Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Гриняев, Сергей Николаевич

• Гриняев, Сергей Николаевич
• доктор физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Гриняев, Сергей Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 МЕТОДЫ РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ И ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ.

1.1 Методы расчета зонной структуры полупроводников.

1.2 Метод псевдопотенциала.

1.2.1 Модельные псевдопотенциалы.

1.2.2 Модельные псевдопотенциалы Маёег- 2игщег.

1.2.3 Первопринципные псевдопотенциалы.

1.3 Интегральные характеристики электронного спектра.

1.4 Метод матрицы рассеяния.

1.4.1 Общие соотношения.

1.4.2 Метод расчета комплексной зонной структуры в базисе из плоских волн.

1.4.3 Расчет комплексной зонной структуры кр методом.

1.4.4 Метод матрицы рассеяния в симметризованном базисе.

1.4.5 Метод матрицы рассеяния с учетом спинорбитального взаимодействия.

Глава 2 ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ФОНОННЫЙ СПЕКТР

АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И СВЕРХРЕШЕТОК НА ИХ ОСНОВЕ.

2.1 Зонный спектр соединений А4, А3В5 с кубической структурой.

2.2 Фононный спектр ОаАв и А1Аз.

2.3 Зонная структура графитоподобного и ромбоэдрического нитрида бора.

2.3.1 Введение.

2.3.2 Метод расчета.

2.3.3 Результаты расчета зонного спектра /г-ВК и г-ВИ.

2.3.4 Плотность валентного заряда.

2.3.5 Выводы.

2.4 Зонный спектр и оптические свойства ZnGeP2.

2.5 Электронные состояния и оптические свойства сверхрешеток (ОаАз)п(А1Аз)т—

2.5.1 Ультратонкая сверхрешетка (ОаАз) 1 (А1 Аэ) 1(001).

2.5.1.1 Кристаллическая структура.

2.5.1.2 Зонный спектр сверхрешетки.

2.5.1.3 Фононный спектр сверхрешетки.

2.5.2 Сверхрешетки (ОаАэИА^з, (ОаА8)2(А1А8)2, (ОаАз)3(А1Аз)1 (001).

4.4.2 Теоретико-групповой анализ.

4.4.3 Метод расчета электронных состояний сверхрешеток с дефектами.

4.4.4 Результаты расчета и обсуждение.

4.4.5 Выводы.

4.5 Глубокие уровни точечных и кластерных дефектов в Хг&оРг.

4.5.1 Введение.

4.5.2 Метод расчета глубоких уровней в тройном соединении.

4.5.3 Глубокие уровни собственных дефектов в соединениях Ое, ОаР, 2п8.

4.5.4 Глубокие уровни нейтральных собственных дефектов ZnGeP2.

4.5.5 Сравнение уровней нейтральных дефектов ОаР и ZnGeP2.

4.5.6 Глубокие уровни заряженных дефектов ЕпОеРг.

4.5.7 Поглощение света вызванное точечными дефектами.

4.5.8 Глубокие уровни сложных дефектов и кластеров в 2пОеР2.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах»

4.6.2 Метод расчета электронных состояний кластеров.189

4.6.3 Кластер из 17 атомов мышьяка.190

4.6.4 Кластер из 35 атомов мышьяка.191

4.6.5 Кластер из 29 атомов мышьяка.194

4.6.6 Выводы.198

4.7 Электронная структура кластеров из атомов галлия в ОаАэ.198

4.7.1 Введение.198

4.7.2 Особенности метода расчета и структуры.199

4.7.3 Результаты расчета.199

4.7.4 Анализ кластерных состояний.201

4.7.5 Электронные состояния тонких металлических слоев Са в ОаАэ.203

4.7.6 Выводы.205

4.8 Электронная структура и оптические свойства германиевых кластеров в кремнии.205

4.8.1 Введение.205

4.8.2 Метод расчета.206

4.8.3 Расчет электронных состояний германиевых кластеров методом РЭЯ (8*8><8).208

4.8.3.1 Зависимость глубоких уровней от размеров кластеров. .208

4.8.3.2 Расчет кластерных состояний методом эффективной массы.211

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы

Успехи современной электроники и перспективы ее дальнейшего развития в значительной степени связаны с использованием полупроводниковых квантово-размерных структур (квантовых ям, проволок, точек, сверхрешеток и т.д.), обладающих широким набором электрофизических параметров в актуальном диапазоне спектра [1Д]-Их применение позволяет совершенствовать потребительские свойства электронных приборов, открывает возможности; для создания; устройств нового поколения - квантовых компьютеров, сверхчувствительных датчиков, нанороботов и т.д. [3].

Разработка1, нанотехнологий невозможна! без понимания: природы процессов; протекающих в* объеме и на границах раздела материалов; Это стимулирует обширные , исследования, посвященные'установлению взаимосвязи электронных свойств с составом и строением твердых тел, развитию теоретических методов и физических моделей для расчета и качественного,анализа электронных и колебательных спектровшизкоразмерных структур.

Свойства полупроводниковых наноматериалов сильно отличаются от свойств объемных материалов; носят существенно квантовый, характер и могут быть адекватно описаны, лишь с применением современных методов исследования, фундаментом которых , выступает метод функционала электронной: плотности (DIT). На основе метода DFT разработаны программы, позволяющие: определять свойства кристаллов с различным химическим; составом:и строением: Особенно эффективно их применение к структурам, в элементарношячейке которых находится сравнительно небольшое число атомов. (< 100) [4]. В тоже время активные области наноматериалов зачастую содержат, многие сотни и тысячи атомов, что делает использование ab-initio методов крайне трудоемким, несмотря на прогресс компьютерной техники и развитие параллельных вычислений.

К исследованию полупроводниковых наноструктур привлекаются полуэмпирические методы (метод сильной связи, кр-метод, метод эффективной массы и т.п.), которые дают более наглядное описание с учетом основных электронных процессов: Недостатком полуэмпирических методов является то, что их параметры определяются из экспериментальных данных, которые зачастую неполны и неоднозначны, а используемые упрощения сужают область применения ограниченным энергетическим интервалом и частными случаями внешних воздействий.

В связи с этим получили развитие методы, в которых стремятся соединить достоинства полуэмпирических (сравнительно простых в реализации и опирающихся на хорошо установленные данные) и ab-initio (предсказывающих свойства мало изученных материалов без привлечения эмпирической информации) подходов. Одним из наиболее эффективных является метод модельного псевдопотенциала, обеспечивающий высокую точность описания электронного спектра. В практических расчетах преимущество имеют псевдопотенциалы с мягкой сердцевиной, позволяющие использовать не большой базис из плоских волн, что дает возможность исследовать сложные структуры с большим числом атомов в элементарной ячейке. Примером являются псевдопотенциалы [5], параметры которых определены из экспериментальных данных и анализа результатов ab-initio расчетов бинарных кристаллов GaAs и AlAs. Эти псевдопотенциалы применялись для расчета электронных состояний квантовых ям, проволок, точек: Они обеспечивают описание электронного спектра наноструктур, содержащих ~500000 атомов в элементарной ячейке, с точностью ~0.1 эВ, что пока не достижимо для прямых ab-initio расчетов. Определение подобных псевдопотенциалов из обширной базы данных является трудоемкой задачей. В работе [5] они найдены для трех атомов (Ga, Al, As) и могут использоваться лишь в структурах, состоящих из этих атомов. Потребность в описании других, многообразных наноструктур требует развития новых методов, применение которых должно быть направлено на решение актуальных проблем физики полупроводников, среди которых можно выделить следующие:"

1) В выращиваемых наноструктурах переходные области между соседними слоями и областями сопоставимы с размерами самих слоев. Поэтому электронные и колебательные состояния таких структур должны зависеть от природы интерфейса и их описание необходимо проводить с учетом реального микроскопического потенциала и атомного строения. В применяемых подходах это обстоятельство часто игнорируется - потенциал и силы связи атомов меняются на гетерограницах скачком, что оправдано для структур с достаточно толстыми слоями и в интервале энергий, где смешивание состояний из разных электронных долин или фононных ветвей несущественно.

2) Глубокие центры играют ведущую роль в свойствах реальных материалов. Для их описания в наноструктурах необходима разработка методов, позволяющих определять энергии глубоких уровней в зависимости от зарядового состояния и положения дефектов относительно гетерограниц, интерпретировать оптические спектры на языке оптических переходов и сил осцилляторов подобно тому, как это делается для объемных кристаллов.

3) Наблюдаемое закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках и барьерах Шоттки требует выяснения корреляций с глубокими уровнями дефектов и интерфейсными состояниями на гетерограницах.

4) Вюртцитные нитриды W-A3N являются одними из наиболее привлекательных материалов оптоэлектроники. Их отличительной особенностью являются рекордные величины спонтанной поляризации и компонент пьезоэлектрического тензора, приводящие к сильным внутренним электрическим полям (~107 В/см), которые заметно влияют на электронный транспорт, формирование дефектов, оптические свойства. Несмотря на интенсивные исследования, механизмы влияния внутренних полей на физические процессы в ряде случаев остаются непонятыми. В частности невыясненными остаются вопросы, касающиеся формирования петли гистерезиса, скачков, бистабильности и деградации пиков туннельного тока. Поэтому требуется развитие новых моделей, описывающих изменение потенциала структуры и перераспределение электронного заряда в процессах туннелирования.

5) Междолинное рассеяние электронов на коротковолновых фононах проявляется во многих свойствах полупроводников. Оно вызывает нелинейную зависимость тока от напряжения, приводит к непрямозонному оптическому поглощению, меняет вероятности туннелирования< электронов в гетероструктурах и т.д. Развитие теории таких процессов и определение количественных параметров междолинного рассеяния для наноматериалов необходимы для моделирования их физических свойств, выявления особенностей, возникающих за счет эффектов размерного квантования, выбора структур, представляющих наибольший интерес для создания высокочастотных генераторов.

6) Кластерные образования из различных дефектов приводят к модификациям свойств полупроводниковых материалов, которые зачастую открывают новые возможности для их применений в электронике. Примером является арсенид галлия с кластерами мышьяка, представляющий интерес для быстродействующих фотоприемников [6]. Металл-полупроводниковые нанокомпозиты могут использоваться в качестве источников излучения в терагерцовом диапазоне. Малые германиевые кластеры в кремнии имеют высокую интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре, что открывает возможность осуществления лазерной генерации [7]. Возникает необходимость в разработке теоретических методов, позволяющих описывать изменение электронных свойств кластерных материалов в зависимости от размеров, формы и способов внедрения кластеров в матрицу.

7) Полупроводник Хх&оРг, благодаря ярко выраженной нелинейной восприимчивости и двулучепреломлению, давно вызывает повышенный интерес в качестве материала для параметрических преобразователей частоты оптического излучения, поляризационно-чувствительных фотоприемников и излучателей ближнего и среднего ИК - диапазонов, многофункциональных элементов оптической электроники [8,9]. Однако присущее постростовым кристаллам значительное поглощение в области прозрачности (0.65-И 3) мкм и особенно в области лазерной накачки (0.65-^-3) мкм ограничивает его практическое использование. Выяснению природы "аномального" поглощения света в

ZnGeP2 посвящены многочисленные исследования. Большинство из них связывают это поглощение с высокой дефектностью материала. Многообразие источников нежелательного ИК поглощения требует выяснения их индивидуальной роли в спектрах поглощения.

Цели и задачи работы

Целью работы является развитие теории электронных, фононных состояний и расчет параметров»электрон-фононного взаимодействия в квантоворазмерных полупроводниковых структурах, систематическое исследование свойств дефектных полупроводников, выявление закономерностей и построение моделей физических процессов. Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Исследование роли плавного интерфейсного потенциала в процессах туннелирования электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs с границами (001),(111), а так же в электронных состояниях сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n(001) и квантовых точек.

2. Изучение электронных состояний квантовых точек Ge/Si, Ga/GaAs, As/GaAs в зависимости от их размеров. Анализ оптических свойств квантовых точек Ge/Si, w-GaN/AIN и формирования барьера Шоттки в полупроводниках с металлическими квантовыми точками и слоями.

3. Расчет глубоких уровней и интерпретация оптических спектров бинарных и тройных соединений с одиночными и кластерными дефектами.

4. Анализ закономерностей в поведении глубоких уровней собственных дефектов в группе кристаллов А3В5, развитие модели закрепления уровня Ферми в облученных материалах.

5. Изучение междолинного рассеяния электронов на коротковолновых фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n(001) с тонкими слоями.

6. Исследование влияния внутренних электрических полей на рассеяние электронов в напряженных нитридных структурах w-GaN/AIN (0001).

Научная новизна работы

1) Впервые исследовано влияние плавного интерфейсного потенциала на электронные состояния сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n(001) и процессы туннелирования электронов в структурах GaAs/AlAs с границами (001) и (111).

2) Проведено систематическое исследование собственных дефектов в группе соединений А3В5, установлены закономерности в изменении глубоких уровней, определены условия стабилизации уровня Ферми в облученных полупроводниках, развита модель, позволяющая прогнозировать свойства дефектных полупроводников.

3) Исследованы глубокие уровни точечных и сложных собственных дефектов в соединении проведена интерпретация особенностей спектров поглощения дефектного материала.

4) Исследованы электронные состояния кластеров из атомов мышьяка и галлия в арсениде галлия, установлен характер состояний, вызывающих закрепление уровня Ферми в материале ОаЛЗаАз.

5) Изучены закономерности междолинного рассеяния электронов на фононах в ряду сверхрешеток (ОаАз)т(А1 Аз)п(001) и соответствующих им твердых растворов. Определены междолинные деформационные потенциалы для всех каналов рассеяния в нижних зонах проводимости сверхрешеток. Проведен анализ квантоворазмерных эффектов в электронных, фононных состояниях и деформационных потенциалах.

6) Исследованы электронные состояния и оптические свойства пирамидальных квантовых точек >^-ОаМ/АШ(0001). Показана возможность усиления интенсивности излучения при уменьшении размеров квантовых точек.

Практическая значимость работы заключается в том, что она дает рекомендации для уменьшения нежелательного инфракрасного поглощения света соединением гпвеРг, позволяет предсказывать свойства облученных материалов, предсказывает повышение эффективности фотоприемников на основе малых квантовых точек ^-А1Ы/СаК(0001:). Определенные параметры электронного спектра и электрон-фононного взаимодействия позволяют прогнозировать свойства наиболее перспективных материалов в приборах с горячими электронами.

На защиту выносятся следующие положения :

1) Состояния глубоких уровней вакансий А1, Са и Аб в сверхрешетке (СаА5)з(А1АБ)1(001) зависят от положения дефектов. Понижение симметрии сверхрешеток по сравнению с бинарными кристаллами приводит к частичному (полному) снятию вырождения глубоких уровней вакансий, находящихся в средних (крайних) по отношению к А1 слоях, и различной ориентации электронных плотностей, вызывающей поляризационную зависимость поглощения с участием глубоких уровней, что может быть использовано для анализа геометрического распределения вакансий. Наибольшие изменения (~0.1 эВ) имеют место для состояний вакансии Аб, расположенной на гетерогранице.

2) В арсениде галлия с кластерами из атомов галлия с ростом размеров кластеров уровень Ферми быстро достигает своего предельного значения 0.6 эВ, близкого к величине барьера Шоттки для плоской границы металл/полупроводник. Положение по энергии и "хвосты" металл-индуцированных состояний в окрестности уровня Ферми определяются интерфейсными слоями из антиструктурных дефектов Оад5.

3) В кремнии с германиевыми кластерами дырочный уровень размерного квантования с ростом размеров кластеров монотонно смещается вглубь запрещенной зоны Б!, вызывая красный сдвиг края оптического поглощения. Наиболее-интенсивное поглощение связано с непрямыми в прямом и обратном пространствах электронными переходами с резонансного интерфейсного состояния на дно зоны проводимости кремниевой матрицы.

4) В малых пирамидальных квантовых точках ^-ОаН/АШ(0001) эффекты размерного квантования^ приводят к интенсивному поглощению света, поляризованного в базальной плоскости Е1.с. Оно связано с электронными переходами в зоне проводимости с нижнего уровня П на два близких уровня Гз, возникающих в результате смешивания зонных состояний и долин и линии 2 бинарных кристаллов.

5) Полное отражение электронов» от гетерограницы. ОаАз/А1Аз(001) в интервале энергии между X - долинами А1Ав и ОаАэ обусловлено взаимной компенсацией вкладов от „виртуальных процессов" с участием Г, X] и Хз состояний. В' среде, из которой электрон налетает на границу, из падающей и отраженной волн формируется стоячая волна. Появление нуля в коэффициенте прохождения не связано с каким-либо интерфейсным резонансным состоянием, а является следствием многодолинного характера зонного спектра ОаАэ, А1Аб.

6) В несимметричных двухбарьерных структурах м>-ОаН/Оа1.хА1х>Т(0001) внутренние электрические поля, вызванные спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, приводят к красному или голубому сдвигу резонансных энергий в зависимости от толщины и расположения барьеров по отношению к полярной оси. В сверхрешетках (ОаК)п(Оа1хА1хН)т внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний при небольшом числе ультратонких слоев в отсутствии внешнего поля.

7) Сверхрешеточная модель интерфейсного потенциала в гетероструктурах, в которой междолинное смешивание происходит не на одной границе, как в стандартной модели с резким на границе потенциалом, а на двух границах и в области переходного слоя. В структурах СаАз/А1Аз учет плавного потенциала приводит к наиболее существенным изменениям при туннелировании электронов с участием коротковолновых состояний в области междолинного Г-Х смешивания для границы (001) и Г-Ь смешивания для границы (111). Плавный интерфейсный потенциал вызывает уменьшение междолинного смешивания на гетерограницах, приводит к заужению Фано-резонансов, исчезновению интерфейсных состояний на одной границе, сдвигам нижних резонансов.

8) В сверхрешетках (GaAs)3(AlAs)i, (GaAs)2(AlAs)2, (GaAs)i(AlAs)3(001) эффекты размерного квантования приводят к росту интенсивности междолинных переходов по сравнению с аналогичными переходами в твердых растворах. Сильная локализация волновых функций в глубоких Г ямах GaAs вызывает немонотонное изменение деформационных потенциалов переходов типа Г-Х и Г-L в этом ряду сверхрешеток. Междолинные переходы электронов в зоне проводимости сверхрешеток Г1-М5, Г1-Х1, Г1-Х3, Х1-Х1, Х1-Х3, Г3-М5 происходят в основном за счет колебаний! катионов, переходы- Х1-М5, Х3-М5, Г3-Х1, Г3-Х3 - за счет колебаний анионов, а наиболее интенсивные каналы рассеяния Г3-М5 и Z3-M5 связаны с оптическими колебаниями легких атомов А1.

9) Глубокий уровень наиболее локализованного дефектного состояния наименьшим образом зависит от химического строения кристалла, в котором находится дефект. В группе соединений А3В5 такой уровень имеет среднюю энергию <£Babs> = 4.63 эВ (ниже уровня вакуума) с небольшой;дисперсией 0.08 эВ, благодаря чему он играет роль уровня Ферми, в облученных, сильно дефектных полупроводниках.

Личный вклад автора диссертации состоит в постановке задач, разработке методов, выполнении расчетов и их анализе. В работах, опубликованных с соавторами, участие автора было определяющим- в той части результатов, которые сформулированы в защищаемых положениях и выводах.

Достоверность полученных результатов обусловлена использованием апробированных и хорошо зарекомендовавших себя методов псевдопотенциала и функционала электронной плотности. Полученные результаты находятся в качественном и количественном согласии с имеющимися экспериментальными и теоретическими данными. Сформулированные выводы являются взаимно согласованными и не содержат внутренних противоречий.

Апробация работы

Основные результаты.работы докладывались на 11 -th Conference on "Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter" (Томск, 2000 г.), Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Москва, 2001 г.), Congress of Material Research Society (Santa-Barbara, USA, 2001), 8-й Международной конференции

Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 2001 г.), Международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск, 2001 г.), VIII Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (Томск, 2002 г.), International Symposium "Ternary Chalcopyrite Semiconductors" (Paris, France, 2002), Международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технология" (Ульяновск, 2002 г.),VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 2003 г.), X АРАМ Topical Seminar and III Conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and technology" (Novosibisrk, 2003), Совещании "Актуальные- проблемы полупроводниковой фотоники. Фотоника - 2003" (Новосибирск, 2003 г.), 12-th International Conference on radiation Physics and Chemistry of inorganic materials (Tomsk, 2003), Международной конференции» "Современные проблемы физики и- высокие технологии" (Томск, 2003 г.), Совещании "Кремний 2004" (Иркутск, 2004 г.), Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 2004 г.), 4-й Всероссийской- конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Санкт-Петербург, 2005 г.), IX-ой конференции "GaAs и полупроводниковые соединения группы III-V" (Томск, 2006 г.), VIII международной конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, 2006 г.), 15-th International Symposium "Nanostructures: physics and technology"(HoBocH6npcK, 2007 г.), 5-ой Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и применения" (Москва, 2007 г.), IEEE International Siberian. Conference on control and communications SiBCON-2007 (Tomsk, 2007), 6-ой Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (Санкт-Петербург, 2008 г.), IX Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск - Томск, 2009 г.), 18-th International Symposium "Nanostructures: physics and technology"(CaHKT-neTep6ypr, 2010 г.), Четвертой Всероссийской конференции по наноматериалам (Москва, 2011 г.), 8-ой Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (Санкт-Петербург, 2011 г.), а таюке обсуждались на научных семинарах в Сибирском физико-техническом институте при Томском госуниверситете.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 47 научных статей в реферируемых журналах.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения с выводами и списком основных результатов, списка литературы. Общий объем диссертации

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гриняев, Сергей Николаевич

Заключение Основные результаты и выводы работы:

1) Исследован эффект полного отражения электронной волны от гетерограницы ОаАз/А1Аз(001). Показано, что появление нуля в коэффициенте прохождения электронов через гетерограницу ОаАз/А1 Аз(001), обнаруживаемое в интервале энергии от дна X -долины А1Аб до дна двугорбой структуры ОаАэ, обусловлено взаимной компенсацией вкладов от „виртуальных процессов" с участием Г, Х1 и Хз состояний. Появление нуля в коэффициенте прохождения не связано с каким-либо интерфейсным резонансным состоянием, а является следствием многодолинного характера зонного спектра ОаАэ, АЬАб.

2) Показано, что энергии и симметрия состояний глубоких уровней вакансий А1, ва и Аб в сверхрешетке (ОаАз)з(А1 Аб) 1 (001) зависят от положения дефектов в решетке. Понижение симметрии по сравнению с бинарными кристаллами приводит к частичному (полному) снятию вырождения глубоких уровней вакансий, находящихся в средних (крайних) по отношению к А1 слоях, а также к различной ориентации их зарядовых плотностей. Наибольшие изменения (-0.1 эВ) имеют место для вакансии Аб, расположенной непосредственно на гетерогранице.

3) Исследовано туннелирование электронов через напряженные, вюртцитные структуры ОаМЛЗа1-хА1хМ(0001). Показано, что при небольшой концентрации алюминия (х<0.3) результаты многозонных расчетов удовлетворительно описываются однодолинной моделью метода огибающей волновой функции при учете зависимости эффективной массы от энергии и деформации. Внутренние электрические поля, связанные со спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, приводят к красному или голубому сдвигу резонансных энергий в зависимости от толщины и расположения барьеров по отношению к полярной оси. В сверхрешетках (ОаК)„(Са1.хА1х1^)т внутренние поля могут формировать штарковскую лестницу электронных состояний при небольшом числе ультратонких слоев даже в отсутствии внешнего поля.

4) Исследованы электронные состояния арсенида галлия с мышьяковыми кластерами тетраэдрической симметрии. Показано, что локализованные состояния в окрестности запрещенной зоны можно интерпретировать как результат расщепления за счет взаимодействия с окружением совокупности уровней Аь образованных в запрещенной зоне невзаимодействующими антиструктурными дефектами Аэоа, входящими в кластер. Малые мышьяковые кластеры выступают донорами.

5) Изучены электронные состояния, создаваемые кластерами и тонкими слоями из атомов галлия ОаАз. Показано, что запрещенная зона ОаАэ плотно заполняется локализованными состояниями с ростом размеров кластеров ва. Одновременно с этим уровень Ферми быстро достигает своего предельного значения, близкого к величине барьера Шоттки для плоской границы металл/полупроводник. Положение по энергии и "хвосты" состояний в области уровня Ферми определяются интерфейсными слоями из антиструктурных дефектов ва^. Эти состояния одновременно выступают и как щелевые металл-индуцированные состояния и как "перенормированные" за счет взаимодействия состояния глубоких уровней одиночных дефектов вадБ, что свидетельствует о тесной взаимосвязи моделей, основанных на представлениях о закреплении уровня Ферми дефектными и металл-индуцированными состояниями.

6) Изучены электронные состояния- и спектры оптического поглощения- германиевых кластеров в кремнии. Показано, что с ростом размеров германиевых кластеров дырочный уровень размерного квантования монотонно смещается вглубь запрещенной зоны 81, что приводит к красному сдвигу края оптического поглощения. Наиболее интенсивное поглощение связано с переходами с резонансного интерфейсного состояния на дно зоны проводимости кремниевой матрицы. Волновая функция локализованного, дырочного состояния обнаруживает характер, свойственный однодолинному приближению метода ( эффективной массы. В модели с резко оборванным на гетерогранице кластер/матрица потенциалом этот метод дает результаты, близкие к псевдопотенциальному расчету для кластеров с размерами, большими ~ 2 нм.

7) Исследованы электронные состояния и оптические свойства периодического массива пирамидальных квантовых точек ^-ОаН/АМ(0001). Показано, что вследствие эффектов размерного квантования минимум нижней электронной минизоны массива точек происходит из состояния квантовой Г ямы, а выше лежащие уровни связаны с состояниями боковых и долин и окрестности Г долины зоны проводимости бинарных кристаллов. Наиболее интенсивное поглощение света отвечает волнам, поляризованным в базальной плоскости Е1.с. Оно связано с электронными переходами Г(—>Гз с нижнего уровня П на два близких уровня Гз, возникающих в результате смешивания состояний из и долин и линии Е. Поглощение света с поляризацией Е\\с более слабое, пик сдвинут в сторону больших энергий и обусловлен переходом с нижнего уровня на возбужденный уровень, происходящий из состояний с линии Д. Благодаря увеличению облучаемой поверхности при фронтальном падении света, массивы малых квантовых точек ОаЫ (~ 2 нм диаметр основания пирамиды, ~1 нм высота пирамиды) могут быть использованы для повышения эффективности инфракрасных фотоприемников.

8) Исследовано влияние плавного интерфейсного потенциала на электронные состояния в гетероструктурах ОаАз/А1Аз с использованием представления переходной области на гетерограницах фрагментами ультратонких сверхрешеток (ОаАз)п(А1 Аз)т(001). В такой модели мезвдолинное смешивание происходит на двух границах и в области переходного слоя. Учет плавного потенциала приводит к заметным изменениям при туннелировании электронов в структурах с тонкими слоями, причем особенно существенным в том случае, когда они происходят при участии коротковолновых состояний в области междолинного смешивания.

9) Развита двухдолинная Т-Ь модель электронных состояний в структурах ОаАз/А1Аз(111) с резко оборванным на границе потенциалом. Обнаружены "интерфейсные" состояния, имеющие максимальную электронную плотность на гетерограницах ОаАз(111В)/А1Аз(111 А). Эти состояния быстро распадаются за счет сильного Т-Ь взаимодействия на границе, когда слой ОаАэ не ограничен слоями А1Аз с обеих сторон.

10) Установлена корреляция в положении глубоких уровней собственных точечных дефектов с предельным положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы Ш-У. Предложена теоретическая модель наиболее локализованного дефектного состояния кристалла, позволяющая определять положение уровня Ферми в радиационно-модифицированных полупроводниках, высоту барьера Шоттки и разрывы зон в. полупроводниковых гетероструктурах.

11) Показано, что за счет эффектов размерного квантования в зоне проводимости ультратонких сверхрешеток (СаАз)п(А1Аз)т(001) возникают близко расположенные конкурирующие долины, волновые функции которых локализованы в соответствующих квантовых ямах. Это приводит к росту интенсивности междолинных переходов в сверхрешетках по сравнению с аналогичными переходами в твердых растворах. Наиболее сильная локализация волновых функций имеет место в глубоких Г ямах СаАз, что вызывает немонотонное изменение деформационных потенциалов переходов типа Г-Х и Г-Ь в ряду сверхрешеток. Междолинные переходы электронов в зоне проводимости сверхрешеток Г[-М5, Г1-Х1, Г1-Х3, Х1-Х1, Х1-Х3, Г3-М5 происходят в основном за счет колебаний катионов, переходы Х1-М5, Х3-М5, Г3-Х1, Г3-Х3 - за счет колебаний анионов, а наиболее интенсивные каналы рассеяния Г3-М5 и 2з-М5 связаны с оптическими колебаниями легких атомов А1. Усредненные по каналам рассеяния деформационные потенциалы в сверхрешетках больше, чем в соответствующих твердых растворах.

Развитие исследований может быть продолжено в следующих направлениях :

I) Междолинное рассеяние электронов на коротковолновых фононах - 1) расчет деформационных потенциалов для сверхрешеток с другими гетерограницами (111), (110), выявление закономерностей; 2) изучение рассеяния в квантовых проволоках и квантовых точках

И) Дефекты, кластеры — совершенствование модели экранирования дефектного потенциала, учет релаксации и дисторсии решетки, расчет электронных состояний кластеров различной формы и состава

III) Гетерограницы - учет деформаций при расчете уровня электронейтральности в гетеропереходах с несогласованными решетками

IV) Процессы туннелирования — прохождение электронов с ориентацией гетерограницы (110), разработка моделей плавной границы, включая спиновые состояния.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Гриняев, Сергей Николаевич, 2011 год

1. Alferof Z.1. Nobel Lecture: The double heterostructure concept and its applications in physics, electronics, and technology // Rev.Mod.Phys.- 2001. - V.73, N3.- P.767-782.

2. Kromer H. Quasielectric fields and band offsets: teaching electrons new tricks // Rev.Mod.Phys.-2001. -V.73, N3.-P.783-793.

3. Rossi F. Theory of Semiconductor Quantum Devices Microscopic Modeling and Simulation Strategies. Berlin, Springer Verlag, 2011.- 380 P.

4. Yu M., Ulloa S.E., Drabold D.A. Local-basis quasiparticle calculations and the dielectric response function of Si clusters // Phys.Rev.B.- 2000.- V.61. P. 2626-2631.

5. Mader K.A., Zunger A. Empirical atomic pseudopotentials for AlAs/GaAs superlattices, alloys, and nanostructures // Phys.Rev.B.- 1994.-V.50.- P.17393-17405.

6. Мильвидский М.Г., Чалдышев B.B. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках- новый подход к формированию свойств материалов // Физика и техника полупроводников:- 1998. Т.32. - С.513-522.

7. Никифоров А.И., Ульянов В.В., Пчеляков О.П., Тийс С.А., Гутаковский А.К. Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой" поверхности окиси Si //Физика твердого тела. 2005. - Т.47. - С.67-69.

8. Полупроводники А2В4С52 / Под ред. Горюновой H.A., Валова Ю.А. М.: Советское радио.-1974.- 374 С.

9. Shay J.L. and Wernick J.Hi Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications. Oxford: Pergamon Press, 1975. - 330 P.

10. Herring C. A New Method for Calculating Wave Functions in Crystals. // Phys. Rev.- 1940.- V. 57.-P. 1169-1177.

11. Ферми-Э. О движении нейтронов в водородосодержащих веществах // Научные труды. -М.: Наука, 1971-С.743-781.

12. Kleinman L., Phillips J.C. Crystal Potential and Energy Bands of Semiconductors. I. Self-Consistent Calculations for Diamond // Phys.Rev. 1959.- V.l 16.- P.880-884.

13. Bloch F. Über die Quantenmechanik der Elektronen in Kristallgittern // Z.Physik.- 1928.-V.52.-P.555-600.

14. Slater J.C. Wave Functions in a Periodic Potential // Phys. Rev.- 1937.- V. 51.- P. 846-851.

15. Korringa J. On the calculation of the energy of a Bloch wave in a metal // Physica (Utrecht).-1947.- V.13.- P.392-400.

16. Kohn W., Rostoker N. Solution of the Schrödinger Equation in Periodic Lattices with an Application to Metallic Lithium // Phys.Rev. 1954.- V.94.- P. 1111-1120.

17. Cohen M.L., Bergstresser Т.К. Band structures and pseudopotential form factors for fourteen semiconductors of the diamond and zincblende structures // Phys.Rev.- 1966.- V.141.- P.789-796.

18. Хейне В., Коэн M., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. Пер. с англ. М. : Мир, 1973, 558 С.

19. Кон В. Электронная структура вещества волновые функции и функционалы плотности // УФН. - 2002.- Т.172.- С.336-348.

20. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous Electron Gas // Phys. Rev.- 1964.-V.136.-P.B864-B871>.

21. Hwang J., Chung W. Scissor mode applied to the yrast band of the rare-earth nuclei // Phys.Rev.C.- 1990.- V.42, N4.- P.1380-1385. ■ •

22. Perdew J.P., Burke S., Ernzerhof M: Generalized Gradient Approximation Made Simple // Phys.Rev.Lett. 1996. - V.77. - P.3865-3868.

23. Hedin L. New Method for Calculating the One-Particle Green's Function with Application to the Electron-Gas Problem // Phys. Rev.-1965.~y. 139, A796-A823.

24. Pulci O., Bechstedt F., Onida G., Del Sole R., Reining L. State mixing for quasiparticles at surfaces: Nonperturbative GW approximation // Phys.Rev.B.- 1999.- V.60, N24.- P.16758-16761.

25. Becke A.D: Density-Functional Thermochemistry. III. The Role of Exact Exchange // J.Chem.Phys.-1993.- V.98, N7.- P.5648-5652.

26. Чалдышев B.A., Гриняев C.H. Расчет электронного спектра соединений А3В5 и твердых растворов на их основе методом модельного псевдопотенциала // Известия вузов. Физика -1983. Т.26, №3. - С.38-61.

27. Гриняев С.Н., Катаев- С.Г., Нявро А.В., Чалдышев В.А. Переносимый модельный псевдопотенциал: расчет спектров изолированных ионов // Известия вузов. Физика 1985. -Т.28, №8. - С. 122-124.

28. Clementi Е., Roetti С. Roothan-Hartree-Fock atomic wave-functions // Atom. Data and Nucl. Data Tables. 1974.- V.14, N3/4. - P. 177-478.

29. Weisz G. Band Structure and Fermi-surface of White Tin // Phys.Rev. 1966. - V.149, N2. -P.504-518.

30. Grimes R.D., Cowley E.R. Model dielectric function for semiconductors // CanJ.Phys.- 1975. -V.53, N23. P.2549-2554.

31. Penn D.R. Wave-Number-Dependent Dielectric Function of Semiconductors // Phys.Rev.-1962.- V.128, N5. P.2093-2097.

32. Sham L. A Calculation of the Phonon Frequencies in Sodium // Proc.Roy.Soc.A. — 1965. -V.283, N1392. — P.33-49.

33. Lowdin P. A note on the quantum-mechanical perturbation theory // J.Chem.Phys.- 1951.- V.19, N11. -P.1396-1401.

34. Moore C.E. Atomic Energy Levels, V.l (Hydrogen through; Vanadium) // Circular of the * National Bureau of Standards 467, U.S. Government Printing Office, Washington, DC, 1949.

35. Wood D: Mi, Zunger A. Successes and failures of the,k-pvmethod: A direct assessment for GaAs/AlAs quantum structures quantum wells and superlattices // Phys. Rev. В.- 1996.- V. 53,-P.7949-7963.

36. Franceschetti A., Zunger A. Quantum-confinement-induced Г—»X transition in GaAs/AlGaAs quantum films, wires, and dots // Phys. Rev. В.- 1995.- V.52.- P: 14664-14670.

37. Hamann D.R., Schlüter M., Chiang С. Norm-conserving pseudopotentials // Phys. Rev. Lett.-1979.- V.43, p, 1494-1497.

38. Bachelet G. В., Schlüter M., Hamann D. R. Pseudopotentials that work: from H to Pu // Phys. Rev. В.- 1982.-V.26.-P.4199-4228.

39. Perdew J.P., Zunger A. Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems//Phys. Rev. B. 1981. - V.23. -P.5048-5079.

40. Chadi D.J., Cohen M.L. Special Points in the Brillouin Zone // Phys.Rev.B. 1973. - V.8, N12. -P.5747-5753.

41. Ehrenreich H., Cohen M.H. Self-consistent field approach to the many-electron problem 7/ Phys.Rev. 1959: - V. 115, N4.- P.786-790.

42. Hass K.C., Velicky В., Ehrenreich H. Simplification of Green's function calculations // Phys.Rev.B. -1984. V.29, N6. - P.3697-3699.

43. Эварестов P.A. Квантовохимические методы в теории твердого тела. Л.:Изд-во ЛГУ, 1982, 280 С.

44. Ко D.Y., Inkson J.C. Matrix method.for tunneling in heterostructures: Resonant tunneling in multilayer systems // Phys. Rev.B.-1988. -V.38, N14. P.9945-9951.

45. Гриняев С.Н., Чернышев В.Н. Рассеяние электронов в многобарьерных структурах GaAs/Al(x)Ga( 1 -х)As // Физика и техника полупроводников.-1992. Т.26, №12. - С.2057-2067.

46. Chang Y.C., Schulman J.N. Complex band structures of crystalline solids: An eigenvalue method // Phys.Rev.B. 1982.- V.25, N6. - P.3975-3986.

47. Гантмахер Ф.Р. Теория матриц. M.: "Наука", 1966, 576 С.

48. Ковалев О.В. Неприводимые и индуцированные представления и копредставления федоровских групп. -М.:Наука, 1986, 368 С.

49. Кипе К., Balkanski М., Nusimovici М.А. Lattice dynamics of several ANB8"N compounds. II. Numerical calculations // Phys.Stat. Sol (b). 1975. - V.72, N1. - P.229-248.

50. Blakemore J.S. Semiconducting and Other Major Properties of Gallium Arsenide // J.Appl.Phys.-1982.-V.53, N10.-P.R123-R181.

51. Самсонов Г.В. Нитриды. Киев: Наукова думка, 1969, 380 С.

52. Properties of Group III Nitrides, ed.by J.H. Edgar, EMIS DATAREVIEWS SERIES, No. 11. -London: Publ. IEE, INSPEC, 1994, 302 P.

53. Ордин C.B., Шарупин Б.Н., Федоров М.И. Нормальные решеточные колебания и кристаллическая структура анизотропных модификаций нитрида бора // ФТП. 1998.- Т.32, №9. - Р.1033-1042.

54. Lopatin V.V., Ivanov Yu.F., Dedkov V.S. Stracture-Diffractoin Analysis of Nanometi Sized Polycrystals // J. Nanostructured Materials. 1994.- V.4, №6. - P.669-676.

55. Buzhinskij O.I., Lopatin V.V., Sharupin B.N. Rhombohedral pyrolytic boron nitride as a protection material in fusion devices // J.Nucl.Mater. 1992. - V.196-198. - P.l 118-1120.

56. Hoffman D.M., Doll G.L, Eklund P.C. Optical properties of pyrolitic boron nitride in the energy range 0.05-10 eV // Phys.Rev.B. -1984.- V.30, N10. P.6051-6056.

57. Larach S., Shrader R. Multiband luminescence in boron nitride // Phys.Rev. -1956. V.104, N1.-P.68-73.

58. Leapman R., Fejes P., Silcox J. Orientation dependence of core edges from anisitropic materials determined by inelastic scattering of fast electrons // Phys.Rev.B. -1983.- V.28, N5. P.2361-2373.

59. Mamy R., Thomas J, Jezequel G, Lemonnier J.C. Anisotropic des transitions interbandes dans le nitrure de bore hexagonal // J.Phys.Lett. -1981. V.42, N22. - L473-L475.

60. Фомичев В.А. Рентгеновские спектры и энергетические схемы ВеО и BN // ФТТ. — 1971. -Т.13, №3. С.907-911.

61. Tegeler Е., Kosuch N., Wiech G., Faessler A. On the electronic structure of hexagonal Boron Nitride // Phys.stat.sol.(b). 1979. - Y.21, N1. - P.223-231.

62. Cattelani A., Posternak M., Baldereschi A., Freeman A.J. Bulk and Surface Electronic Structure of Hexagonal Boron Nitride // Phys. Rev.B. 1987. - V.36, N11.- P.6105-6111.

63. Park K.T, Terakura K., Hamada N. Band-structure calculations for boron nitrides with three different crystal structures // J.Phys.C.- 1987. V.20, N9.- 1241-1251.

64. Robertson J. Electronic structure and core exiton of hexagonal BN // Phys.Rev.B. — 1984. -V.29. -P.2131-2137.

65. Xu Y.N., Ching W.Y. Calculation of ground-state and optical properties of boron nitrides in the hexagonal, cubic, and wurtzite structures// Phys.Rev.B. 1991. - V.B44,N15. -P.7787-7798.

66. Blase X., Rubio A., Louie S.G., Cohen M.L. Quiasiparticle band structure of bulk hexagonal, boron nitride and related systems // Phys.Rev.B. 1995. - V.51, N11. - P.6868-6875.

67. Loupias G., Wentzcovitch R., Bellaiche L., Moscovici J., RabiLS. Investigation of electronic distribution in hexagonal BN by Compton scattering //Phys.Rev.B.-1994.-V.49,N19.-P:i3342-13347.

68. Lukomskii A.J., Shipilo V.-B, Gameza L.M. Luminescence properties of graphite-like boron nitride // J.Appl.Spectrosc. -1993. V.57, N1-2. - P.607-610.

69. Гриняев C.H., Лопатин1 B.BI Электронная структура графитоподобного и ромбоэдрического нитрида бора // Известия вузов. Физика. 1992. - Т.35, №2. - G.27-32'.

70. Гриняев С.Н., Лопатиш В.В. Распределение валентного- заряда и уровень электронейтральности в графитоподобном и ромбоэдрическом нитриде бора // Физика твердого тела. 1996. - Т.38, №12. - С.3576-3584.

71. Гриняев С.Н., Лопатин В'.В'. Анизотропия химической связи и электронной структуры в графитоподобном и ромбоэдрическом нитриде бора // Журнал структурной химии. 1997. -Т.38, №1. - С.32-41.

72. Чалдышев В.А., Покровский В.Н. Свойства симметрии энергетических зон кристаллов со структурой халькопирита // Изв. Вузов. Физика. 1960.- Т.З, №2.- С. 173-181.

73. Limpijumnong S., Lambrecht W.R.L., Segall В. Electronic structure of ZnGeP2: A detailed study of the band structure near the fundamental gap and its associated parameters // Phys.Rev.B. -V.60, N11. P.8087-8096.

74. Blickle V., Flock К., Dietz N., Aspnes D.E. Pseudodielectric function of ZnGeP2 from 1.5 to 6 eV // Appl.Phys.Lett.-2002. V.81, №4. - P.628-630.

75. Shay J.L., Tell В., Buehler E., Wernick J.H. Band Structure of ZnGeP2 and ZnSiP2 Ternary Compounds with Pseudodirect Energy Gaps // Phys. Rev. Lett.-1973. - V.30, N20. - P.983-986.

76. Varea de Alvarez C., Walter J.P., Cohen M.L., Stokes J. Wavelength-Modulation Spectra and Band Structures of InP and GaP // Phys. Rev.B. 1972. -V.6, N4. - P.1412-1419.

77. Брудный B.H., Воеводин В.Г., Гриняев C.H. Глубокие уровни собственных точечных дефектов и природа "аномального" оптического поглощения в ZnGeP2 // Физика твердого тела-2006. Т.48, №11. - С. 1949-1961.

78. Varea de Alvarez С., Cohen M.L., Kohn S.E., Petroff Y., Shen Y.R. Calculated and measured reflectivity of ZnGeP2// Phys.Rev.B. 1974.-V.10, N12. - P.5175-5183.

79. Полупроводники II-IV-V2: физические исследования, проблемы и возможности применений. (Тем. вып. под ред: Тучкевича В.М.). Изв. Вузов. Физика. 1986. - Т.29, №8.

80. Басалаев Ю.М., Гордиенко А.Б., Поплавной А.С. Оптические свойства кристаллов ZnGeP2 в ультрафиолетовой области // ФТП. 2005. - Т.39, №9.- С.1040-1042.

81. Zhang S.B., Cohen M.L., Louie S.G., Tomaneck D., Hybertsen M.S. Quasiparticle band offset at the (001) interface and band gaps in ultrathin superlattices of GaAs-AlAs heterojunctions // Phys. Rev. B. 1990. - V.41, N14. - P.10058-10067.

82. Dandrea R.G., Zunger A. First-principles study of intervalley mixing: Ultrathin GaAs/GaP superlattices // Phys. Rev.B. 1991. V.43, N11.- P.8962-8989.

83. Andreoni W., Car R. Similarity of (Ga, Al, As) alloys and ultrathin heterostructures: Electronic properties from the empirical pseudopotential method//Phys. Rev.B.-1980.-V.21,N8.-P.3334-3344.

84. Caruthers E., Lin-Chung P.I. Pseudopotential calculations for ultrathin layer heterostructures // J. Vac. Sci. Technol. 1978. - V.15, N4. - P. 1459-1464.

85. Grinyaev S.N., Karavaev G.F., Tyuterev V.G. Intervalley deformation potentials in (AlAs)i(GaAs)i superlattice // Physica B:Cond.Matter. 1996. - V.228, N3-4. - P.319-328.

86. Carriga M., Cardona M., Christensen N.E., Lautenschlager P., Isu Т., Ploog K. Interband transitions of thin-layer GaAs/AlAs superlattices // Phys.Rev.B. 1987. - V.36, N6. - P.3254-3258.

87. Isu Т., Jiang D.-S., Ploog K. Ultrathin-layer (AlAs),„(GaAs)m superlattices with m = 1,2,3 grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys.A. -1987. V.43, N1. - P.75-79.

88. Ge W., Schmidt W.D., Sturge M.D., Pfeiffer L.N., West K.W. Electronic states in GaAs-AlAs short-period superlattices: energy levels and symmetry // J. Lumin 1994. - V.59, N3. - P. 163-184.

89. Weber W. Adiabatic bond charge model for the phonons in diamond, Si, Ge, and a-Sn // Phys. Rev.B. 1977. - V.15, N10. - P. 4789-4803.

90. Yip S.K., Chang Y.G. Theory of phonon dispersion relations in semiconductor superlattices // Phys.Rev.B. 1984. - V.30, N12. - P.7037-7059.

91. Toriyama Т., Kobayashi N., Horikoshi Y. Lattice Vibration of Thin-Layered AlAs-GaAs Superlattices // Jap.J. Appl. Phys. 1986. - V.26, N12, part.l. - P.l895-1901.

92. Cardona M. Folded, confined, interface, surface, and slab vibrational modes in semiconductor superlattices // Superlatt. and Microstr. -1989. V.5, N1. P.27-42.

93. Richter E., Strauch D. Lattice dynamics of GaAs/AlAs superlattices // Sol.St.Comm. -1987. -V.64, N6. P.867-870.

94. Гриняев C.H., Никитина JI.H., Тютерев В.Г. Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетке (AlAs)i(GaAs)3 // Физика твердого тела 2006. - Т.48, №1.- С.120-127.

95. Гриняев.С.Н., Никитина JI.H., Тютерев B.F. Междолинное рассеяние электронов на фононах в ультратонких сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n (001) // Физика твердого тела 2010. - Т.52, №8. - С. 1498-1504:

96. Grinyaev S.N., Nikitina L.N., Tuyterev V.G. Intervalley Electron-Phonon Scattering in Ultra-Thin (GaAs)m(AlAs)„(001) Superlattices // Advances in Materials Science Research. Nova Publishers 2011. -V.2, Chapter 9. - P.155-176.

97. Kannelis G. New approach to the problem of lattice dynamics of modulated structures: Application to superlattices // Phys.Rev.B.-1987.-V.35, N2,- P.746-756.

98. Ikonic Z., Inkson J.C., Srivastava G.P. Ordering of conduction band states in (GaAs)n(AlAs)n 001. and [110] superlattices // Semicond. Sci. Technol. 1992. - V.7. - P.648-653.

99. Полыгалов Ю.И., Поплавной A.C. Зонная структура короткопериодичных (001) сверхрешёток (AlAs)n(GaAs)„ // ФТП. 1990. - Т.24, №2. - С.328-333.

100. T.Matsuoka, T.Nakazawa, T.Ohya, K.Taniguchi, C.Hamaguchi. Zone-folding effect in short-period (GaAs)„/(AlAs)„ superlattices with n in the range 3-15 // Phys.Rev.B.- 1991.-V.43, N14.-P.l 1798-11805.

101. Srivastava G.P., Gordon R.L., Ikonic Z, Low lying conduction states in (GaAs)„(AlAs)„ superlattices // Superlattices and Microstructures.-1991.-V.9, N1.- P.43-46.

102. Fujimoto H., Hamaguchi C., Nakazawa Т., Taniguchi K., Imanishi K., Kato H., Watanabe Y. Direct and indirect transition in (GaAs)n/(AlAs)n superlattices with n=l-15 // Phys.Rev.B. 1990. -V.41, N11. - P.7593-7601.

103. Глухов K.E., Берча А.И., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Энергетические состояния в короткопериодных симметричных и асимметричных сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M-Зависимость от граничных условий // ФТП. 2004. - Т.38, №4. - С.426-435.

104. Finkman Е., Sturge M.D., Tamargo М.С. X-Point Excitons in AlAs/GaAs Superlattices // Appl.Phys.Lett. 1986. - V.149, N19. - P.1299-1301.

105. Finkman E., Sturge M.D., Meynadier M.H., Nahory R.E., Tamargo M.C., Hwang D.M., Chang C.C. Optical Properties and Band Structure of Short Period GaAs/AlAs Superlattices // J.Luminesc.-1987. V.39. - P.57-74.

106. Г. Бир Г.JI., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972, 584 С.

107. Гантмахер- В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей тока- в металлах и полупроводниках. -МлНаука, 1984, 353 С.

108. Cardona M. Electron-phonon interaction in tetrahedral semiconductors // Solid State Commun. -2005.-V.133.-P.3-18.

109. Scholl E. Theory of transport properties of semiconductor nanostructures.-Springer, 1998, 391, P.

110. Грибников 3.C., Райчев О.Э. Г-Х перенос'в реальном пространстве: вклад рассеяния на междолинных фононах // ФТП.- 1989. -Т.23. №12. С.2171-2178.

111. Райчев О.Э. Особенности проводимости Г-Х сверхрешеток // ФТП. 1991. - Т.25. -С.1228 -1236.

112. Mlayah A., Carles R., Sayari A., Chtourou R., Charfi F.F., Planel R.'Resonant Raman scattering in GaAs/AlAs superlattices: The role of electron state mixing // Phys.Rev.B. 1996. -V.53. - P.3960-3965.

113. Teissier R., Finley J J., Skolnick M.S., Cockburn J.W. Experimental determination of Г-Х intervalley transfer mechanisms in GaAs/AlAs heterostructures // Phys.Rev.B. 1996.- V.54, N12. -P.R8329-R8332.

114. Sapega V.F., Perel' V.I., Dobin A.Yu., Mirlin D.N., Akimov I.A. Miniband effects on hot-electron photoluminescence polarization in GaAs/AlAs superlattices // Phys. Rev.B. -1997. -V.56, N11. -P.6871-6879.

115. Guha S., Cai Q., Chandrasekhar M., Chandrasekhar H.R. Photoluminescence of short-period GaAs/AlAs superlattices: A hydrostatic pressure and temperature study // Phys. Rev. B. 1998. — V.58, N11. -P.7222-7229.

116. Akimov I. A., Sapega V.F., Mirlin D.N., Ustinov V.M. Inelastic scattering of hot electrons in n-GaAs/AlAs types I and II multiple quantum wells doped with silicon // Physica E. -2001. -V.10. -P.505-510.

117. Gao X., Botez D., Knezevic I. X-valley leakage in GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers // Appl. Phys.Lett.- 2006. V.89. -P. 191119-1-191119-3.

118. Tavish J., Ikonic Z., Indjin D., Harrison P. Intervalley scattering and the role of indirect band gap AlAs barriers: application to GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers // Acta Physica Polonica A.- 2008.-V.l 13. P.891-902.

119. Herbert D.C. Structured-base hot-electron transistors: scattering rates // Semicond.Sci.Technol.- 1988. V.3, N2. - P.101-110.

120. Гриняев C.H., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г., Чалдышев В.А. Псевдопотенциальный расчет междолинных потенциалов рассеяния // Физика твердого тела.- 1988.- Т.30, №9. -С.2753-2756.

121. Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г. Расчет параметров междолинного рассеяния на фононах в полупроводниковых кристаллах А3В5 // Физика и техника полупроводников. — 1989. Т.23, №8. - С.1458-1461.

122. Zollner S., Gopalan S., Cardona M. Intervalley deformation potentials and scattering rates in zinc blende semiconductors // Appl. Phys. Lett. -1989. V.54, N7. - P.614-616.

123. Zollner S., Schmidt U., Christensen N.E., Cardona M. Conduction band minima of InP: Ordering and absolute energies // Appl. Phys. Lett. -1990. - V.57, N22. - P.2339-2341.

124. Zollner S., Gopalan S., Cardona M. Microscopic theory of intervalley scattering in GaAs: k dependence of deformation potentials and scattering rates //J.Appl.Phys.-1990.-V.68,N4.-P.1682-1693.

125. Grein C.H., S.Zollner, M.Cardona. Calculation of intervalley scattering rates in AlxGaixAs: Effects of alloy and phonon scattering // Phys. Rev.B. 1991. -V.44, N23. - P.12761-12768.

126. Zollner S., Gopalan S., Cardona M. Microscopic theory of intervalley scattering in InP // Phys. Rev. B. 1991. -V.44, N24. - P. 13446-13451.

127. Krishnamurthy S., Cardona M. Self-consistent calculation of intervalley deformation potentials in GaAs and Ge // J. Appl. Phys. 1993. -V.74, N3. - P.2117-2119.

128. Ridley V.K. Electrons and phonons in semiconductor multilayers. Cambridge University Press, 2009,409 C.

129. Строшно M., Дутга M. Фононы в наноструктурах. M.: Физматлит, 2006, 320 С.

130. Raichev O.E. Phonon-assisted Г-Хtransfer in (OOl)-grown GaAs/AlAs superlattices // Phys.Rev. B. V.49,N8. - P.5448-5462.

131. Никитина Л.Н., Обухов C.B., Тютерев В.Г. Ab initio расчет деформационных потенциалов для междолинных переходов с участием фононов в кристаллах А3В5 со структурой сфалерита// Изв.Вузов. Физика. 2009. -№7.-С.78-83.

132. Adachi S. GaAs, AlAs, and Al^Gai-^As. Material parameters for use in research and device applications // J.Appl. Phys. 1985. - V.58, N3. - P.R1-R29.

133. Goi A.R., Cantarero A., Syassen K., Cardona M. Effect of pressure on the low-temperature exciton absorption in GaAs // Phys.Rev. В.- 1990. -V.41, N14. P.10111-10119.

134. Parker T.R., Phillips C.C., May P.G. AlxGai.xAs intervalley scattering rates from field-assisted photoemission spectroscopy // Phys.Rev.B. 1995. - V.51, N7. - P.4264-4271.

135. Карлик И.Я., МирлинД.Н., Сапега В.Ф. Вероятность междолинных Г—>L переходов в кристаллах арсенида галлия // ФТП. 1987. - Т. 21, №6. - С.1030-1032.

136. Shah J., Deveaud В., Damen Т.С., Tsang W.T., Gossard A.C., Lugli P. Determination of intervalley scattering rates in GaAs by subpicosecond luminescence spectroscopy // Phys. Rev. Lett. 1987. -V.59, N19. - P.2222-2225.

137. Mickevicius R., Reklaitis A. Monte Carlo study of nonequilibrium phonon effects in GaAs // Sol. State Commun. -1987. V.64 N10. - P.1305-1308.

138. Мицкявичус P., Реклайтис А. Междолинные процессы в n-GaAs // Лит. физ. Сборник. — 1988. Т.28, №1. - С.74-76.

139. Kotov V., Stiens J., Shkerdin G., Ranson W., De Tandt C., Borghs G., Vounckx R. Impact of deformation potential scattering on free-carrier optical nonlinearities: An experimental study in GaAs // J.Appl.Phys. 2002. - V.91, N7. - P.3992-3999.

140. Lam P.K., Dacorogna M.M., Cohen M.L. Self-consistent calculation of electron-phonon couplings // Phys.Rev. B. 1986. - V.34, N8. - P.5065-5069.

141. Pantelides S.T. The electronic structure of impurities and other point defects in swemiconductors // Rev. Mod. Phys.-1978, N4.- P.797-858.

142. Jaros M. Deep levels in semiconductors // Advances in Physics.-1980. V.29, N3.- P.409-525.

143. Ланно M., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. М. : Мир, 1984, 264 С.

144. Blakemore J.S., Rahimi S. Models for Mid-Gap Centers in Gallium arsenide // Semiconductors and Semimetals. Semiinsulating GaAs.- 1984. V.20, Part 4. - P.234-363.

145. Puska M.J. Electronic structures of point defects in III-V compound semiconductors // J.Phys.: Condens. Matter. -1989. V.l, N40. -P.7347-7366.

146. Nieminen R.M. Issues in first-principles calculations for defects in semiconductors and oxides // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. -2009.- V.17, N8. 084001.

147. Lany S., Zunger A. Accurate prediction of defect properties in density functional supercell calculations // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng 2009. -V.17, N8.- 084002.

148. Van de Walle C.G., Janotti A. Advances in electronic structure methods for defects and impurities in solids // Phys. Status Solidi B. -2011. -V.248, No.l. P. 19-27.

149. Potz W., Ferry D. K. Chemical trends for native defects in III-V-compound semiconductors // Phys. Rev.B. 1985. - V.31, N2. - P.968-973.

150. Lin-Chung P.J., Reinecke T.L. Theoretical study of native defects in III-V semiconductors // Phys.Rev.B.- 1983. V.27, N2. - P.l 101-1114.

151. Singh J., Madhukar A. Method for calculating the electronic structure induced by short-ranged defects in semiconductors // Phys. Rev.B. 1982. - V.25, N12. - P.7700-7712.

152. Baraff G.A, Schluter M. New self-consistent approach to the electronic structure of localized defects in solids // Phys. Rev.B. 1979:- V.19, N10. - P.4965-4979.

153. Bernholc J., Lipari N.O., Pantelides S.T. Self-Consistent Method for Point Defects in Semiconductors: Application to the Vacancy in Silicon // Phys.Rev.Lett.-1978.-V.41,N13. -P.895-899.

154. Louie S.G., Schluter Ml, Chelikowsky J. R., Cohen M.L. Self-consistent electronic states for reconstructed Si vacancy models // Phys. Rev.B. -1976.- V.13, N4. P.1654-1663.

155. Dabrowsky J., Scheffler M. Isolated arsenic-antisite defect in GaAs and the properties of EL211 Phys. Rev.B. 1989,- V.40, N15. - P.10391-10401.

156. Shen S.-G., Zhang D.-X., Fan X.-Q. Electronic structure of the SbGa heteroantisite defect in GaAs:Sb//Phys. Rev.B. 1994. - V.50,N16. - P.l 1546-11551.

157. Lagowski J., Marowski A., Sen S., Edelman P. Energy levels of the Sboa heteroantisite defect in GaAs:Sb // Appl. Phys. Lett.- 1993. -V.62, N23. P.2968-2970.

158. Baeumler M., Schneider J., Kaufmann U., Mitchel W.C., Yu P.W. Electron paramagnetic resonance identification of the SbGa heteroantisite defect in GaAs:Sb // Phys. Rev.B. 1989. - V.39, N9. - P.6253-6259.

159. Omling R., Hoffmann D., Kunzer M., Baumler M., Kaufmann U. Magnetic circular dichroism and optical detection of electron paramagnetic resonance of the Sboa heteroantisite defect in GaAs:Sb // Phys. Rev.B. 1992. - V.45, N7. - P.3349-3352.

160. Lannoo M., Allan G. A Thomas-Fermi description of the screening around the vacancy in silicon : Charge state dependence // Sol. St. Comm. 1980. - V.33, N3. - P.293-297.

161. Hoglund A. Electronic Structure Calculations of Point Defects in Semiconductors. Acta Universitatis Upsaliesis. Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Facuty of Science and Technology, Uppsala, 2007, 92 P.

162. Гриняев C.H., Чалдышев В.А. Исследование глубоких уровней антиструктурных дефектов Asoa, GaAs и гетероантиструкгурных дефектов 1пд5, SbGa в GaAs методом расширенной элементарной ячейки 4x4x4 // Известия вузов. Физика. 1996. - Т.39, №8. -С.13-21.

163. Caldes М. J., Dabrowski J., Fazzio A., Scheffler М. Anion-antisite-like defects in III-V compounds // Phys. Rev. Lett. 1990. - V.65, N16. - P.2046-2049.

164. Рыжков В.А., Кабышев A.B., Лопатин B.B. Активационное определение микро- и макрокомпонентов в нитридах бора и алюминия с использованием пучков ионов циклотрона // Ж. аналитич. Химии. 1991.- V.46, N6. - Р. 1181 -1187.

165. Neugebauer J., Van dej Walle C.G. Atomic geometry and electronic structure of native defects in GaN // Phys.Rev.B. 1994. -V.50, N11.- P.8067-8073.

166. Boguslawski P., Briggs E.L., Bernholc J. Native defects in gallium nitride // Phys.Rev.B. -1995. -V.51, N23. P.17255-17258.

167. Эварестов P.A., Котомин E.A., Ермошкин A.H. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах. Рига: Зинатне, 1983, 287 С.

168. Gubanov V.A., Lu Z.W., Klein В.М., Fong C.Y. Electronic structure of defects and impurities in III-V nitrides: Vacancies in cubic boron nitride // Phys.Rev.B 1996. - V.53, N8. - P.4377-4385.

169. Jenkins D.W., Dow J.D., Tsai M.H. N vacancies in AlxGaixN // J.Appl.Phys. 1992,- V.72, N9. -P.4130-4133.

170. Ho E.S., Dow J.D. Native point defects in GaxAli.xAsyPi.y // Phys.Rev.B. 1983.- V.27, N2. -P.1115-1118.

171. Bellaiche L., Wei S.-H., Zunger A. Localization and percolation in semiconductor alloys: GaAsN vs GaAsP // Phys. Rev. 1996. - V.54, N24. - P. 17568-17576.

172. Гриняев C.H., Конусов Ф.В., Лопатин B.B. Глубокие уровни комплексов вакансий азота в графитоподобном нитриде бора // Физика твердого тела. 2002. - Т.44, №2. -С.275-282.

173. Хусидман М.Б., Нешпор B.C. Исследование гексагонального нитрида бора методом электронного парамагнитного резонанса // ТЭХ. 1967. -Т.З, №2. - С.270-272.

174. Moore A.W., Singer L.S. Electron spin resonance in carbon-doped boron* nitride // J.Phys.Chem.Solids.- 1972.- V.3. P.343-356.

175. Бассани Ф;, Пастори Парравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. -М.:Наука, 1982, 391'С.

176. Xu Y.-N., Ching W.Y. Calculation of ground-state and optical properties of boron nitrides in the hexagonal, cubic, and wurtzite structures // Phys.Rev.B. 1991.-V.44, N15. - P:7787-7789.

177. Lopatin V.V., Konusov F.V. Energetic states in the boron nitride band gap // J. Phys. Chem. Sol. 1992,- V.53; N6. - P.847-854'.

178. Yamaguchi E. Theory of the DX Centers in III-V Semiconductors and (001) Superlattices // J.Phys.Soc.Jap. 1987.- V.56, N8. - P.2835-2852.

179. Bachelet G.B., Baraff G.A., Schluter M. Self-consistent calculations of the electronic structure for ideal Ga and As vacancies in GaAs // Phys.Rev.B. 1981.- V.24, N2. - P.915-925.

180. Delarue C. Electronic structure and electron-paramagnetic-resonance properties of intrinsic defects in GaAs // Phys.Rev.B. 1991. - V.44, N19. - P.10525-10535.

181. Гриняев'C.H., Г.Ф.Караваев Глубокие уровни вакансий в сверхрешетке AlAs)i(GaAs)3 // Физика и техника полупроводников 1997. - Т.З 1, №5. -С.545-555.

182. Xu Н., Lindefel U. Electronic structure of neutral and charged vacancies in GaAs // Phys.Rev.B. 1990. - V.41, N9. -P.5979-5990.

183. Saarinen K., Hontojorvi P., Lanki P., Corbel C. Ionization levels of As vacancies in as-grown GaAs studied by positron-lifetime spectroscopy // Phys.Rev.B.-l991.-V.44, N19 P.10585 -10600.

184. Jorio A., Wang A., Parentean M., Carlone C., Rowell N.L., Khanna S.M. Optical identification of the gallium vacancy in neutron-irradiated gallium arsenide // Phys.Rev.B. 1994. - V.50, N3. -P.1557-1566.

185. Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Перспективы практического применения полупроводников А2В4С! // ФТП. -1978. Т. 12, №2. - С.209-229.

186. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Грибенюков А.И., Новиков В.П. Смешение частот С02 и СО лазеров в кристалле ZnGeP2 // Квантовая электроника. — 1987. -Т.14, №6.- С.1177-1178.

187. Рудь Ю.И. Оптоэлектронные явления в дифосфиде цинка и германия // ФТП. 1994. -Т.28; №7.-С.1105-1148.

188. Vodopyanov K.L., Voevodin V.G. Type I and II ZnGeP2 travelling-wave optical parametric generator tuneable between 3.9 and TO fim//Optics Commun. -1995.-V.117,N3-4.-P.277-282.

189. Воеводин В.Г., Чалдышев В.А. Исследование тройных полупроводников А2В4С2 // Вестник ТГУ. 2005. - №285. - С.63-73.

190. Xing G.C., Bachmann К.С., Posthill J.B. High-pressure vapor transport of ZnGeP2 // Appl. Phys.Lett.-1990.- V.56, N3. P.271-273.

191. Brudnyi V.N., Budnitskii D.L., Krivov M.A., Masagutova R.V., Prochukhan V.D., and Rud Yu.V. The electrical and optical properties of 2.0 MeV electron irradiated ZnGaAs2 // Phys. stat. sol. (a),-1978. -V.50, N2. - P.379-384.

192. Брудный B.H., Новиков B.A., Попова E.A. Электрические и оптические свойства ZnGeP2, облученного электронами // Изв. вузов Физика. 1986. -Т.29, №8.- С. 123-127.

193. Schunemann P.G., Drevinsky P.J., Ohmer М.С., Mitchell W.C., and Fernelius N.C. Electron beam processing of ZnGeP2 : A nonlinear optical material for the infrared // Mater.Res.Soc.Symp.Proc.- 1995. V.354. - P.729-734.

194. Рудь Ю.В., Масагутова P.B. Экспериментальное обнаружение эффекта просветления ZnGeP2 // Письма в ЖТФ,- 1981,- Т.7, №3. С.167-171.

195. Schunemann P.G., Pollak Т.М. Ultralow gradient HGF-grown ZnGeP2 and CdGeAs2 and their optical properties // MRS Bulletin. 1998. - V.23, N7. - P.23-27.

196. Schunemann P.G., Drevinsky P.J., Ohmer M.C. Gamma ray processing of ZnGeP2: A nonlinear optical material for infrared // Mater.Res.Soc.Symp.Proc.-1995. -V.354. P.579-583.

197. Вайполин A.A., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Ушакова Т.Н. Электронные свойства кристаллов ZnGeP2, полученных методом твердофазных реакций // ФТП.-1999.-Т.ЗЗ, №12.- С.1411-1415.

198. Giles N.C., Bai L„ Chirila M.M., Garces N.Y., Stevens K.T., G.Schunemann P., Setzler S.D., Pollak T.M. Infrared absorption bands associated with native defects in ZnGeP2 // J.Appl.Phys.-2003. -V.93, N11. P.8975-8981.

199. Jiang X., Miao M.S., Lambrecht W.R.L. Theoretical study of cation-related point defects in ZnGeP2 // Phys.Rev.B. -2005. -V.71, N20. -P.205212-1- 205212-12.

200. Jiang X., Miao M.S., Lambrecht W.R.L. Theoretical study of the phosphorus vacancy in ZnGeP2 // Phys.Rev.B. -2006. -V.73, N19. -P.193203-1- 193203- 4.

201. Setzler S.D., Schunemann P.G., Pollak T.M., Ohmer M.C., Goldstein J.T., Hopkins F.K., Stevens K.T., Halliburton L.E., Giles N.C. Characterization of defect-related optical absorption in ZnGeP2 // J. Appl. Phys.- 1999.- V.86, N12. P.6677-6681.

202. Setzler S.D., Giles N.C., Halliburton L.E., Schunemann P.G., Pollak T.M. Electron paramagnetic resonance of a cation antisite defect in ZnGeP2 // AplLPhys.Lett.-1999. V.74, N9. -P.1218-1220.

203. Halliburton L.E., Edwards G.J., Scripsick M.P., Rakowsky M.H., Schunemann P.G., Pollak T.M. Electron-nuclear double resonance of the zinc vacancy in ZnGeP2 // Appl.Phys.Lett.- 1995. -V.66, N20. P.2670-2672. '

204. Stevens K.T., Setzler S.D., Halliburton L.E., Femelius N.C., Schunemann P.G., Pollak T.M. Electron-nuclear double resonance study of the zinc vacancy in zinc germanium phosphide (ZnGeP2) // Mat. Res.Soc.Symp.Proc.- 1998.-V.484. -P.549-554.

205. Averkieva G.K., Grigoreva V.S., Maltseva I.A., Prochukhan V.D., Rud Yu.V. Photoluminescence of p-type ZnGeP2 crystals //Phys. stat. sol. (a). -1977. V.39, N2. - P.453-457.

206. Gehlhoff W., Pereira R.N., Azamat D., Hoffman A., Dietz N. Energy level of native defects in zinc germanium disphosphide // Physica B. 2001. -V.308-310. P.1015-1019.

207. Gehlhoff W., Azamat D., Hoffman A. Donor centers in zinc germanium diphosphide produced by electron irradiation // Phys.Stat.Sol.(b). 2003. - V.235, №1. - P. 151-154.

208. Shimony Y., Kimmel G., Raz 0.,Dariel M.P. X-ray diffraction analysis of melt-grown ZnGeP2 (ZGP)// J. Cryst. Growth. -1999. -V. 198/199.-P.583-587.

209. Verozubova G.A., Gribenyukov A.I., Vere A.W., Flynn C., Ivanov Y.V. ZnGeP2: Optical transparency and melt composition // Mat.Res.Soc.Symp.Proc.-2000. V.607. -P.457-463.

210. Губанов А.И. Симметрия глубоких примесных уровней в халькопиритах // ФТТ. 1985. - Т.27, №9. - С.2724-2726.

211. Губанов А.И. О расчете донорных уровней в халькопиритах // ФТП. 1985. - V.19, №6. -С.1145-1147.

212. Zapol P., Pandey R., Ohmer М., Gale J. Atomic calculation of defects in ZnGeP2 // J. Apll. Phys.- 1996. -V.79, N2. P.671-675.

213. Pandey. R., Ohmer M.C., Costales A., Recio J.M: Atomistic calculation of dopant binding energies in ZnGeP2 // Mat.Res.Soc.Symp.Proc.- 1998. V. 484. - P.525-529.

214. Lasgsgaard J., Stokbro K. Hole Trapping at A1 impurities in Silica: A Challenge for Density Functional-Theories // Phys. Rev. Lett.-2001. V.86, N13. - P.2834-2837.

215. Schwartz G., Kley A., Neugebauer J., Scheffler M. Electronic and structural' properties of vacancies on and below the GaP(l 10) surface // Phys.Rev.B.- 1998. V.58, N3. - P. 1392-1400.

216. Reinecke T.L., Lin-Chung P.J: Anion antisite defects in GaAs and GaP // Sol. State Commun.-1981. V.40, N3. - P.285-289.

217. Kobayashi A., Sankey O.F., Dow J.D. Deep energy levels of defects in the wurtzite semiconductors AIN, CdS, CdSe, ZnS, and ZnO // Phys. Rev.B. -V.28, N2. P.946-956.

218. Lee K.M., O'Donnell K.P., Watkins G.D. Optically detected magnetic resonance of the zinc vacancy in ZnS// Sol. State Commun.-1982. -V.41, N12. -P.881-883.

219. Lin-Chung P.J. Many special point scheme for noncubic lattices //Phys.stat. sol. (b). 1978. -V.85, N2. - P.743-748.

220. Xiao-Shu J., Lambrecht W.R.L. Jahn-Teller Distortion of the Zinc Vacancy in ZnGeP2 // Chinese Phys. Lett- 2008. V.25, N3. -P.1075-1078.

221. Stevens K.T., Setzler S.D., Schunemann P.G., Pollak T.M., Giles N.C., Halliburton L.E. Photoinduced changes in the charge states of native donors and acceptors in ZnGeP2 // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 2000. V.607. - P.379-384.

222. Moldovan M., Stevens K.T., Halliburton L.E., Schunemann P.G., Pollak T.M., Setzler S.D., Giles N.C. Photoluminescence and EPR of phosphorus vacancies in ZnGeP2 // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-2000.- V.607.- P.445-450.

223. Hoffmann A., Bom H., Naser A., Gehlhoff W., Maffetone J., Petrov D., Ruderman W., Zwieback I., Dietz N., Bachmann K.J. Native defects characterization in ZnGeP2 // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 2000. V.607. -P.373-378.

224. Hofmann D.M., Romanoc N.G., Gehlhoff W., Pflisterer D., Meyer B.K., Azamat D., Hoffmann A. Optically detected magnetic resonance experiments on1 native defects in ZnGeP2 // PhysicaB. -2003. V.340-342. -P.978-981.

225. Zwieback I,, Maffetone J., Perlov D., Harper J., Ruderman W., Bachmann K., Dietz N. Effect of fast electron irradiation on electrical and optical properties of CdGeAs2 and ZnGeP2 // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2000. - V.607. - P.409-414.

226. Petcu M.C., Giles N.C., Schunemann P.G., Pollak T.M. Band Edge Photoluminescence at Room Temperature from ZnGeP2 and AgGaSe2 // Phys. stat. sol. (b). 1996. - V.198. - P.881-888.

227. Voevodin V.G., Grinyaev S.N., Voevodina O.V. Nonstoichiometry and point defects in nonlinear optical crystals А2В4Сг // Materials Science in Semiconductor Processing. 2003. - V.6, N5-6. - P.385-388.

228. Мильвидский М.Г., Чалдышев B.B. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов // ФТП. — 1998. — Т.32, N5. - С.513-522.

229. Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Преображенский В.В., Чалдышев В.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев Изв.Вузов,Физика.-2002.- №7.- С.3-19.

230. Baranowski J.M., Liliental-Weber Z., Fan W.F., Weber E.R. Evidence for superconductivity in low-temperature-grown GaAs // Phys.Rev.Lett. 1991. - V.66, N23. - P.3079-3082.

231. Берт H.A., Чалдышев B.B. Изменение картины муара на электронно-микроскопических изображениях As-кластеров в LT-GaAs при уменьшении их размеров // ФТП.-1996.-Т.30, №10.-С.1889-1892.

232. Warren A.C., Woodall J.M., Freeouf J.L., Grischkowsky D., Mclnturfi' D.T., Melloch M.R., Otsuka N. //Appl.Phys.Lett.-1990.-V.57.-P. 1331-1333.

233. Chadi D.J., Chang K.J. Metastability of the Isolated Arsenic-Antisite Defect in GaAs // Phys.Rev.Lett.- 1988. V.60, N21. -P.2187-2190.

234. Dabrowsky J., Scheffler M. Isolated arsenic-antisite defect in GaAs and the properties of EL2 II Phys.Rev.B. -1989.- V.40, N15. P.10391-10401.

235. Гриняев C.H., Чалдышев B.A. Расчет электронного энергетического спектра арсенида галлия с мышьяковыми кластерами // Физика и техника полупроводников. — 1996. Т.ЗО, №12. - С.2195-2202.

236. Гриняев С.Н.,Чалдышев В.А. Локализованные состояния вблизи запрещенной зоны GaAs, вызванные тетраэдрическими мышьяковыми кластерами // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т.32, №9. - С. 1094-1099.

237. Horikoshi Y., Yamaguchi Н., Kawashima М. GaAs: Ga Surface Diffusion // Japanese Journal of Applied Physics.- 1989.- V.28,N88. P.1307-1311.

238. Гриняев C.H. Чалдышев B.A. Глубокие уровни кластеров из атомов галлия в GaAs // Физика и техника полупроводников. — 2001. Т.35, №1. - С.84-88.

239. Tersoff J. Theory of semiconductor heterojunctions: The role of quantum dipoles // Phys.Rev. B. 1984. -V.30, N8. - P.4874-4877.

240. Skeath P.R., Lindau I., Pianetta P., Chye P.W., Su C.Y., Spicer W.E. Photoemission study of the interaction of A1 with a GaAs (110) surface // J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 1979. -V.17, N4. -P.259-265.

241. Flores F., Tejedor C. On the formation of semiconductor interfaces // J.Phys.C. 1987. - V.20, N2.-P. 145-176.

242. Heine V. Theory of Surface States // Phys.Rev. 1965. -V.138, N6A. - P.A1689-A1696.

243. Spicer W.E., Chye P.W., Skeatch P.R., Su C.Y., Lindau L. New and unified model for Schottky barrier and III-V insulator interface states formation // J.Vac.Sci.Technol.- 1979. —V.16, N5. — P.1422-1433.

244. Gnutzmann U., Clausecker К. Theory of direct optical transitions in an optical indirect semiconductor with a superlattice structure // Appl. Phys. 1974. - V.3, N1. - P.9-14.

245. Ren S.Y. Quantum confinement of edge states in Si crystallites // Phys.Rev.B. 1997. - V.55, N7. - P.4665-4669.

246. Ren S.Y. Quantum confinement in semiconductor Ge quantum dots // Sol.State Commun. — 1997. V. 102, N6. - P.479-484.

247. Макаров А.Г., Леденцов H.H., Цацульников А.Ф., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Устинов В.М., Захаров Н.Д., Werner Р. Исследование оптических свойств структур со сверхплотными массивами квантовых точек Ge в матрице Si // ФТП.- 2003. Т.37, №2. - С.219-223.

248. Болховитянинов Ю.Б., Кривощапов С.Ц., Никифоров.А.И., Ольшанский Б.З., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Тийс С.А. Пути получения' упорядоченных гетероструктур GerSi с германиевыми нанокластерами предельно малых размеров// ФТТ.-2004—Т.46, №1.-С.67-69.

249. Двуреченский А.В., Ненашев А.В., Якимов А.И. Электронная структура квантовых точек Ge/Si // Известия академии наук, серия физическая.- 2002!- Т. 66, № 2.- С. 156-159.

250. Yakimov A.I., StepinaN.P., Dvurechenskii A.V., Nikiforov A.I., Nenashev A.V. Interband absorption in charged Ge/Si type-II quantum dots // Phys. Rev.B. 2001. - V.63. - 045312.

251. Якимов А.И., Двуреченский A.B., Стёпина Н.П., Никифоров А.И., Ненашев А.В. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в оптических свойствах плотных массивов квантовых точек Ge/Si // ЖЭТФ. 2001.- Т.119, № 3. - С.574-589.

252. Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Кремний-германиевые наноструктуры: электронные параметры и оптические характеристики // Известия вузов. Физика. -2004 Т.47, №6. - С.3-7.

253. Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Двуреченский А.В. Электронные свойства кремния с германиевыми кластерами ультрамалых размеров // Физика твердого тела. 2005. - Т.47, №11. - С.1941-1945.

254. Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Генезис дырочных состояний малых германиевых кластеров в кремнии // Известия вузов. Физика. 2010. - Т.53, №5. - С.68-73.

255. Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge // Известия вузов. Физика. 2010. - Т.53, №7. - С.43-45.

256. Hulten R., Nilsson N.C. Investigation of the second indirect transition of silicon by means of photoconductivity measurements // Solid State Coramun. 1976. - V.l8, N9/10. - P. 1341-1343;

257. Двуреченский A.B., Якимов А.И. Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si // ФТП. -2001. -Т.35, №9. -С.1143-1153.

258. De Rinaldis S., D'Amico I., Boilatti E., Rinaldi R., Cingolani R., Rossi F. Intrinsic exciton-exciton coupling- in. GaN-based quantum dots: Application to solid-state quantum computing // Phys.Rev.B. 2002: -V.65, N8. - P.081309-1(R)-081309-4(R).

259. Moumanis K., Helman A., Fossard F., Tchernycheva M., Lusson A., Julien F.H., Damilano Bi, Grandjean N., Massies J. Intraband absorptions in GaN/AIN quantum dots in the wavelength range of 1.27-2.4 цт // Appl.Phys.Lett.-2003.-V.82, N6. P.868-870.

260. Nevou L., Julien F.H'., Tchernycheva M., Guillot F., Monroy E., Sarogiannidou E. Intraband emission at Я ~ 1.48/яп from GaN/AIN quantum dots at room temperature // Appl.Phys.Lett. -2008. -V.92, N16. P.161105-1-161105-3.

261. Andreev A.D., O'Reilly E.P. Theory of the electronic structure of GaN/AIN hexagonal quantum dots // Phys.Rev.B.- 2000. -V.62, N23. P.15851-15870.

262. Ranjan V., Allan G., Priester C., Delerue C. Self-consistent' calculations of the optical properties of GaN quantum dots // Phys.Rev.B. 2003. -V.68, N11.- P.l 15305-1-115305-7.

263. Bagga A., Chattopadhyay P.K., Glosh S. Energy levels of nitride quantum dots: Wurtzite versus zinc-blende structure // Phys.Rev.B. 2003. - V.68, N15. - P.155331-1-155331-10.

264. Bernardini F., Fiorentini F., Vanderbilt D. Spontaneous polarization and piezoelectric constants of Ш-V nitrides // Phys.Rev.B.- 1997.-V.56,N16.-P.R10024-R10027.

265. Tronc P., Smirnov V.P., Zhuravlev K.S. Symmetry of electron states and optical transitions in GaN/AIN hexagonal quantum dots // Physica Status Solidi В.- 2004.- V.241, N13.- P.2938-2947.

266. Tronc P., Zhuravlev K.S., Mansurov V.G., Karavaev G.F., Grinyaev S.N., Milo===;evic I.,

267. Damnjanovic M. Optical properties of photodetectors based on wurtzite quantum dot —■-irxays //

268. Phys.Rev.B. 2008. -V.77, N16. - P.165328-1-165328-7.

269. Журавлев K.C., Мансуров В.Г., Гриняев C.H., Караваев Г.Ф., Тронк П. Матери:==^ ды для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN квантовых х<^х»-^==ззсах // Оптический журнал. - 2009. - Т.76, № 12. - С.74-83.

270. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III-V co>-=3npound semiconductors and their alloys // J.Appl.Phys.-2001.- V.89, N11.- P.5815-5875;

271. Vurgaftman I., Meyer J.R. Band parameters for nitrogen-containing semiconductors ----^У Appl.

272. Phys.Rev.-2003.-V.94, N6.-P. 3675-3696.

273. Rinke P., Winkelnkemper M., Qteish A., Bimberg D., Neugebauer J., Scheffler M. Qc-insistentset of band parameters for the group-Ill nitrides A1N, GaN, and InN // Phys.Rev.B.-2008.-V I—V7,N7.-P.075202-1-075202-15.

274. Perlin P., Gorczyca I., Porowski S., Suski Т., Christensen N.E., Polian ^te»- Ш-V

275. Semiconducting Nitrides: Physical Properties under Pressure // Jpn. J. Appl. Phys==—— 1993.-Supplement 32-1, Part 1. P.334-339.

276. Yeo Y.C., Chong T.C., Li M.F. Electronic band structures and effective-mass parar n n eters of wurtzite GaN and InN // J.Appl.Phys. -1998. -V.83, N3. P.1429-1436.

277. Lambrecht W.R.L., Segall В., Rife J., Hunter W.R., Wickenden D.K. UV reflectivity -of GaN: Theory and experiment // Phys.Rev.B. -1995.-V.51, N19.- P.13516-13532.

278. Perry P.B., Rutz R.F. The optical absorption edge of single crystal A1N prepax==*=s;cl by a close - spaced vapor process // Appl. Phys. Lett.-1978.- V.33, N4.- P.319-320.

279. Loughin S., French R.H., Ching W.Y., Xu Y.N., Slack G.A. Electronic structure of aJHz^c^ixninum nitride: Theory and experiment// Appl.Phys.Lett. 1993.-V.63,N9. -P.1182-1184.

280. Rubio A., Corkill J.L., Cohen M.L., Shirley E.L., Louie S.G. Quasiparticle band strn----<^ture of

281. A1N and GaN // Phys. Rev.B. -1993. -V.48, N16. P.l 1810-11816.

282. Fritsch D., Schmidt H., Grundmann M. Band-structure pseudopotential calculation^ -of zinc-blende and wurtzite A1N, GaN, and InN // Phys.Rev.B. -2003.- V.67, N23.- Р.235205-1-23г=»Г205-13.

283. Bergstresser Т.К., Cohen M.L. Electronic Structure and Optical Properties of Hexagorr- CdSe, CdS, and ZnS // Phys.Rev. -1967.-V.164, N3. P.1069-1080;

284. Yeh C.-Y., Wei S.-H., Zunger A. Relationships between the band gaps of the zinc-bl«^--"Jn de andwurtzite modifications of semiconductors // Phys. Rev.B.-1994.- V.50, N4.- P.2715-2718.

285. Miller S.C., Love W.F. Tables of Irreducible Representations of Space Gro - tjs and Corepresentations of Magnetic Space Groups. - Colorado: Boulder, 1967, 1095 P.

286. Martin G., Strite S., Botchkarev A., Agrawal A., Rockett A., Morcock H., Lambrecht W.R.L., Segal B. Valence band discontinuity between GaN and A1N measured by x - ray photoemission spectroscopy// Appl.Phys. Lett.-1994.- V.65,N5,- P.610-612.

287. Christensen N.E., Gorczyca I. Optical and structural properties of III-V nitrides under pressure // Phys.Rev.B. 1994. -V.50, N7. - P.4397-4415.

288. Yang Z., Xu Z. Electronic and optical properties of unstrained and strained wurtzite GaN // Phys.Rev.B. -1996. V.54, N24. - P.17577-17584.

289. Walukiewicz W. Mechanism of Fermi-level stabilization in semiconductors // Phys.Rev.B.-1988.-V.37; N9.-P.4760-4763.

290. Брудный B.H. Радиационные эффекты в полупроводниках // Вестник ТГУ.-2005.-№285.-С.95-102.

291. Louie S.G., Chelikowsky J.R., Cohen M.L. Theory of semiconductor surface states and metal-semiconductor interfaces // J.Vac.Sci.Technol. -1976.-V.13, N4.-P.790-797.

292. Badi J., Binggeli N., Baldereschi A. Structural and compositional dependences of the Schottky barrier in Al/Gai.,AlxAs(100) and (110) junctions // Phys.Rev.B.-1999.-V.59, N12.-P.8054-8064.

293. Berthod C., Binggeli N., Baldereschi A. Formation energy, lattice relaxation, and electronic structure of Al/Si/GaAs(100) junctions // Phys.Rev.B.-1998.-V.57, N16.-P.9757-9762.

294. Schottky W., Stormer R., Waibel F. Hochfrequentztechnik.-1931.-V.37.-P.162-165.

295. Anderson R.L. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions // Solid State Electron.-1962.-V.5.-P.341-351.

296. Margaritondo G. Interface states at semiconductor junctions // Repots on Progress in Physics. -1999. -V.62, N5.- P.765-808.

297. Ruan Y.C., Ching W.Y. An Effective dipole theory for band lineups in semiconductor heterojunctions // J.AppLPhys. -1987.-V.62, N7.- P.2885-2897.

298. Bardeen J. Surface States and Rectification at a Metal Semi-Conductor Contact // Phys.Rev.-1947. V.71, N10.-P.717-727.

299. Kurtin S., McGill T.C., Mead C.A. Fundamental transition in the electronic nature of solids // Phys.Rev.Lett.-1969.- V.22, N26. -P.1433-1436.

300. Hasegawa H., Ohno H. Unified disorder induced gap state model for insulator-semiconductor and metal-semiconductor interfaces // J. Vac. Sci. Technol. B. -1986. -V.4, N4. P.l 130-1138.

301. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R., Su C.Y., Lindau I. New and unified model for Schottky barrier and III-V insulator interface states formation // J.Vac.Sci.Technol. 1979. - V.16, N5. -P.1422- 1435.

302. Walukiewicz W. Mechanism oh Schottky barrier formation: The role of amphoteric native defects // J.Vac.Technol.B. -1987. -V.5.- P.1062-1067.

303. Walukiewicz W. Amphoteric native defects in semiconductors // Appl.Phys.Lett.-1989-V.54.— P.2094-2096.

304. Flores F., Tejedor C. On the formation of semiconductor interfaces // J.Phys.C.-1987.-V.20, N2. P.145-176.

305. Zhang S.B., Wei S.-H., Zunger A. Microscopic Origin of the Phenomenological Equilibrim "Doping Limit Rule" in «-Type III-V Semiconductors II Phys.Rev.Lett. 2000. - V.84, N6. -P.1232- 1235.

306. Heine V. Theory of Surface States // Phys.Rev. 1965. - V.138, N6A. - P.A1689 - A1696.

307. Tejedor C., Flores F. A simple approach to heterojunctions // J.Phys.C. 1977. - V.ll, N1. -P.L19 - L23.

308. Tersoff J. Schottky Barrier Heights and the Continuum of Gap States // Phys.Rev.Lett.-1984. -V.52, N6. P.465-468.

309. Tersoff J. Schottky barriers and semiconductor band structures // Phys.Rev.B.-1985.-V.32, N10. -P.6968-6971.

310. Monch W. Chemical Trends of Barrier Heights in Metal-Semiconductor Contacts: On the Theory of the Slope Parameter // Appl.Surf.Sci.-1996. -V.92, N1-3. P.367-371.

311. Cardona M., Christensen N.E. Acoustic deformation potentials and heterostructure band offsets in semiconductors // Phys.Rev.B. 1987. -V.35, N12.- P.6182-6194.

312. Baldereschi A. Mean-Value Point in the Brillouin Zone // Phys.Rev.B. 1973. - V.7, N12. -P.5212-5215.

313. Monch W. Empirical tight-binding calculation of the branch-point energy of the continuum of interface-induced gap states // J.Appl.Phys.-1996. V.80, N9. - P.5076-5082.

314. Robertson J., Falabretti B. Band offsets of high К gate oxides on III-V semiconductors // J.Appl.Phys.-2006. V.100. - P.014111-1-014111-8.

315. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica B:Cond.Matter. 1995. - V.212. - P.429-435.

316. Брудный B.H., Гриняев C.H. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений III-V: границы раздела, радиационные дефекты // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т.32, №3. - С.315-318.

317. Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми // Физика и техника полупроводников. -2003. Т.37, №5. - С.557-564.

318. Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Модель межфазных границ для полупроводниковых систем: численные оценки // Материаловедение.-2003.-Т.72,№3.-С.17

319. Брудный В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Закрепление уровня Ферми в полупроводниках (границы раздела, кластеры, радиационное модифицирование) // Известия вузов.Физика. -2003. Т.46, №6. - С.59-66.

320. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Kolin N.G. A model for Fermi-level pinning in semiconductors: radiation defects, interface boundaries // Physica B. 2004. - V.348. - P.213-225.

321. Брудный B.H., Гриняев C.H., Колин Н.Г. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов // Физика и техника полупроводников. 2005. - Т.39, №4. - С.409-418.

322. Брудный В.Н:, Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Уровень зарядовой электронейтральности в твердых растворах w-Al(x)Ga(l-x)N //Известия вузов.Физика. -2006. -Т.49,№8.-С.75-78.

323. Брудный? В.Н., Гриняев С.Н., Колин Н.Г. Корреляция положения глубоких» уровней собственных точечных дефектов с «предельным» положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы Ш-V // Известия вузов. Физика. 2007. - Т.50, №5. - С. 17-22.

324. Langer J.M., Heinrich Н. On a direct connection of the transition metal impurity levels to the and edge discontinuities in semiconductor heterojunctions // Physica* B+C.-1985.-V.134, N1-3.-P.444-450.

325. Wei S.-H., Zunger A. Calculation of the valence band offsets of common-anion semiconductor heterojunctions from core levels: the role of cation d orbital // J.Vac.Sci.Technol.B.-1987.-V.5,N4.-P.1239-1245.

326. Pantelides S.T., Lipari N.O., Bernholc J. The effective-mass nature of deep-level point-defect states in semiconductors // Sol.St.Commun. -1980. V.33, N10. - P.1045-1049.

327. Tersoff J. Summary Abstract: Failure of the common anion rule for lattice-matched heterojunctions // J.Vac.Sci.Technol.B.-1986.-V.4, N4.-P. 1066-1067.

328. Бехштедт Ф., Эндерлайн P. Поверхности и границы раздела полупроводников. -М.: Мир, 1990,488 С.

329. Tersoff J. Theory of semiconductor heterojunctions: The role of quantum dipoles // Phys.Rev.B.-1984.-V.30, N8.-P.4874-4877.

330. Walukievicz W. Fermi level dependent native defect formation: Consequences for metal-semiconductor and semiconductor-semiconductor interfaces // J.Vac.Sci.Technol.B.-1988.-V.6, N4.- P.1257-1262.

331. Van de Walle C.G., Neugebauer J. Universal alignment of hydrogen levels in semiconductors, insulators and solutions //Nature. -2003.- V.423, N5. P.626-628.

332. Bublik V.T. The mean square atomic displacements and enthalpies of vacancy formation in some semiconductors // Phys. St. Sol.(a). 1978. - V.45, N2. - P.543-548.

333. Van de Walle C.G., Martin R.M. Theoretical study of semiconductor interfaces // Mater.Res.Soc.Symp.Proc.-1985. — V.63. -P.21.

334. Margaritondo G. Comment, on "Theory of, semiconductor- heterojunctions: The role of quantum dipoles" // Phys.Rev.B: -1985. V.31; N4. - P.2526-2527.

335. Appelbaum J.A., Hamman D.R. Surface-induced charge disturbances in filled bands // Phys.Rev.B.-1974.-V.10, N12.-P.4973-4979.

336. Tejedor C., Flores F., LouieE. The metal-semiconductor interface: Si (111) and zincblende (110) junctions // J.Phys.C: Solid State Phys.-1977.- V.10, N12. P.2163-2177.

337. Dobson T.W., Wager J.F. Enthalpy of formation of antisite defects and antistructure pairs in III V compound-semiconductors // J.Appl.Phys.-1989:- V.66, N5. - P.1997-2001.

338. Bardeleben H.J., Stievenard D:, Deresmes D., Huber A., Bourgoin B.C. Identification-of a a defect in a semiconductor: EL2 in GaAs // Phys.Rev.B.-1986.-V.34, N10.-P.7192-7202.

339. Pons D.4, Bourgoin J.C. Irradiation-induced defects in GaAs // J. Phys.C.: Sol. State Phys. — 1985. V.18, N20. - P.3839-3872.

340. Sankey O.F., Allen R.E., Ren S.-F., Dow J.D. Dangling bonds and Schottky barriers // J. Vac. Sci. Technol.B.-1985. -V.3, N4. P. 1162-1166.

341. Potz W., Ferry D.K. Chemical trends for native defects in III-V-compound-semiconductors // Phys. Rev.B. 1985. -V.31, N2. - P.968-973.

342. Dlubek P., Krause R. Positron Studies of Defects in III-V Semiconductor Compounds //Phys. stat. sol. (a). -1987. V.102, N2. - P.443-479.

343. Walukiewicz W., Yu K.M., Chan L.Y., Jaklevic J., Haller E.E. Electrical Activity and Diffusion of Shallow Acceptors in III-V Semiconductors. In: Defects in Semiconductors // Mater.Sci. Forum. 1989. -V.83-87. - P.941-946.

344. Li Wei-Gang, Myles Charles W. Effects of lattice relaxation on deep levels in semiconductors // Phys. Rev. B. -1991. -V.43, N3. P.2192-2200.

345. Schwartz G., Kley A., Neugebauer J., Scheffler M. Electronic and structural properties of vacancies on and below the GaP(l 10) surface // Phys.Rev. B. 1988. -V.58, N3. - P.1392-1400.

346. Колин Н.Г., Освенский В.Б., Рытова Н.С., Юрова Е.С. Электрические свойства арсеиида индия, облученного быстрыми нейтронами // ФТП. -1987. Т.21, №3. - С.521-524.

347. Bardeleben H.J. Identification of the phosphor vacancy defect in electron irradiated p-type InP // Sol. St. Commun. -1986. V.57, N2. - P.l37-139.

348. Das Sarma S., Madhukar A. Study of the ideal-vacancy-induced neutral deep levels in III-V compound semiconductors and their ternary alloys // Phys.Rev.B.-1981.-V.24,N4.—P.2051-2068.

349. Kuhn W., Strehlow R., Hanke M. Self-Consistent Tight-Binding Investigation of Chemical Trends for Native Defects in III-V Semiconductors // Phys.Status.Solidi (b).-1987.-V.141, N2.-P.541-557.

350. Daw M.S., Smith D.L. Energy levels of semiconductor surface vacancies // J:Vac.Sci. Technol. -1980 . -V. 17, N5. P. 1028-1031.

351. Агринская H.B., Машовец T.B. Самокомпенсация в полупроводниках // ФТП. 1994. -Т.28, N9. -Р.1505-1534.

352. Maruska Н.Р., Tietjen J.J. The preparation and properties of vapor-deposited single-crystal-line GaN // Appl.Phys.Lett.-1969. -V.15, N10. P.327-329.

353. Van de Walle C.G., Neugebauer J: First-principles calculations for defects and impurities: applications to Ill-nitrides // J.Appl.Phys.-20045.-V.95, N8.-P.3851-3879.

354. Mattila Т., Nieminen R.M. Point-defect complexes and broadband luminescence in GaN and A1N // Phys.Rev.B.-1997.-V.55, N15.-P.9571-9576.

355. Stampfl C., Van de Walle C.G. Doping of AlxGa!.xN // Appl.Phys.Lett. 1998. - V.72, N4. -P.459 - 461.

356. Wurfl J., Abrosimova V., Hilsenbeck J., Nebauer E., Rieger W., Trankle C. Reliability considerations of Ш-nitride microelectronic devices // Microelectronics Reliability. -1999.- V.39.-P.1737-1757.

357. Kalinina E.V., Kuznetsov N.I., Babanin A.I., Dmitriev V.A., Shchukarev A.V. Structural and electrical properties of Schottky barriers on «-GaN // Diamond Relat. Mater.-1997.- V.6, N7.-P.1528-1531.

358. Rubio A., Corkill J.L., Cohen M.L. Quasiparticle band structures of short-period superlattices and ordered alloys of A1N and GaN // Phys.Rev.B. -1994. -V.49, N3. P.1952-1956.

359. A.Shikanai, T.Azuhata, T.Sota, S.Chichibu, A.Kuramata, K.Horino, S.Nakamura Biaxial strain dependence of exciton resonance energies in wurzite GaN // J.Appl.Phys.-1997.-V.81,Nl.-P.417 -424.

360. Perlin P., Gorczyca I., Porowski S., Suski Т., Christensen N.E., Polian A. III-V Semiconducting Nitrides: Physical Properties under Pressure // Jpn.J.Appl.Phys.(Japan). -1993. -Supplement 32-1. P.334-339.

361. Shimada K., Sota Т., Suzuki К. First-principles study on electronic and elastic properties of BN, A1N, and GaN // J.Appl.Phys.-1998. V.84, N9. - P.4951-4958.

362. Perry P.B., Rutz R.F. The optical absorption edge of single crystal A1N prepared by a close - spaced vapor process // Appl;Phys;tett.-l978: - V.33, N41-P39-41.

363. Kampen T.U., Monch W. Barrier Heights of GaN Schottky Contacts // Appl.Surf.Sci.- 1997. -V.l 17-118. P.388-393.

364. Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev SX.,.Zubrilov A. Gallium Nitride, In properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, A1N, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. M.E.Levinstein, S.L.Rumyantsev, M.S.Shur, J.Wiley&Sons, Inc., New York, 2001, p.1-30.

365. Брудный B.H., Кособуцкий A.B., Колин H.F. Уровень, локальной зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в облученных нитридах wz-AnIN (BN, A1N, GaN, InN) // ФТП. 2009. - T.43, №10. - C.1312-1320.

366. Boguslawski P., Briggs "EX., Bernholc J. Native defects in gallium nitride // Phys.Rev.B. -1995. -V.51, N23. P. 17255-17258.

367. Polyakov A.V., Usikov A.S., Theys В., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Jomard F., Shmidt N.M., Lundin W.V. Effects of proton implantation on electrical and recombination properties of n-GaN // Sol. State Electron.- 2000.- V.44, N11.- P.1971-1983.

368. Lopatin V.V., Konysov F.V. Energetic states in the boron nitride band gap // J.Phys.Chem.Solids. -1992. V.53, N6. - P.847-854.

369. Дедков B.C., Кабышев A.B., Конусов Ф.В., Лопатин B.B., Шарупин Б.Н. Свойства пиролитического ромбоэдрического нитрида бора//Неорган.мат—1996.-Т.32,№б.-С.690-695.

370. Гриняев С.Н., Чернышов В.Н. Рассеяние электронов в многобарьерных структурах GaAs/Al(x)Ga(l-x)As // Физика и-техника полупроводников.- 1992. Т.26, №12.- С.2057-2067.

371. Гриняев^ С.Н., Караваев Г.Ф. Резонансное, туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(l 11) Известия вузов. Физика. 1998. - Т.41, №9. - С.89-99.

372. Гриняев С.Н., Г.Ф.Караваев, В.Н.Чернышов Особенности рассеяния электронов на гетерограницах // Физика и техника полупроводников. 2003. - Т.37, №4. - С.435-442.

373. Ко D.Y., Inkson J.C. Matrix method for tunneling in heterostructures: Resonant tunneling in multilayer systems // Phys. Rev.B.-1988. -V.38, N14. P.9945-9951.

374. Gourdon C., Martins D., Lavallerd P., Ivchenko E.L., Zheng Y.-L., Planel R. AlAs-monolayer dependence of the Г-Х coupling in GaAs-AlAs type-II heterostructures // Phys. Rev. B. -2000. -V.62; N24. P.16856-16869.

375. Ando Т., Wakahara S., Akera H. Connection of envelope functions at semiconductor heterointerfaces. I. Interface matrix calculated in simplest models // Phys.Rev.B.-1989.-V.40, N17. P.l 1609-11618.

376. Ando Т., Akera H. Connection of envelope functions at semiconductor heterointerfaces. II. Mixings of Г and X valleys in GaAs/AlxGai.xAs // Phys.Rev.B. -1989.-V.40,N17.- P.l 1619-11633.

377. Fano U. Effects of Configuration'Interaction-on Intensities and Phase Shifts // Phys.Rev. -1961. -V. 124, N6.- P.1866-1878.

378. Рашба Э.И. Свойства полупроводников с петлей экстремумов // ФТТ. -1960. —Т.2, №6. — С.1224-1238.

379. Chantis A.N., Sandu T., Xu J. L. Ab-initio calculations of spin tunneling through an indirect barrier//PhysMath Central-Physics В.- 2008.-V.1.- P. 13-23.

380. Dresselhaus G. Spin-Orbit Coupling Effects in Zinc Blende Structures // Phys. Rev.-1955.-V.100, N2.-P.580-586.

381. Cardona M., Christensen N.E., Fasol G. Relativistic band structure and spin-orbit splitting of zinc-blende-type semiconductors // Phys. Rev. B. -1988. -V.38, N3. -P.1806-1827.

382. Koralek J.D., Weber C.P., Orenstein J., Bernevig A., Zhang S., Mack S., Awschalom D. Emergence of the persistent spin helix in semiconductor quantum wells //Nature. -2009. V.458. -P.610-613.

383. Hayakawa Т., Suyama Т., Takahashi K., Kondo M., Yamamoto S., Hijikata T. Near ideal low threshold behavior in (111) oriented GaAs/AlGaAs quantum well lasers // Appl.Phys.Lett. -1988.- V.52, N5. - P.339-341.

384. Bastard G. Theoretical investigations of superlattice band structure in the envelope-function approximation // Phys.Rev. Bi 1982. - V.25, N12. - P.7584-7597.

385. Ландау-ЛД., Лифшиц- E.M. Квантовая механика. M.: ГИФМЛ, 1963, 704 С.

386. Porod W., Shao Z.-ап,- Lent С. S. Resonance-antiresonance line shape for transmission in quantum-waveguides with resonantly coupled cavities // Phys.Rev. B. 1993. - V.48; N11. -P.8495-8498.

387. Nelson D.F., Miller R.C., Tu C.W., Sputz S.K. Exciton binding energies from an envelope-function analysis of data on narrow quantum wells of integral monolayer widths in Alo.4Gao.6As/GaAs // Phys.Rev. B. 1987. -V.36, N15. - P.8063-8070.

388. Fujiwara K., Kawashima K., Imanashi T. Tunneling escape time of electrons from the quasibound Stark localized states in ultrathin barrier GaAs/AlAs superlattices // Phys.Rev.B. -1996. -V.54, N24. P. 17724-177729.

389. Foreman B.A. Connection. Rules versus Differential Equations for Envelope Functions in Abrupt Heterostructures // Phys.Rev.Lett.-1998. V.80, N17. - P. 3823-3826.

390. Wang L.-W., Zunger A. Pseudopotential-based multiband k-p method for ~ 250 000-atom nanostructure systems // Phys. Rev.B. 1996. -V.54, N16. -P.l 1417-11435.

391. Foreman B.A. Analytical Envelope-Function Theory of Interface Band Mixing // Phys.Rev.Lett.- 1998. -V.81, N2. -P .425-428.

392. Wang L.-W., Franceschetti A., Zunger A. Million-Atom Pseudopotential Calculation of Г- X Mixing in GaAs/AlAs Superlattices and Quantum Dots // Phys. Rev. Lett. 1997. -V.78, N14. -P.2819-2822.

393. Wang L.-W., Zunger A. Magnitude and size scaling of intervalley coupling in semiconductor alloys and superlattices // Phys. Rev. B. 1997. - V.56, N19. - P.12395-12403.

394. Тахтамиров Э.Е., Волков B.A. Метод огибающих функций и междолинное Г-Х2 — взаимодействие состояний в полупроводниковых гетероструктурах А3В5 в плоскости (001) // ЖЭТФ. -2000. -V.117, N6. — Р.1221-1229.

395. Nelson D.F., Miller R.C., Tu C.W., Sputz S.K. Exeiton binding energies from an envelope-function analysis of data on narrow quantum wells of integral monolayer widths in Al04Gao.6As/GaAs // Phys. Rev.B. -1987. -V.36, N15. P.8063-8070.

396. Foreman B.A. Connection Rules versus Differential Equations for Envelope Functions in Abrupt Heterostructures // Phys. Rev. Lett.- 1998. V.80, N17. - P.3823-3826.

397. Караваев Г.Ф., Гриняев C.H. "Сверхрешеточная" модель плавной гетерограницы (GaAs)/(AlAs)(001) // Физика твердого тела. -2006. Т.48, №5. - С.893-901.

398. Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф. Туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(l 11) с плавным потенциалом на гетерограницах // Известия вузов. Физика.—2007.-Т.50, №7.-С.7-13.

399. Караваев Г.Ф., Гриняев С.Н. Модели рассеяния электронов, на гетерогранице GaAs/AlAs(001) // Известия вузов. Физика. 2007. - Т.50, №10. - С.34-43.

400. Tekman Е., Bagwell P.F. Fano resonances in quasi-one-dimensional electron waveguides // Phys. Rev.B. 1993. -V.48, N4. - P.2553-2559.

401. Bernardini F., Fiorentini V. Macroscopic polarization and band offsets at nitride heterojunctions // Phys.Rev. B. 1998. - V.57, N16, P.R9427- R7330.

402. Гриняев C.H., Разжувалов A.H. Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga(l-x)Al(x)N(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта // Физика твердого тела 2001. - Т.43, №3. - С.529-535.

403. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. -М.: Наука, 1979, 639 С.

404. Fiorentini V., Bernardini F., Sala F.D:, Di Carlo A., Lugli P. Effects of macroscopic polarization in III-V nitride multiple quantum wells // Phys.Rev.B.-1999.-V.60,N12.-P.8849-8858.

405. Rubio A., Corkill J.L., Cohen M.L. Quasiparticle band structures of short-period superlattices and ordered alloys of A1N and GaN // Phys.Rev. B. 1994. -V.49, N3. P. 1952-1956.

406. Рашба Э.И. Симметрия энергетических зон в кристаллах типа вюрцита I // ФТТ. -1959. -Т.1, №3. -С.407-421.

407. Zak J. Stark Ladder in Solids ? // Phys.Rev.Lett. 1968. -V.20, N26. - P.1477-1481.