto M. Infrared lattice vibration of vapour grown A1N // Solid State Commun. 1967. -v.5. -pp.851-853.

19. Born M., Huang K. Dynamical Theory of Crystal Lattices. —Claredon, Oxford, 1988.

20. Karch K., Bechstedt F. Ab initio lattice dynamics of BN and A1N: Covalent versus ionic forces // Phys. Rev. B. 1997. -v.56. -pp.7404-7415.

21. Karch K., Wagner J. -M., Bechstedt F. Ab initio study of structural, dielectric, and dynamical properties of GaN // Phys. Rev. B. -1998. -v.51. -pp.7043-7049.

22. Van Camp P.E., Van Doren V.E., Devreese J.T. High pressure structural phase transformation in gallium nitride // Solid State Commun. -1992. -v.81. -pp.23-26.

23. Kisielowski C., Kruger J., Ruvimov S., Suski T., Ager III J.W., Jones E., Liliental -Weber Z., Rubin M., Weber E.R., Bremser M.D., Davis R.F. Strain -related phenomena in GaN thin films // Phys. Rev. B. -1996. -v.54. -pp. 17745-17753.

24. Polian A., Grimsditch M., Grzegory I. Elastic constants of gallium nitride // J. Appl. Phys. -1996. -v.79. -pp.3343—3344.

25. Perlin P., Carillon C.J., Itie J.P., Miguel A.S., Grzegory I., Polian A. Raman scattering and x -ray -absorption spectroscopy in gallium nitride under high pressure // Phys. Rev. B. -1992. -v.45. -pp.83-89.

26. Demangeot F., Frandon J., Renucci M.A., Briot O., Gil B., Aulombard R.L. Raman determination of phonon deformation potentials in GaN // Solid State Commun. -1996. -v. 100.-pp. 207-210.

27. Romano L.T., Van de Walle C.G., Ager III J.M., Gotz W., Kern R.S. Effect of Sidoping on strain, cracking, and microstructure in GaN thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. -2000. -v.87. -pp.7745-7752.

28. Kozawa Т., Kachi Т., Капо H., Nagase H., Koide N., Manabe K. Thermal stress in GaN epitaxial layers grown on sapphire substrates // J. Appl. Phys. -1995. -v.77. -pp.4389-4392.

29. Lee I., Chio I., Lee C., Shin E., Kim D., Noh S.K., Son S., Lim K.Y., Lee H.J. Stress relaxation in Si -doped GaN studied by Raman spectroscopy // J. Appl. Phys. -1998. -v.83. -pp.5787-5791.

30. Savastenko V.A., Sheleg A.U. Study of the elastic properties of gallium nitride // Phys.Stat.Solidi A. -1978. -v.48. -pp.K135-K139.

31. Wright A.F. Elastic properties of zinc -blende and wurtzite A1N, GaN, and InN // J. Appl. Phys. 1997. - v.82(6). — pp.2833-2839.

32. Wagner J.-M., Bechstedt F. Phonon deformation potentials of a -GaN and -A1N: An ab initio calculation // Appl. Phys. Lett. 2000. - v.77(3). - pp.346-348.

33. Demangeot F., Frandon J., Baules P., Natali F., Semond F., Massies J. Phonon deformation potentials in hexagonal GaN // Phys. Rev. B. -2004. -v.69.-Art.l55215:l-5.

34. Клейн M. Электронное KP // Рассеяние света в твердых телах, вып.1, под редакцией М.Кардоны Москва, Мир, 1979. - с.12.

35. Klein M.V., Ganguly B.N., Colwell P.J. Theoretical and experimental study of Raman scattering from coupled LO -Phonon -Plasmon modes in silicon carbid // Phys. Rev. B. -1972. -v.6. -pp.2380-2388.

36. Hon D.T. and Faust W.L. Dielectric Parameterization of Raman Lineshapes for GaP with a Plasma of Charge Carriers // Appl. Phys. -1973. -v.l. -p.241-256.

37. Inner G., Toporov Y.V., Bairamov B.H., Monecke J. Determination of the charge carrier concentration and mobility in n-GaP by Raman spectroscopy // Phys. Status Solidi В. -1983. -v. 119. -pp.595-603.

38. Kozawa Т., Kachi Т., Капо H., Taga Y., Hachimoto M., Koide N., Manabe K. Raman scattering from LO phonon -plasmon coupled modes in gallium nitride // J. Appl. Phys. -1993. -v.75(2). -pp. 1098-1101.

39. Perlin P., Camassel J., ЬСпар W., Taliercio Т., Chervin J.C., Suski Т., Grzegory I., Porowski S. Investigation of longitudinal -optical phonon -plasmon coupled modes in highly conducting bulk GaN // Appl. Phys. Lett. -1995. -v.67(17). -pp.2524-2526.

40. Harima H., Sakashita H., Inoue Т., Nakashima S. Electronic properties in doped GaN studied by Raman scattering // J. Cryst. Growth. -1997. -v. 189/190. -pp.672-676.

41. Ponce F.A., Steeds J.W., Dyer C.D., Pitt G.D. Direct imaging of impurity -induced Raman scattering in GaN // Appl. Phys. Lett. -1996. -v.69(18). -pp.2650-2652.

42. Wieser N., Klose M., Dassow R., Scholz F., Off J. Raman studies of longitudinal optical phonon -plasmon coupling in GaN layers // J.Cryst.Growth. -1997. -v. 189/190. -pp.661-665.

43. Kirillov D., Leel H., Harris.Jr. J.S. Raman scattering study of GaN films // J. Appl. Phys. -1996. -v.80. pp.4058—4061.

44. Klose M., Dassow R., Gross M., Schroder H. Raman investigations of GaN films grown by pulsed laser deposition // J. Cryst. Growth. 1997. - v. 189/190. - pp.666-671.

45. Kasic A., Schubert M., Einfeldt S., Hommel D., Tiwald Т.Е. Free-carrier and phonon properties of n- and p-type hexagonal GaN films measured by infrared ellipsometiy // Phys. Rev. B 2000 - v.62.- pp.7365-7377.

46. Azuhata Т., Matsunaga Т., Shimada K., Yoshida K., Sota Т., Suzuki K., Nakamura S. Optical phonons in GaN // Physica В.- 1996.- v.219-220,- p.493-495.

47. Siegle H., Kaczmarczyk G., Filippidis L., Litvinchuk A.P., Hoffmann A., Thomsen C. Zone-boundary phonons in hexagonal and cubic GaN // Phys. Rev. В.- 1997 v.55-pp.7000-7004.

48. Nipko J.C., Loong C.-K. Phonon excitations and related thermal properties of aluminum nitride // Phys. Rev. В.- 1998,- v.57(17).- pp. 10550-10554.

49. Nipko J.C., Loong C.-K., Balkas C.M., and Davis R.F. Phonon density of states of bulk gallium nitride // Appl. Phys. Lett 1998.- v.73(l).- pp.34-36.

50. Van Hove L. The occureence of singularities in the elastic frequency distribution of a crystal // Phys. Rev.- 1953v.89.- pp. 1189-1193.

51. Cardona M. // Light Scattering in Solids II, под ред. Cardona M. and Guntherodt G., Topic in Applied Physics Springer, Berlin, 1982,- Vol.50.- p.l 17.

52. Murugkar S., Merlin R., Botchkarev A., Salvador A., Markoc H., Second order Raman spectroscopy of the wurtzite form of GaN // J. Appl. Phys- 1995 v.77(ll)-pp.6042-6043.

53. Smirnov M.B., Kazimirov V.Yu. LADY: software for lattice dynamics simulations // JINR communications E. -2001. -v. 14. pp.-159.

54. Karch K., Bechstedt F., Pavone P., Strauch D. Lattice dynamics of BN and A1N // Physica В.- 1996.- v.219-220.- pp.445^47.

55. Tsubouchi K., Sugai K., Mikoshiba N. A1N Material Constants Evaluation and SAW Properties on A1N/A1203 and AIN/Si // 1981 Ultrasonics Symposia Proceedings, edited by B. R. McAvoy. -IEEE, New York, 1981. -p. 375-380.

56. Evarestov R.A., Smirnov V.P. // Site Symmetry in Crystals: Theory and Applications, под ред. M.Cardona- Springer Series in Solid State Sciences, Springer, Heidelberg,. 1993.-v. 108.

57. Miller S.C., Love W.F. // Tables of Irreducible Representations of Space Groups and Co-representations of Magnetic Space Groups Pruett, Boulder, 1967.

58. Kovalev O.V. // Representations of the Crystallographic Space Groups., 2nd ed-edited by H.T. Stokes and D.M. Hatch.-Gordon and Breach, New York, 1993.

59. Кудрявцева H.B. Точка нулевого наклона в кристаллах // ФТТ. —1968. —т.10. — С.1616-1621.

60. Karch К., Bechstedt F., Pletl Т. Lattice dynamics GaN: Effects of 3d electrons // Phys. Rev. В.- 1997 v.56(7).-pp.3560-3563.

61. Bungaro C., Rapcewicz K., Bernholc J. Ab initio phonon dispersions of wurtzite A1N, GaN, and InN // Phys. Rev. B. -2000.- v.61.- pp.6720-6725.

62. Tiituncii H.M., Srivastava G.P., and Duman S. Lattice dynamics of the zinc-blende and wurtzite phases of nitrides // Physica В -Condensed Matter. -2002. -v.316. —p.190-194.

63. III-V Nitride Semiconductors: Applications and Devices in Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices Series, Edited by E.T. Yu and M.O. Manasreh, CRC Press, 2002. -v.16.

64. Nakamura S., Mukai Т., Senoh M. Candela -class high -brightness InGaN/AlGaN double -heterostructure blue -light -emitting diodes // Appl. Phys. Lett. -1994. -v.64. -pp. 1687-1689.

65. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada Т., Matsushita Т., Kiyoku H., Sugimoto Y. InGaN -Based Multi -Quantum -Well -Structure Laser Diodes // Jpn. J. Appl. Phys. -1996. -v.35. -pp. L74-L76.

66. Velicky В., Kirkpatrick S., Ehrenreich H. Single -Site Approximations in the Electronic Theory of Simple Binary Alloys // Phys. Rev. -1968. -v. 175. -pp.747-766.

67. Elliott R.J., Krumhansl J.A., Leath P.L. The theory and properties of randomly disordered crystals and related physical systems // Rev. Mod. Phys. -1974. -v.46. -pp.465-543.

68. Chang I.F., Mitra S.S. Application of a Modified Random-Element-Isodisplacement Model to Long-Wavelength Optic Phonons of Mixed Crystals // Phys. Rev. -1968. -172.-pp.924-933.

69. Chang I.F., Mitra S.S. Long wavelength optical phonons in mixed crystals // Adv. Phys. -1971. -v.20. -pp.359-404.

70. Talwar D.N., Fang T.D. Characterization of Raman scattering spectra in ternary compound semiconductors // Phys. Rev. В -1990. -v.41. -pp.3746-3751.

71. Yu S.G., Kim K.W., Bergman L., Dutta M., Stroscio M.A., Zavada J.M. Long -wavelength optical phonons in ternary nitride -based crystals // Phys. Rev. В -1998. -v.58.-pp. 15283-15287.

72. Bechstedt F., Grille H. Lattice Dynamics of Ternary Alloys // Phys. Status Solidi B. -1999. -v.216. -pp.761-768.

73. Grille II., Schnittler Ch., Bechstedt F. Phonons in ternary group -III nitride alloys // Phys. Rev. В -2000. -v.61. -pp. 6091-7105.

74. Bungaro C., de Gironcoli S. Ab initio study of phonons in wurtzite AlxGaivN alloys // Appl. Phys. Lett. -2000. -v.76. -pp.2101-2103.

75. Cros A., Angerer H., Handschuh R., Ambacher O., Stutzmann M., Hopler R., Metzger T. Raman study of the optical phonons in AlxGaivN alloys // Solid State Commun. -1997. -v.104. -pp.35-39.

76. Demangeot F., Groenen J., Frandon J., Renucci M.A., Briot O., Clur S., Aulombard R.L. Coupling of GaN- and AIN-like longitudinal optic phonons in GaitAlTN solid solutions // Appl. Phys. Lett. -1998. -v.72. -pp.2674-2676.

77. Schubert M., Kasic A., Tiwald T.E., Off J., Kuhn B., Scholz F. Optical phonons and free -carrier effects in MOVPE grown AlxGaixN measured by Infrared Ellipsometry // MRS Internet J. Nitride Semicond. -1999. -v.4. -p.l 1.

78. Wieser N., Ambacher O., Angerer H., Dimitrov R., Stutzmann M., B. Stritzker, Lindner J.K.N. Disorder-Activated Scattering and Two-Mode Behavior in Raman Spectra of Isotopic GaN and AlGaN // Phys. Status Solidi B. -1999. -v.216. -pp.807811.

79. Teles L.K., Furthmiiller J., Scolfaro L.M.R., Leite J.R., Bechstedt F. First-principles calculations of the thermodynamic and structural properties of strained InvGaivN and AlvGaivN alloys // Phys. Rev. B. -2000. -v.62. -pp.2475-2485.

80. Hayashi K., Itoh K., Sawaki N., Akasaki I. Raman scattering in AlxGai-xN alloys // Solid State Commun. -1991. -v.77. -pp.115-118.

81. Bergman L., Bremser M.D., Perry W.G., Davis R.F., Dutta M., Nemanich R.J. Raman analysis of the configurational disorder in AlvGaivN films // Appl. Phys. Lett. -1997. -v.71. -pp.2157-2159.

82. Lundin W.V., Usikov A.S., Sakharov A.V., Tretyakov V.V., Poloskin D.V., Ledentsov N.N., Hoffmann A. Growth and Characterization of Thick Si-Doped AlGaN Epilayers on Sapphire Substrates // Phys. Status Solidi A. -1999. -v. 176. -pp.379-384.

83. Holz M., Prokofyeva T., Seon M., Copeland K., Vanbuskirk J., Williams S., Nikishin S.A., Tretyakov V., Temkin H. Composition dependence of the optical phonon energies in hexagonal AUGa,.TN // J. Appl. Phys. -2001. -v.89. -pp.7977-7982.

84. Shimada K., Sota T., Suzuki K. First -principles study on electronic and elastic properties of BN, A1N, and GaN // J. Appl. Phys. -1998. -v.84. -pp.4951-4958.

85. Schwoerer -Bohning M., Macrander A.T., Pabst M., Pavone P. Phonons in Wurtzite Aluminum Nitride // Phys. Status Solidi B. -1999. -v.215. -pp.177-180.

86. Zhang J.M., Ruf Т., Cardona М., Ambacher О., Stutzmann М, Wagner J. -M., Bechstedt F. Raman spectra of isotopic GaN // Phys. Rev. B. -1997. -v.56. -1439914406.

87. Maradudin A.A., Montroll E.W., Weiss G.N. Theory of Lattice Dynamics in the Harmonic Approximation. New York: Academic Press. -1963.

88. Maradudin A.A. Theoretical and experimental aspects of the effects of point defects and disorder on the vibrations of crystals // Sol. State Phys. -1966. -v. 18. -pp.273 —420; и // Sol. St. Phys. -1966. -v. 19, -pp. 1-134.

89. Lannoo M., Lenglart P. Study of the neutral vacancy in semi -conductors // J. Phys. Chem. Solids. -1969. -v.30. -pp.2409 -2418.

90. Bernholc J. and Pantelides S.T. Scattering -theoretic method for defects in semiconductors. I. Tight -binding description of vacancies in Si, Ge, and GaAs // Phys. Rev. B. -1978. -v.18. -pp.1780-1789.

91. Essam J.W. Phase Transitions and Critical Phenomena, Vol. 2: Percolation and Cluster Size / edited by C. Domb and M.S. Green. London : Academic Press, 1972. -pp.197.

92. Essam J.W. Percolation theory // Rep. Prog. Phys. -1980. -v.43. -pp.833-912.

93. Bunde A., Havlin S. Fractals and Disordered Systems / edited by. A. Bunde and S. Havlin.-Berlin: Springer-Verlag, 1994.-pp.51.

94. Sykes M.F., Gaunt D.S., Glen M. Percolation processes in three dimensions // J. Phys. A. -1976. -v.9, p. 1705-1712.

95. Jusserand В., Cardona M. in Light scattering in solids V, Edited by M. Cardona and G. Gunterherodt, Springer-Verlag, Berlin, p.49 (1988) (и ссылки внутри).

96. Gleize J., Demangeot F., Frandon J., Renucci M.A., Widmann F., Daudin B. Phonons in a strained hexagonal GaN-AIN superlattice // Appl. Phys. Lett. -1999. —v.74. -pp.703-705.

97. Gleize J., Demangeot F., Frandon J., Renucci M.A., Kuball M., Hayes J.M., Widmann F., Daudin B. Angular dispersion of polar phonons in a hexagonal GaN-AIN superlattice // Mater. Science and Eng. B. -2001. -v.82. -pp.27-29.

98. Wei G., Zi J., Zhang K., Xie X., Lattice dynamics of GaN/AIN superlattices // J. Appl. Phys. -1997. -v.82. -pp.622-627.

99. Bezerra E., Freire V.N., Teixeira A.M.R., Araiijo Silva M.A., Freire P.T.C., Mendes Filho J., Lemos V. Smooth interface effects on the Raman scattering in zinc -blende AIN/GaN superlattices // Phys. Rev. B. -2000. -v.61. -pp.l3060-13063.

100. Волысенштейн M.B., Грибов JI.A., Ельяшевич M.A., Степанов Б.И. Колебания молекул —Москва: Наука, 1972.

101. Gleize J., Renucci М.А., Frandon J., Demangeot F. Anisotropy effects on polar optical phonons in wurtzite GaN/AIN superlattices // Phys. Rev. B. -1999. -v.60. -pp.l 5985-15992.

102. Colvard C., Gant T.A., Klein M.V. Folded acoustic and quantized optic phonons in (GaAl)As superlattices // Phys. Rev. B. -1985. -v.31. -pp.2080-2091.

103. Рытов C.M. Электромагнитные свойства мелкослоистой среды // ЖЭТФ. -1955. -Т.29. -Вып.5. -С.605-612.

104. Gleize J., Frandon J., Renucci M.A. Anisotropy and strain effects on lattice dynamicsin nitride -based superlattices // Phys. Status Solidi A. -2003. -v. 195. -pp.605611.

105. Dutta M., Alexson D., Bergman L. Nemanich R.J., Dupuis R., Kim K.W., Komirenko S., Stroscio M. Phonons in III-V nitrides: Confined phonons and interface phonons // Physica E. -2001. -v.l 1. -pp.277-280.

106. Sarua A., Kubal M., Van Nostrand J.E. Deformation potentials of the ^(high) phonon mode of A1N // Appl. Phys. Lett. -2002. -v.81. -pp. 1426-1428.

107. Yu P., Cardona M. Fundamental of Semiconductors. -Springer, 1998.

108. Kwon H.J., Lee Y.H., Miki O., Yamano H., Yoshida A. Raman spectra of indium nitride thin films grown by microwave -excited metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) sapphire substrates // Appl. Phys. Lett. 1996. -v.69. -pp.937-939.

109. Lee M.C., Lin H.C., Pan Y.C., Shu C.K., Ou J., Chen W.H., Chen W.K. Raman and x -ray studies of InN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. -1998. -v.73. -pp.2606-2608.

110. Inushima T., Shiraishi T., Davydov V.Y. Phonon structure of InN grown by atomic layer epitaxy // Solid State Commun. -1999. -v. 110. -pp.491-495.

111. Kasic A., Schubert M., Saito Y., Nanishi Y., Wagner G. Effective electron mass and phonon modes in n -type hexagonal InN // Phys. Rev. B. -2002. -v.65. -pp. 115206115212.

112. Wu J. When group-Ill nitrides go infrared: New properties and perspectives // J. Appl. Phys. -2009. -v.106. -Art. 011101:1-28.

113. Thakur J.S., Haddad D., Naik V.M., Naik R., Auner G.W., Lu H., Schaff W.J. A](LO) phonon structure in degenerate InN semiconductor films // Phys. Rev. B. -2005. -v.71.-pp.115203-115212.

114. Demangeot F., Pinquier C., Frandon J., Gaio N., Briot O., Maleyre B., Ruffenach S., Gil B. Raman scattering by the longitudinal optical phonon in InN: Wave-vector nonconserving mechanisms // Phys. Rev. B. -2005. -v.71. -pp.104305-104310.

115. Dyck J.S., Kim K., Limpijumnong S., Lambrecht W.R.L., Kash K., Angus J.C. Identification of Raman -active phonon modes in oriented platelets of InN and polycrystalline InN // Solid State Commun. -2000. -v.l 14. -pp.355-360.

116. Sheleg A.U., Savastenko V.A. Study of the elastic properties of indium nitride // Izv. Akad.Nauk SSSR, Neorg. Mater. -1979. -15. -p.l598.

117. Tsen K.T., Kiang J.G., Ferry D.K. Direct measurements of the lifetimes of longitudinal optical phonon modes and their dynamics in InN // Appl. Phys. Lett. -2007. -v.90. -Art. 152107:1-3.

118. Tsen K.T., Ferry D.K., Goodnick S.M., Salvador A., Morkoc H. Decay of the longitudinal optical phonons in wurtzite GaN and AlxGaixN // Physica В.- 2000-v.272 p.406-408.

119. Harima H. Properties of GaN and related compounds studied by means of Raman scattering // J. Phys.: Cond. Matt. -2002. -v.14. -pp.R967-R993 (и ссылки внутри).

120. Lu H., Schaff W.J., Hwang J., Wu H., Yeo W., Pharkya A., Eastman L.F. Improvement on epitaxial grown of InN by migration enhanced epitaxy // Appl. Phys. Lett. -2000. -v.77, -pp.2548-2550.

121. Gwo S., Wu C.L., Shen C.H., Chang W.H., Hsu T.M., Wang J.S., Hsu J.T. Heteroepitaxial growth of wurtzite InN films on Si(lll) exhibiting strong nearinfrared photoluminescence at room temperature // Appl. Phys. Lett. -2004. -v.84. -pp.37653767.

122. Martin R.M. Resonance raman scattering near critical points // Phys. Rev. B. -1974. -v. 10. -pp.2620-2631.

123. Haan S.W., Zwanzig R. Series expansions in a continuum percolation problem // J. of Phys. A -Mathematical and General. -1977. -10. -pp.1547-1555.

124. Hoffmann A., Kaschner A., Thomsen C. Local vibrational modes and compensation effects in Mg -doped GaN // Phys. Status Solidi (c). -2003. -0. -pp. 17831794.

125. Reboredo F.A., Pantelides S.T. Novel Defect Complexes and Their Role in the p -Type Doping of GaN // Phys. Rev. Lett. -1999. -82. -pp. 1887-1890.

126. Brandt M.S., Ager III J.W., Gotz W., Johnson N.M., Harris Jr J.S., Molnar R.J., Moustakas T.D. Local vibrational modes in Mg -doped gallium nitride // Phys. Rev. B. — 1994. -v.49. -pp. 14758-14761.

127. Kaczmarczyk G., Kaschner A., Hoffmann A., and Thomsen C. Impurity -induced modes of Mg, As, Si, and С in hexagonal and cubic GaN // Phys. Rev. B. -2000. -v.61. -pp.5353-5357.

128. Тягай B.A., Евстигнеев A.M., Красико A.H., Андреева А.Ф., Малахов В.Я. // ФТП. -1977. -Т.П. -С.2142—2144.

129. Tansley T.L., Foley С.Р. Electron mobility in indium nitride // Electron. Lett. -1984. -v.20. -pp.1066-1068.

130. Tansley T.L., Foley C.P. Optical band gap of indium nitride // J. Appl. Phys. -1986. -v.59. -pp.3241-3244.

131. Guo Q., Yoshida A. Temperature Dependence of Band Gap Change in InN and A1N // Jpn. J. Appl. Phys. pt 1. -1994. -v.33. -pp.2453-2456.

132. Yamaguchi S., Kariya M., Nitta S., Takeuchi Т., Wetzel C., Amano H., Akasaki I. Anomalous features in the optical properties of AlitInxN on GaN grown by metal organic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. -2000. -v.76. -pp.876-878.

133. Kim M.H., Cho J.K., Lee I.H., Park S.J. Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of InGaN Layers and Their Optical Properties // Phys. Stat. Sol. A. -1999. -v.176. -pp.269272.

134. Chuo C.C., Lee C.M., Nee Т.Е., Chyi J.I. Effects of thermal annealing on the luminescence and structural properties of high indium -content InGaN/GaN quantum wells // Appl. Phys. Lett. -2000. -v.76, -pp.3902-3904.

135. O'Donnell K.P. A Mystery Wrapped in an Enigma: Optical Properties of InGaN Alloys // Phys. Stat. Sol. A. -2001. -v.183. -pp.117-120.

136. Inushima Т., Mamutin V.Y., Vekshin V.A., Ivanov S.V., Sakon Т., Motokawa S., Ohoya S. Physical properties of InN with the band gap energy of 1.1 eV // J. Cryst. Growth. -2001. -v.227/228. -pp.481^185.

137. Matsuoka Т., Tanaka H., Sasaki Т., Katsui A. // Proc. Int. Symp.GaAs and Rel. Сотр. -1989.-pp.141.

138. Lu Ii., Schaff W J., Hwang J., Wu H., Koley G., Eastman L.F. Effect of an A1N buffer layer on the epitaxial growth of InN by molecular -beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. -2001. -v.79. -pp. 1489-1491.

139. Saito Y., Yamaguchi Т., Kanazawa H., Капо K., Araki Т., Nanishi Y., Teraguchi N., Suzuki A. Growth of high -quality InN using low -temperature intermediate layers by RF -MBE // J. Cryst. Growth. -2002. -v.237. -pp.1017-1021.

140. Ратников B.B., Мамутин B.B., Векшин В. А., Иванов C.B. Рентгендифрактометрическое изучение влияния буфера на микроструктуру молекулярно-пучковой эпитаксии InN -слоев разной толщины // ФТТ. -2001. -Т.43. -Вып.5. -С.913-917.

141. Higashiwaki М., Matsui Т. High-Quality InN Film Grown on a Low-Temperature-Grown GaN Intermediate Layer by Plasma-Assisted Molecular —Beam Epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys. -2002. -v.41. -pp.L540-L542.

142. Xu K., Yoshikawa A. Effects of film polarities on InN growth by molecular-beam epitaxy //Appl. Phys. Lett. -2003. -v.83. -pp.251-253.

143. Wu J., Walukiewicz W., Yu K.M., Ager III J.W., Haller E.E., Lu H., Schaff W.J., Saito Y., Nanishi Y. Unusual properties of the fundamental band gap of InN // Appl. Phys. Lett. -2002. -v.80. -pp.3967-3969.

144. Burstein E. Anomalous Optical Absorption Limit in InSb // Phys. Rev. —1954. -v.93. -pp.632-633.

145. Ishitani Y., Xu K., Terashima W., Hashimoto N., Yoshitani M., Hata Т., Yoshikawa A. Infrared measurements of InN films at low temperatures // phys.stat.sol.(c). -2003. -v.0. -pp.2838-2871.

146. Klochikhin A.A., Ogloblin S.G. Density of localized states in disordered solids // Phys. Rev. B. -1993. -v.48. -pp.3100-3115.

147. Клочихин A.A., Пермогоров C.A., Резницкий A.H. Люминесценция экситонов из флуктуационных хвостов плотности состояний в неупорядоченных твердых растворах // ФТТ. -1997. -Т.39. -Вып.7. -С.1170-1182.

148. Klochikhin A., Reznitsky A., Permogorov S., Breitkopf Т., Grün М., Hetterich М., Klingshirn С., Lyssenko V., Langbein W., Hvam J.M. Luminescence spectra and kinetics of disordered solid solutions // Phys. Rev. B. -1999. -v.59. -pp.l2947-12972.

149. Mahboob I., Veal T.D., Piper L.F.J., McConville C.F., Lu H., Schaff W.J., Furthmiiller J., Bechstedt F. Origin of electron accumulation at wurtzite InN surfaces // Phys. Rev. B. -2004. -v.69. -Art.201307R:l-4.

150. Carrier P., Wei S.H. Theoretical study of the band-gap anomaly of InN // J. Appl. Phys-2005. -v.97.-Art.033707:l-5.

151. O'Donnell K.P., Mosselmans J.F.W., Martin R.W., Pereira S., White M.E. Structural analysis of InGaN epilayers // J. Phys.: Condens. Matter. -2001. -v. 13. -pp.6977-6991.

152. Reznitsky A., Klochikhin A., Permogorov S., Tenishev L., Lundin W., Usikov A., Schmidt M., Klingshirn C. Localization of Excitons at Small In Clusters in Diluted InGaN Solid Solutions // phys. stat. sol. (c). -2002. -v.0. -pp.280-283.

153. Hori M., Kano K., Yamaguchi T., Saito Y., Araki T., Nanishi Y., Teraguchi N., Suzuki A. Optical Properties of InxGai XN with Entire Alloy Composition on InN Buffer Layer Grown by RF -MBE // phys. stat. sol. (b).-2002. -v.234. -pp.750-754.

154. Wu J., Walukiewicz W., Yu K.M., Ager III J.W., Haller E.E., Lu PI., Schaff W.J. Small band gap bowing in Ini xGaxN alloys // Appl. Phys. Lett. -2002. -v.80. -pp.47414743.

155. Shen X.Q., Ide T., Shimizu M., Okumura H. Growth and characterizations of InGaN on N and Ga -polarity GaN grown by plasma -assisted molecular -beam epitaxy // J.Cryst.Growth. -2002. - v.237-239. -pp.1148-1152.

156. Kurouchi M., Araki T., Naoi H., Yamaguchi T., Suzuki A., Nanishi Y. Growth and properties of In -rich InGaN films grown on (0001) sapphire by RF -MBE // phys. stat. sol. (b). -2004. -v.241. -pp. 2843-2848.

157. Moret M, Gil В., Ruffenach S., Briot O., Giesen Ch., Heuken M., Rushworth S., Leese Т., Sucei M. Optical, structural investigations and band-gap bowing parameter of GalnN alloys // J.Ciyst.Growth. -2009. -v.311. -pp.2795-2797.

158. Cardona M. // Light Scattering in Solids II, под ред. Cardona M. and Güntherodt G., Topic in Applied Physics Springer, Berlin, 1982,- Vol.50.- p. 19.

159. Abdumalikov A.A., Klochikhin A.A. The double resonance in two -phonon Raman scattering // Phys. Status Solidi B. -1977. -v.80. -pp 43-50.

160. В ehr D., Niebuhr R„ Obloh H., Wagner J., Bachem K.H., Kaufinann U. // Materials Research Society Symposium Proceedings. -1997. -v.468. -pp.213-218.

161. Harima H., Kurimoto E., Sone Y., Nakashima S., Chu S., Ishida A., Fujiyasu H. Observation of phonon modes in bulk InGaN films by Raman scattering // Phys. Stat. Sol. B. -1999. -V.216. -pp.785-788.

162. Alexson D., Bergman L., Nemanich R.J., Dutta M., Stroscio M.A., Parker C.A., Bedair S.M., El -Masry N.A., Adar F. Ultraviolet Raman study of ^i(LO) and E2 phonons in InxGaixN alloys // J. Appl. Phys. -2001.-v.89. -pp.798-800.

163. Ager III J.W., Walukiewicz W., Shan W., Yu K.M., Li S.X., Haller E.E., Lu H., Schaff WJ. Multiphonon resonance Raman scattering in InxGaixN // Phys. Rev. B. -2001.-v.72.-pp. 155204:1-7.

164. Correia M.R., Pereira S., Frandon J., Alves E. Raman study of the Ai(LO) phonon in relaxed and pseudomorphic InGaN epilayers // Appl. Phys. Lett. -2003. -v.83. -pp. 4761-4763.

165. Kontos A.G., Raptis Y.S., Pelekanos N.T., Georgakilas A., Bellet -Amalric E., Jalabert D. Micro -Raman characterization of InxGai xN/GaN/Al203 heterostructures // Phys. Rev. B. -2005. -v.72. -pp.1555336:1-10.

166. Hernandez S., Cosco R., Pastor D., Artus L., O'Donnell K.P., Martin R.W., Watson I.M., Nanishi Y., Calleja E. Raman scattering study of the InGaN alloy over the whole composition range // J. Appl. Phys. -2005. -v.98. -pp. 013511:1-5.

167. Darakchieva V., Paskov P.P., Valcheva E., Paskova Т., Monemar В., Schubert M., Lu FI., Schaff W.J. Deformation potentials of the £i(TO) and E2 modes of InN // Appl. Phys. Lett. -2004. -v.84. -pp. 3636-3638.

168. Wang X., Che S.-B., Ishitani Y., Yoshikawa A. Experimental determination of strain -free Raman frequencies and deformation potentials for the ^(high) and A\(LO) modes in hexagonal InN // Appl. Phys. Lett. -2006. -v.89. -pp. 171907:1-3.

169. Chang Y. -M., Hong Y. -L., Gwo S., Direct probe of the built -in electric field of Mg -doped a -plane wurtzite InN surfaces with time -resolved electric -field -induced second harmonic generation // Appl. Phys. Lett. -2008. -v.93. -pp.131106-131108.

170. Bechstedt F., Furthmuller J. Do we know the fundamental energy gap of InN? // J. Cryst. Growth. -2002. -v.246. -pp.315-319.

171. Menendez J., Cardona M. Resonance Raman scattering in InSb: Deformation potentials and interference effects at the Ej gap // Phys. Rev. B. -1985. -v.31. -pp.36963703.

172. Colakerol L., Piper L.F.J., Fedorov A., Chen T.C., Moustakas T.D., Smith K.E. Observation of an inverted band structure near the surface of InN // EPL. -2008. -v.83. -pp.47003^47006.

173. Работы, вошедшие в диссертацию

174. А5. Davydov V.Yu., Goncharuk I.N., Baidakova M.V., Smirnov A.N., Subashiev A.V., Aderhold J., Stemmer J., Uffmann D., Semchinova O. Raman spectroscopy of disorder effects in AlGaN solid solutions // Mat. Science & Eng. B. -1999. -v.59. -pp.222-225.

175. A7. Mamutin V.V., Vekshin V.A., Davydov V.Yu., Ratnikov V.V., Kudriavtsev Yu.A., Ber B.Ya., Emtsev V.V., Ivanov S.V. // Mg-Doped Hexagonal InN/Al203 Films Grown by MBE // Phys. Status Solidi A. -1999. -v. 176. -pp.373-378.

176. A15. Aderhold J., Davydov V.Y., Fedler F., Klausing H., Mistele D„ Rotter T., Semchinova O., Stemmer J., Graul J. InN thin films grown by metalorganic molecular beam epitaxy on sapphire substrates // J. Cryst. Growth. -2001. -v.222. -pp.701-705.

177. A18. Davydov V.Yu., Klochikhin A.A., Seisyan R.P., Emtsev V.V., Ivanov S.V., Bechstedt F., Furthmüller J., Harima H., Mudryi A.V., Aderhold J., Semchinova O.,

178. Graul J., Absorption and emission of hexagonal InN. Evidence of narrow fundamental band gap // Phys. Status Solidi B. -2002. -v.229. -pp.Rl-R3.

179. A20. Davydov V.Yu., Klochikhin A.A., Emtsev V.V., Bechstedt F., Mudryi A.V., Haller E.E. Reply to "Comment on 'Band Gap of InN and In-Rich InxGaixN Alloys (0.36<x<l)' // Phys. Status Solidi B. -2002. -v.233. -pp.R10-Rl 1.

180. A29. Bhuiyan A.G., Sugita K., Kasashima K., Hashimoto A., Yamamoto A., Davydov

181. V.Yu. Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eVgrown using different techniques and evidence of the actual band gap energy // Appl.

182. Phys. Lett. -2003. -v.83. -pp.4788-4790.

183. A30. Davydov V., Klochikhin A., Ivanov S., Aderhold J., Yamamoto A. Growth and

184. Properties of InN // Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Devices.

185. WILEY-VCH, 2003. -pp.241-294.

186. A32. Davydov V.Yu., Klochikhin A.A., Emtsev V.V., Smirnov A.N., Yagovkina M.A.,1.bedev V.M. X-ray, RBS and Raman studies of hexagonal InN and InGaN alloys //tfi

187. A34. Yamamoto A., Sugita K., Takatsukaa H., Hashimotoa A., Davydov V.Yu. Correlations between electrical and optical properties for OMVPE InN // J. Cryst. Growth. -2004. -v.261. -pp.275-279.

188. A35. Кютт P.H., Щеглов М.П., Давыдов В.Ю., Усиков А.С. Деформация слоев в сверхрешетках AlGaN/GaN по данным рентгенодифракционного анализа // ФТТ. -2004. -Т.46. -С.353-359.

189. А36. Давыдов В.Ю., Клочихин А.А. Электронные и колебательные состояния InN и твердых растворов InxGa,.xN. Обзор // ФТП. -2004. -Т.38. -С.897-936.

190. A40. Davydov V.Yu., Smirnov A.N., Smirnov M.B., Karpov S.V., Yagovkina M.A., A.I. Besulkin, Lundin W.V. Optical phonons in hexagonal GaN/AIN and GaN/AlGaN superlattices // Phys. Status Solidi C. -2005. -v.2. -pp.2389-2392.

191. A42. Klochikhin A.A., Davydov V.Yu., Emtsev V.V., Sakharov A.V., Kapitonov V.A., Andreev B.A., Lu H., Schaff W.J. Manifestation of the equilibrium hole distribution in photoluminescence of n-InN // Phys. Status Solidi B. -2005. -v.242, -pp.R33-R35.

192. A43. Смирнов М.Б., Карпов C.B., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Заварин Е.Е., Лундин В.В. Колебательные спектры сверхрешеток AIN/GaN: теория и эксперимент // ФТТ. -2005. -Т.47. -№4. -С.716-727.

193. А44. Klochikhin A.A., Davydov V.Yu., Emtsev V.V., Smirnov A.N., v. Baltz R. А gauge invariant approach to the Raman scattering in heavily doped crystals // Phys. Status Solidi B. -2005. -v.242. -pp. R58-R60.

194. A45. Klochikhin A.A., Davydov V.Yu., Emtsev V.V., Sakharov A.V., Kapitonov V.A., Andreev B.A., Lu H., Schaff W.J. Acceptor states in the photoluminescence spectra of n-InN // Phys. Rev. B. -2005. -v.71. -Art. 195207:1-16.

195. A48. Davydov V.Yu., Klochikhin A.A., Goncharuk I.N., Smirnov A.N., Sakharov A.V., Skvortsov A.P., Yagovkina M.A., Lebedev V.M., Lu H., Schaff W.J. Resonant Raman scattering in InGaN alloys // Phys. Status Solidi B. -2006. -v.243. -pp.14941498.

196. A49. Klochikhin A.A., Davydov V.Yu., Emtsev V.V., Sakharov A.V., Kapitonov V.A., Andreev B.A., Lu H., Schaff W.J. Photoluminescence of n-InN with low electron concentrations // Phys. Status Solidi A. -2006. -v.203. -pp.50-58.

197. А50. Soukhoveev V., Kovalenkov О., Shapovalova L., Ivantsov V., Usikov A., Dmitriev V., Davydov V., Smirnov A. AlGaN epitaxial layers grown by HVPE on sapphire substrates // Phys. Status Solidi C. -2006. -v.3. -pp. 1483-1486.

198. A53. Davydov V.Yu., Klochikhin A.A., Smirnov M.B., Kitaev Yu.E., Smirnov A.N., Lundina E.Y., Lu H., Schaff W.J., Lee H.-M., Lin H.-W., Hong Y.-L., Gwo S. SIMS and Raman studies of Mg-doped InN // Phys. Status Solidi C. -2008. -v. 5. -pp. 1648-1651.

199. A55. Davydov V.Yu., Klochikhin A.A. Electronic states in InN and lattice dynamics of InN and InGaN / Indium Nitride and Related Alloys / edited by T.D. Veal, C.F. McConville, W J. Schaff.- Boca Raton.: CRC Press, 2009. -pp. 181-241.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.