Генерация и излучение сверхширокополосных импульсных сигналов и их воздействие на элементную базу радиоэлектронных систем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат наук Усков, Григорий Константинович

• Усков, Григорий Константинович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Усков, Григорий Константинович

Содержание

Список используемых сокращений

Введение

Глава 1. Обратимая деградация ПТШ при воздействии импульсных

помех нано- и субнаносекундной длительности

1.1. Проявление эффекта обратного управления ПТШ под действием импульсной перегрузки во входной цепи

1.2. Обратимая деградация ПТШ под действием периодических импульсов

1.3. Экспериментальное исследование обратимой деградации ПТШ под действием периодических импульсов

1.4. Деградационные процессы характеристик ПТШ при воздействии сверхкоротких видеоимпульсов

1.4.1. Исследование воздействия СКИ положительной полярности

1.4.2. Исследование воздействия СКИ отрицательной полярности

1.4.3. Механизм обратимой деградации ПТШ, при воздействии

СКИ. Интерпретация результатов

1.5. Модели эффектов деградации характеристик ПТШ при воздействии СКИ

1.5.1. Определение параметров структурных моделей ПТШ

1.5.2. Разработка математической модели деградационных процессов в ПТШ и определение её параметров на основе экспериментальных данных

1.5.3. Применение модели деградационных процессов ПТШ в пакетах схемотехнического проектирования

1.6. Физическая модель ваАБ ПТШ для рассчета объёмного заряда в полуизолирующей подложке

1.7. Характеристики электромагнитной совместивости МШУ при воздействии СКИ

1.7.1. Коэффициент обратимой деградации

1.7.2. Верхняя граница динамического диапазона по обратимой деградации МШУ

Выводы

Глава 2. Воздействие импульсных электроперегрузок на полевые

транзисторы с высокой подвижностью электронов и элементы цифровой

КМОП логики

2.1. Воздействие СКИ на НЕМТ транзисторы

2.1.1. Экспериментальное исследование воздействия СКИ

на НЕМТ транзисторы

2.1.2. Механизм воздействия СКИ на полевые транзисторы

2.1.3. Моделирование воздействия СКИ на НЕМТ

2.2. Воздействие СКИ на n-канальный МОП-транзистор

2.2.1. Методика экспериментального исследования

воздействия СКИ на n-канальный МОП-транзистор

2.2.2. Результаты экспериментального исследования

воздействия СКИ на n-канальный МОП-транзистор

2.2.3. Интерпритация экспериментальных результатов

2.3. Воздействие СКИ на триггеры Шмита КМОП-логики

2.3.1. Методика экспериментального исследования

воздействия СКИ на триггеры Шмита КМОП-логики

2.3.2. Результаты экспериментального исследования воздействия

СКИ на триггеры Шмита КМОП-логики и их интерпритация

Выводы

Глава 3. Автоматизированный измерительный комплекс для тестирования

стойкости элементной базы к воздействию сверхкоротких

импульсных помех

3.1. Тестирование полупроводниковой электронной элементной

базы на стойкость к импульсным воздействиям

3.2. Описание программного обеспечения автоматизированного измерительного комплекса

3.3. Методика отбора транзисторов по критериям стойкости к СКИ

Выводы

Глава 4. Разработка генераторов сверхкоротких импульсных

сигналов на основе диодов с накоплением заряда

4.1. Процессы переключения в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда в режиме генерации СКИ

4.1.1. Режим накопления электронно-дырочной плазмы в полупроводниковой структуре диода

4.1.2. Параметры диодов с накоплением заряда

4.1.3. Процессы при генерации сверхкоротких импульсов в полупроводниковой структуре диода с накоплением

заряда. Токи утечки

4.1.4. Экспериментальное исследование переходных процессов

в диодах с накоплением заряда в режиме переключения

4.1.5. Измерение параметров ДНЗ

4.2. Разработка модели диодов с накоплением заряда

4.2.1. Модель ДНЗ, учитывающая процессы накопления паразитного заряда в легированных областях

4.2.2. Реализация модели диода с накоплением заряда в САПР

4.2.3. Методика определения параметров модели ДНЗ по экспериментальным данным

4.3. Разработка генератора сверхкоротких импульсов с индуктивным накопителем энергии

4.3.1. Метод генерации сверхкоротких импульсов с длительным накоплением заряда

4.3.2. Способ генерации СКИ с одновременной накачкой заряда

ДНЗ и накоплением магнитной энергии

4.4. Методы формирования опорных импульсов нано и

субнаносекундной длительности

Выводы

Глава 5. Методы излучения сверхширокополосных импульсных

сигналов

5.1. Моделирование сверхширокополосной системы, излучающей сверхкороткие импульсы

5.1.1. Параметры антенных систем при излучении сверхкоротких импульсов

5.1.2. Моделирование электродинамических систем во временной области

5.1.3. Граничные и начальные условия при расчете рассеянного и излученного поля

5.1.4. Моделирование ТЕМ-рупорной антенны для излучения СКИ

5.2. Оптимизация параметров систем излучения СКИ для улучшения их характеристик

5.2.1. Управление положением главного лепестка импульсной АФАР

5.2.2. Влияние параметров ТЕМ-рупора на характеристики

излучения СКИ

5.2.3. Метод компенсации неравномерности энергетической диаграммы направленности ТЕМ-рупора

5.2.4. Метод компенсации искажения СКИ при излучении СШП антенной

5.3. Методы совместного моделирования антенн и формирователя сверхкоротких импульсов

5.4. Синтез сверхкоротких импульсных сигналов произвольной формы

Выводы

Заключение

Библиографический список использованной литературы

Список используемых сокращений

FDTD - finite-difference time-domain FIT - finite integration technique

HEMT - транзистор с высокой подвижностью электронов MESFETs - metal semiconductor field effect transistor SRD - Step Recovery Diode

АИК - автоматизированный измерительный стенд

АИС - автоматизированный измерительный стенд

АФАР - активная фазированная антенная решетка

АЧХ - амплитудно-частотная характеристика

ВАХ - вольтамперная характеристика

ВГДД - верхняя граница динамического диапазона

ГОСТ - государственный стандарт

ДЗ - дальняя зона

ДН - диаграмма направленности

ДНЗ - диод с накоплением заряда

ДРВ - диод с резким восстановлением обратного сопротивления

ИС - интегральная схема

ИХ - импульсная характеристика

КМОП - схемы на комплементарных (дополняющих) МОП-транзисторах с

противоположными типами каналов

КСВН - коэффициент стоячей волны по напряжению

КУ - коэффициент усиления

МКИ - метод конечного интегрирования

МКРВО - метод конечных разностей во временной области

МОП - структура металл-оксид-полупроводник

МОПТ - транзистор с МОП-структурой

МШУ - малошумящий усилитель

ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки

РЛС - радиолокационная станция

РПУ - радиоприёмное устройство

РЭА — радиоэлектронная аппаратура

РЭС - радиоэлектронное средство

САПР - система автоматизированного проектирования

СВЧ - сверхвысокие частоты

СКВИ - сверхкороткий видеоимпульс

СКИ - сверхкороткий импульс

ШКН - широкополосная коаксиальная нагрузка

ШРХ - Шокли-Рида-Холла

ЭМИ - электромагнитное излучение

ЭМО - электромагнитная обстановка

ЭМС - электромагнитная совместимость

ЭС - эквивалентная схема

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Генерация и излучение сверхширокополосных импульсных сигналов и их воздействие на элементную базу радиоэлектронных систем»

Введение

Диссертационная работа посвящена исследованию и развитию методов генерации, излучения сверхширокополосных импульсных сигналов нано и субнаносекундной длительности, а также исследованию воздействия и возможностей улучшения характеристик помехоустойчивости входных устройств, построенных на базе ваАз полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ), НЕМТ транзисторов и базовых элементов цифровой электроники, при воздействии импульсных помех.

Актуальность темы.

Проводимые в диссертационной работе исследования, направлены на обеспечение надежности и устойчивого функционирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) в условиях импульсных помех и развитие методов генерации и излучения сверхширокополосных (СШП) импульсных сигналов нано и субнаносекундной длительности (сверхкороткий импульс).

Применение сверхкоротких импульсов (СКИ) расширяет функциональные возможности существующих радиоэлектронных систем, а также позволяет создавать принципиально новые системы, предназначенные для решения широкого круга научно-технических, военных и социальных проблем [60, 116, 129131, 227, 237-249]. Переход от узкополосных сигналов к нано и субнаносекунд-ным требует решения большого круга фундаментальных задач, связанных с тем, что принципы генерации СКИ, методы их излучения и приема, а также методы обработки сигналов и извлечения из них полезной информации, коренным образом отличаются от используемых в случае узкополосных сигналов. Так, методы формирования узкополосных сигналов основаны на генерации гармонических сигналов и их модуляции, в то время как генератор СКИ формирует видеоимпульсы. Форма сверхкороткого сигнала претерпевает существенные изменения на всех этапах его распространения: при передаче по фидерным трактам, при излучении, распространении в дисперсной среде, при отражении от объекта локации и приеме [129, 197, 209, 227, 228, 246-249]. Перечисленные особенности настолько существенны и принципиальны, что разработка радиосистем на основе сверхширокополосных импульсных сигналов выливается в самостоятельное научно-техническое направление с собственными методами анализа и нетрадиционными схемотехническими решениями.

В настоящее время существуют публикации [143-148, 250-253], которые посвящены исследованию процессов протекающих в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда при генерации СКИ. В ряде работ приводиться физические интерпретации процессов при работе диода в импульсном режиме [143-144]. Известны работы, в которых предложены математические модели диодов с накоплением заряда и проведено исследование их сходимости [147, 148]. Однако не освещается проблема минимизации «паразитного» заряда в полупроводниковой структуре прибора для улучшения характеристик формируемых импульсов. Процесс накопления этого заряда зависит от режима работы диода с накоплением заряда (ДНЗ) и может существенным образом влиять на процесс восстановления обратного сопротивления, что в свою очередь определяет такие параметры формируемого генератором сигнала, как амплитуда, длительность и максимальная частота следования импульсов. Эти параметры так же зависят и от способа формирования СКИ. На сегодняшний день максимальная частота повторения, которая достигается с использованием известных схем формирователей, составляет сотни килогерц. Для улучшения основных характеристик генератора становится необходимым учет «паразитных» эффектов в ДНЗ [56,111,117,125,149].

Излучатели СШП импульсных сигналов нано и субнаносекундной длительности с одной стороны должны обладать минимально возможными размерами, а с другой - обеспечивать приемлемый уровень согласования генератора и антенны, заданное распределение энергии в пространстве [175-178]. Невысокая средняя мощность сигнала на выходе существующих малогабаритных формирователей приводит к тому, что эффективная генерация и излучение являются целью при разработке излучателей сверхкоротких импульсов. Проектирование антенны без учета выходных характеристик формирователя не приемлемо, так как оба этих устройства подвержены взаимовлиянию, что сказывается как на форме генерируемого сигнала, так и на характеристиках излучения антенны [178]. Построение совместной схемотехнической модели генератора и антенны представляется необходимым для эффективного излучения сверхкоротких импульсов [119, 235].

В качестве характеристик излучателей, применяемых в таких системах, обычно рассматриваются энергетические диаграммы направленности, форма поля в заданных точках пространства, уровень согласования между антенной и генератором, или зависимость коэффициента стоячей волны по напряже-

нию (КСВН) от частоты в полосе, перекрывающей спектр [176-178]. Эти характеристики определяются геометрией антенны и сигналом на выходе формирователя. Можно выделить два пути повышения эффективности излучения сверхкоротких импульсов: оптимизация геометрии антенны, синтез сигнала требуемой формы на выходе генератора [266, 267].

Так, применение СКИ в импульсных сканирующих антенных решетках имеет особенность, связанную с методом формирования главного лепестка ДН. Вместо фазовых сдвигов для каждого элемента подбирается временная задержка таким образом, чтобы в требуемую точку пространства все сигналы пришли синхронно. При этом энергетическая ДН излучателя определяет возможный диапазон управления положением главного лепестка. Характеристики антенны и генератора, как правило, не позволяют получить сигнал требуемой формы на заданном расстоянии от излучателя. В системах с электронным сканированием пространства может возникнуть необходимость в сохранении формы СКИ в определенном угловом диапазоне на заданном расстоянии от антенны. Наиболее интересным представляется синтез сигнала исходя из характеристик имеющегося генератора без применения дополнительных источников [73, 266, 267].

Несмотря на наличие большого количества публикаций [177-208], посвященных излучающим сверхкороткие импульсы антеннам, вопросы оптимизации энергетических диаграмм направленности (ДН) для конкретного требуемого сигнала и компенсации искажения формы поля на заданном расстоянии от антенны освещены недостаточно.

Усложнение электромагнитной обстановки (ЭМО), связанное с непрерывным увеличением числа радиоэлектронных средств (РЭС) и загруженностью освоенных диапазонов, влечет за собой возрастание общего уровня электромагнитных помех [61]. Стойкость радиоаппаратуры к импульсным перегрузкам различного вида и происхождения является важнейшим фактором надежности её функционирования. Такие перегрузки могут возникать в результате действия преднамеренных или непреднамеренных помех. Здесь главной проблемой является стойкость полупроводниковых приборов и схем, входящих в состав радиоаппаратуры [87, 110,138].

При исследовании мощных импульсных воздействий на сложные радиоэлектронные системы рациональным путем упрощения задачи является выделение в этих системах уязвимых элементов и дальнейшее изучение эф-

фектов воздействия на эти элементы, поскольку именно они определяют поражающее действие импульсных излучений на систему в целом [1-4, 62, 65, 71]. Наиболее вероятно их действие по радиочастотным трактам. В этих условиях, как и в случае СВЧ-импульсов, одним из основных уязвимых элементов РЭС оказываются транзисторные малошумящие усилители радиочастоты (МШУ) приемников и транзисторы, на основе которых они выполнены. В настоящее время наиболее широкое применение в МШУ нашли арсенид галлиевые полевые транзисторы с затвором Шоттки (ваАэ ПТШ) и транзисторы с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) [12-16]. В современных РЭС также большую роль играет программное обеспечение для решения задач на всех этапах обработки сигналов. Основным элементом, обеспечивающим функционирование современных цифровых, в том числе вычислительных средств, являются транзисторы, изготовленные по МДП (МОП) технологии. В интересах обеспечения устойчивости функционирования современных систем радиолокации, связи и управления особый интерес представляет исследование влияния импульсных перегрузок на функционирование ваАБ ПТШ, НЕМТ [64] и полевых МДП-транзисторов [1-5, 12-16]. В аппаратуре, имеющей в своем составе большое число взаимодействующих между собой уязвимых элементов, например в цифровых системах, представляют интерес функциональные нарушения, характерные для целых схем и блоков. В связи с этим в работе исследованы эффекты воздействия СКИ на некоторые из базовых цифровых интегральных КМОП схем, входящих в состав большинства цифровых систем [63, 127].

Таким образом, практическая потребность в решении перечисленных задач определяет актуальность тематики данной диссертации.

Целью диссертационной работы является развитие методов генерации и излучения сверхширокополосных импульсных сигналов нано и субнаносе-кундной длительности, а также улучшение характеристик помехоустойчивости приемных и усилительных элементов РЭА, построенных на базе ПТШ, НЕМТ транзисторов и триггеров Шмитта.

Основные задачи диссертации вытекают непосредственно из ее целей:

- исследовать процессы, протекающие в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда при формировании сверхширокополосных

импульсных сигналов;

- разработать модель диода с накоплением заряда, учитывающую выявленные процессы накопления, рассасывания и рекомбинации неосновных носителей в его полупроводниковой структуре;

- разработать методы формирования СКИ, позволяющие улучшить характеристики генераторов и сигналов на их выходе с учетом характеристик излучающих систем;

- исследовать характер поведения ваАз ПТШ, НЕМТ транзисторы под действием сверхкоротких импульсов субнаносекундной длительности;

- разработать методики и автоматизированный измерительный комплекс для исследования воздействия сверхкоротких импульсов нано и субнаносекундной длительности на полевые транзисторы;

- разработать методы отбора электронной элементной базы РЭА по критериям стойкости к импульсным помехам;

- разработать модели, позволяющие учесть воздействие импульсных помех нано и субнаносекундной длительности на полевые транзисторы;

- определить характеристики электромагнитной совместимости, отвечающие сущности воздействия импульсного типа;

- исследовать методы анализа и синтеза сверхширокополосных антенн для повышения эффективности излучения сверхкоротких импульсных сигналов;

- предложить методы компенсации искажений излученного СКИ и синтеза импульсных сигналов произвольной формы на заданном расстоянии от излучателя.

Методы исследования

Для решения задач диссертационной работы использовались экспериментальные и теоретические методы исследований. Разработка экспериментальных методов,. макетов и испытательных стендов на их основе является важной частью диссертационной работы. В качестве теоретических методов были использованы методы теории электрических цепей и радиотехнических сигналов, методы оптимизации, методы математического и компьютерного моделирования, физическое моделирование, численные методы расчета и анализа, математический аппарат дифференциальных уравнений.

Научная новизна диссертационной работы определяется развитием методов генерации и излучения сверхширокополосных импульсных сигналов нано и субнаносекундной длительности, а также улучшением характеристик стойкости полупроводниковой элементной базы радиоэлектронных систем при воздействии сверхширокополосных импульсных помех. Научная новизна, в частности, заключается в следующем:

- в работе впервые экспериментально исследованы эффекты обратимой деградации характеристик полевых транзисторов с затвором Шоттки, полевых транзисторов с высокой подвижностью и элементов цифровой КМОП-логики при воздействии импульсных помех нано и субнаносекундной длительности;

- на основе экспериментальных зависимостей выявлены основные физические механизмы, влияющие на степень воздействия сверхширокополосных импульсных сигналов на элементную базу радиоэлектронных систем;

- предложены математические модели, учитывающие эффекты обратимой деградации характеристик полевых транзисторов с затвором Шоттки при воздействии импульсных помех нано и субнаносекундной длительности;

- разработаны методы и критерии отбора элементной базы радиоэлектронных систем устойчивой к воздействию сверхширокополосных импульсных помех нано и субнаносекундной длительности;

- выявлены процессы, влияющие на работу диода при генерации импульсных сигналов, предложены методы формирования СКИ с улучшенными параметрами;

- на основе разработанных моделей диода с накоплением заряда, генератора и антенной системы предложены и исследованы методы компенсации искажений излученных сверхширокополосных импульсных сигналов.

Достоверность научных результатов, сформулированных в диссертации, подтверждается корректным применением математических методов, соответствием известным фундаментальным теоретическим представлениям и экспериментальным данным, совпадением новых результатов с известными в частных случаях, соответствием результатов моделирования экспериментальным данным.

Основные положения, выносимые на защиту:

- результаты теоретических и экспериментальных исследований эффектов обратимой деградации при воздействии сверхширокополосных импульсов нано и субнаносекундной длительности на полевые транзисторы и элементы цифровой КМОП-логики;

- физические механизмы обратимой деградации при воздействии сверхширокополосных импульсов нано и субнаносекундной длительности на полевые транзисторы и элементы цифровой КМОП-логики;

- методы и критерии отбора элементной базы радиоэлектронных систем устойчивой к воздействию сверхширокополосных импульсных помех нано и субнаносекундной длительности;

- математические модели, учитывающие эффекты обратимой деградации характеристик полевых транзисторов с затвором Шоттки при воздействии импульсных помех нано и субнаносекундной длительности;

- модель диода с накоплением заряда, результаты теоретического и экспериментального исследования процессов генерации импульсных сигналов нано и субнаносекундной длительности, методы и схемотехнические решения для улучшения параметров генерируемых импульсных сигналов;

- метод компенсации искажений излученного СКИ и синтеза импульсных сигналов произвольной формы в дальней зоне.

Практическая значимость диссертационной работы - заключается в том, что полученные результаты могут быть использованы в различных областях радиофизики и полупроводниковой техники, при синтезе генераторов импульсов сверхкороткой длительности, разработке систем связи, в сверхширокополосной радиолокации, при тестировании стойкости полупроводниковых элементов к импульсным перегрузкам, в медицинских системах диагностики и системах радиоэлектронной борьбы. В частности:

- разработанные методика и измерительная установка для исследования воздействия импульсных перегрузок нано и субнаносекундной длительности на элементную базу радиоэлектронных систем могут быть использованы для отбора устойчивых к СКИ типов или экземпляров полевых транзисторов и элементов цифровой логики;

- предложенные модели обратимой деградации и методики определе-

ния их параметров позволяют учесть данные эффекты на этапе проектирования радиоаппаратуры;

- результаты исследования процессов, протекающих в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда, и методы минимизации утечек заряда могут быть использованы для улучшения характеристик формирователей сверхширокополосных импульсных сигналов в приемопередающих трактах систем радиолокации и связи;

- результаты исследования процессов излучения сверхширокополосных импульсов и предложенные методы компенсации их искажений могут быть использованы при проектировании активных сканирующих антенных решеток для систем радиолокации и навигации.

Теоретическая значимость работы заключается в развитии методов радиофизики применительно к задачам излучения и формирования сверхкоротких импульсных сигналов нано и субнаносекундной длительностей, а также в развитии методов повышения устойчивости работы радиоприемных и цифровых устройств при воздействии СКИ. Новые фундаментальные научные результаты, полученные в диссертации, по мнению автора, в совокупности представляют собой научное достижение, важное для создания новых электродинамических систем и устройств, работающих на основе сверхкоротких импульсных сигналов.

Состояние исследуемой проблемы.

Нано- и субнаносекундные электрические импульсы высокой пиковой мощностью используются в целом ряде областей самой современной техники, таких как релятивистская СВЧ электроника, сверхширокополосная радиолокация, электромагнитное противодействие, исследование электромагнитной совместимости сложных систем, подземная радиолокация, системы питания лазеров и ускорителей и т.п. Для генерирования мощных наносе-кундных импульсов имеются два подхода, различающихся по способу накопления энергии. Это накопление в емкостных накопителях (малоиндуктивные конденсаторы и формирующие линии) с последующей передачей энергии в нагрузку через замыкающий ключ и накопление в магнитном поле индуктивного контура с током. В последнем случае для передачи энергии в нагрузку необходимо осуществить наносекундное размыкание большого тока.

Второй метод представляет большой интерес для мощной импульсной техники, поскольку плотность запасаемой энергии в индуктивных накопителях на полтора-два порядка больше, чем в ёмкостных, существенно меньше стоимость накопителей. Кроме того импульсное напряжение на нагрузке при обрыве тока может значительно превышать напряжение на предварительных ступенях формирования импульса. Однако быстрый обрыв больших токов является более сложным, чем быстрое замыкание [54]. Для генерации СКИ желательно использовать полупроводниковые приборы с их практически неограниченным сроком службы и высокой стабильностью. Однако сочетание субнаносекундного времени размыкания и высокой импульсной мощности для полупроводниковых устройств является весьма нетривиальной задачей [55].

В середине XX века проводились интенсивные исследования путей повышения быстродействия полупроводниковых диодов. Возникло направление, связанное со специфическими особенностями работы полупроводникового диода в переключающем режиме. Так, например, использование диффузионной емкости диода позволило создать ряд оригинальных схем [145]. Еще в середине 50-х годов были предложены схемы диодного усилителя, линии задержки и ряд схем импульсных модуляторов, основанные на использовании переходной характеристики диода. Теоретическое рассмотрение показало, что при протекании прямого тока вследствие инжекции в базе диода происходит накопление неосновных носителей заряда [143]. Поскольку подавляющее большинство типов диодов изготавливается из полупроводников с электронным типом проводимости, для которых неосновными носителями заряда являются дырки, — обычно говорят о накоплении дырок в базе диода [155,250].

Исследованию ДНЗ в режимах генерации СКИ посвящены работы [143-148, 154-157, 161]. В работах момент переключения диода с накоплением заряда описывают двумя емкостями [143, 144. 148, 156]: диффузионной емкостью диода и барьерной емкость р-п. Такой подход усложняет процесс моделирования генераторов СКИ во временной области, поскольку процесс мгновенного переключения вносит ограничение в сходимость методов анализа. Кроме того такой подход не описывает рост времени переключения и амплитуды выходных импульсов с ростом прямого тока, наблюдаемые при генерации СКИ в экспериментах [56, 111].

Для создания антенн, излучающих СШП сигналы, необходимы некоторые основы теории, позволяющие рассчитывать их характеристики [243]. В литературе практически отсутствует аналитическое решение внутренней задачи электродинамики для антенн при возбуждении их СШП сигналом (нестационарное возбуждение). Более часто рассматривается внешняя задача при излучении СШП сигнала для двух типов антенн: с параллельным возбуждением всей апертуры (апертурные антенны) [254-256] и с ее последовательным возбуждением (антенны с бегущей волной) [257-263]. Форма тока в антенне обычно задается исходя из удобства проведения расчетов или путем аппроксимации реальной формы тока. В большинстве этих работ рассмотрено формирование поля в дальней зоне. Материалы, позволяющие получить диаграмму направленности антенны, встречаются значительно реже.

В [262] впервые в явном виде введено важное для теории СШП антенн понятие мгновенной (динамической) диаграммы направленности (ДН) по полю. Нестационарный, характер ДН по полю затрудняет их использование в практических целях для расчета параметров систем. В связи с этим ряд авторов [262, 264] переходит к ДН по энергии, которая получается усреднением мгновенной мощности, излучаемой в каждом угловом направлении, за время существования сигнала. Такая энергетическая диаграмма направленности (ЭДН) является статической. Этот тип ДН наиболее приемлем для практического расчета характеристик антенн, излучающих СШП сигналы.

Геометрия современных антенн, как правило, такова, что не позволяет получить общие аналитические соотношения. В настоящей работе были использованы временные методы численного моделирования электромагнитных процессов, в частности, метод конечных разностей во временной области (FDTD - finite-difference time-domain method) [183-195]. Для излучения СКИ можно предложить различные виды направленных антенн, однако наиболее простой в изготовлении и пригодной для излучения сигналов достаточно больших пиковых мощностей выглядит ТЕМ-рупор [202-206, 208]. В работах [204, 205, 208] проведено моделирование и оптимизация геометрии ТЕМ-рупора, приводятся конфигурации антенны, при которых уменьшается нижняя граничная частота излучения в сравнении с пирамидальным ТЕМ-рупором.

При использовании СКИ в некоторых приложениях СШП радиолокации искажение формы сигнала в заданном направлении может ухудшить про-

странственно-временные характеристики системы. Существуют работы, в которых предлагаются способы генерации с использованием суммирования на входе антенны взвешенных взаимно ортогональных базисных функций [215, 232]. Возможно применение фильтров, характеристики и структуры которых описаны в [229, 230]. Также формирование сигнала заданной формы может быть осуществлено с использованием оптических технологий [231]. Однако представляется более удобным построение системы компенсации с использованием в качестве базисных функций сигнал непосредственно с выхода генератора [266, 267].

Любое устройство нельзя считать качественным, если в отсутствии помех оно выполняет свое назначение и не выполняет при наличии помех. Если изделие не удовлетворяет требованиям помехозащищенности, то остальные показатели качества могут потерять значение, поскольку оно не сможет обеспечить прием полезного сигнала. Заметим, что наиболее уязвимой частью РЭС являются входные цепи [1,2]. В литературе значительная часть публикаций по теме посвящена моделированию входных МШУ и их оптимизации с целью повышения их помехозащищенности [5, 33, 35, 48, 59, 79, 268]. В основном проводится анализ воздействия непрерывных помех, рассматриваемых в рамках задач ЭМС, следствием которых является ухудшение функциональных характеристик прибора во время их действия. В случае воздействия импульсных помех возможно проявление эффектов обратимой деградации, когда после прекращения воздействия происходит сравнительно медленное восстановление характеристик прибора.

В работах [1,2] рассматривались электроперегрузки, действующие на различные элементы РЭА в виде радиоимпульсов с СВЧ заполнением, и деградация параметров устройств при этом. Отмечается, что при воздействии электроперегрузок на ваАз ПТШ происходит перераспределение и накопление избыточного объемного заряда на глубоких уровнях, образованных примесями и дефектами кристаллической решетки и локализованных в различных областях транзистора [1, 2, 272, 273].

Отмечается [1,2, 269-271], что мощные импульсные помехи, действуя на ПТШ, как и на иные полупроводниковые элементы, могут привести как к обратимым, так и к катастрофическим отказам. Обратимые отказы на практике более вероятны, поскольку они возникают при меньших энергиях помех и приводят к временной неработоспособности (ослеплению) радиоэлектрон-

ного устройства, когда из-за возникающих перегрузок оно на какой-то отрезок времени теряет чувствительность. Существует также промежуточный вид отказов - отказы деградационного типа [274], при которых после импульсного воздействия в структуре прибора остаются изменения, необратимо ухудшающие характеристики прибора, оставляя его в целом работоспособным. Как показывают эксперименты, аналогичные деградационные процессы проявляются и в других полупроводниковых элементах таких, как транзисторы с высокой подвижностью, МОП-транзисторах, элементах цифровой логики и Др.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Усков, Григорий Константинович, 2013 год

Библиографический список использованной литературы

1. Антипин В.В., Годовицын В.А., Громов Д.В. [и др.] Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы // Зарубежная радиоэлектроника, 1995. - №1. - С. 37-53.

2. Баранов И.А., Обрезан О.И., Ропий А.И. Стойкость твердотельных модулей СВЧ к кратковременным электроперегрузкам // Обзоры по электронной технике. Сер.1, СВЧ-техника. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1997. -111с.

3. James D.S., Dormer L. A study of high power pulsed characteristics of lower-noise GaAs MESFET's // IEEE Trans., 1981, - v. MTT-29. - N 12. - pp. 1298-1310.

4. Whalen J.J., Kemerley R.T., Rastefano E. X-band burnout characteristics of GaAs MESFET's // IEEE Trans., 1982, - v. MTT-32. - N 12. - pp. 22062211.

5. Sze S. M. Physics of semiconductor devices. Second Edition. / S. Sze. -A Wiley-Interscience Publication, 1981. - 442 p.

6. Wunch D., Bell R. Determination of threshold failure levels semiconductor diods and transistors due to pulse voltage. - IEEE Trans., 1968, v. NS-15, N 6, p. 244-259.

7. Taska D.M. Pulse power failure modes in semiconductors. - IEEE Trans., 1970,v. NS-17, p. 364-372.

8. Yee J.H., Orvis W.J. Failure and switching mechanisms in semiconductor

9. Archipov V.I., Astvatsaturyen E.R. et al. Stationary and nonstationary spatial temperature distributions in semiconductors caused by pulse voltages. - Int. J. Electronics, 1983, v. 55, N 3, p. 395-403.

10. Эрвин Дж. К. Надежность GaAs ПТШ // В кн.: Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. - М.: Радио и связь, 1988. -С. 181-214.

11. Kocot С., Stolte С.A. Backgating in GaAs MESFET's // IEEE Trans., 1982. - v. ED-29. - N 7. - pp. 1059-1064.

12. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с

)

англ. - M.: Мир, 1991. - 632с.

13. Линдквист П.Ф., Форд У.М. Полуизолирующие подложки из арсе-нида галлия // В кн.: Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. - М.: Радио и связь, 1988. - С. 7- 36.

14. Бобрешов А.М., Малыщик В.М., Обрезан О.И., Дыбой А.В., Кита-ев Ю.И., Лисицын А.А., Нестеренко Ю.Н. Управление по подложке как механизм обратимых отказов GaAs ПТШ вследствие электроперегрузок // 11-я Международная научно-техническая конференция «Радиолокация, навигация, связь». - Воронеж, 2005. - т.1- с. 548-555.

15. Бобрешов А.М. Метод и устройство испытаний стойкости полевых транзисторов к импульсным перегрузкам / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XII Международ, науч.-техн. конф. -Воронеж, 2006,- Т. 2. - С. 1237-1243.

16. Бобрешов А.М. Исследование обратимых отказов GaAs ПТШ при импульсных перегрузках / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Изв. вузов. Электроника,- 2006,- № 5. - С. 69-77.

17. Бобрешов А.М., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Нестеренко Ю.Н. Экспериментальное исследование обратимых отказов полевых транзисторов под воздействием импульсных электроперегрузок // 6-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии. -С.-Петербург, 2005. - с. 206-210.

18. Бобрешов А.М., Малыщик В.М., Обрезан О.И., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Лисицын А.А., Нестеренко Ю.Н. Диагностика глубоких уровней в GaAs ПТШ с применением видеоимпульсов // Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи им. А.С. Попова. - Сер.:Научная сессия, посвященная дню радио. - вып. LX-2. - Москва, 2005. -с. 124-128.

19. Бобрешов А.М. Экспериментальное исследование обратимой деградации GAAS ПТШ под воздействием импульсных перегрузок / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XII Международ. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2006.- Т. 2. - С. 1229-1236.

20. Anderson W.T., Simons M., King E.E., Deitrich H.B., Lombert R.J. Réduction of long-term transient radiation response in ion implanted GaAs FETs. -

IEEE Trans., 1982, v. NS-29, N 6, p. 1533-1538.

21. Whalen J.J., Calacatera M.C., Thorn M.L. Microwave nanosecond pulse burn-out properties of GaAs MESFET's. - IEEE Trans., 1979, v. MTT-27,N 12, p. 1026-1031.

22. Anderson W.T., Cristou Jr. A., Wilkins B.R. GaAs FET high power pulse reliability. - 21 th Annual Proc. Reliability Physics, 1983, p. 218-225.

23. Anderson W.T., Buot F.A., Cristou Jr. A. High power pulse reliability of GaAs power FETs. - 24 th Annual Proc. Reliability Physics, 1986, p. 144-149.

24. Garver R.V. Single-pulse RF damage of GaAs FET amplifiers. - 1988 MTT Symp. Digest, p. 289-294.

25. Titinet G.C., Pollino E., Riva D.E. Reliability of compound semiconductor microwave field-effect devices: failure mechanisms and test methods. -CSELT Technical reports. V. 17. N 6. December 1989, p. 427-431.

26. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. / Пер. с англ. -М.: Мир, 1984. - т. 1. - 456с.

27. Берман J1.C., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких уровней.-Л.: Наука, 1981. - 176с.

28. Cheng Y., Ни С. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. - Kluwer Academic Publishers, 1999.

29. Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ,- М.: Сов.радио, 1980.-368с.

30. Бобрешов A.M. Согласование усилителей средней мощности в нелинейном режиме на полевых транзисторах в СВЧ диапазоне / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XI Международ, науч.-техн. конф. - Воронеж, 2005.- Т. 1. - С. 371-377.

31. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на n-канальные МОП транзисторы / A.M. Бобрешов, Ю.Ю. Разуваев, Г.К. Усков // Радиолокация, навигация, связь: XVI Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2010.- Т. 1. - С. 504-511.

32. В.Д. Разевиг, Ю.В. Потапов, А.А. Кукушкин Проектирование СВЧ-устройств с помощью Microwave Office. Под ред. В.Д. Разевига. - М.: СОЛОН-Пресс, 2003. - 496с.

33. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Иркутский О.А. Определение параметров моделей на примере полевого транзистора // Изв. Вузов. Электро-

ника. - 1999. - №6. - С. 35-40.

34. Кищинский А.А., Надеждин Б.Б. Свистов Е.А. Комплекс программных средств для быстрого получения нелинейных моделей ПТШ на основе результатов измерений S-параметров и импульсных вольтамперных характеристик // Материалы 8-й Международной Крымской конференции "С ВЧ техника и телекоммуникационные технологии ", 1998 г , стр .362-365.

35. А.А. Кищинский, Б.Б. Надеждин, Е.А. Свистов, Н.В. Шульга Метод автоматизированного определения параметров линейной модели СВЧ полевого транзистора // Материалы 10 Международной Крымской конференции "С ВЧ техника и телекоммуникационные технологии " 2000 г ., стр .5658.

36. Хребтов И.В. Моделирование характеристик ЭМС МШУ на субмикронных НЕМТ транзисторах/ И.В. Хребтов, A.M. Бобрешов// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2004. - Т.7. -№4. - с. 103109.

37. Алгазинов Э.К., Аверина Л.И., Бобрешов A.M., Дыбой А.В. Автоматизированная система определения параметров нелинейной модели полевого СВЧ транзистора для анализа и синтеза усилителей на его основе// Сб.трудов симпозиума по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии- Санкт-Петербург- 1997.- 4.2.- С. 194-197.

38. Аверина Л.И. Нелинейное моделирование полевого транзистора в системе схемотехнического СВЧ проектирования Ansoft Serenade 8.0 / Л.И. Аверина, Г.К. Усков // Радиолокация, навигация, связь: VIII междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2002.- Т. 3.- С.2162-2167.

39. Аверина Л.И. Определение параметров нелинейных моделей полевого транзистора в системе схемотехнического СВЧ проектирования Microwave Office / Л.И. Аверина, Г.К. Усков // Радиолокация, навигация и связь: IX междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2003.- Т. 1.- С. 457-465.

40. Бобрешов A.M. Нелинейное моделирование усилителей на полевых транзисторах в СВЧ диапазоне / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: X междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2004,- Т. 1.-С. 449-455.

41. Реклейтис Р., Рейвиндран А., Рэгсдел К. Оптимизация в технике. -М.: Мир, 1986,-280с.

42. К. Групта, Р. Гардж, Р. Чадха Машинное проектирование СВЧ устройств: Пер. с англ. -М.:Радио и связь, 1987.-532с.

43. Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах;- М.: Радио и связь, 1987.- 200с

44. S. Maas, Nonlinear Microwave Circuits, IEEE Press, New York, 1996.

45. J.J. Busgang, L. Ehrman, and J.W. Graham, Analysis of Nonlinear Systems with Multiple Inputs, Proc. IEEE, vol. 62, p. 1088, 1974.

46. D.D. Weiner and J.F. Spina, Sinusoidal Analysis and Modeling of Weakly Nonlinear Circuits, Van Nostrand, New York, 1980.

47. M. Schetzen, The Volterra & Wiener Theories of Nonlinear Systems, John Wiley & Sons, New York, 1980.

48. S. Maas and D. Neilson, "Modeling MESFETs for Intermodulation Analysis of Mixers and Amplifiers," IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, p. 1291-4, 1990.

49. Rizzoli V. State-of-the-Art Harmonic-Balance Simulation of Forced Nonlinear Microwave Circuits by the Piecewise Technique/ V. Rizzoli [e.a.] // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. January 1992. -1992. -vol. 40, no. 1. - pp. 12-28

50. V. Rizzoli, F. Mastri, F. Sgallari, G. Spaletta, "Harmonic-Balance Simulation of Strongly Nonlinear Very Large-Size Microwave Circuits by Inexact Newton Methods," IEEE MTT-S, pp. 1357-1360, 1996.

51. Materka A., Kacprzak T. Computer calculation of large-signal GaAs FET amplifier characteristics// IEEE Trans. Microwave Theory and Techn.-1985.-N2.- P.129-135.

52. Бобрешов A.M. Моделирование выходных усилительных каскадов на полевых транзисторах средней мощности в СВЧ диапазоне с учетом ЭМС / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 6-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: материалы симп. - СПб., 2005.- С. 200-203.

53. Малевич И.Ю. Оценка интермодуляционных параметров высоколинейных приемно-усилительных трактов// Радиотехника. - 1995. - №6. -

19-21

. 1 у ^ 1 •

54. Шарапов Ю.И. Преобразование частоты Fn4~ Fr- Fc при F,> Fc и постоянной частоте гетеродина без заданных комбинационных составляющих//

Радиотехника. - 1997. - №12. - С.79-83.

55. Князев А.Д. Элементы теории и практики обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств / Князев А.Д.. - М.: Радио и связь, 1984. - 336с.

56. Усков Г.К. Физика диодов с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсных сигналов / Г.К. Усков // Теория и техника радиосвязи. 2012. №4. С. 100-105.

57. Бобрешов A.M. Моделирование деградационных процессов в полевом транзисторе под воздействием импульсных помех большой амплитуды / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика. Математика. - Воронеж, 2006.- № 1. - С. 10-16.

58. М. Abramowitz and I. A. Stegun (Editors), Handbook of Mathematical Functions, Ninth printing, Dover Publications, pp. 773-792, 1972.

59. Бобрешов A.M. Моделирование обратимой деградации тока стока полевых транзисторов с затвором Шотки под действием серии видеоимпульсов отрицательной полярности / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XII Международ, науч.-техн. конф. - Воронеж, 2006,-Т. 2. - С. 1214-1222.

60. Бобрешов A.M. Сверхширокополосные системы связи / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков // Связь и телекоммуникации - инновационное развитие регионов: тез. науч.-практ. конф.- Воронеж, 2011.- С. 50.

61. Бобрешов A.M. Уменьшение интермодуляционных искажений во входном радиоприемном тракте / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. - 2010. - Т. 53, № 12. -С. 40-45.

62. Бобрешов A.M. Детекторный эффект в моделях СВЧ усилителей на основе полевых GaAs транзисторов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XI Международ, науч.-техн. конф. - Воронеж, 2005.-Т. 1,-С. 364-370.

63. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование стойкости интегральных триггеров Шмитта КМОП-логики к сверхкоротким импульсным перегрузкам / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Измерительная техника, -№12,-2009 г. -С.46-50.

64. Бобрешов A.M. Обратимые отказы НЕМТ-транзисторов под дей-

ствием сверхкоротких видеоимпульсов / A.M. Бобрешов, М.П. Ряполов, Г.К. Усков // Физика волновых процессов и радиотехнические системы.- 2009.- Т. 12, № 1.-С. 62-67.

65. Бобрешов A.M. Моделирование влияния эффекта детектирования на работу СВЧ усилительных каскадов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 6-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: материалы симп. - СПб., 2005.- С. 203-205.

66. Ди Лоренцо Д. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия [Текст] / Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. - М. : Радио и связь, 1988. -496 с.

67. Бобрешов A.M. Программа электродинамического моделирования RFDTD3D: свидетельство. 2012660468 / Воронеж, гос. ун-т; A.M. Бобрешов, П.А. Кретов, И.И. Мещеряков, Г.К. Усков. - 2013. (№ 2012618063; заявл. 26.09.2012 ; опубл. 21.11.2012).

68. Бобрешов A.M. Влияние эффекта детектирования на работу PSpice модели СВЧ усилителя / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XII Международ, науч.-техн. конф. - Воронеж, 2006.- Т. 2. -С. 1223-1228

69. Бобрешов A.M. Характеристики электромагнитной совместимости ПТШ под воздействием импульсных помех / A.M. Бобрешов, И.И. Мещеряков, Г.К. Усков // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: тр. 10-й Международ, науч. конф. и шк.-семинара - Таганрог, 2006,- Ч. 2.-С. 188-191.

70. Бобрешов A.M. Характеристики помехозащищенности полевого транзистора в условиях действия импульсных помех большой амплитуды / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техика.- М., 2007.- Вып. 1. - С. 31-45.

71. Бобрешов A.M. Исследование последействия СВЧ импульсов в усилительных каскадах на базе PSPISE моделей GaAs полевых транзисторов с затвором Шотки / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков, C.B. Харин// Радиолокация, навигация, связь: XIII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж. 2007 - Т. 2. -С. 1495-1499.

72. Бобрешов A.M. Сложение электромагнитных полей сверхкоротких импульсных сигналов, излученных несколькими источниками / A.M. Бобре-

шов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIV Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2008.- Т. 1. - С. 729-735.

73. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование логических сбоев в синхронных триггерах под воздействием сверхкоротких импульсных перегрузок / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIV Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2008.- Т. 2. - С. 14831488.

74. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование влияния токов утечки в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда на режимы его работы / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XV Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2009.- Т. 2. - С. 928-935.

75. Бобрешов A.M. Исследование обратимых отказов GaAs ПТШ под действием субнаносекундных импульсов большой амплитуды / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 7-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: тр. симп. - СПб, 2007.- С. 264-265.

76. Бобрешов A.M. Электромагнитная совместимость малошумящих усилителей на ПТШ в присутствии сверхкоротких импульсных помех / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Проблемы техники и технологий телекоммуникаций: 9 Междунар. науч.-техн. конф.: тез. докл. - Казань, 2008.- С. 363365.

77. Бобрешов A.M. Динамический диапазон по блокированию усилителя на GaAs ПТШ при гармонических и импульсных помехах / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 63 Научная сессия, посвященная Дню радио: труды.- М., 2008.- С. 272-274.

78. Уайт Д. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи: Пер. с англ. / Д. Уайт; Под ред. А.И.Сапгира. Комментарии А.Д.Князева.- М.: Сов. радио, 1977.- 348с.

79. Бобрешов A.M. Измерительный комплекс для исследования дегра-дационных процессов под воздействием сверхкоротких видеоимпульсов / A.M. Бобрешов, И.С. Коровченко, Г.К. Усков // Энергия - XXI век: науч.-практ. вестн. - М., 2006.- № 3 (61). - С. 76-83.

80. Бобрешов A.M. Определение параметров структурных моделей

транзистора по экспериментальным данным / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика. Математика.- Воронеж, 2006.-№2,-С. 19-23.

81. Бобрешов A.M. Деградация GaAs НЕМТ-транзисторов под воздействием видеимпульсов сверхкороткой длительности / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2007.- Т. 2. - С. 1506-1510.

82. Бобрешов A.M. Обратимые отказы GaAs ПТШ при воздействии сверхкоротких импульсов по выходной цепи / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIII Междунар. науч.-техн. конф. -Воронеж, 2007.- Т. 2. - С. 1535-1540.

83. Бобрешов A.M. Реализация математической модели, позволяющей учесть эффект обратимой деградации GaAs ПТШ в системах схемотехнического проектирования / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2007.- Т. 2. -С. 1500-1505.

84. Бобрешов A.M. Воздействие субнаносекундных импульсов на аналоговые и цифровые устройства / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика и технические приложения волновых процессов: VI Междунар. науч.-техн. конф. - Казань, 2007.- С. 223-224.

85. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование обратимой деградации GaAs ПТШ под действием сверхкоротких видеоимпульсов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы.- 2007.- Т. 10, № 1. - С. 104-111.

86. Бобрешов A.M. Исследование помехозащищенности малошумя-щих усилителей на основе ПТШ к воздействию сверхкоротких видеоимпульсов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Сборник докладов 10-й Российской научно-технической конференции по электромагнитной совместимости технических средств и электромагнитной безопасности: ЭМС-2008.- СПб., 2008.-С. 307-311.

87. Бобрешов A.M. Исследование воздействия электромагнитных импульсов сверхмалой длительности на GaAs НЕМТ транзисторы в широкополосной коаксиальной нагрузке / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIV Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж,

2008.-Т. 2.-С. 1502-1506.

88. Бобрешов A.M. Исследование влияния партии подложки на параметры GaAs ПТШ при воздействии сверхкоротких видеоимпульсов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: 18-я Междунар. Крымская конф.: материалы конф. - М.; Киев; Минск; Севастополь, 2008,- Т. 2. - С. 672-673.

89. Бобрешов A.M. Деградация НЕМТ-транзисторов на GaAs под действием сверхкороткой длительности / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 62 Научная сессия, посвященная Дню радио: труды.- М., 2007.- С. 225-227.

90. Бобрешов A.M. Влияние концентрации хрома в полуизолирующей подложке ПТШ на время восстановления при воздействии импульсной помехи / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика и технические приложения волновых процессов: VII Междунар. науч.-техн. конф., посвящ. 150-летию со дня рождения A.C. Попова: тез. конф. - Самара, 2008.- С. 234-236.

91. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на ПТШ, изготовленных на подложках из разных партий / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIV Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2008.- Т. 2. - С. 1495-1501.

92. Бобрешов A.M. Механизмы обратимых отказов GaAs ПТШ при мощных импульсных воздействиях / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2008.- Т. 11, № 3. - С. 60-68

93. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование воздействия гармонической помехи и субнаносекундных видеоимпульсов на МШУ / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XV Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2009.- Т. 2. - С. 993-1001.

94. Бобрешов А. М. Зависимость переходных процессов в GaAs ПТШ , связанных с перегрузками, от уровня легирования подложки хромом [Текст] / А. М. Бобрешов, И. С. Коровченко [и др.] // Радиолокация, навигация, связь : XV Междунар. науч.-техн. конф. - 2009. - т.2. - С. 920-927.

95. Бобрешов A.M. Характеристики ЭМС МШУ при воздействии сверхкоротких видеоимпульсов / A.M. Бобрешов, И.С. Коровченко, Г.К. Усков // 8-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и

электромагнитной экологии: тр. симп. - СПб., 2009.- С. 320-323.

96. Bobreshov A.M. Substrate batch effect in GaAs MESFET under ultrashort pulses / A.M. Bobreshov, G.K. Uskov [et al] // IEEE, Electromagnetic Compatibility, 2009 20th International Zurich Symposium on Volume , Issue , 12-16 Jan. 2009 Page(s):389 - 392.

97. Бобрешов A.M. Влияние последовательности сверхкоротких видеоимпульсов на процессы накопления заряда в подложке НЕМТ транзисторов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Сборник докладов 10-й Российской научно-технической конференции по электромагнитной совместимости технических средств и электромагнитной безопасности: ЭМС-2008.- СПб., 2008,- С. 302-307.

98. Совместимость технических средств электромагнитная. Генераторные приборы и модули СВЧ полупроводниковые. Перечень параметров ЭМС и требования к ним. Методы измерения. [Текст] : ГОСТ Р 50638-94 -введ. 08.02.94.

99. Совместимость технических средств электромагнитная. Приборы СВЧ. Методы измерения побочных колебаний. [Текст] : ГОСТ 29179-91 -введ. 01.07.92.

100. Совместимость технических средств электромагнитная. Приборы СВЧ. Усилители малошумящие. Параметры и характеристики. Методы измерения. [Текст] : ГОСТ 29180-91 - введ. 01.07.92.

101. Совместимость технических средств электромагнитная. Классификация технических средств. [Текст] : ГОСТ 29192-91 - введ. 01.07.92

102. Simons М. Transient radiation study of GaAs metal semiconductor field effect transistors implanted in Cr-doped and undoped substrates / M. Simons, E.E. King , W.T. Anderson, H.M. Day // J. Appl. Phys. - Nov 1981. -P. 6630-6636.

103. Stocker H. J. A study of deep impurity levels in GaAs due to Cr and О by AC photoconductivity / H. J. Stocker // J. Appl. Phys, -1977. -v.48, -P. 45834588.

104. R. Zucca Electrical compensation in semi-insulating GaAs / R. Zucca [et al.] // J. Appl. Phys, -1977, -v. 48, -P. 1987-1990.

105.Первова Л.Я. Биполярная проводимость в полуизолирующем арсе-ниде галлия с примесью хрома / Первова Л.Я. Балагуров Л.А., Омельяновская Э.М. // Физика и техника полупроводников. -1974, -Т.8, -N. 8, -С. 1616-1619

106. Martin G. Electrical characterization of the deep Cr level in GaAs / Martin G., Mitonneau A., Pons D., Mircea D. and Woodward W.D. // Solid St. Phys. -1980, -v.12, -N.20, -P. 3855-3882.

107. Бобрешов A.M. Деградация GaAs полевых транзисторов под действием видеоимпульсов сверхкороткой длительности. / A.M. Бобрешов, И.В. Коровченко, Г.К. Усков, М.П. Ряполов // Радиолокация Навигация Связь: XIII Международная научно-техническая конференция, 17-19 апреля 2007г., Воронеж.- Воронеж, 2007. -Т.З. -с.1506-1510.

108. Бобрешов A.M. Генератор сверхширокополосных импульсных сигналов субнаносекундной длительности с высокой частотой повторения / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 66-я Всероссийская конференция, посвященная Дню радио: труды.- М., 2011.- С. 340-342

109. Макаров Е.С. Компактный крестообразный сверхширокополосный монополь с копланарной запиткой и улучшенными характеристиками диаграммы направленности / Е.С. Макаров, Г.К. Усков [и др.] // Вестник воронежского государственного технического университета, - 2011. - №7. - С. 9194.

110. Бобрешов A.M. Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на полевом транзисторе с затвором Шоттки при воздействии сверхкоротких импульсных помех / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» - Киев, 2011 -С.41-46.

111. Бобрешов A.M. Генерация сверхкоротких импульсных сигналов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы.- 2011.- Т. 14, № 3. - С. 103-108.

112. Бобрешов A.M. Выбор размеров антенны Вивальди для излучения сверхкороткого импульса заданной формы / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVIII Междунар. науч.-техн. конф. -Воронеж, 2012.- Т. 2. - С. 1119-1126.

113. Бобрешов A.M. Влияние величины волнового сопротивления у раскрыва ТЕМ-рупора на характеристики излучения сверхкороткого импульса заданной формы / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А. С. Попова. Серия: Научная сессия, посвященная Дню радио (выпуск

LXVII). -M.,2012. -С. 22-25.

114. Бобрешов A.M. Высокочастотный генератор сверхкоротких импульсов на основе диодов с накоплением заряда / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVIII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2012.- Т. 2. - С. 1393-1397.

115. Бобрешов A.M. Трехточечный генератор динамического хаоса минимальной размерности / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVIII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2012.Т. 2.-С. 1347-1357.

116. Бобрешов A.M. Сверхширокополосные импульсные сигналы в системах радиолокации и связи / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков // Перспективные исследования и разработки в области информационных технологий и связи: тез. докл. всерос. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2012.- С. 11.

117. Бобрешов A.M. Модель диода с накоплением заряда для анализа схем генерации сверхкоротких импульсов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. Физика. Математика.- Воронеж, 2012.- № 2. - С. 12-17.

118. Бобрешов A.M. Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиотехника, №4, 2013 - с. 54-57.

119. Бобрешов A.M. Совместное моделирование генератора сверхкоротких импульсов и планарного дипольного излучателя / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIX Международная научно-техническая конференция, г. Воронеж, 16-18 апр. 2013 г. - Воронеж, 2013,- Т. 2. - С. 967-970.

120. Бобрешов A.M. Компенсация искажений формы сверхкоротких импульсов электромагнитного поля в дальней зоне с помощью антенной решетки / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIX Международная научно-техническая конференция, г. Воронеж, 16-18 апр. 2013 г. - Воронеж, 2013,- Т. 2. - С. 971-977.

121. Питер Ю. Основы физики полупроводников / Пер. с англ. И.И. Решеииной. Под ред. Б.П. Захарченко. -М.: Физматлит, 2002. -560с.

122. Fairchild Semiconductor. CMOS Schmitt Trigger - A Uniquely Versatile Design Component // fairchildsemi.com: Application Note 140, June 1975.

URL: http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-140.pdf (дата обращения 26.02.2011).

123. Бобрешов A.M. Генератор опорных импульсов для корреляционного приемника / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIX Международная научно-техническая конференция. - Воронеж, 2013,-Т. 1. - С. 684-688.

124. Бобрешов A.M. СШП преобразователь радиосигнала в дифференциальный на ячейке Гилберта / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIX Международная научно-техническая конференция. - Воронеж, 2013.- Т. 1. - С. 309-314.

125. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование влияния токов утечки в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда на режимы его работы / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XV Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2009.- Т. 2. - С. 928-935.

126. Бобрешов A.M. Влияние концентраций глубоких уровней в полуизолирующих подложках на электроперегрузки GaAs ПТШ / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиотехника, №5, 2012 г., с. 99-102.

127. Бобрешов A.M. Деградация интегральных триггеров Шмитта КМОП-логики под воздействием сверхкоротких импульсных перегрузок / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника, -№6, -2009 г., -С.28-36.

128. Бобрешов A.M. Хаотические системы связи с нелинейным подмешиванием в присутствии помех / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы, -2009.Т.12. -№3, -С.63-68.

129. Радзиевский В. Г. Обработка сверхширокополосных сигналов и помех / В. Г. Радзиевский, П. А. Трифонов. - М.: Радиотехника, 2009. - 288 с.

130. Бобрешов А. М. Оценка геометрических размеров и формы тел по отраженному сверхширокополосному сигналу [Текст] / A.M. Бобрешов, O.A. Поляков, В.А. Степкин, Г.К. Усков // Радиолокация, навигация, связь : XVI Междунар. науч.-техн. конф., г. Воронеж, 14-16 апр. 2010 г. — Воронеж, 2010 .— Т. 3. - С. 1766-1772 .— 0,4 п.л.

131. Бобрешов A.M. Оценка геометрических размеров тел с помощью

зондирования сверхкороткими импульсами / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVII Междунар. науч.-техн. конф. -Воронеж, 2011,- Т. 3. - С. 2201-2207

132. Бобрешов A.M. Моделирование процессов переключения диодов с накоплением заряда / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 65 Научная сессия, посвященная Дню радио: труды.- М., 2010.- С. 271-273.

133. Бобрешов A.M. Электромагнитная совместимость малошумящего усилителя СВЧ диапазона при воздействии импульсных помех субнаносе-кундной длительности / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 9-й международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии, труды симпозиума. - С. 342-345.

134. Радзиевский В. Г. Современная радиоэлектронная борьба. Вопросы методологии / В.Г. Радзиевский; под ред. В. Г. Радзиевского. - М.: Радиотехника, 2006. - 421с.

135. Владимиров В. И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем [Текст] / В. И. Владимиров [и др.]; под ред. Н. М. Царькова. - М. : Радио и связь, 1985. - 272 с.

136. Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование обратимых отказов в МШУ при воздействии одиночных субнаносекундных видеоимпульсов различной длительности / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVI Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2010.Т. 1. - С. 573-579.

137. Бобрешов A.M. Влияние высоких пиковых мощностей СПШ-помехи на функционирование малошумящих GaAs ПТШ / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVII Междунар. науч.-техн. конф., г. Воронеж, 12-14 апр. 2011 г. - Воронеж, 2011,- Т. 1. - С. 789796.

138. Бобрешов A.M. Воздействие сверхкоротких импульсных перегрузок на ПТШ, изготовленные на полуизолирующих подложках из разных партий / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. Физика. Математика.- Воронеж, 2011.- № 1. - С.

П 1 f.

1 z-- 1VJ.

139. Бобрешов A.M. Генератор субнаносекундных импульсов : пат. 2457615 Рос. Федерация : МПК Н 03 К 3/33 / A.M. Бобрешов, Ю.И. Китаев,

Г.К. Усков ; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВПО ВГУ .— № 2010129401; заявл. 15.07.2010 ; опубл. 27.07.2012, Бюл. №21 .— 9 е..

140. Пожела Ю. К. Физика быстродействующих транзисторов: Монография. [Текст] / Ю. К. Пожела. - Вильнюс: Мокслас, 1989. - 264 с.

141. Бобрешов A.M. Автоматизированный измерительный стенд для оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию сверхкоротких импульсных помех / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиотехника, №8,2011 - С. 54-57.

142. Бобрешов A.M. Влияние помех в виде последовательностей сверхкоротких импульсов на коэффициент усиления НЕМТ / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2011,- Т. 1. - С. 797-801.

143. Носов Ю. Р. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение / Ю. Р. Носов [и др.] под.ред. Ю. Р. Носова, М: Советское радио, 1966.- 152с.

144. Moll J.L., Krakauer S., Shen R. P-n junction charge storage diodes / J. L. Moll, S. Krakauer, R. Shen // Proc. IRE, 1962, 50, (1), P. 43-53

145.Кюрегян А. С. / Кюрегян А. С., Юрков С. H. // Физика и техника полупроводников, 1989. - т. 23.

146. Грехов И. В. / Грехов И. В. [и др.] // Письма в Журнал технической физики, 1983. - т. 9. - Вып. 7. С. 435-439.

147. Moll J. L. Physical Modeling of the Step Recovery Diode for Pulse and Harmonic Generation Circuits [Text] / J. L. Moll, S. A. Hamilton // Proceedings of the IEE. - vol. 37.-P. 1250-1259.

148. Zhang Jian Computer - Aided Design of Step Recovery Diode Frequency Multipliers [Text] / Jian Zhang, Antti Raisanen // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1996. - vol. 44. - № 12. - P.2612-2616.

149. Бобрешов A.M. Особенности диодов с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 8-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: тр. симп. - СПб., 2009.- С. 298-300.

150. Карауш, А.С. Генераторы импульсов наносекундной длительности на лавинных диодах / А. С. Карауш, С. П. Лукьянов, Р. В. Потемин, О. П. Толбанов. // Электронная промышленность, - №1-2, 1998.

151. Белкин В. С. Формирователи мощных наносекундных и пикосе-кундных импульсов на полупроводниковой элементной базе / В. С. Белкин, Г. И. Шульженко. - Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1990. - 36 с.

152. Кольцов Ю. В. Методы и средства анализа и формирования сверхширокополосных сигналов / Ю. В. Кольцов. - М.: Радиотехника, 2004. -128 с.

153. Месяц, Г.А. Пикосекундная электроника больших мощностей / Месяц Г.А., Яландин, М.И. // Успехи физических наук. 2005. Т. 175. № 3. С. 225-246.

154. Grekhov, I.V. Power drift step recovery diodes (DSRD) / I.V.Grekhov, V.M. Efanov, A.F. Kardo-Sysoev, S.V. Shenderey Solid-State Electronics. 1985. T. 28. № 6. C. 597-599.

155. Киреев П. С. Физика полупроводников / П. С. Киреев. - М.: Высш. шк., 1975.-584 с.

156. Zhang Jian A Zhang Jian A New Model of Step Recovery Diode for CAD [Text] / Jian Zhang, Antti Raisanen // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1995. - TH3F-H4 - P. 1459-1462.Diode for CAD [Text] / Jian Zhang, Antti Raisanen // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1995. - TH3F-H4 - P.1459-1462.

157.Katarzyna Opalska, Jerzy Baranowski A charge model of step recovery diode for cad/ Opalska Katarzyna, Baranowski Jerzy // IEEE 0-7803-3814-6/9 TH3F-4, 1997 - P.1503-1506.

158.Bemsky G. Recombination in Semiconductors [Text] / G. Bemsky // Proceedings of the IRE, 1958. - P. 990-1004.

159.Кюрегян А. С. Теория дрейфовых диодов с резким восстановлением / А. С. Кюрегян. // Журнал технической физики, 2004. - том 74. - С. 57-64.

160. Бобрешов A.M. Определение параметров модели диода с накоплением заряда по экспериментальным данным / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVII Междунар. науч.-техн. конф. -Воронеж, 2011.-Т. 1.-С. 802-810.

161. Prokhorenko V., Ivashchuk V., Korsun S. Drift Step Recovery Utilization for Electromagnetic Pulse Radiation / V. Prokhorenko, V. Ivashchuk, S. Korsun // Tenth International Conference on Ground Penetrating Radar, 21-24 June, 2004, Delft, Netherlands - P.195-198

162.Яландин, М.И. Генерирование высоковольтных субнаносекундных импульсов с пиковой мощностью до 300 MW и частотой повторения 2 kHz / М. И. Яландин, С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, М.Р. Ульма-скулов, В.Г. Шпак, С.А. Шунайлов // Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып. 1, с. 81-88.

163. Мощные полупроводниковые ключи для импульсных применений / Валентин Мартыненко и др. // Компоненты и технологии • № 10, 2008 - С. 80-82

164.Harald Т. Friis Analysis of Harmonic Generator Circuits for Step Recovery Diodes [Text] / Harald T. Friis, Fellow // Proceedings of the IEEE, 1967. -V.55.-P. 1192-1194.

165. M. J. Lesha and F. J. Paoloni Generation of balanced subnanosecond pulses using step-recovery diodes / Electron. Lett., 1995, 31, (7), P.510-511

166. L. Howard and K. Daneshvar Nanosecond-pulse generator for laser diodes / Rev. Sci. Instr., 1989, 60, (10), P. 3343-3345

167. David Brown and Don Martin Subnanosecond high-voltage pulse generator/Rev. Sci. Instr., 1987, 58, (8), P. 1523-1529.

168. S.V. Zazoulin, A.F. Kardo-Sysoev, S.A. Moryakova High repetition frequency picosecond pulse generator / Zazoulin S.V., Kardo-Sysoev A.F., Moryakova S.A. // 0-7803-75408/02/$ 17.00@2002 IEEE, P.403-405

169. Kardo-Sysoev A.F. Generation and Radiation of UWB-signals / A.F. Kardo-Sysoev //33rd European Microwave Conference - Munich 2003 P. 845-848

170. Pulse Power Generation in Nano- and Subnanosecond Range by Means of Ionizing Fronts in Semiconductors: The State of the Art and Future Prospects / Grekhov I.V. // IEEE transactions on plasma science, vol. 38, no. 5, may 2010, P.l 118-1123.

171. Месяц, Г.А.. Импульсная энергетика и электроника / Г.А. Месяц .— М. : Наука, 2004 .— 704 с. — ISBN 5-02-033049-3.

172. Корольков В.И., Рожков А.В., Петропавловская Л.А. Высоковольтные арсенидгаллиевые диоды с субнаносекундными временами восстановления блокирующего напряжения / В.И.Корольков, А.В. Рожков, Л.А.Петропавловская // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, вып. 17, С. 46-50.

173. Robert D. Hall, Stewart М. Krakauer The Step Recovery Diode for Microwave Harmonic Generation and Nanosecond Pulse Generation / Electronic

Components, Nov. 1965. P. 1046-1051.

174. Hansjochen Benda and Eberhard Spenke Reverse Recovery Processes in Silicon Power Rectifiers / Proc. IEEE, 1967, 55, (8), P. 1331-1354.

175.Иммореев И.Я. Излучение сверхширокополосных сигналов [Текст] / И.Я. Иммореев, А.Н, Синявин // Антенны, 2001. - Вып. 1(47). - с. 8-16.

176. Авдеев В.Б. Энергетические характеристики направленности антенн и антенных систем при излучении и приеме сверхширокополосных сигналов и сверхкоротких импульсов [Текст] // Антенны, 2002. - Вып. 7(62). - с. 5-27.

177. B.Scheers. Time-domain simulation and characterisation of ТЕМ horns using a normalised impulse response [Text] / B.Scheers, M.Acheroy and A.Vander Vorst // IEE Proc.-Microw. Antennas Propag. 2000. - Vol. 147. - No. 6. - pp. 463468.

178. Oliver E. Allen. Time-Domain Antenna Characterizations [Text] / Oliver E. Allen, David A. Hill and Arthur R. Ondrejka // IEEE Trans, on EM Compatibility, 1993. - vol. 35. - no. 3. - pp. 339 - 346.

179. Shlivinski, Amir. Antenna Characterization in the Time Domain [Text] / Amir Shlivinski, Ehud Heyman, Raphael Kastner // IEEE Trans. Antennas Propagat., 1997. -vol. 45. -no. 7. -pp. 1140-1149.

180. Костиков Г.А. Энергетические характеристики антенны Вивальди в режиме излучения негармонического сигнала [Текст] / Г. А. Костиков, Ю. П. Саломатов, М. И. Сугак // Антенны. - 2012. - №2. - с.20-27.

181. L. Desrumaux, A. Godard [et all] An Original Antenna for Transient High Power UWB Arrays: The Shark Antenna [Text] / L. Desrumaux, A. Godard [et al.] // IEEE Trans. Antennas and Propagations. - 2010. - V. AP-58. - №8. - P. 2515-2522.

182.Курушин А.А. Проектирование СВЧ устройств в среде CST Microwave Studio / А.А. Курушин, А.Н. Пластиков - М. Издательство МЭИ, 2010.- 160 с.

183. Решение уравнений Максвелла методом FDTD [Electronic resource] : www.zfdtd.narod.ru

184. Tafiove, Allen. Computational electrodynamics: the finite-difference time-domain method.-2nd ed./ Allen Tafiove, Susan C. Hagness. - Artech House. Boston, London, 2000.

185. Davidson, David В. Computational electromagnetics for RF and microwave engineering. - Cambridge University Press, 2005.

186.Yee K.S. Numerical Solution of Initial Boundary Value Problems involving Maxwell's Equations in Isotropic Media [Text] // IEEE Trans. Antennas Propagat., 1966. -vol. 14. - no. 5. -pp. 302-307.

187.Berenger J.-P. A Perfectly Matched Layer for the Absorption of Electromagnetic Waves [Text] // J. Сотр. Phys., 1994. - vol. 114. - pp. 185-200.

188.Berenger J.-P. Perfectly Matched Layer for the FDTD Solution of Wave Structure Interaction Problems [Text] // IEEE Trans. Antennas Propagat.,

1996.-vol. 44.-no. 1.- pp. 110-117.

189.Katz D.S., Thiele E.T., Taflove A. Validation and Extension to Three Dimensions of the Berenger PML Absorbing Boundary Condition for FD-TD Meshes [Text] / D.S. Katz, E.T. Thiele, A. Taflove // IEEE Microwave And Guided Wave Letters, 1994. - vol. 4. - no. 8. - pp. 268 - 270.

190. Prescott D.T. Reflection Analysis of FDTD Boundary Conditions—Part II: Berenger's PML Absorbing Layers [Text] / D.T. Prescott, N.V. Shuley // IEEE Trans. On Mirowave Theory and Techiques, 1997. - vol. 45. - no. 8. - pp. 1171 -1178.

191. Боголюбов A.H. Численное моделирование двумерных фотонных кристаллов [Текст] / А.Н. Боголюбов, И.А. Буткарев, Ю.С. Дементьева // «Журнал радиоэлектроники», 2006. - №11. - с. 26-37.

192.Luebbers R.J. A Simple Feed Model that Reduces Time Steps Needed for FDTD Antenna and Microstrip Calculations [Text] / R.J. Luebbers, H.S. Langdon // IEEE Trans. Antennas Propagat, 1996. - vol. 44. - no. 7. - pp. 1000 -1005.

193. Luebbers R.J. A Finite-Difference Time-Domain Near Zone to Far Zone Transformation [Text] / R.J. Luebbers, K.S. Kunz, M. Schnider, F. Hunsber-ger // IEEE Trans. Antennas Propagat., 1991. - vol. 39. - no. 4. - pp. 429-433.

194. Luebbers R.J. A Two-Dimensional Time-Domain Near-Zone to Far-Zone Transformation [Text] / R.J. Luebbers, D. Ryan, J. Beggs // IEEE Trans. Antennas Propagat., 1992. - vol. 40. -no. 7. - pp. 848 - 851.

195. Ramahi О. M. Near- and far-field calculations in FDTD simulations using Kirchhoff surface integral representation // IEEE Trans. Antennas Propagat.,

1997.- vol.45. - pp. 753 -759.

196. Handbook of antennas in wireless communications. Edited by Lai Chand Godara. - CRC Press. Boca Raton, London, New York, Washington. -2002

197. Ашихмин A.B. Проектирование и оптимизация сверхширокополосных антенных устройств и систем для аппаратуры радиоконтроля: Монография. М.: Радио и Связь, 2005. - 486 с.

198.Бахрах Л.Д. Перспективы разработок антенн, излучающих сверхкороткие импульсы [Текст] / Л.Д. Бахрах, О.С. Литвинов, Н.Я. Морозов // Антенны. - 2006. - №7. _ с.85.

199. Лось. В.Ф. Оптимизация геометрических параметров антенн с использованием модифицированного метода Тэгучи [Текст] / В.Ф. Лось, И.О. Прохоров // Антенны. - 2010. - №1. - с.38-44.

200. Болов Р.Б. Сверхширокополосные излучатели для сканирующей видеоимпульсной антенной решетки [Текст] / Р.Б. Болов, А.П. Курочкин, В.Ф. Лось [и др.] // Антенны. - 2010. - №2. - с.25-30.

201. Лось. В.Ф. Об электрических размерах антенн: перспективы миниатюризации [Текст]/ В.Ф. Лось, А. Н. Шаманов // Антенны. - 2011. - №10. - с.88-94.

202. Shlager К. L. Accurate Analysis of ТЕМ Horn Antennas for Pulse Radiation [Text] / K. L. Shlager, G. S. Smith and J. G. Maloney // IEEE Trans, on Electromagnetic Compatibility, 1996 . -vol. 38. - no. 3. - pp. 414-423.

203. Kolokotronis D.A. Design of ТЕМ Horn Antennas for Impulse Radar [Text] / D.A. Kolokotronis, Y. Huang, J.T. Zhang // High Frequency Postgraduate Student Colloquium, 1999.-pp. 120-126.

204. Yarovoy A. G.The Dielectric Wedge Antenna [Text] / A. G. Yarovoy, A. D. Schukin, I. V. Kaploun, L. P. Ligthart // IEEE Trans. Antennas Propagat., 2002. -vol. 50. -no. 10. -pp. 1460-1472.

205. Karshenas F. Modified ТЕМ Horn Antenna for Wideband Applications [Text] / F. Karshenas, A. R. Mallahzadeh, and A. Imani // 13th International Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics and the Canadian Radio Sciences Meeting. - 2009 - pp. 1-5.

206. Malherbe J.A.G. Superelliptic ТЕМ Horn [Text] // Proceedings of the 40th European Microwave Conference, 2010. - pp. 735 - 738.

207. Айзенберг Г. 3. Коротковолновые антенны. // М.: Радио и связь,

208. Зайцев А. В. Метод расчета сверхширокополосной рупорной антенны для априори сигнала [Текст] // Успехи современной радиоэлектроники.-2009.-№ 1 -2.-с. 147-155.

209. Бобрешов A.M. Излучение сверхкоротких импульсов с помощью ТЕМ-рупорной антенны / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIV Междунар. науч.-техн. конф,- Воронеж, 2008.- Т. 1.-С. 724-728.

210. Бобрешов A.M. Анализ ТЕМ-рупорной антенны с помощью метода конечных разностей во временной области (FDTD) и метода конечных интегралов (FIT) во временной области / A.M. Бобрешов, И.И. Мещеряков, Г.К. Усков // Радиолокация, навигация, связь: XV Междунар. науч.-техн. конф., г. Воронеж, 14-16 апр. 2009 г. - Воронеж, 2009.- Т. 1. - С. 427-433.

211. Бобрешов A.M. Оптимизация геометрических размеров ТЕМ-рупорной антенны для излучения сверхкоротких импульсов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Антенны.- 2009.- Вып. 6(145). - С. 80-83.

212. Бобрешов A.M. Анализ ТЕМ-рупорной антенны с помощью метода конечных разностей во временной области / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Антенны.- 2011.- Вып. 4. - С. 60-63.

213. Бобрешов A.M. Построение модели излучения сверхкоротких импульсов сверхширокополосным ТЕМ-рупором с помощью метода конечных разностей во временной области / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиотехника, №8, 2012 - с. 49-54.

214. Лебедев И. В. Техника и приборы СВЧ, М.: Высшая школа, 1970.т. 1.-440 с.

215. Ciattaglia М. Time Domain Synthesis of Pulsed Arrays [Text] / M. Ciattaglia, G. Marrocco // IEEE Trans. Antennas and Propagations - 2008. - V. AP-56. - №7. - P. 1928.

216. Hackett D. R. A Transient Array to Increase the Peak Power Delivered to a Localized Region in Space: Part I—Theory and Modeling [Text] / D. Ronald Hackett, Clayborne D. Taylor [et al.] // IEEE Trans. Antennas and Propagations. -2002. - V. AP-50. - №12. - P. 1743-1750.

217. Chia M.Y.W. Electronic Beam-Steering Design for UWB Phased Array [Text] / Michael Yan-Wah Chia, Teck-Hwee Lim [et al.] // IEEE Trans. On

Microwave Theory and Techniques, 2006. - vol. 54. - no. 6. - pp. 2431 - 2438.

218. Lei C. Parallel FDTD analysis of large-scale ridged ТЕМ horn antenna array [Text] /Chang Lei, Liao Cheng [et al.] // Microwave Technology and Computational Electromagnetics, 2009. - pp. 344 - 347.

219. Воскресенский Д.И. Тенденции развития широкополосных фазированных антенных решеток (обзор работ) [Текст]/ Д.И. Воскресенский, Ю.В. Котов, Е.В. Овчинникова//Антенны. -2005. -№11. - с.7-21.

220. Гурфинкель Ю.Б. Цифровая система управления лучом передающей видеоимпульсной сканирующей антенной решетки [Текст] / Ю.Б. Гурфинкель, И.А. Колесников, А.П. Курочкин [и др.] // Антенны. - 2009. -№2(141).-с.10-19.

221. Волоконно-оптические диаграммообразующие схемы сверхширокополосных фазированных антенных решеток СВЧ- и ММ- диапазонов [Текст] // Антенны. - 2006. - №9(112). - с.37-60.

222. Курочкин А.П. Особенности пространственного формирования энергетических ДН видеоимпульсными сканирующими антенными решетками с наносекундными излучателями [Текст] / А.П. Курочкин, В.Ф. Лось, В.А. Стрижков // Антенны. - 2007. - №1(116). - с.45-54.

223. Лаговский Б.А. Излучение сверхкоротких импульсов антенными решетками с учетом взаимовлияния элементов [Текст] // Антенны. - 2009. -№9(148).-с.29-36.

224. Бобрешов A.M. Управление положением главного лепестка энергетической диаграмм напрвленности сверхширокополосной антенной реше-теки, состоящей из ТЕМ-рупоров / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2011,- Т. З.-С. 2208-2217.

225. Бобрешов A.M. Влияние величины волнового сопротивления у раскрыва ТЕМ-рупора на энергетические диаграммы направленности / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVII Междунар. науч.-техн. конф.- Воронеж, 2011.- Т. 3 - С. 2218-2224.

226. Бобрешов A.M. Оптимизация угла раскрыва ТЕМ-рупора для эффективного излучения сверхкоротких импульсов [Текст] / A.M. Бобрешов, И.И. Мещеряков, Г.К. Усков // Радиотехника и Электроника. — 2012. — Т.57. — № 3. — С. 320-324.

227. Астанин Jl. Ю. Основы сверхширокополосных радиолокационных измерений / Л. Ю. Астанин, А. А. Костылев - М.: Радио и связь, 1989. - 192 с.

228. Бобрешов A.M. Определение профильных функций объектов произвольной формы по отраженному сверхкороткоимпульсному сигналу с помощью метода конечных интегралов [Текст] / A.M. Бобрешов, И.И. Мещеряков, Д.Е. Уланова, Г.К. Усков // Радиолокация, навигация, связь : XVI Междунар. науч.-техн. конф., г. Воронеж, 14-16 апр. 2010 г. — Воронеж, 2010 .— Т. 3.-С. 1760-1765.

229. Бахрах Л.Д. Методы коррекции сигналов антенн сверхкоротких импульсов [Текст] / Л.Д. Бахрах, М.Я. Израилович// Антенны. - 2002. - №5. - с.26-33.

230. Кириллов С.Н.. Синтез формы сверхширокополосного сигнала излучения, робастного к искажениям сигнала возбуждения антенны [Текст] / С.Н. Кириллов, А.В. Корниенко // Антенны. - 2006. - №2(105). - с.19-22.

231. McKinney J.D. Compensation of the Effects of Antenna Dispersion on UWB Waveforms via Optical Pulse-Shaping Techniques [Text] / J.D. McKinney, A.M. Weiner // IEEE Transactions On Microwave Theory and Techniques, 2006. -vol. 54.-no. 4.-pp. 1681 - 1686.

232.Marrocco G. Hermite-Rodriguez UWB Circular Arrays [Text] / G. Marrocco, G. Galletta // IEEE Trans. Antennas and Propagations - 2010. - V. AP-58.-№2.-P. 381.

233. Бобрешов A.M. Распространение биполярных импульсов субнано-секундной длительности / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2007.- Т. 2.-С. 702-705.

234. Бахрах Л.Д. Характеристики направленности сканирующих антенных решеток, возбуждаемых сверхкороткими импульсами, имеющими «джиттер» [Текст] / Л.Д. Бахрах, О.С. Литвинов // Антенны. - 2003. - №3-4.

235. Бобрешов A.M. Совместное моделирование генератора сверхкоротких импульсов и сверхширокополосной антенны / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] И Труды XI Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов. - Екатеринбург, 2012-С. 86-87.

236. Бобрешов A.M. Сверхширокополосный смеситель для аналогового умножения сверкоротких импульсов / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIX Международная научно-техническая конференция. - Воронеж, 2013.-T. 1.-С. 110-115

237.Хармут Х.Ф. Несинусоидальные волны в радиолокации и радиосвязи / X. Ф. Хармут. - М.: Радио и связь, 1985. - 376 с

238. Финкелыптейн М.И. Подповерхностная радиолокация [Текст] / М.И. Финкелыптейн [и др.]; под ред. М. И. Финкелыитейна. - М.: Радио и связь, 1994.-216 с.

239. Taylor J.D. Introduction to Ultra-wideband Radar Systems [Text] / James D. Taylor. - CRC press Boca Raton; Ann Arbor, London; Tokyo; New-York, 1995.

240. Бункин Б.В. Особенности, проблемы и перспективы субнаносе-кундных видеоимпульсных PJIC / Б. В. Бункин [и др.] // Радиотехника, 1995. -№4-5.-С. 128-133.

241. Анищенко JI. Н. Теоретические основы биорадиолокации [Текст] / JI. Н. Анищенко, С. И. Ивашов, В. Б. Парашин // Биомедицинская радиоэлектроника. - 2007. - №10. - С. ЗЗ^П.

242.Иммореев И.Я. Сверхширокополосные радары. Особенности и возможности. // Радиотехника и электроника. - 2009. - т.54. - №1. - с. 5-31.

243. Глебович Г.В. Исследование объектов с помощью пикосекундных импульсов [Текст] / Г.В. Глебович [и др.]; под ред. Г.В. Глебовича. - М. : Радио и связь, 1984. - 256 с.

244. Barrett T.W. History of Ultra-WideBand (UWB) Radar & Communications: Pioneers and Innovators. [Text] / Terrence W. Barrett // Progress in Electromagnetics Symposium (PIERS 2000), 2000.

245. Geophysical survey system employing electromagnetic impulses [Text] : US Patent 3806795 / Morey R.N.: April, 1974.

246. Лазоренко О. В. Сверхширокополосные сигналы и физические процессы. 1. Основные понятия, модели и методы описания [Текст] / О. В. Лазоренко, Л. Ф. Черногор // Радиофизика и радиоастрономия. - 2008. - т. 13.

-> /~> 1 ft 1 од — л- — I UU—1 УН.

247. Лазоренко О. В. Сверхширокополосные сигналы и физические процессы. 2. Методы анализа и применение [Текст] / О. В. Лазоренко, Л. Ф. Черногор // Радиофизика и радиоастрономия. - 2008. - т. 13. - № 4. - С. 270-

248. Иммореев И. Я. Сверхширокополосная локация: основные особенности и отличия от традиционной радиолокации / И. Я. Иммореев // Электромагнитные волны и электронные системы, 1997. - т.2. - № 1. - С. 81-88.

249. Иммореев И. Я. Сверхширокополосные радары: новые возможности, необычные проблемы, системные особенности / И. Я. Иммореев // Вестник МГТУ, 1998.- №4.- С. 128-133.

250. B.C. Белкин Формирователи высоковольтных наносекундных импульсов на серийных диодах / Белкин В. С., Марин О. Ю., Шульженко Г. И. // Приборы и техника эксперимента, 1992. - № 6. - с. 120-124.

251. Аристов Ю. В. Полупроводниковые формирователи наносекундных импульсов высоко напряжения / Ю.В. Аристов [и др.] // Приборы и техника эксперимента, 2007. - №3. - с. 72-74.

252. Грехов И. В. / Грехов И. В. [и др.] // Письма в Журнал технической физики, 1983. - т. 9. - Вып. 7. С. 435-439.

253. Кар до-Сысоев А. Ф. / А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова // Физика и техника полупроводников, 1991. - т. 25. - С. 3-11.

254. Суховецкий Б. Я. Широкополосная антенна. / Б. Я. Суховецкий, С. Б. Суховецкая // Патент №RU 2052877 Cl, 1993.

255. Крымский В. В. Теория несинусоидальных электромагнитных волн / В. В. Крымский, В.А. Бухарин, В. И. Заляпин. - Челябинск: Изд-во ЧГТУ, 1995.- 109 с.

256. Фейнман Р. Л. Фейнмановские лекции по физике: Излучение. Волны. Кванты / Р. Л. Фейнман, Лейтон Р. Б., Сэндс М; т.З.; Изд.5. - М.; Физмат-книга, 2008 - 240 с.

257. Ковалев И. П. Нестационарные процессы в проволочных антеннах при импульсном возбуждении / И. П. Ковалев, Д. М. Пономарев, Е. Л. Клюев // Сб. Антенны, 1988. - № 4. - С. 861 - 868.

258. Самсонов А. В. Пространственно-временные преобразования электромагнитных сигналов / А. В. Самсонов. - М.: Изд-во МЭИ, 1997. - 163 с.

259. Bogerd J. С. Electromagnetic excitation of a thin wire: a traveling-wave approach [Text] / J. C. Bogerd, A. G. Tijhuis, J. A. Klaasen // IEEE Transaction on Antennas and Propagation, 1998. - v. 46. - №8.

260. Захаров К. Л. Излучение проволочной антенны для нестационарного возбуждения / К. Л. Захаров, М. И. Сугак // XXVIII конференция по

теории и технологии антенн, 1998.- С.155.

261. Зернов Н. Э. Антенны в режиме излучения (приема) сверхширокополосных сигналов / Н. Э. Зернов, Г. В. Меркулов // Зарубежная радиоэлектроника, 1991. -№ 1. - С.84-91.

262. Smith О. On the interpretation for radiation from simple current distribution [Text] / O. Smith // IEEE Antennas and Propagation Magazine. - 1998. - v. 40.-№3.

263.Immoreev I. Ya. Radiation of Ultra Wideband Signal by an Antenna, which Length Exceeds Spatial Duration of a Signal [Text] /1. Ya. Immoreev, A. N. Sinyavin // Proceeding of Millennium Conference on Antennas and Propagation (AP2000), 2000.

^ 264. Бобрешов A.M. АИК ЭМС 3.6.2: свидетельство. 2013611752 / Воронеж. гос. ун-т; A.M. Бобрешов, И.С. Коровченко, В.А. Степкин, Г.К. Усков. - 2013. (№2012660891; заявл. 11.12.2012 ; опубл. 20.03.2013)

265. Бобрешов A.M. Оценка области сложения электромагнитных полей сверхкоротких импульсных сигналов, излученных несколькими источниками / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVI Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2010.- Т. 2. - С. 1287-1296.

266. Бобрешов A.M. Компенсация искажений формы сверхкоротких импульсов электромагнитного поля в дальней зоне с помощью антенной решетки / A.M. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. Физика. Математика.- Воронеж, 2012,- № 2. -С. 18-25.

267. Бобрешов A.M. Схема компенсации искажений формы сверхкоротких импульсов электромагнитного поля, излучаемых сверхширокополосной антенной / A.M. Бобрешов, И. И. Мещеряков, Г.К. Усков // Радиотехника и электроника, 2013, том 58, № 4, С. 330-336.

268. Хотунцев Ю.Л. Интермодуляционные искажения в приемных и передающих СВЧ полупроводниковых устройствах / Ю.Л. Хотунцев // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника,-1983. - 26, N10. - С.28-38.

269.Добыкин В.Д. Радиоэлектронная борьба. Силовое поражение радиоэлектронных систем / В.Д. Добыкин, А.И. Куприянов, В.Г. Пономарев [и др.]. - М.: Вузовская книга, 2007. - 468 с.

270. Викулов О.В. Современное состояние и перспективы развития авиационных средств радиоэлектронной борьбы / О.В. Викулов, В.Д. Добы-

кин, B.B. Дрогалин [и др.] // Успёх-pfсовременной радиоэлектроники. - 1998. -№ 12.-C.3-16.

271. Перунов Ю.М., Фомичев К.И., Юдин JIM. Радиоэлектронное подавление информационных каналов систем управления оружием / Ю.М. Перунов, К.И. Фомичев, JI.M. Юдин. - М.: Радиотехника, 2003. - 416 с.

272. Прищепенко А.Б. Взрывы и волны. Взрывные источники электромагнитного излучения радиочастотного диапазона / А.Б. Прищепенко. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. - 208 с.

273. Петровский В. И. ЭМС радиоэлектронных средств / В. И. Петровский, Ю. Е. Седельников - М. : Радио и связь, 1986. - 216 с.

274. Епифанцев К.А. Расчетно-экспериментальное моделирование воздействия одиночных импульсов напряжения, вызванных электромагнитными импульсами, на интегральных схемах / К.А. Епифанцев, O.A. Герасимчук, П.К. Скоробогатов // Микроэлектроника. - 2009. - Т. 38. - № 4. - С. 284-301.

275 Бобрешов A.M. Оптимизация геометрических параметров ТЕМ-рупора для излучения сверхкоротких импульсов в составе антенной решетки с управляемым положением главного лепестка / A.M. Бобрешов, И. И. Мещеряков, Г.К. Усков // Радиотехника и электроника, 2013, том 58, № 3, С. 233-337.