Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Денисов, Юрий Алексеевич

  • Денисов, Юрий Алексеевич
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 1998, Томск
  • Специальность ВАК РФ01.04.10
  • Количество страниц 208
Денисов, Юрий Алексеевич. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.10 - Физика полупроводников. Томск. 1998. 208 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Денисов, Юрий Алексеевич

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

1. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства узкозонных

твердых растворов KPT

1.1 Механизмы рекомбинации носителей заряда в KPT

1.1.1 Оже-рекомбинация

1.1.2 Излучательная рекомбинация

1.1.3 Рекомбинация через локальные центры

1.2 Рекомбинационные свойства КРТ, полученного

объемными методами

1.2.1 Механизмы рекомбинации в объемном материале КРТ

п - типа проводимости

1.2.2 Механизмы рекомбинации в объемном материале КРТ

р - типа проводимости

1.2.3 Влияние на время жизни неравновесных носителей заряда поверхностной рекомбинации, неоднородностей состава,

уровня оптического возбуждения

1.3 Фотоэлектрические свойства варизонных структур на основе КРТ

1.4 Рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур

на основе КРТ, выращенного МЛЭ

1.5 Исследование фотоприемных устройств на основе КРТ

1.5.1 Фотоприемники на основе КРТ, выращенного

объемными методами

1.5.2 Исследования фотоприемников на основе эпитаксиальных

структур, выращенных методом МЛЭ

Выводы и постановка задачи

2. Расчет фотоэлектрических и рекомбинационных параметров варизонных эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ 41 2.1 Распределение неравновесных носителей заряда и эффективное

время жизни в варизонных структурах

2.1.1 Уравнения переноса

2.1.2 Расчет эффективного времени жизни неравновесных носителей

заряда в варизонных структурах КРТ

2.1.3 Влияние основных параметров материала и эффекта вытягивания на эффективное времени жизни неравновесных носителей заряда

2.2 Расчет спектральных характеристик эпитаксиальных структур КРТ

2.2.1 Спектральное распределение фоточувствительности в

образцах КРТ, выращенных объемными методами

2.2.2 Особенности спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных структур КРТ, выращенных методом МЛЭ

2.2.2.1 Влияние градиента ширины запрещенной зоны на

спектральные характеристики фотопроводимости

2.2.2.2 Влияние рекомбинации на поверхности на

спектральные характеристики фотопроводимости

2.2.2.3 Влияние неоднородносгей состава на

спектральные характеристики фотопроводимости

2.3 Расчет основных параметров фоторезисторов

на основе эпи таксиальных структур КРТ, выращенных методом МЛЭ

2.3.1 Вольт-ватгная чувствительность

2.3.2 Шумовые характеристики

2.3.3 Обнаружительная способность. 9

2.4 Расчет параметров МДП-фотоприемника с полупроводниковой подложкой на основе п-п+ изотопной гетероструктуры. 104 Выводы 115 3. Исследование механизмов рекомбинации носителей заряда

в эпитаксиальных пленках КРТ, выращенных методом МЛЭ

3.1 Методика эксперимента

3.2 Время жизни носителей заряда в эпитаксиальных пленках КРТ

п - типа проводимости

3.3 Время жизни носителей заряда в эпитаксиальных пленках КРТ

р - типа проводимости

3.4 Время жизни носителей заряда в эпитаксиальных пленках КРТ

при засветке образцов со стороны подложки

3.5 Модификация параметров эпитаксиального КРТ

импульсными пучками электронов

Выводы 150 4. 4. Исследование основных параметров фото чу в ств ительных структур

на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ

4.1 Исследование спектральных характеристик

эпитаксиальных структур КРТ

4.1.1 Методика исследования спектральных

характеристик фотопроводимости

4.1.2 Исследование спектральных характеристик образцов, изготовленных из объемного материала КРТ

4.1.3 Исследование спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ

4.2 Исследование параметров фоторезисторных приемников

на основе эпитаксиального КРТ, выращенного методом МЛЭ

4.2.1 Методика эксперимента,

4.2.2 Основные характеристики фоторезисторов на основе эпитаксиальных структур КРТ, выращенных методом МЛЭ

4.2.2.1 Постоянная времени

4.2.2.2 Спектральные характеристики фотопроводимости

4.2.2.3 Вольт-ваттная чувствительность

4.2.2.4 Шумовые свойства

4.2.2.5 Обнаружительная способность. 184 Выводы 188 Заключение 190 Список литературы 194 Приложение

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии»

ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время получают распространение альтернативные по отношению к HgCdTe варианты ИК. фотоприемников на основе структур с квантово-размерными эффектами на GaAs и кремниевых диодов с барьером Шоттки в виде силицида металлов. В то же время твердый раствор Hgj xCdxTe (х=0.2-0.3) остается основным

материалом для создания приемников излучения, включая многоэлементные матрицы, в диапазоне длин волн 3-5 и 8-14 мкм для различных систем тепловидения.

Использование методов получения объемного материала полупроводникового соединения HgCdTe не всегда позволяет получать материал с параметрами, требуемыми для создания высокочувствительных ИК-фотоприемников. Кроме того, фотоприемники, изготовленные с использованием объемного материала, имеют высокую стоимость из-за потери значительной части выращенного материала в результате различных технологических операций. Поэтому в настоящее время важное значение приобретают эпитаксиальные методы получения HgCdTe, такие как жидкофазиая эпитаксия (ЖФЭ), МОС - гидридная эпитаксия, молекулярно-лучевая эгштаксия (МЛЭ).

Уникальные возможности для создания эпитаксиальных структур HgCdTe предоставляет метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Материал HgCdTe, выращенный данным методом, характеризуется высокой степенью однородности свойств в пределах достаточно больших размеров подложки, а также, что очень важно, заранее заданными профилями легирования и состава. Это позволяет создавать на его основе многоэлементные полупроводниковые детекторы излучения, обеспечивающие обработку сигнала непосредственно в фокальной области. Кроме того, технология МЛЭ является базовой для формирования структур типа сверхрешеток и квантовых ям на основе систем HgTe / CdTe, поэтому разработке и исследованию свойств Hg, „CdYTe (KPT), выращенных методом МЛЭ, уделяется

1 "Л J\

большое внимание.

Наиболее важным параметром фоточувствительного материала является время жизни носителей заряда в области рабочих температур фотоприемного устройства, которое определяет, в конечном счете, его фотоэлектрические и флуктуационные характеристики. Необходимо отметить, что в настоящее время имеется

незначительное число работ, в которых приводятся результаты исследований механизмов рекомбинации носителей заряда в пленках Н§СёТе, выращенных методом МЛЭ. Поэтому представляют интерес проведение исследований времени жизни фотоносителей в эпитаксиалыюм материале и анализ возможных механизмов рекомбинации в материале п- и р-типа проводимости.

Использование технологии МЛЭ позволяет получать эиитаксиальные слои толщиной порядка диффузионной длины, что является весьма важным условием реализации высокочувствительных фотоприемников. При этом важную роль играют свойства границ раздела эпитаксиальная пленка - подложка и эпитаксиальная пленка - свободная поверхность. Для изучения свойств границ раздела представляет интерес совместное исследование спектральных характеристик фотопроводимости и времени жизни носителей заряда.

Перспективным направлением как создания новых видов фотоприемных устройств, так и совершенствования существующих фотоприемников, являются возможности метода МЛЭ по созданию эпитаксиальных структур с заранее заданными параметрами, такими как профиль ширины запрещенной зоны, концентрация примесей, толщина и т.д. Однако, применительно к узкозонным полупроводниковым соединениям, вопросы, связанные с влиянием на основные свойства фотоприемных устройств параметров выращенных варизонных эпитаксиальных слоев изучены не достаточно полно. В связи с этим представляет научный интерес проведение теоретического анализа основных свойств фотоприемников, включая анализ сигнальных и шумовых характеристик фоторезисторов, созданных на основе эпитаксиальных структур И^СсГГе, выращенных методом МЛЭ.

Целью настоящей работы является изучение рекомбинационных и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных структур ЩСдТе (х=0.2-0.3), выращенных методом МЛЭ, для создания на их основе высокочувствительных фотоприемников.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

теоретический анализ электрофизических, рекомбинационных и

фотоэлектрических параметров варизонных эпитаксиальных структур на основе Н§Сс1Те;

- исследование механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда (ННЗ) в эпитаксиальных структурах на основе Б^СдТе п- и р-типа проводимости при возбуждении источниками излучения с различными длинами волн (Х-0.90 мкм, Я=10.6 мкм), соответствующими поглощению в приповерхностной области и в объеме эгштаксиальной пленки соответственно;

исследование спектральных характеристик фоточувствительности энитаксиальных структур на основе ЩСсГГе,

- исследование влияния границ раздела пленка - подложка и пленка -свободная поверхность на рекомбинационные и спектральные характеристики эпитаксиальных структур;

- исследование сигнальных и шумовых характеристик фоторезисторов, созданных на основе эпитаксиальных структур Н§£МТе, выращенных методом МЛЭ, и изготовление макетов фоторезисторных приемников.

Научная новизна работы состоит в следующем:

Определены механизмы рекомбинации в эпитаксиальных структурах Н^СдТе, выращенных методом МЛЭ п- и р-типа проводимости в интервале температур 77-300 К. Показано, что в эпитаксиальных пленках п-типа проводимости в области температур, соответствующих примесной проводимости, время жизни носителей заряда определяется совместным действием механизмов оже-рекомбинации и рекомбинации на локальных центрах. В эпитаксиальном материале р-типа проводимости в области температур, соответствующих примесной проводимости, в зависимости от дефектной структуры образцов время жизни ограничивается либо оже-рекомбинацией, либо рекомбинацией на локальных центрах.

Выявлены особенности спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных пленок ЩСсГГе с различными профилями ширины запрещенной зоны (варизонный характер объемной части эпитаксиальной структуры, наличие варизонных буферных слоев на границах раздела).

Установлено, что удаление варизонного буферного слоя на границе раздела эпитаксиальная пленка - свободная поверхность приводит к существенному снижению времени жизни носителей заряда из-за увеличения роли поверхностной рекомбинации.

Показано, что создание МДП-структуры с полупроводниковой подложкой, выполненной в виде n-rf изотипного гетероперехода способствует улучшению основных характеристик такого прибора: емкости потенциальной ямы и времени накопления в 2-4 раза.

Практическая и научная ценность работы.

1. Разработана программа расчета основных параметров фоторезисторов на основе эпитаксиальных структур HgCdTe, которая может применяться при выращивании эпитаксиальных структур для определения их оптимальных характеристик. Выработаны рекомендации по созданию фотоприемных устройств на основе МДП-структуры с изотипным гетеропереходом в качестве полупроводниковой подложки;

2. Экспериментальные результаты, полученные в работе, могут использоваться для совершенствования технологических процессов выращивания эпитаксиальных пленок HgCdTe методом МЛЭ;

3. Сведения о механизмах рекомбинации носителей заряда, особенностях спектральных характеристик необходимо учитывать при интерпретации результатов фотоэлектрических измерений;

4. Изготовлены макеты фоточувствительных фоторезисторных приемников на диапазон длин волн 2-10 мкм.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на научной сессии Сибирского физико-технического института (Томск-1996г.), международной конференции «Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics» (Uzhgorod-1996i.), Международной конференции «BEAMS-96» (Prague-1996), Международной конференции по тройным и сложным соединениям (Salford-1997), 2,4,5 симпозиумах «Оптика атмосферы и океана» (Томск-1995,1997,1998 г.), 3-ей международной научно-практической конференции «Сибресурс» (Красноярск-1997).

Структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и приложения.

Во введении обоснована актуальность темы, сформулирована цель работы, изложены новые научные результаты и положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена анализу литературных данных, опубликованных к моменту написания диссертации и касающихся рекомбинационных характеристик

узкозонных твердых растворов КРТ, а также параметров фотоприемных устройств, созданных на основе этого материала.

Во второй главе проведен расчет параметров фотоприемников, созданных на основе варизонных эпитаксиальных пленок КРТ. Основное внимание уделялось рассмотрению вопросов, связанных с влиянием профиля ширины запрещенной зоны полупроводника на распределение концентрации неравновесных носителей заряда (ННЗ) при фотовозбуждении, на эффективное время жизни ННЗ, на особенности спектральных характеристик фотопроводимости, на значения пороговых характеристик фотоприемников. Проведена оценка влияния параметров материала (времени жизни, подвижности носителей заряда) на эффективное время жизни ННЗ в варизонных полупроводниковых структурах на основе эпитаксиальных пленок КРТ. Проведен расчет параметров МДП-структуры с п-п+ изотопной гетероструктурой в качестве полупроводниковой подложки.

В третьей главе приводятся экспериментальные результаты исследования механизмов рекомбинации носителей заряда в эпитаксиальных структурах на основе КРТ 11- и р-типа проводимости, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при возбуждении ННЗ излучением с А,=10.6 мкм и 1=0.90 мкм. Проведены исследования температурных зависимостей времени жизни носителей заряда и сигнала фотоответа при засветке эпитаксиальных пленок КРТ со стороны подложки. С целью повышения величины фотосигнала на образцах с низкими значениями времени жизни проведены исследования возможности управления методом импульсно-радиационного воздействия на фотоэлектрические и электрофизические свойства эпитаксиальных структур, выращенных методами ЖФЭ и МЛЭ.

В четвертой главе приведены результаты экспериментальных исследований спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных пленок л- и р-типа проводимости и приведены результаты измерения основных фотоэлектрических параметров (вольт-ваттная чувствительность, напряжение шума, обнаружительная способность) фоторезисторов, изготовленных из эпитаксиальных структур КРТ.

В заключении приводятся основные выводы по результатам диссертационной работы.

В приложении приведена справка о внедрении результатов диссертационной работы.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. В эпитаксиальиых пленках Н^.хСс^Те, выращенных методом МЛЭ, п-типа проводимости с х^О.20-0.23 в области температур, соответствующих примесной проводимости время жизни носителей заряда определяется совместным действием механизмов оже-рекомбинации и рекомбинации на локальных центрах. В эпигаксиальном материале р-тииа проводимости, с х=0.21-0.22 в области температур, соответствующих примесной проводимости в зависимости от дефектной структуры образцов время жизни ограничивается либо оже-рекомбинацией, либо рекомбинацией на локальных центрах с энергией рекомбинационного уровня Ек=Е„+0.15-0.22 эВ, отсчитываемой от потолка валентной зоны.

2. Особенности спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальиых пленок ЩСёТе, выращенных МЛЭ, проявляющиеся в плавной длинноволновой границе фото чувствительности, в сдвиге граничной длины волны при послойном стравливании, в отсутствии заметного спада кривой спектральной характеристики в области коротких длин волн определяются наличием буферных широкозонных слоев на границах раздела эпигаксиальная пленка-подложка и эпитаксиальная пленка - свободная поверхность и варизонностью узкозонной части эпигаксиальных структур.

3. Наличие двух составляющих (быстрой и медленной) в кинетике сигнала фотопроводимости в эпитаксиальиых пленках связывается с различием в механизмах рекомбинации. Быстрая составляющая определяется объемными механизмами рекомбинации ННЗ, а причиной появления медленной составляющей, проявляющейся при низких температурах при поглощении излучения вблизи границы раздела эпитаксиальная пленка-подложка, является существование в материале п-типа проводимости рекомбинационных центров с резкой асимметрией величин поперечных сечений захвата для электронов и дырок, а в материале р-типа -центров захвата.

1. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства узкозонных твердых

растворов КРТ

Материал КРТ является одним из основных для создания фотоприемников на 8-12 мкм (дальний ИК-диапазон) и 3-5 мкм (средний ИК-диапазон) [1-6]. Широкое использование этого материала обусловлено возможностью регулирования ширины запрещенной зоны путем изменения его молярного состава компонент, что обеспечивает перекрытие широкого спектрального диапазона. Кроме того, в зависимости от уровня легирования и степени компенсации концентрация носителей заряда может изменяться в широких пределах. На основе этого материала создаются и успешно используются как фоторезисторные приемники, так и фотодиоды.

В первом параграфе приведены основные механизмы рекомбинации, определяющие время жизни носителей заряда в узкозонных твердых растворах КРТ. Во втором параграфе дан обзор экспериментальных работ, посвященных исследованию рекомбинационных свойств КРТ п- и р-типа проводимости, полученного объемными методами. В третьем параграфе рассмотрены фотоэлектрические свойства варизонных структур на основе КРТ. В четвертом и пятом параграфах рассмотрены возможности технологии МЛЭ для создания приборов на основе КРТ, а также рекомбинационные и фотоэлектрические свойства эпи гаксиальных структур КРТ и фотоприемных устройств, созданных на их основе.

1.1 Механизмы рекомбинации носителей заряда в КРТ

Наиболее важным параметром фоточувствительного материала является время жизни носителей заряда в области рабочих температур фотоприемного устройства, которое определяет, в конечном счете, его фотоэлектрические и флуктуационные характеристики.

Неравновесные носители заряда (ННЗ) могут рекомбинироватъ путем переходов непосредственно из зоны в зону, а также путем захвата на локальные уровни в запрещенной зоне, обусловленные наличием в материале примесей или дефектов решетки. Преобладание того или другого механизма рекомбинации определяется шириной запрещенной зоны материала и деталями его зонной

структуры, концентрациями электронов и дырок, температурой, а также концентрациями и свойствами центров с локальными уровнями [7,8]. Время жизни носителей заряда в КРТ (х=0.2-0.3) определяется как объемными механизмами рекомбинации, к числу которых относят оже-рекомбинацию, излучательную рекомбинацию и рекомбинацию на локальных центрах, так и рекомбинацией на границах раздела [9,10]. Детальное исследование процессов рекомбинации неосновных носителей заряда позволяет разобраться в ряде принципиальных вопросов физики полупроводников, а также вести разработку приборов, используя все потенциальные возможности материала.

1.1.1 Оже-рекомбинация

Для узкозонных полупроводников наиболее вероятны механизмы оже -рекомбинации, связанные со столкновениями двух электронов в Ес-зоне (зоне проводимости) с последующим переходом одного из них в ЕуГзону (зону тяжелых дырок) (xAi) и двух дырок в Evi-зоне с последующим переходом дырки в Еу2-зону (зону легких дырок) (тА7) [11,12]. Для сильнолегированных дырочных материалов КРТ возможен механизм рекомбинации при столкновении двух дырок с последующим переходом дырки в состояние с большей энергией в Еу1-зоне (тАЗ). В ходе оже-процесса должны одновременно выполняться два закона сохранения: энергии и импульса. Это приводит к тому, что только частицы, имеющие энергию выше пороговой, могут рекомбинировать по схеме оже-процесса. Вероятность оже-рекомбинации в КРТ велика вследствие малой ширины запрещенной зоны и большого различия масс электронов и дырок. Учет указанных механизмов рекомбинации (xM и хА7) при расчете величины времени жизни проведен в работах Петерсена [11,13], которому удалось получить выражения для интегралов перекрытий волновых функций. Процессы рекомбинации с участием двух электронов и тяжелой дырки были рассмотрены в [14] при произвольной степени вырождения электронов. В работе [15] исследовались температурные зависимости времени жизни при оже-рекомбинации в материале п - типа с х=0.20.

Время жизни в собственном материале, определяемое столкновениями электронов (тА1) [16]:

з/

Тл1 = 3.8 • —%(1 + + 2//)-[ -ехр 'И^Гли)

Е„ У2

т. Кк-Т

(1 + 2//) Ея

(1 + ц) к-Т)

где и, - отношение эффективных масс электрона и дырки, - высокочастотная диэлектрическая постоянная, Е8 - ширина запрещенной зоны, к - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура, | р! -¥21 - интеграл перекрытия периодических частей блоховских функций.

Наибольшие затруднения при сопоставлении теоретических и экспериментальных данных по оже-рекомбинации вызывает величина интегралов перекрытий периодических частей блоховских функций (Р^), являющихся параметрами материала, в выражении для времени жизни при оже-рекомбинации. Оценка этого параметра из температурных зависимостей времени жизни дает значение 0.1-0.3 [16-18].

Время жизни в примесном материале для процесса тА1 может быть записано в

виде

_ 2'п(о

т а 1 — , ч т а 1 , (1.2)

(п0 + р0)-п0

где П; - собственная концентрация носителей заряда, п0, ро - равновесные концентрации электронов и дырок соответственно.

Время жизни в материале р-тииа изучалось в работах [12,19-21]. Для материала р-типа проводимости наряду с процессом х А1 важную роль играет процесс тА7 [12], выражение для времени жизни при этом может быть записано в виде:

_ 2 • п] 0)

^.47 ~ ( , л ' ^А1 ■ (1-3)

Оо + />0 )-Ро

ти)

А 7

Величина У - —пу вычисляется как функция состава и температуры. Для

Т А 1

0.16<х<0.30 и 50<Т<300 величина составляла 0.5-6.0. Время жизни носителей заряда в материале р-гипа проводимости при оже-рекомбинации :

ТА1 ' ТА7 2 • щ • г Л = ----------------------

'А1 ' («0 ++

В работе [21] был проведен расчет времени жизни при оже-рекомбинации учитывая механизмы xAi и хА7 для КРТ с х=0.2. Анализ температурных зависимостей времени жизни показал, что в материале n-типа проводимости преобладает механизм, связанный с элеггронными столкновениями (хА1), в то время как в материале р-типа преобладает механизм, связанный с дырочными столкновениями (хА7).

1.1.2 Излучательная рекомбинация

С увеличением содержания теллурида кадмия в твердых растворах КРТ и, следовательно, ширины запрещенной зоны возрастает относительный вклад излучательной рекомбинации по сравнению с ударной в полную скорость межзонных переходов. Под излучательной рекомбинацией понимают рекомбинацию электрона зоны проводимости с дыркой валентной зоны с испусканием фотона. Согласно [16] время жизни при излучательной рекомбинации для п- и р-типа материала можно записать в виде:

п]

4 GR-(n0+p0y (L5)

где GR-коэффициент излучательной рекомбинации:

= + ^ + ^)m\(K+3kTEs+3J5(kTf), (1.6)

\mc + tnyJ \ тс ту J \ 1 J 4 >

где tnv - эффективная масса дырок.

На рис. 1.1 (а,б) показаны расчетные зависимости времени жизни носителей заряда от состава при Т=77К для материала n-типа проводимости, если наряду с оже- имеет место излучательная рекомбинация. Кривая 1 на рисунках соответствует времени жизни для излучательной рекомбинации, 2-время жизни при оже-рекомбинации, 3-результирующее время жизни носителей заряда. Для п0=5-Ю14 см'3 время жизни определяется преимущественно оже-рекомбинацией для х<0.225. Излучательная рекомбинация начинает преобладать при х>0.28. Для п0=2-1015 см° время жизни определяется оже-рекомбинацией для х<0.24, а излучательная рекомбинация превалирует при х>0.30.

Т , МКС

Т, гике

Рис. 1.1 Зависимость времени жизни неосновных носителей заряда (х) от состава (х) для материала ЩСсГГе п-типа проводимости с концентрацией электронов п0=5-Ю14 см"3 (а) и п0=2-1015 см"3 (б). 1- время жизни для излучательного механизма рекомбинации; 2- время жизни для оже-механизма рекомбинации; 3- время жизни, определяемое совместным действием излучательного и оже-механизмов рекомбинации [10].

На рис. 1.2 (а,б) показаны расчетные зависимости времени жизни носителей заряда от параметра у при Т=77К для материала р-типа проводимости, с р0=1-1016 см"3 и х=0.225 и 0.300 соответственно. Кривая 1 на рисунках соответствует времени жизни для излучательной рекомбинации, 2-время жизни при оже-рекомбинации, 3-результирующее время жизни. При х=0.225 (рис. 1.2 а) оже-рекомбинация преобладает при у<20. При х=0.30 (рис. 1.2 б) время жизни определяется оже-рекомбинацией для у<1.5, совместным действием оже- и излучательной рекомбинации при 1.5<у<10 и излучательной рекомбинацией при у>10.

1.1.3 Рекомбинация через локальные центры

Рекомбинация через локальные центры (рекомбинация Шокли-Рида) представляет собой двухступенчатый процесс. Сначала неосновной носитель заряда захватывается на локальный центр, а затем рекомбинирует с основным носителем заряда. [22]

Время жизни неравновесных дырок при рекомбинации через локальный центр с энергией Е( ниже дна зоны проводимости можно записать в виде [8]:

V -(«о + п, )+ Гп0-(Ро + рх )+ гр0-(1 + Ру У1 Тр =-----/^о (1_?)

.Аналогично, время жизни электронов:

)+Тп0 '(Ро+Рх )+тп0•(! + % Г

-1

щ+Ро+ыго + урГ-(1+уроУ

где тр0 =(Ур-<тр -А': )-1 и тгЛ = (Уп • <уп • А^. )-1. Ур>п - скорости теплового движения для дырок и электронов, <тр>п - сечения захвата для дырок и электронов, Т\т,-

( ЕЛ í Е.-ЕЛ концентрация локальных центров. пх = Мс ■ ехр^- —--I, рх = ■ ехр| -• -......^ ^ j,

где N0 и Му - плотность состояний в зоне проводимости и валентной зоне соответственно.

Если концентрация локальных центров много меньше концентрации носителей заряда, то время жизни может быть записано в виде:

X, мкс

1

10

10

10

10

-3

10

0.1

—ГТТТГТ]-1-1—I N11]-~г

1.0 10.0

10

X, мкс 1

ю-Ч

10

-2

а)

11111 100.0

У

б)

0.1

"1-1—I I I III |-1-1—I I И I I |--

1.0 10.0

100.0

У

Рис. 1.2 Зависимость времени жизни неосновных носителей заряда (х) от параметра у для материала Н§Сс!Те р-типа проводимости с концентрацией дырок р0=1-Ю16 см" 3 и х=0.225 (а), х=0.3 (б). 1- время жизни для излучательного механизма рекомбинации; 2- время жизни для оже-механизма рекомбинации; 3- время жизни, определяемое совместным действием излучательного и оже-механизмов рекомбинации [10].

2

(п0 +пл )-тр0 +(р() +рг У

п0+р0 ■ (1-9)

В случае, когда рекомбинация носителей заряда определяется несколькими механизмами, результирующая величина времени жизни находится по формуле:

1 _ 1

7=Е- (1.10)

1.2 Рекомбинационные свойства КРТ, полученного объемными методами Экспериментальные исследования процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда в материале КРТ разного состава при различных концентрациях носителей заряда и температурах проводились в большом числе работ. Особенно интенсивно изучались монокристаллы с х=0.2 и хЮ.З, поскольку материал с таким составом применяется для создания фотоприемников, чувствительных в области 814 мкм и 3-5 мкм соответственно.

1.2.1 Механизмы рекомбинации в объемном материале КРТ п - типа проводимости У лее в ранних работах [16, 23-25], посвященных изучению времени жизни неосновных носителей заряда в узкощелевых полупроводниках КРТ, было установлено, что в материале высокого качества п - типа время жизни фотоносителей ограничено межзонной оже-рекомбинацией как в области собственной, так и в области примесной проводимости, которая реализуется для х = 0.2 - 0.3. Под высококачественным материалом подразумевается чистый некомпенсированный материал с высокой подвижностью электронов р.„«2-105 см2/В-с при Т=77 К. На тот факт, что в чистых кристаллах преобладает оже-рекомбинация во всем интервале температур, указывает зависимость времени жизни от концентрации основных носителей заряда, которая в денном случае имеет вид т~п'2 при фиксированной температуре [23]. Для компенсированных кристаллов КРТ п - типа проводимости характерна низкая концентрация носителей заряда и

Л <Г Л

низкая подвижность электронов 2-10 < 1-10 см"/В-с при Т=77К. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в таком материале в области низких температур

обычно осуществляется через локальные центры в запрещенной зоне [16,24,26]. В области собственной проводимости (высокие температуры) в материале п-типа проводимости время жизни определяется оже-рекомбинацией [15,16,25-27]. В работе [26] исследована релаксация фотопроводимости в твердых растворах КРТ (х=0.2 и х=0.3) n-типа проводимости в области температур 4.2 - 290 К при низком уровне возбуждения. Кристаллы КРТ выращивались методом Бриджмена. Концентрация и подвижность электронов в исследованных образцах изменялись в пределах (0.5-2)-1015 см"3, (0.4-2>105 см^В '-с"1 для х=0.2, (4-8>1013 см"3 и (1.1-4>104 см -В" -с" для х=0.3 соответственно. Образцы для измерения фотопроводимости имели размеры 0.1x0.3x0.3 мм (х=0.2) и 0.1x1.0x1.0 мм (х=0.3). Релаксация фотопроводимости измерялась при освещении образцов излучением лазеров из In As и GaAs. Установлено, что в компенсированных кристаллах обоих составов, за исключением области собственной проводимости, температурный ход времени релаксации обусловлен рекомбинацией через глубокий уровень (Eai=70 мэВ) и прилипанием дырок на мелком уровне (Еа2=6 мэВ) акцепторного типа. Показано, что в чистых кристаллах состава х=0.2 время релаксации при низких температурах ограничивается межзонной излучательной рекомбинацией и прилипанием дырок на мелком уровне. В работе [27] исследовалась рекомбинация в монокристаллическом КРТ 0.195 < х < 0.215 при поверхностном возбуждении. Концентрация носителей заряда составляла п0 =

3-Ю14 - 6-Ю15 см' . Авторами было установлено, что рекомбинация у поверхности имеет такой же характер, как и в объеме (зона-зонная оже-рекомбинация), однако из-за варизонности состава на поверхности она происходит при более высокой концентрации основных носителей заряда. Причина варизонности, по мнению авторов, состоит в обогащении поверхностного слоя ртутью, что приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны и появлению встроенного квазиэлектрического поля, «стягивающего» носители к поверхности. С ростом доли теллурида кадмия в КРТ (х » 0.3 - 0.5) в слабо компенсированных образцах в области примесной проводимости усиливается роль излучательной рекомбинации по сравнению с ударной рекомбинацией [28,29]. Для сильно компенсированных образцов в области примесной проводимости преобладает рекомбинация через локальные центры [29,30].

1.2.2 Механизмы рекомбинации в объемном материале КРТ р - типа проводимости

Наибольшее распространение при изготовлении фоторезисторных приемников получает материал п - типа проводимости, поскольку такой материал обладает, как правило, меньшей концентрацией носителей заряда (1014 - 1015 см"3 при Т-77К), чем для р-типа материала. Кристаллы с дырочной проводимостью в основном предназначены для создания фотодиодных детекторов, где требования к уровню легирования менее жесткие. Изучению процессов рекомбинации в материале р-типа проводимости посвящено довольно большое число работ [31-37]. В работах [33,36, 37] проведено экспериментальное обнаружение собственной оже-рекомбинации в дырочных полупроводниках КРТ (х=0.195, 0.20) в области температур 80-300К. В экспериментах использовались кристаллы с размерами 5x1.5x0.2 мм3, выращенные методом Бриджмена, с концентрацией дырок р0=8-Ю15 см"3 и подвижностью дырок 3-Ю2 см2/В •с при Т=77К. Измерения времени жизни осуществлялись по кинетике сигнала фотопроводимости при возбуждении импульсно-модулированным излучением с Х,=10.6 мкм. Из сравнения экспериментальных и расчетных температурных зависимостей времени жизни носителей заряда авторам удалось определить, что в области примесной проводимости (Т<120К) превалирует рекомбинация через локальные центры энергия которых Etl - Ev+ (0.030 - 0.045) эВ и Et2= Ev+(0.010 - 0.015) эВ. В области собственной проводимости (Т > 140К) преимущественным является оже-механизм рекомбинации. В p-HgCdTe наблюдается сдвиг температурной зависимости времени жизни в сторону высоких температур по отношению к температурной зависимости времени жизни для материала с собственной проводимостью, что хорошо согласуется с расчетом для полупроводника с различными значениями эффективных масс электронов и дырок. Зависимости времени жизни носителей заряда от уровня оптической мощности в p-HgCdTe характеризуются ростом времени жизни с последующим насыщением с увеличением оптической мощности.

Влияние облучения электронами (с энергией 2.3 МэВ) кристаллов КРТ р-типа проводимости (х=0.2) и последующего отжига на время жизни неравновесных носителей заряда исследовалось в [34,35]. В процессе облучения вводятся мелкие доноры, так что при некоторой дозе происходит конверсия типа проводимости

p—а также рекомбинационные центры с глубоким уровнем 40 + 5 мэВ над валентной зоной, После отжига радиационных центров с глубоким уровнем время

ЧУ Ч> V»

жизни носителей в кристаллах определяется межзоннои ударной рекомбинациеи, о чем свидетельствуют расчеты, а также температурные зависимости времени жизни и зависимости времени жизни от мощности возбуждающего излучения. В кристаллах р-типа (х=0.25) с низкой степенью компенсации экспериментальная температурная зависимость времени жизни совпадает с расчетной, если считать основными процессами рекомбинации излучательную и оже-механизм с участием двух тяжелых дырок и электрона и превращением тяжелой дырки в легкую [39]. При высокой степени компенсации образцов р-типа имеет место рекомбинация на локальных центрах через акцепторы с энергией ионизации 70 и 20 мэВ.

1.2.3 Влияние на время жизни неравновесных носителей заряда поверхностной рекомбинации, неоднородностей состава, уровня оптического возбуждения Кроме объемных механизмов рекомбинации, важную роль в определении фотоэлектрических свойств материала КРТ играет рекомбинация на поверхности, включениях второй фазы и т. д. Ряд важнейших параметров фотоприемников, таких, как спектральная чувств и гельность, инерционность и нестабильность, в значительной степени определяются свойствами поверхности. Свойства границ раздела являются особенно актуальными в тонких образцах, толщина которых сравнима с диффузионной длиной неравновесных носителей заряда. Рекомбинация

/«* «О1 U

на поверхности определяется способом ее обработки, а также концентрацией носителей заряда в приповерхностной области образца. Параметры поверхностной рекомбинации, в зависимости от способа обработки поверхности, исследовались в работах [16,40-43]. В работе [40] исследовалось влияние механической шлифовки, химической полировки и диэлектрического пассивирующего покрытая на спектральное распределение фотопроводимости монокристаллического КРТ. Авторами установлено, что в зависимости от способа обработки поверхности, скорость поверхностной рекомбинации составила Se=3.2-1G4 - МО6 см/с. Наименьшее значение S0 было получено после химической полировки. Установлено существенное влияние высоких значений S0 на время жизни носителей заряда. В работе [16] для снижения скорости поверхностной рекомбинации в

материале n - типа было применено пассивирующее покрытие ZnS. позволившее снизить значение S0 до 100 см/с. В работе [42] авторами была поставлена задача получения технологии обработки поверхности для получения малых величин скорости поверхностной рекомбинации. Эксперименты проводились на материале КР'Г 11-типа проводимости состава хЮ.2 с концентрацией электронов n0=1.2-1015 см" 3 и подвижностью fin^l.2405 см2/В-с. Обработка поверхности проводилась травлением и электрополированием. Минимальная величина скорости поверхностной рекомбинации составила 350 см/с для электрополированной поверхности. Установлено, что для различных обработок поверхности наблюдается существенное изменение амплитуды сигнала фотопроводимости в максимуме фоточувствительности (до 20 раз). Одновременно наблюдается сильное изменение формы спектра фотопроводимости с возрастанием сигнала в коротковолновой области на электрополированных поверхностях.

В работе [43] исследовались пластины CdxHgi.xTe (х=Ю.27-0.30) п-типа проводимости с Nd=(1-4>1014 см"3 и р-типа проводимости с NA=(3-5)-1015 см°. Поверхность пластин обрабатывалась химико-механической полировкой с последующим травлением. Для интерпретации особенностей фотопроводимости в коротковолновой части спектра предложено учитывать изгиб зон на поверхности, неравновесную проводимость приповерхностной области пространственного заряда и рекомбинацию носителей в слое пространственного заряда.

Работа [44] посвящена исследованию влияния неоднородного распределения состава и примесей на время жизни носителей в кристаллах КРТ. Авторами отмечается, что флуктуации состава х, концентрации собственных дефектов и примесей, наличие металлических включений, дислокаций могут существенно влиять на фотоэлектрические свойства кристаллов. В случае, если в кристаллах имеются области с резким уменьшением ширины запрещенной зоны (что может быть вызвано, например, повышенным содержанием ртути), то это приводит к резкому снижению времени жизни в пределах данной области, то есть это приводит к образованию областей с повышенной скоростью рекомбинации (ОПСР). В пределах OI1CP происходит группировка неравновесных носителей заряда, благодаря наличию встроенного квазиэлектрического поля. Таким образом, поверхность контакта матрицы с ОПСР можно рассматривать как «внутреннюю»

поверхность с определенной скоростью рекомбинации, отличной от скорости поверхностной рекомбинации. Эта модель получила дальнейшее развитие в работах [45-47]. Авторами работы [47] теоретически исследовано влияние протяженных дефектов (включений сферической формы) с повышенным темпом рекомбинации на время жизни неравновесных носителей заряда в фоточувствительной полупроводниковой матрице KPT п - и р - типа проводимости. Степень их влияния описывается скоростью поверхностной рекомбинации на границе раздела включение-матрица и эффективной длиной - функцией скорости поверхностной рекомбинации, радиуса включения, диффузионной длины неосновных носи гелей. В работе проведен расчет критической плотности включений, выше которой эффективное среднее время жизни не определяется объемной скоростью рекомбинации. Оказалось, что материал р-типа более чувствителен к наличию включений, чем материал п - типа, вследствие того, что материал р-типа имеет гораздо больший коэффициент диффузии неравновесных носителей заряда. Необходимо отметить, что в реальных кристаллах необходимо учитывать область пространственного заряда вокруг макродефекта [48], возрастание доли нефотоактивного оптического пог лощения [49] и другие эффекты.

Кроме поверхностной рекомбинации и рекомбинации на макродефектах, на время жизни неравновесных носителей заряда значительное влияние может оказывать уровень оптического возбуждения [50-52]. В частности, в работе [52] исследовалось влияние уровня оптической генерации с длиной волны Я=10.6 мкм на параметры материала КРТ с х=0.2 п - типа проводимости. Плотность потока фотонов изменялась в пределах 1017 < Ф < 1021 фот/см2-с. Эксперименты показали, что в области 1017<Ф<1019 фот/см2-с фотопроводимость Оф является линейной функцией плотности потока фотонов. В дальнейшем зависимость фотопроводимости от плотности потока фотонов приобретает нелинейный характер Оф~Ф1/3. Время жизни ИНЗ т при 101; < Ф < 1019 фот/см2-с практически не зависело от Ф и определялось оже-рекомбинацией; в дальнейшем т~Ф"2/3, что совпадает с теоретически предсказанной зависимостью времени жизни от плотности потока падающих фотонов при оже-рекомбинации. Механизм снижения времени жизни с ростом плотности потока падающих фотонов при оже-рекомбинации связан с

увеличением концентрации носителей заряда. В случае преобладания излунательного механизма рекомбинации зависимость времени жизни от плотности

1 jr\

потока фотонов приобретает вид т~Ф" .

1.3 Фотоэлектрические свойства варизонных структур

на основе КРТ

Идея использования варизонных структур для улучшения параметров фотоприемников путем создания полупроводниковых подложек с градиентом состава (ширины запрещенной зоны) начала развиваться с начала 70-х годов. Большую роль в исследовании этого вопроса сыграла его теоретическая разработка [53-60]. Экспериментально исследовались варизонные структуры на основе А1ь xGaxAs, поскольку для данного материала существовала технология получения варизонных слоев [53-57]. В работе [53] теоретически изучены фотопроводимость и фотовольтаический эффект в пластине варизоиного полупроводника, у которого состав изменяется по толщине пластины так, что градиент ширины запрещенной зоны параллелен световому потоку. Основным преимуществом такой геометрии является возможность уменьшения влияния поверхностной рекомбинации за счет того, что в варизонной структуре на границах раздела возникают электрические поля, препятствующие рекомбинации НИЗ на поверхности. В работе [55] исследовалось влияние различных профилей состава на фотоэлектрические параметры приборов. Рассматривалась модель полубесконечной варизонной структуры с линейным изменением ширины запрещенной зоны. В работе [57] проведен расчет спектров фотопроводимости варизонных фоторезисторов на основе /\1(.xGaxAs с нелинейным изменением ширины запрещенной зоны. В расчете предполагалось, что профиль ширины запрещенной зоны можно представить в виде двух областей, в пределах которых ширина запрещенной зоны линейно зависит от координаты. Структура имела максимальную ширину запрещенной зоны на границе раздела со свободной поверхностью и минимальную ширину запрещенной зоны на границе раздела с подложкой. Расчет был выполнен для однородно легированной пластины n-типа, облучаемой с широкозонной стороны монохроматическим светом с энергией фотонов из области собственного поглощения. Распределение концентрации неравновесных носителей заряда

находилось из решения одномерного уравнения непрерывности для дырок. Авторами показано, что изменением профиля ширины запрещенной зоны можно существенно изменить спектральную характеристику фоторезистора путем увеличения фоточувствительности в области коротких длин волн. Результаты расчета хорошо описывали экспериментальные спектры фотопроводимости структур Ali_xGaxAs. В работе [58] рассмотрена обратная задача фотопроводимости варизонных структур с нелинейным профилем состава при оптическом возбуждении со стороны широкозонной области. Предлагаемый подход позволял рассчитать требуемое распределение состава полупроводникового твердого раствора но толщине эпитаксиального слоя для получения заранее заданной зависимости сигнала фотопроводимости от длины волны излучения. Данный метод обобщается на друг ие применения варизонных полупроводников, что представляет значительный интерес при разработке разнообразных устройств с заданными, предельными и экзотическими характеристиками.

К сожалению, результаты, полученные на системе Al!.xGaxAs, нельзя напрямую переносить на варизониые структуры на основе КРТ, поскольку подвижность и время жизни неравновесных носителей заряда в этом материале существенно зависят от состава твердого раствора. При изменении содержания теллурида кадмия от 10 до 24% в варизонных структурах время жизни изменяется от 5-10"11 до 3-10"8 с при температуре жидкого азота. Для твердого раствора А1Ь xGaxAs (0 < х < 0.35) эта зависимость значительно более слабая. В литературе имеется ряд работ, посвященных теоретическому исследованию варизонных структур на КРТ [59-63]. В них исследовались вопросы фоточувсгвительности варизонных структур [59-61], а также спектральных характеристик гонких варизонных слоев [62]. В работе [60] рассмотрены явления переноса неосновных носителей заряда в кристаллах КРТ переменного состава. Авторами дан анализ амбиполярного движения носителей с учетом градиентов ширины запрещенной зоны, времени жизни, эффективных масс и уровня легирования. Проведены измерения фотоэлекгромагни шого эффекта, фотопроводимости в зависимости от длины волны излучения, магнитного поля и температуры.

Отсутствие надежных технологий получения варизонных слоев КРТ с требуемыми параметрами отрицательно сказалось на экспериментальных

исследованиях свойств варизонных структур КРТ. Группой Павликовского [63-65] изучались некоторые особенности фотоэлектрических свойств варизонных слоев КРТ. В работах [63,65] проведены теоретическое и экспериментальные исследования ФЭМ-эффекта в варизонных пластинах КРТ с линейным изменением ширины запрещенной зоны. В работе [64] исследовалась фотопроводимость варизонных слоев КРТ. Варизонные слои приготавливались эпитаксией из газовой фазы. Полученные образцы имели толщину около 500 мкм и градиент ширины запрещенной зоны порядка 104 эВ/м. Молярный состав первой партии образцов составлял 0.2 < х < 1.0, второй партии - 0.2 < х < 0.8. На полученных образцах были проведены исследования спектральных характеристик для температур 77К и ЗООК при засветке образцов как со стороны широкозонного слоя, так и с узкозонной части. Спектральная характеристика образцов первой партии имела два отчетливых максимума. Первый находился в области 0.8 мкм (при T=77KJ и был связан с большим временем жизни в широкозонной части структуры (х«1.0). Второй максимум в области длин воле 4-5 мкм по абсолютной величине был на два порядка меньше, поскольку пог лощение излучения происходило в узкозонной части структуры, где время жизни носителей заряда существенно меньше.

1.4 Рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе КРТ, выращенного МЛЭ Разработка технологии изготовления объемных монокристаллов КРТ высокого совершенства для фотоприемников для области спектра 8-14 мкм потребовала больших затрат и времени. Физико-химические свойства твердых растворов КРТ определили низкий процент выхода объемных монокристаллов с требуемыми свойствами и, следовательно, достаточно высокую стоимость. Для снижения себестоимости материала активно разрабатываются альтернативные технологии получения КРТ: метод жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ), метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), газовая эпитаксия с применением металло-органических соединений (МОС-гидридная эпитаксия), позволяющие получать эпитаксиальные пленки с заданными параметрами непосредственно на подложках и тем самым исключить технологические операции резки, шлифовки, полировки, при выполнении которых теряется большая часть монокристаллического материала.

Кроме того, нестабильность параметров монокристаллов КРТ, их высокая чувствительность к тепловым, механическим и другим внешним воздействиям создают затруднения при воспроизведении характеристик фотоприемных устройств.

Среди альтернативных методов получения эпитаксиальных структур КРТ большое значение имеют методы ЖФЭ и МОС [10,67-70]. В работе [10] сведены основные результаты по измерению времени жизни носителей заряда в материалах, полученных как эпитаксиальными методами (ЖФЭ, МОС, МЛЭ), так и объемными методами (Бриджмена, твердотельная рекристаллизация). Можно отметить, что материал КРТ n-типа проводимости, полученный методом ЖФЭ на подложке из CdTe, характеризуется достаточно высокими величинами скорости поверхностной рекомбинации (103 < S0 < 2-104 см/с) при Т=80К, значительно превосходящими соответствующие значения в материале, полученном объемными методами, для которого (102 < S0 < 1.5-103 см/с) при Т=80К. В материале КРТ р-типа проводимости, полученном методом ЖФЭ, скорость поверхностной рекомбинации изменялась в области 1.2-104 < S0 <3.1-105 см/с при Т =80К. Для материала КРТ р-типа проводимости, полученною МОС-гидридной эгш гаксией, величина скорости поверхностной рекомбинации составляла 4-10' < $0< 10" см/с. Подобные значения скорости поверхностной рекомбинации не позволяют получить высокие значения времени жизни в образцах, толщина которых сравнима с диффузионной длиной. В связи с этим встал вопрос о необходимости пассивации поверхности с целью снижения величин скорости поверхностной рекомбинации. В частности, в работе [70] приводятся данные по времени жизни в материале, выращенном методом ЖФЭ и методом МОС-гидридной эпитаксии для различных пассивирующих покрытий (CdS и нитрид кремния). Толщина структур составляла 10 мкм. Авторами работы показано, что применение пассивирующих покрытий на поверхности ведет к увеличению времени жизни с 10"8 с до 6-Ю"8 с (Т=80К) при применении покрытия из CdS, и с 8-10"9 с до 7-10"8 с (Т=80К) при применении покрытия из нитрида кремния.

.Анализ данных о поверхностной рекомбинации на границе раздела эиитаксиальная пленка-подложка (Sd) показывает, что в материале п-типа

проводимости, полученном методом ЖФЭ, величина скорости поверхностной рекомбинации изменяется в диапазоне 4-102< Sd < 1Т04 см/с. Наименьшие значения Sd получены при использовании подложки из (Cd,Zn)Te. В материале р-типа проводимости скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела эпитаксиальная пленка-подложка изменялась в области 8-103 < S0 < 2.5-104 см/с. Анализ данных по времени жизни носителей заряда в эпитаксиальных пленках КРТ (х=0.20-0.22) n-типа проводимости, полученных методом ЖФЭ, показывает, что в лучших образцах при Т - 80К в области концентраций электронов 5-1014 < n0 < 2-Ю15 см"3 время жизни изменяется в области 0.09 < т < 1.00 мкс, что несколько меньше величин времени жизни в материале, полученном объемными технологиями. В материале КРТ р-типа проводимости (х=0.22, р0=1.2-Ю15 см"3) достигнуты значения времени жизни мкс при Т=80К, что не уступает значениям времени жизни в материале р-типа, полученном объемными методами.

В связи с широкими возможностями по созданию полупроводниковых структур с заданными характеристиками, особое место среди эпитаксиальных методов выращивания занимает метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Впервые эпитаксиальные пленки КРТ методом МЛЭ были выращены сотрудниками Инфракрасной лаборатории LETI/CENC (Франция) в 1981 году. Применение МЛЭ для получения эпитаксиальных слов ртутьсодержащих соединений оказалось чрезвычайно сложной задачей и потребовало разработки специальных технологических приемов и оборудования, несмотря на то, что основные принципы МЛЭ были детально разработаны в применении к полупроводникам А3В5 к концу 70-х годов [71-74]. Эти трудности прежде всего были связаны с необходимостью использования источника с металлической ртутью для обеспечения ее потока требуемой интенсивности.

К основным преимуществам метода МЛЭ можно отнести [75,76,85]:

1. Рост пленок КРТ проводится при относительно низких температурах, что снижает содержание примесей в пленке КРТ.

2. В отличие от метода ЖФЭ, в методе МЛЭ используется технология выращивания материала с заданными профилями состава и легирования, что

позволяет широко использовать данный метод при изготовлении приборов с гетеропереходами, варизонных структур, сверхрешеток [73,74,76].

3. Метод МЛЭ допускает использование подложек из арсенида галлия, кремния, теллурида кадмия [76].

4. Метод МЛЭ является экологически чистым.

Несмотря на активное развитие метода МЛЭ, необходимо отметить, что в настоящее время имеется незначительное число работ, в которых приводятся результаты измерений времени жизни носителей заряда в пленках Hg1 xCdxTe,

выращенных методом МЛЭ [77-81]. Работа [77] посвящена исследованию времени жизни фотогенерированных носителей заряда в зависимости от концентрации точечных дефектов в эпи гаксиальных структурах КРТ п-тапа проводимости с х г 0.22-0.23, выращенных методом МЛЭ. Эпигаксиальные структуры выращивались на подложках (211)В CdZnTe и GaAs. Для снижения концентрации вакансий проводился отжиг образцов при температуре 410-490 С° под большим давлением. Для получения образцов п-типа проводимости проводился отжиг при температуре 250 С° в парах ртути для заполнения ее вакансий. Измерение времени жизни проводилось методом измерения постоянной времени релаксации сигнала фотопроводимости при возбуждении короткими (~3нс) импульсами лазера на GaAs. Образцы имели размеры 5x3 мм2. Параметры образцов, для которых проводились исследования, представлены в таблице 1.1.

Таблица 1.1

Параметры образцов КРТ, выращенных методом МЛЭ [77].

№ Состав х Материал подложки Концентрация точечных дефектов, см"2 Концентрация электронов (Т=78 К), см"3 Время жизни неосновных носителей заряда (Т=78К), НС

1 0.230 CdZnTe 5.3-105 8.4-1014 3010

2 0.222 CdZnTe 2.8-105 1.5-1015 494

3 0.222 GaAs 2.0-106 1.4-1015 204

4 0.222 GaAs 1.0-107 1.5-1015 67

5 0.222 GaAs 5.4-107 1.5-1015 23

Температурная зависимость времени жизни носителей заряда для исследованных эгштаксиальных структур показана на рис. 1.3. Установлено, что для

всех образцов в области температур Т>150 К преобладает оже-рекомбинация. Она же является основной при Т<150 К в образцах с наименьшей концентрацией точечных дефектов. В образцах с высокой концентрацией точечных дефектов время жизни при Т<150 К определяется рекомбинацией на локальных центрах с энергией Er Ev+0.60 эВ. В образцах с очень высокой концентрацией дефектов (>5-105 см*2) авторами наблюдалась обратная пропорциональность в зависимости времени жизни от концентрации точечных дефектов в материале, показанная на рис. 1.4 Так, при увеличении концентрации точечных дефектов в материале n-гипа от 5.3 -105 см"2 до 5.4 *107 см"2 время жизни носителей заряда изменяется от 3 мкс до 23 не, что свидетельствует о сильной корреляции между величиной времени жизни и концентрацией точечных дефектов. В работе [78] представлены экспериментальные данные по измерению времени жизни носителей заряда в эпитаксиальных структурах р-типа (111)В HgCdTe, выращенных методом МЛЭ. Партия образцов состояла из 19 эпитаксиальных структур, имеющих различные значения состава (0.216<х<0.32), концентрации носителей заряда (0.15• 1016<Na-Nd<5.8-1016 см'3) и толщины (2.5<d<11.9 мкм). Время жизни носителей заряда составляло 11-136 не при Т=77 К и определялось в области примесной проводимости рекомбинацией на локальных центрах. Используя теорию рекомбинации на локальных центрах, а также температурную зависимость уровня Ферми, авторы пришли к выводу, что вблизи середины запрещенной зоны находится рекомбинационный уровень, природа которого не зависит от подложки, состава, введенных дефектов. Также проведена оценка роли поверхностной рекомбинации. Авторами [79] анализируется процесс роста эиитаксиальной пленки и влияние параметров роста на электрические свойства полученных структур. Авторы работы отмечают, что на «истинные» дефекты эпитаксиальной пленки могут накладываться дефекты, мигрирующие из подложки и ухудшающие параметры структур. Приводятся данные по времени жизни носителей заряда в легированном индием материале Hg1

xCd^Te (х=0.24), выращенном методом МЛЭ. Время жизни в области примесной

проводимости определялось оже - рекомбинацией и рекомбинацией на локальных

Т, мкс

10'

,-6

10"

10

О О

о о

о

о

♦ 2

++

О

+

О

о

д □

+

О

+

д

46. п

М д 4

^ □ Д д*

□ д

п □ □

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Денисов, Юрий Алексеевич

188 Выводы

В данном параграфе представлены результаты исследований спектральных характеристик эпитаксиальных пленок КРТ, а также параметров фоторезисторов, созданных на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ.

1. Проведение спектральных измерений при послойном удалении поверхностных слоев путем химико-механической полировки позволило обнаружить варизонный характер активной части ряда эпитаксиальных пленок. Неоднородность состава по глубине проявлялась как сдвиг длинноволновой границы фоточувствительности при послойном удалении поверхностных слоев структуры, а также как различие в значениях времени жизни при поверхностном и объемном возбуждении.

2. Показано, что поверхностный широкозонный слой существенно снижает влияние поверхностной рекомбинации на время жизни носителей заряда. Стравливание этого слоя снижало фоточувствительность структур, вследствие уменьшением времени жизни носителей заряда, в 4 - 6 раз . Исследование буферного слоя на границе раздела пленка - подложка показало, что он содержит дефекты типа центров захвата, проявляющихся в виде медленных составляющих на кривых релаксации фотопроводимости. Отмечена резкая зависимость амплитуды медленных составляющих от температуры.

3. Обнаружено, что в области собственной проводимости напряжение шума имеет генерационно - рекомбинационную природу. В области примесной проводимости наблюдается расхождение между величиной экспериментально измеряемого напряжения шума и величиной напряжения шума, рассчитанной для модели полупроводника, близкого к собственному. Расхождение в величинах напряжения шума связано с тем, что в реальной эпитаксиальной структуре генерационно-рекомбинационный шум определяется как межзонными механизмами рекомбинации, так и рекомбинацией на локальных центрах и центрах захвата.

4. Проведены исследования основных характеристик фоторезисторов на основе эпитаксиальных структур HgCdTe п - типа проводимости. Обнаружено, что в образцах с высокими величинами времени жизни носителей заряда (1-2) мкс удается реализовать режим ограничения флуктуациями фонового излучения. Получены значения вольт-ваттной чувствительности R^ 5-Ю'' В/Вт и (0.7-1.0)-105 В/Вт и обнаружительной способности 1)*-" 1.5-1010 см-Гц'^-Вт"1 и (0.6 - 1.0>1012 см-Гц1 "-Вт"1 при Т=80 К на длине волны 10.6 мкм и при использовании излучения АЧТ при Тачт=465 К соответственно.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе проведены исследования механизмов рекомбинации , спектральных характеристик фотопроводимости и основных параметров эпитаксиальных структур КРТ. выращенных методом МЛЭ, и фотоприемников, созданных на их основе. Получены следующие результаты.

1. Проведен теоретический анализ возможности использования варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe для создания высокочувствительных ФПУ ИК-диапазона. Показано, что при выращивании тонких широкозонных слоев на поверхности эпитаксиальной пленки и границе раздела пленка - подложка удается значительно уменьшить влияние поверхностной рекомбинации и рекомбинации на границе раздела пленка-подложка на эффективное время жизни носителей заряда. Рассмотрено влияние толщины и состава поверхностного варизонного слоя на спектральную характеристику фоточувствительносги фотоприемника на основе эпитаксиальных структур HgCdTe. выращенных методом МЛЭ.

2. Проведен расчет параметров (емкость потенциальной ямы Qw и время накопления носителей заряда хн)5 характеризующих МДП-структуру с изотопным п-п+ гетеропереходом в качестве полупроводниковой подложки в неравновесном режиме. Показано, что в этом случае величина Qw=(3-8>10"8 Кл/см2, что в 1.5 - 4.0 раза выше, чем аналогичный параметр для МДП-структуры с однослойной подложкой. Значение времени накопления для МДП-структуры на широкозонном полупроводнике (х = 0.30) составляет 5 с, что значительно превосходит значение для узкозонного полупроводника (10"3 с). Для МДП-структуры на основе гегерострукгуры время накопления должно иметь промежуточное значение, т.к. возрастает вклад диффузионной составляющей тока от узкозонного слоя, протекающий через гетерограницу в широкозонный слой. Сформулированы требования для параметров полупроводникового материала, необходимые для получения высокой фоточувствительности МДП-структур.

3. Экспериментально определены основные механизмы рекомбинации в эпитаксиальных пленках HgCdTe, выращенных методом МЛЭ. Установлено, что в материале п - типа проводимости с х=0.20 - 0.23 в области температур. соответствующих примесной проводимости, время жизни носителей заряда в случае высокой концентрации рекомбинационных центров определяется рекомбинацией на локальных центрах. В случае низкой концентрации дефектов в данном температурном интервале время жизни определяется совместным действием оже -рекомбинации и рекомбинации на локальных центрах и поверхности, что подтверждается температурными зависимостями времени жизни носителей заряда, а также зависимостями времени жизни носителей заряда от уровня постоянной засветки из области фундаментального поглощения. В области температур, соответствующих собственной проводимости, время жизни носителей заряда определяется оже-рекомбинацией. Для лучших образцов п - типа получены значения времени жизни 1-2 мкс при Т=80К, что соответствует значениям времени жизни носителей заряда в объемном материале.

4. Определено, что в материале р - типа проводимости в зависимости от дефектности образцов время жизни ограничивается либо межзонной оже -рекомбинацией, либо рекомбинацией на локальных центрах. В случае рекомбинации на локальных центрах энергия рекомбинационного уровня составила Е^Еу+0.15-0.22 эВ, что согласуется с известными литературными данными для объемного материала Н^сГГе дырочного типа проводимости.

5. Установлено, что для некоторых образцов имеют место две составляющие в кинетике сигнала фотопроводимости. Наличие двух составляющих (быстрой и медленной) связывается с различием в механизмах рекомбинации. Быстрая составляющая определяется объемными механизмами рекомбинации ННЗ. Причиной появления медленной составляющей, проявляющейся при низких температурах при поглощении излучения вблизи границы раздела эпитаксиальная пленка-подложка, является существование в материале п-типа проводимости рекомбинационных центров с резкой асимметрией величин поперечных сечений захвата для электронов и дырок, а в материале р-типа - центров захвата.

6. Проведены исследования сформированных облучением эпитаксиальных структур Н§СёТе после импульсно-радиационных воздействий на ускорителе электронов «МУК» с энергией электронов 140кэВ, плотностью тока 5-6 А/см2, длительностью импульса 200 не. Установлено повышение фоточувствительности в 15-20 раз на 1=10.6 мкм в сформированных облучением ЖФЭ-эпитаксиалытых структурах и в 30-50 раз в МЛЭ-эпитаксиальных структурах по сравнению с исходными эпитаксиальными структурами р-типа проводимости. На основе разработанных рекомендаций по технологии получения эпитаксиалыюго материала КРТ для модулей фотоприемников изготовлены из исходного материала р-типа проводимости, выращенного методом МЛЭ, образцы материала п-типа проводимости со следующими параметрами: концентрация электронов (3-5)-1014 см°, время жизни носителей заряда - (3-5)-10"' с.

7. Проведение спектральных измерений при послойном удалении поверхностных слоев путем химико-механической полировки позволило обнаружить варизонный характер активной части ряда эпитаксиальных пленок. Неоднородность состава по глубине проявлялась как сдвиг длинноволновой границы фоточувствительности при послойном удалении поверхностных слоев структуры, а также как различие в значениях времени жизни при поверхностном и объемном возбуждении.

8. Показано, что поверхностный широкозонный слой существенно снижает влияние поверхностной рекомбинации на время жизни носителей заряда. Стравливание этого слоя снижало фоточувствительность структур, вследствие уменьшения времени жизни носителей заряда, в 4 - 6 раз . Исследование буферного слоя на границе раздела пленка - подложка показало, что он содержит дефекты типа центров захвата, проявляющихся в виде медленных составляющих на кривых релаксации фотопроводимости. Отмечена резкая зависимость амплитуды медленных составляющих от температуры.

9. Обнаружено, что в области собственной проводимости напряжение шума имеет генерационно - рекомбинационную природу. В области примесной проводимости наблюдается расхождение между величиной экспериментально измеряемого напряжения шума и величиной напряжения шума, рассчитанной для модели полупроводника, близкого к собственному. Расхождение в величинах напряжения шума связано с тем, что в реальной эпитаксиалыюй структуре генерационно-рекомбинационный шум определяется как межзонными механизмами рекомбинации, так и рекомбинацией на локальных центрах и центрах захвата.

10. Проведены исследования основных характеристик фоторезисторов на основе эпитаксиальных структур HgCdTe п - типа проводимости. Обнаружено, что в образцах с высокими величинами времени жизни носителей заряда (1-2) мкс удается реализовать режим ограничения флуггуациями фонового излучения. Получены значения вольт-ваттной чувствительности • 10"' В/Вт и (0.7-1.0)-105 В/Вт и обнаружительной способности В*= 1.5-1010 см-Гц1/2-Вт4 и (0.6 - 1.0)-1012 см-Гц1/2-Вт"1 при 'Г-80 К на длине волны 10.6 мкм и при использовании излучения АЧТ при Тачг=465 к соответственно.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Денисов, Юрий Алексеевич, 1998 год

Список литературы

1. Аигина Н.Р., Варфоломеев СЛ., Матвееико А.В., Олеск А.О. Военные области

приложения инфракрасной техники. - Зарубежная электронная техника, 1980, №9, с.3-33.

2. Дьякова Ю.М., Беликова И.Н., Проникова М.Д., Применение С02-лазеров в военной технике.-Зарубежная радиоэлектроника, 1983, №7, с.85-93.

3. Аксеенко М.Д., Бараночников М.Л., Смолин О. В. Микроэлектронные фотоприемные устройства.-М.: Энергоатомиздат, 1984.-208 с.

4. Хадсон Р. Инфракрасные системы.-М.: Мир, 1972.-534 с.

5. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника.-М.: Мир, 1976,-

432 с.

6. Stelzer E.I., Schmit J.L., Tuffe O.N. Mercury cadmium telluride as in infrared detectors

material.-IEEE Trans. Electron Dev., 1969, v. ED-16, № 10, p. 880-884.

7. Рыбкин C.M. Рекомбинация в полупроводниках // Полупроводники в науке и технике. 1958, Т.2, Гл.22, с.463-515.

8. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М., 1964. 392 с.

9. Барышев Н.С., Гельмонт Б.Л., Ибрагимова М.И. Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHgbxTe// ФТП, 1990, т.24, в.2, с.209-224.

10. Lopes V.C., Syllaios A.J., Chen М.С. Minority carrier lifetime in mercury cadmium telluride // Semicond. Sci. Technol., 1993, vol. 8, pp.824-841.

11. Casselman T.N., Petersen P.E. A comparison of the dominant Auger transition in p-type (Hg,Cd)Te // Sol. St. Comm.,1980,v.33,p.615-619.

12. Casselman T.N. Calculation of the Auger lifetime in p-type Hgi.xCdxTe // J. Appl. Phys. 1981, vol.52, №2, p.848-853.

13. Petersen P.E. // Semiconductors and Semimetals.-Nevv York: Academic Press.-1981.-v.l8.-Ch.4.-p,121-155.

14. Гельмонт Б.Л. Оже-рекомбинация в узкощелевых полупроводниках //ФТП. 1980.Т. 14. В. 10 с. 1913-1917.

15. Gerhardts R.R., Dornhaus R., Nimtz G. The Auger-effect in HgbxCdxTe \\ Solid State Electronics, 1978, vol. 21, pp. 1467-1470.

16. Kinch M.A., Brau M.J., Simmons A. Recombination mechanisms in 8-14 urn HgCdTe // J. Appl. Phys., 1973, vol. 44, №4, pp. 1649-1663.

17. Pines M.Y., Stafsudd O.M., Bratt P.B. Characteristics of n-type mercury cadmium telluride \\ Infrared physics, 1979, vol. 19, p.633-638.

18. Baker M., Capocci F.A., Charlton D.E., Wotherspoon J.T.M. Recombination in cadmium mercury telluride photodetectors /7 Solid State Electronics 1978, Vol. 21 pp. 1475-1480.

19. Гельмонт Б.Л. Оже-рекомбинация в узкощелевых полупроводниках р-типа // ФТП. 1981.Т. 15. В. 7 с.1316-1319.

20. Beattie A.R., Smith G. Recombination in semiconductors by a light hole Auger transition // Phys. Stat. Sol. 1967. V.19, №2 p. 536-544.

21. Войцеховский А. В. Время жизни носителей заряда в кристаллах Hg!„xCdxTe (х=0.20) // Известия ВУЗов., Физика, 1994, №2, с.99-104.

22. Pines M.Y., Stafsudd О.М. Recombination processes in intrinsic semiconductors using impact ionization capture cross section in indium antimonide and mercury cadmium telluride // Infrared physics, 1980, vol. 20, pp.73-91.

23. Nimtz G., Muller K. Carrier lifetime in n-Hgo.8Cdo.2Te at 77K // Phys. Stat. Sol (A). 1974. V.22, №2 p. K215-K217.

24. Любченко A.B., Прокопчук Л.Ф., Сальков E.А. Особенности межзонной ударной рекомбинации в Cdx HgbxTe //УФЖ. 1975. Т. 20 В. 7. С. 1094-1098.

25. Вдовкина Е.Е., Барышев Н.С., Щетинин М.П., Черкасов А.П., Аверьянов И.С. Фотоэлектрические свойства Cdx HgbxTe // ФТП. 1976.Т. 10. В. 1 с. 183-184.

26. Баженов Н.Л., Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Малькова А.А., Огородников В.К., Тотиева Т.Ц. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в n-CdxHgi. х'Ге (х=0.2-0.3) // ФТП. 1982.Т. 16. В. 1 с, 109-112.

27. Власенко А.И., Любченко А.В., Сальков Е.А. Рекомбинация в кристаллах CdllgTe n-типа при поверхностном возбуждении // УФЖ, 1980, т.25, №3, с.434-441.

28. Иванов - Омский В.И., Огородников В.К., Тотиева Т.Ц. Фотоэлектрические свойства n-Cdo.3Hgo.7Te при 78 К /7 ФТП. 1980.Т. 14. В. 4 с.699-702.

29. Вдовкина Е.Е., Барышев Н.С. Рекомбинационные процессы в n-CdxHg3„xTe с х=0.3 /7 Материалы VII Всес. симпоз. по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1986. ч.1. с.51-53.

30. Писаревский В.К., Савицкий В.Г. Исследование рекомбинационных свойств в CdxHgi_xTe (х=0.5) // Материалы V Всес. симпоз. по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1980. ч.Н. с. 143-144.

31. Войцеховский А.В., Лиленко Ю.В., Лимаренко Л.Н., Лопатинская Е.П. Фотопроводимость монокристаллов p~Cdo.2Hgo.sTe // Материалы V Всес. симпоз. по полупроводн. с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1980. ч.1. с.111-113.

32. Войцеховский А.В., Лиленко Ю.В., Коханенко А.П. Время жизни носителей заряда в p-CdxHg!.xTe // Материалы V Всес. симпоз. по полупроводн. с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1980. ч.1. с.123-125.

33. Войцеховский А.В., Лиленко Ю.В. Особенности Оже-рекомбинации в полупроводниках р-типа проводимости с различными значениями эффективных масс электронов и дырок // Известия ВУЗов., Физика, 1981, №9, с.125-127.

34. Войцеховский А.В., Коханенко А.II., Лиленко Ю.В., Петров АС. Время жизни носителей заряда в кристаллах p-CdxHg!.xTe, облученных электронами /У ФТП. 1981.Т. 15. В. 4 с.676-681.

35. Войцеховский А.В., Коханенко All., Лиленко Ю.В., Петров А.С., Стафеев В.И. Изменение времени жизни носителей заряда в CdxHgi.xTe при электронном облучении и последующем отжиге// ФТП. 1981.Т. 15. В. 8 с. 1606-1608.

36. Войцеховский А.В., Лиленко Ю.В. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в p-CdxHgbxTe (х=0.195) // ФТП. 1981.Т. 15. В. 8 с. 1457-1461.

37. Voitsekliovskii AV., Lilenko Yu.V. Recombination Effects in narrow-gap semiconductors p - Hgbx Cdx Те // 1981, Phys. Stat. Sol (A).,vol.381, pp. 381-386.

38. Гасан-заде С.Г., Прокопчук Л.Ф., Шепельский Г.А. Фотоэлектромагнитный эффект и фотопроводимость в p-CdxHgi.xTe при низких температурах // ФТП. 1984.Т. 18. В. 3 с.563-565.

39. Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Константинова И.И., Огородников В.К. Межзонная рекомбинация неравновесных носителей заряда в p-CdxHgi_xTe (х=0.25) // ФТП. 1982. Т. 16. В. 12 с.2202-2204.

40. Белый H.H., Барышев Н.С., Тарасова И.М., Панасеико Б.В. Влияние состояния поверхности на спектральное распределение фоточувствительности монокристаллов CdHgTe // Оптико-механическая промышленность, 1978, № 10, с. 13-14.

41. Белый H.H., Барышев Н.С., Мубаракшин Р.Г. О соотношении объемной и поверхностной рекомбинации в кристаллах КРТ /7 Материалы V Всес. симпоз. по полупроводн. с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1980. ч.1. с.158-159.

42. Власенко А.И., Мацас Е.П., Любченко A.B., Сальков Е.А., Саченко AB. Влияние обработки поверхности на спектральное распределение фоточувствительности кристаллов Hgo.8Cdo.2Te // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1981. №10. С.67-73.

43. Гусейнов Э.К., Исмайлов Н.Д. О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость CdxHgi.xTe (х«0.3) // ФТП. 1995.Т. 29. В. 10 с. 1790-1795.

44. Любченко А. В., Сальков Е. А. Влияние неоднородности состава на время жизни носителей в кристаллах CdxHg,.xTe //УФЖ, 1979, т. 24. №5. с. 708-709.

45. Власенко А.И., Гаврилюк Ю.Н., Латута В.З., Любченко A.B., Сальков Е.А. Время жизни в кристаллах Cd^Hgi^Te, ограниченное флуктуациями состава и выделениями второй фазы // Письма в ЖТФД979, том 5, вып. 16, с.1013 - 1017.

46. Любченко A.B., Григорьев H.H., Вирт И.С. Ограничение времени жизни в полупроводниках с протяженными дефектами структуры // Материалы VII Всес.

V V и TT

симпоз. по полупроводн. с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1986. 4.1. с.57-59.

47. Вирт И.С., Григорьев H.H., Любченко A.B. Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках /7 ФТП. 1988. Т.22 в.З. с.409-412.

48. Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов в HgCdTe при низких температурах // ФТП. 1984. Т. 18 в.9. с.201-205.

49. Несмелова И.M., Панаеенко З.К. Влияние включения второй фазы на спектры поглощения свободными носителями в монокристаллах HgCdTe II ФТП. 1984. Т. 18 в.7. с.1210-1213.

50. Власенко А.И., Курбанов K.P., Любченко A.B., С альков Е.А. Кинетика фотопроводимости в кристаллах CdxHg!_xTe при поверхностном возбуждении // УФЖ, 1982, т.27, №9, с. 1392-1395.

51. Borrello S. R., Kinch M. A, LaMont D. Photoconductive HgCdTe detector performance with background variations // Infrared Physics, 1977, vol. 17, pp. 121-125.

52. Bartoli F., Allen R., Esterowitz L., Kruer M. Auger-limited earner lifetimes in HgCdTe at high excess carrier consentration // J. Appl. Phys., 1974, vol. 45, № 5, pp.2150-2154.

53. Константинов O.B., Царенков Г.В. Фотопроводимость и эффект Дембера в варизонных полупроводниках// ФТП, 1976, т. 10, в.4,с.720-728.

54. Кесаманлы Ф.П., Коваленко В.Ф., Марончук И.Е., Пека И.Е., Шепель Л.Г. Исследование диффузионной длины в варизонных твердых растворах AlxGai„xAs // ФТП, 1978, т. 12, в.7, с.1318-1321.

55. Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Исследование спектров излучения и возбуждения фотолюминесценции варизонных полупроводников // ФТП, 1977, т.П, в. 11, с,2084-2087.

56. Коваленко В.Ф., Пека Т.П., Шепель Л.Г. Излучательная рекомбинация в тонких варизонных структурах // ФТП, 1978, т. 12, в.7, с.1421-1423.

57. Кудинов В.А., Пека Т.П., Смоляр А.Н. Спектральные характеристики варизонных фоторезисторов с нелинейным изменением ширины запрещенной зоны // УФЖ, 1989, т.34, №5, с.742-746.

58. Клецкий C.B. Спектральные характеристики варизонных структур с нелинейным профилем состава// ФТП, 1992, т,26, в.9, с. 1631-1634.

59. Савицкий В.Г., Соколовский Б.С. Фоточувствительность варизонной полупроводниковой пластины с варизонным передним слоем // ФТП, 1979, т. 13, в.7, с. 1451.

60. Савицкий В.Г., Соколовский Б.С. Перенос носителей заряда в варизонных структурах на основе КРТ // Материалы V Всес. Симп. По полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1980. ч. II, с. 124-126.

61. Савицкий В.Г.. Соколовский Б.С. Фоточувствительность варизоиных структур CdxHgi„xTe // Материалы V Всес. Симп. По полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1980. ч. II, с. 131,132.

62. Савицкий В.Г., Соколовский Б.С. Спектральная фоточувствительность тонких варизонных слоев /7 ФТП, 1979, т. 13, в.7, с. 1452.

63. Pawlikowski J. М., Kasprzak J.F. PEM-effect in graded gap semiconductor /7 Solid State Communications 1978, Vol. 25 pp.645-649.

64. Pawlikowski J. M. Photoconductivity of graded gap Hgi_xCdxTe \\ Infrared physics, 1979, vol. 19, pp. 179-184.

65. Kasprzak J.F., Pawlikowski J.M., Becla P., Majchrowska E. Spectral characteristics of the PEM-eflect in graded-gap Hgi„xCdxTe // Acta Phvsica Polonica, 1980, vol. A 57, №3, pp.311-322.

66. Arch D.K., Wood R.A., Smith D.L. High responsivity HgCdTe heterojunction photoconductor // J. Appl. Phvs. 1985,v.58,№6, p.2360-2370.

67. Wood R., Hager R. Horizontal slider LPE of (HgCd)Te. /7 J. Vac. Sci. Technol., 1983, v. Al,№3, p.1608-1611.

68. Wood R., Schmit J., Chung H., Magee Т., Woolhousc G. Summary Abstract: Liquidphase epitaxial growth of (HgCd)Te on Cd(TeSe) substrates // J. Vac. Sci. Techno!. A, 1985, v. 3, №1, p.93-94.

69. Raccah P.M., Lee U. Comparative studies of mercury cadmium telluride single crystal and epitaxial // J. Vac. Sci. Technol. A, 1983, v. 1, №3, p.1587-1592.

70. Barton S., Capper P., McAllister A., Jones C.L., Metcalfe N. Transient and steady-state lifetime measurements on epitaxially grown Hg!.xCdxTe // Semicond. Sci. Technol., 1993, 8, p.s81-s85.

71. Myers Т.Н., Giles-Tavlor N.C., Yanka R.W., Bickncll R.N., Cook J.W., Schetzina J.F., lost S.R., Cole H.S., Woodbury H.H. Properties and applications of CdTe/saphire epilayers grown by molecular beam epitaxy /7 J. Vac. Sci. Technol. A, 1985, v. 3, №1, p.71-75.

72. MBE growth of CdTe, Hgi„xCdxTe and multilayer structures: Achievents, problems and prospects // J. Vac. Sci. Technol. A, 1985, v. 3, №1, p.60-66.

73. Faurie J.P., Million A., Boch R., Tissot J.L. Latest developments in the growth of CdHgTe and Cd-HgTe superlattiees by molecular beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. A, 1983, 1(3), p. 1593-1597.

74. Chow P.P., Johnson D., Growth and characterization of MBE grown HgTe-CdTe superlattiees // J. Vac. Sci. Technol. A, 1985, 3(1), p.67-70.

75. Кемарский B.A., Кульчицкий H.A., Осадчев JI.А. Современные аспекты молекулярно-лучевой эпигаксии // Обзорная информация., Обзор N 5207., часть 2., 1990., с.3-73.

76. Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Кульчицкий Н.А., Кемарский В.А. Приборы ИК оптоэлектроники на основе структур Hgi-xCdxTe, выращенных методом молекулярно - лучевой эпитаксии // Зарубежная электронная техника., 1992., N12., с. 3-44.

77. Shin S.N., Arias J.M., Zandian М., Pasko J.G., Dewames R.E. Effect of the dislocation density on minority-carrier lifetime in molecular beam epitaxial HgCdTe // Appl. Phys. Lett. 1991. V.59 N. 21 P. 2718 - 2720.

78. de Souza M.E., Boukerche M., Faurie J.P. Minority-carrier lifetime in p-type (lll)B IlgCdTe grown by molecular - beam epitaxy // J.Appl. Phys. 1990. V. 68. N. 10 P. 5195-5199.

79. Jean - Pierre Faurie, Sivananthan S., Wij e wamasuriy a P. S. Current status of the growth of HgCdTe by molecular beam epitaxy on (211)B CdZnTe substrates // SPIE Infrared Detectors. V. 1735. P. 141-150.

80. Костюченко В.Я., Протасов Д.Ю., Студеникин C.A. Исследование фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в слоях p-CdHgTe // Автометрия, 1996, №4, с. 77-81.

81. Булдыгин А.Ф., Вдовин А.В., Студеникин С.А. Исследование спектра фотопроводимости пленок CdHgTe СВЧ-методом // Автометрия, 1996, №4, с. 7376.

82. Arias J.M., Shin S.H., Pasko J.G., Gertner E.R. Infrared photodiodes fabricated with HgbxCdxTe grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol.52. №1. P.39-41.

83. Овсюк B.H., Васильев B.B., Захарьяш Т.И., Ремесник В.Г., Студеникин С.А., Сусляков А.О., Талипов Н.Х., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.,

Либерман В.Г., Варавин B.C. Плапарные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев CdxHgi-xTe, выращенные методом молекулярно-лучевой эиитаксии // ФТП, 1996., №2, с. 193-203.

84. Goodwin M.W., Kinch М.А., Koestner R.J. Effect of defects on metal-insulator semiconductor properties of molecular - beam epitaxy grown HgCdTe // J.Vac.Sci.Technol., 1989., A.7, p.523-527.

85. Goodwin M.W., Kinch MA., Koestner R.J. Metal-insulator semiconductor properties of molecular - beam epitaxy grown HgCdTe heterostructures // J. Vac.Sci.Technol., 1990., A.8, p. 1226-1232.

86. Irvine S.J. C., Bajaj J. In situ characterization techniques for monitoring and control of VPE growth of Hgi-xCdxTe /7 Semicond. Sci. Technol., 1993, 8, p.860-871.

87. Long D., Schmit J.L. Infrared detectors Semiconductors and semimetals, vol.5, , cb.5, Academic Press, New York and London, 1970.

88. Broudy H.M., Mazurcrych V.I. (HgCd)Te photoconductive detectors // Semiconductors and Semimetals.-New York: Academic Press.-1981.-v.l8.-Ch.5.-p.l57-159.

89. Rein M.B., Sood A.K., Tredwell T.I. Photovoltaic infrared detector // Semiconductors and Semimetals.-New York: Academic Press.-1981 .-v. 18.-Ch.6.-p.201 -311.

90. Kinch M.A. Metal-insulator-semiconductor infrared detector // Semiconductors and Semimetals.-New York: Academic Press.-1981.-v. 18.-Ch.7.-p.313-378.

91. Элементная база оптико-электронных приборов // Под общей ред.В.Е.Зуева, -Томск: МП "Раско", 1992. - 274 с.

92. Kinch М.А., Borrello S. R., Simmons A. 0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance // Mr. Phys. 1977, vol. 17, №2, p. 127-135.

93. Kinch M.A., Borrello S. R. 0.1 eV HgCdTe photodetectors // Infrared Physics, 1976, vol. 15, №2. p. 111-124.

94. Kinch M.A., Borrello S.R., Breazeale B.H., Simmons A. Geometrical enhancement of HgCdTe photoconductive detectors // Infrared Physics, 1977, vol. 17, pp. 137-145.

95. Войцеховский A.B., Лиленко Ю.В. Быстродействие фоторезисторного приемника кадмиевого теллурида ртути // Импульсная фотометрия. Л.: Машиностроение, 1979. №6 с.200-204.

96. Войцеховский А.В. Анализ работы фоторезистора на Hgi_xCdxTe при больших токах смещения // Известия ВУЗов., Физика, 19, т. 21. №6, с. 125-130.

97. Войцеховский А.В., Лиленко Ю.В. Эффективное время жизни носителей заряда в полупроводниковых кристаллах Hgi-xCdxTe // Изв. ВУЗов. Физика. 1981. Деп. ВИНИТИ, N 5200-81 Деп. - 36 с.

98. Андреев В.А. Рекомбинация неравновесных носителей заряда на контактах в фоторезисторах CdxHgl-xTe // Оптический журнал, 1996, №11 с.20-23.

99. Другова А.А., Осипов В.В. Теория пороговых фоторезисторов на основе КРТ // ФТП, 1981, т. 15, в. 12, с.2384-2391.

100. Пиотровский Ж. Предельные характеристики (Cdllg)Te - фотодиодов // ФТП. 1974. Т.11 в.6. с. 1088-1093.

101. Fiorito G., Gasparine G., Svelto F. P-n - junction characteristics and ultimate performance of high quality 8-14 цш HgCdTe implanted photodetectors /7 Infr. Phys. 1977. V.17. № 18. P.25-31.

102. Igras E., Piotrowski J., Piotrowski T. Ultimate detectivity of (Cd,Hg)Te infrared photodetectors \\ Infrared physics, 1979, vol. 19, pp. 143-149.

103. Grudzien M., Jozwikowski K., Piotrowski J., Polakowski H. The influence of doping on ultimate performance of photodiodes for the 8-14 fim spectral range // Infrared Physics, 1981, v. 21, p.201-205.

104. Ангина H.P., Богомолов П.А., Сидоров В.И. Новое поколение фотоприемных устройств ИК-диапазоиа /7 Зарубежная электронная техника. 1982. №5 с. 3-80.

105. Аигина Н.Р., .Антонов В.В., Войцеховский А. В., Пашковский М.В. Поверхностно-управляемые приборы на основе теллурида кадмия ртути // Зарубежная электронная техника. 1984. №5 с. 3-72.

106. Кутузов М.К., Раскин А. А, Соколов Е.В. Приемники изображения на приборах с переносом заряда // Зарубежная электронная техника. 1984. №2 с. 41-83.

107. Антонов В.В., Войцеховский А.В. Обнаружитсльная способность пороговых фотоприемников на основе МДП-структур из HgCdTe // Материалы V Всес. Симпоз. по распространению лазерного излучения в атмосфере. Томск: ИОА СО АН СССР, 1979. ч.4. с.78-81.

108. Антонов В.В., Войцеховский А.В. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения диапазона 8-14 мкм на основе ПЗС И Материалы VI Всес. Симпоз.

По распространению лазерного излучения в атмосфере. Томск: ИОА СО АН СССР, 1981. 4.2. с.218-221.

109. Антонов В.В., Войцеховский А.В. Туннельные процессы генерации-рекомбинации при изгибах зон на поверхности узкозонного HgCdTe // Материалы VII Всес. симпоз. по полунроводн. с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1986. ч.1. с.60-62.

110. Siliquiei J.F., Pyrin К.A., Nener B.D., Faraone L., Hartley R.H. Improved device technology for epitaxial CdHgTe infrared photoconductor arrays // Semicond. Sci. Technol., 1994, 9, p. 1515-1522.

111. McLevige W.V., Williams G.M., DeWames R.E., Bajaj J., Gergis I.S., Vatiderwyck А.Ы., Blazejewski E.R. Variable-area diode data analysis of surface and bulk effects in MWIR HgCdTe/CdTe/sapphire photodetectors // Semicond. Sci. Technol., 1993, 8, p.946-952.

112. Овсюк B.H., Сусляков А.О., Захарьяш Т.Н. и др. Фотосопротивления на основе пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно - лучевой эпитаксии // Автометрия, 1996, №4, с.45-50.

113. Сусов Е.В., Сидоров Ю.Г., Северцев В.Н. и др. Многоэлементный охлаждаемый

фоторезистор на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe // Автометрия, 1996, №4, с.40-44.

114. Finkman Е., Neinirovsky Y. Infrared optical absorption of Hgi.xCdxTe J. Appl. Phys. 1979, vol.50, №6, pp.4356-4363.

115. Podgorny M., Czyzyk M.T. The band structure and optical properties of the Hgj. xCdxTe mixed ciystals // Solid State Communications 1979, Vol. 32 pp.413-418. (T35)

116. Blue M.D. Optical absorption in HgTe and CdHgTe // Phys. Rev., 1964, vol. 134, №1A, pp. 226-234.

117. Scott M.W. Energy gap in HgCdTe by optical absorption /7 J. Appl. Phys., 1969, vol. 40, №10, pp.4077-4081.

118. Anderson WAV. Absorption constant of Pbi.xSnxTe and Hgi.xCdxTe alloys // Infrared Physics, 1980, vol. 20. pp. 363-372.

119. Любченко A.B., Сальков E.A., Сизов Ф.Ф. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектрон и ки. - Киев: Наукова думка, 1984., 241 с.

120. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М., «Высшая школа», 1975. 206 с.

121. Константинов О.В, Царенков Г.В. О фоточувствительности варизонных структур // ФТП, 1976, т. 10, в.4, с.673-.

122. Осинский В.И., Малышев С.А., Рыжков M.1I. Накопление неосновных

носителей заряда в объеме полупроводника с неременной шириной запрещенной

зоны //ДАН БССР, 1981, т.25, №.8, с.707-710.

123. Берченко H.H., Матвеенко A.B. Многоцветные приемники. // Зарубежная

электронная техника, 1980, №9, с.3-35.

124. Войцеховский A.B., Давыдов В.H Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. Томск., 1990. 328с.

125. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., «Мир», 1984. 456 с.

126. Денисенко В.В., Шахиджанов С.С. О возможности увеличения управляющей способности ПЗС на узкозонных полупроводниках // Микроэлектроника, 1982, т. 11, №3, с.37-40.

127. Варламов И.В., Вьюков Л.А. Особенности ВФХ варизонных МДП-сгрук тур /У Микроэлектроника, 1983, т. 17, №2, с.29-33.

128. Bratt P.R., Casselman T.N. Potential barriers in HgCdTe heterojunctions // // J. Vac. Sei. Technol., 1985, v. A3, №1, p.238-245.

129. Madarasz F.L. The effect of a valence-band offset on barrier formation in graded HgCdTe heterojunctions // J. Appl. Phvs. 1988, vol.64, №11, p.6373-6378.

130. Зон Б.А., Клейменов С.Э., Лихолет A.H., Фетисова C.B. Модель полупроводника с переходной областью переменного состава // Микроэлектроника, 1992, т.21, №4, с. 18-23.

131. Сыноров В.Ф., Лихолет AIL, Сысоев Б.И. Распределение потенциала и емкость структуры с полупроводниковым слоем критической толщины // Микроэлектроника, 1977, т.6, №1, с.56-63.

132. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Основы физики приборов с зарядовой связью. М., «Наука», 1986. 320 с.

133. Физика соединений AIlBvl / Под редакцией Георгобиани А.Н., Шейкмана М.К. -М.: Наука, 1986. - 320 с.

134. Бородовский П.А, Булдыгин А.Ф., Ремесник В.Г. Исследование рекомбинации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных структурах р - CdxHgj_xTe / CdTe СВЧ методом /7 ФТП, 1994, т.28, в. 12. с.2099-2104.

135. Voitsekhovskii A.V., Denisov Yu.A., Kokhanenko A.P., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Michailov N.N. Lifetime of a charge carriers in structures based on Hgi_xCdxTe (x = 0.195-0.230), grown by a method molecular - beam epitaxy // Abstracts of international conference "Material science and material properties for infrared optoelectronics".-Uzhgorod, 1996, P. 19

136. Войцеховский А. В., Денисов Ю.А, Коханенко All, Вара вин B.C., Дворецкий С.А., Либерман В.Т., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. Фотоэлектрические и шумовые характеристики эпитаксиальных структур на основе Hgl-xCdxTe (х = 0.22) // Автометрия, 1996,- в.4,-С.51-58.

137. Войцеховский А. В., Коханенко А.П., Денисов Ю.А. Неохлаждаемые фотоприемники из КРТ на диапазон 2-3 мкм // Тезисы докладов 2 межреспубликанского симпозиума «Оптика атмосферы и океана».- Томск, 1995,- С.32.

138. Войцеховский А.В., Денисов Ю.А, Коханенко А.П., Варавин B.C., Дворецкий С.А., Либерман В.Т., Михайлов Н.Ы., Сидоров Ю.Г. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hgi.xCdxTe (х=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП.-1997.- т.31.- в.7.- С.774-776.

139. Voitsekhovskii AV., Denisov Yu.A., Kokhanenko A.P., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Michailov N.N. Lifetime of a charge carrière in structures based on Hgi.xCdxTe (x = 0.195-0.230), grown by molecular - beam epitaxy method // Abstracts of 11 International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC 11).-Salford, 1997.-P.P2.1

140. Войцеховский A.B., Денисов Ю.А, Коханенко А.П., Варавин B.C., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках Hgi.xCdxTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Изв.ВУЗов.Физика.-1997.-9,- С.96-101.

141. Kokhanenko АР., Korotaev AG., Voitsekhovskii AV., G.E.Remnev, M.S.Opekunov, Yu.ADenisov, D.AOucherenko, V.ATarbokov. High pover pulse electron beam

modification and ion implantation of HgCdTe crystals // Abstracts of international conference «BEAMS-96».- Prague, 1996.- P. P-3-17.

142. Войцеховский A.B., Опекунов M.C., Ремнев Г.Е., Коханенко А.П., Денисов Ю.А., Ушеренко Д А., Тарбоков В. А. Модификация КРТ импульсными пучками электронов высокой мощности // Тезисы докладов 4-ой Всеросийской конференции по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц /7 Томск, 1996.-С.373 - 375.

143. Kokhanenko А.Р., Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., G.E.Remnev, M.S.Opekunov, Yu.ADenisov, D.A.Oucherenko, V.A.Tarbokov. High pover pulse electron beam modification and ion implantation of HgCdTe crystals // Proceedings of international conference «BEAMS-96».- Prague, 1996,- Vol. 2,- P. 817-820.

144. A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, Yu.ADenisov, D.A.Oucherenko, G.E.Remnev, M.S.Opekunov. High power pulse electron beam modification of HgCdTe // Abstracts of 1.1 International Conference on Ternary and Multinarv Compounds (ICTMC 11).- Salford, 1997,- Pl.l

145. Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Denisov Yu.A, Oucherenko D.A., Remnev G.E., Opekunov M.S. High power pulse electron beam modification and ion implantation of HgCdTe epitaxial structures // Procedings of SPIE.- 1997.-v.3182.- P. 375-379.

146. Геращенко О.А, Федоров В.Г. Тепловые и температурные измерения. Справочное руководство. Киев, «Наукова думка», 1965. 305 с.

147. Заитов Ф.А., Андерсен Г.Ю., Аристова Н.В., Бовина Л.А., Стафеев В.И. Влияние электронного облучения на электрофизические свойства CdxHgi.xTe (х=0.2) // ФТП, 1983, т. 19, в.11, с.1811-1812.

148. Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Гречух З.Г., Лиленко Ю.В., Лимаренко Л.Н., Пашковский М.В. Изменение электрофизических свойств п- и р-типа CdxHgi.xTe приэлектронном облучении // Материалы IV Всес. симпоз. по полупроводн. с узкой запрещенной зоной и полуметаллам. Львов, 1975. 4.V. с.59-62.

149. Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Гречух З.Г., Кривов М.А., Лиленко Ю.В., Лимаренко Л.Н., Пашковский М.В., Петров А.С., Потапов А. И. Электрофизические и рекомбинационные характеристики CdxHgi.xTe, облученного электронами при 1X300К // ФТП, 1977, т. 11, в.8, с. 1540-1544.

150. Voitsehovskii A.V., Broudnyi V.N., Lilenko Yu.V., Kriviv M.A., Petrov A.S. High temperature defect in electron irradiation semiconductor HgCdTe, PbSnTe // Solid State Commun., 1979, v.31, №2, 3.105-116.

151. Войцеховский A.B., Коханеико А.П., Денисов Ю.А. Неохлаждаемые фогоприемники из KPT на диапазон 2-3 мкм /У Тезисы докладов 2 межреспубликанского симпозиума «Оптика атмосферы и океана»,- Томск, 1995,- С.32.

152. Войцеховский А.В., Денисов Ю.А., Коханенко А.П. Неохлаждаемые фотоприемники ПК диапазона из эпитаксиальных пленок КРТ // Тезисы докладов 4 симпозиума "Оптика атмосферы и океана".- Томск, 1997,- С. 199.

153. Войцеховский А. В., Денисов Ю.А, Коханенко АН. Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Тезисы докладов 3-ей международной научно-практическая конференции "Природные и интеллектуальные ресурсы Сибири" (СИБРЕСУРС-3-97).-Красноярск-Томск, 1997,- С. 79-80.

154. Войцеховский А.В., Денисов Ю.А., Коханенко А.П., Варавин B.C., Дворецкий С. А, Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев Н.В. Особенности спектральных и рекомбинационных характеристик МЛЭ-структур на основе CdHgTe // Автометрия, 1998,- в.4,- С.47-58.

155. Никонова Т.В., Киреев U.C. О некоторых свойствах варизонных структур CdxHgi-xTe // ФТП, 1976, т. 10, в.7, с.1365-1368.

156. Войцеховский АВ., Коханенко АП., Лиленко Ю.П., Потылицын Е.А. Шумовые характеристики фоторезисторов диапазона 8-14 мкм в широком интервале температур // Материалы VI Всесоюзного симпозиума по распространению лазерного излучения в атмосфере, Томск, ИОА СО API СССР, 1981, ч.2, с.214-217.

.157. Войцеховский А В., Коханенко А.П., Лиленко Ю.В. Шумовые характеристики кристаллов Hgl-xCdxTe// Физическая электроника, 1983. №26., с.52-56.

158. Кауфман М., Сидман А. Практическое руководство по расчетам схем в электронике. Справочник. М, «Энергоатомиздат», 1991., 368с.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.