Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Чистохин, Игорь Борисович

• Чистохин, Игорь Борисович
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Чистохин, Игорь Борисович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ §1.1 Механизмы неустойчивостей в примесных полупроводниках. Обзор теоретических и экспериментальных работ

§1.2 Методы анализа и обработки экспериментальных данных, применяемые при изучении нелинейных динамических систем

§1.3 Релаксационные процессы в компенсированных высокоомных полупроводниках

§1.4 Постановка задачи. 3

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

§2.1 Методика получения и подготовки объектов исследования

§2.2 Измерение вольтамперных характеристик (ВАХ), релаксационных характеристик и осцилляций тока

§2.3 Методика измерения спектральной зависимости фотопроводимости

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕУСТОЙЧИВОСТИ ТОКА В ФОТОСОПРОТИВЛЕНИИ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕЛЕНОМ

§3.1 Экспериментальные результаты исследования токовых осцилляций. 53 §3.2 Исследование эволюции автоколебаний фототока

§3.3 Анализ кинетики электронных переходов в кремнии, легированном селеном на устойчивость

ГЛАВА IV. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ СЕЛЕНОМ.

§4.1 Электрические переходные процессы в кремнии, легированном селеном.

94

§4.2 Моделирование фотоэлектрических переходных процессов в компенсированном высокоомном кремнии, легированном селеном

ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

110

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном»

ВВЕДЕНИЕ

Явления электрических неустойчивостей (срыв тока, спонтанные колебания тока или напряжения) при исследовании полупроводниковых структур обычно наблюдаются, начиная с дрейфовых полей, обеспечивающих слабый разогрев носителей заряда. Как правило, полупроводник с помощью внешних воздействий (света, приложенного напряжения) переводится в состояние, далекое от термодинамического равновесия. Сформированные в сильно неравновесных условиях нелинейные связи между генерационно-рекомбинационными процессами [1] - одна из основных причин, вызывающих неустойчивости в полупроводниках.

Поведение носителей заряда в полупроводниках принято описывать с помощью известной системы дифференциальных уравнений (уравнений непрерывности и Максвелла). Поскольку в состоянии, далеком от равновесия и при наличии нелинейностей они не поддаются решению, для анализа приходится привлекать методы, апробированные и используемые в нелинейной динамике. При этом полупроводниковый кристалл рассматривается как динамическая система со сложным поведением (по терминологии И.Пригожина [2]), в которой свободные и захваченные носители, а также электрическое поле представляют собой динамические переменные.

С этой точки зрения наблюдаемые при развитии неустойчивости в полупроводниках явления спонтанного образования пространственных и временных структур схожи с явлениями самоорганизации [2-3], обнаруженными в сложных физических, химических и биологических системах.

Исследования явлений неустойчивости в полупроводниках представляют большой интерес в связи с возможностью создания приборов нового класса, использующих такие свойства систем со сложным динамическим поведением, как внутренний отбор и усиление флуктуаций. В первую очередь это относится к выяснению условий формирования автоколебательных состояний и г

использованию этих режимов для преобразования уровня внешних воздействий в частоту.

С исследованием микропроцессов, управляющих динамикой развития упорядоченных во времени и пространстве структур в таких системах, связана и проблема устойчивости работы полупроводниковых приборов и интегральных схем, включая и фотоприемники. Кроме того, в ряде случаев эволюция колебательных состояний по мере изменения внешних параметров приводит к хаотическим осцилляциям. Поэтому изучение конкретных механизмов, порождающих колебательные состояния и управляющих их эволюцией, является важным и для решения проблем, связанных с шумовыми характеристиками полупроводниковых устройств.

Наконец, если рассматривать эти явления с точки зрения нелинейной динамики, полупроводники представляют собой удобную модельную систему с большим количеством переменных для изучения нелинейных процессов. Высокий уровень экспериментальной техники, а также достижения технологии полупроводниковых материалов позволяют получать образцы с заданными свойствами и обеспечивать надежную воспроизводимость и высокое временное и пространственное разрешение при исследовании таких явлений.

Особый интерес, с точки зрения вышеизложенного, вызывают исследования примесных полупроводников с глубокими уровнями. При низких температурах такие полупроводники характеризуются временем диэлектрической релаксации, значительно превышающем время пролета между контактами и эффективное время жизни носителей. При этом в однородно легированном полупроводнике возникают условия для формирования на центрах захвата локально нескомпенсированного связанного заряда, способного вызвать режим электрической неустойчивости. Явления, наблюдаемые в этих условиях, настолько своеобразны, что могут служить основой для выделения таких «релаксационных» полупроводников в отдельную группу (см. например, [1]).

Цель данной диссертационной работы состоит в исследовании механизмов, приводящих к возникновению режима неустойчивости электрического тока и определяющих особенности процессов релаксации заряда в кремнии, легированном селеном.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

Во введении обосновывается актуальность исследований; формулируется цель работы и положения, выносимые на защиту; дается краткая аннотация полученных результатов.

Первая глава является обзорной. В §1.1 дается обзор теоретических и экспериментальных исследований неустойчивостей, наблюдаемых в полупроводниках. Рассмотрены теоретические модели, объясняющие механизмы возникновения неустойчивости. В §1.2 излагаются современные методы и подходы, применяемые для анализа и обработки сигналов в нелинейных динамических системах с целью определения «детерминированности» системы. В §1.3 рассмотрены экспериментальные и теоретические работы, посвященные релаксационным процессам в высокоомных полупроводниках с монополярной проводимостью. В §1.4 формулируются задачи исследований.

Вторая глава посвящена методике эксперимента. Приводится описание создания объекта исследований - образцов кремния, легированного селеном, полученных с помощью ионной имплантации и термической диффузии. Описываются экспериментальные установки и методики для исследования неустойчивостей тока в полупроводниках и релаксационных характеристик.

Третья глава посвящена экспериментальному исследованию автоколебаний в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном. В §3.1 приводятся результаты исследования обнаруженных автоколебаний тока, близких к гармоническим. Установлено, что выделенные частоты ос-цилляций линейно зависят от уровня И К засветки и обратной вели чины приложенного напряжения.

Проведенный анализ результатов исследований статических вольт-амперных характеристик, спектральных измерений фотопроводимости и частотной зависимости автоколебаний, показали, что определяющую роль в формировании автоколебательного режима играет ударная ионизация возбужденного состояния донорного центра.

Приводятся результаты обнаружения эффекта «фазовой памяти». Осцилляции, прекращающиеся при выключении подсветки, при повторном включении возобновляются с той же фазы, что была в момент выключения. Качественно, эффект объясняется тем, что при отсутствии оптической генерации пространственное положение и величина заряда на глубоком уровне меняется очень незначительно, поскольку обмен носителей между уровнем и зоной проводимости в отсутствие оптической генерации - исключительно медленный процесс и определяется скоростью термической эмиссии. Приведены количественные оценки флуктуирующего заряда.

В §3.2 исследована эволюция наблюдаемых осцилляций фототока в зависимости от внешних параметров (приложенного напряжения, уровня ИК засветки). С использовгшием современных методов анализа отклика нелинейных динамических систем, апробированных на известных математических моделях, проведена обработка экспериментальных данных и построены фазовые портреты, Фурье спектры и автокорреляционные зависимости. Проведенный анализ позволил выделить основные частоты во всей области неустойчивости, включая участки с широкополосным Фурье спектром, и установить, что выделенные частоты осцилляций подчиняются той же функциональной зависимости - линейно зависят от уровня ИК засвехки и обратной величины приложенного напряжения..

В §3.3 на основе фиксируемых в эксперименте электронных переходов проведен анализ линеаризованной системы уравнений на устойчивость решений по отношению к малым флуктуациям относительно стационарного состояния. Получено дисперсионное соотношение, связывающее пространственные и временные характеристики флуктуаций, и показана опреде-

ляющая роль процесса ударной ионизации возбужденного состояния в развитии нарастания флуктуаций, т.е. в образовании неустойчивости.

Приведены характеристики лабораторного образца ИК датчика, использующего режим автоколебаний. Изложена качественная модель возникновения автоколебательного режима.

Четвертая глава посвящена исследованию фотоэлектрических переходных характеристик в кремнии, легированном селеном. В §4.1 излагаются результаты экспериментального исследования переходных процессов при ступенчатом изменении напряжения. Выявлена роль нестационарной ин-жекции в формирование релаксационных процессов фототока. Получены оценки контактного поля, определяющего релаксацию тока. В §4.2 приводятся результаты численного моделирования фотоэлектрических переходных процессов, привязанные к реальным экспериментальным образцам кремния, легированного селеном. Показана возможность возникновения пространственной неоднородности электрического поля в различные моменты времени как в однородном образце, так и с реальным профилем распределения легирующей примеси, что может вызвать нестационарную ин-жекцию из контакта в виде затухающих волн перезарядки.

В заключении перечислены основные результаты и выводы диссертации, а также указывается вклад автора в выполненную работу. *

На защиту выносятся следующие положения:

1. Основные причины формирования автоколебательного режима фототока в кремнии, легированном селеном - конкуренция процессов диэлектрической релаксации и ударной ионизации возбужденного состояния

примесного уровня селена. Ударная ионизация возбужденного состояния примесного центра приводит к нелинейному увеличению тока в 10 - 100 раз при полях более 1.4x103 В/см. Экспериментально установленная взаимо-

связь между частотой колебаний тока и уровнем интенсивности И К засвет-

ки при заданном приложенном напряжении соответствует процессу диэлектрической релаксации, определяемому эффективным переносом связанного заряда по глубокому уровню.

2. Во всем диапазоне неустойчивости, как свидетельствует анализ методами нелинейной динамики эволюции наблюдаемых осцилляций по мере изменения внешних параметров, автоколебания периодичны, причем частота обратно пропорциональна волновому числу, времени захвата неравновесных носителей, дрейфовой скорости и времени диэлектрической релаксации.

3. Затягивание по времени переходных электрических процессов в кремнии, легированном селеном, а также появление дополнительных скачков тока на релаксационной кривой обусловлены взаимозависимостью нестационарной инжекции носителей из контакта в объем полупроводника и перераспределения захваченного на примесный уровень локально неском-пенсированного заряда. В условиях пространственной неоднородности скоростей фотоионизации и захвата, динамически формирующейся инжектированными и захваченными носителями, релаксация к новому стационарному состоянию происходит путем эффективного медленного движения заряда по глубокому уровню в прикатодную область однородно легированного полупроводника.

Научная новизна работы.

1. В данной работе впервые на структурах кремния, легированного селеном, при засветке, вызывающей монополярную проводимость, обнаружены автоколебания фототока, подчиняющиеся дисперсионному соотношению, характерному для волн пространственной перезарядки глубокого уровня, когда частота обратно пропорциональна произведению волнового числа, времени захвата, дрейфовой скорости и времени диэлектрической релаксации.

-102. На статических вольтамперных характеристиках образцов в присутствии ИК засветки обнаружен участок нелинейного возрастания тока, связанный с ударной ионизацией возбужденного состояния примесных центров в кремнии. Определена зависимость частоты осцилляций фототока от длины волны ИК подсветки в автоколебательном режиме, подтверждающая активную роль возбужденного состояния примесного уровня в развитии неустойчивости.

3. На исследуемых объектах обнаружен эффект «фазовой памяти», при котором колебания прекращались при выключении внешней ИК засветки и при последующем ее включении возобновлялись с той же фазы, на которой были остановлены, что обусловлено «замораживанием» движения локально связанного заряда по глубокому уровню при выключении И К засветки.

4. Всесторонне изучена эволюция наблюдаемых колебаний тока в зависимости от внешних статических параметров. Установлено, что анализ фазовых портретов и корреляционных зависимостей, в отличие от Фурье анализа, дает возможность на количественной основе идентифицировать стадии эволюции наблюдаемых колебаний.

5. Обнаружена особенность на релаксационной кривой в виде скачка тока на завершающей стадии переходного процесса после включении ступенек напряжения, наложенных на исходный постоянный уровень в диапазоне 0 -12 В таком образом, чтобы конечное напряжение было одинаковым. В диапазоне конечных напряжений 15 - 20 В установлена линейная зависимость времени возникновения этого скачка от приложенной ступеньки напряжения, свидетельствующая о взаимозависимости величины инжектированного заряда и распределения электрического поля при протекании переходного процесса.

Практическая ценность работы.

Определены механизмы и выяснены условия, при которых в примесных полупроводниках могут проявляться неустойчивости и долговременная релаксация фототока, ограничивающие как быстродействие, так и границы устойчивого режима работы И К фото приемников. Предложен способ регистрации и измерения ИК излучения, основанный на преобразовании постоянного уровня засветки в частоту автоколебаний фототока. Реализован макет чувствительного ИК датчика на основе кремния, легированного селеном, и показана возможность практического использования механизмов внутреннего усиления флуктуаций с отбором частот в зависимости от интенсивности засветки и приложенного напряжения.

Апробация работы.

Результаты, полученные в данной работе, докладывались на V Всесоюзной конференции молодых ученых и специалистов (Новосибирск 1984 г.), на II международной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ашхабад 1991 г.), на III Российской конференции «По-лупроводники-97» (Москва 1997 г.), а также на семинарах отдела и института.

Объем диссертация составляет 120 машинописных страниц и включает 36 рисунков и список литературы из 88 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Чистохин, Игорь Борисович

Основные результаты и выводы.

1. Обнаружено, что в фотосопротивлениях на основе кремния, легированного селеном, при температуре 78К в диапазоне средних дрейфовых электрических полей 1400-1700 В/см и в присутствии постоянной ИК подсветки с длиной волны 3.1 мкм возникают автоколебания тока с частотой от 4 до 250 Гц. Амплитуда колебаний достигает 80 - 100% от среднего значения фототока.

2. Установлено, что в режиме автоколебаний тока при выключении подсветки осцилляции прекращаются и при повторном ее включении возобновляются с той же фазы, что была в момент выключения, причем время задержки включения может достигать 40 минут.

3. Установлено, что в процессе изменения внешних параметров (уровня ЙК подсветки и напряжения) в области неустойчивости участки с основной доминирующей частотой перемежаются участками, частотный спектр которых занимает широкую полосу частот. Показано, что соответствующая исследуемому полупроводнику динамическая система обладает предельным циклом, а наблюдаемые колебания, несмотря на сложный характер, периодичны во всей области неустойчивости.

4. Определено, что зависимости частоты наблюдаемых колебаний тока, а именно, линейная - от уровня ИК подсветки и обратно пропорциональная - от приложенного напряжения, выполняются во всей области неустойчивости. Полученная в результате функциональная связь частоты осцилляций с уровнем внешних воздействий хорошо согласуется с дисперсионным соотношением, характерным для режима переноса локально связанного заряда по глубокому уровню, когда частота обратно пропорциональна произведению волнового числа, времени жизни, дрейфовой скорости и времени диэлектрической релаксации.

5. Изучены особенности вольтамперной характеристики в диапазоне на-пряженностей электрического поля от 60 В/см до 17 кВ/см при различных уровнях ИК засветки. Показано, что ее характерным участкам можно сопоставить следующие процессы: омический транспорт, слабый разогрев с насыщением дрейфовой скорости, ударную ионизацию возбужденного состояния примесного донорного центра, насыщение процесса ионизации возбужденного состояния и примесный пробой основного состояния донорного центра.

6. Показано, что спектральным зависимостям фотопроводимости и частот автоколебаний тока могут быть сопоставлены одни и те же электронные переходы - фотогенерация электронов из основного состояния глубокого донорного уровня в возбужденное состояние и последующая эмиссия в зону проводимости.

7. Изучены особенности отклика фотосопротивлений на основе кремния, легированного селеном, на ступенчатые изменения напряжения. Показано, что характерные всплески тока, возникающие на протяжении переходного процесса обусловлены нестационарной инжекцией из низкоомного контакта в объем полупроводника. Получены оценки средней величины приконтактного поля и характерной частоты перезарядки донорного уровня, связанного с примесью селена в кремнии.

8. Проведен анализ системы уравнений, описывающих поведение носителей заряда в полупроводниках, на устойчивость решений по отношению к малым возмущениям с учетом выявленных в эксперименте электронных переходов. Показано, что ударная ионизация возбужденного состояния примесных центров является наиболее вероятным процессом, обеспечивающим автокаталитическое звено, необходимое для установления автоколебательного режима. При этом, характеристикам предельного цикла могут быть сопоставлены быстрый процесс обмена электронами между зоной проводимости и донорными центрами и медленный процесс перемещения локально связанного заряда по этим центрам.

Данная диссертационная работа была выполнена в лаб.18, а позднее в отделе N6 Института Физики Полупроводников СО РАН. Подготовка образцов, постановка экспериментальных методик, разработка программ для автоматизации измерений, проведение всех измерений и обработка экспериментальных данных выполнялась автором лично. Автор считает приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя Е.Г. Тишковского за постоянное руководство на всех этапах работы. Интерпретация полученных результатов осуществлялась в ходе плодотворных дискуссий и обсуждений с соавторами публикаций и другими сотрудниками института. Автор благодарен заведующему отделом Е.И. Черепову, сотрудникам отдела Б.А. Зайцеву, A.A. Таскину, В.И. Ободникову, а также профессору H.H. Герасименко за полезные обсуждения результатов работы, повседневную поддержку и помощь при проведении работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В данной диссертационной работе проведены исследования неустойчивости Тока в кремнии, легированном селеном, в условиях, способствующих формированию в однородно легированном полупроводнике локально нескомпен-сированного заряда, связанного на центрах захвата. Изучены механизмы, определяющие формирование автоколебательного режима. Установлена зависимость частоты периодических колебаний тока от внешних параметров (приложенного напряжения и уровня ИК засветки). Проведен анализ эволюции наблюдаемых осцилляций по мере изменения внешних параметров.

Изучены электрические переходные процессы в кремнии, легированном селеном и определены обобщенные параметры, определяющие нестационарную инжекцию из низкоомного контакта и характеризующие взаимовлияние приконтактной области и объема полупроводника.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Чистохин, Игорь Борисович, 1998 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Шёлль Э. Самоорганизация в полупроводниках. - М., Мир, 1991.-

464с.

2. Николис Г., Пригожин И. -Познание сложного. -М., Мир, 1990,-344с.

3. Мун Ф. Хаотические колебания. -М., Мир, 1990, -312с,

4.Бонч-Бруевич B.JI., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. -М. Наука, 1972.

5. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. -М. Наука, 1977.-368с.

6. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках. Ташкент, изд. ФАН, 1971, -204с.

7. Teitsworth S.W., Westervelt R.M., Haller Е.Е.- Nonlinear oscillations and chaos in electrical breakdown in Ge. -Phys. Rev. Lett., 1983, v. 51, N9, p. 825-828.

8. Жданова Н.Г., Каган M.C., Калашников С.Г. Термотоковая неустойчивость в компенсированном германии. -ФТП, 1983, т. 17, в. 10. с. 1852-1853.

9. Зи С. Физика полупроводниковых приборов,- М., Мир, 1984.-456 с.

10. Aoki К., Yamamoto К. Nonlinear response and chaos in semiconductors induced by impact ionization. -Appl. Phys., 1989, v. A 48, N2, p. 111-125.

11. Song X.N., Seller D.G., Loloee M.R. Nonlinear oscillations and chaotic behavior due to impact ionization of shallow donors in InSb. -Appl. Phys., 1989, v. A 48, N2, p. 137-141.

12.Константинов О.В., Перель В.И. Рекомбинационные волны в полупроводниках -ФТТ, 1964, т.6, в.11, с. 3364-3371.

-11413. Пирагас К.А. Стохастическая рекомбинационная неустойчивость. -ФТП, 1983, т. 17, в. 6, с. 1035-1039.

14. Бумялене С.Б., Пирагас К.А., Пожела Ю.К., Тамашявичус А.В. Хаотические автоколебания фотопроводимости n-Ge(Ni). -ФТП, 1986, т.20, в.7, с. 1190-1194.

15. Бахадырханов М.К., Парманкулов И.П. Неустойчивость тока в кремнии, компенсированного марганцем, связанная с рекомбинационными волнами. -ФТП, 1989, т.23, в. 9, с. 1646-1650.

16. Бахадырханов М.К., Закриллаев Н.Ф., Эгамбердиев Б.Э. Автоколебательные процессы в компенсированном кремнии. Радиотехника и электроника, 1998, т. 43, в. 3, с. 300-308.

17. Teitsworth S.W., Westervelt R.M. Subharmonic and chaotic response of periodically driven extrinsic Ge photoconductors. -Phys. Rev. Let., 1986, v.56, N 5, p. 516-519.

18. Teitsworth S.W. The physics of space charge instabilities and temporal chaos in extrinsic photoconductors. -Appl. Phys., 1989, v. A 48, p. 127-136.

19. Kahn A.M., Mar D.J. and Westervelt R.M. Spatial measurements near the instability threshold in ultrapure Ge. -Phys. Rev. B, 1992, v.45, N15, p. 83428347.

20.Aoki K., Migibayashi N. Bifurcation phenomena in a periodically driven current filament and a conjecture on the turbulent patterns by computer simulations. -Appl. Phys., 1989, v. A 48, N2, p. 161-169.

21. Teitsworth S.W., Westervelt R.M. Nonlinear current-voltage characteristics and spontaneous current oscillations in p-Ge. - Physica D, 1986, v. 23, p. 181-186.

22. Gwinn E.G. and Westervelt R.M. Frequency locking, quasiperiodicity and chaos in extrinsic Ge. -Phys. Rev. Lett., 1986, v.57, N8, p. 1060-1063.

23. Gwinn E.G. and Westervelt R.M. Scaling structure of attractors at the transition from quasiperiocity to chaos in electronic transport in Ge. - Phys. Rev. Lett., 1987, v.59, N2, p. 157-160.

-11524. Teitsworth S.W. The physics of space charge instabilities and temporal chaos in extrinsic semiconductors. -Appl. Phys., 1989, v. A 48, p. 127-136.

25. Kahn A.M., Mar D.J. and Westervelt R.M. Spatial measurements of moving space-charge domains in ;>type ultrapure germanium. -Phys. Rev. B, 1991, v.43, N12, p. 9740-9749.

26. Kahn A.M., Mar D.J. and Westervelt R.M. Dynamics of space-charge domains in ultrapure Ge. -Phys. Rev. Lett., 1992, v.68, N3, p. 369-372.

27. Teitsworth S.W., Bergman M.J., Bonilla L.L. Space charge instabilities and nonlinear waves in extrinsic semiconductors - Springer Proceedings in Physics, 1995, v.79, p. 46-69.

28. Peinke J., Mühlbach A., Röhricht В., Wessely В., Mannart J., Parisi J., Huebener R.P. Chaos and hyperchaos in the electric avalanche breakdown of p-Germanium at 4.2 K. -Physica D, 1986, v. 23, p. 176-180.

29. Peinke J., Parisi J., Röhricht В., Mayer K.M., Rau U., Glaus V\.. Huebener R.P., Jungwirt G., and Prettl W. Classification of current instabilities during low-temperature breakdown in germanium. -Appl. Phys. A, v.48, N2, p.155-160.

30. Schöll E. Theoretical approaches to nonlinear and chaos dynamics of generation-recombination processes in semiconductors. -Appl. Phys., 1989, v. 48, p. 95-106.

31.Schöll 3. Instabilities гл semiconductors including chaotic phenomena. -Physica Scripta, 1989, v. T29, p. 152-156.

32. Quade W., Hüpper G., Schöll E., Kuhn Т. Monte Carlo simulation of the nonequilibrium phase transition in />type Ge at impurity breakdown. - Phys. Rev. B, 1994, v. 49, p.13408-13419.

33. Казаринов Р.Ф., Сурис P.A., Фукс Б.И. Волны пространственной перезарядки и «термотоковая» неустойчивость в компенсированных полупроводниках - ФТП, 1973, т.7, в Л, с. 149-157.

-11634. Сурис Р.А., Фукс Б.И. Импеданс образца из компенсированного материала при возбуждении волны пространственной перезарядки. - ФТП,

1975, т.9, в.9, с.1717-1728.

35. Жданова Н.Г., Каган М.С., Сурис Р.А., Фукс Б.И. Волны перезарядки ловушек в компенсированном германии. -ЖЭТФ, 1978, т.74, в. 1, с. 364-371.

36. Каган М.С., Калашников С.Г., Ландсберг Е.Г., Чернышев И.В. Волны перезарядки ловушек в кристалле со статическим доменом. -ФТП, 1984, т.18, в.8, с.1379-1382.

37. Холодниок М., Клич А., Кубичек М., Марек М. Методы анализа нелинейных динамических моделей. ~М., Мир, 1991, -368 с.

38. Хаяси Т. Нелинейные колебания в физических системах. -М., Мир, 1968, -432с.

39. Abarbanel H.D.I. - The analysis of observed chaotic data in physical systems - Rev. Mod. Phys.,1993, v.65, N.4, p. 1331-1392.

40. Ланда П.С., Неймарк Ю.И. Стохастические и хаотические колебания. -М., Наука, 1987.

41. Van Kampen N.G., Stochastic processes in physics and chemistry. -North-Holland Physics Publishing, 1984

42. Лукъянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. -М., Радио и связь, 1990, -296с.

43. Макс Ж. Методы и техника обработки сигналов при физических измерениях. -М., Мир, 1983, т. 1, -312с, т.2,-256с.

44. Шестов Н.С. Выделение оптических сигналов на фоне случайных помех. -М., Советское радио, 1967, -347с.

45. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. -М., Советское радио,

1976, -480с.

46. Кравцов Ю.А. Случайность, детерминированность, предсказуемость. -УФН, 1989, т.158, в.1, с. 93-121.

-11747. Алимов Ю.И.. Кравцов Ю.А. Является ли вероятность «нормальной» физической величиной? -УФН, 1992, т. 162, в.7, с. 149-182.

48. Wolf A., Swift J.В., Swiimey H.L., Vastano J.A. Determining lyapunov exponents from a time series. -Physica D, 1985, v.16, p. 285-317.

49. Таубкин И.И., Залетаев H.Б., Кочеров В.Ф. Физические явления в монокристаллических примесных фоторезисторах. -М., НТЦ «Информатика», 1992, -113с.

50. Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. - ФТП, 1976, т. 10, в. 2, с. 209233.

51. Сурис Р.А., Фукс Б.И. Теория нелинейных переходных процессов в компенсированных полупроводниках. - ФТП, 1980, т. 14, в.8, с. 1507-1517.

52. Фукс Б.И. Инжекционные свойства контактов к высокоомным полупроводникам. -ФТП, 1981, т.15, в. 9, с. 1679-1700.

53. Грейсух A.M., Цырлин Л.Э. К теории п+-\>{р+-п) - контактов к компенсированным полупроводникам. - ФТП, 1984, т.18, в. 3, с. 398-401.

54. Лукьянченко А.И. Инжекционные свойства контактов к высокоомным полупроводникам. -ФТП, 1985, т.19, в. 8, с. 1515-1517.

55. Лукьянченко А.И., Сурис Р.А., Фукс Б.И. Долговременные релаксации тока и сопутствующие им эффекты в полупроводниках. - ФТП, 1986, т. 20, в.7, с.1199-1204.

56. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. -М., Мир, 1973, -416с.

57. Heagel N.M., White A.M. Modeling of near-contact field and earner distributions in extrinsic germanium photoconductors. -Infrared Phys., 1989, v. 29, N 5, p. 915-923.

58.Жданова H.Г., Каган M.С., Сурис Р.А., Фукс Б.И. Электрические переходные процессы в компенсированном германии. - ФТП, 1980, т. 14, в.8, с. 1518-1525.

-11859. Жданова Н.Г., Каган М.С. Прямое наблюдение волн пространственной перезарядки. -ФТП, 1981, т.15, в.1, с.168-170.

60.Жданова Н.Г., Каган М.С., Калашников С.Г., Сурис Р.А., Фукс Б.И. Периодические процессы в компенсированных полупроводниках. -ФТП, 1983, т.17, в.8, с.1500-1502.

61. Джунаидов С.С., Урманов НА. Релаксация тока в п -v - п структурах на основе компенсированного кремния, связанного с нарушением нейтральности. - ФТП, 1985, т. 19, в. 4, с. 759-761.

62. Винокуров Л.Ф., Фукс Б.И. Нелинейный фотоотклик в примесных фотопроводниках. - ФТП, 1991, т. 25, в. 11, с. 2003-2009.

63. Sclar N. Development status of silicon extrinsic IR detectors, II. -Proc. SPIE, 1983, v. 343, p. 11-41.

64. Vydyanath H.R. and Lorenzo J.S. Defect pairing diffusion, and solubility studies in selenium-doped silicon. - J. Appl. Phys., 1978, v. 49, N12, p. 5928-5937.

65. Sclar N. The effect of dopant diffusion vapor pressure on the properties of sulfur and selenium doped silicon infrared detectors. - J. Appl. Phys.. 1981, v.52, N8, p. 5207-5217.

66. Зайцев Б.А., Тишковский Е.Г., Чистохин И.Б, Эр мантр аут В.Б. Исследование электрофизических свойств кремния, имплантированного селеном. Тез .докл. У Всес. конф. Москва ЦНИИ «Электроника».. 1984, в. 1(200), с. 39.

67. Герасименко Н.Н., Домахни И.Г., Зайцев Б.А., Мажирин А.П. Матер. Всес. Конф. «Ионно-лучевая модиф. Матер.», Каунас, 57, 1989

68. Vydyanath H.R., Helm W.J., Lorenzo J.S and Hoelke S.T. Development of selenium-doped silicon for 3-5 цт applications. -Infrared Physics, 1979, v. 19, p. 93-102.

69. Астрова E.B., Большаков И.Б., Лебедев А.А., Михно О.А. Фотопроводимость кремния, легированного селеном. - ФТП, 1985, т. 19, в. 5, с. 919-922.

-11970. Патент №2069414 (РФ) на изобретение «Способ легирования кремния халькогенами.» /Зайцев Б.А., Мясников A.M., Таскин A.A., Тишковский Е.Г., Чистохин И.Б. -Опубл. в Б.И.,1996, № 32.

71. Зайцев Б.А., Таскин A.A., Тишковский Е.Г. Комплекс программ -интерпретаторов температурных зависимостей эффекта Холла и электропроводности в системах со слоистыми неоднородностями. -Новосибирск, 1990. -31с. (Препринт 2/ Институт физики полупроводников СО АН СССР).

72. Криксунов JI.3. Справочник по основам инфракрасной техники. -М., Советское радио, 1978, -400с.

73. Westervelt R.M., Teitsworth S.W. - Nonlinear transient response of Ge far-mfrared photoconductors. - J. Appl. Phys., 1985, v.57, N.12, p. 5457-5469.

74. Чистохин И.Б., Тишковский Е.Г., Герасименко H.H. Неустойчивости тока в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном. Тез.докл. II Всес. конф. «Фотоэл. явления в полупроводниках», Ашхабад, 1991, с.356.

75. Чистохин И.Б., Тишковский Е.Г., Герасименко Н.Н Неустойчивости тока в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном. -ФТП, 1992, т.26, в.9, с.1529-1535.

76. Чистохин И.Б., Тишковский Е.Г., Герасименко H.H. Неустойчивости ток" в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном. Сб. научных трудов «Полупроводники», Новосибирск, ВО «Наука» 1993-с.48-51.

77. Чистохин И.Б., Тишковский Е.Г. Автоколебания тока в кремнии в режиме переноса, заряда, по глубокому уровню. Тез.докл. III Всерос. конф. «Полупроводники-97», М., ФИ АН, 1997, с. 123.

78. Jacoboni С., Ca.na.li С., Ottaviani G. and Quaranta A.A. - A review of some charge transport properties of Silicon - Sol.-St. Electron., 1977, v.20, p.77-89.

-12079. Ленина Ж.С., Межебовский Б.Е., Парицкий Л.Г. Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров в германии. ФТП, 1985, т. 19, в. 6, с. 1064-1069.

80. Абакумов В.Н., Крещу к JI.H., Яссиевич И.Н. Захват носителей на притягивающие центры в сильных электрических полях. ФТП, 1978, т. 12, в.2, с.264-272.

81. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, М., Мир, 1977, -563с.

82. Rosier L.L. and Sah С.Т. -Thermal emission and capture of electrons at sulfur centers in silicon. -Sol.-St. Electron., 1971, v.14, p.41-54.

83. Grimmeiss H.G., Janzen E., and Skarstam B. -Electronic properties of selenium-doped silicon. -J. Appl. Phys., 1980, v.51, N. 7, p. 3740-3745.

84. Астрова E.B., Большаков И.Б., Лебедев А.А., Михно О.А. Энергетические уровни селена в кремнии. - ФТП, 1985, т. 19, в.4, с. 597-600.

85. Rees G.J., Grimmeiss H.G., Janzen Е., and Skarstam В. - Capture, emission and recombination at a deep level via an excited state. -J.Phys. C: Solid St. Phys., 1980, v. 13, p. 6157-6165.

86. Grimmeiss H.G., Skarstam B. -Excited states at deep centers in Si:S and Si:Se. -Phys. Rev. B, 1981, v.23, N. 4, p. 1947-1960.

87. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в пол'лтроводниках, -Киев, Наукова думка, 1969, -186с.

88. Патент №2113745 (РФ) на изобретение «Способ регистрации и измерения потока ИК излучения.» /Чистохин И.Б., Тишковский Е.Г., Зайцев Б.А. -Опубл. в Б.И.,1998, № 17