Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Агаларов, Агалар Шахэмирович

• Агаларов, Агалар Шахэмирович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Агаларов, Агалар Шахэмирович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. КИНЕТИКА ПРОЦЕССА ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ В САМОСОГЛАСОВАННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.

1.1. Процессы переполяризации сегнетоэлектриков в импульсных электрических полях. Основные закономерности.

1.2. Процессы переполяризации сегнетоэлектриков в быстронара-стающих сильных электрических полях. Методика и объекты исследований.

1.3. Особенности поведения сегнетокерамики в быстронарастаю-щем сильном электрическом поле. Результаты исследований.

1.4. Поляризация сегнетокерамики в быстронарастающем сильном электрическом поле.

Глава 2. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ В

САМОСОГЛАСОВАННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.

2.1. Электролюминесцентные исследования переполяризации сегнетоэлектриков.

2.2. Электролюминесценция при переполяризации кристаллов ТГС < в импульсном самосогласованном поле.

2.2.1. Методика эксперимента.

2.2.2. Результаты измерений.

2.3. Электролюминесценция при переполяризации сегнектокера-мики ЦТС в импульсном самосогласованном поле.

2.3.1. Методика эксперимента.

2.3.2. Результаты измерений.

2.4. Обсуждение результатов электролюминесцентных исследований.

Глава ? •»" «-< нелинейные диэлектрические свойства сегне

ТОЭЛЕКТРИКОВ В ИМПУЛЬСНОМ САМОСОГЛАСОВАННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.

3.1. Реверсивная диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков.

3.2. Реверсивные характеристики переключения поляризации сегнетокерамики ЦТС.

3.2.1. Методика эксперимента.

3.2.2. Экспериментальные результаты и их обсуждение.

3.2.3. Вейвлет-анализ экспериментальных результатов токов переключения СК ПКР-1.

3.3 Диэлектрическая нелинейность кристаллов ТГС в процессе импульсной переполяризации.

Глава 4. диэлектрическая нелинейность кристаллов

ТГС В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ.

4.1. Релаксация доменной структуры кристаллов АТГС в переменных электрических полях.

4.2 Релаксация доменной структуры кристаллов АТГС в однополярных переменных электрических полях.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях»

Актуальность темы

Среди ряда направлений физики сегнетоэлектрических явлений важную роль как с позиций фундаментальной науки, так и с прикладной точки зрения, играют исследования закономерностей формирования доменной структуры в реальных (кристаллических и неупорядоченных) системах при различных внешних воздействиях. Несмотря на большое количество работ в этой области, все еще остается до конца не установленной природа формирования микродоменной структуры и ее влияние на нелинейные физические свойства сегнетоэлектрических материалов. Возросший в последние годы интерес к исследованиям динамического поведения нелинейных систем связан, с одной стороны, с открытием новых высокоэффективных поли- и монокристаллических материалов и расширением диапазона их технических применений, с другой стороны, реализацией новых методов исследований с целью выяснения фундаментальных механизмов этого процесса.

В результате многолетних исследований получен обширный экспериментальный материал, установлены основные закономерности кинетики поляризации сегнетоэлектрических материалов. Сравнительно недавно активно развернулись исследования по управлению свойствами сегнетоэлектриков за счет создания доменной структуры с заданными параметрами, самоорганизованной электрической доменной структуры, путем полевого воздействия. Появилась серия публикаций, посвященных развитию теории переключения сегнетоэлектриков на основе кинетической теории фазовых переходов первого рода. Несмотря на достигнутые успехи в этом направлении, остается ряд нерешенных проблем экспериментального и теоретического характера.

Установлено влияние эффектов экранирования на величины внутренних полей, динамику доменов, а также на многочисленные релаксационные явления. Несмотря на значительный интерес к проблеме экранирования, закономерности этого процесса однозначно не установлены. В частности, требует дальнейших исследований вопрос о механизмах эволюции доменной структуры в случае сверхбыстрой переполяризации, когда времена отклика ионной и электронной подсистем (т < 10~6 с) соизмеримы, а медленные, прежде всего электродиффузионные, механизмы объемного экранирования маловероятны. Такая ситуация возникает при переключении поляризации в поликристаллических (керамических) сегнетоэлектриках (СК) системы ЦТС в сильных быстронара-стающих электрических полях (метод самосогласованного поля).

Метод самосогласованного поля позволяет разворачивать переключение поляризации во времени и оценивать состояние материала на различных стадиях этого процесса в микросекундном диапазоне. Таким образом, открываются новые возможности не только направленного изучения релаксационных характеристик и свойств сегнетоэлектриков непосредственно в процессе переключения, но и управления поляризацией. В связи с этим изучение механизмов формирования доменной структуры, процессов объемно-зарядового экранирования и связанных с ними изменений диэлектрических свойств в моно- и поликристаллических сегнетоэлектриках в режиме сверхбыстрого переключения, несомненно, является актуальной задачей.

Тема работы соответствовала приоритетным направлениям, поддерживаемым РФФИ (грант № 03-02-17762) и научной программой МО РФ «Федерально-региональная политика в науке и образовании» на 2004 г.

Цель работы

Целью диссертационной работы являлось экспериментальное изучение особенностей динамики доменной структуры и эффектов экранирования в моно- и поликристаллических сегнетоэлектриков (кристаллы ТГС, твердые растворы ЦТС) при сверхбыстром переключении.

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1. Изучить интегральные характеристики переключения поляризации (гистерезис, динамическое коэрцитивное поле, время и ток переключения) в зависимости от скорости нарастания поля в образце.

2. Исследовать динамику доменной структуры синхронными измерениями кинетики переключения и кинетики индуцированной доменной перестройкой электролюминесценции и роста реверсивной диэлектрической проницаемости.

3. С использованием метода вейвлет-преобразования токов переполяризации определить времена релаксации доменной структуры в СК.

4. Методами термодеполяризационного анализа изучить влияние режимов переключения поляризации на формирование в СК внутренних полей объемного заряда.

5. Методом измерения импеданса образца исследовать динамическую нелинейность кристаллов ТГС в процессе переключения в сильных переменных электрических полях.

Объекты исследований

В качестве объектов исследований были выбраны сегнетокерамика системы цирконата-титаната-свинца (ЦТС) с модифицированными добавками (ПКР-1, ПКР-7М), полученные методом горячего прессования в НИИФ Ростовского ГУ. Изучены модельные сегнетоэлектрические монокристаллы тригли-цинсульфата: номинально чистые (ТГС) и с примесью L-a-аланина (АТГС), выращенные в ИКАН им А .В . Шубникова и не исследованные ранее в самосогласованном электрическом поле.

Научная новизна результатов

В ходе выполнения диссертационной работы впервые:

1. Исследованы особенности поведения СК (ГЖР-1, ПКР-7М) и кристаллов ТГС в сильных импульсных электрических полях с регулируемой скоростью нарастания. Экспериментально показана и физически обоснована возможность эффективной поляризации СК в микросекундном диапазоне времени при комнатной температуре непосредственно в процессе переключения.

2. Разработан метод и исследована релаксация реверсивной диэлектрической проницаемости СК ПКР-1 и кристаллов ТГС при сверхбыстром (микросекундный диапазон) переключении поляризации. Показано, что на кривых s'(t) СК имеются три максимума, разделенных минимумами e"(t), тогда как для кристаллов ТГС зависимость £n(t) подобна зависимости ток переключения in(t) , а реальная часть s' опережает во времени i„. Определены времена релаксации доменных стенок (0.3-0.4 мкс).

3. Определены закономерности электролюминесценции СК (ПКР-1, ПКР-7М) и кристаллов ТГС (АТГС), индуцированной доменными переключениями в самосогласованном поле. Обнаружено, что свечение характеризуется, как правило, тремя для СК и двумя для кристаллов ТГС пиками. Спектр излучения соответствует преимущественной рекомбинации на примесных центрах.

4. Обнаружен эффект увеличения числа доменных стенок, дающих вклад в свечение кристалла АТГС, после предварительного воздействия импульсного электрического поля в естественно униполярном направлении.

5. Методом измерения импеданса образца исследована динамическая нелинейность кристаллов АТГС в процессе переключения в сильных переменных электрических полях частотой 50 Гц. Показано, что температурные зависи- > мости диэлектрической проницаемости As*(T) и времени релаксации доменной структуры т (Т) при переполяризации в однополупериодном переменном электрическом поле немонотонны и имеют экстремумы.

Практическая значимость

Предложенные в диссертационной работе методы исследований расширяют возможности многоаспектного изучения поведения поликристаллических сегнетоэлектриков в сильных импульсных электрических полях. Полученные экспериментальные результаты могут быть полезны как при описании процесса преобразования энергии в ударно-волновых преобразователях, так и при разработке рекомендаций по направленному повышению надежности преобразователей энергии и выборе их рабочего тела. Метод сверхбыстрого переключения поляризации сегнетоэлектрических материалов является перспективным при оптимизация задач, связанных с управлением поляризацией, в частности, с созданием частотно-селективных устройств широкого спектра применения.

Создание периодических доменных структур с микронными периодами в сегнетоэлектрических материалах в самосогласованном поле также имеет важное прикладное значение, в частности, в нелинейно-оптических устройствах, в которых требуется выполнение условия квазифазового синхронизма. На наш взгляд, важной является принципиальная возможность выделения с помощью электролюминесцентных исследований доменных границ, дающих максимальный вклад в люминесценцию, поскольку управление степенью закрепления доменных границ определенной системой дефектов позволит одновременно управлять и свечением кристалла и керамики, создавать ячейки памяти на этом эффекте и т.д.

Основные научные положения, выносимые на защиту

1. При воздействии на образцы СК ЦТС быстро нарастающего высоковольтного импульса напряжения равновесное значение внутреннего поля объемных зарядов формируется за времена, значительно меньшие времени мак-свелловской релаксации, что обеспечивает возможность поляризации керамических образцов в микросекундном диапазоне. Повышенная стабильность электрофизических параметров в керамических образцах ЦТС обеспечивается заполнением носителями глубоких энергетических уровней (1.5-ЗэВ).

2. В быстро нарастающем переполяризующем электрическом поле на зависимости реверсивной диэлектрической проницаемости £*{t) СК ЦТС наблюдается три максимума действительной составляющей s'{t), разделенные минимумами мнимой составляющей s"{t). Для кристаллов ТГС обнаруживается размытый ассиметричный максимум £*{t), причем зависимость мнимой части s"{t) подобна зависимости тока переключения in(t) , а реальная часть s' опережает во времени in.

3. Доменные переключения в быстро нарастающем электрическом поле индуцируют в СК ЦТС и кристаллах ТГС (АТГС) электролюминесценцию, возникающую в течение всего времени переполяризации и характеризуется несколькими (чаще всего тремя для СК и двумя для ТГС) ярко выраженными пиками, возрастающими с увеличением скорости нарастания поля. Максимум энергии излучения приходится на область спектра 650-700 нм.

4. В переменных электрических полях с ростом температуры пороговое поле переключения кристаллов АТГС, соответствующее минимуму импеданса образца, уменьшается, а пороговое поле самопроизвольного распада монодоменного состояния возрастает, и при приближении к температуре Тс становятся одинаковыми. В однополупериодном переменном электрическом поле температурные зависимости диэлектрической проницаемости As*{T) и времени релаксации доменной структуры г(Т) имеют экстремумы.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на Всесоюзных и Российских Конференциях по физике сегнетоэлектриков: XII (Ростов-на-Дону, 1989), XIV (Иваново, 1995), XV (Ростов-на-Дону, 1999), XVII (Пенза, 2005); III Всесоюзной конференции "Актуальные проблемы получения и применения сегне-то- и пьезоэлектрических материалов и их роль в ускорении научно-технического прогресса ", Москва, 1987; I Всесоюзном совещании "Диэлектрические материалы в экстремальных условиях" (Суздаль, 1990); 6,7 и 8 Международных семинарах по физике сегнетоэлектриков-пролупроводников (Ростов-на-Дону, 1993, 1996, 1998); I, IV Всероссийской конференции по физической электронике (Махачкала, 1999, 2006); Международных научно-практических конференциях "Пьезотехника-97" (Обнинск, 1997) и "Пьезотех-ника-99" (Ростов-на-Дону, 1999); 2 Международном симпозиуме по доменной структуре сегнетоэлектриков и родственных материалов (Нант, Франция, 1992); 8 Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Мериланд, США, 1993); 8 Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Нижмеген, Нидерланды, 1995); 3 Азиатской конференции по сегнетоэлектричеству (Гонконг, Китай, 2000); EMF-10, Cambridge, UK, 2003; Меж. Конф. «Фаз.переходы, крит. и нелин. явл. в конд. средах», Махачкала, 2004, 2005); Int. Conf RPS-21, Voronezh, 2004; Int. Conf ICTMC-14, Denver 2004, USA; Int. Conf. ECAPD-7, Liberec, Czech Rep. 2004, ECAPD'8, 2006, Metz, France; Межд. Конф. «Fizika-2005», Баку, 2005; Int. Symp. Micro- and Nano-scale Domain Structuring in Ferro-electrics, Ekaterinburg, Russia, 2005; 6-ой Межд. Сем. «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении», Астрахань, Россия, 2006; 5-th Int. Seminar on Ferroelastics Physics (ISFP-5), 2006. Voronezh, Russia.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 45 работ, из них 8 статей в рецензируемых изданиях и получен патент на способ поляризации.

Личный вклад автора

Все экспериментальные исследования, обработка результатов и их обсуждение выполнены автором лично или при его непосредственном участии. Формулировка задач исследования, определение экспериментальных методик и физическая интерпретация полученных результатов, формулировка основных научных положений и выводов работы проводились автором совместно с научным руководителем.

Основная часть экспериментальных исследований выполнена на кафедре экспериментальной физики Дагестанского ГУ. Отдельные измерения проведены в НИИФ РГУ. Доменная структура исследована совместно с Экнадиосянц Е.И. (НИИФ РГУ). В обосновании методики исследований по измерениям диэлектрических характеристик и обсуждении некоторых вопросов принял участие д.ф.м.н., профессор Бородин В.З. (РГУ). Соавторы совместных публикаций принимали участие в обсуждении отдельных результатов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, раздела «Основные результаты и выводы» и списка литературы. Содержит 157 страниц машинописного текста, включая 52 рисунков и 3 таблицы. Список цитированной литературы включает 139 ссылок.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Агаларов, Агалар Шахэмирович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Исследованы интегральные характеристики переключения поляризации сегнетокерамических (СК) материалов системы ЦТС (ПКР-1, ПКР-7М) и монокристаллов ТГС в сильных быстронарастающих электрических полях. Показано, что динамическое коэрцитивное поле Е'С>ЕС растет с увеличением скорости роста поля Е. При этом чем выше Е, тем больше ток переключения /п и меньше время переключения tn. В сильных полях время переполяризации СК ЦТС и кристаллов ТГС обратно пропорционально полю, в котором протекает процесс: tn = const • Е'~'.

2. Разработан способ и физически обоснован механизм поляризации в самосогласованном поле, обеспечивающий в микросекундном диапазоне эффективную поляризацию СК при комнатной температуре. Методами термодеполяризационного анализа установлено, что объемный заряд экранирования, образующийся в самосогласованном поле, сосредотачивается на глубоких энергетических' уровнях с энергиями активации 1.5-3 эВ.

3. При возбуждении переполяризации СК ЦТС (ПКР-1, ПКР-7М) и кристалла ТГС импульсным полем наблюдается люминесценция, возникающая; на всех этапах переполяризации. Интенсивность люминесценции СК возрастает с увеличением скорости нарастания поля Ё и достигает максимума на нарастающей ветви тока переключения. Спектр излучения СК соответствует преимущественной рекомбинации на примесных центрах.

4. Обнаружен эффект увеличения числа доменных стенок, дающих вклад в энергетический выход кристалла АТГС, после предварительного воздействия импульсного электрического поля в естественно униполярном направлении.

5. Проведены исследования динамики доменной структуры в СК ПКР-1 и кристалле ТГС при сверхбыстром переключении поляризации релаксационным методом, основанном на исследовании временных зависимостей действительной и мнимой составляющих реверсивной диэлектрической проницаемости е*. На кривых действительной части s'(t) реверсивной диэлектрической проницаемости СК ПКР-1 обнаружены три максимума, разделенных минимумами, соответствующими максимумам мнимой части e"(t). Для кристалла ТГС зависимость мнимой части e"(t) подобна зависимости тока переключения /„(t) , тогда как реальная часть е' опережает во времени in.

6. Определен спектр времен релаксации доменной структуры в СК ПКР-1 с использованием метода вейвлет-преобразования токов переполяризации. Показано, что характерные времена релаксации доменной структуры имеют тот же порядок, что и определенные из реверсивных характеристик процесса переполяризации (0.2-0.5 мкс).

7. Методом измерения импеданса образца исследована диэлектрическая нелинейность кристаллов АТГС в процессе переключения в переменных электрических полях частотой 50 Гц. Показано, что при повышении температуры пороговое поле Епр переключения уменьшается, а пороговое поле «самопроизвольного» распада монодоменного состояния в исходное униполярное состояние возрастает, и при приближении к температуре Тс становятся равными.

8. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости As*(T) и времени релаксации доменной структуры т (Т) АТГС при переполяризации в однополупериодном переменном электрическом поле немонотонны и имеют экстремумы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Агаларов, Агалар Шахэмирович, 2008 год

1. Fatuzzo Е., Merz W.J. Ferroelectricity. Amsterdam. 1967. 287 p.

2. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М: Мир, 1981. 526 с.

3. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М: Мир, 1981.736 с.

4. Физика сегнетоэлектрических явлений. / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, и др. Под ред. Г.А. Смоленского. Л.: Наука. 1985. 396 с.

5. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М. Наука, 1986. 248 с.

6. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965. 555с.

7. Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г., Семенчев А.Ф. Доменная структура многоосных сегнетоэлектриков. Ростов-на-Дону.: Изд.-во Ростовского ун.-та, .1990. 192 с.

8. Miller R.C., Weinreih G. Mechanism for the sidewise motion of 1800 domain walls in barium titanate. // Phys. Rev. 1960. Vol. 117. N 6. p. 1460-1466.

9. Hayshi M. Kinetics of domain wall in ferroelectric switching. // J. Phys. Soc. Jpn. 1972. Vol. 33. N3. p. 616-628.

10. Orihara H., Ishibashi Y., Yamada Y. Pattern evolution in polarization reversal of ferroelectric liquid crystal. // J. Phys. Soc. Jpn. 1988. Vol. 57. N 12. p. 41014105.

11. Донцова Л.И., Тихомирова H.A., Шувалов Л.А. Дефекты и их роль в процессах переполяризации и формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках.//Кристаллография. 1994. т. 39. № 1. с. 158-175.

12. Кудзин А.Ю., Панченко Т.В., Юдин С.П. // ФТТ. 1974. т. 16. Вып. с.2437.

13. Леманов В.В., Ярмаркин В.К. Поле деполяризации и усталость сегнетоэлектрических тонких пленок// ФТТ. 1996. т. 38. № 8. с.2482-2492.

14. Stolichnov I, Tagantsev A., Colla E., Setter N. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. p. 1361.

15. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Николаева E.B., Шишкин Е.И., Батурина И.С. Кинетическй подход к объяснению эффекта усталости в сегнетоэлектриках. // ФТТ. 2002. т. 44. Вып. 11. с. 2049-2054.

16. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Бачко Р.Г., Миллер Г.Д., Фейер М.М., Байер Р.Л. Кинетика доменов при создании периодической доменной структуры в ниобате лития. // ФТТ. 1999. т. 41. Вып. 10. с. 1831-1837.

17. Шур В.Я., Николаева Е.В., Шишкин Е.И., Кожевников-В.Л., Черных А.П. Кинетика доменов и токи переключения в монокристаллах конгруэнтного и стехиометрического танталата лития. // ФТТ. 2002. т. 44. Вып. 11. с. 20552059.

18. Шур В.Я., Ломакин Г.Г., Румянцев Е.Л., Якутова О.В., Пелегов Д.В., Strenberg A, Kosec М. Переключение поляризации в гетерофазных наноструктурах: релаксорная PLZT керамика. // ФТТ. 2005. т. 47. Вып. 7. с. 1293-1297.

19. Shur V.Ya., Rumyantsev E.L., Lomakin G.G., Yakutova O.V., Pelegov D.V., Sternberg A., Kosec M. AC Switching of Relaxor PLZT Ceramics // Ferroelectrics. 2005. V.314. p.245-253.

20. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики-полупроводники. M. Наука, 1976. 408 с.

21. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Николаева Е.В., Шишкин Е.И. Использование эффектов самоорганизации при создании сегнетоэлектрических микро- и нанодоменных структур для устройств оптоэлектроники. // Наукоемкие технологии. 2003. №1. с. 41-49.

22. Ishibashi Y., Takagi Y. Note on ferroelectric domain switching. // J. Phys. Soc. Jpn. 1971. Vol. 31. N2. p. 506-510.

23. Dimmler K., Parris M., Butler D., Eaton S., Pouligny В., Scott J.F., Ishibashi Y. Switching kinetics in KN03 ferroelectric thin-film memories. // J. Appl. Phys., 1987. Vol. 61. N 12. p. 5467-5470.

24. Scott J.F., Kammerdiner L., Parris M., Traynor S., Ottenbacher V., Sha-wabkeh A., Oliver W.F. Switching kinetics of lead zirconate titanate submicron thin-film memories // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 64. N 2. p. 787-792.

25. Шур В.Я., Румянцев E.JL, Макаров С.Д. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках конечных размеров. // ФТТ. 1995. т. 37. № 6. с. 1687-1692.

26. Мейланов Р.П., Садыков С.А. Фрактальная модель кинетики переключения» поляризации в сегнетоэлектриках.//ЖТФ. 1999. т. 69. №5. с. 128-129.

27. Sadykov S.A., Kazbekov К.К. Fractal treatment in the theory of switch current impulses in ferroelectrics. // Ferroelectrics, 2006. V.241, N 1, P. 103-107.

28. Захаров M.A., Кукушкин C.A., Осипов A.B. Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков (начальная стадия). // ФТТ. 2004. т. 46. Вып. 7. с. 1238-1245.

29. Захаров М.А., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков. // ФТТ. 2005. т. 47. Вып. 4. с. 673-678.

30. Mock W., Holt W.H. Axial-current-mode shock depoling of PZT 56/44 ferroelectric ceramic disks. // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50. N 4. p. 2740-2748.

31. Новицкий E.3., Садунов В.Д., Садыков С. А., Трищенко Т.В., Феронов А.Д., Пучкова З.М. Поведение сегнетопьезокерамики в сильном быстронара-стающем электрическом поле. // ЖТФ. 1984. т. 54. Вып. 2. с. 348-354.

32. Новицкий Е. 3., Садунов В. Д., Садыков С. А. О связи электрической прочности пьезокерамики с процессами ее переполяризации в быстронара-стающем электрическом поле.// ЖТФ. 1985. т. 55. Вып. 9. с. 1793-1800.

33. Данцигер А.Я., Разумовская О.Н., Резниченко JI.A., Дудкина С.И. Высокоэффективные пьезокерамические материалы. Ростов-на-Дону, Изд.-во Пайк, 1995. 96 с.

34. Яффе Б, Кук У, Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир, 1974. 288с.

35. Пьезоэлектрическое приборостроение / А.В. Гориш, В.П. Дудкевич, М.Ф. Куприянов и др.; Под ред. А.В. Гориша. т.1. Физика сегнетоэлектрической керамики. М.: ИПРЖР, 1999. 368 с.

36. Constantinescu F., Vasiliu F. Ferroelectric domains and domain wall structure in PZT ceramics.// Fourth Euro Ceramics. Electroceramics, 1995. Vol. 5. p. 269276.

37. Поляризация пьезокерамики (Под. ред. Е.Г. Фесенко). Изд -во РГУ, 1986, 133с.

38. Фесенко Е.Г. Новые пьезокерамические материалы.:Изд-во РГУ, 1983. 160с.

39. Бондаренко Е.И. Житомирский Г.А., Фесенко Е.Г. К анализу методов поляризации сегнетопьезокерамики. // В сб.:Изд-во РГУ, 1983, с.118-128.

40. Глозман И.А. Пьезокерамика. М.: Энергия, 1974. 190 с.

41. Панич А,Е., Куприянов М.Ф. Физика и технология сегнетокерамики. Ростов-на-Дону: Изд.-во Ростовского ун.-та, 1989.

42. James С. King, Center Valley, Neni С. Thomas. Патент CILIA. № 3310720, кл. 317-262, 1967.

43. Доля В.К., Крамаров О.П., Мацак А.Н., Розин Л.Г., Согомонян В.Э. Способ поляризации сегнетокерамических пьезоэлементов. SU. авторское свидетельство 14554185, кл. Н 01 L 41/22, 1986.

44. Доля В.К., Крамаров О.П., Розин Л.Г., Согомонян В.Э. Способ поляризации сегнетокерамических элементов и устройство для его осуществления. SU. авторское свидетельство 1568113, кл. Н 01 L 41/22, 1990.

45. Жога JI.B., Шпейзман В.В. Разрушение сегнетокерамики в электрическом и механическом полях. // ФТТ. 1992. т. 34. Вып. 8. с. 2578-2583.

46. Бородин В.З. Садыков С. А. Экнадиосянц Е.И. Агаларов А.Ш. Пинская А.Н. Возникновение периодических доменных структур под влияниемкоротких импульсов электрического поля. // Изв. РАН. Сер. физич. -1993.-Т.57. № 3. С. 66-69.

47. Садыков С.А., Агаларов А.Ш. Поляризация сегнетокерамики в импульсном самосогласованном поле. // Сб. докладов МНГЖ "Пьезотехника-97". Обнинск, 1997. с. 234-239.

48. Садыков С.А., Агаларов А.Ш. Способ поляризации сегнетокерамики. RU. Патент 2092934, кл. Н 01 L 41/24, 1997.

49. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М. Наука, 1981. 176 с.

50. Нестеренко П.С., Сокалло А.И., Прокопало О.И. и др. Электретный эффект в сегнетокерамике на основе цирконата-титаната-свинца. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1975. т. 39. № 6. с. 1321-1324.

51. Садыков С.А., Агаларов А.Ш. Термостимулированная релаксация объемных зарядов в сегнетокерамике, поляризованной в быстронарастающем импульсном поле. // Вестник ДГУ. 1998. Вып.1. с. 5-9.

52. Гах С.Г., Захарченко И.Н., Алешин-' В.А., Кривицкий Е.В. Структура дефектов и токи термодеполяризации в тонких пленках на основе ЦТС. // Известия АН. Сер. физ. 2003. т. 67. № 8. с. 1165-1168.

53. Гах С.Г., Рогач Е.Д, Свиридов Е.В. // ЖТФ. 2001. т. 71.

54. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336 с.

55. Павлов А.Н., Раевский И.П. Варисторный эффект в полупроводниковой сегнетокерамике. //ЖТФ. 1997. т. 67. № 12. с. 21-25.

56. Павлов А.Н., Раевский И.П., Сахненко В.П. Эмиссия электронов при импульсной переполяризации сегнетокерамики. // ЖТФ. 1999. т. 69. № 7. с. 49-52.

57. Садыков С.А., Агаларов А.Ш. Процесс переполяризации сегнетокерамики в быстронарастающем электрическом поле. // Письма в ЖТФ. 1990. т. 16. Выт 17. с. 32-35.

58. Даринский Б.М., Сидоркин А. С. Концентрация электрического поля в полидоменных сегнетоэлектриках. // ФТТ. 1984. т. 26. Вып. 6. с. 1634-1639.

59. Сидоркин А.С., Даринский Б.М., Панкова Т.Н. Происхождение и спектральный состав люминесценции при перестройке доменной структуры сегнетоэлектриков. // Изв. АН СССР. 1984. т. 48. № 6. с. 1135-1142.

60. Экнадиосянц Е.И., Пинская А.Н., Бородин В.З. Влияние электрических полей на доменную структуру сегнетоэлектриков типа ВаТЮЗ. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. т. 48. № 6. с. 1111-1115.

61. Садыкова C.A. Агаларов A. III. Каллаев С. Алиева С. М. Формирование доменной структуры сегнетокерамики ЦТС в процессе сверхбыстрого переключения. // ПОВЕРХНОСТЬ. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. (в печати).

62. Gundel Н., Handerek J., Riege Н. Time-dependent electron emission from ferroelectrics by external pulsed electric fields. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. N 2. p. 975- 982.

63. Harman G.A. Electroluminescence from the surface layer of ВаТЮЗ, SrTi03 and associated materials. // Phys. Rev. 1958. Vol. 111. N 1. p. 27-33.

64. Стауэр Э.В. Электролюминесценция титаната бария на звуковых частотах. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1960. т. 24. №11. с. 1350- 1352.

65. Bhide V.G., Shringi S.N. Polarization reversal electroluminescence at low frequencies in barium titanate crystals. // J. Appl. Phys. 1966. Vol. 37. N.7. p. 810813.

66. Ishibashi Y., Stadler H.L. Light generation by ВаТЮЗ electrode interfaces during polarization reversal. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. N. 12. p. 58025805.

67. Богатко B.B., Гуро Г.М., Иванчик И.И., Ковтонюк Н.Ф. Излучение света, сопровождающее переполяризацию титаната бария. // ФТТ. 1968. т. 10. Вып. 7. с. 2094-2096.

68. Godefroy L., Jullien P., Morion В., Godefroy G. Electroluminescence in trigly-cine sulphate and barium titanate. // Ferroelectrics. 1974. Vol. 8. N. 1-2. p. 421423.

69. Флерова С.А. Люминесценция при переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. т.48. № 6. с. 1233-1237.

70. Волк Т.Р., Максимова Н.Г., Попов С.А., Флерова С.А., Шпак Н.В. Люминесценция при переполяризации кристаллов ТГС. // Кристаллография. 1985. т.30. Вып.4. с. 720-725.

71. Montoto L., Jaque F. Switching induced electroluminescence in TGS. // Ferroelectrics. 1978. Vol. 20. N. 3-4. p. 267-269.

72. Самченко Ю.И., Флерова С.А. Спектры излучения кристаллов ВаТЮЗ при импульсной переполяризации. // Кристаллография. 1978. т.23. Вып. 6. с. 1272-1273.

73. Флерова С.А., Самченко Ю.И. Излучение света кристаллом ВаТЮЗ под действием одномерного импульсного давления. // ФТТ. 1972. т. 14. Вып. 2. с. 592-594.

74. Флерова С.А., Таран В.Г. Динамика 90-градусного переключения и люми150несценция монокристаллов ВаТЮЗ. // Физика активных диэлектриков. Днепропетровск. Изд-во ДГУ, 1980. с. 30-39.

75. Флерова С.А., Таран В.Г. Люминесценция при механическом переключении кристаллов, обладающих сегнетоэлектрическими и сегнетоэластиче-скими свойствами. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1979. т. 43. № 8. с. 17451748.

76. Флерова С.А., Самченко Ю.И., Горбенко В.М. Излучение света при импульсной переполяризации деформированных кристаллов ВаТЮЗ. // ФТТ. 1981. т. 23. Вып. 9. с. 2775-2778.

77. Крайник Н.Н., Флерова С.А., Попов С.А. Электролюминесценция в магно-ниобате свинца при наложении одноосного давления. // ФТТ. 1987. т. 29. Вып. 9. с. 2845-2847.

78. Крайник Н.Н., Попов С.А, Флерова С.А. Электролюминесцентное исследование процессов изменения поляризации в кристаллах магнониобата свинца в импульсном электрическом поле. // ФТТ. 1997. т. 39. №2, с. 341-343.

79. Дрождин С.Н., Голицына О.М., Никишина А.И, Тума Ф.А., Тарасов Д.П. Релаксация доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС в процессе статической переполяризации. // ФТТ, 2006, т. 48, Вып. 3, с. 497-500.

80. Галстян Г. Т., Рез И. С., Рейзер М. Ю. О природе униполярности кристаллов ТГС. // ФТТ. т.24, 1982. с.2186-2190.

81. Merz W.J. Domain formation and domain wall motion in ferroelectric ВаТЮЗ single crystals. //Phys. Rev. 1954. Vol. 95. N 3. p. 690-698.

82. Miller R.C., Savage A. Motion of 1800 domain walls in ВаТЮЗ under the application of a train of voltage pulses. // J. Appl. Phys. 1961. Vol. 32. N4. p. 714721.

83. Нечаев B.M., Рощупкин A.M. Макроскопическая динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках-сегнетоэлек-триках. // Изв. АН. Сер. физ. 1995. т. 59. № 9. с. 11-25.

84. Камышева Л.Н., Голицына О.М., Подгорная Т.Н. Подвижность доменных стенок облученного триглицинсульфата. // ФТТ. 1998. т.40. Вып.7. с. 1321-1323.

85. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Каллаев С.Н. Люминесценция кристаллов ТГС при изменении поляризации в быстронарастающем электрическом поле. // Тез. докл. XVII Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 26 июня 1 июля 2005). с. 193-194.

86. Sadykov S.A., Agalarov A.Sh., Kallaev S.N. Electroluminescence in TGS in fast raising electric fields. // 8th European Conference on Applications of Polar Dielectrics (ECAPD'8), Metz (France), September 5 8, 2006.

87. Sadykov S.A., Agalarov A.Sh., Kallaev S.N., Alieva S.M. Switching Induced Electroluminescence in ATGS. // Abstr. Int. 5th International Seminar on Ferroelastic Physics (ISFP-5), Voronezh, September 10-13, 2006, p.67.

88. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Каллаев С.Н. Электролюминесценция кристаллов АТГС в быстронарастающем электрическом поле. // Сб. тр. Меж. Конф. «Фаз.переходы, крит. и нелин. явления в конд. средах», Махачкала, 21-24 ноября 2005, с. 184-187.

89. Садыков С.А., Турик А.В. Электролюминесценция и внутреннее экранирование доменов при переполяризации сегнетокерамики в импульсном самосогласованном поле. // ФТТ. 2003. т. 45. Вып. 11. с. 20742078.

90. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Каллаев С.Н., Алигаджиев О.У. Электролюминесценция сегнетокерамики ЦТС в быстро нарастающем электрическом поле. // Изв. РАН. Сер. Физич., 2005, Т 69, № 8, С. 12271230.

91. Sadykov S.A., Agalarov A.Sh., Kallaev S.N. Switching Induced Electroluminescence in PZT Ceramics in High-voltage Pulse Field. // Integrated Ferroelectrics, 2005, V. 72, N 1, p. 27-30.

92. Sadykov S.A., Agalarov A.Sh., Kallaev S.N., Aligadjiev O.U. Electroluminescence in PZT Ceramics in fast-rising electric fields. Abstr. 7th European Conference on Applications of Polar Dielectrics (ECAPD-7), Liberec, Czech Rep. 2004, p. 112.

93. Sadykov S.A., Agalarov A.Sh., Kallaev S.N., Aligadjiev O.U. Electroluminescence in PZT Ceramics in fast-rising electric fields. // Abstr. Intern of Conf. on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-14), Denver 2004, USA, p. 104.

94. Садыков C.A., Агаларов А.Ш., Каллаев C.H. Особенности внутреннего экранирования доменов в сегнетокерамике при сверхбыстром переключении. // Труды Межд. Конф. «Fizika-2005» (Баку, 7-9 июнь 2005), с. 339-342.

95. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974.

96. Айрапетов А.Ш., Иванчик И.И., Лебедев А.Н., Левшин И.В., Тихомирова Н.А. Импульсная экзоэмиссия электронов при неполной переполяризации сегнетоэлектрика. // ДАН СССР. 1990. т. 311. №3. с. 594-597.

97. Садыков С.А., Бородин В.З., Агаларов А.Ш. Реверсивные характеристики поляризации сегнетокерамики в быстронарастающем электрическом поле. //ЖТФ, 2000. т. 70. Вып. 6. с. 108-112.

98. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Алиева С.М., Алигаджиев О.У. Диэлектрическая проницаемость сегнетокерамики ЦТС в процессе сверхбыстрого переключения. // Сб. тр. IY Всерос. конф. по физической электронике. Махачкала, 2006, с. 144-147.

99. Садыков С. А. Бондаренко Е.И.Агаларов А.Ш. Поляризация сегнетокерамики в самосогласованном импульсном поле: роль не 180°-ных переключений. //ЖТФ. -1993. -Т.63. Вып. 11. С. 60-65

100. Fatuzzo Е. Increase in dielectric constant during switching in lithium selenite and treiglycine sulfate. // J. Appl. Phys. 1961. Vol. 32. N 8. p. 173-180.

101. Fatuzzo E. Increase in dielectric constant during switching in barium titanate and treiglycine sulfate. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. N 8. p. 2589-2596.

102. Fouscova A., Janousek V. The increase in permittivity ferroelectrics as a consequence of the polarization reversal process. Part 1. Experimental date. // J. Phys. Soc. Jpn. 1965. Vol. 20. N 9. p. 1619-1624.

103. Fouscova A. The increase in permittivity ferroelectrics as a consequence of the polarization reversal process. Part 11. Theory. // J. Phys. Soc. Jpn. 1965. Vol. 20. N9. p. 1625-1632.

104. Бородин В.З. Изучение реверсивной диэлектрической проницаемости монокристаллов ВаТЮЗ. //Изв. АН СССР. 1965. т. 29. № 11. с. 1986-1990.

105. Греков А.А., Ляховицкая В.А., Родин А.И., Фридкин В.М. Влияние экранирования неравновесными носителями на процесс переполяризации сегнетоэлектрика SbSi.//ФТТ. 1968. т. 10. №8. с. 2239-2241.

106. Sadykov S.A., Agalarov A.Sh., Borodin V.Z. Dynamic properties of polarization in PZT ceramics in fast-rising strong electric fields. // Ferroelectrics. 1996. Vol. 186. p. 127-131.

107. Садыков C.A., Агаларов А.Ш., Бородин В.З. Диэлектрическая проницаемость сегнетокерамики при импульсной поляризации. // Тезисы IMFS-7. В сб.: Полупроводники-сегнетоэлектрики. Ростов-на-Дону, 1996. Вып. 6. с. 131-132.5

108. Садыков С.А., Бородин В.З. Реверсивные характеристики поляризации сегнетокерамики в самосогласованном электрическом поле. // Тезисы IMFS-8. В сб.: Полупроводники-сегнетоэлектрики. Ростов-на-Дону, 1998. Вып. 7. с. 165-166.

109. Sadykov S.A., Safaraliev G.K.,.Agalarov A.Sh, Kallaev S.N. Increase of dielectric constant during superfast switching in PZT ferroelectric ceramics. // Abstr. Intern of Conf. on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-14), Denver 2004, USA, p. 103.

110. Sadykov S.A Bondarenco E.I.Agalarov A.Sh. Polarization of ferroelectric ceramic in high-voltage pulse field: The role of non 180° switching. // Ferroelectrics. -1994. -V.157. -P. 129-134.

111. Чуй К. Введение в вэйвлеты. Пер. с англ. М.: Мир, 2001. 412 с.

112. Дремин И. М., Иванов О. В., Нечитайло В. А. Вейвлеты и их использование. // Успехи физических наук. 2001. т. 171. № 5. С. 465-561.

113. Яковлев А. Н. Основы вейвлет-преобразования сигналов. М.: Физмат лит, 2003. 176 с.

114. Фракталы в физике. М.: Мир, 1988. 672 с.

115. Шильников А.В., Галиярова Н.М., Поздняков А.П., Федорихин В.А., Шувалов JI.A. О закономерностях переполяризации кристаллов ДТГС в синусоидальных электрических полях. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2003. т. 67. № 8. с. 1113-1116.

116. Кукушкин С. А., Захаров М.А. Кинетика переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках. // ФТТ. 2002. т. 44. Вып. 12. с. 21932203.

117. Licodimos V, Orlik Х.К., Pardi I., Labardi M., Allegrini M. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. p. 443.

118. JIotohob A.M., Новик .К., Гаврилова Н.Д. Диэлектрическая дисперсия как признак появления поляной фазы в сегнетоэлектриках. // ФТТ. 2006. т. 48. Вып. 6. с. 969- 972.fi

119. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Каллаев С.Н. Релаксация доменной структуры кристаллов АТГС в переменных электрических полях. // Сб. тр. Меж. Конф. «Фаз.переходы, крит. и нелин. явления в конд. средах», Махачкала, 12-15 сентября 2007, С. 615-617.

120. Тихомирова Н.А., Донцова Л.И., Гинзберг А.В., Дорогин В.Н., Шувалов Л.А., Булатова Л.Г., Чумакова С.П. Кинетика процесса переполяризациикристаллов ТГС с примесью L-a- аланина. // ФТТ. 1988. т. 30. № 3. с. 724729.

121. Сердюк О.М., Камышева JI.H., Дрождин С.Н., Барабашина А.Б. Роль внутреннего поля в процессах релаксации макроскопической поляризации кристаллов ТГС.//ФТТ. 1988. т. 30. №2. с. 541-543.

122. Дрождин С.Н., Хоник С.В., Денисова В. Пороговое поведение диэлектрической нелинейноси сегнетоэлектрических кристаллов семейства триглицинсульфата. // ФТТ. 2006. т. 48. Вып. 6. с. 1075-1076.

123. Никишина А.И., Дрождин С.Н., Голицына О.М. Релаксация доменной структуры кристаллов триглицинсульфата под действием внутреннего поля. //ФТТ. 2006. т. 48. Вып. 6. с. 1073-1074.

124. Дрождин С.Н., Камышева JI.H. Доменный механизм возникновения хаоса в сегнетоэлектрических кристаллах ТГС. // ФТТ. 1992. т. 34. №9. с. 2797

125. Прасолов В.Н., Сафонов И.А. Эффекты взаимодействия доменных границ с подвижными точечными дефектами в кристаллах ТГС. // Изв. АН. Сер. Физ. 1995. т. 59. № 9. с. 69-72.

126. Дрождин С.Н., Куянцев М.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтрированного триглицинсульфата. // ФТТ. 1998. т. 40. № 8. с. 1542

127. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Сидоркин В.А., Юрьев А.Н. Релаксация диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС, выращенных при температурах ниже 0 С. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2005. т. 69. № 8. с. 1224-1226.

128. Husimi К. Dynamic properties of the polarizability in ВаТЮЗ crystal. // J. Appl. Phys. 1959. Vol. 30. N 7. p. 978-981.2803.1545.