Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы A2B6 с управляемыми свойствами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.17.01, доктор технических наук Левонович, Борис Наумович

• Левонович, Борис Наумович
• доктор технических наук
• 2010

Оглавление диссертации доктор технических наук Левонович, Борис Наумович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ПРОБЛЕМЫ ИНВЕРСИИ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ В

МОНОПОЛЯРНЫХ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2Вб.

§ 1-1. Термодинамика точенных дефектов в полупроводниках А2Вб.

Самокомпенсация.

§ 1-2. Экспериментальные результаты управления типом дефектов и получение инверсии типа проводимости в селенидах кадмия и цинка.

§ 1-3. Термодинамика примесного легирования полупроводников А2В6.

§ 1-4 Экспериментальные результаты легирования селенидов кадмия и цинка акцепторными примесными атомами.

§ 1-5 Управление проводимостью полупроводников А В с помощью ионного легирования.

§ 1-6. Экспериментальные результаты инверсии типа проводимости в полупроводниках А2Вбс помощью ионного внедрения.

§ 1-7. Особенности структуры пленок соединений А В.

§ 1-8. Процессы рекристаллизации в поликристаллических пленках соединений

А2В6.

§ 1-9 Влияние рекристаллизации на электрофизические свойства пленок соединений А2Вб.

§ 1-10. Особенности электрофизических свойств поликристаллических полупроводников.

Выводы по литературному обзору. Постановка задачи.

§ 2-1. Методика роста, легирования и отжигов монокристаллов соединений

А2Вб.

§ 2-2 Методики определения состава исходных материалов

§ 2-3. Методика приготовления поликристаллических пленок.

§ 2-4. Установки и методики измерения свойств материалов.

2.4.1 Методика исследования структуры и топографии поверхности поликристаллических пленок.

2.4.2 Методика и установка исследования фотолюминесцентных свойств.

2.4.3 Методика и установка измерения спектральной зависимости электроотражения (ЭО).

2.4.4 Методика и установка измерения фотоэлектрических свойств полупроводников.

2.4.5 Методика и установка измерения вольт-амперных характеристик образцов.

2.4.6 Методика и установка измерения эффекта Холла.

2.4.7 Методика измерения энергетических спектров обратно-рассеянных протонов (ОРП).

ГЛАВА 3 УПРАВЛЕНИЕ ПРОВОДИМОСТЬЮ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZnSe и CdSe ПУТЕМ ИЗМЕНЕНИЯ ОТКЛОНЕНИЙ СОСТАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ОТ СТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО И ПОСЛЕДУЮЩЕЙ ЗАКАЛКОЙ ВЫ

СОТЕМПЕРАТУРНОГО РАВНОВЕСИЯ.

§ 3.1 Управление проводимостью селенида кадмия.

3.1.1 Высокотемпературный отжиг селенида кадмия в в парах и расплаве кадмия.

3.1.2 Исследования нестехиометрии образцов селенида кадмия, обожженных в парах кадмия и в расплаве кадмия.

3.1.3 Предварительная обработка синтезированных образцов перед определением в них концентрации растворенного кадмия.

3.1.4. Определение нестехиометрии селенида кадмия, отожженного в парах кадмия при 870 К.

3.1.5 Определение нестехиометрии селенида кадмия, отожженного в парах кадмия при 1370 К.

3.1.6. Определение нестехиометрии селенида кадмия, отожженного в парах кадмия при 1320, 1270 и 1170 К.

3.17. Оценка границы области гомогенности селенида кадмия.

3.1.8. Обсуждение результатов.

3.1.9 Отжиги в парах Se.

§ 3. 2 Управление составом и проводимостью селенида цинка.

3.2.1 Отжиги в парах и расплаве Zn.

3.2.1.1 Электрические свойства монокристаллов ZnSe, легированных элементами III группы.

3.2.1.2 Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe, легированных элементами

III группы.

3.2.2 Отжиги в парах Se.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННОГО

ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ,

ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ СЕРЕБРА И ФОСФОРА.

§ 4-1. Каналирование протонов в монокристаллах CdSe.

§ 4-2. Использование эффекта каналирования для исследования радиационных дефектов в монокристаллах CdSe , легированных ионами серебра и фосфора

§ 4-3. Определение профилей распределения ионов фосфора и серебра, внедренных в монокристаллы CdSe.

§ 4-4 Дефектообразование и восстановление структуры при бомбардировке монокристаллов плотными электронными пучками(на примере селенида цинка.

ГЛАВА 5. СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОННЫМ ВНЕДРЕНИЕМ ЭЛЕМЕНТОВ У(Р*), I (Ag+) И

VI (Se+) ГРУПП.

§ 5-1. Свойства селенида кадмия, легированного ионами фосфора и аргона.

5-1-1. Фотолюминесценция и фотопроводимость селенида кадмия, легированного ионами фосфора и аргона.

5-1-2. Электроотражение монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора, азота и аргона.

5-1-3. Электрофизические свойства монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора.

§5-2. Свойства монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами серебра.

5-2-1. Влияние имплантации ионов серебра на тип проводимости, концентрацию и подвижность носителей заряда в монокристаллах СсШе.

5-2-2. Спектральные характеристики фотолюминесценции и фоточувствительности.

5-2-3. Электрические и фотоэлектрические свойства структур CdSe(Ag+)-CdSe низкоомный).

5-2-4. Имплантация ионов серебра в «горячую» мишень.

§5-3. Свойства монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами селена.287 5-3-1. Влияние имплантации ионов селена на тип проводимости, концентрацию и подвижность носителей заряда в монокристаллах Сс18е.

5-3-2. Вольт - амперные характеристики р-п структур Сс18е(8е+)-Сс18е (низкоом-ных) и спектральная зависимость 1кл.

5-3-3. Спектральные характеристики фотолюминесценции и фоточувствительности.

5-3-4. Обсуждение результатов.

ГЛАВА 6 ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ РАЗЛИЧНЫМИ ПРИМЕСЯМИ.

§6-1 Отжиги имплантированных примесями монокристаллов селенида цинка электронными пучками.

§ 6-2. Электролюминесценция и электрофизические свойства структур на основе гпЗе.

6-2-1 Электролюминесценция и электрофизические характеристики диодов Шоттки на основе 2п8е.

ГЛАВА 7. УПРАВЛЕНИЕ СВОЙСТВАМИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ СОЕДИНЕНИЙ А2Вб С ПОМОЩЬЮ ТЕХНОЛОГИИ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ.

§ 7-1. Анализ проблем технологий получения фоточувствительных слоев поликристаллических пленок соединений группы А2Вб.

§ 7-2. Исследования свойств поликристаллических пленок до термообработки на примере CdSe).

7-2-2 Электрофизические свойства исходных микрокристаллических пленок (на примере CdSe).

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы A2B6 с управляемыми свойствами»

Актуальность темы. Взаимодействие примесей, точечных дефектов и дефектов структуры играет ключевую роль в полупроводниковых материалах как на стадии получения монокристаллов и пленок с необходимым набором свойств, так и на стадии управления этими свойствами при изготовлении приборов. Роль и значимость процессов примесно-дефектного взаимодействия (ПДВ) проявляется особенно остро в сложных полупроводниковых соединениях, к которым относятся, в частности, соединения группы А2В6. Обладая уникальными излучательными характеристиками и высокой фоточувствительностью, эти материалы находят все более широкое применение в современных устройствах оп-тоэлектроники. Вместе с тем, потенциал уникальных свойств широкозонных соединений А2В6 реализован еще далеко не полностью из-за слабой изученности и сложности управления процессами НДВ в них. В частности, трудно решаются проблемы управления типом и величиной проводимости;, а также создания р-п переходов для большой группы соединений А2В6, что ограничивает их широкое использование в твердотельной электронике, солнечной энергетике, в устройствах приема, отображения, обработки, передачи и хранения информации и во многих других.

Интерес к полупроводниковым соединениям А2В6 не исчерпывается только объемными материалами и эпитаксиальными пленками. Для целого ряда практических применений (солнечные батареи, матричные электролюминесцентные экраны и др.) требуются мелкодисперсные поликристаллические пленки соединений группы А2Вб, роль и значимость процессов ПДВ в которых возрастает многократно. Поликристаллические пленки представляют интерес, по крайней мере, с трех точек зрения. Во-первых, по сравнению с монокристаллами и эпитаксиальными структурами получение поликристаллических пленок является более простым и производительным процессом, не требующим дорогой ростовой аппаратуры и специальных подложек. Во-вторых, границы кристаллитов, обладая специфическими электрическими и рекомбинационными свойствами, могут быть интересно реализованы в ряде приборных применений. В-третьих, границы кристаллитов, являясь серьезным нарушением совершенства кристаллической решетки, играют роль эффективного внутреннего стока(геттера), спо-, собствующего очистке основного объема от остаточных примесей и избыточных собственных точечных дефектов. С другой стороны, в поликристаллических пленках в процессе их термической обработки при производстве приборов происходят сложные процессы структурной перестройки. К ним относятся полиморфные превращения и рекристаллизация, которые вносят существенный вклад в формирование дефектного состояния системы и, тем самым, непосредственно влияют на процессы ПДВ, инициируя или замедляя их, что, в свою очередь, решающим образом сказывается на электрофизических, фотоэлектрических и люминесцентных свойствах поликристаллических пленок и на рабочих характеристиках, изготавливаемых на их основе приборов.

Понимание физико-химических закономерностей, лежащих в основе процессов перестройки структуры и ПДВ в монокристаллах и поликристалличе

2 6 ских пленках соединений А В , установление взаимосвязи этих процессов, а также поиск путей и способов прогнозирования и управления составом, структурой и свойствами этих материалов является актуальной задачей. Понимание этих закономерностей важно еще и потому, что многие явления и процессы, наблюдаемые в монокристаллах и поликристаллических пленках, должны играть не менее важную роль в наноразмерных композициях, исследование и практическое использование которых приобретает в последние годы все возрастающее значение.

Цель и задачи работы. Цель диссертационной работы заключалась в разработке научных основ процессов управления свойствами моно- и поликристаллов

2 б соединений А В с помощью специальных методов легирования и контролируемого воздействия на структуру и состояние ансамбля собственных дефектов в них, в установлении оптимальных условий получения материалов с воспроизводимым набором свойств, в том числе материалов с различной электропроводностью, фоточувствительных и интенсивно люминесцирующих, а так же в разработке основ эффективной технологии формирования слоев и активных приборных структур, обеспечивающих создание ряда важнейших приборов оп-тоэлектроники.

Поставленная цель достигалась путем установления особенностей свойств

•у с материалов группы А В , в том числе типа и концентрации собственных точечных дефектов, выбора оптимальных легирующих примесей и способов их введения в соединения с монополярной проводимостью п-типа, изучения закономерностей ПДВ в монокристаллах и поликристаллических пленках при термообработках в различных условиях и влияния ПДВ на электрофизические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства монокристаллов и поликристаллических пленок А2Вб. Основными задачами работы являлись:

- установление основных физико-химических закономерностей процессов легирования и управления концентрацией и типом собственных точечных дефектов, включая неравновесные процессы, в монокристаллах и поликристаллических пленках широкозонных соединений группы А2Вб.

-изучение факторов, определяющих состояние электронной подсистемы широ

2 6 козонного полупроводника А В с монополярной проводимостью п-типа, в том числе роли локализованных состояний, обусловленных собственными точечными дефектами и их взаимодействием с примесями, а также влияния на эти процессы дефектов структуры, являющихся геттерами для собственных и примесных компонентов точечных дефектов.

- анализ явлений, описывающих электропроводность в неоднородных соединениях А В , в том числе установление механизма переноса носителей заряда в поликристаллических пленках с различной концентрацией собственных точечных дефектов и различной степенью компенсации.

- разработка методов управления электропроводностью, фотоэлектрическими и люминесцентными характеристиками монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных соединении

А2Вб, в том числе способов формирования различных инжекционных светоизлучающих структур на основе монокристаллов и фоточувствительных поликристаллических пленок на стеклянных подложках.

- разработка ряда методик анализа полупроводниковых материалов применительно к соединениям А2В6, в том числе методик измерения электроотражения, электропоглощения, эффекта Холла и фото-Холл эффекта в высокоомных моно

2 б кристаллах и поликристаллических пленках А В , методики анализа растворенного кадмия и ряда других элементов.

- разработка в результате проведенных исследований основ эффективной технологии формирования слоев и структур с управляемыми свойствами и создание образцов ряда важнейших оптоэлектронных приборов высокого качества. Объекты и методики исследований. Объектами исследования являлись монокристаллы CdSe и ZnSe и поликристаллические пленки CdSe и CdS - типичные

2 6 представители широкозонных соединений А В , обладающих монополярной проводимостью n-типа. Подробное описание характеристик исследуемых образцов, методов и условий их получения, легирования и отжигов подробно изложено в главе 2.

В работе использован комплекс современных методов исследования, включая: электрофизические (эффект Холла, фото-Холл, вольт-амперные характеристики), фотоэлектрические (фотопроводимость, фотолюминесценция, люкс -амперные характеристики), электрооптические (электроотражение и электропо-глащение), рентгеновский микроанализ, Оже-электронная спектроскопия, электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА), обратное рассеяние rip ото но в (Ер=500 кэв), методы спектрального и химического анализа. Структуру поликристаллических пленок исследовали методами рентгеновской дифракто-метрии, электронной и оптической микроскопии. Научная новизна полученных результатов.

- Впервые теоретически обоснована и экспериментально подтверждена возможность инверсии типа проводимости в монокристаллах CdSe и ZnSe в процессе роста кристаллов и отжигов в парах металлоида в ограниченном диапазоне температур. Выработаны требования к исходным материалам и технологическим процессам получения кристаллов, предотвращающие их самокомпенсацию.

- Впервые проведены комплексные исследования свойств монокристаллов 2п8е, Сс18е и поликристаллических пленок СёЭе и Сс18, легированных с помощью ионной имплантации примесями I и V и III групп Периодической системы элементов. Показана принципиальная возможность управления в этих материалах проводимостью п-типа в широких пределах и получения проводимости р-типа с помощью ионного легирования соответствующими примесями и отжигов в различных условиях. Предложена модель процессов комплексообразования в ионно-легированных слоях, происходящих в результате имплантации примесей и последующих отжигов, обеспечивающих дырочную проводимость. Экспериментально реализованы светоизлучающие(диоды Шоттки, МДП и р-п структуры) и фотоприемные(р-ьп) структуры и проведены исследования их свойств.

- Впервые показана принципиальная возможность управления типом проводимости приповерхностных слоев монокристаллов гп8е и Сс18е и поликристаллических пленок Сс18е с помощью имплантации ионов селена и отжигов. Получены и исследованы слои р-типа проводимости и р-п переходы. Предложена модель комплексообразования, обеспечивающего проводимость р-типа в селени-дах цинка и кадмия, насыщенных металлоидом с помощью ионной имплантации.

- Впервые установлен факт отсутствия аморфизации поверхности монокристал

О ¿г лов А В в результате имплантации ионов различных типов. На примере монокристаллов Сс18е детально исследованы особенности дефектообразования при имплантации ионов Аг+, Р+ и Ag+. Обнаружен эффект насыщения концентрации радиационных дефектов в ионнолегированных слоях, предотвращающий их аморфизацию при больших дозах легирования. Установлено, что в процессе имплантации ионы примесей проникают в монокристалл на глубину большую, чем это следует из теории пробегов ионов Линдхарда, Шарфа, Шийотта (ЛШШ). Предложена модель стимулированной диффузии имплантированных примесных ионов, учитывающая особенности дефектообразования в широкозонных соеди

1 (л нениях А В .

- Впервые опробована технология импульсных электроннолучевых отжигов в сочетании с ионным легированием донорных и акцепторных примесей I, III и V групп Периодической системы, для управления проводимостью широкозонных

2 6 соединений А В . Предложены модели дефектообразования и отжигов дефектов при облучении пучками электронов в широком диапазоне энергий и плотности энергий электронного пучка. Показана перспективность электронных отжигов для формирования структур различных типов.

- Впервые проведено комплексное исследование состава, структуры и электрофизических характеристик поликристаллических пленок CdSe,CdS, не легированных и легированных ионной имплантацией примесями I(Cu,Ag), III(In,Ga) и V(Sb,Bi) групп, позволившее установить основные закономерности ПДВ в них как на стадии формирования пленок, так и на стадии их последующего отжига. Установлены основные закономерности процессов рекристаллизации в поликристаллических пленках CdSe, CdS и активации ионноимплантированных в них примесей, протекающие в легированных пленках при отжигах в различных средах, и впервые установлена взаимосвязь между характером рекристаллизации пленок и степенью активации легирующей примеси в них. Определены условия воспроизводимого получения высокоомных фоточувствительных пленок n-типа проводимости и пленок с инверсной проводимостью р-типа.

- Впервые показано, что особенности ПДВ в поликристаллических пленках широкозонных соединениях А В оказывают влияние не только на их проводимость, но и на структуру пленок (размер кристаллитов, тип текстуры, природу и концентрацию внутрикристаллитных дефектов). Установлено влияние отклонения состава пленок от стехиометрического на их фазовый состав и различное влияние термообработок в парах собственных компонентов на перестройку структуры и процессы фазового перехода в поликристаллических пленках.

Практическая значимость работы.

Показана перспективность использования технологии ионного легирования высокоэнергетичными ионами элементов I и V групп Периодической системы при

2 6 управлении свойствами широкозонных соединений группы А В в том числе:

- разработаны технологические основы получения слоев с инверсной проводимостью р-типа и высокоомных фоточувствительных слоев п-типа проводимости в приповерхностной области ионнолегированных монокристаллических пластин. Данный технологический подход может быть положен в основу производства ряда приборов оптоэлектроники, в том числе светодиодов, фотоприемников, солнечных батарей, электрооптических модуляторов света и др.

- разработаны основы технологии формирования высокоомных фоточувстви

2 6 тельных поликристаллических пленок А В на стеклянных подложках, легированных элементами I группы Периодической системы как непосредственно в процессе напыления, так и при последующей ионной имплантации. Технология

12 обеспечивает получение слоев с высоким темновым сопротивлением (1010-^Ю Ом-см), высокой фоточувствительностью (Ях/К^в =109 ) и малой фотоэлектрической инерционностью, что позволяет создавать на ее основе эффективные пленочные фотоприемные устройства для передачи информации. Технология внедрена в опытное производство видиконов и пространственно временных модуляторов света на предприятии НИИ «Платан».

- разработаны методики контроля электрофизических характеристик, состава и структуры поликристаллических пленок соединений А В , обеспечивающие эффективный межоперационный и выходной контроль пленок в производственных условиях и выработаны рекомендации по их использованию для контроля технологических процессов напыления пленок и последующей термообработки в различных условиях с целью придания им фоточувствительных свойств, при изготовлении оптоэлектронных приборов.

Соответствие содержания диссертации паспорту специальности .

В соответствии с формулой специальности(фс.) 05.17.01 - «Технология неорганических веществ», охватывающей проблемы прикладных исследований, включая расчеты, закономерностей управления составом, структурой и свойствами высокочистых неорганических продуктов, а также разработки соответствующих технологических процессов, в диссертационной работе проведены комплексные исследования составов, структуры и свойств высокочистых продуктов - полупроводниковых материалов группы А2В6 и на этой основе разработаны: технологические процессы отжигов в контакте с компонентами соединений, направленные на изменение состава и свойств неорганических продуктов - нелегированных высокочистых и специально легированных монокристаллов соединений группы А В (фс. п.2);

- технологический процесс вакуумного напыления микрокристаллических пле

2 6 нок соединений группы А В из отдельных компонент соединения, направленный на получение неорганических высокочистых продуктов нужного состава и обладающих необходимыми свойствами (фс. п.1,2);

- технологический процесс легирования монокристаллов и микрокристалличе

2 6 ских пленок материалов группы А В с помощью ионной имплантации, направленный на изменение состава указанных неорганических продуктов(фс. п.2);

- технологический процесс постимплантационных отжигов монокристаллов и пленок широкозонных материалов группы А2Вб, направленный на изменение основного и примесного состава, а также свойств указанных неорганических продуктов(фс. п.2);

- выполнены физико-химических расчеты, обеспечившие разработку научно-обоснованных технологических процессов получения неорганических продуктов - монокристаллов и пленок соединений группы А В с необходимым набором свойств, (фс. п.4);

В соответствии с областями исследований специальности (оис.) 05.17.01 -«Технология неорганических веществ» область диссертационного исследования включает изучение основных закономерностей управления составом, структурой и свойствами монокристаллов и пленок соединений группы А2Вб, в том числе физико-химические основы технологических процессов получения и легирования указанных материалов(онс. п.1), кинетику квазихимических реакций и межфазовые превращения(оис. п.1), явления переноса вещества в связи с квазихимическими превращениями в технологических процессах отжигов и леги-рования(оис.п.2), изучение свойств материалов и закономерности их изменений под воздействие различных технологических факторов(оис. п.6).

В соответствии с формулой специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников» и областью исследований в работе выполнены экспериментальные и теоретические исследования физических свойств широкозонных соединений группыА~В и композитных структур на их основе (включая р-п переходы, МОП структуры и барьеры Шоттки), а также происходящих в них физических явлений, разработка и исследование технологических процессов получения монокристаллов и микрокристаллических пленок соединений группыА2В6 и композитных структур на их основе, в том числе:

- Проведены комплексные исследования электрофизических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств широкозонных соединений группыА2Вб, в результате которых получены новые данные о спектре локализованных состояний, обусловленных собственными точечными дефектами, примесями и их комплексами, позволившие теоретически обосновать и экспериментально подтвердить принципиальную возможность инверсии типа проводимости в монокристаллах СёБе и ZnSe в процессе роста кристаллов и отжигов в парах металлоида в ограниченном диапазоне температур (оис. п 1,2,3,4,7)

- Созданы опытные образцы инжекционные светоизлучающих(диоды Шоттки, МДП и р-п структуры) и фотоприемных(р-ьп) структур, проведены исследования их свойств и предложены механизмы токопрохождения и люминесценции в исследованных структурах(оис. п 4,6,7)

- разработаны основы технологии формирования поликристаллических пленок

2 6 А В легированных элементами I группы Периодической системы с помощью ионного внедрения, позволяющих создавать на их основе эффективные пленочные фотоприемные устройства для передачи информации ( оис. п.2,7,18).

- разработаны методики контроля электрофизических характеристик, состава и

2 6 структуры поликристаллических пленок соединений А В , обеспечивающие эффективный межоперационный и выходной контроль пленок в производственных условиях и выработаны рекомендации по их использованию для контроля технологических процессов при изготовлении оптоэлектронных приборов(оис. п.19).

Основные положения, выносимые на защиту

1. В приповерхностных слоях монокристаллических пластин СёБе и 2п8е, легированных с помощью ионного внедрения соответствующими примесями или компонентами соединения и отожженных специальным образом, возможно создание условий, которые позволяют получать приповерхностные слои указанных материалов с проводимостью как п-, так и р-типа, изменяемой в широких пределах и формировать на этой основе светоизлучающие и фотоприеные структуры различных типов.

2. Характер поведения примесей и структурных дефектов в ионно-легированных слоях монокристаллов Сс18е и 2п8е, и их свойства после имплантации и отжигов в значительной степени определяются вторичными процессами - ком-плексообразованием с участием подвижных радиационных дефектов и атомов примесей, их взаимодействием со структурными дефектами кристалла. Неравновесный характер процесса введения примеси приводит к возможности формирования локализованных состояний на основе комплексов, появление которых при термодиффузионном легировании не наблюдалось или было затруднено.

3. В широкозонных полупроводниках А2В6 существенным является статистическое взаимодействие свободных электронов и радиационных дефектов, образованных в результате внедрения ионов в кристалл. Следствием этого процесса является высокая радиационная «стойкость» монокристаллов и высокие коэффициенты диффузии имплантированной примеси.

2 6

4. В ионно-легированных поликристаллических пленках А В формирование твердых растворов и активация внедренной примеси осуществляется при достаточно низких температурах (0,2 -0,3 Тпл.) в ходе сложных процессов перестройки структуры пленок, в том числе рекристаллизации. Взаимосвязь процессов рекристаллизации и активации внедренной в пленку примеси в конечном итоге определяет основные электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок.

О (\

5. Рекристаллизация поликристаллических пленок соединений А В при отжигах в различных средах протекает по различным механизмам, в результате чего образуются пленки с различным фазовым составом, параметрами и совершенством структуры микрокристаллитов.

6. Механизм фотопроводимости в рекристаллизованных пленках соединений 2 6

А В , обусловленный типом и концентрацией «центров фоточувствительности», а также их пространственным положением в объеме микрокристаллитов, решающим образом сказывается на перспективности применения рекристаллизованных пленок для целей формирования приборов .

Апробация работы Основные положения и результаты работы докладывались на:У1,VII,VIII и X Всесоюзных конференциях по ЭЛЛ и ФЭП (Новосибирск 1975 г., Москва 1976 г., Ленинград 1981 г, Ленинград 1985 г.), Первой Всесоюзной научно-технической конференции «Получение и свойства полупроводни

9 f\ 0 f* ковых соединении типа AB и AB и твердых растворов на их основе»(Москва, 1977г.), Всесоюзном совещании «Дефекты структуры в полупроводниках» (Новосибирск, 1978 г.), X Всесоюзном совещании по взаимодействию заряженных частиц с твердым телом(Москва, 1979г.), Всесоюзной научно-технической конференции « Развитие технических средств телевизионного вещания»(Вильнюс, 1980 г.), Ш Всесоюзной научно-технической конференции по применению электронно-ионной технологии в народном хозяйстве(Тбилиси, 1981 г.) V Всесоюзном совещании «Физика и техническое применение полупроводников АпВУ1»(Вильнюс 1983 г), IV Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение»(Кишинев, 1983 г.), Всесоюзном научно-техническом семинаре «Теоретические проблемы электрометрии», ( Тарту 1985 г), Координационном совещании социалистических стран по проблемам оптоэлектрони-ки(Баку, 1989 г.), III Всесоюзной конференции "Материаловедение халькоге-нидных полупроводников"(Черновцы, 1991 г.), XIII Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2008 г.) XII Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике»(Москва, 2009 г), 14 -ой Международной конференции по соединениям группы AII-BVI (Санкт-Петерб. 2009 г.).

Публикации по теме диссертации. Основные результаты работы изложены в 42 научных работах, в том числе в 23 журналах, входящих в перечень ВАК, 10 докладах на конференциях, 4 авторских свидетельствах и 2 патентах. Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, семи глав, выводов и списка литературы. Общий объем диссертации 458 страниц, включая 39 таблиц и 155 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Технология неорганических веществ», Левонович, Борис Наумович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ.

Впервые сформулирован и реализован методологический подход к управлению свойствами мелкодисперсных поликристаллических пленок сложных полупроводниковых соединений, обладающих большой шириной запрещенной зоны и, соответственно, большими значениями энергии электронных переходов при статистическом взаимодействии электронов и дырок в них. Суть подхода заключается в направленном и контролируемом формировании упруго напряженной матрицы микрокристаллитов в поликристаллических пленках указанных полупроводников за счет специально подобранных условий нанесения пленок в вакууме, их основного и примесного состава, а также структуры в качестве исходных факторов, определяющих характер последующей перестройки структуры. Инициируя далее совместное прохождение процессов фазового перехода в структуре микрокристаллитов и их рекристаллизацию, обеспечиваются условия, при которых в ходе движения границ микрокристаллитов в тылу мигрирующей границы при относительно низких температурах (0,2-0,3 Т^) формируются новых кристаллиты на основе твердых растворов компонентов матрицы и примеси, обеспечивающие эффективную активацию введенной примеси и минимальное содержание дефектов структуры в рекристаллизованных пленках. Топологические и энергетические особенности этих процессов носят характер «самоорганизации», а активация примеси в ходе рекристаллизации пленок и характер поведения компонентов твердого раствора при последующих отжигах оказывают определяющее влияние на электрофизические и фотоэлектрические свойства поликристаллических полупроводниковых пленок соединений группы А2В6.

Сказанное позволяет считать, что в результате проведенной работы развито новое направление в физическом материаловедении микрокристаллических тонкопленочных материалов сложных полупроводниковых соединений, обладающих большой величиной запрещенной зоны, заключающееся в управлении основным и фазовым составом, а также структурой и электрофизическими свойствами поликристаллических полупроводниковых пленок за счет эффективного использования «самоорганизации» матрицы микрокристаллитов в результате минимизации её внутриэнергетического баланса не только за счет энергии упругой деформации матрицы, но и за счет энергии её электронной подсистемы в результате статистического взаимодействия электронов и дырок, как в объеме кристаллитов, так и на их границах.

Данное заключение опирается результаты исследований объемных и тонкопленочных материалов, представленных в настоящей работе, главными из которых являются следующие:

1. Термодинамическими расчетами обоснована и экспериментально подтверждена принципиальная возможность получения дырочной проводимости в монокристаллах ZnSe и CdSe отжигами в парах халькогена и с использованием низкотемпературного технологического метода ионной имплантации. Исследованы люминесцентные и электрические свойства нелегированных монокристаллов, кристаллов отожженных в контакте с компонентами соединений, а также кристаллов, легированных примесями I, III и V группы, в том числе с помощью ионной имплантации.

2. В монокристаллах CdSe и ZnSe, изучены составы, имевшие отклонения от стехиометрических в сторону металла и металлоида в пределах области гомогенности в широком диапазоне температур. Установлено, что в этих материалах при высоких температурах, наряду с подвижными ионизированными точечными дефектами, существуют малоподвижные нейтральные комплексы дефектов, концентрация которых возрастала при охлаждении кристаллов, что отрицательно сказывалось на их электрофизических и люминесцентных характеристиках. Установлено влияние дефектов структуры на гетеррирующие способности локальных областей кристаллов, играющих роль стоков точечных дефектов и нейтральных комплексов и предложены технологические методики минимизации этого влияния.

3. Исследована возможность получения инверсии типа проводимости в монокристаллах CdSe n-типа проводимости с помощью ионной имплантации в них акцепторных примесей Ag+, Р+. Впервые имплантацией ионов Ag+ в монокристаллы CdSe получены слои р-типа проводимости (р=1013-Ч014 1/см3, л цр=2(Н-25см /В.с), тогда как имплантация фосфора, в силу амфотерности его поведения, не позволила получить инверсию проводимости в данном материале. В результате комплексных исследований электрофизических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств установлен механизм дефектообразования и природа электрически активных центров, ответственных за проводимость р-типа в Ссйе.

4. Исследована возможность управления проводимостью в монокристаллах 2п8е с помощью ионной имплантации донорных(1п+) и акцепторных примесей (Ag+, Р+, Аб+). Имплантация ионов и последующие отжиги в различных условиях позволили получить как высокопроводящие слои п-типа проводимости, так и слои с проводимостью р-типа. Показана, что эффективность активации имплантированной примеси повышается многократно при импульсных отжигах под слоем соответствующей защитной маски. В результате комплексных исследований электрофизических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств уточнены механизм дефектообразования и природа электрически активных центров, ответственных за проводимость п и р-типа в данном материале.

5. Разработан метод получения слоев р-типа проводимости имплантацией ионов селена в монокристаллы СсЙе и 2п8е п -типа проводимости. Установлено, что собственно-дефектные центры в имплантированных селеном слоях р-типа проводимости отличаются от таковых в кристаллах 2п8е и Ссйе, отожженных в парах селена. Изучены электрофизические и оптические свойства ионнолегиро-ванных селеном монокристаллов и предложен механизм дефектообразования, объясняющий природу дырочной проводимости в ионноимплантированных селеном слоях Ссйейе"1" и гп8е:8е+.

6. Установлен эффект насыщения концентрации радиационных дефектов ион-но-легированных слоях монокристаллов СсЙе и 2п8е, предотвращающий их аморфизацию в процессе ионной имплантации. Установлены закономерности распределения радиационных дефектов и атомов внедренных примесей при ионной имплантации в монокристаллы. На основании экспериментальных исследований структуры, профиля распределения примесей, люминесцентных и электрических свойств кристаллов установлено влияние условий ионного облучения и последующих отжигов на процессы образования и аннигиляции радиационных дефектов в имплантированных ионами слоях ZnSe и CdSe.

7. В ионнолегированных монокристаллах CdSe и ZnSe исследован характер проведения радиационных дефектов и примесных атомов при термической обработке кристаллов в различных условиях, в том числе при отжигах электронными пучками различной мощности. Установлено, что радиационные дефекты в диапазоне температур отжигов и мощностей облучения электронами, обеспечивающих инверсию проводимости, отжигаются только частично. Устойчивые локальные области разупорядочения сохраняются до более высоких температур, влияя на свойства ионно-легированных слоев. Предложена модель дефектообразования при ионной имплантации примесей и аннигиляции радиационных де

2 £ фектов в монокристаллы широкозонных полупроводников AB при их облучении мощными электронными пучками.

8. Изготовлены светоизлучающие и светочувствительные структуры различных типов (диоды Шоттки, МДП и p-i-n структуры, р-n переходы) на основе монокристаллов ZnSe и CdSe п и р-типа проводимости, имплантированных соответствующими примесями и отожженных в различных условиях. Проведены исследования электрофизических свойств и излучательных характеристик структур, предложены механизмы транспорта носителей заряда и рекомбинационных процессов с их участием.

2 6

9. Исследованы свойства поликристаллических пленок AB, с различным отклонением состава от стехиометрического как нелегированных, так и легированных примесями I, III и V группы с помощью ионной имплантации. Показано, что в нелегированных поликристаллических пленках селенида кадмия в зависимости от степени компенсации перенос носителей заряда в интервале температур 180-300 К определялся различными механизмами: в случае слабоком-пенсированных пленок - барьерами на границах зерен, а в случае сильноском-пенсированных пленок - «флуктуационным потенциалом», создаваемом неоднородным распределением заряженных центров, обусловленных собственными точечными дефектами.

10. Установлено, что в поликристаллических пленках CdSe и CdS, полученных вакуумным напылением из элементов, присутствуют кристаллиты как гексагональной, так и кубической модификации, соотношение содержания которых и размер кристаллитов в пленках зависели от характера и величины отклонения состава пленок от стехиометрического. При избытке металлической компоненты в пленках наблюдалось минимальное содержание кристаллитов кубической модификации (<5%), а размер кристаллитов был значительно выше (в 3-5 раз), чем в пленках с избытком по металлоиду, содержание кристаллитов кубической модификации в которых достигало 35-40 %.

11. Детально изучены процессы полиморфного превращения и рекристаллизации в легированных и нелегированных поликристаллических плёнках А2В6 при термообработках в различных атмосферах. Установлена взаимосвязь между типом и концентрацией легирующей примеси, атмосферой и температурой отжигов и характером рекристаллизации пленок, выражавшейся в изменении типа текстуры, размеров и структурного совершенством кристаллитов. Предложен механизм прохождения рекристаллизации при отжигах легированных поли

2 б кристаллических пленок соединении AB в различных атмосферах.

12. На примере поликристаллических пленок CdSe легированных элементами 1ДП и V групп впервые детально рассмотрена взаимосвязь процессов рекристаллизации и активации имплантированной примеси. Установлено, что структурные превращения при рекристаллизации пленок оказывают определяющее влияние на их фоточувствительность, концентрацию и подвижность носителей заряда, а также на люминесцентные свойства плёнок. Предложен механизм активации примеси введенной в пленку при рекристаллизации и образования твердого раствора между материалом пленки и легирующей примесью.

13. Показано, что основные закономерности транспорта носителей заряда в рек-ристаллизованных поликристаллических пленках CdSe(Ag+), описываются на основе положений теории неоднородных полупроводников. Установлено, что в пленках, рекристаллизованных отжигами в атмосфере инертного газа, фотопроводимость определяется рекомбинационными и дрейфовыми барьерами, обусловленными наличием в кристаллитах нескольких типов дефектов структуры, гетерирующих точечные дефекты. Напротив, в плёнках, рекристаллизован-ных отжигами в атмосфере CdSeiCdCb содержание дефектов структуры было минимальным. Фотопроводимость при низких температурах (<250 К) определялась рекомбинационными барьерами, создаваемыми флуктуациями концентрации примеси в объёме кристаллитов. При более высоких температурах «флуктуационный потенциал» не оказывал влияния на процессы фотопроводимости пленок, а их фоточувствительность на четыре-пять порядков превышала фоточувствительность плёнок, рекристаллизованных в атмосфере инертного газа.

14. На основе изученных закономерностей рекристаллизации впервые разработаны основы технологии и изготовлены высокоомные фоточувствительные поликристаллические пленки селенида кадмия, легированные серебром и медью с помощью ионного внедрения и отожженные в атмосфере паров CdSeiCdCb. Определены концентрации примеси, диапазон температур и длительности термообработки, обеспечивающие полное завершение полимофных превращений и последующую рекристаллизацию гексагональной фазы. Указанные слои успешно использованы в качестве фоточувствительного слоя передающей телевизионной трубки - видикон.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Левонович, Борис Наумович, 2010 год

1. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЛ, 1962.

2. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М., «Мир», 1969.

3. Физика и химия соединений А В . Перевод с английского под редакцией Медведева С.А. М., «Мир», 1970, стр. 135-175.

4. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. //Сборник под редакцией Абрикосова Н.Х.М., «Наука», 1975, стр.43-82,

5. Гурвич A.M.// Введение в кристаллохимию фосфоров. М., «Высшая школа», 1971.

6. Dugue М., Ploik I-L, Vanderbunder В., Dezaly P.// Elude desmecanismes d-atcompensation dans le sulfur de cadmium. Rev. Tech. Thomson-ESF, 6,2, 457-477, 1974.0 ft

7. Георгобиани A.H. //Широкозонные полупроводники А В и перспективы их применения. УФН, 113,1, 1974, стр.129-154.

8. Гурвич A.M., Катомина Р.В. //О влиянии положений уровней собственных дефектов на отклонения от стехиометрии и электропроводность сульфидов цинка и кадмия. ФТП, 5, 1351-1359, 1971.

9. Sakalas А.Р. //Analysic of the preparation conditions undoped p-CdSe, p-GdS, p-ZnSe, n-ZnTe. Phys.Stat. Sol.(a) 27,1,175-180,1975.

10. Михайленко Б.Н., Дементьев Б.П., Котляревкский М.Б., Георгобиани А.Г. //Низкотемпературное равновесное ограничение компенсации собственно-дефектной дырочной проводимости в сульфиде цинка. Изв. вузов, сер. «Физика», 8, 1978, стр.150-152.

11. Мартинайтис А.В. //Высокотемпературные исследования точечных дефектов кристаллов селенида кадмия в атмосфере паров селена. Автореферат кандидатской диссертации, Вильнюс, 1978.

12. Mandel G. //Self-compensation limited conductivity in binary semiconductors I Theory. Phys.Rev, 134, A. 1073- 1079, 1964.

13. Mandel G., Morehend F.P., Title R.S.// Self-compensation limited conductivity in binary semiconductors. Il-n ZnTe, Phys. Rev. 136 A 826-830, 1964.

14. Kroger F.A. //The effect of donbly ionizable vacancy acceptors on the ductivity of donor doped semiconducting compounds with special reference to CdTe andZnTe. I.Chem. Phys.Sol.,26, 1717-1726, 1965.

15. Aven F.A.//B сборнике "II-VI semiconductors compounds", edd.by To-mas.Y.S., Plengem Press, N-T, 1967, p.235.

16. Brouwer G.// A general asymptotic solution of reactions common in solid-state chemistry. Philips Res.Repts, 9, 336-34-0, 1954.

17. Атомная диффузия в полупроводниках. Под редакцией Д.Шоу. М., «Мир», 1975, стр. 44.

18. Zmija К. //Investigation of self-diffusion of cadmium and selenium in GdSe single crystals. Act.Phys.Pol., A43, 3, 345-355, 1973.

19. Woodbury H., Hall R.B. //Diffusion of chalcodens in II-VI compounds. Phys.Rev. Lett, 17, 1093-1097, 1966.

20. Kumar V., Kroger F.A. //Sell-diffusion and defect structure of GdSe. I.Sol.St. Chem, 3,387-400, 1971.

21. Borsenberger P.M., Stevenson D.A., Burmeister R.A. //Proc. Inter. Conf II-VI Semicond. Compounds, ed by D.6. Thomas, W.A.Benjamin, Inc., New-York, 1967, p.439.

22. Дмитриева H.B., Ванюков A.B., Яковлев СТ.// Изучение дефектной структуры селенида кадмия, методом диффузии радиоизотопов. «Электронная техника», сер. «Материалы», 5, 150-157, 1970.

23. Сакалас А.П. //Электрические и фотоэлектрические свойства электронного и дырочного селенида кадмия. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, Вильнюс, 1976.

24. Smith F.T.// High temperature electrical properties of GdSe: evidence for native donor. Sol. State- Comm. 8, 263-268, 1970.

25. Callister W.D., Varotto I.E., Stevenson D.A. //The influence of component pressure on the electrical properties of GdSe at high temperature. Phys.Stat.Sol. 38, 45-50, 1970.

26. Callister W.D., Varotto I.F., Stevens D.A, //The electrical behavior of CdSe between rom temperature and 600°C. Phys.Stat.Sol(a), 12, 267-271, 1972.

27. Рудь Ю.В., Санин К.В. //Исследования электропроводности сталлов CdSe в области высоких температур. УФЖ, 18,1377-13 83, 1973.

28. Nirk T., Noges M., Varvas I. //High temperature conductivity of CdSe and ZnSe in selenium atmosphere. Phys. Stat. Sol (a) 10, К 27— 30, 1972.

29. Schuls H.I., Kulp B.A. //Low temperature electron radiation damage in CdSe. Pnys.Rev. 159, 663-609, 1967.

30. Беленький Г.Л., Любченко A.B., Шейнкман M.K.// Исследование люминесценции ^=0,93 мкм в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью, ФТП, 2, 4, 540-547, 1968.

31. Шейнкман М.К., Ермолович Н.Б., Беленький Г.А. //Природа инфракрасной люминесценции (А™ =1,2 мкм) в монокристаллах CdSe и её связь с фотопроводимостью, ФТТ, 10, 6, 1769-1772, 1968.

32. Ермолович И.Б., Булах Б.М., Крашкова С.Н., Шейнкман М.К.// Влияние условий роста монокристаллов CdSe на образование в них центров излучатель-ной рекомбинации, УФЖ, 19, 1725-1727, 1974.

33. Burmeister R.A., Stevenson D.A. //Electrical properties of n-CdSe. Phys.Stat.Sol., 24, 683-689, 1967.

34. Robinson A.L., Bube R.H. //Photoelectronic properties of defects in CdSe single crystals. I.Appl. Phys. 42, 5280-5283, 1971.

35. Manfredotti G., Murri R., Repl E., Semica D. //Photoelectronic properties of photoconduction GdSe. Phys. Stat. Sol.(a) 20, 2, 4-77-486, 1973.

36. Kokuban Y., Watanabe H., Wada M. //Photoluminescence of GdSe crystalls. Iap.I. Appl. Pnys. 13, 9, 1393-1398, 1974.

37. Baubinas R., Ianuskevicins Z., Sakalas A., Vischikas I. //P-type Conductivity in undoped GdSe single crystals. Sol. St. Gomm., 15, 1731-1733, 1974.

38. Baubinas R., Ianuskevicins Z., Sakalas A. //CdSe single crystalls with n- and p.type of conductivity approaching intrinsic. Mat. Res. Bull. 8, 817-824, 1973.

39. Baubinas R., Gintilas S., Martinatis A., Sakalas A. //Sensi-tiving centres in p-CdSe single crystals. Phys. Stat Sol. (a).28, К 181-182, 1975.

40. Baubinas R., Martinaitis A., Sakalas A. //Thermal Treatment of CdSe single crystals in Se vapaur. Pnys. Stat. Sol. (a) 30, К 181-184, 1975.

41. Baubinas R., Sakalas A., Smilga A., Grakas I.// P-type CdSe single crystals. Phys. Stat. Sol. 24, К 91-K 93, 1967.

42. Баубинас P., Вищикас Ю., Петрис Б., Сакалас А., Янушкявичус 3.// Исследование влияния условий выращивания кристаллов CdSe, на подвижность носи2 стелей тока. В кн. «Проблемы физики соединений А В . т. 1, Вильнюс, 276-278, 1972.

43. Martinaitis A., Sakalas A. //High temperature investigations of the Hall effect in p-CdSe in selemium vapour atmosphere. Phys. Stat. Sol. (a) 46, К 141-142, 1978.

44. Hoschl P., Kubalkova S. Electrical properties of n-CdSe. Czech.I. Phys. В 18, 897, 1968.

45. Сера Т.Я., Чемерсюк Г.Г. //Отрицательная фотопроводимость монокристаллов селенида кадмия, обработанных газовым разрядом. ФТТ, т.6, № 12, 1964, стр. 3754-3757.

46. Woodbyry Н.Н., Aven М. //Shallow-donor ionisation energies in IE-II corn-founds. Phys.Rev (B), 9, 5195-5205, 1974.

47. Нирк Т.Б. //Исследование термодинамики образования дефектов в селени-де кадмия. Кандидатская диссертация, Таллин, 1973.

48. Иванов Ю.М., Дмитриева Н.В., Ванюков.А.В.// Изучение области гомогенности CdSe методом масс-спектроскопии. Изв.АН СССР, сер. «Неорганические материалы», 8,1396-1400, 1972.

49. Нирк Т.Е., Ногес М., Варвас И.// Измерение высокотемпературной проводимости CdSe и ZnSe в парах селена и металла. «Проблемы физики соединений А2В6, сб .докладов, т.1, Вильнюс, 1972, с.327-331.

50. Марков Е.В., Давыдов А.А., Погорелова Н.П. Способ получения монокристаллов соединений А2В6. Авторское свидетельство № 358890, 1972.

51. Власенко Н.А., Витриковский Н.И., Денисова 3.JL, Павленко В.Ф. НО природе центров свечения в сернистом кадмии. "Изв. АН СССР", сер. физическая, т.30, 1966, № 9, с. 1427-1429.

52. Smilh Р. Т. A high temperature study of native defects in ZnSe. J.Phys.Chem.Sol (a), 32, 9, 2201-2208, 1971.

53. Tubota M., Suzuki H., Hirakowa K. On the mechanism of the electrical duction in CdSe.//J.Phys.Soc Jap. 15, 1701-1708,1960.

54. Hatano H., Kokuban X., Watanabe H., Waga M. //The effect of phosphorus on the edge luminescence of GdSe single crystals. Jap.J.Appl.Phys, 17, 6, 1127-1128,1978.

55. Ray H. Nonstoichiometry of ZnSe and CdSe. I.Electron Mater. 10, 879-892,1979.

56. Акимченко И.П., Вавилов B.C., Краснопевцев B.B., Милютин Ю.В., Харш М., Чан Ким Лой. //Электронно-дырочный переход, образованный в CdS п-типа при внедрении ионов сурьмы. ФТП, т.9, ЖЕ, стр.32-35, 1975.

57. Винецкий В.А., Холодарь Г.А. //Статическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев, «Наукова думка», 1969.

58. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б. //Труды международной школы по оптоэлектронике. Прага, ч.З, стр. 1-54, 1976.

59. Nassan К., Shiever I.M., Henry СН.// Vapor grauth of II-VI compounds and identification of donors acceptors luminescence. I.Cryst. Growth 13/14, 375-382, 1972.

60. Henry C.H., Nassan K, Shiever I.M. //Optical Studies of shallow acceptors in CdS and CdSe Phys.Rev.(B),2455-2460, 1971.

61. Милне. //Глубокие центры в полупроводниках. М., «Мир», 1976.

62. Баубинас Р., Вицикас Ю., Сакалас А., Янушкявичус 3.// О природе центровл /чувствительности в кристаллах А В . Лит.физ. сборник, 14, стр.609-618, 1974.

63. Woodbury Н.Н. Duffusion of Cd in CdS. Phys.Rev., v. 134, п. 2A, 492-498, 1964.

64. Robinson I., Kan K.// Some characteristics of the formation of high conductivity p-layers in ZnSe and ZnSexS^x. I. Of Elect. Mat, 5,1, 25-35, 1976.

65. Менцер А. //Управление свойствами селенида кадмия в процессе ростаиз расплава и последующими отжигами. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, М.,МИСиС, 1969.

66. Киреев Л.С, Колесникова Э.Н., Воронкова Е.И., Давыдов A.A. //Роль железа в формировании длинноволнового края фундаментаной полосы поглощения селенида кадмия. ФТП, т. 10, №6, стр. 1089-1091,1976.

67. Мейер Д., Эриксон Д., Дэвис Д. //Ионное легирование полупроводников. М., «Мир», 1973.

68. Легирование полупроводников с помощью ионного внедрения. Сборник статей, перевод с англ. под редакцией В.С.Вавилова. М., «Мир», 1971.

69. Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. //Ионное легирование полупроводников. М., «Энергия», 1975.

70. Физические процессы в облученных полупроводниках. Сборник под редакцией Смирнова Л.С. Новосибирск, «Наука», 1977.

71. Lindhard I., Scnarf М., Scniott Н.// Range conceps and heavej ion ranges Mat.Fys.Medd. Dan.Vid. Sclsk, 33, 1-39, 1963.

72. Юдин B.B. //Теория и расчет пробегов ускоренных ионов. «Электронная техника», сер.2, полупроводниковые приборы. Вып.2(84), стр.3-23, 1974.

73. Юдин В.В. //К теоретическому описанию распределения пробегов внедренных ионов. «Электронная техника», сер.2, полупроводниковые приборы. Вып. 10(92), стр.89-91, 1974.

74. Гиббоне Д. //Ионное внедрение в полупроводникам, часть I. Теория и экспериментальные исследования. ТИИЭР, 56, 3, 60-85, 1968.

75. Эйзен Ф.Г.// Каналирование ионов средних масс в кремнии. Перевод с англ. в сборнике» Легирование полупроводников ионным внедрением». М., «Мир», стр.86-108,1971.

76. Elbrige G., Ghernow F., Ruse G.// Further studies of bismuth-implanted cad-cadmium sulfide. J. Appl. Phys., v.44, №9,p.5858-5861, 1975.

77. Ghernow F. Review of Bi-implanted CdS //Proc. US-Japan seminar on Ion implantation of semiconductors, p.179-187, 1975.

78. Bugel P., Chernow F. //Deep penetration of implanted Po+ in CdS "Ion Implantation in Semiconductors and other Materials" ed. by Namba, New-Xork, Plenum Press, 1975.

79. Marine I., Pautrat I., Pfister I., Quillec M., Verdone M.// L'implantation ionique dans les semiconducteurs 11-71. Acta electrónica, v.19, N2, p.I6I-I68, 1976.

80. Kinchin G.M., Pease R.S. //The mechanism of the irradiation disordering of alloys Report. Progr. Phys. v.I8,N I, p.54 62,1955.

81. Lofersky I. //Radiation defects in semiconductors А В Postepy Phys., v.25, p.77-79, 1974.

82. Taylar A.L., Filipovich G., Linderberg G.K. //Identification of Cd vacansies in neutron-iiradiatied CdS, by electron paramagnetic resonans. Sol. St. Comm., v.9, p.94-5-947, 1971.

83. Morigaki K., Hoshina T. //ESR in Ag-doped CdS. J.Phys.Soc. Jap., v.I, p. 16091613, 1968.

84. Манмакова X.X.// Исследование физических механизмов радиолиза сульфида кадмия. Диссертация на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук, Ташкент, 1972.

85. Канеев М.А.// Исследование образования и миграции радиационных дефектов в сульфиде кадмия. ФТТ, т. 10, 3, стр.922-926, 1968.

86. Goving Р.К., Fraikor T.I. //Electron microscope study of radiation damage in bismuth ion-implanted CdS. J. Appl. Phys., v.42, № 6, p.2476-2481, 1971.

87. Miller W.E., Hutchby I.A., Webster B.C. //Lattice disorder in Br, CI and F implanted CdS-channaling study. "Ion implantation in semiconductors and other materials" ed.by Crowder, New-York, Pl.Pr., 1972, p.573-384.

88. Donelly I.P., Foyt A.G., E.D. Hinkley, Lindley W.T., Dim-mock 1.0. //Type conversion and p-n junctions in CdTe, produced by ion implantation. Appl. Phys. Lett., v.12, p.303-305, 1968.

89. W.W.Anderson, Mitchell I.T. //Phosporus ion-implanted CdS Appl. Phys.Lett., v.I2, p.334-336, 1968.

90. Anderson W.W., Swanson R.M. //Shallow hole levels in ion implanted CdS. J. Appl. Phys., v.42, N 12, p.5125-5229,1971.

91. How S.L., Marley I.A. //Photoelectronic properties of ion-imlanted CdS. Appl. Phys. Lett., v. 16, p.467-469, 1970.

92. Chernow F., Elbridge G., Ruse G., Wantin L. //High conductivity p-type CdS. Appl. Phys.Lett., v.12, p.339-341, 1968.

93. Tell В., Gibson W.B. //Properties of ion imlanted Bi in CdS J. Appl. Hays., v.40, N15, p.5320-5325, 1969.

94. Shiraki Y., Shimada Т., Komatsubara K.i1. //Ion implantation of nitrogen into cadmium sulfide. J. Appl. Phys., v.45, N 2, p.710-718, 1972.

95. Tell В., Gibson W.B., Rogers I.W. //Ion implantation of sodium, lithium and neon in cadmium sulfide. Appl. Phys. Lett., v.17, N 8, p.315-318, 1970.

96. Park Y.S., Chang G.H. //Tipe convertion and p-n junction formation in lithium ion implanted ZnSe. Appl. Phys. Lett., v.18, N5, p.99-102, 1971.

97. Park Y.S., Shing B.K. //Injection electrolumiscence in phosphorous ion implanted ZnSe, p-n junction. Appl. Phys. Lett., v.45, N 3, p. 1444-1446, 1974.

98. Adachi S., Machi Y. //Phosphorus ion implantation in to ZnSe single crystals. Jap. J. Appl. Phys., v.l5, N 8, p. 1515-1521, 1976.

99. Marine J., Rodom H. //P-N junction formation in ion-implanted ZnTe. Appl. Phys.Lett., v.17, N 8, p.552-354, 1970.

100. Degen P.L. //Ion implantation doping of compound semiconductors. Phys. Stat. Sol. (a), v.I6, N 9, p.9-42, 1975.

101. Filho СР., Jannuzzi N., Farah E.A., Leite R.G.G. //Electron-phonon coupling in donor-acceptor pair recombination in CdSe. Sol. St. Comm., v.15, p.1749-1752, 1974.

102. Walsh D. Luminescence and crystal damage in ion implanted GdS and ZnO. Sol. St.Electron., v.20, p.813-815, 1977.

103. Shiraki Y., Shimada Т., Komatsubara K. //Edge emission of ion-implanted CdS. J. Phys. Stat. Sol., v.33, p.937-941, 1977.

104. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. //Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами. УФЖ,т.18, №5, стр.732-741, 1974.

105. Пикус Г.Я., Тальнова Г.Н. //Влияние легирования на кинетику испарения и электронные свойства CdSe при высокотемпературном отжиге. Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, т.19, ЖЗ, стр.433-436, 1977.

106. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. //Электронные свойства легированных полупроводников. М., «Наука», 1979.

107. Чан Ким Лой. //Исследования оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов CdS, легированных методом ионного внедрения фосфора и сурьмы. Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук, М., ЖАН, 1973.

108. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. //Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS(Ag). ФТП, т. 12, №7, стр.1342-1345,1978.

109. Беленький Г.А., Шейнкман М.К.// Механизм люминесценции ^=0,82 мкм в CdSe монокристаллах и параметры центров свечения. ФТТ, т.П, стр.15341537, 1969.

110. Попов В.Б., Булах Б.М., Тягай В.А. //Примесное электропоглощение и электроотражение монокристаллов CdSe . ФТТ, т. 17, стр. 2265-2267, 1975.

111. Акимченко И.П., Вавилов B.C., Краснопевцев В.В., Милютин Ю.В., Чан Ким Лой. //Фотолюминесценция и электроотражение CdS , легированного путем ионного внедрения ионов сурьмы. Кр. сообщ. по физике, МО, стр. 11-17, 1973.

112. Itacura М., Toyoda Н. //Electrical properties of cadmium se-lenide single crystals. Effect of heat treatment in selenium vapor. Jap. J. Appl. Pnys., v.4, N 8, p.560-566, 1965.

113. Шейнкман M.K., Шик А.Я. //Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках. ФТП, т. 10, № 2, стр.209-233, 1976.

114. Kulp В.А., Kelly R.H. //Displacement of silphur atoms in CdS by electron bombardement. J. Appl. Phys., v.31, N6, p.1057-1061, I960.

115. Власенко H.A., Денисова 3.A., Витриховский Н.И., Павленко В.Ф.// О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии. Оптика и спектроскопия, №21, стр.466-475, 1966.

116. Тягай В.А., Бондаренко В.Н., Снитко О.В. //Деление электрических сигналов при измерениях спектра электроотражения. ПТЭ, №2, стр.236-237, 1970.

117. A Compilation of Tables, Graphs and Formulae for Ion Beam Analysis, US-Italy Seminar, Catania, Italy, 1974.

118. Тулинов А.Ф. //Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы. УФН, т.87, №4, стр. 558-598, 1965.

119. Feldman L.G., Hodgers J.W. //Depth. Profiles of Lattice Disorder Resulting From Ion Bombardment of Silicon Single Crystals. J. Appl. Phys., v.4I, N 9, p.3776-3782, 1970.

120. Sigmund P., Sonders J.R. //Spatail distribution of energy deposited by ionic bombardment, Pras. Int. Conf. Appl. Ion Beams to Semiconol. Techn., Grenoble, 1967, p. 215-237.

121. Nagui H.M., Kelly R. //Creteria bor bombardment-rinduced structural changes in non-metallic solids. Had. Eff., v.5, IT I, p. 1-8, 1975.

122. Винецкий B.A., Смирнов I.С. //О компенсации проводимости радиационными дефектами в полупроводниках. ФТП, т.5, № 1, стр.376-178, 1971.

123. Мансурова А.Н. //Исследование физических закономерностей ионного легирования германия и антимонида индия. Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук, М.,1978.

124. Klein С .A. //Turthe remarks on electron beam pumping of laser materials. Appl. Optics, v.5, N12, p.1922-1924, 1966.

125. Георгобиани A.H., Котляревский Н.Б., Злобин B.H., Тодуа П.А., Генералов Ю.Б. /Ионное легирование монокристаллов сульфида цинка. В сб. "Физические основы ионно-лучевого легирования", Горький, ГГУ, ч.2, стр.231-233, 1972.

126. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Генералов Ю.П.// Получение сульфида цинка n-и р-типа методом ионного легирования. Кр. сообщ. по физике, №3, стр. 17-23, 1972.

127. Смирнов JI.C., Стась В.Ф., Хайновская В.В. //Роль дислокаций в процессе отжига облученного германия. ФТП, т.5, №6, стр.1179-1184, 1971.

128. Кропман Д.И., Шейнкман М.К. //Аномальная температурная зависимость темновой проводимости в пленках(Сс!8, Cu, С1). ФТП, т.9, №4, стр.777-779, 1975.

129. Способ получения фоточувствительного слоя в соединениях А2В6. Патент США №3.391.021, кл. 117-201.

130. Gills I.M., Van Cakenbergh J. //Photoconductivity and crystals size in evaporated layers of Nature, v. 182, p.862-863, 1958 cadmium sulphide.

131. Бертулис К.П., Станкевичус M.B., Толутис В.Б. //Рекристаллизация тонких пленок ZnTe . Лит. физ. сб., т. 10, №6, стр.1021-1028, 1971.

132. Asano S., Yamashita. //Photoconduction du sulfo-selenide de cadmium eu couche Evaporance. Jap.J.Appl.Phys., v.4, HI, p.8J9-849, 1965.

133. Гордеева Г.В. //Рекристаллизация поликристаллических пленок кремния и селенида кадмия и ее влияние на некоторые свойства. Автореферат диссерт. на соиск. ученой степени канд. техн. наук, М., МИСиС, 1979.

134. Горелик С.С. //Рекристаллизация металлов и сплавов. М., "Металлургия", 1978.

135. Исследования физических явлений в ионно-легированных монокристаллах и слоях селенида кадмия, а также структурах, созданных на их основе. Отчет по НИР, научн. рук. П.С.Киреев, отв. исп. Б.Н.Левонович, М., МИСиС, 1977, госрегистрация № У 39301/7000375.

136. Ризаханов H.A., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К.// Фотохимические реакции и модели некоторых центров прилипания в CdS и их аналогах. ФТП, т. 8, №8, стр.1521-1524,1974.

137. Данияров 0., Захаров В.П., Любченко A.B., Олейник Г. С, Шейнкман М.К. //Спектры локальных состояний в твердых растворах CdSexTeix. ФТП, т.8, №3, стр.452-456, 1974.

138. Ниязов Х.Р. //Исследование по радиационной устойчивости полупроводниковых приборов на основе сульфида кадмия. В сб. "Радиационная физика неметаллических кристаллов", "Наука и техника", Минск, 1970, стр.181-190.

139. Канеев М.А., Биязова O.P., Салахитдинов А.Н. //Связь поверхностных нарушений с дислокациями в CdS. В сб. "Радиационно стимулированные процессы в твердых телах", Фан , Ташкент, 1969, стр. 89-95.

140. Ниязова O.P., Канеев М.А. //Генерация и движение дислокаций в CdS под воздействием электронов с энергией до 100 кэВ. В сб. "Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах", Фан, Ташкент, 1969, стр.95-105.

141. Канеев М.А. Исследование образования и миграция радиационных дефектов в сульфиде кадмия. //Диссертация на соиск. ученой степени канд. физ.-мат. наук, Ташкент, 1968.

142. Кив А.Е. Механизм образования радиационных нарушений в личееких твердых телах. //В сб. "Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах", Фан, Ташкент, 1969, стр.3-21.n f

143. Кузнецов Г.Ф. Дефекты структуры пленок соединений А В . // В сб. "Дефекты структуры в полупроводниках", Новосибирск, "Наука", 1973, стр.24-37.

144. Сергеева JI.A. Активные центры и поверхностная энергия соединений2 6

145. AB. //В сб. "Активная поверхность твердых тел", М., 1976, стр.122-126.

146. Bube R.H., Barton L.A. Achivement of Maximum Photoconductivity Performance in Cadmium selenide crystals. //RCA Rev. v. 20, N4. p. 564-598, 1959.

147. Левонович Б.Н., Корницкий А.Г., Киреев П.С., Нурритдинов Б., Фоточувствительность и люминесценция монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора. // Изв. АН Уз .ССР, сер. физ.-мат. наук, №4, стр.61-63, 1979.

148. Корницкий А.Г., Левонович Б.Н., Киреев П.С., Иофис Б.Г., Гордиенко Е.В. Фотолюминесценция и электроотражение имплантированных ионами фосфора монокристаллов селенида кадмия. // Изв. ВУЗов, сер. Физика, №3, стр.49-54, 1978.

149. Левонович Б.Н., Корницкий А.Г., Киреев П.С. Электроотражение монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора. // Изв. ВУЗов, сер. Физика, № 4, стр. 109-111, 1979.

150. Brice D.K. Spatial distribution of energy deposited into atomic processes in ion-implanted silicon. // Rad. Effects, v.6, p.77-87, 1970.

151. Гордеева Г.В., Горелик C.C., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н., Сагалова Т.Б. Влияние отжига на структуру и электрофизические свойства поликристаллических пленок селенида кадмия. // "Электронная техника", сер. Материалы, №3, стр.70-73, 1978.

152. Михаленко В.Н., Дементьев Б.П., Котляревский М.Б., Георгобиани А.Н. Низкотемпературное равновесное ограничение компенсации собственно-дефектной дырочной проводимости в сульфиде цинка // Изв. вузов. Физика. 1978. №8. стр. 150-152.

153. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михаленко В.Н. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1981. Т. 17. №8. стр. 1329-1334.

154. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михаленко В.Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS р-типа // Тр. ФИАН. 1983. Т.138. стр. 79-135.

155. A.N. Georgobiani, М.В. Kotlyrevsky, I.V. Rogozin Methods of high-energy chemistry in the technology of wide -gap cholckogenide semiconductors // Inorganic Materials, Vol, 40 Suppl 1, 2004, p. 1-11

156. Georgobiani A.N., Kotlyarevsky M.B. Ion Implantation of Zinc Sulfide // Radiat. Eff. 1980. vol.47, p. 21-26.

157. Георгобиани A.H., Котляревский М.Б., Михаленко В.Н. Равновесие дефектов в ZnS, находящемся в контакте с золотом // Кр. сообщ. по физике. 1977. №4. с. 14-18.

158. Гергобиани А.Н., Котляревский М.Б., Ластовка В.В., Носков Д.А.Получение ZnSe р-типа путем ионного легирования мышьяком // Кр. сообщ. по физике. 1977. № 6. с. 30-33.

159. Жирифалько Л. Статистическая физика твердого тела. Москва, "Мир", 1975. с. 345.

160. Морозова Н.К., Морозова О.М. Фазовая диаграмма равновесия точечных дефектов и отклонение от стехиометрии сульфида цинка // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1981. т. 17. №8. с. 1335-1340.

161. Иванов Ю.М., Дмитриева Н.В., Ванюков А.В. Изучение области гомогенности CdSe методом масс-спектрометрии. -// Изв. АН СССР сер. Неорг. матер., 1972, т. 8, №8, с. 1396-1400.

162. Kukk P. and Varema Т. High Temperature Conductivity Relaxation in undoped CdSe single crystals. -//J. Solid State Chem.,1982 , v.43, №3, p. 320-326.

163. Smith F.TJ. High temperature electrical properties of CdSe: evidence for a native donor. //Solid State Commun., 1970, v.8, №1, p. 263-266.

164. Callister W.D., Varotto C.F. and Stevenson D.A. High temperature Defect Equilibria of CdSe. //J. Solid State Chem.,1972 ,v.5, №3, p. 369-381.

165. Nirk 0., Noges M. and Varvas J. High. Temperature Conductivity of CdSe and ZnSe in selenium atmosphere. //Phys.Stat.Sol.(a), 1972, v.10, №l,p. K27-E29.

166. Брежнев В.И. Нестехиометрия кристаллического селенида кадмия. //Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук, Москва, РХТУ им Д.И. Менделеева, 1985 г.

167. Коростелев П.П. //Реактивы и растворы в металлургическом анализе, М. :Металлургия, 1977, с. 234.

168. Goldfinger P. and Jeunehomme М, Mass Spectrometric and Knudsen-Cell Vaporization Studies of group 2A-6B Compounds, -//Trans. Faraday Soc, 1963, v.59, №492, p. 2851-2867.

169. Пикус Г.Я., Тальнова Г.Н., Тычкина СВ. Кинетика испарения и состав кристаллов CdSe при отжиге в вакууме. -// Изв. АН СССР сер. Неорг. матер., 1976, т. 12, №11, с. 1955-1959.

170. Flogel Р. Zur Kristallzüchtung von Cadmiumsulfid und anderen II-VI Verbindungen. III. Zum Gleichgewicht zwischen Selen und Wasserstoff, bei 1000 0 C. -Z.anorgan. und allgem. Chem., 1969, Bd.370, №1-2, s. 16-30.

171. Shiozawa L.R, and Jost J.M. Research on improved II-VI crystals. Reports No. ARL-62-365 (Mar. 1962) and (May 1965), ARL-65-98, //Aerospace Research Lab., TJ.S.A.F.

172. Атомная диффузия в полупроводниках, под. ред. Шоу Д., Москва. Мир, 1975, с.357.

173. Varvas J. and Nirk Т. High Temperature Condactivity of Undoped and Copper - Doped Cadmium Seleenide. -// Phys. Stat. Sol.(a), 1976, v.33, N1, p.p. 75-84.

174. Miller E. and Komarek K.L. Retrograde Solubility in Semiconducting Intermetal-lic Compounds. Liquidus Curves in the Pb-S, Pb-Se, and Pb-Te .Systems. -Trans.Metallurg.Soc.AIME, 1966, V. 236, N6, p.p. 832-840.

175. A.N.Georgobiani, U.A.Aminov, Yu.V.Korostelin, V.I.Kozlovsky, A.S.Nasibov, P.V.Shapkin, Vapour phase and liquid phase doping of ZnSe by III group elements,// J. Cryst. Growth, 1998, № 184/185. p.470-474.

176. Н.К.Морозова, В.А.Никитенко, Термодинамический анализ собственных дефектов монокристаллов ZnS с отклонениями от стехиометрии, //Изв. АН СССР сер. Неор. матер., 1973, т.9, с. 1555-1559.

177. Николис Г., Пригожий И. Самоорганизация в неравновесных системах, Москва, Мир, 1979, с. 350.

178. Igaki К. and Nakano М« Mesurement of Partial Pressure over CdSe and CdTe by Optical Absorption Method. //Trans. Jap. lust, Metals., 1979, v.20, № 10, p. 597602.

179. M.Aven, R.H.Woodbary, Purification of II-VI compounds by solvent extraction, //Appl.Phys.Lett, 1962, v.l, № 3, p. 53-54.

180. Н.К.Морозова, В.А.Никитенко, термодинамический анализ собственных дефектов монокристаллов ZnS с отклонениями от стехиометрии, //Изв. АН СССР сер. Неор. матер., 1973, № 9, стр. 1555-1559.

181. А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, Проблемы создания светодиодов на основе широкозонных полупроводников, Тр. междунар. летней школы по опто-электронике, Прага, 1979, ч. III стр. 3-44.

182. Физика соединений А2Вб, Под ред. А.Н.Георгобиани, М.К.Шейнкмана, Москва, Наука, 1986, 320 с.

183. А.Н.Георгобиани, М.Б.Котляревский, Управление дефектным составом и1. О /линверсия типа проводимости в широкозонных полупроводниках А В . Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников, //Л. Наука, 1979, с. 410.

184. М.Б. Котляревский, Структура акцепторных дефектов и методы получения дырочной проводимости в широкозонных соединениях AnBVI (на примере ZnS), //Автореф. дисс. доктора физ.-мат. наук, Томск, 1980.

185. Yu.V.Korostelin, V.I.Kozlovsky, A.S.Nasibov, P.V.Shapkin, Vapour growth of II-VI solid solution single crystals,// J. Cryst. Growth, 1996, 159, 1-4, pp. 181-185.

186. Yu.V.Korostelin, V.I.Kozlovsky, A.S.Nasibov, P.V.Shapkin, Vapour growth and characterization of bulk ZnSe single crystals, //J. Cryst. Growth, 1996, Ж, PP- 5156.

187. Бочков Ю.В., Георгобиани A.H, Илюхина З.П., Левонович Б.Н. Н.В. Сердюк О получении слоев ZnSe с дырочной проводимостью.//Краткие сообщения по физике №8, 1983, стр. 22-26.

188. П.И.Баранский, В.П.Клыков, И.В.Потыкевич, //Полупроводниковая электроника, Справочник, Киев, Наукова думка, 1975, 704 с.

189. R.N. Bhargava, in «II-VI Compounds 1982»,// Proc. Int. Conf. II-VI Compounds, North-Holland Publ.Comp. Amsterdam, 1982, p.15

190. C.H. Chung, C.H. Tai //J. Luminescence № 12/13, 1976, p. 917

191. Зада-Улы E., Левонович Б.Н., Муллабаев И.Д., Сердюк Н.В. Влияние изохронных отжигов на фотолюминесценцию монокристаллов селенида цинка, имплантированных Аг+.// Краткие сообщения по физике, 1984, № 2, стр. 55-59.

192. Бочков Ю.В., Левит А.Д., Левонович Б.Н. Паносюк Е.И, Сердюк Н.В. О выращивании кристаллов ZnSe с дырочной проводимостью. //Краткие сообщения по физике № 7,1983, стр. 42-45

193. М. Yamaguchi, A Yamamoto, М Kondo Blue electroluminescence from ZnSe diodes, // J, Appl. Phys. v.48, p. 196, 1977

194. T. Nirk, M. Norges, J. Varvas. Temperature Conductivity of CdSe and ZnSe in Selenium Atmosphere. // Phys. Stat. Sol. (a), 10, K27, 1972

195. P. W. Yu, Y.S.Park, p-type conductivity in undoped ZnSe, //Appl. Phys. Lett. 22, 8, p. 345-346, 1973

196. Bontemps A., Campinsano S.H., Foti G.// Laser annealing of Bi-implanted ZnSe Appl. Phys. Lett. 36, 7, p 542-544, 1980

197. Левченко B.M. Об активации смещений при релаксации электронных возбуждений в твердых телах.// Физика твердого тела, т.11, №3,стр 799-801,1969

198. В. Л. Винецкий Г.А., Холодарь. Радиационная физика полупроводников//, Киев, Наукова думка, 1979 г., с 325.

199. Yunusov U.S. Zaikovskaya М.Е. Subthreshold defect production in silicon. //Phys. Stat. Sol (a), v. 35, №2, p 145-149,1976

200. Двуреченский А.В.,Качурин P.A., Нидаев Е.В., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов.// М. Наука, 1982. с 342

201. Штырьков Е.И., Хайбулин И.В., Зарипов М.М и др. О механизме лазерного отжига имплантированных слоев. //В кн. Международное рабочее совещание по ионному легированию полупроводников, Будапешт, 3-20, Октябрь, 1976.

202. Герасименко H.H., Двуреченский А.В, Качурин Г.А. и др. Радиационный отжиг дефектов, образующихся при бомбардировке кристаллов ионами. -// ФТП, 1972, т. 6, вып. 9, с. 1834-183.

203. Eisen F.H., Laser and electron beam annealing of GaAs:In. Laser and electron beam processing of materials. //Acad. Press. 1980, p. 309-311

204. Eirad Davis, J. P. Lorenzo, T.G.Ryan Appl. Phys. Lett. 37, 7, p 612-615, 1980

205. Кив A.E., Малкин A.A., Янчук В.А. Подпороговый механизм дефектообра-зования при сверхплотном возбуждении электронной подсистемы кристалла. //ФТП, 1974, 8, №6, с. 1194-1196.

206. Балычев И.П., Вайсбурд Д.И. Два механизма хрупкого разрушения ионных кристаллов интенсивными электронными пучками. -// ФТТ 1975, т. 17, вып. 4, с. 1236-1208.

207. Якубович Н.И. Модификация электрофизических и оптических свойств монокристаллических слоев селенида цинка, облученных пучками высоких энергий. //Автореферат диссертации на соискание ученой степени к.ф.м.н. Томск 1987.

208. Greenwald A.C., Kirpatrick A. R., Litle R.G. Pulsced elecktron -beam annealing of ion implantation damage.// J. Appl. Phys. 50, p. 783-785, 1979.

209. Красавина M.E., Крюкова И.В. Процессы деградации в лазерах с электронным возбуждением на основе CdS. //Тез. Докл. IV Всесоюзн. Совещ. «Физика, химия и техническое применение полупроводников», Киев, Наукова думка, 1976, Т.2, с. 121.

210. Tews N., Venghaus H., Dean p J. Excited states of shallow acceptors in ZnSe. -//Phys. Rev. В., 1979, v 19, № 10, p.5178.

211. У.А.Аминов, А.Н.Георгобиани, А.А.Галаев, Б.Т.Эльтазаров, Электролюминесценция и электрические характеристики структур на основе ZnSe, полученных в результате ионной имплантации кислорода, //Краткие сообщения по физике, 1996, № 11-12,29-35.

212. RJ.Robinson, Z.K.Kun, р-п Junction of Sulfoselenid-Zinc Selenide light em-mitting diodes, //Appl.Phys.Lett., 1975, 27, 1, 74-76.

213. T.V.Butkhuzi, A.N.Georgobiani, B.T.Eltazarov, T.G.Khulordava, M.B.Kotljarevsky, Blue light emitting diodes on the base of ZnSe single crystals, //Journ. Cryst. Growth, 1992, v.117, № 1-4, p.1055-1058.

214. A.H. Георгобиани, М.Б. Котляревский М.Б., B.B. Ластовка, Левонович Б.Н. Высокая подвижность в селениде цинка, ионно-легированном большими дозами индия. //Краткие сообщения по физике, 1983, № 7, стр 23-27.

215. А.Берг, П.Дин, Светодиоды, //Москва, Мир, 1979, 686 с.

216. Hua J.L., Petty M.G., Roberts G.G. //Electron. Lett. 1987 v.23, №5, p.234

217. Зи С. Физика полупроводниковых приборов //М. Мир, 1984 г., т.1, с. 455

218. Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Левонович Б.Н., Сердюк Н.В. Электролюминесцентные характеристики светодиодов на основе ZnSe, //Физика и техника полупроводников, т. 18, № 3 стр. 408-411, 1984

219. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н, Илюхина З.П., Левонович Б.Н. Н.В. Сердюк О получении слоев ZnSe с дырочной проводимостью. //Краткие сообщения по физике № 8, 1983, стр. 22-26.

220. G.Shimaoka. Polimorphic structure in evaporated CdS films. //Thin Solis Films, 1976, v.32, N2. P346-348.

221. Шалимова КВ., Дмитриев B.A., Рогге K.A., Баранов АЛ. Влияние отклонения от стехиометрии на кристаллическую структуру слоев CdSe .-// Кристаллография, 1970,т. 15,№2,с.342.

222. Daweritz L. Stoichioetri and phase composition of vacuum deposited films of A2B6 compounds. -// J. Cryst. Growth, 1974, v23, N2, p307-309.

223. Калинкин И., Сергеева Л.А., Алесковский В.В., Страхов Л.П. Электронографическое исследование структуры монокристаллических пленок селенида кадмия.// -Кристаллография, 1963, т. 8, №3, с. 459-433.

224. Угай Я.А.Введение в химию полупроводников. М.Высшая школа, 1965.

225. Григорьев О.Н., Ильчишин З.А., Клочков В.П., Горчук Н.М. О кристаллической структуре электролюминесцируюших пленок селенида цинка .-//Изв.АНСССР, сер.Неорг.мат., 1970, т.6, №9, с. 1561-1563.

226. Шалимова К.В., Дмитриев В.А. Изменение типа стабильной структуры в ряду соединений АпВУ1.-//Кристаллография,1972,т.17, №3, с.541-549.

227. Сысоев Л.С. Дрощенко A.A. Влияние кристаллогеометрических параметров на устойчивость сфалеритных и вюрцитных структур // Кристаллография, 1971, т16, №5,с.1026-1028.

228. Lawaetz P. Stabiliry of Wurtzite Structure. //Phys.Rev., 1972, 5B, N10, p4039-4043.

229. Семилетов C.A. Электронографическое исследование структуры тон ких слоез сульфида, селенида и теллурида кадмия.-//Кристаллогра фия ,1956,т.1, №2, с.306-309.

230. Williams P.W., Yoffe A.D. The wurtzite zineblende Phase Transformation in irradiated zine selenide. //Philos. Mag., 1972, v25, № 1 , p247-250

231. Banton G.V., Day S.C.M. Epitaxial thin films of ZnS and GaAs prepared by R.F. Sputtering on NaCl Substrates. //Thin Solid Films, 1972, V10, N1, pi 1.

232. Атакова М.М., Ивлева О.М., Рамазанов П.Е. Структура эпитаксиальных пленок ZnS на GaAs. //Изв.ВУЗов, сер.:Физика,1972,т.7, №1, с.134-137.

233. Якунин А.Я., Штамбур И.В., Кушнир А.С., Омельченко С.Н., Хоришко С.П. Исследование дефектов решетки в монокристаллах ZnS .-В сб. Проблемы физики соединений АПВУ1.: //Тез. докл. III Всес. совещ. по физике соединений АпВУ1.Вильнюс,1972,т.2,с.278-279.

234. Хольт Д.В. Межзеренные границы в структуре сфалерита. В сб. Дефекты в кристаллах полупроводников,.//Мир, 1969,с.119.

235. Коломийцев Ф.И., Гребенюк Г.Ч., Хинев Н.Н., Столяренко А.Н. Влияние магнитных полей на структуру и оптические свойства элект ролюминофоров. -//Оптика и спектроскопия,1972,т.32,с.564-567.

236. Вергунас О.И., Янин Э.М., Савина А.З., Одолис М.Н., Бондарев З.И. Анизотропия электролюминесценции в пленках кубической модифи кации, активированных Си. //Кристаллография, 1972, т. 17, №5, с.630.

237. Gilles J.M., I.Van Cahenberghe. Photoconductivity and crystals size in evaporated layers of cadmium sulphide. //Nature, 1958, V182. N5, p.862-863.

238. Vecht A., Apling A. A New Method of Recrystallizing CdS. Thin Films. //Phys.Stat.Sol, 1963, V3, N6, p. 1238 1240.

239. Kazmerski L.L., Sheldon P., Yreland P.Y. The effect of grain boundary on the performance of Thin Films Photovoltaic Devices. -// Thin Solid Films, 1979, V58, N1, p95-99.

240. Fanzenbruch A.L. II-VI Compounds in solar energy conversion. -//Y.Cryst.Growth, 1977, V39, N1, p.77

241. Neelkanth G. Direre, Nalin R. Parik, A. Ferreira. The effect of deposition rate and evaporant non-stoichiometry on the semiconducting properties of cadmium selenide films. //Thin Solid Films, 1976, v36, N1, pi33-136.

242. Hamersky Y. The influence of the source and substrate materials and the residualatmosphere during deposition on the specific resistance of cadmium selenice thin films. //Thin Solid Films, 1977, V44, N2, p277-284.

243. Калинкин И.П., Гордон И.Н., Денисова A.T. Кинетика роста и кристаллическая структуры пленок селенида кадмия при вакуумной конденсации.-// Кристаллография, 1979, т.24, вып.2, с.343-349.

244. Yawalekar S.R., Rao М.К. Photocunductivity in evaporated CdSe films. -//Ynt.Y.Electronics, 1979, V47, N5, p. 483 485.

245. Бертулис К.П., Ясутис B.B., Станкевичюс H.B., Толутис В.В. Влияние подслоев серебра и меди на образование пленок CdTe.- // В сб. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. Наука, 1977,ч.2,с. 146149.

246. Addis R.R 10 //National Symphosium on Vacuum Technology Transactions, 1963, p.354-363.

247. Neelkanth G.Dhere, Nalin R.Parikh, A. Ferreira. The Structure and Semiconducting Properties of cadmium selenide films. //Thin Solid Films, 1977, V44, N1, P.83-91.

248. Herring C., De Sutter W., Fousdeux A., Terao N. Effect of Random Inhomoge-neitieson Electrical and Galvanomagnetic Measurements. //Y.Appl. Phys., 1960, V31, N3, p 1939 1943.

249. Fraas L.M., Bleha W.P., Bracts P. Recristallzation of thermally evaporated CdS films via an H2S Heat-treatment process. -// Y.Appl. Phys., 1975. V46.N2.P491-495.

250. Srivastava R.S., Prakach K. Recristallization of vacuum deposited ultrathin CdS films by the H2S heat-treatment process. -// Y.Appl.Phys., 1972, V50, N 11, p. 7245 -7245.

251. Wilson J.I., Woods Y. The electrical properties if the evaporated films of cadmium sulphide. -// Y.Phys.Chem.Solids, 1973, V34, p.171 181.

252. Shepherd F.R., Nontwich H., Westwood W.D., S.Y. Yangrey. Effect of thermal annealing of thin film transistors processed by photoengraving //Y.Vac.Sci.Technol., 1989, V18,Nl,p. 485-488.

253. Berger H., Gutsche E., Kahlew. Electronen Microskopische Untersuchungen an CdS un CdSe //Aufdumptschiechten — Phys.Stat.Sde. 1964, V7, p. 679-684.

254. Kahle w, Berger H. Recristallization of cadmium Sulphide Films. -//Phys.Stat.SdE (a), 1970, vl3. P 717-723.

255. Кузнецов Г.Ф. Дефекты структуры пленок соединений А^^./АВ сб. Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск, Наука, 1973 с.24-37.

256. Shicalgar A.G., Pawar S.H. Photoconducting properties of cadmium sulflde-lithium films, formed by the chemical bath deposition method. //Thin Solid Films, 1979, V61, N3, p.313-320.

257. Romeo N., Berveglieri G.S., L.Tarricone. Grouth and Properties of low Resistyv-ity CdS Films. //Thin Solid Films, 1978, V55, N3, P.413-419.

258. Poraga Z. Chabowska E. Thin Solid Films, 1980m, L55, p. 66-67.

259. Эпштейн Э.М. Об одном возможном механизме возникновения поликристаллической структуры в полупроводниках.- //ФТТ, 1981, т.23, №8, с. 23342336.

260. Эпштейн Э.М. О механизме возникновения поликристаллической структуры в полупроводниках.- //Физ. и техн. полупроводников, 1982, т.16, № 5, с. 861864.

261. Yankowska A., Lepec М. Electron microscopy investigations of Mn-doped CdS polycrystalline thin films. -//Thin Solid Films, 1980, L5, p.67 -71.

262. Гальперин Ю.С, Эфрос A.JI. Электронные свойства конденсированных полупроводников с коррелированным распределением примесей.,//1972, в.6, 10811088.

263. Gossik B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neu-trons.//J. Appl. Phys, 1959, v30, No 6, 1214-1218.

264. Bartolotti M, Papa T, Sette D, Vitali G. Evidence for Damage Regions in Si, GaAs and InSb Semiconductors Bombarded by high energy Neutrons.// J. Appl. Phys., 1967, v 38, No 12, p.2645-2647.

265. Dyakonov N.I., Efros A.L., Mitchell D.L. Magnetic Freeze out of electrons in Semiconductors. //Phys. Rev., 1969, v 180, No 5, p.813-817

266. Шик А.Я. Электронные свойства неоднородных полупроводников. //Диссертация на соискание ученой степени докт.физ.-мат.наук. Ленинград, I960, с. 12-147.

267. Буль А.Я., Шик А.Я. Долговременные релаксации проводимости в провод-никах.П. Экспериментальное исследование долговременных релаксаций в анти-мониде индия. //ФТП, 1974, т.8, в. 10,с. 1952-1959.

268. Шик А.Я. Статистика носителей и термические релаксации в неоднородных полупроводниках. //ЖЭТФ, 1976, т.71 , №7, с .1159-1165.

269. Vull A., Shik A. On the Physical Nature of the long Period Conductivity Relaxation in GaSb. //Solid State Comm., 1973, v 13, No 5., pl049-1051.

270. Шик А.Я., Вуль А.Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках. //ФТП, 1974, т.8, в.9, с. I675.-I682.

271. Bonch-Bruevich V.L, Landsberg E.G., Recombination Mechanisms. //Phys.Stat.Sol., 1968, v 29, No 9-43.

272. Бонч-Бруевич В.Л. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников. //В сб. Электронные явления в некристаллических полупроводниках. Л.Наука. 1976,с. 16-22.

273. Ткач К.Я. Фотопроводимость аморфного полупроводника в модели ис-. кривленных зон.// РТП,1975,т.9,в.6,с.1071-1075.

274. Шик А.Я. Фотопроводимость случайно-неоднородных полупроводников. //ЖЭТФ. 1975, Т.68, №9, с. 1859 1867.

275. Iseler G.W., Strauss A.J. Kinetics of Electron Transfer between Conduction Band and Sulfur Donor in GaSb. //Bull.Amer. Phys.Soc., 1967, vl2, No 3, p.404-407.

276. Adachi E. Slow Conductivity Relaxation in bulk Germanium Conteining Oxygen. //J. Phys.Chem.Solids, 1967, v28,No 11, pl821-1829.

277. Craford M.G., Stillman G.E., Rossi J.A., Holonjak N. Effect of the and S Donor Levels on the properties of GaAsP near the direct — Inderect Transition. //Phys.Rev., 1969, v 168, No 5, p867-882.

278. Вуль А.Я., Голубев Л.З., Шаронова Л.В., Шмарцев. Релаксация проводимости в антимониде галлия п -типа, легированном серой. //ФТП, 1970,т.4,в./2, с-2347-2352.

279. Архипов А.Н., Ждан А.Г., Мессерер М.А., Сандомирский З.Е. Тензочувст-вительность полупроводниковых пленок CdS,содержащих межгранульные барьеры. //ФТП, 1974,т.8, в.6, с.1030-1032.

280. Архипов А.Н., Ждан А.Г., Мессерер М.А., Сандомирский З.Е. Тензочувст-вительность полупроводниковых пленок CdS,содержащих межгранульные барьеры. //ФТП, 1974,т.8, в.6, с.1030-1032.

281. Шкловский Е.И., Эфрос A.JI. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред. //УФН, 1975,т.И7, №3,с.401-435.

282. Буль А .Я., Набиев Ш.И., Шик А.Я. О температурной зависимости удельного сопротивления в неоднородных полупроводниках. -//ФТП, 1977,т.П, в.3,с.506-510.

283. Шик A.JI. Кинетические явления в неоднородных полупроводниках// В сб. Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях. Кишинев. Штиинца,1979, с.22-40.

284. Klier Е., Kuzer R., Pasternak J. Effect of Preleminary Illumination on the Conductivity and Photoconductivity of Cu20. //Czechosl J. Phys., 1955, v5, No 3, p421-424.

285. Iseler G.W., Kafalas J.A., strauss A.J., MacMillan N.F., Bube R.H. Non-R Donor Levels and Kinetics of Electron Transfer in n- type CdTe.//Solid State Comm., 1972, v 10, No 5, p619-622/

286. Панов З.П., Полежаев И.И., Сизова Т.Д. Температурная зависимость проводимости пленок CdS, обладающих свойствами остаточной про водимости. //ФТП, 1976,т. 10,в. Ю,с.2011-2013.

287. Дидковский А.П., Матлак В.В., Куц З.И., Киврич В.Ю. Об аномальных фото- и темновой проводимости в полуизолирующем CdTe . //ФТП, 1976, т. 10, в. 12, с.2349 - 2351.

288. Каваляускене Г. С, Ринкявичюс B.C., Степанкявичене В. О неравно весной природе максимума температурной зависимости электропроводности монокристаллов тригонального селена. .//Лит.физич.сб., 1978,т.18,8.4,с.403-497.

289. Константинова Е., Кынев С.К. К особенностям температурной за висимости CdS с донорными и акцепторными примесями. //ФТП,1973,т.7,в.7,с.1033-1037.

290. Мессерер М.А., Ждан А.Г., Хренов З.П., Абдиев С. Замороженная /остаточная/проводимость в пленках сульфида и селенида кадмия //.Микроэлектроника, 1974, т.З, №4.с.424-428.

291. Кропман Д.И., Шейнкман М.К. Аномальная температурная зависимость темновой проводимости в пленках CdS/Cu,Cl/./AI>TII,1975,T.9,B.4.c.777-779.

292. Сенокосов В.А., Усатый А.Н. Остаточная проводимость в слоях теллурида цинка. //ФТП, 1979, т. 13, в.2, с.395-401.

293. Винецкий B.JL, Шейнкман М.К., Ясковец И.И. О природе аномальной температурной зависимости темновой проводимости полупроводников.

294. ФТП, 1976,т.10,в.8,с. 1535-1539.

295. Сандомирский В.Е.,Ждан А.Г.,Мессерер М. А., Гуляев И.Е. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупроводников. // ФТП, 1973, т.7,вып.7,с.1314-1323.

296. Маркевич И.Б., Шейнкман М.К. Свойства и механизм остаточной про водимости в монокристаллах CdS:Ag:Cl. //ФТП,1970, т.4,вып.12, с.3133-3140

297. Рыбкин С.И., Шлимак JI.C. Экспериментальное доказательство применимости модели "искривленных.зон" к аморфному полупроводнику. //В сб."Электронные явления в некристаллических полупроводниках". Л.Наука. 1976,с.203-211.

298. Шик А.Я. Особенности фотоэлектрических и кинетических явленийв неоднородных полупроводниках. //Материалы зимней школы по физике полупроводников. Ш. Л. 1975,с.497-509.

299. Шик А.Я. К теории остаточной проводимости в неоднородных полупроводниках.//ФТП,1977,т.И,в.4,с.777-779.

300. Вуль А.Я.,Набиев Ш.И., Шик А.Я. Температурное гашение остаточной проводимости в CdSe(S) . //ФТП, 1977,т.П,в.И,с.2058-205.

301. Nicoll F.N. Properties of a single- Element Light Amplifier Using Sintered Cadmium Selenide Photoconductive Material.// RCA Rev.,v 20, No 5, p658-669.

302. Shah J., Yacoby Y. Electrical and Optical Enhancement of Photoconductivity in Semi- Insulating GaAs.// Phys.Rev., 1968, v 174, No 6, p932-937.

303. Вищакас Т. К., Каваляускене Г. С., Михалкявичус М. П., Ринкявичус B.C. Фотопроводимсть монокристаллов тригонального селена. //Лит.физич. сб. 1972,т.12,№6, с.799-813.

304. Гольдман А.Г., Пышный М.М. Значение стимулированного состояния для фотопроводимости и электролюминесценции при низких температурах. //В сб."Электролюминесценция твердых тел и ее применение" Киев. Наукова думка. 1972,с.278-283.

305. Добрего В.П. Модель остаточной проводимости.// Арсенид галлия. Ш, 1974, т.8, вып 10,с.2015-2017.

306. Шлимак И.С. Электрические и фотоэлектрические явления в сильно легированных и компенсированных полупроводниках. // Материалы 7 зимней школы по физике полупроводников. ФТИ. Л.1975,с.510-538.

307. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Эффекты фотоэлектрической памяти в р -CdSe, //ФТП, 1975,т.9,в.12,с. 2135-2138.

308. Гольдман А.Г., Пышный М.М., Теслев А.Н. Память и фотопроводимость поликристаллического селенида кадмия при 77 и 300 К. //ДАН СССР, 1972, т. 203, №2, с. 325-328.

309. Kolomiets В.Т., Lyabin V.M. Photoelectric Phenomena in Amorphous Chaloge-nide Glasses. //Phys.Stat.Sol.(a), 1974, v 24, No 2, p275-283.

310. Добрего В.П. Расчет кинетики спада фотопроводимости при наличии коллективных рекомбинационных барьеров. //ФТП, 1975, т. 9, в. 12, с. 2079 -2083.

311. Агринская Н.З., Алексеенко М.В., Аркадьева Е.Н., Матвеев 0. А., Прокофьев С.З. Особенности поведения хлора в сильно легированных кристаллах CdTe . //ФТП,1975,т.9,в. 2,с.320-324.

312. Funs W., Meyer D. Recombination in Amorphous Arsenic Triselenide. //Phys.Stat.Sol.(a). 1974, v24.No 2, p275-283.

313. Гольдман А.Г., Пышный М.М. Температурная зависимость стимулированного и нестимулированного тока в поликристаллическом селениде кадмия при 77-273К. //ДАН СССР,1970,т.193,№1,с.65-68.

314. Гольдман А.Г. Полупроводниковая память /стимулированная проводимость/ у кристаллических полупроводников. //В сб."Электролюминесценция твердых тел и ее применение".Киев. Наукова думка.

315. Карпович И.А, Звонков Е.Н, Ризаханов М.А. Явление остаточной проводимости в пленках CdSe . //ФТТ, 1970, т.12,№ 11,с.2220-2223.

316. Бродин М.С, Борщ А.А, Крупа Н.Н. О наблюдении остаточной проводимости в кристаллах типа CdS, возникающей под действием излучения рубинового лазера. //ФТП,1973,т.7,в.2,с.390-391.

317. Сытенко Т.Н. Тягульский И.П. Остаточная проводимость в эпитаксиальных пленках арсенида галлия.//ФТП, 1974,т.8,в.1,с.171-174.

318. Дыхне A.M. О вычислении кинетических коэффициентов сред со случайными неоднородностями. //ЖЭТФ, 1967, т.52, №2, с.264-266.

319. Herring С. Effect of Random Inhomogenities on Electrical and Galvanomagnetic Measurments .//J.Appl. Phys.,1960, v.31, No3, pl939.

320. Винецкий B.JI, Кухтарев H.B. К теории подвижности, эффекта Холла и магнетосопротивления в неоднородном полупроводнике в слабых "неомических" полях. //ФТП,1972,т.6,в.6,с. 1029-1033.

321. Juretschke H.J, Landauer R,Swanson J.A,Hall Effect and Conductivity in Porous Media. //J.Appl. Phys.,1956, v.27, Nol, p838-839/

322. Volger J. Note on the Hall Potential across an Inhomogeneous Conductor. //Phys.Rev, 1950,v79,No4,p 1023-1024.

323. Blount G.H, Bube R.H,Robinson A.L, Interpretation of Equilibrium and study-State Hall and Thermoelectric Effects in Inhomogeneous Conductor. //Phys.Rev, 1950, v 41, No 4, p2190-2195

324. Lipskis K,Sakalas A,Viscakas J. On the Interpretation of the Hall and Thermoelectric Effects in Policrystalline Films.// Phys.Stat.Sol.(a) 1971, v 35, k217-k220.

325. Вищакас Ю.К, Липскис K.K, Сакалас А.П. Об интерпретации эффектов Холла и термо э.д.с. в поликристаллических пленках. //Лит.физич. сб, 1971 ,т.П,№5,с.799-805.

326. Heleskivi J, Salot. On the Hall Voltage in an Inhomogeneous Material. //J.Appl.Phys, 1972, v 43, p740-742.

327. Медейшис А.С., Вищакас Ю.К. Анализ эффекта Холла в ческих веществах.// Лит.физич.сб.,1974,т.14,№6,с.991-999.

328. Mathew M.G., Mendelson K.S. Hall Effect in the "Composite Sphere" Material. //J.Appl.Phys.,1974, v 45, No6, p4370-4372.

329. Шик А.Я. Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводниках. //Письма в ЖЭТФД974, т.20,№1,с.14-16.

330. Espeviks., WuC., Bube R., Mechanism of Photoconductivity in Chemically Deposited Lead Sulphide Layers. //J.Appl.Phys., 1971, v 42, No 5, p3513-3529

331. Seto Y.W. The Electrical Properties of Policrystalline Silicon Films. //J. Appl. Phys., 1975, v46, No7 p. 5247-5254

332. Кривов M.A., Малянов C.3., Мелев З.Г. Аномальная холловская подвижность в арсениде галлия. //ФТП,1974,т.8,в.З,с.430-433.

333. Багочюнайте Р.И., Пожела Ю.К.,Скучас Ю.П., Скучене А.Л. , Шимулите Е.А. Исследование электропроводности пленок CdTe, легированных Cd. //Лит.физич.сб., 1972, т.12, №б,с.961-969.

334. Вавилов B.C., Идалбаев A.M., Курова И.А., Энрикас А. О темературной зависимости холловской подвижности в компенсированном германии . //ФТП, 1980, т. 14,в. 2, с. 407-409;

335. Snejdar V., Jerhot J. Electrical Conductivity and Hall Mobility of Policrystalline Semiconductors. //Praha. Academia. 1979

336. Kuznicki Z.T. Analog electrical model of polycrystalline thin films of cadmium selenide.- //Electron Technology 1976 No9 , No 8 p 79-107.

337. Viscakas J.,Kavaliauskiene G.,Rinkevicius V., Michalkevicius M. Theoretical Approach to Barrier Caused Phenomena in Trigonal Selenium Single Crystals.//Acta Phys., Polon, 1974, A 45.p. 639-652

338. Шик А.Я. Подвижность неравновесных носителей в неоднородных полупроводниках. //ФТПД976,т.Ю, №.6,c.l 115-1118.

339. Кропман Д.И., Шейнкман М.К., Шик А.Я. Кинетические явления в поликристаллических пленках CdS:Cu:Cl с остаточной проводимостью //Укр.физ.журн., 1976,т. 21,№10, с. 1798-1602.

340. Кукк П.JI. Комплексный метод определения схемы и энергии акти вации образования дефектов в полупроводниках А2В6 . -// Изв.АН СССР сер. Неорг. матер., 1980, т. 16, № 9, с. I509-I5I3.

341. Boyn R., Goede 0. and Kuschnerus S. Incorporation of Cd-in-terstitiul doble donors into CdS single crystals. //Phys. Stat.Sol., 1965, v. 12, N1, p.p. 57-70.

342. Бочков Ю.В., Левит А.Д., Е.И. Левонович Б.Н. Паносюк, Н.В.Сердюк О возможности выращивания кристаллов ZnSe с дырочной проводимостью. //Краткие сообщения по физике № 7,1983, стр. 42-45

343. Yanuskevicus Z. Sakalas A., Viscakas J. The investigation of Photo-Hall Effect under Illumination on by Light Impurity Absorbtion region.-// Phys. Stat. Sol(a), 1971 v 4 Nol p 305-310

344. Лашкарев Б.Е., Любченко A.3., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев. Наукова думка. 1981.

345. Bartolotti М., Papa Т., Sette D., Vitali G. Evidence for Damage Regions in Si, GaAs and InSb Semiconductors Bombarded by high energy Neutrons.// J. Appl. Phys., 1967, v 38, No 12, p.2645-2647.

346. Espeviks., Wu C., Bube R., Mechanism of Photoconductivity in Chemically Deposited Lead Sulphide Layers. //J.Appl.Phys., 1971, v 42, No 5, p3513-3529

347. Seto Y.W. The Electrical Properties of Policrystalline Silicon Films.// J. Appl. Phys., 1975, v46, No7 p. 5247-5254

348. Orton J.W. Powell M.J. The Hall Effect in polycrystalline and powdered semiconductors. -// Rep., Prog . Phys. 1980 v 43 Nol 1 p. 1263-1307

349. Orton J.W. Goldsmith B.J., Chapman J.A. Powell M .J. The mechanism of photoconductivity in polycrystalline cadmium sulphide layers.- //J. Appl. Phys., 1982 v.53, №3, p. 1602-1614.

350. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.Мир, 1982, т.1, с.51-63.

351. Шкловский Б.Н. Прыжковая проводимость сильно легированных полупро-водников.//ФТП, 1973, т.7, в.1, с.112.

352. ЗбЗ.Забродский А.Г. Прыжковая проводимость и ход плотности локализованных состояний в окрестностях уровня Ферми.// ФТП,1977,т.П, в.З, с. 595-598.458i)

353. Landauer R. The Electrical Resistance of Binary Metallic Mixtures.-// J.AppT Phys. 1952, v. 23, №1, p.779-784.

354. Кобка В.Г., Кошренко Р.П., Корнюшин Ю.В., Медведев Ю.П., Третяк 0.3. Об электропроводности поликристаллических полупроводников. //ФТП, 1982,т. 16, вып. 2, с. 2176-2178.

355. Осипов В.З.,Фойгель М.Г., Фотопроводимость сильно легированных компенсированных полупроводников. //ФТП, 1982,т.16,в.2,с.2022-2028.

356. В.М. Иевлев, Л.И. Трусов, В.А. Холмянский. Структурные превращения в тонких пленках.// Москва, Металлургия, 1988 г.

357. Аверичкин П.А., Левонович Б. Н., Пархоменко Ю.Н.Шленский А. А. Шматов H.H. Способ изготовления кварцевых контейнеров //Патент на изобретение №2 370 568 от 20.10.2009 г., Бюл. № 29

358. Аверичкин П. А., Кальнов В. А., Кожухова Е. А., Левонович Б. Н., Маншев Ю. П. Пархоменко Ю.Н. Шевчук С. Л. Шленский A.A. Способ получения угле-родосодержащих покрытий.// //Патент на изобретение № 2374358 от 27.11.2009, Бюл. № 33

359. Ребров М.Ю., Бублик В.Т., Теплицкий В.А. Период решетки монокристаллов CdS, выращенные при различных давлениях паров собственных компонентов.// Доклады АН СССР, 1989, т.307 №3 с. 1108 -1111

360. Бублик В.Т., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Природа и поведение то7 гчечных дефектов в соединениях A B // Известия Вузов, сер. Физика, 1980, №1 с.7-22

361. Ребров М.Ю., Теплицкий В.А, Бублик В.Т. Влияние структуры затравки и условий выращивания монокристаллов сульфида кадмия на характер образования и поведения малоугловых границ.// Доклады АН СССР, 1989, т.307 №5 с. 597 -600

362. Кудряшов Н.И. Нестехиометрия сульфида кадмия//: Дисс.канд. хим.наук. М.,1989, с. 152.