Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Ильин, Александр Сергеевич

• Ильин, Александр Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ильин, Александр Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

1. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ

2.1. Установки ВТ, использовавшиеся в работе

2.2. Другие методики измерения

2.3. Приготовление образцов

3. ИЗУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ВТ ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ, ПОЛУЧЕННЫХ ИСПАРЕНИЕМ КОМПОНЕНТОВ

3.1. Оценка возможности наблюдения ВТ в тонких пленках

3.2. Наблюдение методом ВТ кристаллизации неконтролируемых включений в SisN

3.3. ВТ в пленочных структурах системы Cu-Se

4. ВТ В СТРУКТУРАХ, ВЫРАЩЕННЫХ ПО ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ 69 4Л. Этапы получения пленок по золь-гель технологии и возможность применения для ее контроля метода ВТ

4.2. Результаты анализа водно-спиртовых включений в Si02-Sn

4.3. ВТ в системе Si02-B

5. МЕХАНИЗМ ВТ, СВЯЗАННЫЙ С ПЛАВЛЕНИЕМ ВКЛЮЧЕНИЙ

5.1. Механизм плавления включений материалов, уменьшающихся в объеме при плавлении

5.2. ВТ в монокристаллах на основе В12Тез 86 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 92 СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы»

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

Состояние научно-технического прогресса в настоящее время в значительной мере определяется уровнем развития физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Огромные успехи физики полупроводников послужили стимулом к развитию современной полупроводниковой техники. Применение полупроводников в науке и технике предъявляет все возрастающие требования к существенному повышению качества полупроводниковых приборов, к уменьшению их размеров и переходу на тонкопленочное исполнение. Проблема получения качественных пленок занимает одно из важнейших мест в технологии твердотельной электроники.

Совершенство пленок определяется, в том числе, и включениями второй фазы, которые способны влиять на электрофизические, гальваномагнитные, оптические и механические свойства полупроводниковых материалов. В полупроводниковых приборах, изготовленных из таких материалов с включениями, обнаруживается искажение вольт-амперных характеристик за счет преждевременного загиба обратной ветви, снижение напряжения пробоя [1], интенсификация процессов деградации р-n перехода [2] из-за перемещения таких включений в материалах под действием градиентов температуры и механических напряжений. Расплавление металлических включений при омическом нагреве в силовых устройствах таюке делает возможным их перемещение за счет эффекта Пельтье в поле градиента температуры на границе раздела твердой и жидкой фаз [3]. Поэтому для контроля микровключений требуются эффективные экспериментальные методики, способные давать информацию о них.

Одним из методов, успешно применявшимся для выявления включений второй фазы, является низкочастотное внутреннее трение (ВТ). Ранее оно было использовано для выявления включений второй фазы в объемных полупроводниках А3В5, А2В6, А4В6 и А2В5 [4]. На способ определения включений в твердых веществах было получено авторское свидетельство [5].

Поскольку в современном полупроводниковом приборостроении используются достаточно тонкие слои материалов, целесообразно и в них применить данный способ контроля включений второй фазы.

Данные, полученные методом ВТ, приобретают особую ценность при сопоставлении с результатами исследований другими независимыми методами - электронной микроскопией, термографическим анализом и др.

Работа является частью исследований, проведенных в рамках программы РФФИ №04-03-32509.

Цель работы.

Изучение структурных превращений во включениях второй фазы тонкопленочных полупроводниковых структур методом ВТ.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Оценить возможность наблюдения ВТ в системе тонкая пленка-подложка, обусловленного структурными превращениями в пленке.

2. Изучить релаксационный спектр в полупроводниковых тонких пленках Si3N4, Si02-Sn02, Si02-B2C>3 и системы Cu-Se.

3. Установить физические закономерности, связанные со структурными превращениями во включениях второй фазы.

4. Модернизировать экспериментальную установку для наблюдения низкочастотного ВТ в тонкопленочных структурах в области отрицательных температур.

Научная новизна

1. Исследована температурная зависимость ВТ в пленках Si3N4 . В интервале температур 270-380 °С обнаружены пики ВТ, которые обусловлены кристаллизацией включений второй фазы Si и А1.

2. Изучен температурный спектр ВТ в пленках системы Cu-Se и по положению максимума ВТ определена температура рекристаллизации зерен Cu2Se (~ 305 °С).

3. В пленках на основе тетраэтоксисилана SiC>2-Sn02 и ЗЮг-ВгОз, полученных по золь-гель технологии, в интервале температур от -60 до 0 °С обнаружены максимумы ВТ, обусловленные водно-спиртовыми включениями различного состава. Установлено, что плавление водно-спиртовых включений в исследуемых пленках приводит к появлению пика упругого модуля при той же температуре.

4. Предложен механизм, объясняющий увеличение упругого модуля в материале с легкоплавкими включениями второй фазы, уменьшающимися в объеме при плавлении, основанный на схлопывании микротрещин на границе матрица-включение.

Практическая значимость работы заключается в следующем:

1. На примере структур SisN4 с примесями Si и А1 экспериментально показано, что метод ВТ может быть использован для контроля инородных включений за счет наблюдения их кристаллизации.

2. В фотопреобразующих пленках системы Cu-Se показана возможность применимости метода ВТ для определения температуры рекристаллизации зерен Cu2Se.

3. Контроль наличия водно-спиртовых включений с помощью ВТ в пленках SiC>2-Sn02, Si02-B2C>3, может быть использован для совершенствования технологии их получения.

Основные положения и результаты выносимые на защиту * 1. Температурные спектры ВТ в электретных пленках SisN4, обусловленные кристаллизацией включений Si и А1, и в фотопреобразующих структурах системы Cu-Se, связанные с рекристаллизацией зерен Cu2Se.

2. Обнаруженные пики на температурных зависимостях упругих и неупругих свойств пленок Si02-Sn02 и S1O2-B2O3, полученных на различных подложках по золь-гель технологии, связаны с включениями второй фазы состоящими из водно-спиртовой смеси.

3. Механизм увеличения упругого модуля материалов, содержащих легко-^ плавкие включения второй фазы, уменьшающие свой объем при плавлении, основанный на схлопывании микротрещин на границе матрицаф включение.

Апробация работы

Основные положения и научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

5-й научной молодежной школе «Микро- и наносистемная техника (материалы, технологии структуры и приборы)» (Санкт-Петербург, 2002); "i Всероссийской научной конференции "Физика полупроводников и полуметаллов ФПП-2002" (Санкт-Петербург, 2002);

IX международной научно-технической конференции "Высокие технолоt гии в промышленности России" (Москва, 2003); i

I Международном симпозиуме «Аморфные и микрокристаллические полу | проводники», (Санкт-Петербург, 2004); j

Международной научной школе-конференции «Интерматик - 2004» (Москва, 2004);

21-й международной конференции «Нелинейные процессы в твердых телах» (Воронеж, 2004);

8-ой научной молодежной школе по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии» (Санкт-Петербург, 2005); а также научных семинарах кафедры физики, химии и технологии литейных процессов Воронежского государственного технического университета.

Публикации и личный вклад автора Основные результаты исследований опубликованы в 14 работах в виде статей и тезисов докладов. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежит: получение экспериментальных данных по низкочастотному ВТ, участие в обсуждении экспериментов, анализе полученных результатов и написании научных работ.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, 5 глав, выводов и списка литературы из 127 наименований; изложена на 107 страницах, содержит 37 рисунков и 4 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ильин, Александр Сергеевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Показана принципиальная возможность наблюдения ВТ в твердотельных тонких пленках ОД мкм) на толстой подложке (-400 мкм). Произведена оценка вклада тонкой пленки в затухание колебаний системы пленка — подложка. Показано, что этот вклад может быть достаточно существенным при наличии в пленке фазовых превращений.

2. В аморфных пленках SisN4 при температурах 270-380 °С обнаружены пики ВТ, связанные с кристаллизацией включений Si и А1, что подтверждено электронографическими данными. Кристаллизация происходит в результате диффузии атомов Si и А1 из аморфной матрицы S13N4 к свободным поверхностям пленки.

3. По температурному спектру ВТ в фотопреобразующих структурах на основе Cu-Se определена температура рекристаллизации зерен Cu2Se (-305 °С), что подтверждено данными просвечивающей электронной микроскопии. Из электронномикроскопических исследований определено, что размер зерен в результате рекристаллизации увеличился в два раза.

4. В пленках Si02-Sn02 и ЗЮг-ВгОз, полученных по золь-гель технологии, обнаружены и проанализированы максимумы на температурных зависимостях ВТ и модуля упругости, обусловленные включениями водно-спиртовых растворов с температурой плавления от -60 до 0 °С. Концентрация водно-спиртовых включений в пленках системы Si02-Sn02, выращенных на ситалловых подложках, оказалась выше, чем для аналогичных пленок, выращенных на подложках из стекла. Введение модификаторов в пленки Si02-B203 приводит к образованию водно-спиртовых включений нескольких составов.

5. Предложен механизм увеличения упругого модуля материалов, содержащих легкоплавкие включения второй фазы, уменьшающейся в объеме при плавлении, основанный на схлопывании микротрещин на границе матрица-включение. Приведен расчет увеличения упругого ) модуля, удовлетворительно совпадающий с экспериментом.

6. Модернизирована установка ВТ диапазона частот 5-30 Гц с целью • расширения температурного диапазона до минус 100 °С.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ильин, Александр Сергеевич, 2006 год

1. Иващенко А.И. Прямые вольт-амперные характеристики р-n переходов, содержащих металлические микровключения // Сб. Полупроводниковые структуры и системы контроля технологических процессов. Кишинев. 1982. С.65.

2. Мачулайтис И.В. // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов. Тез. Докл 1 Всес. Конф. Кишинев. 1982. С. 39.о г

3. Миграция жидких включений в монокристаллах А В / Д.К. Бела-щенко, A.M. Орлов, В.И. Пархоменко // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 10. С. 125-128.

4. Ярославцев Н.П. Внутреннее трение, обусловленное дефектами в бинарных полупроводниках Автореф. докт. наук. Воронеж: ВГТУ, 1992. 32 с.

5. Опубл. А. с. Способ определения инородных включений в твердых веществах Бюл № 1179183 СССР, МКИ3 G 01N 25/02. // В.И Митрохин, Н.П. Ярославцев, Н.В. Измайлов, С.И. Рембеза, В.Д. Лисовенко

6. Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушениями их поверхности /Б.М. Даринский, Н.В. Измайлов, В.А. Логинов, В.И. Митрохин, Н.П. Ярославцев //ФТТ. 1987. Т. 29. № 12, С. 3529-3533.

7. Влияние обработки поверхности кремния на низкотемпературное внутреннее трение /B.C. Постников, В.И. Кириллов, Ю.А. Капустин, B.C. Борисов //«Физ. и химия обработки материалов». 1985. № 6. С. 98-101.

8. О влиянии реальной поверхности монокристаллического Si на низкочастотное внутреннее трение и поведение эффективного модуля сдвига /А.В. Олейнич-Лысюк, Н.П. Бешлей, И.М. Фодчук //ФТП. 2003. Т. 37. № 11. С. 1337-1340.

9. Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода /В.В. Моцкин, А.В. Олейнич-Лысюк, Н.Д. Раранский, И.М. Фодчук //ФТП. 2002. Т. 32. № 9. С. 1035-1039.

10. Ab Initio Mechanical Response: Internal Friction and Structure of Diva-cancies in Silicon /Н. Usttinel, D. Roundy, T.A. Arias //Phys. Rev. Lett. V. 94. № 2. P. 5503-5507.

11. Temperature dependence of the force sensitivity of silicon cantilevers /U. Gysin, S. Rast, P. Ruff, E. Meyer, D.W. Lee, P. Vettiger, C. Gerber //Phys. Rev. B. V. 68. № 10. P. 4203-4208.

12. Internal friction of amorphous silicon in a magnetic field /Т.Н. Metcalf, Xiao Liu, R.O. Pohl//Phys. Rev. B. 2000. V. 61. № 5. P. 9902-9905.

13. Generation of Low-Energy Excitations in Silicon /Xiao Liu, P.D. Vu, R.O. Pohl, F. Schiettekatte, S. Roorda //Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. № 4. P. 31713174.

14. Amorphous Solid without Low Energy Excitations /Xiao Liu, B.E. White, Jr., R.O. Pohl, E. Iwanizcko, K.M. Jones, A.H. Mahan, B.N. Nelson, R.S. Crandall //Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. № 5. P. 4418-4421.

15. Non-Arrhenius Reorientation Kinetics for the B-H Complex in Si: Evidence for Thermally Assisted Tunneling /Y.Michael Cheng, Michael Stavola //Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. № 2. P. 3419-3422.

16. Reorientation B-Si complex /Р. Stoneham //Phys. Rev. Lett. 1989. V. 63, №5. P. 1027-1031.

17. Low-energy excitations in amorphous films of silicon and germanium / Xiao Liu, R.O. Pohl //Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 3. P. 9067-9081.

18. Амплитудно-зависимое внутреннее трение в бездислокационных и содержащих дислокации роста монокристаллах германия /Т.В. Голуб, JI.B. Тихонов, Г.В. Харькова//ФТТ. 1981. Т. 23. № 11. С. 3499-3501.

19. Фистуль В.И., Яковнко А.Г., Шелонини Е.А. Определение растворимости меди в германии методом внутреннего трения // Внутр. трение в мет. и неорган, материалах М., 1982. С. 163-167.

20. Фистуль В.И., Яковенко А.Г., Шелонини Е.А. Релаксация атомов меди в ядре дислокаций в германии // Физ. и химия конденсир. сред. Воронеж, 1981. С. 66-71.

21. Внутреннее трение, обусловленное диффузией атомов меди в ядре дислокаций /В.И. Фистуль, А.Г. Яковенко, Е.А. Шелонини //ФТТ. 1980. Т. 22. № 6. С. 1666-1670.

22. Исследование поведения меди в германии методом внутреннего трения /В.И. Фистуль, А.Г. Яковенко, Е.А. Шелонини //ФТТ. 1980. Т. 22. № 1. С. 31-35

23. Фистуль В.И., Яковенко А.Г., Шелонини Е.А. Амплитудно-зависимое внутреннее трение в пластически деформированном германии // Легир. полупровод. М., 1982. С. 206-209.

24. Observation of oxygen impurities in single-crystal silicon by means of internal friction /С.С. Lam, D.H. Douglass //J. Low Temp. Phys. 1981. V. 44. № 3-4. P. 259-264.

25. Internal friction in intrinsic and n-type gennanium and silicon /А.Р. Gerk, S. Williams Wendell //J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 5. P. 3585-3606.

26. Бурбело P.M., Давидовский B.M., Максимюк П.А. Внутреннее трение, обусловленное распадом вакансионных комплексов в монокристаллах кремния // Внутр. трение в мет. и неорган, материалах. М., 1982. С. 157-163.

27. Исследование квази-ян-теллеровских примесных центров в кремнии методом внутреннего трения /B.C. Постников, В.И. Кириллов, Ю.А. Капустин, B.C. Борисов//ФТТ. 1985. Т. 27, № 6. С. 1906-1908.

28. Internal friction and symmetry of intrinsic point defects in GaAs /D. Laszig, H.G. Brion, P. Haasen //Phys. Rev. B. 1991. V. 44. № 4. P. 3695-3701.

29. Internal friction study on the mobility of screw dislocations in undoped InSb /D. Quelard, P. Astie, J.L. Gauffier //Rev. phys. Appl. 1988. V. 23. № 7. P. 1291-1295.

30. Изучение внутреннего трения антимонида индия с различной плотностью дефектов /П.А. Максимюк, А.В. Фомин, В.А. Глей, А.П. Онанко, М.Я. Скороход //ФТТ. 1989. Т. 31. № 5. С. 292-294.

31. Трунин Е.Б., Заровник Н.В. Установка для измерения внутреннего трения в металлах и полупроводниках // Физика полупроводников и микроэлементов. Рязань, 1980. С. 109-111.

32. Point defect in GaP single crystals investigated by mechanical damping /D. Klimm, P. Paufler //Cryst. res. and technol. 1987. V. 22. № 8. P. 1023-1030.

33. Point defects in GaP single crystals investigated by mechanical damping / D. Klimm, P. Paufler // Halle-Wittenberg. Wiss. Beitr. M.-Luther Univ. 1987. P. 161-163.

34. Photosensitive dislocation dependent internal friction in CdS /А.Н. Dur-garyon, H.S. Melkonyan //Solis State Commun. 1990. V. 73. № 3. P. 185-189.

35. Захарьяш А.С. Обнаружение дефектов структуры в Hgo^Cdo^Te методом внутреннего трения и теплопроводности // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках: Материалы Всесоюз. семин. по пробл. «Физ. и хим. полупровод.» 1987. С. 35-37.

36. Использование метода внутреннего трения контроля микровыделений /Т.Т. Дедегкаев, Н.Е. Мокроусов, В.А. Мошников, Д.А. Яськов //ЖФХ. 1983. Т. 57. №6. С. 1556-1559.

37. Using a method of internal friction of checking the microseparations /Т.Т. Dedegkaev, N.E. Mokrousov, V.A. Moshnikov, D.A. Yaskov //Cryst. Res. Techn. 1983. V. 8. № 11. P. 119-123.

38. Особенности процесса дефектообразования в сфалеритном нитриде бора по данным резонансных исследований /В.Б. Шипило, Н.А. Шишонок, А.В. Мазовко //Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1990. Т. 26. № 8. С. 16471650.

39. Влияние ультразвуковой обработки на внутреннее трение в кремнии /А.П. Онанко, А.А. Подолян, И.В. Островский //ПЖТФ. 2003. Т. 23. № 15. С. 40-44.

40. Влияние ультразвуковой обработки на акустические и гальваномагнитные характеристики CdxHgixTe /А.Н. Аннаниязов, А.Е. Беляев, Г. Гаря-гдыев, А.П. Здебский, Е.А. Сальков //Укр. физ. ж. 1988. Т. 33. № 11. С.1694-1696.

41. О природе температурного гистерезиса эффективного модуля сдвига в монокристаллическом кремнии /А.В. Олейнич-Лысюк, Б.И. Гуцуляк, И.М. Фодчук //ФТП. 2005. Т. 39. № 7. С. 769-771.

42. Фазовые переходы в монокристаллах кремния, обусловленные ориентированной пластической деформацией /И.М. Шмытько, А.Н. Изотов, Н.С. Афонникова, С. Виейра, Г. Рубио //ФТТ. 1998. Т. 40. № 4. С. 746-749.

43. Николин Б.Н. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. Киев: Наукова думка, 1984. 356 с.

44. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. Киев: Интерпрес ЛТД, 1997. 275 с.

45. Ижнин И.И., Лубочкова Г.А., Медведев Ю.В. Внутреннее трение в облученных монокристаллах РЬТе // Примеси и дефекты в узкозон. полупровод: Материалы Всесоюз. семин. по пробл. «Физ. и химия полупровод.» 1987. С. 90-92.

46. Positron study of vacancy defects in proton and neutron irradiated GaP, InP and Si / G. Dlubek, C. Ascheron, R. Krause, H. Erhard, D. Klirnm // Phys. status solidi. 1988. V. 106. № 1. p. 81-88.

47. Александров Л.Н., Зотов М.И., Сурин Б.П. Исследование нестабильных дефектов методом внутреннего трения // Внутр. трение в исслед. мет. сплавов и немет. матер. М., 1989. С. 35-38.

48. Влияние рентгеновского облучения на внутреннее трение в кремнии / Н.П. Кулиш, П.А. Максимюк, Н.А. Мельникова, А.П. Онашсо, A.M. Струтин-ский // ФТТ. 1998. Т. 40. № 7. С. 1257-1258.

49. Смирнов JI.C. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1977. 255 с.

50. Никаноров С.П., Кардашев Б.К. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. М.: Наука, 1985. 253 с.

51. Александров Л.Н., Зотов М.И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979. 158 с.

52. Упругость и неупругость волоконных монолитов нитрид кремния/нитрид бора /Б.И. Смирнов, Ю.А. Буренков, Б.К. Кардашев, D. Singh, К.С. Goretta, A.R. de Arellano-Lopez //ФТТ. 2001. Т. 43. № 11. С. 2010-2014.

53. Наблюдение электронно-механического резонанса на глубоких уровнях в полупроводниках АШВУ, имплантированных ионами железа /А.Г. Катукова, В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, Н.П. Ярославцев // ФТП. 1987. Т. 21. № 7. С. 1335-1336.

54. Электронно-механическая релаксация в пьезополупроводниках с глубокими уровнями / В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, В.В. Свиридов, Н.П. Ярославцев // Внутр. трение и исслед. мет., сплавов и немет. матер. М., 1989. С. 266-271.

55. Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках / В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, В.В. Свиридов, Н.П. Ярославцев // ФТТ. 1985. Т. 27. № 7. С. 2081-2085.

56. Воздействие оптического облучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами / В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, В.В. Свиридов, Н.П. Ярославцев // ФТП. 2002. Т. 36. № 2. С. 138-143.

57. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 365 с.

58. Дрожжин А.И., Антипов С.А. Низкотемпературное затухание в кремнии. Воронеж: ВПИ, 1981. С. 12 .

59. Беликов A.M., Дрожжин А.И., Антипов С.А. Аномальное затухание в монокристаллах кремния // Взаимодействие дефектов кристаллической решетки и свойства металлов и сплавов. Тула, 1983. С. 68-74.

60. Пластичность и хрупкость нитевидных кристаллов системы кремний-германий /И.В. Курило, Р.И. Байцар, С.С. Варшава //Неорганические материалы. 1996. Т. 32. № 10. С. 1168-1170.

61. Антипов С.А., Дрожжин А.И., Рошупкин A.M. Релаксационные явления в нитевидных кристаллах полупроводников. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1967. 191 с.

62. Исследование дефектной структуры нитевидных кристаллов кремния методом внутреннего трения /В.В. Господаревский // Физ. электроника. 1978. № 17. С. 41-45.

63. Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. М.: Наука, 1983. 280 с.

64. Методика исследования субмикровыделений в поликристаллических материалах методом внутреннего трения / Ю.Н. Андреев, М.В. Бестаев, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, Н.П. Ярославцев // ФТП. 1997. Т. 31. №7. С. 841-843.

65. Internal friction peaks due to a coating effect / W. Chomka, E. Denga, P. Moser // Phys. status solidi. 1980. V. 62. №1. P. 53-55.

66. Александров Л.Н., Зотов М.И., Сурин Б.П. Влияние оксидных пленок на ВТ в кремнии // Физика и химия конденсированных сред, Воронеж, 1981. С. 14-17.

67. О механизме образования микровключений компонента АШВ в полупроводниках AmBv /Е.А. Глушков, Н.В. Измайлов, С.И. Рембеза, А.М. Ту-ховский, С.К. Турков, Н.П. Ярославцев //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. Т. 21. № 12. С. 2003-2005.

68. Внутреннее трение связанное с изменением агрегатного состояния индия в сплавах системы Cu-In-Al /В.В. Путилин //«Физика металлов и металловедение». 1985. Т. 59. № 5. с. 1038-1040.

69. Внутреннее трение при изменении формы малых включений ЯО.Н. Андреев, Б.М. Даринский, В.А. Мошников, Д.С. Сайко, Н.П. Ярославцев //ФТП. 2000. Т. 34. № 6. С. 644-646.

70. Внутренне трение и модуль Юнга углеродной матрицы для биоморф-ной керамики карбида кремния /Б.К. Кардашев, Ю.А. Буренков, Б.И. Смирнов, J. Martinez-Fernandez, F.M. Varela-Feria //ФТТ. 2005. Т. 47. № 5. С. 860864.

71. Температурные зависимости модуля упругости биоморфных керамик карбида кремния /Б.И. Смирнов, Ю.А. Буренков, Б.К. Кардашев, F.M. Varela-Feria, J. Martinez-Fernandez, A.R. de Arellano-Lopez //ФТТ. 2003. T. 45. № 3. c. 456-459.

72. Упругость и неупругость биоморфной керамики карбида кремния /Б.К. Кардашев, Ю.А. Буренков, Б.И. Смирнов, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, F.M. Varela-Feria//ФТТ. 2004. Т. 46. № 10. С. 1811-1815.

73. The internal friction hysteretic in composite /D. Kovar, B.H. King, R.W. Trice, J.W. Halloran //J. Am. Cer.Soc. 1997. V. 80. № Ю. P. 2471-2476.

74. Measurement of the acoustic properties of amorphous silica above 4.5 mK /Е. Nazaretski, R.D. Merithew, R.O. Pohl, J.M. Parpia //Phys. Rev. В. V. 71. № 3. P. 1442-1451.

75. Internal Friction of Subnanometer a-Si02 Films /В.Е. White Jr., R.O. Pohl //Phys. Rev. Lett. 1995. V. 75. № 6. P. 4437-4439.

76. Low-temperature energy excitations and thermal properties of silica aerogels /A.M. de Goer, R. Calemczuk, B. Salce, J. Bon, E. Bonjour, R. Maynard //Phys. Rev. B. 1989. V. 40. № 4. P. 8327-833.

77. Синтез ориентированных пленок CuInSe2 на кристаллах NaCl /Е.К.Белоногов, В.М. Иевлев, А.Н. Харин //Вестник Воронеж, гос. техн. унта. Сер. Материаловедение. 2003. Вып 1.14. С. 3-7.

78. Просветление оптики. /И.В. Гребенщиков, А.Г. Власов, Б.С. Непо-рент, Н.В. Суйковская М.: Госхимиздат, 1946. 211 с.

79. Борисенко А.И., Николаева JI.B. Тонкослойные стеклоэмалевые и стеклокерамические покрытия. JT.: Наука. 1970. 70 с.

80. Суйковская Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. JL: Химия, 1971. 200 с.

81. Шредер X. Осаждение окисных слоев из органических растворов // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1972. Т. 5. С. 84-139.

82. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. /А.И. Борисенко, В.В. Новиков, Н.Е. Прихидько, И.М. Митникова, Л.Ф. Чепик JI.: Наука, 1972. 114 с.

83. Николаева JI.B., Борисенко А.И. Тонкослойные стеклоэмалевые и стеклокерамические покрытия. Л.: Наука, 1980. 88 с.

84. Brinker С.J., Scherer G.W. Sol-Gel Science. The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing. San Diego: Academic Press, 1990. 908 p.

85. Sol-gel processing of optical and electrooptical materials /D. Levy, L. Es-quivias //Adv. Mater. 1995. V. 60. № 7. p. 120-129.

86. Жабрев B.A., Шульц M.M. Керамические и стекломатериалы. Перспективы развития // Стекло и Керамика XXI. Перспективы развития / Концепция акад. Шевченко В .Я. СПб.: Янус, 2001. С. 107-175.

87. Structural characterization of iron titanium oxide synthesized by sol-gel spin-coating technique / A.R. Phani, S. Santucci // Materials Letters. 2001. V. 50. № 3. P. 240-245.

88. Novel approached to form and pattern sol-gel polymethiylsilsesquioxane-based spin-on glass thin and thick films / Yu. Liu, T. Cui, R.K. Sunkam, P.J.

89. Coane, M.J. Vasile, J. Geoettert // Sensors and Actuators B: Chemical. 2003. V. 88. №1. P. 75-79.

90. Зиновьев K.B., Вихлянцев О.Ф., Грибов Б.Г. Получение окисных пленок из растворов и их использование в электронной технике. // МЭП СССР. Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. М.: ЦНИИ Электроника. 1974. Вып. 13 (250). 61 С.

91. Применение силикатных пленок, полученных из растворов, в планар-ной технологии / Б.Г. Грибов, З.А. Зайцевская, А.П. Звездочкин, К.В. Зиновьев // Электронная промышленность. 1978. Вып. 1. С. 44-48.

92. Зиновьев К.В. Растворные композиции для электронной техники // Электронная промышленность. 1980. Вып. 8. С. 93-96.

93. Свойства пленок, получаемых из растворов на основе тетраэтоксиси-лана, в зависимости от технологических аспектов их формирования / О.А. Шилова, Л.Ф. Чепик, Ю.З. Бубнов // ЖПХ. 1995. Т. 68. № 10. С. 1608-1612.

94. Гидролитическая поликонденсация тетраэтоксисилана с солями и оксидами металлов в золь-гель процессе / В.А. Свидерский, М.Г. Воронков, B.C. Клименко, С.В. Клименко // ЖПХ. 1997. Т. 70. № 10. С. 1698-1703.

95. Использование золь-гель технологии в проихзводстве тонкопленочных газовых сенсоров / Ю.З. Бубнов, Л.Ф. Чепик, О.А. Шилова, Л.Н. Вишев-ник // Температуроустойчивые функциональные покрытия. Тр. XVII совещ. Т. 1. СПб: ООП НИИХ СПбГУ, 1997. С. 99-104.

96. Хашковский С.В., Чепик Л.Ф., Кузнецова Л.А. Растворная технология получения стекловидных неорганических пленок и стеклокерамических покрытий // Физикохимия силикатов и оксидов / Отв. Ред. акад РАН М.М. Шульц. С-Пб.: Наука (ИХС РАН), 1998. С. 277-286.

97. Золь-гель метод получения композиционных стекловидных и стекло-керамических пленок на основе неорганических полимеров / О.А. Шилова, С.В. Хашковский // Материалы. Технологии. Инструменты (MTI journal, HAH Беларуси). 2001. Т. 6. № 2. С. 64-68.

98. Наноразмерные стекловидные пленки многофункционального назначения в технологии изготовления полупроводниковых газовых сенсоров /Ю.З. Бубнов, О.А Шилова // Технологии приборостроения. 2003. №3. С. 6071.

99. Некрасов Б.В. Курс общей химии. М.: Госхимиздат, 1960. 970 с.

100. Drying of Sn02 hydrogels: effect of the electrolyte /R.T. Presecatan, S.H. Pulcinelli, C.V. Santilli // J. Non-Cryst. Solids. 1992. V. 147. № 8. P. 340-345.

101. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике /А.И. Бори-сенко, В.В. Новиков, Н.Е. Прихидько,. И.М. Митникова, Л.Ф. Чепик Л.: Наука, 1972. 255 с.

102. Получение золь-гель пленок на содержащих диоксид олова /Л.Ф. Че-пик, Е.П. Трошина, Т.С. Мащенко, Д.П. Романов, А.И. Максимов, О.Ф. Луц-кая // ЖПХ. 2001. Т. 74. № Ю. С. 1569-1573.

103. Внутреннее трение при изгибных колебаниях системы пленка-подложка / Б.М. Даринский, А.С. Ильин, В.И. Митрохин, Н.П. Ярославцев // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Воронеж: ВГТУ, 2005. С. 212-215.

104. Ржанова А.В. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука, 1982. 236 с.

105. Prospects of application of silicon nitride /Y. Shi, X. Wang, T.-P. Ma // IEEE Trans. Electron. Dev. 1999. V. 46. № 3. P. 362-365.

106. Nature of traps in silicon nitride / W.L. Warren, J. Kanichi, J. Robertson, E.H. Poindexter, PJ. McWhorter // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. № 5. P. 4034-4037.

107. Центры рассеяния в нитриде кремния / В.А. Гриценко, А.Д. Милов // ПЖТФ. 1996. Т. 64. № 4. с. 79.

108. Внутреннее трение в пленках на основе SisN4 и Cu-Se /Е.К. Белоно-гов, Б.М. Даринский, А.С. Ильин, В.И. Митрохин, В.А. Мошников, А.Н. Ха-рин, Н.П. Ярославцев //Известия РАН, Сер. Физическая. 2005. Т. 69. № 8. С. 1172-1174.

109. JCPDS International Centre of Diffraction Data 1998

110. Частотная зависимость пика внутреннего трения в твердых телах, обусловленного включениями другой фазы / Б.М. Даринский, Н.П. Ярославцев //Высокочистые вещества. 1990. № 3. С. 80-83.

111. Диаграммы состояния двойных металлических систем. / Под ред. Н.П. Лякишева. М.: Машиностроение, 1997. Справочник: В 3 т. Т. 2. С. 311312.

112. Исследование гибридных органо-неорганических пленок используемых в качестве диффузантов / А.С. Ильин, С.В. Кощеев, А.И. Максимов,

113. B.А. Мошников, И.В. Смирнова, О.А. Шилова, Н.П. Ярославцев // Сб-к 14 Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. РЭМ-2005. Черноголовка: Богородский печатник, 2005. С. 59-60.

114. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь-гель технологии /А.С. Ильин, А.И. Максимов, В.А. Мошников, Н.П. Ярославцев //ФТП. 2005. Т. 39. № 3. С. 300-304.

115. Внутреннее трение в наноструктурах на основе кремния, полученных по золь-гельной технологии / А.С. Ильин, В.И. Митрохин, В.А. Мошников, О.А. Шилова, Н.П. Ярославцев // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Воронеж. ВГТУ, 2003. С. 12-15.

116. Ярославцев Н.П. Внутреннее трение в монокристаллах некоторых по3 5лупроводников А В Автореф. канд. наук. Воронеж: ВПИ, 1979. 16 с.ы