Электрофизические свойства пленок SnO2 и гетероструктур n-SnO2 / p-Si тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Плешков, Алексей Петрович

• Плешков, Алексей Петрович
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Плешков, Алексей Петрович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕТАЛЛООКСИДНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В ГАЗОВОЙ СЕНСОРИКЕ

1.1. Основные свойства и параметры гетероструктур

1.2. Методы изготовления гетероструктур

1.2.1. Метод химического осаждения из растворов

1.2.2. Метод магнетронного распыления

1.2.3. Метод пиролиза аэрозолей

1.2.4. Метод термического испарения в вакууме

1.3. Методы исследования электрических параметров гетероструктур Sn02/Si

1.3.1. Вольт-амперные характеристики гетероструктур Sn02(M)/Si

1.3.2. Емкостные свойства гетероструктур

1.4. Механизм газовой чувствительности систем с гетеропереходом

Выводы к первой главе

Глава 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА И АНИЗОТИПНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА

2.1. Изготовление образцов

2.2. Исследование элементного состава и морфологии поверхности пленок нанокомпозитов

2.3 Измерение толщины пленок диоксида олова

2.4. Электрические методы исследования гетероструктур

2.4.1. Измерение вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик гетероструктур

2.4.2. Измерение вольт-амперных характеристик гетероструктур

2.5. Методика измерения газовой чувствительности 64 2.5.1 Методика расчета концентрации исследуемого газа

Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА И АНИЗОТИПНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ

3.1. Структура и состав пленок диоксида олова, полученных методом ионного распыления оловянной мишени

3.2. Электрические характеристики и физические свойства гетероструктур

Выводы к третьей главе

Глава 4. ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА АНИЗОТИПНЫХ

ГЕТЕРОСТРУКТУР n-Sn02 / p-Si

4.1. Влияние газовой адсорбции паров спирта и толуола на ВФХ гетероструктур

4.2. Влияние газовой адсорбции паров спирта на ВСХ гетероструктур

Выводы к четвертой главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические свойства пленок SnO2 и гетероструктур n-SnO2 / p-Si»

Актуальность темы. Проблемы мониторинга окружающей среды, контроля за экологическими параметрами среды обитания человека, в особенности мест скопления большого количества людей, контроля физиологического состояния человека, качества продуктов питания, а также определения микроконцентраций токсичных и взрывоопасных газовых компонентов в различных технологиях и научных исследованиях ставят вопрос о совершенствовании средств измерения химического состава и параметров газовых сред, синтезе и исследовании новых материалов, обладающих высокой селективной чувствительностью к определенному типу молекул, и создании на их основе новых, более эффективных и недорогих измерительных приборов. Нарастающая опасность терроризма с применением взрывчатых, отравляющих и радиоактивных веществ также обостряет эту проблему. Этому вопросу посвящены многочисленные статьи, обзоры и монографии /1-12/.

Первой и весьма важной задачей газовой сенсорики является создание пороговых датчиков, реагирующих на превышение допустимого содержания в воздухе взрывоопасных и вредных для здоровья веществ. Следующей, более сложной задачей является анализ состава атмосферы или газовых смесей. По сути, речь идет о создании искусственного электронного носа. Требования к идеальному газовому сенсору были сформулированы в свое время Дж. Н. Земелем /13/: малая цена, малые размеры, хорошее отношение сигнал/шум, простота и надежность конструкции, обратимость реакции на газы, селективность, нечувствительность к отравлению, быстродействие, совместимость с электронными схемами управления, температурная и временная стабильность. Как правило, газочувствительным элементом таких структур являются полупроводниковые оксиды металлов БпОг, ZnO, ТЮ2, NiO, WO3, 1п20з и др. /7-12/. Уникальность этих материалов для детектирования молекул в газовой фазе вызвана рядом фундаментальных физических и химических свойств. Для широкозонных полупроводников электропроводность оказывается чрезвычайно чувствительной к состоянию поверхности как раз в той области температур (27.527 °С), при которой на поверхности оксидов наблюдаются окислительно-восстановительные реакции. Химические свойства поверхности также играют важную роль в механизме газовой чувствительности. Поверхность оксидов металлов характеризуется высокими адсорбционными свойствами и реакционной способностью, которые обусловлены наличием свободных электронов в зоне проводимости, поверхностных и объемных кислородных вакансий, а также активного хемосорбирован-ного кислорода/14, 15/.

В традиционных газовых сенсорах резистивного типа механизм газовой чувствительности включает в себя процессы хемосорбции на поверхности, сопровождающиеся изменением концентрации носителей заряда в объеме полупроводника. Сенсорный отклик формируется как результат изменения электропроводности поликристаллического полупроводникового материала; при этом состояние межзеренных контактов в поликристаллической системе вносит существенный вклад в величину электропроводности. Такие системы оказываются исключительно чувствительными к присутствию в атмосфере молекул окислителей или восстановителей. Однако, несмотря на ряд достоинств, к числу которых относятся высокая чувствительность и простота конструкции, указанные сенсоры имеют и существенные недостатки. Одним из таких является необходимость в нагреве чувствительного элемента до 300-400°С, что в свою очередь требует значительных затрат мощности. В этой связи представляет интерес исследование свойств диоксида олова применительно к задаче детектирования различных газов с помощью физических эффектов, отличных от тех, что применяются в существующих газоанализаторах.

Широкие возможности полупроводниковых сенсоров для детектирования различных газов и паров в воздухе или инертных средах обеспечивается большим разнообразием оксидов металлов и их композицией, а также различными воздействиями на материалы (легирование, облучение, дополнительные электрические и магнитные поля, формирование гетеросистем, температурные условия работы).

Главной проблемой, не позволяющей широко использовать полупроводниковые сенсоры в газовом анализе, является их недостаточная селективность к определяемому компоненту и отсутствие долговременной стабильности электрофизических параметров. Решение проблем селективности идет по двум направлениям: во-первых, с помощью модификации уже известных составов с получением сложных гетеросистем, повышающих избирательную чувствительность сенсора к интересующему газу, выбором температурного интервала детектирования, позволяющего регистрировать определенные частицы, активные именно в этом интервале, в то время как другие компоненты газовой смеси в этой области температур еще (или уже) не обладают достаточной активностью. Во-вторых, путем применения многоэлементных матричных сенсоров с использованием при обработке сигналов различных модификаций искусственных нейронных сетей. Проблема стабильности сигнала сенсора обусловлена рядом причин: возможностей частичной необратимостью хемосорбции многих частиц, присутствием неконтролируемых газовых примесей, протеканием различных побочных химических реакций и процессов на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводника. Основным средством поддержания стабильности сигнала на заданном уровне является периодическая регенерация поверхности полупроводника, заключающаяся в проведении различных технологических операций: как нагрев до температур, превышающих рабочие, обработка потоками различных газов и т.д. Сенсорные характеристики оксидов металлов, наряду с их химическими и полупроводниковыми свойствами, зависят от технологии получения чувствительных слоев. Выбранная технология определяет электронную и кристаллическую структуру образцов, микроструктуру и дефектность, распределение примеси, толщину пленки и необходимый уровень электрофизических свойств.

Таким образом, исследование электрофизических свойств гетероструктур на основе металлооксидных полупроводников, в частности анизотипных гетероструктур на основе пленок SnOx, является актуальной проблемой, решение которой позволит использовать данные структуры в качестве газовых детекторов.

Работа соискателем выполнена на кафедре полупроводниковой электроники ВГТУ в соответствии с планом госбюджетных работ 2004.34 «Исследование полупроводниковых материалов Si, AmBv, AnBVI, приборов на их основе и технологии их изготовления» (Г.р. №0120.0412882) и по программе гранта РФФИ 03-02-96453-Р-центр-ОФИ и гран та №06-02-96500-р-дентр-0фи.

Целью работы является изготовление и исследование электрофизических свойств гетероструктур на основе n-SnOx / p-Si, и оценка возможности их применения для газовых сенсоров. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методику изготовления гетеростуктур n-SnOx / p-Si на основе легированных и нелегированных пленок SnOx.

2. Определить физические параметры гетеростуктур на основе электрических измерений и построить энергетическую диаграмму гетероперехода n-SnOx / p-Si.

3. Определить механизмы газовой чувствительности полученных гетеростуктур при комнатной температуре и оценить перспективность их применения в газовой сенсорике.

Объекты и методы исследования. В качестве объектов исследования выбраны гетероструктуры n-SnOx / p-Si на основе легированных и не легированных пленок n-SnOx, полученных методом ионного распыления оловянной мишени в атмосфере аргона и кислорода. В качестве основных методов исследования проведены электрические измерения полученных гетероструктур, такие как: вольт-амперная характеристика (ВАХ), вольт-фарадная характеристика (ВФХ) и вольт-сименсная характеристика (ВСХ). Исследование электрофизических и сенсорных свойств, к парам этилового спирта и толуола, гетероструктур n-SnOx / p-Si проводили на установках «Измеритель характеристик ППП - JI2-56» и «Измеритель L, С, R цифровой - Е7-12».

Морфологию поверхности пленок SnOx исследовали методом атомно-силовой микроскопии на установке Femtoscan-0.1 и на сканирующем зондовом микроскопе SOLVER Р47, а фазовый состав пленок определялся методом рентгеновского микроанализа на установке JXA-840 и методом дифракции электронов на электронографе ЭГ-100. Толщину пленок замеряли на профилометре Alfa-Step-200.

Научная новизна исследований. Основные результаты экспериментальных исследований гетероструктур на основе тонких пленок диоксида олова для датчиков газов получены впервые и заключаются в следующем:

1) установлены механизмы газовой чувствительности сенсоров на основе измеренных ВСХ и ВФХ гетероструктур n-SnOx / p-Si в газах - восстановителях;

2) определены основные физические параметры гетероструктуры n-SnOx / р-Si на основе измеренных ВАХ и ВФХ, построена зонная диаграмма гетероструктуры на n-SnOx / p-Si;

3) показана возможность использования ВФХ и ВСХ гетероструктур n-SnOx / p-Si для контроля токсичных и взрывоопасных газов при комнатной температуре;

4) показана возможность модификации поверхности металлооксидного полупроводника путем введения в пленку SnOx примесей Y, Zr, Mn, Si в процессе ее получения.

Практическая значимость.

1. Отработанные технологические режимы получения гетеростуктур n-SnOx / p-Si и методики исследования их электрофизических свойств позволили изготовить опытные образцы полупроводниковых датчиков газов на основе микроэлектронной технологии.

2. Опытные структуры полупроводниковых датчиков газов на основе Гетероструктур n-SnOx / p-Si чувствительны к газам-восстановителям при комнатной температуре.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Граница двух полупроводников n-SnOx и p-Si образует гетероструктуру с контактной разностью потенциалов Ud- По результатам измеренных ВАХ и ВФХ определены: контактная разность потенциалов Ud = 0,8-1,25 В и энергетические разрывы в валентной зоне AEV = 1.4-1.9 эВ и в зоне проводимости АЕС = 0.01-0.5 эВ.

2. Протекание тока через гетероструктуру n-SnOx / p-Si определяется генера-ционно-рекомбинационным механизмом.

3. Гетероструктуры n-SnOx / p-Si, полученные методом ионного распыления оловянной мишени в атмосфере аргона и кислорода, чувствительны к парам спирта и толуола при комнатной температуре.

4. Увеличение примеси Si в пленке S11O2 более 2,5 % позволяет повысить чувствительность гетероструктуры n-SnOx/p-Si на 10 % при комнатной температуре.

5. При увеличении концентрации контролируемого газа чувствительность ге-теростуктур n-SnOx/ p-Si увеличивается нелинейно.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: конференциях профессорско-преподавательского состава, сотрудников, аспирантов и студентов (Воронеж, 2004, 2005, 2006, 2007); V Международной конференции " Электромеханика, электротехнологии и электроматериаловедение" (Алушта, 2003); The XXI International Conference on Relaxation Phenomena in Solids (Воронеж, 2004); Всероссийской научно-практической конференции «Охрана, безопасность и связь-2005» (Воронеж, 2005).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 научных работ, в том числе 1 - в издании, рекомендованном ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежит: в [1-8] изготовление гетероструктур, измерение электрических характеристик полученных гетероструктур и обработка полученных результатов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, который включает 82 наименования. Основная часть работы изложена на 123 страницах, содержит 48 рисунков и 17 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Плешков, Алексей Петрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработана методика изготовления гетероструктур n-SnOx / p-Si с омическими контактами. Для совместимости методики изготовления гетероструктур с микроэлектронной технологией и воспроизводимости параметров получаемых чувствительных пленок SnOx использованы реактивные магнетронный и ионно-лучевой способы распыления оловянной мишени в атмосфере Аг + 02. В качестве омического контакта к пленке SnOx выбран А1, а к p-Si подложке Pt. Показано, что введение примеси в пленку SnOx в процессе напыления Sn на Si подложку позволяет управлять морфологией поверхности чувствительного слоя.

2. Из исследования фазового состава чувствительного слоя беспримесных пленок SnOx, полученных методом ИФО на воздухе, и пленок с примесями Si и Zr следует, что сформированная пленка состоит из Sn02 тетрагональной модификации (а=4,735 нм, с=3,185 нм).

3. Из измеренных ВФХ установлено, что вид ВФХ аналогичен виду ВФХ МОП (металл-оксид-полупроводник) структуры на p-Si подложке. Из ВФХ рассчитаны электрические и энергетические параметры гетероструктуры n-SnOx / p-Si, и на основе полученных экспериментальных данных построена его зонная диаграмма. Установлено, что введение в пленку Sn02 примесей Y, Zr, Мп, Si позволяет управлять параметрами энергетической диаграммы гетероструктуры.

4. Измерены ВАХ гетероструктур. Установлено, что протекание тока через гетероструктуру определяется генерационно-рекомбинационным механизмом. Измерение ВАХ подтверждает образование на гетерогранице контактной разности потенциалов Ud, рассчитанные значения Ud совпадают со значениями Ud, рассчитанными из ВФХ.

5. Из исследования ВФХ в условиях адсорбции газов-восстановителей установлено, что механизм газовой чувствительности зависит от толщины пленки n-SnOx. Для гетероструктур с толщиной чувствительного слоя d,- >

1,7 мкм чувствительность пленок определяется увеличением концентрации поверхностных состояний моноуровня p-Si. Для гетероструктур с толщиной чувствительного слоя dj < 1,7 мкм чувствительность пленок определяется изменением области пространственного заряда в p-Si. Получена зависимость чувствительности гетероструктуры от концентрации паров спирта.

6. Установлено, что ВСХ при комнатной температуре более чувствительны к парам газов-восстановителей, чем ВФХ. Определены два механизма газовой чувствительности: при положительном напряжении на А1 электроде гетероструктуры чувствительность определяется изменением изгиба зон Udsi в p-Si и носит линейный характер, т.е. с увеличением концентрации паров спирта чувствительность увеличивается; при отрицательном напряжении на А1 электроде гетероструктуры чувствительность определяется изменением проводимости пленки n-SnOx. Зависимость газовой чувствительности от концентрации паров спирта при отрицательном смещении на А1 электроде носит нелинейный характер и при увеличении концентрации паров спирта чувствительность растет.

7. Показана возможность использования гетероструктур n-SnOx / p-Si в качестве сенсоров газов восстановителей (спирт, толуол) при комнатной температуре. Установлено, что наибольшей чувствительностью обладают гетероструктуры с большей концентрацией примеси в пленке SnOx.

115

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Плешков, Алексей Петрович, 2007 год

1. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках М.: Наука, 1970. С. 399.

2. Бутурлин А.И., Габузян Т.А., Чистяков Ю.Д. Интегральные газочувствительные резисторы на основе полупроводниковых пленок двуокиси олова / В сб. Датчики на основе технологии микроэлектроники. М.: 1986. С. 24.

3. Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Подлепецкий В.И., Ржанов А.В., Фоменко С.В., Филиппов В.И., Якимов С.С. Микроэлектронные датчики химического состава газов / В сб. Зарубежная электронная техника. Т.2. 1988. С. 3-39.

4. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов // Журнал физической химии. 1984. - Т. LVIII. Вып.4. С. 801 - 821.

5. Сухарев В.Я., Мясников И.А. Теоретические основы метода полупроводниковых сенсоров в анализе активных газов // Журнал физической химии.- 1986.- Т. LX. Вып. 10.- С.2385 -2401.

6. Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях -М.: Наука, 1991. С. 327.

7. Gopel W. Solid-state chemical sensors: atomistic models and research trends // Sensors and Actuators В., V.16, 1989, P. 167-193.

8. Gopel W., Schierbaum K. D. Sn02 sensors: Current status and future prospects // Sensors and Actuators В., V. 26, 1995, P. 1-12.

9. Moseley P.T. Solid state gas sensors // Measurement Science and Technology., V. 8, 1997, P. 223-239.

10. Williams D.E. Semiconducting oxides as gas-sensitive resistors // Sensors and Actuators В., V. 57, 1999, P. 1-16.

11. Стробкова М.В., Чибирова В.Х., Аветисов А.К. Применение метода полупроводниковых газовых сенсоров для исследования свойств полярных жидкостей // Структура и динамика молекулярных систем, В. X, Ч. 1,2003, С. 358-361.

12. Shimizu Y., Egashira М. Basic aspects and challenges of semiconductor gas sensors // Materials Research Society Bulletin, V. 24, №6, 1999, P. 18-25.

13. Zemel J.N., Keramati В., Spivak C.W., D'Amico A. NON-FET chemical sensors // Sensors and Actuators В., V. 1, 1981, P. 427-473.

14. Yamazoe N., Tamaki J., Miura N. Role of hetero-junctions in oxide semiconductor gas sensors // Materials Science and Engineering В., V. 41, 1996, P. 178-181.

15. Malagu C., Guidi V., Stefancich M., Carotta M.C., Martinelli G. Model for Schottky barrier and surface states in nanostructured n-type semiconductors // Journal of Applied Physics, V. 91, 2002, P. 808-814.

16. Румянцева M.H., Сафонова O.B., Булова M.H., Рябова Л.И., Гаськов A.M. Газочувствительные материалы на основе диоксида олова И Сенсор, №2, 2003, С. 8-33.

17. Onyiat A.I., Okeket С.В. Fabrication and characterisation of tin oxide (Sn02)thin films using simple glass spray systems // Applied Physics, V.22, 1989, P.1515 1517.

18. Гуляев A.M., Мухина О.Б., Варлашов И.Б., Сарач О.Б., Титов В.А., Бурцев М.С., Прохоров В.В. Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров на основе Sn02, полученных реактивным магнетронным напылением // Сенсор, №2, 2001, С.10-21.

19. Suga К., Koshizaki N., Yasumoto К., Smela Е. Gas-sensing characteristics of ZnO-NiO junction structures with intervening ultrathin Si02 layer // Sensors and Actuators В., V. 14, 1993, P.598-599.

20. Yan H., Chen G.H., Man W.K., Wong S.P., Kwok R.W.M. Characterizations of SnC>2 thin films deposited on Si substrates // Thin Solid Films, V.326, 1998, P.88-91.

21. Васильев Р.Б., Рябова Л.И., Румянцева M.H., Гаськов A.M. Гетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых сенсоров // Сенсор №2,2001, С.29-38.

22. Golan A., Bregman J., Shapira Y., Eizenberg M. Fabrication and properties of indium oxide/n GaAs junction. // Journal of Applied Physics, V.69, 1991. P. 1494-1499.

23. Акимов Б.А., Албул А.В., Гаськов A.M., Ильин В.Ю., Лабо М., Румянцева М.Н., Рябова Л.И. Сенсорные свойства по отношению к сероводороду и электропроводность поликристаллических Sn02(Cu) // ФТП., Т. 31, №4, 1997, С. 400-404.

24. Акимов Б.А., Гаськов A.M., Лабо М., Подгузова С.Е., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Тадеев А.В. Проводимость структур на основе легированных нанокристаллических пленок Sn02 с золотыми контактами // ФТП., Т. 33, №2, 1999, С. 205-207.

25. Gaidi М., Labeau М., Chenevier В., Hazemann J. L. In-situ EXAFS analysis of the local environment of Pt particles incorporated in thin films of Sn02 semi-conductor oxide used as gas-sensors // Sensors and Actuators В., V. 48, 1998, P. 277-284.

26. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов. К.: 1981, С.376.

27. С.В. Слободчиков, Е.В. Руссу, Э.В. Иванов, Ю.Г. Малинин, Х.М. Салихов Влияние сероводорода на электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур А1 p-Si/Sn02:Cu - Ag // ФТП, Т. 38, №10, 2004, С.1234-1237.

28. Р.Б. Васильев, A.M. Гаськов, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, Б.А. Акимов. Состояния на границе раздела и вольт-фарадные характеристикигетероструктур n-Sn02(Ni)/p-Si в условиях газовой адсорбции. // ФТП., Т. 35, №4, 2001, С.436-438.

29. Madou M.J., Loo В.Н., Frese K.W., Morrison S.R. Bulk and surface characterization of the silicon electrode. // Surface Science, V. 108, 1981, P. 135152.

30. Turut A., Saglam M., Efeoglu H., et al. Interpreting the nonideal reverse bias С V characteristics and importance of the dependence of Schottky barrier height on applied voltage. // Physica B, 1995, V.205, P.41-50.

31. Schierbaum K. D., Kirner U. K., Geiger J. F., Gopel W. Schottky-barrier and conductivity gas sensors based upon Pd/Sn02 and Pt/Ti02 // Sensors and Actuators В., V. 4,1991, P. 87-94.

32. Gurbuz Y., Kang W.P., Davidson J.L., Kerns D.V. A novel oxygen gas sensor utilizing thin film diamond diode with catalyzed tin oxide electrode // Sensors and Actuators В., V. 36, 1996, P. 303-307.

33. Zhang W., Uchida H., Katsube Т., Nakatsubo Т., Nishioka Y. A novel semiconductor NO gas sensor operating at room temperature // Sensors and Actuators В., V. 49, 1998, P. 58-62.

34. Р.Б. Васильев, Гаськов A.M., Румянцева M.H., Рыжиков A.C., Рябова Л.И., Акимов Б.А. Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-Sn02 на p-Si в условиях газовой адсорбции // ФТП, 2000, том 34, вып. 8, С.993-997.

35. Петров В.В. К вопросу о чувствительности полупроводниковых химических сенсоров газа // Сенсор №1, 2003, С.48-50.

36. Henrich V.E., Сох Р.А. The surface science of metal oxides // Cambridge, University press, 1996, C. 458.

37. Agapito J.A., Santos J.P. The interaction of low N02 concentrations in air with degenerate nanocrystalline tin dioxide thin films // Sensors and Actuators В., 1996, V.31, P.93-97.

38. Данилин B.C., Сырчин B.K. Магнетронные распылительные системы M: Радио и связь, 1982.-72 с.

39. Рембеза С.И., Плешков А.П., Рембеза Е.С., Агапов Б.Л. Элементный состав и электрические характеристики гетероструктур на основе кремния и нанокомпозитов для газовых сенсоров // Сенсор №2, 2005, С.11-17.

40. Канныкин С.В., Кущев С.Б., Плешков А.П., Рембеза С.И. Синтез и электрические свойства гетероструктуры на основе пленки n-SnCVp-Si // Материалы электронной техники №2,2007, С. 27-31.

41. Popova L.I., Michailov M.G., Georguiev V.K. Structure and morphology of thin films //Thin Solid Films, 1990, Vol. 186, P. 107-112.

42. Минайчев B.E. Нанесение пленок в вакууме М.: Высшая школа, 1989, 109 с.

43. Лабунов В.А., Данилович Н.И., Уксусов А.С., Минайчев В.Е. Современные магнетронные распылительные устройства // Зарубежная электронная техника М.: 1982, №10, с. 3-61.

44. Рембеза С.И., Бутырин Н.П., Куликов Д.Ю., Просвирин Д.Б. Технология получения тонких пленок SnOx // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. Сб. науч. Тр. Воронеж: ВГТУ, 2005, с. 76-81.

45. Логинов В.А., Рембеза С.И., Свистова Т.В., Щербаков Д.Ю. Влияние лазерной обработки на газовую чувствительность пленок диоксида олова // ПЖТФ, 1998, т.24, №7, С.57-60

46. Иващенко А.И., Хорошун И.В., Киоссе Г.А., Марончук И.Ю., Попушой В.В. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок SnC^, вызванных термообработкой // Кристаллография-1997.-Т.42 №5.-с.901-905.

47. Сербии О.В. Синтез нанодисперсных пленок титаната свинца и карбида вольфрама методом импульсной фотонной обработки // Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж. 2003. - 116 с.

48. Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок.- Минск: Наука и техника, 1976.-376 с.

49. Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Gorlova G.V. Physical properties and gas sensibility SnOx films // Eurosensors XI. Proceedings of the 11th European Conference on Solid State Transducers Varshava, Polsha, 1997-V.l.-P. 459-462.

50. Рембеза С.И., Свистова T.B., Рембеза E.C., Горлова Г.В., Термообработка и газовая чувствительность пленок на основе SnOx // ВестникВГТУ. Сер. Материаловедение-Воронеж, 1997-№ 2-С. 52-54.

51. Рембеза С.И., Логинов В.А., Свистова Т.В., Подкопаева О.И., Рембеза Е.С., Горлова Г.В, Влияние различных термообработок на свойства пленок Sn02 // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-Воронеж, 1998. № 3.-е .74-77.

52. Ривьере X. Работа выхода, Измерения и результаты в сб.: Поверхностные свойства твердых тел, под ред. М. Грина пер. с англ., М., 1972.

53. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов, Справочник, 4 изд., К., 1981.

54. Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-Sn02 на p-Si в условиях газовой адсорбции / Васильев Р.Б., Гаськов A.M., Румянцева М.Н., Рыжиков А.С., Рябова Л.И., Акимов Б.А. // ФТП.- 2000,- Т. 34, № 8.- С. 993-997.

55. Сенсоры аммиака на основе диодов Pd-n-Si / Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Хлудкова Л.С. // ФТП.- 2005.- Т. 39, №2,- С.285-288.

56. Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П., Джой Д. Фиори Ч., Лифшин Э. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ, пер. с англ., М.: Мир, 1984, Т. 2 348 с.

57. Миронов В.Л. Основы зондовой сканирующей микроскопии, Российская академия наук, Институт физики микроструктур, г. Нижний Новгород, 2004 г. 110 с.

58. Дорожкин Л.М., Розанов И.А. Химические газовые сенсоры в диагностике окружающей среды // Сенсор, №2,2001, С. 2-10

59. Виглеб Г. Датчики: Устройство и применение / Пер. с нем.- М.: Мир, 1989.-196 с.

60. Бабичев А.П., Бабушкина Н.А., Братковский A.M. и др. Физические виличины: Справочник / Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. М.; Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

61. Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин АЛО., Мошников В.А., Трэгер Ф., Штиц Ф. Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией // ФТП, 1998, том 32, №6, С.654-657.

62. Иевлев В.М., Бугаков А.В. Ориентированная кристаллизация пленок, Воронеж: Изд-во ВГТУ, 1998, 216 с.

63. Joint Comitee on Powder Difraction Standarts — International Centre for Diffraction Data, 1998.

64. Панин A.B., Шугуров A.P., Калыгина B.M. Влияние серы и селена на рельеф поверхности диэлектрических пленок и электрическиехарактеристики структур металл-диэлектрик-р-GaAs // ФТП. 2001. Т. 35. № 1. С. 78-83.

65. Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю. и др. Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией // ФТП. 1998. Т. 32. № 6. С. 654-657.

66. Сысоев В.В., Кучеренко Н.И., Кисин В.В. Текстурированные пленки оксида олова для микросистем распознавания газов // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. № 18. С. 14-20.

67. Агапов Б.Л., Плешков А.П., Рембеза С.И. Элементный состав и электрические параметры нанокомпозитов на основе Sn02 // Сб. «Труды ВГТУ», 2005, С. 30-35.

68. Сыноров В.Ф., Чистов Ю.С. Физика МДП-структур, Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989, 224 с.

69. Тутов Е.А., Рябцев С.В., Тутов Е.Е., Бормонтов Е.Н. Кремниевые МОП-структуры с нестехиометрическими металлооксидными полупроводниками // ЖТФ. 2006. Т. 76. № 12. С.65-68.

70. Плешков А.П., Куликов Д.Ю., Рембеза С.И. Релаксации вольт -фарадных характеристик (ВФХ) гетероструктур Sn02:Si02-Si02-pSi // The XXI International Conference on Relaxation Phenomeha in Solids, 2004, C. 75.

71. Рембеза С.И., Свистова T.B., Рембеза E.C., Борсякова О.И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок Sn02 // ФТП. 2001. Т.35. № 7. С.796-800.

72. Ривьере X. Поверхностные свойства твердых тел. Работа выхода. Измерения и результаты. / Под ред. М. Грина. — М.: 1972. — 400 с.

73. Плешков А.П., Рембеза С.И. Исследование вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе пленок Sn02. Зонная структура гетероперехода n-Sn02/p-Si // Сб. «Твердотельная электроника и микроэлектроника», 2005, С. 23-27.

74. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл— полупроводник. / Под ред. В. С. Вавилова. — М.: Мир, 1975. — 432 с.

75. Малер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. — М.: Мир, 1989. —600 с.

76. Плешков А.П., Рембеза С.И. Определение основных параметров гетероструктур Sn02-Si из электрических измерений // Сб. «Охрана, безопасность и связь» 4.2. 2005. С. 88.

77. Рембеза С.И., Плешков А.П. Исследование вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур Sn02/Si // Тезисы докладов V Международной конференции "Электромеханика, электротехнологии и электроматериаловедение". Алушта, сентябрь 2003.

78. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. / Кн. 1, пер. с англ.-М: Мир, 1984. 456 с.

79. Плешков А.П., Рембеза С.И. Газовая чувствительность гетероструктур на основе Sn02-Si // Сб. «Охрана, безопасность и связь» 4.2. 2005. С. 87.