Разработка и исследования пленочных термоэлектрических преобразователей для измерения параметров лазерного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Опаричев, Евгений Борисович

• Опаричев, Евгений Борисович
• кандидат технических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат технических наук Опаричев, Евгений Борисович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. ТЕРМОЭЛЕКТРОДНЫЕ МЕДНО-НИКЕЛЕВЫЕ СПЛАВЫ -ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ НАКЛОННОКОНДЕНСИРОВАННЫХ ПРИЕМНИКОВ

ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (литературный обзор)

1Л. Модели термоэлектрических преобразователей

1.2. Измерения лазерного излучения и термоэлементы

на поперечном термоэлектрическом эффекте

1.3. Материалы для резисторов, нагревательных элементов и термопар

1.4. Особенности испарения двухкомпонентных сплавов

2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ИСПАРЕНИЯ, МИКРОСТРУКТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК МЕДНО-НИКЕЛЕВЫХ СПЛАВОВ (теоретическая часть)

2.1. Основные параметры, характеристики и критерии выбора материалов пленочных анизотропных термопреобразователей

2.2. Условия экспериментов, исследований и измерений

2.3. Исследование особенностей испарения медно-никелевого термоэлектродного сплава

2.4. Влияние условий конденсации и отжига на микроструктуру и электрические свойства пленок____

Выводы по главе 2

3. ИССЛЕДОВАНИЕ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК

(экспериментальная часть)

ЗЛ. Методика получения образцов пленок, исследований и

измерений

3.2. Влияние условий конденсации на микроструктуру и свойства осаждаемых пленок

3.3. Влияние условий отжига на анизотропию свойств и поперечную термоэдс наклонноконденсированных пленок

Выводы по главе 3

4. РАЗРАБОТКА И ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ АНИЗОТРОПНЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

(разработка и испытания опытных образцов)

4Л. Топология и конструкция пленочных анизотропных термоэлектрических преобразователей различного

назначения

4.2. Метод изготовления и технологическая оснастка

4.3. Параметры, характеристики и примеры использования 151 Выводы по главе 4

ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследования пленочных термоэлектрических преобразователей для измерения параметров лазерного излучения»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. В связи с многообразием применения лазеров (оптических квантовых генераторов) в различных областях науки и техники и расширяющейся перспективой их использования выдвигается актуальная задача - разработка эффективных средств контроля параметров излучения и управления режимом их работы. Возникает необходимость на более высоком уровне контролировать у лазеров основные параметры -мощность, энергию и т.д. Особенно важным и проблематичным является создание чувствительных приёмно-преобразующих элементов -преобразователей для измерения мощности и энергии непрерывного и импульсного высокочастотного лазерного излучения превосходящих по быстродействию фотоэлектрические преобразователи, а по диапазону спектральной чувствительности термоэлектрические (термопарные) преобразователи. В этом направлении накоплен большой и разнообразный опыт физических экспериментов и технического конструирования, однако, только на уровне поискового характера и без обобщённого материаловедческого и технологического подхода, приводящего к достаточно рациональному практическому решению проблем.

Для измерения параметров лазерного излучения, несомненно, перспективны наклонноконденсированные плёнки на электроизолирующих и теплопроводящих подложках. Они работают в широком спектральном диапазоне, обладают высоким быстродействием, выдерживают потоки излучения большой плотности, несложны и удобны в эксплуатации. Принцип действия наклонноконденсированных плёнок заключается в возникновении термоэдс в плёнке в направлении параллельном подложке под действием падающего на её поверхность излучения. Условием появления этого эффекта в плёнках является наличие в них анизотропии термоэлектрических свойств. Анизотропный (поперечный) термоэлектрический эффект определяется главным образом наклонной

микроструктурой, относительным контактным электрическим сопротивлением и тепловым сопротивлением на границах кристаллитов. Возможность получения искусственно анизотропных плёнок открывает перспективы создания преобразователей на основе разнообразных материалов - полупроводников (теллур), полуметаллов (висмут) и металлов (хром, никель и тантал), что во многом обеспечивает достижение требуемой совокупности параметров.

Наиболее успешной и технически целесообразной представляется разработка преобразователей на основе медно-никелевых термоэлектродных сплавов МНМц 43-0,5 (копель) и МНМц 40-1,5 (константан). Эти сплавы выделяются среди других сплавов высоким абсолютным значением термоэдс и малой теплопроводностью, величина отношения которых является одним из критериев эффективности материала для изготовления преобразователей. Копель и константан имеют сравнительно высокую температуру плавления, жароустойчивы и коррозионноустойчивы. Данные качества позволяют плёнкам этих сплавов выдерживать излучение высокой интенсивности. Положительной особенностью этих сплавов является малая величина температурного коэффициента электрического сопротивления, что имеет большое значение при согласовании преобразователей с измерительной аппаратурой. Производство медно-никелевых сплавов освоено отечественной промышленностью, они имеют низкую стоимость и недефицитны.

Диссертационная работа выполнена в рамках Федеральных целевых научно-технических программ: «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники» на 2002-2006 годы (по лоту 1 - «Проведение научных исследований молодыми учеными». «Индустрия наносистем и материалы») на тему «Материаловедческо-технологическая разработка плёночных

термоэлектрических приёмно-преобразующих элементов для измерителей

температуры, в том числе температуры поверхности»; «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы (по лоту 13 - «Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров в области лазерных, плазменных и пучковых технологий для атомной техники») по теме «Исследование процесса взаимодействия мощных электронных пучков с металлическими материалами, разработка оборудования и технологических основ электронно-лучевой сварки деталей большой толщины».

Цель и задачи работы. Целью данной работы является исследование условий получения методом конденсации в вакууме изотропных (по структуре) плёнок медно-никелевых сплавов копель и константан на электроизолирующих и теплопроводных подложках и разработка на их основе эффективных плёночных анизотропных (по текстуре из-за наклонной конденсации) термоэлектрических преобразователей лазерного излучения.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- установление возможности получения чувствительных к излучению плёнок сплавов копель и константан методом термического испарения и конденсации в вакууме на подложки, наклонно установленные относительно потока паров испаряемого материала;

- исследование особенностей испарения медно-никелевых сплавов копель и константан, и выбор оптимального метода испарения для получения плёнок аналогичного состава;

- выявление особенностей микроструктуры наклонноконденсирован-ных плёнок изучаемых сплавов методами оптической и электронной микроскопии, а также рентгеновской дифрактометрии;

- исследование зависимости характера микроструктуры и анизотропии термоэлектрических свойств плёнок копеля и константана от условий конденсации;

исследования влияния последующей термообработки на анизотропию электрических свойств и величину поперечной термоэдс в наклонноконденсированных плёнках копеля и константана;

- разработка преобразователей различной конструкции (в зависимости от целевого назначения), изготовление опытных образцов, проведение испытаний, внедрение разработанного метода в опытно-промышленное производство.

Научная новизна. В ходе выполнения работы получены следующие результаты, обладающие научной новизной:

- предложены комплексные критерии эффективности материалов для изготовления преобразователей на основе наклонноконденсированных пленок, отличающиеся тем, что в них, к традиционно учитываемым свойствам таким, как коэффициент термоэдс - а0, удельное электрическое сопротивление - р0, удельная теплопроводность - к0, добавлено ещё одно важное свойство - удельная теплоёмкость (с). Это позволяет при различном функциональном назначении однозначно определять эффективность материала плёнок;

- используя предложенные в работе комплексные критерии эффективности материалов для изготовления преобразователей, обоснована возможность получения чувствительных к излучению анизотропных плёнок на основе медно-никелевых сплавов копель и константан методом наклонной конденсации в вакууме. Эти материалы обладают самыми высокими критериями эффективности в ряду типичных металлов и сплавов, они температуро- и коррозионно-устойчивы и имеют малый температурный коэффициент электрического сопротивления. При выборе материалов учитывалась склонность к образованию пластинчатой или волокнистой микроструктуры при наклонной конденсации в вакууме, технологичность и эксплуатационные свойства.

- предложено модельное представление, описываемое дифференциальным уравнением в частных производных, подобным уравнению конвективной диффузии, решение которого методом неявной разностной схемы и использования итерационного метода позволило получить расчётные зависимости состава паров и концентрации легколетучего компонента на поверхности расплава от времени испарения для конкретных сплавов. Это дало возможность оценить целесообразность применения метода термического испарения при отсутствии перемешивания расплава для конкретных сплавов с целью получения плёнок без изменения состава;

- экспериментально определены зависимости характера микроструктуры, анизотропии термоэлектрических свойств и поперечной термоэдс в наклонноконденсированных пленках копеля от условий конденсации. Насыщение поперечной термоэдс наблюдается при температуре конденсации 295 К, скорости конденсации 0,6... 1 нм/с, толщине пленки 1 мкм. Оптимальный угол наклона текстуры относительно нормали подложки 88°.

Практическая значимость. Определены оптимальные условия получения плёнок медно-никелевых сплавов копель и константан с искусственно наведённой анизотропией термоэлектрических свойств методом наклонной конденсации в вакууме.

Разработаны и изготовлены образцы пленочных термоэлектрических преобразователей круглого, квадратного, матричного и полоскового типа для измерения пространственно-энергетических характеристик лазерного излучения.

Изготовлены быстродействующие преобразователи, обладающие временем разрешения 3... 5 не.

На защиту выносятся следующие положения:

- при определении перспективности наклонноконденсированных плёнок медно-никелевых сплавов для преобразователей в зависимости от

конкретных требований, предъявляемых к ним, определяющим фактором анизотропного термоэлектрического эффекта в плёнках является наличие наклонной микроструктуры и относительного контактного электрического и теплового сопротивления между кристаллитами;

- температура конденсации 295 К, скорость конденсации 0,6... 1 нм/с (при испарении навески с прямонакального испарителя), при толщине пленки 1мкм. и оптимальном угле наклона текстуры относительно нормали подложки 88°-это оптимальные условия, позволяющие получать термочувствительные наклонноконденсированные плёнки копеля для преобразователей с высокими функциональными параметрами;

- отжиг наклонноконденсированных плёнок копеля при температуре отжига 453±5 К в течении 20...25 мин, приводит к увеличению чувствительности к излучению в 1,2... 1,5 раз, значительно уменьшается разброс электрического сопротивления и поперечной термоэдс.

выявленные закономерности при формировании наклонноконденсированных пленок медно-никелевых сплавов обеспечивают высокую воспроизводимость метода получения и управляемое производство эффективных преобразователей типа МНМц 43-0,5 (копель).

Обоснованность и достоверность работы. Основные научные положения, выводы и рекомендации подтверждаются материаловедческими исследованиями и экспериментами, проверкой преобразователей на лабораторных и промышленных стендах, показавшими удовлетворительное согласование теоретических и экспериментальных результатов исследований.

Получены Акты о реализации разработок на предприятии: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», ООО «Экоинформсистема» и ООО «ЛАНХИТ».

1. ТЕРМОЭЛЕКТРОДНЫЕ МЕДНО-НИКЕЛЕВЫЕ СПЛАВЫ-ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ НАКЛОННОКОНДЕНСИРОВАННЫХ ПРИЕМНИКОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (литературный обзор1)

В данной диссертации будут обсуждаться методы получения, структура и свойства массивных или объемных и дисперсных веществ и материалов с размерами частиц от 1 мкм до 500 нм (рис. 1.1, 1.2 и 1.3).

В настоящее время, когда речь заходит о развитии и использовании новых технологий, все чаще фигурирует термины «нанотехнология» [8-35]. Фактически так обозначаются технологии на молекулярном уровне.

При этом свойства получаемых веществ с таким характеристиками описывается как классическими закономерностями, так и квантовыми. Волновые и корпускулярные свойства вещества в данном случае не противоречат, а дополняют друг друга.

На рис 1.1. приведена классификация материалов по размеру структурных элементов (Ц) и числу атомов в структурном элементе (п), а на рис. 1.2. классификация нанокристаллитных материалов по геометрической форме и размерности структурных элементов. Размер структурных элементов, как правило, влияет на свойства получаемых малоразмерных образований (например, металлических пленок), что видно из приведенной на рис. 1.3. зависимости удельного электрического сопротивления (р) и температурного коэффициента электрического сопротивления (ар) островковой пленки и нанопленки (в одном из трех направлений).

1 Кроме цитируемых научных трудов, опубликованных в периодической и научно-технической литературе, в диссертации использовались конкретные сведения из юбилейных сборников [1-7], литератур о наноматериалах и нанотехнологиях [8-35], учебников[36-38], монографий [39-111], справочников[112-132], диссертаций [133-134], патентов [135-268] и собственных исследований [269-293]. Как правило, групповое цитирование [с ... по ...] делается в хронологическом порядке.

(=10мкм)

1000 нм

100 нм

10 нм

1 нм

(=1 мкм)

В

=- (=1000 пм)

Д Е

10е ...ю9

106 .. Ю7

ш

II

ш

ш с: О

о

X

о. >»

н-

>.

а.

к о

ш ш о

500 ...1500 о

со о с о

?0 70 3 ...4 1

|- (=100 пм)

Рис. 1.1. Классификация материалов по размеру структурных элементов (Д) и числу атомов в структурном элементе (п): сверхмелкокристаллитные и тонко дисперсные материалы: А -крупнозернистые, Б - субмикрокристаллитные и В - нанокристаллитные материалы, Г - металлические (икосаэдрические) и Д - молекулярные (фуллерены и другие) кластеры (кластеры или малые атомные агрегации -промежуточное звено между изолированными атомами и молекулами и массивными твердыми телами) и Е - атомы, двух- и трехатомные молекулы (кристаллиты, кристаллы или частицы) (минимальное число атомов в количестве равном двум)

0 О 1 О 2/) ЗО

Рис. 1.2. Классификация нанокристаллитных материалов по геометрической форме и размерности структурных элементов: основные типы нанокристаллитных материалов, нульмерные - класторы (0 £>), одномерные - нанотрубки, волокна и прутки (1 О), двумерные - пленки и слои (2 О) и трехмерные - поликристаллы (3 £)), зерна которых имеют сравнимые размеры во всех трех направлениях

Рис. 1.3. Зависимость удельного электросопротивления (р), температурного коэффициента электросопротивления (ар), островковой пленки и нанопленки (в одном из трех направлений)

Нанотехнологии в настоящее время бурно развиваются. Создается специальное оборудование. Например, нанотехнологическая фабрика полного цикла «НаноФаб», разработанная в ЗАО «НТ-МДТ» («Molecular Devices and Tools for Nano Technology»), способна создавать устройства с элементами сверхмалых размеров: наносенсоры, наноэлектронные приборы, шестерни, пружины и многое другое с контролируемой точностью до 45 нанометров. Комплексы подобной техники устанавливаются по всей России более, чем в 70 вузов, а также в 28 научных и образовательных центрах в России и за рубежом.

Первая Международная премия в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE-2009 вручена академику Леониду Келдышу (Россия, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН) и профессору Альфреду И Чо (США, Bell Laboratories) за разработку «Полупроводниковые сверхрешетки и технология молекулярно-лучевой эпитаксии». Кроме того, Наградной символ премии получила компания RIBER (Франция) за создание оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии. Келдыш еще в 1962 году опубликовал теоретические работы о перспективности сверхрешеток для электроники и оптоэлектроники. Альфред И Чо в конце 60-х - начале 70-х годов разработал основы молекулярно-лучевой эпитаксии.

Основы современной наноинженерии будут использованы при выполнении данной работы.

1.1. Модели термоэлектрических преобразователей

Основные научные открытия в области термоэлектричества были сделаны в XIX веке. Взаимные превращения теплоты и работы возможны с помощью термоэлектрических явлений (в данном случае - работа электрического тока). Термоэлектрические: эффекты обусловлены

взаимосвязью между тепловыми и электрическими процессами в проводящих телах. К твёрдым телам относятся эффекты:

- Зеебека (сЕ^ = 011,2 сГГ; открыт немецким физиком Зеебеком на паре медь-висмут в 1821 г.);

- Пельтье (СЬ = П12 Аэлек; открыт французским физиком Пельтье в 1834 г.) и

- Томсона (С^т = Т12 (АТ/Ах) Аэлек; открыт английским физиком Томсоном (лордом Кельвиным) 1856 г. и экспериментально подтверждён французским физиком Леру в 1867 г.).

Эффекты Пельтье и Томсона могут быть непосредственно измерены калориметрически (теория подтверждается измерениями с точностью 2... 5 %). Теоретические представления сопровождаются введением понятий а - удельный, дифференциальный или относительный коэффициент термоэдс, а, - абсолютный или парциальный коэффициент Зеебека (а 12 = а] - а2) и Т1 - коэффициент Томсона (т^ = Т1 - т2) и соответственных соотношений (тдг) = Т скхцг/сГГ; П) 2 = Т а^г - для изотропной среды и П12 = Т а2;1 для анизотропной среды). Принимается, что термоэлектрические эффекты независимы от необратимых процессов: теплопроводности и теплоты Джоуля.

Эффект Зеебека состоит в преобразовании теплоты в электродвижущую силу и обусловлен неизотермичностью, неоднородностью и анизотропностью среды. Неизотермичность среды может проявляться в существовании температурного поля, т.е. градиента температуры, или зависимости температуры от координат. Этот факт добавляет к среде, кроме омической составляющей, напряжённость электрического поля «сторонних сил неэлектрической природы», называемого «термоэлектрическим полем».

Различают два вида градиентов температур в зависимости от того появляются или не появляются неравновесные носители заряда (такое возможно при больших градиентах температуры, как следствие большой

напряжённости термоэлектрического поля - явление Бенидикса).

Неоднородность среды (при неизотермичности) проявляется в потенциальном характере термоэлектрического поля. Этот факт добавляет к явной зависимости поля от координат одновременное отсутствие термоэлектрических сил в замкнутых контурах даже при существовании температурной зависимости термоэлектродвижущих сил.

Различают два вида неоднородностей: простейшую и резкую (контакт двух материалов, находящихся по условию неизотермичности при разных температурах) и объёмную (внутренние неоднородности материала, находящихся в неизотермическом состоянии), что возможно и реализуется как объёмно-градиентный эффект (слаб для полупроводников в состоянии собственной проводимости).

Анизотропность среды (при неизотермичности и неоднородности) проявляется в двух вариантах эффекта, как продольный и поперечный (перпендикулярный). Этот факт выражается в образовании коэффициентами термоэдс тензора второго ранга, компоненты которого явно не зависят, но могут зависеть, от температуры. В данном случае тензор не только математическая величина, но и физическое свойство среды при воздействии на неё, конкретно: псевдотензор Леви-Чивита [66].

Поперечный эффект, отсутствовавший в условиях неизотермичности и неоднородности, отсутствует и при анизотропности среды в том случае, когда градиент температуры совпадает с осью анизотропности (или главными направлениями в симметрии свойств материала).

Особенностью поперечной термоэдс является зависимость её значения от геометрического множителя «длина/ширина».

Эффект Пельтье состоит в выделении или поглощении теплоты и обусловлен протеканием тока и его направлением, неоднородностью и анизотропностью среды.

Два вида неоднородностей (сосредоточенная и распределённая по

объёму) обуславливают при изотропности соответственно: обычный эффект Пельтье и «объёмный эффект Пельтье», который нарушает первое термоэлектрическое соотношение Томсона (П^ - Т а] 2).

Анизотропность среды проявляется в том, что возможны и реализуются два варианта эффекта, продольный и поперечный (и для обычного, и для объёмного эффектов).

Первое термоэлектрическое соотношение Томсона при эффекте Пельтье корректно, как П\ 2 ~ Т а2,1. Как и в случае эффекта Зеебека, поперечный эффект Пельтье отсутствует при параллельности направления тока и оси анизотропии (или главных направлений симметрии в структуре материала).

Примечательно, что поперечный эффект Пельтье возможен и в однородной среде (однако, только на поверхности материала, причём даже в том случае, когда эта поверхность не приведена в контакт с поверхностью другого материала). Поперечный эффект Пельтье возможен и на контакте двух анизотропных сред.

Эффект Томсона состоит в выделении или поглощении теплоты в объёме и обусловлен протеканием тока и его направлением, а также неизотермичностью среды. Поскольку имеет место неизотермичность среды, а коэффициент Пельтье зависит от температуры, то это может создавать неоднородность и анизотропию свойств даже в однородной и анизотропной среде (в данном случае эти условия не являются необходимыми, т.е. эффект Томсона возможен в однородной и изотропной среде, но только в продольном варианте).

В неоднородной среде эффект Томсона зависит от координат, т.е. является переменным (и называется объёмно-градиентным). Для неоднородной среды характерно нераздельное наложение эффектов Зеебека, Пельтье и Томсона.

В анизотропной среде эффект Томсона возможен в продольном и поперечном варианте.

Эффект Томсона является нечётным по отношению к электрическому току и градиенту температуры, он изменяет знак при изменении одного из этих условий.

Неизотермичность как условие термоэлектрических явлений может проявляться в образовании так называемых вихревых токов, что связано с общими условиями термоэлектрических преобразований.

Вихревые термоэлектрические токи отражают характер термоэлектрического поля. В однородной и изотропной среде неизотермичность является пассивной и вихревые термоэлектрические токи не возникают. Неоднородность и анизотропия по электропроводности тоже не приводят к вихревым термоэлектрическим токам. Неоднородность и анизотропия по теплопроводности и термоэдс создаёт условия для вихревых термоэлектрических токов, что ухудшает характеристики целевой эффективности термоэлектрических преобразователей.

Описание термоэлектрических явлений в твёрдых телах, находящихся в локальном термическом равновесии, может быть сделано с помощью уравнения для квазистатистических процессов, основного на необратимой термодинамике ТёБ* =сШ* где Т - температура,

г

8* - энтропия, и* - внутренняя энергия, А - работа, цг - химический потенциал г-го компонента и Ыг - его концентрация. Это уравнение считается «основным», так как основным условием для протекания явлений принимается «производство энтропии», определяемое

соотношением Э* X,. Здесь: Г=^Ь1кХк; I = 1, 2, ...,

1 к

п - термодинамический поток, вызываемый термодинамическими силами Хк при кинетических коэффициентах Ь;к, связанных линейной зависимостью и «принципом симметрии» = Ь^ (принцип Онзагера).

Долгое время применения открытые эффекты не находили. Наибольший интерес вызывали термоэлектрические генераторы, однако,

их коэффициент полезного действия не превышал 1%.

Положение изменилось в 1930 г., когда академик А.Ф. Иоффе указал на перспективность термоэлектрических генераторов на полупроводниковых материалах. Расчёты показывали возможность коэффициента полезного действия 2,5... 4%, а практика позволила его увеличить до 15%. В 50... 60-х годах работы расширились, активизируемые потребностью в автономных и комфортных источниках электрической энергии.

Глубокие и на перспективу исследования термоэлектрических явлений были выполнены в Черновицком государственном университете. Кроме монографии А.Г. Самойловича [79] (1955 г.), имеется обзор А.Г. Самойловича и Л.Л. Коренблита [139], публикация А.Г. Самойловича и В.Н. Слипченко [140] (1975 г.) и публикация фрагментов неопубликованных лекций А.Г. Самойловича в монографии Э.В. Осипова [80] (1977 г.) (§§ 1, 4 и 5 главы I, §§ 1 и 2 главы III и §1 главы IV). Были выведены термодинамические уравнения тепло- и электропереноса и связи между коэффициентами этих уравнений (1953, 1955 гг.). Широко теоретические и практические работы по термоэлектрическим генераторам на полупроводниках были поставлены в Ленинградском физико-техническом институте АН СССР под руководством А.Ф. Иоффе [39-41]. Были выведены уравнения теплового баланса, термоэлектрической мощности и коэффициента полезного действия. Важным шагом было введение критерия эффективности материала для термоэлектрического генератора, а именно: представление о добротности материала (1956, 1957, 1960 гг.). Далее последовали шаг за шагом другие существенные для теории и практики уточнения. Б.Я. Мойжес [141] и А.И. Бур штейн [81] учли температурные зависимости свойств материалов, ввели приближённые решения нелинейных дифференциальных уравнений теплопроводности (1960, 1962 гг.). Е.К. Иорданишвили [82] учёл внутренние потери в термоэлектрическом генераторе ( 1968 г. ).

А.С. Охотин с сотрудниками [83] предложили оптимизацию характеристик термоэлектрических генераторов (при постоянстве теплового потока) (1971 г.).

Значительное влияние на представления практиков, физиков и разработчиков, материаловедов, конструкторов и технологов оказал Дж. Ф. Най через монографию-учебник «Физические свойства кристаллов», о чём много говорит быстро расходившееся двукратное издание в Англии (1960 и 1964 гг.) и перевода в СССР (1960 и 1967 гг.) [46]. При этом в явном виде были очерчены особенности и трудные стороны проникновения в глубину природы термоэлектричества (далее приводятся три цитаты):

«Глава, посвященная термоэлектричеству, может оказаться несколько более трудной, чем остальные. Последнее объясняется тем, что дать удовлетворительное изложение теории термоэлектричества на уровне остальной части книги оказалось невозможным».

«Нам достаточно рассматривать кристалл, не учитывая его структуры, т.е. просто как анизотропный континуум, имеющий определенные свойства симметрии. Более того, во всех случаях, кроме одного, мы будем считать кристалл однородным, т.е. предполагать, что его свойства одинаковы во всех точках (исключение сделано для одного конкретного свойства - термоэлектричества)».

«В гл. XI и XII мы переходим к изучению проводимости и термоэлектрических явлений. Последние рассматриваются после равновесных свойств потому, что они связаны с явлениями переноса, т.е. необратимы, и их термодинамика нуждается в специальном подходе.

Гл. XI и XII посвящены трем свойствам кристаллов, также описываемым тензорами: теплопроводности, электропроводности и термоэлектрическим свойствам. Так как электрические свойства связаны с процессами переноса и термодинамически необратимыми явлениями, они

не укладываются в схему обратимых эффектов, данную в гл. X. Поэтому более удачно и логически рассмотреть их теперь отдельно».

Проблема корректной оценки целевой эффективности термоэлектрических устройств по аналогии с тепловыми машинами осложнена следующими физическими факторами:

- электропроводность и термоэдс материалов термоэлектрических устройств зависят от температуры,

- электрический ток в термоэлектрическом устройстве зависит от градиента температуры и

- как следствие, уравнения теплопроводности имеют неявный и нелинейный вид, что приводит к осложнению математических факторов. Это относится к прямым и поперечным термоэлектрическим эффектам.

Исследованиями показано [39, 41, 141], что критерием (т.е. условием максимальности) для коэффициента полезного действия термоэлектрического генератора и холодильного коэффициента

термоэлектрического холодильника является термоэлектрическая

1/2 1/2 2

добротность ъ = [(а] + а2)/((р1К1) + (Р2К2) )] (усреднение параметров а, р и к).

Так как в случае анизотропных термоэлементах плотность электрического тока зависит от геометрических факторов, в качестве параметра оптимизации приходится выбирать другой параметр -напряжённость электрического поля [140]: Ъ = а фк (коэффициент полезного действия г| = (1/4) Ъ{Т\ (Т1-Т2УТ1) (7,Т«1). Если термоэлектрическая добротность материала возрастает с температурой, то добротность анизотропного термоэлемента будет выше добротности ветви термопары из того же материала, причём отличие, может составит порядок.

Коллектив известных авторов - В.П. Бабин, Т.С. Гудкин, З.М. Дашевский, Л.Д. Дудкин, Е.К. Иорданишвили, В.И. Кайданов,

Н.В. Коломоец, О.М. Нарва и Л.С. Стильбанс - опубликовал [120] результаты первой предпринятой теоретической оценки эффективности искусственно-анизотропных материалов, термоэлементов на их основе и их предельных возможностей. Материал синтезировался как чередование параллельных слоев материалов с резко различающимися характеристиками а, р и к. Результат оказался не критичным к толщине слоев. Для термоэлементов продольного и поперечного типа получен классический критерий и рекомендовано подбирать материалы с максимальным отношением коэффициентов термоэдс и минимальным отношением чисел Лоренца..

Поглощение или выделение теплоты Томсона в анизотропном неоднородном проводнике связано с двумя причинами: во-первых, градиент температуры создаёт неоднородность в распределении носителей заряда, что приводит к своеобразному «объемному» эффекту Пельтье, во-вторых, электрический ток производит добавочную работу против термоэлектрического поля, которое создаётся градиентом температуры.

Градиент температуры в анизотропном материала создаёт непрерывную неоднородность термических свойств проводника.

Своеобразие эффекта Пельтье в термически неоднородном проводнике заключается в том, что теплота Пельтье выделяется во всём объёме проводника, а не на стыке двух проводников.

Теплота Пельтье (С>п) связана с другим термоэлектрическим эффектами (в изотропной среде т= ЭП/ЭТ - а - первое соотношение Томсона и в анизотропной среде т^ = Т Эа^/ЭТ - второе соотношение Томсона.

Теплота Бриджмена тоже является своеобразным эффектом Пельтье, однако, проявляемым только в анизотропной среде (и зависит от направления тока).

В случае изотропии свойств материала, отсутствия текстурирования или магнитного поля тензоры теплопроводности и электропроводности

симметричны (к^ = кк1 и Ст1к - су^), однако, тензоры Пельтье и термоэдс, входящие в соотношение Цк = а^Т, хотя и сводятся к скалярам (П = аТ), тем не менее не обязательно симметричны.

В случае анизотропии свойств материала, текстурирования и/или наложения магнитного поля нарушается симметрия всех тензоров, чем и обусловлены специфика термоэлектрических эффектов. Число эффектов, возникающих в температурном и электрическом полях при анизотропии среды очень велико, так как эти эффекты могут разнообразиться: изотермическими или адиабатическими условиями осуществления, комбинациями теплового и электрического потоков и комбинациями температурного и электрического полей. Например, Б.М. Аскеров (1970 г.) считает, что только при наложении поперечного магнитного поля теоретически возможно 560 эффектов [140]. Однако материаловедческие возможности обеспечивают эффективность лишь нескольких эффектов.

Потоки теплоты и носителей электрического заряда в каждой точке пространства связаны между собой обобщёнными законами теплопроводности и электропроводности (и соотношениями Онзагера), в которые входят кинетические уравнения, не зависящие от градиентов температурного и электрического полей, но зависящие от свойств материала. Эти кинетические коэффициенты являются в общем случае тензорами. Поэтому необходимо учитывать геометрический фактор, отражающий распределение свойств материала в пространстве, изотропию или анизотропию материала. По этой причине в анизотропных и/или текстурированных материалах или при наложении магнитного поля проявляется влияние связи между кинетическими коэффициентами.

Перенос теплоты обусловлен не только градиентом температуры, но и носителями заряда, перемещающимися в электрическом поле. Если градиент температуры отсутствует, то поток теплоты не равен нулю и обусловлен потоком теплоты Пельтье. Если отсутствует электрический ток, то из-за градиента температуры теплота перенесётся без участия

перемещающихся носителей заряда (в этом случае сыграют роль хаотические движения носителей заряда, которые существенны в металлах и/или колебательные движения частиц в узлах кристаллической решётки, которые существенны в полупроводниках).

Перенос электрической энергии обусловлен не только электрическим полем, но и градиентом температуры. Кроме внешнего электрического поля возникает внутреннее электрическое поле. Внутренне электрическое полек возникает вследствие того, что носители заряда перемещаются из области высокой температуры в область низкой температуры. В результате происходит перераспределение их плотности. Хотя электрическая нейтральность сохраняется, тем не менее, появляется объёмный заряд - внутреннее электрическое поле. Если внешнее электрическое поле рождает омический ток, то градиент температуры -термоэлектрический (диффузионный) ток. Их усреднение рассматривается как «макроскопический ток», с которым связана диссипация энергии (теплота Джоуля).

В термоэлектрических анизотропных средах эффекты проявляют себя со многими особенностями. Самая простая модель, позволяющая иллюстрировать эти особенности, не учитывает всю полноту эффектов (рекомбинация носителей заряда при биполярной электропроводности, неоднородность распределения тока по сечению, температурной зависимостью кинетических коэффициентов и др.), однако, учитывает те эффекты, которые не препятствуют получению аналитического выражения. Всё же строгое решение в общем случае не представляется возможным, а даже при упрощающих допущениях остаётся нелинейным.

Тем не менее, можно составит представление о зависимости эффективности термоэлектрических эффектов от таких свойств материалов, как а, р и к. Рассматривая лабораторную систему координат (х! х2 х3), можно видеть существование критериев: Ъ" = Т1з2/рцК3з -анизотропная добротность Томсона, = Пз 1^)з/р11К33 - анизотропная

добротность Пельтье-Томсона и Ъп = П312/рцКзз - анизотропная добротность Пельтье.

Строгое решение даёт критерий в виде разложения функции 1п (1 -х) по степеням х: Ъиа[М2 + (1/3) + ... +((1/(п+2)) (гПта )"]. Если критерий мал, то следует пользоваться критерием Ъх\ . В противном случае следует учитывать члены высших порядков, которые равноправны, независимы и отражают взаимодействие высших порядков.

Соотношение П31 = а^Т позволяет в простейшем случае (пренебрежение взаимодействием термоэлектрических эффектов) получить критерии П312/рцКзз = Ъ^ Т2, где Zaa = а1з2/рпКзз - анизотропная термоэлектрическая добротность.

Применительно к термоэлектрическим охладителям, стабилизаторам температуры и генераторам исследования поперечных эффектов в анизотропных кристаллах показали, что анизотропная термоэлектрическая добротность существующих материалов незначительна и по порядку величины в несколько раз меньше обычной термоэлектрической добротности для продольных термоэлектрических эффектов. Однако за поперечными эффектами признавалось преимущество, а именно, их быстродействие, отсутствие коммутационных спаев и конструкторская простата осуществления каскадирования (без потерь на коммутации и теплопереходах).

Известно о возможности создания искусственного гетерофазного материала, обладающего не только анизотропией термоэлектрических свойств, но и более высокой добротностью, чем известные анизотропные монокристаллы (В.П. Бабин и другие авторы, 1974 г.) [120].

Признаком поперечных термоэлектрических эффектов является перпендикулярность направлений температурного и электрического полей. Так как эти эффекты первоначально наблюдались на анизотропных монокристаллах, а точнее на вырезанных пластинках, из них под углом, то термоэлектрические устройства на поперечных эффектах получили

название «анизотропные термоэлементы». Продольные и поперечные физические эффекты, в анизотропных средах аналогичны - различаются взаимодействия между этими физическими эффектами.

А.Г. Самайлович и В.Н. Слипченко [140] (1975 г.) обосновали, что добротность анизотропного термоэлемента выше добротности ветви из того же вещества (отличие может составлять порядок).

Структурные неоднородности в кристаллических материалах, а именно: дефекты, примеси и градиенты упругих напряжений, - оказывают сильное влияние на физические свойства. Особое место среди неоднородностей занимают примеси, которые наряду со структурными изменениями могут вызывать и сильные искажения электронного энергетического спектра, привести к изменению закона дисперсии, поверхности Ферми, скорость электронов, плотности электронных состояний. Свойством, в высокой степени, чувствительным, как и структура кристалла, так и к малейшим изменениям в электронном энергетическом спектре, является электропроводность, теплопроводность и, следовательно, термоэлектродвижущая сила. Между тем, термоэлектрические свойства даже химически чистых бездефектных кристаллов с трудом поддаются теоретической трактовке. Особенно это относится к переходным элементам и полуметаллам, электронные энергетические спектры которых наиболее сложны. А для них до сих пор остается открытым вопрос о механизмах, ответственных за рассеяние электронов в различных диапазонах температур. Тем не менее, интерес к влиянию дефектов очень велик, так как ничтожные концентрации дефектов могут привести к изменению термоэдс на сотни процентов и даже изменить знак эффекта.

Существующие модели формирования свойств термоэлектрических материалов позволяют расширить представления об эффективности материалов при термоэлектрическом преобразовании.

Комплексные критерии оптимизации эффективности материалов при термоэлектрическом преобразовании для термопарного эффекта, если ограничиться тремя свойствами (а - коэффициент термоэдс, р - удельное электросопротивление и к -

удельная теплопроводность), для разного функционального назначения и

2 2 2 2 условий имеют вид: а/р, а /р, а/рк, а /рк и а /рк (см. рис. 1.4 и рис. 1.5).

Критерий а/р - получил название коэффициента термоэлектрической

мощности, а критерий а/рк - термоэлектрической добротности

(классические критерии) Для пленочных материалов, представляющих

интерес в связи с миниатюризацией термоэлектрических устройств,

приемлемы максимальные значения критериев а/р и а /р.

Можно использовать четыре свойства (а0 - коэффициент термоэдс, р0 - удельное электросопротивление, к0 - удельная теплопроводность и с -удельная теплоёмкость) для разного функционального назначения и условий. В этом случае комплексные критерии оптимизации эффективности материалов при термоэлектрическом преобразовании для наклонноконденсированных плёнок будут иметь вид:

- ао/к0 - по отклику на излучение,

2 2

- а0 /РоКо - по коэффициенту преобразования мощности,

- с/к0 - по времени отклика на скачёк мощности излучения и

- ао/с - по характеристичному времени переходного процесса (подробно об этом см. в разделе 2.1).

Рис. 1.4. Схема-сводка для модели термоэлектрического преобразования

Стабилизатор температуры

Основные условия:

АТ = сопб!

АТ>0;Я=г =

Основные анализируемые зависимости:

1(АТ)

Анализируемые характеристики:

I ± А1, АТтах иРн,тах

"Птах Лтах ^тах

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Опаричев, Евгений Борисович

Общие выводы, которые можно сделать по четвертой главе, следующие: разработаны и изготовлены пленочные анизотропные термоэлектрические преобразователи различных топологий и конструкций для измерения параметров ИК- излучения;

- разработана техническая оснастка для изготовления пленочного анизотропного термоэлектрического преобразователя на основе копеля;

- проведено исследование и измерение ряда электрических и метрологических параметров пленочных анизотропных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения на основе пленок копеля (табл. 4.2); проведена серия испытаний пленочного анизотропного термоэлектрического преобразователя на основе копеля для измерения параметров лазерного излучения, плазменных потоков и исследования кинетики остывания расплава металлов. кристаллографического направления <111> вблизи нормали к поверхности плёнки. Плёнки копеля, осаждённые на брокеритовые подложки, установленные перпендикулярно потоку паров, имеют блочную структуру с явно выраженными порами (трещинами) по границам блоков-кристаллитов. При увеличении угла наклона подложки к горизонтали размеры кристаллитов несколько уменьшаются.

5. Изучена зависимость термоэлектрических свойств плёнок копеля и константана от условий конденсации. Для получения плёнок, с , максимальной чувствительностью предпочтительной является температура конденсации ~295 К. Относительное контактное электрическое и тепловое сопротивление границ кристаллитов уменьшается с ростом температуры конденсации. Величина отношения значений параметров вдоль и поперёк проекции направления молекулярного пучка на поверхность подложки остается практически постоянной (~2) до температуры конденсации -373 К, а затем начинает уменьшатся.

6. Исследовано влияние термообработки на анизотропию электрических свойств и величину поперечной термоэдс в наклонноконденсированных плёнках копеля и константана. Показано, что при отжиге наклонноконденсированных плёнок, копеля (температура отжига 453±5 К при времени 20. 25 мин), чувствительность к излучению повышается в 1,2. 1,5 раз и значительно уменьшается разброс электрического сопротивления и поперечной термоэдс.

7. Разработаны конструкции преобразователей различного назначения, приспособление на изготовление преобразователей на основе наклонноконденсированных плёнок копеля. Изготовлены образцы преобразователей круглого, квадратного, матричного и полоскового типа для измерения пространственно-энергетических характеристик лазерного излучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Опаричев, Евгений Борисович, 2013 год

ИСПОЛЬЗУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Основные достижения научных школ [Юбилейный сборник к 100-летию Московской государственной академии тонкой химической технологии им М.В. Ломоносова]. - М.: ИПЦ при МИТХТ, 2000. - 360 с.

2. Научные школы МИСиС. 75 лет. Становление и развитие. - М.: МИСиС, 1997. - 628 е.; Обработка металлов давлением / A.B. Зиновьев, В.П. Полухин, Б.А. Романцев и др. - М.: МИСиС-Интермет Инжиниринг, 2004. - 784 с; Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет). 75 лет. Годы. События. Люди. - М.: ИД «Элита России», 2005. - 384 е.; Наука МИСиС в 2006 году. М.: МИСиС, 2007. - 354 е.; Горелик С.С. Бес малого век [Личность и время]. - М.: Изд-во «Калвис», 2007 - 336 е.; Крапухин В.В. Страницы жизни [Личность и время]. - М.: Изд. дом МИС иС, 2008. - 264 с.

3. Московский энергетический институт (технический университет). 1930-2005. 75 лет МЭИ. - М.: Издательство МЭИ, 2005. - 456 с.

4. Фундаментальные проблемы российской металлургии на пороге XXI века. Монография в 4-х тт. - М: РАЕН. Т.1. Металлургия черных металлов. 1998. - 454 е.; Т.2. Металлургия цветных металлов и сплавов. 1998. - 486 е.; Т.З. Металлургия редких и рассеянных элементов. 1999. -391 е.; Т.4. Актуальные проблемы технологии полупроводниковых материалов / Под ред. М.Г. Мильвидского и В.Б. Уфимцева. ИХПМ. 1998.-264 с.

5. Московский институт электронной техники, 1965-1995 / Под ред.

B.Д. Вернера. - М.: МИЭТ, 1995. - 217 е.; Биография вуза. 35 лет. Годы, люди, события. - М.: МИЭТ, 2000. - 240 с. [Справочно-библиографическое издание.]; Научно-производственная деятельность МИЭТ: 2002-2004 гг. / Под ред. В.А. Бархоткина. - М.: МИЭТ, 2005. - 276 е.; МИЭТ 40 лет. Годы, люди, события. - М.: МИЭТ, 2005. - 336 с. (Биография вуза).

6. Гиредмет - 75 лет: Наука, конструирование, проектирование, ноу-хау, патенты [Юбилейный сборник]. - М.: Гиредмет, 2006. - 196 с.

7. Проблемы новых материалов и технологий. Сборник статей / Под ред. В.Н. Вигдоровича. - М.: НПО ЦНИИ «Волна», 1989 (Вып.1); М.: Научно-производственное ассоциация, 1990 (Вып.2), 1991 (Вып.З) и 1992 (Вып.4).

8. Борисенко В.И. Наноэлектроника - основа информационных систем XXI века // Соросовский образовательный журнал. 1997. №5.

C.100-104.

9. Андриевский P.A. Наноструктурные материалы - состояние разработок и применение // Перспективные материалы. 2001. №6. С.5-11.

10. Нанотехнология в ближайшем десятилетии: Прогноз направления и исследований / Пер. с англ. Под ред. P.A. Андреевского. - М.: Мир, 2002. -291 с.

11. Головин Ю.И. Введение в нанотехнологию. М.:

Машиностроение-1, 2003. - 112 с.

12. Овидько И.А., Шейнерман А.Г. Наномеханика квантовых точек и проволок. - С.-Пб.: Янус, 2004- 165 с.

13. Нанотехнология / Пер. с англ. под ред. A.B. Назаренко. - М.: Изд. дом «Вильяме», 2004. - 234 с.

14. Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. - М.: Техносфера, 2005. - 152 с. (Мир материалов и технологий).

15. Пул Ч., Оуэне Ф. Нанотехнологии / Пер. с англ. под ред. Ю.И. Головина - М.: Техносфера, 2005. - 336 с. (Мир материалов и технологий).

16. Андриевский P.A., Рагуля A.B. Наноструктурные материалы. -М.: Изд. центр «Академия», 2005. - 192 с.

17. Брандон Д., Каплан У. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля / Пер. с англ. под ред. C.J1. Баженова. - М.: Техносфера, 2006. - 384 с. (Мир материалов и технологий).

18. Федосюк В.М. Наноструктурные пленки и нанопроволоки. - Мн.: ИЦБГУ, 2006.-310 с.

19. Наноматериалы. Нанотехнологии. Наносистемная техника. Мировые достижения за 2005 год / Под ред. П.П Мальцева. - М.: Техносфера, 2006. - 152 с. (Мир материалов и технологий).

20. Синдо Ф., Оикова Т. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия. - М.: Техносфера, 2006. - 256 с. (Мир материалов и технологий).

21. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Отв. ред. A.JT. Асеев. 2-е изд.. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2007. - 368 с.

22. Щука A.A. Наноэлектроника / Под ред. Ю.В. Гуляева. - М.: Физматкнига, 2007. - 464 с. (МФТИ, серия «Электроника»).

23. Валиев Р.З., Александров И.В. Объемные наноструктурные металлические материалы. - М.: Академкнига, 2007. - 398 с.

24. Кожитов JI.B., Косушкин В.Г., Крапухин В.В., Пархоменко Ю.Н. Технология материалов микро- и наноэлектроники. - М.: МИСиС, 2007. -554 с. (Металлургия и материаловедение XXI века).

25. Герасименко H.H., Пархоменко Ю.Н. Кремний - материал наноэлектроники. - М.: Техносфера, 2007. - 352 с. (Мир материалов и технологий).

26. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. -М.: Физматлит, 2007. - 416 с.

27. Андрюшин Е.А. Сила нанотехнологий: наука & бизнес. /Предисловие B.J1. Гинзбурга. - М.: Фонд «Успехи физики» - ООО «Век 2», 2007. - 160 с. (Идеи и технологии будущего).

28. Деформация и разрушение материалов и наноматериалов // Труды второй международной конференции (DFMN-2007) (12-15 ноября 2007 года, Москва). - М.: ИМиМ им. A.A. Байкова РАН, 2007. - 736 с.

29. Кузнецов Г.Д., Курочка С.П., Кушхов А.Р., Демченкова Д.Н.,

Курочка A.C. Процессы микро- и нанотехнологий: Ионно-плазменная обработка. - М.: Из-во «Учеба», МИСиС, 2007. - 148 с.

30. Кузнецов Г.Д., Кушхов А.Р. Элионная технология в микро- и наноиндустрия. - М.: Изд-во «Учеба», МИСиС, 2008. - 156 с.

31. Кузнецов Г.Д., Деченкова Д.Н., Симакин С.Б. Микро- и нанотехнология гетерокомпозиций. М.: Изд-во «Учеба», МИСиС, 2008. -190 с.

32. Прикладная синергетика в нанотехнологиях // Труды Пятого международного междисциплинарного симпозиума (ФиПС-08) (17-20 ноября 2008 года, Москва). - М.: МАТИ им. К.Э. Циолковского, 2008. -528 с.

33. Ахкубеков A.A., Карамурзов Б.С., Созаев В.А. Фазовые переходы в наноматериалах. - Нальчик: Кабард.-Балк. ун-т, 2008. - 205 с.

34. Рилей Д.А. Мир микро- и нанотехнологии / Пер. с англ. Под ред. С.П. Тимошенкова, Б.М. Симонова и A.B. Заводян. В 2-х ч. - Калуга: Экспромт. 4.1. 2009. - 71 с. 4.2. 2008. - 78 с.

35 Деформация и разрушение материалов и наноматериалов // Труды третьей международной конференции (DFMN-2009) (12-15 ноября 2009 года, Москва). Под ред. O.A. Банных. В 2-х тт. - М.: ИМиМ им. A.A. Байкова РАН, 2009. Т.1. - 527 е., Т.2. - 407 с.

36. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. Изд. 2-е, перераб. и доп. - М.: МИСиС, 1995. - 493 с.

37. Кожитов JI.B., Зарапин А.Ю., Чиченов H.A. Технологическое вакуумное оборудование: 2-х ч. Учебник для вузов. - М.: Издательский дом «Руда и металлы». 4.1. Вакуумные системы технологического оборудования, 2001. - 416 с. 4.2. Расчет и проектирование вакуумного технологического оборудования, 2002. - 456 с.

38. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. - М.: Изд-во МИСиС, 2003.-480 с.

39. Иоффе А.Ф., Стильбанс JI.C., Иорданишвили Е.К., Ставицкая Т.С. Термоэлектрическое охлаждение. - M.-JL: Изд-во АН СССР, 1956. - 108 с.

40. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. - M.-JL: Изд-во АН СССР, 1957.-492 с.

41. Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. - M.-JL : Изд-во АН СССР, 1960.- 148 с.

42 Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1984. - 352 с.

43. Фистуль В.И. Физика и химия твёрдого тела. В 2-х тт. - М.: Металлургия, 1995. - Т. 1. - 480 е.; Т.2. - 320 с.

44. Фистуль В.И. Новые материалы: Состояние. Проблемы и перспективы. - М.: МИСиС, 1995. - 142 с.

45. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Под ред. В.М. Глазова. - 3-е изд., испр. и доп. - М.: Высшая школа, 1982. - 528 с.

46. Най Дж. Физические свойства кристаллов. - М.: Мир, 1964. - 351 с.

47. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. - М.: Наука. 1964.-488 с.

48. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе В12Тез. -М.: Наука, 1972.-320 с.

49. Чопра K.JI. Электрические явления в тонких пленках / Пер. с англ. А.Ф. Волкова, Е.И. Гиваргизова, П.И. Петрова и В.И. Покалякина. Под ред. Т.Д. Шермергора. - М.: Мир, 1972. - 436 с.

50. Палатник J1.C. Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных плёнок. - М.: Наука, 1972. - 318 с.

51. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Основы плёночного полупроводникового материаловедения. -М.: Энергия, 1973. - 296 с.

52. Палатник J1.C., Черемской П.Г., Фукс М.Я. Поры в плёнках. - М.: Энергоиздат. 1982. - 216 с.

53. Рыкалин H.H., Углов A.A., Кокора А.Н. Лазерная обработка материалов. - М.: Машиностроение, 1975. - 296 с.

54. Бабад-Захряпин A.A., Кузнецов Г.Д. Химико-термическая обработка в тлеющем разряде. - М.: Атомиздат, 1975. - 175 с.

55. Бычковский Р.В. Контактные датчики температуры. - М.: Металлургия, 1978. - 240 с.

56. Поскачей A.A., Чарихов Л. А. Пирометрия объектов с изменяющейся излучательной способностью. - М.: Металлургия, 1978. -200 с.

57. Современная кристаллография: В 4-х тт. / Б.К. Вайнштейн, Чернов A.A., Шувалов Л.А. - М.: Наука, 1979-1981. Т1. 1979. - 384 е.; Т2. 1979.-360 с.;ТЗ. 1980.-408 е.; Т4. 1981.-496 с.

58. Комник Ю.Ф. Физика металлических плёнок: Размерные и структурные эффекты. - М.: Атомиздат, 1979. - 263 с.

59. Вишняков Я.Д., Бабарэко A.A., Владимиров С.А., Эгиз И.В. Теория образования текстур в металлах и сплавах. - М.: Наука, 1979. - 343 с.

60. Кулаков М.В., Макаров Б.И. Измерение температуры поверхности твёрдых тел. - М.: Энергия. 1979. - 96 с.

61. Линевег Ф. Измерение температур в технике / Пер. с нем. Т.И. Киселевой и В.А. Федоровича. Под ред. Л.А. Чарихова. - М.: Металлургия, 1980. - 544 с.

62. Бабад-Захряпин A.A., Кузнецов Г.Д. Текстурированные высокотемпературные покрытия. - М.: Атомиздат, 1980. - 176 с.

63. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерного излучения / Б.Я. Бердяев, P.A. Валитов, М.А. Винокур и др. Под ред. А.Ф. Котюка. - М.: Радио и связь, 1981. - 286 с.

64. Термодинамика и материаловедение полупроводников / Под ред. В.М. Глазова. - М.: Металлургия, 1982. - 392 с.

65. Тонкие плёнки: Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир, 1982. - 576 с.

66. Симонов Б.М., Заводян A.B., Грушевский A.M. Конструкторско-технологические аспекты разработки интегральных схем и микросборок. -М.: МИЭТ, 1998.- 167 с.

67. Бабад-Захряпин A.A., Кузнецов Г.Д. Радиационно-стимулированная химико-термическая обработка. - М.: Атомиздат, 1982. -96 с.

68. Кириллов А.И., Морсков В.Ф., Устинов Н.Д. Дозиметрия лазерного излучения. - М.: Радио и связь, 1983. - 191 с.

69. Мощные газоразрядные С02-лазеры и их применение в технологии / Г.А. Абильсиитов, Е.П. Велихов, B.C. Голубев и др. - М.: Наука, 1984.- 106 с.

70. Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы: физика и применение / Под ред. Н.С. Лидоренко. - М.: Наука, 1985. 232 с.

71. Методы и средства измерений параметров лазерного излучения / Под ред. A.A. Абгаряна. - М.; ВНИИФТРИ, 1985.- 142 с.

72. Методы точных измерений лазерного излучения / Под ред. В.М. Нестеренко. - М.: ВНИИФТРИ, 1985.- 142 с.

73. Куинн Т. Температура / Пер. с англ. Под ред. Д.Н. Астрова. - М.: Мир. 1985.-448 с.

74. Углов A.A., Анищенко Л.М., Кузнецов С.Е. Адгезионная способность плёнок. - М.: Радио и связь. 1987. - 104 с.

75. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: В 10-ти книгах. Кн.6. Нанесение плёнок в вакууме / Минайчев В.Е. - М.: Высшая школа, 1989. - 110 с.

76. Анатычук Л.И., Семенюк В.А. Оптимальное управление свойствами термоэлектрических материалов и приборов. - Черновцы: Прут, 1992.-264 с.

77. Датчики измерительных систем: В 2 кн. / Ж. Аш и др.; Пер. с фр.; Под ред. A.C. Обухова. - М: Мир, 1992. - Кн.1. 480 е.-Кн. 2. 424 с.

78. Марченко О.В., Кашин А.П., Ложбин В.И., Максимов М.Ж. Методы расчёта термоэлектрических генераторов. - Новосибирск: Наука. 1995.-221 с.

79. Самойлович А.Г. Термодинамика и статистическая физика. - М.: Гостехиздат, 1955. - 388 с.

80. Осипов Э.В. Твёрдотельная криогеника. - К.: Наукова думка,

1977.-234 с.

81. Бурштейн А.И. Физические основы расчёта полупроводниковых термоэлектрических устройств. - М.: Физматгиз, 1962. - 136 с.

82. Иорданишвили Е.К. Термоэлектричекие источники питания. -М.: Сов. радио, 1968. - 184 с.

83. Охотин A.C., Ефремов A.A., Охотин B.C., Пушкарский A.C. Термоэлектрические генераторы. - М.: Атомиздат, 1971. - 288 с.

84. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. - М.: Наука, 1986. - 144 с.

85. Реди Дж. Промышленное применение лазеров / Пер. с англ. - М.: Мир, 1981.-638 с.

86. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазон спектра / Под ред. В.И. Стафеева. - М.: Радио и связь, 1984. - 216 с.

87. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерного излучения / Под ред. А.Ф. Котюка. - М.: Радио и связь, 1981. -288 с.

87. Марков М.Н. Приемники инфракрасного излучения. - М.: Наука, 1968.- 168 с.

88. Шульце Г. Металлофизика. - М.: Мир, 1971. - 503 с.

89. Термоэлектродвижущая сила металлов / Пер. с англ. Под ред. Д.К. Белащенко. - М.: Металлургия, 1980. - 248 с.

90. Meaden G.T. Electrical Resistance of Metals. - New York: Plenum Press, 1965.-218 p.

91. Тихонов B.C. Медно-никелевые сплавы. - M.: Цветметинформация, 1978. - 60 с.

92. Мальцев М.В. Металлография промыпленных цветных металлов и сплавов. - 2-е изд. - М.: Металлургия, 1970. - 364 с.

93. Погодин С.А. Проводниковые и реостатные сплавы. - JI.-M.: ОНТИ, 1936.-294 с.

94. Глазов В.М., Айвазов A.A. Энтропия плавления металлов и полупроводников. -М.: Металлургия, 1980. - 172 с.

95. Спроул P.A. Современная физика. / Пер. с англ. - 2-е изд. - М.: Наука, 1974.-592 с.

96. Займан Дж.М. Принципы теории твердого тела /Пер. с англ. - М.: Мир, 1966. - 416 с.

97. Крэкнелл А. Уонг К. Поверхности Ферми / Пер. с англ. - М.: Атомиздат, 1978. - 352 с.

98. Холлэнд JI. Нанесение тонких пленок в вакууме / Пер. с англ. -M.-JL: Госэнергоиздат, 1963. - 608 с.

99. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники / Пер. с англ. -М.: Мир, 1964.-715 с.

100. Пазухин В. А., Фишер А .Я. Разделение и рафинирование

металлов в вакууме. - М.: Металлургия, 1969. - 204 с.

101. Фарлоу С. Уравнения с частными производными для научных работников и инженеров. - М.: Мир, 1985. - 384 с.

102. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакция /Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир, 1982. - 576 с.

103. Блинов И.Г., Кожитов J1.B. Оборудование полупроводникового производства: Учебное пособие для вузов. - М.: Машиностроение, 1986. -264 с.

104. а. Вазов В., Форсайт Дж. Разностные методы решения дифференциальных уравнений в частных производных / Пер. с англ. Б.М. Будака и Н.П. Жидкова. - М.: ИЛ, 1963. - 487 с. 104, б. Рихтмайер Р.Д. Разностные методы решения краевых задач / Пер. с нагл. Б.М. Будака и А.Д. Горбунова. - М.: ИЛ, 1960. - 264 с.

105. Crank J., Nicolson P. A practical method for numeral evaluation of solution of partial differential equations of the heat-conduction type. // Proc., Cambridge Philos. Soc., 1947, V.4, P.50-67.

106. Мак-Кракен Д., Дорн У. Численные методы и программирование на ФОРТРАНе / Пер. с англ. Б.Н. Козака. Под ред. с доп. Б.М. Неймарка. - М.: Мир, 1977. - 584 с.

107. Мэтьюз Д.Г., Финк К.Д. Численные методы: Использование Matlab / Пер. с англ. Л.Ф. Козаченко. Под ред. Ю.В. Козаченко. 3-е изд. -М.: Вильяме, 2001. - 720 с.

108. Курбатова Е.А. Matlab 7: Самоучитель. - М.: Диалектика, 2005. -256 с.

109. Эдварде Ч.Г., Пенни Д.Э. Дифференциальные уравнения и краевые задачи: моделирование и вычисление с помощью Mathematica, Maple и Matlab / Пер. с англ. и ред. Я. К. Шмидского. 3-е изд. - М: Вильяме, 2008. - 1094 с.

110. Дьяченко В.Ф. Основные понятия вычислительной математики. -М.: Наука, 1977.- 128 с.

111. Камышный Н.И. Автоматизация загрузки станков. - М.: Машиностроение, 1977. - 287 с.

112. Материалы в приборостроении и автоматике: Справочник / Под ред. Ю.М.Пятина. - М.: Машиностроение, 1969. - 632 с.

113. Справочник по электротехническим материалам: В 3-х тт. / Под ред. Ю.В.Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. Изд. 2-е, исп. и доп.-М.: Энергия, 1974.-Т.1. 584 С.-Т.2. 616 с.; 1976.-Т.З. 896 с.

114. Таблицы физических величин: Справочник /Под ред. И.К. Кикоина. - М.: Атомиздат, 1976. - 1006 с.

115. Майсел Л, Глэнг Р. Технология тонких плёнок: Справочник: В 2-х тт. / Пер. с англ. Под ред. М.И. Елинсона и Г.Г. Смолко. - М.: Сов. Радио, 1977. Т.1. - 662 с. Т.2. - 768 с.

116. Инженерный справочник по космической технике. - М.:

Воениздат, 1977. - 430 с.

117. Бычковский Р.В, Вигдорович В.Н., Колесник Е.А., Моспанченко P.C., Ухлинов Г.А., Шварц Б.А. Приборы для измерения температуры контактным способом: Справочник / Под общей ред. Р.В. Бычковского. - Львов: Вища школа, 1978. - 208 с.

118. Лыков A.B. Тепломассообмен: Справочник. - М.: Энергия. 1978.-480 с.

119. Крикунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. -М.: Сов. Радио, 1978. - 400 с.

120. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства: Справочник. - Киев: Наук, думка, 1979. - 768 с.

121. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. - 528.

122. Смитлз К.Дж. Металлы: Справочник / Пер. с англ. Под ред. С.Г. Глазунова. Изд. 5-е. - М.: Металлургия, 1980. - 447 с.

123. Охотин A.C., Боровиков Р.П., Нечаева Т.В., Пушкарский A.C. Теплопроводность твердых тел: Справочник / Под ред A.C. Охотина. - М.: Энергатомиздат, 1984. - 320 с.

124. Температурные измерения: Справочник / Под ред. O.A. Геращенко. - Киев: Наукова думка, 1989. - 702 с.

125. Рыкалин H.H., Углов A.A., Зуев И.В., Кокора А.Н. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: Справочник. - М.: Машиностроение, 1985. - 496 с.

126. Справочник по лазерной технике / Пер. с нем. Под ред. А.П. Напартовича. - М.: Энергоиздат, 1991. - 544 с.

127. Абильсиитов Г. А., Голубев B.C., Гонтарь В.Г. и др. Технологические лазеры: Справочник: В 2-х тт. /Под общ. ред. Г.А. Абильсиитова. - М.: Машиностроение, 1991. - Т. 1. 432 с. - Т.2. 544 с.

128. Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. Б.А. Введенский, Б.М. Вул. В 5-ти тт. - М.: Советская энциклопедия, 1962. Т.2. С.83-84.

129. Электроника: Энциклопедический словарь / Гл. ред. В.Г. Колесников. - М.: Советская энциклопедия, 1991. - 688 с.

130. Физическая энциклопедия / Гл. ред. A.M. Прохоров. В 4-х томах. -М.: Советская энциклопедия, 1992-1998 [Репринтное издание 1983 года.].

131. Физика: Большой энциклопедический словарь / Гл. ред. A.M. Прохоров. - 4-е изд. - М.: Большая Российская энциклопедия, 1999. - 944 с. [Репринтное издание 1983 года].

132. Смирягин А.П., Смирягина H.A., Белова A.B. Промышленные цветные металлы: Справочник. - 3-е изд. - М.: Металлургия, 1974. - 488 с.

133. Каримбеков М.А. Физико-технологические основы пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения, дисс.

д.т.н. М, 2003. 396 с.

134. Опаричев А.Б. Исследование наклонноконденсированных пленочных материалов для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения, дисс. к.т.н. М., 2006. 149 с.

135. Верезуб H.A., Мильвидский М.Г., Простомолотов А.И. Теплоперенос в установках выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского // Материаловедение. 2004. №3. с.2-6.

136. Простомолотов А.И., Мильвидский М.Г. Моделирование тепловых процессов и дефектообразования при выращивании и термообработке бездислокационных монокристаллов и пластин кремния // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2008. №3. С.49-52.

137. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные кластеры в полупроводниках - новый подход к формированию свойств материалов // Физика и техника полупроводников. 1998. Т.32. №5. С.513-522.

138. Грибов Б.Г., Логинова Л.В., Румянцева С.М. Проблемы материаловедения в создании нового поколения приборов электронной техники // Перспективные материалы. 1995. №3. С.38-43

139. Самойлович А.Г., Коренблит Л.Л. Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках // Успехи физических наук. 1953. Т.49. №2. С.243-272.

140. Самойлович А.Г., Слипченко В.Н. Исследование кпд анизотропных элементов // Физика и техника полупроводников. 1975. Т.9. №10. С.1897-1901.

141. Мойжес Б.Я. Влияние температурной зависимости параметров материалов на эффективность термоэлектрических генераторов и холодильников // Физика твёрдого тела. 1960. Т.2. №4. С.728-737.

142. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Термоэлемент. A.c. СССР №230915, кл. Н 01 L 37/00, заявл.14.02.63, опубл. 15.11.68, БИ №35.

143. Самойлович А.Г., Пилат И.М., Анатычук Л.И. Термоэлектрический генератор, состоящий из монокристалла анизотропного антимонида кадмия. Патент США №3530008, кл. 136-200, заявл. 26.01.67, опубл. 22.09.70,.

144. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Анизотропный термоэлемент. Патент ФРГ № 2 000 088, кл. 21 в 27/06, заявл. 02.01.70, опубл. 29.11.73.

145. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Способ генерации электродвижущей силы. Патент Японии 46-43422, кл. 99(5)032, заявл. 25.10.67, опубл. 5.04.71.

146. Анатычук Л.И., Богомолов П.А., Купчинский О.И. и др. Анизотропный радиационный элемент // Оптико-механическая промышленность. 1971. №1. С.27-29.

147. Снарский А.А., Пальти A.M., Ащеулов А.А. Анизотропные термоэлементы // Физика и техника полупроводников. 1997. Т.31. №11. С.1281-1298.

148. Crystea P., Popescu J.M. Infrared photovoltaic radiation detector with anisotropic tellurum film // Opt. Communications. 1970. V.2. N2. P.81-83.

149. Ciura A.J., Popescu J.M., Stancin G.A. Study of the photovoltaic detector with thin anisotropic tellurum film // Rev. Roum. Phys. 1973. V.18. N1. P.119-121.

150. Gheorgita-Oancea C., Crystea P. Study of tellurum anisotropic layers structure and photovotaic effect. - Bull. Inst. Politechn. «Gh. Gheorgiu-Dej», Bucurest. 1975. T.37. N3. P. 11-17.

151. Тесленко А.И. Фотовольтаический эффект в плёнках теллура // Физика и техника полупроводников. 1979. Т. 13. №6. С. 1214-1216.

152. Takahashi М., Kou F., Tada О. The mechanism of the photovoltaic effect of Ge film obliquely deposited in vacuum // Japan. J. Appl. Phys. 1968. V.7.N12. P.1446-1452.

153. Pancove I.I. The anomalous photovoltaic effect // Phys. Stat. Sol. 1980. V.61.N1. P.127-132.

154. Dietmar G. Dember-effect und photon-drag in anisotropen Halbleitern // Wiss. Z. Techn. Univ. Dresden. 1984. T.33. №2. S.15-19.

155. Gutfeld R.J. Laser-induced anisotropic thermoelectric voltages in thin films // Appl. Phys. Lett. 1973. V.23. N4. P.206-208.

156. Gutfeld R.J., Caswell H.L. Enhancement of transverse thermoelectric voltage in thin metallic films // Appl. Phys. Lett. 1974. V.25. N12. P.691-693.

157. Tunan E.E., Gutfeld R.J. Light detector for nanosecond-dc pulse width range. Патент США № 3851174, кл. 250-336, заявл. 04.05.73, опубл. 26.11.74.

158. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Краснов Д.М. Природа анизотропного термоэлектрического эффекта в наклонноконденсированных плёнках // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. №7. С. 1081-1085.

159. Вигдорович В.Н., Марков Ф.В. Координатно-чувствительные измерители энергии и мощности лазерного излучения // Тез. докл. Всес. конф. «Применение лазеров в народном хозяйстве» (4-8 декабря 1989 г., Шатура). - Шатура: НИЦ ТЛ АН СССР, с.244-245.

160. Вигдорович В.Н., Якашвили Д.В. Исследования в области получения кристаллических плёнок висмута. - В кн.: Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. Химическая серия. Вып.ХШ. МИЭТ. 1972. с. 112-123.

161. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Оценка эфективности анизотропных термоэлектрических материалов для термопреобразователей различного назначения. - В кн.: Сборник научных

трудов по проблемам микроэлектроники (химическая серия). - М.: МИЭТ, 1974. Вып.XIX. с. 167-171.

162. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я., Карачун В.Н. Плёночные термоэлектрические приемники излучения. - В кн.: Методы и средства измерения параметров устройств квантовой электроники. Труды ВНИИФТРИ. Вып.39(69). -М.: ВНИИФТРИ, 1978. с.41-46.

163. Косаковская З.Я., Епихина Т.Е., Нестеренко В.М., Ухлинов Г.А. Новые тепловые преобразователи импульсного оптического излучения. - В кн.: Импульсная фотометрия. 1983. вып.8. с.118-120.

164. Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Резников Б.Л. Плёночные анизотропные термоэлементы // Электронная промышленность. 1985. Вып.2(14). С.8-10.

165. Ухлинов Г.А., Марков Ф.В., Каримов Ф.Ч., Резников Б.Л. Плёночные анизотропные датчики излучения // Оптико-механическая промышленность. 1985. №6. С.50-52.

166. Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Марков Ф.В. Поперечная термо-ЭДС в косонапыленных плёнках хрома. - В кн.: Материалы электронной техники. -М.: МИЭТ, 1985. с.165-170.

167. Шелемин Е.Б., Андреев В.И., Рукман Г.И., Заславский В.Я. Способ регистрации оптического излучения / A.c. №1010594 от 19 сентября 1981 г. (кл. G 01 J 5/12); опубликовано: БИ. 1983. №13. с. 157.

168. Грановский А.Б., Яковлев В.А. Неохлаждаемые приемники лазерного С02 - излучения. - В кн.: Вопросы методологического обеспечения измерительных параметров технологических лазеров. - М.: ВНИИФТРИ, 1984, с.5-21.

169. Андреев В.И., Бендицкий A.A., Грановский А.Б., Рукман Г.И., Степанов Б.М. Термоэлектродвижущая сила островковых металлических плёнок // Физика металлов и металловедение. 1983. Т.55. Вып.2. С.407-409.

171. Андреев В.И., Грановский А.Б., Яковлев В. А. Малоинерционный неохлаждаемый преобразователь ИК-излучения на основе косонапылённых плёнок висмута. - В кн.: Методы и средства измерения параметров лазерного излучения. - М.: ВНИИФТРИ, 1985. с.49-54.

172. Андреев В.И., Грановский А.Б., Яковлев В. А. Малоинерционный неохлаждаемый приемник импульсного лазерного излучения // Квантовая электроника. 1985. Т. 12. №6. С. 1295-1297.

173. Андреев В.И., Грановский А.Б., Зубенко В.В., Степанищев C.B., Яковлев В.А. Анизотропия термо-ЭДС и микроструктура косонапыленных плёнок висмута // Физика металлов и металловедение. 1986. Т.61. №3. С.532-535.

174. Каримбеков М.А., Корнилов В.А. Классификация и критерии совершенствования пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения. - В кн.: Проблемы новых материалов и

технологий / Под ред. В.Н. Вигдоровича. - М.: НПО ЦНИИ «Волна», 1989. вып. 1. с. 25-35.

175. Каримбеков М.А., Корнилов В. А. Конструкторско-технологические решения по созданию пленочных термоэлектрических преобразователей. - В кн.: Проблемы новых материалов и технологий / Под ред. В.Н. Вигдоровича. - М.: Научно-производственная ассоциация, 1990. Вып. 2. С. 29-47.

176. Опаричева C.B., Каримбеков М.А. Анализ охраноспособности технических решений относящихся к полупроводниковым веществам. - В кн.: Проблемы новых материалов и технологий / Под ред. В.Н. Вигдоровича. - М.: Научно-производственная ассоциация, 1992. Вып. 4. С. 25-39.

177. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выявление структуры на металлографических шлифах при воздействии озонированным воздухом // Заводская лаборатория. 1994. Т. 60. № 1. С. 27-28.

178. Патент № 2 064 175 РФ, МПК G 01 N 1/28. Способ выявления структуры на поверхности металлографических шлифов / Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. - М.: Производственное предприятие «Патент», 1996. - 5 с. Опубликовано: Бюллетень № 20 (20 июля 1996 г.). Приоритет от 16 мая 1994 г.

179. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Наклонноконденсированные плёночные материалы как наклоннотекстурированнные термоэлектрические преобразователи измерительного назначения // Конденсированные среды и межфазные границы. 2001. ТЗ. №1. С.5-13, 91 и 95.

180. Каримбеков М.А., Вигдорович В.Н. Аналитическое описание анизотропии свойств пленочных поликристаллических материалов с различной текстурой // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2001. № 1. С.70-75 и 78.

181. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Садыков Э.С. Совершенствование зондового метода контроля электросопротивления плёночных материалов // Прикладная физика. 2001. №1. С. 24-30.

182. Каримбеков М.А. Поперечная термо-э.д.с. в наклонно конденсированных плёнках металлов, полуметаллов, полупроводников. Модель и реализация // Вестник Российской академии естественных наук, Санкт-Петербург, 2001. Т5. №1. С.45-53..

183. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Приёмы легирования плёночных материалов и структур для термоэлектрических преобразователей // Прикладная физика. 2002. № 2. С. 83-92.

184. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Плёнки легированных полупроводников и полуметаллов для термоэлектрических измерительных преобразователей. - В кн.: Материалы IX Национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2000» (г. Москва 16-20 октября 2000 г). - М: ИК РАН, 2000. С. 565.

185. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Технологические и конструкторские пленки и включения оксидов. - В кн.: Материалы IV Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (г. Ивано-Франковск, 3-8 мая 1993 г.). В 2-х томах. - 1993. Т. 1. С. 28.

186. Каримбеков М.А., Корнилов В.А. Методика выбора металлов, полуметаллов и полупроводников для чувствительных элементов измерительных преобразователей. - В кн.: Проблемы новых материалов и технологий / Под ред. В.Н. Вигдоровича. - М.: Научно-производственная ассоциация, 1991. Вып. 3. с. 37-51.

187. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выбор пленочных термоэлектрических материалов. - В кн.: Перспективные материалы, технологии и конструкции, С. 15-18 / Под ред. В.В. Стацуры. -Красноярск: CAA, 1998. Вып. 4. - 790 с.

188. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Модель, материалы и параметры наклоннотекстурированных термопреобразователей измерительного назначения // Перспективные материалы. 2001. №1. С.5-13.

189. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выбор, разработка и совершенствование материалов термоэлектрических преобразователей // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2002. № 2. С 23-28.

190. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Графо-аналитическое определение пригодности и предпочтительности материалов для термоэлектрических преобразователей измерительного назначения // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2002. № 3. С.3-11.

191. Каримбеков М.А., Вигдорович В.Н. Аналитическое описание анизотропии свойств пленочных поликристаллических материалов с различной текстурой. - В кн.: Доклады Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М.П. Шаскольской (г. Москва, 17-19 ноября 1998 г.). - М.: Московский институт стали и сплавов, 1998. с. 102.

192. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Гогохия В.Г. Плёночный преобразователь для измерения давления. - В кн.: Доповда VII М1жнародно'1 конференцп «Ф1зика i технолопя тонких шпвок». - 1вано-Франювск, 1999. с.32-33.

193. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Методика описания анизотропии свойств плёночных поликристаллических материалов с различной текстурой. - В кн.: Материалы международной конференции «Кристаллогенезис и минералогия», посвящённой памяти Г.Г. Лиммлейна (г. Санкт-Петербург, 17-21 сентября 2001 г.). - С.-Пб.: Санкт-Петербургский государственный университет, 2001. с. 414.

194. Каримбеков М.А. Термоэлектрические измерители температур и потоков энергии для решения конструкторско-технологических задач сварки. - В кн.: Сборник докладов Всероссийской научно-технической

конференции «Сварка и смежные технологии». - М.: Московский энергетический институт (технический университет), 2000. с.351-355.

195. Каримбеков М.А. Термопреобразователь лазерного излучения на наклонноконденсированных плёночных материалах // Прикладная физика. 2001. № 1. С. 31-40.

196. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Наклонноконденсирован-ные плёнки висмута, теллура и хрома. - В кн.: Материалы X Национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2002» (г. Москва 24-29 ноября 2002 г). -М.: ЖРАН, 2002. с. 534.

197. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Критерии выбора материалов для наклонноконденсированных плёночных термопреобразователей измерительного назначения. - В кн.: Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. - Воронеж: ВГУ, 2002. с. 186-187.

198. Опаричев А.Б., Каримбеков М.А. Термоэлектрическая эффективность пленочных наклонноконденсированных преобразователей из изотропных и анизотропных материалов // Прикладная физика. - 2005. №3. С. 109-112.

199. Опаричев А.Б., Каримбеков М.А. Разработка контроллера для измерения температуры, в том числе температуры поверхности // Прикладная физика. - 2005. №4. С. 115-120.

200. Патент РФ № 37414 (МПК7 G 01 J 5/12). Приемник излучения. / Опаричев А.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Матюнин В.М., Марков Ф.В. Заявлен: 30 декабря 2003 г. Опубликован: бюллетень «Изобретения и полезные модели». - Т.З. №11. С.656. - 20 апреля 2004 г.

201. Опаричев А.Б., Каримбеков М.А. Методы повышения термоэлектрической эффективности конденсированных пленок. - В кн.: Тезисы докладов IX Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (МКФТП-1Х) (19-24 мая 2003 г., Ивано-Франковск, Украина), с. 67.-2003.

202. Опаричев А.Б., Каримбеков М.А., Корнилов В.А. Работа над физико-технологической базой данных для пленочных измерительных термоэлектрических преобразователей. - В кн.: Тезисы докладов IX Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (МКФТП-1Х) (19-24 мая 2003 г., Ивано-Франковск, Украина), с. 68. - 2003.

203. Опаричев А.Б., Каримбеков М.А. Аналитическое описание, геометрический образ и демонстрация анизотропии текстурированного поликристалла. - В кн.: «Кристаллофизика 21-го века». Тезисы докладов II Международной конференции по физике кристаллов, посвященной памяти М.П. Шаскольской (28-30 октября 2003 г., МИСиС, Москва), с. 72-73. -2003.

204. Опаричев А.Б., Матюнин В.М. Изотропные и анизотропные материалы для плёночных наклонноконденсированных

термопреобразователей. - В кн.: «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика». Тезисы докладов Десятой Международной научно-технической конференции студентов и аспирантов. К 65-летию Радиотехнического факультета Института радиотехники и электроники (2-3 марта 2004 г., Москва). Т.З, секция «Проблемы технологии, надёжности и конструирования», с. 199-200. - М.: МЭИ (ТУ), 2004.

205. Опаричев А.Б., Каримбеков М.А. Выбор материалов для пленочных термоэлектрических преобразователей. - В кн.: «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика». Тезисы докладов XI Международной научно-технической конференции студентов и аспирантов. К 75-летию Московского энергетического института (технического университета) (1-2 марта 2005 г., Москва). Т. 3, секция «Проблемы технологии, надёжности и конструирования», с. 245-246. - М.: МЭИ (ТУ), 2005.

206. Дьякова Ю.Г., Лунин Э.А., Стельмах М.Ф. Состояние и перспективы применения лазеров в народном хозяйстве // Электронная промышленность. 1981. № 5-6. С.3-9.

207. Лазеры в технологии: Сборник статей / Под ред. М.Ф. Стелъмаха. - М.: Энергия, 1975. - 216 с.

208. Еремин Е.А., Ухлинов Г.А. Особенности выходного сигнала пленочных анизотропных термоэлементов / Сборник тезисов докладов XII Всесоюзного семинара «Импульсная фотометрия» - Л.: ГОИ, 1988, с.103-104.

209. Хребтов И.А. Быстродействующие термоэлементы и болометры // Оптико-механическая промышленность. 1974. №11. С.55-64.

210. Марков Ф.В., Сулейманова З.П. Пленочные анизотропные преобразователи. - В кн.: Материалы и технологические процессы микроэлектроники: сб. научных трудов. - М.: МИЭТ, 1986, с. 188-191.

211. Каримов Ф.Ч., Ухлинов Г.А., Резников Б.Л., Марков Ф.В. Матричные приемники излучения на основе пленочных термоэлементов / Тезисы докладов III Всесоюзного совещания «Координатно-чувствительные фотоприемники и оптоэлектронные устройства на их основе» - Барнаул: Алтайский политехнический институт им.Ползунова, 1985, с.19-20.

212. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Исследование текстуры роста в пленках висмута / Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники (химическая серия). - М.: МИЭТ, 1974, Вып.XIX. с. 101-104.

213. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Структура и термоэлектрические свойства косонапыленных пленок висмута // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1986, Т.22, № 6, С.93 8-941.

214. Епихина Г.Е., Ефреев З.А., Косаковская З.Я., Нестеренко В.М., Ухлинов Г.А. Пленочные анизотропные преобразователи теплового потока

/ Тезисы докладов Всесоюзной научно технической конференции температурных и теплофизических измерений в диапазоне высоких температур. - Харьков: НПО "Метрология", 1983, с.258.

215. Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч. Структура и термоэлектрические свойства косонапыленных пленок теллура / Тезисы докладов П Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок (проблемные вопросы). - Ивано-Франковск: И.-Ф. гос. пед. институт, 1984, ч.И, с.406.

216. Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Резников Б.Л., Марков Ф.В. Пленочные анизотропные термоэлементы // Электронная промышленность, 1985, № 6, С.50-52.

217. Ухлинов Г.А., Краснов Д.М. Анизотропия и анизотропный термоэлектрический эффект в наклонно конденсированных пленках / Материалы и технологические процессы микроэлектроники: Сборник трудов. -М.: МИЭТ, 1986, с. 192-195.

218.Seid D.H., Spicer W«E. Photoemissionn and optical Staties of Cu-Ni alloys // Phys. Rev., 1970, B2, P. 1676-1704.

219. Hufner S., Wertheim G.K. Density staties Cu-Ni alloys // Phys. Rev. Lett., 1972, V.28, N18, P.488-490.

220. Rousel L.J., Varlashkin P.G. Anqular-correlation studies of positron annihilation in copper-nikel alloys // Phys. Rev., 1971, B4, N7, P.2377-2380.

221. Mott N. P. The resistance and thermoelectric properties of the transition metals // Proc. Roy. Soc., 1936, A156, N 888, P.368-382.

222. Coles B.R. Electronic Structures and Physical Properties in the Alloy Systems Nickel-Copper and Palladium-Silver // Proc. Phys. Soc, 1952, B65, N387B, p.221-229.

223. Fletcher R., Greig D. The thermoelectric power of palladium and palladium-silver alloys // Phys. Lett., 1965, V.17, N1, P.6-7.

224. Сасовская И.И., Носков M.M. Оптические свойства Cu-Ni сплавов в видимой и ультрафиолетовой области спектра // Физика твердого тела, 1972, №4, С.99-102.

225. Shiba Н. On the de Haas-van Alphen Effect in Dilute Copper Alloys Containing Transition-Metal Impurities // Progr. Theor. Phys., 1973, 50, P. 17901823.

226. Templeton I.M., Coleridge P.T. The Fermi surfaces of dilute copper alloys // J.Phys. P: Met. Phys., 1975, V.5, N7, P. 1307-1326.

227. Asayama Kunisuke. Nuclear Magnetic Resonance Study in Cu-Ni Alloys // J. Phys. Soc. Japan, 1963, V.18, N12, P.1727-1735.

228. Priedel J. On some electrical and magnetic properties of metallic solid solutions // Canad. J. Phys., 1956, V.34, P.l 190-1209.

229. Schroeder P.A., Wolf R., Woolam J.A. Thermopowers and Resistivities of Silver-Palladium and Copper-Nickel Alloys // Phys. Rev., 1965, A138, N1, P.105-111.

230. Лухвич А.А., Каролик А.С. Концентрационная зависимость термоэлектрических свойств Cu-Ni сплавов // Физика металлов и металловедение, 1985, т.59, №6, с.1085-1090.

231. Ziman J.M. The Ordinary Transport Properties of the Noble Metals // Adv. Phys., 1961, v.10, N37, p.1-56.

232. Yamashita J., Asano S. Thermoelectric Rower of Copper // Prog. Theor. Phys, 1973, 50, p. 1110-1119.

233. Stocks Q.M. , Willams R.W, Faulkner J.S. Densities of states of paramagnetic Cu-Ni alloys // Phys. Rev, 1971, B4, N12, p.4390-4465.

234. Krolikowski W.P, Spicier W.E. Photoemission Studies of the Noble Metals // Phys. Rev, 1969, 185, p.882-900.

235. Мушакова Т.И, Елютин О.П. Температурная и концентрационная зависимость термо-ЭДС некоторых бинарных сплавов на основе никеля в связи с диаграммой состояния и атомным упорядочением // Стабильные и метастабильные фазовые равновесия в металлических системах: Сборник трудов. - М.: Наука, 1985, с.38-44.

236. Feussner К. und Lindeck S. Metallegierungen furelektrische WiederStande / Leitshrift fur Instrumentenkunde. - Berlin, 1889, p.233-236.

237. Жемчужный Ц.Ф, Погодин C.A, Финкейзен B.A. Сплавы высокого электросопротивления // Известия института неорганической химии. Сектор физико-химичесокго анализа. - М, 1924, Т.2, Вып.2, С.405- 449.

238. Симоновский А.А. Тензометрические проволоки для самокомпенсированных тензодатчиков // Испытательные машины, приборы, автоматизация взвешивания и дозирования: Сборник трудов. -М.: Оптприбор,. 1964, №2, с.29-53.

239. Дормакович Л.В, Селезнев Л.П, Шпинецкий Е.С. О тензочувствительности и ТКС сплавов системы медь-никель /Металловедение меди и медных сплавов. Гипроцветметобработка: Сборник трудов. - М.: Металлургия, 1975, вып.48. с. 123-130.

240. Dale Е.В. Theory of Steady-State Evaporation of Alloys // Journal of Applied Physics, 1971, v.42, N10, p.3697-3701.

241. Клебанов Ю.Д, Привезенцева T.B, Сумароков В.Н. О кинетике испарения сплава в вакууме // Физика и химия обработки материалов, 1977, № 3, с.50-54.

242. Ройх И.Л, Костржицкий А.И,Приббе С.А, Федосов С.Н. Фракционирование бинарных сплавов при испарении из одного тигля // Физика и химия обработки материалов, 1976, №3, С.50-54.

243. Бадиленко Г.Ф. Некоторые закономерности кинетики испарения и конденсации двойных сплавов / Проблемы специальной электрометаллургии: Сборник трудов. - Киев: Наукова думка, 1975, вып.2, с.62-66.

244. Алешкин А.А, Раров Н.Н. О возможности получения

двухкомпонентных пленок металлов заданного состава испарением из сплава // Физика и химия обработки материалов, 1970, № 4, С.43-48.

245. Палатник JI.C, Федоров Г.В., Богатов П.Н. О характере испарения и конденсации сплава Pb-Sn // Физика металлов и металловедение, 1966, т.21, вып.5, с.704-707.

246. Hultgren R., Desai R.D., Hawkins D. Т., Gleiser M., Kelley K.K. Selekted values of the thermodynamic properties of binary alloys // ASM. Metals Park, Ohio, 1975. - 1435 p.

247. Куропатов Ю.А., Мовчан Б.А. Механизм удаления меди при электроннолучевой плавке стали // Физика и химия обработки материалов, 1970, № 4, С.37-42.

248. Zinsmeister G. The Direct Evaporation of Alloys // Vakuum technik, 1964, N8, p.233-240.

249. Honig R.E. Vapor pressure data for the solid and liquid elements // RCA Review, 1962, V.23, N4, P.567-586.

250. Huijer P., Langendam W. T. , Lely J. Vacuum deposition of resistors // Philips technical review, 1962/63, V.24, N4/5, P.144-148.

251. Старк Б.В., Челищев E.B., Казачков E.A. Диффузия элементов в расплавленном железе // Известия АН СССР. ОТН, 1951, № 11, С.1689-1695.

252. Morgan D.W., Kitchener J.A. Solution in Liquid Iron. Part 3. -Diffusion of Cobalt and Carbon // Transaction of the Faraday Society, 1954, V.50, N1, P.51-60.

253. Палатник JI.C, Федоров Г.В., Богатов П.Н. Исследование процессов испарения и объемной конденсации сплавов // ДАН СССР, 1964, Т. 158, № 3, С.586-589.

254. Палатник JI.C, Федоров Г.В., Богатов П.Н. Изучение закономерностей испарения сплавов // Физика металлов и металловедение, 1966, Т.21, Вып.З, С.409-413.

255. Фильчаков П.Ф. Справочник по высшей математике. - Киев: Наукова думка, 1974. - 743 с.

256. Кузьменко П.П., Харьков В.И., Лозовой В.И. О механизме подвижности ионов в жидких металлах // Физика металлов и металловедение, 1966, Т.21, Вып.З, С.414-422.

257. Шурыгин П.М., Шантарин В.Д. Диффузия металлов в жидкой меди // Физика металлов и металловедение, 1963, Т.16, Вып.5, С.731-736.

258. Грегор Л.В. Процессы получения тонких пленок в микроэлектронике / Технология толстых и тонких пленок: Сборник трудов / Пер. с англ. - М.: Мир, 1972, с.9-26.

259. Вигдорович В.Н., Попов В.И. Формирование структуры и свойств пленок многокомпонентных металлических сплавов при их конденсации в вакууме // Металлы, 1977, № 5, С.115-120.

260. Корольков A.M., Лысова Е.В., Павленко Г.И., Попов В.И.

Закономерности формирования структуры и свойств пленок, полученных вакуумным напылением сплавов на основе меди // Физика и химия обработки материалов, 1973, № 3, С.58-62.

261. Краснов Д.М., Марков Ф.В. Исследование особенностей испарения медно-никелевых сплавов // Материалы и технологические процессы микроэлектроники: Сборник трудов - М.: МИЭТ, 1988, С. 134137.

262. Мягков А.Т., Вяльцев А.А. Вибропитатель диаметром 40 мм для подачи порошковых материалов в вакууме / МЭИ: Информационно-справочный листок: Серия микроэлектроника. № 001769. - М.: Электроника, 1971. - 1 с.

263. Способ изготовления пленочных анизотропных термоэлементов / Г.А. Ухлинов, Д.М. Краснов и др.- заявка № 4282882; приоритет от 13.07.87; решение о выдаче от 12.07.88.

264. Ухлинов Г.А., Марков Ф.В., Краснов Д.М. Пленочные анизотропные приемники излучения / Тезисы докладов VI Всесоюзного семинара по тепловым приемникам излучения. - JL: ГОИ, 1988, с.55-56.

265. Ухлинов Г.А., Марков Ф.В., Краснов Д.М. Основные параметры пленочных анизотропных термопреобразователей излучения /Сб. тезисов докладов 12 Всесоюзного семинара «Импульсная фотометрия». - JL: ГОИ, 1988, с.99-100.

266. Косаковская З.Я., Курицын Г.Н. Приемники импульсно-периодического излучения /Тезисы докладов VI Всесоюзного семинара по тепловым приемникам излучения. - JL: ГОИ, 1988, с.51-52.

267. Средства измерений параметров лазерного излучения. Общие технические требования. ГОСТ 24469-80.

268. Агриков Ю.М., Антропов A.M., Синягин О.В., Токмулин И.М. Использование поперечного термоэлектрического эффекта для измерения тепловых потоков в плазме атмосферного давления / Физические основы микроэлектронных приборов: сб. науч. тр. -М.: МИЭТ, 1987, с.104-107.

/ 269. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Корнилов В.А. Работа над физико-технологической базой данных для пленочных измерительных термоэлектрических преобразователей / Материалы XI Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2004) (13-17 декабря 2004 г, Москва) - М: ИК РАН, 2004, с.94.

270. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Корнилов В.А. Эффективность экспериментальной базы данных для производства пленочных измерительных термоэлектрических преобразователей / Материалы XI Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2004) (13-17 декабря 2004 г, Москва). - М: ИК РАД 2004, с.98.

271. Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Термоэлектрическая эффективность пленочных преобразователей из изотропных и анизотропных материалов /Тезисы докладов

X Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (МКФТП-Х) (16-21 мая 2005 г., Ивано-Франковск, Украина). - 2005, с.81.

272. Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Марков Ф.В. Выбор материалов и разработка технологии для пленочных преобразователей // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России, 2005, № 3, С.40-47.

'--273. Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Марков Ф.В. Изотропные и анизотропные материалы (висмут, теллур, хром, никель, тантал) для плёночных наклонноконденсированных термопреобразователей. // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России, 2005, № 4. с.98-102.

274. Oparichev А.В., Karimbekov М.А., Vigdorovich V.N., Oparichev E.B. Isotropic and anisotropic materials (bismuth, tellurium, chromium, copel, constantan) for film inclination-condensed thermo-electric converters /Рост монокристаллов и тепломассоперенос (ICSC-2005) (25-30 сентября 2005 г., Обнинск) / Сборник трудов 6-ой Международной конференции в 4-х томах. - Обнинск, ГНЦ РФ Физико-энергетический институт им. А.И.Лейпунского, 2005. - Т.1. - (с. 244-249) 310 с. Т.2. - 242 с. Т.З. - 226 с. Т.4.-180 с.

275. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Марков Ф.В., Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б. Микросекундные пленочные термоэлектрические контроллеры лазерного излучения / Материалы V Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика-2005» (23-25 ноября 2005 г., Зеленоград). -М.: МИЭТ, 2005. - 4.1. - (с. 107-108) 272 с. и 4.2.-208 с.

' 276. Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Развитие принципов выбора материалов для термоэлектрических преобразователей / Труды 10-ой Международной научной конференции и школы-семинара «Актуальные проблемы твёрдотельной электроники и микроэлектроники» (ПЭМ-2006) (24-29 сентября 2006 г., Дивноморское). -Таганрог: ТГРУ, 2006. - 4.1. - (с. 110-111) 280 с. и 4.2. - 280 с.

^ 277. Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Развитие принципов повышения термоэлектрической эффективности конденсированных плёнок / III Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (ФАГРАН-2006) (8-14 октября 2006 г, Воронеж). - Воронеж: ВГУ, 2006. - Т. 1. - (с. 393-396) 465 с. и Т.2 - 502 с.

278. Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Плёночные наклонноконденсированные термоэлектрические преобразователи лазерного излучения из анизотропных (висмут и теллур) и изотропных (хром, никель и тантал) материалов / Материалы XII Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2006) (23-28 октября 2006 г, Москва), с.501-502. - М.: Ж РАН, 2006. - 536 с.

279. Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Эффективность плёночных термоэлектрических преобразователей на «армированных текстурах» из изотропных и анизотропных материалов /Тезисы докладов III Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященной памяти М.П. Шаскольской (20-26 ноября 2006 г., МИСиС, Москва), с. 72-73. 2006. - 536 с.

280. Опаричев Е.Б., Опаричев А.Б., Нижаде-Гавгани Д.Э., Каримбеков М.А. Получение и применение наклонноконденсированных плёнок Bi, Те, Cr, Ni и Та для контроллеров лазерного излучения / Тринадцатая Международная конференция студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (1-2 марта 2007 г., Москва): Тезисы докладов: В 3-х тт. - М.: Издательский дом МЭИ, 2007. т.З (с.252).-428 с.

281. Опаричев Е.Б., Опаричев А.Б., Арзиев К.И., Каримбеков М.А. Модельные представления характеристик для термоэлектрических наклонноконденсированных материалов / Тринадцатая Международная конференция студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (1-2 марта 2007 г., Москва): Тезисы докладов: В 3-х тт. - М.: Издательский дом МЭИ, 2007. т.З (с. 254-255). - 428 с.

282. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Марков Ф.В., Опаричев

A.Б. Опаричев Е.Б. Модельные представления для определения выбора материалов термопарных термоэлектрических преобразователей // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России, 2007, №4. С. 54-60.

' 283. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Опаричев Е.Б., Тимошин Н.В., Опаричев А.Б. Трактовка наногетерогенности материалов. Введение понятия «Коллоидный твердый раствор» / Сборник материалов III Международной школы «Физическое материаловедение». Наноматериалы технического и медицинского назначения (24-28 сентября 2007 г, Самара, Тольятти, Ульяновск, Казань), с.299-303. -Тольятти: ТГУ, 2007. - 382 с.

284. Опаричев Е.Б., Каримбеков М.А., Опаричев А.Б., Вигдорович

B.Н. Поведение наклонноконденсированных пленок при нагреве, отжиге и лазерном облучении в воздушной атмосфере. - В кн.: Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковх приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): Материалы докладов научно-методологического семинара (Москва 27-28 ноября 2007 г.), с. 100-105. — М.: МНТО РЭС им. A.C. Попова, МЭИ, 2008. — 212 с.

285. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Марков Ф.В., Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б. Разработка контактных контроллеров температуры + // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России, 2008, №1, С.60-66.

286. Опаричев Е.Б., Тимошин Н.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков

М.А. Коллоидные твердые растворы как кристаллические вещества на наноуровне / Четырнадцатая Международная конференция студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (28-29 февраля 2008 г., Москва): Тезисы докладов: В 3-х тт. - М.: Издательский дом МЭИ, 2008. Т.З. С.226-227.

287. Опаричев Е.Б., Каримбеков М.А. Наклонноконденсированные плёнки висмута, теллура, хрома, никеля, тантала, константана и копели при нагреве, отжиге и лазерном облучении в воздушной атмосфере как метаматериалы / Четырнадцатая Международная конференция студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (28-29 февраля 2008 г., Москва): Тезисы докладов: В 3-х тт. - М.: Издательский дом МЭИ, 2008. Т.З. С.228.

288. Опаричев Е.Б., Каримбеков М.А., Вигдорович В.Н. Быстродействующие контроллеры лазерного излучения на наклонноконденсированных пленочных материалах. - В кн.: Материалы XIII Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2008) (17-21 ноября 2008 г, Москва), с. 37. - М.: ИК РАН, 2006. - 522 с.

289. Опаричев Е.Б., Каримбеков М.А. Медно-никелевые сплавы -перспективные пленочные материалы для контроллеров лазерного излучения. - В кн.: Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Пятнадцатая Международная конференция студентов и аспирантов (26-27 февраля 2009 г., Москва): Тезисы докладов: В 3-х тт. - М.: Издательский дом МЭИ, 2009. Т. 3. С.281-282.

290. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Марков Ф.В., Опаричев

A.Б., Опаричев Е.Б. Микросекундные пленочные термоэлектрические контроллеры лазерного излучения. - В кн.: Микроэлектроника и информатика. XVI Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: Тезисы докладов (22-24 апреля 2009 г., Зеленоград), с. 214. - М.: МИЭТ, 2009. - 372 с.

291. Вигдорович В.Н., Кадыров Ч.А., Каримбеков М.А., Опаричев Е.Б. Влияние термической обработки на свойства наклонноконденсированных пленок // Известия Кыргызского технического университета им. И. Раззакова. Бишкек. 2009. №17. С.289-292.

292. Экспериментальная база данных для постановки производства плёночных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения «Физико-технологическая справочная информация». - 2004. -120 с. (Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Корнилов В.А.), см. web-сайт: http://www.phase.ac.ru/ptp/

293. Патент № 62236 Российская Федерация, МПК8 в 01 К 7/02. Чувствительный элемент / В.Н. Вигдорович, М.А. Каримбеков,

B.М. Матюнин, А.Б. Опаричев, Е.Б. Опаричев; заявл. 13.11.06 г.; опубл. Бюл. «Изобретения и полезные модели». 2007. № 9.