Фотопроводимость фуллерита С60 и донорно-акцепторных комплексов на его основе в слабых магнитных полях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Умрихин, Алексей Викторович

• Умрихин, Алексей Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Умрихин, Алексей Викторович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Критерии разграничения "сильных" и "слабых" магнитных полей и их воздействия на физические процессы

1.2. Влияние слабых магнитных полей на протекание спин-зависимых реакций в твердых телах

1.2.1 Механизм влияния магнитного поля на спин-зависимые химические реакции

1.2.2. Экспериментальные данные по эффектам влияния слабого магнитного поля на электронно-оптические свойства молекулярных кристаллов

1.3 Физические свойства фуллеренов

1.3.1 Электронная структура Сбо

1.3.2 Оптические свойства фуллеренов

1.3.3 Электрические свойства фуллеренов

1.3.4 Фотопроводимость фуллеренов Сбо

1.4 Структура донорно-акцепторных комплексов на основе фуллерена Сбо

1.4.1. Структура комплекса TBPDA2C

1.4.2. Структура донорно-акцепторного комплекса BZ4BTPE C

1.4.3. Структура донорно-акцепторного комплекса {Cu"(dedtc)2}2-C6o

1.5 Перспективы использования фуллеренов в технике, электронике, химии и нанотехнологиях

1.6. Постановка целей и задач исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Методика получения образцов

2.2. Методика измерения фотопроводимости молекулярных кристаллов в МП

2.3. Выводы

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФУЛЛЕРИТА С

3.1 Экспериментальные данные о влиянии магнитного ноля на фотопроводимость монокристаллов Сбо

3.2. Влияние внешних факторов на величину изменения фотопроводимости монокристаллов Сбо в магнитном поле

3.3. Модели влияния магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов Сбо

3.4. Выводы

ГЛАВА 4. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ КОМПЛЕКСОВ

НА ОСНОВЕ ФУЛЛЕРЕНОВ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ

4.1. Влияние слабого магнитного поля на фотопроводимость донорно-акцепторных комплексов фуллеренов с органическими донорам: BZ4BTPEC60 и TBPDA

4.2. Влияние слабого магнитного поля на фотопроводимость донорно-акцепторных комплексов фуллеренов с металлоорганическими донорами

4.2.1. Экспериментальные данные о влиянии слабого магнитного поля на фотопроводимость донорно-акцепторных комплексов {Cu^dedtc^h- и

Сбо {Cd1 '(dedtc)2}

4.2.2. Модели влияния слабого магнитного поля на фотопроводимость донорно-акцепторных комплексов фуллеренов с металлорганическими донорами

4.3. Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотопроводимость фуллерита С60 и донорно-акцепторных комплексов на его основе в слабых магнитных полях»

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Диссертация посвящена изучению фотопроводимости фуллерита Сбо и донорно-акцепторных комплексов на его основе в энергетически слабом магнитном поле (МП), для которого выполняется соотношение //вВ«кТ (здесь //в -магнетон Бора, к - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура). Для комнатных температур МП с индукцией В меньше нескольких тесла является слабым. Интерес к этой проблеме вызван следующими обстоятельствами: фуллерены, фуллериты и их химические производные являются перспективными материалами для применения в области нанотехнологий, спинтроники и одноэлектроники [1]. В частности, в [2] сообщалось о создании полевых транзисторов на основе фуллерена Сбо- Еще одной областью применения фуллеренов и их комплексов, использующей явление фотон ндуцированного переноса заряда, являются эффективные преобразователи энергии [3].

Таким образом, становится актуальной проблема поиска путей высокоскоростного, бесконтактного, селективного управления электронно-оптическими свойствами фуллеренов и фуллереносодержащих материалов. Известно, что слабое МП с В < 1 Тл эффективно влияет на электронно-оптические свойства ряда органических соединений (антрацен, тетрацен и т.д.) [4]. Резонансное изменение фототока в этих материалах в условия ЭПР однозначно свидетельствует о влиянии МП на спиновое состояние промежуточных электронно-дырочных пар [5]. Электронная подсистема фуллеритов обладает рядом свойств, близких к электронным свойствам полиаценов: чип проводимости, полиароматичность, ширина запрещенной зоны и др. Это позволяет ожидать, что фотоэлектрические свойства фуллеритов Сбо и комплексов на их основе, как и в вышеупомянутых углеводородных системах, могут зависеть от спинового состояния промежуточных электронно-дырочных пар. Поэтому исследование фотопроводимости фуллерита Сбо и комплексов на его основе в МП представляет интерес в плане установления роли мультиплетности этих пар в формировании электрических и оптических свойств фуллеритов и фуллереносодержащих материалов.

С другой стороны, для практического применения новых материалов на основе фуллеренов необходима информация об их электронной структуре (положение основных оптических переходов и их симметрия, величина зазора HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital)-LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital), ширина запрещенной зоны), а также данные об основных электрических параметрах молекулярных комплексов - величина и тип проводимости и фотопроводимости, их активационные параметры, концентрация и время жизни носителей заряда и т.д. В некоторых случаях такая информация может быть получена только при исследовании проводимости и фотопроводимости. Наконец, анализ экспериментальных данных, полученных при исследовании проводимости и фотопроводимости фуллеренов и их комплексов, позволит прогнозировать электронно-оптические свойства новых материалов на их основе.

Таким образом, актуальность работы определяется:

- необходимостью исследования спин-зависимых стадий фотогенерации свободных носителей заряда в молекулярных кристаллах, в частности, фуллеритов и комплексов на их основе, и выяснения возможностей управления этими стадиями с помощью МП;

- возможностью получения информации фундаментального характера об электронных и спиновых процессах, влияющих на фотоэлектрические свойства молекулярных кристаллов;

- перспективами получения новых типов молекулярных комплексов на основе фуллерита Сбо с заданными фотоэлектрическими свойствами.

Цель настоящей работы заключалась в изучении закономерностей фотопроводимости монокристаллического фуллерита Сбо и донорно-акцепторных комплексов на их основе, а также в обнаружении и исследовании явлений, связанных с действием слабого МП на электронно-оптические свойства этих материалов. В соответствии с поставленной целью были сформулированы задачи исследования:

1. Создать экспериментальные условия для исследования влияния энергетически слабого магнитного поля на фотопроводимость молекулярных кристаллов.

2. Определить основные характеристики фотопроводимости монокристаллов Сбо и донорно-акцепторных комплексов на его основе.

3. Исследовать влияние МП на фотопроводимость фуллерита Сбо и комплексов на его основе.

4. На базе полученных экспериментальных результатов предложить модели влияния слабого МП на фотопроводимость фуллеритов Сбо и донорно-акцепторных комплексов на их основе.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

Анализ спектров фотопроводимости монокристаллов Сбо и донорно-акцепторных комплексов TPBDA"2C60, Bz4BTPEC60, {Cu"(dedtc)2}2-C6o и {Cd"(dedtc)2}2-C6o позволил определить основные оптические переходы, формирующие их фотоэлектрические свойства, а также величины темновой- и фотопроводимости.

Обнаружено влияние энергетически слабого МП с индукцией В<\ Тл на фотопроводимость фуллерита Сбо и донорно-акцепторных комплексов TPBDA2C6o, Bz4BTPEC6o, {Cu"(dedtc)2}2-C6o и {Cd'^dedtc^h^o- Показано, что причины изменения фототока в МП не сводятся к известным гальваномагнитным эффектам. Установлены принципиальные различия в закономерностях воздействия слабого МП на фотопроводимость различных донорно-акцепторных комплексов на основе фуллерита Сбо-Установлено, что фотопроводимость монокристаллов Сбо в МП чувствительна к кристаллографической ориентации по отношению к МП, а также к напряженности электрического поля, прикладываемого к контактам при измерении.

Показано, что эффекты, связанные с влиянием МП на фотопроводимость фуллерита Сбо и донорно-акцепторных комплексов на его основе, можно объяснить при помощи моделей влияния слабого МП на спиновое состояние экситонов с переносом заряда.

Научная ценность полученных результатов заключается в выявление новых закономерностей фотогенерации свободных носителей заряда во внешних МП в фуллерите Сбо и донорно-акцепторных комплексах на его основе. В частности, показана возможность управления при помощи слабого МП внутримолекулярными и межмолекулярными электронными возбуждениями, существенно влияющими на электронно-оптические свойства молекулярных кристаллов. Кроме того, предложенные механизмы влияния МП на фотопроводимость фуллерита Сбо и донорно-акцепторных комплексов могут быть перенесены на другие фуллериты (С70, Сн4 и т.д.) и молекулярные комплексы на их основе.

Практическая значимость. Полученные результаты дают возможность высокоскоростного, бесконтактного, селективного управления электронно-оптическими свойствами молекулярных кристаллов при их использовании в микро- и наноэлектронике с помощью энергетически слабого МП. Определение величины темновой и фотопроводимости донорно-акцепторных комплексов, а также положения основных оптических переходов, формирующих полосы фотоиндуцированного переноса заряда, необходимо при проектировании любых фотоэлектрических приборов на их основе. Явление анизотропного влияния МП на фотопроводимость фуллеритов может быть широко использовано при проектировании полупроводниковых приборов на основе кристаллов и кристаллических пленок Сбо- Это явление позволит учесть анизотропию электронно-оптических свойств фуллерита Сбо в МП.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

1. Спектры возбуждения фотопроводимости монокристаллов Сбсь & также новых донорно-акцепторных комплексов на их основе (Bz4BTPE'C60, TBPDA-2C6o,

Cu"(dedtc)2}2-C6o и {Cd"(dedtc)2}2-C6o-)- Положения основных оптических переходов, формирующих фотоэлектрические свойства данных материалов, определенные на основе анализа спектров фотопроводимости.

2, Обнаруженный эффект чувствительности к слабому МП фотопроводимости фуллерита Сбо и комплексов на его основе. Различный вид полевых зависимостей (прибавка фототока в МП, уменьшение фототока в МП, эффект с переменой знака) свидетельствует о различных механизмах влияния МП на фотопроводимость в различных материалах. Показано, что данные эффекты не сводятся к известным гальваномагнитным явлениям.

3. Зависимость эффекта влияния МП на фотопроводимость монокристаллов Сбо от кристаллографической ориентации по отношению к МП, а также от напряженности электрического поля, прикладываемого к контактам при измерении.

4. Различные модели влияния слабого МП на фотопроводимость монокристаллов Сбо и донорно-акцепторных комплексов, основанные на изменении в МП спинового состояния промежуточных электронно-дырочных пар - предшественников свободных носителей заряда. Вероятность диссоциации (рекомбинации) данных пар, а следовательно и величина фотопроводимости, зависит от их мультиплетности.

Апробация работы. Результаты работы были представлены на следующих конференциях и семинарах:

- XIV, XV, XVI Всероссийские симпозиумы «Современная химическая физика»

Туапсе, 2002, 2003, 2004).

- 6th, 7th Biennial International Workshop «Fullerenes and Atomic Clusters» (Russia, St.

Petersburg, 2003, 2005).

XXII Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике

Москва 2004).

Ill Международный симпозиум «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах» (Беларусь, Минск, 2004).

IX International Conference «Hydrogen materials science of carbon nanomaterials», September 5-11, 2005, Sevastopol, Ukraine.

Основные публикации. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в [87] - [103].

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и списка цитированной литературы, содержащего 103 наименования. Полный объем составляет 113 страниц машинописного текста, в том числе 33 иллюстрации и 2 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Умрихин, Алексей Викторович

ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

Получены спектры возбуждения фотопроводимости монокристаллов Сбо, а также новых донорно-акцепторных комплексов на их основе (BZ4BTPEC60, TBPDA 2C6o, {Cu"(dedtc)2}2-C6o и {Cd"(dedtc)2}2-C6o). По результатам анализа спектров фотопроводимости определено положение основных оптических переходов, формирующих фотоэлектрические свойства данных материалов. Определена величина темновой и фотопроводимости комплексов Вг4ВТРЕ'Сбо, TBPDA "2Сбо, {Cu"(dedtc)2}2-C6o и {Cd"(dedtc)2}2-C6o- Показано, что во всех комплексах присутствует фотовозбуждение молекулы Сй0 с переходом заряда на соседнюю молекулу С6(). Переход заряда с донора на молекулу С6о наблюдается только в одном комплексе TBPDA'2C6o- Во всех остальных комплексах дополнительный вклад в фотогенерацию свободных носителей заряда вносит фотовозбуждение доноров.

Обнаружено, что фотопроводимость фуллерита Сбо и комплексов на его основе чувствительна к слабому МП. Различный вид полевых зависимостей для этих материалов (прибавка фототока в МП, уменьшение фототока в МП, эффект с переменой знака) говорит о разных механизмах влияния МП их на фотопроводимость. Показано, что данные эффекты не сводятся к известным гальваномагнитным явлениям.

Установлено, что фотопроводимость монокристаллов Сбо в МП зависит от кристаллографической ориентации по отношению к вектору индукции МП, а также от напряженности электрического поля, прикладываемого к контактам при измерении.

Предложены различные модели влияния слабого МП на фотопроводимость монокристаллов Сбо и донорно-акцепторных комплексов, основанные на изменении в МП мультиплетности электронно-дырочных пар - предшественников свободных носителей заряда. Показано, что вероятность диссоциации (рекомбинации) данных пар, а значит и величина фотопроводимости, зависит от их спинового состояния.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Умрихин, Алексей Викторович, 2005 год

1. В.И. Трефилов, Д.В. Щур, Б.П. Тарасов и др., Фуллерены - основы материалов будущего, АДЕФ - Украина, Киев (2001), с. 13.

2. R.C. Haddon, A.S. Perel, R. Morris Т. Т. М. Palstra, А. F. Hebard, and R. М. Fieminget. Сбо thin film transistors // Applied Physics Letters. 1995. V. 67. № 1. p. 121-123.

3. D Laplaze, P Bemier, G Flamant, M Lebrun, A Brunelle and S Deila-Negra. Solar energy: application to the production of fullerenes // J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 1996. V. 29. P. 4943^954.

4. И.А. Соколик, Е.Л. Франкевич. Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах // УФН. 1973. Т. 111. № 2. 261-288.

5. Е.Л. Франкевич, А.И. Приступа, М.М. Трибель, И.А. Соколик. Магнитный резонанс короткоживущих состояний с переносом заряда в молекулярных кристаллах, детктируемый по изменению фотопроводимости // ДАН СССР. 1977. Т. 236, № 5, 1173-1177.

6. Франкевич Е.Л., Балабанов Е.И. Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 1965. Т. 1.№6.С.ЗЗ-37.

7. Франкевич Е.Л. О природе нового эффекта изменения фотопроводимости органических полупроводников в магнитном поле // ЖЭТФ. 1966. Т. 50. № 5. 1226-1234.

8. Frankevich E.L., Sokolik 1.А., Tribel М.М., Kotov B.V. Photoconductivity of the charge transfer complex crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1977. V. 40. P. 655-662.

9. Зельдович Б.Я., Бучаченко А.Л., Франкевич Е.Л. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике // УФН. 1988. Т. 155. № 1. 3-45.

10. Сагдеев Р.З., Салихов К.М., Молин Ю.И. Влияние магнитного поля на процессы с участием радикалов и триплетных молекул в растворах // Успехи химии. 1977. Т. 46. № 4. 569-593.

11. Buchachenko A.L., Frankevich E.L. Chemical generation and reception of electromagnetic waves. New York: VCH Publishers, 1993.

12. Бучаченко А.Л., Сагдеев P.3., Салихов К.М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск: Наука, 1978, 350.

13. Lepley A.R., Closs G.K. Chemically Induced Magnetic Polarization. New York: Wiley, 1973.

14. Бучаченко А.Л. Химическая поляризация электронов и ядер. М.: Наука, 1974, 180.

15. Бучаченко А.Л., Берлинский В.Л. Химически индуцированное радиоизлучение и химическая радиофизика//Успехи химии. 1983. Т. 52. № 1. 3-19.

16. Salikhov К.М., МоИп Yu.N., Sagdeev R.Z., Buchachenko A.L. Spin polarization and magnetic effects in radical reactions. Amsterdam: Elsevier, 1984.

17. Buchachenko A.L. Progress in reaction kinetics // Chem. Phys. Lett. 1984. V. 13. № 3. P. 164-167.

18. Гутман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. М.: Мир, 1970, 296.

19. Франкевич Е.Л., Румянцев Б.М. Тушение люменисценции антрацена в магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 1967. Т. 6. Р. 553-557.

20. Johnson R.C., Merrifield R.E., Avakian Р, Flippen R.B. Effects of magnetic field on the mutual annihilation of the triplet excitons in molecular crystals // Phys. Rev. Lett. 1967. V. 19. №6. P. 285-287.

21. Рывкин CM. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 248.

22. Франкевич Е.Л., Балабанов Е.И., Вселюбская Г.В. Исследование эффекта изменения фотопроводимости органических полупроводников в магнитном поле // ФТТ. 1966. Т. 8. 1970-1973.

23. Франкевич Е.Л., Балабанов Е.И. Изменение фотопроводимости монокристалла антрацена в магнитном поле // ФТТ. 1966. Т. 8. № 8, 855-889.

24. Б.С. Яковлев, Л.И. Новикова, Е.Л. Франкевич. Фотогенерация носителей тока в кристаллическом тетрацене в магнитном поле // ЖЭТФ 1970. Т. 58. №. 5. 1574-1579.

25. Б.А. Русин, Б.С. Яковлев, Е.Л. Франкевич. К механизму образования носителей фототока и люминесценции в поликристаллических пленках тетрацена // Оптика и спектроскопия 1970 Т. 28. № 5. 926-930.

26. Б.С. Яковлев, Л.И. Новикова, Е.Л. Франкевич. Проводимость, наведенная электронным облучением в твердом тетрацене, влияние магнитного поля // Химия высоких энергий. 1969. Т. 3. №5. 408-412.

27. V. Em, R.E. Merrifield. Magnetic Field Effect on Triplet Exciton Quenching in Organic Crystals// Phys. Rev. Lett. 1968. V. 21. № 9 p. 609-611.

28. Е.Л. Франкевич, И.А. Соколик, Б.М. Румянцев. Инжекция носителей тока и ее связь с фотопроводимостью антрацена // Химия высоких энергий. 1971. Т. 5. 353-354.

29. С Е . Swenberg, W.T. Stacy. Bimolecular radiationless transitions in crystalline tetracene // Chem. Phys. Lett. 1968. V. 2. № 5 P. 327-328.

30. N. Geacintov, M. Pope, F. Vogel. Effect of Magnetic Field on the Fluorescence of Tetracene Crystals: Exciton Fission // Phys. Rev. Lett. 1969. V. 22. № 12. P. 593-596.

31. R.E. Merrifield, P. Avakian, R.P. Groff. Fission of singlet excitons into pairs of triplet excitons in tetracene crystals// Chem. Phys. Lett. 1969. V. 3. № 3. P. 155-157.

32. S.E. Harrison. Magnetophotoconductive Effects in Copper Phthalocyanine // J. Chem. Phys. 1969. V. 51. № 1. P. 465-467.

33. Saito S., Oshiyama A. Cohesive mechanism and energy bands of solid Ce,o// Phys. Rev. 1.ett. 1991. V. 66. № 20. P. 2637-2640.

34. Mishori В., Shapira Y., Belu-Marian A., Manciu M., Devenyi A. Studies of C60 thin films using surface photovoltage spectroscopy // Chem Phys. Lett. 1997. V. 264. P. 163-167. *^

35. Schwedhelm R., Kipp L., Dallmeyer A., Skibowski M. Experimental band gap and core- hole electron interaction in epitaxial Сбо films // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 19. P. 13176-13182.

36. Т.Л. Макарова Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов // ФТП 2001. Т. 35. № 3. 257-293

37. Lof R.W., van Veenendaal М.А., Koopmans В., Jonk-man H.T., Sawatzky G.A. Band gap, excitons, and Coulomb interaction in solid Сбо//- Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. № 26. P. 3924-3927.

38. Shirley E.L., Benedict L.X., Louie S.G. Excitons in solid Сбо// Phys. Rev. B. 1996. V. 54. №15. P. 10970-10977.

39. Knupfer M., Fink J. Frenkel and charge-transfer excitons in Сбо // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. № 15. P. 731-734.

40. Hartmaim C, Zigone M., Martinez G., Shirley E.L., Benedict L.X., Louie S.G., Fuhrer M.S., Zettl A. Investigation of the absorption edge of Сбо fuUerite// Phys. Rev. B. 1995. №

42. TrouUier N., Martins J.L. Structural and electronic properties of Сбо// Phys. Rev. B. 1992. V. 46. №3. P. 1754-1765.

43. Yabana K., Bertsch G.F. Forbidden transitions in the absorption spectra of Сбо // Chem. Phys. Lett. 1992. V. 197. № 1-2. P. 32-37. 1^

44. Salkola M.I. Low-energy excitations of neutral Сбо// Phys. Rev. B. 1994. V. 49. № 6. P. 4407-4410.

45. Bechstedt F., Fiedler M., Sham L.J. Excitonic effects in linear and nonlinear optical properties of C60 // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 1857-1861.

46. Kazaoui S., Minami N., Tanabe Y., Byrne H.J., Eilmes A., Petelenz P. Comprehensive analysis of intermolecular charge-transfer exited states in Сбо and C70 films // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 12. P. 7689-7700.

47. Mochizuki S., Sasaki M., Ruppin R. An optical study on vapour, microcrystal beam and film // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. V. 10. № 10. P. 2347-2352.

48. Capozzi V., Gasamassima G., Lorusso G.F., Minafra A., Piccolo R., Trovato Т., Valentini A. Optical spectra and photoluminescence of C60 thin films// Sol. St. Commun. 1996. V. 9. № 9. P. 853-858.

49. Баженов A.B., Горбунов A.B., Волкодав К.Г. Фотоиндуцированное изменение фундаментального поглощения в пленках Сбо// Письма в ЖЭТФ. 1994. Т. 60. № 5. 326-328.

50. Баженов А.В., Горбунов А.В., Максимюк М.Ю., Фурсова Т.Н. Фотоиндуцированное ^ поглощение света пленками С60 в диапазоне 0.08 - 4.0 эВ // ЖЭТФ. 1997. Т. 112. № I . e . 246-252.

51. Habuchi Н., Nitta S., Han D., Nonomura S. Localized electronic states related to 02 intercalation and photoirradiation on C60 films and C70 films // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. № 12. P.8580-8588.

52. Hamed A., Sun Y. Y., Tao Y. K., Meng R. L., Hor P. H. Effects of oxygen and illuminafion on the in situ conducfivity of Сбо thin films// Phys. Rev. B. 1993. V 47. № 16. P. 10873-10880. Щ/ '*^

53. Hoshimono К., Fujimorim S., Fujita S. Semiconductor-Like Carrier Conduction and Us Field-Effect Mobility in Metal-Doped C60 Thin Films // Jap. J. Appl. Phys. P. 2-Lett. 1993.V. 32. L1070-L1073.

54. Макарова Т.Л., Сахарова В.И., И.Т. Серенкова, Буль А.Я. Фототрансформация пленок Сбо в присутствие и отсутствие кислорода // ФТТ. 1999. Т. 41. № 3. 554-358.

55. Rikitake К., Akiyama Т., Takashima W., Kaneto К. Relationships between crystallinity and conductivity in evaporated C60 films // Synt. Met. 1997. V. 86. №1-3. P. 2357-2358.

56. Kaneto K., Rikitake K., Akiyama Т., Hasegawa H. Dependencies of Transport and Photoluminescence on Morphology of Vacuum Deposited C60 Films // Jap. J. Appl. Phys. P. 1. 1997.V. 36. P. 910-915.

57. Kazaoui S., Ross R., Minami N. // Sol. St. Commin. 1994. V. 90. P. 623-626.

58. Asakawa Т., Sasaki M., Shirashi Т., Koinuma K. Dark and Photoconductivity Behaviors of Amorphous and Crystalline C60 Films // Jap. J. Appl. Phys., Part. 1. 1995. № 4. V. 34. P. 1958-1962.

59. Konenkamp R., Engelhardt R., Henninger R. Photogeneration and carrier transport in C60 films // Sol. St. Commun. 1996. V. 7. № 4. P. 285-291.

60. Конарев Д.В., Любовская Р.Н. Донорно-акцепторные комплексы и ион-радикальные соли на основе фуллеренов // Успехи химии. 1999. Т. 68. J^ f» 1. 23-44.

61. Н.-В. Burgi, Е. Blanc, D. Schwarzenbach, S. Liu, Y.-j. Lu, M.M. Kappers, J.A. Ibers, The structure of C60 : orientational disorder in the low-temperature modification of C60 // Angew. Chem. Int. Ed. 1992. V. 31. P. 640-643. Й^

62. D.V. Konarev, A.L. Litvinov, A.Yu. Kovalevsky, N.V. Drichko, P. Coppens, R.N. 1.yubovskaya, Molecular complexes of fuUerene C60 with aromatic hydrocarbons. Crystal structures of 2TPE C60 and DPA C60 // Synth. Metals. 2003. V. 133/134. P. 675-677.

64. Taus S.J., Verschueren A.R., Dekker C. Room-temperature transistor based on single carbon nanotube //Nature. 1998. V. 393. P. 49-52.

65. Осипьян Ю.А., Кведер В.В. Фуллерены - новые вещества для современной техники // Материаловедение. 1997. J^T» 1. 2-6.

66. М. Э. Шпилевский, Э. М. Шпилевский, В. Ф. Стельмах. Фуллерены и фуллереноподобные структуры — основа перспективных материалов // Инженерно-физический журнал. 2001. Т. 74. № 6. 106412.

67. Ракчеева Л.П., Каманина Н.В. Перспективы использования фуллеренов для ориентации жидкокристаллических композиций // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. № 11. 28-36.

68. Кольтовер В.К. Бубнов В.П. Ягубский Э.Д. Эндоэдральные фуллерены: от химической физике к медицине, XIV Всероссийский симпозиум "Современная химическая физика", Туапсе, 18-29 сентября, 2002, тезисы докладов.

69. Т. Gotoh, S. Nonomura, Н. Watanabe et al. Temperature dependence of the optical- absorption edge in C60 thin films // Phys. Rev. B. 1998 V.58. № 15. P. 10060-10063.

70. Макарова Т.Д., Захарова И.Б. Анализ спектральных особенностей оптических констант фуллереновых и галогенофуллереновых пленок вблизи края поглощения // ФТТ. 2002. Т. 44. № 3. 478-480.

71. Моливер С, Бирюлин Ю.Ф. Оптические спектры высокосимметричных изомеров Сбо(СНз-Гб-Н)п при п=3,6 // ФТТ. 2001. Т. 43. № 5. 944-950.

72. Нога J., Рапек Р., Navratil К., Handlirova В., Humlicek J. Optical response of Сбо thin films and solutions // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. № 7. P. 5106-5113.

73. Troullier N., Martins J. L. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. № 3. P. 1754-1765.

74. M. Поуп, У. Свенберг, Электронные процессы в органических кристаллах. Мир, Москва(1985),Т. 2. 40.

75. Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Квантовая механика. — М.: Наука, 1974. - 752

76. Theory of chemically induced dynamic electron polarization I. J. Boiden Pedersen and Jack H. Freed// The Journal of Chemical Physics. 1973. V. 58. № 7. P. 2746-2762.

77. Theory of chemically induced dynamic electron polarization 11. J. Boiden Pedersen and Jack H. Freed // The Journal of Chemical Physics. 1973. V. 59. Ш 6. P. 2869-2885.

78. Ossipyan Yu.A., Golovin Yu.I., Lopatin D.V., Morgunov R.B., Nikolaev R.K., Shmurak V S.Z. Paramagnetic Resonance in Electron -Hole Pairs in C60 Single Crystals Detected by Photoconductivity Measurements// Phys. Stat. Sol. (b). 2001. V. 223. №.

79. A. Роуз, Основы теории фотопроводимости. Мир, Москва (1966). 49.

80. N.S. Sariciftci and A.J. Heeger, in « Handbook of organic conductive molecules and polymers», Ed. H.S. Nalwa, John Wiley and Sons Ltd., 1997, 1, 414.

81. Головин Ю.И., Лопатин Д.В., Николаев P.K., Умрихин А.В. Анизотропное влияние слабого магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов Сбо- // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. № 10. 61-65.

82. Yu. I. Golovin, D. V. Lopatin, R. К. Nikolaev and A. V. Umrikhin. Influence of a Weak Magnetic Field on Photoconductivity Spectrum of C60 Single Crystal. // FULLERENES, NANOTUBES, AND CARBON NANOSTRUCTURES. 2004. V. 12. № 1. P. 81-85.

83. Yu. 1. Golovin, D.Y. Lopatin, A.Y. Umrikhin. Influence of weak magnetic field on photoconductivity spectrum of C60 single crystals // б"^ Biennial International Workshop «FuUerenes and Atomic Clusters», June 30 - July 4, 2003, St. Petersburg, Russia.

84. M.A. Иванова, Д.В. Лопатин, A.B. Умрихин. Анизотропия фотопроводимости монокристаллов Сбо в магнитном поле. // XY Всероссийский симпозиум "Современная химическая физика", Туапсе, 18-29 сентября, 2003.