Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Скаляух, Ольга Вячеславовна

• Скаляух, Ольга Вячеславовна
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Скаляух, Ольга Вячеславовна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. РАДИАЦИОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ КРЕМНИЯ.

1.1. Дефектообразование в облученном кремнии.

1.2. Разупорядоченные области в кремнии.

1.3. Облучение кремния протонами и альфа-частицами.

1.4. Влияние интенсивности облучения и температуры на процессы радиационного дефектообразования.

1.5. Изменение параметров полупроводниковых приборов под воздействием радиационного облучения.

1.6. Радиационное легирование кремния.

1.7. Выводы.

ГЛАВА 2. АМОРФИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ОБЛУЧЕНИЯ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ.

2.1. Методика проведения облучения.

2.2. Исследование аморфизации поверхности кремния методом комбинационного рассеяния света.

2.3. Измерение времени жизни методом поверхностной фото-ЭДС.

2.4. Эксперименты по измерению времени жизни на кремнии.

2.5. Изменение времени жизни носителей заряда в кремнии под воздействием облучения альфа-частицами.

2.6. Выводы.

ГЛАВА 3. ИЗМЕНЕНИЕ ЕМКОСТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИ

3.1. Методика и погрешности измерения распределения концентрации дефектов вблизи контакта металл-полупроводник.

3.2. Изменение распределения концентраций центров рекомбинации при облучении.

3.3. Теоретическая модель изменения концентрации центров рекомбинации в облученном кремнии с учетом диффузии дефектов.

3.4. Выводы.

ГЛАВА 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ

МЕТОДОМ ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННОЙ ЕМКОСТИ.

4.1. Методика измерения термостимулированной емкости.

4.2. Термостимулированная генерация с глубоких уровней ОПЗ в р-и-переходах.

4.3. Вычисление параметров глубоких уровней с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата электронов.

4.4. Модель распада комплексов.

4.5. Выводы.:.

ГЛАВА 5. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОБЛУЧЕННЫХ

ОБРАЗЦОВ.

5.1. Модели переноса заряда в облученных структурах. Применение метода рекомбинационной спектроскопии для определения параметров глубоких уровней.

5.2. Методика измерения вольт-амперных характеристик.

5.3. Двойные поверхностно-барьерные диоды Шоттки на основе кремния.

5.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ»

Актуальность работы

Кремний является наиболее применяемым и дешевым материалом твердотельной электроники, самым распространенным материалом для изготовления различных полупроводниковых приборов. Проблемам выращивания монокристаллов и отклонения их от стандартов посвящено большое число монографий, публикаций и докладов на международных конференциях. В меньшей степени исследованы процессы дефектообразования под действием облучения. Однако и эта проблема является важной для практического использования кремния в электронике.

Облучение кремния протонами и альфа-частицами приводит к образованию в кристалле первичных точечных радиационных дефектов - вакансий и связанных с ними межузельных атомов кремния (пар Френкеля), которые генерируются вдоль траектории пробега ионов в результате развития каскадов столкновений ионов с атомами решетки кристалла. В процессе облучения при комнатной температуре основная часть образованных пар Френкеля исчезает в результате взаимной аннигиляции, а разделившиеся компоненты пар в процессе их миграции взаимодействуют друг с другом и с примесными атомами кристалла, создавая более сложные и стабильные вторичные радиационные дефекты. Вторичные дефекты впоследствии трансформируются, например, при температурном воздействии может происходить распад сложных комплексов на составляющие.

Так как радиационное дефектообразование сопровождается появлением в запрещенной зоне полупроводника локальных энергетических уровней, то облучение кремния альфа-частицами изменяет в широких пределах электрофизические характеристики полупроводника, такие как электропроводность, тип проводимости, концентрация, подвижность и время жизни носителей заряда.

Несмотря на большое количество работ, посвященных радиационному облучению кремния, лишь немногие из них рассматривают взаимодействие кремния с альфа-частицами. Большинство работ, исследующих свойства облученного кремния, ввиду сложности изучаемых процессов носят экспериментальный характер.

В данной работе, в процессе изучения дефектообразования при радиационном облучении кремния, ставится задача не только определения энергетических параметров образующихся рекомбинационных центров, но и разработки моделей возникновения дефектов при облучении и их дальнейшего поведения, что позволит предсказать характеристики образцов, без проведения длительных экспериментов по их облучению. В связи с этим тема диссертации является весьма актуальной.

Цель работы

Целью данной работы является исследование процессов вторичного дефектообразования в кремнии и в полупроводниковых приборах на его основе при облучении альфа-частицами.

Для достижения данной цели решались следующие задачи: •изучение механизмов изменения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик кремниевых барьеров Шоттки после облучения;

•определение параметров дефектов методом термостимулированной емкости до и после облучения /7-л-переходов на основе кремния;

•моделирование процесса дефектообразования в кремнии под воздействием облучения альфа-частицами;

•моделирование процесса развала сложных комплексов, возникающих в кремнии при его облучении альфа-частицами.

Научная новизна

1) Было обнаружено, что при облучении кремния альфа-частицами возрастает концентрация ^-центров и этот процесс приводит к уменьшению времени жизни неосновных носителей заряда.

2) Различными методами были определены параметры вторичных дефектов, возникающих при облучении кремния альфа-частицами. На основе проведенных экспериментов, была создана математическая модель распределения заряженных дефектов в кремнии вблизи поверхности при его облучении альфа-частицами с учетом диффузии первичных и вторичных дефектов и показано, что профили обусловлены увеличением концентрации А-центров и комплексов с участием вакансий, включая дивакансии.

3) Предложена модель распада сложных комплексов, образующихся при облучении кремния альфа-частицами. Поведено численное моделирование зависимости емкости от температуры, обусловленной распадом сложных комплексов, и показано, что в результате распада комплексов высвобождается межузельный кремний.

4) Экспериментально определена пороговая доза облучения кремния альфа-частицами, свыше которой начинаются процессы аморфизации.

Практическая ценность работы

1) Получена эмпирическая зависимость времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии от дозы облучения альфа-частицами, позволяющая оценить граничную дозу облучения, после которой происходит деградация приборов.

2) Методом термостимулированной емкости были определены энергетические параметры центров рекомбинации, образующихся после облучения кремниевых /7-и-переходов альфа-частицами: мелкие донорные центры - 0,08±0,03 эВ, 0,02±0,03 эВ, 0,04±0,03 эВ, ^-центры - 0,16±0,03 эВ, ^-центры или дивакансии 0,40±0,03 эВ, центры с энергией активации, соответствующей энергии миграции межузельного кремния 0,90±0,03 эВ, термодоноры первого типа 0,14±0,03 эВ.

3) Разработана модель распада сложных комплексов, описывающая производную термостимулированной емкости по температуре и позволяющая определить энергетические характеристики распада и параметры распадающихся комплексов.

4) Из вольт-амперных характеристик определены энергетические уровни центров рекомбинации, образующихся при облучении кремния:: 0,538±0,009 эВ (вакансионно-кислородные комплексы); 0,345±0,056 эВ (акцепторное состояние дивакансии); начиная с дозы 1-1011 частиц/см2 -0,237±0,043 эВ, а начиная с дозы 2-1012 частиц/см2 - 0,138±0,026 эВ.

Положения, выносимые на защиту

1) Время жизни в кремнии, облученном альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ, контролируется J-центрами. Уменьшение времени жизни при

1 "Я О облучении дозами в диапазоне от 4-10 до 2-10 частиц/см , вплоть до начала процессов аморфизации, обусловлено возрастанием концентрации этих центров.

2) Облучение кремния альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ дозами в диапазоне от 4-Ю10 до 8-1011 частиц/см2 может приводить к развитию в приповерхностной области компенсирующего слоя, обусловленного избыточными концентрациями ^-центров и комплексов на основе вакансий, включая дивакансии.

3) Сложные комплексы, образующиеся при облучении кремния альфа-частицами, распадаются при нагреве с высвобождением межузельного кремния.

Апробация работы

По материалам диссертации были представлены доклады и опубликованы тезисы докладов на следующих конференциях: IV всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002), IV международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск, 2002), VI международной конференции "Опто-, нано-электроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, 2004).

Личное участие автора

Основные теоретические положения разработаны совместно с д. ф.-м. н., профессором С.В. Булярским. Облучение исследуемых образцов проводилось в ГНЦ РФ НИИАР г. Димитровград. Экспериментальное исследование вольт-фарадных, вольт-амперных характеристик и термо-стимулированной емкости проведено автором самостоятельно на установках, разработанных сотрудниками кафедры оптики и спектроскопии твердого тела Ульяновского государственного университета. Также автор принимал участие в разработке установки и методики для измерения времени жизни и самостоятельно выполнял численное решение систем дифференциальных уравнений (главы 2,3,4).

Публикации

Основные результаты исследований отражены в 7 печатных работах, список которых приведен в заключении.

Объем и структура диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и заключения. Материал изложен на 128 страницах, содержит 41 рисунок, 6 таблиц, 129 наименований в списке литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Скаляух, Ольга Вячеславовна

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Булярский С.В., Насибов А.С., Светухина О.С., Скаляух О.В., Радчен-коВ.М. Туннельно-рекомбинационные процессы в облученных полупроводниковых структурах // Краткие сообщения по физике ФИАН. - 2004. — №7. с. 53-58.

2. Булярский С.В., Скаляух О.В., Трифонов О.А., Радченко В.М., Топоров Ю.Г. Исследование изменения времени жизни носителей заряда в кремнии под воздействием облучения альфа-частицами // Уч. зап. УлГУ. Сер. Физическая. - 2004. - В. 1 (16). - С. 14-19.

3. Булярский С.В., Скаляух О.В., Радченко В.М., Топоров Ю.Г. Изменение концентрации свободных носителей при облучении кремниевых структур потоком альфа-частиц // Уч. зап. УлГУ. Сер. Физическая. - 2004. - В. 1 (16). -С. 19-23.

4. Кувырченкова О.В. (Скаляух О.В.), Светухин В.В. Разработка установки для измерения времени жизни неосновных носителей заряда методом фото-ЭДС // Уч. зап. УлГУ. Сер. Физическая. - 2004. - В. 2 (11). - С. 47-50.

5. Трифонов О.А., Кувырченкова О.В. (Скаляух О.В.), Амброзевич А.С., Светухин В.В. Исследование однородности времени по кремниевой пластине методом поверхностной фото-ЭДС // Тр. IV междунар. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». - Ульяновск, 2002. - С. 52.

6. Кувырченкова О.В. (Скаляух О.В.) Разработка установки для исследования распределения времени жизни неравновесных носителей по кремниевой пластине методом фото-ЭДС // Тез. докл. IV всероссийской конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. - СПб.: -Изд-во СПбГПУ, 2002. - С. 107.

7. Булярский С.В., Скаляух О.В., Радченко В.М., Топоров Ю.Г. Исследование электрических характеристик кремниевых структур при облучении альфа-частицами // Тр. VI междунар. конф. «Опто-, наноэлекгроника, нано-технологии и микросистемы». - Ульяновск, 2004. — С. 146.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Скаляух, Ольга Вячеславовна, 2005 год

1. Вавилов B.C., Черлядииский А.Р. Ионная имплантация примесей в мо-нокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения // Успехи физических наук. 1995. - Т. 165, №3. С.347-350.

2. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 475 с.

3. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. -345 с.

4. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на егоповерхности М.: Наука, 1990. - 212 с.

5. Бор Н. Прохождение атомных частиц сквозь вещество М.: ИЛ, 1950.150 с.

6. Кумахов М.А., Комаров Ф.Ф. Энергетические потери и пробеги ионов втвердых телах. Минск: Изд-во БГУ, 1979. - 319 с.

7. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицыпараметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Изд-во БГУ, 1980. - 352 с.

8. Козлов В.А., Козловский В.В., Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и альфа-частицами // ФТП. 2001. - Т. 35, в.7. - С. 769 - 795.

9. Васильева И.В., Ефремов Г.А., Козловский В.В., Ломасов В.Н., Иванов B.C. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники. / Под ред. B.C. Иванова и В.В. Козловского. -М.: Энергоатомиздат, 1997. 232 с.

10. Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: ИЛ, 1960.-523 с.

11. Корбетт Дж., Бургуэн Ж., Точечные дефекты в твердых телах. / Под ред. Б.И. Болтакс, Т.В. Машовец, А.Н. Орлова. М.: Мир, 1979. - 305 с.

12. Brinkman J. // J. Appl. Phys. -1954. 25 - P. 961.

13. Вавилов B.C., Кив A.E., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. - 368 с.

14. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. // Успехи физических наук. 1985. - Т. 147, № 3. - С. 523-558.

15. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 228 с.

16. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972.-384 с.

17. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 312 с.

18. Вавилов B.C., Кекелидзе НП., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. - 190 с.

19. Винецкий В Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979 - 336 с.

20. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. -Л.: Наука, 1978.- 128 с.

21. Дине Д., Виниард Д. Радиационные эффекты в твердых телах: / Пер с англ.; Под ред. Г.С. Жданова. М.: Изд-во иностр. лит., 1960 - 40 с.

22. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. - 248с.

23. Коноплева Р.Ф., Литвинов ВЛ., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.: Атомиздат, 1971. - 234 с.

24. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. - 256 с.

25. Seitz F., Kochler J.S. Displacement of atoms during irradiation //Solid State Phys. 1956. V. 2. Ed. Seitz F., Turnbull D. - P. 305-442.

26. Козловский B.B., Захаренков Л.Ф., Шустров Б.А. Трансмутационноелегирование полупроводников под действием заряженных частиц. И ФТП. 1992. - Т. 26, вып. 1. - С. 3-21.

27. Watkins G.D. EPR Studies of the Lattice Vacancy and Low Temperature Damage Processes in Silicon. // In: Lattice Defects in Semiconductors. Conf. Ser. № 23, Inst, of Phys. London Bristol. - 1975. - P. 1-22.

28. Watkins G.D. The Interaction of Irradiation Produced Defects with Impurities and Other Defects in Semiconductors. EPR Studies in Silicon. // In: Radiation Effects in Semiconductor Components. Toulouse, Journees D'Elec-tronique. - 1967. - P. A1-A9.

29. Зайковская M.A., Кив A.E., Ниязова O.P. Методы радиационных воздействий в исследовании твердых тел. Ташкент: Фан, 1971. - 32 с.

30. Радиационно-активируемые процессы в кремнии. / Под ред. Ш.А. Ва-хидова. Ташкент: Фан, 1977. - 119 с.

31. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии. Киев: Наукова думка, 1974. - 199 с.

32. Вологдин Э.Н., Жукова Г.А., Мордкович В.Н. // ФТП. 1972. - Т.6. -С. 1306.

33. Wertheim G. // Phys. Rev. 1958. - III. - P. 1500.

34. Wertheim G. // J. Appl. Phys. -1959. 30. - P. 1166.

35. Вопросы радиационной технологии полупроводников. / Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1980. - 296 с.

36. Мейер Дж., Эриксон JL, Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. - 296 с.

37. Коноплева Р.Ф., Остроумов B.II. Взаимодействие заряженных частицвысоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. -127 с.

38. Иванов Г.М., Сирота Н.Н. К вопросу об относительной роли разупоря-доченных областей и повреждении кремния при электронном облучении. / В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск: Изд-воБГУ, 1972.-С. 56-57.

39. Винецкий B.JL, Кондрачук А.В. О пороге образования кластера радиационных дефектов в полупроводнике // Физ. и техн. полупр. 1976. -Т. 10, вып. 2. - С. 366 - 367.

40. Городецкий С.М., Крейнин Л.Б. Влияние областей разупорядочения на рекомбинацию в облученном /?-кремнии // Физ. и техн. полупр. 1974. -Т. 8, вып. 4. - С. 667-671.

41. Crawford J.H., Cleland J.W. Nature of Bombardment Damage and Energy Levels in Semiconductors //J. Appl. Phys. -1959. V.30, № 8. - P. 12041213.

42. Gossik B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons //J. Appl. Phys. -1959. V. 30, № 8. - P. 1214-1218.

43. Садиков В.П., Ухин H.A. Влияние примесного состава на скорость изменения подвижности электронов при нейтронном облучении // Совещание по радиационной физике неметаллических кристаллов. Тез. докл., дополн. вып., Киев. 1969. - С. 9.

44. Синищук И.К., Резников М.Я. Взаимодействие лития с областями разупорядочения, созданными быстрыми нейтронами в «-германии // Физ. и техн. полупр. -1973. Т. 7, вып. 9. - С. 1689-1692.

45. Баранов А.И., Смирнов JI.C. Резонансное рассеяние носителей заряда на разупорядоченных областях в полупроводниках // Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск: Изд-во БГУ. - 1972. - с. 237-238.

46. Болтакс Б.И., Диффузия в полупроводниках. М.: Физматлит. - 1961. -462 с.

47. Stein H.J., Vook F.L., Brice D.K., Borders J.A., Picraux S.T. Infrared Studies of the Crystallinity of Ion Implanted Si // Rad. Eff. 1970. - V. 6, №1. -P. 19-26.

48. Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Лебедев Г.П. Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой // Физ. и техн. полупр. -1973. Т. 7, № 12. - С. 2297-2300.

49. Придачин Н.В., Смирнов JI.C. Особенности накопления радиационных дефектов при бомбардировке кристаллов ионами // Физ. и техн. полупр. -1971.-Т. 5,№ 1.-С. 166-168.

50. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Смирнов JI.C. Исследование дефектообразования в облученном ионами кремнии методом ЭПР // Физ. и техн. полупр. -1971. Т. 5, № 9. - С. 1700-1705.

51. Романов С.И., Смирнов JI.C. Образование разупорядоченных слоев при бомбардировке кристаллов ионами // Физ. и техн. полупр., т. 6, № 8, 1972, с. 1631-1634.

52. Gerasimov A.I., Zorin Е.1., Pavlov P.V., Tetelbaum D.I. On the Peculiarities of Silicon Amorphization at Ion Bombardment // Phys. Stat. Sol. (a). -1972. -V. 12,№2.-P. 679-685.

53. Гаштольд B.H., Герасименко H.H. Двуреченский А.В., Смирнов JI.C. Профили дефектов при имплантации ионов в кремний // Физ. и техн. полупр. -1975. Т. 9, № 5. - С. 835-839.

54. Аброян И.А., Титов А.И., Хлебалкин А.В. Образование приповерхностного пика структурных нарушений при ионном облучении // Физ. и техн. полупр. 1977. - Т. 11, № 6. - С. 1204-1206.

55. Crowder B.L., Title R.S., Brodsky М.Н., Pettit G.D. ESR and Optical Studies of Ion, Implanted Silicon // Appl. Phys. Lett. 1970. - V. 16, № 5. -P. 205-208.

56. Dvurechensky A.V. Smirnov L.S. Production and Rearrangment of Radiation Defects in Ion Implanted Semiconductors // Rad. Eff. -1978. V. 37,3.4.-P. 173-178.

57. Morehead F.F., Growder B.L. Model for the Formation of Amorphous Si by Ion Bombardment // Rad. Eff. 1970. - V. 6, № 1-2. - P. 27-32.

58. Dennis J.R., Hale E.B. Amorphization of Silicon by Ion Implantation: Homogeneous or Heterogeneous Nucleation // Rad. Eff. 1976. - V. 30. -P. 219-225.

59. Dennis J.R., Woodward G.K., Hale E.B. Vacancy Motion in Ion Implanted Silicon // In: Lattice Defects in Semiconductors. Conf. Ser. № 23, Inst, of Phys. London Bristol, 1975.

60. Dennis J.R., Hale E.B. Grystalline to Amorphous transformation in Ion Implanted Silicon: a Composite Model //1. Appl. Phys. -1978. V. 49, № 3. -P. 1119-1127.

61. Мукашев Б.Н., Абдуллин X.A., Горелкинский Ю.В. Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии // Успехи физических наук. 2000. -Т. 170, № 2. - С. 143-155.

62. Вавилов B.C., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Ша-ховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Наука, 1990- 184 с.

63. Palmetshofer L., Reisinger J. Defect levels in H+-, D+- and He+-bombarded silicon // J. Appl. Phys. 1992. - Vol. 72, № 6. - P. 2167-2173.

64. Hallen A., Keskitalo N., Masszi F., Nagl V. Lifetime in proton irradiated silicon // J. Appl. Phys. 1996. - Vol 79, №8. - P. 3906-3914.

65. Irmscher K., Klose H., Maass L. Hydrogen-related deep levels in proton-bombarded silicon//J. Phys. C.- 1984.-Vol. 17, № 35. P. 6317-6329.

66. Hallen A., Sundgvist B.U.R., Paska Z., Svensson B.G., Rosling M., Tiren J. Deep level transient spectroscopy analysis of fast ion tracks in silicon // J. Appl. Phys. 1990. - Vol. 67, № 3. - P. 1266-1271.

67. Wondrak W., Bethge K., Silber D. Radiation defect distribution in proton-irradiated silicon // J. Appl. Phys. 1987. - Vol. 62, №8. - P. 3464-3466.

68. Wondrak W., Silber D. Buried recombination layers with enhanced «-type conductivity for silicon power devices // Physica. 1985. - Vol. 129B+C, №1.-. P. 322-326.

69. Hazdra P., Vobecky J. Nondestructive defect characterization and engineering in contemporary silicon power devices // Solid State Phenomena. 1999.- Vol. 69-70. P. 545-550.

70. Cheng L.J., Lord Characteristics of neutron damage in silicon // J. Phys. Rev.- 1968.- 171, №3.- P. 856-862.

71. Kyutt R.N., Petrashen P.V., Sorokin M.L. // Phys. Status Solidi. 1980. -A60.-P. 381.

72. Baker J.A., Tucker T.N., Moyer N.E., Bacchert R.C. // J. Appl. Phys. -1968.-39.-P. 4365.

73. Зубрилов A.C., Ковешников C.B. ПрепринтЫ 1342 ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН-Л.- 1989.

74. Иванов A.M., Строкан Н.Б., Шуман В.Б. Свойства р+-л-структур с заглубленным слоем радиационных дефектов // ФТП. 1998. - Т. 32, №3.- С.359-365

75. Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов A.M., Ли 3., Шмидт Б. Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии при циклическом облучении и отжиге // ФТП. 1997. - Т. 31, №2. - С. 235-241.

76. Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов A.M., Строкан Н.Б., Ли 3., Шмидт Б., // ФТП. 1993. - Т. 27. - С.1136.

77. Волле В.М., Воронков В.Б., Грехов И.В., Гусинский Г.М., Козлов В.А., Найденов В.О. // ЖТФ. -1987. Т. 57. - С. 1925.

78. Ленченко В.М. Об активации смещений при релаксации электронных возбуждений в твердых телах // Физ. тверд, тела. -1969. Т. 11, вып. 3. -С. 799-801.

79. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986. - 256 с.

80. Мырова JI.O., Чепиженко А.З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М.: Радио и связь, 1988.-259 с.

81. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. - 254 с.

82. Киблик В.Я., Литвинов P.O. Радиационно-стимулированная гетерогенность электрофизических параметров МДП-структур // Оптоэлектро-ника и полупроводниковая техника. Киев: Наук, думка. 1987. - В. 12. -С. 9-12.

83. Киблик В.Я., Кондратьев Н.В., Корнюшин С.И. Радиационные изменения электрофизических параметров окисленной поверхности кремния, облученной в условиях повышенной температуры // Электронная техника. -1983. Сер. 4, вып. 6. - С. 34-37.

84. Passenheim В.С, Ginaven R.O. A Radiation Tolerant Photodetector // IEEE Trans. 1987. - V. NS-34, № 6. - P. 1588-1591.

85. Аброян И.А., Андронов A.M., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии: Учебное пособие. М.: Высш. школа, 1984-320 с.

86. Litovchenko V.C, Kiblik V.Ya., Georgiev S.S. Radiation Induced Changes in Low-Temperature Oxide MOS Structures (Al-Si02-Si) // Rad Effects.1982.-№ l.-P. 1-5.

87. Митин В.П., Татеосов В.Г., Хабибуллаев П.К. Радиационные методы технологического контроля некоторых параметров диодных структур // Тез. докл. Всесоюз. конф. Радиационная физика полупроводников и родственных материалов. Ташкент, 1984, с. 142.

88. Grunthaner F.J., Grunthaner P.J. Maseijian J. Radiation-Indused Defects in Si02 as Determined with XPS // IEEE Trans. 1982. - V. NS-29, №6. -P. 1462-1466.

89. O'Loughlin M.J. Radiation Effects in High Electron Mobility Transistors: Total Dose Gamma Irradiation // IEEE Trans. 1987. - V. NS-34, №6. -P. 1808-1811.

90. Brayer J.D. Mc, Pastorek R.A., Jones R.V., Ochoa A. Jr. A Model Describing Hot-Carrier and Radiation Effect in MOS Transistors // IEEE Trans. 1987. V. NS-34, №6. - P. 1647-1651.

91. Winkler E. Strahlungsempfindlichkeit von MOS-Bouelement // Radio -Fernsehen Electron. - 1987/ - V. 37, №3. - P. 178-180.

92. Schmitz W., Young D.R. Radiation Induced Electron Traps in Silicon Oxide // J. Appl. Phys. 1983. - V. 54, № 11. p. 6443-6449.

93. Митрофанов O.B., Симонов Б.М., Коледов JI.A. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники. М.: Высш. школа, 1987- 167 с.

94. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: / Пер. с англ.; Под ред. Р.А. Суриса. М.: Мир, 1984 - 240 с.

95. Borany J. von, Schmidt В., Grotzschel R. // Nucl. Instrum. Meth. 1996. -A377.-P.514.

96. Martin J., Haas E., Raithel K. // Sol. St. Electron. 1966. - 9. - P. 83.

97. Иванов A.M., Ильяшенко И.Н., Строкан Н.Б., Шмидт Б. // ФТП. -1995.-Т. 29.-С. 543

98. Емцев В.В., Машовец Т.Б., Михнович В.В. // ФТП. 1992. - Т. 26,1. С.22.

99. Шейнкман М.К. Фотохимические реакции и явления деградации в полупроводниках // Тез. докл. I Всесоюз. конф. по деградации и надежности микроэлектронных приборов. Кишинев, 1982. - С. 87.

100. Неупорядоченные полупроводники: / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982.-419с.

101. Рассеяние света в твердых телах: / Под ред. М. Кардоны. М.: Мир, 1979.-390 с.

102. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. И. (электронные и колебательные свойства) под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. М.: Мир, 1988. - 444 с.

103. Пагава Т.А. Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллахр-Si // ФТП. 2004. - Т. 38, вып.6. - С. 665-669.

104. Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПБ.: Наука, 2003. - 268с.

105. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. - 496 с.

106. Берман JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. -М.: Наука, 1972.- 125 с.

107. Булярский С.В. Глубокие центры в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1987. - 121 с.

108. Булярский С.В., Грушко Н.С. Физические принципы функциональной диагностики /^-«-переходов с дефектами. -Кишинев: Штиинца, 1992. -256 с.

109. Seeger A. and Chik К.Р. Vacancy migration in silicon // Phys. Status Solidi. 1968. - Vol. 29. - P. 455-462.

110. Милне. А. Глубокие уровни в полупроводниках. М.: Мир, 1987. -576 с.

111. Yip K.L. The latties vacancy in Si and Ge.// Phys. Stat. Solidy (b). 1987.- V.66, №2. -Р.619-624.

112. Lois S.G., Schuter M., Chelikowskii L. Self consistent electronic state to reconstructed Si vacancy models // Phys.Rev.B. 1971. - V.3. - P.2556-2561.

113. Watkins G.D., Troxel J.R., Chatterjes A.P. Vacancies and iterstitials in silicon // Defects and Radiation Effects in Semiconductors, The Institute of Phys., 1979.-P. 16-34,

114. Lindstrom L.G., Dehriein G.S. Mechanism of the enhancement in diva-cansy production by oxygen during electron irradiation of silicon // J. Appl. Phys. 1982. - Vol.53. - P.8686 - 8690.

115. Калашников Е.Г., Шипатов Э.Т. Ядерная физика твердого тела Ульяновск, УлГУ, 2000. - 505с.

116. Булярский С.В., Радауцан С.И. Определение параметров глубоких ре-комбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости // ФТП. 1981. - Т. 15. - С.1443-1446.

117. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: МГУ, 1995. - 399 с.

118. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. Киев: Интерпресс ЛТД, 1997. - 239 с.

119. Cindro V., Kramberger G., Mikuz M., Zontar D. Bias dependent annealing of radiation Damage in Neutron - irradiatiated silicon p+-n-n+-diodes // University of Luiblyana. - 1999. -P. 124.

120. Булярский С.В., Светухин В.В. Физические основы управления де-фектообразованием в полупроводниках. Ульяновск, УлГУ, 2002. -386с.

121. Sah С.Т., Noyce R., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n-junction characteristics. // Proc. IRE. 1957. - Vol.45. - P.1228-1241.

122. Булярский C.B., Грушко Н.С. Обобщенная модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах // ЖЭТФ. 2000.

123. Т. 118, вып 5(11) . С.1222-1229.

124. ЦебстМ. Контрольно-измерительная техника,- М.: Энергоатомиздат, 1989.- 102 с.

125. Андреев Д.А., Грушко Н.С. Поверхностно-барьерные диоды Шоттки на основе кремния. // Микроэлектроника. 2001. -В. 7. -С.70-76.

126. Грушко Н.С., Дону B.C., ЖитарьВ.Ф., РадауцанС.И. Электрические характеристики двойных поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4 // Сб. Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. Кишинёв.: Штиинца. - 1980. - С.90-98.

127. Булярский С.В., ЖеляповГ.И., Наградова И.А., Невский О.Б., Чичу-лин А.В. Определение параметров глубоких уровней в эпитаксиальных слоях GaP:ZnO с помощью двойных поверхностно-барьерных диодов // ФТП. 1981. - Т.15. - С.1660 - 1662.