Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Петров, Анатолий Арсеньевич

  • Петров, Анатолий Арсеньевич
  • доктор физико-математических наукдоктор физико-математических наук
  • 2008, Санкт-Петербург
  • Специальность ВАК РФ01.04.10
  • Количество страниц 268
Петров, Анатолий Арсеньевич. Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе: дис. доктор физико-математических наук: 01.04.10 - Физика полупроводников. Санкт-Петербург. 2008. 268 с.

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Петров, Анатолий Арсеньевич

Введение

Глава 1. Методы диагностики поверхности и границ раздела.

1.1 Электронная Оже-спектроскопия

1.2. Ионная Оже-спектроскопия

1.3. Растровая ионная микроскопия.

Глава 2. Механизмы фотопроводимости и физико-химические свойства резистивных структур на основе соединений AIVBVI.

2.1. Обзор моделей фотопроводимости

2.2. Физико-химические свойства фоточувствительных пленок A,VBVI.

Глава 3. Технология тонких поликристаллических пленок селенида свинца и гетерофазных структур на их основе.

3.1. Материалы, технология и свойства тонких поликристаллических пленок соединений AIVBVI.

3.2. Отжиг в кислородосодержащей среде.

Глава 4. Физико-химические свойства пленок селенида свинца прошедших отжиг в кислородосодержащей среде.

4.1. Исследования процессов фазообразования в системе Pb-Se-O.

4.2. Физико-химические свойства пленок селенида свинца прошедших отжиг при температуре 400°С.

4.3. Физико-химические свойства пленок селенида свинца прошедших отжиг при температуре 600 °С. 127 4.4 Исследование микроструктуры пленок прошедших высокотемпературный отжиг в кислородосодержащей среде.

Глава 5. Электрофизические свойства гетерофазных фоточувствительных пленок селенида свинца.

5.1. Исследование темновой и фотопроводимости слоев, прошедших высокотемпературный отжиг в кислородосодержащей среде.

5.2. Механизмы электронного транспорта. Модель фотопроводимости.

5.3. Влияние процессов сорбции-десорбции на свойства фоточувствительных структур.

Глава 6. Свойства и методы получения тонких поликристаллических пленок ЦТС

6.1. Свойства тонких сегнетоэлектрических пленок

6.2. Материалы и технология тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов.

6.2.1. Методы получения тонких сегнетоэлектрических пленок

6.2.2. Материалы и методы осаждения электродов тонкопленочных конденсаторов

Глава 7. Гетерофазные границы раздела в тонкопленочных структурах на основе металлооксидных сегнетоэлектриков

7.1. Интерфейсные границы раздела в многослойных конденсаторных структурах на основе ЦТС

7.2. Межзеренные границы раздела в наноструктурированных пленках титаната-цирконата свинца. (Механизм старения)

7.3. Механизм сквозной проводимости, в конденсаторных структурах с пленками ЦТС.

7.4. Фотоэлектрические свойства структур с сегнетоэлектрическими пленками ЦТС 232 7.4.1 Изотермическое затухание фототока в структурах ЦТС с избыточным содержанием свинца. 233 7.4.2. Фотопроводимость гетерофазных структур ЦТС-РЬО-ЦТС. 239 7.5 Вклад границ раздела в формирование самополяризованного состояния пленок ЦТС. 246 Заключение 249 Список литературы

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе»

Интерес к исследованиям поверхности и границ раздела возник достаточно давно, а в последние годы стимулируется развитием микро- и нанотехнологии, общей тенденцией к миниатюризации приборов и устройств электроники, проявляющейся в уменьшении толщины рабочих структур, синтезом сложных многослойных и наноструктурированных композиций. Очевидно, что указанная тенденция должна приводить к заметному усилению влияния границ .раздела на свойства таких структур, а в ряде случаев, к появлению нового качества, позволяющего создавать приборы и устройства с уникальными свойствами. В первую очередь это относится к объектам наноэлектроники, где влияние границ раздела, в том числе гетерофазных, будет проявляться в большей степени. Одним из наиболее распространенных объектов такого рода являются тонкие поликристаллические пленки полупроводников и диэлектриков широко использующиеся в современной электронике. Их свойства во многом определяются межзеренными границами, изучение свойств которых представляет актуальную научную и практическую задачу.

Прогресс в изучении свойств поверхности и границ раздела связан с необходимостью радикального упрощения сложных реальных систем (создания модельных объектов), однако возникающие проблемы при их получении часто сводят на нет преимущества такого подхода. Создание атомарно-чистых поверхностей или резких границ раздела требует больших усилий и в основном вызывает интерес с фундаментальной точки зрения. Во всех реальных ситуациях фигурирует покрытая поверхность, являющаяся результатом взаимодействия с окружающей средой, когда происходит сорбция инородных атомов, окисление поверхности, и т. п. Собственно гетерофазные границы раздела являются примером такого рода объектов. Влияние границ раздела за счет диффузии и дрейфа носителей заряда может распространяться вглубь объема образца, изменяя его электрофизические свойства, что позволяет применять классические «объемных» методов их исследования — измерение проводимости, емкости, фотоэлектрические исследования. Этому способствует также тот факт, что поверхности на границе раздела взаимодействуют между собой, причем в ряде случаев это взаимодействие приводит к изменению химического состава границы раздела. Образуется гетерофазная граница, обладающая собственными «объемными» свойствами. Взаимное влияние гетерофазной границы раздела и объема зерна создает условия для формирования гетерофазных систем, комплексное изучение которых с использованием современных методов диагностики поверхности может дать информацию о свойствах границ раздела и механизмах их влияния на параметры структур.

В последние годы наблюдается серьезный прогресс в развитии технологии и методов диагностики, приведший к становлению нового направления в развитии науки, связанного с получением и исследованием наноразмерных структур [1]. Трудно сказать, что является первичным в развитии этого направления: технологические возможности или аналитические методы позволяющие изучать свойства такого рода объектов. Вероятно то и другое. Однако если технологии в каждом конкретном случае могут различаться (и различаются) самым кардинальным образом, методы исследования наноструктурированных объектов различного происхождения и назначения общие и должны характеризоваться определенными аналитическими параметрами. В этом смысле развитие методов диагностики поверхности и границ раздела является доминирующим и определяющим успехи современной микро и наноэлектроники. В настоящей работе исследовались полупроводниковые гетерофазные границы, основная особенность которых, заключается в отличии их элементного состава от материала зерен. Понятно, что появление таких границ может быть обусловлено элементным составом кристаллитов (твердые растворы, уровень легирования), технологией формирования структур, особенностями эксплуатации структур (активная среда, температура, сильное неоднородное электрическое поле и т. п.).

Объекты исследования. Объектами исследования в настоящей работе являются гетерофазные границы раздела в поликристаллических пленках и структурах на их основе. Однако очевидно, что прямое изучение свойств подобных объектов едва ли возможно по двум причинным. Во-первых, не существует прямых методов диагностики обладающих достаточной локальностью и чувствительностью в трех измерениях необходимых для проведения корректных измерений параметров подобных объектов. Это относится как к электрофизическим, так и физико-химическим свойствам границ раздела. Вторая, более фундаментальная причина, заключается в том, что в полупроводниковых материалах влияние границ раздела может распространяться на достаточную глубину и приводить к заметному взаимному влиянию поверхностных и объемных свойств материалов. Но именно этот фактор может стать определяющим при попытках исследования свойств и механизмов влияния границ раздела на параметры гетерофазных структур. Выбор тонких наноструктурированных пленок заметно повышает роль границ раздела и позволяет более уверенно выделять их вклад в свойства исследуемых структур, а следовательно, более корректно интерпретировать экспериментальные результаты. Таким образом, реально объектами исследования являлись структуры на основе тонких поликристаллических пленок селенида свинца (узкозонного полупроводникового соединения) и цирконата-титаната свинца (ЦТС), для которых формирование гетерофазных границ раздела будет определять особенности в свойствах исследуемых структур. Это предположение основывается на анализе литературных данных о свойствах подобных структур, обсуждение которых с несколько иных позиций продолжается уже достаточно давно. Не последнюю роль в выборе объектов исследования сыграла очевидная общность соединений A,VBVI и ЦТС заключающаяся в элементном составе и технологии формирования структур. И в том и другом случае можно ожидать формирования межзеренных гетерофазных границ на основе оксидов свинца, как наиболее подвижного компонента соединений. С другой стороны нельзя не видеть существенных различий обсуждаемых материалов. В одном случае это узкозонный полупроводник, в другом активный диэлектрик с высоким удельным сопротивлением. В первом случае это планарная структура, когда электронный транспорт может быть ограничен межзеренными границами (высокое сопротивление, потенциальные барьеры), во втором случае это конденсаторная структура, в которой электронный транспорт может обеспечиваться каналами проводимости связанными с межзеренными гетерофазными границами. В первом случае гетерофазная система образована хорошо проводящими полупроводниковыми зернами и высокоомными прослойками между ними. В другом - диэлектрическими зернами, разделенными проводящими полупроводниковыми границами. Подобные различия должны увеличить общность развиваемого подхода и способствовать выявлению характерных свойств гетерофазных границ раздела.

Целью работы являлось изучение свойств гетерофазных границ раздела и механизмов их влияния на электрофизические и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок селенида свинца и ЦТС и структур на их основе.

Основные задачи, решаемые в работе:

1. Развитие и адаптация методов электронной Оже-спектроскопии, растровой ионной микроскопии для решения задач анализа сложных металлооксидных соединений и разработка физических принципов метода ионной Оже-спектроскопии.

2. Разработка и оптимизация технологических режимов формирования фоторезисторных структур на основе тонких поликристаллических пленок селенида свинца и тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов.

3. Проведение комплексных исследований физико-химических и электрофизических свойств тонких поликристаллических пленок селенида свинца и цирконата-титаната свинца на разных этапах формирования структур.

4. Анализ механизмов электронного транспорта, фотопроводимости, влияния температурно-временных факторов на электрофизические свойства структур в рамках представления о полупроводниковых гетерофазных границах раздела.

5. Развитие модельных представлений о гетерофазных границах раздела и механизмах их влиянии на свойства композиций на основе тонких поликристаллических пленок.

Научная новизна полученных результатов.

1. Впервые экспериментально установлены закономерности процесса генерации Оже-электронов при ионной бомбардировке поверхности твердых тел, разработаны основные принципы метода ионной Оже-спектроскопии и определены аналитические возможности ИОС.

2. Проанализированы методические особенности элементного и послойного анализа поликристаллических пленок сложных металлооксидных соединений и структур на их основе с использованием Оже-спектроскопии.

3. Впервые проведен цикл комплексных исследований электрофизических и физико-химических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок селенида свинца, синтезированных методом вакуумного термического с использованием шихты из селенида свинца переменного состава легированного хлором (PbSe[.x+yClx и PbSeix+yBix, х = 0 -1.5ат%, у/х = 0 - 2) на разных этапах формирования рабочих структур.

4. Впервые предложена модель электронного транспорта и фотопроводимости тонких поликристаллических пленок селенида свинца, прошедших очувствляющий отжиг в кислородосодержащей среде, основанная на формировании гетерофазных межзеренных границ, барьерные свойства которых, определяются процессами сорбции на них кислорода.

5. Проведено комплексное исследование тонких наноструктурированных пленок цирконата-титаната свинца и конденсаторных структур на их основе. Впервые экспериментально показано увеличение содержания кислорода в объеме пленок прошедших процедуру искусственного старения.

6. Предложен механизм старения тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур, основанный на представлении о заряженных в результате сорбции кислорода гетерофазных границах раздела, формируемых при длительном хранении за счет диффузии свинца из объема на границу зерен.

7. Предложен механизм сквозной проводимости в конденсаторных структурах с тонкими пленками ЦТС, обусловленный электронным транспортом по гетерофазными полупроводниковым межзеренным границам и ограниченным пространственным зарядом ловушечных центров в оксиде свинца с неравномерным распределением последних по энергиям.

8. Впервые экспериментально обнаружена фото чувствительность в видимом диапазоне спектра тонкопленочных структур на основе ЦТС, обусловленная изменением проводимости гетерофазных границ раздела (тонкие слои оксида свинца). Предложен механизм транспорта неравновесных носителей заряда на основе представлений о фото-ТОПЗ. Показано, что величина и направление стационарного фототока в режиме короткого замыкания конденсаторной структуры определяются величиной и направлением остаточной поляризованности сегнетоэлектрической пленки.

Научная и практическая значимость исследований

1. Показана перспективность использования шихты селенида свинца, синтезированного по керамической технологии с составами склонными к самокомпенсации, для получения физических слоев обладающих фотопроводимостью при комнатной температуре после сенсибилизирующего отжига в кислородосодержащей среде.

2. Предложенная модель электронного транспорта и фотопроводимости тонких поликристаллических пленок селенида свинца позволяет более целенаправленно проводить поиск путей оптимизации технологии фоторезисторов на основе поликристаллических пленок соединений AIVBVI.

3. Разработаны физические основы и проанализированы аналитические возможности метода ионной Оже-спектроскопии.

4. В ,рамках представления о гетерофазных границах раздела обсуждены механизмы временной деградации тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур (уменьшение переключаемого объема, увеличение токов утечки, и т. п.)

5. Экспериментальное обнаружение фотопроводимости в видимом диапазоне спектра гетерофазных сегнетоэлектрических пленок ЦТС позволило предложить способ оптического считывания информации в тонкопленочной конденсаторной ячейке памяти по направлению фототока в режиме короткого замыкания.

6. Предложен новый способ получения самополяризованных пленок ЦТС, основанный на формировании многослойной структуры электрод (Р1)-РЬО-ЦТС с последующим высокотемпературным отжигом структуры.

7. По результатам исследований получен патент РФ на полезную модель № 71023 «Сегнетоэлектрическое устройство с оптическим считыванием» и патент РФ на изобретение № 2338284 «Сегнетоэлектрический элемент для запоминающего устройства с оптическим считыванием информации».

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Высокотемпературный отжиг в кислородсодержащей среде тонких поликристаллических пленок селенида свинца и цирконата-титаната свинца приводит к диффузии свинца на периферию зерен, его окислению и формированию наноструктурированной среды с гетерофазными границами.

2. Процессы адсорбции - десорбции кислорода на гетерофазных межзеренных границах тонких поликристаллических пленок селенида свинца и ЦТС носят обратимый характер и определяют величину проводимости, фоточувствительность и стабильность гетерофазных наноструктурированных композиций.

3. Электронный транспорт в гетерофазных пленках селенида свинца лимитируется потенциальными барьерами на межзеренных границах, формируемыми тонкими слоями оксида свинца/?-типа, и определяется процессами туннелирования и надбарьерной эмиссии неосновных носителей заряда из объема зерен.

4. Сквозная проводимость в тонкопленочных гетерофазных сегнетоэлектрических конденсаторах на основе ЦТС определяется электронным транспортом по полупроводниковым межзеренным границам и описывается в рамках механизма токов, ограниченных пространственным зарядом.

5. Уменьшение переключаемого электрическим полем заряда в тонких наноструктурированных пленках ЦТС определяется сорбцией кислорода и зарядом поверхности гетерофазных границ, приводящим к закреплению поляризации в областях, примыкающих к границам раздела.

6. Фотопроводимость структур на основе гетерофазных пленок ЦТС обусловлена генерацией носителей в полупроводниковых межзеренных границах, содержащих оксид свинца, значение и направление стационарного фототока в режиме короткого замыкания определяются величиной и направлением остаточной поляризованности сегнетоэлектрической пленки.

7. Разработанные физические основы ионной Оже-спектроскопии -нового метода диагностики элементного и химического составов позволяют проводить послойный, фазовый и количественный анализ границ раздела в сложных металлооксидных соединениях.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на конференциях, семинарах и симпозиумах: Всесоюзная конференция по взаимодействию атомных частиц с твердым телом. 1976. Харьков; 16 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Махачкала 1976; 8 Int. Conf. on atomic collision in solid state; Симпозиум no взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердых тел.» 1979;7 Международная конференция, по атомным столкновениям в твердом теле. Москва Всесоюзная конференция по взаимодействию атомных частиц с твердым телом. Минск. 1981; Всесоюзное совещание по лазерной масс-спектрометрии; Всесоюзная конференция Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов микротехнологии. JI-д. 1990; 4 Intern. Conf. on Amorphy and Cristalling SiC and other materials, Santa Clare. 1991; Sec. Int. High Temperature Electrons Conf., North Carolina 1994; XV Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (BKC-XV), Ростов-на-Дону, 1999; III International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, Novgorod, May 2000; III международного семинара ISSCRM-2000, Великий Новгород, 2000; Всероссийская конференция с международным участием «СЕНСОР 2000»; 2000, Санкт-Петербург;.Труды XVIII совещания по температуроустойчивым функциональным покрытиям Тула, 2001; IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. 2001. Novgorod the Great; XVIII конференция no температуроустойчивым функциональным покрытиям Тула, 2001 г; XII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, 2001 , Черноголовка; II всероссийская конференция «Химия поверхности и нанотехнология». Санкт-Петербург, 2002; XVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков, 2005, Пенза; MRS2005 Fall Meeting, 2005, Boston; The 8th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity, 2006, Tsukuba; MRS2006 Fall Meeting, 2006, Boston; XVIII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков, 2008 , Санкт-Петербург, XI Международная конференция по физике диэлектриков, 2008, Санкт-Петербург.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации 268 страниц, в том числе 120 рисунков и 5 таблиц. Список цитируемой литературы включает 205 наименований.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Петров, Анатолий Арсеньевич

Основные выводы по работе

1. По результатам экспериментального исследования процесса генерации Оже-электронов при ионном облучении твердых тел разработаны физические основы ионной Оже-спектроскопии - нового метода диагностики элементного и химического состава поверхности.

2. Разработаны методики послойного, фазового и количественного анализа, интерфейсных границ раздела сложных металлооксидных соединений с использованием ЭОС.

3. На основе расчета каскада столкновений проведены оценки разрешающей способности метода РИМ. Показано существование физического ограничения разрешающей способности, связанное со спецификой взаимодействия тяжелых ионов с поверхностью твердого тела.

4. Разработана технология формирования фоточувствительных структур на основе тонких поликристаллических пленок селенида свинца: вакуумное термическое испарения с последующим отжигом в кислородосодержащей среде.

5. Проведены комплексные исследования физико-химических, электрофизических и фотоэлектрических свойств тонких поликристаллических пленок на основе селенида свинца на различных этапах формирования структур.

6. Методами электронной Оже-спектроскопии, рентгеновского фазового и дифференциального термогравиметрического анализа показано существенное различие в механизмах окисления и фазообразования в области температур 400-600 °С. Формирование слоя оксида свинца на поверхности пленки при отжиге в интервале температур 380 — 420 °С определяется диффузией свинца через растущий слой окисла. В более высокотемпературной области процессы фазообразования определяются интенсивным массопереносом с образованием гетерофазной системы (PbSe-PbO-PbSe).

7. Экспериментально показано формирование гетерофазной системы PbSe-PbO-PbSe при высокотемпературном отжиге в кислородосодержащей среде тонких поликристаллических пленок селенида свинца.

8. Проведено исследование электрофизических свойств фоточувствительных пленок селенида свинца в широком интервале температур. Показано, что темновая проводимость носит активационный характер (Еакт.да 0,14-0,15 эВ) с нелинейными ВАХ, что связано с суммированием вклада туннельного (линейная составляющая) и надбарьерного транспорта. Температурная зависимость времени спада фотопроводимости носит немонотонный характер и определяется перезарядкой уровней прилипания при изменением температуры. Наличие оксидных барьеров обеспечивает дырочный транспорт в гетерофазных пленках, фотопроводимость при комнатных температурах и объясняет особенности электрофизических свойств структур.

9. Впервые экспериментально установлено, что процессы сорбции-десорбции кислорода на оксидную фазу определяют тип, величину проводимости и фоточувствительность сенсибилизированных поликристаллических пленок селенида свинца и носят обратимый характер.

10. Проведено комплексное исследование влияния границ раздела на свойства сформированных тонкопленочных конденсаторных структур на основе пленок ЦТС.

11. Показано, что оксид титана на поверхности нижних платиновых или иридиевых электродов выступает в качестве центров кристаллизации пленок цирконата-титаната свинца, при этом снижается температура формирования перовскитовой фазы, растет размер кристаллитов, степень текстурированности, значения диэлектрической проницаемости и остаточной поляризованности.

12. Впервые экспериментально установлено, что процесс старения приводит к значительному увеличению концентрации кислорода в пленках ЦТС и интенсифицируются в пленках с избыточным содержанием оксида свинца. Экспериментально подтверждено, что уменьшение переключающегося заряда в пленках ЦТС под действием электрического поля в результате старения, обусловлено сорбцией кислорода на гетерофазных границах кристаллитов и закреплением поляризации в областях, прилегающих к этим границам.

13. Показано, что вольт-амперные характеристики конденсаторных структур описываются в рамках механизма ТОПЗ по межзеренному оксиду свинца с неравномерным распределением ловушек по энергиям.

14. Фотопроводимость структур на основе тонких поликристаллических пленок ЦТС в видимом диапазоне оптического излучения обусловлена фото генерацией носителей в гетерофазных границах раздела, содержащих оксид свинца. Транспорт неравновесных носителей в материале с высокой концентрацией ловушек, определяется ТОПЗ при двойной инжекции и характеризуется квадратичной зависимостью фототока от напряжения.

15. Величина и направление стационарного фототока в режиме короткого замыкания конденсаторной структуры определяются величиной и направлением остаточной поляризованности сегнетоэлектрической пленки. Предложен новый способ оптического считывания информации в тонкопленочной конденсаторной ячейке памяти на основе пленок ЦТС по направлению фототока в режиме короткого замыкания. Патент РФ на полезную модель № 71023 «Сегнетоэлектрическое устройство с оптическим считыванием» и патент РФ на изобретение № 2338284 «Сегнетоэлектрический элемент для запоминающего устройства с оптическим считыванием информации».

16. Экспериментально установлено, что низкотемпературный вакуумный прогрев приводит к исчезновению эффекта самополяризации, что обусловлено десорбцией кислорода с межзеренной гетерофазной границы. Показано, что самополяризованная пленка цирконата-титаната свинца может быть получена путем последовательного нанесения слоев РЬО и ЦТС с последующим их отжигом в кислородосодержащей атмосфере.

Заключение

Исследование структур на основе тонких поликристаллических пленок селенида и цирконата-титаната свинца, формирование которых предусматривает высокотемпературный отжиг в кислородсодержащей среде, показал, что подход, основанный на представлении о гетерофазных границах раздела, позволяет с общих позиций анализировать механизмы электронного транспорта, фотопроводимости, изменения параметров структур при внешних воздействиях. Процессы сорбции кислорода, приводящие к зарядке межзеренной границы, оказывают существенное, а иногда определяющее влияние на свойства тонких поликристаллических пленок сложных полупроводниковых и диэлектрических соединений. Все эти проявления, носят общий характер, обусловленный ролью гетерофазных границ раздела в наноструктурированных пленках.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Петров, Анатолий Арсеньевич, 2008 год

1. Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М: Наука, 2006.

2. Фелдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989.

3. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. / Под. ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. М.: Мир, 1987.

4. Вудраф Д., Делчар Т., Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989.

5. Методы анализа поверхностей. Под ред. А. Зандерны. М.: Мир, 1979.

6. Карлсон Т. А. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия. Л. Машиностроение, 1981.

7. Seah М. P., Dench W. A. Quantitative electron spectroscopy of surfaces: A standard data base for electron inelastic mean free paths in solids // Surface and Interface Analysis. 1979. Vol. l.P.2-11.

8. Garcia J. D., Fortner R. G., Kavanagh Т. M., Inner-Shell Vacancy Production in Ion-Atom Collisions / Rev. Mod. Phys. 1973. 45, №2. С. 111 177.

9. Л. Д. Ландау и E. M. Лившиц, Квантовая механика. M.: Наука, 1989.

10. Hofman S. Quantitative depth profiling in surface analysis: A review // Surface and Interface Analysis. 1980. Vol. 2. P. 148.

11. Г. Ф. Ивановский, В. И. Петров, Ионно-плазменная обработка материалов, М.: Радио и связь, 1986.

12. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. / Под. ред., Р. Бериша, М.: Мир, 1984.

13. Демин Ю. А., Демченко Е. Л.,. Ильин В. А., Лучинин В. В., Петров А. А., Феоктистов М. Ю. Аппаратура и программные средства для создания электронно-зондовых аналитических приборов // Научное приборостроение. РАН. 1999. Т.9, №2. С. 14-20.

14. Петров А. А., Писаревский М. А. Методика и аппаратно-програмные средства растровой электронной Оже-спектроскопии. ПТЖ, 2000. № 3. С. 75— 85.

15. Лучинин В.В., Таиров Ю. М. Карбид кремния — материал экстремальной электроники. //Петербургский журнал электроники. 1996. Вып.З. С.53-78.

16. Таиров Ю. М. Высокотемпературная электроника на основе карбида кремния. // Сб. науч. тр. Радиоэлектроника в СПбГЭТУ. 1995. Вып.1. С. 87-90.

17. Алтайский Ю. М., Литвинский Ю. Н. Карбид кремния как материал современной оптоэлектроники и полупроводниковой техники. Информационно-аналитический обзор. М.: ЦООНТИ "ЭКОС". 1984. 55с.

18. Афанасьев А. В., Ильин В. А., Петров А. А. Высокотемпературные диоды Шоттки на основе SiC. // Петербургский журнал электроники. 2000. № 34. С. 12

19. Сараапо М. A., Trew R. J. Silicon carbide electronic materials and devices. // MRS Bulletin. 1997. - V.22, N 3. P. 19-22.

20. S. D.Peteves, P.Tambuyser, P.Helbach. Microstructure and microchemistry of the Al/SiC interface. // J.of Mat.Science. 1990. - V.25. - P.3765-3772.

21. Балландович В. С., Омар О. А, Попов В. А. Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на основе n-SiC и n-GaP// Изв.ЛЭТИ. 1979. 250, №20. С.20-29.

22. Веренчикова Р. Г., Санкин В. И. Поверхностно-барьерный диод Cr-SiC — фотодетектор УФ-излучения.// Письма в ЖТФ. 1988. том 14, вып.19. С. 17421746.

23. S. Liu, К. Reinhardt, С. Severt Thermally stable ohmic contacts on n-type 6H-and 4H-SiC based on silicide and carbide // Silicon Carbide and Related Mat. Proc. Conf. Kyoto. Japan. 1995. Ser.N142. P. 589-592.

24. А. В.Афанасьев, Ильин В. А., Петров А. А. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния //ЖТФ. 2001.Т. 71, вып. 5. С. 78-82.

25. Патент РФ на изобретение № 2166221 Афанасьев А.В., Ильин В.А., Петров А.А. Высокотемпературный полупроводниковый прибор и способ его изготовления. 27 04. 2001 г

26. М. G. Rastegaeva, А N. Andreev, A. A. Petrov, A. I. Yagovkina, I. Р. Nikitina. //Materials Science and Engineering В. 1997. Vol. 46. P. 254.

27. Дорожкин А. А., Крысов Г. А., Петров А. А, Оже-спектроскопия при ионном облучении как метод контроля поверхности твердых тел // ЖТФ. 1978. Т. 44. С. 526.

28. Дорожкин А. А., Петров А. А, Петров Н. Н, Структура энергетических спектров при облучении твердых тел ионами средних энергий // ФТТ. 1978. Т. 20, вып. 9. С. 2867 2869.

29. Дорожкин А. А., Петров А. А, Петров Н. Н. О роли Оже-процессов в ионно-электронной эмиссии, вызываемой легкими частицами // ФТТ. 1978. Т. 20, вып. 4, С. 1270- 1272.

30. Дорожкин А. А., Петров А. А, Петров Н. Н, Ионная Оже-спектроскопия и химическая связь в соединениях// ФТТ. 1979. Т. 31В. 3. С. 930 931.

31. Петров А. А. Исследование энергетических спектров Оже-электронов при облучении твердых тел ионами средних энергий: Дис. . канд. физ. мат. наук / ЛПИ им. М. И. Калинина. JI. 1982.

32. Мотт М., Месси Г. Теория атомных столкновений. М: Мир, 1976.

33. Никитин Е. Е. , Уманский С. Я. Неадиабатические переходы при медленных атомных столкновениях, М.: Атомиздат, 1979.

34. Экштайн В. В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. М.: Мир, 1995.

35. Коулсон Ч. Валентность. М.: Мир, 1965.

36. Петров А. А. Ионная Оже-спектроскопия карбида кремния // Изв. ЛЭТИ. 1992. Вып. 457. С. 22-25.

37. Prewett P. D., Jefferiess D. К., J. Focused ion beam repair: staining of photomasks and reticles// Phys. D. Appl. Phys. 1980. Vol. 13. P. 1747.

38. Мюллер Э. и Цонь Т. Автоионная микроскопия (принципы и применение). М.: Металлургия, 1972.

39. Gomer R. Adsorption and Diffusion of Inert Gases on Tungsten // J. Chem. Phys. 1958. Vol. 29. P. 441 443.

40. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики М.: Высшая школа, 1963.

41. Biersack J. P. Eckstein W. Sputtering studies with the Monte Carlo Program TRIM.SP // Appl. Phys. 1984. A 34. P. 73.

42. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел. M.: Иностранная литература, 1962.

43. Woods J. F. Investigation of the Photoconductive Effect in Lead Sulfide Films Using Hall and Resistivity Measurements // Phys. Rev. 1957. Vol. 106. P. 235.

44. Volger J. Note on the Hall Potential Across an Inhomogeneous Conductor // Phys. Rev. 1950. Vol. 79. P. 1023.

45. Devis L. and Greene R. F. Interpretation of hall effect data in PbS polycrystalline films //. Appl. Phys. Letts. 1967. Vol. 11. P. 227.

46. Snowden D. P. и Portis A. M. Electrical Structure of PbS Films // Phys. Rev. 1983. Vol. 120. P. 1960.

47. Petritz R. L., Lummis F. L. Surface studies on photoconductive lead sulfide films / Semiconductor Surface Physics. UPP: Philadelphia, 1957.

48. Кайданов В. И., Немов С. А.,. Равич Ю. И. Самокомпенсация электрически активных примесей. // ФТП. 1994. Т. 28, вып. 3. С. 369 — 384.

49. Немов С. А., Осипов П. А. Примесь Bi в PbSe // ФТП. Т. 35, вып. 6. С. 731 -777.

50. Zykov V. A., Gavrikova Т. A., Nemov S. A. Characteristics of self-compensation in PbSe: CI: Se films // Semiconductors. 1996. Vol. 30. P. 4.

51. Zemel J. N., Jensen J. D. Electrical and Optical Properties of Epitaxial Films of PbS, PbSe, PbTe, and SnTe // Phys. Rev. 1965. Vol. 140, №1 A. P. A330.

52. Harada R. H., Properties of PbS thin films according to the thermal annealing/ J. Chem. Phys. 1956. Vol. 24. P. 447.

53. Midden H.T. Oxidization of PbS thin films // Jorn. Chem. Phys 5, 241. 1956

54. Humphrey J. N. Scanlon W. W. Funneling of PbS in different gas atmospheres//Phys. Rev. 1954. Vol. 96. P. 259

55. Rittner E.S. Concerning the Theoiy of Photoconductivity in Infrared-sensitive Semiconducting Films// Science. 1950. Vol. Ill P. 685.

56. Slater J.C. Barrier Theory of the Photoconductivity of Lead Sulfide // Phys. Rev. 1956. Vol. 103. P 1631.

57. Taylor W. E. Odel N. H. Fan H. Y. Grain Boundary Barriers in Germanium // Phys. Rev. 1952. Vol. 88. P. 867 972.

58. Неустроев JI. H., Осипов В. В. О механизме протекания тока и фототока поликристаллах PbS //ФТП. 1984. Т 18, вып. 2. С. 359-36244.

59. Неустроев JI. Н., Осипов В. В. О фотоэлектрических свойствах мелкозернистых поликристаллических пленок сульфида свинца // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. №8. С. 12 16.

60. Неустроев Л.Н., Осипов В. В. О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS // ФТП. 1987. Т. 21, №12. С. 2159-2152.

61. Неустроев JI.H., Осипов В. В. Физические процессы в фоточувствительных поликристаллических пленках халькогенидов свинца // Микроэлектроника. 1988.Т. 17, вып. 5. С: 399-416.

62. Анисимова Н. П., Глобус Т. Р., Николаева Т. Г., Олеск А. О. Подвижности дырок и электронов в поликристаллических фоточувствительных слоях PbSe // ФТП. 1987. Т. 21, №1. С. 37 41.

63. Селиванов Н. М., Шнейдер В. А., Зубова Г. А. О разложении селенатов стронция, бария и свинца // Журнал неорганической химии. 1958. Т. 4, №5, С. 1299- 1303.

64. Кудрявцева Р. В., Семилетов С. А., Переведенцева Г. И. Некоторые структурные и электрические свойства пленок сернистого свинца // Кристаллография. 1967. Т. 12, №3. С. 109 112.

65. Sosnowski L.O., Starkiewicz J., Simpson О. Lead sulphide photocon-ductive cells //Nature. 1947. Vol. 159. P. 818.

66. Верцнер В. H., Малахов В. П., Соловьев Н. П. О природе центров фоточувствительности в физических слоях PbS // ЖФХ. 1970, №1. С. 460 464.

67. Нуриев И. Р., Салаев Э. Ю., Шарифова Ф. К. Влияние условий выращивания на структуру, морфологию и электрофизические свойства пленок PbS // Поверхность. 1987, №2. С. 123 125.

68. Петров В. И., Прохоров В. А., Юнович А. Э. // Исследование локальных неоднородностей фоточувствительности и люминесценции пленок халькогенидов свинца в растровом электронном микроскопе // ФТП. 1984.Т. 18, №3. С. 484-488.

69. Streltsov Е. A. Electrochemical deposition of PbSe films // Electrochemical Acta. 1982. Vol. 43. P. 869 873.

70. V. A. Zykov, T. A. Gavrikova, S. A. Nemov. Characteristics of self-compensation in PbSe: CI: Se films // Semicondactors. 1996. Vol. 30. P. 4 7.

71. Даварашвили О. И., Долгинов Л. М., Елисеев П. Г. и др. Многокомпонентные твердые растворы соединений А4 В6 // Квантовая электроника. 1977. Т. 4., № 4. С. 904 907.

72. Зломанов В. П., Новоселова А. В.Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом // ДАН СССР. 1961. Т. 247, №3. С. 607.

73. Абрикосов Н. X. Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений А4 Вб- М.: «Наука», 1975.

74. Воронина И. П., Семилетов С. А. Получение, структура и некоторые свойства монокристальных пленок селенида свинца // ДАН СССР. 1963. Т. 152, №6. С. 1350- 1353.

75. Зарифьянц Ю. А., Попик Ю. В. О природе центров фоточувствительности в физических слоях PbS // ФТП. 1966, вып. 3. С.456-458.

76. Бойкин Н.Б., Кутолин С.А. Физико-химические свойства соединений А4В6, пироэлектриков и основы технологии изготовления РЖ-приемников, М.: Электроника, 1979.

77. Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М. Грина, М.: Мир, 1972.

78. Алексеева Г. Т., Гуриева Е. А., Константинов П. П., Равич Ю. И. Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия // ФТП. 1957. Т.31, №5. С.528.

79. Левченко В. И., Постнова Л. И., Дикарева В. В. Некоторые особенности адсорбции кислорода пленками сульфида свинца / ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 3. С. 57-59.

80. Поповкин Б. А., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Изучение термодинамического разложения селената и селенита свинца // ЖНХ. 1967.Т. 5, вып. 10. С. 261-264.

81. Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Исследование микроструктуры и фазового состава поликристаллических слоев селенида свинца в процессе термического окисления // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32, №3. С. 465-477.

82. Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Влияние примесей на кинетику и механизм термического окисления поликристаллических слоев PbSe // Неорганические материалы. 2006. Т 42, №9. С. 1040 1049,

83. Зломанов В. П. Получение и исследование некоторых физико-химических свойств селенида свинца: Автореф. дис. . канд.^хим. наук. М. 1962. С. 10-12.

84. Верцнер В. Н., Малахов В. П., Соловьев Н. П. О природе центров фоточувствительности в физических слоях PbS // ЖФХ. 1970, №1. С. 460 463.

85. Гамарц А. Е., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Фотолюминесценция в поликристаллических слоях PbixCdxSe, активированных в присутствии паров йода // ФТП. 2006. Т. 40, вып. 6. С. 683 685.

86. Simmons J.G. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34. P. 1793 1803.

87. Simmons J.G., Potential barriers and emission-limited current flow between closely spaced parallel metal electrodes, J. Appl., Phys. 1963. Vol. 34. P. 2581 — 2590.

88. Stratton R., Theory of field emission from semiconductors // Phys. Rev. 1962. Vol. 125. P. 67-82.

89. Kao К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир, 1984.

90. Pitelli Е. Tunnel emission into an insulation film with traps // Solid-State Electron. 1963. Vol. 6. P. 667 710.

91. Извозчиков В. А. Тимофеев О. А. Фотопроводящие оксиды свинца в электронике. JL: Энергия, 1979.

92. Mott N. F. On the transition to metallic conduction in semiconductors // Can. J. Phys. 1956. Vol. 34. P. 1356 1358.

93. Елинсон M. И., Степанов Г. В., Перов П. И., Покалякин В. И., Основные механизмы переноса носителей заряда в пленочных системах. В сб. статей Вопросы пленочной электроники. М.: «Сов. Радио», 1966.

94. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках. Под. ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1969.

95. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства А. С. Валеев, Б. Н.Дягилев, А. А.Львович и др. // Электронная промышленность. 1994. № 6. С. 75 79.

96. Paz de Araujo С. A., Taylor G. W. Integrated ferroelectrics //Ferroelectrics. 1991. Vol. 116. P. 215-228.

97. Gerlach G., Suchaneck G. Properties of sputter and sol-gel deposited PZT thin films for sensor and actuator applications: preparation, stress and space charge distribution, self poling // Ferroelectrics. 1999. Vol. 230. P. 109-114.

98. Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications//Ferroelectric Review. 1998. Vol. 1,№ l.P. 1-129.

99. Storage and erasure of optical information in Pt-PZT-SnC>2 thin film structures / P. V. Afanasjev, V. P. Afanasjev, D. Yu. Bulat et al. // Ferroelectrics. 2005. Vol. 318. P. 35-40.

100. Косцов Э.Г. Тонкопленочные пироэлектрические приемники излучения // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы: Сб. статей. Вып. 10. М.: Радио и связь, 1989. С. 51 66.

101. Petrovsky V. I., Sigov A. S., Vorotilov К. A. Microelectronic applications of ferroelectric films. // Integrated Ferroelectrics. 1993. Vol. 3. P. 59 68.

102. Ferroelectric thin films in integrated microelectronic devices / J.F.Scott, C. A. Paz de Araujo, L. D. Mc. Millan, at. al. // Ferroelectrics. 1992. Vol. 133. P. 47-61.

103. Wu S. Y. A new ferroelectric memory device, metall-ferroelectric-semiconductor transistor // IEEE Trans. Electron Devices. 1974. V.ED-21, № 8. P. 499-504.

104. Rabson T. A., Rost T. A., He Lin. Ferroelectric gate transistors // Integrated Ferroelectrics. 1995. Vol. 6. P. 15 22.

105. BaMgF4 thin film development and processing for ferroelectric FETS / S. Sinharoy, H. Buhay, M. H. Francombe et al. // Integrated Ferroelectrics. 1993. Vol. 3. P. 217-223.

106. Технология, свойства и применение сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе / Под. ред. В. П. Афанасьева, А. В. Козырева. СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд. «Элмор», 2007.

107. Сигов А.С. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике // Соросовский образовательный журнал. 1996. № 10. С. 83-91.

108. Scott J.F., Pouligny B. Raman spectroscopy of submicron KN03 films. II. Fatigue and space-charge effects // J. Appl. Phys. 1988. 64. P. 1547.

109. Nanoscale imaging of domain dynamics and retention in ferroelectric thin films / A. Gruverman, H. Tokumoto, A. S. Prakash et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. 71. P. 3492.

110. Direct observation of region by region suppression of the switchable polarization (fatigue) in Pb(Zr,Ti)03 thin film capacitors with Pt electrodes / E. L. Colla, S. Hong, D. V. Taylor et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. 72. P. 2763.

111. Quantitative measurement of space-charge effects in lead zirconate-titanate memories / J. F. Scott, C. A. Araujo, В. M. Melnick et al. // J. Appl. Phys. 1991. 70. P. 382.

112. Mills G., Gordon M. S., Metiu H. Oxygen adsorption on Au clusters and a rough Au(lll) surface: The role of surface flatness, electron confinement, excess electrons, and band gap // J. Chem. Phys. 2003. 118. P. 4198.

113. Brennan C. Model of ferroelectric fatigue due to defect domain interactions // Ferroelectrics. 1993. Vol. 150. P. 199.

114. Arlt G., Neumann H. Internal bias in ferroelectric ceramics: Origin and time dependence//Ferroelectrics. 1988. 87. P. 109.

115. Vacancy ordering in reduced barium titanate / D. I. Woodward, I. M. Reaney, G. Y. Yang et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. 84. P. 4650.

116. Polarization fatigue in ferroelectric films: Basic experimental findings, phenomenological scenarios, and microscopic features / A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, E. L. Colla et al. // J. Appl. Phys. 2001. 90. P. 1387.

117. Dawber M., Rabe К. M., Scott J. F. Physics of thin-film ferroelectric oxides // Cond. Mat. 2005. Vol. 1. P. 1-47.

118. Watanabe Н., Minara Т., Paz de Araujo С. A. Device effects of various Zr/Ti ratios of PZT thin films prepared by sol-gel method // Integrated Ferroelectrics. 1992. Vol. l.P. 293 -304.

119. Glinchuk M. D., Morosovska A. N. Ferroelectric thin film self-polarization indused by mismatch effect // Ferroelectrics. 2005. Vol. 317. P. 125 133.

120. Electrical characteristics of 25 nm Pb(Zr,Ti)03 thin films grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition / С. H. Lin, P. A. Friddle, X. Lu et al. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88, № 4. P. 2157-2159.

121. Asymmetrical leakage currents as a possible origin of the polarization offsets observed in compositionally graded ferroelectric films / R. Bouregba, G. Poullain, B. Vilquin, G. Le Rhun // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 93. P. 5583-5591.

122. Structural, ferroelectric and optical properties of PZT thin films / S. K. Pandeya, A. R. Jamesa, R. Ramana et al. // Physica B. 2005. Vol. 369. P. 135-142.

123. Characteristics of Pt/SrTi03/Pb(Zro,52,Tio,48)03/SrTi03/Si ferroelectric gate oxide structure / D. S. Shin, S. T. Park, H. S. Choi et al. // Thin solid films. 1999. Vol. 354. P. 251-255.

124. Sputter-deposition of lll.-axis oriented rhombohedral PZT films and their dielectric, ferroelectric and pyroelectric properties / M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. Vol. 26. P. 550-553.

125. Ferroelectric film self-polarization / E. Sviridov, I. Sem, V. Alyoshin et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1995. Vol. 361. P. 141-146.

126. Stresses in Pt/Pb(Zr,Ti)03/Pt thin-film stacks for integrated ferroelectric capacitors / G. Spierings, G. J. Dormans, W. G. Moors et al. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P .926-933.

127. Self-polarization effect in Pb(Zr,Ti)03 thin films / A. L. Kholkin, K. G. Brooks, D. V. Taylor et al. // Integrated Ferroelectrics. 1998. Vol. 22. P. 525-533.

128. Self-polarization in PZT films / K. W. Kwok, B.Wang, H. L. W. Chan et al. //Ferroelectrics. 2002. Vol. 271. P. 69-74.

129. Jimenez R., Alemany C., Mendiola J. Top electrode induced self-polarization in CSD processed SBT thin films. // Ferroelectrics. 2002. Vol .268. P. 131 136.

130. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца / В. П. Афанасьев, И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов и др. // ФТТ. 2002. Т. 44. С. 739-744.

131. Hiboux S., Muralt P. Origin of voltage offset and built-in polarization in in-situ sputter deposited PZT thin films // Integrated Ferroelectrics. 2001. Vol. 36. P. 83 -92.

132. Glinchuk M. D., Morosovska A. N. Ferroelectric thin film self-polarization indused by mismatch effect // Ferroelectrics. 2005. Vol. 317. P. 125-133.

133. Polla D. L. Microelectromechanical systems based ferroelectric thin films // Microelectronic Engineering. 1995. Vol. 29. P. 51 58.

134. Whatmore R. W. Ferroelectrics, microsystems and nanotechnology // Ferroelectrics. 1999. Vol. 225. P. 179 192.

135. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир. 1974.

136. Xu Yu. Ferroelectric materials and their applications. Amsterdam-London

137. New York-Tokyo: N. Holland, 1991.

138. Electrodes for ferroelectric thin films / H. N. Al-Shareef, K. D. Gifford, S. H. Rou et al. // Integrated Ferroelectrics. 1993. Vol. 3. P. 321-332.

139. Афанасьев В. П., Пронин И. П., Соснин А. В. Сегнетоэлектрические пленки для многослойных структур на диэлектрических подложках. // Препринт Международного центра "Институт прикладной оптики" НАН Украины. Киев, 1996. С. 54.

140. Формирование и исследование свойств пленок цирконата титаната свинца на диэлектрических подложках с подслоем платины / В. П. Афанасьев, Е. Ю.Каптелов, Г. П.Крамар и др. // ФТТ. 1994. Т. 36, вып. 6. С. 1657-1665.

141. Афанасьев П. В., Коровкина Н. М. Технология формирования платиновых электродов для субмикронных конденсаторных структур с сегнетоэлектрическими пленками ЦТС // Вакуумная техника и технология, 2006. Т. 16, вып.З. С. 215-219.

142. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990.

143. Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в тонкопленочных структурах электроники // ПТЖ. 2006. Вып. 4. С 49-78.

144. Pratton М. Introduction to surface physics. Oxford: Clarendon Press, 1994.

145. Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications // Ferroelectric Review. 1998. Vol. 1, № 1. P. 1 129.

146. Shottky barrier effects in the electronic conduction of sol-gel derived lead zirconate titanate thin film capasitors / Y. S. Yang, S. J. Lee, S. H. Kim et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 5005-5011.

147. Tybell Т., Ahn С. H., Triscone J. M. Ferroelectricity in thin perovskite films // Appl. Phys. Letters. 1999. Vol. 75, № 6. P. 9.

148. Trap Charge Density at Interfaces of MOCVD Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiC>2/Si) Structure / L. Delimova, I. Grekhov, D. Mashovets et al. // Proc. of MRS2005 Fall Meeting, V. 902E. P. 10-27.

149. Thickness dependence of structural and electrical properties in epitacxial lead zirconate titanate films / V. Nagarjan, I. G. Jenkins, S. P. Alpay et al. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86, № 1. P. 595-602.

150. Depletion layer thickness and Schottky type carrier injection at the interface between Pt electrodes and (Ba, Sr)Ti03 thin films / C. S. Hwang, В. T. Lee, C. S. Kanget al. // Appl. Phys. Letters. 1999. Vol. 85, № 1. P. 287-295.

151. Берман Л. С., Титков И. Е. Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник // ФТП. 2004. Т. 38, вып. 6. С. 710-715.

152. S.P. Alpay, I.B. Misirlioglu, A. Sharma, Z.-G. Ban. Structural characteristics of ferroelectric phase transformations in single-domain epitaxial films. // Applied Physics Letters. 2004. V. 95, № 12. P. 8118 8123p.

153. Self-polarized PZT thin films: deposition, characterization and application / G. Suchaneck, T. Sandner, A. Deineka et al. // Ferroelectrics. 2004. Vol. 289. P. 309-316.

154. Discharging current-voltage characteristics of ferroelectric thin films / S. H. Paek, J. Won, K. S. Lee et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Vol. 35. P. 5757.

155. Афанасьев В.П., Мосина Г.Н., Петров A.A., Пронин И.П., Сорокин JI.M., Тараканов Е.А. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца. // Письма в ЖТФ, 2001, т.27, №11, с.56-63.

156. Ferroelectricity in thin perovskite films / M. Alguero, M. L. Calzada, L. Pardo et al. // J. Eur. Ceram. Soc. 1999. Vol. 19. P. 1481.

157. Thick-film printing of PZT onto silicon / S. U. Chung, J. W. Kim, G. H. Kim et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. Vol. 36. P. 4386.

158. Fabrication and Electrical Characterization of Pt/(Ba,Sr)Ti03/Pt Capacitors for Ultralarge-Scale Integrated Dynamic Random Access Memory Applications / S. O. Park, C. S. Hwang, H. J. Cho et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Vol. 35. P. 1548. ,

159. Dependence of electrical properties on film thickness in Pb(ZrxTi \ ~х)Оз thin films produced by metalorganic chemical vapor deposition / Y. Sakashita, H. Segawa, K. Tominaga, M. Okada // Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 7857.

160. Thickness and erbium doping effects on the electrical properties of lead zirconate titanate thin films / M. Es-Souni, N. Zhang, S. Iakovlev, C.-H. Solterbeck // Thin Solid Films. 2003. Vol. 440. P. 26-34.

161. A comparative study on the electrical conduction mechanisms of Ba035Sr()35.TiO3 thin films on Pt and 1Ю2 electrodes / C. S. Hwang, В. T. Lee, C. S.

162. Kang et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. P. 3702-3713.

163. Thickness Dependence of the Electrical Properties for PZT Films / S. H. Lee, H. J. Joo, J. P. Kim et al. // Journal of the Korean Physical Society. 1999. Vol. 35. P. SI 172—SI 175.

164. J.F. Scott, Ferroelectric Memories, Springer, Berlin, 2000, p.79 94.

165. Stolichnov I., Tagantsev A. Space-charge influenced-injection model for conduction in Pb(ZrTi)03 thin films // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 3216.

166. Effect of interfaces on the properties of polycrystalline thin-film PZT ferroelectric capacitors / L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets et al. // Abstracts of MRS2006 Fall Meeting, Nov. 27 Dec. 1, 2006. Boston, MA. P. 607.

167. Ageing of Thin-Film Capacitor Structures Based on PZT / L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets et al. // The 8th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-8). Tsukuba, 15-19 may 2006. P. 35.

168. Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии М: Техносфера, 2004.

169. Nagarajan V., Jenkins I. G., Alpay S. P. Thickness dependence of structural and electrical properties in epitaxial lead zirconate titanate films // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86, № 1. P. 595 603.

170. Constant-current study of dielectric breakdown of Pb(Zr,Ti)03 ferroelectric film capacitors / I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter et al. // Integrated Ferroelectrics. 2001. Vol. 32. P. 45-54.

171. Rodriguez Contreras, J., H. Kohlstedt, U. Poppe Resistive switching in metal-ferroelectric-metal junctions // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 4595.

172. J. F. Scott. Dielectric breakdown in high-e films for ulsi DRAMs: III. Leakage current precursors and electrodes // Integr. Ferroelectr. 1995. Vol. 9. P. 1.

173. Zheng L., Lin С., Ma T.-P. Current — voltage characteristic of asymmetric ferroelectric capacitors // J. Phys. D. 1996. Vol. 29. P. 457.

174. Fabrication and Electrical Characterization of Pt/(Ba,Sr)Ti03/Pt Capacitors for Ultralarge-Scale Integrated Dynamic Random Access Memory Applications / S. O. Park, C. S. Hwang, H.-J. Cho et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Part 1. Vol. 35. P. 1548.

175. Interface potential barrier height and leakage current behavior of Pt/(Ba,Sr)Ti03/Pt capacitors fabricated by sputtering process / C. S. Hwang, В. T. Lee, S. O. Park et al. // Integr. Ferroelectr. 1996. Vol. 13. P. 157.

176. Dey S., Lee J.-J., Alluri P. Electrical Properties of Paraelectric (РЬо,72^ао,28)Т10з Thin Films with High Linear Dielectric Permittivity: Schottky and Ohmic Contacts // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. Part 1. Vol. 34. P. 3142.

177. Dietz G. W., Waser R. Charge Injection into SrTi03 thin films // Thin Solid Films. 1997. Vol. 53. P. 299.

178. Scott J. F. Electrode-dielectric interface in thin-film DRAMs for ULSI // Integr. Ferroelectr. 1994. Vol. 5. P. 103.

179. Waser R. M. Dielectric analysis of intergrated ceramic thin film capacitors // Integr. Ferroelectr// 1997. Vol. 15. P. 39.

180. Фоменко B.C., Подчерняева И.А, Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. М.: Атомиздат, 1975.

181. Metallization induced band bending of SrTi03(100) and BaojSro^TiC^ / M. Copel, P. R. Duncombe, D. A. Neumayer et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. P. 3227.

182. Depletion layer thickness and Schottky type carrier injection at the interface between Pt electrodes and (Ba,Sr)TiC>3 thin films / C. S. Hwang, В. T. Lee, C. S. Kang et al.//J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85, № 1. p. 342.

183. Electrode influence on the charge transport through SrTi03 thin films / W. Dietz, W. Antpijhler, M. Klee, R. Waser // Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 15.

184. Dielectric breakdown in high-s films for ULSI DRAMs / J. E. Scott, В. M. Melnick, L. D. McMillan, C. A. Paz de Auraujo // Integr. Ferroelectrics. 1993. Vol. 3. P. 259.

185. Characterization of conduction in PZT thin films produced by laser ablation deposition / X. Chen, A. I. Kingon, L. Mantese et al. // Integr. Ferroelectrics. 1993. Vol. 3.P. 355.

186. Shottky barrier effects in the electronic conduction of sol-gel derived lead zirconate titanate thin film capasitors / Y. S. Yang, S. J. Lee, S. H. Kim et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 5005-5011.

187. Influence of Pt heterostructure bottom electrodes on SrBi2Ta2C>9 thin film properties / S.-H. Kim, D. J. Kim, J.-P. Maria, A. I. Kingon // Appl. Phys. Letter. 2000. Vol. 76. P. 24.

188. Leakage Current Properties of (Ba,Sr)Ti03 Films on Doped (Ba,Sr)Ru03 electrodes / B. S. Kim, S. H. Oh, S. Y. Son et al. // Journ. of the Korean Physical Society. 2002. Vol. 41, № 2. P. 227-231.

189. Joo J. H., Seon J. M. Improvement of leakage currents of Pt/(Ba,Sr)Ti03 / Pt capacitors // Appl. Phys. Letter. 1997. Vol. 70. P. 1231.

190. Suppression of leakage current in Ce-doped Вао^го^ТЮз thin films controlled by different leakage mechanisms / S. Y. Wang, С. C. Wang, S. Y. Dai et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 4116.

191. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.416 с.

192. Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT / В. К. Ярмаркин, Б. М. Гольцман, М. М. Казанин, В. В. Леманов // ФТТ. 2000. Т. 42, вып. 3. С. 511-516.

193. Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики — полупроводники. М.: Наука, 1976.

194. Brody P. S., Rod В .J. Photovoltages in ferroelectric films // Integrated Ferroelectrics. 1992. V. 2. P. 235 245.

195. Simmons J .G., Taylor G. W. High-field isothermal currents and thermally stimulated currents in insulators having discrete trapping levels. // Phys. Rev. 1972. B5.P. 1619- 1629.

196. Delimova L. A., Grekhov I. V., Mashovets D. V., Titkov I. E., Afanasjev V. P., Afanasjev P. V., Kramar G. P., Petrov A. A. Ageing of Thin-Film Capacitor

197. Structures Based on PZT // The 8th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-8). Abstract book. May 15-19, 2006. Tsukuba. P.35.

198. Delimova L. A., Yuferev V.S., Grekhov I. V., Afanasjev P. V., Kramar G. P., Petrov A. A., Afanasjev V. P. Origin of photoresponse in heterophase ferroelectric Pt/Pb(ZrTi)03/Ir capacitors // Appl. Phys. Lett. 2007. V.91. P. 3.

199. Афанасьев П. В., Петров А. А. Изотермическое затухание фототока в структурах Pt-H,TC-Pt // Тезисы XI Международной конференции по физике диэлектриков, 2008 , Санкт-Петербург, с. 17.

200. Афанасьев В. П., Афанасьев П .В., Петров А. А. Межзеренные границы раздела в наноструктурированных пленках цирконата-титаната свинца. Механизм старения. // Тезисы XI Международной конференции по физике диэлектриков, 2008 , Санкт-Петербург, с. 22.

201. Афанасьев В. П., Афанасьев П. В., Петров А. А. Механизм сквозной проводимости в конденсаторных структурах с гетерофазными пленками ЦТС // Тезисы XI Международной конференции по физике диэлектриков, 2008 , Санкт-Петербург, с. 31.

202. Патент РФ на полезную модель № 71023 /, Афанасьев В. П., Афанасьев П. В., Грехов И. В., Делимова JI. А., Крамар Г. П., Машовец Д. В. Петров А. А. Сегнетоэлектрическое устройство с оптическим считыванием. Опубл. 20.02.2008. Бюл. 5

203. Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в поликристаллических пленках и структурах на их основе СПб: ЗАО «Инсанта» / Изд-во «Литера»,2008. 196 с.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.