Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Михайличенко, Александр Валерьевич

• Михайличенко, Александр Валерьевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Михайличенко, Александр Валерьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДОВ ВАНАДИЯ.

1.1 Свойства оксидов ванадия.

1.2 Применение пленок оксидов ванадия.

1.2.1 Чувствительные элементы неохлаждаемых сенсоров излучения ИК диапазона.

1.2.2 Переключатели для энергонезависимой памяти.'.

1.3 Чувствительные элементы газовых сенсоров.

1.4 Методы формирования пленок оксидов ванадия.

1.5 Выводы и постановка задачи.

ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ИЛО ОКСИДОВ ВАНАДИЯ.

2.1 Физико-химические процессы при абляции.

2.1.1 Расчет термодинамических закономерностей фазообразования в системе ванадий-кислород.

2.1.2 Определение температуры поверхности мишени.

2.2 Разработка алгоритма для теоретического анализа равномерности осаждения пленки методом ИЛО на пластину диаметром 100 мм.

2.2.1 Параметры процесса сканирования мишени в модуле ИЛО.

2.2.2 Определение профиля осаждения пленки.

2.2.3 Разработка модели однородности осаждения пленок методом ИЛО

2.3 Выводы по главе 2.

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕЖИМОВ ИЛО ПЛЕНОК УОх.

3.1 Исследование влияния длительности ИЛО на электрофизические свойства пленок УОх.

3.2 Исследование влияние температуры подложки при ИЛО на электрофизические свойства пленок VOx.

3.3 Исследование влияние давления кислорода при ИЛО на электрофизические свойства пленок VOx.

3.4 Исследование фазового состава пленок VOx, осажденных в вакууме и атмосфере кислорода.

3.6 Сравнительные исследования пленок оксидов ванадия, полученных методами ИЛО и окислением металлического ванадия.

3.7 Исследование влияние отжига на сопротивление пленок VOx.

3.8 Выводы по главе 3.

ГЛАВА 4. ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК VOx В СЕНСОРАХ И МЕМРИСТОРАХ.

4.1 Разработка конструкции перестраиваемого по частоте чувствительного элемента сенсора ИК диапазона.^.

4.2 Разработка конструкции газочувствительного сенсора.

4.3 Создание мемристора на основе пленок VOx.

4.4 Разработка технологических маршрутов формирования чувствительных элементов сенсоров на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.

4.5 Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе»

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, приведены Цель работы, основные задачи исследований, научная новизна и практическая значимость работы, а также приведены сведения об апробации работы и структуре диссертации.

В первой главе представлен обзор основных свойств оксидов ванадия. Рассмотрены основные принципы, достоинства • и недостатки методов формирования пленок оксидов ванадия. Описаны особенности применения метода импульсного лазерного осаждения для получения пленок оксидов ванадия, а также физические основы этого метода. Также проведен

Обзор основных методов применения пленок оксидов ванадия. Выявлены следующие области применения пленок оксидов ванадия: чувствительные элементы неохлаждаемых фотоприемников инфракрасного диапазона; газочувствительные сенсоры; устройства с эффектом переключения сопротивления на основе структур металл-оксид-металл. Выявлены основные проблемы, возникающие при использовании пленок оксидов ванадия в указанных областях:

- получение пленок с заданным удельным сопротивлением и ТКС;

- селективного детектирования длины волны падающего излучения чувствительным элементом фотоприемника инфракрасного диапазона;

- получения равномерного профиля осаждения пленок на подложки диаметром 100 мм методом импульсного лазерного осаждения;

- недостаточное исследование воспроизводимости эффекта переключения в структурах металл-оксид-металл на основе пленок оксидов ванадия, содержащих несколько фаз;

Сделан вывод о необходимости проведения исследований влияния основных технологических параметров метода импульсного лазерного осаждения на электрофизические свойства пленок оксида ванадия.

Результаты обзора определили цель и постановку задач работы.

Во второй главе представлены результаты теоретических расчетов термодинамических закономерности процессов межфазного взаимодействия в системе ванадий-кислород, на основании расчета температурных зависимостей изменения энергии Гиббса. Проведены термодинамические расчеты процессов диссоциации оксида ванадия У205, также исследованы термодинамические закономерности процессов взаимодействия основных оксидов ванадия и металлического ванадия с кислородом. На основе тепловой теории лазерной абляции проведен теоретический анализ температуры поверхности мишени при попадании на нее лазерного излучения. А также температуры фронта факела при его движении в сторону подложки.

Для решения проблемы получения равномерного профиля осаждения пленок на подложке диаметром 100 мм методом импульсного лазерного осаждения была разработана математическая модель, позволяющая рассчитывать профиль осаждения пленки в зависимости от режимов ИЛО.

Полученные во второй главе результаты были использованы при разработке методик проведения экспериментальных исследований режимов импульсного лазерного осаждения пленок оксидов ванадия.

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований режимов импульсного лазерного осаждения. Выявлено влияние длительности осаждения, температуры подложки, давления рабочего газа на электрофизические свойства пленок оксидов ванадия. Также исследовано влияние режимов отжига пленок оксидов ванадия, полученных методом импульсного лазерного осаждения, на величину и температурную зависимость сопротивления этих пленок. Экспериментально определены скорости роста пленок при различных режимах импульсного лазерного осаждения.

Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования пленок оксидов ванадия для чувствительных элементов сенсоров.

В четвертой главе приведены экспериментальные результаты формирования чувствительного элемента газового сенсора и проведены исследования его на газочувствительность. Разработаны конструкции перестраиваемых по частоте чувствительных элементов фотоприемника инфракрасного диапазона. Также приведены экспериментальные результаты формирования структуры металл-оксид-металл на основе пленки оксида ванадия, содержащего различные фазы оксида. Кроме этого, приведены результаты исследования эффекта переключения сопротивления в этой структуре. Разработаны технологические маршруты формирования чувствительного элемента фотоприемника инфракрасного диапазона, газового сенсора и структуры металл-оксид-металл с эффектом переключения сопротивления на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.

В заключении сформулированы основные результаты диссертационной работы.

Содержание диссертации изложено на 176 страницах, включающих в себя: 70 страниц с рисунками; 6 страниц с таблицами; список использованных источников, включающий 127 наименований. В приложениях содержатся блок схема алгоритма разработанной математической модели и акты внедрения результатов исследований диссертационной работы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Михайличенко, Александр Валерьевич

4.5 Выводы по главе 4

По результатам исследований, представленных в четвертой главе можно сделать следующие выводы:

1. Разработаны конструкции перестраиваемых по частоте микроболометрических чувствительных элементов неохлаждаемых ИК сенсоров. Результат достигается за счет перемещения микрозеркала, изменяющего объем четвертьволнового резонатора. Эта конструкция позволяет детектировать излучение в широком диапазоне длин волн, тем самым расширяя области применения ИК сенсоров. На разработанные конструкции получены патенты РФ №87568 и №102847.

2. Исследован экспериментальный образец газочувствительного сенсора на основе нелегированных пленок VOx. Показано, что при рабочей температуры в 100 °С, величина изменения сопротивления при детектировании метана составила 0,7 кОм за 3 секунды.

3. Исследованы повторяемость и равномерность эффекта переключения сопротивления в MOM структуре на основе поликристаллической пленке V04. Показано, что при переключении сопротивление изменяется в 10 раз в диапазоне напряжения 5 В. Также показана воспроизводимость эффекта в структурах размером 6x6 мкм.

4. Разработан технологический маршрут формирования микроболометрического чувствительного элемента, на основе комплекса НАНОФАБ НТК-9.

5. Разработан технологический маршрут формирования макета газового сенсора, на основе комплекса НАНОФАБ НТК-9.

6. Разработан технологический маршрут формирования MOM структуры с эффектом переключения сопротивления на основе комплекса НАНОФАБ НТК-9.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенной работы были получены следующие основные результаты:

1. Теоретически исследованы термодинамические закономерности процессов фазообразования в системе ванадий-кислород, показано, что при взаимодействии ванадия и кислорода наиболее вероятно образование оксидов У205 и У203.

2. Теоретически исследованы закономерности процессов теплопереноса и фазообразования при импульсном лазерном осаждении, показано, что мишень У205 в процессе осаждения диссоциирует на ванадий и кислород. Далее происходят процессы взаимодействия ванадия и кислорода с образованием различных оксидов ванадия.

3. Разработаны методика и программные средства для теоретического анализа равномерности нанесения пленок при импульсном лазерном осаждении, позволяющие рассчитать профиль распределения толщины пленки по подложке диаметром 100 мм при импульсном лазерном осаждении. Разработаны рекомендации для технологических параметров модуля импульсного лазерного осаждения, реализация которых позволит получить пленки с однородностью по толщине 0,96.

4. Проведены экспериментальные исследования влияния режимов импульсного лазерного осаждения (температуры подложки, давления рабочего газа, длительности осаждения) на морфологию и электрофизические свойства пленок оксидов ванадия. Показано, что изменяя режимы импульсного лазерного осаждения можно управлять величиной удельного сопротивления пленок оксидов ванадия в диапазоне от 5 до 3-105 Ом-см.

5. Разработаны конструкции: чувствительного элемента сенсора ИК диапазона, защищенные патентами РФ на полезную модель №87568 и №10284; газового сенсора; мемристорного переключателя на основе пленок оксидов ванадия.

6. Разработаны технологические маршруты изготовления чувствительных элементов сенсоров на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Михайличенко, Александр Валерьевич, 2011 год

1. Музгин В.Н., Хамзина Л.Б. Аналитическая химия ванадия. СПб.: Наука. 1981. 216 с.

2. Дубинская А. М., Призмент Э. Л. Ванадия оксиды http://www.xurnuk.ru/encyklopedia/702.html (дата обращения: 31.07.2011).

3. Аристова Н.М., Горохов Л.Н. Оксид ванадия Электронный ресурс. URL: http://www.chem.msu.Su/Zn/V/VOc.html (дата обращения: 31.07.2011).

4. Бугаев А.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. СПб.: «Наука», 1979. 183 с.

5. Wu J. Strain-induced slf organization of metal-insulator domains in single-crystalline V02 nanobeams //Nano Letters. Vol. 6. No. 10. 2006. 2313-2317 P

6. Зеров В.Ю. Неохлаждаемый микроболометрический многоэлементный приемник инфракрасного излучения: дис. . канд. техн. наук. СПб., 2003. 134 с.

7. Климов В.А., Тимофеева И.О. Траснформация параметров фазового перехода полупроводник-металл при кристаллизацции аморфных пленок диоксида ванадия // Физика и техника полупроводников. 2003. Том 37. Вып. 4. С. 388-392.

8. Андреев В.Н., Пикулин В.А. Акустическая эмиссия при фазовом переходе в монокристаллах полутораокиси ванадия // Физика твердого тела. Том. 42. Вып. 2. 2000. С. 322-325.

9. Данилов О.Б., Климов В.А., Михеева О.П. Оптические ограничения излучения среднего и ИК диапазона в пленках диоксида ванадия // Журнал технической физики. 2003. Той 73. Вып. 1. С. 79-85.

10. Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука. 1979. 342 с.

11. Шадрин Е.Б., Ильинский А.В. О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия // Физика твердого тела. 2000. Т. 42. № 6. С. 1092-1099.

12. Рогальский А. Инфракрасные детекторы / Новосибирск: Наука, 2003. -636 с.

13. Тарасов В.В., Якушенко Ю.Г. Инфракрасные системы «смотрящего» типа / М.: Логос, 2004. 444 с.

14. Маляров В.Г. Неохлаждаемые тепловые инфракрасные матрицы // Оптический журнал. Том 69. №10. 2002. С. 60-72.

15. Sensor element with small area light detecting section of bridge structure: pat. 09/150,330 No US 6,218,667 В1, date of patent: Apr. 17, 2001, filed: Sep. 9,1998.

16. Yang J.C., Jung H. Micro-electro-mechanical-systems-based infrared spectrometer composed of multi-slit grating and bolometer array // Japanese Journal of Applied Physycs. 2008. Vol. 47, No. 8. 6943-6948 p.

17. Zerov V. Malyarov V. Uncooled membrane-type microbolometer based on a VOx film // Opticheski Zhumal. 2001. Vol. 68. 64-68 p.

18. Путролайнен B.B. Эффект электрического переключения с памятью в гидротированном аморфном диоксиде ванадия // Журнал технической физики. Том 80. Вып. 2. 2010. С. 88-91.

19. Miller К. Fabrication and modeling of thin-film titania memristors / A thesis submitted to the graduate faculty in partial fulfillment of the requirements for the degree of master of science. 2010.' 48 p.

20. Eshraghian K. Memristor MOS content addressable memory (MCAM): hybrid architecture for future high performance search engines // IEEE Transactions VLSI systems. Vol. 10. No 10. 10 pp.

21. Petraru A. Simultaneous measurement of the piezoelectric and dielectric response of nanoscale ferroelectric capacitors by an atomic force microscopy based approach // Applied Physics: A. Vol. 84. 2006. 67-71 p.

22. Waser R., Aono M. Nanoionics-based resistive switching memories // Nature materials. Vol. 6. 2007. 833-840 p.

23. Пергамент А.Л. Электронное переключение в тонких слоях оксидов переходных металлов // Изв. РГПУ: Физика. 2005. №5(13) С. 69-86.

24. Гусев A.Jl. Датчики водорода и водородосодержащих молекул // Альтернативная энергетика и экология. №5 (25). 2005. С. 23-31.

25. Румянцева М.Н., Коваленко В.В. Нанокомпозиты на основе оксидов металлов как материалы для газовых сенсоров // Рос. хим. ж. 2007. Том LI. №6. С. 61-70.

26. Румянцева М.Н., Сафонова О.В. Легирующие примеси в нанокристаллическом диоксиде олова // Известия Академии наук. Серия химическая. 2003. №6. С. 1151-1171.

27. Myung S., Нео К. Focused assembly of V205 nanowire masks for the fabrication of metallic nanowire sensors // Nanotechnology. Vol. 18. 2007. 4 pp.

28. Li Y., Huang Z. A vanadium oxide nanotube-based nitric oxide gas sensor // Sensors and Materials. Vol. 18. N. 5. 2006. 241-249 p.

29. Виглеб Г. Датчики. Устройство и применение / Г. Виглеб. М.: Мир. 1989 г. 192 стр.

30. Джексон Р.Г. Новейшие датчики / Серия «Мир электроники» М.: Техносфера 2007 г. 384 стр.

31. Аш Ж. Датчики измерительных систем: в 2-х книгах. Кн. 2 / Ж. Аш и др. М.: Мир. 1992 г. 424 с.

32. Wollenstein J., Plaza J. A novel single chip thin film metal oxide array // Sensors and Actuators B. No 93. 2003. P. 350-335.

33. Филиппов E. А. Золь-гель процесс // Радиохимия, 1980. Том 22. № 3. С. 305-315.

34. Березина О.Я., Величко А.А. Влияние примеси вольфрама на свойства пленок оксидов ванадия // ЖТФ. 2007. Том 33. Вып. 13. С. 24-31.

35. Комаров А.А. Исследование электрофизических свойств оксида ванадия (V), допированного оксидом меди и сенсорных датчиков на его основе // Сборник трудов конференции: Химия твердого тела V. Кисловодстк-Ставрополь: СевКавГТУ. 2005. 368 с.

36. Адамян А.З. Золь-гель технологии получения чувствительных к водороду тонких пленок // Альтернативная энергетика и экология. № 8(40). 2006. С. 50-55.

37. Mukherjee S., Pal А. К. Size-dependent magnetic properties of V02 nanocrystals dispersed in a silica matrix // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. Vol. 20. 9 pp.

38. Kikalov D., Pergament A. Optical properties of thin films of amorphous vanadium oxides // Technical Physics Letters. 1998. Vol. 25. No. 4. 81-87 p.

39. Bai H., Cortie M.B. The preparation of a plasmonically resonant V02 thermochromic pigment // Nanotechnology. 2009. Vol. 20. 9 pp.

40. Pergament A., Velichko A. Electrical and optical properties of hydrated amorphous vanadium oxide // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. 3 p.

41. Stefanovich G., Pergament A. Electrical swiching and Mott transition in V02 //J. Phys.: Condens. Matter. 2000. Vol. 12. 8837-8845 p.

42. Кикалов Д.О., Малиненко В.П. Оптические свойства тонких пленок аморфных оксидов ванадия // Письма в ЖТФ. 1999. Том 25. Вып. 25. С. 81-87.

43. F.A.Chudnovskii, A.L.Pergament, G.B.Stefanovich. "Anodic oxidation of vanadium", Seventh international symposium on passivity. Passivation of metals and semiconductors. Abstracts. Clausthal, Germany, 1994, p. 149.

44. Pierson H. O. Handbook of Chemical Vapor Deposition (CVD): Principles, Technology and Applications / NJ. 1992. 235 p.

45. Акопян В. Сверхпроводимость: методы получения высокотемпературных сверхпроводников Электронный ресурс. URL:http://www.relga.ru/Environ/WebObjects/tguwww.woa/wa/Main?textid=2556&level 1 =main&level2=articles (датаобращения: 30.06.201 1).

46. Сидоров А.И. Морфологические особенности микрокристаллов диоксида ванадия, выращенных из газово фазы // Письма в ЖТФ. 2007. Том 33. Вып. 22. С. 31-35.

47. Певцов А.Б., Грудинкин С.А. Переключение фотонной запрещенной зоны в трехмерных пленочных фотонных кристаллах на основе композитов опал-У02 в спектральной области 1.3-1.6 мкм // Физика и техника полупроводников. 2010. Том. 44. Вып. 12. С. 1585-1590.

48. Ibisate М., Golmayo D. Vanadium dioxide thermochromic opals grown by chemical vapour deposition // J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 2008. Vol. 10. 6 pp.

49. Сидоров А.И., Виноградова О.П., Любимов В.Ю. Синтез и модификация микро- и наностержней из оксидов ванадия // Письма в ЖТФ. 2008. Том 34. Вып. 3. С. 90-95.

50. Виноградова О.П., Обыкновенная И.Е. Синтез и свойства нанокристаллов диоксида ванадия в силикатных пористых стеклах // Физика твердого тела. 2008. Том 50. Вып. 4. С. 734-740.

51. Левшин Н. Л. Влияние фазовых переходов на термодесорбцию с поверхности твердого тела // Физика твердого тела. 1997. Том 39. №3. С. 573-576.

52. Wu J., Gu Q. Strain-indused self-organization of metall-insulator domain in single-crystalline V02 nanobeams //Nano Lett. 2006. Vol. 6. 2313-2317 p.

53. Liu W.-T., Cao J. Instric optical properties of vanadium dioxide near the insulator-metal transition // Nano Lett. 2011. Vol. 11. 466-470 p.

54. Fan W., Huang S. Superelastic metal-insulator phase transition in single-crystal V02 nanobeams // Phys. Review B. 2009. Vol. 80. 4 pp.

55. Kozlov V.A., Demidov A.E. Chemical principles of a technology for making pure vanadium pentoxide // Metallurgist. 2000. Vol. 44. 428-433 p.

56. Голубев В.Г., Курдюков Д.А. Гистерезис фотонной зоны в фотонном кристалле V02 при фазовом переходе полупроводник-металл // Физика и техника полупроводников. 2002. Том 36. Вып. 9. С. 1 122-1127.

57. Шадрин Е.Б., Курдюков Д.А. Проводимость композита опал-УОг при фазовом переходе полупроводник-металл // Письма в ЖТФ. 2009. Том 43. Вып. 1.С. 110-112.

58. Goodenough J.B., Rivadulla F. V-V bond leght fluctuations in VOx // Europhys. Lett. 2003. Vol. 61. No 4. 527-533 p.

59. Майссел JT. Технология тонких пленок / М.: Советское радио. 1977. 664 с.

60. Schoiswohl J., Surnev S. Vanadium oxide nanostructures: from zero- to three-dimensional //J. Phys.: Condens. Matter. 2006. Vol. 18. 14pp.

61. Бугаев A.A., Никитин C.E., Теруков Е.И. Влияние фазового перехода металл-полупроводник на электрическую емкость структуры алюминий-диэлектрик-диоксид ванадия // Письма в ЖТФ. 2001. Том 27. Вып. 21. С. 76-80.

62. Олейник A.C. Запись оптической информации в пленочных реверсивных средах на основе диоксида ванадия // ЖТФ. 2002. Том 72. Вып. 8. С. 8488.

63. Чапланов A.M., Шибко А.Н. Влияние термической обработки и лазерного воздействия на композицию ванадий-кремний // Письма в ЖТФ. 1997. Том 67. Вып. 6. С. 96-99.

64. Певцов А.Б., Грудинкин С.А. Переключение фотонной запрещенной зоны в трехмерных пленочных фотонных кристаллах на основе композитов опал-УОг в спектральной области 1.3-1.6 мкм // Физика и техника полупроводников. 2010. Том. 44. Вып. 12. С. 1585-1590.

65. Зеров В.Ю. Пленки VOx с улучшенными болометрическими характеристиками для ИК-матриц // Письма в ЖТФ. 2001. Том 27. Вып. 9. С. 57-63.

66. Chen S., Ma H. Fabrication and performance of microbolometer arrays based on nanostructured vanadium oxide thin films // Smart Mater. Struct. 2007. Vol. 16. 696-700 p.

67. Yang J.C., Jung H. Micro-electro-mechanical-systems-based infrared spectrometer composed of multi-slit grating and bolometer array // Japanese Journal of Applied Physycs. 2008. Vol. 47, No. 8. 6943-6948 p.

68. Маляров В.Г. Неохлаждаемые тепловые инфракрасные матрицы // Оптический журнал. Том 69. №10. 2002. 60-72 р.

69. Плазменные процессы в производстве электронной техники / Достанко А.П., Бордусов С.В., Свадковский И.В. и др. / Под. общ. ред. Достанко А.П.-Мн.: ФУАинформ. 2001. 244 с.

70. Достанко А.П. Плазменные СВЧ технологии в процессах инженерии поверхности // ФИП. Том 1. №1. 2003. С. 7-18.

71. Байдакова М.В., Бобыль А.В. Структурная и шумовая характеризация пленок V02 на Si02/Si подложках // Письма в ЖТФ. 1997. Том 23. Вып. 13.С. 85-65.

72. Hong-Tao Y., Ke-Cheng F. Effect of nonstoichiometry on Raman scattering of V02 films // Chin. Phys.Soc. 2004. Vol 13. No. 1. 82-84 p.

73. Fieldhouse N., Pursel S. M. Electrical properties of vanadium oxide thin films for bolometer applications: processed by pulse dc sputtering // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. 6 pp.

74. Kim C., Oikawa Y. Electronic structure of V02 near phase transition by tunneling spectroscopy // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. Vol. 18. 98639869 p.

75. Lim S., Long J. Nanocrystalline vanadium oxide films synthesized by plasma-assisted reactive rf sputtering deposition // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. 1085-1090 p.

76. Zou C., Yan X. Micro structures and optical properties of |3-V205 nanorods prepared by magnetron sputtering // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. 5 pp.

77. Wie X.-B., Wu Z.-M. Growth mode and texture study in vanadium dioxide thin Films deposited by magnetron sputtering // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. 6 pp.

78. Ruzmetov D., Zawilski K. Infrared reflectance and photoemission spectroscopy studies across the phase transition boundary in thin film vanadium dioxide // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. Vol. 20. 5 pp.

79. Subrahmanyan A. Nano-vanadium oxide thin films in mixed phase for microbolometer application // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. 6 pp.

80. Gentle A. Nanograin V02 in the metal phase: a plasmonic system with falling dc resistivity as temperature rises // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. 7 pp.

81. Park Y.J., Park N.-G. RF-sputtered vanadium oxide thin films: effect of oxygen partial pressure on structural and electrochemical properties // Bull. Korean Chem. 2001. Vol. 22. No 9. 1015-1018 p.

82. Miyazaki H., Yasui I. Substrate bias effect on the fabrication of thermochromic V02 films by reactive RF sputtering // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. Vol. 39 2220-2223 p.

83. Xue-Jin W., Yun- Jie F. Vanadium oxide thin film deposited on indium tin oxide glass by radio-frequency magnetron sputtering // Chinese Physics. 2002. Vol. 25.

84. Fang G.J., Liu Z.L. Orientated growth of V2O5 electrochromic thin films on transparent conductive glass by pulsed excimer laser ablation technique // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. Vol. 33. 3018-3021 p.

85. Soltani M., Chaker M. 1 x 2 optical switch devices based on semiconductor-to-metallic phase transition characteristics of V02 smart coating // Meas. Sci. Technol. 2006. Vol. 17. 1052-1056 p.

86. Flamini C., Ciccioli A. A thermodynamic study of laser-indused ablation of Zr02, Ce02, V205, and mixed Ce-V oxides // Journal of Material Syntesis and Processing. 2001. Vol. 9. No. 3. 143-151 p.

87. Алиев Р.А., Климов В.А. Влияние условий синтеза на фазовый переход металл-полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия // Физика твердого тела. 2004. Том 46. Вып. 3. С. 515-519.

88. Анисимов С.И., Лукьянчук Б.С. Избранные задачи теории лазерной абляции // Успехи физических наук. 2003. Том 172. № З.С. 301-333.

89. Rajendra kumar R., Karunagaram В. Study of a pulsed laser deposited vanadium oxide based microbolometer array // Smart Mater. Struct. 2003. Vol. 12. 188-192 p.

90. Ramana C., Naidu B. Low-temperature growth of vanadium pentoxide thin films prodused by pulsed laser ablation // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. Vol. 34.35-38 p.

91. Cheremisin A., Loginova S. Modification of atomic structure of thin amorphous V205 films under UV laser irradiation // J. Phys.: Conference Series. 2008. Vol. 100. 4 pp.

92. Kim H.-T. Mechanism and observation of Mott transition in V02-based two-and tree-terminal devices //New Journal of Physics. 2004. Vol. 6. 19 pp.

93. Liu H., Vasquez O. Novel pulsed-laser-deposition V02 thin films for ultrafast applications // Journal of Electronic Materials. 2005. Vol. 34. No 5. 491-496 p.

94. Fang G., Liu Z. Orientated growth of V205 electrochromic thin films on transparent conductive glass by pulsed excimer laser ablation technique // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. Vol. 33. 3018-3021 p.

95. Zhu P., Yamamoto S. Pulsed laser deposition of V02 single crystal thin films on sapphire substrates // Chin. Phys. Lett. 1998. Vol. 15. No 12. 904-906 p.

96. Bowman R.M., Gregg J. M. V02 thin films: growth and the effect of applied strain on their resistance // Journal of material science: materials in electronics. 1998. Vol. 9. 187-191 p.

97. Eason R. Pulsed laser deposition of thin film / J. Willey & Sons. 2007. 682 p.

98. Berger N.K., Zhukov E.A. Nonlinear inreraction of infrared waves on a V02 surface at a semiconductor-metal phase transition // Kvantovaya Electron. 1984. Vol 11. 748-752 p.

99. Abdullaev M.A., Kamilov I.K. Preparation and properties of stoichiometric vanadium oxides // Inorganic Material. 2001. Vol. 37. No 3. 271-273 p.

100. Silversmit G., Bokhoven J. The structure of a V0x/Ti02 (anatase) powder catalyst under reduction and oxidation at 623 К // Physica Scripta. 2005. Vol. T115. 798-801 p.

101. Давыдов Д.А., Гусев А.И. Нейтронография дефектного монооксида ванадия, близкого к эквиатомному составу VO // ЖЭТФ. 2009. Том 89. Вып. 4. С. 218-223.

102. Олейник А.С. Запись оптической информации в пленочных реверсивных средах на основе диоксида ванадия // ЖТФ. 2002. Том 72. Вып. 8. С. 8488.

103. Анисимов С. И. Иногамов Н.А. О наноотколе после воздействия ультракороткого лазерного импульса // ЖЭТФ. 2008. Том 134. Вып. 1. С. 5-28.

104. Chrisey D., Hubler G. Pulsed laser deposition of thin films / J. Willey & Sons. 1994. 613 p.

105. Технология лазерно-плазменного напыления пленок нанометровых толщин Электронный ресурс. URL: http://www.laser.ru/science/scien23.html (дата обращения: 25.05.2011)

106. Eason R. Pulsed laser deposition of thin film / J. Willey & Sons. 2007. 682 p.

107. Jaroszynski D.A., Bingham R., Cairns R.A. Laser-plasma interaction / Taylor & Francis Group. 2009. 427 p.

108. Elizer S., Mina К Applications of laser-plasma interaction / CRC Press. 2008. 480 p.

109. Анисимов С.И. Действие излучения большой мощности на металлы / под редакцией A.M. Бонч Бруевича и Н.А. Ельшкевича. М. Наука. 1970. 274 с.

110. Берман P. Теплопроводность твердых тел. М.: Мир, 1979. 286 с.

111. Chen К. R., Leboeuf J. N. Mechanisms affecting kinetic energies of laser-ablated materials //J. Vac. Sei. Technol. A. Vol. 14. No. 3. 1996. 7 pp.

112. ПЗ.Анисимов С.И., Жаховский B.B. Разлет вещества и формирование кратера под действием ультракороткого лазерного импульса // ЖЭТФ. 2006. Том 130. Вып. 2 (8). С. 212-227.

113. Технология тонких пленок / Л. Майссел, Р. Глэнг. Том 1. М.: Советское радио, 1977. 664 с.

114. Алымов М.И., Зеленский В.А. Методы получения и физико-механические свойства объемных нанокристаллических материалов // М.: МИФИ. 2005. 52 с.

115. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига. 2006. 592 с.

116. Карабасов Ю.С. Новые материалы / Под ред. Ю.С. Карабасова. М.: МИСИС, 2002 736 с.

117. Жукова Л.А. Гуревич М.А. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. М.: Металлургия. 1971. 176 с.

118. Зенгулин Э. Физика поверхности. М. 1990. 458 с.

119. Лихачев В.А. Эффект памяти формы. СПб.: Изд-во ЛГУ. 1987. 218 с.

120. Гюнтер Э.В. Эффекты памяти формы и их применение в медицине. Новосибирск: Наука. 1992. 741 с.

121. Ооцука К. Сплавы с эффектом памяти формы / Под ред. Фунакубо X.: Пер. с японского М.: Металлургия. 1990. 224 с.

122. Поляков Ю.А. Синтез и оптимизация газовых сенсоров раннего обнаружения малых концентраций водорода // Интернет-журнал «Технологии техносферной безопасности» (http://ipb.mos.ru/ttb). №4 (32). 2010. 14 стр.

123. Pearton S.J. Recent advances in wide bandgap semiconductor biological and gas sensors // Progress in materials science. Vol. 55. 2010. 1-59 p.

124. Vancura Т. Kelvin probe spectroscopy of a two-dimensional electron gas below 300 mK // Applied Physics Letters. Vol. 83. No 13. 2003. 2602-2604 p.

125. Быков B.A. Разработка и освоение производства приборов и оборудования для нанотехнологии // Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2. № 12. С. 32-36.