Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-xSex, легированных рубидием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Али Рафик Мохамед Кассим

• Али Рафик Мохамед Кассим
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Али Рафик Мохамед Кассим

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§1. Центры с глубокими уровнями в соединениях АПВУ1

§ 1.1. Классификация центров с глубокими уровнями в

полупроводниках

§ 1.2. Методы исследования глубоких центров в полупроводниковых

материалах

§ 1.3. Фотоактивационные процессы с участием электронных

и дырочных ЦП. Индуцированная примесная фотопроводимость

1.4. Термоактивационные процессы с участием электронных ЦП

1.4.1. Теория термоактивационной спектроскопии

1.4.2. Анализ формы спектров ТСТ и ТСЛ и методы определения характеристических параметров ловушек

§ 1.5. Природа и характеристические параметры центров с глубокими

уровнями в полупроводниках А В

1.5.1. Структурные дефекты и их ассоциаты в кристаллах

7 (л

соединений А~В

§1.5.2. Глубокие центры, обусловленные примесями Ag, Си;_и Аи; в

соединениях А2В6

§ 1.6. Механизмы фотохимических реакций дефектов и параметры фотохимических активных центров в полупроводниках А2Вб

1.6.1. ФХР, связанные с ассоциацией доноров

1.6.2. ФХР, связанные с ассоциацией и распадом ДАП

1.6.3. ФХР, связанные с увеличением концентрации доноров из-за их отхода от дислокационных стоков

ВЫВОДЫ:

Г Л А В А11. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§2.1. Экспериментальные установки

§ 2.2. Методика обработки данных эксперимента

ГЛАВА III. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ § 3.1. Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS и CdSi_xSex> легированных примесями Rb

3.1.1. Методика эксперимента

3.1.2.Спектры ПФ и ИПФ в кристаллах CdS:Rb

3.1.3.Спектры ПФ и ИПФ в кристаллах CdSi.xSex<Rb>

§3.2. Оптическое и термическое гашения фотопроводимости

§З.З.Термостимулированная проводимость в кристаллах CdS и CdSi-xSex>

легированных примесями Rb

§3.4. Обсуждение и анализ экспериментальных результатов

3.4.1 .Фотохимически устойчивые и неустойчивые оптически активные CdS<Rb>H CdS,.xSex<Rb>

3.4.2 . Оптически неактивные электронные ЦП

3.4.3.Роль макронарушений кристаллической решетки и отталкивающих барьеров в фото-, термостимулированных процессах

ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-xSex, легированных рубидием»

ВВЕДЕНИЕ

Практически важные свойства широкозонных полупроводников (фотопроводимость, фото- и электролюминесценция в широкой спектральной области, контактные явления и т.д.), которые определяют их многообразное применение в качестве фотодетекторов, светодиодов и других активных компонентов полупроводниковой микро-, оптоэлектроники, обусловлены электронно-дырочными переходами с участием центров с глубокими уровнями или глубокими центрами (ГЦ). Эти центры образованы дефектами как собственной или примесной природы, так и их комплексами. Многочисленные исследования этих свойств позволили создать научную основу для понимания как химической природы многих центров, так и механизмов неравновесных процессов, протекающих в широкозонных полупроводниках под воздействием света различного спектрального состава, температуры и других воздействий. Благодаря этому, были достигнуты важные результаты в создании полупроводниковых приборов и устройств с необходимыми для практического применения рабочими параметрами. В то же время сложность и многообразие процессов, протекающих в дефектно-примесной подсистеме кристалла, создают ряд трудностей, решение которых позволит создать новые и улучшить параметры уже существующих приборов. Одной из таких существенных проблем, которым посвящена настоящая диссертационная работа, являются процессы деградации свойств оптоэлектронных приборов вследствие обратимых изменений дефектной структуры некоторых полупроводников под воздействием оптического излучения, получившие название фотохимических реакций (ФХР), или фотостимулированиых преобразований (ФСП) дефектной структуры, а сами центры, участвующие в ФХР, называют фотохимически активными центрами. Необходимо отметить, что в результате этих реакций не

происходит изменение кристаллической структуры и химического состава вещества.

Условно локальные центры делятся на мелкие и глубокие. Такое деление центров связано только с энергетическим положением соответствующих уровней в запрещенной зоне полупроводника, но и с температурой. Несмотря на это, эти понятия сохранились в физике полупроводников и будут использованы в настоящей работе.

Одна из проблем изучения ГЦ связана с тем, что многие из таких центров в полупроводниках присутствуют не только в изолированном состоянии, но и в виде сложных комплексов с другими дефектами. Возможность формирования глубокими центрами комплексов в неравновесных условиях связана с изменением их зарядового состояния и с последующей диффузией к другим дефектам и с образованием комплексных центров, состоящих из достаточно близкорасположенных компонентов. Поэтому представляет обоснованный интерес изучение механизмов и природы этих процессов, реализуемых при фотохимических реакциях (ФХР). В связи с этими изучение ФХР с участием неустойчивых к внешним воздействиям ГЦ (фотохимически активных ГЦ), которым в настоящей работе уделено основное место, является существенной частью исследований ГЦ и представляется весьма актуальной научной и технической задачей.

Цель и задачи исследования. Цель работы состоит в исследовании фото-, термостимулированных преобразований дефектно-примесной подсистемы кристаллов СёБ и Сс181_х8ех, легированных ЯЬ, а также в анализе физических процессов, возникающих вследствие протекания в них фотохимических реакций.

Для достижения поставленной цели решены следующие задачи:

методами фото- и термоактивационной спектроскопии определены энергетический спектр и кинетические параметры электронных и

дырочных состояний, сформированных неустойчивыми глубокими центрами в зависимости от условий проведения эксперимента;

установлены структура, характеристические параметры и физико-химическая природа примесно-дефектных центров и причины их деградации в образцах различного химического состава.

Объектами исследования явились монокристаллы СсЗБ и Сс^-хЗех, легированные примесями ЛЬ.

Методы исследования. Экспериментальные исследования проводились с использованием целого ряда методов, которые основаны на исследовании спектров и кинетических характеристик примесной и индуцированной примесной фотопроводимости, термостимулированной проводимости, оптического и термического гашения фотопроводимости. Для исследования особенностей электронной структуры глубоких центров с использованием этих методов можно было регулировать положением квазиуровнями Ферми, изменяя степень фотовозбуждения образца в больших пределах. Это позволяло более полно использовать широкие методические возможности использованных методов

Научная новизна. Представленные в работе экспериментальные и теоретические исследования позволили установить следующие данные:

Обнаружены:

• Обратимая фотостимулированная ассоциация и диссоциация примесно-дефектных комплексов с участием примесей рубидия, приводящие к спектральным сдвигам полос ИПФ в монокристаллах Сс18<Си>;

• расширение некоторых полос ТСП вследствие локализации соответствующих центров прилипания в областях с макронеоднородностями;

центры с отталкивающими барьерами и аномальные центры, термоопустощение которых происходит раньше, чем у центров с меньшей энергией;

Предложены модели:

♦ многоуровневых оптически активных глубоких ЦП, распределенных по межатомным расстояниям ДАП в Сс18 и Сс181.х8ех с примесями рубидия;

♦ многоуровневых термически активных ЦП типа, распределенных по межатомным расстояниям ДАП;

♦ ЦП электронов с отталкивающим барьером, локализованные в области искажений структуры в С<18 и Сс181_х8ех с примесями рубидия.

Теоретическая и практическая значимость. Получены новые экспериментальные результаты по исследованию фотостимулированных преобразований дефектно-примесной подсистемы кристаллов сульфида кадмия, легированных рубидием, возникающие вследствие протекания фотохимических реакций. Дана физическая интерпретация наблюдаемых особенностей.

Теоретическая значимость исследования определяется тем, что полученные результаты и их интерпретация могут быть использованы в качестве модельных при объяснении аналогичных явлений в фотохимически активных полупроводниках различного типа.

Результаты, полученные в работе, могут быть полезны при разработке и конструировании новых фотоэлектрических полупроводниковых приборов и поиске технологических и перепаративных методов, позволяющих исключить или же уменьшить проявления деградационных процессов.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. База данных по эмпирически определенным энергетическим и кинетическим параметрам неустойчивых электронных и дырочных центров в кристаллах Сс18 и Сё81_х8ех с примесямиЯЬ, образованных как собственными и примесными дефектами, так и их комплексами.

2. Модели фотохимических реакций с участием неустойчивых примесно-дефектных центров, объясняющие наблюдаемые изменения спектров фото- и термостимулированных токов.

3. Интерпретация спектральных сдвигов полос примесной и индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах Сс18 и Сс181.х8ех) легированных Шэ, на основе их связи с фотохимически активными и распределенными статистически по всему объему, сложными центрами типа донорно-акцепторных пар.

4. Модели оптически неактивных ассоциативных электронных центров в кристаллах Сё8 и Сс181_х8ех, легированных ЯЬ, с участием относительно неглубокого акцептора, объясняющие аномальные эффекты в спектрах термостимулированных токов.

Личный вклад автора. Лично автором проведены экспериментальные исследования. Обсуждение результатов проведено совместно с руководителем.

Структура и объем работы. Диссертация изложена на 120 страницах машинописного текста, состоит из введения, трех глав и выводов, иллюстрирована 29 рисунками, содержит 3 таблицы и список используемой литературы из 180 наименований работ.

Апробация результатов работы и публикации.

Материалы диссертационной работы обсуждались на ежегодных итоговых научных конференциях Дагестанского

госуниверситетаДНВсероссийской. научно-технической конференций. «Состояние и перспективы развития полупроводниковой техники» Махачкала-2013г, XVI Международной конференций. «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы» - Ул. ГУ. - 2013 г., Всероссийской научно-практической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы получения новых материалов: исследование, инновации и технологии», Астрахань - апрель-2014 г.

Основное содержание диссертационной работы полностью отражено в научных работах автора: по материалам диссертации опубликовано 10 работ. Из них статей в журналах, входящих в перечень ВАК — 2, в других журналах - 4 и тезисов докладов в материалах конференций - 4.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР §1. Центры с глубокими уровнями в соединениях АПВУ1

Достаточно многочисленные исследования физики полупроводников показывают, что наиболее важными свойствами, для практического применения [1-19] обладают монокристаллы с нарушенной кристаллической симметрией. Поэтому ясно, что для разработки технологических способов и методов контроля за свойствами полупроводников необходимо решить проблему идентификации и установления дефектно - примесного состава полупроводниковых материалов и их роль в формировании практически важных свойств. Собственные дефекты и различные примеси в кристаллической решетке полупроводниковых материалов формируют в запрещенной зоне систему электронных и дырочных уровней. Эти уровни определяют основную роль в формировании фото-термоэлектрических, резонансных и оптических свойств широкозонных полупроводников.

Центры с глубокими уровнями играют в широкозонных полупроводниках очень важную роль. Очевидно, это связанно с тем, что они в широком температурном диапазоне, способны активно участвовать в кинетических процессах неравновесных носителей заряда и формировать основные практически нужные параметры полупроводниковых приборов: времена жизни неравновесных электронов и дырок; спектральный диапазон фоточувствительности, инерционность и уровень шумов приемников излучения; спектр излучения и квантовую эффективность люминофоров; условия генерации лазеров и т.д.

§ 1.1 Классификация центров с глубокими уровнями в

полупроводниках

Дефекты кристаллической решетки полупроводника, примесные атомы и их ассоциаты относятся к центрам с глубокими уровнями, если их энергия ионизации больше кТ.

В зависимости от той роли, которую глубокие центры в полупроводниках могут играть в генерационно-рекомбинационных процессах - процессах релаксации неравновесных носителей заряда, они делятся на центры прилипания (ЦП) и центры рекомбинации (ЦР). Главным, определяющим критерием принадлежности центра, например, центра захвата донорного типа к той или иной группе центров является фактор захвата -у, который определяется отношением вероятности захвата на эти центры дырки (т.е. рекомбинации) к вероятности теплового выброса электрона [2-3]

Гп = ср • р/с» ■ Nct = Sp - Vp • p/s„ • V„ • .exp{-Etc /k-T) (l.1.1)

Для центра, захватившего дырку, имеем Г, = сн • п/ср ■ Nvt = S„ ■ V„ • n/Sp • Vp • Nv • exp/k-T) (iл.2),

где Sp, Sn - сечения захвата центром дырки и электрона; Vp, Vn - тепловая скорость носителей заряда; р, п - концентрация дырок и электронов; Nc, Nv -эффективная плотность состояний в соответствующих зонах; Etc, Etv - энергия тепловой ионизации центра относительно соответствующих зон.

Центры, для которых, согласно формулам (1.1.1) и (1.1.2), вероятность теплового заброса больше, чем вероятность захвата носителей противоположного знака (у<1), называются ЦП, а центры, для которых (у>1), называются ЦР. Как видно из (1.1.1) и (1.1.2), отнесение глубоких центров данного сорта к ЦП или ЦР зависит как от характеристических параметров самих центров (Sp, Sn, Et), так и температуры, и концентрации носителей, захват которых завершает рекомбинацию. Таким образом, управляя интенсивностью освещения или температурой, возможно, перевести центры класса ЦП в класс ЦР и обратно. ЦП в стационарных условиях находятся в равновесии с одной из энергетических зон, из которых и происходит захват носителей заряда тогда, когда центры рекомбинации находятся в равновесии с обеими зонами.

Рыбкин [2], по соотношению между временем жизни тп и временем установления равновесия между ЦП и соответствующей зоной 0, предложил деление ЦП на а- и р-типы:

а) если тп»0, (1.1.3),

то соответствующие этим условиям центры, относятся к а-типу или быстрым центрам многократного прилипания:

б) если же хп«6, (1.1.4),

то центры относятся к медленным центрам однократного прилипания или к (3- типу. Из соотношений (1.1.3) и (1.1.4) получаем, что ЦП а- типа должны иметь большие сечения захвата носителя заряда, а ЦП (3- типа - малые.

Центры рекомбинации, аналогично ЦП, отличаются энергетическими уровнями в зоне, сечениями захвата носителей заряда и степенью заполнения носителями заряда в равновесных условиях. В полупроводниках ЦР являются г- и е- центры (8ПК> 8пг) являются центрами чувствительности. Это неравенство в полупроводниках п-типа сильно выражено 8ПЗ/8ПГ ~ 103 - 106 и сопровождается неравенством 8рг / 8П1> 8рз / 8П5- Это связано с тем.что сечения захвата дырок центрами отличаются меньше, чем сечения захвата этими же центрами электронов. Соответствующие этим условиям г- центры принято называть очувствляющими, так как при их наличии в полупроводнике наблюдается более медленный скорость рекомбинации электронов, а следовательно, и наибольшее время их жизни [2].

Знание характеристических параметров: Ег энергетическое положение , 8П, 8Р и 8У- сечения захвата электронов, дырок и фотонов, как следует из приведенного, помогает установить роль, которую играют наблюдаемые глубокие центры в процессах захвата и рекомбинации неравновесных носителей заряда.

Собственные точечные дефекты и примесные атомы, которые находятся в ближайших узлах или же междоузлиях в кристаллической решетке полупроводника, могут стать компонентами различных ассоциатов

или квазимолекул, которые проявляют в процессах захвата и рекомбинации как единый ЦП или ЦР.

Причиной возникновения таких ассоциированных комплексов типа донорно-акцепторных пар (БАЛ) по литературным данным [1,4,10,11,16,31,32] являются электростатические, химические, обменные или упругие взаимодействия. Образования комплексов вследствие взаимодействия между точечными дефектами кристаллической решетки переходу системы к минимуму свободной энергии.

Аналогично точечным дефектам, комплексы также приводят к возникновению в запрещенной зоне электронных энергетических уровней с различной степенью заселенности. Энергетическое положение уровня ассоциата, состоящего из разноименно заряженных дефектов, удается определить (по крайней мере, в первом приближении), если известны глубина энергетического положения изолированных дефектов.

При образовании БАЛ ассоциацией донора (Б+) и акцептора (А"), вследствие кулоновского взаимодействия, положение уровней компонентов этих центров сдвигается в противоположные стороны. Положение уровня смещается к с-зоне из-за отталкивающего действия на электрон отрицательного акцептора (А"). Аналогичные действия со стороны положительного донора затрудняет захват дырки на А-центр, что приводит к смещению уровня акцептора к у-зоне. Очевидно, что величина этих смешений уровней приблизительно определяется энергией кулоновского взаимодействия между и А"- центрами

АЕд=е2/(в-гт) , (1.1.5)

где е - заряд электрона, е- диэлектрическая проницаемость материала, гт-расстояние между дефектами в ассоциате.

Если для радиусов пустой орбиты электрона (г0) и пустой орбиты

дырки (гл) выполняется условие гт « г0~ гЛ и энергетический уровень

изолированного донора намного ближе к С-зоне, чем уровень акцептора к V-

зоне, то для ассоциата наблюдается полное выталкивание локальных

13

донорных энергетических уровней из запрещенной зоны [31], и ассоциаты будут обладать свойствами ЦР. Это явление схематически представлено на рис. 1.1.а. Если в образовании ассоциата участвуют центры для которых выполняются условия Е0>Еа и гт«га, то происходить удаление акцепторных энергетических уровней из запрещенной зоны и комплекс проявляет только особенности ЦП (рис. 1.1.1, б). Если компоненты ассоциата имеют близкие глубины Е0~Еа и гт= г0~ га; то уровни локализованы в запрещенной зоне (рис. 1.1.в), а комплекс может обладать как свойствами ЦП, так и свойствами

ЦР.

у ///////У//// ///////////// ////////// (((({((М(((((( к

4- / ^

С_' + '' 4 ' П2±_/

О- д—' в

(О- А')"

А-. А

\

ЕуЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧ ЧЧЧЧЧЧЧ\ЧЧЧЧ ЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧ ЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧЧ Еу

а 6 в г

Рис. 1.1. Схема энергетических уровней донорно-акцепторных пар, играющих роль центров прилипания и рекомбинации

Если один из компонентов ассоциата, например, донор двухзарядный, то (рис. 1.1,г) верхний, но более мелкий уровень, как и уровень однозарядного донора, выталкивается в с-зону, а глубокий уровень сдвигается к зоне и почти занимает исходное положение первого уровня. Причиной этого процесса является , то что комплекс из дважды заряженного

14

донора (Б ) и однократно отрицательно заряженного акцептора (А") сам обладает единичным эффективным положительным зарядом

(А" - Б"у .

Энергия связи электрона с этим центром будет такой же, как и энергия связи электрона с дефектом (Б ), и равна ДЕ= е / е га„

В широкозонных полупроводниках распределенные БАГТ по межатомным расстояниям носят статический характер и с учетом того, что компоненты ассоциата занимают в кристаллической решетке вполне конкретные места, величины гт и Ei имеют дискретный ряд значений. Спектр энергетических электронных уровней, образованных донорными центрами в составе БАЛ, вычисляется на основе выражения

Е-г = Е0 - АЕд/2, (1.1.6)

где Е0 - энергия ионизации изолированного донорного центра. Таким же методом определяем и спектр энергетических уровней дырочных центров БАЛ.

Образование в кристалле БАЛ, компоненты которых статистически распределены по межатомным расстояниям гт, приводит к возникновению в запрещенной зоне двух систем уровней, вследствие расщепления уровней изолированных донорного и акцепторного центров в зону шириной АЕд. Одновременно следует отметить, что концентрационное распределение БАЛ по различным гт, связано с числом эквивалентных узлов на различных координационных сферах кристаллической решетки.

Большинство центров излучательной рекомбинации в широкозонных полупроводниках, как показывают литературные данные[1,10,16,] представляют собой комплексы с участием как точечных собственных дефектов кристаллической решетки, так и примесные атомы. Комплексы ассоциативного типа создают один или два энергетических уровня в запрещенной зоне. Впервые, именно такие распределенные пары были идентифицированы при исследовании люминесценции в ваР [17].

§ 1.2 Методы исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах

Разнообразия собственных и примесных дефектов и их комплексов, а также многообразия их свойств и их проявления в полупроводниковых материалах, привело к появлению большого числа методов исследования Наиболее известными являются методы:

1. Примесной фотопроводимости (ПФ) и индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ) [1-6];

2. Фото- или термостимулированной люминесценции (ФЛ, ТСЛ) [5-12], в том числе и поляризованной [12];

3. Оптического и термического гашения фотопроводимости (ОГФ и ТГФ) и люминесценции [1-6];

4. Термостимулированного тока (ТСТ) и термостимулированного разряда конденсатора (ТРК) [5, 13,20-23];

5. Фотохолла [1,3,24];

6. Оптического поглощения и электроотражения [6];

7. Электронного парамагнитного резонанса [1,14,25];

8. Нестационарной емкостной спектроскопии (НСГУ, БЬТЗ) [26];

9. Фотохимических реакций (ФХР) [4,15];

10. Основанные на исследовании кинетики фотопроводимости или люминесценции [2,4,8,27];

11. Основанные на исследовании токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ) [28-30].

Для экспериментального исследования параметров и особенностей

7 С

глубоких центров в соединениях А В В в данной диссертационной работе применялись методы ПФ, ИПФ, ТСТ, ОГФ и ТГФ, ФХР.

Эти методы имеют не только разработанную теоретическую базу (см. § 1.3 — 1.4), что важно при определении всех основных параметров

глубоких центров, но и то, что полученные этими методами данные, которые, дополняя друг друга позволяют установить как структуру центров, так и механизмы генерационных и рекомбинационных процессов. Важно и то, что в техническом и методическом плане эти методы просты, надежны и не требуют особо сложного экспериментального оборудования и позволяют достоверно определить возможно и реальную перспективу использования полупроводниковых материалов в качестве элементов электроники и микроэлектроники.

§ 1.3. Фотоактивационные процессы с участием электронных и дырочных ЦП. Индуцированная примесная фотопроводимость

В полупроводниках, кроме собственной и примесной

фотопроводимости (ФП), происходит особое явление - индуцированная примесная фотопроводимость (ИПФ) [2,31-36]. Особенностью этого эффекта является то, что примесная фотопроводимость, которая не была в равновесных условиях, проявляется или же резко возрастает после предварительного собственного фотовозбуждения полупроводника. Очевидно, причиной этого эффекта является то, что генерированные в результате собственного фотовозбуждения свободные электроны и дырки захватываются на пустые ЦП, способствуя тем самым появлению примесной ФП. Индуцированная дополнительным собственным возбуждением фоточувствительность, связанная с неравновесным заполнением ЦП, после перекачки носителей должна исчезать. При низких температурах, при которых тепловая энергия меньше энергии фотоионизации, этот эффект может наблюдаться длительное время.

Основательно, теория данного явления рассмотрена в монографии [2],

с использованием модели полупроводника с одним типом ЦП и ЦР. По этой

модели допускается, что уровни ЦП, концентрация которых равна >1, в

17

результате предварительного собственного освещения оказались полностью заполненными электронами, одновременно с этим, такое же количество дырок захвачены на ЦР, концентрация которых М. При достаточно низких температурах, электроны, захваченные на ЦП, сохраняются там неограниченно долго. При фотовозбуждении примесным светом электроны переходят с ЦП в С-зону и появляется ИПФ. Как было отмечено выше, значение этой ФП со временем должно уменьшаться (рис. 1.2). Такой характер ФП во времени связан с тем, что вначале электроны, переброшенные в С-зону, с большей вероятностью будут

рекомбинироваться с дырками, локализованными на ЦР, чем обратный захват на ЦП, так, как число дырок на ЦР намного больше, чем количество пустых мест на ЦП.

ш

X I-

о

Рис. 1.2. Теоретическая зависимость «вспышки» фототока: а-при постоянной рекомбинации и отсутствии повторных захватов на ЦП; Ь - при уменьшающейся во времени скорости рекомбинации и возрастающей вероятности повторных захватов на ЦП.

Естественно, такая неустойчивая ситуация приведет к постепенной перекачке электронов с ЦП через С-зону на ЦР , а следовательно уровень ИПФ будет со временем уменьшаться. Этот процесс, со временем приводит к опустошению ЦП и заполнению ЦР электронами, а следовательно, к увеличению темпов повторного захвата электронов ЦП и, наоборот, к уменьшению скорости их рекомбинации с дырками на ЦР. Следствием этих процессов будет переход полупроводника в другое, почти стационарное состояние, в котором он достаточно долго, даже при фотовозбуждении, будет обладать примесной фоточувствительностью.

Система уравнений, которые описывают кинетические процессы в рассматриваемой модели, имеет вид [2]:

- = д-п -1-5гЭ-п-(!1-п)-8гЭ-п - Nc -п-(п + п) <к

(Лп

-= -3-п-{Ы — п )-д-п •1 — Б{'3-п-Ис (13 1)

& v • • у

ф _

Здесь п - концентрация электронов, захваченных на ЦП, 81 — сечение захвата электронов ЦП, я - сечение захвата фотона ЦП, 8Г — сечение захвата электрона на ЦР, N0 - эффективная плотность состояний в С-зоне, I — интенсивность света, в - тепловая скорость носителей заряда. В первом уравнении (1.3.1) первый член, стоящий в правой части, описывает процесс оптической ионизации ЦП, второй член - процесс повторного захвата электронов на ЦП, третий — тепловой выброс электронов с ЦП в С-зону, а четвертый — рекомбинацию электронов на ЦР. Когда температура низкая

(• & ■ п • Ыс = О )5 ЦП в результате предварительного фотовозбуждения

*

заполнены электронами полностью (N=11 ) и повторным захватом электронов на ЦП можно пренебрегать, то система уравнений (1.3.1) примет вид

(ЛП * т О *ч * т

— = д -п •1—Ьг-п-{п + п)-— -д-п • ^ (1.3.2)

Поскольку величина (n+n*), равная концентрации дырок (р) на ЦР, вначале

1

меняется незначительно, считается, что -гг = const первое

Sr(n + n )

уравнение системы (1.3.2) можно представить в виде dn * _ п

— = q-n •/--г (1.3.3)

at п

Интегрирование системы (1.3.2) и (1.3.3) в случае примесного фотовозбуждения полупроводника с учетом начальных условиях t=0, N=0 и n*=N, приводит к выражению, описывающему концентрацию электронов в С-зоне:

* т f а-п •I

п -

V.-q-I

е*ы-е*

(1.3.4)

На рис. 1.3 представлена зависимость п(1) [2], полученная на основе выражения (1.3, кривая а). Эта кривая представляет собой вспышку, которая с ростом времени X спадает до нуля. В целом характер кривой остается неизменнын даже при условиях, когда в процессе релаксации т меняется, а увеличивается с уменьшением концентрации дырок на ЦР и усилении процессов многократного прилипания электронов на ЦП. При этих процессах и при больших зависимость (1.3.4) не стремится к нулю, а стремится, в конечном итоге к постоянному квазиравновесному значению, соответствующему возбужденному состоянию кристалла (кривая Ь на рис. 1.3).

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Али Рафик Мохамед Кассим, 2014 год

ЛИТЕРАТУРА:

1. Aven M., Prener J.S. Physics and Chemestry of II-VI Compounds // Amsterdam.- 1967. (Перевод под ред. С.A. Медведева - Физика и химия соединений А2В6.М.: "Мир".- 1970.)

2. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. // М.: изд-во "Физматгиз".- 1962. - 494 С.

3. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. // М.: Изд - во "Мир".- 1966.138 С.

4. Лашкарев В.Е., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. // Киев: Изд-во" Наукова Думка".-1981.-264 С.

5. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. // М.: Изд-во "Мир".- 1977. - 562 С.

6. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. // М.: Изд-во "Мир".- 1973.-456 С.

7. Шейнкман М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6. // Изв. АН СССР, сер.физ.- 1973.- т.37.- № 2.- С. 400-404.

8. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции. // Изв. АН СССР. сер. физ.- 1946.- т. 10.- № 5-6.- С. 477-487.

9. Garlic G.F.T., Gibson A.F.The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors.// Proc. Phys. Soc.- 1948.- v.A60.- N342.- P. 574-590.

10. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. // M.: "Высшая школа",- 1971. - 336 С.

11. Кюри Д. Люминесценция кристаллов. // М.: Изд - во "ИЛ".-1961.-194 С.

12. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и

кристаллов. //М.: Физматгиз.- 1959.

102

13. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. // Новосибирск: Изд-во "Наука",- 1979.- 333 С.

14. Вертхейм Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов. //М.: Изд-во "Атомиздат".- 1977. - 204 С.

15. Физика соединений

A B // (Под редакцией Георгобиани А.Н., Шейнкмана M.K.).- М.: "Наука".- 1986. - 320 С.

16. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. // (Под редакцией Полторака О.М.). М.: "Мир".- 1969. - 654 С.

17. Берг А., Дин П. Светодиоды. // М.: Изд-во "Мир".- 1973.- 686 с.

18. Недеогло Д.Д., Симашкевич A.B. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка. //Кишинев: изд-во "ШТИИНЦА".-1984.-150 С.

19. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка, получение и свойства. // М.: изд-во "Наука".- 1987. - 200 С.19.

20. Термо люминесценция и термостимулированный ток — методы определения параметров захвата. // «Физика минералов». М.: Изд-во «Мир».-

1971.- С. 134-155.

21. Кульсрешта А.П., Горюнов В.И. О расчете кривых термостимулированного тока. // Физ. тв. тела,- 1966.- т. 8.- № 6.- С. 19441946.

22. Ждан А.Г., Сандомирский В.Б., Ожередов А.Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулированного разряда конденсатора. // Физ.и техн. полупроводников.- 1969.- т.З.- № 12.- С. 1755.

23. Каваляускене Г.С., Ринкавичюс B.C. О методе термостимулированного разряда конденсатора. // Физ. и техн. полупроводников.- 1969.- т.З.-№ 3.-С. 445-446.

24. Балтрамеюнас З.А., Вайткус Ю.Ю., Гривицкас В.В., Стораста Ю.И.

Исследование переходных процессов в рассеянии носителей заряда и

юз

зависимости подвижности от условий возбуждения методом фотоимпульсного эффекта Холла. // Лит.физ. сборник.- 1978.- т. 18.- № 2.-С. 231-233.

25. Hiroshi Sugimotoand Tetsuo Maruyama. Chenge Transfers in the Red Copper Luminescent ZnS Phosphors Investigated by Electron Spin Resonance Method. //J.of the Phys.Soc. Japan.-1967.- v.23.- N1.- P. 44-51.

26. Берман., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров. // М.:Изд-во "Наука".- 1980.- 126 С.

27. Сальков Е.А. Кинетические методы определения параметров уровней прилипания. // Физ. тв. тела.- 1963.- т.5.- № 1.- С. 240-245.

28. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. // М.: Изд-во "Мир".- 1973.- 416 С.

29. Зюганов А.Н., Свечников С.В. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. //Киев: Изд-во "Науковадумка".- 1981.- 254 С.

30.Lu Lianggand. The principle of a new method for determining local trapping states by space-charge-limited current. // J.Appl. Phys.- 1993.- v.73.- №11.-P. 7487-7490.

31. Аркадьева E.H., Рыбкин C.M. Индуцированная инфракрасная чувствительность в некоторых полупроводниках. // ФТТ.- I960.- т. 11.- № 8.- С. 1889-1892.

32. Аркадьева Е.Н., Парицкий Л.Г., Рыбкин С.М. Исследование кинетики инфракрасной примесной фотопроводимости в CdS, индуцированной постоянной подсветкой. // ФТТ,- I960.- т. 11,- № 6.- С. 1160-1163.

33. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Абилова Н.А. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu, обусловленные фотохимическими реакциями. // ФТП.- 1980.-т.14.- № 9.- С. 1665-1671.

34. Гасанбеков Г.М., Карпович И.А., Магомедов Н.П. Индуцированная примесная фотопроводимость в пленках ZnTe. // Учен, записки Горьковского ун-та.- 1973.- вып. 167.- С. 61-63.

35. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS<Ag>. // ФТП.- 1979.- Т.13.- № 7.- С.1324-1328.

36. Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe<Ag> // ФТП.- 1980.- т.14.- № 12.- С.2407-2410.

37. Ризаханов М.А., Зобов Е.М., Хамидов М.М.. Структурно сложные двухдырочные и двух электронные медленные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS. // ФТП.- 2004.-т.38.-№1.- С. 49-55.

38.Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках // М.: «Наука-физматлит».-1997.-351 С.

39. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение. // Депонировано ЦНИИ "Электроника".- Р-3270/81.

40. Ризаханов М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ес- (0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия, наблюдаемых термоактивационными методами. // Депонировано ЦНИИ "Электроника" .-Р-3271/81.

41. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmiumselenide crystals.// J.Chem.Phys.- 1958.- v.29.- N1.- P. 128-137.

42. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to there combination centers in single crystals of CdSe. // Phys.Stat.Sol.(a).- 1975.-V.31.-Nl.-P. 301-307.

43. Baubinas R., Januskevicius Z.,Sacalas A., Viscakas J. P-type conductivityin undoped CdSe single crystals. // SolidStat. Common.- 1974.-V.15.-N11-12.-P. 1731-1733.

44. Сакалас А . Собственные дефекты в селенистом кадмии. // Лит.физ. сборник.- 1979.- Т.19.- № 2.- С. 233-240.

45. Schulz H.J., Kulp В.A. Electron radiation damage in cadmium selenide crystals at liquid-Helium temperatures. // Phys. Rev.- 1967.-V. 159.- N3.-P.603-609.

46. Burmeister R.A., Stevenson D.A. Electrical properties of n-typeCdSe. /ZPhys. Stat. Solid.- 1967.-V.24.-N2.-P.683-690

47. Баубинас P., Вищакас Ю., Сакалас А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe. // Лит.физ. сборник.-1974.-т.14.-№4,- С. 609-611.

48. Шейнкман М.К., Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Природа инфракрасной люминесценции (A, m = 1-2 мкм) в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью. // Физ. тв. тела. -1968.- т. 10.- № 6.-С.1769-1772.

49.Беленысий Г. Л., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Исследование люминесценции = 0.93 мкм в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью. //Физ. и техн. полупроводников. - 1968.- т.2.- № 4.-С. 540-547.

50. Беленький Г.Л., Шейнкман М.К. Механизм люминесценции=0.82 мкм в CdSe-монокристаллах и параметры центров свечения. // Физ. и техн. полупроводников. - 1968. т.2.-№10.- с. 1534-1536.

51. KokubinJ., Watanaben.,WadaM . Photoluminescence of CdSe single crystals. //Jap. J. Appl. Phys.- 1977.-v.13.- N 9 . - P. 1393-1396.

52. Корицкий А.Г., Киреев П.С., КондауровН . M . , Супалов В.А. Примесная люминесценция в CdSe. // Изв. АНСССР, сер. неорган, материалы.-1975.-т.11 .-№ 11, С. 1990-1994.

53. Данияров О., Захаров В.Е., Любченко А.В., Олейник Г.С, Шейнкман М.Л. Спектры локальных состояний в твердых pacTBopaxCdSei.xTex. // Физ. и техн. полупроводников.- 1974.- т.8.- № 3, С. 452-458.

54. Ermolovich I. В., Milenin V.V. Natyreof deep luminescencecen tresin CdSe and CdSei. xTcx . // Phys. Stat. Sol. - 1986.- v.133.- N 2, P. 611-620.

55. Ризаханов M.A. Объяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах. // Физ. и техн.полупроводников.-1982.- т. 16,№4. с. 699-702.

56. Сенулис Ф.Д. Исследование спектра и природы глубоких локальных уровней в монокристаллах и поликристаллических пленках CdSe. // Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. Наук Вильнюс: 1980.

57.Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Кронгауз В.Т. Спектры индуцированной примесной фотопроводимости в активированных пленках CdSe (Си, С1). // Физ. и техн. полупроводников.- 1978.- т. 12.- № 5.- С.993-995.

58. Баубинас Р.В., Вайткус Ю.Ю., Сенулис Ф.Д. Определение спектральных зависимостей сечения захвата фотона по ИК-гашению и примесной фотопроводимости в монокристаллах CdSe. // Лит.физ. сборник.-1978.-т.18.-№ 1.- С. 109-111.

59. Manfredotti С , Murri R., РераЕ., Semisa D. Photoelectronic properties of photoconducting CdSe. //Phys.Stat.Sol.(a).-1973.- v.20.- № 2.-P.477-486.

60. Корницкий А.Г., Киреев П.С., Кондауров H.M. Фотоэлектрическиеявленияифотолюминесценциявтонкихэпитаксиальных слояхселенидакадмия. // Известия вузов, сер.физ.- 1975.- № 3.- С. 61-66.

61. Любченко A.B., Булах Б.М., Турина И.А. Особенности рекомбинациив низкоомных кристаллах CdSe. // Физ. и техн. полупроводников.-1976.-т.10.-№. 5.-С. 923-929.

62.Лашкарев В.Е., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. // Киев: Изд-во"НауковаДумка" .-1981.-264 С

63. Kindleysides L . , Woods J. Electron traps in cadmium selenide. // XPhys.-1970.- D3.-№4.- P. 451-461.

64. Opanowicz A . Determination of electron trapping parameters fromthermally stimulated current in cadmium selenide. // Bull.Acad.Polon.Sci.Ser. Sci. math.astron.et phys.- 1969.- v . 1 7 . -№ 12.- C. 845-850.

65. Hino Taro, Yamashita Ken. Space charge limited currents and thermallystimulated currents in ZnTe and CdSe films. // Jap. J. Appl.Phys.-1974 . - v . 1 3 . - № 6 . - P . 1015-1016.

66. Аркадьева E.H. Отношение оптической и термической энергииактивации примесей в CdS, CdSe и CdTe. // ФТТ. - 1964.- т.6.- № 4.- С.1034.

67. Shimizu К. Electrical properties of cadmium selenide evaporatedfilms. // Jap J. Appl. Phys.- 1965.- v.4.- № 9.- P. 627- 631.

68. Okimura H., Sakai Y. Photoelectronic properties of CdSe evaporatedfilms. // Jap.J. Appl. Phys.- 1968.- v.7.- № 10,- P. 731-738.

69. Lipskis К . , Sakalas A . , Viscakas I. Termally stimulated Hall mobilityin CdSe single crystals. //Phys. Stat. Sol.(a).- 1970.- v.2.- № 2.- P. 225-233.

70. Ждан А.Г., Meccepep M.A. К анализу сильно компенсированных уровней ловушек методами термостимулированной проводимости. // Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5.- № 2.- С. 178-180.

71. Ермолович И.Б., Булах Б.М., Красикова СМ., Шейнкман М.К. Влияние условий роста монокристаллов CdSe на образование в них центров излучательной рекомбинации. // Укр. физ. журнал.- 1974.- т.19.-№10.-С.1725.

72. Мовсесян Г.М., Мащенко В.Б., Киреев П.С, Волкова JI.B. О ролимеди в формировании края собственного поглощения в CdSe. // Физ.и техн. полупроводников.- 1974.- т.8.- № 4,- С. 800-803.

73. Киреев Н.С, Колесникова Э.Н., Воронкова Е.И., Давыдов А. Роль железа в формировании длинноволнового края фундаментальной полосы

поглощения селенида кадмия. // Физ. и техн. полупроводников.-1976.-№6.-С. 1089-1091.

74.Мовсесян Г.М., Мащенко В.Е., Киреев П.С. Осцилляции электроотраженияв селениде кадмия в широком диапазоне спектра. // Физ. и техн. полупроводников,- 1974.- т. 8.- № 9.- С. 1766-1770.

75.СераТ.Я.,Черемесюк Г.Г. О фотоэлектрических свойствах монокристаллов селенида кадмия, обработанных газовым разрядом. // Физ.ТВ.тела.- 1964. -т.6. - №1.- С.128-133.

76. Hoschl P., KubaUcova S. Electrical properties of n-type CdSe single crystals prepared under a nitrogen pressure. // Czech. J.Phys.-1968.-v.B18. -№7.-P. 897-899.

77. Ермолович И.Б., ПавелецА . M . , Ханат JT.H. Механизм температурного тушения люминесценции, обусловленной глубокими центрами в твердых растворах CdSxTe,_x. // Укр. физ. журнал.- 1986.- т.31.- № З.-С. 446-451.

78. Ture I.E., Clayboum М., Brinkman A.W., Woods J. Copper centersin CdSe. //J. Appl. Phys.- 1986.-v.60.-№ 5.-P. 1670-1675.

79. Мартынов B.H. Люминесценция и фотопроводимость высокочистогоселенида кадмия. // Неорган, материалы.-1995,- т.31.- № 10.- С.1302.

80.Черкасов Ю.А. и др. Исследование центров фоточувствительностив инжекционных слоях CdSe. // Физ. и техн. полупроводников,-1989.-Т. 23.-№9.- С. 1572-1575.

81.Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Ag // Физ .и техн.полупроводников.-1979.- т. 13,- № 7.- С. 1324-1328.

82. Городецкий И.Я., Пекарь Г. С, Федоров А.И., Шейнкман М.К. Особенности процессов рекомбинации в монокристаллах CdS сильнолегированных индием. // ФТП .- 1975.- т.9.- № 4.- С. 986.

83. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Зависимостьсечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS:Ag от их энергетического положения. // ФТП.-1975.- т.9.- № 4.- С. 779-782.

84. Ризаханов М.А. Оптическое гашение фотопроводимости в CdS:Cu, обусловленное донорно-акцепторными парами.// Физ. итехн. полупроводников.- 1975.-т.9.-№ 10.- С. 2002-2004.

85. Kulp В.А., Kelley R.H. Displacement of the sulfur atom in CdSby electron bombardment.// J.Appl. Phys.-I960.- v.31.- № 6.- P.l057-1061.

86. Каганович Э.Б., Свечников C.B., Чалая В.Г. Термостимулированные токи в слоях сульфида кадмия. // Ук.ФЖ.-1969.-т.14.-№4.- С.670

87. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. О механизмео бразования локальных центров при фотохимических реакциях в монокристаллах сульфида кадмия. // В кн.: Физические процессы в кристаллах с дефектами. Киев: «Наукова думка».- 1972.- С 25-46.

88. Майоров Т.Л., Клюев В.Г. Эффект фотопамяти в пиролитических пленках легированных щелочными металлами. // Химия высоких энергий.-2008. T.42.N 4/С/372-373

89. Бондаренко И.Н., Городецкий И .Я., Любченко A.B. и др. Параметры быстрых центров рекомбинации в CdS и их влияние на фоточувствительность. // Укр. физ. журнал.- 1973.- т. 17.- № 3.- С. 599605.

90. Шейнкман М.К., Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Механизморанжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции монокристаллов CdS и параметры соответствующих центров свечения. // Физ. тв. тела.- 1968.- № 9.- С. 2628-2638.

91. Корсунская Н.Е., Кролевец Н.М., Маркевич И.В. и др. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью. // Физ. и техн. полупроводников.- 1975.- т.7.- № 2.- С. 275-278.

92. Горбунов В.В., Остапенко С.С., Танатар М.А., Шейнкман М.К. Оптическая анизотропия центров красной люминесценции в CdS,

110

облученом тепловыми нейтронами. // Физ. тв. тела.- 1981.- т.23.- № П.-С.3320-3325.

93. Мартынов В.Н., Тоцина Т.С, Волкова Е.С. Дефектообразование в лазерных кристаллах CdS при электронном облучении. // Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск: 1997.-С. 32-33.

94. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Габибов Ф.С., Мейланов Р.П.Об одной причине низких сечений захвата основных носителей заряда центров прилипания и невоспроизводимости термоактивационных спектров в полупроводниках. // Депонировано ВИНИТИ № 7781-84.- 19С.

95. Istratov A. A. Studies of the dislocation - induced deep levels in CdSusing deep level transiend spectroscopy with optical excitation. // Rhys. StatusSolidi. A . - 1995.- v.150.- № 2.- P. K15-K17.

96. МартыновВ.Н., Волкова Е.С, Тоцина Г.С. Излучательные рекомбинационные процессы в высокочистом сульфиде кадмия с малым отклонением от стехиометрии. // Неорг. матер.-1997.-т.ЗЗ.-№2.- С. 174.

97. Воуп R. Optical аЬ80ф1 londue to intrinsic defects in CdS single crystals. // Phys. Stat. Sol.- 1968.- v.29. №1.- P. 307- 328.

98. Аркадьева E.H., Касымова P . С , Рыбкин СМ. Кинетика индуцированной примесной фотопроводимости в теллуриде кадмия. // Физ. тв.тела.- 1961.-т.З.- № 8.- С. 2417-2426.

99. Заячкивский В.П., Савицкий А . В . , Никонюк Е.С. и др. Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германием. // Ф Ш . - 1974.- т.8.- № 5.- С. 1035-1037.

100. Афинская Н.В., Аркадьева Е.Н., Матвеев О. А., Рудь Ю.В. Электрические и фотоэлектрические свойства высокоомных кристаллов теллурида кадмия. // ФТП.- 1968.- т.2.- № 7.- С. 932-938.

101. Любченко A.B., Потыкевич И.В., Борейко Л.А. Параметры центров фоточувствительности в высокоомных кристаллах CdTe р-типа. // Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5,- № 9.- С. 1704-1707.

102. Агринская Н.В., Аркадьева E.H., Матвеев O.A. Люминесценция комплексов вакансия кадмия - донор в кристаллах CdTe. // Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5. -№ 5.- С. 869-875.

103. Chamonal J.R., Molva Е., Pautrat J.L. ^identification of Cu and Agacceptors in CdTe. // Ibid.- 1982.- v.43.- №11.- P. 801-805.

104. Дугаев B.K. и др. Статистика заряженных дефектов и примесейв CdTe при комплексо образовании. // Изв. АН СССР, Неорг. материалы.-1989.-Т.25.- № 9.- С.1560-1562.

105. Кашерининов П.Г., Матюхин Д.Г. Полная идентификация параметров примесных уровней в высокоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов // Труды Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск: 1997.- С.74.

106. Брагин Е.В., Гарягдыев Г., Любченко A.B., Сальков Е.А. Механизмы рекомбинации через многозарядные акцепторы в рекристаллизованных слоях теллурида кадмия. // УФЖ-1989.-т.34.-№ 2.- С. 228.

107. Илащук Б.И., Матлак В.В., Парфешок O.A., Савицкий A.B. Особенности комплексо образования в p-CdTe при значительных концентрациях собственных дефектов. // ФТП -1986.-т.20.-№5.-С.849-852

108. Гнатенко Ю.П., Фарина И.А., Гамарник Р.В. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe:Fe и Cd¡„xFcxTe. // Физ. итехн. полупроводников.- 1993.- т.27.- № 10.- С. 1639-1650.

109. SoltaniM., CertierM., EvrardR., Kartheuser . Photoluminescenceof CdTe doped with arsenic and antimony acceptors. // J. Appl. Phys.- 1995.-V.78,- № 9.- P. 5626-5632.

110. Шейнкман М.К., Беленький Г.Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe // Физ. и техн. полупроводников.- 1968.- Т.2.- №11.- С. 635-1638

111. Физика соединений AnBVI // (Под редакцией Георгобиани А.Н.ДЛейнкмана M.K.).- М.: «Наука»,- 1986. - 320 С.

112. Tscholl Е. The photochemical inte(|}retation of slow phenomena incadmium sulphide. // PhilipsRes. Repts. (Suppl). - 1968.- № 6- P. 1-93.

113. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. // М.: Изд-во "Мир",- 1973.-456 С.

114. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Мартынов В.Н. и др. Влияниеотжига в парах цинка на спектр фоточувствительности монокристаллов теллурида цинка. // ФТП - 1970.- т.4.- № 5.- С . 900-903.

115. Шейнкман М.К., Тягай В.А., Беленький Г.Л., Бондаренко В.Н. Исследование природы очувствления CdSe монокристаллов в результате их травления. // Укр. ФЖ- 1968.- т. 13.- № 9.- С. 1453-1457.

116. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. // Справочник под ред. A.B. Новоселова.- М. : «Наука».- 1978.

117. Лашкарев В.Е., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. // Киев: Изд-во "Наукова Думка".-1981.-С.264 С.

118. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Экспериментальные доказательства существования двух электронных центров захвата в ZnS. // Физ. и техн. полупроводников.- 1979.- т.13.- №8.- С. 1578-1583.

119. Зобов Е.М., Магомедов Н.М., Ризаханов М.А. Труды Межд. конф. «Физич. процессы в неупоряд. полупров. структурах», Ульяновск 1999, С-71.

120. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe <Ag>. // Письма в ЖТФ,- 1985.- Т. П . - № 9.- С. 561- 567.

121. Зобов Е.М., Гарягдыев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами. // Физ. и техн. полупров.- 1987.- т.21.- в. 9.- С. 1637- 1641.

122. Weber J. Optical properties of Cu in Si; exiton bound to isoelectronic Cupairs. // Phys. Rev. B, 1982, v. 25, No. 12, p. 7688-7699.

123. Dash W.C. Cu precipitation on dislocations in Si. // J.Appl.Phys., 1956, v.27,p. 1193-1195.

124. Малышева Г.К. Диффузия Cu в CdS. // ФШ , 1971, т.5 № 3, С. 481-484.

125. Warschauer D .M ., Reynolds D.C. Edge and impurity emission incadmium sulphide. // Phys. Rev. Letters, 1959, v.3. No. 8, p. 370-372.

126. Kristok J. Orange Luminescence of Donor-Acceptor Pairs in CdSAg _C1. // J.Phys and Chem. Solids., 1992, v.53, No.8, p. 1027-1030.

127. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Шейнкман M.K. О природе центров оранжевой люминесценции в сульфиде кадмия. // ФТП, 1975,т.9,№.8, С. 1620-1623.

128. Holts P.O., Gislason Н.Р., Magnea N., Uihlein Ch., L i u P.L., Optical properties of complex defects created by Ag diffusion in ZnTe. // Phys. Rev.B., Condenser. Mater, m, 1985, v.32, No.6, p.3844-3856.

129. Hoffman D.M., Stadler W., Chrissman P. Defects in CdTe andCdZnTe. // Nuclear instruments and methods in physic research. Section A -Accelerators spectrometers detectors and associated equipment. 1996, v.380.No. 1-2, p. 117120.

130. Больбошенко B.3., Иванова Г.Н., Калмыкова И., Касьян В.А.. Недеогло Д.Д., Новиков Б.В. Влияние меди на спектры люминесценции ZnSe кристаллов. // ФТП, 1990, т.24, №.11, С.1200-1203.

131. Holts P.O., Monemar В., Gislason Н.Р., Magnea N Complex defectsin ZnTe created by Cu diffusion. // J.Luminescence, 1986, v.34, No.5,p.245-262.

132. Broser Y., Broser-Warminsky Infrared effect and antistokse luminescenceJ^S^/^Solid State Physic, in Electronics and Telecommunication, 1960, v.4,p. 680-687.

133. Kulp B.A. Displacement of Cadmium Atom in Single Crysyal CdS by Electron Bombardment. // Phys. Rev. 1962, v.125, No.6, p.1865 - 1869.

134. Kulp B.A., Kelley R.H. Displacement of Sulphur Atom in CdS by Electron Bombardment. //J. Appl. Phys. 1960, v.31, No.6, p. 1057 - 1061.

135. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами. УФЖ, 1973, т. 18, № 5, С. 732 - 741.

136. Vuilsteke A.A., Sivonen J.T. Vulphur Vacancy Mechanism in Pure CdS. // Phys. Rev. 1959, v. 113,No.l,p. 40-42.

137. Власенко H.A., Витриховский Н.И., Денисова З.Л., Павленко В.Ф. О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии. // Оптика и спектроскопия, 1966, т.21, № 4, с. 466 - 475.

138. Ермолович И.Б , Шейнкман М.К. Взаимная связь полос люминесценции

Хмакс= 103 и 1.5 мкм в монокристаллах CdS. // ФТП, 1971,т.5,№6, С. 11851188.

139. Корсунская Н.Е., Кролевец Н.М., Маркевич И.В., Пекарь Г.С, Шейнкман М.К. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью. // ФТП, 1973, т.7, № 2, с. 253 - 256.

140. Городецкий И .Я., Лашкарев В.Е., Шейнкман М.К. Параметры рекомбинационных центров в монокристаллах CdS, легированных золотом. //УФЖ, 1967, Т.12, № Ц, с. 1916 - 1918.

141. Suzuki A., Shionoya S. Mechanism of green-copper luminescencein ZnS crystals. 2. Polarization characteristics. // J.Phys.Soc, 1971, v.31. No.5, p. 1462-1468.

142. Boer K.W., Borchardt W. Photochemischen Reaction in CdS Einkristallen. //Fortschr. Phys. 1953, V.I, N о .1, p. 184-189.

143. Boer K.W., Borchardt W., Oberlander S. Zur Kinetik Photochemischen Reaktion in CdS Einkristallen. //Z. Phys. Chem. 1959, V.2I0,No.5, p. 218-231.

144. Boer K.W., Photochemischen effect in CdS Einkristallen. // Z.Phys. Chem. 1954, V.203, No.3, p. 145-148

145. Borchardt W Photochemischen Reaktion und Tilgung in Einkristallen. //Phys. Stat.Sol. 1961, V.I, No.3, p. k52-k58.

146. Borchardt W Uber Photochemischen Reaction in cadmium Sulfide // Phys. Stat.Sol. 1962, V 2 , N о . 11, p . 1575-1592.

147. R.H. Bube. Reversive variation of sensitivity in certain cadmiumsulphide photoconductirs. // J.Chem Phys., 1959?v.30, No. 1, p . 266-270.

148. Kanev S., Stoyanov V., Lakova M . Photochemical reactions in CdS highly doped with Си. // Comptes remdus de 1 Academie Bulgare des Sciences, 1969, v.22, No.8, p. 863-865.

149. Kanev S., Fahrenbruch A .L., Bube R.H. Thermally Restorable Optical Degradation Effect in Heat Treatment CuiS - CdS Crystals Hetero junctions. // Appl.Phys.Lett., 1971, v .1 9 , N о . 11, p. 459-461

150. Koparanova N.S., Tsvetkova K.V., Kanev S.K. On the photochemicalraections in CdS:Cd:Cu single crystals. // J.Phys., 1974, v.l. No. l,p. 13-19.

151. Kanev S., Tsvetkova K.V., Todorov Т., Georgiev M . Optical absorptionchanges, induced by illuminations in CdS:Cd:Cu. // Comptes Rendusde 1 Academie des Sciences, 1975, v.28, N о .1 2 , p. 1597-1599.

152. Торчинская T.B. Исследование механизмов фотохимических реакций и

Л /г

деградаций фототока в полупроводниках А В . //Автореферат канд. дисс. Киев 1978.

153. Bryant F.J., Сох A.FJ Energy level structure for the infrared luminescenceof cadmium sulphide and zinc sulphide. // Brit.J.Appl.Phys. 1965,v.l6,No.4,p.463-469.

154. Albers С, Gensew D. Photochemische reaktionen und Temperaturabangigkeitder Luminessens in CdS Einkristallen. // Phys. Stat.Sol.,1963, V.3, No. 5, p. 866-873.

155. Patil, S.C., Woods J. Luminescence in Cu-doped CdS Crystals. // LLumin., 1971, v. 4, No. 3, p. 231-243.

156. Корсунская H.E., Маркевич И.В.,Торчинская T.B., Шейнкман M.K. Механизм Оже-возбуждеиия полосы люминесценции 1.6-2.0 мкм в кристаллах сульфида кадмия. // ФТП, 1977, т. 11, № 12, С. 2346-2351.

157. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Фотохимические реакции и модели некоторых центров прилипания электронов в CdS и его аналогах . // ФШ 1974, т.8, № 8, С. 1521-1524.

158. KorsunskayaN.E., MarkevichI.V.,Sheinkman M.K. Photochemicalreactions in CdS single crystals. // Phys.Stat.Sol., 1066, v . 1 3 , No . 1 ,p. 25-36.

159. Корсунская H.E., Маркевич И.В., Шейнкман M.K. Образование новых центров прилипания и рекомбинации в CdS и CdSe монокристаллах под действием различных факторов. // Труды IX Междунар.конф. по физике полупроводников, 1965.

160. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В., Рекомбинационно-стимулированное преобразование сложных центров свечения в кристаллах CdS. // ФТП, 1980, т.14, № 3, С. 438-443.

161. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции. // Изв. АНСССР.сер. физ.- 1946.- т. 10.- № 5-6.- С. 477-487.

162. Bube R.H. Photoelectronic properties of imperfections in cadmium sulfo-selenide solid solutions. // J.Appl.Phys.- 1964.- v.35.- № 3.- P.576.

163.Букке E.E., Григорьев H.H., Фок M.B. Применение метода поляризационных диаграмм для исследования одноосных кристаллов. // Труды ФИАЛ, 1974, т.79, С. 108-144.

164. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe. // ФТП. - 1993,- т. 27.- № 5.- С. 721-727.

117

165. Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах y-La2S3. // ФТП.- 2001.- т. 35,- № 2.- С. 171-176.

166. Зобов Е.М., Ризаханов М.А., Хамидов М.М., Магомедов Н.М. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой в порошках промышленных люминофоров К-83, К-96. // Тезисы Международной конф. «Оптика полупроводников»,- Ульяновск.-2000.- С. 84.

167. Ризиханов М.А., Гасанбеков Г.М., Габибов Ф.С., Магомедов М.А., Мейланов Р.П., Хамидов М.М. Об одной причине низких сечений захвата основных носителей зарядов центра прилипания и невоспроизводимости термоактивационных спектров в полупроводниках. //Рукопись деп. ВИНИТИ.- 1984.- №7781-84.

168. Шейнкман М.К. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцепторных пар в CdS. // Письма ЖЭТФ,- 1972.- т. 15.- № 11.-С. 673-676.

169.Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe <Ag>. // ФТП,- 1980.- т.14.- № 12,- С.2407-2410.

170. Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Особенности термостимулированной проводимости в неоднородных полупроводниках. // ФТП.- 1971,- т. 10. - № 9.- С. 1987-1989.

171. Хамидов М.М., Рабаданов М.Х., Магомедбеков У.Г., Али Рафик М.К. Особенности примесной фото- и термостимулированной проводимости в кристаллах сульфоселенида кадмия, легированных рубидием. Вестник ДГУ , 2013г, В.6 С.68-73.

172. Хамидов М.М., Рабаданов М.Х., Магомедбеков У.Г., Хасанов И.И., Арсанов М.М., Али Рафик М.К. Влияние примесей рубидия на

свойства кристаллов сульфида кадмия. Изв. ДГПУ. Ест. науки.-2013г. №2, С.13-16.

173. Хамидов М.М., Буттаев М.С., Али Рафик М.К., Гасанов Н.Г Фотохимические преобразования в кристаллах CdSi_xSex, легированных рубидием. // Научно-практический журнал «Системные технологии» 2012г. №5.-С.67-71

174. Хамидов М.М., Буттаев М.С., Али Рафик М.К., Гасанов Н.Г. Особенности фотопроводимости и термостимулированных токов в CdSi_xSex «Rb». // Научно-практический журнал «Системные технологии» 2012г. №5.- С.71-75

175. Хамидов М.М., Рабаданов М.Х., Магомедбеков У.Г., МухучевА.М., Али Рафик М.К. Влияние примесей Rb на формирование центров прилипания в кристаллах CdS,.xSex // Вестник Махачкалинского филиала МАДИ 2013г. в.ХП, С.205-208.

176. Хамидов М.М., Рабаданов М.Х., Магомедбеков У.Г., Мухучев A.M., Али Рафик М.К. Фотохимические реакции в кристаллах <Rb>BecTHHK Махачкалинского филиала МАДИ 2013г. b.XII, С.209-212.

177. Хамидов М.М., Рабаданов М.Х., Магомедбеков У.Г., Магомедов H.H., Али Рафик М.К. Влияние примесей Rb на формирование центров прилипания в кристаллах CdS!.xSex // Труды III Всерос. научно-технич.конф. «Состояние и перспективы развития полупроводниковой техники» Махачкала-2013г.

178. Хамидов М.М., Рабаданов М.Х., Магомедбеков У.Г., Магомедов H.H., Али Рафик М.К. Фотохимические реакции в кристаллах CdSi_xSex<Rb> // Труды III Всерос. научно-технич.конф. «Состояние и перспективы развития полупроводниковой техники» Махачкала-2013г.

179. Хамидов М.М., Магомедбеков У.Г., Рабаданов М.Х., Мухучев A.M., Али Рафик М.К. Особенности примесной фотопроводимости и

термостимулированной проводимости в CdS!.xSex<Rb>. Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы: труды XVI междунар. конф. - Ул.ГУ. - 2013г. - С. 393-394.

180. Хамидов М.М., Магомедбеков У.Г., Гаджиев Г.М., Магомедов H.H., Али Рафик М.К. Влияние макрооднородностей

кристаллической решетки и зарядового состояния центра на процессы их термоопустощения в CdS,.xSex<Rb>. Труды Всероссийской научно-практической конференции

«Фундаментальные и прикладные проблемы получения новых материалов: исследование, инновации и технологии» Астрахань -04.2014г.-С.182-184