Электрофизические свойства субмикронных пленок полигетероариленов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, доктор физико-математических наук Корнилов, Виктор Михайлович

• Корнилов, Виктор Михайлович
• доктор физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Корнилов, Виктор Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ 12 ПРОБЛЕМЫ

1.1. Проводящие свойства полимеров

1.2. Эффекты переключения в различных материалах

1.3. Обсуждение существующих моделей

1.4. Эффекты переключения в пленках полиариленфталидов

1.5. Свойства полимеров, обеспечивающие их применение в качестве материалов для электроники. Размерные эффекты в тонких полимерных пленках

ГЛАВА II. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ 71 II. 1. Характеристика исследуемых полимеров 71 II.2. Физические методы исследований 75 И.З. Методика приготовления полимерных пленок

11.4. Результаты АСМ-контроля полимерных пленок

11.5. Методика подготовки металлических электродов

11.6. Описание экспериментальных установок 90 И.7. Анализ ошибок измерений

ГЛАВА III. ЭЛЕКТРОННОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ 102 ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ. ИНЖЕКЦИОННАЯ МОДЕЛЬ

III. 1. Исследование влияния диффузии материала электродов в полимер 102 на эффекты переключения

111.2. Влияние разности потенциалов на переход в ВПС

111.3. Исследование влияния внешних параметров на эффект 112 переключения

III.4: Анализ применимости инжекционной модели

111.5. Динамика вольтамперных характеристик в области перехода 127 образца в ВПС.

111.6. Эффект переключения при эволюции микроструктуры в наноструктурном металле

111.7. Влияние низкотемпературного отжига на эффект переключения

111.8. Влияние внешних параметров

ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛИМЕРНЫХ ПЛЕНОК 155 ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫМИ МЕТОДАМИ

IV. 1. Методика структурных исследований

IV.2. Наблюдение структуры полимерных пленок после различных 158 воздействий

IV.3. Диффузионное декорирование проводящих областей в 169 полимерной пленке

IV.4. Обсуждение результатов

IV.5. Методика исследования электронно-стимулированной 176 проводимости

IV.6. Эффекты переключения при электронной бомбардировке

IV.7. Оптические свойства облученных образцов

IV.8. Обсуждение результатов измерений

IV.9. Катодолюминесценция в тонких полимерных пленках

ГЛАВА V. МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ ТРАНСПОРТНОГО СЛОЯ

V. 1. Внутреннее строение и электропроводность полимерной пленки 203 V.2. Целенаправленное формирование проводящих каналов методами 211 сканирующей зондовой микроскопии

V.3. Формирование проводящих каналов: полимер на кремнии

V.4. Формирование проводящих каналов: полимер на металле

ГЛАВА VI. ЭМИССИОНЫЕ СВОЙСТВА КАТОДНЫХ СТРУКТУР С 224 ПОЛИМЕРНЫМИ ПОКРЫТИЯМИ

VI. 1. Структура металл-полимер-вакуум 224 VI.2. Планарная структура кремний-полимер-вакуум

ГЛАВА VII. ИССЛЕДОВАНИЕ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР Si-Si02 И Si- 250 Si02 - ПОЛИМЕР МЕТОДОМ СКАНИРУЮЩЕЙ ТУННЕЛЬНОЙ МИКРОСКОПИИ

VII. 1 Исследование структуры БьБЮг

VII.2. Исследование структуры ЗьБЮг-полимер

VII.3. Исследование эмиссионных и структурных характеристик 273 полимерных пленок с помощью СТМ

РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические свойства субмикронных пленок полигетероариленов»

Со времени появления полимерных материалов широко использовались их электроизолирующие свойства. В то же время шли интенсивные поиски материалов, способных заменить дорогостоящие металлы в электротехнике и полупроводники в радиоэлектронике и соединить легкость, хемостойкость и дешевизну полимеров с электропроводностью металлов. Кроме того, сама структура полимеров благоприятна для различного рода модифицирования полимерных цепей.

В конце семидесятых годов была обнаружена высокая проводимость в допированном полиацетилене. Это дало новый импульс работам по исследованию полимерных материалов как в плане расширения круга исследуемых веществ, так и в плане углубления теоретических разработок. Для объяснения высокой проводимости в полимерных материалах были привлечены такие объекты, как солитоны, поляроны и биполяроны, потребовалось развитие теории автолокализованных состояний и топологических дефектов.

Уникальное сочетание физических, химических и механических свойств полимеров делает их одними из наиболее перспективных материалов для использования в различных сферах нашей жизни. В последнее время большое внимание уделяется свойствам тонких пленок полимеров. Это обусловлено не только тенденцией развития современной информационной техники, но и теми необычными свойствами, которые демонстрируют некоторые представители этих синтетических органических материалов.

Являясь часто диэлектриками с сильно локализованными валентными электронами, эти материалы в тонких слоях могут демонстрировать очень высокую электропроводность без всякого допирования. Подобное поведение отмечалось в тонких диэлектрических пленках еще более 70-ти лет тому назад. Однако, до сих пор причины такого изменения свойств до конца не ясны. Накопленные к настоящему времени экспериментальные и теоретические результаты исследований позволяют предположить, что основы поведения органических полимерных и неорганических диэлектрических пленок имеют общую природу. И потому изучение полимеров может оказаться полезным в общенаучном плане.

Уместно отметить, что тонкие (микронные и субмикронные) слои диэлектриков также могут обладать повышенной и даже сверхпроводимостью при определенных условиях. В тонких пленках твердых диэлектриков реализуются такие явления, как эффекты близости и аномальной близости, эффекты электроформовки, мягкий и восстанавливаемый пробой, фриттинг, эффект электронного переключения и другие.

Многие из этих явлений объединяет несколько достаточно формальных параметров. В частности, они наблюдаются при толщинах меньших некоторой критической и в экспериментальной структуре типа «сэндвич»: металл-диэлектрик-металл (МДМ). Например, эффекты аномальной близости наблюдаются при толщине диэлектрика до нескольких десятков нанометров, электроформовки - нескольких сотен нанометров, «мягкий» пробой — до нескольких микрометров, так же как и эффекты переключения и фриттинг.

Следует отметить также явление эмиссии электронов сквозь тонкие диэлектрические слои (эффект Малтера), который наблюдается обычно в конкретном диапазоне толщин, характерном для каждого материала.

Подобное ограничение толщин в некоторых случаях связывают с такими параметрами носителей заряда, как глубина проникновения поверхностного заряда или длина когерентности куперовской пары, а высокую проводимость с резонансным туннелированием через относительно широкий потенциальный барьер специфической структуры. Металлические берега - электроды, между которыми располагается пленка, практически во всех этих экспериментах, необходимы, по-видимому, в качестве резервуара свободных носителей заряда, недостаток в которых испытывает диэлектрическая полимерная прослойка.

Наиболее сложной составляющей этой проблемы является вопрос о трансформации электронной структуры полимерного диэлектрика, в результате которой он становится хорошим проводником тока. До настоящего времени отсутствует общее представление о роли полимера в этом процессе. Спектр мнений довольно широк: от закорачивания между электродами через отверстия в полимерной пленке или дендритообразовании до генерации солитонноподобных возбуждений в полимерной цепи и возможности высокотемпературной сверхпроводимости. Вопрос усложняется тем, что проводимость в таких системах, как правило, неоднородная: в образцах возникают высокопроводящие области, окруженные диэлектрической матрицей.

Несмотря на большой объем экспериментальных результатов, накопленных за несколько десятилетий исследований, до сих пор нет единого мнения в ответе на вопрос: возможна ли высокая проводимость в тонких пленках полимеров, каковы условия ее возникновения и каков физический механизм переноса заряда в этом случае. Обусловлено это, по-видимому, наличием часто противоречивой информации, включая и многочисленные теоретические построения. Таким образом, вопрос об основных закономерностях явления электронного переключения и механизмах высокой проводимости полимерных тонкопленочных систем остается открытым.

В связи с этим настоящая работа посвящена экспериментальному исследованию явления электронного переключения в системе металл-полимер-металл (М-П-М) при различных внешних воздействиях в сочетании со структурным и морфологическим контролем как полимерных пленок, так и электродов.

В настоящей работе предпринята попытка разностороннего экспериментального исследования эффекта переключения в тонких пленках полимеров на примере одного их класса - полигетероариленов.

Представители этого класса - полиариленфталиды - по своим физико-химическим свойствам удобны для проведения такого рода исследований.

Основной акцент работы делался на нетрадиционные виды инициирования эффекта переключения. Обычно считается, что эффект переключения, как резкое изменение проводимости, может происходить в сильных электрических полях. В настоящей работе было сделана попытка расширить рамки этого явления и продемонстрировать возможность и свойства эффекта переключения, индуцированного давлением, вариацией граничных условий и электронной бомбардировкой в системе металл-полимер-металл.

Кроме того, впервые большое внимание уделено структурным исследованиям полимерных пленок, морфологии их поверхности, влиянию на структуру внешних воздействий.

Ожидалось, что такой подход к проблеме мог дать не только новые экспериментальные результаты, но и высветить проблему с новой точки зрения, и позволить приблизиться к пониманию существа явления высокой проводимости в тонких диэлектрических пленках полимеров.

Цель работы

Исследование совокупности физических явлений и процессов, приводящих к реализации эффектов переключения в тонких (субмикронных) пленках полигетероариленов.

В рамках поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Формулировка физического состояния структуры металл-диэлектрик-металл с учетом глубины проникновения объемного заряда и шнурования инжекционного тока.

2. Подбор и апробация- диэлектрического слоя, удовлетворяющего критериям постоянной толщины, термической и механической стабильности, технологичности.

3. Экспериментальное исследование эффектов переключения, вызванных различными внешними воздействиями.

4. Разработка и экспериментальная проверка физической модели, которая позволяет объяснить эффекты переключения в полимерных пленках свойствами внутренней (надмолекулярной) структуры полимерных пленок.

5. Экспериментальная проверка некоторых следствий из предложенной модели.

Научная новизна. Экспериментально обнаружено, что эффекты электронного переключения в тонких пленках полигетероариленов вызываются энергетически малыми внешними воздействиями. В качестве таких воздействий были использованы одноосное давление, изменение агрегатного состояния одного из электродов, структурные превращения в одном из электродов, электронная бомбардировка.

Проведено комплексное исследование методами просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии морфологии и структуры полимерных пленок, подвергнутых переключению в высокопроводящее состояние при помощи различных внешних воздействий.

Впервые показано, что проводящие каналы, визуализированные разными методами, локализованы на межглобулярных границах полимерной пленки. Впервые экспериментально продемонстрирована возможность целенаправленного создания проводящего канала в любой-точке полимерной пленки.

Исследование электрофизических свойств полимерных пленок вблизи порога переключения позволило предложить модель перехода в высокопроводящее состояние. Модель предполагает локальную модификацию энергетической структуры полимера, вызванную инжекцией заряда из электрода. В рамках инжекционной модели была изучена динамика электронных состояний вблизи порога переключения в высокопроводящее состояние.

Был впервые обнаружен и экспериментально исследован перенос заряда в структурах металл-полимер-вакуум и полупроводник-полимервакуум (электронная эмиссия). Показано, что эмиссия электронов является следствием локального переключения.

Благодаря возможностям сканирующей туннельной микроскопии была показана взаимосвязь эффектов переключения и эмиссионных свойств. Впервые методами сканирующей туннельной микроскопии была реализована возможность управления зарядовыми процессами в кремний-полимерных структурах.

Новое научное направление: Физика зарядовых процессов в субмикронных приэлектродных слоях неупорядоченных органических диэлектриков.

Практическая значимость работы во многом обусловлена потребностями современной микроэлектроники. Использованные в работе физические подходы и модели для описания эффектов переключения носят достаточно общий характер. Исследование и сравнение разных видов воздействия на полимерную пленку, приводящих к возникновению высокопроводящего состояния, способствует развитию теоретических представлений о механизме электронного переключения в разных классах объектов.

Реализуемые в полимерной пленке эффекты электронного переключения позволяют использовать структуры металл-полимер-металл в качестве энергонезависимых элементов памяти.

Результаты исследования инжекционных процессов на границе металл-полимер при фазовом или структурном переходе в металле позволяют использовать это явление для неразрушающей диагностики структурных превращений в металлах.

Результаты исследования эмиссионных свойств структур с полимерными покрытиями открывают возможности для создания новых типов ненакаливаемых катодов, плоских дисплеев и катодолюминесцентных источников света.

При исследовании кремний-полимерных структур методом сканирующей туннельной микроскопии осуществляется локальное воздействие на структуру и регистрируется результат воздействия в масштабе, близком к атомарному, что дает возможность записывать, перезаписывать и хранить информацию.

Публикации: По теме диссертации опубликовано: 1 монография (учебное пособие, в соавторстве), 44 статьи в отечественных и зарубежных рецензируемых научных изданиях (37 статей в перечне, рекомендованном ВАК), получено 3 патента.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Корнилов, Виктор Михайлович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Обобщение и анализ полученных результатов позволили сделать следующие выводы.

1. Эффекты переключения в субмикронных пленках полигетероариленов обусловлены шнурованием инжекционного тока

2. Обнаружены и детально исследованы условия, при которых тонкие пленки полимеров класса полигетероариленов переключаются в высокопроводящее состояние.

3. Причиной переключения может быть одноосное давление, фазовый переход (плавление) или структурная перестройка в металле одного из электродов. Переход в высокопроводящее состояние может быть реализован в результате непосредственной инжекции электронов в полимерный слой из электронного пучка.

4. Вблизи порога переключения, когда полимер еще находится в диэлектрическом состоянии, в нем формируется узкая подзона электронных ловушечных состояний. Эта стадия" характеризуется значительным увеличением концентрации объемного заряда, активационным типом переноса заряда, существенно нелинейной ВАХ, которую можно интерпретировать в рамках модели токов, ограниченных объемным зарядом, наличием И-образного участка ВАХ, эффектом памяти на ее падающем участке.

5. В высокопроводящем состоянии перенос заряда сквозь полимерную пленку происходит по проводящим каналам нанометровых размеров, при этом остальной объем полимера остается в диэлектрическом состоянии.

6. Проводящие каналы не являются следствием прямого контактирования электродов, прорастания металлических дендритов, электрического пробоя или комбинаций этих эффектов.

7. Проводящие каналы возникают вследствие взаимной ориентации боковых фрагментов макромолекул на межглобулярных границах.

8. Существует возможность целенаправленного формирования проводящих каналов в произвольной точке полимерной пленки.

9. В структурах металл-полимер-вакуум и полупроводник-полимер-вакуум наблюдается электронная эмиссия, что свидетельствует о транспорте электронов сквозь полимерную пленку.

10. Сканирующая туннельная микроскопия дает возможность картографировать поверхность структур с полимерными покрытиями, воздействовать на нее и регистрировать результаты воздействия. Подбором параметров сканирования можно осуществлять модификацию поверхности, ликвидировать модифицированные участки, реализовать циклы «запись-считывание-стирание-запись» и т.д.

Эффекты переключения в субмикронных пленках полигетероариленов объясняются перераспределением заряда в приэлектродной области полимера и шнурованием инжекционного тока.

Существует связь между надмолекулярной структурой и электрофизическими свойствами субмикронных пленок полигетероариленов.

Полученные результаты могут быть использованы на практике при конструировании энергонезависимых элементов памяти, датчиков структурных превращений в металлах, источников электронной эмиссии, систем записи информации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Использование органических материалов в качестве элементов электронных устройств известно давно, однако только в настоящее время возник настоящий научно-технический бум в связи с возможностью применения органических материалов в электронике. Полимеры в этом смысле - чрезвычайно благодарный материал как реальная альтернатива традиционным полупроводникам. В них аномально сильны проявления электрон-фононного взаимодействия, высока эффективность экситонных процессов. В настоящее время благодаря достижениям химиков - синтетиков сложилась уникальная возможность получения в распоряжение экспериментаторов материалов с предсказуемыми электронными свойствами.

Необычные электрофизические свойства тонких полимерных пленок, изготовленных из материалов с большой шириной запрещенной зоны, представляются вполне закономерными с точки зрения фундаментальных представлений об инжекции заряда в органическую среду, его транспорта и релаксации. Низкие пороги переключения проводимости с помощью различных физических полей, и обратимость этих эффектов открывает широкие перспективы применения таких материалов в современных технологиях и приборах.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Корнилов, Виктор Михайлович, 2009 год

1. Электрические свойства полимеров, под ред. Б.И.Сажина, Л., Химия, 1986.

2. Коулсон Ч. Валентность. М.: Мир, 1965.

3. Поуп М., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах. В 2-х т. т.1. М.: Мир, 1985.

4. Su W.R., Schrieffer J.R., Heeger A.J. Solitons in polyacetylene. Phys. Rev. Lett, 42, 1698 (1979)

5. Su W.R, Schrieffer J.R, Heeger A.J. Soliton excitation in polyacetylene. Phys. Rev. B, 22,2099 (1980)

6. Moons E. Conjugated polymer blends: linking film morphology to performance of light emitting diodes and photodiodes. J. Phys. Condens. Matter, 14,12235 (2002)

7. Halik M., Klauk H, Zschieschang U. et al. Low-voltage organic transistors with an amorphous molecular gate dielectric. Nature, 431, 963 (2004)

8. Xiong Z. H, Di Wu, Valy Vardeny Z., Jing Shi. Giant magnetoresistance in organic spin-valves. Nature, 427, 821 (2004)

9. Wang C.L, Su Z.B, Martino F. Bypolaron dynamics in nearly degenerate quasi-one-dimensional polymers. Phys. Rev. B, 33, 1512 (1986)

10. Бразовский С.А, Кирова H.H. Экситоны, поляроны и биполяроны в проводящих полимерах. Письма в ЖЭТФ, 33, 6 (1981)

11. Campbell D.K, Bishop A.R. Solitons in polyacetylene and relativistic-field-theorie models. Phys. Rev. B, 24, 4859 (1981)

12. Yu L. Solitons and polarons in conducting polymers. World Scientific Publishing Co, Pfe. Ltd, 1988.

13. Moses D, Denenstein A, Chen J, Heeger A.J, McAndrew P, Woerner T, Macdiarmid A.G, Park Y.W. Effect of nonuniform doping on electrical transport in trans-(CH)x. Studies of the semiconductor-metal transition. Phys. Rev. B, 25, 7652 (1982)

14. Peo M., Roth S., Dransfeld K., Tieke B., Hocker J., Gross H., Grupp A., Sixl H. Apparent absense of Pauli paramagnetism in metallic polyparaphenylene. Solid State Commun., 35, 119 (1980)

15. Conwell E.M., Mizes H.A. Metallic state of polymers with nondegenerate ground state. Phys. Rev. B, 44, 937 (1991)

16. Bredas J.L., Themans B., Fripiat J.G., Andre J.M., Chanse R.R. Highly conducting polyparaphenylene, polypyrrole and polythiophene chains. Ab initio study of the geometry and electronic structure modification upon doping. Phys. Rev. B, 29, 6761 (1984)

17. Kivelson S., Heeger A.J. First-order transition to a metallic state in polyacetylene: A Strong-Copuling Polaronic Model. Phys. Rev. Lett., 55, 308 (1985)

18. Ginder J.M., Richter A.F., MacDiarmid A.G., Epstein A.J. Insulator-to-metal transition in polyacetylene. Solid State Commun., 63, 97 (1987)

19. Stafstrom S., Bredas J.L., Epstein A.J., Woo H.S., Tanner D.B., Huang W.S., MacDiarmid A.G. Polaron lattice in highly conducting polyaniline: theoretical and optical studies. Phys. Rev. Lett., 59, 1464 (1987)

20. Longlund M., Lazzaroni R., Stafstrem S., Salaneck W.R., Bredas J.L. Direct observation of charge-induced electronic structural changes in a conjugated polymer. Phys. Rev. Lett., 63, 1841 (1989)

21. Stafstrem S., Bredas J.L. Evolution of the electronic structure of polyacetylene and polythiophene as a function of doping level and lattice conformation. Phys. Rev. B, 38, 4180 (1988)

22. Prigodin V.N., Firsov Y.A. Weller W. Localization in a system of N coupled chains. Solid State Commun., 59, 729 (1986)

23. Javadi H.H.S., Chakraborty A., Li C., Theophilou N., Swanson D.B., MacDiarmid A.G., Epstein A.J. Highly conducting polyacetylene. Three-dimensional derealization. Phys. Rev. B, 43, 2183 (1991)

24. Nogami Y., Kaneko H., Ishiguro T., Sasaki T., Toyota N., Talcahashi A., Tsukamoto J. Low-temperature electrical conductivity of highly conducting polyacetylene in magnetic field. Phys. Rev. B, 43, 11829 (1991)

25. Jerome D., Schulz H.J. Highly conducting quasi-one-dimensional organic crystals. Semiconductors and semimetals, Edited by Conwell E.M., Springer-Verlag, Berlin 1988. - V27.

26. Shchegolev L.E. Electric and magnetic properties of linear conducting chains. Phys. Status Solidi A, 12, 9 (1972)

27. Basescu N., Liu Z.X., Moses D., Heeger A.J., Naarmann H., Theophilou N. High electrical conductivity in doped polyacetylene. Nature, 327, 403 (1987)

28. Theophilou N., Swanson D.B., MacDiarmid A.G., Chakraborty A., Javadi H.H.S., McCall R.P., Treat S.P., Zuo F., Epstein A.J. Highly conducting polyacetylene. Synth. Met., 28, D35 (1989)

29. Kivelson S.A., Heeger A.J. Intrinsic conductivity of conducting polymers. Synth. Met.,22, 371 (1988)

30. Zuo F., Angelopulos M., MacDiarmid A.G., Epstein A.J. Transport studies of protonated emeraldine polymer: a granular polymeric metal system. Phys. Rev. B, 36,3475 (1987)

31. Wang Z.H., Li C., Scherr E.M., MacDiarmid A.G., Epstein A.J. Three dimensionality of "metallic" states in conducting polymers. Phys. Rev. Lett., 66, 1745 (1991)

32. Wang Z.H., Scherr E.M., MacDiarmid A.G., Epstein A.J. Transport and EPR studies of poly aniline: a quasi-one-dimensional conductor with three-dimensional "metallic" states. Phys. Rev. B, 45, 4190 (1992)

33. Firsov Y.A., In: Localization and metal-insulator transition, Edited by H.Fritzsche and D.Adler, Plenum, New York, 1985. P.471.

34. Thouless D.J. Maximum metallic resistance in thin wires. Phys. Rev. Lett., 39, 1167(1977)

35. Крейнина Г.С., Селиванова Л.Н., Шумская Т.И. Эмиссия и проводимость катода типа конденсатора. Радиотехника и электроника, 5,1338 (1960)

36. Pearson A.D., Northover W.R., Dewald I.F., Peck W.I.Iz. Chemical, Physical and Electrical Properties of Some Unusual Inorganic Glasses. Adv. in glass technol. Plenum. Press, N.-Y. - 1962. - P.357-371.

37. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Вольтамперная характеристика точечного контакта со стеклообразным полупроводником. Радиотехника и электроника, 8, 2097 (1963)

38. Ovshinsky S.R. U.S. Patent №3.721.591, 6 Sept. 1966.

39. Ovshinsky S.R. Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures. Phys. Rev.Lett., 21, 1450 (1968)

40. Gregor L.V., Kaplan L.H. Electrical Conductivity of Thin Polymer Films. Thin Solid Films, 2, 95 (1968)

41. Kevorkian J., Labes M.M., Larson D.C., Wu D.C. Bistable Switching in Organic Thin Films. Discuss. Faraday Soc., 51, 139 (1971)

42. Pender L.F., Fleming R.G. Memory Switching in Glow Discharge Polymerized Thin Films. J. Appl. Phys., 46, 3426 (1975)

43. Hogarth C.A., Zov M. Some Observation of Voltage-induced Conductance in Thin Films of Evaporated Polyethylene. Thin Solid Films, 27, L5 (1975)

44. Phadke S.D., Sathianandan K., Karekar R.N. Electrical Conduction in Polyferrocene Thin Films. Thin Solid Films., 51, L9 (1978)

45. Staryga E., Swiatek J. The Electrical Conductivity in Thin Polycrystalline p-terphenyl Films. Thin Solid Films., 56, 311 (1979)

46. Bollard W.P., Christy P.W. Switching Effect in Electron-beam Deposited Polymer Films. J. Non-Cryst. Solids, 17, 81 (1975)47. van Roggen A. Electronic Conduction of Polymer Single Crystals. Phys. Rev. Lett. 9, 368 (1962)

47. Sakai Y., Sadaoka Y., Okada G. Switching in Poly-N-vinylcarbazole Thin Films. Polymer J., 15, 195 (1983)

48. Sakai Y., Sadaoka Y., Okada G. Switching in Polysterene and Polymethyl Methcrylate Thin Films. Effect of Preparation Conditions of Polymers. J. Mater. Sci., 19, 1333 (1984)

49. Jerome D., Mazaud A., Ribault M., Bechgaard K. Superconductivity in a synthetic organic conducor (TMTSF)2PF6. J. de Physique. Lett., 41, L95 (1980)

50. Chang C.K., Fincher C.R., Park Y.W., Heeger A.J., Shirakawa H., Louis E.J., Gau S.C., MacDiarmid A.G. Electrical Conductivity in Doped Polyacetylene. Phys. Rev. Lett., 39, 1098 (1977)

51. Ениколопян H.C., Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А. Аномально низкое электрическое сопротивление тонких пленок диэлектриков. Письма в ЖЭТФ, 33, 508 (1980)

52. Ениколопян Н.С., Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А. Новое высокопроводящее состояние композиций металл полимер. ДАН СССР, сер. Физ. химия, 258, 1400 (1981)

53. Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А., Овчинников А.А., Ениколопян Н.С. О возможном механизме аномально высокой проводимости тонких пленок диэлектриков. ДАН СССР, сер. Физ. химия, 260, 1386 (1981)

54. Гутман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники, М.: Мир, 1970. 155 с.

55. Смирнова С.Г., Григоров Л.Н., Галашина Н.М., Ениколопян Н.С. Зависимость сопротивления сверхтонких слоев полипропилена от их толщины. ДАН СССР, 283, 176 (1985)

56. Смирнова С.Г., Демичева О.В., Григоров Л.Н. Аномальный ферромагнетизм окисленного полипропилена. Письма в ЖЭТФ, 48, 212 (1988)

57. Ениколопян Н.С., Григоров Л.Н., Смирнова С.Г. Возможная сверхпроводимость окисленного полипропилена в области 300 К. Письма в ЖЭТФ, 49, 326 (1989)

58. Igbal T, Hogart S.A. Space charge limited current in evaporated polypropylene. Int. J. Electron, 61, 555 (1986)

59. Усиченко B.M, JIocoto А.П, Ванников A.B, Будницкий Ю.М, Акутин М.С. Явление проводимости в тонких полипропиленовых пленках. ДАН СССР, 296, 1414 (1987)

60. Архангородский В.М, Гук Е.Г, Ельяшевич A.M., Ионов А.Н, Тучкевич В.М, Шлимак И.С. Высокопроводящее состояние в пленках окисленного полипропилена. ДАН СССР, 309, 603 (1989)

61. Белошенко В.А, Дьяконов В.П, Замотаев П.В, Набялек А, Пехота С, Прохоров А.П. К вопросу о ферромагнетизме атактического полипропилена. ЖТФ, 64, 75 (1994)

62. Демичева О.В, Рогачев Д.Н, Смирнова С.Г, Шклярова Е.И, Яблоков М.Ю, Андреев В.М, Григоров Л.Н. Разрушение сверхвысокой проводимости окисленного полипропилена критическим током. Письма в ЖЭТФ, 51, 228 (1990)

63. Григоров Л.Н. О физической природе сверхпроводящих каналов полярных эластомеров. Письма в ЖТФ, 17, 45 (1991)

64. Takahashi A, Yamamoto S, Fukutome Н. Superpolaron Model for Metallic Polyacetylene. J. Phys. Soc. Jap, 61, 199 (1992)

65. Демичева О.В, Смирнова С.Г, Андреев В.М, Григоров Л.Н. Аномально высокая электропроводность и магнетизм в пленках силиконового каучука. ВМС, Б, 32, 3 (1990)

66. Демичева О.В, Шклярова Е.И, Волкова А.В, Смирнова С.Г, Андреев В.М, Рогачев Д.Н, Григоров Л.Н. Природа электрофизических аномалий тонких пленок полиуретана. ВМС, Б, 32, 659 (1990)

67. Grigorov L.N, Andrejev V.M, Smirnova S.G. New mechanism of the formation of superconductive ferromagnetizm structure in elastmers without conjugation in the backbones. Macromol. Chem, Macromol. Symp, 37, 177 (1990)

68. Шклярова Е.И., Смирнова С.Г., Григоров JI.H. Новый тип поляризации в пленках окисленного полипропилена. ВМС, 31, 885 (1990)

69. Архангородский В.М., Ионов А.Н., Тучкевич В.М., Шлимак И.С. Сверхвысокая проводимость при комнатной температуре в окисленном полипропилене. Письма в ЖЭТФ, 51, 56 (1990)

70. Тучкевич В.М., Ионов А.Н. К вопросу о сверхвысокой проводимости полипропилена. Письма в ЖТФ, 16, 90 (1990)

71. Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.М. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении. Письма в ЖЭТФ, 52, 742 (1990)

72. Скалдин О.А., Жеребов А.Ю., Делев В.В., Лачинов А.Н., Чувыров А.Н. Зарядовая неустойчивость в тонких пленках органических полупроводников. Письма в ЖЭТФ, 51, 141 (1990)

73. Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Ривкин М.М., Тучкевич В.М. Эффект переключения с памятью и проводящие каналы в структурах металл-полимер-металл. ФТТ, 34, 3457 (1992)

74. Коломиец Б.Т., Калмыкова Н.П., Лебедев Э.А., Таксами И.А., Шпунт В.Х. Локальное легирование и эффект памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. ФТП, 14, 726 (1980)

75. Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems. VII. Non-ohmic behaviour and switching. Phil.Mag., 24, 911 (1971)

76. Bogomolov V.N., Kolla E.V., Kumzerov Yu.A. Determination on critical temperature of the ultrathin metals filaments superconducting transition and its dependence on the filament diameter. Sol.State Communs., 46, 383 (1983)

77. Giordano N. Experimental study of localization in thin wires. Phys.Rev., 22, 5635 (1980)

78. Larkin A.I., Ovchinnilcov Yu.N. Fluctuation conductivity in the vicinity of the superconducting transition. J. Low Temp. Phys., 10, 407 (1973)

79. Bogomolov V.N., Kolla E.V., Kumzerov Yu.A. Determination on critical temperature of the ultrathin metals filaments superconducting transition and its dependence on the filament diameter. Sol. State Communs., 46, 159 (1983)

80. Хоэнберг П. Дальний порядок при сверхпроводящем переходе. УФН, 102, 239 (1970)

81. Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Кудрявцев В.В., Ривкин М.М., Светличный В.М., Скляр И.Е., Тучкевич В.М. «Сенсорный» эффект в структурах металл полиимид — металл. ВМС, 36, 50 (1993)

82. Agrinskaya N.V., Kozub V.I. On Mechanism of formation of highly-conducting channels in polymer film. Solid State Comm., 106, 111 (1998)

83. Пономарев О.А., Шиховцева E.C. Механизм влияния давления и поля на электропроводность сопряженных полимеров с изолирующими мостиками. ЖЭТФ, 107, 637 (1995)

84. Вонсовский B.C., Свирский М.С., Свирская JI.M. К теории состояния высокой проводимости. ФММ, 1, 37 (1992)

85. Попов Б.П., Цэндин К.Д. Модель высокотемпературной сверхпроводимости в низкоразмерных полупроводниках и полимерах. Письма в ЖТФ, 24, 45 (1998)

86. Eagles D.M. Possible High-current superconductivity at room temperature in oxidized polypropylene and other quasi one-dimensional systems. Physica C, 225, 222(1994)

87. Parmenter R.H. High-current superconductivity. Phys. Rev., 116, 1390 (1959)

88. Элиашберг Г.М. Взаимодействие электронов с колебаниями решетки в сверхпроводнике. ЖЭТФ, 38,966(1960)

89. Шиховцева Е.С., Пономарев О.А. Устойчивость перехода диэлекрик-металл в кислородсодержащих полимерах. Письма в ЖЭТФ, 64, 468 (1996)

90. Шиховцева Е.С., Пономарев О.А. Солитон-антисолитонные столкновения при фазовых переходах в тонких пленках кислородсодержащих полимеров. Письма в ЖЭТФ, 66, 31 (1997)

91. Петров А.А., Гоникберг М.Г., Салазкин С.Н., Анели Дж.Н., Выгодский Я.С. Поведение замещенных дифенилфталидов и соответствующих лактамов в условиях высокого давления и напряжений сдвига. Известия АН СССР, сер. хим., 2, 279 (1968)

92. Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Тучкевич В.М., Борисова М.Э., Галюков О.В., Койков С.Н. Локальная металлическая проводимость тонких пленок полиимида как результат "мягкого" электрического пробоя. Письма в ЖТФ, 23, 8 (1997)

93. Григоров Л.Н., Дорофеева Т.В., Краев А.В., Рогачев Д.Н., Демичева О.В., Шклярова Е.И., О двух принципиально различных механизмах локальной проводимости полимерных диэлектриков. ВМС А, 38, 2011 (1996)

94. Elyashevich A.M., Kiselev A.A., Liapzev A.V., Miroshnichenko G.P., А Model of a conductive channel in a thin insulating films. Physics Leters A, 156, 111 (1993)

95. Девятов И.А., Куприянов М.Ю. Резонасное туннелирование и "longrange proximity effect". Письма в ЖЭТФ, 59, 187 (1994)

96. Брагинский Л.С., Баскин Э.М. Неупругое резонансное туннелирование. ФТТ, 40, 1151 (1998)

97. Ионов А.Н., Закревский В.А. Эффект Джозефсона в структуре металл — полидиметилсилоксан металл. Письма в ЖТФ, 26, 34 (2000)

98. Chia-Hsun Tu, Dim-Lee Kwong, Yi-Sheng Lai. Negative differential resistance and electrical bistability in nanocrystal organic memory devices. Appl.Phys.Lett. 89, 252107 (2006)

99. Woo-Jun Yoon, Sung-Yong Chung, Paul R. Bergera, Sita M. Asar. Room-temperature negative differential resistance in polymer tunnel diodes using athin oxide layer and demonstration of threshold logic. Appl.Phys.Lett. 87, 203506 (2005)

100. Ricky J. Tseng, Jianyong Ouyang, Chih-Wei Chu et al. Nanoparticle-induced negative differential resistance and memory effect in polymer bistable light-emitting device. Appl.Phys.Lett. 88, 123506 (2006)

101. Jian Lin and Dongge Ma. The morphology control of pentacene for write-once-read-many-times memory devices. J.Appl.Phys. 103, 024507 (2008)

102. Jiangshan Chen and Dongge Ma. Single-layer organic memory devices based onN,N-di(naphthalene-l-yl)-N,N-diphenyl-benzidine. Appl.Phys.Lett. 87, 023505 (2005)

103. A. Kiesowa, J. E. Morris, C. Radehaus, A. Heilmann. Switching behavior of plasma polymer films containing silver nanoparticles. J.Appl.Phys. 94, 6988 (2003)

104. Jian Hu, Paul Stradins, Howard M. Branz et al. Switching behavior of microcrystalline silicon deposited by hot-wire chemical vapor deposition. J.Appl.Phys. 97, 073709 (2005)

105. M. L. Wang, J. Zhou, X. D. Gao et al. Delayed-switch-on effect in metal-insulator-metal organic memories. Appl.Phys.Lett. 91, 143511 (2007)

106. Qianxi Lai, Zuhua Zhu, Yong Chena et al. Organic nonvolatile memory by dopant-configurable polymer. Appl.Phys.Lett. 88, 133515 (2006)

107. Christopher Pearson, Jin H. Ahn, Mohammed F. Mabrook et al. Electronic memory device based on a single-layer fluorene-containing organic thin film. Appl.Phys.Lett. 91, 123506 (2007)

108. Sang-Hyun Hong, Ohyun Kim, Seungchel Choi and Moonhor Ree. Bipolar resistive switching in a single layer memory device based on a conjugated copolymer. Appl.Phys.Lett. 91, 093517 (2007)

109. Frank Verbakel, Stefan C. J. Meskers, René A. J. Janssen et al. Reproducible resistive switching in nonvolatile organic memories Appl.Phys.Lett. 91, 192103 (2007)

110. R. Dong, D. S. Lee, W. F. Xiang et al. Reproducible hysteresis and resistive switching in metal-CuxO-metal heterostructures. Appl.Phys.Lett. 90, 042107 (2007)

111. M.J.Sanchez, M.J.Rozenberg, I.H.Inoue. A mechanism for unipolar resistance switching in oxide non-volatile memory devices. arXiv: cond-mat/0707.3077vl, 20 Jul 2007

112. I.H.Inoue, S.Yasuda, H.Akinaga, and H.Takagi. Nonpolar resistance switching of metal/binary-transition-metal oxides/metal sandwiches: homogeneous/inhomogeneous transition of current distribution. arXiv:cond-mat/0702564vl, 26 Feb 2007

113. Anirban Bandhopadhyay and Amlan J. Pal. Large Conductance Switching and Binary Operation in Organic Devices: Role of Functional Groups. J. Phys. Chem. B 107, 2531 (2003)

114. A.Beck, J.G.Bednorz, Ch.Gerber, C.Rossel, and D.Widmer Reproducible switching effect in thin oxide films for memory applications. Appl.Phys.Lett. 77, 139 (2000)

115. C. Rossel, G. I. Meijer, D. Bremaud, and D. Widmer. Electrical current distribution across a metal-insulator-metal structure during bistable switching. arXiv:cond-mat/0104452 vl 24 Apr 2001

116. Chia-Hsun Tu, Yi-Sheng Lai, and Dim-Lee Kwong Electrical switching and transport in the Si/organic monolayer/Au and Si/organic bilayer/Al devices. Appl.Phys.Lett. 89, 062105 (2006)

117. Jiangshan Chen, Liling Xu, Jian Lin, Yanhou Geng et al. Negative differential resistance effect in organic devices based on an anthracene derivative. Appl.Phys.Lett. 89, 083514 (2006)

118. Kehui Wu, X. R. Wang, S. Liu. Bistable characteristic and current jumps in field electron emission of nanocrystalline diamond films. J.Appl.Phys. 90, 4810(2001)

119. Ajit Kumar Mahapatro, Ruchi Agrawal, and Subhasis Ghosh. Electric-field-induced conductance transition in 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3). J.Appl.Phys. 96, 3583 (2004)

120. D. K. Sarkar, F. Cloutier, and M. A. El Khakania. Electrical switching in sol-gel derived Ag-Si02 nanocomposite thin films. J.Appl.Phys. 97, 084302 (2005)

121. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim et al. Resistive switching mechanism of Ti02 thin films grown by atomic-layer deposition. J.Appl.Phys. 98, 033715 (2005)

122. Anirban Bandyopadhyay and Amlan J. Pala. Large conductance switching and memory effects in organic molecules for data-storage applications. Appl.Phys.Lett. 82, 1215 (2003)

123. Takahito Oyamada, Haruo Tanaka, Kazumi Matsushige et al. Switching effect in Cu:TCNQ charge transfer-complex thin films by vacuum codeposition. Appl.Phys.Lett. 83, 1252 (2003)

124. D. Tondelier, K. Lmimouni, D. Vuillaumea et al. Metal/organic/metal bistable memory devices. Appl.Phys.Lett. 85, 5763 (2004)127Jun He, Liping Ma, Jianhua Wu, and Yang Yang. Three-terminal organic memory devices. J.Appl.Phys. 97, 064507 (2005)

125. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo et al. Reproducible resistance switching in polycrystalline NiO films. Appl.Phys.Lett. 85, 5655 (2004)

126. Yi-Sheng Lai, Chia-Hsun Tu, Dim-Lee Kwong, J. S. Chen. Bistable resistance switching of poly(N-vinylcarbazole) films for nonvolatile memory applications. Appl.Phys.Lett. 87, 122101 (2005)

127. M. Lauters, В. McCarthy, D. Sarid, and G. E. Jabboura. Nonvolatile multilevel conductance and memory effects in organic thin films. Appl.Phys.Lett. 87, 231105 (2005)

128. Dooho Choi, Dongsoo Lee, Hyunjun Sim, Man Chang, and Hyunsang Hwanga. Reversible resistive switching of SrTiOx thin films for nonvolatile memory applications. Appl.Phys.Lett. 88, 082904 (2006)

129. Jianyong Ouyang, Chih-Wei Chu, C.R.Szmanda, Liping Ma, Yang Yang. Programmable polymer thin film and non-volatile memory device. Nature materials, 3, 918 (2004)

130. А.Ю.Жеребов, А.Н.Лачинов, J.Genoe, А.Р.Тамеев, А.В.Ванников. Исследование бистабильного электронного переключения в полиариленфталидах. Письма в ЖТФ, 34, 46 (2008)

131. И.А.Чабан. Эффект переключения в халькогенидных стеклах. ФТТ, 49, 405 (2007)

132. Лачинов А.Н., Золотухин М.Г., Жеребов А.Ю., Салазкин С.Н., Чувыров А.Н., Валеева И.Л. Биполяронная проводимость полимеров, стимулированная аномальной термической поляризуемостью молекулы. Письма в ЖЭТФ, 44, 272 (1986)

133. Лачинов А.Н., Ковардаков В.А., Чувыров А.Н. Влияние объемного заряда на электронное переключение в полупроводниковых полимерах. Письма в ЖТФ, 15, 24 (1989)

134. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.:Мир, 1973.-416 с.

135. Золотухин М.Г., Лачинов А.Н., Салазкин С.Н., Сангалов Ю.А., Никифорова Г.И., Панасенко А.А., Валямова Ф.А. Термостимулированная проводимость поли(ариленфталидов). ДАН СССР, 302,365 (1988)

136. Лачинов А.Н., Золотухин М.Г. Нетрадиционный механизм допирования в полиариленфталидах. Письма в ЖЭТФ, 53, 297 (1991)

137. Zykov B.G., Baydin V.N., Bayburina Z.Sh., Timoshenko V.V., Lachinov A.N., Zolotuchin M.G. Valence electronic structure of phtalide-based polymers. J. El. Spectr. Rel. Phenom., 61, 123 (1992)

138. Fesser K., Bishop A.R., Campbell D.H. Optical absorption from polarons in a model of polyacetylene. Phys. Rev. B, 27, 4804 (1983)

139. Де Жен П. Физика жидких кристаллов. М.: Мир, 1977. 440 с.

140. Невская Г.Е., Рубцов А.Е. Изучение дефектов в диэлектрических покрытиях кремния с помощью нематических жидких кристаллов. Поверхность. Физика, химия, механика, 7, 117 (1989)

141. Скалдин O.A. Локальная проводимость тонких пленок полимеров. Письма в ЖТФ, 17, 64 (1991)

142. Moses D., Felblum А., Ehrenfreund Е., Heeger A.J., Chung Т., MacDiarmid A.G. Pressure dependence of the photoabsorpation of polyacetylene. Phys. Rev. B, 26, 3361 (1982)

143. Brillante A., Hanfland M., Syassen K., Hocker J. Optical studies of polyacetylene underpressure. PhysicaB, 139-140, 533 (1986)

144. Lundberg В., Sundqvist В., Inganas O. et al. Pressure Dependent Electrical Conductivity of Polypyrrole. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 118, 155 (1985)

145. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu., Scaldin O.A. Electronic Instabilities in Polyphthalidilidenarylene Thin Films. Possible Applications. Synth. Metals., 41-43, 805 (1991)

146. Zherebov A.Yu., Lachinov A.N. On the mutual influence of uniaxial pressure and electrical field on the electronic instabilities in polydiphenylenephtalide. Synth. Metals., 44, 99 (1991)

147. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu., Kornilov V.M. Influence of uniaxial pressure on conductivity of polydiphenylenepthalide. Synth. Metals., 44, 111 (1991)

148. Френкель И. О предпробойных явлениях в изоляторах и электронных полупроводниках. ЖТФ, 5, 685 (1938)

149. Lachinov A.N. Polymer films as a material for sensors. Sensors and Actuators A, 39, 1 (1993)

150. Heine V. Theory of Surface State. Phys.Rev. A, 138, 1689 (1965)

151. Zherebov A.Yu., Lachinov A.N. On the influence of trapping states on electronic instabilities in polydiphenylenephtalide. Synth.Metals., 46, 1811992)

152. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu. Thermostimulated instabilities in thin PPB films. Synth. Metals., 55-57, 530 (1993)

153. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu., Zolotukhin M.G. Thermostimulated switching in thin polymer films. Synth. Metals., 59, 377 (1993)

154. Скалдин O.A., Селезнева O.A. Токовый шум в тонких пленках полимеров в окрестности перехода диэлектрик-металл. Письма в ЖЭТФ, 56,31 (1992)

155. Лачинов А.Н., Гоц С.С., Амирханов Р.Н. Некоторые характеристики электрического шума в электроактивном полимере. Письма в ЖТФ, 19, 48 (1993)

156. Bakhtizin R.Z., Ghots S.S., Cherrin-Yakhnuuk I.M. Recent results of modeling of statistic characteristics of semiconductor field emitters. Journal de Physique, 48, 203 (1987)

157. Bakhtizin R.Z., Ghots S.S. Statistical model of semiconductor field emitter. Surface Science, 266, 121 (1992)

158. Антипин B.A., Валеева И.Л., Лачинов A.H. Электролюминесценция в тонких пленках полимеров, обладающих аномально высокой проводимостью. Письма в ЖЭТФ, 55, 526 (1992)

159. Валеева И.Л., Антипин В.А., Лачинов А.Н., Золотухин М.Г. Электролюминесценция в тонких пленках полимеров с невырожденным основным состоянием. ЖЭТФ, 105, 156 (1994)

160. Валеева И.Л., Лачинов А.Н. Роль поляронных состояний в фотолюминесценции полиариленфталидов. Химическая физика, 12, 511993)

161. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В двух частях. 4.2: Пер. с англ. М.: Мир, - 1984. - 368 с.

162. Wu C.R., Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Kugler Т., Rasmusson J., Salaneck W.R. The chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly(3,3'-phthalidyliden-4,4'-biphenylilene) Synth. Metals, 67, 125 (1994)

163. Johansson N, Lachinov A.N, Stafstrom S, Salaneck W.R. A theoretical study of the chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly(3,3'-phthalidyliden-4,4'-biphenylilene). Synth. Metals, 67, 319 (1994)

164. Bredas J.L, Chance R.R, Silbey R, Nicolas G, and Durand Ph. A nonempirical effective Hamiltonian technique for polymers: Application to polyacetylene and polydiacetylene. J. Chem. Phys, 75, 255 (1981)

165. Зыков Б.Г, Васильев Ю.В, Фалько B.C., Лачинов А.Н, Хвостенко В.И, Гилева Н.Г. Резонансный захват электронов низких кинетических энергий молекулами производных фталида. Письма в ЖЭТФ, 64, 402 (1996)

166. Christophorou L.G, Carter J.G, and Christodoulides A.A. Long-lived parent negative ions in p-benzoquinone formed by electrone capture in the field of the ground and excited states. Chem. Phys. Lett, 3, 237 (1969)

167. Allan M. J. Energies and decay channels of negative ion resonances in acetaldehyde. Electron Spectros. Relat. Phenom, 48, 219 (1989)

168. Миронов В.А, Янковский С.Я. Спектроскопия в органической химии. -М.: Химия, 1985.-317 с.

169. Matlak М, Pietruszka, Е. Rowinski. Experimental method to detect phase transitions via the chemical potential. Phys. Rev. B, 63, 052101 (2001)

170. Gatner K, Lachinov A.N, Matlak M. et al. Fermi level and phase transformations in GdCo2- arXiv cond-mat/0503432,1, (2005).

171. Schmidt G, Ferrand D, Molenkamp L.W. et al. Fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor. Phys. Rev. B, 62, R4790 (2000)

172. Smith D.L, Silver R.N. Electrical spin injection into semiconductors. Phys. Rev. B, 64, 045323 (2001)

173. LeClair P, Swagten H. J, Kohlhepp J.T. et al. Apparent Spin Polarization Decay in Cu-Dusted Co/A1203/Co Tunnel Junctions. Phys. Rev. Lett, 84, 2933 (2000)

174. Игнатенко C.A, Данилюк АЛ, Борисенко B.E. Осцилляции туннельного магнитосопротивления в структуре ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик. ЖТФ, 75, 8 (2005)

175. Игнатенко С.А, Борисенко В.Е. Спиновой фильтр на квантовом точечном контакте в разбавленном магнитном полупроводнике. ФТП, 39, 1083 (2005)

176. Johnson М, Silsbee R.H. Interfacial charge-spin coupling: Injection and detection of spin magnetization in metals. Phys. Rev. Lett, 55, 1790 (1985)

177. Johnson M, Silsbee R.H. Spin-injection experiment. Phys. Rev. B, 37, 5326 (1988)

178. Аплеснин С.С, Рябинкина Л.И, Абрамова Г.М. и др. Спин-зависимый транспорт в монокристалле alpha-bAnS. ФТТ, 46, 20002004)

179. Baibich M.N, Broto J.M, Fert A. F. et al. Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices. Phys. Rev. Lett, 61, 2472 (1988)

180. Berciu M, Rappoport T. G. and Janco B. Manipulating spin and charge in magnetic semiconductors using superconducting vortices. Nature, 435, 712005)

181. Берашевич Ю.А. Данилюк А.Л., Холод А.Н., Борисенко В.Е. Перенос носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участием ловушек. ФТП, 35, 110 (2001)

182. Борухович А.С. Особенности квантового туннелирования в мультислоях и гетероструктурах, содержащих ферромагнитные полупроводники. УФН, 169, 737 (1999)

183. Kim Louis and Xenophon Zotos. Spin conductance in one-dimensional spin-phonon systems. Phys. Rev. B, 72, 214415 (2005)

184. Вонсовский С. В., Свирский М. С., Свирская Л.М. Физика магнитных материалов, 1 36 (1992)

185. Nijankovskii V.I. and Zybtzev S.G. Investigation of the influence of a magnetic field on the chemical potential of electrons in superconducting and ferromagnetic thin films. Phys. Rev. B, 50, 1111 (1994)

186. Воробьева H.B., Лачинов A.H., Логинов Б.А. Гигантское магнетосопротивление в системе Fe/Ni-полимер-Си. Поверхность, 5, 22 (2006)

187. А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов, Т.Г.Загуренко, А.Ю.Жеребов. К вопросу о высокой проводимости несопряженных полимеров. ЖЭТФ, 129, 728 (2006)

188. Ионов А.Н., Лачинов А.Н., Ренч Р., Сверхпроводящий ток в тонкой пленке полифталидилиденбифенилена. Письма в ЖТФ, 28, 69 (2002)

189. Закревский В.А., Ионов А.Н., Лачинов А.Н. Аномально высокая проводимость в тонкой пленке полифталидилиденбифенилена. Письма в ЖТФ, 24, 89 (1998)

190. Ионов А.Н., Закревский В.А., Лазебник И.М. Эффект Джозефсона в структуре металл-полиимидная пленка-металл. Письма в ЖТФ, 25 (17)36(1999)

191. Ионов А.Н., Закревский В.А. Эффект Джозефсона в структуре металл-полидиметилсилоксан-металл. Письма в ЖТФ, 26 (20) 34 (2000)

192. Солимар JI. Туннельный эффект в сверхпроводниках и его применение. М.: Мир, 1974.

193. Асламазов Л.Г., Ларкин А.И., Овчинников Ю.Н. Эффект Джозефсона в сверхпроводниках, разделённых нормальным металлом. ЖЭТФ, 55, 323 (1968)

194. Thomas М., Blank H.R., Wong К.С. et al. Current-voltage characteristics of semiconductor-coupled superconducting weak links with large electrode separations. Phys. Rev. B, 58, 11676 (1998)

195. Landauer R. Electrical resistance of disordered one-dimensional lattices. Phil. Mag., 21, 863 (1970)

196. De Picciotto R., Stornier H.L., Pfeiffer L.N. et al. Four-terminal resistance of a ballistic quantum wire. Nature, 411, 51 (2001)

197. Early E.A., Steiner R.L., Clark A.F. et al. Evidence for parallel junctions within high-rc grain-boundary junctions. Phys. Rev. B, 50, 9409 (1994)

198. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1972.

199. Holm R., Meissner W. Messungen mit hilfe von flussingem helium III. Kontaktwiderstand zwischen Supraleitern und-nichtsupraleiteitern. Z. Tech. Physik., 12, 663 (1931)

200. Mann H.T. Electrical Properties of Thin Polymer Films. Part I. Thickness 500-2500 Ä. J. Appl. Phys., 35, 2173 (1964)

201. V.M.Kornilov, A.N.Lachinov. Electron-microscopic analysis of polymer thin films capable of switching to conducting state. Synth. Metals, 53, 71 (1992)

202. Литтл У. Сверхпроводимость при комнатной температуре. УФН, 86, 315 (1965)

203. Келдыш Л.В. Сверхпроводимость в неметаллических системах. УФН, 86,327 (1965)

204. Miyoshi Y., Chino К. Electrical Properties of Polyethylene Single Crystals. Japan J. Appl. Phys. 6 (2) 181 (1967)

205. Couch N.R., Montgomery С.M., Jones R. Metallic conduction through Langmuir-Blodgett films. Thin solid films 135, 173 (1986)

206. Pagnia H, Sotnik S. Bistable switching in electroformed metal-insulator-metal devices. Phys. Stat. Sol. (a), 108, 11 (1988)

207. A.C. 734989 СССР. Полигетероарилены для изготовления термостойких материалов и способ их получения. Рафиков С.Р, Толстиков Г.А., Салазкин С.Н., Золотухин М.Г. Б.И. - 1981.- №20.

208. Zolotukhin M.G., Panasenko A.A., Sultanova V.S., Sedova Е.А., Spirikhin L.V., Khalilov L.M., Salazkin S.N, Rafikov S.R. NMR study of poly(phthalidylidenearylene)s. Macromol. Chem, 186, 1747 (1985)

209. Салазкин C.H, Золотухин М.Г, Ковардаков B.A, Дубровина JI.B, Гладкова E.A, Павлова С.С, Рафиков С.Р. Молекулярно-массовые характеристики полиариленфталида. ВМС, А, 29, 1431(1987)

210. Valeeva I.L, Lachinov A.N. Electroluminescent in polymers with abnormally high conductivity. Synth. Metals, 57, 4151 (1993)

211. А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов. Наноэлектроника полимерных материалов. Учебное пособие. Уфа: БашГУ-ИФМК УНЦ РАН, 2007. -172 с.

212. A.N.Lachinov, Yu.M.Yumaguzin, V.M.Kornilov, E.E.Tchurlina. Electron emission from polymer films under electric-field influence. Journal of the SID, 12/2, 149 (2004)

213. Kornilov V.M, Lachinov A.N. Scanning tunneling microscopy investigation of Si-based layer structures. Physics of Low-Dimensional Structures, 1/2, 145 (2004)

214. Технология тонких пленок (справочник). Под. ред. Л.Майссела, Р.Гленга. Нью-Йорк, 1970. Пер. с английского. Под. ред. М.И.Елинсова, Г.Г.Смолко. т.1. М, «Советское радио», 1977. 664 с.

215. Валиев Р.З, Александров И.В. Наноструктурные материалы, полученные интенсивной пластической деформацией. М.: Логос, 2000. - 272 с.

216. Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение: Пер. с англ. М.: Мир, 1990. - 492 с.

217. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник. М.: Металлургия, 1974. - 528 с.

218. Свешников A.A. Основы теории ошибок. Л.: Изд. Ленинградского университета, 1972. - 132 с.

219. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Электронностимулированный переход диэлектрик-металл в электроактивных полимерах. Письма в ЖЭТФ, 61, 504(1995)

220. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Электропроводность в системе металл-полимер-металл: роль граничных условий. ЖЭТФ, 111, 1513 (1997)

221. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Модификация поверхности системы Si-БЮг-полимер при помощи сканирующего туннельного микроскопа. Микросистемная техника, 4, 43 (2003)

222. Корнилов В.М., Лачинов А.Н. Металлоподобное состояние в полимерной пленке, индуцированное изменением граничных условий на ее поверхности. Письма в ЖЭТФ, 61, 902 (1995)

223. V.M.Kornilov, A.N.Lachinov. Metal Phase in electroactive polymer indused by change in boundary conditions. Synth. Metals, 84, 893 (1997)

224. Т.Г.Загуренко, В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Влияние процесса формовки и электрического поля на переход диэлектрик-проводник в тонких пленках полигетероариленов. ЖТФ, 69, 85 (1999)

225. Т.Г.Загуренко, В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. О возможности регистрации структурных превращений в металлах с помощью системы металл-полимер-металл. Электронный журнал "Исследовано в России", 41, 541 (2000)

226. Т.Г.Загуренко, В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов, Использование системы металл—диэлектрик—металл для изучения структурных переходов в металлах. ЖТФ, 71, 27 (2001)

227. A.N.Lachinov, A.Zherebov, V.M.Kornilov, M.Zolotukhin. Metal Phase in electroactive polymer indused by uniaxial preassure. Synth. Metals, 84 735 (1997)

228. Липсон А.Г., Кузнецова E.B., Саков Д.М., Топоров Ю.П. Исследование параметров двойного электрического слоя адгезионного контакта металл-полимер методом термостимулированной деполяризации. Поверхность, 12, 74 (1992)

229. Ненахов С.А., Щербина Г.И., Чалых А.Е., Муллер В.М. Работа выхода электронов в полимерах, адгезионно связанных с металлом. Поверхность, 3, 77 (1994)

230. Simmons J.G. J. Theory of metallic contacts on high resistivity solids. Phys. Chem. Sol., 32, 2581 (1971)

231. Fabish T.J., Saltsburg H.M., Hair M.L. Charge transfer in metal/atactic polystyrene contacts Journal of Appl. Phys., 47, 930 (1976)

232. Duke C.B., Fabish N.J. Charge-Induced Relaxation in Polymers. Phys. Rev. Lett., 37, 1075 (1976)

233. Васьков P.E., Владимиров А.Ф., Mooc E.H., Табунов Н.И. Изв.АН СССР сер. физ., 62, 2044 (1998)

234. Алчагиров Б.Б., Хоконов Х.Б., Архестов Р.Х. Температурная зависимость работы выхода электрона щелочных металлов. ДАН СССР, сер. физ. хим., 326, 121 (1992)

235. Болынов В.Г., Добрецов Л.Н. Термоэлектронная эмиссия меди в точке плавления. ДАН СССР, сер. физ., XCVIII, 193 (1954)

236. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наукова думка, 1981.-340 с.

237. Vancea J., Reiss G., Butz D., Hoffmann H. Thickness-Dependent Effects in the Work Function of Polycrystalline Cu-Films. Europhys.Letters., 9, 379 (1989)

238. Алчагиров Б.Б, Калажоков Х.Х, Хоконов Х.Б. Современные методы измерения быстрых изменений работы выхода электрона. Изв. АН СССР сер. физ, 52, 2463 (1991)

239. А. Стоунхэм, Д. Морган, Дж. Дирнлей. Электрические явления в аморфных пленках окислов. УФН, 112, 83 (1974)

240. Nespurek S, Obrda J, Sworakowski J. A study of traps for current carries in organic solids. Phys. Stat. Sol, 46, 273 (1978)

241. Andre J.M. Electronic Structure of Polymers and Molecular Crystals. Ed. by J.M. Andre, J. Ladik, and J. Delhalle. Plenum, New York, 1975. P. 1-21.

242. Nespurek S, Sworakowski J. A differential method of analysis of steady-state space-charge-limited current-voltage characteristics. Phys. Stat. Sol, A, 41,619(1977)

243. Ultra-grained materials prepared by severe plastic deformation / ed. R.Z.Valiev. Annales de Chimie. Science des Materiaux, 21, 369 (1996)

244. Islamgaliev R.K, Murtazin R.Ya, Syutina L.A, Valiev R.Z. The Role of Grain Boundaries in the Electrical Resistance of Submicron Grained Nickel. Phys. Stat. Sol. (a), 129, 231 (1992)

245. Мулюков P.P., Юмагузин Ю.М, Ивченко B.A, Зубаиров JI.P. Полевая эмиссия из субмикрокристаллического вольфрама. Письма в ЖЭТФ, 72, 377 (2000)

246. Crang P.P. Direct observation of stress-induced shifts in contact potentials. Phys. Rev. Lett, 22, 700 (1969)

247. Beams V.V. Potentials on rotor surfaces. Phys. Rev. Lett, 21,1093 (1968)

248. Valiev R.Z, Alexandrov I.V, Islamgaliev R.K. Processing and properties of nanostructured materials prepared by severe plastic deformation. In G.M.Chow and N.I.Noskova (eds.) Nanostructured Material, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht. 1998. p. 121.

249. Красильников H.A, Рааб Г.И, Кильмаметов A.P, Александров И.В, Валиев Р.З. Получение и исследование наноструктурной меди. ФММ, 86, 106(1998)

250. Gertzman V.Y, Birringer R, Valiev R.Z. Structure and strength of submicrometer-grained copper. Phys. Stat. Sol. (a), 149, 243 (1995)

251. A.N.Lachinov, T.G.Zagurenko, A.Yu.Zherebov, V.M.Kornilov. R.Z.Valiev, M.G.Zolotukhin. Charge Transport in Metal-Polymer-Metal System Under Nonsteady Boundary Conditions. Functional Materials, 5, 417 (1998)

252. Т.Г.Загуренко, А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов, А.И.Фокин, И.В.Александров, Р.З.Валиев. Перенос заряда в системе металл-полимер-нанокристаллический металл. ФТТ, 42, 1882 (2000)

253. Т.Г.Загуренко, А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов, И.В.Александров. Влияние неравновесной структуры меди на электрофизические свойства системы металл-полимер-металл. ФММ, 94, 26 (2002)

254. А.Н.Лачинов, А.Ю.Жеребов, В.М.Корнилов. Высокопроводящее состояние в тонких пленках полимеров. Влияние электрического поля и одноосного давления. ЖЭТФ, 102, 187 (1992)

255. Томас Г, Гориндж М.Дж. Просвечивающая электронная микроскопия материалов. М, "Наука", 1983.

256. Оболонкова Е.С, Папков B.C. Электронномикроскопическое исследование морфологии мезоморфного полидиэтилсилоксана. ВМС, 32, 691 (1990)

257. Shevchenko V.V, Yemelina L.V, Kogan Ya.L, Gedrovich G.H, Savchenko V.I. Electron microscopy and X-ray diffraction studies of polyaniline films. Synth. Met, 37, 69 (1990)

258. Schimmel Th, Glaser D, Schwoerer M, Naarmann H. Conductivity barriers and transmission electron microscopy on highly conducting polyacetylene. Synth. Met, 41, 19 (1991)

259. Foks J., Naumann I., Michler G.H. Beitrag zur Aufklarung der Morphologie von segmentierten Polyurethanen. Angew. Makromol. Chem., 189, 63 (1991)

260. Новиков Д.В., Варламов A.B. О влиянии мезоморфного характера полимерной подложки на образование и рост декорирующих кристаллов золота. Поверхность: Физ., химия, мех., 6, 117 (1992)

261. Kornilov V.M., Lachinov A.N. Electron-microscopic analysis of polymer thin films. Journal de Physique, 3, 1585 (1993)

262. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М., Физматгиз, 1961.

263. А.Н.Чувыров, Г.В.Леплянин, Ю.А.Лебедев, В.М.Корнилов, А.А.Мочалов, И.М.Ладенкова Кристаллический полиацетилен: структура, оптические свойства и фотоиндуцированные спиновые состояния. ЖЭТФ, 1986, т.90, в.1, с.276-285.

264. Pease D.C. Histological techniques for electron microscopy. Academic Press, New-York, 1964.

265. Практическая растровая электронная микроскопия. Под ред. Дж. Гоулдстейна и Х.Яковица. М., Мир, 1978.

266. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977.

267. Ванников A.B., Матвеев В.К., Сичкарь В.П., Тютнев А.П. Радиационные эффекты в полимерах. Электрические свойства. М.: Наука, 1982.

268. Beckley L.M., Lewis T.J., Taylor D.M. Electron-beam-induced conduction in Polyethylene terephthalate films. J. Phys. D: Appl. Phys., 9, 1355 (1976)

269. Спивак Г.В., Петров В.И., Антошин M.K. Локальная катодолюминесценция и ее возможности для исследования зонной структуры твердых тел. УФН, 148, 689 (1986)

270. F. Schefefold, А. Budkowski, Steiner U. et al., J. Chem. Phys. 104, 8795 (1996).

271. А.А.Бунаков, А.Н.Лачинов, Р.Б.Салихов, ЖТФ 73, 104 (2003).

272. А.Р.Тамеев, А.Н.Лачинов, Р.Б.Салихов, А.А.Бунаков, А.В.Ванников, Журнал физической химии 79, 2266 (2005).

273. Ohtomo А. & Hwang, Н. Y. A high-mobility electron gas at the LaA103/SrTi03 heterointerface. Nature 427, 423 (2004).

274. Reyren N. et al. Superconducting Interfaces Between Insulating Oxides. Science 317, 1196 (2007).

275. Zhong, Zhicheng and Kelly, Paul J. Electronic-structure-induced reconstruction and magnetic ordering at the LaA103|SrTi03 interface. Europhysics Letters, 84 (2), 27001 (2008)

276. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Под ред. К.Д.Цэндина. СПб.: Наука, 1996. 486с.

277. Лачинов А.Н., Воробьева Н.В. Электроника тонких слоев широкозонных полимеров. УФН, 176, 1249 (2006)

278. Inomoto Н., Hatta A., Kawabata К., Katoda К., Hiraki A. Electron field emission from diamond-like carbon films after dielectric breakdown and from diamond films after the activation process. Diamond and Related Materials, 9, 1209 (2000)

279. Закревский В.А., Сударь H.T. Электрическое разрушение тонких полимерных пленок. ФТТ, 47, 931 (2005)

280. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов, Б.А.Логинов, В.А.Беспалов. Эмиссионные свойства планарной структуры кремний-полимер-вакуум. ЖТФ, 79, 116 (2009)

281. Tameev A.R., Kozlov А.А., Vannikov A.V., et al., In: Photovoltaic and Photoactive Materials Properties, Technology and Applications. Edited by J.M. Marshall and D.Dimova-Malinovska. NATO Science Series, 80, 285 (2002)

282. Lachinov A.N., Salikhov R.B., Bunakov A.A., et al., Charge carriers generation in thin polymer films by weak external influences. Nonlinear Optics 32 13 (2004)

283. Latham R.V, Mousa M.S. Hot electron emission from composite metal-insulator micropoint cathodes. J. Phys. D: Appl. Phys. 19 699 (1986).

284. Mousa M.S. A new perspective on the hot-electron emission from metal-insulator microstructures. Surface Science, 231, 142 (1990).

285. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Исследование полимерных пленок методом сканирующей туннельной микроскопии. Письма в ЖТФ, 26, 37(2000)

286. Musa I, Munindrasdasa D.A.I, Amaratunga G.A.J, et al, Ultra-low-threshoid field emission from conjugated polymers. Nature, 395, 362 (1998)

287. Ионов A.H, Попов E.O, Светличный B.M, и др. Влияние тонкого полимерного покрытия на автоэмиссионные свойства плоских металлических катодов. Письма в ЖТФ, 30, 77 (2004).

288. Бахтизин Р.З, Лобанов В.М, Юмагузин Ю.М. Управляющий вычислительный комплекс для исследования энергетического распределения автоэлектронов. ПТЭ, 4, 247 (1987).

289. Modinos A, Field, thermoionic and secondary electron emission spectroscopy. (Plenum Press, New York, 1984)

290. Vu Thien Binh and Ch. Adessi, Phys. Rev. Lett, New Mechanism for Electron Emission from Planar Cold Cathodes: The Solid-State Field-Controlled Electron Emitter. 85, 864 (2000)

291. Austin I.G, Mott N.F. Polarons in crystalline and non-crystalline materials. Adv. Phys. 18, 41 (1969).

292. J.Hermanson. In Elementary Excitations in Solids, Moleculars and Atoms, edited by J.T.Devreese, A.B. Kunz, and T.C.Collins, (Plenum Press, New York, 1974), Part B.

293. Корнилов B.M, Лачинов A.H, Загуренко Т.Г. Динамика ловушечных состояний в полимерной пленке вблизи порога переключения. Химия и компьютерное моделирование. Бутлеровские сообщения. 4 (2001)

294. Юмагузин Ю.М. Электронная спектроскопия микро- и наноструктур в сильном электрическом поле. Дисс. . доктора физико-математических наук, Екатеринбург, 2007.

295. Сливков И.Н. Электроизоляция и разряд в вакууме. М.: Атомиздат, 1972.

296. Malter L. Thin Film Field Emission. Phys. Rev., 50, 48 (1936)

297. Ю.М.Юмагузин, В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Энергетические распределения электронов в системе металл-полимер-вакуум. ЖЭТФ, 130, 303 (2006)I

298. Протасов Ю.С., Чувашев С.Н. Твердотельная электроника. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2003.

299. Forbes R.G. Low-macroscopic-field electron emission from carbon films and other electrically nanostructured heterogeneous materials: hypotheses about emission mechanism. Solid-State Electronics, 45, 779 (2001)

300. Salikhov R.B., Lachinov A.N., Rakhmeev R.G. Electrical properties of heterostructure Si/poly(diphenylenephthalide)/Cu. J. Appl. Phys. 101 053706 (2007)

301. С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. М.: Мир, 1984.

302. А.А.Бухараев, А.В.Назаров, В.Ю.Петухов, К.М.Салихов. Исследование поверхности имплантированного кремния с помощью сканирующего туннельного микроскопа. Письма в ЖТФ, 16, 8 (1990).

303. Д.В.Вялых, С.И.Федосеенко. Исследование микротопографии поверхностей SiC>2 и Si межфазной границы Si/Si02 в структурах SIMOX методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП, 33, 708 (1999).

304. M.I.Sumetskii, H.U.Baranger. Studying the insulator-conductor interface with a scanning tunneling microscope. Appl. Phys. Lett., 66, 1352 (1995).

305. А.В.Юхневич, О.П.Лосик, В.Л.Кузнецов, А.В.Паненко. Электрополевое индуцирование локального СТМ-контраста наповерхностях кремния с тонкими слоями оксида. Поверхность, 8, 95 (2001).

306. Dagata J.A, Schneir J, Harary H.H, et al. Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope in air. Appl. Phys. Lett, 56, 2001 (1990)

307. Болотов Jl.H, Козлов B.A, Макаренко И.В, Титков A.H. Визуализация поверхности (111) кремниевых шайб /?-типа в атмосферных условиях с помощью сканирующего туннельного микроскопа. ФТП, 27, 1375 (1993)

308. Lyding J.W, Shen Т.-С, Hubacek J.S, et al. Nanoscale patterning and oxidation of H-passivated Si(100)-2xl surfaces with an ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope. Appl. Phys. Lett, 64, 2010 (1994)

309. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП, 37, 323 (2003)

310. А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов. Электронная природа модификации поверхности в системе Si-Si02- Микросистемная техника, 3, 78 (2003)

311. H.Watanabe, K.Fujita, M.Ichikawa, Observation and creation of current leakage sites in ultrathin silicon dioxide films using scanning tunneling microscopy. Appl. Phys. Lett, 72, 1987 (1998).

312. V.M.Kornilov, A.N.Lachinov, STM Surface Modification of Si-Si02-polymer System. Microelectronic Engineering, 69, 399 (2003)

313. Дремов B.B, Шаповал С.Ю. Квантование проводимости металлических наноконтактов при комнатной температуре. Письма в ЖЭТФ, 61,321 (1995)

314. Список публикаций, в которых изложены основные результатыдиссертации.

315. А.Н.Лачииов, В.М.Корнилов. Наноэлектроника полимерных материалов.

316. Учебное пособие. Уфа: БашГУ-ИФМК УНЦ РАН, 2007. -172 с.

317. А.Н.Лачинов, А.Ю.Жеребов, В.М.Корнилов. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении. Письма в ЖЭТФ, 1990 т.52, №2, с.742-745.

318. A.N.Lachinov, A.Yu.Zherebov, V.M.Kornilov. Influence of uniaxial pressure on conductivity of polydiphenylene-phthalide. Synth. Metals, 1991, v.44, №1, p.111-115.

319. А.Н.Лачинов, А.Ю.Жеребов, В.М.Корнилов. Высокопроводящее состояние в тонких пленках полимеров. Влияние электрического поля и одноосного давления. ЖЭТФ, 1992, т. 102, №1(7), с. 187-193.

320. V.M.Kornilov, A.N.Lachinov. Electron-microscopic analysis of polymer thin films capable of switching to conducting state. Synth. Metals, 1992, v.53, №1, p.71-76.

321. A.N.Lachinov, A.Yu.Zherebov, V.M.Kornilov. Electron instability in thin polymer films, highly conductivity and its properties. Synth. Metals, 1993. v.57, №2-3, p.5046-5051.

322. V.M.Kornilov, A.N.Lachinov. Electron-microscopic analysis of polymer switching thin films Journal de Physique IV Colloque C7, 1993, v.3, 15851588.

323. A.N.Lachinov, A.Yu.Zherebov, V.M.Kornilov, M.G.Zolotukhin. New polymer materials-new prospects. Journal de Physique IV Colloque C7, v.3, 1581-1584, 1993.

324. А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов. Электронностимулированная катодолюминесценция в тонких пленках элктроактивного полимера. Письма в ЖТФ, 1994, т.20, №14, с. 13-18.

325. A.N.Lachinov, V.M.Kornilov. Electron beam stimulated phenomena in poly(phthalidylidenarylene)s. Synth. Metals, v.69 (1994) 589-590.

326. A.N.Lachinov, V.Antipin, V.M.Kornilov. Electroluminescence in poly(3,3'phthali-dylidene-4,4'-biphenylylene)s films. Molecular Crystals & Liquid Crystals, 1994, v.256, p.727-731.

327. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Электронностимулированный переход диэлектрик-металл в электроактивных полимерах. Письма в ЖЭТФ, 1995, т.61, в.6, с.504-507.

328. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Металлоподобное состояние в полимерной пленке, индуцированное изменением граничных условий на ее поверхности. Письма в ЖЭТФ, 1995, т.61, в.11, с.902-906.

329. A.N.Lachinov, A.Yu.Zherebov, V.M.Kornilov, M.G.Zolotukhin. Poly(phthalidylidenarylene)s: new effects new horizons of application. Synth. Metals, 1995, v.69, p.2155-2158.

330. A.N.Lachinov, A.Yu.Zherebov, V.M.Kornilov. New effects in electroactive polymers new basic for sensors. Sensors & Actuators: A.Physical, - 1996. -V.53/1-4, p.319-324.

331. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Электропроводность в системе металл-полимер-металл: роль граничных условий. ЖЭТФ 1997, т.111, №4, с.1513 — 1529.

332. V.M.Kornilov, A.N.Lachinov. Metal Phase in electroactive polymer indused by change in boundary conditions. Synth. Metals, 1997, v. 84, p.893-894.

333. A.N.Lachinov, A.Zherebov, V.M.Kornilov, M.Zolotukhin. Metal Phase in electroactive polymer indused by uniaxial preassure. Synth. Metals, 1997, v.84, p.735 736.

334. A.N.Lachinov, A.Zherebov, V.M.Kornilov. Metal Phase in Electroactive Polymer Indused by Traps Ionization. Synth. Metals, 1997, v.84, p.917 — 920.

335. A.N.Lachinov, T.G.Zagurenko, A.Yu.Zherebov, V.M.Kornilov. R.Z.Valiev, M.G.Zolotukhin. Charge Transport in Metal-Polymer-Metal System Under Nonsteady Boundary Conditions. Functional Materials, 1998, v.5, №3, 417-420.

336. Т.Г.Загуренко, В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Влияние процесса формовки и электрического поля на переход диэлектрик-проводник в тонких пленках полигетероариленов. ЖТФ, 1999,т.69, №3, с.85-87.

337. Т.Г.Загуренко, В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. О возможности регистрации структурных превращений в металлах с помощью системы металл-полимер-металл. Электронный журнал "Исследовано в России", 2000, т.41, стр. 541-553.

338. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Исследование полимерных пленок методом сканирующей туннельной микроскопии. Письма в ЖТФ 2000, т.26, в.21, с. 37-44.

339. Т.Г.Загуренко, А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов, А.И.Фокин, И.В.Александров, Р.З.Валиев. Перенос заряда в системе металл-полимер-нанокристаллический металл. ФТТ, 2000, т.42,в.10, 1882-1888.

340. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Исследование эмиссионных и структурных характеристик полимерных пленок с помощью СТМ. Поверхность 11, 2000, с.47-51.

341. Т.Г.Загуренко, В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов, Использование системы металл—диэлектрик—металл для изучения структурных переходов в металлах. ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 8, 27-33

342. Т.Г.Загуренко, А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов, И.В.Александров. Влияние неравновесной структуры меди на электрофизическиесвойства системы металл-полимер-металл. ФММ, 2002, т.94, №6, с. 2633.

343. A.N.Lachinov, T.G. Zagurenko, V.M.ICornilov, I.V. Alexandrov, R.Z. Valiev. Nanostructured Metals Transformation Study by Means of Electroactive Polymer. Defect and Diffusion Forum, Trans Tech Publications, 2002, Volume 208, p.261-266.

344. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП, 2003, т.37,№3, с.323-327.

345. А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов. Электронная природа модификации поверхности в системе Si-SiC^. Микросистемная техника, 2003, №3, с.78-83.

346. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Модификация поверхности системы Si-SiCb-rawiHMep при помощи сканирующего туннельного микроскопа. Микросистемная техника, 2003, №4, с.43-48.

347. V.M.Kornilov, A.N.Lachinov, STM Surface Modification of Si-Si02-polymer System. Microelectronic Engineering, 2003, v.69, p.399-404.

348. A.N.Lachinov, Yu.M.Yumaguzin, V.M.Kornilov, E.E.Tchurlina. Electron emission from polymer films under electric-field influence. Journal of the SID, 2004, 12/2, p.149-151.

349. V.M.Kornilov, A.N.Lachinov. Scanning tunneling microscopy investigation of Si-based layer structures. PLDS, 2004, №1/2, p. 145-151.

350. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов, Б.А.Логинов. Создание и исследование квазинульмерных структур методами сканирующей туннельной микроскопии. Нано- и микросистемная техника, 2005, №7, с.8- 11.

351. А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов, Т.Г.Загуренко, А.Ю.Жеребов. К вопросу о высокой проводимости несопряженных полимеровЖЭТФ, 2006, т. 129, №4, с.728-734.

352. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов, Б.А.Логинов. Особенности формирования наноструктур при СТМ-исследовании поверхности кремния Поверхность, 2006, №5, с. 11-13.

353. Ю.М.Юмагузин, В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов. Энергетические распределения электронов в системе металл-полимер-вакуум. ЖЭТФ, 2006, т. 130, №2, с.303-308.

354. I.R.Nabiullin, V.M.Kornilov, A.N.Lachinov. Nanometer Scale Modifications of Si/Si02 and Si/Si02/Polymer Surfaces by Scanning Tunneling Microscope. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 2007, v.468, p. 257-263.

355. А.Н.Лачинов, Н.В.Воробьева, В.М.Корнилов, Б.А.Логинов, В.А.Беспалов. О роли спиновой поляризации электронов в эффекте инжекционного ГМС в системе Ni-полимер-Си. ФТТ, 2008, т50, №8, с.1444-1447.

356. Р.Б.Салихов, А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов, Р.Г.Рахмеев. Свойства транспортного слоя, сформированного на границе раздела двух полимерных пленок. ЖТФ, 2009, т.79, №4, с. 131-135.

357. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов, Б.А.Логинов, В.А.Беспалов. Эмиссионные свойства планарной структуры кремний-полимер-вакуум. ЖТФ, 2009, т.79, №5, с.116-119.

358. В.М.Корнилов, А.Н.Лачинов, Б.А.Логинов, В.А.Беспалов. Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-Si02: использование режима ошибки обратной связи при исследовании поверхности. ФТП, 2009, т.43, №6, с.850-853.

359. Р.М.Гадиев, А.Н.Лачинов, В.М.Корнилов, Р.Б.Салихов, Р.Г.Рахмеев. А.Р.Юсупов. Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков. Письма в ЖЭТФ, т.90, №11, с.821-825.

360. А.Н.Лачинов, А.Ю.Жеребов, В.М.Корнилов. Устройство для считывания графической информации. Патент РФ № 2045782 от 10.10.1995.

361. А.Н.Лачинов, С.Н.Салазкин, В.М.Корнилов, Ю.М.Юмагузин. Применение электроактивных полимеров класса полигетероариленов в качестве покрытий, обладающих повышенной эмиссионной способностью. Патент РФ №2237313, от 27.09.2004.

362. А.Н.Лачинов, С.Н.Салазкин, В.М.Корнилов, Ю.М.Юмагузин. Полевой эмиссионный катод и способы его изготовления (варианты). Патент РФ №2271053, от 27.02.2006.