Темы диссертаций и авторефератов по специальности ВАК РФ 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Тема диссертации Автор Год
Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения

Шагаров, Борис Анатольевич 2000
Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико-механическом полировании

Макаров, Антон Сергеевич 2000
Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства

Вотинцева, Елена Евгеньевна 2000
Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия

Борисова, Ирина Владимировна 2000
Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС

Громов, Дмитрий Геннадьевич 2000
Механизмы испарения и поглощения сурьмы из растворов-расплавов галлия и индия

Корнеева, Валерия Владиславовна 2000
Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента

Алфимова, Диана Леонидовна 2000
Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников

Савченко, Владислав Анатольевич 2000
Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы

Емельянов, Владимир Васильевич 2000
Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента

Середин, Лев Михайлович 2000
Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si

Смолин, Александр Юрьевич 2000
Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях

Нефедов, Александр Сергеевич 2000
Получение слоев металлов и полупроводников сублимацией в ультратонком вакуумном промежутке

Плющев, Дмитрий Юрьевич 2000
Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников

Тюрнев, Николай Валерьевич 2000
Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС

Мустафинов, Эдуард Николаевич 2000
Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур

Дьячков, Сергей Александрович 2000
Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций

Чикирякин, Алексей Анатольевич 2000
Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов

Харламов, Роман Валентинович 2000
Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента

Разумовский, Павел Иванович 2000
Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения

Четвергов, Михаил Владимирович 2000