Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Дьячков, Сергей Александрович

• Дьячков, Сергей Александрович
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Дьячков, Сергей Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Развитие технологии «кремний на изоляторе» (КНИ).

1.2. Перспективы применения структур кремний на изоляторе».

1.3. Технологии создания структур «кремний на изоляторе».

1.4. Обзор существующих методов сращивания.

1.4.1. Непосредственное термокомпрессионное сваривание двух поверхностей кремния (НТСК).

1.4.2. Твердоадгезионное^,соединение поверхностей, покрытых тонким слоем диэлектрика.

1.4.3. Спекание кремниевых структур ситаллом или стеклом.

1.4.4. Спекание через слой металла или силицида.

1.4.5. Анодное сращивание.

1.5. Обзор свойств диэлектрических материалов.

1.6. Структура силикатных стекол.

1.7. Свойства силикатных стекол.

1.8. Зависимость свойств силикатных стекол от содержания оксидов щелочных и щелочно-земельных металлов.

Выводы к главе 1.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Нанесение пленок металлов.

2.2. Нанесение пленок стекла.

2.3. Дифференциально-термический анализ.

2.4. Методика анодного сращивания полупроводника или металла с диэлектриком.

2.5. Методика определения толщины нанесенных пленок с помощью микроскопа МИИ-4.

2.6. Методика определения удельного электрического сопротивления.

2.7. Использование телевизионно-оптической системы для контроля параметров чувствительных элементов датчиков давления.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

НА ПРОЦЕСС АНОДНОГО СРАЩИВАНИЯ.

3.1. Исследование электропроводности стекол.

3.2. Исследование механизма процесса анодного сращивания.

3.3. Исследование кинетики процесса анодного сращивания.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА

АНОДНОГО СРАЩИВАНИЯ.

Выводы к главе 4.

ГЛАВА 5. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ АНОДНОГО СРАЩИВАНИЯ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ.

5.1. Микромеханический вибрационный гироскоп.

5.2. Датчики давления.

Выводы к главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур»

Создание интегральных схем (ИС) с улучшенными характеристиками по быстродействию, помехозащищенности, энергопотреблению, схем "разумной мощности", микро-электромеханических устройств (акселерометров, гироскопов, датчиков различного типа и т.п.) требует разработки и применения новых технологических процессов. Среди бурно развивающихся технологий процессы термического сращивания являются основой для производства структур типа кремний на изоляторе (КНИ) и многослойных структур для различных микро-электромеханических систем (МЭМС).

Совершенствование технологий низкотемпературного сращивания необходимо для радикального технологического и технико-экономического улучшения производства структур типа КНИ и элементов микромеханических устройств, используемых для широкой номенклатуры разрабатываемых интегральных схем и приборов.

Целью работы являлось исследование и совершенствование технологического процесса низкотемпературного сращивания кремниевых пластин и стекла в присутствии электрического поля для получения многослойных структур.

Достижение поставленной цели складывалось из решения следующих задач:

- разработка методики и экспериментального оборудования для комплексных исследований процесса анодного сращивания;

- установление основных закономерностей, определяющих параметры процесса анодного сращивания полупроводник или металл/стекло;

- исследование влияния химического состава стекол на параметры процесса соединения;

- разработка модели, позволяющей объяснить влияние различных факторов на процесс анодного сращивания.

В рамках данной работы установлено, что при анодном сращивании на границе полупроводник или металл/стекло протекает электрохимическое окисление анода с образованием новой фазы на основе оксида полупроводника или металла, скорость образования которой, первоначально, лимитируется процессами зарядо- и массопереноса через стекло, а затем через образующуюся новую фазу. На основании проведенных экспериментов впервые предложена модель, позволяющая объяснить влияние различных факторов (температуры, напряжения, времени соединения, полярности приложенного напряжения, химического состава диэлектрика) на процесс анодного сращивания. Исследовано и объяснено влияние химического состава стекла на параметры процесса соединения.

Полученные в ходе выполнения работы данные были успешно применены при разработке технологического маршрута изготовления экспериментальных образцов чувствительных элементов датчиков давления в 7

НПК ТЦ МИЭТ, а также для получения многослойных структур кремний на изоляторе (КНИ) (работа выполнялась по заказу секции прикладных проблем Академии Наук РФ). В рамках настоящей работы разработана ИК телевизионно-оптическая система, которая может быть использована для наблюдения макродефектов в сращенном слое и определения геометрических параметров элементов тензочувствительных датчиков.

ГЛАВА

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Дьячков, Сергей Александрович

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Анализ литературы показал, что методы создания структур кремний на изоляторе (КНИ), основанные на сращивании пластин, составляют альтернативу традиционным технологиям микроэлектроники. Данные методы упрощают технологический процесс получения структур КНИ, позволяют добиться более высоких характеристик микроэлектронных приборов, открывают перспективы создания принципиально новых конструкций. Одной из перспективных мате-риаловедческих, технологических, конструкционных и производственных направлений технологии изготовления различных микромеханических систем и интегральных схем является низкотемпературное анодное сращивание, которое дает возможность соединения различных материалов (например, кремния и стекла). Однако широкому применению этого процесса в технологии микроэлектроники препятствует отсутствие модели, объясняющей механизм сращивания и позволяющей выбирать оптимальные технологические режимы в каждом конкретном случае.

2. Разработано и изготовлено экспериментальное оборудование и специальная оснастка, позволяющее исследовать процессы анодного сращивания при получении структур 81/стекло и 81/Ме/стекло.

Предложена методика наблюдения макродефектов в сращенном слое при помощи ПК телевизионно-оптической системы.

3. Проведен комплекс исследований по влиянию технологических режимов (температура, приложенное напряжение, его полярность) на процесс анодного сращивания. Установлены основные закономерности, определяющие параметры процесса анодного соединения полупроводник или металл/стекло.

4. Исследовано влияние химического состава стекла на параметры процесса сращивания и показано, что присутствие катионов одновалентных металлов является необходимым условием протекания процесса.

5. Предложена модель, позволяющая объяснить влияние различных факторов (температуры, напряжения, времени соединения, полярности приложенного напряжения, химического состава диэлектрика) на процесс анодного сращивания. Установлено, что при анодном сращивании на границе полупроводник или металл/стекло протекает электрохимическое окисление анода с образованием новой фазы на основе оксида полупроводника или металла, скорость образования которой, первоначально, лимитируется процессами зарядо- и массо-переноса через стекло, а затем через образующуюся новую фазу. Определена энергия активации процесса сращивания, величина ко

129 торой хорошо коррелирует с химической активностью материала анода.

6. Установлено, что процесс аналогичен электрохимическому анодированию полупроводников и металлов, причем стекло выполняет роль твердого электролита. Необходимым условием процесса анодного сращивания является наличие отрицательно заряженных кати-онных вакансий в стекле. Кинетика процесса соединения контролируется диффузией вакансий к границе раздела полупроводник (металл )/стекло и хорошо описывается уравнением Аврами (Аврами-Джонсона-Мела-Ерофеева).

7. По результатам проведенных исследований разработана соответствующая лабораторная технологическая документация, на основании которой были изготовлены тестовые образцы датчиков давления и микромеханического вибрационного гироскопа, прошедших успешные испытания.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Дьячков, Сергей Александрович, 2000 год

1. Т. Nakamura, "Method of Making a Semiconductor Device," U.S. Patent No. 3,239,908, 1962.

2. E. F. Cave, "Method of Making a Composite Insulator Semiconductor Wafer," U.S. Patent No.3,290,760, 1966.

3. Mirza A.R., Ay on A.A. Silicon wafer bonding for MEMS manufacturing. Solid State Technology, Aug99, Vol. 42 Issue 8.

4. Alles, Michael L. A tale of SOI materials. IEEE Spectrum, Jun97, Vol. 34 Issue 6.

5. M. Esashi, N. Ura, Y. Matsumoto. Anodic bonding for integrated capacitive sensors. Proc. IEEE Workshop on Micro Electro Mechanical Systems, Travemünde, Germany. 1992 , pp. 43-48.

6. W.P. Maszara, G. Goetz, A. Caviglia, J.B. McKitterick. Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator. J. Appl. Phys. 64 (10). 1988, 49434950.

7. H.J. Quenzer, W. Benecke and C. Dell. Low temperature wafer bonding for micromechanical applications, Proc. IEEE Micro Electro Mechanical Systems, Travemünde, Germany, Feb. 1992, pp. 49-55.

8. New SOI Technology //Techno Japan Vol. 20-No. 5, May 1987.

9. Mehra, Amit, Ayon, Arturo A. Microfabrication of high-temperature silicon devices using wafer bonding and deep reactive ion. Journal of Microelectromechanical Systems, Jun99, Vol. 8 Issue 2.

10. An NPN Transistor Fabricated by Silicon Wafer Direct-Bonding. Masaki Atsuta, Tsunco Odura, Akio Nakadawa, Ohashi Hiromichi. Extended Abstracts of the 19-th Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1987, pp. 47-50.

11. Kuehne, Stephen C., Chan, Alice B.Y. SOI MOSFET with buried body strap by wafer bonding. IEEE Transactions on Electron Devices, May98, Vol. 45 Issue 5, pl084.

12. Ljubisa Ristic. Sensor technology and devices. Artech House. Boston London. 1994.

13. Givargizov E.I., and Limanov A.B. (1988) Artificial epitaxy (graphoepitaxy) as an approach to the formation of SOI, Microelectronic Eng. 8, 273-291.

14. Pandya R., and Martinez A. (1988) Large-area defect-free silicon-on-insulator films by zone-melt recrystallization, Appl.phys.Lett. 52, 901-903.

15. Skorupa W. Ion beam processing for silicon-on-insulator/ Physical and Tecnical Problems of SOI Structures and Devices. J.P.Colinge et al. (eds). 1995 Kluwer Academic Publishers .NATO ASI Series 3.Yigh Technology-Vol.4 p 3954.

16. Fan J.C.C., Geis M.W., and Tsaur B.-Y. (1981) Lateral epitaxy by seeded solidification for growth of single-crystal Si films on insulator, Appl. Phys. Lett. 38, 365-367.

17. Skorupa W. Ion beam processing for silicon-on-insulator/ Physical and Tecnical Problems of SOI Structures and Devices. J.P.Colinge et al. (eds). 1995 Kluwer Academic Publishers .NATO ASI Series 3.Yigh Technology-Vol.4 p 3954.

18. Allen L.P., Farley M., Datta R, Jones K.S., at al Fundamental Material Analysis and SIMOX Improvement as a Function of Independent Implant Parameter Control. 1996 IEEE SOI Conference. P32-33.

19. M.J.Anc, L.P.Allen, at al. Characterization of Low Dose SIMOX for Low Power Electronics. 1996 IEEE SOI Conference. P54-55.

20. Silicon-on-Insulator by Wafer Bonding: a Review. W.P. Maszara// Electrochem.Soc., vol.138, No.l, January 1991, 341-347.

21. Kelly M., Guilinger T. Wafer bonding: Quartz-to-quartz. Interface, Fall99, Vol. 8 Issue 3, pi6.

22. Johansson M., Bengtsson S. Depleted semi-insulating silicon/silicon material formed wafer bonding. Journal of Applied Physics, 07/15/2000, Vol. 88 Issue 2, pi 118.

23. New SOI Technology //Techno Japan Vol. 20 No. 5, May 1987.

24. Clarke P. Soitec plans to license SOI wafer technology. Electronic Engineering Times, 10/19/98 Issue 1031, p3 8.

25. Ishihara Kei, Chi-Fan Yung. An inertial sensor technology using DRIE and wafer bonding with interconnecting capability. Journal of Microelectromechanical Systems, Dec99, Vol. 8 Issue 4, p403.

26. Partridge A., Reynolds J. Kurth. A high-performance planar piezoresistive accelerometer. Journal of Microelectromechanical Systems, Mar2000, Vol. 9 Issue l,p58.

27. Patriarche G., Jeannes F., et al. Structure of the GaAs/InP interface obtained by direct wafer bonding optimised for surface. Journal of Applied Physics, 11/15/97, Vol. 82 Issue 10, p4892.

28. Silicon-to-Silicon direct bonding method. M.Furuhawa. J.Appl.Phys. 1986.V.60, N 8; 2987-2989.

29. Timpel D., Schaible M. Molecular dynamics studies of silica wafer bonding. Journal of Applied Physics, 03/01/99, Vol. 85 Issue 5, p2627.

30. Технология прямого соединения кремниевых пластин и ее применение, Shinbo Masaru. "Дэнси дзеко цуены гаккаиси. J. Inst. Electron and Commun. Eng. Jap"., 1887, 70, N-6, 593-595.

31. Low-temperature silicon-silicon bonding with oxides./ FIELD Lestic A., Muller Richard S.// Acts polytechn. seand. Elec. End. S r. 1988,- N 63, pp. 151-153.

32. Maszara W.P.,Goetz G., Cavigilia A. Mc.Kitterick J.B. // J. Appl. Phys. 1986. V.64. № 10. P 1943 1950.

33. Tsoukalas D., Skarlatos D. Investigation of the interaction between silicon interstitials and dislocation loops using the wafer bonding technique. Journal of Applied Physics, 06/15/2000, Vol. 87 Issue 12, p8380.

34. Tong Q.-Y, Lee T.-H., Gosele U., Reiche M., Ramm Y, Beck E. // J. Electrochem.Soc. 1997. V.144. № 1. P. 384 -389.

35. Stengl R, Tan T, Gosele U. // Japan J. Appl. Phys. 1989. V. 28. № 10. P 1735-1741.

36. K.B. Albaugh, P.E. Cade. Mechanisms of anodic bonding of silicon to pyrex. Tech. Dig., Solid-State Sensor and Actuator Workshop (1988), pp. 109-110.

37. Y. Kanda, K. Matsuda, C. Murayama, J. Sugaya, The mechanism of field-assisted silicon-glass bonding. Sensors and Actuators A21-A23 (1990) 939.

38. Jeung Sang Go, Young-Ho Cho. Experimental evaluation of anodic bonding process based on the Taguchi analysis of interfacial fracture toughness. Sensors and Actuators 73 (1999), pp 52-57.

39. K.B. Albaugh, P.E. Cade. Mechanisms of anodic bonding of silicon to pyrex, Tech. Dig., Solid-State Sensor and Actuator Workshop. 1988 , pp. 109-110.

40. T.R. Anthony. Dielectric isolation of silicon by anodic bonding, J. Appl. Phys. 58 (3). 1985, 1240-1247.

41. T. Abe, T. Takei, A. Uchiyama, K. Yoshizawa, Y. Nakazato. Silicon wafer bonding mechanism for silicon-on-insulator structures. Japanese Journal of Applied Physics 29 (12) 1990 L2311-L2314.

42. A. Hanneborg, M. Nese, P. Ohlckers. Silicon-to-silicon anodic bonding with a borosilicate glass layer, J. Micromech. Microeng. 1 (1991) 139-144.

43. H. Baumann, S. Mack, H. Miinzel. Bonding of structured wafers, in Proceedings of the Third International Symposium on Semiconductor Wafer

44. Bonding: Physics and Applications, Electrocheinical Society Proceedings, 95-97(1995)471-487.

45. M. Despont, H. Gross, F. Arrouy, C. Stebler, U. Staufer. Fabrication of a silicon-pyrex-silicon stack by ac anodic bonding, Sensors and Actuators A 55 (1996)219-224.

46. A. Hanneborg, M. Nese, H. Jakobsen, R. Holm, Silicon-to-thin film anodic bonding, J. Micromech. Microeng, 2 (1992) 117-121.

47. W.-B. Choi, B.-K. Ju, Y.-H. Lee, M.R. Haskard, M.-Y. Sung, M.-H. Oh. Anodic bonding technique under low temperatures and low voltage using evaporated glass, J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 477-481.

48. R. de Reus, M. Lindahl. Si-to-Si wafer bonding using evaporated glass, in Transducers '97, International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Chicago, USA, 1997, pp. 661-664.

49. M. Nese, A. Hanneborg. Anodic bonding of silicon to silicon wafers coaled with aluminium, silicon oxide, polysilicon or silicon nitride, Sensors and Actuators A 37-38 (1993) 61-67.

50. P.W. Barth. Silicon fusion bonding for fabrication of sensors, actuators and microstructures. Sensors and Actuators. A21-A23 (1990) 919-926.

51. P.W. Barth. Silicon fusion bonding for fabrication of sensors, actuators and microstructures. Sensors and Actuators. A21-A23 (1990) 919-926.

52. S.A. Audet, K.M. Edenfeld. Integrated sensor wafer-level packaging. Int. Con. on Solid-State Sensors and Actuators, Chicago, USA. 1997 , pp. 287289.

53. H. Henmi, S. Shoji, Y. Shiji, K. Yoshimi, M. Esashi. Vacuum packaging for microsensors by glass-silicon anodic bonding. Sensors and Actuators A43. 1994, 243-248.

54. S. Mack, H. Baumann, U. Gosele. Gas tightness of cavities sealed by silicon wafer bonding. Proc. IEEE Workshop on Micro Electro Mechanical Systems, Nagoya, Japan. 1997 , pp. 488-493.

55. B. Muller, A. Stoffel. Tensile strength characterization of low-temperature fusion-bonded silicon wafers. J. Micromecha and Microeng. 1. 1991, 161-166.

56. H.J. Moon. An Application of Fracture Mechanics to Wafer Bonding Test, PhD thesis, Korea Advanced Institute of Science and Technology June 1998 .

57. M. Esashi. Encapsulated micromechanical sensors, Microsyst. Tech-nol 1 (1994) 2-9.

58. A. Cozma, B. Puers. Characterisation of the electrostatic bonding of silicon and Pyrex glass, in Micro Mechanics Europe 1994 Workshop Digest, Pisa, Italy, 5-6 September 1994. pp. 40-43.

59. J. Berenschot, J. Gardeniers, T. Lanimerink, M. Elwenspoek. New applications of r.f.-sputtered glass films as protection and bonding layers in silicon micromachining, Sensors and Actuators A 41-42 (1994) 338-343.

60. J.A. Plaza, J. Esteve, E. Lora-Tamayo. Non-destructive in situ test for anodic bonding, Sensors and Actuators A 60 (1997) 176-180.

61. J.A. Plaza, J. Esteve, E. Lora-Tamayo. Nondestructive anodic bonding test, J. Electrochem. Soc. Lett. 144 (5) (1997) L108-L110.

62. J.A. Plaza, J. Esteve, E. Lora-Tamayo. Método no destructive para la determinación de la calidad de la soldadura anodica y mejora de contactos, Spanish Patent No. 9 602 697 (19 Dec., 1996).

63. T.R. Anthony. Direct insolation of silicon by anodic bonding, J. Appl. Phys. 58 (3) (1985) 1240-1247.

64. W.H. Ko, J.T. Suminto and G.J. Yeh. Bonding techniques for microsensors, in Micromaching and Micropackaging for Transducers, Elsevier Science, Amsterdam, 1985.

65. S. Shoji and M. Esashi. Bonding and assembling methods for realizing a|iiTAS. Proc. Micro Total Analysis System Workshop, Enschede, The Netherlands, Nov. 1994, pp. 165-179.

66. D.E. Carison. Ion depletion of glasses at a blocking anode: I. Theory and experimental results for alkali silicate glass, J. Am. Ceram. Soc. 57 (1974) 291.

67. K.B. Albaugh, Electrode phenomena during anodic bonding of silicon to sodium boro-silicate glass, J. Electrochem. Soc. 138 (1991) 3089.

68. A. Cozma, В. Puers, Characterization of the electrostatic bonding of silicon and PYREX glass, J. Micromech. Microeng. 5 (1995) 98.

69. Mclntyre D., Lim M., Tatic-Lucic S., Ames J., Boardman В., Jaramillo P., Starr L. Bond-quality characterization of silicon-glass anodic bonding . Sensors and Actuators A: Physical, 60 (1997), 1-3 (май), 223-227.

70. Masayoshi Esashi, Akira Nakano, Shuichi Shoji and Hiroyuki He-biguchi. Sensors and Actuators. "Low-temperature silicon-to-silicon anodic bonding with intermediate low melting point glass", A21-A23, 931-934, 1990.

71. Thomas R. Anthony. Anodic bonding of imperfect surfaces. J. Appl. Phys. 54 (5), May 1983, pp. 2419-2428.

72. T.L. Anderson. Fracture Mechanics: Fundamentals and Applications, CRC Press, Boca Raton, FL 1995 .

73. R.K. Roy, A Primer on the Taguchi Method. Van Nostrand-Reinhold, New York 1990 .

74. D.E. Carlson, K.W. Hang, G.F. Stockdale. Electrode 'polarization' in alkali-containing glasses, J. Am. Ceram. Soc. 55 (1972) 337.

75. K.B. Albaugh, D.R. Rasmussen. Rate processes during anodic bonding, J. Am. Ceram. Soc. 75 (1992) 2644.

76. G. Wallis. Direct current polarization during field assisted glass-metal sealing, J. Am. Ceram. Soc. 53 (1970) 563.

77. D.E. Carlson. Ion depletion of glasses at a blocking anode: I. Theory and experimental results for alkali silicate glass, J. Am. Ceram, Soc. 57 (1974) 291.

78. S. Grigull, R. Behrisch, U. Kreissig. M. Harz. Simultaneous analysis of low-Z impurities in the near-surface region of solid materials by heavy ion elestic recoil detection (HIERD), Fresenius' 2. Anal. Chem.353 (1995) 578.

79. S. Grigull, U. Kreissig, H. Huber, W. Assmann. Element-dependent ERDA probing depths using different detection systems, Nucl. Instrum. Methods B, submitted for publication.

80. H.Scholz. Glas-Natur, Strukturund Eigenschaften, Springer, Berlin,1988.

81. C.G. Wilson, A.C. Carter. The self-diffusion of sodium ions in a borosilicate glass and a soda-lime glass, Phys. Chem. Glasses 5 (1964) 111.

82. D.E. Carlson, K.W. Hang, G.F. Stockdale. Ion depletion of glass at a blocking anode: II. Properties of ion depleted glasses, J. Am. Ceram. Soc. 57 (1974) 295.

83. M. Harz. DerEinfluB der Elektrodengestaltung aufdie Geschwindigkeit und die Qualität des anodischen Bondens. Sensor Magazine 1 (1995) 24.

84. K. Hauffe. Oxidation von Metallen und Metallegierungen, Springer, Berlin, 1956.

85. Y.H. Yun, P.J. Bray. Nuclear magnetic resonance studies of the glasses in the system Na20-B203-Si02, J. Non-Crystalline Solids 27 (1978) 363.

86. M.E. Milberg, J.G. O'Keffe, R.A. Verhelst, H.O. Hooper. Boron coordination in sodium borosilicale glasses, Phys. Chem. Glasses 13 (1972) 79.

87. D.E. Carlson. Anodic proton injection in glasses, J. Am. Ceram. Soc. 57(1974) 461.

88. R. de Reus. Thin-film diffusion barriers, in: J. Westbrook, R. Rei-scher (Eds.), Intermetallic Compounds—Principles and Practice, Chap, 29, Vol. 2, Wiley, Chichester, UK, 1994, pp. 603-635.

89. M. Harz, W. Bruckner. Stress reduction in anodically bonded silicon and borosilicate glass by thermal treatment, J, Electrochem. Soc. 143 (1996) 1409-1414.

90. A. Cozma, B. Puers. Characterization of the electrostatic bonding of silicon and pyrex glass, J. Micromech. Microeng, 5 (1995) 98-102.

91. D.S. Hurd, R. Caretta, W.W. Gerberich. An experimental fracture mechanics study of a strong interface: the silicon glass anodic bond, J. Mater. Res. 10 (1995) 387-400.

92. J.P. Rasmussen. Master's thesis. Mikroelektronik Centret, Technical University of Denmark, Bidg. 345-East, DK-2800 Lyngby, Denmark, 1994, in Danish.

93. T.R. Anthony. Anodic bonding of imperfect surfaces, J. Appl. Phys. 54 (5) (1983) 2419-2428.

94. K.B. Abaugh, Р.Е. Chade, D. Rasmussen. Mechanics of anodic bonding of silicon to Pyrex glass, Tech. Digest, IEEE Solid-State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head Island. SC, USA. 1988, pp. 939-943.

95. W.Y. Lee, F. Sequeda and J. Salem. Field-assisted bonding below 200 °C using metal and glass thin film interlayer, Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 522-524.

96. S. Shoji and M. Esashi. Photoetching and electrochemical discharge drilling of Pyrex glass, Tech. Digest, 9th Sensor Symp., Japan. 1990, pp.27-30.

97. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М.: Наука,1974.

98. Физико-химические свойства окислов: Справочник. 2-е изд./Под ред. Г.В. Самсонова. М.: Металлургия. 1978.

99. Теплопроводность твердых тел: Справочник/ А.С. Охотин, Р.П. Боровикова, Т.В. Нечаева, А.С. Пушкарский; Под. Ред. А.С. Охотина. М.: Энергоатомиздат, 1984.

100. Таблицы физических величин: Справочник/Под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976.

101. А.А. Лебедев, Труды ГОИ, 2, № 10, 1921.

102. Н.Н. Валенков, Е.А. Порай-Кошиц. Физико-химические свойства тройной системы Na20-Pb0-Si02. Сборник, Изд. АН СССР, 1949, стр. 147.111. А.А. Лебедев, Сб. II, 7.

103. К.С. Евстропьев, Сб. I, 9.

104. W.H. Zachariasen, J. Am. Chem. Soc., 54, 3841, 1932.

105. B.E. Warren, J. Am. Cer. Soc., 24, 256, 1941.

106. Е.Ф. Гросс, В. А. Колесова, Сб. I, 56.

107. J. Biscoe, J. Am. Cer. Soc., 24, 262, 1941.

108. H.B Белов, Изв. АН СССР (сер. геол.), № б, 44, 1951

109. G.J. Bair, J. Am. Cer. Soc., 19, 339, 347, 1936.119. Ф.Д. Брей, Сб. IV, 237.

110. J. Biscoe, A. Pincus, C. Smith, B.E. Warren, J. Am. Cer. Soc., 24, 116, 1941.

111. П.П. Кобеко, Сб. I, 19, 296.

112. B.B. Тарасов, а) Сб. I, 62; б) Сб. II, 78; в) Сб. IV, 23.

113. F.C. Lin, Glass. Ind., 44, 19, 1963.

114. B.V. Rao, VII Congr., № 104.

115. A.D. Pearson, W.R. Northover, J.F. Dewald, W.F. Peck, VI Congr., 357.

116. Б.Т. Коломиец, Т.Н. Мамонтова, Т.Ф. Назарова, Сб. 11, 465.

117. W.E.S. Turner, J. Sos. Glass Techn., 9, 147, 1925.

118. И.В. Гребенщиков, Строение стекла, Сборник. Гостехиздат, 1933, стр. 101.

119. W.C. Hagel, J. D. Mackenzie, Phys. Chem. Glasses, 5, 113, 1964.

120. K.K. Евстропьев, Диффузионные процессы в стекле. Стройиз-дат, 1969.

121. Овчинников В. В. // Электрохимия. 1988. Т. 24. С. 1163.

122. Ghowsi К., Gale R. J.//L Electrochem. Soc. 1989. V. 136. P. 867.

123. Одынец Л. Л. // Электрохимия. 1984. Т. 20. С. 463.

124. Albella J. М., Montero I., Sanchez O., Martinez-Duart J. M.//J. Electrochem. Soc. 1986. V. 133. P. 876.

125. Аппен A.A. Некоторые общие закономерности измененияс-войств силикатных стекол в зависимости от их состава, Докторская дисс., ИХС, 1953.

126. Аппен A.A. Химия стекла. Изд. "Химия". 1970.

127. К.К. Евстропьев, Исследование процессов ионной диффузии и электропереноса в стеклах, Автореф. докт. дисс., ЛТИ, 1966.

128. О.В. Мазурин, Электрические свойства стекол, Госхимиздат,1962.

129. Р.Л. Мюллер, ФТТ, 2, 1339, 1960.

130. Д. Р. Щербачев, И.Н. Сорокин, Д.В. Цветков, Н.Г. Назаров. Моделирование кинетики роста барьерного анодного оксида. Академия наук СССР, Электрохимия, Москва. 1991.

131. F. Günther, J. Am. Cer. Soc., 51, 528, 1968.

132. Павлушкин Н.М., Сентюрин Г.Г., Ходаковская Р.Я. Практикум по технологии стекла и ситаллов. Изд. 2-е перераб. и дополн. - М.: Стройиздат, 1970, 510с.

133. Paulik F., Paulik J. Thermoanalytical investigation using the de-rivatograph-"Interceram", 1979, v.28, №4, 409-410.

134. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. М.: Радио и связь, 1985. - 264 е., ил.

135. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электроду. Справочное издание. Ред. В.Н. Кондратьев. М.: Наука. 1974. 351 с.

136. M.Putty, K.Najafi. "A micromachined vibrating ring gyroscope". Technical Digest, Solid-State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head, 1994,june, 13-16p.

137. Kumar K., Barban N., and Elwell J.M. "The charles stark Draper laboratory", Inc., Cambridge, MA 02139.р^кгрмрют (ТУ)1. Бархоткин В.А.

138. Зам. генерального директора по разработке новой техники и маркетингу,проектирования3 " (2 2000 г.1. Й&ШШШМЭ и "Микрон"1. В.Г.2 2000 г.1. АКТ

139. Изготовленные микросхемы ^^ёНТ!., удовлетворяютпредъявленным требованиям, что свидетельствует о целесообразности использования структур КНИ для изготовления ИС специального назначения.

140. Настоящий акт не является основанием для взаимных финансовых расчетов.1. Представители МИЭТ (ТУ)1. Представитель1. ОАО НИИМЭ и "Микрон1. Зав. кяЛрттппй ОХиЭ .1. Руководитель1. Петрова В.З./1. Луцкий И.Ю./1. Научный руководитель НИР1. Тимошенков С.П./

141. Проректор МГИЭТ (ТУ) С/Гсу^—^ Бархоткин В231. Директор НПК ТЦ

142. Сауров А.Н. 1 " 12. 2000 г.1. АКТо технологической апробации результатов диссертационной работы Дьячкова С.А. на тему: "Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур".

143. Настоящий акт не является основанием для взаимных финансовых расчетов.1. Зав. кафедрой ОХиЭIу Л*■/» ^ /Петрова В. 33./1. Глав, технолог

144. Л^^^Р /Дягилев В.В./ Нач. лаборатории1. Л/( 7 /Зимин В.Н./

145. УТВЕРЖДАЮ" Проректор МГИЭТ (ТУ)1. Поспелов А.С." 2000 г.1. АКТоб использовании результатов диссертационной работы Дьячкова С.А. "Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур".

146. Зав. каф. "Общая химия и эко проф., д.т.н.доц., к.т.н.