Фазовращатели на S-N переходе в высокотемпературных сверхпроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.13, кандидат технических наук Шерман, Владимир Олегович

• Шерман, Владимир Олегович
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Шерман, Владимир Олегович

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1.

1.1 Э-Ы переключение. Характеристики Б-Ы ключа

1.2 Фазовращатели на р-л.-п диодах, полевых транзисторах, СКВИД-ах

1.3 Выводы

ГЛАВА 2. Б-Ы КЛЮЧ КАК ЭЛЕМЕНТ ГИБРИДНОЙ СВЧ

МИКРОСХЕМЫ

2.1 Определение свойств Б-Ы ключа

2.2 Анализ ключей различных конфигураций

2.2.1 Экспериментальный метод

2.2.2 Анализ с помощью . программ электродинамического моделирования

2.2.3 Эмпирические методы моделирования

2.3 Б-Ы ключи в виде отрезков линии передачи

2.4 Анализ Б-Ы ключей в виде длинной линии, свернутой в меандр

2.5 Выводы

ГЛАВА 3. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ОТРАЖАТЕЛВНЫХ ФАЗОВРАШДТЕЛЕЙ НА Б-Ы ПЕРЕХОДЕ

3.1 Теория проектирования отражательных

фазовращателей

3.1.1 Введение

3.1.2 Общие положения

3.1.3 Случай описания S-N элемента активным сопротивлением

3.1.4 Описание S-N элемента комплексным сопротивлением

3.1.5 Ограничение по вносимым потерям

3.2 Синтез отражательных фазовращателей

3.2.1 Проектирование фазовращателя на большой фазовый сдвиг (Дфооф = 180°)

3.2.2 Проектирование фазовращателя на малый фазовый сдвиг на основе Г80° фазовращателя

3.2.3 Примеры использования процедуры согласования комплексного сопротивления ZBX при синтезе отражательных фазовращателей

3.3 Выводы

ГЛАВА 4. СИНТЕЗ ФАЗОВРАЩАТЕЛЕЙ ПРОХОДНОГО ТИПА

4.1 Синтез проходных фазовращателей на основе одноступенчатых отражательных фазовращателей

4.1.1 Фазовращатель типа периодически нагруженной линии

4.1.2 Фазовращатель на направленном ответви-теле

4.2 Синтез проходных фазовращателей типа периодически нагруженной линии с последовательным подключением управляемых реактивно-

стей

4.2.1 L-L фазовращатель.-

4.2.2 Ь-С фазовращатель

4.3 Исследование импульсных характеристик фазовращателей, работающих на эффекте Э-Ы переключения в пленках ВТСП

4.4 Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовращатели на S-N переходе в высокотемпературных сверхпроводниках»

ВВЕДЕНИЕ

Одной из важнейших задач, вытекающих из тенденций развития современных систем коммуникации, радиоконтроля, навигации и пр., является дальнейшее повышение уровня помехозащищенности аппаратуры, увеличение чувствительности приемных трактов. При разработке новых радиосистем, учитывающих подобные тенденции, возможно выделить два принципиально разных подхода к их проектированию:

- разработка новых изделий на основе уже существующих аналогов, использующих традиционные материалы и элементную базу, но имеющие при этом улучшенные характеристики благодаря совершенствованию технологии их изготовления (например, появление субмикронной технологии позволило изготавливать сверхбыстродействующие транзисторы, что в свою очередь привело к значительному улучшению частотных свойств радиоаппаратуры) .

- применение принципиально новых материалов, обладающих определенными свойствами, использование которых позволяет удовлетворить тем требованиям, которые закладываются при разработке новой аппаратуры.

Несомненно, что второй путь, революционный по своей сути, требует намного больше затрат на стадии исследования таких материалов и технологических процессов их производства, но при наличии в перспективе достаточно большой гаммы производимых на их основе приборов, подобный путь может оказаться целесообразным и экономически выгодным, а при дальнейшем ужесточении вышеперечисленных требований, вероятно, и единственным. История развития техники в целом и радиоэлектроники в частности показывает, что разумное сочетание этих двух методов позволяет до-

биться наилучших технических результатов при минимальных экономических и временных затратах. Любая из перечисленных выше радиосистем имеет в своем составе один из следующих (или все вместе) функциональных узлов: передающее устройство, линию связи, приемное устройство. Все эти узлы вносят вклад в шумовые характеристики прибора и в его чувствительность. Как правило, разработчик радиоаппаратуры не может влиять на характеристики линии связи, а за счет относительно большой мощности на выходе передающего тракта коэффициент шума невысок. Остается приемник, который и необходимо оптимизировать для получения наилучших параметров. Любое приемное устройство содержит в своем составе антенну, свойства которой в основном и определяют параметры системы. Наиболее перспективными и реализуемыми в гибридной технологии являются фазированные антенные решетки (ФАР) [1, 2] . Главным преимуществом ФАР перед другими типами антенных систем является их способность при использовании систем электронного сканирования быстро и с большой точностью менять не только положение диаграммы направленности, но и ее форму. Основой системы электронного сканирования являются быстродействующие СВЧ фазовращатели. Сейчас основными активными элементами, используемыми в технике сверхвысоких частот, являются р-л.-п - диоды и полевые транзисторы [3], изготовленные по кремниевой или арсенид- галлиевой технологии. Стало появляться значительное количество приборов в виде однокристальных схем, что значительно улучшило массо - габаритные показатели устройств. Однако, технические характеристики приборов, созданных по такой технологии, не всегда удовлетворяют требованиям, предъявляемым к проектируемой аппаратуре.

После открытия материалов, обладающих свойством высокотемпературной сверхпроводимости стало очевидным их несомненное преимущество перед обычными проводниками при использовании в качестве материала для изготовления интегральных СВЧ схем [4], так как при температуре существования сверхпроводящей фазы они обладают более низким поверхностным сопротивлением, чем медные или золотые пленки при таких же условиях вплоть до критической частоты, порядка ЮОГГц. Оксиды, обладающие нулевым сопротивлением при температуре, сравнимой с температурой жидкого азота, были впервые получены в 1986 году. И с этого же времени начался отсчет приборам и устройствам, изготовленным на основе высокотемпературных сверхпроводников. Несмотря на ожидаемые надежды в широком спектре возможных областей науки и техники, где было бы чрезвычайно полезно такое замечательное качество сверхпроводников, как отсутствие потерь (передача энергии на расстояние с большим КПД, создание сверхмощных трансформаторов и прочее), наибольшее, а, вероятно, и единственное практическое применение сверхпроводники нашли именно в сфере микроэлектроники, в частности СВЧ микроэлектроники. Это связано с технологическими особенностями получения подобных материалов. До настоящего времени удалось освоить лишь изготовление эпи-таксиальных тонких пленок, толщиной от десятых долей до единиц микрометра на подложке, диаметр которой не превышает 102см. Именно этот факт и ограничивает сегодня возможные области использования сверхпроводников.

Подробнее свойства пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) будут описаны ниже, а сейчас стоит отметить, что замена подобными пленками обычных металлов, таких как медь, золото, серебро, позволяет снизить .вносимые устройством потери

на несколько порядков и значительно уменьшить собственный коэффициент шума. Здесь следует оговориться, что затраты, связанные с необходимостью охлаждения устройств до температуры перехода Тс не всегда оправдываются выигрышем по потерям и шумам. Следовательно, устройства, содержащие ВТСП, целесообразно проектировать не в виде отдельных' функциональных охлаждаемых модулей, а в составе законченного охлаждаемого устройства. Однако существуют и исключения, например высокодобротные резонаторы с добротностями 105-106, которые принципиально не реализуются другими методами в таких же габаритах. К исключениям можно отнести и те сферы радиотехники, где требования по минимизации собственных шумов являются определяющими, например, в радиоастрономии при приеме сверхслабых сигналов.

За последнее десятилетие было разработано множество СВЧ устройств, использующих свойства сверхпроводников, такие как фильтры [5], резонаторы (микрополосковые и объемные диэлектрические), направленные ответвители [б], линии задержки и другие линейные пассивные устройства. Процедура дизайна подобных устройств такая же, как и при проектировании аналогов, сделанных на традиционных материалах, с той лишь оговоркой, что в ВТСП приборах следует учитывать влияние кинетической индуктивности, присущей исключительно сверхпроводникам (особенно при синтезе линий задержки).

Кроме того, существует ряд физических явлений, присущих подобным материалам, которые позволяют использовать их в качестве нелинейных или управляющих элементов при создании активных СВЧ устройств. Перечислим эти свойства:

- туннелирование носителей заряда сквозь потенциальный барьер: эффект Джозефсона, SIS- контакт и его нелинейные воЛьт - амперные характеристики,

- изменение кинетической индуктивности под действием протекающего тока,.

- изменение сопротивления рабочей зоны пленки под действием СВЧ мощности, постоянного тока, магнитного поля, теплового излучения и др.,

Принципиально возможно существование активных управляемых приборов, использующих эти свойства: модуляторы, смесители, детекторы, управляемые нагрузки, ключи, фазовращатели и другие .

Скачкообразное изменение поверхностного сопротивления пленки сверхпроводника называют S-N переходом. Следует отметить, что, несмотря на активное развитие криоэлектроники СВЧ с применением высокотемпературных сверхпроводников, информация об использовании S-N перехода в СВЧ приборах появляется крайне редко. В работе именно это свойство пленок используется как основа (базис) для создания управляемых дискретных фазовращателей .

Целью диссертационной работы является исследование возможности использования пленок ВТСП для создания управляющих устройств СВЧ, построение моделей для разработки дискретных СВЧ фазовращателей, изготовленных по сверхпроводниковой технологии, работающих в диапазоне частот:- 2-12ГГц. Для достижения поставленных целей необходимо решение следующих задач:

1. Оценка применимости модели поверхностного импеданса пленки ВТСП при пропускании через нее постоянного тока при температуре ниже температуры фазового перехода (Тс) .

2. Анализ известных базовых моделей СВЧ фазовращателей на предмет использования их при проектировании приборов на основе ВТСП технологии и совместно с управляемыми ВТСП компонентами, а также поиск принципиально новых решений, не доступных при традиционном подходе.

3. Оценка ■ предельных характеристик Б-Ы фазовращателей на этапе проектирования.

4. Анализ Б-Ы элементов, удовлетворяющих ограничениям, налагаемым на них условиями использования в составе фазовращателей.

Объектами исследования являются пленки ВТСП соединения УВа2Сиз07_§, СВЧ устройства на их основе, использующие Б-Ы переход, различные конструкции дискретных фазовращателей.

Методы исследования:

а) теоретические: математические методы анализа периодических структур, аппарат теории цепей, теория согласования.

б) экспериментальные.

Основные защищаемые положения:

1. Свойства фазовращателя полностью определяются параметрами Э-Ы элементов, входящих в его состав, так вносимые потери определяются коммутационным качеством К, среднегеометрическое сопротивление определяет условие проектирования фазовращате-

и

ля с минимальными и равными потерями и неравномерность фазоча-стотной характеристики в полосе частот, максимальная ширина рабочего частотного диапазона определяется добротностью 0.

2. Для проектирования отражательных фазовращателей с минимальными и равными потерями, использующих Б-Ы ключи, достаточно решить задачу согласования комплексного сопротивления

в сверхпроводящем и нормальном состояниях соответственно, Аф-требуемый фазовый сдвиг.

3. При проектировании проходных фазовращателей, работа которых основана на изменении реактивностей, включенных последовательно в линию передачи, принципиально невозможно добиться равенства вносимых потерь в обоих состояниях, обеспечивающего минимально достижимые потери фазовращателя.

Новые научные результаты работы.

1. Предложена концепция проектирования фазовращателей отражательного и проходного типов, работающих на принципе Б-Ы переключения в высокотемпературных сверхпроводниках.

2. На базе феноменологической модели поверхностного импеданса тонкой пленки ВТСП определены параметры Б-Ы переключательного элемента (коммутационное качество, добротность, среднегеометрическое сопротивление) как функции физических характеристик пленки.

3. Определены предельные характеристики фазовращателей, работающих на принципе Б-Ы переключения в пленках ВТСП.

4. Впервые экспериментально исследованы различные варианты фазовращателей на Б-Ы переходе.

где ым = , В.3 , Б^г сопротивление ВТСП ключа

Объем и структура работы.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения, списка литературы, включающего 102 наименование, и 2 приложений. Основная часть работы изложена на 95 страницах машинописного текста. Работа содержит 46 рисунков и 7 таблиц.

Первая глава диссертационной работы имеет обзорный характер и содержит результаты теоретических и экспериментальных исследований пленок ВТСП, Б-Ы ключей, схем СВЧ фазовращателей и переключателей на основе медной и высокотемпературной технологии .

Во второй главе определяются основные свойства Б-Ы переключательных элементов на постоянном токе и на СВЧ. Дается определение совокупности параметров Б-Ы ключа, такие как: среднегеометрическое сопротивление добротность 0, коммутационное качество К, индуктивность Ь, которые в полной мере описывают амплитудные и частотные свойства Б-И элемента. Исследуются различные конфигурации переключательных Б-Ы элементов, в частности, узкие короткие отрезки линии передачи и длинные линии, свернутые в меандр.

В третьей главе разрабатывается математический аппарат, необходимый для синтеза отражательных фазовращателей. Найденные закономерности выражены в виде простых математических соотношений. В главе предлагается два варианта представления переключательного Б-Ы элемента (чисто активным сопротивлением и комплексным сопротивлением). Для каждого варианта существует

свой алгоритм синтеза. Глава содержит таблицы и графики с примерами расчета отражательных фазовращателей на стандартные фазовые сдвиги.

Четвертая глава посвящена проблеме проектирования фазовращателей проходного типа. Рассматриваются вопросы как проектирования фазовращателей на базе имеющихся отражательных с использованием дополнительных отрезков линии передачи и (или) направленных ответвителей, так и фазовращателей типа периодически нагруженной линии на основе переключаемых реактивностей, содержащих Б-Ы элементы.

В приложении 1 приведена программа анализа периодических структур в виде многосвязных микрополосковых линий.

Приложение 2 содержит примеры проектирования отражательных фазовращателей на фазовые сдвиги 11.25°, 22.5°, 45°, 90° и 180°.

Заключение диссертации по теме «Системы, сети и устройства телекоммуникаций», Шерман, Владимир Олегович

Результаты работы используются в учебном процессе в курсах по выбору "Микроэлектроника СВЧ" и "Криоэлектроника СВЧ".

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих семинарах и конференциях: научно - технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ в 1994-1998гг.;

- Европейских конференциях по СВЧ технике в 1995г. (25№ ЕиМС, Болонья, Италия), в 1997г. (27ш. ЕиМС, Иерусалим, Израиль);

- Европейской конференции по применению сверхпроводников в 1995г (ЕиСАБ, Эдинбург, Шотландия).

Международном студенческом семинаре "Применение сверхпроводников в технике СВЧ", С.- Петербург, май 1995г.

Автор выражает глубокую благодарность доктору Сильвану Бо-лиоли и Бернару Дирассену за организацию совместных экспериментальных исследований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Шерман, Владимир Олегович, 1998 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ -

1. Микроэлектронные устройства СВЧ / Под ред. Г. И. Ве-селов. - М.: Высшая школа,1988.-280 с.

2. Автоматизированное проектирование антенн и устройств СВЧ / Д.И. Воскресенский, С.Д. Кременецкий, А.Ю. Гринев, Ю.В. Котов. - М.: Радио и связь, 1988. - 240 с.

3. Mohsen Shokrani, Vik J. Kapoor InGaAs Microwave switch transistors for phase shifter circuit // IEEE Trans, on MTT, 1994. - Vol.42. - N.5. - PP. 772-778.

4. Бушминский И. П., Морозов Г.В. Конструирование и технология пленочных СВЧ микросхем. - М.: Сов. радио, 1978. - 144 с.

5. Performance of a Y-Ba-Cu-0 superconducting filter / GaAs low Noise amplifier hybrid circuit / К. B. Bhasi, S. S. Toncich, С. M. Chorey, et al. // IEEE MTT-S Digest, 1992. -PP. 481-483.

6. Microwave devices based on S-N transition in high-Tc superconducting films/ V.Osadchiy, A.Swishchev, V.Sherman et al. //International Semiconductor Device Research Symposium 68 December 1995, USA.

7. Tinkman M. Introduction to superconductivity. - NY: McGraw Hill, 1975.

8. Piel H., Mueller G. The microwave surface impedance of high Tc- superconductors // IEEE Trans, on magnetics.-1991.-Vol.27, N 2.-P.854-860.

9. Vendik I., Vendik 0. HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR DEVICES FOR MICROWAVE SIGNAL PROCESSING. Part 1. Physical

Foundation of Superconductivity. - St.-Petersburg, TOO "CKJiafleHb", 1997.

10. Vendik I., Vendik 0., Kaparkov D. HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR DEVICES FOR MICROWAVE SIGNAL PROCESSING. Part 2. Superconducting Microwave Circuits. - St.-Petersburg, TOO "CKJiafleHb", 1997.

11. Vendik I., Vendik 0., Samoilova T. HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR DEVICES FOR MICROWAVE SIGNAL PROCESSING. Part 1. Josephson Effect and other Nonlinear Phenomena in Superconductors at microwaves. - St.-Petersburg, TOO "CKJiafleHb", 1997.

12. J.S.Martens, V.M.Hietala, D.S.Ginley et al. //IEEE Trans App.Supercond, 1993.- N 3. - PP. 2824-2830.

13. A Reflective Microwave Switch Made of Tl-Ca-Ba-Cu-0 for Signal Control Applications / J.S. Martens, V. M. Hietala, T.E. Zipperian et al. //IEEE Microwave and Guided wave letters, 1991.-Vol.1.- N 10.-PP.291-293.

14. Properties of superconductive bandpass filters with thermal switches / Y. Nagai, D.F.Hebert, T.Van Duzer et al. // Appl. Phys. Lett.,1993.- Vol. 63. - N 6.- PP.830-832.

15. PICOSECOND Superconductor opening switches / Wei-lou Cao, Yuan-Qun Liu, Chi H. Lee et al.// IEEE Trans, on Appl. Supercond.-1993.-Vol.3.- N 1.-PP.284812851.

16. Study of photoresponse.of high-Tc Y-Ba-CU-0 superconducting ultrathin films using a picosecond laser pulse train / L.Shi, G.L.Huang, C. Lehane, et al. // Appl. Phys. Lett. 63(20), 15 Nov.,1993.- PP.2830-2832.

17. Nonthermal optical response of Y-Ba-Cu-0 thin films/ H.S. Kwok, J. P. Zheng, Q.Y.Ying et al.// Appl. Phys. Lett.,1989.- Vol. 54. - N 24.- PP.2473-2475.

18. Interaction of picosecond optical pulses with high Tc superconducting films/ W.R. Donaldson, A. M. Kadin, P.H. Ballntine et al.// Appl. Phys. Lett.,1989.- Vol. 54. - N 24.-PP.2470-2472.

19. Вендик И.В., Хижа Г.С., Серебрякова Е.А. СВЧ фазовращатели и переключатели: Оссобенности создания на p-i-n-диодах в интегральном исполнении.-М.: Радио и связь, 1984. - 184 с.

20. EYAL Microwave catalog. - EMI, 1997.

21. ELISRA Microwave components catalog. - ELISTRA electronic systems ltd., 1997.

22. Клич C.M. Проектирование СВЧ устройств радиолакацион-ных приемников. - М.: Сов. радио, 1973. - 320с.

23. Current - Voltage characteristics of dc voltage biased high temperature superconducting microbridges / G.D. Poulin, J. Lachapelle, S.H. Moffat et al.//J. Appl. Phys. Lett., 66(19), 1995. -PP.2576-2578.

24. Лоскот Е.И., Ситникова М.Ф. Исследование тепловой неустойчивости в высокотемпературных сверхпроводниковых пленках// Изв. ТЭТУ. Сб. научн. тр.- С-Пб, 1997. - Вып. 502. -С.21-27.

25. Skocpol W.J., Beasley M.R., Tinkham М. Self- heating hotspots in superconducting thin- film microbridges// J. Appl. Phys.-1974.- Vol.45, No 9. - PP.4054-4066.

26. Физические величины: Справочник/А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.; Под. ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. - М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

27. Investigation of Electrical Nonlinearity of HTS Thin Films as Applied to Realization of a Microwave 1С Mixer/ M. Jeck, S. Kolesov, A. Kozyrev et al. // J. of Superconductivity,1995. - Vol.8.- N6. - pp.705-713.

28. Капарков Д. И. Исследование сверхпроводниковых линий передачи для устройств СВЧ криоэлектроники ( Дис.). - Санкт-Петербург , 1996.

29. Microwave and Millimeter wave Phase shifters. V.2. Semiconductor and Delay Line Phase Shifters / Shiban Koul, Barathi Bhat. - Artech House, 1991.

30. HTS/Ferroelectric Devices for Microwave /S.S.Gevorgian, E.F.Carlsson, S.Rudner et al. //Applications IEEE transactions on applied superconductivity. - Vol.7. - N 2. June 1997.

31. Галковский В.А., Гинзбург В.H. Исследование петлевых диодных фазовращателей // Проектирование и исследование радиоэлементов. Тр. радиотехн. ин-та. - Москва, 1978. - С.226-237.

32. Broad-Band Diode Phase Shifters/ Robert V. Garver // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques,1972.- Vol. MTT-20.- N 5. - PP. 314-323.

33. Pozar, David M. Microwave engineering. - Addison-Wesley Publishing Company, 1993. - p.643.

34. S. M. Anlage, H. J. Snortland, M. R. Beasley A current controled variabble delay superconducting transmission line // IEEE Trans. MTT, 1989. - Vol. MTT-25. - PP.1388-1391.

35. Полупроводниковые входные устройства СВЧ / Под ред.В. С. Эткина. - M.: Сов. радио, 1975. - Т.1.- 344с.

36. Hoffmann,Reinmut К. Handbook of microwave integrated circuits.- Artech House, 1987.

37. Nonlinear properties of SrTi03 films at microwave frequencies / A.B. Kozyrev, T.B. Samoilova, E.K. Hollmann et al. // Proc. of 9th International symposium on integrated fer-roelectrics (ISIF'97), Santa Fe, New Mexico, USA March 2-6, 1997.

38. Young-Hui Shu, Julio A. Navarro, Kai Chang Electronically switchable and tunable coplanar waveguide-slotline band-pass filters // IEEE Trans, on MTT, 1991. - Vol. 39. - N 3. - PP. 548-554.

39. Mohsen Shokrani, Vik J.Kapoor InGaAs Microwave Switch Transistors for Phase Shifter Circuits// IEEE Trans, on Microwave Th. and Techniques, 1994. - Vol.42. - N 5.- PP.772778.

40. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. - М.: Мир, 1991. -632 с.

41. Твердотельные устройства СВЧ в технике связи /Л. Г. Гассанов, А. А. Липатов, В.В. Марков, Н.А. Могильченко. - М. : Радио и связь, 1988. - 288 с.

42. Sarjit S. Bharj, S. P. Tan, B. Thomson A 2-18 GHz 180 degree phase spliter network // IEEE MTT-S Digest,1989. - PP. 959-962.

43. A Novel Three Phase-States Phase Shifter / К. Nakahara, S. Chaki, N. Andoh, et al. // IEEE MTT-S Digest,1993.- PP. 369-372.

44. Marc E. Goldfarb A NOVEL DESIGN FOR A MMIC 180 DEGREE PHASE SHIFTER//IEEE MTT-S Digest, 1992. - PP.175-177.

45. MULTILAYER MMIC USING a 3mkmX3-LAYER DIELECTRIC FILM STRUCTURE / Tsuneo Tokumitsu, Takahiro Hiraoka, Hiroyuki Nakamoto, et al. // IEEE MTT-S Digest, 1990. - PP. 831-834.

46. Славинский О. К. Сравнение конструктивных возможностей построения схем на сосредоточенных элементах и отрезках линий передачи / Проектирование и исследование радиоэлементов // Тр. Радиотехн. ин-та. - Москва, 1978. - N 32.- С. 57-62.

47. High-Temperature Superconductor Resonators and Phase Shifters/ Guo-chun Liang, Xiaohong Dai, David F. Hebbbert, et al. // IEEE Trans, on Appl. Supercond., 1991. -Vol. 1.- N 1. -PP. 58-66.

48. High- Tc superconlucting phase shifters./ I.B. Vendik, M.M.Gaidukov, D.I.Kaparkov et al. //Proc. 24th EuMC, Cannes, Nexus Business Comm., 1994. - Vol.2. - PP. 1906-1911.

49. The Distributed Josephson Inductance Phase Shifter / Dale J. Durand, James Carpenter, Eric Ladizinsky, et al. // IEEE Trans, on Appl. Supercond., 1992. -Vol. 2.- N 1. - PP. 33-38.

50. Monolithic High-Tc Superconducting Phase Shifter at 10 GHz / June H. Takemoto-Kabayashi, Charles M. Jackson, Emery B. Guillory, et al. // IEEE MTT-S Digest, 1992. - PP. 469-472.

51. Charles M. Jackson, Dale J. Durand 10GHz HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING PHASE SHIFTER // IEEE MTT-S Digest, 1991. - PP.165-168.

52. High-Tc Superconducting Monolitic Phase Shifter / June H. Takemoto-Kabayashi, Charles M. Jackson, Claire L. Pettiette-Hall, et al. // IEEE Trans, on Appl. Supercond., 1992. - Vol. 2. - N 1. - PP. 39-44.

53. A high temperature superconductor phase shifter / C. M. Jackson, J. H. Kobayashi, D. Durand, et al. // Microwave jour., 1992. - Vol. 35. - N. 12. - PP. 72, 74, 76-78.

54. Electric field effect control of a superconducting YBa2Cu307 inductor / Y. Gim, C. Doughty, X. X. Xi, et al. // Appl. Phys. Lett.,1993. - Vol. 62. - N 24. - PP.3198-3200.

55. Chien-Hsun Ho, Lu Fan, Kai Chang New uniplanar coplanar waveguide hybrid-ring couplers and magic-T4 s // IEEE Trans, on MTT, 1994. - Vol. 42. - N. 12. - PP. 2440-2448.

56. Фельдштейн A. JT. , Явич Л. P. , Смирнов В. П. Справочник по элементам волноводной техники. - M. : Сов. радио, 1967.

57. Григорьев А. Д. Электродинамика и техника СВЧ. - М. : Высш. шк., 1990. - 335 с.

58. Фуско В. СВЧ цепи. Анализ и - автоматизированное проектирование: Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1990. - 288 с.

59. Distribution of current, surface impedance, and damping in superconductor coupled microstriplines / I.B. Vendik, M.N. Gubina, A.N. Deleniv et al. // J. Tech. Phys., 1997. -Vol.42. - N 2. - PP. 196-201.

60. Simulation of linear and nonlinear characteristics of high-Tc superconducting resonators and filters/ 0. Vendik, I. Vendik, D. Kaparkov et al. // Proc. of 27th EuMC, Jerusalem, Israel, 8-12 September, 1997. - Vol. 1. - PP. 318-323.

61. Current distribution, resistance, and inductance for superrconducting strip transmission lines / David M. Sheen, Sami M. Ali, Daniel E. Oates, et al. // IEEE Trans, on Appl. Supercond., 1991. - Vol. 1. - N. 2. - PP. 108-115.

62. Kasa I. Microwave Integrated Circuits. Elsevier: N.Y.- 1991.

63. EM User's manual // Sonnet Software, Inc., 1992.

64. Никольский В.В., Никольская Т.И. Электродинамика и распрастранение радиоволн. - М.: Наука, 1989. - 544 с.

65. Николь ский В. В., Николь екая Т. И. Декомпозиционный подход к задачам электродинамики. - М.: Наука, 1983. - 304 с.

66. Новожилов Ю.В. Яппа Ю.А. Электродинамика. - М. : Наука, 1978. - 352с.

67. Okoshi, Т., et al., "The Segmentation Method - An Approach to the Analysis of Microwave Planar Circuits", IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol.MTT-24, October 1976, pp.662-668.

68. Мещанов В.П., Чумаевская Г. Г. Экспериментально-расчетный метод синтеза радиотехнических устройств.- Радиотехника и электроника, 1985, т. 30, № 3, с. 544-550.

69. Бинс К., Лауренсон П. Анализ и расчет электрических и магнитных полей. Москва: Энергия, 1970.

70. Е.S.Cochanov, "Capacitance of the planar strip line with a finite dielectric substrate", Radiotechnika, Vol.30, No.1, pp.92-93, 1975.

71. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи / Г. Л. Матей, Л. Янг, Е. М. Т. Джонс; пер. с англ. под ред. Л. В. Алексеева, Ф.В. Кушнира. - М.: Связь, 1971. - т.1.

72. Microstrip lines and slotlines / К.С. Gupta, Ramesh Garg, Inder Bahl et al. - 2nd ed. - Artech House,1996.

73. Foundations for microstrip circuit design / Terry Edwards. - 2nd ed., John Wiley & Sons, 1991.

74. B.C. Wadell Transmission line design handbook. Artech House,1991.

75. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полоско-вых устройств / С. И. Бахарев, В. И. Вольман, Ю. Н. Либ и др.; Под ред. В. И. Вольмана. - М.: Радио и связь, 1982. - 328 с.

76. Малютин Н. Д. Многосвязные полосковые структуры и устройства на их основе. - Томск: Изд-во Том. ун-та, 1990. -164 с.

77. Reinhold Pregla Die Maanderleitung als Laufzeitausgleichsschaltung // A.E.U. 21 [1967], Heft5, 219227.

78. J. Helszajn Microwave planar passive circuits and filters. - John Wiley & Sons ltd., 1994.

79. Mats A. Larson A new element-saving equivalent circuit for the analysis of general coupled n-wire transmission lines // IEEE Trans, on MTT, 1991. - Vol. 39. -N. 11. - PP. 1855-1861.

80. D.G. Swansson, A Novell Method for Modeling Coupling// IEEE Trans. MTT.-1991.-Vol.39. - N.6.-PP.917-923.

81. Вай Кайчэнь Теория и проектирование широкополосных согласующих цепей: Пер. с англ./ Под ред. Ю. Л. Хотунцева. -М.: Связь, 1979. - 288с.

82. Автоматизированное проектирование устройств СВЧ / В.В. Никольский, В.П. Орлов, В.Г. Феоктистов и др.; Под ред. В.В. Никольского. - М.: Радио и связь, 1982. - 272 с.

83. MICROWAVE FILTERS, IMPEDANCE-MATCHING NETWORKS,AND COUPLING STRUCTURES / GEORGE L. MATTHEI, LEO YOUNG, E. M. T. JONES. - Printed and bound by BookMart Pres, North Bergen, NJ,USA, November, 1985.

84. Smith. P. H. Electronic Applications of the Smith Chart in Waveguide, Circuit and Component Analysis, McGraw -Hill, July 1969.

85. Analog Instrument Co, Smith"Chart and Accessories, PO Box 808, New Providence, NJ 07974.

86. Фуско В. СВЧ цепи. Анализ и автоматизированное проектирование: Пер. с англ. - М. : Радио и связь, 1990, стр.153159.

87. I. Vendik, V. Sherman, A. Svishchev Microwave Switches and Digital Phase Shifters Based on S-N Transition in High-Temperature Superconducting Films, Proc. of Applied superconductivity conference, 1998, Palm Desert, USA.

88. V. Sherman, A. Svishchev, Г. Vendik High-Temperature Superconducting Switches and Digital Phase Shifters, Proc. of the XXVII Moscow Iinternetional Conference on Antenna Theory and Technology, Moscow, Russia, 22-24 September, 1998. - PP. 496-499.

89. Microwave digital phase shifters based on a S-N Switching in HTS thin films/ D.Kaparkov, V.Sherman, I.Vendik et al. // Inst. Phys. Conf. Ser., 1995. - PP. 1139-1142.

90. Gordon P. Riblet A Directional Coupler with Very Flat Coupling // IEEE Trans, on MTT, 1978.- - Vol. MTT-26. - N. 2. -PP. 70-74.

91. Bernd Mayer, Reinhard Knochel Branchline-couplers with improved design flexibility and broad bandwidth // IEEE MTT-S Digest, 1990. - PP.391-394.

92. Tadashi Kawai, Isao Ohta Planar-Circuit-Type 3-dB quadrate hybrids // IEEE Trans, on MTT, 1994. - Vol. 42. - N 12. - PP. 2462-2467.

93. Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств: Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1987. - 432с.

94. Вендик И.В., Свищев А.А., Шерман В.О. Управляющие устройства на S-N переходе в пленках высокотемпературного сверхпроводника // Радиоэлектроника, Сб. научн. трудов. - Спб, 1996. - Вып.2. - С.32-36.

95. Шерман В.О. Дискретные фазовращатели на высокотемпературных сверхпроводниках // Изв. ГЭТУ. Сб. научн. тр. - С-Пб,1996. - Вып. 493. - С.21-25.

96. Digital phase shifter based on the S-N transition in high-Tc superconducting films / V. Sherman, M. Gaidukov, S. Razumov et al.// Electronics Lett., 1997. - Vol. 33. - N 1. -PP. 62-64.

97. Amedeo Premoli A new fast and accurate algorithm for the computation of microstrip capacitances // IEEE Trans, on MTT, 1975. - Vol. MTT-23. - N. 8. - PP. 642-648.

98. Umakanta Choudhury, Alberto Sangiovanni-Vincentelli Automatic generation of analytical models for interconnect capacitances // IEEE Trans, on Computer-Aided design of integr. circuits and systems, 1995. - Vol. 14. - N. 4. - PP. 470-480.

99. Shishak K. Dhali, Lei Wang Transient response of a high Tc superconducting thin film // Appl. Phys. Lett.,1992. -Vol. 61. - N 13. - PP.1594-1595.

100. Fast digital phase shifter based on S-N transition in high Tc superconducting film / I.Vendik, M.Gaidukov, S.Rasumov et al. // Proc. 25th. EuMC, Bologna, 4-7 sept. 1995, Nexus Business Comm. - Vol.2. - PP.931-936.

101. YBaCuO Thin Films on Sapphire up to 2-inch-diameter for Microwave Applications / V.Osadchiy, A.Swishchev, V.Sherman et al. // IEEE Trans, on applied superconductivity.-Vol.5. - N 2, June 1995. - PP. 1797-1800.

102. The superconducting microwave devices based on S-N transition in HTS films / I. Vendik, A. Kozyrev, M. Gaidukov et al. // Proc. of 27th EuMC, Jerusalem, Israel, 8-12 September, 1997. - Vol.2. PP. 909-914.

\

V