Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Алалыкин, Александр Сергеевич

• Алалыкин, Александр Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Алалыкин, Александр Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ИОНАМИ РАЗЛИЧНЫХ ЭНЕРГИЙ НА ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРУ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1.1 Основные процессы, происходящие в твердом теле под действием ионов 1.1.1 Взаимодействие ионов с твердым телом, радиационные дефекты

1.1.2 Пробеги ионов в твердых телах

1.1.3 Распыление

1.1.4 Ионная имплантация и перемешивание под действием ионной бомбардировки

1.2 Топология поверхности и структура облученного GaAs 22 1.2.1 Перераспределение дислокаций в GaAs при облучении ионами

1.3 Влияние облучения на оптические и электрофизические свойства облученного GaAs

1.3.1 Энергетический спектр облученного GaAs

1.3.2 Электрические свойства

1.3.3 Оптические свойства

1.3.4 Фотоэлектрические свойства

1.4 Эффекты дальнодействия

1.4.1 Экспериментальные результаты обнаружения эффекта дальнодействия

1.4.2 Диффузионная модель эффекта дальнодействия

1.4.3 Модель упругих волн

1.4.4 Модель волны переключения

1.4.5 Модель переноса энергии

1.4.6 Другие механизмы

Выводы к первой главе и постановка задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ПРОВЕДЕНИЯ ОБРАБОТКИ И ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1 Подготовка и обработка образцов

2.2 Методы исследований

2.2.1 Оже - электронная спектроскопия

2.2.2 Метод определения коэффициента отражения в ближней

ИК и видимой области

2.2.3 Эллипсометрия

2.2.4 Бесконтактный ВЧ-емкостной метод измерения спектральной зависимости фотопроводимости

2.2.5 Структурно-аналитическая теория прочности

ГЛАВА 3. ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА,

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ОБЛУЧЕННОГО ИОНАМИ АРГОНА НИЗКИХ ЭНЕРГИЙ

3.1 Перераспределение основных компонент GaAs после облучения. Распределение дефектов по глубине

3.2 Эллипсометрические, оптические и фотоэлектрические свойства облученного арсенида галлия

Выводы к третьей главе

ГЛАВА 4. ДИФФУЗИОННАЯ КИНЕТИКА ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ 98 4.1 Кинетические коэффициенты упругого взаимодействия точечных дефектов

4.1.1 Упругое взаимодействие точечных дефектов

4.1.2 Упругое взаимодействие точечных дефектов с дислокацией

4.1.3 Эффективные сечения и скорость образования дивакансий и тривакансий. Сечения и скорость захвата вакансий и дивакансий дислокациями

4.2 Нелинейные уравнения диффузионной кинетики точечных дефектов. Устойчивость

4.3 Волновые решения диффузионной кинетики 119 Выводы к четвертой главе

ГЛАВА 5. КИНЕТИКА ДИСЛОКАЦИЙ В ДЕФОРМИРУЕМЫХ

ОБЛУЧЕННЫХ МАТЕРИАЛАХ

5.1 Расчет термоупругих и внутренних напряжений

5.2 Уравнения структурно-аналитической теории прочности расчета пластической деформации в облученных материалах. Плотность дислокаций. Численные расчеты

Выводы к пятой главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий»

В развитии новых технологий микро- и наноэлектроники необходимость анализа процессов дефектообразования и возможность управления этими процессами при ионной бомбардировке полупроводниковых материалов, и GaAs в частности, играет все более значимую роль. Ионное облучение, приводящее к перераспределению дефектов, может стать причиной, как деградации параметров полупроводников, так и использоваться для управления их свойствами. Возможность такого управления является основой развития нового научного направления физики полупроводников - defect engineering, базирующегося на управлении процессами дефектообразования.

Для понимания физических процессов, лежащих в основе такой модификации необходим комплексный подход к изучению всей дефектной структуры кристалла. Это приводит к необходимости учета нелинейной взаимосвязи диффузии радиационных дефектов и дислокационного течения кристалла.

Еще одной важной проблемой, связанной с изучением дефектной структуры ионно-имплантированных образцов, являются трудности в создании удовлетворительных ультра-мелких р-n переходов [1, 2]. Один из путей ее решения - применение ионных пучков малых энергий.

Все это особенно актуально в свете проблемы эффекта дальнодействия, когда изменение свойств материала наблюдается на расстояниях, в несколько порядков превышающих глубину проникновения ионов, в том числе и низкоэнергетичных.

С этих позиций важность анализа проблемы эффекта дальнодействия в GaAs и обуславливает выбор темы диссертационной работы.

Целью данной работы является исследование дальнодействующего влияния ионного облучения низких энергий на структурные, оптические и фотоэлектрические свойства арсенида галлия и построение физико-математической модели "эффекта дальнодействия".

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование структуры, состава, оптических и фотоэлектрических свойств сторон образцов GaAs при облучении ионами аргона с энергией до 5 кэВ.

2. Разработка физико-математической модели "эффекта дальнодействия" -формирование дефектной структуры ионно-облученного кристалла.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые:

1. Установлена пороговая зависимость характера отклонения от стехиометрии в приповерхностной области арсенида галлия от плотности потока низкоэнергетичных ионов.

2. Установлена корреляция между изменениями в структуре и составе приповерхностной области с перераспределением глубоко лежащих дислокаций и оптическими, и фотоэлектрическими свойствами обратной стороны образцов арсенида галлия, облученных ионами аргона низких энергий.

3. Проведен расчет кинетических коэффициентов образования дивакансий и тривакансий, сечений и скоростей захвата точечных дефектов дислокациями в диффузионном приближении с учетом упругого взаимодействия дефектов.

4. Найдено автомодельное решение кинетических уравнений переноса точечных дефектов с учетом кластеризации и захвата на дислокации в области генерации и за ней. Скорость автоволны в области генерации определяется скоростью генерации вакансий, за областью генерации скорость автоволны зависит от скорости неупругой деформации кристалла.

5. Применена структурно-аналитическая теория прочности для расчета дефектно-дислокационного течения кристалла GaAs при обработке ионами аргона низких энергий. Получено качественное согласие расчета плотности дислокаций в образце после ионного облучения с экспериментом.

Практическая значимость результатов работы

1. Проведенные в работе экспериментальные исследования процессов низкоэнергетичного ионного облучения существенны для оптимизации технологических режимов создания ультра-мелких р-n переходов.

2. Обнаруженный пороговый характер модификации структуры и свойств арсенида галлия в зависимости от величины ионного тока позволяет

•у выбрать неразрушающий режим травления (j=l мкА/см , Е=500 эВ) при послойном анализе элементного состава методами ОЭС, ВИМС и др.

3. Полученное согласие расчета дефектно-дислокационного изменения кристалла GaAs при обработке ионами аргона низких энергий с экспериментом может быть использовано для целенаправленной модификации арсенида галлия на больших глубинах.

4. Выполненные в работе теоретические расчеты скорости образования ди-и тривакансий с учетом упругого взаимодействия точечных дефектов могут быть применены для дальнейшего развития общей теории комплексообразования.

Защищаемые положения

1. Модификация структуры и состава поверхности монокристалла арсенида галлия при облучении ионами аргона низких энергий в зависимости от плотности ионного тока носит пороговый характер.

2. Превышение порога сопровождается отклонением от стехиометрии в приповерхностной области, перераспределением дислокаций на глубинах, значительно превышающих проекционный пробег ионов, изменением оптических и фотоэлектрических свойств тыльной стороны облученного арсенида галлия.

3. Решение кинетических уравнений распространения точечных дефектов с учетом кластеризации имеет вид автоволны. Скорость автоволны в области генерации определяется скоростью генерации вакансий, за областью генерации зависит от скорости неупругой деформации кристалла.

4. Дефектно-дислокационное течение кристалла GaAs при обработке ионами аргона низких энергий определяется автоволновым характером распространения точечных дефектов.

Публикации. По результатам выполненных исследований опубликовано 10 печатных работ.

Личный вклад автора

Диссертация является самостоятельной работой, обобщившей результаты, полученные лично автором и в соавторстве. Автором совместно с соавторами получены результаты по Оже-спектроскопии облучаемых сторон образцов арсенида галлия до и после облучения, эллипсометрии, определению спектральной зависимости коэффициента отражения в ближней инфракрасной и видимой области обоих сторон образцов до и после облучения.

Лично автором собрана установка по бесконтактному ВЧ-емкостному измерению спектральной зависимости фотопроводимости, получены результаты по измерениям спектральной зависимости фотопроводимости, перераспределению дислокаций облучаемых сторон образцов GaAs.

Диссертантом разработана физико-математическая модель эффекта дальнодействия, проведено теоретическое обоснование дальнодействующей миграции точечных дефектов в условиях комплексообразования, перераспределению дислокаций и взаимного влияния точечных дефектов и дислокаций. Найдены выражения для кинетических коэффициентов образования дивакансий и тривакансий, сечений и скоростей захвата точечных дефектов дислокациями в диффузионном приближении с учетом упругого взаимодействия дефектов. Цель работы и конкретные задачи экспериментальных исследований сформулированы научным руководителем

Крыловым П.Н. Обсуждение и интерпретация экспериментальных результатов проводилась совместно с научным руководителем и соавторами публикаций. Основные положения и выводы диссертационной работы сформулированы автором.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, списка цитируемой литературы и приложения. Работа изложена на 182 страницах машинописного текста, включая 38 рисунков и 5 таблиц. Список литературы содержит 171 наименование.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Алалыкин, Александр Сергеевич

Выводы к пятой главе

1. Получено аналитическое выражение для термоупругих напряжений, возникающих при облучении.

2. С помощью структурно-аналитической теории прочности построена система уравнений, описывающая развитие напряжений, создаваемых термоупругими и внутренними напряжениями.

3. Проведен численный анализ полученной системы уравнений при низкоэнергетичном ионном облучении GaAs. Показана возможность дальнодействующего распространения точечных дефектов. Получено распределение плотности дислокаций в образце после ионного облучения.

4. Дефектно-дислокационное течение кристалла GaAs при обработке ионами низких энергий определяется автоволновым характером распространения точечных дефектов. Термоупругие напряжения способны увеличивать скорость течения кристалла GaAs.

Заключение

1. Обнаружен пороговый характер отклонения от стехиометрии приповерхностной области GaAs, облученной ионами аргона низких энергий в зависимости от плотности ионного тока. Превышение порога сопровождается отклонением стехиометрии в приповерхностной области, перераспределением дислокаций на глубинах, значительно превышающих проекционный пробег ионов аргона в GaAs, а также изменением фотоэлектрических и оптических свойств тыльной стороны GaAs.

2. Определены выражения кинетических коэффициентов образования дивакансий и тривакансий, сечений и скоростей захвата точечных дефектов дислокациями в диффузионном приближении с учетом упругого взаимодействия дефектов.

3. Теоретически показано, что распространение точечных дефектов в условиях взаимной коагуляции и их распада имеет волновой характер. Скорость распространения на глубине проекционного пробега определяется скоростью генерации вакансий, за областью - скоростью неупругой деформации.

4. Дефектно-дислокационное течение в кристалле GaAs при обработке ионами низких энергий определяется автоволновым характером распространения точечных дефектов.

5. Проведен численный анализ системы уравнений точечных дефектов и общей системы уравнений, описывающих низкоэнергетичное ионное облучение. Показана возможность дальнодействующего распространения точечных дефектов. Получено распределение плотности дислокаций в образце после ионного облучения.

Автор считает своим долгом выразить благодарность Крылову П.Н., Федотовой И.В., Рацу Ю.В., Паршукову Л.И. за помощь в проведении экспериментов, неоднократные полезные дискуссии по вопросам, затронутым в настоящей диссертации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Алалыкин, Александр Сергеевич, 2004 год

1. Gyulai J. Some limitations of ion implantation. A review // Turk Fiz. Derg. -1990.-14, Suppl. № l.-C. 206-218.

2. Sealy B.J. Rapid thermal annealing of ion implanted semiconductors // Nucl. Phys. Appl. Mater. Sci.: Proc. NATO Adv. Sci. Inst., Viano do Castelo, Sept. 6- 18,1987.-Dordrecht etc., 1988.-C. 215-238.

3. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963.-264 с.

4. Бериш Р. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физическое распыление одноэлементных твердых тел. М.: Мир, 1984. - 336 с.

5. Келли Б. Радиационное повреждение твердых тел. М.: Атомиздат, 1970.-240 с.

6. Кашкаров П.К. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах // Соросовский образовательный журнал. Физика. 1999. -№1. - С. 105-112.

7. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела: Пер. с англ. М: Наука, 1978.-791 с.

8. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1981.-239 с.

9. Wenzl Н., Klaus М., Schroeder К. Gallium-arsenid: Kristallzucht, Kristallgitterdefekte und Kristalleigenschaften // Inst. Festkorperforsch. Kernforschungsanlage. Julich. IFF Bull. 1989. - №34. - C. 3 - 32.

10. Bourgoin J.C., von Bardeleben H.J., Stievenard D. Irradiation induced defects in III V semiconductor compounds // Wiss. Beitr. M. - Luther-univ. Halle-Wittenberg. - 1987, Reihe O, №23/1, Pt 1, C. PL14/1 - PL14/37.

11. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978. - 288 с.

12. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. - 368 с.

13. Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках // Точечные дефекты в твердых телах. Новости физики твердого тела. -М.: Мир, 1979. Вып.9. - С. 9 - 152.

14. Пономарев К.В., Коржавый П.А., Векилов Ю.Х. Распределение кремния по подрешеткам в полупроводниковых соединениях А3В5 // Физика твердого тела. 1997. - т. 39. - №2. - С. 264 - 266.

15. Бериш Р. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. И. -М.: Мир, 1986.-488 с.

16. Калбицер С., Эцманн X. Пробеги ионов и теории пробегов // Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. Новости физики твердого тела. М.: Мир, 1980. - вып. 10. - С. 65 - 91.

17. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М.: Мир, 1985. - 304 с.

18. Biersack J.P. Rapid calculations of high energy range distributions //Radiat. Eff. And Defects Solids. 1989. -110. -№1-2. - C. 161 - 162.

19. Буренков А.Ф. и др. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: БГУ, 1980.

20. Falcone G., Aiello D., Forlano L., Piperno F. The emerging depth in collicional sputtering // Phys. Lett. A. 1991. -160. - №2. - C. 189 - 192.

21. Сошников И.П., Берт H.A. Распыление A3B5 материалов (GaP, GaAs, GaSb, InP и InSb) при бомбардировке ионами N* с энергией 2-14 keV I I Журнал технической физики. 2000. - т.70. - №9. - С. 107 - 111.

22. Буравлев Ю.М., Горбань Э.М., Игнахина М.А. Распыление материалов AmBv под действием атомов водорода тепловых энергий // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Материалы VIII Всесоюзн. конф. 7-9 января 1987 г. М., 1987. - т. 1. - С. 77 - 79.

23. Fluit J.M., Roll Р.К., Kistemaker J. Journ. Appl. Phys. 1963. - 34. - C. 690.

24. Magnuson G.D., Carlston С. E. Journ. Appl. Phys. 1963. - 34. - C. 3267.

25. Shao Qi-yun., Huo Yu-kun, Chen Jian-xin, Wu Shi-ming Influence of the incidence angle of the ion bombardment on the sputtering parameters // Улиcio36ao=Acta Phys. Sin. 1991. - 40. - №4. - C. 659 - 666.

26. Максимов С.К. и др. Нарушение стехиометрии GaAs, InAs, InSb в процессе ионного легирования // V всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. 21-23 сентября 1982 г. Томск, 1982. - С. 66 - 68.

27. Стельмах В.Ф., Ткачев В.Д., Челядинский А.Р. Изменение периода решетки облученного нейтронами арсенида галлия в процессе отжига // Физика и техника полупроводников. 1976. - т. 10. - №10. - С. 1996 -1998.

28. Tyrrell G.C., Marshall D., Beckman J., Jackman R.B. Chemical routes to

29. GaAs etching witch low-energy ion beams // J. Phys.: Condens. Matter.1991. 3. Suppl. A. - C. S179 - S186.

30. Kosugi Т., Gamo К., Namba S., Aihara P. Ion beam assisted etching of GaAs by low-energy focused ion beam //J. Vac. Sci. and Technol. B. 1991. - 9. -№5. - C.2660 - 2663.

31. Эйзен Ф. Имплантация ионов в соединения AmBv // Ионнаяимплантация в полупроводники и другие материалы. Новости физики твердого тела. М.: Мир, 1980. - вып. 10. - С. 92 - 130.

32. Lu Z.H., Azelmad A., Trudeau Y., Yelon A. Damage profile of ion-implanted GaAs by x-ray photoelectron spectroscopy //Appl. Phys. Lett. 1989. - 55. -№9. - C. 846-848.

33. Павлов П.В., Зорин Е.И. Ионное легирование арсенида галлия // IV всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. 19-21 сентября 1978 г. Томск, 1978. - С. 14 - 16.

34. Haynes Т.Е., Holland O.W. Dose rate effects on damage formation in ion implanted gallium arsenide //Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 1991.- 59-60,Pt2.-C. 1028-1031.

35. Алтынов В.А., Дидык А.Ю. Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами. ОИЯИ., 2002. - 238 с. (Препринт ОИЯИ, №Р14).

36. Pearton S.J. and an. Implanted dopant-defect interactions in GaAs // Mater. Modif. And Growth Using Ion Beams: Symp., Anaheim, Calif., Apr. 21-23, 1987 Pittsburgh (Pa), 1987. - C. 59 - 65.

37. Берт H.A., Косогов A.O., Мусяхин Ю.Г. Образование рельефа при ионном распылении AlGaAs/GaAs гетероструктур // Письма в ЖТФ. -1991. - т. 17. - вып. 20. - С. 39 - 43.

38. Bachmann Т., Bartsch Н. The microstructure of short-time-annealed Se+-implanted GaAs //Nucl. Instrum. and Metch. Phys. Res. B. 1989. - 43.• №4. C. 529 - 534.

39. Tanemura H., Aoyama S., Fujimoto Y., Okuyama F. Structural and compositional analyses of cones formed on ion-sputtered GaAs surfaces // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 1991. - 61. - №4. - C. 451 - 456.

40. Mayer J.W., Eriksson L., Davies J.A. Ion implantation in semiconductors. -NY: Academic Press, 1970.

41. Bai G., Jamieson D.N., Nicolet M.A., Vreeland Т., (Jr) Defects annealing of Si+ implanted GaAs at RT and 100 °C // Mater. Modif. and Growth Using Ion Beams: Symp., Anaheim, Calif., Apr. 21 -23, 1987. Pittsburgh (Pa), 1987 - C. 67 - 72.

42. Кирхер Дж.Ф., Боуман P.E. Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем: Пер. с англ. М.: Атомиздат, 1967. - 428 с.

43. Камышанченко Н.В. и др. Кинетика дислокационных ансамблей в деформируемых облученных материалах // Физика твердого тела. -1998. т.40. - №9. - С. 1631- 1634.

44. Засимчук И.К. Об эффективности вакансионного механизма образования дислокаций в различных металлах и ее зависимости от условий роста монокристаллов // Металлофизика. 1981. - т.З. - №3. -С. 57-68.

45. Усков В.А., Краснов А.А., Иванов В.А. Образование дислокационных скоплений в арсениде галлия при облучении ионами аргона // VI всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Сборник трудов. 8-10 сентября 1987 г. Томск, 1987. - т.2. - С. 134.

46. Robinson H.G., Stevenson D.A., Peal M.D., Plummer J.D. Extended defects of ion-implanted GaAs // J. Appl. Phys. 1991. - 70. - №11. - C. 6790 -6795.

47. Закревский B.A., Шульдинер A.B. Взаимодействие дислокаций с радиационными дефектами в щелочно-галоидных кристаллах // Физика твердого тела. 2000. - т.42. - №2. - С. 263 - 266.

48. Островский И.В., Стебленко Л.П., Надточий А.Б. Влияние ультразвуковой обработки на подвижность коротких дислокаций в кристаллах кремния // Физика твердого тела. 2000. - т.42. - №3. - С. 478-481

49. Пятилетов Ю.С., Лопуга А.Д. Численный расчет скорости деформации твердых растворов внедрения под облучением. I. модель радиационной ползучести // Журнал технической физики. 1999. - т.69. - №1. - С. 64 -71.

50. Камышанченко Н.В. и др. Роль внутренних напряжений в локализации пластического течения облученных материалов // Письма в Журнал технической физики. 1999. - т.25. - №18. - С. 86 - 90.

51. Ланг Д. Радиационные дефекты в соединениях AniBv // Точечные дефекты в твердых телах. Новости физики твердого тела. М.: Мир, 1979. - вып.9. - С. 187 - 220.

52. Vaseashta A., Burton L.C. Observation of some new traps introduced by low-energy Ar+ ion bombardment on n-GaAs //Nucl. Instrum. and Math. Phys. Res. B. 1991. - 59 - 60, Pt 2. - C. 1023 - 1027.

53. Manasrch M.O., Fisher D.W. Noncreation of the EL2 defect in neutron-irradiated GaAs // Phys. Rev. B. 1989. - 40. - №8. - C. 5814 - 5816.

54. Емцев B.B., Машовец T.B. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. - 248 с.

55. Неклюдов И.М. и др. Изменение электрофизических свойств GaAs под воздействием высокоэнергетичного электронного облучения // Радиац. материалов.: Труды международной конференции., Алушта, 22 25 мая, 1990. - т.9. - Харьков, 1991.-С.91-99.

56. Вавилов Е.В. и др. Влияние температуры облучения на компенсацию проводимости n-GaAs радиационными дефектами // Изв. Вузов. Физика. 1989. -т.32. -№9. - С. 110-112.

57. Le Bloa A., Tran Quan Dang, Guennouni Z., Favennec P.N. Implantation d'oxygene et co-implantation d'oxygene et silicium, a faible dose, dans GaAs. I. Etude du phenomene de compensation // Rev. Phys. Appl. 1989. -24. -№10. -C. 973-982.

58. Le Bloa A., Tran Quan Dang, Guennouni Z., Favennec P.N. Implantation d'oxygene et co-implantation d'oxygene et silicium, a faible dose, dans

59. GaAs. II. Etude des defauts profonds // Rev. Phys. Appl. 1989. - 24. -№10.-C. 983-991.

60. Pearton S.J., Abernathy C.R. Carbon in GaAs: implantation and isolation characteristics // Appl. Phys. Lett. 1989. - 53. - №7. - C. 678 - 680.

61. Satoh M. Kuriyama K. Quenching phenomenon of hopping conduction in neutron-transmutation-doped semi-insulating GaAs // Phys. Rev. B. 1989. -40. - №5. - C. 3473-3475.

62. Feng G. F. and an. Optical chemical and electrical characterization of ion-etched gallium arsenide surfaces // Mater. Modif. and Growth Using Ion Beams: Symp., Anaheim, Calif., Apr. 21 23, 1987. - Pittsburgh (Pa), 1987. -C. 381 -384.

63. Багдуев Э.Г., Шихсаидов М.Ш. Влияние дислокаций на оптические и фотоэлектрические свойства арсенида галлия // Физика твердого тела. — 1988. -т.ЗО. -№1. С. 155- 162.

64. Данилов Ю.А., Лесников В.П. Влияние ионной имплантации на оптические свойства полупроводников А3В5 // Ионно-лучевая модификация материалов. Тезисы докладов Всесоюзной конференции. 23 25 июня 1987 г. - Черноголовка, 1987. - С. 205.

65. Dlubek G. and an. Point defects in GaAs studied by correlated positron lifetime, optical and electrical measurements // Proc. 8th Int. School Defects Cryst., Szczyrk. 22 29 May, 1988. - Singapore etc., 1988. С. 110 - 115.

66. Zammit U., Gasparrini F., Marinelli M., Pizzoferrato R., Agostini A. Ion dose effect in subgap absorption spectra of defects ion implanted GaAs and Si // J. Appl. Phys. 1991. - 70. - №11. - C. 7060 - 7064.

67. Бедный Б.И., Ершов C.H., Пантелеев B.A. Эффект дальнодействия при механической обработке арсенида галлия // Физика и техника полупроводников.- 1985.-т. 19.-№10.-С. 1806- 1809.

68. Кулаков В.М. и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. М.: Советское радио, 1980. - 224 с.

69. Павлов П.В. и др. Изменение дислокационной структуры кремния при облучении ионами средних энергий// Физика твердого тела. 1973. - т. 15.-№9.-С. 2857-2859.

70. Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И., Шенгуров Г.В. Влияние протяженных дефектов в исходных кристаллах на эффект дальнодействия при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. 1989. - т. 15. -№22.-С. 44-47.

71. Антонова И.В., Шаймеев С.С. Влияние ионного облучения на диффузию золота в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1995. - т.29. -№1.-С. 3-7.

72. Кладько В.П. и др. Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия) // Физика и техника полупроводников. 1992. - т. 26. -№2.-С. 368-372.

73. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности дефектообразования в арсениде галлия при механической обработке // VI всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Сборник трудов. 8-10 сентября 1987 г. Томск, 1987. - т.2. - С. 52 - 53

74. Павлов П.В., Демидов Е.С., Карзанов В.В. Эффект дальнодействия в полуизолирующих полупроводниках GaAs и InP при облучении ионами аргона // Физика и техника полупроводников. 1992. - т. 26. - №6. - С. 1148- 1150.

75. Берт Н.А., Сошников И.П., Степанова М.Г, Эффект структурного дальнодействия в арсениде галлия при ионной бомбардировке // Физика и техника полупроводников. 1998. - т. 40. - №3. - С. 438 - 440.

76. Оболенский С.В., Скупов В.Д., Фефелов А.Г. Проявление эффекта дальнодействия в ионно-облученных транзисторных структурах на основе GaAs // Письма в Журнал технической физики. 1999. - т.25. -№16.-С. 50-53.

77. Оболенский С.В., Скупов В.Д. Влияние ионно-лучевого геттерирования на параметры GaAs-транзисторных структур при нейтронном облучении // Письма в Журнал технической физики. 2000. - т. 26. - №15. - С. 1 — 5.

78. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Закономерности накопления дефектов при облучении полупроводников легкими ионами // Физика и техника полупроводников. 1980.-т. 14. -№5. - С. 934-938.

79. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника // Физика и техника полупроводников. 1983. - т. 17. - №5. - С. 838 - 842.

80. Морозов Н.П., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. Дефектообразование в кремнии при ионной бомбардировке за пределами области пробега ионов // Физика и техника полупроводников. — 1985. т. 19. — №3. - С. 464 - 468.

81. Павлов П.В. и др. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов // Физика и техника полупроводников. 1986. - т. 20. - № 3. -С. 503-507.

82. Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1987. - т. 21. - №8. - С. 1495 - 1497.

83. Павлов П.В. и др. Ударно-акустические эффекты в кристаллах при ионном облучении // Физика и химия обработки материалов. — 1991. — №6. С. 53 - 57.

84. Квасов Н.Т. и др. О закономерности распределения структурных нарушений в полупроводниках за пределами зоны торможения ионов при ионной имплантации // Физика и химия обработки материалов. — 1990.-№5.-С. 9-13.

85. Кривелевич С.А. Волны переключения и эффекты дальнодействия // Вестник Нижегородского университета. Физика твердого тела. 1998. -№2.-С. 71-78.

86. Кривелевич С.А., Крылов П.Н., Юсупов И.З. Возможный механизм глубокого проникновения радиационных дефектов // Высокочистые вечества. 1995. - №2. - С. 113 - 118.

87. Мартыненко Ю.В., Московкин П.Г. Эффект дальнодействия и перенос энергии в твердых телах при ионной бомбардировке // Письма в Журнал технической физики. 1996. - т. 22. - №17. - С. 54 - 58.

88. Исследование модифицированным ионным пучком слоя на поверхности монокристаллического арсенида галлия методом оже-электронной спектроскопии. УрО РАН, ФТИ с СКБ и ОП; Руководитель Ю.В. Рац; № ГР 0185010437; Инв. № 281. Ижевск, 1988. - 20 с.

89. Акашкин А.С., и др. Применение ионизационного, термических и оптических источников излучения в процессе вакуумной литографии // Вакуумная техника и технология. 1999. - т.9. - № 2. - С. 17 - 22.

90. Карлсон Т. А. Фото-электронная и оже-электронная спектроскопия: Пер. с англ. Ленинград: Машиностроение, 1981.-431 с.

91. Джемисон Дж. Э. и др. Физика и техника инфракрасного излучения: Пер с англ. / Под ред. Н.В. Васильченко М.: Советское радио, 1965. - 642 с.

92. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М: Энергия, 1976. - 311 с.

93. Ржанов А.В., Свиташев К.К. Эллипсометрические методы исследования поверхности и тонких пленок // Эллипсометрия метод исследования поверхности. - Новосибирск: Наука, 1983. - С. 3 - 6.

94. Бурыкин И.Г. и др. Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1980. - 191 с.

95. Бухалов JI.JL, Сорокоумова Е.Г., Яковлев А.С. Эллипсометрическое исследование механических и ионных нарушений в арсениде галлия // Эллипсометрия в науке и технике. 1990. - №2. - С. 67 - 71.

96. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. - 239 с.

97. Лихачев В.А., Малинин В.Г. Структурно-аналитическая теория прочности. СПб.: Наука, 1993. - 471 с.

98. Сарафанов Г.Ф., Максимов И.Л. Эффекты самосогласованной динамики ансамбля винтовых дислокаций при пластической деформации кристаллов // Физика твердого тела. 1997. - т.39. - №6. - с. 1066 -1071.

99. Сарафанов Г.Ф. Формирование квазикристаллических структур в ансамбле дислокаций // Физика твердого тела. 2001. - т.43. - №6. - с. 1041 - 1047.

100. Сирота В.В. Формирование дислокационных структур в облученных, деформируемых кристаллических материалах: Автореф. . канд. физ.-мат. наук. Белгород, 2002. - 22 с.

101. Лебедкин М.А. Самоорганизация и коллективные эффекты неустойчивой пластической деформации кристаллов: Автореф. . д-ра физ.-мат. наук. Черноголовка, 2002. - 39 с.

102. Сарафанов Г.Ф. Волны разупорядочения пластической деформации в кристаллах // Физика твердого тела. 2001. - т.43. - №2. - с. 254 - 260.

103. Алалыкин А.С. и др. Изменение структуры и состава арсенида галлия при локальном облучении ионами аргона // Взаимодействие ионов с поверхностью. Труды международной конференции. Звенигород: 1999.-т.2.-С. 98-101.

104. Алалыкин А.С. и др. Изменение структуры и состава арсенида галлия при локальном облучении ионами аргона // Радиационная физика твердого тела. Труды IX межнационального совещания. -Севастополь, 1999. С. 132 - 135.

105. Герасимов А.И. и др. Аморфизация арсенида галлия при ионной бомбардировке // Технология получения и электрические свойства соединений А3В5. Материалы всесоюзной конференции. Ленинград, 1981, ЛПИ им. Калинина.

106. Стерхов А.Л. и др. Исследование поверхности и приповерхностной области арсенида галлия, облученного ионами аргона // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Тезисы докладов VIII Всесоюзной конференции. 7-9 января 1987 г. М., 1987. - С. 174.

107. Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных материалов. М: Наука, 1983. - 280 с.

108. Алалыкин А.С., Крылов П.Н. Влияние обработки ионами аргона низких энергий на оптические свойства тыльной стороны монокристаллического GaAs // Взаимодействие излучений с твердым телом. Труды IV Международной конференции. Минск, 2001.

109. Алалыкин А.С. и др. Влияние обработки ионами аргона низких энергий на характеристики рабочей и тыльной сторон монокристаллического арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. 2003. - т.37. -№4.-С. 465-468.

110. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников. Воронеж: ВГУ, 1989. - 224 с.

111. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А. Зависимость стационарной фотопроводимости от фотопотенциала поверхности в GaAs // Физика и техника полупроводников. 1983. - т. 17. - №7. - С. 1302 - 1304.

112. Слезов В.В. и др. Сглаживание макрорельефа на поверхности твердого тела произвольного стехиометрического состава под облучением // Физика твердого тела. 1997. - т.39. - №4. - С. 746 - 751.

113. Концевой Ю.А. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике // Современные проблемы эллипсометрии: Под ред. А.В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1980. - С. 11-19.

114. Дмитрук H.JI. Структура, электронные состояния и электрофизические свойства поверхности арсенида галлия // Известия высших учебных заведений. Физика. 1980. -№1. - С. 38-51.

115. Wesch W., Wendler Е., Gartner К. Nucleation of point defects in low fluence ion-implanted GaAs and GaP // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. -1992. 63. - №1-2. - C. 52 - 55.

116. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения AinBv): Пер. с англ./Под ред. Уиллардсона и А. Бира М.: Мир, 1970.-488 с.

117. Бедный Б.И. и др. О фоточувствительности эпитаксиальных пленок GaAs // Известия вузов СССР. Физика. 1984. - №12. - С. 84 - 85.

118. Vaseashta A., Elshabini-Riad A., Burton L.C. Effect of low energy ion bombardment on GaAs // Mater. Sci. and Eng. B. 1991. - 9. - №4. - C. 489 -500.

119. Wosinski T. Does the EL2 defect in GaAs contain As, interstitial? // Semicond. Sci. and Technol. 1988. - 3. - №4. - C. 411 - 412.

120. Бедный Б.И. Зависимость приповерхностного изгиба зон в n-GaAs от объемной концентрации носителей заряда // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. - №10. - С. 58 - 64.

121. Бублик В.Т., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Природа и особенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллахсоединений А3В5 // Известия высших учебных заведений. Физика. -1980.-№1.-С. 7-22.

122. Болтакс Б.И., Колотов М.Н., Скорятина Е.А. Глубокие центры в арсениде галлия, связанные с собственными структурными дефектами // Известия высших учебных заведений. Физика. 1983. - №10. - С.56 -66.

123. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Шершакова И.Н. Полуизолирующий арсенид галлия для СВЧ-электроники // Известия высших учебных заведений. Физика. 1983. - №10. - С. 5 - 17.

124. Alexander Н. On dislocation generator in semiconductor crystals // Radiat. Eff. and Defects Solids. 1989. - 111-112. - №1-2. - С. 1 - 12.

125. Орлов A.H. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высшая школа, 1983. - 144 с.

126. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов: Пер с англ. М.: Мир, 1969.-654 с.

127. Де Грот С., Мазур П. Неравновесная термодинамика: Пер с англ. М.: Мир, 1964.-456 с.

128. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 2003.-494 с.

129. Кейзи X. Диффузия в полупроводниковых соединениях AinBv // Атомная диффузия в полупроводниках: Пер. с англ./ Под ред. Воронина Г.Ф. М.: Мир, 1975. - С. 406 - 493.

130. Теодосиу К. Упругие модели дефектов в кристаллах: Пер с англ. М.: Мир, 1985.-352 с.

131. Косевич A.M. Основы механики кристаллической решетки. М.: Наука, 1972.-280 с.

132. Лейбфрид Г., Бройер Н. Точечные дефекты в металлах. Введение в теорию: Пер. с англ. М.: Мир, 1981. - 439 с.

133. Eshelby J.D. The Continum Theory of Lattice Defects: В сб.: Solid State Physics -t.3, NY: Academic Press, 1956.

134. Предводителев А.А. и др. Физика кристаллов с дефектами. М.: МГУ, 1986.-240 с.

135. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Механика. М.: Наука, 1973. - т. 1 -208 с.

136. Савельев И.В. Курс общей физики. М.: Наука, 1982. - т. 1. - 432 с.

137. Фомель Б.М. Методы теории нелинейных колебаний. Новосибирск: НГУ, 1970.-251 с.

138. Блакьер О. Анализ нелинейных систем: Пер. с англ. М.: Мир, 1969. -400 с.

139. Рабинович М.И., Трубецков Д.И. Введение в теорию колебаний и волн. М., Ижевск: НИЦ РХД, 2000. - 560 с.

140. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. От диссипативных структур к упорядоченности через флуктации: Пер. с англ. -М.: Мир, 1979. 512 с.

141. Эбелинг В. Образование структур при необратимых процессах. Введение в теорию диссипативных структур: Пер. с нем. М.: Мир, 1979.-279 с.

142. Кринский В.И., Жаботинский A.M. Автоволновые структуры и перспективы их исследования // Автоволновые процессы в системах с диффузией. Сборник трудов. Горький: ИПФ АН СССР, 1981. - С. 6 -32.

143. Ризниченко Г.Ю. Лекции по математическим моделям в биологии. ч.1, М.: РХД, 2002.-231 с.

144. Кернер Б.С., Осипов В.В. Автосолитоны // Успехи физических наук. -1989. т. 157. - № 2. - С. 201 - 264.

145. Полак Л.С., Михайлов А.С. Самоорганизация в неравновесных физико-химических системах. М.: Наука, 1983. - 285 с.

146. Мари Дж. Нелинейные дифференциальные уравнения в биологии. Лекции о моделях: Пер. с англ. М.: Мир, 1983. - 397 с.

147. Васильев В.А., Романовский Ю.М., Яхно В.Г. Автоволновые процессы. -М.: Наука, 1987.-240 с.

148. Зельдович Я.Б. и др. Математическая теория горения и взрыва. М.: Наука, 1980.

149. Колмогоров А.Н., Петровский И.Г., Пискунов Н.С. Исследование уравнения диффузии, соединенной с возрастанием количества вещества, и его применение к одной биологической проблеме // Теория горения и взрыва. -М.: Наука, 1981.-412 с.

150. Алалыкин А.С., Крылов П.Н., Федотов А.Б. Механизм переноса радиационных дефектов в твердых телах // Взаимодействие ионов с поверхностью. Труды международной конференции. Звенигород, 1999, т.2. - С. 96 - 97.

151. Алалыкин А.С., Федотов А.Б., Крылов П.Н. О солитонном механизме переноса радиационных дефектов // Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционной технологии. Тезисы докладов V Межгосударственного семинара. Обнинск, 1999. - С.72.

152. Полянин А.Д., Зайцев В.Ф. Справочник по нелинейным уравнениям математической физики: Точные решения. М.: Физматлит, 2002. - 432 с.

153. Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980. - 280 с.

154. Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов: Пер. с англ. М.: Мир, 1972.-408 с.

155. Ерофеева С.А., Осипьян Ю.А. Подвижность дислокаций в полупроводниковых кристаллах типа AinBv // Динамика дислокаций. Сборник трудов. Киев, 1975, с. 25 - 30.

156. Ханнанов Ш.Х. Кинетика дислокаций и точечных дефектов в процессе пластической деформации кристаллов // Физика металлов и металловедение. 1991. - №6. - С. 85 - 90.

157. Болли Б, Уэйнер Д. Теория температурных напряжений. М.: Мир, 1964. -430 с.

158. Алалыкин А.С., Крылов П.Н. Расчет термоупругих напряжений при ионной обработке полупроводниковых пластин // Тезисы докладов IV Российской университетско академической научно-практической конференции, Ижевск, 1999.-ч.7.-С. 189.

159. Василевский М.И., Големшток Г.М., Пантелеев В.А. Влияние собственных упругих напряжений и искажение колебательного спектра на дефектообразование и диффузию в полупроводниках // Физика твердого тела. 1985.-т. 27.-№1.-С. 126- 132.

160. Пантелеев В.А., Василевский М.И., Калинкин Ю.Л. Микроскопическое рассмотрение влияния упругих напряжений на миграцию замещающих примесных атомов в кремнии // Физика твердого тела. 1983. - т. 25. -№10.-С. 2930-2935.

161. Алещенко Ю.А., Водопьянов Л.К. Возникновение упругих напряжений за границей аморфизованной области, созданной в GaAs ионной имплантацией // Физика и техника полупроводников. 1991. - т. 25. -№7.-С. 1259-1262.

162. Алалыкин А.С., Крылов П.Н., Паршуков Л.И. Влияние обработки ионами аргона на напряженное состояние арсенида галлия // Радиационная физика твердого тела. Труды X межнационального совещания. М.: НИИ ПМТ при МГИЭМ (ТУ). - 2000. - С. 216 - 221.

163. Алалыкин А.С. и др. Перераспределение дислокаций в арсениде галлия при обработке ионами аргона // Материаловедение. 2003. - №6. - С. 51 -56.

164. Алалыкин А.С., Крылов П.Н., Паршуков Л.И. Моделирование напряженного состояния при обработке ионами аргона // Труды XIV международной конференции по физике радиационных явлений и радиационному материаловедению. Харьков, 2000. С. 112-114.

165. Бахвалов Н.С., Жидков Н.П., Кобельков Г.М. Численные методы. М.: Наука, 1987. - 600 с.

166. Копченова Н.В., Марон И.А. Вычислительная математика в примерах и задачах. М.: Наука, 1972. - 386 с.

167. Coffey C.S. The localization of energy and plastic deformation in crystalline solids during shock of impact // J. Appl. Phys. 1991. - 70. - №8. - C. 4248 -4254.