Формирование и диагностика нанометровых многослойных гетероструктур с двумерным электронным газом высокой плотности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Гук, Александр Витальевич

• Гук, Александр Витальевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гук, Александр Витальевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ПРИНЦИПЫ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ

ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ВЫСОКОЙ

ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ

1.1 Физико-химические основы молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых слоев.

1.2 Классификация многослойных гетероструктур для полевых транзисторов.

1.3 Требования к прецезионности состава и толщины функциональных слоев транзисторных гетероструктур. Основные методы диагностики.

Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ

МОЛЕКУЛЯРНО ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ФОРМИРОВАНИЯ

МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

2.1 Установка МЛЭ и подготовительные работы.

2.2 Оптимизация технологии МЛЭ для получения высококачественных гетеропереходов АЮаАзАЗаАз.

2.3 Особенности формирования псевдоморфных гетероструктур М-АЮаАэЛпОаАз/ОаАз.

Глава 3. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ

ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В

ГЕТЕРОСТРУКТУР АХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

3.1 Фотолюминесценция трехмерных и двумерных носителей в гетероструктурах М-АЮаАзЛЗаАБ.90 ■

3.2 Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулированно-легированных гетероструктурах

АЮаАэ/ваАБ.

3.3 Влияние электрического поля на спектры фотолюминесценции двумерного электронного газа высокой плотности в гетероструктурах.

3.4 Особенности фотолюминесценции ДЭГ в псевдоморфных квантовых ямах Ы-АЮаАзЛпОаАз/ОаАз и его транспортные свойства.

Глава 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ СВЕРХТОНКИХ СЛОЕВ И

ГРАНИЦ РАЗДЕЛА В СЛОЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ МЕТОДОМ ДВУХКРИСТАЛЬНОЙ

РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ.

4 Л Техника эксперимента и методика приготовления образцов.

4.2 Основы метода анализа и выбор модели.

4.3 "X анализ экспериментальных дифракционных кривых и обсуждение результатов.

4.4 Выявление переходных слоев на гетерограницах многослойных эпитаксиальных структур АШВУ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование и диагностика нанометровых многослойных гетероструктур с двумерным электронным газом высокой плотности»

На современном этапе развития микроэлектроники [1] можно выделить два основных направления:

1 - сверхинтеграция, характеризуемая в настоящее время созданием интегральных микросхем с огромным (106 - 109) числом активных элементов (транзисторов);

2 - сверхбыстродействие или увеличение рабочих частот соответствующих микроэлементов, достигающих к настоящему времени величин порядка сотен гигагерц.

Первое направление обеспечивает соответствующий прогресс вычислительной техники, создавая все более мощные кристаллы микропроцессоров и оперативной памяти, в то время как второе определяет тенденции развития систем передачи и предварительной обработки информации. Надо признать, что в силу известных технологических преимуществ пальма первенства в сфере сверхинтеграции принадлежит классическому полупроводниковому материалу - кремнию, в то время как в части достижения сверхбыстродействия доминируют материалы с высокой электронной подвижностью типа АШВУ, среди которых основная роль принадлежит арсениду галлия и некоторым тройным соединениям на его основе.

Как известно, в силу отсутствия химически устойчивого и электрически прочного окисла на поверхности GaAs кристаллов, до недавнего времени основной GaAs приборной структурой являлся так называемый полевой транзистор с затвором Шоттки [2-6], использующий в качестве принципа действия полевые изменения глубины обеднения на контакте металл-полупроводник, выполняющем роль управляющего электрода - затвора прибора. Быстродействие типичных ПТШ транзисторов на GaAs с субмикронными длинами канала достигает 10-12 ГГц.

Существенный прогресс в части повышения быстродействия обеспечило изобретение так называемых транзисторов с высокой электронной подвижностью (НЕМТ - High Electron Mobility Transistor) [7-10], активная область которых состоит из легированного широкозонного и нелегированного узкозонного полупроводниковых слоев. Пространственное разделение области электронных движений и месторасположения рассеивающих носители заряженных атомов легирующих примесей обеспечивает существенное увеличение электронной подвижности и, как следствие, быстродействия таких гетеротранзисторов (до 100 ГГц) [11, 12]. В своем развитии этот принцип пространственного разделения претерпел достаточное число усовершенствований и модификаций, так что в настоящее время НЕМТ-приборы представляют собой сложную многослойную структуру с существенными изменениями химического состава слоев и сложным профилем легирования. Создание многослойных гетероструктур для полевых транзисторов в едином цикле процесса молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) существенно повысило соответствующие требования к оборудованию, прецизионности управления технологическим процессом, наличию прецизионных методов контроля и диагностики параметров, составляющие' структуру функциональных гетерослоев.

Комплексное исследование кристалло-химических и физико-технологических проблем, возникающих при практической реализации молекулярно-эпитаксиальных процессов создания многослойных гетероструктур и методов контроля их электрофизических параметров определило цель настоящей диссертации, заключающуюся в исследовании особенностей молекулярно-эпитаксиального роста многослойных гетероструктур с двумерным электронным газом высокой плотности, разработке методов диагностики совершенства отдельных слоев и гетерограниц, а также изучении квантоворазмерных эффектов с участием ДЭГ в указанных гетероструктурах.

В этой связи были поставлены и решены следующие задачи диссертационной работы:

1. Исследованы и оптимизированы режимы МЛЭ (температуры, скорости роста, соотношения молекулярных потоков) многослойных изоморфных М-АЮаАз/СаАэ и псевдоморфных Ы-АЮаАзЛпОаАзАЗаАз гетероструктур с двумерным электронным газом высокой плотности.

2. Отработана методика, с использованием двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, для определения параметров сверхтонких полупроводниковых слоев и границ раздела (порядка монослоя) в многослойных гетероструктурах 1пОаАз/ОаАз.

3. Разработана фотолюминесцентная методика измерения квантовых ям для прецизионной калибровки толщины и неоднородности состава в низкоразмерных МЛЭ гетероструктурах ваАзЛ пваАз/Оа Лб .

4. Исследованы спектры фотолюминесценции с участием ДЭГ в модуляционно-легированных гетероструктурах Ы-АЮаАз/ОаАз/АЮаАБ и ТЧ-АЮаАзЛпСаАз/ОаАз. Предложена физическая модель, объясняющая наблюдаемые зависимости размерного квантования с участием ДЭГ в спектрах ФЛ. Получена информация о степени заполнения электронных подзон, энергиях их оптических переходов и влиянии на них параметров гетероструктур (ширины квантовой ямы и толщины спейсер слоя), а также внешнего электрического поля.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

1. Разработана технология МЛЭ (температуры и скорости роста, соотношения молекулярных потоков) изоморфных К-АЮаАБ/ОаАБ и псевдоморфных М-АЮаАэ/ГпОаАз/ОаАз гетероструктур с двумерным электронным газом (ДЭГ) высокой плотности. Исследовано влияние эффектов диффузии и сегрегации 1п на подвижность двумерного электронного газа в модуляционно-легированных гетероструктурах и найдены способы подавления их негативного влияния.

2. Исследованы предельные возможности двухкристальной рентгеновской дифрактометрии для определения параметров сверхтонких полупроводниковых слоев и границ раздела в многослойных гетероструктурах ЬпваАз/СаАз с атомным разрешением. Установлено наличие переходных слоев на границах гетеропереходов ¡пваАзАЗаАз с промежуточными концентрациями 1п.

3. Разработана фотолюминесцентная методика для прецизионного контроля толщины и неоднородности состава в низкоразмерных гетероструктурах ОаАзЛпОаАз/ОаАБ. Получено хорошее совпадение данных ФЛ с результатами рентгено-дифракционного анализа в независимых сериях экспериментов.

4. Впервые представлены результаты исследований фотолюминесценции ДЭГ в модуляционно-легированных гетероструктурах 1М-АЮаАз/ОаАз/АЮаАз. Исследованы условия проявления излучательной рекомбинации двумерных электронов и дырок, и исследован эффект перехода от ФЛ с участием трехмерных электронов к ФЛ с участим ДЭГ при изменении параметров гетероструктур. Получена информация о степени заполнения электронных подзон, энергии их оптических переходов и влиянии на них толщины спейсер слоя. Предложена физическая модель, объясняющая наблюдаемые зависимости размерного квантования ДЭГ в спектрах фотолюминесценции.

5. Впервые представлены результаты исследования влияния поперечного электрического поля на спектры фотолюминесценции в модуляционно-легированных гетероструктурах М-АЮаАз/ОаАз/АЮаАБ. Получена информация о перераспределении ДЭГ между квантовыми подзонами НЕМТ структуры при изменении электрического поля.

Основные положения выносимые на защиту: 1. Определена область параметров процесса МЛЭ, обеспечивающих минимизацию сегрегации и диффузного расплывания 1п при формировании псевдоморфных гетероструктур и обеспечивающая выращивание высококачественных гетеропереходов АЮаАБЛпОаАзЛЗаАз с двумерным электронным газом высокой плотности.

2. Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия многослойных гетероструктур позволяет определять состав и толщину нанометровых слоев с атомным разрешением. Приведенный анализ дифракционных спектров тестовых структур выявляет существование переходных областей в окрестности гетеропереходов.

3. Анализ фотолюминесцентных спектров модуляционно-легированных гетероструктур с двумерным электронным газом позволяет различать оптические переходы с участием трехмерных и квазидвумерных электронов в квантовых ямах низкоразмерных гетероструктур.

4. Измеренные спектры фотолюминесценции модуляционно-легированных гетероструктур с участием ДЭГ демонстрируют дублетную структуру, обусловленную излучательной рекомбинацией электронов из двух нижних подзон двумерного электронного газа с фотовозбужденными дырками валентных подзон, интенсивность которой зависит от заселенности подзон ДЭГ и интегралов перекрытия электронных и дырочных волновых функций.

5. Исследованная зависимость пиков фотолюминесценции МЛ ГС М-АЮаАзЛлаАз/АЮаАБ от поперечного электрического поля обусловлена трансформацией формы эффективной потенциальной квантовой ямы от квазипрямоугольной к квазитреугольной, приводящей к изменению заселенности подзон ДЭГ и их энергий.

Практическая ценность работы заключается в том, что использование выявленных в ней закономерностей эпитаксиального роста нанометровых слоев ваАБ и тройных соединений на ег основе, а также разработанной в диссертации совокупности методик исследования их параметров позволило сформировать реальный технологический процесс создания высококачественных гетероструктур с двумерным электронным газом высокой плотности для малошумящих СВЧ транзисторов высокоскоростных систем передачи и обработки информации.

Диссертация состоит из введения, четырех основных глав, заключения и списка цитированной литературы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Гук, Александр Витальевич

3. Результаты исследования предельных возможностей метода двухкристальной рентгеновской дифрактометрии свидетельствуют о том, что метод РД позволяет контролировать толщины и резкость границ в нанометровых гетероструктурах с атомным разрешением, и выявляет существование сверхтонких переходных областей, порядка монослоя, в окрестности гетеропереходов. Причем в зависимости от назначения конкретной многослойной гетероструктуры, соответствующим выбором технологических параметров эпитаксии можно добиваться либо более качественной структуры границ раздела гетероперехода, либо более высокой степени совершенства слоев, что уверенно диагностируется исследованной рентгено-дифракционной методикой.

4. Анализ фотолюминесцентных спектров модуляционно-легированных гетероструктур с двумерным электронным газом позволяет различать оптические переходы с участием трехмерных электронов в буфере и оптические переходы с участием квазидвумерных электронов в модуляционно легированных квантовых ямах. Измеренные спектры фотолюминесценции модуляционно-легированных гетероструктур с дополнительным гетеробарьером в буферном слое демонстрируют дублетную структуру, обусловленную излучательной рекомбинацией электронов из двух нижних подзон двумерного электронного газа с фотовозбужденными дырками.

5. Экспериментальные данные спектров фотолюминесценции модуляционно-легированных гетероструктур Ы-АЮаАз/ОаАБ/АЮаАз с участием двумерного электронного газа и их теоретический анализ, на основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона свидетельствуют, что дублетная структура в спектре ФЛ (ПРИ с1« ^ 40 нм) с компонентами при энергиях фотонов Ьу, и Ьу2 обусловлена оптическими переходами между двумя наинизшими ' юдзонами с ДЭГ Е]е и Е2е и тяжелых и легких дырок Е]№ , Е'ш и Е2ьь. I Мблюдаемое увеличение отношения интенсивностей компонентов дубле'»'* ^ при уменьшении спейсера с!» (увеличении концентрации ДЭГ п2с1 ) 0<>Условлено Увеличением заселенности подзоны Е2е с одной стороны, и .жжением вероятности оптических переходов (квадратов оптических м^'Ричных элементов) из подзоны Е'е, с другой стороны. Происходящее при *том Увеличение изгиба зон обуславливает сдвиг всех оптических перехо/'<)В в стороцу меньших энергий.

6. Исследованная зависимость пиков ф0То;/>оминесЦен|1ии МЛГС Ы-АЮаАзЛЗаАз/АЮаАз от поперечного электричек0™ поля обусловлена трансформацией формы эффективной потенциалы'^ квантовой ямы от квазипрямоугольной к квазитреугольной, приводят^ к изменению энергий, волновых функций и заселенности подзон ДЭГ.

7. Представленные результаты открывают Во'^ожность Исследования ДЭГ бесконтактным оптическим методом, обесг^чивая информацию о степени заполнения электронных подзон, их эн^Я™, влиянии на них толщины спейсер слоя и внешнего электрического поля в транзисторных гетероструктурах. Эти измерения могут быть выпо*''нены ПРИ температуре жидкого азота.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гук, Александр Витальевич, 2000 год

1. Валиев К.А. Микроэлектроника: Достижения и пути развития, Москва, Наука, 1986, с 144.

2. Shockley W. Bell Syst. Tech. J., 30,990-1034 (1951).

3. Shockley W., Proc. IRE, 40, 1365 (1952).

4. Drangeid K. Sommerhalder R., Electron. Lett., 6, 228 (1970).

5. Shur M.S., Analytical models of GaAs FETs, IEEE Trans. Electron Devices, 32(1), 18-28 (1985).

6. Chen Т.Н., Current-voltage characteristics of ion implanted GaAs MESFETs IEEE Trans. Electron Devices, ED-32(1), 18-27 (1985).

7. Dingle R., Stormer H.L., Gossard A.C., Wiegmann W., Appl. Phys. Lett., 37, 805 (1978).

8. Esaki L., Tsu R., Internal Report RC2418, IBM Research, March 26, 1969.

9. Grinberg A.A., Shur M., New Analytical Model fot Heterostructure Field Effect Transistors, J. Appl. Phys., 65, 5, 2116 (March 1989)

10. Mimura Т., Hiyamizu S., Fujii Т., A new Field Tranzistor with Selectivity Doped Heterostructures, Jap. J. Appl. Phys., 19, L225-227 (1980).

11. Шур M., Современные приборы на основе арсенида галлия, перевод с английского, Москва, Мир, 1991.

12. Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В., Каминский В.Э., Великовский Л., Наноэлектронные СВЧ транзисторы на основе гетероструктур соединений А3В5 с двумерным электронным газом, Москва, зарубежная радиоэлектроника, 1998, с.40-61.

13. Schoolar R.B, Zemel J.N., Preparation of Single-Crystal Films of PbS. J.Appl.Phys. 1964 v.35 p. 1848.

14. Davey J.E, Pankey Т., Epitaxial GaAs films deposited by vacuum evaporation. J.Appl.Phys. 1968 v.39 p. 1941.

15. Artur J.R. J.Appl.Phys. 1968 v.39 p.4032.

16. Cho A.Y., Cheng K.Y. Growth of extremely uniform layers by rotating substrate holder with molecular beam epitaxy for applications to electro-optic and microwave devices. Appl.Phys. Lett., 1981, v.38, p.360.

17. Artur J.B. J.Phys. Chem. Solids, 1967, v.28, p.2257.

18. Кальфа А.А., Тагер A.C. Электронная техника, серия "Электроника СВЧ", 1982, вып. 12(348), с. 26-38.

19. Игнатьев А.С., Мокеров В.Г., Петрова А.Г., Электронная техника, 1987г., сер.З 3(263), стр.83-84.

20. М. Herman, D. Bimberg, J.Christen, Heterointerfaces in wuantum wells and epitaxial grouth processes. Evaluation by luminesience techniques. J. Appl. Phys. 70(2), Rl, 1991

21. K. von Klitzing, G. Dorda, V.Pepper, Phys. Rev. Lett. V.45,p.494,1980

22. A.C.English, H.L.Gossard, N.Stormer, and K.W.Baldwin, GaAs structures with electron mobility of 5*106cm2/v*s. Appl. Phys. Lett., v.50, N25, p.22, 1987.

23. А.С.Тагер, Электронная техника, серия электроника СВЧ, вып. 2(406), стр. 17-33, 1988.

24. О. Brandt, G.E. Crook, К. Ploog, J. Wagner and M. Maier, Redistribution of epitaxial Si on (001) GaAs during overgrowth by GaAs. Appl. Phys. Lett. 59 (1991)2730.

25. J. Maguire, R. Murray, R.C. Newman, R.B. Beall and J.J.Harris, Mechanism of compensation in heavy silicon-doped gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 516.

26. P.M.Mooney. Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors. J.Appl. Phys., 67, Rl (1990).

27. E.F.Schubert and K.Ploog, Jpn. J. Appl. Phys. 24 (1986) L608.

28. G. Delgado, J. Johansson, A. Larsson and T.Andersson, IEEE Microwave Guided

29. E.F. Schubert, J.Vac. Sci. Technol. A 8 (1990) 2980.

30. T.Suzuki, H. Goto, N. Sawaki and H.I.K. Hara, Appl. Surf. Sci. 82/83 (1994) 103. Wave Lett. 5 (1995) 198.

31. K. Kohler, P. Ganser and M. Maier, J. Crystal Growth 127 (1993) 720.

32. R.Rodrigues, P.S.S. Guimaraes, J.F. Sampaio, R.A. Nogueira at all Solid State Commun. 78 (1991) 793.

33. J.E. Cunningham, Т.Н. Chiu, B. Tell and W.Jan, Atomic diffusion and surface segregation of Si in -doped GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy. J.Vac. Sci. Technol. В 8 (1990) 157.

34. E.F. Schubert, H.S. Luftman, R.F. Kopf, R.L. Headrick and J.M. Kuo, Secondary-ion mass spectrometry on -doped GaAs grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1799.

35. J.V.Thordson, T.G. Andersson, G.Swenson , U. Sodervall, J.Crystal Growth 175/176 (1997) 234-237.

36. Chai Y.G., Chow R., Wood C.E.C., The effects of growth conditions on Si incorporation in molecular beam epitaxial GaAs. Appl. Phys. Lett., 1981, v39, p800.

37. Okano Y., Shigeta M., Seto H. et all, Incorporation behavior of Si atoms in the molecular beam epitaxial growth of GaAs on misoriented (111 )A substrates. Jpn. Appl. Phys. 1990, v.29, n.8, p.L1357-L1359.

38. Piazza F., Pavesi L., Henini M., Johnston D., Effect of As overpressure on Si-soped (111) A GaAs grown by molecular beam epitaxy: a photoluminescence study. Piazza F., Pavesti L., Henini M., Johnston D., Semicond.Sci. Technol. 1992, V.7, p. 1504-1507 .

39. Y.K.Yuan, K.Mohammed, M.A.A. Pudensi, J.L.Mezz. Effect of carrier confinement in graded AlGaAs/GaAs heterojunctions. Appl. Phys.Leff., V45, N7, p.739, (1984).

40. Zh.I Alferov, A.M. Vasil'ef, P.S.Kop'ev etal JETR Leff,V43,570 (1986).

41. P.D. Altukhov, A.A.Bakun, B.K.Medvedev, V.G.Mokerov, A.A.Rogachev, G.P.Rubtsov, FIZ Jekhu. Polupr (RUS) V21, 449, (1987).

42. I.V.Kukushkin, K.V.Klitzing and K.Ploog, Optical spectroscopy of two-dimensional electrons in GaAs-AlxGal-xAs single heterojunctions Phys. Rev.B, V37, N14, p.8509, (1988).

43. S.K.Lyo, and E.D.Jones, Photoluminescence line shape in degenerate semiconductor quantum wells, Phys.Rev.B V.38, N6, 4113, (1988).

44. H.J.Polland, K.Leo. K.Rother and K.Ploog, Trapping of carriers in singlequantum wells with different configurations of the confinement layers. Phys.Rev.B., V38, N11, p.7635, (1988).

45. Теория неоднородного электронного газа, под ред. С.Лудквиста, Н.Марча (М., Мир, 1987).

46. В.Э.Каминский, Уровни энергии и волновые функции электронов в потенциальной яме селективно легированных гетероструктур. ФТП, 23, 662 (662) ФТП, 23,662 (1989).

47. В.А.Соловьев, И.Н.Яссиевич, В.М.Чистяков, Захват носителей в квантовых ямы и их термический выброс в полупроводниках AUIBV. ФТП, 29, 1264(1985).

48. I.M.Gilperez, J.L.Sachez-Rojas, E.Munoz et al. J. Appl. Phys., V.75, №10, 5931 (1994).

49. G.M.Yang, K.S.Seo, Choe Byung-Doo, Electric field effects on the photoluminescence in modulation-doped pseudomorphic AlGaAs/ InGaAs/GaAs single quantum wells, Appl. Phys. Lett., V.65, №25, 3224, (1994)

50. Colvard C., Nouri N., Lee H., Acley D., Phys. Rev. 1989, V39B, N11.С1367-1374/

51. Ю.В.Гуляев, В.Г.Мокеров, А.В.Гук, Ю.В.Федоров, Ю.В.Хабаров, Фотолюминесценция трехмерных и двумерных носителей в гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs, ДАН, т.348, N1, с.42-44, (1996).

52. А.В.Гук, В.Э.Каминский, В.Г.Мокеров, Ю.В.Федоров, Ю.В.Хабаров, Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулированно-легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs, ФТП, т.31, N11, с. 1367-1374, (1997)

53. J.Pozela, V.Juciene, A.Nanajunas, K.Pozela, V.G.Mokerov, Yu.V.Fedorov, V.E.Kaminskii and A.V.Hook, Photoluminescence and electron subband population in modulation doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructures. J.Appl. Phys. 82(11), 1 December 1997.

54. A.V.Hook, V.G.Mokerov, Yu.V.Fedorov, Yu.V.Khabarov, Optical properties of the two-dimensional carriers in N-AlGaAs/GaAs-heterostructures, Abstracts to 10-th International Conference on Thin Films, Salamanca, Spain, September 23-27, p.191-193, (1996).

55. В.Г.Мокеров, Ю.В.Федоров, А.В.Гук, В.А.Хабаров, Транспортные свойства и фотолюминесценция двумерного электронного газа в псевдоморфных квантовых ямах N-AlGaAs/InGaAs/GaAs, ДАН, т.362, N3, с.335-338, (1998).

56. А.М.Афанасьев, В.Г.Мокеров, М.А.Чуев, Р.М.Имамов, А.А.Ломов, А.В.Гук , Ю.В.Федоров, Исследование многослойных структур на основе слоев GaAs/InGaAs методом двухкристальной рентгеновской дифракции, «Кристаллография», т.42, N3, с.514-523, (1997).

57. А.М.Афанасьев, Р.М.Имамов, В.Г.Мокеров, А.А.Зайцев, Э.М.Пашаев, М.А.Чуев, Рентгенодифракционное исследование границ раздела слоев сверхрешетки AlAs-GaAlAs. «Кристаллография», т.43, N1, с. 139-143, (1998).

58. А.М.Афанасьев, М.А.Чуев, Р.М.Имамов, В.Г.Мокеров, А.А.Ломов,

59. А.В.Гук, Ю.В.Федоров, Рентгенодифракционное исследование влияния условий роста на совершенство структуры отдельных слоев и межслойных границ в сверхрешетке InxGaixAs-GaAs/GaAs. Кристаллография, т.43, N5, с. 926-930, (1998)

60. Крамер Г. Математические методы статистики. М., Мир. (1975) С.353.

61. Afanas'ev A.M., Fanchenko S.S. Acta Cryst. A. (1988) V. 44. P.25.

62. Афанасьев A.M., Александров П.А., Имамов P.M. Рентгенодифракцион-ная диагностика субмикронных слоев. М., Наука, (1989) С 152.

63. B.C.Larson and J.F.Barhorst, X-ray study of lattice strain in boron implanted laser annealed silica. J. Appl. Phys. 51 (1980) 3181.

64. R.N.Kyutt, P.V.Petrashen and L.M.Sorokin, Strain profile in ion-doped silicon obtained from x-ray rocking curves. Phys. Stat. Sol. (a) 60 (1980) 381.

65. S.Speriosu. Kinematical x-ray diffraction in nonuniform crystalline films: strain and damage distributions in ion-implated garnets. J. Appl. Phys. 52 (1981) 6094.

66. S. Speriosu and T.Vreeland, X-ray rocking curve analysis of superlattices. Jr.J. Appl. Phys. 56(1984) 1591.

67. C.R.Wie, T.A.Tombrero and T.Vreeland, Dynamical x-ray diffraction from nonuniform crystalline films: Application to x-ray rocking curve analysis. Jr. J. Appl. Phys. 59 (1986) 3743.

68. P.Zaumseil, U. Winter, F.Cembali et al. Determination of dislocation loop size and density in ion implanted and annealed silicon by simulation of triple crystal x-ray rocking curves. Phys. Stat. Sol. (a) 100 (1987) 95.

69. M.Servidori. Nucl. Instr. and Meth. В19/20 (1987) 443.

70. M.Servidori and F.Cembali. J. Appl. Cryst. 21 (1988) 176.

71. P.F.Fewster and C.J.Curling, J. Appl. Phys. 62, 4154 (1987).

72. С.С.Якимов, В.А.Чапланов, А.М.Афанасьев и др. Ангстремные разрешение при определении структуры приповерхностных слоев кристалла методом рентгеновский дифракции. ЖЭТФ 39 (1984) 3.

73. A.M.Afanas'ev, R.M.Imamov, A.A.Lomov et al. Surface Science 275 (1992) 131.

74. I.K.Robinson. Crystal truncation rods and surface roughness. Phys. Rev. B33 (1986) 3830.

75. L.Tapfer and K.Ploog. X-ray interference in ultrathin epitaxial layers: a versatile method for the structural analysis of single quantum wells and heterointerfaces. Phys. Rev. B40 (1989) 9802.

76. L.Tapfer, M.Ospelt and H.von Kanel. J. Appl. Phys. 67 (1990) 1298.

77. C.Ferrari, M.R.Bruni, F.Martelli and M.G.Simeone. J. Cryst. Growth 126 (1993) 144.

78. C.Bocchi and C.Ferrari. J. Phys. D: Appl. Phys. 28 (1995) A164.

79. Г.Крамер. Математические методы статистики. М., Мир (1975).

80. В.Идье, Д.Драйард, Ф.Джеймс и др. Статистические методы в экспериментальной физике. М., Атомиздат (1976).

81. J.G.E.Klappe and P.F.Fewster. J. Appl. Cryst. 27 (1994) 103.

82. M.Ilg and K.H.Ploog. Enhanced In surface segregation during molecular-beam epitaxy of (In,Ga)As on (Ml) GaAs for small Values of h. Phys. Rev. B48 (1993) 11512.

83. J.-M.Gerard, C. d'Anterroches and J.-Y.Marzin. J. Cryst. Growth 127 (1993) 536.

84. A.M.Afanas'ev and S.S.Fanchenko. Acta Cryst. A44 (1988) 25.