Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Тысченко, Ида Евгеньевна

• Тысченко, Ида Евгеньевна
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Тысченко, Ида Евгеньевна

Оглавление

Список сокращений и обозначений 2

Введение 9

Глава I. Ионно-лучевой синтез нитрида кремния в кремнии 24

1.1. Особенности взаимодействия химически активных ионов с кремниевой 24 матрицей в условиях ионно-лучевого синтеза диэлектрической фазы

1.2. Пространственное распределение азота в кремнии при имплантации 36 достехиометрических доз ионов

1.2.1. Пространственное распределение атомов азота в кремнии в 36 процессе высокотемпературной ионной имплантации

1.2.2. Пространственное распределение атомов азота в слоях кремния, содержащих внутренние стоки, сформированные имплантацией ионов Аг+ 42

1.2.3. Численное моделирование пространственного распределения атомов азота в результате их взаимодействия с конкурирующими стоками в кремнии 46

1.3. Начальная стадия зарождения в при ионном синтезе 54

1.3.1. Формирование парамагнитных рекомбинационных центров в кремнии на начальных стадиях ионно-лучевом синтеза нитрида кремния

в кремнии 56

1.3.2. Формирование донорных центров в кремнии, имплантированном ионами азота в условиях ионно-лучевого синтеза фазы 62

1.4. Кристаллизация нитрида кремния в условиях ионно-лучевого синтеза

КНИ структур 74

Заключение к главе I 87

Глава 2. Ионно-лучевой синтез тонких пленок нанокристаллического кремния иимплантацией больших доз ионов водорода 90

2.1. Физические свойства водорода в кремнии 91

2.2. Кристаллизация тонких пленок кремния, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием импульсных отжигов 102

2.2.1. Формирование пленок нанокристаллического кремния

имплантацией больших доз ионов Н* в слои КНИ и последующим быстрым термическим отжигом

2.2.2. Кристаллизация пленок КНИ, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов

2.2.3. Квантово-размерный эффект в пленках КНИ, имплантированных большими дозами ионов водорода

130

115

2.3. Свойства пленок кремния-на-изоляторе, имплантированных большими

дозами ионов водорода и отожженных при высоком давлении

140

2.3.1. Стабилизация микропор и резонансное усиление фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе. имплантированных большими дозами ионов водорода и отожженных в 141 условиях гидростатического сжатия

2.3.2. Кристаплизация пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, в условиях отжига при гидростатическом сжатии 153

Заключение к главе 2 162

Глава 3. Ионно-лучевой синтез полупроводниковых нанокластеров и нанокристаллов в аморфной диэлектрической матрице 164

3.1. Низкотемпературная стадия преципитации атомов кремния и германия, имплантированных в термически выращенные пленки SiCh 167

3.1.1. Кремний в S1O2 167

3.1.2. Германий в S1O2 175

3.1.3. Природа коротковолновой ФЛ в пленках Si02, содержащих молекулярно-подобные кластеры 180

а) Природа центров возбуждения фиолетовой (-400-450 нм) фотолюминесценции 180

б) Природа центров возбуждения оранжевой (-600 нм) фотолюминесценции 184

3.2. Высокотемпературная стадия преципитации атомов кремния и

германия в диэлектрических пленках, имплантированных ионами Si+ и Ge+ 188

3.2.1. Нанокристаллы 57 и Се в БЮ2 188

3.2.2. Се в нитриде кремния 193

3.3. Формирование нанокластеров и нанокристаллов кремния и германия в диэлектрических матрицах при ионно-лучевом синтезе в условиях 202 гидростатического сжатия

3.3.1. Начальная стадия преципитации атомов кремния и германия, имплантированных в пленки 8Ю2 и Л'СУУ,,, при отжиге под давлением 202

3.3.1.1. Кремний в 8Ю2 203

3.2.1.2. Германий в 57(9Д, 206

3.3.2. Формирование нанокристаллов кремния и германия в пленках 8102,

в условиях высокотемпературного отжига под давлением 213

3.4. Электрические и электрооптические свойства нанокластеров и нанокристаллов в диэлектриках 233 Заключение к главе 3 244

Глава 4. Ионно-лучевой синтез полупроводниковых нанокристаллов вблизи и на границе раздела полупроводник-диэлектрик 247

4.1. Ионный синтез германия на границе раздела 81/8102 249

4.1.1. Эпитаксиалъный рост германия на границе раздела 51/8102 из имплантированного слоя 8Ю2 250

4.1.2. Положение атомов германия на границе раздела 81/8102 и в пленках кремния при ионном синтезе слоев кремний-германий нанометровой толгцины 258

4.1.3. Электрофизические свойства ионно-синтезированных структур 81-Се-на изоляторе нанометровой толщины 263

4.1.4. Аккумуляция зарядов в структурах кремний-на-изоляторе со встроенным диэлектриком, содержащим нанокристаллы кремния и германия 270

4.2. Рост нанокристаллов 1п8Ь вблизи и на границе сращивания КНИ структуры 277

4.2.1. Диффузия и сегрегация атомов 8Ъ и1пв пленках 8102 и вблизи границы раздела 81/8102 280

4.2.2. Ионный синтез нанокластеров 1пБЬ в пленках захороненного слоя

БЮ2 вблизи границы раздела 81/8102 КНИ структуры 286 4.2.3. Ионный синтез нанокластеров 1п8Ь на границе сращивания КНИ

структуры 296

Заключение к главе 4 307

Основные результаты и выводы 309

БЛАГОДАРНОСТИ 315

Литература 317

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния»

Введение

Ионный синтез - это метод создания гетероструктур, при котором формирование новой фазы происходит в имплантированных ионами слоях. Формирование новой фазы при ионном синтезе может происходить либо как результат взаимодействия имплантированных атомов с атомами мишени, либо в результате их взаимодействия между собой. Использование ионно-лучевого синтеза для создания структур на основе кремния обладает неоспоримыми преимуществами по сравнению с другими методами, поскольку метод является совместимым с имеющейся кремниевой технологией. Метод обладает широкими возможностями создания систем разного типа. При этом свойства синтезированных структур определяются как параметрами ионной имплантации (сорт, доза, энергия ионов, плотность ионного тока, температура мишени во время имплантации), так и условиями последующих термических воздействий (температура, длительность, давление и атмосфера последующего отжига). Этот метод позволяет управлять в широких пределах структурными свойствами синтезируемых объектов, их размерами (от единиц нанометров до нескольких микрометров) и пространственным распределением.

Впервые появление новых фаз и соединений в облученных ионами слоях наблюдалось при дозах ионов, обеспечивающих стехиометрический состав нового вещества [1]. Затем во многих работах была продемонстрирована возможность синтеза различных соединений в результате химического взаимодействия имплантированных атомов с атомами мишени: поверхностных слоев 8Юг на кремниевой подложке [2]; слоев 81зК4 в монокристаллическом кремния [3]; пленок СсГГе на кремнии [4]; пленок БЮ в кремнии [5]. Однако, вплоть до 1980-х годов, исследования ионного синтеза полупроводниковых соединений носили, скорее, эпизодический характер и были

направлены на демонстрацию новых возможностей ионной имплантации. Новый всплеск интереса к ионно-лучевому синтезу был обусловлен проблемами радиационной стойкости сверхбольших интегральных схем. Решение этой проблемы виделось в использовании в качестве подложек не объемного кремния, а слоев кремния на изоляторе (КНИ). Ионно-лучевой синтез захороненных слоев диэлектриков рассматривался как один из возможных способов создания КНИ структур. Прогресс в технике ионной имплантации позволил совмещать набор больших доз ионов с разогревом мишени во время имплантации, предотвращая тем самым аморфизацию кремниевой подложки во время имплантации, и добиться первых успехов в создании поверхностных [6], а затем и захороненных [7,8] слоев диоксида кремния, близких по свойствам к термически выращиваемым пленкам

8Ю2.

Вплоть до начала 1990-х годов метод ионного синтеза развивался по пути создания полупроводниковых соединений в кремнии. Исследования были в основном направлены на решение практических задач с целью создания протяженных диэлектрических и проводящих слоев, захороненных в объеме кремния. Считалось, что решение этой задачи может быть достигнуто путем внедрения доз ионов химически активных элементов, обеспечивающих концентрацию внедренных атомов в кремнии, соответсвующую стехиометрическому составу синтезируемого соединения. Поэтому исследователей интересовали в основном процессы, связанные с особенностями внедрения стехиометрических и сверхстехиометрических доз ионов кислорода, азота и углерода в матрицу кремния. А именно, решались задачи, позволяющие корректно определить пространственное распределение энергетических потерь ионов в условиях изменяющегося состава анализируемого объекта по глубине слоя, учесть эффекты распыления поверхности при длительном облучении кремния ионами химически активных элементов,

учесть эффект распухания имплантируемого слоя за счет формирования новой фазы при внедрении сверхстехиометрической дозы ионов в кремний [9-11]. Но в рамках рассматриваемых задач нельзя было объяснить целый ряд особенностей, возникающих при ионном синтезе соединений в кремнии, а также различий между теоретическими предсказаниями и экспериментом (например, различие в пространственном распределении формирующейся фазы и теоретически рассчитанным распределением внедренных атомов; ускоренную кристаллизацию синтезируемой фазы и др.). Это связано в первую очередь с тем, что не были изучены закономерности накопления имплантированных атомов, начальные стадии зарождения и последующего роста новой фазы, не был установлен механизм образования зародышей новой фазы. Изучение этих процессов связано с имплантацией малых (на 2-3 порядка величины меньших стехиометрических) доз ионов и находилось вне области интересов исследователей. Установление механизма зарождения новой фазы при ионном синтезе в кремнии является важной фундаментальной задачей, а также имеет определяющее значение с точки зрения прогнозирования практических результатов. На решение этой задачи и были направлены исследования, представленные в данной диссертационной работе.

Второй этап в развитии метода ионно-лучевого синтеза следует отнести к первой половине 1990-х годов. Он был ознаменован проблемами создания наноразмерных кристаллов. В отличие от ионного синтеза соединений на основе кремния, зарождение новой фазы в этом случае происходит, как правило, в результате распада пересыщенного твердого раствора имплантированных атомов без участия атомов мишени. Исследования в этой области начались одновременно несколькими научными коллективами, и большая часть исследований была направлена на установление взаимосвязи между структурными и оптическими свойствами синтезированных объектов. Исследования, относящиеся к

результатам, представленным в данной диссертационной работе, были направлены на изучение начальной стадии кластеризации атомов кремния и германия в диэлектрических матрицах, выяснению условий и механизма зарождения и роста нанокристаллов соответствующих полупроводников.

Рост новой фазы при ионно-лучевом синтезе сопровождается физическими процессами, протекающими в твердом теле на фоне больших доз облучения. В первую очередь, это процессы, обусловленные генерацией точечных дефектов: радиационно-ускоренная диффузия имплантированных атомов, радиационно-стимулированное зародышеобразование, радиационно-ускоренный рост новой фазы [12,13] и другие. При ионно-лучевом синтезе большую роль играют химические и термодинамические свойства системы, а также наличие вторичных дефектов структуры и межфазных границ раздела как стоков для имплантированных атомов и генерированных облучением точечных дефектов. Следует подчеркнуть, что с точки зрения создания нанометровых промежуточных слоев полупроводников и диэлектриков большой интерес представляет ионный синтез на межфазных границах раздела. Однако, вплоть до недавнего времени такие исследования никем не проводились. Развитие технологии создания гетероструктур на основе сращивания и водородного переноса слоев полупроводников и диэлектриков в Институте физики полупроводников им. A.B. Ржанова СО РАН позволило провести такие исследования впервые в мире и установить основные физические закономерности процессов ионно-лучевого синтеза вблизи и на границе раздела как элементарных полупроводников, так и полупроводниковых соединений.

Цель данной работы заключалась в установлении основных физических процессов, определяющих механизмы зарождения и роста новой фазы при ионно-лучевом синтезе в

кристаллической матрице кремния, в аморфных диэлектрических матрицах на основе кремния и вблизи границы раздела 81/8102.

Для достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи: 1) исследовать закономерностей формирования пространственного распределения атомов азота, дефектообразования, механизма зарождения и роста фазы нитрида кремния в кремнии в условиях высокотемпературного ионного синтеза структур кремний-на-изоляторе; 2) изучить основные физические процессы в тонких пленках кремния при имплантации больших доз ионов водорода; 3) установить основные закономерности роста нанокристалов кремния и германия в объеме пленок оксида, нитрида и оксинитрида кремния; 4) исследовать закономерности накопления атомов германия, индия и сурьмы и установить механизм зарождения кристаллической фазы йе и 1п8Ь на границе раздела 81/8Юг в структурах кремний-на-изоляторе.

В ходе проведения исследований необходимо было решить ряд технических и технологических задач: (1) разработать технологию изготовления структур кремни-на-изоляторе со встроенным слоем 8Юг, имплантированным ионами Ое+ вблизи границы раздела 81/8Юг; (2) разработать технологию изготовления структур кремни-на-изоляторе со слоями кремния и оксида кремния, имплантированными ионами 1п+ и 8Ь+ вблизи границы раздела 81/8102.

Объекты и методы решения. В качестве объектов исследования использовались пластины монокристаллического кремния, в том числе, покрытые термически выращенными пленками 8Юг и осажденными пленками 81з^ и 8ЮхЫу, и пластины кремний-на-изоляторе. Структуры кремний-на-изоляторе были изготовлены в Институте физики полупроводников Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) методом водородного переноса (Пе1еСЩ). Имплантация ионов проводилась на ионных ускорителях

«Везувий-5», «Днепр», «High-voltage engineering» и на ионной пламенно-имерсионной пушке Института Ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН). Профили имплантированных атомов исследовались методом резерфордовского обратного рассеяния (POP) и масс-спектрометрии вторичных ионнов (МСВИ); распределение электрически активных центров исследовалось с помощью измерений эффекта Холла и проводимости методом Ван-дер-Пау в сочетании послойного удаления анодно-окисленных слоев, методом спектроскопии глубоких уровней (DLTS), методом измерения вольт-фарадных (C-V) характеристик, методом измерения емкостной проводимости (G-V), спин-зависимой рекомбинации (СЗР); структурные свойства ионно-синтезированных структур изучались методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), в том числе и высокого разрешения (ВРЭМ) как в плане, так и на поперечном срезе, а также с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС); оптические и электрооптические свойства структур изучались методами фото-(ФЛ) и электролюминесценции (ЭЛ) и инфракрасной спектроскопии на отражение. Научная новизна работы заключается в решении крупной проблемы физики и технологии полупроводников - разработке физических основ ионно-лучевого синтеза микро- и наноструктур на основе кремния, открывающего новые перспективы использования кремния как основного материала электроники. В диссертационной работе впервые решены следующие задачи:

1. Проведены комплексные исследования пространственного распределения атомов азота, процессов вторичного дефектообразования и начальной стадии зарождения фазы нитрида кремния в монокристаллическом кремнии в условиях высокотемпературной ионной имплантации. Установлен гетерогенный механизм зарождения фазы Si3N4 на вторичных дефектах структуры в монокристаллическом кремнии. Установлена природа

несоответствия теоретически предсказываемых и экспериментально наблюдаемых пространственных распределений имплантированных атомов азота и синтезируемой фазы нитрида кремния в условиях ионно-лучевого синтеза. Реализован метод ионного синтеза сплошных слоев в кремнии при достехиометрических дозах ионов ТчГ.

2. Изучены закономерности кристаллизации нитрида кремния в кремнии при высокотемпературном ионном синтезе. Установлены физические процессы, определяющие структуру нитрида кремния (а- или Р^з^) в условиях ионно-лучевого синтеза.

3. Изучены основные эффекты в тонких пленках кремния при имплантации больших доз ионов водорода, обеспечивающих концентрацию атомов >20 ат.%. Установлено формирование структуры, состоящей из нанокристаллов кремния и аморфного водородосодержащего кремния. Размеры и плотность нанокристаллов определяются содержанием водорода в пленке и условиями последующего отжига (температурой, длительностью и давлением).

4. Изучены оптические свойства пленок кремния, облученных большими дозами ионов водорода, и обнаружена фотолюминесценция нанокристаллических пленок кремния, пассивированных атомами водорода, при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.55-1.65 эВ. Анализ температурной зависимости фотолюминесценции показал, что ее механизм соответствует рекомбинации электронов и дырок, локализованных в объеме нанокристаллов кремния.

5. Изучена кристаллизация тонких пленок монокристаллического кремния, имплантированных большими дозами ионов водорода. Установлено, что энергия активации роста кристаллической фазы в пленках кремния, имплантированных

большими дозами ионов водорода, составляет 1.5 эВ и не зависит от длительности отжига и величины давления при гидростатическом сжатии во время отжига.

6. Проведены систематические исследования начальной стадии преципитации имплантированных атомов кремния и германия и зарождения и роста нанокристаллов в пленках оксида и нитрида кремния. Установлено, что зарождение нанокристаллов кремния и германия происходит по гомогенному механизму, а их последующий рост контролируется диффузией. Определен коэффициент диффузии германия в нитриде кремния как функция температуры.

7. Впервые изучен ионно-лучевой синтез ве на границе раздела 81/8102. Изучены закономерности накопления атомов германия на границе раздела 81/8Юг из имплантированного слоя оксида кремния и установлен механизм эпитаксиального роста германия на границе раздела структуры кремний-на-изоляторе.

8. Впервые изучен ионно-лучевой синтез 1п8Ь на границе раздела 81/8Юг. Установлен гетерогенный механизм зарождения фазы 1п8Ь на преципитатах сурьмы, в матрице 8Юг или на границе раздела Б ¡/в Юг.

Практическая значимость работы.

На основе проведенных исследований разработаны на уровне изобретений и испытаны в

условиях производства структуры кремний-на-изоляторе с ионно-модифицированным

встроенным диэлектриком.

• Предложен и реализован способ создания промежуточных эпитаксиальных слоев германия на границе 81/8Юг, позволяющий создать структуры кремний-германий-на-изоляторе. На основе структур кремний-германий-на-изоляторе изготовлены МДП транзисторы. Показано, что холловская подвижность дырок в нанометровых слоях

кремний-германий в 2-3 раза превышает подвижность в соответствующих слоях кремния.

• Предложен и реализован способ создания структур кремний-на-изоляторе с ионно-модифицированным диэлектриком, в котором величина встроенного положительного заряда на порядок величины ниже ее значения в немодифицированном диэлектрике. Структуры обладают повышенной стойкостью к ионизирующему облучению (до 107 рад), по сравнению с немодифицированными структурами. На основе созданных структур изготовлены МДП-транзисторы, обладающие повышенной радиационной стойкостью.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения с общими выводами и содержит 349 страниц текста, включая 81 иллюстрацию, 4 таблицы, 294 наименований списка цитируемой литературы. Краткое содержание работы. Во введении сформулированы основы метода ионно-лучевого синтеза, изложены основные достижения и проблемы метода к началу выполнения исследований, представленных в диссертационной работе, обоснована актуальность темы, сформулирована цель работы, научная новизна и практическая значимость полученных результатов.

В главе 1 исследованы закономерности формирования пространственного распределения атомов азота в кремнии в условиях высокотемпературной ионной имплантации, изучена начальная стадия зарождения фазы 81з1Ч4 в кремнии при создании структур кремний-на-изоляторе, выяснены условия кристаллизации нитрида кремния при ионном синтезе в зависимости от температуры имплантации и скорости набора дозы ионов. Выявлена ключевая роль структурных нарушений в кремнии при формировании

пространственного распределения атомов азота и синтезируемой диэлектрической фазы и структуры кристаллизующегося нитрида кремния.

В главе 2 изучены эффекты, обусловленные имплантацией больших доз ионов водорода в пленки кремния. Проанализированы физические свойства водорода, имплантированного в кремний, в зависимости от дозы имплантации и условий последующих термических воздействий. Изучена кристаллизация тонких пленок кремния, имплантированных большими дозами ионов водорода, обеспечивающими концентрацию атомов водорода >20 ат.%, в зависимости от температуры, длительности и давления термических воздействий. Исследованы оптические свойства синтезированных пленок.

Глава 3 посвящена выяснению механизма формирования нанокристаллов кремния и германия в аморфных матрицах БЮг, 813^ и 8ЮХКУ в условиях ионно-лучевого синтеза. Изучена преципитация атомов кремния и германия в зависимости от уровня пересыщения матрицы имплантированными атомами, от температуры, времени и давления последующего отжига. Установлено наличие двух стадий кластеризации избыточных примесных атомов. Исследованы структурные, оптические и электрофизические свойства пленок 8Юг, 81з1Ч4 и БЮ^у, содержащих молекулярно-подобные кластеры и нанокристаллы и Се.Установлен гомогенный механизм зарождения нанокристаллов кремния и германия в пленках диэлектриков и последующий их рост за счет диффузии имплантированных атомов к зародышам новой фазы.

В главе 4 рассмотрены основные закономерности зарождения и роста фазы в условиях ионно-лучевого синтеза в области границы раздела З^БЮг- Процесс ионно-лучевого синтеза на границе раздела был изучен на примере роста промежуточных слоев ве и 1пБЬ на границе сращивания структур кремний-на-изоляторе. С этой целью был разработан метод создания структур кремний-на-изоляторе с ионно-модифицированным

захороненным диэлектриком. Проанализированы диффузионные свойства атомов германия, а также индия и сурьмы в матрице 8Ю2 вблизи границы раздела ЭЬ^Юг. Изучены особенности их пространственного распределения в пленках 8502 вблизи границы раздела 81/8102 в зависимости от температуры последующих термических воздействий. Выяснены условия, при которых имплантированные атомы накапливаются на границе раздела в положениях, когерентных с решеткой кремния. Изучены электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, содержащих промежуточные слои германия нанометровой толщины на границе раздела 81/8102.

В заключение приведены основные результаты выводы, на основе которых сформулирована научная проблема, личный вклад автора и благодарности. Личный вклад автора заключается в выборе направления исследований, постановке задачи, концепции проведения экспериментов, разработке методов создания структур КНИ с ионно-модифицированным захороненным диэлектриком, качественном анализе экспериментальных результатов, проведении количественных оценок и расчетов. Автором лично проведены все электрофизические измерения и их анализ. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, которые вошли в сформулированные защищаемые положения. Основные положения, вынесенные на защиту:

1. При ионном синтезе нитрида кремния в кремнии вторичные структурные нарушения кремния являются стоками для атомов азота и центрами гетерогенного зарождения фазы 81зК4. В условиях гетерогенного зарождения формирование 81зЫ4 происходит при достехиометрических дозах ионов При ионном синтезе скорость зародышеобразования, скорость роста включений нитрида кремния и их структура определяются температурой имплантации и скоростью генерации точечных дефектов.

2. Имплантация больших доз ионов водорода (>20 ат.%) в кремний сопровождается формированием двухфазной системы, состоящей из водородосодержащего аморфного кремния и нанокристаллов кремния. Увеличение гидростатического давления во время отжига кремния, имплантированного большими дозами ионов Н+, приводит к подавлению образования газовых включений и уменьшению скорости роста нанокристаллов кремния. Кристаллизация пленок кремния, облученных большими дозами ионов, контролируется выходом водорода из связанного состояния.

3. В матрицах БЮг, 8ЮХКУ и 81з^, имплантированных ионами 81+ и Ое+, при температурах отжига, соответствующих структурной релаксации оборванных связей (-600° С), основной формой существования избыточных атомов являются молекулярно-подобные кластеры, обусловленные недостатком кислорода или азота (кислородные вакансии и силеленовые центры). Ионный синтез нанокристаллов кремния и германия в аморфных матрицах 8Ю2, БЮхЫу и 81з^ происходит в результате гомогенного образования зародышей новой фазы и последующего их роста за счет диффузии имплантированных атомов (при температурах >900° С в 8102 и >1100° С в 81зЫ4).

4. В условиях ионного синтеза на границе раздела 81/8Ю2 возможен ориентированный рост промежуточных слоев ве. Эпитаксиальный слой германия растет при температуре около 1100° С из расплава твердого раствора 810е, образованного в результате сегрегации атомов ве, имплантированных в матрицу 8Юг, к границе раздела З^Юг.

5. Ионный синтез бинарного соединения 1п8Ь в пленках 8Юг, имплантированных ионами 1п+ и 8Ь+, и на границе раздела 81/8Ю2 происходит гетерогенно за счет формирования преципитатов 8Ь и последующей диффузии к ним атомов 1п.

Научная обоснованность и достоверность полученных экспериментальных результатов, представленных в диссертационной работе, определяется использованием широкого набора современного исследовательского и экспериментального оборудования и воспроизведением обнаруженных эффектов в других отечественных и зарубежных научных коллективах, о чем свидетельствуют ссылки на опубликованные автором работы по теме диссертации. Настоящая работа выполнена в основном в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН в течение 1989-2013 гг. в соответствие с планами НИР Института по теме: исследование и разработка физико-химических основ технологий микроэлектроники и наноэлектроники.

Основные результаты работы были представлены на следующих научных форумах:

International Conference on Ion Beam Modification of Materials (Germany, Heidelberg, 1992; USA, New-Mexico, Albuquerque, 1996; Netherlands, Amsterdam, 1998; Japan, Kobe, 2002; USA, California, Asilomar Conference Center, 2004; Germany, Dresden, 2008), European Meeting on Materials Research Society (Spring Meeting, France, Strasbourg 1994, 1995, 1998, 2000, 2002, 2009, 2011; Spring Meeting, France, Nice, 2006; Fall Meeting, Poland, Warsaw, 2011), Materials Research Society Meetings (Fall Meeting, USA, Boston, 1998, 2002; Spring Meeting, San Francisco, USA, 2001), International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (Catania, Italy, 2001; Branderburg, Germany, 2003; Giens, France, 2005; Erice, Italy, 2007; Berlin, Germany, 2009; Loipersdorf, Austria, 2011), International Conference on Solid State Crystals (Zacopane, Poland, 2000, 2002), IV International School and Symposium on Physics in Materials Science (Jaszowiec by Ustron, Poland, 2001), International School on High Pressure (Warsaw, Poland, 2001), NATO-Advanced Study Institute, Synthesis, Functional Properties & Applications of Nanostructures

(Heraklion, Greece, 2002), 26th International Conference on the Physics of Semiconductors

(Edinburg, UK 2002), The 4th International Conference on Inorganic Materials (Antwerp,

Belgium, 2004), NATO ARW Conference "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures

and Devices" (Sudak, Ukraine2006), International Conference on Spectroscopic Ellipsometry

(Stockholm, Sweden, 2007), International Conference Micro and Nano 2007 (Athens, Greece,

2007), The 18th International Conference on Ion Implantation Technology (Kyoto, Japan, 2010), th

6 International SemOI Workshop "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices" (Kyiv, Ukraine, 2010), International Topical Workshop on Subsecond Thermal Processing of Advanced Materials (Dresden, Germany, 2011), 19th International Conference on Ion Implantation Technology (Valladolid, Spain, 2012), Третья Новгородская международная научно-техническая конференция "Технологические методы изготовления МЭМС и приборов на основе сложных полупроводников" (Великий Новгород, Россия, 2005 г.), X Международная научная конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивногорское, Россия, 2006), Международная конференция по взаимодействию заряженных частиц с веществом (Москва, Россия, 1987, 2007, 2010, 2011, 2013), XXXII Российская Конференция по электронной микроскопии (Черноголовка, 2008 г), Международная научно-техническая конференция и молодежная школа-семинар Нанотехнологии-2010 (Геленджик, Россия, 2010), Международная конференция и Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния (Иркутск, Россия, 2004; Красноярск, Россия, 2006; Нижний Новгород, Россия, 2010; Санкт-Петербург, Россия, 2012), IV и V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Новосибирск, 2012, Нижний Новгород, Россия, 2014), 21-st International symposium on nanostructures: physics

and technology (Russia, Sankt-Petersburg, 2013), XXI International conference on ion surface interaction (ISI-2013) (Russia, Jaroslavl, 2013).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 1 монография, 48 статей, получено 3 патента на изобретения, перечень которых приведен в конце автореферата и в списке цитируемой литературы в конце диссертации. Данный список не включает многочисленные публикации в трудах отечественных и международных конференций, а также статьи и авторские свидетельства автора, напрямую не связанные с темой диссертации.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Тысченко, Ида Евгеньевна

Основные результаты и выводы

1. Установлены закономерности формирования пространственного распределения азота

и фазы 81з^ в монокристаллическом кремнии при ионном синтезе.

• Обнаружено, что существует критическая температура имплантации, при которой атомы азота локализуются не в области среднего пробега ионов, а на поверхности кремния. Эта температура совпадает с критической температурой для формирования вторичных структурных нарушений в кремнии ионами азота и составляет 900° С. Установлено, что формирование пространственного распределения азота в кремнии происходит как результат взаимодействия атомов N с конкурирующими стоками в области имплантации или на поверхности кремния.

• Показано, что зарождение фазы нитрида кремния в кремнии происходит гетерогенно на дефектах в объеме или на его поверхности. Локальная концентрация атомов азота вблизи зародышей обеспечивается за счет диффузии в процессе высокотемпературной ионной имплантации при температуре выше 800° С или в процессе отжига при температуре выше 1000° С. Гетерогенный механизм зарождения обеспечивает условия для синтеза протяженных слоев 81з]^4 при достехиометрических дозах ионов ]Ч+.

• Установлено, что имплантация больших доз ионов азота в кремний, предварительно легированный ионами бора, приводит к формированию аномально высокой

20 21 3

концентрации доноров, достигающей 10 -10 см" и превышающей на 3-4 порядка величины предел растворимости атомов азота в кремнии. Обнаружено, что пространственное распределение доноров имеет максимумы в области локализации бора и в области потерь энергии ионов в 81 на упругое рассеяние. Анализ зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры и длительности последующего отжига показал, что природа доноров связана не с

растворимостью атомов азота в узлах решетки, а с формированием электрически активных преципитатов азота, центрами зарождения которых могут быть атомы бора или структурные нарушения решетки кремния.

• Установлено, что структура синтезированного нитрида кремния определяется скоростью набора дозы ионов и температурой имплантации, обеспечивающих скорость генерации неравновесных точечных дефектов и необходимую локальную концентрацию атомов азота в кремнии. В случае низкоинтенсивной (единицы мкА/см2) имплантации ионов формируется а-81з^, решетка которого когерентна с решеткой кремния. При высокоинтенсивной имплантации ионов азота 0=100 мкА/см2) в кремний и температуре >900° С формируется энергетически выгодная фаза (З^зЫ,}. Эффект скорости набора дозы объясняется снижением ориентирующей роли кремниевой матрицы в условиях увеличивающихся скоростей гетерогенного образования зародышей 81зИ4 и их роста при большой скорости генерации точечных дефектов и возрастяющием потоке атомов азота к зародышам.

2. Изучены основные физические процессы в пленках кремния при внедрении больших

доз ионов водорода.

• Установлено, что в результате имплантации пленок кремния ионами водорода дозами, обеспечивающими концентрацию атомов >20 ат.%, формируется структура, состоящая из нанокристаллов кремния и водородосодержащего аморфного кремния. Размеры и плотность нанокристаллов определяются содержанием водорода в пленке и условиями последующего отжига (температурой, длительностью и давлением).

• В пленках кремния, имплантированных большими дозами ионов водорода, обнаружена фотолюминесценция при комнатной температуре в области спектра 750-800 нм (1.551.65 эВ). Энергетическое положение максимума фотолюминесценции соответствует

энергии рекомбинации электронов и дырок, локализованных в объеме нанокристаллов кремния.

• Обнаружено, что гидростатическое сжатие во время отжига пленок кремния, имплантированных большими дозами ионов водорода, приводит к стабилизации микропор и пластинчатых дефектов, сформированных под действием имплантации, и подавляет формирование водородных пузырей.

• Показано, что рост кристаллической фазы кремния в результате отжига пленок кремния, имплантированных большими дозами ионов водорода, происходит с энергией активации 1.5 эВ и определяется диффузией атомарного водорода в аморфном водородосодержащем кремнии.

3. Установлены физические закономерности формирования нанокристалов кремния и

германия в матрицах оксида, нитрида и оксинитрида кремния при ионно-лучевом синтезе.

• Обнаружены две стадии кластеризации атомов кремния и германия в пленках оксида и нитрида кремния. Низкотемпературная стадия происходит при температуре <600° С в условиях структурной релаксации оборванных связей имплантированной диэлектрической матрицы. При этом имплантированные атомы кремния и германия формируют молекулярно-подобные центры (типа кислородных вакансий и силиленовых центров в диоксиде кремния), природа которых обусловлена дефицитом кислорода или азота. Эти центры оптически активны, их формированием обусловлена природа излучательной рекомбинации в синей и красной областях энергетического спектра.

• Обнаружена электролюминесценция в синей и фиолетовой областях энергетического спектра пленок БЮг, имплантированных ионами 81+ и ве+ соответственно, природа которой обусловлена рекомбинацией инжектированных носителей через уровни

состояний молекулярно-подобных центров в матрице S1O2. На основе анализа инжекционных токов в зависимости от величины электрического поля приложенного к МДП структуре со слоем SiC>2, имплантированным ионами Si+ и Ge+, сделан вывод о том, что оптические переходы в центрах синей и фиолетовой электролюминесценции возбуждаются под действием горячих электронов. Квантовая эффективность электролюминесценции составила около 10"3.

• Показано, что в матрице SiC>2 при температуре -900° Сив матрице Si3N4 при температуре >1100° С происходит формирование аморфных нанокластеров с размерами больше 2 нм, а при температурах ~1000° С и -1300° С соответственно — формирование нанокластеров с кристаллической структурой (нанокристаллов). Пространственное распределение нанокристаллов соответствует распределению пробегов имплантированных атомов. Получены функциональные зависимости объемной плотности и размеров нанокристаллов от времени отжига, температуры отжига и концентрации имплантированных атомов Si и Ge. На основании полученных зависимостей сделано заключение о том, что формирование нанокристаллов кремния и германия в диэлектриках происходит в результате гомогенного образования зародышей и последующего их роста за счет диффузии имплантированных атомов. По скорости роста нанокристаллов Ge в матрице нитрида кремния определено значение коэффициента диффузии атомов германия в SijN4 как функция температуры: Dcemm - 0.3ехр(-4.6±0.3 eV/kT).

• Экспериментально изучены основные эффекты в условиях ионно-лучевого синтеза нанокластеров и нанокристаллов при высоком давлении (104 бар). Обнаружено, что с ростом гидростатического сжатия во время низкотемпреатурного (<600° С) отжига происходит рост интенсивности фотолюминесценции, обусловленной рекомбинацией

электронов и дырок через молекулярно-подобные центры, связанные с дефицитом кислорода или азота в пленках 8Ю2, БЮ^у и

• Обнаружено, что увеличение гидростатического сжатия во время высокотемпературного отжига до 104 бар предотвращает сток германия из области имплантации на границу раздела Б^БЮг-

• Установлено, что при гидростатического давлении 104 бар формирование кристаллической фазы германия в 8Ю2 при ионном синтезе происходит при температуре на ~200° С ниже, чем при атмосферном давлении. Зависимость объемной плотности и размеров нанокристаллов от времени отжига, температуры отжига и концентрации имплантированных атомов и ве описывается функциями, характерными для диффузиооных процессов. По скорости роста нанокристаллов германия в матрице оксида кремния в зависимости от температуры отжига оценен коэффициент диффузии Ое при давлении 15 кбар: Азе = 1.1 х10~9ехр(-1.73/кТ). Обнаружено, что увеличение давления во время отжига сопровождается уменьшением энергии активации диффузии германия в 8Ю2. При увеличении давления в 104 раз эффект ускорения диффузии может достигать 3 порядков величины.

4. Установлены физические закономерности ионного синтеза Ое и 1пБЬ на границе

раздела 81/8Ю2.

• Обнаружен эффект сегрегации атомов германия к границе раздела 81/8Ю2 из слоя 8Ю2, имплантированного ионами Ое+, при высокотемпературном отжиге. Энергия активации сегрегации составляет 0.76 эВ, что в 5 раз меньше энергии активации диффузии атомов германия в оксиде кремния.

• Экспериментально определен механизм ионно-лучевого синтеза эпитаксиального слоя германия на границе раздела 81/8Ю2. Исследование кинетики накопления атомов

германия на границе Э^Юг и термодинамический анализ системы БъЧЗе/ЗЮг показали, что формирование слоя йе происходит в результате сегрегации атомов ве из слоя 8Юг к границе раздела Бь^Юг, формирования твердого раствора БЮе и последующего его плавления при температуре около 1100° С. Показано, что процесс роста слоя германия на границе Б^БЮг лимитирован диффузией атомов германия в кристаллическую матрицу Бь

• При ионном синтезе слоя германия на границе раздела БУБЮг в пленках кремния нанометровой толщины обнаружены деформации, перпендикулярные к её поверхности, природа которых объясняется тетрагональными искажениями решетки кремния за счет встраивания атомов германия в узловые позиции.

• Установлено, что в синтезированных слоях БЮе нанометровой толщины холловская подвижность дырок в 2-3 раза выше ее значения в соответствующих слоях кремния.

• Показано, что зарождение 1пБЬ в результате имплантации ионов 1п+ и 8Ь+ и последующего отжига в пленках БЮг и на границе раздела Б^БЮг происходит гетерогенно и центрами зарождения фазы 1п8Ь являются преципитаты БЬ.

• Установлено, что формирование нанокристаллов кремния и германия вблизи границы раздела 81/8102 сопровождается уменьшением положительного встроенного заряда в диэлектрике. Экспериментально показано, что в структурах кремний-на-изоляторе, содержащих нанокристаллы 81 и Ое вблизи границы раздела Б^Юг, величина генерированного ионизирующим облучением положительного встроенного заряда в 2-6 раз меньше, чем в структурах, не содержащих нанокристаллы.

На основе полученных результатов сформулировано и обосновано научное направление

«Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния».

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Тысченко, Ида Евгеньевна, 2015 год

Литература

1. М.И. Гусева, Б.Г. Александрия. - Влияние плотности ионного тока на структуру и концентрацию изотопных мишеней, приготовленных в электромагнитном сепараторе. ЖТФ. 1961, т. 31, в. 7, с. 867-875.

2. М. Watanabe, A. Tooi. - Formation of SiC>2 films by oxygen-ion bombardment. Japan J. Appl. Phys.1966, v. 5, n. 12, pp. 737-738.

3. W.J. Kleinfelder. - Properties of ion-implanted boron, nitrogen, and phosphorus in single-crystal silicon. Technical Report No K701-1 on DARPA Contract SD-87, 1967.

4. A.E. Городецкий, Г.А. Качурин, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. - О возможности получения тонких слоев полупроводниковых соединений методом ионной бомбардировки. ФТП. 1968, т. 2, в. 1, с. 136-137.

5. Е.К. Баранова, К.Д. Демаков, К.В. Старинин, Л.Н. Стрельцов, И.Б. Хайбуллин. -Исследование монокристаллических пленок SiC, полученных при бомбардировке ионами С+ монокристаллов Si. Доклады АН СССР. 1971, т. 200, в. 1, с. 869-870.

6. J. Dylewski, М.С. Joshi. - Thin SiC>2 films formed by oxygen ion implantation in silicon: electron microscope investigations of the Si- SiC>2 interface structure and their C-V characteristics. Thin Solid Films. 1976, v. 37, n. 2, pp. 241-248.

7. K.J. Reeson. Fabrication of buried layers of SiC>2 and Si3N4 a using ion beam synthesis Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1987, v. 19/20, Pt. 1, p. 269-278.

8. K.J. Reeson, P.L.F. Hemment. Buried layers of silicon oxy-nitride fabricated using ion beam synthesis. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1988, v. 32, N 1-4, pp. 427-432.

9. T. Hayashi, H. Okamoto, Y. Homma. Formation of abrupt interfaces between surface silicon and buried SiC>2 layers by very high dose of oxygen=ion implantation. Jpn. J. Appl. Phys. 1980, v. 19, N5, pp. 1005-1006.

10. Р.В. Грибковский, Ф.Ф. Комаров, Е.В. Котов, А.П. Новиков, Т.Т. Самойлюк. -Кинетика накопления азота в кремнии при создании скрытых изолирующих слоев высокоинтенсивным ионным облучением. Микроэлектроника. 1989, т. 18, в. 3, с. 247-251.

11. Е.А. Maydell-Ondrusz, L.H. Wilson. A model for the evolution of implanted oxygen profiles in silicon. Thin Solid Films. 1984, v. 114,pp. 357-366.

12. Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е.Тысченко. Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование. ФТП. 1992, т. 26, №11, с. 1977-1982.

13. J. Narayan, D. Fathy, О. S. Оеп, О. W. Holland. Atomic structure of ion implantation damage and process of amorphization in semiconductors. J. Vac. Sci. Technol. A. 1984, v.2, N3, 1303-1308.

14. K. Mitani, U.M. Gosele. Formation of interface bubbles in bonded silicon wafers: a thermodynamic model. Appl. Phys. A. 1992, v. 54, pp. 543-552.

15. T.A. Woods, E. Antonelli, R.A. Collins, D.J. Chivers, G. Dearnaley. The formation of buried oxide layers by ion implantation. Vacuum. 1986, v.36, N11/12, p. 883-885.

16. Р.В. Грибковский, Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков. Высокодозная ионная имплантация как метод создания КНД-структур. Зарубежная электронная техника. 1989, №9, СС. 3-54.

17. В.В. Грибковский, Р.В. Грибковский, Ф.Ф. Комаров, Г.В. Литовченко, А.П. Новиков. Получение скрытых слоев SiaN4 при высокоинтенсивной ионной имплантации и быстром термическом отжиге. ЖПС, 1990, №4, СС. 628-632.

18. J. Lindhard, М. Scharff, Н.Е. Schiott. Range concepts and heavy ion ranges. (Notes on atomic collisions, II). Mat. Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk. 1963, v. 33, N14, pp. 1-42.

19. G.F. Cerofolini, S. Bertoni, P. Fumagalli, L. Meda, C. Spagiari. - S1O2 precipitation in highly supersaturated oxygen-implanted single-crystal silicon. Phys. Rev. B. 1993, v. 47, pp. 10174-10185.

20. S. Reiss, K.-H. Heinig. - Ostwald ripening during ion beam synthesis — a computer simulation for inhomogeneous systems. .Nucl. Instrum. Meth. B. 1994, v. 84, pp. 229-233

21. S. Reiss, R. Weber, K.-H. Heinig, W. Skorupa. - Experimental study and modeling of structure formation in buried layers at ion beam synthesis .Nucl. Instrum. Meth. B. 1994, v. 89, pp. 337-341.

22. T. Hayashi, H. Okamoto and Y. Homma: Defects in Si on Buried SiC>2 Layer Formed by Very High Dose Oxygen-Implantation. Int. Phys. Conf. Ser. 1981, No. 59: Chapter 11, pp.533538.

23. W. Primak. Extrusion of quartz on ion bombardment: Further evidence for radiation-induced stress relaxation of the silica network. Phys. Rev. В 1976, v.14, 4679-4686.

24. S. Maeyama, K. Kajiyama. Surface silicon crystallinity and anomalous composition profiles of buried Si02 and Si3N4 layers fabricated by oxygen and nitrogen implantation in silicon. Jpn. J. Appl. Phys. 1982, v. 21, N5, pp. 744-751/

25. A. Wittkower, M. Guerra, B. Cordts, R. Dolan, P. Sandow. Contouring of SIMOX profiles by oxygen ion energy change. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1991, v. 55, pp. 842-846.

26. U. Kreissig, W. Skorupa, E. Hensel. The formation of buried SijN4 layers in silicon by high dose nitrogen ion implantation. Thin Sol. Film. 1983, v. 100, pp. L25-L28.

27. Справочник «Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону», АН СССР, Москва, 1962, 216с.

28. В.И. Белый, JI.JL Васильева, В.А. Гриценко, А.С. Гиновкер, С.М. Репинский, С.П. Синица, Т.П. Смирнова, Ф.Л. Эдельман. Нитрид кремния в электронике [под. ред. А. В. Ржанова, «Наука»], 1982, 200 с.

29. U. Gosele, T.Y. Tan. Oxygen diffusion and thermal donor formation in silicon. Appl. Phys. A 1982, v. 28, pp. 79-92.

30. Р.Л. Мюллер. Химия твердого тела и стеклообразное состояние (в кн.: Химия твердого тела, ред. 3. У. Борисова), ЛГУ, Ленинград, 1965, с. 9-63.

31. W. Orellana, A. J. R. de Silva, A. Fazzio. 02 diffusion in Si02-. triplet versus singlet. Phys. Rev. Lett. 2001, v. "87, N15, pp. 155901 (4 pages).

32. G. Herzberg, Molecular Spectra and Molecular Structure. I. Spectra of Diatomic Molecules, second edition, D. Van Nostrand, 1950, 658 c.

33. H.P. Knauss, S.Ballard. Rotational Structure of the Schumann-Runge bands of oxygen in the vacuum region. Phys. Rev. 1935, v. 48, pp. 796-800.

34. B. De B. Darwent. Bond dissociation energies in simple molecules. Nat. Stand. Ref. Data Ser., Nat. Bur. Stand. (U.S.), 1970, v. 31, 52 pages.

35. П.В. Павлов, Е.И. Зорин, Д.И. Тетельбаум, Ю.С. Попов. О донорных свойствах азота, введенного в кремний и германий ионной бомбардировкой. Доклады АН СССР. 1965, т. 163, №5, с. 1128-1130.

36. Н. Sawada, К. Kawakami. First principles calculation of the interaction between nitrogen atoms and vacancies in silicon. Phys. Rev. B. 2000, v. 62, pp. 1851-1858.

37. R.A. Logan, A.J. Peters. Diffusion of Oxygen in Silicon. J. Appl. Phys., 1959, v. 30, pp. 1627-1630.

38. J.C. Mikkelsen. Diffusivity of oxygen in silicon during steam oxidation. Appl. Phys. Lett. 1982, v. 40, pp. 336-337.

39. C. Haas. The Diffusion of Oxygen in Silicon and Germanium. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v.15. No.1-2, pp.108-111.

40. J. W. Corbett, R. S. McDonald, G. D. Watkins. The configuration and diffusion of isolated oxygen in silicon and germanium. J. Phys. Chem. Solids, 1964, v. 25, pp. 873-879.

41. M. Stavola, J. R. Patel, L. C. Kimerling, P. E. Freeland. Diffusivity of oxygen in silicon at the donor formation temperature. Appl. Phys. Lett. 1983, v. 42, N1, pp. 73-75.

42. J. Gass, H. H. Miiller, H. Sttissi, S. Schweitzer. Oxygen diffusion in silicon and the influence of different dopants. J. Appl. Phys. 1980, v. 51, pp. 2030-2037.

43. D. R. Hamann. Diffusion of Atomic Oxygen in Si02. Phys. Rev. Lett. 1998, v. 81, pp. 3447345.

44. T. Hoshino, M. Hata, S. Neya, Y. Nishioka, T. Watanabe, K. Tatsumura, I. Ohdomari. Diffusion of molecular and atomic oxygen in silicon dioxide. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, v. 42, pt. 1,N6A, pp. 3560-3565.

45. K. Kajihara, M. Hirano, M. Uramoto, Y. Morimoto, L. Skuja, H. Hosono. Interstitial oxygen molecules in amorphous Si02. I. Quantitative concentration analysis by thermal desorption, infrared photoluminescence, and vacuum-ultraviolet optical absorption. J. Appl. Phys. 2005, v. 98, N1, pp. 013527 (6 pages).

46. H. Kobayashi, T. Yuasa, K. Yamanaka, K. Yoneda, Y. Todokoro. Mechanism of platinum-enhanced oxidation of silicon at low temperatures. J. Chem. Phys. 1998, v. 109, p. 4997 (5 pages).

47. A. Bongiorno, A. Pasquarello. Oxigen diffusion through the disordered oxide network during silicon oxidation. Phys. Rev. Lett. 2002, v. 88, N12, pp. 125901 (4 pages).

48. T. Bakos, S.N. Rashkeev, S.T. Pantelides. Reactions and diffusion of water and oxygen molecules in amorphous Si02. Phys. Rev. Lett. 2002, v. 88, N5, pp. 055508 (4 pages).

49. Н.В. Денисова, Е.И. Зорин, Н.В. Павлов, Д.И. Тетльбаум, А.Ф. Хохлов. Диффузия азота в кремнии. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1975, т. 11, с. 2236-2237.

50. Н. Schmidt, M. Gupta, M. Bruns. Nitrogen diffusion in amorphous silicon nitride isotope multilayers probed by neutron reflectometry. Phys Rev Lett. 2006, v. 96, N5, pp. 055901 (4 pages).

51. K. Kijima, S-i. Shirasaki. Nitrogen self-diffusion in silicon nitride. J. Chem. Phys. 1976, v. 65, N7, pp. 2668-2671.

52. T. Itoh, T. Abe. Diffusion coefficient of a pair of nitrogen atoms in float-zone silicon. Appl. Phys. Lett. 1988, v. 53, N1, pp. 39-41.

53. W. Wijaranakula. Solubility of interstitial oxygen in silicon. Appl. Phys. Lett. 1991, v. 59, pp.1185-1187.

54. H.J. Hrostowski, R.H. Kaiser. The solubility of oxygen in silicon. J. Phys. Chem. Solids. 1959, v. 9, pp. 214-216.

55. A. R. Bean, R. C. Newman. The solubility of carbon in pulled silicon crystals. Chem. Solids. 1971, v. 32, pp. 1211-1219.

56. Y. Itoh, T. Nozaki. Solubility. Diffusion coefficient of oxygen in silicon. Jpn. J. Appl. Phys. 1985, v. 24, pp. 279-284.

57. Y. Yatsurugi, N. Akiyama, Y. Endo, T. Nozaki. Concentration, solubility, and equilibrium distribution coefficient of nitrogen and oxygen in semiconductor silicon. J. Electrochem. Soc. 1973, v. 120, pp. 975-979.

58. J. Stein. A perspective on nitrogen in silicon. Mat. Res. Soc. Conf. Proc. 1985, v. 59, pp. 523-535.

59. J. Petruzzello, T.F. McGee, M.H. Frommer, V. Rumennik, P.A. Walters, C.J. Chou. Transmission electron microscopy and Auger electron spectroscopy of silicon-on-insulator

structures prepared by high-dose implantation of nitrogen. J. Appl. Phys. 1985, v. 58, N12, pp. 4605-4613.

60. T. Chamas, J. Pivot, J. A. Roger, C. Jardin. Growth of buried silicon nitride layers induced by fast thermal annealing of N2+-implanted silicon substrate. Mat. Sci. Eng. B. 1989, v. 2, pp. 157-161.

61. P.L.F. Hemment, K.J. Reeson, J.A. Kilner, R.J. Chater, C. Marsh, G.R. Booker, J.R. Davis, G.K. Celler. Novel dielectric/silicon planar structures formed by ion synthesis. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1987, v. 21, pp. 129-133.

62. T. Kimura, S. Kagiyama, S. Yugo. Structure and annealing properties of silicon carbide thin layers formed by implantation of carbon ions in silicon. Thin Sol. Film. 1981, v. 81, pp. 319-327.

63. K.J. Reeson, P.L.F. Hemment, R.F. Peart, C.D. Meekison, G.R. Booker, J. Davis. Formation of multilayer Si3N4 structures by nitrogen ion implantation. Electron. Lett. 1986, v. 22, N9, pp. 467-469.

64. K. Das, M. Censlive, E. Franks, and J. B. Butcher. Activation energy associated with the annealing of buried implanted oxides in silicon. J. Appl. Phys. 1984, v. 55, 3193-3194.

65. M. H. Badawi, К. V. Anand. A study of silicon oxides prepared by oxygen implantation into silicon. J. Phys. D: Appl. Phys. 1977, v. 10, pp. 1931-1942.

66. Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, С.А. Тийс, А.Е. Плотников. - Имплантация азота в кремний при 700-1100° С. ФТП, 1989, т. 23, в. 3, с. 434-438.

67. G. A. Kachurin, I. Е. Tyschenko, V. P. Popov, S. A. Tijs. - Interaction of nitrogen implanted into silicon with defects in the buried layer. Phys. Stat. Sol. (a). 1989, v. 113, pp. К165- К169.

68. Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, С.А. Тийс, А. Е. Плотников. - Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоев. ФТП. 1995, т. 29, в. 3, с. 495-499.

69. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, L.I. Fedina. High-temperature ion implantation in silicon. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1992. v. 68, pp. 323-330.

70. W.J.W. J. Josquin. - The application of nitrogen ion implantation in silicon technology. Nucl. Instrum. Meth. 1983, v. 209/210, pp. 581-587.

71. Г.В. Гадияк, Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко. Влияние конкурирующих стоков на эволюцию профилей распределения имплантируемого в кремний азота: численное моделирование. ФТП. 1996, т. 30, №11, с. 1960-1968.

72. В. Barton, W.V. Speicht. The coarcening and annihilation kinetics of dislocation loop. Phil. Mag. A. 1986, v. 53, N3, pp. 385-402.

73. W.-K. Wu, J. Washburn. On climb of dislocations in boron-ion-implanted silicon. J. Appl. Phys. 1977, v. 48, N9, pp. 3747-3751.

74. A. Borghesi, B. Pivak, A.Sassella, A. Stella. - Oxygen precipitation in silicon. Appl. Phys. Rev. 1995, v.77, pp. 4169-4244.

75. S. M. Hu. - Effects of ambient on oxygen precipitation in silicon. Appl. Phys. Lett. 1980, v. 36, pp. 561-564.

76. S. M. Hu. - Precipitation of oxygen in silicon: some phenomena and a nucleation model. J. Appl. Phys. 1981, v. 52, pp. 3974-3984.

77. J. Vanhellemont, C. Claeys. A theoretical study of the critical radius of precipitates and its application to silicon oxide in silicon. J. Appl. Phys. 1987, v. 62, pp. 3960-3967.

78. J. Vanhellemont, C. Claeys. Erratum: A theoretical study of the critical radius of precipitates and its application to silicon oxide in silicon. J. Appl. Phys. 1992, v. 71, p. 1073.

79. К. V. Ravi. The heterogeneous precipitation of silicon oxides in silicon. J. Electrochem. Soc. 1974, v. 121, N8, pp. 1090-1098.

80. K. Wada, H. Nakanishi, H. Takaoka, N. Inoue. Nucleation temperature of large oxide precipitates in as-grown Czochralski silicon crystal. J. Cryst. Growth. 1982, v. 57, N3, pp. 535540.

81. A. J. R. De Kock, W. M. Van de Wijgert. The influence of thrmal poiny defects on the precipitation of oxygen in dislocation-free silicon crystals. Appl. Phys. Lett. 1981, v. 38, N11, pp. 888-890.

82. T.Y. Tan, C.Y.Kung. Oxygen precipitation retardation and recovery phenomena in Chochralski silicon: experimental observations, nuclei dissolution model, and relevancy with nucleation issues. J. Appl. Phys. 1986, v. 59, N3, pp. 917-931.

83. F.S. Ham. Theory of diffusion-limited precipitation. J. Phys. Chem. Solids. 1958, v.6, N4 , pp.335-351.

84. E.H. Poindaxter, P.J. Caplan, B.E. Deal, R.R. Razouk. Interface states and electron spin resonance centers in thermally oxidized (111) and (100) silicon wafers. J. Appl. Phys. 1981, v. 52, N2, pp. 879-884.

85. A. Stesmans, G. Van Gorp. Observation of the localized Si dangling-bond Pb defect at the Si/Si3N4 interface. Phys. Rev. B. 1989, v. 39, N4, pp.2864-2867.

86. R.C. Barklie, A. Hobbs, P.L.F. Hemment, K. Reeson. EPR of defects in silicon-on-insulator structures formed by ion implantation: 1. 0+ implantation. J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1986, v. 19, pp. 6417-6432.

87. A. Hobbs, R.C. Barklie, P.L.F. Hemment, K. Reeson. EPR of defects in silicon-on-insulator structures formed by ion implantation: II. N+ implantation. J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1986, v. 19, pp.6433-6439.

88. А.А. Каранович, А.В. Двуреченский, И.Е. Тысченко, Г.А. Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. ФТП. 1990, т. 24, №6, с. 1101-1103.

89. А.А. Karanovich, A.V. Dvurechenskii, I.E. Tyschenko, G.A. Kachurin. Centers of spin-dependent recombination in structures formed by N+ ion implantation into Si. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1991, v. 55, pp. 630-632.

90. D.J. Lepine. Spin-dependent recombination on silicon surface. Phys.Rev. B. 1972, v.6, N2, pp. 436-441.

91. B.C. Львов, O.B. Третяк, И.А. Коломиец. О спин-зависимой рекомбинации заряда на поверхности кремния. ФТП. 19776 т. 11, №6, с. 1118-1124.

92. D. Kaplan, I. Solomon, N.F. Mott. Explanation of the large spin-dependent recombination effect in semiconductors. J. Phys. Lett. 1978, v.39, pp. L51-L54.

93. Ф.И. Борисов, В.И. Стриха, O.B. Третяк. Некоторые спин-зависимые эффекты, связанные с прохождением тока в диодах с длинной базой. ФТП. 1981, т. 15, в. 8, с. 19781982.

94. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев, И.Е. Тысченко. Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении ионами N+. ФТП. 1993, т. 27, №2, с. 234-238.

95. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. О донорных свойствах азота в кремнии. ФТП. 1968, т.2, №1, с. 131-133.

96. W.J. Kleinfelder, W.S. Johnson, J.F. Gibbons. Impurity distribution profiles in ion-implanted silicon. Can. J. Phys. 1968, v. 46, pp. 587-606.

97. N.N. Gerasimenko, V.F. Stas, J.W. Corbett. Inactivation of implanted impurities during buried Si3N4 layer formation. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1991, v. 59/60, pp. 647-650.

98. Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко. Поведение бора и азота в приповерхностном слое кремния при синтезе захороненных слоев имплантацией ионов N+. ФТП. 1993, т. 27, №7, с. 1194-1201.

99. А.К. Robinson, K.J. Reeson, P.L.F. Hemment. Redistribution and electrical activation of implanted arsenic in silicon on insulator substrates formed by oxygen ion implantation. J. Appl. Phys. 1990, v. 68, N8, pp. 4340.

100. P. Normand, D. Tsoukalas, N. Guillemot, P. Chenevier. A pile-up phenomenon during arsenic diffusion in silicon-on-insulator structures formed by oxygen implantation. J. Appl. Phys. 1989, v. 66, N8, pp. 3585-3589.

101. R.B. Fair. Concentration profiles of diffused dopants in silicon. In: Impurity doping processes in silicon (Ed. By F.F.Y. Eang). Amsterdam, 1981, p.315-442.

102. W. Akutagawa, H.L. Dunlap, R. Hart, O.J. Marsh. Impurity-peak formation during proton-enhanced diffusion of phosphorus and boron in silicon. J. Appl. Phys. 1979, v. 50, N2, pp. 777782.

103. S. Loualiche, C. Lucas, P. Baruch, J. P. Gailliard, J. C. Pfister. Theoretical Model for Radiation Enhanced Diffusion and Redistribution of Impurities. Comparison with Experiments. Phys. Stat. Sol. (a). 1982, v. 69, pp. 663-676.

104. G. A. Kachurin, I. E. Tyshcrenko, E. Wieser, Ch. Weise. Redistribution of boron in silicon by high-temperature irradiation with heavy ions Phys. Stat. Sol. (a). 1988, v. 109, pp. 141-148.

105. Д.И. Тетельбаум, Е.И. Зорин, H.B. Лисенкова. Аномальная растворимость имплантированного азота в кремнии, сильно легированном бором. ФТП, 2004, т. 38, №7, с. 808-810.

106. D.E. Davies, J.A. Adamski, E.F. Kennedy. Nitrogen related doping with implant SisNi formation in Si. Appl. Phys. Lett. 1986, v. 48, N5, pp. 347-349.

107. И.А. Аброян, B.C. Беляков, Н.А. Кондратьев, В.В. Конышев, Г.А. Крысов, Л.М. Никулина, А.И. Титов, Г.М. Тотрова. Влияние распределения бора на профили дефектов при облучении кремния легкими ионами. ФТП. 1981, т. 15, № 4, с. 740-745.

108. U. Bussmann, F.N.J. Meerbach, F.N. Те Kaat. SisN4 crystallization during high temperature nitrogen implantation into silicon. Nucl. Instrum. Meth. B. 1989, v. 39, N1-4, pp. 230-233.

109. P. Bourquet, J.M. Dupart, E. Le Tiran, P. Auvray, A. Guivarc'h, M. Salvi, G. Pelous, P. Henoc. Study of buried silicon nitride layers synthesized by ion implantation. J. Appl. Phys. 1980, v. 51, pp. 6169-6175.

110. S.P. Wong, M.C. Poon. The effect of beam current and dose on the formation of buried silicon nitride layers by nitrogen implantation with a stationary beam. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1987, v. 22, pp. 513-519.

111. U. Bussmann, F.H.J. Meerbach, E.H. Те Kaat. Formation of P-Si3N4 during high temperature nitrogen implantation. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1987, v. 29, pp. 591-592.

112. F.L. Edelman, V.Z. Latuta, B.N. Zaitsev, A. A. Khoromenko. The structure of silicon nitride films. I. Stoichiometric silicon nitride. Phys. Stat. Sol. (A). 1978, v. 50, pp. 573- 578.

113. F.L. Edelman, B.N. Zaitsev, V.Z. Latuta, A.A. Khoromenko. The structure of silicon nitride films. II. Non-stoichiometric silicon nitride. Phys. Stat. Sol. (A). 1979, v. 51, pp. 49- 56.

114. F.L. Edelman. The structure of silicon nitride films. III. Oxidation of silicon nitride -defects. Phys. Stat. Sol. (A). 1979, v. 51, pp. 375-381.

115. H.M. Jennings, J.O. Edwards, M.H. Richman. Molecular structure, microstructure, macrostructure and properties of silicon nitride. Inorg. Chim. Acta. 1976, v. 20, p. 167-181.

116. N. Wada, S.A. Solin, J. Wong, S. Prochazka. Raman and absorption spectroscopic studies on a, P, and amorphous Si3N4. J. Non-Crystal. Solids. 1981, v. 43, pp. 7-15.

117. И.А. Бачило, Р.В. Грибковский, Ф.Ф. Комаров, В.А. Мироненко, А.П. Новиков. Формирование скрытого слоя (3-Si3N4 при высокоинтенсвном ионном облучении (ВИО) кремния. ЖТФ, 1989, т. 59, №1, с. 200-202.

118. Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, А.Е. Плотников, В.П. Попов. Рост монокристаллического a-Si3N4 в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N+ в нагретый кремний. ФТП. 1992, т. 26, №8, с. 1390-1393.

119. G.A. Kachurin, V.D. Akhmetov, I.E. Tyschenko, А.Е. Plotnikov. Roles of implantation temeperature and ion dose rate in ion-beam synthesis of buried Si3N4 layers. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1993, v. 74, pp. 399-404.

120. E. Bustarret, M. Bensouda, M.C. Habrard, J. Bruyère, S. Poulin, S.C. Gujrathi. Configurational statistics in a-SixNyHz alloys: A quantitative bonding analysis. Phys. Rev. B. 1988, v.38, pp. 8171-8184.

121. Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, С.А. Петров. Структура слоев Si3N4, синтезированных в кремнии имплантацией ионов азота в самоотжиговом режиме. Поверхность: физика, химия, механика. 1990, №2, с. 110-112.

122. F. Scandonne, I. Ballerini. Teorie de la transmission et de la reflexion dans les systems de couches minces multiples. Nuovo Cemento. 1946, v. 3, pp. 81-91.

123. S. Mukhopadhyay, A. Chowdhury, S. Ray. Nanocrystalline silicon: A material for thin film solar cells with better stability. Thin Sol. Film. 2008, v. 516, pp. 6824-6828.

124. M.N. van den Donker, B. Rech, F. Finger, W.M.M. Kessels, M.C.M. van de Sanden. Highly efficient microcrystalline silicon solar cells deposited from a pure SiH4 flow. Appl. Phys. Lett. 2005, v. 87, pp. 263503 (3 pages).

125. A. Chowdhury, S. Mukhopadhyay, S. Ray. Fabrication of thin film nanocrystalline silicon solar cell with low light-induced degradation. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2009, v. 93, N5, pp. 597-603.

126. S. Klein, F. Finger, R. Carius, T. Dylla, B. Rech, M. Grimm, L. Houben, M. Stutzmann. Intrinsic microcrystalline silicon prepared by hot-wire chemical vapour deposition for thin film solar cells Thin. Sol. Film. 2003, v. 430, N1-2, pp. 202-207.

127. M. S. Valipa, S. Sriraman, E. S. Aydil, D. Maroudas. Hydrogen-induced crystallization of amorphous Si thin films. II. Mechanisms and energetics of hydrogen insertion into Si-Si bonds J. Appl. Phys. 2006, v. 100, pp. 053515 (13 pages).

128. N.H. Nickel, N.M. Johnson, B. Jackson. Hydrogen passivation of grain boundary defects in polycrystalline silicon thin films. Appl. Phys. Lett. 1993, v. 62, N25, pp. 3285-3287.

129. K.J. Chang, D.J. Chadi. Diatomic-hydrogen-complex diffusion and self-trapping in crystalline silicon. Phys. Rev. Lett. 1989, v. 62, N8, pp. 937-940.

130.N.M. Johnson, F.A. Ponce, R.A. Street, R.J. Nemanich. Defects in single-crystal silicon induced by hydrogénation. Phys. Rev. B. 1987, v. 35, N8, pp. 4166-4169.

131. W.B. Jackson, S.B. Zhang. Hydrogen complexes in hydrogenated silicon. Physica B. 1991, v. 170, N1-4, pp. 197-200.

132. W. Han, J. Yu. Thermodynamic model of hydrogen-induced silicon surface layer cleavage. J. Appl. Phys. 2001, v. 89, N11, pp. 6551-6553.

133. N.M. Johnson, C. Herring. Hydrogen immobilization in silicon p-n-junction. Phys. Rev. B. 1988, v. 38, N2, pp. 1581-1584.

134. Q.-Y. Tong, K. Gutjahr, S. Hopfe, U. Gosele, T.-H. Lee. Layer splitting process in hydrogen-implanted Si, Ge, SiC, and diamond substrates. Appl. Phys. Lett. 1997, N11, v. 70, pp. 1390-1392.

135. Т. H6chbauer, A. Misra, М. Nastasi, J.W. Mayer. Physical mechanisms behind the ion-cut in hydrogen implanted silicon. J. Appl. Phys. 2002, v.92, N5, pp. 2335-2342.

136. L.-J. Huang, Q.-Y. Tong, Y.-L. Chao, T.-H. Lee, T. Martini, U. Gosele. Onset of blistering in hydrogen-implanted silicon. Appl. Phys. Lett. 1999, v. 74, N7, pp. 982-984.

137. K. Mitani, V. Lehmann, R. Stengl, D. Feijoo, U.M. Gosele, H.Z. Massoud. Causes and prevention of temperature-dependent bubbles in silicon wafer bonding. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, v. 30, N4, pp. 615-622.

138. L.B. Freund. A lower bound on implant density to induce wafer splitting in forming compliant substrate structures. Appl. Phys. Lett. 1997, v. 70, N26, pp. 3519-3521.

139. C.M. Varma. Hydrogen-implant induced exfoliation of silicon and other crystals. Appl. Phys. Lett. 1997, v. 71, N24, pp. 1390-1392.

140. B. Michel. Application of hydrogen ion beams to silicon on insulator material technology. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1996, v. 108, N3, pp. 313-319.

141. W. P. Maszara. Silicon-on-insulator by wafer bonding: a review. J. Electrochem. Soc. 1991 v. 138, N 1, pp. 341-347.

142. A.A. Griffith. The phenomenon of rupture and flow in solids. Phil. Trans. Roy. Soc. A. 1921, v. 221, pp. 163-198.

143. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovskii, V.P. Popov. Recrystallization of Silicon on Insulator Layers Implanted with High Doses of Hydrogen Ions. Solid State Phenomena, v. 9596 (2004) 23-28.

144. И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев. Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов Н+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом. ФТП, т. 38, в. 1, с. 111-116. (2004).

145. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, B.A. Kolesov, K.S. Zhuravlev, V.I. Obodnikov, V.P. Popov. Raman and photoluminescence investigations of the H+ ion implanted silicon-on-insulator structure formed by hydrogen ion cut. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2002, v. 186, pp. 329-333.

146. D. Fink, J. Krauser, D. Nagengast, T.A. Murphy, J. Erxmeier, L. Palmetshofer, D. Braunig, A. Weidinger. Hydrogen implantation and diffusion in silicon and silicon dioxide. Appl. Phys. A. 1995, v. 61, pp. 381-388.

147. N.H. Nickel. Hydrogen diffusion through silicon/silicon dioxide interfaces. J. Vac. Sci. Technol. B. 2000, v. 18, N3, pp. 1770-1772.

148. B.A. Wilson. Above-band-gap emission in amorphous semiconductors: localized states versus surface contamination. Phys. Rev. B. 1981, v.23, N6 , pp. 3102-3105.

149. И.Е. Тысченко, B.A. Володин, M. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Кристаллизация пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов. ФТП. 2013, т. 47, №5, с. 591-596.

150. F.A. Sarrot, Z. Iqbal, S. Veprek. Effect of substrate bias on the properties of microcrystalline silicon films deposited in a glow discharge. Solid St. Commun. 1982, v. 42, N6, pp. 465-468.

151. A.P. Sokolov, A.P. Shebanin, O.A. Golikova, M.M. Mezdrogina. Structural disorder and optical gap fluctuations in amorphous silicon. J. Phys.: Condens. Matter. 1991, v. 3, pp. 98879894.

152. N.N. Ovsyuk, V.N. Novikov. Influence of structural disorder on Raman scattering in amorphous porous silicon. Phys. Rev. B. 1998, v. 57, N23, pp. 14615-14618.

153. N. H. Nickel, Е. A. Schiff. Direct observation of dangling bond motion in disordered silicon Phys. Rev. B. 1998, v. 58, N3, pp. 1114-.1117.

154. D. T. Britton, A. Hempel, M. Harting, G. Kogel, P. Sperr, W. Triftshauser, C. Arendse, D. Knoesen. Annealing and recrystallization of hydrogenated amorphous silicon. Phys. Rev. B. 2001, v. 64, N7, pp. 075403 (8 pages).

155. G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A. Pennisi. Modified Raman confinement model for Si nanocrystals. Phys. Rev. B. 2006, v. 73, N3, pp. 033307 (4 pages).

156. J. Zi, H. BUscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Raman shifts in Si nanocrystals. Appl. Phys. Lett. 1996, v. 69, N2, pp. 200-202.

157. E. Bustarret, M.A. Hachicha, M. Brunei. Experimental determination of the nanocrystamne volume fraction in sincon thin fUrns from Raman spectroscopy. Appl. Phys. Lett. 1988, v. 52, N20, 1675-1677.

158. J. Gonzalez-Hermandez, R. Tsu. Nucleation and growth rate of я-Si alloys. Appl. Phys. Lett. 1983, v. 42, N1, pp. 90-92.

159. T. Okada, T. Iwaki, H. Kasahara, K. Yamamoto. Raman study of thermally annealed silicon small particles and thin films. Solid St. Commun. 1984, v. 52, N3, pp. 363-366.

160.U. Kostner. Crystallization of amorphous silicon films. Phys. Stat. Sol (a). 1978, v. 48, N2, pp. 313-321.

161. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, V.P. Popov. Radiative recombination in silicon-on-insulator layers implanted with high dose of H+ ions. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2012, v. 282, pp. 73-75.

162. И.Е. Тысченко, В.А. Володин. Квантово-размерный эффект в пленках кремния-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода. ФТП. 2012, т. 46, №10, с. 1309-1313.

163. M.H. Brodsky, М. Cardona, J.J. Cuomo. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering. Phys. Rev. B. 1977, v. 16, N8, pp. 3556-3571.

164. Y. Hishikava. Raman study of the variation of the silicon network of a-Si:H. J. Appl. Phys. 1987, v. 62, N8, pp. 3150-3155.

165. H. Richter, Z. P. Wang, L. Ley. The one phonon Raman spectrum in microcrystalline silicon. Solid State Commun. 1981, v. 39, N5, pp. 625-629.

166. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре. ФТП. 1982, т. 16, в. 7, с. 1209-1214.

167. M.L. Brongersma, P.G. Kik, A. Pollman, K.S. Min, H.A. Atwater. Size-dependent electron-hole exchange interaction in Si nanocrystals. Appl. Phys. Lett. 2000, v. 76, N3, pp. 351-353.

168. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. The structural and luminescence properties of porous silicon J. Appl. Phys. 1997, v. 82, N3, pp. 909-965.

169. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Size-dependent photoluminescence from surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime. Phys. Rev. B. 2000, v. 62, N24, pp. 16820-16825.

170. I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.G. Cherkov, A. Misiuk, V.P. Popov. Cavity effect in hydrogen ion implanted silicon-on-insulator structures. Solid State Phenomena. 2005, v. 108109, N12, pp. 477-482.

171.И.Е. Тысченко, K.C. Журавлев, А.Б. Талочкин, В.П. Попов. Особенности фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода. ФТП. 2006, т. 40, в. 4, с. 426-432.

172. I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.G. Cherkov, V.P. Popov, A. Misiuk, R.A. Yankov. Wavelength-selective enhancement of the intensity of visible photoluminescence in hydrogen-

ion-implanted silicon-on-insulator structures annealed under high pressure. Appl. Phys. Lett. 2006, v. 89, N1, p. 013106 (3 pages).

173. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, E.M. Bagaev, A.G. Cherkov, V.P. Popov, A. Misiuk, R.A. Yankov. Formation of a resonant microcavity in hydrogen ion-implanted silicon-on-insulator structures. J. Appl. Phys. 2007, v. 102, N7, pp. 074312 (10 pages).

174.1. Tyschenko, V. Volodin, A. Misiuk. Crystallization of hydrogenated amorphous-nanocrystalline silicon films under high-pressure annealing. Phys. Stat Sol. 2012, v. 9, N6, pp. 1487-1489.

175. И.Е. Тысченко, B.A. Володин, В.В. Козловский, В.П. Попов Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода. ФТП. 2014, т. 48,№ 10, с. 13391343.

176. В.И. Гавриленко, A.M. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Наукова Думка, 1987) гл. II, с. 178.

177. M.S. Unlii, S. Strite. Resonant cavity enhanced photonic devices. J. Appl. Phys. 1995, v. 78, N2, pp. 607-639.

178. V. Gusakov. Diffusion of interstitial hydrogen moleculs in crystalline germanium and silicon: quantumchemical simulation. Mater. Sci. Semicond. Proc. 2006, v. 9, pp. 531-535.

179. V. Paillard, P. Puech, M.A. Laguna, R. Carles, B. Kohn, F. Huisken. Improved one-phonon confinement model for an accurate size determination of silicon nanocrystals. J. Appl. Phys. 1999, v. 86, N4, pp. 1921-1924.

180. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin. Visible light-emitting hydrogenated nanocrystalline silicon-on-insulator films: formation and properties. Solid State Phenomena. 2011, v. 178-179, pp 453458.

181. L.T. Canham. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. Appl. Phys. Lett., 1990, v.57, pp. 1046-1048.

182. T. Shimizu-Iwajama, S. Nakao, K. Saitoh. Visible photoluminescence in Si+-implanted thermal oxide films on crystalline Si Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1814-1816.

183. T.Shimizu-Iwayma, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh. Visible photoluminescence in Si+-implanted silics glass. J. Appl. Phys. v. 75 (1994) 7779-7783.

184. T. Shimizu-Iwajama, Y. Terao, A. Kamiya, M. Takeda, S. Nakao, K. Saitoh. Novel approach for synthesizing of nanometer-sized Si crystals in Si02 by ion implantation and their optical characterization Nucl. Intrum. Meth. Phys. Res.B. v. 112 (1996), 214-218.

185.T. Shimizu-Iwajama, S. Nakao, K. Saitoh. Optical and structural properties of implanted silicon nanocrystals. Nucl. Intrum. Meth. Phys. Res. B v. 120 (1996), 97-100.

186. T. Shimizu-Iwajama, Y. Terao, A. Kamiya, M. Takeda, S. Nakao, K. Saitoh. Correlation of microstructure and photoluminescence for nanometer-sized Si crystals formed in an amorphous Si02 matrix by ion implantation. NanoStruct. Matt. 5 (1995) 307-318.

187.J.G. Zhu, C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, and Y. Chen. Growth of Ge, Si and SiGe nanocrystals in Si02 matrices. J. Appl. Phys. v. 78 (1995), 4386-4389.

188. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G. F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Room-temperature visible luminescence from silicon nanocrystals in silicon implanted Si02 layers. Appl. Phys. Lett. v. 66 (1995), 851-853.

189. B. Carrido, M. Lopez, S. Ferre, A. Romano-Rodriguez, A. Perez-Rodriguez, P. Ruterana, J. R. Morante. Visible photoluminescence of Si02 implanted with carbon and silicon. Nucl. Intrum. Meth. Phys. Res.B 120 (1996), 101-105.

190. W. Ostwald. Lehrbuch der Allgemeine Chemie. Engelmann: Leipzig, Germany. 1896, v. 2, part 1.

191. А.Ф. Лейер, Л.Н. Сафронов, Г.А. Качурин. Моделирование формиования нанопреципитатов в SiC>2, содержащем избыточный кремний. ФТП. 1999, т.ЗЗ, №4, с. 389394.

192. W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Fröb, Т. Böhme, К. Leo. Room-temperature, short-wavelength (400-500 nm) photoluminescence from silicon-implanted silicon dioxide films. Appl. Phys. Lett. v. 68 (1996), 2410-2412.

193. L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W.Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Fröb, К. Leo Strong blue and violet photo- and electroluminescence from germanium-implanted and silicon-implanted silicon dioxide layers. Appl.Phys. Lett. 71 (1997), 2809-2811.

194. L. Rebohle, I.E. Tyschenko, J. von Borany, B. Schmidt, R. Grötzschel, A. Markwitz, R. A. Yankov, H. Fröb, W. Skorupa. Strong blue and violet light emission from silicon- and germanium-implanted silicon-dioxide films. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. v. 486 (1998), 175181.

195. L. Rebohle, J. von Borany, R. Grotzschel, A. Markwitz, В. Schmidt, I.E. Tyschenko, W. Skorupa, H. Frob, K. Leo. Strong blue and violet photo- and electroluminescence from Ge- and Si-implanted silicon dioxide. Phys. Stat.Sol. (a) v. 165, N1 (1998), 31-35.

196. W. Skorupa, R.A. Yankov, L. Rebohle, H. Fröb, Т. Böhme, К. Leo, I.E. Tyschenko, G.A. Kachurin. Nucl. Instrum. Meth. В 120, 106 (1996).

197. L. Rebohle, I.E. Tyschenko, H. Fröb, К. Leo, R.A.Yankov, J. von Borany, G.A.Kachurin, W.Skorupa. Blue and violet photoluminescence from high-dose Si+ -and Ge+ -implanted silicon dioxide layers. Microelectronic Engineering, v. 36 (1997), 107-110.

198. W. Skorupa, R. A. Yankov, L. Rebohle, H. Fröb, Т. Böhme, К. Leo I. E. Tyschenko, G. A. Kachurin. A study of the blue photoluminescence emission from thermally-grown, Si+-implanted

Si02 films after short-time annealing. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. v. 120 (1996), 106109.

199. L. Rebohle, J. von Borany; W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob. Photoluminescence and electroluminescence investigations at Ge-rich Si02 layers. Journal of Luminescence, v.80 (1999), 275-279.

200. I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A.Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk. Enhancement of the intensity of the short-wavelength visible photoluminescence from silicon-implanted silicondioxide films caused by hydrostatic pressure during annealing. Appl.Phys. Lett. v. 73 (1998), 1418-1420.

201. I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A.Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, G.A. Kachurin. The effect of annealing under hydrostatic pressure on the visible photoluminescence from Si+-ion implanted Si02 films. J. Luminescence, v. 80 (1999), 229-233.

202. Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, А.Ф. Лейер. Фотолюминесценция слоев Si02, имплантированных ионми Si+ и отожженных в импульсном режиме. ФТП. т. 31, в. 6 (1997), 730-734.

203. A. Misiuk, I.E. Tyschenko. Optical active silicon nanostructures prepared from implanted Si by annealing at high hydrostatic pressure. In: Nanostructures: Synthesis, Functional Properties, and Applications (T. Tsakalakos et. al. (eds.), 2003 Kluwer Academic Publishers), pp. 619-638.

204. K.S. Zhuravlev, I.E. Tyschenko, E.N. Vandyshev, N.V. Bulytova, A. Misiuk L. Rebohle, W. Skorupa. Effect of hydrostatic pressure on photoluminescence spectra from structures with Si nanocrystals fabricated in Si02 matrix. Acta Phys. Polon A. v. 102 (2002), 337-344.

205. L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, W. Skorupa. Blue photo- and electroluminescence of silicon dioxide layers ion-implanted with group IV elements. Appl. Phys. B. v. 71 (2000), 131151.

206. I.E. Tyschenko, G.A. Kachurin, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, H. Frob, K. Leo, T. Bohme, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa. Quantum-sized silicon precipitates in silicon-implanted pulse-annealed silicon dioxide films: photoluminescence and structural transformations. Mater.Res.Soc.Proc. 1997, v.438, pp. 453458.

207. R. Thomon, Y. Shimogaichi, H. Mizuno, Y. Ohki, K. Nagasawa, Y. Hama. 2.7-eV luminescence in as-manufactured high-purity silica glass. Phys. Rev. Lett.v. 62 (1989), 1388-1391.

208. B.A. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов. Диэлектрики в наноэлектронике. Новосибирск, СО РАН, ред. А.Л. Асеев, 2010, 258 с.

209. W.L.Warren, Е.Н. Pointdexter, М. Offenberg, W. MuJler-Warmuth. Paramagnetic Point Defects in Amorphous Silicon Dioxide and Amorphous Silicon Nitride Thin Films. J. Electrochem. Soc. 1992, v. 139, pp. 872-880.

210. T. Kanashima, M. Okuyama, Y. Hamakawa. Analysis of Si-H, Si-O-H and Si-O-O-H Defects in SiO г Thin Film by Molecular Orbital Method. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, v. 36, pp. 1448-1452.

211.Т.Е. Tsai, E.J. Friebele, M. Rajaram, S. Mukhapadhyay. Structural origin of the 5.16 eV optical absorbtion band in silica and Ge-doped silica. Appl. Phys. Lett. 1994, v. 64, pp. 14811483.

212. B.A. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Наука, Сибирское Отделение. Новосибирск. 1993, 280 с.

213. E. P. O'Reilly, J. Robertson. Theory of defects in vitreous silicon dioxide. Phys. Rev. B. 1983, v. 27, pp.3780-3795.

214. G. W. Arnold. Ion implantation effects in nanocrystalline Si02. IEEE Trans. Nucl. Sci. 1973, v. NS-20, pp. 220-223.

215. E.M. Dianov, V.O. Sokolov, V.B. Sulimov. Semiempirical calculations of point defects in silica. Oxygen vacancy and twofold coordinated silicon atom. J. Non-Cryst. Solids. 1992, v. 149, pp. 5-18.

216. X. Wu, T. Gao, G. G. Siu, S. Tong, X. M. Bao. Defect-related infrared photoluminescence from Ge+-implanted Si02 films. Appl. Phys. Lett. 1999, v. 74, pp. 2420-2422.

217. L. Skuja. Isoelectronic series of twofold coordinated Si, Ge, and Sn atoms in glassy Si02: a luminescence study. J. Non-Cryst. Solids. 1992, v. 149, pp. 77-95.

218. B.B. Stefanov, K. Raghavachari. Cluster models for the photoabsorption of divalent defects in silicate glasses: Basis set and cluster size dependence. Appl. Phys. Lett. 1997, v. 71, pp. 770772.

219. B.B. Stefanov, K. Raghavachari. Photoabsorption of the neutral oxygen vacancy in silicate and germanosilicate glasses: First-principles calculations. Phys. Rev. B. 1997, v. 56, pp. 50355038.

220. G. Pacchioni, R. Ferrario. Optical transitions and EPR properties of two-coordinated Si, Ge, Sn and related H(I), //(II), and //(III) centers in pure and doped silica from ab initio calculations. Phys. Rev. B 1998, v. 58, pp. 6090-6096.

221. V.B. Sulimov, V.O. Sokolov. Cluster modeling of the neutral oxygen vacancy in pure silicon dioxide. J. Non-Cryst. Sol. 1995, v. 191, pp. 260-280.

222. И.Е. Тысченко, В.А. Володин, Л. Реболе, М. Фельсков, В. Скорупа. Фотолюминесценция пленок Si3N4, имплантированных ионами Ge+ и Аг+. ФТП. 1999, т.ЗЗ, №5, с. 559-566.

223.1. Е. Tyschenko, L. Rebohle, А. В. Talochkin, В. A. Kolesov, М. Voelskow, A. Misiuk, W. Skorupa. Blue-green photoluminescence from silicon dioxide films containing Ge nanocrystals formed under conditions of high hydrostatic pressure annealing. Solid State Phenomena. 2002, v. 82-84, pp. 607-612.

224.1. E. Tyschenko, K. S. Zhuravlev, E. N. Vandyshev, L. Rebohle, A. Misiuk, R.A. Yankov, W. Skorupa. Visible Photoluminescence from Germanium-Implanted Silicon Oxynitride Films after Annealing under Hydrostatic Pressure. Defects and Diffusion in Ceramics. 2000, т.186-187, pp.71-78.

225. И.Е. Тысченко, К.С.Журавлев, Е.Н.Вандышев, А.Мисюк, Р.А.Янков, Л.Реболе,

B.Скорупа. Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического давления. ФТП, 2001, т.35, в. 2,

C.129 - 135.

226. I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, E.N Vandyshev, A. Misiuk,. L.Rebohle, W.Skorupa, R.A.Yankov, V.P. Popov. Enhancement of the intensity of violet and green photoluminescence from Ge+ ion-implanted SiOxNy films caused by hydrostatic pressure during annealing. Optical Materials. 2001, v.17, №1-2, pp.99- 102.

227. F. lacona, C. Bongiorno, C. Spinella. Formation and evolution of luminescent Si nanoclusters produced by thermal annealing of SiOx films. J. Appl. Phys. 2004, v. 95, pp. 37233732.

228. L.A. Nesbit. Annealing characteristics of Si-rich S1O2 films. Appl. Phys. Lett. 1985, v. 46, pp.38-40.

229. C. Bonafos, B. Carrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, Y. Kihn, G. Ben Assayag, A. Claverie. Ostwald ripening of Ge precipitates elaborated by ion implantation in Si02. Mater. Sci. Eng. 2000, v. 69-70, pp. 380-385.

230.C. Bonafos, B. Carrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, Y. Kihn, G. Ben Assayag, A. Claverie. An electron microscopy study of the growth of Ge nanoparticles in Si02. Appl. Phys. Lett. 2000, v. 76, pp. 3962-3964.

231.1.M. Lifshitz, V.V. Slyozov. The Kinetics of Precipitation from Supersaturated Solid Solutions. J. Phys. Chem. Solids. 1961, v.19, №1-2, pp. 35-50.

232. J.E. Chang, P.H. Liao, C.Y. Chien, J.C. Hsu, M.T. Hung, H.T. Chang, S.W. Lee, W.Y. Chen, T.M. Hsu, T. George, P.W. Li. Matrix and quantum confinement effects on optical and thermal properties of Ge quantum dots. J. Phys. D.: Appl. Phys. 2012, v. 45, pp. 105503 (9 pages).

233. H. Schmidt, U. Geckle, M. Bruns. Simultaneous diffusion of Si and N in silicon nitride. Phys. Rev. 2006, v. 74, pp. 0452203 (7 pages).

234. A. Misiuk, I.E. Tyschenko. Optical active silicon nanostructures prepared from implanted Si by annealing at high hydrostatic pressure. In: Nanostructures: Synthesis, Functional Properties, and Applications (T. Tsakalakos et. al. (eds.), 2003 Kluwer Academic Publishers), pp. 619-638.

235. V.V. Brazhkin. Phenomenological model of crystal-amorphous phase change. J.Non-Cryst.Sol. 1990, v. 124, pp. 34-40.

236. O.B. Tsiok, V.V. Brazhkin, A.G. Lyapin, L.G. Khvostantsev. Logarithmic Kinetics of the Amorphous-Amorphous Transformations in Si02 and Ge02 Glasses under High Pressure Phys. Rev. Lett. 1998, v. 80, pp. 999-1002.

237. И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа. Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiC>2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением. ФТП, 2003, т. 37, №4, с. 479-484.

238.1. Е. Tyschenko, А. В. Talochkin, A. G. Cherkov, К. S. Zhuravlev, A. Misiuk, R. Yankov. Optical transitions in Ge nanocrystals formed by high-pressure annealing of Ge ion implanted Si02 films. Solid St. Commun. 2004, v. 129, 63-68.

239. W.K. Choi, V.Ng, S.P. Ng, H.H.Thio, Z.X. Shen, W.S. Li. Raman characterization of germanium nanocrystals in amorphous silicon oxide films synthesized by rapid thermal annealing. J. Appl. Phys. 1999, v. 86, N3, pp. 1398-1403.

240. L. Quin, K.L. Teo, Z.X. Shen, C.S. Peng, J.M. Zhou. Raman scattering of Ge/Si dot superlattices under hydrostatic pressure. Phys. Rev. В 2001, v.64, p75312 (5 pages).

241. F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Stress-induced shifts of first-order Raman frequencies of diamond- and zinc-blende type semiconductors. Phys. Rev. В 1972, v.5, pp.580-593.

242. M.A. Renucci, J.B. Renucci, R. Zeyher, M. Cardona. Second-order Raman scattering in germanium in the vicinity of the Ei, Ei+A Ei edges. Phys. Rev. В 1974, v.10, pp. 4309-4323.

243. K.L. Teo, S.N. Kwok, P.Y. Yu, S. Guha. Quantum confinement of quasi-two-dimensional Ei excitons in Ge nanocrystals studied by resonant Raman scattering. Phys. Rev. В 2000, v.62, pp. 1584-1587.

244. R. Zallen, W. Paul. Effect of pressure on interband reflectivity spectra of germanium and related semiconductors. Phys. Rev. 1967, v. 155, pp. 703-711.

245. M.V. Minke, K.A. Jackson. Diffusion of germanium in silica glass. J. Non-Cryst. Solids. 2005, v. 351, №27-29, pp. 2310-2316.

246. M. Ogino, Y. Oana, M. Watanabe. The Diffusion Coefficient of Germanium in Silicon. Phys. Status Solidi A. 1982, v.72, pp.535-541.

247. T. Yoshida, Y. Yamada, T. Orii. Electroluminescence of silicon nanocrystallites prepared by pulsed laser ablation in reduced pressure inert gas. J. Appl. Phys. 1998, v. 83, pp. 5427-5432.

248.H-Z. Song, X-M. Bao, N-S. Li, J-Y. Zhang. Relation between electroluminescence and photoluminescence of Si+-implanted Si02. J. Appl. Phys. 1997, v. 82, pp. 4028-4032.

249. L. Rebohle, T. Gebel, J. von Borany, W. Skorupa, M. Helm, D. Pacifici, G. Franzo, F. Priolo. Transient behavior of the strong violet electroluminescence of Ge-implanted Si02 layers. Appl. Phys. B. 2002, v. 74, pp. 53-56.

250. T. Matsuda, K. Nashihara, M. Kawabe, H. Iwata, S. Iwatsubo, T. Ohzone. Blue electroluminescence from MOS capacitors with Si-implanted Si02. Sol.-St. Electron. 2004, v. 48, pp. 1933-1941.

251. B. Carrido, J. Samitier, S. Bota, J. A. Moreno, J. R. Montserrat, J. R. Morante. J. Appl. Phys. 1997, v. 81, pp. 126-134.

252. R. Huang, K. Chen, P. Han, H. Dong, X. Wang, D. Chen, W. Li, J. Xu, Z. Ma, X. Huang. Strong green-yellow electroluminescence from oxidized amorphous silicon nitride light-emitting devices. Appl. Phys. Lett. 2007, v.90, p. 093515(3 pages).

253. K. V. Shcheglov, C. M. Yang, K J. Vahala, H. A. Atwater. Electroluminescence and photoluminescence of Ge-implanted Si/Si02/Si structures. Appl. Phys. Lett. 1995, v. 66, pp. 745747.

254. L. Ding, T. P. Chen, Y. Liu, M. Yang, J. I. Wong, K. Y. Liu, F. R. Zhu, S. Fung. The fluence of the implantation dose and energy on the electroluminescence of Si+-implanted amorphous Si02 thin films. Nanotechnol. 2007, v. 18, p. 455306 (6 pages).

255. J-Y. Zhang, X-L. Wu, X-M. Bao. Electroluminescence and photoluminescence of Ge+-implanted SiC>2 films thermally grown on crystalline silicon. Appl. Phys. Lett. 1997, v. 71, pp. 2505-2507.

256. B. Abeles, P. Sheng, M. D. Coutts, Y. Arie. Structural and electrical properties of granular metal films. Adv. Phys. 1975, v. 24, pp. 404-461.

257.E. Simanek. The temperature dependence of the electrical resistivity of granular metals. Sol. St. Commun. 1981, v. 40, pp. 1021-1023.

258. P. Sheng, J. Klafter. Hopping conductivity in granular disordered systems. Phys. Rev. B. 1983, v. 27, pp. 2583-2586.

259. P. Hesto. The Nature of Electronic Conduction in Thin Insulating Layers. In: Instabilities in silicon devices Silicon Passivation and Related Instabilities (Editors: G. Barbottin, A. Vapaille, Elsevier Science Publication Company, North-Holland, Amsterdam), v. 1, Chap. 5, 1986, p. 313.

260.A. L. Efros, B. I. Shklovskii. Coulomb gap and low temperature conductivity of disordered systems. J. Phys. C. 1975, v. 8, pp. L49-L51.

261. M. Fujii, O. Mamezaki, S. Hayashi, K. Yamamoto. Current transport properties of SiC>2 films containing Ge nanocrystals. J. Appl. Phys. 1998, v. 83, pp. 1507-1512.

262. M. Fujii, Y. Inoue, S. Hayashi, K. Yamamoto. Hopping conduction in Si02 films containing C, Si, and Ge clusters. Appl. Phys. Lett. 1996, v. 68, pp. 3749-3751.

263. M.-y. Hao, H. Hwang, J. C. Lee. Memory effects of silicon-implanted oxides for electrically erasable programmable read-only memory applications. Appl. Phys. Lett. 1993, v. 62, pp. 1530-1532.

264. G. Franzo, A. Irrera, E. C. Moreira, M. Miritello, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P. G. Fallica, F. Priolo. Electroluminescence of silicon nanocrystals in MOS structures. Appl. Phys. A. 2002, v. 74, pp. 1-5.

265. В. Carrido, М. López, A. Pérez-Rodríguez, С. García, P. Pellegrino, R. Ferré, J. A. Moreno, J. R. Morante, С. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie, J. de la Torre, A. Souifi. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2004, v. 216, pp. 213-221.

266. A. Irrera, F. Iacona, G. Franzó, S. Boninelli, D. Pacifici, M. Miritello, C. Spinella, D. Sanfilippo, P. G. Fallica, F. Priolo. Correlation between electroluminescence and structural properties of Si nanoclusters. Opt. Mat. 2005, v. 27, pp. 1031-1040.

267. J. Haisma, J.A. Pistorius, D. Mateika. Lattice-constant-adaptable crystallographies. J. Cryst. Growth. 1990, v. 102, pp. 979-993.

268. И.Е. Тысченко, M. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса. ФТП. 2009, т. 43, в. 1, с. 58-63.

269. I.E. Tyschenko, М. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Nanometer-thick SGOI structures produced by Ge+ ion implantation of SÍO2 film and subsequent hydrogen transfer of Si layer. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2009, v. 267, pp. 1277-1280.

270.B. Schmidt, D. Grambole, F. Herrmann. Impact of ambient atmosphere on as-implanted amorphous insulating layers. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2002, v. 191, pp. 482-486.

271. E. Bauer and J. H. Van der Merwe. Structure and growth of crystalline superlattices: from monolayer to superlattice. Phys. Rev. B. 1986, v. 33, pp. 3657-3671.

272. M. Q. Xu, I. D. Sharp, C. W. Yuan, D. O. Yi, C. Y. Liao, A. M. Glaeser, A. M. Minor, J. W. Beeman, M. C. Ridgway, P. Kluth, J. W. Ager III, D. C. Chrzan, E. E. Haller. Large Melting-Point Hysteresis of Ge Nanocrystals Embedded in SÍO2. Phys. Rev. Lett. 2006, v. 97, p. 155701 (4 pages).

273. M. Myronov, Т. Irisawa, S. Koh, О. A. Mironov, Т. E. Whall, E. H. C. Parker, Y. Shiraki. Temperature dependence of transport properties of high mobility holes in Ge quantum wells J. Appl. Phys. 2005, v. 97, p. 083701 (6 pages).

274. T. Uehara, H. Matsubara, R. Nakane, S. Sugahara, S.-I. Takagi. Ultrathin Ge-on-Insulator Metal Source/Drain p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated By Low-Temperature Molecular-Beam Epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, v. 46, pp. 2117-2121.

275. A.H. Кармазинский, ред. Интегральные схемы на МДП-приборах (М., Мир, 1975), с. 528 [Пер. с англ.: MOS Integrated Circuits, ed. By W. M. Penney, L. Lau (Microelectronics Series, Van Nostrand Reinhold Company, New-York-Cincinnati- Toronto-London-Melbourne, 1972)].

276. В.П. Попов, И.Е. Тысченко. Способ изготовления гетероструктуры. Бюллетень «Изобретения. Полезная модель». 2007, №17 (III ч.), с. 691-693.

277. В.П. Попов, И.Е. Тысченко, Н.В. Дудченко. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе. Бюллетень «Изобретения. Полезная модель». 2010, №5 (III ч.), с. 812-813.

278. И.Е. Тысченко. Способ изготовления структур полупроводник-на-изоляторе. Изобретения (патенты). 2013, №31 (III ч.), с. 627-628.

279. Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, О. Frohman-Bentchkowsky. Dynamic model of trapping-detrapping in Si02. J. Appl. Phys. 1985, v. 58, N6, pp. 2252-2261.

280. A.N. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Trapping of negative and positive charges in Ge+ ion implanted silicon dioxide layers subjected to high-field electron injection. J. Appl. Phys. 2003, v. 94, pp. 4440 - 4448.

281. K. Zhu, J. Shi, L. Zhang. Preparation and optical absorption of InSb microcrystallites embedded in Si02 thin films. Sol. St. Commun. 1998, v. 107, N2, pp. 79-84.

282. B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R. Magno. Phonons in self-assembled (In,Ga,Al)Sb quantum dots. Appl. Phys. Lett. 1996, v. 68, N7, pp. 958-950.

283. T. Utzmeier, P.A. Postigo, J. Tamayo, R. Garci'a, F. Briones. Transition from self-organized InSb quantum-dots to quantum dashes. Appl. Phys. Lett. 1996, v. 69, N18, pp. 26742676.

284. G. Armelles, T. Utzmeier, P.A. Postigo, F. Briones, J.C. Ferrer, P. Peiro, A. Comet. Raman scattering of InSb quantum dots grown on InP substrates. J. Appl. Phys. 1997, v. 81, N9, pp. 6339-6342.

285. J.-Z. Shi, Q.-Y. Shao, K.-G. Zgu. Raman scattering from InSb nanocrystals embedded in Si02 thin films. Acta Phys. Sin. 2000, v. 49, N11, pp. 2304-2306.

286.D. Chen, C. Li, Z. Zhu, J. Fan, S. Wei. Interface effect of InSb quantum dots embedded in Si02 matrix. Phys. Rev. B. 2005, v. 72, N7, pp. 075341 (7pages).

287. A.H. van Ommen. Diffusion of ion-implanted Sb in Si02. J. Appl. Phys. 1987, v. 61, N3, pp. 993-997.

288. D. Kriiger, H. Rucker, B. Heinemann, V. Melnik, R. Kurps, D. Botze. Diffusion and segregation of shallow As and Sb junctions in silicon. J. Vac. Sci. Technol. B. 2004, v. 22, N1, pp.455-458.

289. J. Dubrowski, H.-J. Miissig, V. Zavodinsky, R. Baierle, M.J. Caldas. Mechanism of dopant segregation to Si02/Si(001) interface. Phys. Rev. B. 2002, v. 65, N24, pp. 245305 (11 pages).

290. A.H. van Ommen. Diffusion of ion-implanted In and T1 in Si02. J. Appl. Phys. 1985, v. 57, N12, pp. 5220-5225.

291. A. H. van Ommen. Diffusion of ion-implanted Ga in Si02. J. Appl. Phys. 1985, v. 57, N6, pp. 1872-1879.

292. I.E. Tyschenko, A.G. Cherkov, M. Voelskow, V.P. Popov. Crystallization of InSb phase near the bonding interface of silicon-oninsulator structure. Solid State Phenomena. 2008, v. 131133, pp.137-142.

293. И.Е. Тысченко, M. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiÛ2 структуры кремний-на-изоляторе. ФТП. 2014, т. 48, №9, с. 1228-1233.

294. I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Endotaxial growth of InSb nanocrystals at the bonding interface of the In+ and Sb+ ion implanted SOI structure. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 2009, v. 267, pp. 1360-1363.