Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.17, кандидат физико-математических наук Дмитриев, Алексей Иванович

• Дмитриев, Алексей Иванович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дмитриев, Алексей Иванович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Одномолекулярные магниты.

1.1.1. Резонансное туннелирование намагниченности и квантовый гистерезис в высокоспиновых кластерах переходных металлов.

1.2. Наноструктуры ферромагнитных полупроводников.

1.2.1. Ферромагнитное упорядочение в полупроводниках.

1.2.2. Нанопроволоки ферромагнитных полупроводников.

1.2.3. Специфика статических и высокочастотных динамических магнитных свойств нанопроволок.

1.2.4. Тонкие пленки ферромагнитных полупроводников.

1.2.5. Специфика статических и высокочастотных динамических магнитных и электропроводящих свойств тонких пленок ферромагнитных полупроводников.

1.2.6. Магнитосопротивление ферромагнитных полупроводников.

1.3. Спиновое упорядочение в ферромагнитных кластерах.

1.3.1. Модели Стонера - Вольфарта и Нееля — Брауна.

1.3.2. Суперпарамагнетизм.

Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Определение магнитных характеристик веществ методом СКВИД— магнетометрии.

2.2. Исследование динамики коллективных спиновых возбуждений методом электронного спинового резонанса.

2.3. Измерение микроволновой электрической проводимости и микроволнового магнитосопротивления в резонаторе ЭПР -спектрометра.

2.4. Исследуемые образцы (приготовление и аттестация).

Глава 3. СПИНОВАЯ ДИНАМИКА В ГИБРИДНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ

МАГНЕТИКАХ НА ОСНОВЕ ВЫСОКОСПИНОВЫХ КЛАСТЕРОВ МАРГАНЦА.

3.1. Электронный спиновый резонанс в молекулярном магнетике на основе высокоспиновых кластеров Мп^ и молекул

ТМТТБ.

3.2. Время спиновой релаксации и высота энергетического барьера в молекулярных магнетиках на основе высокоспиновых кластеров Мп12 и нитрозильных комплексов рутения.

Глава 4. ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС И ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ

ПРОВОДИМОСТЬ В ОРИЕНТИРОВАННЫХ НАНОПРОВОЛОКАХ ГЕРМАНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ПЕРЕХОДНЫМИ МЕТАЛЛАМИ Ое!.хМх (М = Мп, Со).

4.1. Нанопроволоки Ое1хМпх.

4.1.1. Статические и высокочастотные динамические магнитные свойства нанопроволок Ое1хМпх.

4.1.2. Микроволновая электрическая проводимость нанопроволок Ое!.хМпх.

4.2. Нанопроволоки Ое1хСох.

4.2.1. Статические и высокочастотные динамические магнитные свойства нанопроволок Ое1.хСох.

4.2.2. Микроволновая электрическая проводимость нанопроволок ОеЬхСох.

4.3. Ферромагнитный резонанс в кластерах кобальта в полимерной оболочке.

Глава 5. ЭЛЕКТРОННЫЙ СПИНОВЫЙ РЕЗОНАНС И МИКРОВОЛНОВОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ Ое!хМпх.

5.1. Спин- волновой резонанс.

5.2. Микроволновое магнитосопротивление.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников»

Актуальность работы

Открытие семейства кластеров Мп]2 в 90 - ые годы привело к развитию физики высокоспиновых молекул. Интерес к ним велик как в фундаментальной науке (необычные мезоскопические магнитные свойства в масштабе одной молекулы), так в практическом применении (спинтроника, квантовые компьютеры). В настоящее время одним из наиболее активно развивающихся направлений в молекулярном магнетизме является дизайн гибридных материалов, магнитные свойства которых зависят от электрического тока, пропускаемого через образец, или освещенности образца. Для решения задачи синтеза гибридных функциональных соединений в лаборатории профессора Э.Б. Ягубского ИПХФ РАН был использован комбинаторный подход, который заключается в сочетании в одной кристаллической решетке молекулярных строительных блоков, ответственных за электропроводность (оптическую активность) и магнетизм. В качестве магнитной подсистемы использованы высокоспиновые кластере Mrijo. Электропроводящую подрешетку образуют молекулы тетраметилтетратиофульвалена (TMTTF). Оптически активную -нитрозильные комплексы рутения. Нами впервые были исследованы магнитные свойства этих соединений.

Очевидные трудности интегрирования вышеупомянутых образцов в современную полупроводниковую электронику (легкоплавкость, гигроскопичность, трудности в изготовлении омических контактов) стимулируют поиск альтернативных функциональных неорганических полупроводниковых твердых тел. В качестве таких материалов в течение последнего десятилетия рассматривались полупроводники III, V групп, легированные переходными металлами. Из недавних обзоров на эту тему следует, что, например, GaN или GaAs:Mn, хотя и обладают нужными на практике свойствами (магнитосопротивлением, переключением магнитных состояний электрическим током и т.п.), но демонстрируют магнитное упорядочение при весьма низких температурах 2 - 100 К. Поэтому в последние годы исследователи обратились к полупроводникам IV группы (81 и Ое) [1-3]. Как правило, основной вклад в магнитную восприимчивость таких полупроводников дают кластеры сплавов, которые образуются в полупроводниках при высоких концентрациях примеси. Магнетизм такого рода давно известен и хорошо изучен.

Для решения проблемы агрегации примесных атомов переходных металлов в кластеры были развиты два пути. Использование ионной имплантации, позволяющей избежать диффузии примеси в кластеры, и создание наноструктур, поверхностная энергия которых вносит существенный вклад в баланс межатомных взаимодействий и кинетику диффузии. Эти два метода открывают дополнительные возможности для регулирования условий кластерообразования и его подавления в 81 и Ое [4, 5]. Конечно, эти методы имеют и самостоятельный интерес для развития наноэлектроники «цифровых» сплавов и новой области наноструктур магнитных полупроводников. Кроме того, наноструктурирование германия увеличивает растворимость примеси переходных металлов в его кристаллической решетке до желаемых 1 - 2 %, обеспечивающих магнитоупорядоченное состояние. В нанопроволоках германия, легированного переходными элементами, температура Кюри становится высокой ~ 320 К [6]. Детальные исследования таких наноструктур показывают, что в них возможны новые типы магнитных возбуждений, новые закономерности переноса электрического заряда и спина и, главное, взаимосвязанное поведение намагниченности и проводимости, обеспечивающее эффекты переключения намагниченности электрическим током [7]. В связи с этим практическая важность наноструктур высокотемпературных ферромагнитных полупроводников не вызывает сомнений. В настоящее время имеются лишь предварительные попытки экспериментального исследования магнитных свойств легированных полупроводников на основе кремния и германия. Поэтому экспериментальное исследование магнитных свойств таких материалов позволит приблизиться к пониманию физической природы высокотемпературного магнитного упорядочения в наноструктурах магнитных полупроводников и причин влияния ограничений размерности на их магнитные свойства и электропроводность.

Цель работы

Установление взаимосвязи между спиновой динамикой и высокочастотными магнитными и электрическими свойствами новых гибридных молекулярных магнетиков на основе высокоспиновых кластеров марганца и германиевых наноструктур (пленок Се, имплантированного Мп, и нанопроволок ве, легированного Мп, Со). Обнаружение влияния ограничений размерности на магнитные и электрические свойства полупроводниковых наноструктур.

Исследования были сосредоточены на решении следующих задач:

• разделение вкладов локализованных спинов и спинов носителей заряда в магнитную восприимчивость нанопроволок германия, легированного марганцем и кобальтом;

• анализ роли размерности наноструктур магнитных полупроводников в их магнитных и электропроводящих свойствах;

• поиск магниторезистивных эффектов в наноструктурах германия, легированного переходными металлами;

• определение коэрцитивной силы, высоты потенциального барьера между спиновыми состояниями, обусловленного расщеплением спиновых уровней в нулевом поле и времени релаксации намагниченности гибридных молекулярных магнетиков на основе высокоспиновых комплексов марганца, а также выявление роли его окружения (молекулы ТМТТР, нитрозильные комплексы Ли).

Научная новизна

В данной работе проведены исследования статических и высокочастотных динамических магнитных и электропроводящих свойств наноструктур германия, легированного переходными металлами (квазиодномерных нанопроволок и квазидвумерных тонких пленок) одинакового состава и с одинаковым количеством примесных ионов. Анализ данных, полученных в данной работе, и их сравнение с литературными данными позволили установить, что ограничение размерности ведет к увеличению температуры ферромагнитного упорядочения в наноструктурах германия, легированного переходными металлами. Кроме того, обнаружено, что при переходе от квазидвумерной к квазиодномерной системе Се:Мп происходит подавление микроволнового магнитосопротивления, что свидетельствует о влиянии ограничений размерности на спин - зависимое рассеяние носителей заряда в системе Се:Мп.

Практическая значимость

В настоящее время актуален поиск путей развития электроники, предусматривающих миниатюризацию (наноэлектроника) и новые принципы работы ее элементов (спинтроника). Практический интерес к молекулярным магнетикам на основе высокоспиновых кластеров переходных металлов обусловлен их замечательным свойством - молекулярной бистабильностью. Это означает, что магнитная молекула может находиться в двух состояниях с противоположным направлением магнитного момента. Переходы между этими состояниями могут быть индуцированы магнитным полем. Т.е. такая молекула представляет собой естественный запоминающий элемент. Для характерного расстояния между молекулами ~ 10 нм плотность записи информации в такой молекулярной памяти составляла бы десятки Тбит/см . Интерес к молекулярным наномагнетикам для практических применений (молекулярная магнитная наноэлектроника, квантовые компьютеры, устройства записи и хранения информации) [8] ограничивается проблемой записи и считывания информации, которую, казалось бы, можно решить, если химически связать кластер с фотохромным или электропроводящим блоком. Но даже если удастся решить проблему записи и считывания информации, остается еще одна трудность — конечное время хранения информации. При температуре 1,5 К о время магнитной релаксации в системе Mni2, достигая 10 с, все же оказывается недостаточным для современных компьютеров. Коммерческие образцы магнитных дисков могут хранить информацию ~ 100 лет (109 - Ю10с).

Высокую плотность записи информации могут обеспечить также германиевые нанопроволоки в диэлектрических мембранах, совместимые с существующей электроникой. Корреляция магнитных и электропроводящих свойств, обнаруживаемая в таких материалах, позволит перейти к MRAM -памяти (magnetice random-access memory - магниторезистивная память с произвольным доступом), в которой отсутствуют механически движущиеся элементы, что позволяет сократить скорость чтения и записи информации. На основе нанопроволок могут быть созданы сверхчувствительные электрометрические и тензометрические элементы и т.д. Обнаруженные в нанопроволоках и тонких пленках явления распространения спиновых волн могут служить физической основой для создания спинтронных приборов нового поколения, основанных на размерных эффектах.

На защиту выносятся следующие основные положения и результаты:

• результаты исследований нанопроволок, тонких пленок германия, легированного переходными металлами и гибридных молекулярных магнетиков методом электронного спинового резонанса;

• результаты определения статических магнитных характеристик (температуры Кюри, коэрцитивной силы, намагниченности насыщения) нанопроволок, тонких пленок германия, легированного переходными металлами и гибридных молекулярных магнетиков методом СКВИД -магнетометрии;

• результаты измерений микроволнового магнитосопротивления нанопроволок и тонких пленок германия, легированного переходными металлами в резонаторе ЭПР - спектрометра.

Личный вклад автора

Автором диссертационной работы были проведены измерения температурных и полевых зависимостей намагниченности образцов на СКВИД - магнетометре, получены спектры электронного спинового резонанса образцов на ЭПР - спектрометре, обработаны и проанализированы экспериментальные данные в программных пакетах Origin, Mathematica, WinEPR. Подготовлены публикации по теме диссертации.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на XXIV и XXV Всероссийских симпозиумах по химической кинетике (г. Москва, 2006, 2007), XVIII и XIX Всероссийских симпозиумах «Современная химическая физика», (г. Туапсе, 2006, 2007), III Международной конференции «Высокоспиновые молекулы и молекулярные магнетики» (г. Иваново, 2006), International conference on magnetism (Kyoto, Japan, 2006), International conference on magneto-science (Hiroshima, Japan, 2007), I и II Русско-Японских симпозиумах «Магнитные явления в физикохимии молекулярных систем» (г. Оренбург, 2006, 2007), VII Voevodsky conference «Physics and chemistry of elementary chemical processes» (г. Черноголовка, 2007), 3rd International Conference «Materials Analysis and Processing in Magnetic Fields» (Tokyo, Japan, 2008), Международной научной конференции «Ломоносов-2008» (Москва, 2008).

Автор диссертации является призером конкурса молодых ученых, проводимого в рамках XXV Всероссийского симпозиума по химической кинетике и I Всероссийской олимпиады по нанотехнологиям «Нанотехнологии - прорыв в будущее», организованной МГУ.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 5 статей в отечественных и зарубежных журналах, рекомендованных ВАК и 14 тезисов докладов на всероссийских и международных конференциях.

Заключение диссертации по теме «Химическая физика, в том числе физика горения и взрыва», Дмитриев, Алексей Иванович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

Установлено, что присутствие молекул ТМТТР приводит к уменьшению коэрцитивной силы высокоспинового комплекса марганца; присутствие нитрозильных комплексов Яи приводит к изменению времени релаксации намагниченности высокоспинового комплекаса марганца, но не изменяет высоту потенциального барьера между спиновыми состояниями, обусловленного расщеплением спиновых уровней в нулевом поле. Разделены вклады в магнитную восприимчивость в нанопроволоках германия, легированного Мп (хМп = 0,01, 0,03, 0,05) и Со (хСо = 0,01, 0,03), от магнитоупорядоченной подсистемы и подсистемы носителей заряда. Обнаружено, что при 70 К в нанопроволоках германия, легированного марганцем с концентрацией х = 0,01, 0,03, 0,05 происходит резкое изменение магнитного состояния, что приводит к изменению параметров спектра электронного спинового резонанса во всех подсистемах кристалла. В том числе, это приводит к уменьшению времени спиновой релаксации носителей заряда.

Обнаружена корреляция между микроволновой электрической проводимостью и магнитной восприимчивостью нанопроволок германия, легированного марганцем с концентрациями х = 0,01, 0,03 и 0,05. Установлено, что при высоких температурах (Т = 220 - 300 К) в пленках германия, имплантированного марганцем с концентрациями х = 0,02, 0,04 и 0,08, резонансные пики соответствуют ферромагнитным кластерам Мп50е3. Низкотемпературный спиновый резонанс (Т = 4 - 60 К) отвечает спин - волновому резонансу.

Экспериментально установлено, что микроволновое магнитосопротивление в пленках германия, имплантированного марганцем с концентрациями 0,02, 0,04 и 0,08, состоит из двух основных компонент: положительное классическое лоренцево магнитосопротивление и отрицательное магнитосопротивление, возникающее из-за зеемановского расщепления локализованных состояний вблизи уровня Ферми.

• Проанализирована полевая зависимость магнитосопротивления пленок германия, имплантированного марганцем с концентрациями х = 0,02, 0,04 и 0,08, что позволило оценить длину релаксации фазы носителей заряда, которая увеличивается от 70 нм до 350 нм при понижении температуры от 300 К до 4 К.

• При переходе от квазидвумерной к квазиодномерной системе Ое:Мп обнаружено подавление микроволнового магнитосопротивления, что свидетельствует о влиянии ограничения размерности на спин - зависимое рассеяние носителей заряда в системе Ое:Мп.

Автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю доктору физико-математических наук Р.Б. Моргунову за постоянное внимание к работе, поддержку и помощь на всех этапах ее выполнения.

Автор искренне признателен своим соавторам: научному сотруднику Национальной физической лаборатории Великобритании, доктору O.JI. Казаковой и заведующему Лабораторией синтетических металлов ИПХФ РАН, доктору химических наук, профессору Э.Б. Ягубскому за предоставленные образцы и частые стимулирующие обсуждения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дмитриев, Алексей Иванович, 2008 год

1. Morgunov R., Farle M., Passacantando M., Ottaviano L., Kazakova O. Electron spin resonance and microwave magnetoresistance in Ge:Mn thin films // Phys. Rev. B, 2008, Volume 78, p. 045206-045214.

2. Kazakova O., Morgunov R., Kulkarni J. Effect of magnetic defects and dimensionality on the spin dynamics of GeMn systems: Electron spin resonance measurements // Phys. Rev. B, 2008, Volume 77, p. 235317-235322.

3. Моргунов Р.Б., Farle M., Kazakova O.L. Микроволновое магнитосопротивление и электронный спиновый резонанс в тонких пленках и нанопроволоках Ое:Мп//ЖЭТФ, 2008, Т. 134, вып. 1(7), с. 141-155.

4. J. S. Kulkarni, О. Kazakova, D. Erts, М. Morris, М.Т. Shaw, J.D. Holmes. Structural and magnetic characterization of Ge0.99Mn0.01 nanowire arrays // Chem. Mater., 2005, № 17, p. 3615-3619.

5. L. Ottaviano, M. Passacantando, A. Verna. Direct structural evidences of Mn dilution in Ge // J. Appl. Phys., 2006, № 100, p. 063528-063529.

6. O. Kazakova, J.S. Kulkarni, J. D. Holmes, S.O. Demokritov. Room-temperature ferromagnetism in GeixMnx nanowires // Phys. Rev. В., 2005, Volume 72, p. 094415-094420.

7. A. P. Li, J. F. Wendelken, J. Shen, C. Feldman, J. R. Thompson, H. H. Weitering. Magnetism in MnxGeix semiconductors mediated by impurity band carriers // Phys. Rev., 2005, Volume 72, p. 195205-195214.

8. M.N. Leuenberger, D. Loss. Quantum computing in molecular magnets // Nature, 2001, №410, p. 789-793.

9. T. Lis. Preparation, structure, and magnetic properties of dodecanuclear mixedvalence manganese carboxylate // Acta Crystallogr. B, 1980, № 36, p. 2042-2046.

10. R. Sessoli, D. Gatteschi, A. Caheschi, M.A. Novak. Magnetic bistability in metalion cluster//Nature, 1993, № 365, p. 141-143.

11. J. Tejada. Quantum behavior of molecule-based magnets: basic aspects (quantumtunneling and quantum coherence) and applications (hardware for quantumcomputers and magnetic refrigerating). // Polyhedron, 2001, № 20, p. 17511756.

12. J. Tejada, E.M. Chudnovsky, E. Barco, J.M. Hernandez, T.P. Spiller. Magneticqubits as hardware for quantum compures // Nanotechnology, 2001, № 12, p.181-186.

13. R. Sessoli, H.L. Tsai, A.R. Schake, S. Wang, J.B. Vincent, K. Folting, D. Gatteschi, G. Ghristou, D.N. Hendrickson. High-spin molecules: Мп12012(СНзС00)16(Н20)4. // J. Am. Chem. Soc., 1993, № 115, p. 1804-1816.

14. D. Gatteschi, L. Pardi, A. Caneschi, R. Sessoli. Large Clusters of Metal Ions: The

15. Transition from Molecular to Bulk Magnets // Science, 1994, № 265, p. 10541058.

16. P.E. Stamp. Tunnelling secrets extracted // Nature, 1996, № 383, p. 125-127.

17. J. Kortus, M.R. Pederson. Magnetic and vibrational properties of the uniaxial Fe,308 cluster// Phys. Rev. B, 2000, № 62, p. 5755-5759.

18. C. Sangregorio, T. Ohm, C. Paulsen, R. Sessoli, D. Gatteschi. Quantum tunellingof the magnetization in an iron cluster nanomagnet //Phys. Rev. Lett., 1997, № 78, p. 4645-4648.

19. A.K. Звездин. Магнитные молекулы и квантовая механика // Природа, 2000,12, с. 11-19.

20. J.R. Friedman, М.Р. Sarachik, J. Tejada, J. Maciejewski, R. Ziolio. Steps in thehysteresis loops of high-spin molecule // J. Appl. Phys., 1996, № 79, p. 60316033.

21. J.R. Friedman, M.P. Sarachik, J. Tejada, R. Ziolio. Macroscopic measurement ofresonant magnetization tunneling in high-spin molecules // Phys. Rev. Lett., 1996, №76, p. 3830-3833.

22. L. Thomas, F. Lionti, R. Ballou, D. Gatteschi, R. Sessoli, B. Barbara. Macroscopic quantum tunneling of magnetization in a single crystal of nanomagnets //Nature, 1996, № 383, p. 145-147.

23. J.A. Perenboom, J.S. Brooks, S. Hill, T. Hathaway, N.S. Dalai. Relaxation of themagnetization of Mni2 acetate // Phys. Rev. B, 1998, № 58, p. 330-338.

24. F. Luis, J. Bartolome, J.F. Fernandez, J. Tejada, J.M. Hernandez, X.X. Zhang, R.

25. Ziolo. Thermally activated and field-tuned tunneling in Mn^Ac studied by ac magnetic susceptibility // Phys. Rev. B, 1997, № 55, p. 11448-11456.

26. W. Wernsdorfer, T. Ohm, C. Sangregorio, R. Sessoli, D. Mailly, C. Paulse. Observation of the Distribution of Molecular Spin States by Resonant Quantum Tunneling of the Magnetization // Phys. Rev. Lett., 1999, № 82, p. 3903-3906.

27. R. Caciuffo, G. Amoretti, A. Murani, R. Sessoli, A. Caheschi, D. Gatteschi. Neutron Spectroscopy for the Magnetic Anisotropy of Molecular Clusters // Phys. Rev. Lett., 1998, № 81, p. 4744-4747.

28. S. Hill, J.A. Perenboom, N.S. Dalai, T. Hathaway, T. Stalcup. J.S. Brooks. High

29. Sensitivity Electron Paramagnetic Resonance of Mn,2-Acetate // Phys. Rev. Lett., 1998, № 80, p. 2453-2456.

30. A.L. Barra, D. Gatteschi, R. Sessoli High-frequency EPR spectra of a molecularnanomagnet: Understanding quantum tunneling of the magnetization // Phys. Rev., 1997, № 56, p. 8192-8198.

31. A.A. Mukhin, V.D. Travkin, A.K. Zvezdin, S.P. Lebedev, A. Caheschi, D. Gatteschi. Submillimeter spectroscopy of Mn!2-Ac magnetic clusters // Europhys. Lett., 1998, № 44, p. 778-782.

32. B. Parks, J. Loomis, E. Rumberger, D. Hendrickson, G. Christou. Linewidth ofsingle-photon transitions in Mni2-acetate // Phys. Rev. B, 2001, № 64, p. 184426-184430.

33. R. Blinc, P. Cevc, D. Arcon, N. S. Dalai, R. M. Achey. Excited-state Jf-band EPRin a molecular cluster nanomagnet // Phys.Rev. B, 2001, № 63, p. 212401212405.

34. T. Mirebeau, M. Hennion, H. Casalta, H. Andres, H.U. Gudel, A.V. Irodova, A.

35. Caheschi. Low-Energy Magnetic Excitations of the M«12-Acetate Spin Cluster Observed by Neutron Scattering // Phys. Rev. Lett, 1999, № 83, p. 628-631.

36. M.A. Novak, R. Sessoli, A. Caneschi, D. Gatteschi. Magnetic properties of a Mncluster organic compound // J. Magn. Magn. Mater, 1995, № 146, p. 211-213.

37. L. Thomas, A. Caneschi, B. Barbara. Nonexponential Dynamic Scaling of the

38. Magnetization Relaxation in Mn\2 Acetate // Phys. Rev. Lett., 1999, № 83, p. 2398-2401.

39. W. Wernsdorfer, R. Sessoli, A. Caneschi, D. Gatteschi, A. Cornia, D. Mailly.1.ndau—Zener method to study quantum phase interference of Fe8 molecular nanomagnets // J. Appl. Phys., 2000, № 87, p. 5481-5486.

40. J.R. Friedman, M.P. Sarachik, J.M. Hernandez, X.X. Zhang, J. Tejada, E.

41. Mollins, R. Ziolo. Effect of a transverse magnetic field on resonant magnetization tunneling in high-spin molecules // J. Appl. Phys., 1997, № 81, p. 3978-3980.

42. G. Christou, D. Gatteschi, D.N. Hendrickson, R. Sessoli. Single-molecule Magnets // MRS Bull., 2000, № 25, p. 66-71.

43. S. J. Blundell, F. L. Pratt. Organic and molecular magnets // J. Phys.: Condens.

44. Matter, 2004, № 16, p. 771-828.

45. D. Gatteschi, R. Sessoli. Quantum Tunneling of Magnetization and Related Phenomena in Molecular Materials // Angew. Chem., 2003, № 42, p. 268-297.

46. Takayoshi Kuroda-Sowa, Motohiro Nakano, George Christou, David N.Hendrickson. Effects of paramagnetic Fe(C6Me5)2.+ cation on the anionic single-molecule magnet [Mn12Oi2(02CC6H4F(-o))16(H20)4]7/ Polyhedron, 2001, №20, p. 1529-1536.

47. Baibich M. N. et al. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices //Phys. Rev. Lett., 1988, 61, p. 2472-2475.

48. Binasch G., Grunberg P., Saurenbach F. Zinn W. Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange // Phys. Rev. B, 1989, № 39, p. 4828-4830.

49. Camley R.E., Barnas J. Theory of giant magnetoresistance effects in magnetic layered structures with antiferromagnetic coupling // Phys. Rev. Lett., 1989, № 63, p. 664-667.

50. Barnas J., Fuss A., Camley R. E., Grunberg P., Zinn W. Novel magnetoresistanceeffect in layered magnetic structures: Theory and experiment. Phys. Rev. B, 1990, №42, p. 8110-8120.

51. Barthelemy A., Fert A. Theory of the magnetoresistance in magnetic multilayers:

52. Analytical expressions from a semiclassical approach // Phys. Rev. B, 1991, № 43, p. 13124-13129.

53. Valet T., Fert A. Theory of the perpendicular magnetoresistance in magnetic multilayers // Phys. Rev. B, 1993, № 48, p. 7099-7113.

54. Butler W. H. et al. Conductance and giant magnetoconductance of Co|Cu|Co spinvalves: Experiment and theory // Phys. Rev. B, 1997, № 56, p. 14574-14582.

55. Moodera J. S., Kinder L. R., Wong T. M., Meservey R. Large magnetoresistanceat room temperature in ferromagnetic thin film tunnel junctions // Phys. Rev. Lett., 1995, № 74, p. 3273-3276.

56. Hall K.C., Flatte M.E. Performance of a spin-based insulated gate field effect transistor // Appl. Phys. Lett., 2006, № 88, p. 162503-162506.

57. J.M. Slaughter, E.Y. Chen, S. Tehrani. Magnetoresistance of Ion-Beam Deposited

58. Co/Cu/Co and NiFe/Co/Cu/Co/NiFe Spin Valves // J. Appl. Phys., 1999, № 85p. 4451-4453.

59. Flatte M. E., Vignale, G. Unipolar spin diodes and transistors // Appl. Phys. Lett.,2001, №78, p. 1273-1275.

60. Flatte M. E., Yu Z. G., Johnston-Halperin E., Awschalom D. D. Theory of semiconductor magnetic bipolar transistors // Appl. Phys. Lett., 2003, № 82, p. 4740-4742.

61. Tsoi M. et al. Excitation of a magnetic multilayer by an electric current // Phys. Rev. Lett., 1998, № 80, p. 4281^1284.

62. Katine J. A., Albert F. J., Buhrman R. A., Myers E. B., Ralph D. C. Currentdriven magnetization reversal and spin-wave excitations in Co /Cu /Co pillars // Phys. Rev. Lett., 2000, № 84, p. 3149-3152.

63. Kikkawa J. M., Smorchkova I. P., Samarth N., Awschalom D. D. Room-temperature spin memory in two-dimensional electron gases // Science, 1997, № 277, p. 1284-1287.

64. Kikkawa J. M., Awschalom D. D. Resonant spin amplification in n-type GaAs //

65. Phys. Rev. Lett., 1998, № 80, p. 4313^1316.

66. A. Ney, J.S. Harris Jr., S.S.P. Parkin. Temperature dependent magnetic propertiesof the GaAs substrate of spin LED // J. Phys.: Condens. Matter, 2006, № 18, p. 4397-4406.

67. V.F. Motsnyi, P. Van Dorpe, W. Van Roy et al. Optical investigation of electricalinjection into semiconductors // Phys. Rev. B, 2003, № 68, p. 245319-245332.

68. J. Wang, G.A. Knodaparast, J. Kono et al. Ultrafast optical and magneto opticalstudies of III V ferromagnetic semiconductors // J. Modern Optics, 2004, № 51, p. 2771-2728.

69. B. Sun, D. Jiang, Z. Sun et al. Photoinduced spin alignment of the magnetic ionsin (Ga, Mn)As // J. Appl. Phys., 2006, № 100, p. 083104-083109.

70. Ohno H. et al. Electric-field control of ferromagnetism // Nature, 2000, № 408, p.944.946.

71. Chiba D., Yamanouchi M., Matsukura F., Ohno H. Electrical manipulation of magnetization reversal in a ferromagnetic semiconductor // Science, 2003, № 301, p. 943-945.

72. F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen,Y. Sugawara. Transport properties and origin offerromagnetism in (Ga,Mn)As // Phys. Rev. B, 1998, № 57, p. 2037-2040.

73. H. Akai. Ferromagnetism and Its Stability in the Diluted Magnetic Semiconductor1., Mn)As // Phys. Rev. Lett., 1998, № 81, p. 3002-3005.

74. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Zener Model Descriptionof Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors // Science, 2000, №287, p. 1019-1022.

75. M. Yagi, K. Noba, Y. Kayanuma. Self-consistent theory for ferromagnetism induced by photo-excited carriers // J. Lumin, 2001, № 94, p. 523-527.

76. C. Zener. Interaction between the ¿/-Shells in the Transition Metals. II.

77. Ferromagnetic Compounds of Manganese with Perovskite Structure // Phys. Rev., 1951, № 82, p. 403-405.

78. Ruderman M., Kittel C. Indirect Exchange Coupling of Nuclear Magnetic Moments by Conduction Electrons // Phys. Rev., 1954, № 96, p. 99-102.

79. Yosida K. Magnetic Properties of Cu-Mn Alloys // Phys. Rev., 1957, № 6, p. 893-898.

80. Y.J. Zhao, T. Shishido, A.J. Freeman. Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida-like Ferromagnetism in MnxGeUx I I Phys. Rev. Lett., 2003, № 90, p. 047204-047208.

81. Y. D. Park, A. T. Hanbicki, S. C. Erwin, C. S. Hellberg, J. M. Sullivan, J. E.

82. Mattson, T. F. Ambrose, A. Wilson, G. Spanos, B. T. Jonker. A Group-IV Ferromagnetic Semiconductor: MnxGei.x// Science, 2002, № 295, p. 651-654.

83. Y. Kim, S. Cho, S.Y. Choi, S.C. Hong, Bong-Jum Kim, J.H. Jung, Y.C. Kim, J.B. Ketterson. Ferromagnetism in Mn-doped Ge // Phys. Rev. B, 2002, № 66, p. 033303-033306.

84. P.M. Krstajic, V.A. Ivanov, F.M. Peeters, V. Fleurov, K.Kikoin. On the nature offerromagnetism in diluted magnetic semiconductors:GaAs:Mn // Europhys. Lett., 2003, №61, p. 235-241.

85. V.I. Litvinov, V.K. Dugaev. Ferromagnetism in Magnetically Doped III-V Semiconductors // Phys. Rev. Lett., 2001, № 86, p. 5593-5596.

86. L. Chen, P.J. Klar, W. Heimbrodt, F. Brieler, M. Froba. Towards ordered arrays of magnetic semiconductor quantum wires // Appl. Phys. Lett., 2001, № 76, p. 3531-3533.

87. C.W. Na, D.S. Han, D.S. Kim, Y.J. Kang, J.Y. Lee, J. Park, D.K. Oh, K.S. Kim,

88. D. Kim. Photoluminescence of CdKxMnxS (x <0.3) Nanowires // J. Phys. Chem. B, 2006, № 110, p. 6699-6704.

89. S. Ghosh, V. Sih, W. H. Lau, D.D. Awschalom, S.Y. Bae, S. Wang, S. Vaidya, G.

90. Chapline. Room temperature spin coherence in ZnO // Appl. Phys. Lett., 2005, № 86, p. 232507-232510.

91. Y.Q. Chang, D.B. Wang, X.H. Luo, X.Y. Xu, X.H. Chen, L. Li, CP. Chen, R.M.

92. Wang, J. Xu, D.P. Yu. Synthesis, optical, and magnetic properties of diluted magnetic semiconductor ZnUvMnxO nanowires via vapor phase growth // Appl. Phys. Lett., 2003, № 83, p. 4020-4022.

93. J.B. Cui, UJ. Gibson. Electrodeposition and room temperature ferromagnetic anisotropy of Co and Ni-doped ZnO nanowire arrays // Appl. Phys. Lett., 2005, №87, p. 133108-133111.

94. J.J. Liu, M.H. Yu, W.L. Zhou. Well-aligned Mn-doped ZnO nanowiressynthesized by a chemical vapor deposition method // Appl. Phys. Lett., 2005, №87, p. 172505-172508.

95. K.R. Kittilstved, N.S. Norberg, D.R. Gamelin. Chemical Manipulation of High7c Ferromagnetism in ZnO Diluted Magnetic Semiconductors // Phys. Rev. Lett., 2005, № 94, p. 147209-147213.

96. Y.H. Lee, J.M. Yoo, D.H. Park, D.H. Kim, B.K. Ju. Co-doped Ti02 nanowireelectric field-effect transistors fabricated by suspended molecular template method // Appl. Phys. Lett., 2005, № 86, p. 033110-033113.

97. A.B. Greytak, L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, C.M. Lieber. Growth and transportproperties of complementary germanium nanowire field-effect transistors // Appl. Phys. Lett., 2004, № 84, p. 4176-4178.

98. S. Han, D. Zhang, C. Zhou. Synthesis and electronic properties of ZnO/CoZnOcore-shell nanowires // Appl. Phys. Lett., 2006, № 88, p. 133109-133112.

99. M.L. Reed, N.A. El-Masry, H.H. Stadelmaier, M.K. Ritums, M.J. Reed, C.A.

100. Parker, J.C. Roberts, S.M. Bedair. Room temperature ferromagnetic properties of (Ga, Mn)N // Appl. Phys. Lett., 2001, № 79, p. 3473-3475.

101. F.L. Deepak, P.V. Vanitha, A. Govindaraj, C.N.R. Rao. Photoluminescence spectra and ferromagnetic properties of GaMnN nanowires // Chem. Phys. Lett., 2003, №374, p. 314-318.

102. H.J. Choi, H.K. Seong, J. Chang, K.I. Lee, Y.J. Park, J.J. Kim, S.K. Lee, R. He,

103. T. Kuykendall, P. Yang. Single Crystalline diluted magnetic semiconductor GaN:Mn nanowires", Advanced Materials // Adv. Mater., 2005, № 17, p. 13511356.

104. D.S. Han, J. Park, K.W. Rhie, S. Kim, J. Chang. Ferromagnetic Mn-doped GaNnanowires // Appl. Phys. Lett., 2005, № 86, p. 032506-032509.

105. Y. Shon, Y.H. Kwon, T.W. Kang, X. Fan, D. Fu, Y. Kim. Optical characteristicsof Mn+-ion-implanted GaN epilayers // J. Cryst. Growth, 2002, № 245, p. 193197.

106. K. Sardar, A.R. Raju, B. Bansal, V. Venkataraman, C.N.R. Rao. Magnetic, optical and transport properties of GaMnN films // Solid State Commun., 2003, № 125, p. 55-57.

107. Y.D. Park, J.D. Lim, K.S. Suh, S.B. Shim, J.S. Lee, C.R. Abernathy, S.J. Pearton,

108. Y.S. Kim, Z.G. Khim, R.G. Wilson. Carrier-mediated ferromagnetic ordering in Mn ion-implanted/?+GaAs:C // Phys. Rev. B, 2003, № 68, p. 085210-085215.

109. J.D. Holmes, D.M. Lyons, K.J. Ziegler. Supercritical fluid synthesis of metal andsemiconductor nanowires // J. Chem. Eur., 2003, № 9, p. 2144-2150.

110. Erts D., Polyakov B., Daly B., Morris M.A., Ellingboe S., Boland J., Holmes J. D.

111. High density germanium nanowire assemblies: contact challenges and electrical Characterization // J. Phys. Chem. B, 2006, № 110, p. 820-826.

112. M. Demand, A. Encinas-Oropesa, S. Kenane, U. Ebels, I. Huynen, L. Piraux. Ferromagnetic resonance studies of nickel and permalloy nanowires arrays // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2002, Volume 249, Issue 2, Part 3, p. 228-233.

113. C.A. Ramos, E. Vasallo Brigneti, M. Vazquez. Self-organized nanowires: evidence of dipolar interactions from ferromagnetic resonsce measurements // Physica B, 2004, Volume 354, p. 195-197.

114. M. Vazquez, M. Hernandez-Velez, K. Pirota, A. Asenjo, D. Navas, J. Velasques,

115. P. Vargas, C. Ramos. Arrays of Ni nanpwires in alumina membranes: magnetic properties and spatial ordering // Eur. Phys. J. B, 2004, Volume 40, p. 489-497.

116. Encinas A., Demand M., Vila L., Piraux L., Huynen I. Tunable remanent state resonance frequency in arrays of magnetic nanowires // Applied Physics Letters, 2002, № 81, p. 2032-2034.

117. A. Encinas-Oropesa, M. Demand, L. Piraux, I. Huynen, U. Ebels. Dipolar interactions in arrays of nickel nanowires studied by ferromagnetic resonance // Phys. Rev. B., 2001, Volume 63, p. 104415-104421.

118. M.I. Chipara, R. Skomski, D.J. Sellmyer. Magnetic modes in Ni nanowires // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2002, Volume 249, Issue 2, p. 246-250.

119. R. Skomski, H. Zeng, M. Zheng, D.J. Sellmyer. Magnetic localization in transition metal nanowire // Phys. Rev. B., 2000, Volume 62, p. 3900-104421.

120. R. Arias, D.L. Mills. Theory of spin excitations and the microwave response of cylindrical ferromagnetic nanowires // Phys. Rev. B., 2001, Volume 63, p. 134439-134450.

121. Y. Mitsumori, A. Oiwa, T. Slupinski, H. Maruki, Y. Kashimura, F. Minami, H. Munekata. Dynamics of photoinduced magnetization rotation in ferromagnetic semiconductorp-(Ga,Mn)As // Phys. Rev. B, 2004, № 69, p. 033203-033207.

122. X. Liu, Y.Y. Zhou, J.K. Furdyna. Angular dependence of spin wave resonance and surface spin pinning in ferromagnetic (Ga, Mn)As films // Phys. Rev. B, 2007, № 75, p. 195220-195228.

123. T.G. Rappoport, P. Redlinski, X. Liu et al. Anomalous behavior of spin wave in Ga,xMnxAs thin film // Phys. Rev. B, 2004, № 69, p. 125213-125224.

124. S.T.B. Goennenwein, T. Graf, T. Wassner et al. Spin wave resonance in Ga,.xMnxAs // Appl. Phys. Lett., 2003, № 82, p. 730-732.

125. K. Sato, T. Fukushima, H. Katayama-Yoshida Super-paramagnetic blocking phenomena and room-temperature ferromagnetism in wide band-gap dilute magnetic semiconductor (Ga, Mn)N // Japanese J. Appl. Phys., 2007, № 46, p. 628-684.

126. X. Liu, J. K. Furdyna. Ferromagnetic resonance in GaixMnxAs dilute magneticsemiconductor // J. Phys.: Cond. Matter, 2006, № 18, p. 245-279.

127. Abolfath M., Jungwirth T., Brum J., MacDonald A.H. Theory of magnetic anisotropy in III, JVnxV ferromagnets // Phys. Rev. B, 2001, № 63, p. 054418054432.

128. Farle M. Ferromagnetic resonance of ultrathin metallic layers // Rep. Prog.

129. Phys., 1998, № 61, p. 755-793.

130. Nojiri H., Motokawa M., Takeyama S., Matsukura F., Ohno H. ESR study of

131. Mn doped II-VI and III-V DMS // Physica B, 1998, № 256, p. 569-572.

132. Sasaki Y., Liu X., Furdyna J.K., Palczewska M., Szczytko J., Twardowski A.

133. Ferromagnetic resonance in GaMnAs // J. Appl. Phys., 2002, № 91, p. 74847486.

134. Goennenwein S.T.B., Graf T., Wassner T., Brandt M.S., Stutzmann M., Koeder

135. A., Frank S., Schoch W., Waag A. Ferromagnetic resonance in GaixMnxAs // J. Supercond., 2003, № 16 p. 75-78.

136. Liu X., Sasaki Y., Furdyna J.K. Ferromagnetic resonance in Gai JVln^As: Effectsof magnetic anisotropy // Phys. Rev. B, 2003, № 67 p. 205204-205213.

137. Dziatkowski K., Palczewska M., Slupinski T., Twardowski A. Ferromagnetic resonance in epitaxial (In0.53Ga0.47)i-^Mn^As : Angle- and temperature-dependent studies // Phys. Rev. B, 2004, № 70, p. 115202-115214.

138. Liu X., Lim W.L., Ge Z., Shen S., Dobrowolska M., Furdyna J.K., Wojtowicz

139. T., Yu K.M., Walukiewicz W. Strain-engineered ferromagnetic In^Mn^As films with in-plane easy axis // Appl. Phys. Lett., 2005, № 86, p. 112512112515.

140. B. Hoekstra, R.P. Stapele, J.M. Robertson. Spin-wave resonance spectra ofinhomogeneous bubble garnet films // J. Appl. Phys., 1977, № 48, p. 382-395.

141. G. Bouzerar, T. Pareek. Carrier-induced ferromagnetism in diluted magneticsemiconductors // Phys. Rev. B, 2002, № 65, p. 153203-153207.

142. T. Omiya, F. Matsukura, T. Dietl, Y. Ohno, T. Sakon, M. Motokawa, H. Ohno.

143. Magnetotransport properties of (Ga,Mn)As investigated at low temperature and high magnetic field // Physica E, 2000, № 7, p. 976-980.

144. C. Kittel. Excitation of Spin Waves in a Ferromagnet by a Uniform rf Field //

145. Phys. Rev., 1958, № 110, p. 1295-1297.

146. Sasaki Y., Liu X., Furdyna J. K. Spin Wave Resonances in GaMnAs // J.

147. Supercond., 2003, № 16, p. 143-145.

148. Goennenwein S.T.B. et al. Spin wave resonance in GaixMn^As // Appl. Phys.1.tt., 2003, № 82, p. 730-732.

149. F. Tremblay, M. Pepper, D. Ritchie, D.C. Peacock, J.E.F. Frost, G.A.C. Jones.

150. Negative magnetoresistance in the variable-range-hopping regime in «-type GaAs // Phys. Rev. B, 1989, № 39, p. 8059-8061.

151. F. Tremblay, M. Pepper, R. Newbury, D. Ritchie, D.C. Peakcock, J.E.F. Frost, G.A.C. Jones. Quantum interference in variable range hopping under directional constraints //Phys. Rev. B, 1989, № 40, p. 10052-10055.

152. A. Roy, M. Levy, X.M. Guo, M.P. Sarachik, R. Ledesma, L.L. Isaacs. Hallcoefficient of insulating «-type CdSe // Phys. Rev. B, 1989, № 39, p. 1018510191.

153. Y. Zhang, P. Dai, M. Levy, M. P. Sarachik. Probind the Coulomb Gap in Insulating n-Type CdSe // Phys. Rev. Lett., 1990, № 64, p. 2687-2690.

154. M.M. Parish, P.B. Littlewood. Non-saturating magnetoresistance in heavily disordered semiconductors //Nature, 2003, № 426, p. 162-165.

155. Y. Iye, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, F. Matsukura, A. Shen, H. Ohno,

156. H.Munekata. Metal-insulator transition and magnetotransport in III-V compound diluted magnetic semiconductors // Mat. Sci. and Eng. B., 1999, № 63, p. 88-95.

157. H. Ohno, H. Munekata, T. Penney, S. Molnar, L.L. Chang. Magnetotransportproperties ofp-type (In,Mn)As diluted magnetic III-V semiconductors // Phys. Rev. Lett., 1992. № 68, p. 2664-2667.

158. P. J. Wellmann, J. M. Garcia, J.L. Feng, P. M. Petroff. Formation of nanoscaleferromagnetic MnAs crystallites in low-temperature grown GaAs // Appl. Phys. Lett., 1997, № 71, p. 2532-2534.

159. H. Akinaga, J. Boeck, G. Borghs, S. Miyanishi, A. Asamitsu, W. Roy, Y. Tomioka, L. H. Kuo. Negative magnetoresistance in GaAs with magnetic MnAs nanoclusters // Appl. Phys. Lett., 1998, № 72, p. 3368-3370.

160. B.I. Shklovskii, B.Z. Spivak. Scattering and interference phenomena in variablerange hopping conduction, in Hopping Transport in Solids, ed. by M. Pollak andB. Shklovskii. Amsterdam: Elsevier, 1991, p.271.

161. R.P. Khosla, J.R. Fischer. Magnetoresistance in Degenerate CdS: Localized

162. Magnetic Moments // Phys. Rev. B, 1970, № 2, p. 4084-4097.

163. H. Ohno. Ferromagnetism and heterostructures of III-V magneticsemiconductors// Physica E, 2000, № 6, p. 702-708.

164. S.K. Kim, S.E. Park, Y.C. Cho, C.R. Cho, S.Y. Jeong. Growth and magneticproperties of GeixMnx single crystal // Journal of Korean Phys. Soc., 2006, № 49, p. 518-522.

165. R.P. Panguluri, B. Nadgorny, C. Zeng, H.H. Weitering et al. Spin polarizationand electronic structure of ferromagnetic Mn5Ge3 epilayers // Phys. Stat. Sol., 2005, № 242, p. 67-50.

166. С. Bihler, С. Jaeger, Т. Vallaitis et al. Structural and magnetic properties of

167. Mn5Ge3 clusters in a dilute magnetic germanium matrix // Appl. Phys. Lett., 2006, № 88, p. 112506-112509.

168. H. Li, Y. Wu, Z. Guo, P. Luo, S. Wang. // Magnetic and electrical properties of

169. Ge,.xMnxthin films //J. Appl. Phys., 2006, № 100, p. 103908-103917.

170. J.I. Martin, J. Nogues, K. Liu, J.L. Vicent, I.K. Schuller. Ordered magneticnanostructures: fabrication and properties // J. Magn. Magn. Mater., 2003, № 256, p. 449-501.

171. Stoner, E.C.; Wohlfarth, E.P. A mechanism of magnetic hysteresis inheterogeneous alloys // IEEE Transactions on Magnetics, 1991, № 27, p. 3475-3518.

172. C.B. Вонсовский. Магнетизм. M.: Наука, 1971, с. 1032.

173. R. Skomski. Magnetic properties of self-assembled Co nanowires of varyinglength and diameter // J. Appl. Phys., 2000, № 87, p. 4718-4720.

174. M. Respaud, M. Goiran, J.M. Broto, F. Lionti, L. Thomas, B. Barbara T. Ould

175. Ely, C. Amiens, B. Chaudret. Dynamical properties of non-interacting Co nanoparticles // Europhys. Lett., 1999, № 47, p. 122-127.

176. S.P. Gubin, Yu.I. Spichkin, Yu.A. Koksharov, G.Yu. Yurkov, A.V. Kozinkin,

177. T.I. Nedoseikina, M.S. Korobov, A.M. Tishin. Magnetic and Structural Properties of Co Nanoparticles in Polymeric Matrix // J. Magn. Magn . Mater., 2003, № 265, p. 234-242.

178. F.Bodker, S.Morup, S.Linderoth. Surface effects in metallic iron nanoparticles //

179. Phys. Rev. Lett., 1994, № 72, 282-285.

180. W.F. Brown. Rigorous Approach to the Theory of Ferromagnetic Microstructure

181. J. Appl. Phys., 1958, № 29, p. 470-471.

182. W.F. Brown. Criterion for Uniform Micromagnetization // Phys. Rev., 1957, №105, p. 1479-1482.

183. W.F. Brown. Thermal Fluctuations of a Single-Domain Particle // Phys. Rev. B,1963, № 130, p. 1677-1686.

184. M. Jamet, W. Wernsdorfer, C. Thirion, D. Mailly, V. Dupuis, P. Melinon, A.

185. Perez. Magnetic anisotropy in single clusters // Phys. Rev. B, 2004, № 69, p. 024401-024413.

186. A.H. Morrish. The Physical Principles of Magnetism. Wiley: New York, 1965,p. 678.

187. D. Zhang, K.J. Klabunde, C.M. Sorensen, G.C. Hadjipanayis. Magnetizationtemperature dependence in iron nanoparticles // Phys. Rev. B, 1998, № 58, p. 14167-14170.

188. W.T. Coffey, D.S. Grothers, J.L. Dormann, L.J. Geoghegan, Y.P. Kalmykov,

189. J.T. Waldron, A.W. Wickstead. Effect of an oblique magnetic field on the superparamagnetic relaxation time // Phys. Rev. B, 1995, № 52, p. 1595115965.

190. L.E. Wenger, J.D. Mydosh. No uniqueness of H2 / 3 and H2 field-temperaturetransition lines in spin-glasses // Phys. Rev., 1984, № 29, p. 4156-4158.

191. A.E. Berkowitz, J.R. Mitchell, M.J. Carey, A.P. Young, S. Zhang, F.E. Spada,

192. F.T. Parker, A. Hutten, G. Thomas. Giant magnetoresistance in heterogeneous Cu-Co alloys // Phys. Rev. Lett., 1992, № 68, p. 3745-3748.

193. N. Bloembergen. On the Magnetic Resonance Absorption in Conductors // J. Appl. Phys., 1952, № 23, p. 1383-1389.

194. Б.М. Хабибуллин, Э.Г. Хархатьян. Парамагнитный резонанс на электронах проводимости в металлах // Успехи физических наук, 1973, Т. 111, вып. 3, с. 483-505.

195. F.J. Dyson. Electron spin resonance absorption in metals. II. Theory of electron diffusion and skin effect // Phys. Rev., 1955, Vol. 98, № 2, p. 349-359.

196. G. Feher, A.F. Kip. Electron spin resonance absorption in metals. I. Experimental // Phys. Rev., 1955, Vol. 98, № 2, p. 337-348.

197. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. Электронный парамгнитный резонанс в области перехода металл-изолятор в компенсированном n-Ge:As // Физика и техника полупроводников, 2000, Т. 34, вып. 1, с. 46-56.

198. М. Peter, D. Shaltiel, J.H. Wernick, HJ. Williams, J.B. Mock, R.C. Sherwood. Paramagnetic resonance of S-state ions in metals // Phys. Rev., 1962, Volume 126, №4, p. 1395-1402.

199. K.W. Joh, C.H. Lee, Ch.E. Lee, N.H. Hur, H.C. Ri. Electron spin resonance study of a La0.7Ca0.3MnO3 single crystal // J. Phys.: Condens. Matter, 2003, № 15, p. 4161-4167.

200. А. А. Романюха, Ю.М. Швачко, B.B. Устинов. Электронный парамагнитный резонанс и связанные с ним явления в высокотемпературных сверхпроводниках // Успехи физических наук, 1991, Т. 161, вып. 10, с. 37-78.

201. A.I. Veinger, A.G. Zabrodskii, T.V. Tisnek. Use of magnetosensitive microwave absorption in a search for new superconductor phases // Supercond. Sci. Technol., 1995, № 8, p. 368-373.

202. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Г. Бискупски. Особенностипроявления магниторезистивных эффектов в магнитозависимом микроволновом поглощении вырожденного n-InAs // Физика и техника полупроводников, 1998, Т. 32, вып. 5, с. 557-563.

203. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. Магнетосопротивление компенсированного Ge:As на сверхвысоких частотах в области фазового перехода металл-изолятор // Физика и техника полупроводников, 2000, Т. 34, вып. 7, с. 774-782.

204. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. СВЧ магнитосопротивлениекомпенсированного p-Ge:Ga в области фазового перехода изолятор-металл // Физика и техника полупроводников, 2002, Т. 36, вып. 7, с. 826835.

205. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. Низкотемпературное микроволновое магнитосопротивление слабо легированных p-Ge и сплава р- Gei.xSix // Физика и техника полупроводников, 2005, Т. 36, вып. 10, с. 1159-1163.

206. A.I. Veinger, A.G. Zabrodskii, T.V. Tisnek. Anomalous positive microwave magnetoresistance of compensated Ge:Ga near the metal insulator transition // Phys. Stat. Sol. (b), 2002, Volume 230, Issue 1, p. 107-111.

207. Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии. М.: Мир, 1970, с. 558.

208. L. Ottaviano, М. Passacantando, S. Picozzi et al. Phase separation and dilution in implanted MnxGeNx alloys // Appl. Phys. Lett., 2006. № 88, p. 061907061908.

209. L. Ottaviano, M. Passacantando, A. Verna et al. Mn L2,3 x-ray absorption spectraof a diluted Mn-Ge alloy // Appl. Phys. Lett. 2007, № 90, p. 1-2.

210. А.Д. Помогайло. Металлополимерные нанокомпозиты с контролируемоймолекулярной архитектурой // Рос. Хим. Ж., 2002, том 46, № 5, с. 64-73.

211. С. Topacli, Е. A. Harris. Particle size dependence of zero-field microwaveabsorption in powdered Bi-Sr-Ca-Cu-O superconductors // J. Phys.: Condens. Matter, 1997, №9, p. 1267-1279.

212. Yudanov V.F., Martyanov O.N., Molin Yu.N. Noise-Like Resonance Arsorption

213. Zeolites // Chem. Phys. Lett., 1998, № 284, p. 435-439.

214. M. M. Yulikov, O. N. Matryanov, V. F. Yudanov. Noiselike Magnetic Resonance Fine Structure for Ferromagnetic Powders: Dipole-Dipole Interaction Effects // Applied Magnetic Resonance, 2002, № 23, p. 105-111.

215. M.M. Юликов, O.H. Мартьянов, В.Ф. Юданов. Статистический характерформирования тонкой структуры спектров ферромагнитного резонансагамма-окиси железа // Журнал структурной химии, 2000, № 41, р. 10731077.

216. А. N. Grigorenko, P.I. Nikitin. Stochastic resonance in a bistable magneticsystem // Magnetics. IEEE Transactions, 1995, № 31, p. 2491-2493.

217. N.A.Stutzke, S.L.Burkett, S.E.Russek. High-Frequency Noise Measurements in

218. Spinvalve Devices // J.Vac.Sci.Technol., 2003, № 21, p. 1167-1172.

219. M.H. Brodsky, R.S. Title. Electron Spin Resonance in Amorphous Silicon,

220. Germanium, and Silicon Carbide // Phys. Rev. Let., 1969, № 11, p. 581-585.

221. F.Callens, P.Clauws, P.Matthys, E.Boesman, J.Vennik. Electron paramagneticresonance of thermal donors in germanium // Phys. Rev. B, 1989 № 39, p. 11175-11178.

222. H.H.Th.Bekman, T.Gregorkiewicz, I.F.A.Hidayat, C.A.J.Ammerlaan.

223. Metastable thermal donor states in germanium: Identification by electron paramagnetic resonance // Phys. Rev. B, 1990, № 42, p. 9802-9809.

224. D.K.Stevens, J.W.Cleland, J.H.Crawford, Jr., H.C.Schweinler. Magnetic

225. Susceptibility of Germanium // Phys. Rev., 1955, № 100, p. 1084-1093.

226. R. Berger, J. Bissey, J. Kliava. Lineshapes in magnetic resonance spectra // J. Phys.: Condens. Mater., 2000, Volume 12, p. 9347-9360.

227. M. Takahashi, H. Shoji, S. Kadowaki, D.D. Djayaprawira, Y. Komori, H. Domon. Saturation magnetization and uniaxial magnetocrystalline anisotropy for Co-based binary and Co-Ge-Cr ternary alloys // Applied physics letters, 2000, № 76, p. 3457-3459.

228. С.И. Рембеза. Парамагнитный резонанс в полупроводниках. M.: Металлургия, 1988, с. 176.1. СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА

229. Моргунов Р.Б., Tanimoto Y., Дмитриев А.И., Берлинский В.Л. Микроволновой отклик на магнитный фазовый переход в молекулярном магнетике на основе кластеров Мп^О^СМеСОг^НгО)^ и молекул TMTTF // Физика твердого тела, 2007, Т. 49, вып. 5, с. 945-950.

230. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, Y. Tanimoto, И.Б. Кленина, O.L. Kazakova, J.S. Kulkarni, J.D. Holmes. Магнитный резонанс в нанопроволоках Ge0.99Mn0.01 // Физика твердого тела, 2007, Т. 49, вып. 2, с. 285-290.

231. R.B. Morgunov, A.I. Dmitriev, Y. Tanimoto, J.S. Kulkarni, J.D. Holmes, O.L. Kazakova. Electron Spin Resonance in Ge Nanowires Doped With Mn // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2007, Volume 310, Issue 2, Part 3, p. 824-826.

232. Моргунов Р.Б., Дмитриев А.И., Джардималиева Г.И., Помогайло А.Д., Розенберг А.С., Tanimoto Y., Leonowicz M.,. Sowka E. Ферромагнитный резонанс кобальтовых наночастиц в полимерной оболочке // Физика твердого тела, 2007, Т. 49, вып. 8, с. 1436-1441.

233. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, Y. Tanimoto, O.L. Kazakova, J.S. Kulkarni, J.D. Holmes. Спиновая динамика в ориентированных ферромагнитных нанопроволоках Ge0.99Co0.01 // Физика твердого тела, 2008, Т. 50, вып. 6, с. 1058-1063.

234. Моргунов Р.Б., Tanimoto Y., Дмитриев А.И. Генерация шумоподобных спектров в СВЧ диапазоне при магнитном переходе в соединении наоснове TMTTF и Mni2 // Сборник тезисов XVIII Всероссийского симпозиума «Современная химическая физика», Туапсе, 2006, с. 89.

235. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, O.L. Kazakova. Спиновая динамика в 1D и 2D наноструктурах магнитных полупроводников // Сборник тезисов XIX Всероссийского симпозиума «Современная химическая физика», Туапсе, 2007, с. 51.

236. А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов. Магнитный резонанс в нанопроволоках Ge.xMnx // Сборник тезисов XXIV Всероссийского симпозиума по химической кинетике, Москва, 2006, с.28.

237. А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов. Магнитные свойства ориентированных нанопроволок магнитных полупроводников // Сборник тезисов XXV Всероссийского симпозиума по химической кинетике, Москва, 2007, с. 15.

238. Dmitriev A.I., Morgunov R., Tanimoto Y. Unusual ESR signal in Mni2 and TMTTF based compound // Book of abstract I Russian Japanese symposium «Molecular and Biophysical Magnetoscience», Orenburg, 2006, p. 31.

239. Dmitriev A.I., Morgunov R., Tanimoto Y. Spin dynamics in ID and 2D nanostructures of magnetic semiconductors // Book of abstract II Russian — Japan symposium «Biophysical magnetoscience», Orenburg, 2007, p. 39.

240. Morgunov R.B., Dmitriev A.I. Electron spin resonance and microwave magnetoresistance in ID and 2D Ge:Mn nanostructures // Book of abstract 3rd International Conference «Materials Analysis and Processing in Magnetic Fields», Tokyo, Japan, 2008, p. 55.

241. Дмитриев А.И. Наноструктуры разбавленных магнитных полупроводников будущее спинтроники // Сборник трудов Международной научной конференции «Ломоносов-2008», Москва, 2008, с. 205.