Эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Руденко, Анатолий Александрович

• Руденко, Анатолий Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Руденко, Анатолий Александрович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОПТИЧЕСКИЕ, АКУСТИЧЕСКИЕ И ФОТОАКУСТИЧЕСКИЕ

СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ ТИПА А3В

1.1. Объемный фотоэффект в полупроводниках. Эффект Дембера

1.2. Барьерный фотовольтанический эффект

1.3. Эффекты и явления акустооптики.

1.4. Оптические, электрооптические и фотоакустические свойства соединений А3В

1.5. Внутреннее трение, обусловленное электронной релаксацией, в полупроводниковых соединениях А3В

1.6. Экспериментальные методики измерения акустического поглощения.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия»

Актуальность темы.

Одним из перспективных направлений физики твердого тела является акустооптика, изучающая взаимодействие акустических и электромагнитных волн в среде. Монокристаллы арсенида галлия, благодаря уникальному сочетанию электрических, оптических и акустических свойств, являются важным объектом для подобных исследований, так как позволяют создавать устройства, основанные как на влиянии оптического излучения на акустические характеристики среды, так и на влиянии интенсивного звука на оптические свойства. Явления акустооптики в пьезополупроводниках, к которым относится ар-сенид галлия, могут быть использованы как для цели диагностики физических свойств материалов, так и для создания различных акустоэлектронных устройств, находящих всё более широкое применение на практике.

Взаимосвязь оптических, электрических и акустических свойств наиболее сильно проявляется в высокоомных пьезополупроводниках, к числу которых относится монокристаллический арсенид галлия, получаемый путем легирования примесями переходных металлов. Из этого примесного ряда следует выделить примеси хрома и железа, которые создают одни из самых глубоко лежащих компенсирующих примесных уровней, что предопределяет широкое применение данных примесей при создании полуизолирующих подложек из арсенида галлия.

Результаты акустических исследований высокоомных пьезополупро-водников группы А3В5 за последние двадцать лет показывают, что оптическое облучение может существенно изменять упругие и неупругие характеристики материала. Однако при этом недостаточное внимание было уделено изучению возможности оптического индуцирования акустических волн с использованием пьезоэлектрической связи между объемной фото-э.д.с. и механическими свойствами таких кристаллов, в то время как выяснение физических механизмов таких процессов представляется важным как с научной точки зрения, так и для создания новых методов исследования свойств полупроводников, а также технических устройств, основанных на преобразовании оптической энергии в механические колебания или импульсы электродвижущей силы.

Диссертация выполнена на кафедре полупроводниковой электроники Воронежского государственного технического университета в рамках госбюджетной программы ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых материалов (Si, А В и др.), приборов и технологии их изготовления», номер гос. регистрации 0120.0412888, НИР «Университеты России» 1886-04.

Цель работы.

Целью настоящей работы являлось исследование закономерностей взаимосвязи объемной фото-э.д.с. в высокоомных монокристаллах арсенида галлия с их пьезолектрическими свойствами и выявление механизмов импульсного оптического индуцирования упругих колебаний и фотопьезо-э.д.с. в высокоомных пьезополупроводниках.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

1. Установление характера взаимосвязи между фотоэлектрическими и пьезоэлектрическими свойствами монокристаллов арсенида галлия, легированных примесями хрома или железа.

2. Экспериментальное изучение эффекта оптического индуцирования изгибных и продольных резонансных упругих колебаний в образцах арсенида галлия с примесями хрома или железа.

3. Разработка физической модели механизма фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия.

4. Выявление физических условий максимальной эффективности преобразования энергии оптических импульсов в энергию упругих колебаний и фотопьезо-э.д.с. в высокоомных пластинах арсенида галлия.

5. Разработка вариантов практического использования эффекта фотопьезоэлектрического индуцирования механических колебаний и фотопьезо-э.д.с. в высокоомных монокристаллах арсенида галлия.

Объекты и методы исследований.

Объектами исследования служили монокристаллические пластины вы-сокоомного арсенида галлия, легированного примесями хрома или железа.

При проведении исследований использовались следующие методы: метод внутреннего трения, импульсного оптического индуцирования упругих колебаний в монокристаллах, метод фотопроводимости, метод эффекта Холла, измерения фотопьезо-э.д.с. в полупроводниковых пластинах.

Научная новизна работы заключается в следующем.

1. Впервые обнаружен и исследован эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия.

2. Установлено, что максимальная амплитуда индуцируемых световыми импульсами упругих колебаний в монокристаллах арсенида галлия наблюдается в температурном интервале, где внутреннее трение и электропроводность материала имеют малые значения.

3. Уменьшение амплитуды индуцируемых световыми импульсами упругих колебаний объясняется: в низкотемпературной области - их демпфированием за счет акустоэлектронной релаксации, порождаемой знакопеременным пьезоэлектрическим полем, а в высокотемпературной области - экранированием фото-э.д.с. за счет возрастания проводимости кристалла, вследствие термической активации глубоких примесных уровней.

4. Предложена физическая модель механизма фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия. В соответствии с этой моделью импульсное оптическое облучение полупроводника порождает переменную по величине объемную фото-э.д.с., которая через обратный пьезоэлектрический эффект вызывает упругие колебания в пьезоактивном направлении кристалла.

5. Выявлена физическая природа фотопьезо-э.д.с. в высокоомных пластинах арсенида галлия, состоящая в следующем. Импульсное оптическое облучение пластины пьезоактивного среза порождает переменную по величине объемную фото-э.д.с., которая через обратный пьезоэлектрический эффект вызывает продольные резонансные механические колебания. Переменная деформация растяжения-сжатия пластины вдоль пьезоактивного направления приводит к возникновению импульсов э.д.с. на её противоположных поверхностях

Научная и практическая значимость полученных результатов состоит в следующем.

1. Обнаружен и исследован эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия. Предложена физическая модель, учитывающая взаимосвязь фото-э.д.с. с пьезоэлектрическими характеристиками материала. Это позволило расширить научные представление об оптоакустических процессах в пьезоэлектрических полупроводниках.

2. Разработаны физические основы фотопьезоэлектрического возбуждения изгибных и продольных резонансных механических колебаний пластин пьезополупроводников.

3. Предложены физические принципы новых методов определения фи-зичеких параметров пьезополупроводников и технических устройств, основанных на эффекте фотопьезоиндукции.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Собственное импульсное оптическое облучение монокристаллических пластин высокоомного арсенида галлия пьезоактивной ориентации вызывает резонансные изгибные колебания при совпадении частоты модуляции света с частотой изгибной моды пластины.

2. Максимальная амплитуда возбуждаемых световыми импульсами из-гибных колебаний наблюдается в интервале температур, где одновременно имеют место малые значения внутреннего трения и электропроводности кристалла. Уменьшение амплитуды возбуждаемых колебаний в низкотемпературной области максимума объясняется их демпфированием в результате аку-стоэлектронной релаксации, связанной со знакопеременным пьезоэлектрическим полем, а в высокотемпературной области - экранированием фото-э.д.с. за счет возрастания проводимости кристалла вследствие термической активации глубоких примесных центров.

3. Механизм фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия. Импульсное оптическое облучение полупроводника порождает переменную по величине объемную фото-э.д.с., которая через обратный пьезоэлектрический эффект вызывает упругие колебания в пьезоактивном направлении кристалла.

4. Импульсное оптическое облучение монокристаллических пластин высокоомного арсенида галлия индуцирует импульсы электродвижущей силы на пьезоактивных гранях пластины при совпадении частоты модуляции света с резонансной частотой продольных механических колебаний.

5. Механизм возникновения фотопьезо-э.д.с. в высокоомных монокристаллах арсенида галлия состоит в следующем. Импульсное оптическое облучение пластин пьезоактивного среза порождает переменную по величине объемную фото-э.д.с., которая через обратный пьезоэлектрический эффект вызывает упругие колебания на частоте продольного механического резонанса. При этом переменная деформация растяжения-сжатия пластины вдоль пьезоактивного направления приводит к возникновению импульсов э.д.с. на её противоположных поверхностях за счет поперечного пьезоэффекта.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: XXI Международной конференции «Нелинейные процессы в твердых телах» (Воронеж, 2004); Всероссийской научно-практической конференции «Охрана, безопасность и связь» (Воронеж, 2005); Международной научной конференции «ФТТ-2005. Актуальные проблемы физики твердого тела» (Минск, 2005); VII-й международной научно-технической конференции «Измерение, контроль, информатизация ИКИ-2006» (Барнаул, 2006); Международной конференции «Структурная релаксация в твердых телах» (Винница, 2006); VIII Всероссийской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Таганрог, 2006); VIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотех-нологии и микросистемы» (Ульяновск, 2006); 13-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, 2006); а также научных семинарах кафедры полупроводниковой электроники Воронежского государственного технического университета. Автором получены: Грамота открытого конкурса на лучшую научную работу студентов и аспирантов в рамках основных научных направлений Воронежского государственного технического университета за научную работу в рамках направления «Материаловедение функциональных и конструкционных материалов» (Воронеж, 2005); Диплом III степени 13-й

Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, МИЭТ, 2006); Благодарность за участие в Региональной общественной премии «Золотой лев» (Воронеж, 2006).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 12 научных работ, в том числе 1 - в издании, рекомендованном ВАК РФ.

В работах опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата лично соискателем выполнены: в [84, 85, 94-96, 99, 100, 101] - работы по разработке физической модели эффекта фотопьезоиндукции, в [86, 87, 97, 98] - предложены физические принципы новых методов определения параметров высокоомных пьезополупроводников и технических устройств, основанных на преобразовании энергии оптических импульсов в энергию упругих колебаний и фотопьезо-э.д.с

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 101 наименования. Работа содержит 124 страницы, включая 39 рисунков, 2 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Руденко, Анатолий Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

По результатам работы можно сделать следующие выводы:

1. Обнаружен и исследован эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний высокоомных монокристаллов арсенида галлия, при котором импульсное оптическое облучение пластин пьезоактивной ориентации вызывает резонансные механические колебания при совпадении частоты модуляции света с частотой изгибной или продольной моды колебаний.

2. Максимальная амплитуда возбуждаемых световыми импульсами изгибных колебаний наблюдается в интервале температур, где одновременно имеют место малые значения внутреннего трения и электропроводности кристалла. Уменьшение амплитуды возбуждаемых колебаний в низкотемпературной области максимума объясняется их демпфированием в результате аку-стоэлектронной релаксации, связанной со знакопеременным пьезоэлектрическим полем, а в высокотемпературной области - экранированием фотоэффекта за счет увеличения проводимости кристалла, вследствие термической активации глубоких примесных центров.

3. Показано, что импульсное оптическое облучение высокоомных пластин арсенида галлия порождает переменную по величине объемную фото-э.д.с., которая через обратный пьезоэлектрический эффект вызывает упругие колебания в пьезоактивном направлении кристалла.

4. Установлено, что импульсное оптическое облучение монокристаллических пластин высокоомного арсенида галлия индуцирует импульсы электродвижущей силы на пьезоактивных гранях пластины при совпадении частоты модуляции света с резонансной частотой продольных механических колебаний.

5. Выявлен механизм возникновения импульсов э.д.с. на гранях высокоомных пластин арсенида галлия при их импульсном оптическом облучении, который состоит в следующем. Импульсное оптическое облучение вызывает переменную фото-э.д.с. в объеме кристалла и через обратный пьезоэлектрический эффект порождает упругие колебания на частоте продольного механического резонанса. Переменная деформация растяжения сжатия пластины приводит к возникновению импульсов э.д.с. на её противоположных поверхностях за счет поперечного пьезоэффекта.

6. Предложены физические принципы новых методов определения параметров высокоомных пьезополупроводников и технических устройств, основанных на преобразовании энергии оптических импульсов в энергию упругих колебаний и фотопьезо-э.д.с.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Руденко, Анатолий Александрович, 2007 год

1. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. Изд. иностранной литературы, М. 1962г., 253 с.

2. Аут И., Генцов Д., Герман К., Фотоэлектрические явления, М.:Мир, 1980г., 208 с.

3. Рыбкин С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1963., 494 с.

4. Бонч-Бруевич B.JL, Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990 г., 685 с.

5. Островский И.В., Акустолюминесценция новое явление акустооп-тики// Соросовский образовательный журнал, 1998, №1, С. 95-102.

6. W. Jackson and N.M.Amer, Piezoelectric photoacoustic detection: Theor-yad and experiment // J. Appl. Phys., 1980 г., № 51, С. 3343.

7. Ikari T, K. Miyazaki, Fukuyama A., Piezoelectric detection of the photoacoustic signals of n-type GaAS single crystals // J. Appl. Phus, 1 March 1992. C. 75.

8. Fukuyama A., Fukuhara H., Tanaka S., Piezoelectric Photothermal study of AlxGai.xAs epitaxial layer (x=0.22, 0.28. and 0.5) grown on semi-insulation GaAs substrate // Appl. Phus., 1 November 2001, № 9, C. 90.

9. В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, B.B. Свиридов, Н.П. Ярославцев, Аку-стооптический эффект в арсениде галлия с глубокими центрами // «Перспективные материалы», 2001, №5, С. 31-35.

10. И. К.JI. Муратиков, А.Л. Глазов, Теоретическое и экспериментальное исследование фотоакустического и электронно-акустического эффектов в твердых телах с внутренним напряжением // ЖТФ, 2000, Том 70, вып. 8, С. 69- 76.

11. Андреев Б.А., Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. док. физ.-мат. наук. Ин.-т физ. микроструктур РАН., Нижний Новгород, 2004, 33 С.

12. Васильев А.В., Информационно измерительный комплекс для опто-емкостной спектроскопии полупроводников // Технол. и контроль в электронной аппаратуре. 2002., №2 С.46-49.

13. Berque Laurent, Marty-Dessus Didier, Franceschi Jean L., Defect detection in silicon water by Photoacoustic imaging // Jap. J. Appl. Phys. Pt 2 2003.42, NCOl, C. 1198-1200.

14. Белоконев B.M., Завадский Ю.И., Кузнецов Ю.А., Чернокожин В.В., Кремниевые фотоприемники длинноволнового ИК-диапазона // Электронная промышленность. 2003, №2 С. 169-175.

15. Zhang Y.H., Luo Н.Т., Shen W.Z., Demonstration of bottom mirrors for resonant cavity-enhanced GaAs homojunction for-infrared detectors // Appl. Phys. Lett. 2003. 82. №7, C. 1129-1131

16. Chabal Y.J., Raghavachari Krishnan., Applications of infrared absorption spectroscopy to the microelectronics industry // SurfaceSCI. 2002.502-503. C. 4150.

17. Rion, Cich Mickael J. Specht Petra, Weber Eicke R., In situ diffuse reflectance spectroscopy investigation of low temperature-grown GaAs // Zhao Appl. Phys. Lett. 2002. 80, №12, C. 2060-2062.

18. Kawaharu Toshio, Kimura Akitsugu, Ninomiga Makoto, Sato Koshikazu, Okamoto Yoichi, Morimoto Jun, Moyakawa Tory, Okumura Tsugunori., Size effects on Photoacoustic spectra for GaAs fine powder // Jap J. Appl. Phys. Pt. 1. 2002.41, №5B, C. 3363-3366.

19. Weingartner R., Wellmann P.J., Bickerman M., Hofmann D., Stroubinger T.L., Determination of charge carrier concentration in n- and p-doped SiC based on optical absorption measurements // Appl. Phys. Lett. 2002. 80, №1, C. 70 -72.

20. Tanahaski Katsumo, Yamada-Kanata Niro Shi., Technique for determination of nitrogen concentration in czochralski silicon by infrared absorption measurement // Jap. J. Phys. Pt 2.2003.42, №3A, C.223-225.

21. Паукин И.И., Исследование примесных центров и зонной структуры методами лазерной спектроскопии // Физ. и химия тверд, тела. 2003. 4, №1, С.72-75.

22. Кузьменко P.B, Домашевская Э.П., Идентификация электронноопти-ческих переходов в области примесных состояний в Ео-спектрах фотоотражения GaAs // ФТП, 2002, т.36, №3, С. 278-281.

23. Szczytko J., Bardyszewski W., Twardowski A., Optical absorption in random media: Application to Gai.xMnxAs epilayers // Phys. Rew. B. 2001. 64 №7. C. 075306/1-075306/8.

24. Биленко Д.И., Белобровая О.Я., Любивый В.Г., Терин Д.В., Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению // Дефектоскопия. 2004, №8, С. 84-89.

25. Chakrabarti S., Bhattacharya P., Stiff-Roberts A.D., Lin Y.Y., Singh J., Lei Y., Browning N.J., Intersubband absorption in annealed InAs/GaAs quantum dots: a case for polarization sensitive infrared detection // Phys. D. 2003 36 №15, C. 1794-1797

26. Амосова Л.П., Диденко И.А., Комолов В.Л., Насыщение поглощения в полупроводниках при локальном облучении коротким световым импульсом // Оптич. Ж. 2004. 71, №6, С. 29-31.

27. Арутюнян С.Л., Влияние кулоновской щели на примесное поглоще1 сние в полупроводниках типа А В // Полупроводниковая микроэлектроника: материалы 4 национальной конференции, Цахкадзор, 29-31 мая, Ереван 2003, С. 59-62.

28. Ben Radhia S., Bonjdaria К., Bouchriha H., Fishman B.J., Band structures of GaAs, InAs and Ge: A k-p-model // Appl. Phys. 2003. 94 №9. C. 57265731.

29. Кузьменко P.B., Фотомодуляционная спектроскопия полупроводнил ековых структур на А В . Автореф. дис. на соискание уч. сте. докт. физ.-мат. наук. Воронежский гос. университет, Воронеж, 2002,39 С.

30. Okuno Tsuyoshi, Masumoto Yasuaki, Kadono Shinjiro, Kitade Shinsuke, Bando Hiroyuki, Okamoto Hiroshi., Ultrafastand wideband response in opticalnonlinearity of molecular-beamepitaxy-grown GaAs // Jap. J. Appl. Phys. Pt 2. 2002. 41 №7A, C. 745-747.

31. Dumitrica Traian, Allen Roland E., Femtosecond-scale response of GaAs to ultrafast laser pulses // Phys. Rev. B. 2002 66, №8, C. 081202/1-081202/4.

32. Гайдар O.B., Порошин B.M., Рассеяние ИК-света плазмонами в растворе // Укр. физ. ж. 2002 47 №9. С. 862-866.

33. Sun Chi-Kuang, Chen Yen-Hung, Shi Jin-Wei, Chin Yi-Jen, Gan Kian -Giap, Bowers John E., Electron relaxation and transport dynamics in low-temperature-grown GaAs under 1 eV optical excitation // Appl. Phys. Lett. 2003. 83, №5, C. 911-913.

34. Блохина Г.С., Иванова А.И., Самборский И.Г., Оптические свойства легированных монокристаллов кремния // Физика кристаллизации: Сборник научных трудов. Тверь: Издательство ТвГУ. 2002. С.117.

35. Мороча A.K., Егоркин В.И., К теории распространения и усиления поверхностных акустоэлектрических волн в гетероструктурах на основе GaAs //Изв. Вузов. Электрон. 2002, №6, С. 10-16.

36. Kim А.М-Т., Callan J.P., Roeser C.A.D., Mazur Е., Ultrafast dynamics and phase changes in crystalline and amorphous GaAs // Phys. Rev. B. 2002. 66, №24, C. 24520311-2424520313.

37. Lee W.Y., Chein J.Y., Wang D.P., Huany K.F., Huang T.C. J., Evaluation of modulating field of photoreflectance of surface-intrinsic-n+ type doped GaAs by using photoinduced voltage // Appl. Phys. Phys. 2002 .91, №7. C. 4102-4104.

38. Колтунов И.А., Смирнов Ю.М., Долматов А.Б., Шайович С.Л., Рассеяние ИК-излучения в кристаллическом германии // Физика кристаллизации: Сборник научных трудов. Тверь: Издательство ТвГУ. 2002. С. 118-124.

39. Lukic-Zrnic R., Gorman B.P., Cottier R.j., Golding Т.О., Littler C.L., Norman A.G. J., Temperature dependence of the band gap of GaAsSb epilayers // Appl. Phys. 2002. 92, №11, C. 6939-6941.

40. Sharma Т.К., Porwal S., Kumar R. Shailendra., Absorption edge determination of thick GaAs wafers using surface photovoltage spectroscopy // Pev. Sci. Instrum. 2002. 73, №4, C. 1835-1840.

41. Васильев B.A., Исследование полупроводников и полупроводниковых структур методами моделирования и субмиллиметровой спектроскопии // Инж. физ. 2002, №4, С. 49-52.

42. Гореленок А. Т., Царенков Б. В., Чаабришвили Н. Г. Температурная зависимость примесной фотолюминисценции GaAs,легированного Сг // ФТП, 1971, Т. 5. Вып 1.С. 115-121.

43. Пека Г. П., Карханин Ю. И. Энергетический спектр глубоких уровней и механизм излучательной рекомбинации в GaAs (Сг) // ФТП, 1972. Т. 6. Вып. 2. С. 305-310.

44. Митрохин В. И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П., Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // ФТТ, 1984. Т. 26, № 7, С. 2228-2229.

45. Митрохин В. И., Рембеза С.И., Свиридов В.В., Ярославцев Н.П., Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках // ФТТ, 1985, т. 27, № 7. С. 2081-2085.

46. Митрохин В.И. Ярославцев Н. П., Измайлов Н. В., Рембеза С. И., Лисовенко В. Д., Способ определения объема инородных включений в твердых веществах // А.С. № 1179183, МКИ G 01 N, 25/02,1985, Б.И. № 34.

47. Митрохин В.И., Кутукова О.Г., Рембеза С.И, Ярославцев Н.П., Наблюдение электронномеханического резонанса на глубоких уровнях в полупроводниках А В , имплантировных ионами железа // ФТТТ. 1987. Т. 21, вып. 7. С. 1335-1336.

48. Митрохин В.И., Ярославцев Н.П., Глушков Н. А., Рембеза С. И., Измайлов Н. В., Логинов В. А., Способ определения концентрации свободныхносителей заряда в пьезоэлектрических полупроводниковых кристаллах // А.С. №1222146, МКИН 01 L 21/66,1985, Б.И. № 14.

49. Митрохин В.И., Способ определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниковых кристаллах //А. С. 1248482 СССР, МКИ Н 01 L 21/66. (1986).

50. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П., Влияние термического отжига на внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // Изв. АН. Сер. физич. 2000. Т. 64. ,№ 9. С. 1722-1726.

51. С.В., Логинов в.А., Митрохин В.И., Рембеза С.И., Внутреннее трение в полупроводниках, подвергнутых лазерной обработке // Железный ФИЗХОМ, 1996, №3. С. 47-50

52. Прибылов Н. Н., Рембеза С. И., Спирин А. И., Буслов В. А., Сушков С. А. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП, 1998. Т. 32. Вып. 10. С. 1165-1169.

53. Кольцов А. А., Москвичев А. В., Прибылов Н. Н., Рембеза С. И. Эффекты очувствления и гашения фотопроводимости в высокоомном GaP:Cr // В кн. "Твердотельная электроника и микроэлектроника. Сб. науч. трудов. Воронеж. ВГТУ, 2001. С. 67-70.

54. Митрохин В.И., Ярославцев Н.П., Свиридов В. В., Логинов В. А., Рембеза С. И., Измайлов Н. В., Способ определения параметров пьезоэлектрических полупроводников // А. С. № 1290845 СССР, МКИ Н 01 L 21/66 (1986).

55. Постников В. С. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия, 1974.352 с.

56. Александров Jl. Н., Зотов М. И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979.159 С.

57. Новик А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. М.: Атомиздат, 1975. 472 с.

58. Forster F. Neue Messmethode Bestimmung des Elastitatsmoduls. Z. Metallkunde. 1937. V. 29. P. 109-119.

59. Омельяновский Э. M., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М.: Металлургия. 1983. 192 с.

60. Mitrokhin V. I., Rembeza S. I., Sviridov V.V., Yaroslavtsev N. P., Acoustic Probing of Deep Centers in Ш-V semiconductors // Phys. Status Sol. (a). 1990/ V. 119 №2 P. 535-544

61. Митрохин В. И., Ярославцев Н. П., Рембеза С. И., Песоцкий Г.С., Измайлов Н. В. Устройство для измерения внутреннего трения твердых тел // Авторское свидетельство СССР № 1054742 МКИ G 01 N,11/16 от 9.07.82.

62. Ярославский М.И., Смагин А.Г., Конструирование, изготовление и применение кварцевых резонаторов. М. Энергия, 1971,168 с.

63. Справочник по кварцевым резонаторам, под ред. Позднякова П.Г., М. Связь, 1978,287 с.

64. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. Радио.1974. 326 с.

65. Митрохин В. И., Рембеза С. И., Свиридов В. В., Ярославцев Н. П. Воздействие оптического излучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами // ФТП. 2002. Т. 33. Вып. 2. С. 138-143.

66. Мадвалиев У., Салихов Т.Х., Шаридов Д.М. Влияние тепловой нелинейности сильно поглощающих сред на параметры фотоакустического сигнала. Основная и вторая гармоника //Ж.Т.Ф. 2006 т.26, № 6, с. 87-97

67. Казаков М.Ю., Муравьев С.В., Соустов J1.B. «Измеритель энергии импульсов электромагнитного излучения» // Патент РФ №2031378, МКИ G01J 5/58 Опубл. 20.03.95 Бюл. №8

68. Акустические кристаллы, Справочник // под ред. Шаскольской М.П. М.: Наука. 1982, С. 632.

69. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Эффект оптического индуцирования механических колебаний в монокристаллах арсенида галлия // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 11. С. 32-36.

70. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Фотопьезоэффект в высокоомных монокристаллах арсенида галлия // Перспективные Материалы. 2006. №6. С. 23-26.

71. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Фотоакустический датчик на арсениде галлия // Охрана, безопасность и связь: всерос. науч.-практ. конф. Воронеж. 2005, Ч. 2, С. 65.

72. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Датчик оптического излучения на основе фотопьезоэффекта в монокристаллах GaAs // Измерение, контроль, информатизация ИКИ-2006: материалы VII-й межд. науч.-техни. конф. Барнаул. 2006. С. 70.

73. Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа 1987.239 с.

74. Кесаманлы Ф.П., Наследова Д.И., Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, М.: Наука, 1973г., С. 471

75. Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат. 1985.391 с.

76. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С, Каргин Н.И., Физические методы исследования материалов твердотельной электроники. Ставрополь: СевКавГТУ, 2002. 432 с.

77. Дж. Най, Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц, М.: Мир, 1967г., С. 385.

78. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П., «Внутреннее трение в пьезоэлектрических полупроводниках» // Сб. «Современные проблемы физики твердого тела и материаловедения», Воронеж, ВГТУ, 2005, С. 73-78.

79. Руденко А.А. Упругие и неупругие свойства монокристаллического арсенида галлия с глубокими центрами // Микроэлектроника и информатика: тез. докл. 13-ой всерос. межвуз. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов. Зеленоград: МИЭТ, 2006, С. 56.

80. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Исследование физических свойств пьезополупроводников с помощью фотопьезоэффекта // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: тез. докл. VI междунар. конф. Кисловодск, 2006. С. 443.

81. Руденко А.А. Устройство для преобразования оптической энергии в механическую // Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления: VIII всерос. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов. Таганрог: ТРТУ, 2006. С. 297.

82. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Фотопьезоэффект в монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия с глубокими центрами // Опто, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: тез. докл. VIII ме-ждунар. конф. Ульяновск, 2006. С. 69.

83. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Руденко А.А. Влияние электронно-механической релаксации на фотопьезоэффект в монокристаллах арсенида галлия // Структурная релаксация в полупроводниках и диэлектриках: тез. докл. междунар. конф. Винница, 2006 . С. 273-275.