Построение моделей пассивных элементов и автоматизированное проектирование СВЧ монолитных усилителей с учетом влияния температуры тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.07, кандидат технических наук Добуш, Игорь Мирославович

• Добуш, Игорь Мирославович
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Добуш, Игорь Мирославович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

1 Методы измерения, построения моделей элементов и проектирования СВЧ транзисторных усилителей

1.1 Методы измерений характеристик элементов СВЧ МИС

1.1.1 Зондовые измерения характеристик элементов СВЧ МИС

1.1.2 Зондовые установки для измерения характеристик элементов СВЧ МЙС

1.1.3 Методы калибровки и исключения паразитных влияний контактных площадок при измерениях параметров рассеяния СВЧ МИС

1.1.4 Программное обеспечение для управления процессом измерений элементов СВЧ МИС и обработки данных

1.2 Методы построения моделей пассивных и активных элементов СВЧ МИС

1.2.1 Классификация моделей элементов СВЧ МИС

1.2.2 Методики построения моделей элементов СВЧ МИС в виде эквивалентных схем

1.2.3 Построение температурных моделей компонентов СВЧ МИС в виде эквивалентных схем

1.3 Методы проектирования СВЧ транзисторных усилителей с корректирующими двухполюсниками

1.3.1 Транзисторные усилители с корректирующими двухполюсниками

1.3.2 Методы построения и проектирования термостабильных СВЧ транзисторных усилителей

1.3.3 Процедура «визуального» проектирования СВЧ усилительных каскадов с двухполюсными цепями коррекции и обратными связями

1.4 Основные задачи исследования

2 Разработка алгоритмов и программного обеспечения для автоматизации измерений и построения моделей элементов СВЧ МИС

2.1 Разработка установки и программного обеспечения для автоматизации зондовых измерений

СВЧ МИС

2.1.1 Специализированный стенд для зондовых измерений СВЧ монолитных интегральных схем

2.1.2 Система автоматизации СВЧ измерений ГШЕЗУБ-МБ

2.1.3 Программные модули для автоматизации зондовых измерений и деэмбеддинга элементов СВЧ МИС

2.2 Определение элементов ЭС на основе символьного решения системы компонентных уравнений

*

2.2.1 Общий подход к задаче экстракции эквивалентных схем СВЧ компонентов

2.2.2 Анализ способов решения задач синтеза цепей на основе компонентных уравнений

2.2.3 Анализ способов решения задач экстракции ЭС на основе компьютерной алгебры

2.2.4 Алгоритм определения собственных параметров цепи и составления СКУ с использованием системы компьютерной алгебры

2.2.5 Алгоритм решения СКУ на основе базисов Гребнера

2.2.6 Методики определения элементов ЭС на основе символьного решения СКУ

2.3 Программа определения элементов эквивалентной схемы пассивных компонентов СВЧ МИС

2.3.1 Назначение и краткое описание программы БУМООЕЬ

2.3.2 Реализация аналитической методики в программе ЗУМООЕЬ

2.3.3 Реализация комбинированной методики в программе БУМОБЕЬ

2.4 Основные результаты исследования

3 Построение и верификация моделей пассивных компонентов СВЧ МИС

3.1 Верификация методик определения элементов ЭС пассивных компонентов СВЧ МИС

3.1.1 Построение и верификация модели полупроводникового (¡аАБ-резистора

3.1.2 Построение и верификация модели МДМ-конденсатора

3.1.3 Построение и верификация модели спиральной катушки индуктивности

3.1.4 Оценка быстродействия методик определения элементов ЭС

3.2 Построение моделей пассивных компонентов СВЧ МИС в копланарном тракте, изготовленных по отечественным СаАв рНЕМТ/тНЕМТ технологиям

3.2.1 Экстракция элементов ЭС копланарного GaAs-резистора

3.2.2 Экстракция элементов ЭС копланарного МДМ-конденсатора

3.2.3 Экстракция элементов ЭС копланарной спиральной катушки индуктивности

3.2.4 Оценка влияния погрешности измерений параметров рассеяния на точность экстракции ЭС СВЧ компонента

3.3 Построение параметрических моделей пассивных компонентов СВЧ МИС

3.4 Программный модуль для экстракции параметров эквивалентных схем пассивных компонентов СВЧ МИС в системе INDESYS-MS

3.5 Основные результаты исследования

4 Проектирование СВЧ транзисторных усилителей с корректирующими двухполюсниками с учетом влияния температуры

4.1 Экспериментальное исследование температурных зависимостей параметров пассивных и активных компонентов СВЧ МИС

4.2 Методика «визуального» проектирования усилителей с КД с учетом влияния температуры на АЭ

4.3 Методика «визуального» проектирования усилителей с КД с учетом влияния температуры на активные и пассивные элементы

4.4 Пример: Проектирование монолитного усилителя с ОС с учетом влияния температуры на АЭ

4.5 Пример: Проектирование монолитного усилителя с ОС с учетом влияния температуры на активные и пассивные элементы

4.6 Основные результаты исследования

5 Автоматизированное проектирование и экспериментальное исследование монолитных СВЧ транзисторных усилителей

5.1 Моделирование и экспериментальное исследование температурных характеристик однокаскадного усилителя диапазона 2-10 ГГц на основе GaAs pHEMT технологии

5.2 Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе GaAs mHEMT технологии

5.2.1 Требования к характеристикам, технология изготовления усилителей и модели элементов

5.2.2 Однокаскадный копланарный монолитный усилитель Ка-диапазона

5.2.3 Двухкаскадный копланарный монолитный усилитель Ка-диапазона

5.3 Линейный трехкаскадный усилитель диапазона частот 30-37,5 ГГц на основе GaAs pHEMT технологии

5.4 Основные результаты исследования

Заключение

Список литературы

Список сокращений

ПРИЛОЖЕНИЕ А. Основные методы построения термоустойчивых СВЧ транзисторных усилителей

ПРИЛОЖЕНИЕ Б. Документы о внедрении

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Построение моделей пассивных элементов и автоматизированное проектирование СВЧ монолитных усилителей с учетом влияния температуры»

Введение

Актуальность работы. Одной из главных тенденций развития современной радиоэлектронной и телекоммуникационной аппаратуры является расширение полосы частот и освоение все более высокочастотных диапазонов для повышения емкости каналов, скорости и качества передачи данных. Применение СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) позволяет значительно улучшить основные технические параметры радиоэлектронных систем (РЭС), кардинально снизить массу и габариты аппаратуры, повысить надежность ее функционирования, уменьшить трудоемкость и себестоимость изготовления радиоэлектронных изделий в серийном производстве.

К основным потребителям СВЧ МИС, функциональных модулей, радиоэлектронных устройств и систем на их основе относятся: высокоскоростные (1 Гбит/с и выше) системы передачи данных; системы космической, спутниковой и мобильной связи; радиолокационные системы, включая радары для авиации и флота, автомобильные радары и т.д.; системы наблюдения и радиоуправления и др. Ключевым составляющим элементом этих систем, во многом определяющим чувствительность, дальность действия и другие качественные характеристики, являются СВЧ монолитные усилители.

В см- и мм-диапазонах наилучший компромисс между стоимостью и характеристиками СВЧ МИС, в том числе, монолитных усилителей обеспечивают гете-роструктурные НЕМТ (High Electron Mobility Transistor) технологии - псевдо-морфные (рНЕМТ) и метаморфные (тНЕМТ) на основе материала GaAs. Передовые фирмы в США, Европе, Японии и на Тайване разработали промышленные GaAs НЕМТ технологии изготовления СВЧ МИС и транзисторов с длиной затвора 130-150 нм, что соответствует частотному диапазону до 60 ГГц, и опытные 7090 нм технологии с частотным диапазоном 120 ГГц.

В последние 5 лет в России наблюдается повышенный темп развития опытных гетероструктурных технологий изготовления СВЧ МИС и РЭС на их основе, на что указывает появление значительного количества публикаций в отечественной периодической литературе. В частности, подобные технологии развиваются в организациях: ИСВЧПЭ РАН (г. Москва), ФГУП НПП «Исток» (г. Фрязино), ФГУП НПП «Пульсар», (г. Москва), ОАО «Октава» (г. Новосибирск), ОАО «НИИПП» (г. Томск), НПФ «Микран» (г. Томск) и др.

Однако для создания СВЧ МИС, помимо решения проблем технологии, должны быть решены сложные задачи измерений, построения моделей элементов и автоматизированного проектирования. По опыту зарубежных исследователей,

успешное создание СВЧ МИС возможно лишь при решении комплекса задач в настоящей области.

Создание адекватных моделей базируется на высокоточных измерениях характеристик элементов МИС. Процесс измерения характеристик МИС и функциональных элементов отличается большой сложностью ввиду высоких рабочих частот (100 ГГц и выше) и трудности доступа к элементам с весьма малыми размерами. Для решения данных задач используются сложные высокоточные специализированные установки, позволяющие измерять целый комплекс параметров активных и пассивных компонентов МИС непосредственно на полупроводниковой пластине. Получение набора экспериментальных данных, позволяющих полностью описать свойства функционального элемента МИС и построить на этой основе его математическую модель, называется характеризацией. Стоит отметить, что для проведения комплекса измерений элементов СВЧ МИС, помимо использования мощных аппаратных средств, возникает необходимость в применении сложных программных комплексов, которые автоматизируют процесс измерений, осуществляют сбор, анализ, обработку данных и построение моделей элементов с возможностью их использования в системах автоматизированного проектирования (САПР) СВЧ-устройств. К сожалению, в настоящее время отечественные программные системы, выполняющие указанные функции, в коммерческом исполнении отсутствуют, зарубежные программные продукты имеют высокую стоимость (выше 50.000 $ на 2011 - 2012 гг.), при этом зачастую не реализуют всех необходимых для СВЧ измерений функций.

В связи со сказанным разработка алгоритмического и программного обеспечений (ПО) в составе программно-аппаратных комплексов для характеризации функциональных элементов СВЧ МИС являются актуальными научно-практическими задачами.

Важнейшей проблемой, с которой сталкивается разработчик, является точное моделирование СВЧ устройств в заданном частотном диапазоне. Решение этой проблемы возможно при совместном использовании современных программных средств автоматизированного проектирования СВЧ устройств (Microwave Office, ADS и др.) и библиотек моделей элементов МИС, отражающих особенности технологии изготовителя. Однако в России в настоящее время нет верифицированных библиотек моделей пассивных и активных элементов для отечественных субмикронных технологий. В связи с этим отечественные проектировщики МИС чаще всего вынуждены адаптировать имеющиеся стандартные модели в коммерческих САПР СВЧ устройств. К сожалению, такой подход ведет к большим затратам вре-

мени и труда и не гарантирует качества моделей, последнее не позволяет выполнить точное проектирование СВЧ МИС, особенно в мм-диапазоне.

При проектировании СВЧ-устройств большое распространение получили модели элементов (транзисторов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, неоднородностей линий передачи и т.д.) в виде эквивалентных схем (ЭС), которые обладают высоким быстродействием, обеспечивают удовлетворительную точность и легко встраиваются в существующие САПР. Распространенным подходом к построению ЭС СВЧ компонентов является метод экстракции.

Начиная с 80-х годов прошлого столетия, огромное количество работ (Дуре-ва В.П., Поспешальского М.В., Дали А.Д., Кинаймана Н., Баля И., Симонса Р.Н., Вулфа И., Соррентино Р., Хеймана П., Ито Т., Дамбрина Г., Таскера П.Ж., Саннино М. и др.) было посвящено решению задачи экстракции параметров ЭС пассивных и активных компонентов СВЧ МИС. Суть задачи экстракции состоит в поиске значений элементов ЭС таким образом, чтобы в заданной полосе частот диапазона воспроизвести требуемые электрические характеристики СВЧ компонента (например, измеренные У- или 2-парамстры). Существует несколько способов решения этой задачи (прямая экстракция, параметрическая оптимизация, а также комбинированный подход).

При использовании прямой экстракции [1-4] элементы ЭС находятся из решения системы уравнений, полученной приравниванием аналитических выражений для моделируемых характеристик компонента заданным (измеренным) значениям в заранее указанных частотных точках.

При достаточно сложных структурах ЭС (при числе элементов более трех-четырех) решение указанной системы может быть трудоемким. В этом случае используются приближенные методики, позволяющие благодаря учету особенностей модели конкретного СВЧ компонента упростить решение задачи экстракции. В заданной ЭС выделяются элементы, в основном оказывающие влияние в области низких частот (в том числе на постоянном токе) или высоких частот. Значения этих элементов находятся из измерений характеристик компонента (либо специальной тестовой структуры) в соответствующих диапазонах частот. Далее найденные таким образом элементы «извлекаются» из ЭС. После этого задача экстракции упрощается, так как система уравнений составляется относительно небольшого числа оставшихся элементов. Однако методики, состоящие в предварительном определении отдельных элементов ЭС на основании специальных измерений, не являются точными и универсальными - выбор способов извлечения элементов, выполнения измерений и вывода аналитических выражений сильно зависит от вида ЭС и дол-

жен осуществляться индивидуально для каждой задачи экстракции с учетом ее особенностей.

Другим подходом является параметрический синтез элементов модели при выбранной структуре на основе численных оптимизационных процедур. Суть его заключается в минимизации отклонений 2-, У- или ^-параметров модели (ЭС) от измеренных значений на выбранных фиксированных частотах при варьировании значений элементов ЭС. Данный подход является универсальным, т.е. пригоден для ЭС любого вида применительно как к пассивным, так и активным компонентам МИС; позволяет учесть отклонения характеристик модели от измеренных значений во всем рассматриваемом диапазоне частот. К недостаткам метода относятся: сильная зависимость результата от начального приближения, метода оптимизации и целевой функции. Кроме того, при параметрической оптимизации вероятна сходимость к «паразитным» локально-оптимальным решениям, в этом случае получаемые значения элементов ЭС могут не соответствовать реальной физической структуре СВЧ компонента.

Распространение получил также комбинированный подход, сочетающий методы экстракции и параметрического синтеза. В этом случае на первом этапе значения элементов ЭС находятся при помощи методов прямой экстракции; на втором этапе производится уточнение значений элементов с помощью оптимизационных процедур для наилучшего совпадения смоделированных и измеренных характеристик компонента. Данный подход объединяет достоинства и недостатки обоих групп методов - с одной стороны, он является точным и надежным, но, с другой стороны, менее универсальным, более сложным и громоздким.

Задача экстракции параметров ЭС может рассматриваться как одна из постановок проблемы синтеза электрических цепей: при заданной структуре цепи найти ее элементы, обеспечивающие точное равенство характеристик цепи заданным значениям в одной или нескольких частотных точках. В ряде работ [5-7] предложен подход к решению последней задачи, основанный на решении так называемых систем компонентных уравнений (СКУ), т.е. уравнений, составленных относительно параметров элементов (компонентов) цепи. Данный подход является универсальным и строгим, однако, в известной автору литературе отсутствуют анализ и исследование его в общем виде применительно к задаче построения моделей СВЧ компонентов - в частности, не исследованы общие способы составления и решения полной СКУ, нет попыток применения универсального подхода к экстракции достаточно сложных ЭС. Представлены лишь примеры решения СКУ конкретного вида для построения простых моделей пассивных компонентов СВЧ МИС. Методы

экстракции параметров ЭС являются также основой для построения более сложных видов моделей СВЧ компонентов - параметрических и температурных.

Помимо задач измерений и построения моделей элементов, при разработке СВЧ монолитных усилителей приходится решать задачи автоматизированного проектирования, в том числе производить выбор (синтез) принципиальной схемы устройства по требованиям к его характеристикам с учетом влияния дополнительных факторов, в частности, температуры. При применении в военной, космической, бортовой и измерительной аппаратуре к СВЧ транзисторным усилителям во многих случаях предъявляются требования по температурной стабильности. В зависимости от технологии изготовления усилителей, основное влияние на их характеристики может оказывать температурный уход параметров либо активных, либо пассивных элементов цепи, либо тех и других одновременно. Таким образом, при разработке устройств подобного класса возникает необходимость учета зависимостей электрических параметров используемых электронных компонентов от температуры.

Использование только термостабилизации [8-10 и др.] на основе обратной связи (ОС) по постоянному току, в том числе с применением температурно-зависимых компонентов (терморезисторов и др.) [8, 10-14], не обеспечивает достаточной термоустойчивости, так как основное внимание уделяется лишь стабилизации рабочей точки транзистора, в то время как СВЧ характеристики разрабатываемого усилителя (коэффициент усиления, коэффициент шума, коэффициенты отражения от входа и выхода и др.) не контролируются. Кроме того, использование термостабилизации и термокомпенсации не позволяет учесть влияние температуры на характеристики пассивных элементов схемы. Радикальным способом повышения термостабильности усилителя является термостатирование, однако, это приводит к увеличению массы, габаритов, повышению энергопотребления и стоимости устройства.

Дополнительные возможности предоставляет метод, основанный на применении отрицательной ОС по переменному току. Он может использоваться совместно с ОС по постоянному току и обеспечивает стабилизацию параметров усилителя при наличии любых дестабилизирующих факторов (изменения температуры, технологического разброса, нестабильности питающих напряжений и др.) [15, 16], а также является легко реализуемым на СВЧ. Однако существующие методики проектирования подобных схем не позволяют учесть изменение параметров активных и пассивных элементов из-за влияния температуры непосредственно на этапе синтеза схемы усилителя. Поэтому наибольшее распространение получил следующий подход: после проведения расчета усилителя (выбора схемы и значений элементов)

при номинальной (комнатной) температуре проводят параметрическую оптимизацию усилителя (поиск оптимальных значений пассивных элементов) с использованием температурных моделей активных и пассивных элементов для обеспечения нужной термостабильности. Если температурный уход характеристик усилителя больше заданного, структуру усилителя изменяют и процесс повторяется заново. Указанный подход является трудоемким, нецеленаправленным и не гарантирует получения результата, причем качество проектирования во многом определяется опытом и знаниями разработчика.

На основании вышеизложенного можно сформулировать цель настоящей работы и определить основные задачи исследования.

Цель работы. Разработка методик, алгоритмов и программного обеспечения для построения моделей пассивных компонентов СВЧ устройств; методик автоматизированного проектирования СВЧ транзисторных усилителей с учетом влияния температуры; построение моделей элементов, в том числе температурных; проектирование и исследование СВЧ транзисторных усилителей на основе гетерострук-турных ваАБ рНЕМТ и шНЕМТ монолитных технологий.

Основные задачи, решаемые в работе:

• Разработка алгоритмов и программного обеспечения для автоматизации зондовых измерений характеристик компонентов СВЧ МИС.

• Разработка методик, алгоритмов и программного обеспечения для построения (экстракции) моделей СВЧ компонентов на основе составления и решения СКУ.

• Оценка влияния погрешности измерений параметров рассеяния на точность экстракции параметров эквивалентных схем, получение рекомендаций по повышению точности экстракции.

• Разработка методики построения параметрических моделей пассивных компонентов СВЧ МИС.

• Измерение параметров и построение моделей элементов СВЧ МИС (транзисторов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности) на основе отечественных гетероструктурных СаАэ рНЕМТ/тНЕМТ технологий.

• Экспериментальное исследование влияния температуры на параметры активных и пассивных элементов СВЧ МИС на основе ваАв рНЕМТ/тНЕМТ технологий.

• Построение температурных моделей элементов СВЧ МИС.

• Разработка методик проектирования СВЧ транзисторных усилителей с корректирующими двухполюсниками с учетом влияния температуры.

• Разработка СВЧ транзисторных усилителей на основе отечественных ОаАв рНЕМТ/тНЕМТ монолитных технологий.

• Экспериментальные исследования температурных зависимостей характеристик монолитных усилителей.

Научная новизна:

1. Впервые предложена методика экстракции параметров эквивалентных схем СВЧ компонентов, основанная на составлении и аналитическом решении полной системы нелинейных компонентных уравнений с использованием метода базисов Гребнера.

2. Впервые предложена комбинированная методика экстракции параметров эквивалентных схем СВЧ компонентов, основанная на аналитическом выводе уравнений связи между элементами с использованием метода базисов Гребнера и последующем применении оптимизационного метода.

3. Предложена новая методика «визуального» проектирования СВЧ усилительных каскадов с двухполюсными цепями коррекции и обратной связи по комплексу характеристик, включая коэффициент усиления, коэффициент шума, уровни согласования на входе и выходе, устойчивость, позволяющая осуществить выбор (синтез) указанных цепей с учетом требования термостабильности каскада.

Практическая значимость полученных результатов:

• Предложенные методики экстракции позволяют на единой основе решать задачи определения элементов эквивалентных схем пассивных СВЧ компонентов любой структуры и теоретически любой степени сложности.

• На основе выполненных исследований созданы программы для автоматизации измерений и построения моделей элементов, позволяющие облегчить и ускорить разработку СВЧ МИС.

• Построенные модели пассивных и активных элементов позволяют осуществить моделирование и проектирование МИС мм-диапазона волн на основе отечественных ваАБ рНЕМТ/тНЕМТ технологий с учетом влияния температуры.

• Разработанная «визуальная» методика позволяет проектировать СВЧ транзисторные усилители с корректирующими двухполюсниками, которые удовлетворяют повышенным требованиям по температурной стабильности.

• С использованием разработанных моделей, методик и программ созданы первые отечественные образцы СВЧ усилителей мм-диапазона волн на основе гетероструктурных GaAs рНЕМТ и шНЕМТ технологий.

Положения, выносимые на защиту:

1. Применение метода базисов Гребнера в задаче экстракции параметров эквивалентных схем позволяет получить в аналитической форме решение системы нелинейных полиномиальных компонентных уравнений, а также уравнения связи между элементами.

2. Совместное использование при экстракции эквивалентных схем уравнений связи, полученных с помощью метода базисов Гребнера, и оптимизационных методов позволяет уменьшить размерность решаемой системы нелинейных уравнений, учесть условие неотрицательности значений элементов эквивалентных схем и повысить точность модели.

3. «Визуальная» методика проектирования СВЧ усилительного каскада с двухполюсной цепью коррекции или обратной связи позволяет выбрать схему цепи для удовлетворения комплекса требований к характеристикам в заданном диапазоне температур.

Апробация результатов. Основные результаты исследований докладывались на следующих научно-технических конференциях:

• Международная научно-практическая конференция «Электронные средства и системы управления», ТУ СУР, г. Томск, 2010 и 2011 гг.

• Всероссийская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУ СУР», г. Томск, 2008 - 2010 гг.

• Всероссийская научно-техническая конференция студентов и молодых ученых «Современные проблемы радиоэлектроники», КГТУ, г. Красноярск, 2009 и 2010 гг.

• Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо), г. Севастополь, 2010 и 2011 гг.

• Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, г. Москва, 2011 г.

• Всероссийская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Технологии Microsoft в теории и практике программирования», г. Томск, 2009 г.

• Международная научно-практическая конференция студентов и молодых учёных «Современные техника и технологии», ТПУ, г. Томск, 2011 г.

Представленная работа выполнялась как составная часть НИР на кафедре КСУП ТУСУРа при поддержке Российского фонда фундаментальных исследова-

11

ний (в рамках проектов 08-07-99034-р_офи, 09-07-99020-р_офи) и Администрации Томской области (контракт №354/1 от 21.10.2009), а также в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы по направлениям «Нанотехнологии и наноматериалы», «Создание электронной компонентной базы», «Микроэлектроника» (мероприятия 1.1, 1.2.1, 1.2.2, 1.3.1 и 1.3.2, государственные контракты П1418, П1492, П2188, П669, П499, 16.740.11.0092, 14.740.11.1261, 14.740.11.1136, 14.740.11.0135).

Реализация и внедрение результатов работы. Результаты диссертационной работы внедрены и использованы при решении задач измерения, моделирования и проектирования монолитных СВЧ компонентов и устройств в НОЦ «Нанотехнологии» (ТУСУР, г. Томск), ОАО «НИИПП» (г. Томск), НПФ «Микран» (г. Томск), ИСВЧПЭ РАН (г. Москва), а также в учебном процессе на кафедрах КСУП и ФЭ ТУСУРа (см. приложение Б).

Представленные методы и программы использовались при разработке следующих монолитных усилителей мм-диапазона волн:

• Трехкаскадный усилитель диапазона частот 30-37,5 ГГц на основе 0,15 мкм GaAs рНЕМТ технологии.

• Однокаскадный копланарный усилитель диапазона частот 34-38 ГГц на основе 0,15 мкм GaAs mHEMT технологии.

• Двухкаскадный копланарный усилитель диапазона частот 34-37,5 ГГц на основе 0,15 мкм GaAs mHEMT технологии.

Личный вклад автора. Все представленные в диссертации результаты исследований получены лично автором либо при его непосредственном участии. В работах, опубликованных в соавторстве, автором получены существенные теоретические и практические результаты.

Публикации. По результатам выполненных исследований опубликовано 35 работ, в том числе: 9 статей в научных журналах, включенных в перечень ВАК.

Получено свидетельство о регистрации программы для ЭВМ (№2011616003 от 3 августа 2011 г.): «Программа для автоматизации процесса измерений параметров и построения линейной модели СВЧ полевого транзистора» (см. приложение Б).

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти разделов, заключения, списка литературы, списка сокращений и двух приложений. Общий объем работы составляет 199 страниц. Основная часть включает 162 страницы, в том числе 130 страниц текста, 125 рисунков и 27 таблиц. Список используемых источников содержит 220 наименований.

Заключение диссертации по теме «Антенны, СВЧ устройства и их технологии», Добуш, Игорь Мирославович

Заключение

Основные результаты работы сводятся к следующему:

1. Предложена методика экстракции (определения) параметров ЭС СВЧ компонентов, основанная на составлении и аналитическом решении полной системы нелинейных компонентных уравнений с использованием метода базисов Греб-нера.

2. Предложена комбинированная методика экстракции параметров ЭС СВЧ компонентов, основанная на аналитическом выводе уравнений связи между элементами с использованием метода базисов Гребнера и последующем применении оптимизационного метода.

3. С использованием предложенных методик экстракции получены аналитические выражения или уравнения связи для параметров типовых ЭС пассивных сосредоточенных компонентов СВЧ МИС (резисторов, конденсаторов и спиральных катушек индуктивностей). Полученные модели обладают высоким быстродействием, обеспечивают удовлетворительную точность и легко встраиваются в САПР СВЧ устройств.

4. С использованием разработанных методик построены, исследованы и верифицированы быстродействующие модели копланарных пассивных компонентов, позволяющие осуществить моделирование и проектирование СВЧ МИС мм-диапазона волн на основе отечественных ваАв рНЕМТ/тНЕМТ технологий.

5. На основе разработанных методик экстракции параметров ЭС предложена процедура построения параметрических моделей пассивных компонентов СВЧ МИС, позволяющая получить зависимость электрических характеристик монолитного компонента от его геометрических размеров и повысить эффективность проектирования СВЧ МИС.

6. Проведены экспериментальные исследования температурных зависимостей параметров рассеяния и значений элементов ЭС активных и пассивных компонентов СВЧ МИС в диапазоне 0 - 85°С, изготовленных по отечественным ваАэ рНЕМТ и тНЕМТ технологиям. На этой основе с использованием предложенных процедур экстракции построены температурные модели компонентов МИС.

7. Предложены методики «визуального» проектирования СВЧ усилительных каскадов с двухполюсными цепями коррекции и ОС по комплексу характеристик, позволяющие решить задачу выбора (синтеза) цепей с учетом влияния температуры на параметры активных и пассивных элементов.

8. Разработано программное обеспечение для автоматизации зондовых измерений параметров рассеяния, исключения паразитных влияний контактных площадок (деэмбеддинга) и экстракции параметров ЭС пассивных компонентов СВЧ

МИС. Использование данных программ позволяет сократить временные затраты, упростить измерения и повысить эффективность проектирования МИС.

9. С помощью разработанных моделей, методик и ПО спроектированы и изготовлены на основе отечественных ваАБ рНЕМТ/тНЕМТ технологий монолитные усилители мм-диапазона волн. Результаты моделирования, проектирования и экспериментальных исследований усилителей подтверждают достоверность и эффективность предложенных в диссертации методик, алгоритмов и ПО.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Добуш, Игорь Мирославович, 2012 год

Список литературы

1. Bahl I.J. Lumped elements for RF and microwave circuits. - Artech House. - Boston, London, 2003.-P. 488.

2. Dambrine G. A new method for determining the FET small-signal equivalent circuit // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 07/1988, Vol.36, №7, pp. 1151-59.

3. Емцев П.А. Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2003. - № 6. - С. 20-26.

4. Sporkmann Т., Naghed М., Verweyen L., Haydl W.H., Schlechtweg М. Coplanar MMICs - The future for mass production! // Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1998. - Amsterdam, 1998. - P. 236-251.

5. Калахан Д. Методы машинного расчета электронных схем. - М., Мир, 1970.

6. Ланнэ А.А. Оптимальная реализация линейных электронных RC- схем. - Киев, Наук, думка, 1982.

7. Галямичев Ю.П. Синтез активных RC- цепей. Под ред. А.А. Ланнэ. - М., Связь, 1985.

8. Красько А.С. Схемотехника аналоговых электронных устройств: Учебное пособие. -Томск: Издательство «В-Спектр», 2005. - 180 с.

9. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем: Изд. 4-е, перераб. и доп. - М: «Энергия», 1977. - 672 с.

10. Москатов Е.А. Электронная техника. - Таганрог, 2004. - 121 с.

11. Алексеев В.П. Системное проектирование термоустойчивых радиотехнических устройств и систем. - Томск: Издательство Института оптики атмосферы СО РАН, 2004.-316 с.

12. Yamauchi К., Iyama Y., Yamaguchi М., Ikeda Y., Urasaki S., Takagi T. X-band MMIC power amplifier with an on-chip temperature-compensation circuit // IEEE Trans. - 2001. - vol. 49. - № 12. - p. 2501-2506.

13. Kobayashi K.W., Jones W.L., MacGowan K., Kono R., Lee L.-S.J. A monolithic DC temperature compensation bias scheme for multistage HEMT integrated circuits // IEEE Trans. - 1996. - vol. 44. - № 2. - p. 261-268.

14. Alleva V., Di Paolo F. Temperature compensation circuit for linear microwave amplifiers // IEEE Microwave and Guided Wave Letters. - 1996. - vol. 6. - № 6. - p. 238240.

15. Крисилов Ю. Д. Автоматическая регулировка и стабилизация усиления транзисторных схем. - М.: Советское радио, 1972. - 272 с.

16. Robertson I. D. RFIC and MMIC Design and Technology. - London : The Institution of Electrical Engineers, 2001. - 562 p.

17. Cascade Microtech [Электронный ресурс]. URL: http://www.cmicro.com/products/probes/rf-microwave/infmity-probe/waveguide-mfmity-probe/waveguide-infinity-probe/ (дата обращения: 10.11.2011).

18. Pisani U., Ferrero A., Madonna G. Experimental characterization of nonlinear active microwave devices // U.R.S.I. Review of Radio Science. - 1999-2002. - p. 3-22.

19. Wartenberg S.A. RF Measurements of Die and Packages. - London-Boston: Artech House, 2002. - p. 244.

20. Xiaoyun Wei. On-wafer S-parameter measurement using four-port technique and intermodulation linearity of RF CMOS: Dissertation, doctor of philosophy / Auburn University. - Auburn, Alabama, 2008. - p. 236.

21. Vaha-Heikkila T. MEMS tuning and matching circuits, and millimeter wave on-wafer measurements: Dissertation for the degree of Doctor of Science in Technology / Helsinki University of Technology, - Espoo, Finland, 2006. -p. 165.

22. Caddemi A., Di Paola A., Sannino M. Full characterization of microwave low-noise packaged HEMT's: measurements versus modeling // IEEE Trans. - 1997. - Vol. MTT-46. - № 2. - p. 490-494.

23. Jianjun Gao, Choi Look Law, Hong Wang, Aditya S., Boeck G. A new method for pHEMT noise-parameter determination based on 50-Q. noise measurement system // IEEE Trans. - 2003. - Vol. MTT-51. - № 10. - p. 2079-2089.

24. Tasker P.J., Reinert W., Hughes В., Braunstein J., Schlechtweg M. Direct Extraction of All Four Transistor Noise Parameters from a Single Noise Figure Measurement // 22nd European Microwave Conference - 1992, p. 157-162.

25. Lazaro A., Pradell L., O'Callaghan J.M. FET noise-parameter determination using a novel technique based on 50-Cl noise-figure measurements // IEEE Trans. - 1999. -vol. 47.-№3.-p. 315-324.

26. Noise Figure Measurement Accuracy - The Y-Factor Method: Application Note 57-2. - USA: Agilent Technologies, 2010. - p. 44.

27. Adamian V., Uhlir A. A Novel Procedure for Receiver Noise Characterization // IEEE Trans. - 1973. - vol. 22. - № 2. - p. 181-182.

28. Lane R. The Determination of Device Noise Parameters // Proc. IEEE. - 1969. -Vol. 57, pp. 1461-1462.

29. Kantanen M., Lahdes M., Vaha-Heikkila T., Tuovinen J. A wide-band on-wafer noise parameter measurement system at 50-75 GHz // IEEE Trans. - 2003. - vol. 51. -№5. -p. 1489-1495.

30. Caddemi A., Sannino M. Overview of noise measurement strategies for the characterization of active devices at microwave frequencies // High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1999. EDMO'99 Symposium -1999.-p. 143-146.

31. Davidson A.C., Leake B.W., Strid E. Accuracy improvements in microwave noise parameter measurements // IEEE Trans. - 1989. - vol. 37. - № 12. - p. 1973-1978.

32. Escotte L., Plana R., Graffeuil J. Evaluation of noise parameter extraction methods // IEEE Trans. - 1993. - vol. 41. - № 3. - p. 382-387.

33. Focus Microwaves [Электронный ресурс]. URL: http://www.focus-microwaves.com/ (дата обращения: 20.02.2012).

34. Maury [Электронный ресурс]. URL: http://www.maurymw.com/ (дата обращения: 20.02.2012).

35. Lahdes M. Uncertainty Analysis of V-Band on-Wafer Noise Parameter Measurement System // IEEE, 28th European Microwave Conference. - 1998. - p. 445-450.

36. MilliLab. Research Activities of Millilabs 1999-2000 [Электронный ресурс]. URL: http://virtual.vtt.fi/virtual/millilab/docs/annual 19992000.pdf./ (дата обращения: 20.11.2011).

37. Алмазов-Долженко К.И. Коэффициент шума и его измерение на СВЧ - М.: Научный мир, 2000. - с. 240.

38. Aaen Р.Н., Pla J.A., Wood J. Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs. - New York : Cambridge University Press, 2007. - 363 p.

39. Hughes В., Ferrero A., Cognata A. Accurate on-wafer power and harmonic measurements of mm-wave amplifiers and devices // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. - 1992. - C. 1019-1022.

40. Poulin D.D., Mahon J.R., Lanteri J.P. A high power on-wafer pulsed active load pull system GHz // IEEE Trans. - 1992. - vol. 40. - № 12. - p. 2412-2417.

41. Teppati V., Ferrero A., Camarchia V., Neri A., Pirola M. Microwave measurements - Part III: Advanced non-linear measurements // IEEE Instrumentation & Measurement Magazine. - 2008. - vol. 11. - № 6. - p. 1094-6969.

42. Camarchia V., Teppati V., Corbellini S., Pirola M. Microwave Measurements Part II Non-linear Measurements // IEEE Instrumentation & Measurement Magazine. -2007. - vol. 10. - № 3. - p. 34-39.

43. Reveyrand Т., Ciccognani W., Ghione G., Jarde O., Limiti E., Serino A., Camarchia V., Cappelluti F., Quere R. GaN transistor characterisation and modelling activities performed within the frame of the KorriGaN project // Internation Journal of Microwave and Wireless Technologies. - 2010. - vol. 2. - № 1. - p. 51-61.

44. Platzker A., Palevsky A., Nash S., Struble W., Tajima Y. Characterization of GaAs devices by a versatile pulsed IV measurement system // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. - 1999. - P. 1137-1140.

45. Parker A. E., Rathmell J. G. Bias and frequency dependence of FET characteristics // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. - 2003. - Vol. 51. - № 2. - P. 588-592.

46. Agilent B1500A User's Guide [Электронный ресурс]. URL: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf7B 1500-90000.pdf (дата обращения: 15.11.2010).

47. Auriga Microwave [Электронный ресурс]. URL: http://www.auriga-ms.com (дата обращения: 15.11.2010).

48. Keithley Instruments [Электронный ресурс]. URL: http://www.keithley.com/ (дата обращения: 15.11.2010).

49. Almeida D., Anholt R. Device characterization with an integrated on-wafer thermal probing system // Microwave Journal, Horizon House Publications. - 1993. - p. 4.

50. Collier R.J., Skinner A.D. Microwave Measurements 3rd edition. - London: Institution of Engineering and Technology, 2007. - p. 484.

51. Pierro J., Louie K. Low Temperature Performance of GaAs MESFETs at L-Band // IEEE MTT-S International. - 1979. - p. 28-30.

52. Bautista J.J., Laskar J., Szydlik P. On-wafer, cryogenic characterization of ultra-low noise HEMTdevices // TDA Progress Report 42-120. - 1995. - p. 104-120.

53. Laskar, J., Murti, M. R., Yoo, S.Y., Gebara, E., Harris, H. M. Development of complete on-wafer cryogenic characterization: S-parameters, noise-parameter and load-pull, Gallium Arsenide and its Applications Symposium Digest, 1998, pp. 33-38.

54. Vaha-Heikkila Т., Varis J., Hakojarvi H., Tuovinen J. Wideband cryogenic on-wafer measurements at 20-295 К and 50-110 GHz // 33rd European Microwave Conference. - 2003. - vol. 3. - p. 1167-1170.

55. Эльвира. Основы векторного анализа цепей [Электронный ресурс]. URL: http://www.elvira.ru/_files/vektr.pdf/ (дата обращения: 10.10.2011).

56. Cascade Microtech. A Guide to Better Vector Network Analyzer Calibrations for Probe-Tip Measurements: Technical Brief [Электронный ресурс]. URL: http://www.cmicro.com/download.cfm?downloadfile=CFA9DC69-5056-B03B-BA1872DB1586F0E8/ (дата обращения: 20.02.2012).

57. Rohde & Schwartz. Operating Manual ZVA 40 [Электронный ресурс]. URL: http://www2.rohde-schwarz.com/file/ZVA_ZVB_ZVT_Operat-ing_15_V2-70.pdf/ (дата обращения: 10.11.2011).

58. Rumiantsev A. A. Practical Guide for Accurate Broadband On-Wafer Calibration in RF Silicon Applications [Электронный ресурс]. URL: http://www.mos-ak.org/sanfrancisco/papers/09_Rumiantsev_MOS-AK_SF08.pdf / (дата обращения: 10.11.2011).

59. Lord A. Advanced RF calibration techniques [Электронный ресурс]. URL: http://ekv.epfl.ch/files/content/sites/ekv/files/mos-ak/wroclaw/MOS-AK_AL.pdf/ (дата обращения: 20.02.2012).

60. Lautzenhiser S., Davidson A., Jones K. Improve accuracy of on-wafer tests via LRM calibration. // Microwaves & RF. - vol. 29. - no. 1. - p. 105-109. - Jan. 1990.

61. Cascade Microtech. On-Wafer Vector Network Analyzer Calibration and Measurements [Электронный ресурс]. URL:

http://www.cmicro.com/download.cfm?downloadfile=CFA9D93D- 5056-B03B-BA2F71E758403426 / (дата обращения: 25.07.2009).

62. Rohde & Schwartz. Calibration The Basics [Электронный ресурс]. URL: http://www2.rohde-schwarz.com/en/service_and_support/Downloads/ Applica-tion_Notes/?letter=I&discontinued=/ (дата обращения: 25.07.2009).

63. Strid E.W. Measurement of Losses in Noise-Matching Networks // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. - 1981. - Vol. 29. - № 3.

64. Jeffrey A., Roger В., Doug K. Robust SOLT and Alternative Calibrations for Four-Sampler Vector Network Analyzers // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. -1999.-Vol. 47.-№ 10. - P. 2008-2013.

65. Glenn F., Cletus A. Analyzer, Thru-Reflect-Line: An Improved Technique for Calibrating the Dual Six-Port Automatic Network // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. - 1979. - Vol. 27. - № 12. - P. 987-993.

66. Marks R.B. A Multiline Method of Network Analyzer Calibration // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech.- 1991.-Vol. 39.-№7.-P. 1205-1215.

67. Cascade Microtech [Электронный ресурс]. URL: http://www.cmicro.com/products/calibration-tools/wincal-xe/wincal-xe-software/ (дата обращения: 25.07.2009).

68. Cascade Microtech. ISS map 101-190 Cascade [Электронный ресурс]. URL: http://www.cmicro.com/download.cfm?downloadfile=D8FA40C0-5056-B023-20620A0B14D77222/ (дата обращения: 20.02.2012).

69. GGB Industries. Calibration substrates [Электронный ресурс]. URL: http://www.ggb.com/calsel.html/ (дата обращения: 25.07.2009).

70. Lewandowski A., Wiatr W. Analysis of errors in on-wafer measurements due to multi-mode propagation in CB-CPW // Journal of Telecommunications and Information Technology. - 2005. - P. 16-22.

71. Dehan M. Characterization and modeling of SOI RF integrated components: Master's Thesis / Université catholique de Louvain. - Belgium, 2003. - p. 232.

72. Morales A., Agili S., Gaddala S. De-embedding techniques in signal integrity: a comparison study// Conference on Information Sciences and Systems, The Johns Hopkins University-2005,D_

73. Wijnen P.J., Claessen H.R., Wolsheimer E.A. A new straightforward calibration and correction procedure for "on-wafer" high frequency S-parameter measurements (45 MHz-18 GHz) // IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits Technology Meeting. - 1987. - p. 70-73.

74. Koolen M.C.A.M., Geelen J.A.M., Versleijen M.P.J.G. An improved de-embedding technique for on-wafer high-frequency characterization//IEEE Bipolar Circuits and Technology Meeting. - 1991. - p. 188-191.

75. Tiemeijer L.F., Havens R.J., Jansman A.B.M., Bouttement Y. Comparison of the "pad-open-short" and "open-short-load" deembedding techniques for accurate on-wafer RF characterization of high-quality passives // IEEE Trans. - 2005. - Vol. MTT-53. -№2.-p. 723-729.

76. Torres-Torres R., Murphy-Arteaga R., Reynoso-Hernandez J. A. Analytical Model and Parameter Extraction to Account for the Pad Parasitics in RF-CMOS // IEEE Trans. - 2005. - Vol. MTT-52. - № 7. - p. 1335-1342.

77. Junyoung Cha, Jiyong Cha, Seonghearn Lee. Uncertainty Analysis of Two-Step and Three-Step Methods for Deembedding On-Wafer RF Transistor Measurements // IEEE Trans. - 2008. - Vol. MTT-55. - № 8. - p. 2195-2201.

78. Ming-Hsiang Cho, Guo-Wei Huang, Kun-Ming Chen, An-Sam Peng. A novel cascade-based de-embedding method for on-wafer microwave characterization and automatic measurement // IEEE MTT-S International. - 2004. - Vol. MTT-2. - p. 12371240.

79. Mangan A.M., Voinigescu S.P., Ming-Ta Yang, Tazlauanu M. De-embedding transmission line measurements for accurate modeling of IC designs // IEEE Trans. -2006. - Vol. MTT-53. -№ 2. - p. 235-241.

80. Hsiao-Tsung Yen, Tzu-Jin Yeh, Sally Liu. A Physical De-embedding Method for Silicon-based Device Applications // Progress In Electromagnetics Research Symposium, Beijing, China - 2009. - p. 1339-1343.

81. Cho H., Burk, D.E. A three-step method for the de-embedding of high-frequency S-parameter measurements // IEEE Trans. - 1991. - Vol. MTT-38. - № 6. - p. 13711375.

82. Jaeho Lee, Jaehong Lee, Jongwook Jeon, Hee Sauk Jhon, Hyungcheol Shin.

Deembedding Accuracy for Device Scale and Interconnection Line Parasitics // IEEE Microwave and wireless components letters - 2009. - Vol. MTT-19. - № 11. - p. 713715.

83. In Man Kang, Seung-Jae Jung, Tae-Hoon Choi, Jae-Hong Jung, Chulho Chung, Han-Su Kim, Hansu Oh, Hyun Woo Lee, Gwangdoo Jo, Young-Kwang Kim, Han-Gu Kim, and Kyu-Myung Choi. Five-Step (Pad-Pad Short-Pad Open-Short-Open) De-Embedding Method and Its Verification // IEEE Electron device letters -2009. - Vol. MTT-30. - № 4. - p. 398^100.

84. Vandamme E.P., Schreurs D.M.M.-P., Van Dinther G. Improved three-step de-embedding method to accurately account for the influence of pad parasitics in silicon on-wafer RF test-structures // IEEE Trans. - 2001. - Vol. MTT-48. - № 4. - p. 737742.

85. Duff C., Sloan R. Lumped Equivatent Circuit De-Embedding of GaAs Structures // The Electromagnetics Centre for Microwave and Millimetre-Wave Design and Applications Departament of Electrical Engineering and Electronics, UMIST, Manchester, UK-2002.-p. 211-217.

86. Gould P. A., Davis R.G. The use of EM simulation in on-wafer microwave device de-embedding // IEE Colloquium - 1997. - p. 2/1-2/5.

87. Cho M.H., Chiu C.S., Huang, G.W., Teng Y.M., Chang L.H., Chen K.M., Chen

W.L. A fully-scalable de-embedding method for on-wafer S-parameter characterization of CMOS RF/microwave devices // Radio Frequency integrated Circuits (RFIC) Symposium IEEE - 2005. - p. 303-306.

88. Syed M. Masood, Tom K. Johansen, Jens Vidkjaer, Viktor Krozer. Uncertainty estimation in SiGe HBT small-signal modeling // Gallium Arsenide applications symposium - 2005. - p. 393-396.

89. National Instruments [Электронный ресурс]. URL: http://www.ni.com / (дата обращения: 04.07.2011).

90. Agilent Technologies [Электронный ресурс]. URL: http://www.agilent.com / (дата обращения: 04.07.2011).

91. MathWorks [Электронный ресурс]. URL: http://www.mathworks.com/ (дата обращения: 04.07.2011).

92. Cascade Microtech [Электронный ресурс]. URL: http://www.cmicro.com/ (дата обращения: 04.07.2011).

93. FOCUS Microwaves [Электронный ресурс]. URL: http://www.focus-microwaves.com / (дата обращения: 04.07.2011).

94. AWR Corporation [Электронный ресурс]. URL: http://web.awrcorp.com/ (дата обращения: 04.07.2011).

95. Chang К. Encyclopedia of RF and Microwave Engineering. - Wiley-Interscience. -2005.-P. 5796.

96. Денисенко В. Моделирование МОП транзисторов // Компоненты и технологии. -2004.-№7. -С. 26-29.

97. Jarndal A., Kompa G. A New Small-Signal Modeling Approach Applied to GaN Devices // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 11/2005, vol.53, No.l 1, pp.3440-3448.

98. Gil J., Shin H. A simple wide-band on-chip inductor model for silicon-based RF ICs, IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 51, no. 9, pp. 2023-2028, Sep. 2003.

99. Yun I., Carastro L. A., Poddar R., Brooke M. A., May G. S., Kyung-Sook Hyun, Pyun K.E. Extraction of Passive Device Model Parameters Using Genetic Algorithms, ETRI Journal, vol.22, no.l, Mar. 2000, pp.38-46.

100. Chen Zhen, Guo Lihui. Application of the genetic algorithm in modeling RF on-chip inductors // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques. - 2003. - Vol. 51. -P. 342-346.

101. Durev V., Gadjeva E., Hristov M. Parameter extraction of geometry dependent RF planar inductor model // 17th International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits and Sys-tems". - 2010. - P. 420-424.

102. Noyan K., Aksun M.I. Modern Microwave Circuits. - Artech House. - Boston, London,2005.-P. 604.

103. Шеерман Ф.И. Проектирование СВЧ монолитных интегральных устройств на основе преобразования моделей элементов: Дис. канд. техн. наук / ТУ СУР. — Томск, 2007. - 250 с.

104. X - модели неоднородностей [Электронный ресурс]. - URL: http://www.eurointech.ru/products/AWR/Dmitriev_mwo_2002_3 .pdf (дата обращения: 15.02.2011).

105. Дмитриенко К.С., Бабак Л.И. Построение табличной нелинейной модели phemt-транзистора // 19-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2009). Севастополь, 2009 г.: Материалы конф. - Севастополь: Вебер, 2009. - Т. 1. - С. 119-120.

106. Абрамов А.О., Бабак Л.И., Добуш И.М., Дорофеев С.Ю., Песков М.А., Самуилов А.А. Программа построения моделей элементов СВЧ монолитных интегральных схем на основе многомерных полиномов // Известия Томского политехнического университета. Издательство ТПУ - 2010. - Т. 317. № 5. - С. 88-92.

107. Abel М.Н. Small Signal and Noise Temperature Modeling of Microwave MESFETs using Artificial Neural Networks: Thesis Master of Science / Florida State University College of Engi-neering. - 2005. - P. 70.

108. Watson P.M., Gupta K.C. Design and Optimization of CPW Circuits Using EM-ANN Models for CPW Components // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. - 1997. -Vol. 45. - NO. 12. - P. 2515-2523.

109. Narayana J.L., Sri Rama Krishna K., Pratap Reddy L. ANN Models for Co-planar Strip Line Analysis and Synthesis // International Journal of Computer Science and Network Security. - 2008. - Vol.8. - No.10. - P. 200-204.

110. Wolff I. Coplanar microwave integrated circuits. - Wiley-Interscience. - 2006. -P. 545.

111. Simons R. N. Coplanar, Waveguide Circuits, Components, and Systems. - Wiley-Interscience. - 2001. - P. 439.

112. Добуш И.М., Коколов A.A., Бабак Л.И. Исследование копланарных элементов монолитных интегральных схем // Доклады ТУСУР. - Издательство ТУ-СУРа. - 2010 2 (22) - С. 38-41.

113. Marsh S. Practical MMIC Design. - Artech House. - Boston, London, 2006. -P. 356.

114. Балабанян H. Синтез электрических цепей. - M., Госэнергоиздат, 1961.

115. Карни 111. Теория цепей. Анализ и синтез. - М., Связь, 1966.

116. Mangold Т., Russer P. Full-wave modeling and automatic equivalent-circuit generation of millimeter-wave planar and multilayer structures, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 1999, V. MTT-47, No 6, P. 851-858.

117. Timmins I., Ke-Li Wu. An efficient systematic approach to model extraction for passive microwave circuits, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 2000, V. MTT-48, No 9, P. 1565-1573.

118. Gadjeva E., Durev V., Hristov M. Analysis, model parameter extraction and optimization of planar inductors using MATLAB // Matlab - Modelling, Programming and Simulations, InTech, - 2010.

119. Змитрович А.И. Глобальные методы оптимизации - Интеллектуальные информационные системы. - Минск: Изд-во ТетраСистемс, 1997. - 368 с.

120. Ochotta E.S., Rutenbar R.A., Carley L.R. Synthesis of high-performance analog circuits in ASTRX/OBLX // IEEE Trans, on CAD. - 1996. - Vol. 153. - № 3. - pp. 273-294.

121. Phelps R. ANACONDA: Robust synthesis of analog circuit via stochastic pattern search // IEEE Conf. Custom Integrated Circuit. - 1999. -pp. 26.3.1-26.3.4.

122. Черкашин M.B. Автоматизированное проектирование транзисторных СВЧ усилителей на основе декомпозиционного подхода: Дис. канд. техн. наук / ТУСУР. - Томск, 2006. - 301 с.

123. Черкашин М.В. Программа символьного анализа линейных шумящих электронных схем // Радиотехнические и информационные системы и устройства: Тез. докл. науч.-метод. Конф - Томск, 1997. - С. 151-153

124. Манзон Б.М. Maple V Power edition. - Филинь. - 1998. - С.240

125. Разработка методов, алгоритмов и интеллектуального программного обеспечения для синтеза микроэлектронных СВЧ устройств с использованием точных моделей интегральных элементов: Отчет о НИР (1 этап) / ТУСУР; Руководитель А.Н. Сычев. - №П669. - Т., 2010.- 170 с.

126. Hao-Hui Chen, Huai-Wen Zhang, Shyh-Jong Chung, Jen-Tsai Kuo, Tzung-

Chi Wu. Accurate Systematic Model-Parameter Extraction for On-Chip Spiral Inductors // IEEE Trans. - 2008. - Vol. 55, № 11. - P. 3267-3273.

127. Shih Y.C., Pao C.K., Itoh T. A broadband parameter extraction technique for the equivalent circuit of planar inductors // IEEE MTT-S International. - 1992. - P. 13451348.

128. Young-Ghyu Ahn, Seong-Kyun Kim, Jung-Hoon Chun, Byung-Sung Kim.

Efficient Scalable Modeling of Double-^ Equivalent Circuit for On-Chip Spiral Inductors // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. - 2009. - Vol. 57. - NO. 10. - P. 22892300.

129. Jansen R. H., Wiemer L., Finlay H.J., Suffolk J.R., Roberts B.D., Pengelly

R.S. Theoretical and Experimental Broadband Characterisation of Multiturn Square Spiral Inductors in Sandwich Type GaAs MMICs // 15th European Microwave Conference. - 1985. - P. 946-952.

130. Коколов A.A., Бабак Л.И. Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов // Доклады ТУСУР. - Издательство ТУСУРа. - 2010 2 (22) - с. 153-156.

131. Kang М., Gil J., Shin Н. A simple parameter extraction method of spiral on-chip inductors // IEEE Trans. Electron Devices. - 2005. - Vol. 52. - NO. 9. - P. 1976-1981.

132. Chen Zhen, Guo Lihui. Application of the genetic algorithm in modeling RF on-chip induc-tors // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. - 2003. - Vol. 51. - NO. 2. -P. 342-346.

133. Shirakawa K., Oikawa H., Shimura Т., Kawasaki Т., Ohashi Y., Saito Т., Daido Y. An approach to determining an equivalent circuit for HEMTs // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. - 1995. - Vol. 43. - NO. 3. - P. 499-503.

134. Сешу С., Балабанян Н. Анализ линейных цепей. - M.-JL, Госэнергоиздат, 1963.

135. Сигорский В.П., Петренко А.И. Алгоритмы анализа электронных схем. -М., Советское радио, 1976.

136. Ларин А.Г. Машинная оптимизация электронных узлов РЭА. М., Сов. радио, 1978.

137. Шумков Ю. М., Эйдельнант В. М. Программное обеспечение автоматизированного проектирования радиоэлектронных схем. - Киев: Техника, -1994.

138. Шафаревич И.Р. Основы алгебраической геометрии, Т. 1,2- М., Наука, 1988.

139. Быков В.И., Кытманов A.M., Лазман М.З. Методы исключения в компьютерной алгебре многочленов. - Новосибирск, Наука, 1991.

140. Калниболотский Ю.М., Королев Ю.В. Синтез электронных схем. - Киев: Вища школа. -1979.

141. Калниболотский Ю.М., Рысин B.C. Проектирование электронных схем, -Киев: Техника, -1976.

142. Ван дер Варден. Современная алгебра. Т. 2. - М., Гостезиздат, 1947.

143. Ляпин Е.С. Курс высшей алгебры. - М., Учпедгиз, 1955.

144. Андерсон Д.О., Скот Р.У. Стабилизация обратной связью по выходу - решение методами алгебраической геометрии // ТИИЭР, 1975, Т. 65, С. 40-55.

145. Anderson В., Bose N., Jury Е. Output feedback stabilization and related problems - Solution via decision methods. - IEEE Trans. Automat. Contr., 1975, V. AC-20, No 2, P. 53-66.

146. Гупта К., Гардж P., Чадха P. Машинное проектирование СВЧ устройств: Пер. с англ.- М.: Радио и связь, 1987 - 432.

147. Герсковиц Г. Машинный расчет интегральных схем, М., Мир, 1971.

148. Фидлер Дж., Найтингейл К. Машинное проектирование электронных схем, - М., Высшая школа, 1985.

149. Компьютерная алгебра. Символьные и алгебраические вычисления. Под ред. Б. Бухбергера и др. - М., Мир, 1986.

150. Дэвенпорт Дж., Сире Й., Турнье Е. Компьютерная алгебра. - М., Мир, 1991.

151. Кокс Д., Литтл Дж., О'Ши Д. Идеалы, многообразия и алгоритмы. - М., Мир, 2000.

152. Демидович Б.П., Марон И.А. Основы вычислительной математики. М., Наука, 1966.

153. Калахан Д. Методы машинного расчета электронных схем / Перевод с англ. под ред. С.И. Сирвидас. - М.: Мир. - 1970. - 324 с.

154. Силаев М.А., Брянцев С.Ф. Приложение матриц и графов к анализу СВЧ устройств. - М.: Советское радио, - 1970. - 228 с.

155. Marazzi Е., Monaco V.A. On computer-oriented design of microstrip amplifiers with component tolerance assignment // Alta Frequenza. - 1975. - Vol. XLIV. - № 4. -P. 174-179.

156. Сигорский В.П., Петренко А.И. Основы теории электронных схем. - Киев, Вища школа, 1971.

157. Текшев В.Б. Шумовые характеристики транзисторных усилителей с обратной связью // Радиотехника. - 1985. - т. 40. - № 5. - С. 37-39.

158. Курош А.Г. Курс высшей алгебры. - М., Наука, 1975.

159. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. - М., Наука, 1974.

160. Бахвалов Н.С. Численные методы, - М., Наука, 1987.

161. Koza J.R., Bennett F.H. Automated synthesis of analog electrical circuits by means of genetic programming // IEEE Trans, on Evolutionary Computation. - 1997. -Vol. 1. - № 2. - pp. 109-128.

162. Lonh J.D. and Colombano S.P. A circuit representation technique for automated circuit de-sign // IEEE Trans, on Evolutionary Computation. - 1999. - Vol. 3. - № 9. -pp.205-129.

163. Anvari K., Baden-Fuller A. J. Computer-aided design of microwave amplifiers by the ran-dom addition of new components // IEE Proc. - 1986. - Vol. 123. - Pt. H. -No 5.-P. 395-398.

164. Tan J.P.H., Junyi Yuan, Rezazadeh A.A., Qing Sun. Temperature dependent small-signal model parameters analysis of AlGaAs/InGaAs pHEMTs in multilayer 3D MMIC technologye // IEEE EuMIC. - 2010. - p. 174-177.

165. Winson P.B., Lardizabal S.M., Dunleavy L. A table-based bias and tempera-tare-dependent small-signal and noise equivalent circuit model // IEEE Trans. - 1997. -vol. 45.-№ l.-p. 46-51.

166. Hong Shen, Jose Arreaga, Ravi Ramanathan, Heather Knoedler, John Sawyer, Shiban Tiku. Fabrication and characterization of thin film resistors for GaAs-based power amplifiers // Journal Microelectronic Engineering. - 2006. - vol. 83. -№2.-p. 46-51.

167. Lardizabal S., Dunleavy L., Wing Yau, Bar S. Experimental investigation of the temperature dependence of PHEMT noise parameters // IEEE MTT-S International. -1994.-vol. 2.-p. 845-848.

168. Lardizabal S.M., Fernandez A.S., Dunleavy L.P. Temperature-dependent modeling of gallium arsenide MESFETs // IEEE Trans. - 1996. - vol. 44. - № 3. - p. 357363.

169. Hirose M., Ishida K., Toyoda N. Computer analysis on the temperature dependence of GaAs MESFET characteristics // Trans. IEICE. - 1988. - vol. E71. - № 5. -p. 479-481.

170. Curtice W.R. Intrinsic GaAs MESFET equivalent circuit models generated from two-dimensional simulations // IEEE Trans. - 1989. - vol. 8. - № 4. - p. 395-402.

171. Atherton J.S., Snowden C.M., Richardson J.R. Characterization of thermal effects on microwave transistor performance using an efficient physical model // IEEE MTT Symp. Dig. - 1993. - vol. 3. - p. 1181 -1184.

172. Liechti C.A., Larrick R.B. Performance of GaAs MESFET's at low temperatures // IEEE Trans. - 1976. - vol. 24. - № 6. - p. 376-381.

173. Weinreb S. Low-noise cooled GASFET amplifiers // IEEE Trans. - 1980. -vol. 28.-№10.-p. 1041-1054.

174. Laskar J., Kruse J., Feng M. Cryogenic small-signal model for 0.55 pm gate length ion-implanted GaAs MESFET's // IEEE Microwave Guided Wave Lett. - 1992. - vol. 2. - № 6. - p. 242-244.

175. Pengelly R.S., Gabay D., Gerber J., Rohde U. Transistor model predicts effects of temperature // Microwaves & RF. - 1989. - p. 117-121.

176. Anholt R.E. Swirhun S.E. Experimental Investigation of the Temperature Dependence of GaAs FET Equivalent Circuits // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1992. - Vol. 39, № 9 - P. 2029-2036.

177. FemandezA.S., Dunleavy L.P., Ahernathy P.C., Rollman J. An improved FET model extraction technique with applications to temperature-dependent FET modeling // 4th Annual Florida Microelectronics Conf. Dig. - 1992.

178. Валюхов В.П., Сурыгин А.И. Коэффициент шума усилителей с общими отрицательными обратными связями // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. -1982. - Т. 25. - № 11. - С. 36-40.

179. Манченко Л.В. Исследование на ЭВМ влияния обратной связи на устойчивость и широкополосность усилителей на биполярных транзисторах // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. - 1981. -Вып. 5. - С. 57-59.

180. Текшев В.Б. Шумовые характеристики транзисторных усилителей с обратной связью // Радиотехника. - 1985. - т. 40. - № 5. - С. 37-39.

181. Толстихин М.Б., Сидоров Н.Б. Анализ влияния индуктивности вывода истока полевого GaAs транзистора на параметры СВЧ усилителя // В сб. "Полупроводниковая электроника в технике связи" / Под ред. И.Ф. Николаевского. -М.: Радио и связь, - 1985. - Вып. 25. - С. 136-143.

182. Толстихин М.Б., Сидоров Н.Б. Анализ чувствительности основных характеристик СВЧ усилителя с обратной связью к разбросу параметров транзистора // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. - 1985. - Вып. 6. - С. 28-30.

183. Бабак Л.И. Автоматизированное проектирование и разработка транзисторных широкополосных СВЧ усилителей: Дис. канд. техн. наук / Л.И. Бабак. -Томск: ТИАСУР, - 1983. - 398 с.

184. Бабак Л.И. Анализ транзисторных СВЧ усилителей с обратной связью с помощью круговых диаграмм // В сб. "Полупроводниковая электроника в технике связи" / Под ред. И.Ф. Николаевского. - М.: Связь, - 1978. - Вып. 19. - С. 6981.

185. Бабак Л.И. Расчет параметров рассеяния и круговых диаграмм каскадных усилительных цепей с корректирующим двухполюсником // В сб. "Широкополосные усилители" / Под ред. А.А. Кузьмина. - Томск: Изд-во ТГУ, - 1975. Вып. 4.-С. 4-17.

186. Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. - М.: Сов. радио, -1980.-368 с.

187. 162_Abrie P.L.D. Design of RF and microwave amplifiers and oscillators. -London-Boston: Artech House, - 2000. - p. 480.

188. Толстихин М.Б., Грищенко C.B., Сидоров H.B. Анализ и расчет транзисторного СВЧ усилителя с параллельной обратной связью // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. -1983. - Вып. 12. - С. 37-40.

189. Besser L. Design considerations of а 3.1 -3.5 GHz GaAs FET feedback amplifier // IEEE Trans,- 1972. - Vol. MTT-23. - P. 230-232.

190. Besser L. Stability consideration of low-noise transistor amplifiers with simultaneous noise and power match // MTT-S Int. Microwave Symp. Digest. - 1975. - P. 327-329.

191. Niclas K.B. Noise in Broad-Band GaAs MESFET Amplifiers with Parallel Feedback // IEEE Trans. - 1982. - Vol. MTT-30. - № 1. - P. 63-70.

192. Покровский M. Ю. Декомпозиционный синтез транзисторных малошу-мящих широкополосных УВЧ и СВЧ усилителей: Дис. канд. техн. наук / М.Ю.Покровский. - Томск: ТИАСУР, -1993. - 213 с.

193. Niclas К.В. Noise in Broad-Band GaAs MESFET Amplifiers with Parallel Feedback // IEEE Trans. - 1982. - Vol. MTT-30. - № 1. - P. 63-70.

194. Pavio A.M. A network modeling and design method for a 2-18 GHz feedback amplifier // IEEE Trans. - 1982. - Vol. MTT-30. - № 12. - P. 2212-2216.

195. Terzian P.A., Clark D.B., Waugh R.W. Broad-band GaAs monolithic amplifier using negative feedback // IEEE Trans. - 1982. - Vol. MTT-30. - № 11. - P. 20172020.

196. Бабак Л.И. Автоматизированный синтез двухполюсных цепей коррекции полупроводниковых устройств ВЧ и СВЧ // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника.

- 1993. - Т. 36. -№ 10,- с. 35-44. - № 11. -С. 3-11.

197. Gonzales G. Microwave transistor amplifiers. Analysis and design / Prentice-Hall Inc., Englewood Cliffs, NJ, - 1984. - p. 217.

198. Babak L.I. Decomposition synthesis approach to design of RF and microwave active circuits // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. - 2001. - Vol. 2. - P. 11671170.

199. Бабак Л.П., Черкашин М.В., Поляков А.Ю., Бодунов К.С., Дягилев А.В.

Программы «визуального» проектирования транзисторных СВЧ усилителей // Сб. трудов 15-ой межд. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». - 2005. - Т. 2. - С. 425^-26.

200. Бабак Л.И., Черкашин М.В., Зайцев Д.А. Программа «визуального» проектирования корректирующих и согласующих цепей СВЧ устройств // Сб. трудов 15-ой межд. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». - 2005. - Т. 2. - С. 423-424.

201. Babak L.I., Cherkashin M.V. Interactive "visual" design of matching and compensation networks for microwave active circuits // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest. - Phoenix. AZ. - 2001. - P. 2095-2098.

202. Кошевой C.E., Добуш И.М., Шеерман Ф.И. Программная среда INDESYS-MS для автоматизации процесса измерений // Технологии MICROSOFT в теории и практике программирования: Сб. трудов VI всероссийской научи.-практич. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых. - Томск: изд-во ТПУ, 2009. - С. 320-322.

203. Песков М.А., Дорофеев С.Ю., Барышников А.С., Кошевой С.Е., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И. Интеллектуальная система автоматизированного проектирования СВЧ-устройств INDESYS // Информационные технологии. - 2010. - №2.

- С. 42-48.

204. Сальников А.С., Каратаев Е.П., Добуш И.М. Программы для хранения и статистического анализа результатов измерений СВЧ монолитных интегральных схем //21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекомму-

никационные технологии» (КрыМиКо'2011): Материалы конф. в 2 т. - Севастополь: Вебер, 2011. - Т. 1. - С. 212-213.

205. Степачева А.В., Добуш И.М. Программный модуль для экстракции параметров эквивалентных схем пассивных компонентов СВЧ МИС в системе INDESYS-MS // Электронные средства и системы управления: Матер, докладов Междунар. научно-практ. конф.: - Томск: В-Спектр. - 2011. - С. 181-185.

206. Vector Network Analyzer R&S ZVA40 Specifications [Электронный ресурс]. -URL: http://www.metrictest.com/catalog/pdfs/productjpdfs/rs_zva.pdf / (дата обращения: 15.01.2012).

207. WIN Semiconductors Corp. [Электронный ре-сурс]. - URL: http://www.winfoundry.com/en_US/support.aspx?sn=8/ (дата обращения: 15.01.2012).

208. Ющенко А.Ю., Айзенштат Г.И., Божков В.Г., Бабак Л.И., Добуш И.М., Сальников А.С. СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов // Доклады ТУСУР. - 2010. - № 2(22), ч. 1. - С. 59-61.Ис4_

209. Бабак Л.И., Черкашин М.В., Зайцев Д.А. «Визуальное» проектирование корректирующих и согласующих цепей полупроводниковых СВЧ-устройств. Часть 1. Описание процедуры проектирования // Доклады ТУСУР. - 2006. - № 6(14).-С. 11-23.

210. Добуш И.М., Коколов А.А., Дмитриенко К.С., Сальников А.С., Федоров Ю.В., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И. Копланарный монолитный усилитель Ка-диапазона на основе отечественной GaAs наногетероструктурной техно-логии // Доклады ТУСУРа. - Томск, 2010. - №1 (21), ч.2. - С. 55-62.

211. Черкашин М.В., Коколов А.А., Добуш И.М., Бабак Л.И. Проектирование однокаскадного монолитного усилителя Ка-диапазона с использованием комплекса программ автоматизированного синтеза // Доклады ТУСУРа. - Томск, 2010. - №2 (22), чЛ. - С. 25-29.

212. Черкашин М.В., Коколов А.А., Добуш И.М., Бабак Л.И. Автоматизированное проектирование двухкаскадного копланарного монолитного усилителя Ка-диапазона. // Доклады ТУСУРа. - Томск, 2010. - №2 (22), 4.1. - С. 30-33.

213. Черкашин М.В., Дмитриенко К.С., Коколов А.А., Добуш И.М., Сальников А.С., Федоров Ю.В., Шеерман Ф.И., Бабак Л.И. Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе отечественной 0,15 мкм mHEMT GaAs технологии // 20-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2010): Материалы конф. в 2 т. - Севастополь: Вебер, 2010. - Т. 1. - С. 137-138.

214. Бабак Л.И., Черкашин М.В., Зайцев Д.А., Бодунов К.С., Казанцев Е.В.

Комплекс программ «визуального» проектирования транзисторных СВЧ усилителей и пассивных цепей // Сб. докладов межд. научн.-практ. конф. «Электронные средства и системы управления. Опыт инновационного развития». - Томск: В-Спектр,-2007.-Ч. 2.-С. 113-115.

215. Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Галиев Г.Б. Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ диапазона на GaAs рНЕМТ гетероструктурах // Доклады ТУСУРа. - Томск, 2010. - №2 (22), ч.1. - С. 49-55.

216. Сальников А.С., Коколов А.А., Шеерман Ф.И. Разработка библиотеки элементов для проектирования отечественных гетероструктурных СВЧ МИС в

среде Microwave Office// Доклады ТУСУРа. - Томск, 2010. - №2 (22), ч. 1. -С.157-160.

217. Бабак Л.И., Вьюшков В.А. Программа синтеза согласующих цепей на основе генетического алгоритма // Сб. трудов 16-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» - Севастополь: «Вебер», 2006.-Т. 1 - С. 209-210.

218. Cherkashin M.V., Eyllier D., Babak L.I. Design of 2-10 GHz feedback MMIC LNA using «visual» technique // Proc. 35th Europ. Microwave Conf., Paris, France, 2005,pp.1153-1156.

219. Мокеров В.Г., Бабак Л.И., Федоров Ю.В. Монолитные широкополосные малошумящие усилители Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs р-НЕМТ технологии // 18-я Межд. Крымская конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2008); Материалы конф. - Севастополь: Вебер, 2008. Т. 1. с. 63-64.

220. Мокеров В.Г., Бабак Л.И., Федоров Ю.В., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И., Бугаев A.C., Кузнецов А.Л., Гнатюк Д.Л. Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs рНЕМТ-технологии // Доклады ТУСУРа. - Томск, 2010. - №2 (22), ч. 1. - С. 105117.