Структура и магнитные свойства эпитаксиальных пленок и нанодисков Co на Si тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Ермаков, Константин Сергеевич

  • Ермаков, Константин Сергеевич
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 2010, Владивосток
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 134
Ермаков, Константин Сергеевич. Структура и магнитные свойства эпитаксиальных пленок и нанодисков Co на Si: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Владивосток. 2010. 134 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ермаков, Константин Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Способы получения и структура эпитаксиальных пленок Со(Си).

1.1.1. Эпитаксиальный рост пленок Си на 81(111) и 81(001)

1.1.2. Ультратонкие эпитаксиальные пленки Со на монокристаллических подложках Си.

1.2. Магнитные свойства эпитаксиальных пленок Со.

1.2.1. Магнитные свойства ультратонких пленок Со на монокристаллах Си.

1.2.2. Магнитные свойства эпитаксиальных пленок Со на монокристаллах 81.

1.3. Магнитные свойства эпитаксиальных наноструктур.

Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия как метод получения пленок.

2.2. Методы исследования структуры пленок.

2.2.1 Дифракция быстрых электронов.

2.2.2 Сканирующая туннельная микроскопия.

2.3. Магнитометрические методы.

2.3.1. Индукционный метод.

2.3.2. Метод ферромагнитного резонанса.

2.3.3. Магнитооптический эффект Керра.

2.3.4. Магнитно-силовая микроскопия.

2.4. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.

2.5. Изготовление массивов нанодисков сфокусированным ионным пучком.

Глава П1. СТРУКТУРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК Со, ОСАЖДЕННЫХ НА МОНОКРИСТАЛЛЫ Si.

3.1. Поликристаллические пленки Со на Si02/Si(l 11)

3.2. Формирование буферного слоя Си на монокристаллах Si.

3.2.1. Эпитаксиальные пленки Си, осажденные на атомарно-гладкие подложки Si(lll)

3.2.2. Эпитаксиальные пленки Си, осажденные на вицинальные подложки Si(l 11).

3.2.3. Эпитаксиальные пленки Си, осажденные на атомарно-гладкие подложки Si(OOl).

3.3. Эпитаксиальные пленки Со на Cu/Si.

3.3.1. Эпитаксиальные пленки Со, осажденные на атомарно-гладкие подложки Si(l 11) с Cu буфером.

3.3.2. Эпитаксиальные пленки Со, осажденные на вицинальные подложки Si(l 11) с Cu буфером.

3.3.3. Эпитаксиальные пленки Со, осажденные на атомарно-гладкие подложки Si(001) с Си буфером.

3.4. Выводы.

Глава IV. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК Со, ОСАЖДЕННЫХ НА МОНОКРИСТАЛЛЫ 81.

4.1. Магнитные свойства поликристаллических пленок Со на 8Ю2/81(111).

4.2. Магнитные свойства эпитаксиальных пленок Со, осажденных на атомарно-гладкие подложки Си/81(111).

4.2.1. Образцы квадратной формы.

4.2.2. Образцы прямоугольной формы.

4.3. Магнитные свойства эпитаксиальных пленок Со, осажденных на вицинальные подложки 81(111) с Си буфером.

4.3.1. Магнитные свойства эпитаксиальных пленок 81(111)/Си(111)Ю0°/Со(111)

4.3.2. Магнитные свойства эпитаксиальных пленок 81(111 )/Си( 110)/Со( 110).

4.4. Магнитные свойства эпитаксиальных пленок Со, осажденных на атомарно-гладкие подложки 81(001) с Си буфером.

4.4.1. Образцы квадратной формы.

4.4.2. Образцы прямоугольной формы.

4.5. Поведение магнитных свойств при старении эпитаксиальных пленок Со.

4.6. Выводы.Ill

Глава V. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МАССИВОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОДИСКОВ Со.

5.1. Магнитные свойства массивов эпитаксиальных нанодисков Со упакованных на атомарно-гладких и вицинальных подложках Si.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структура и магнитные свойства эпитаксиальных пленок и нанодисков Co на Si»

В настоящие время в связи с развитием микро- и нанотехнологий наблюдается повышенный интерес к тонким магнитным пленкам. Для эпитаксиального роста магнитных пленок, магнитных мультислоев и сверхрешеток в качестве подложек используют полупроводниковые монокристаллы. Среди полупроводниковых подложек наибольший интерес представляет кремний. Интерес к магнитным пленкам, выращенным на монокристаллах Si, обусловлен перспективами фундаментальных исследований и практического использования таких систем в качестве базовых элементов спинтроники [1-5]. Получение эпитаксиальных пленок и контроль за их качеством стали возможными благодаря сочетанию таких факторов, как прогресс сверхвысоковакуумной техники, развитие современных методов исследования высокого разрешения.

Магнитные свойства (коэрцитивная сила, магнитная анизотропия и т.д.) эпитаксиальных пленок существенно зависят от ориентации и морфологии подложки, от механизма роста ферромагнитной пленки. Варьируя структуру и морфологию монокристаллических подложек Si можно управлять и коэрцитивной силой, и магнитной анизотропией, получая материалы с требуемыми магнитными параметрами.

Высокие значения Не требуются для магнитных носителей данных и для постоянных магнитов, в то время как мягнитомягкие - необходимы для датчиков, считывающих головок и сердечников трансформаторов.

Несмотря на то, что до настоящего времени на разработку технологий изготовления эпитаксиальных магнитных пленок (в частности Co/Si) и приборов на их основе затрачено много сил и средств, вопрос о влиянии структуры и морфологии поверхности подложек на магнитные свойства остается до конца не решенным.

Наиболее быстро развивающейся областью физики конденсированного состояния являются системы, в которых все три измерения имеют наноразмерный масштаб. Переход от объемных материалов к низкоразмерным сопровождается появлением новых видов доменной структуры, таких как вихри, структуры С- и 8-типа [8, 9]. Это делает наноразмерные структуры интересным и перспективным направлением фундаментальных исследований. С другой стороны, использование ферромагнитных наноструктур в вычислительной технике позволит решить целый ряд прикладных задач, связанных с хранением информации.

Целью диссертационной работы является исследование структуры и морфологии эпитаксиальных пленок Со, осажденных на монокристаллические подложки 81(100) и 81(111) с буферным слоем Си, и их влияние на магнитные свойства (коэрцитивную силу и магнитную анизотропию), а также исследование магнитных свойств массивов эпитаксиальных нанодисков Со.

Для решения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Получить эпитаксиальные пленки Со на монокристаллических подложках 81(001) и 81(111) с буферным слоем Си. Установить оптимальную толщину слоя буфера.

2. Исследовать структуру эпитаксиальных пленок Со.

3. Изучить процессы формирования пленок Си и Со на подложках 81(001) и 81(111) и их морфологию.

4. Исследовать коэрцитивную силу и магнитную анизотропию эпитаксиальных пленок Со.

5. Исследовать доменную структуру эпитаксиальных пленок Со.

6. Исследовать процессы перемагничивания в ансамблях эпитаксиальных нанодисках Со.

На защиту выносятся следующие результаты:

1. Выявленные закономерности влияния морфологии и кристаллографической ориентации подложек 81 на шероховатость поверхности и структуру эпитаксиальных пленок Со.

2. Результаты комплексного исследования и анализа влияния структуры и морфологии эпитаксиальных пленок Со на магнитную анизотропию, коэрцитивную силу и доменную структуру.

3. Особенности формирования распределения магнитных моментов и величины коэрцитивной силы массивов эпитаксиальных нанодисков Со(111).

Научная и практическая значимость работы состоит в том, что в ней установлена взаимосвязь коэрцитивной силы и магнитной анизотропии эпитаксиальных пленок Со, осажденных на монокристаллы 81, со структурой и морфологией пленок. Выявлено влияние формы образца, ступенек и шероховатости поверхности пленок на формирование магнитных свойств и доменную структуру. Исследовано влияние магнитокристаллической анизотропии на процессы перемагничивания массивов эпитаксиальных нанодисков Со.

Разработанные технологии могут быть использованы для получения низкокоэрцитивных эпитаксиальных пленок Со с заданной анизотропией. Результаты работы могут быть полезны для технологов и разработчиков новых магнитных материалов для наноэлектроники, а так же для технологии получения сред для записи информации со сверхвысокой плотностью. Результаты могут использоваться при чтении лекционных курсов.

Достоверность полученных результатов подтверждена

- многократной повторяемостью экспериментальных данных;

- комплексом методов исследования (ДБЭ, СТМ, МОКЭ, МСМ, ФМР, индукционным метод);

- согласием теоретических оценок с экспериментальными данными;

- согласованностью с известными литературными данными.

Личный вклад автора в получении результатов состоит в следующем. Автором диссертационной работы были получены исследуемые образцы, исследованы структурные и магнитные свойства пленок в зависимости от морфологии и ориентации поверхности подложек. Обсуждение и интерпретация экспериментальных результатов проводились совместно с научным руководителем и соавторами публикаций.

Апробация работы: Основные результаты работы докладывались на Baikal International Conference «Magnetic Materials. New Technologies» (Irkutsk 2008), Всероссийской конференции студентов, аспирантов и молодых ученных по физике (Владивосток 2009, 2010 г.), Межрегиональной конференции молодых ученных по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (Владивосток 2009 г.), Международной конференции Новое в магнетизме и магнитных материалах (Москва 2009 г.), Российской конференции по электронной микроскопии (Черноголовка 2010 г.), Международном симпозиуме нанофизика и наноэлектроника (Нижний Новгород 2010), Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» Nanospintronics (Ekaterinburg, Russia 2010 g.), The Ninth Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces (Vladivostok, 2010 g.).

Структура и объем диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, основной части, состоящей из пяти глав, заключения и списка литературы из 135 наименований. Общей объем диссертации составляет 134 страницы, включая 95 рисунков и 1 таблицу.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ермаков, Константин Сергеевич

Выводы

Исследование процессов намагничивания массивов эпитаксиальных нанодисков Со показало:

1. Форма петель магнитного гистерезиса зависит от ориентации внешнего магнитного поля относительно кристаллографических осей.

2. В размагниченном состоянии в эпитаксиальных нанодисках формируется вихревая структура.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Установлено, что для предотвращения образования силицида при формировании эпитаксиальных пленок Со на монокристаллах 81, достаточно сформировать слой медного буфера толщиной с1си = 2,4 нм.

2. Экспериментально (ДБЭ и СТМ) установлено, что Си(Со) на атомарно-гладких подложках 81(111) растет двухмерными островками, образуя слой, а на 81(001) — трехмерными островками. На вицинальной подложке 81(111) слои Си повторяют рельеф поверхности подложки. В пределах террасы осуществляется послойный рост Си(111). Пленки Со состоят из эшелонов ступеней.

3. Установлено, что в эпитаксиальных пленках Со(110) наличие двух типов островков Со(110) развернутых относительно друг друга на 90-градусов приводят к изотропным процессам намагничивания.

4. При осаждении на вицинальную поверхность 81(111) в эпитаксиальных пленках Со появляется одноосная анизотропия, наведенная ступенями подложки, которая и определяет вид доменной структуры и ориентацию вектора намагниченности.

5. Величина коэрцитивной силы эпитаксиальных пленок Со, осажденных на атомарно-гладкие и вицинальные подложки, зависит от амплитуды и периода шероховатости поверхности.

6. Установлено, что коэрцитивная сила массивов эпитаксиальных нанодисков Со(111) упакованных на атомарно-гладких и вицинальных подложках 81(111) практически одинакова.

7. В эпитаксиальных нанодисках Со(111) в размагниченном состоянии формируется микромагнитная структура типа «вихря».

В заключении считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность моему научному руководителю д.ф.-м.н., профессору Чеботкевич Людмиле Алексеевне за постановку задач исследования, постоянное внимание к работе и плодотворное обсуждение полученных результатов. Особую благодарность выражаю к.ф.-м.н. Иванову Ю.П. и к.ф.-м.н. Огневу A.B. за активную помощь в проведении исследований методами зондовой микроскопии. С искренней признательностью хочу отметить помощь, участие и поддержку при выполнении данной работы к.ф.-м.н. Пустовалову Е.В., к.ф.-м.н. Балашеву В.В., к.ф.-м.н. Оляничу Д. А. и моим коллегам и сотрудникам лаборатории пленочных технологий.

Благодарен семье за их постоянную помощь и поддержку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ермаков, Константин Сергеевич, 2010 год

1. Вихарев JL Перспективные технологии производства памяти.// Компоненты и технологии. 2006. № 12. С. 66-73.

2. Matthias В., Amitesh P., Daniel E., and Peter G. Rotating-field magnetoresistance of spin-valves // IFF Scientific Report. 2004/2005. P. 190191.

3. Monsma D.J., Lodder J.C., Popma Th.J. A., Dieny B. Perpendicular hot electron spin-valve effect in a new magnetic field sensor: the spin-valve transistor//Phys. Rev. Lett. 1999. V. 74. P. 5260-2564.

4. Yuasa S., Nagahama Т., Fukushima A., Suzuki Y., Ando K. Giant room-temperature magnetoresistance in single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions //Nature Materials. 2004. V. 3. P. 868-871.

5. Pedersen K., Kristensen Т. В., Pederser T. G., Morgen P., Li Z., Hoffman S. V. Optimum Cu buffer layer thickness for growth of metal overlayers on Si (111) // Phys. Rev. В., 2002, V. 66, P. 153406-1 153406-4.

6. Vaz C. A. F., Steinmuller S. J., Moutafis C., Bland J. A. C., Babkevich A. Yu. Structural and morphological characterisation of hybrid Cu/Si(001) structures // Surf. Sci., 2007, V. 601, N. 5, P.1377-1383.

7. L.J. Heyderman, H.H. Solak, C. David, D. Atkinson, R.P. Cow-burn, F. Nolting. Appl. Phys. Lett. 85, 21, 4989 (2004).

8. K.Yu. Guslienko, V. Novosad, Y. Otani, H. Shima, K. Fuka-michi. Phys. Rev. В 65, 024 414(2001).

9. Reichelt K. Vacuum 38, 1988, P. 1083-1099.

10. Оура К., Лившиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. Введение в физику поверхности // Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН. М.: Наука, 2006, 490 с.

11. Phaneuf R. J., Hong Y., Horch S., and Bennett P. A. Two Dimensional Phase Separation for Co Adsorbed on Si(l 11) // Phys. Rev. Lett., 1997, V. 78, N. 24, P. 4605-4608.

12. Гомоюнова M.B., Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Фараджев Н.С. Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта на Si(l 11)// ФТТ, 2001, Т. 43. Вып. 3, С. 549-553.

13. Vrijmoeth J., Zaima S.,. Vlieg E., and Frenken J. W. M. CoSi2/Si(lll) interface: Determination of the interfacial metal coordination number // Phys. Rev. В., 1992, V. 45, N. 12, P. 6700 6708.

14. Bennett P. A., Copel M., Cahill D., Falta J., Tromp R. M. Ring clusters in Transition-Metal-Silicon Surface Structures // Phys. Rev. Lett., 1992, V. 69, N. 8, P. 1224-1227.

15. Гомоюнова M.B., Пронин И.И., Галль H.P., Молодцов С.JI., Вялых Д.В. Фотоэлектронные Si 2р-спектры сверхтонких слоев CoSi2, сформированных на поверхности Si(100)2xl // ФТТ, 2003, Т. 45, №. 8, С. 1519-1522.

16. Stadler R., Vogtenhuber D. and Podloucky R. Ab initio study of the CoSi2 (111)/Si(l 11) interface // Phys. Rev. В., 1999, Y. 60, N. 24, P. 17112 17122.

17. Walker F. J., Specht E. D., McKee R. A. Film/substrate registry as measured by anomalous x-ray scattering at a reacted, epitaxial Cu/Si(lll) interface // Phys. Rev. Lett., 1991, V. 67, N. 20, P. 2818 2821.

18. Bootsma T. I. M., Hibma T. The epitaxial growth of Cu on Si(lll) 7x7: RHEED study// Surf. Sci., 1995, V. 331-333, P. 636-640.

19. Zhang Z. H., Hasegawa S, Ino S. Epitaxial growth of. Cu onto Si(lll) surfaces at low temperature // Surf. Sci., 1998, V. 415, P. 363-375.

20. Hashim I., Park B, Atwater H. A. Epitaxial growth of Cu (001) on Si (001): Mechanisms of orientation development and defect morphology // J. Appl. Phys. Lett., 1993, V. 63, N. 20, P. 2833-2835.

21. Chromik R.R., Neils W.K., Cotts E.J. Thermodynamic and kinetic study of solid state reactions in the Cu-Si system // J. Appl. Phys., 1999, V. 86, N. 8, P. 4273-4281.

22. Vaz C. A. F., Steinmuller S. J., Moutafis C., Bland J. A. C., Babkevich A. Yu. Structural and morphological characterisation of hybrid Cu/Si(001) structures // Surf. Sci, 2007, V. 601, N. 5, P.1377-1383.

23. Pearson W.B. Handbook of Lattice Spacings and Structures of Metals and Alloys. // Pergamon Press, Oxford, 1967, V. 2, P.808.

24. Kief T. M. and Egelhoff W. F. Growth and structure of Fe and Co thin films on Cu(lll), Cu(100), and Cu(110): A comprehensive study of metastable film growth//J. Phys. Rev. B, 1993, V. 47, N. 16, P. 10785 10814.

25. Ramsperger U, Vaterlaus A, Pf.affli P, Maier U. and Pescia D. Growth of Co on a stepped and on a flat Cu(001) surface // J. Phys. Rev. B, 1996, V. 53, N. 12, P. 8001 -8006.

26. Poulopoulos P., Jensen P. J., Ney A., Lindner J. and Baberschlce K. Metastable magnetic properties of Co/Cu(001) films below the Tc jump // J. Phys. Rev. B, 2002, V. 65, N. 6, P. 64431-1 64431-6.

27. Pescia D., Zampieri G., Stampanoni M., Bona G. L., Wills R. F. and Meier F. Ferromagnetism of thin epitaxial fee cobalt films on Cu(001) observed by spin-polarized photoemission // J. Phys. Rev. Lett., 1987, V. 58, N. 9, P. 933 936.

28. Clarke A., Jennings G., Willis R. F., Rous P. J. and Pendry J. B. A leed determination of the structure of cobalt overlayers grown on a single-crystal Cu(001) substrate // Surf. Sci. 1987, V. 187, P. 327 338.

29. Hong Li and B. P. Tonner. Structure and growth mode of metastable fee cobalt ultrathin films on Cu(001) as determined by angle-resolved x-ray photoemission scattering // Surf. Sci., 1990, V. 237, P. 141 152.

30. Schmid A.K. and Kirschner J. In Situ Observation of Epitaxial Growth of Co Thin Films on Cu(100) // Ultramicroscopy, 1992, c. 483.

31. Fassbender J., Allenspach R. and Durig U. Intermixing and growth kinetics of the first Co monolayers on Cu(001) // J. Surf. Sci. Lett., 1997, V. 383, N. 2, P. 742-748.

32. Nouvertne. F., May U., Bamming M., Rampe A., Korte U. and Guntherodt G. Atomic exchange processes and bimodal initial growth of Co/Cu(001) // J. Phys. Rev. B, 1999, V. 60, N. 20, P. 14382 14386.

33. Hechmann O., Magnan H., le Fevre P., Chandesris D. and Rehr J. J. Crystallographic structure of cobalt films on Cu(001): elastic deformation to a tetragonal structure // J. Surf. Sci., 1994, V. 312, N. 1-2,1, P. 62 72.

34. Muller S., Kostka G., Schafer T., de la Figura J., Prieto J.E., Ocal C., Miranda R., Heinz K., Muller K. The Structure of Co Films on Cu(l 11) up to 15 ML // J. Surf. Sci, 1996, V. 46, P. 352-354.

35. Rath Ch., Prieto J.E., Muller S., Miranda R., Heinz K. hcp-to-fcc stacking switch in thin cobalt films induced by Cu capping // J. Phys. Rev. B, 1997, V. 55, N. 16, P. 10791 10799.

36. Zhao R.G;, Wang Y, Li X.W., Ji H., Wu S.C., Yang Y., Gul Bahar H., Jia J.F. Effect of the convergence of Cu cap on the structure of Co/Cu(l 11) film // J. Surf. Sci., 1997, V. 375, N. 2-3,1, P. 226 234.

37. S. Mroz, H. Otop, Z. Jankowski. Growth and atomic structure of ultrathin cobalt layers on the cu(l 11) face clean and precovered with lead // Surf. Rev. Lett. 1997, V. 4, N. 6, P. 1273 1282.

38. Hillebrands B., Krams P., Fassbender J., Matthieu C., Guntherodt G., Jungblut R., Johnson M.T. Light scattering investigations of magnetic anisotopries in ultrathin epitaxial Co film // J. Acta Phys. Polon., 1994, A 85, P. 179.

39. Huang F., Mankey G.J., Willis R.F. Interfacial anisotropy and magnetic transition of cobalt films on Cu(l 11) // J. Appl. Phys., 1994, V. 75, P. 6406.

40. Kohlhepp J., Elmers H.J., Gradmann U. Magnetic interface anisotropics of Co/Cu(l 11) and Co/Au(l 11) interfaces from ultrathin Co films on Cu(l 11) // J. Magn.Magn. Mater., 1993, V. 121, N. 1-3, P. 487 489.

41. Den Broeder F.J.A, Hoving W., Bloemen P.J.H. Magnetic anisotropy of multilayers // J.Magn. Magn. Mater., 1991, V. 93, P. 562-5702.

42. Fauster Th., Rangelov G., Stober J. and Eisenliut B. Growth and structure of thin Co films on Cu(lll) studied by full-solid-angle x-ray photoelectron distributions // J. Phys. Rev. B, 1993, V. 48, N. 15, P. 11361 11366.

43. Rabe A., Memmel N., Steltenpohl A. and Fauster Th. Room-Temperature Instability of Co/Cu(l 11) // J. Phys. Rev. Lett., 1994, V. 73, N. 20, P. 2728 -2731.

44. De la Figuera J., Prieto J. E., Ocal C. and Miranda R. Scanning-tunneling-microscopy study of the growth of cobalt on Cu(l 11) // J. Phys. Phys. B, 1993, V. 47, N. 19, P. 13043- 13046.

45. Rath Ch., Prieto J. E., M.uller S., Miranda R. and Heinz K. hcp-to-fcc stacking switch in thin cobalt films induced by Cu capping // J. Phys. Rev. B, 1997, V. 55, N. 16, P. 10791 10799.

46. Le Fevre P., Magnan H., Heckmann O., Briois V. and Chandesris D. Adsorption site, growth, and structure of Co on Cu(lll) determined by multiple-scattering analysis of x-ray-absorption spectra // J. Phys Rev. B, 1995, V. 52, N. 15, P. 11462- 11466.

47. Tonner B. P., Han Z. and Zhang J-L. Structure of Co films grown on Cu(l 11) studied by photoelectron diffraction J. Phys. Rev. B, 1993, V. 47, N. 15, P. 9723-9731.

48. Prieto J. E., Rath Ch., M.uller S., Hammer L., Heinz K. and Miranda R. Surfactant action in heteroepitaxy: Growth of Co on (4x4)Pb/Cu(l 11) studied by and CTM // J. Phys. Rev. B, 2000, V. 62, N. 8, P. 5144 5149.

49. Camarero J., de Miguel J. J., Miranda R., Raposo V. and Herando A. Influence of film morphology on perpendicular magnetic anisotropy // J. Phys. Rev. B, 2001, V. 64, N. 12, P. 125406 125412.

50. Harp G. R., Farrow R. F. C., Weller D., Rabedeau T. A. and Marks R. F. Unusual stability of fee Co(l 10)/Cu(l 10) // J. Phys. Rev. B, 1993, V. 48, N. 23, P. 17538-17544.

51. Neel L. Directional order and diffusion after-effect// J. Phys., 1954, № 15, P. 225.

52. C. Chappet, P. Bruno. Magnetic anisotropy in metallic ultrathin films and related experiments on cobalt films // J. Appl. Phys., 1988, V. 64, N. 10, P. 5736 5742.

53. Engel B., Wiedmann M., Van Leeuween R., Faclo C. Anomalous magnetic anisotropy in ultrathin transition metals // Phys. Rev. B 48, 1993, V. 48, N. 13, P. 9894 9897.

54. Kawakami R.K., Escorcia-Aparicol E.J., Qui Z.Q. Symmetry-Induced Magnetic Anisotropy in Fe Films Grown on Stepped Ag(001) // Phys. Rev. Lett., 1996, V. 77, N. 12, P. 2570 2573.

55. Heinrich B., Purcell S.T., Dutcher J. R., Urquhart K. B., Cochran J. F., and Arrott A. S. Structural and magnetic properties of ultrathin Ni/Fe bilayers grown epitaxially on Ag(001) // Phys. Rev. B, 1988, V. 38, N. 18, P. 12879 -12896.

56. Aboelfotoh M.O, Marwick A.D, Freeouf J.L. Effect of interfacial hydrogen in CoSi2/Si(100) Schottky-barrier contacts // Phys. Rev. B, 1994, V. 49, N. 15, P. 10753 10756.

57. Prinz G.A., Heinrich B, Bland J.A.C. Ultrathin Magnetic Structures // Springer, 1994, V. 2, P. 1 44.

58. Berger A, Linke U, Open H.P. Symmetry-induced uniaxial anisotropy in ultrathin epitaxial cobalt films grown on Cu(l 1 13) // Phys. Rev. Lett., 1992, V. 68, N. 6, P. 839 842.

59. Bland J. A. C, Pescia D. and Willis R. F. Ferromagnetic moments in metastable magnetic films by spin-polarized-neutron reflection // J. Phys. Rev. Lett, 1987, V. 58, N. 12, P. 1244 1247.

60. Kerkmann D, Pescia D. and Allenspach R. Two-dimensional magnet at Curie temperature: Epitaxial layers of Co on Cu(100) // J. Phys. Rev. Lett, 1992, V. 68, N. 5, P. 686-689.

61. Mermin N. D. and Wagner H. Absence of Ferromagnetism or Antiferromagnetism in One- or Two-Dimensional Isotropic Heisenberg Models // J. Phys. Rev. Lett, 1966, V. 17, N. 22, P. 1133 1136.

62. Beier T, Jahrreiss H, Pescia D, Woike Th. and Gudat W. Magnetic hysteresis loop of one monolayer of Co on Cu(100) // J. Phys. Rev. Lett, 1988, V. 61, N. 16, P. 1875- 1877.

63. Schneider C. M, Bressler P, Schuster P, Kirschner J, de Miguel J. J. and Miranda R. Curie temperature of ultrathin films of fcc-cobalt epitaxially grown on atomically flat Cu(100) surfaces // J. Phys. Rev. Lett, 1990, V. 64, N. 9, P. 1059- 1062.

64. Krams P, Lauks F, Stamps R. L, Hillebrands B. and Guntherodt G. Magnetic anisotropics of ultrathin Co(001) films on Cu(001) // J. Phys. Rev. Lett, 1992, V. 69, N. 25, P. 3674-3677.

65. Schumann F. O, Buckley M. E. and Bland J. A. C. Paramagnetic-ferromagnetic phase transition during growth of ultrathin Co/Cu(001) films // J. Phys. Rev. B, 1994, V. 50, N. 22, P. 16424 16427.

66. Bovensiepen U., Poulopoulos P., Platow W., Farle M. and Baberschke K. Sudden jump of the Curie temperature at the coalescence of Co islands on Cu(0 0 1) // J. Magn. Magn. Mater., 1999, V. 192, N. 3, P. 386 390.

67. Derrien J. Structural and electronic properties of CoSi2 epitaxially grown on Si(lll) // Surf. Sci., 1986, V. 168, P. 171 183.

68. Hellman F., Tung R.T. Surface structure of thin epitaxial CoSi2 grown on Si(lll)// J. Phys. Rev. B, 1988, V. 37, N. 18, P. 10786- 10794.

69. Hai Xu, Alfred C.H. Huan, Andrew T.S. Wee, D.M. Tong Magnetic properties of ultrathin Co films on Si (111) // Solid State Communications, 2003, V. 126, N. 12, P. 659-664.

70. Maat S., Umlor M. T., Orgassa D.H. , Cho S., Koshkina O., Fujiwara H., Mankey G. J. Magnetic properties of Co films on Cu/Si(l 10) and Cu(l 11) // J. Phys. Rev. B, 2000, V. 61, N. 6, P. 4082-4087.

71. Berger A., Linke U., Oepen H. P. Symmetry-induced uniaxial anisotropy in ultrathin epitaxial cobalt films grown on Cu(l 1 13) // Phys. Rev. Lett., 1992, V. 68, P. 6186-6188.

72. Kawakami R. K., Ernesto Escorcia-Aparicio J., Qiu Z. Q. Symmetry-Induced Magnetic Anisotropy in Fe Films Grown on Stepped Ag(001) // Phys. Rev. Lett., 1996, V. 77, N. 12, P. 2570 2573.

73. Chuang D. S., Ballentine C. A. and O'Handley R. C. Surface and step magnetic anisotropy// J. Phys. Rev. B, 1994, V. 49, N. 21, P. 15084 15095.

74. Stoner E. C., and E. P. Wohlfarth, Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. 1948, A 240, P. 599.

75. Thiaville A. Extensions of the geometric solution of the two dimensional coherent magnetization rotation model // J. Magn. Magn. Mater., 1998, V. 182, N. 1-2, P. 5 18.

76. Kawakami R. K, Bowen M. O, Choi Hyulc J., Escorcia-Aparicio Ernesto J, and Qiu. Z. Q, Effect of atomic steps on the magnetic anisotropy in vicinal Co/Cu(001) //Phys. Rev. B, 1998, V. 58, N. 10, P. R5924 R5927.

77. Berger A, Linke U, and Oepen H. P. Symmetry-induced uniaxial anisotropy in ultrathin epitaxial cobalt films grown on Cu(l 1 13) // Phys. Rev. Lett, 1992, V. 68, N. 6, P. 839-842.

78. Cougo dos Santos M, Geshev J, Pereira L. G, Alves M. C. M, Schmidt J. E, Allongue P. Intralayer coupling in self-organized Fe nanoclusters grown on vicinal Si(l 11) // Phys. Rev. B, 2004, V. 70, N. 10, P. 104420 104425.

79. Stupakiewicz A, Fleurence A, Gieniusz R, Maziewski A, Maroutian T, Gogol P, Bartenlian B, Megy R, Beauvillain P. Study of ultrathin Co films grown on Si(lll) substrates // Materials Science-Poland, 2008, V. 26;,N. 4, P. 1021-1026.

80. Stupakiewicz A, Fleurence A, Gieniusz R, Maziewski A, Maroutian T, Gogol P, Bartenlian B, Megy R, Beauvillain P. Magnetic properties of ultrathin Co(0001) films on vicinal Si(lll) substrate // Materials Science-Poland, 2008, V. 26, N. 2, P. 295-300.

81. Stupakiewicz A, Gieniusz R, Maziewski A, Postava K, Wawro A. and Baczewski L.T. Magnetic anisotropy changes in ultrathin Co films grown on vicinal sapphire substrates // J. phys. stat. sol. (b), 2006, V. 243, N. 1, P. 202 -205.

82. Park, S. Zhang, X. Misra, A. Thompson, J. D. Fitzsimmons, M. R. Lee, S. Falco, C. M. Tunable. Magnetic anisotropy of ultrathin Co layers // J. Appl. Phys. Lett, 2005, V. 86, N. 4, P. 1022-1026.

83. Lohndorf M., Wadas A., Lutjering G., Weiss D., Wiesendanger R. Micromagnetic properties and magnetization switching of single domain Co dots studied by magnetic force microscopy // Z. Phys. B, 1996, V. 101, N. 1, P. 1-2.

84. Natali M., Prejbeanu I.L., Lebib A., Buda L.D., Ounadjela K., Chen Y. Correlated magnetic vortex chains in mesoscopic cobalt dot arrays // Phys. Rev. Let., 2002, Y. 88, N. 15, P. 157203-1 157203-4.

85. Heyderman L.J., Solak H.H., David C., Atkinson D., Cowburn R.P., Nolting F. Arrays of nanoscale magnetic dots: Fabrication by x-ray interference lithography and characterization // Appl. Phys. Lett., 2004, V. 85, N. 21, P. 4989-4991.

86. Sort J., Hoffmann A., Chung S.-H., Buchanan K.S., Grimsditch M., Baro M.D., Dieny. B., Nogues J. Magnetization reversal in submicron disks: exchange biased vortices // Phys. Rev. Lett., 2005, V. 95, N. 6, P. 067201-1 -1067201-4.

87. Guslienko K.Yu., Han X.F., Keavney D.J., Divan R., Bader S.D. Magnetic Vortex Core Dynamics in Cylindrical Ferromagnetic Dots // Phys. Rev. Lett., 2006, V. 96, N. 6, P. 067205-1 067205-4.

88. Farhoud M., Smith H.I., Hwang M., Ross C.A. The effect of aspect ratio on the magnetic anisotropy of particle arrays // J. Appl. Phys., 2000, V. 87, N. 9, P. 5120-5122.

89. Zolfl M., Kreuzer S., Weiss D., Bayreuther G. Epitaxial nanomagnets with intrinsic uniaxial in-plane magnetic anisotropy // J. Appl. Phys., 2000, V. 87, N. 9, P. 7016-7018.

90. Pulwey R., Zolfl M., Bayreuther G., and Weiss D. Magnetic domains in epitaxial nanomagnets with uniaxial or fourfold crystal anisotropy // J. Appl. Phys., 2002, V. 91, N. 10, P. 7995 -7997.

91. Brockmann M., Zoilf M., Miethaner S. and Bayreuther G. In-plane volume and interface magnetic anisotropies in epitaxial Fe films on GaAs(0 0 1) // J. Magn. Magn. Mater. 1999, V. 198/199, P. 384 386.

92. R. P. Cowburn, D. K. Koltsov, A. O. Adeyeye, M. E. Welland, and D. M. Ticker. Single-Domain Circular Nanomagnets // Phys. Rev. Lett., 1999, V. 83, P. 1042 1045.

93. Grimsditch M., Jaccard Y., and Schuller I. K. Magnetic anisotropies in dot arrays: Shape anisotropy versus coupling // Phys. Rev. B 58, 1998, P. 11539 -11543.

94. Hubert A. and Schafer A. Magnetic Domains //Springer, New York, 1998, P. 720.

95. Pulwey R., Zolfl M., Bayreuther G., and Weiss D. Transition of magnetocrystalline anisotropy and domain structure in epitaxial Fe(001) nanomagnets // J. Appl. Phys., 2003, V. 93, N. 10, P. 7432 7434

96. Raabe J., Pulwey R., Sattler R., Schweinbock T., Zweck J., and Weiss D. Magnetization pattern of ferromagnetic nanodisks // J. Appl. Phys., 2000, V. 88, N. 7, P. 4437 4439.

97. Xu Y. B., Hirohata A., Lopez-Diaz L., Leung H. T., Tselepi M., Gardiner S. M., Lee W. Y., Bland J. A. C., Rousseaux F., Cambril E., and Launois H. Micromagnetism in mesoscopic epitaxial Fe dot arrays // J. Appl. Phys., 2000, V. 87, N. 9, P. 7019-7021.

98. Neala J.S., Robertsa H.G., Connollya M.R., Crampina S., Bendinga S.J., Wastlbauerb G., Bland J.A.C. Magnetisation reversal in epitaxial Fe(100) disksstudied by high resolution scanning Hall probe microscopy // Ultramicroscopy, 2006, 106, P. 614-619.

99. Adeyeye A. O., Bland J. A. C., Daboo C., and Hasko D. G. Magnetostatic interactions and magnetization reversal in ferromagnetic wires // Phys. Rev. B, 1997, V. 56, 3265 -3270.

100. Vaz C. A. F., Lopez-Diaz L., Klaui M., Bland J. A. C., Monchesky T. L., Unguris J., Cui Z. Direct observation of remanent magnetic states in epitaxial fee Co small disks // 2002

101. Кузнецова С. В., Рыжков С. В. Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие. Владивосток: Изд-во Дальневост. Ун-та, 2000.

102. В.В. Коробцов, А.П. Шапоренко, В.Б. Балашев. Влияние химической очистки поверхности кремния на эпитаксиальный рост кремния. /Микроэлектроника, 1998, том 27, № 5, с. 367-369.

103. Чеботкевич JI. А. Физические основы технологии и формирования конденсированных сред. Учебное пособие. Владивосток: Из-во Дальневост. Ун-та, 2001, 264 с. \

104. Ishizaka A., Shiraki Y. J. Electrochem Soc., 1986, V. 133, P. 666.

105. Кулешов В. Ф., Кухаренко Ю. А., Фридрихов С. А. и др. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. М.: Наука, 1985.

106. Андронов А. Н., Пронина Н. А. Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ). Учеб. пособие.: Изд-во СПбГТУ, 1997.

107. М. Ohring, The Material Science of Thin Films, Academic Press, 1992.

108. Чеботкевич JI. А. Исследование магнитных свойств пленок магнитооптическим методом. Методическое пособие. Владивосток: Изд-во ДВГУ, 2004.

109. Миронов В. JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений. Нижний Новгород: Институт физики микроструктур, 2004.

110. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. М.: Мир, 1987. 600 с.

111. Чеботкевич Л. А. Закрепление доменных границ структурными дефектами и коэрцитивная сила пленок: Учебное пособие, Издательство Дальневосточного Университета, 1993, 112 с.

112. Огнев А. В. Магнитная анизотропия нанокристаллических пленок Со/Си/Со: Диссертация на соискание ученной степени кандидата физ. мат. н, 2003, 200 с.

113. Самардак А. С. Межслоевая связь нанокристаллических магнитных Со/Си/Со пленок: Диссертация на соискание ученной степени кандидата физ. мат. н, 2003, 167 с.

114. Hilzinger Н. R, Kronmuller Н. Pinning of curved domain walls by randomly distributed lattice // Physica, 1977, V. 86-88, P. 1365-1366.

115. Li S.P., Samand A, Lew W.S. et al. Magnetic domain reversal in ultrathin Co(001) films probed by gaint magnetoresistance measurements // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. № 10. P. 6871-6875.

116. Vaz C. A. F, Bland J. A. C. and Lauhoff G. Magnetism in ultrathin film structures: Rep. Prog. Phys, 2008, V. 71, P. 78

117. Таблицы физических величин // Под ред. Кикоина И.К. М. Атомиздат, 1976, 1006 с.

118. Вонсовский С.В. Ферримагнитный резонанс. М.:ГИФМЛ, 1961, с. 343.

119. Чеботкевич Л. А, Осуховский В. Э, Воробьев Ю. Д, Лобов И. В, Малютин В. И. Определение вкладов в коэрцитивную силу ТМП от объемных и поверхностных неоднородностей // ФММ, 1984, т. 57, № 2, с. 254-260.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.