Гетерофазные процессы в пленочных сенсорных структурах на кремнии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, доктор химических наук Тутов, Евгений Анатольевич

• Тутов, Евгений Анатольевич
• доктор химических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор химических наук Тутов, Евгений Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ ДЛЯ СЕНСОРОВ

И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.

1.1. Механизмы сорбционной чувствительности полупроводниковых материалов и структур.

1.1.1. Адсорбция газов на оксидных полупроводниках.

1.1.2. Газочувствительные структуры с гетеропереходами.

1.1.3. Физические принципы работы и характеристики микроэлектронных сенсоров влажности.

1.2. Методы исследования электронных процессов в полупроводниковых гетероструктурах.

1.2.1. Исследование гетерогенных структур на постоянном и переменном токе.

1.2.2. Физические основы метода высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).

1.3. Воздействие гармонических (высокочастотных) и импульсных электромагнитных излучений (ЭМИ) на материалы и твердотельные структуры.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гетерофазные процессы в пленочных сенсорных структурах на кремнии»

Актуальность темы.

Достижения современного микроэлектронного приборостроения базируются на сочетании развитой теории твердого тела, химии и физики полупроводников с успехами в технологии получения качественных монокристаллов и структур на их основе, в первую очередь, в области кремниевой технологии [1].

Наряду с этой генеральной линией, все большее значение приобретают фундаментальные и прикладные исследования материалов, отличающихся от совершенных полупроводников и диэлектриков различными по характеру и масштабу пространственно - энергетическими неоднородностями, имеющих сложные профили распределения легирующей примеси и локализованных состояний на гетерограницах, аморфных, нанокристаллических, пористых, (микро)гетерогенных и гетерофазных [2]. Такие материалы и структуры на их основе зачастую обладают рядом уникальных свойств, отсутствующих у их монокристаллических аналогов, что определяет актуальность их изучения и приоритет его прикладного аспекта.

Среди актуальных проблем химии твердого тела, решение которых имеет большое практическое значение для твердотельной электроники, важное место занимает установление закономерностей гетерофазных процессов на поверхностях и границах раздела твердотельных структур, изучение влияния внешних воздействий на динамику электрически активных дефектов и физико-химические характеристики гетерогенных систем [3,4].

Прогресс в решении этих задач связан как с традиционными методами исследования, так и требует разработки новых неразрушающих методик, обладающих высокой чувствительностью и пространственной локальностью анализа. Развитием такого нового направления изучения электронно-ионных процессов в многослойных структурах типа металл-диэлектрикполупроводник (МДП) является использование "молекулярного зондирования" объекта при сорбционно-десорбционном воздействии в комбинации с методиками электрофизических исследований.

Исследование функциональных гетероструктур с неупорядоченными (нанокристаллическими) полупроводниками формируется в самостоятельное научное направление на стыке полупроводникового материаловедения, микросистемной техники и сенсорики [5].

В то же время, формирование нового научного направления сопровождается естественными сложностями, связанными с выработкой адекватной терминологии, попытками обобщений развитых теоретических моделей и адаптацией доказавших свою эффективность экспериментальных методик к более сложным объектам.

Классическая схема исследований полупроводникового материаловедения, примером реализации которой может служить одна из первых наших научных работ [6], - основанный на диаграмме состояния синтез совершенного монокристалла, детальное изучение его атомного строения, электронной структуры, оптических и электрофизических характеристик и на этой базе выработка заключений о возможных функциональных приложениях - малоэффективна для неупорядоченных материалов. В этом случае плодотворной может оказаться обратная последовательность - изготовление и исследование функциональной структуры, анализ реакций которой на внешние воздействия служит основанием для характеризации используемых материалов.

Высокая чувствительность электрофизических параметров таких структур к внешним воздействиям и свободный доступ к гетерогранице молекул адсорбатов со стороны неупорядоченного полупроводника позволяют использовать эти структуры в качестве химических и газовых сенсоров (основное направление функциональных приложений), а также для изучения структурно-энергетических характеристик неупорядоченных материалов и процессов в них под действием внешних факторов.

Здесь уместны некоторые терминологические замечания. Классическое понимание термина "гетероструктура" как контакта двух монокристаллических слоев с одинаковым строением кристаллической решетки и близкими параметрами элементарной ячейки [7] может быть обобщено на контакт существенно различных материалов, в том числе и не монокристаллических, по крайней мере один из которых в свою очередь сам может быть гетерогенным или гетерофазным [8].

Для таких материалов другой смысл приобретает термин "дефект". Такой дефект, как центр окраски, в пленках аморфного триоксида вольфрама (а-\¥Оз) вызывает повышение упорядоченности в их строении [9]. Пора как макроскопический дефект для кристаллических материалов, в пористом кремнии (рог-80 становится полноправным структурообразующим, элементом, наравне с кристаллическим остовом кремния определяющим его специфические свойства [10].

Строение аморфных пленок триоксида вольфрама описывается микрокристаллической моделью (по исторически сложившейся терминологии). Характерный размер "микрокристаллитов" в а-\¥Оз порядка 1 нм, что позволяет отнести его к нанокристаллическим' материалам. В пористом кремнии типичный диаметр пор и нитей кремниевого остова тоже порядка единиц нанометров.

По современной терминологии, к наноструктурным (нанокристаллическим, нанофазным, наноразмерным) материалам относят объекты с характерным размером менее 100 нм [11]. Малый размер зерна приводит к появлению уникальных физико-химических свойств, что привлекает интерес широкого круга специалистов в различных областях физики и химии твердого тела, наноэлектроники, материаловедения и перспективных технологий. Сопоставимость геометрических размеров нанокристаллитов с молекулярными размерами определяет высокую скорость химических превращений в таких системах.

Общей особенностью таких материалов является резкое возрастание вклада поверхностной энергии в общую свободную энергию системы, что обусловливает высокую активность наноматериалов в гетерогенных взаимодействиях и специфику методов их экспериментального изучения.

В большинстве современных устройств микроэлектроники активно действующей областью приборов, как правило, является тонкий слой полупроводника, приповерхностная область или граница раздела двух сред. Развитие планарной технологии привело к созданию МДП структур. Диэлектрическим слоем может служить весьма широкий круг материалов, включающий оксиды полупроводников и металлов, поэтому часто используют название МОП структуры.

Представляя собой основу конструкций большого числа приборов, МДП структуры в то же время являются удобными объектами физических исследований, на которых могут быть выяснены механизмы электронных процессов, протекающих на границах раздела фаз, а также в самих полупроводниках и диэлектриках [12-14].

Исследование электрофизических характеристик структур металл-оксид-полупроводник обычно включает измерение их вольт-фарадных характеристик (чаще всего высокочастотных) в случае диэлектрических оксидных слоев и измерение вольт-амперных характеристик (ВАХ) на постоянном токе в случае оксидных слоев, обладающих относительно высокой проводимостью.

С расширением номенклатуры МОП структур различного назначения возрастает интерес к "диэлектрическим" материалам, функциональная реакция которых связана с изменением их электропроводности. Традиционный анализ механизмов токопереноса в структурах с такими материалами, имеющий целью определение величин барьеров на гетерограницах, концентраций собственных носителей заряда и ловушечных центров, основан на измерении статических ВАХ.

Одной из принципиальных особенностей, характеризующих поверхность полупроводника или границу раздела двух фаз, является изменение энергетического спектра для электронов на поверхности по сравнению с объемом материала. Это различие связано с существованием на поверхности полупроводников (и диэлектриков) поверхностных состояний (ПС), параметры которых могут существенно изменяться при разного рода внешних воздействиях: электромагнитном излучении (ЭМИ) различного спектрального состава, потоках высокоэнергетических частиц, сорбционно-десорбционных процессах.

МДП структуры (или гетероструктуры) при этом могут выполнять функцию сенсора, детектора этих воздействий, а сами воздействующие факторы могут быть использованы для целенаправленного изменения характеристик материалов и структур или в качестве "зонда" для. исследования тех или иных параметров применяемых материалов, что составляет основу методического подхода настоящей диссертации.

Так как для гетерогенных систем зачастую характерен смешанный электронно-ионный механизм проводимости, важное значение приобретает исследование активной и реактивной составляющих проводимости в широком диапазоне частот переменного электрического поля [15], однако сложность и неоднозначность интерпретации результатов приводят к тому, что реальные достижения импедансной спектроскопии пока достаточно скромные и не имеют универсального характера.

Высокая частота измерительного сигнала в ряде случаев позволяет исключить большое число "медленных" процессов в исследуемом материале, поэтому значительная часть представляемых далее результатов получена с использованием методики высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВЧ ВФХ) [16]. Возможности методики ВФХ в исследовании поверхностных состояний делают ее исключительно важной при ' изучении полупроводниковых адсорбционных сенсоров, функционирование которых напрямую связано с электронными процессами на поверхности.

Общая отличительная черта методов вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик заключается в том, что они не только представляют собой инструмент исследования материалов и электронных процессов в них, но и в отличие от многочисленных других методов являются непосредственными функциональными параметрами приборных структур (диодов и варикапов).

Поскольку термины "гетероструктура" и "МДП структура" в данной работе мы используем как синонимы, сделаем еще некоторые разъяснения.

Термодинамически стабильные при нормальных условиях стехиометрические фазы высших оксидов металлов, о которых пойдет речь в дальнейшем ^Оз, 8п02), обладают шириной запрещенной зоны более 3 эВ и могут быть отнесены к диэлектрическим материалам. Однако типичным дефектом таких материалов является дефицит аниона (кислорода), и в зависимости от степени отклонения от стехиометрии они могут отличаться достаточно высокой электронной проводимостью и проявлять полупроводниковые свойства.

Упомянутые нестехиометрические высшие оксиды металлов — полупроводники п-типа проводимости. Тем не менее, в структурах с гораздо более узкозонным монокристаллическим кремнием они ведут себя как диэлектрики, и при приложении внешнего переменного электрического поля область пространственного заряда (ОПЗ) изменяется преимущественно в кремнии.

На возможность использования широкозонных полупроводников, толщина которых меньше длины экранирования, в качестве подзатворного диэлектрика МДП структур указывалось еще в работе Б.И. Сысоева [17], хотя предлагавшееся в то время обозначение подобных структур МП'П сейчас не является широко употребимым.

Использование электрофизических методов в исследованиях физической адсорбции и связанных с нею гетерофазных процессов в твердотельных структурах является крайне ограниченным, а количественная интерпретация резистивных измерений, проведенная с этой целью в отдельных работах, не представляется достаточно обоснованной.

К настоящему времени широко изученными являются механизмы гетерофазных реакций только для МДП сенсоров водорода с каталитически активным палладиевым затвором [5]. В данной диссертационной работе исследуются физико-химические процессы в МДП структурах с широким рядом "активных" в отношении адсорбции материалов подзатворного диэлектрического слоя, поэтому при обозначении структур металл и затворного, и базового электродов иногда не указывается.

Работа выполнена в соответствии с тематическим планом НИР Воронежского госуниверситета. Материалы диссертации используются при чтении студентам физического факультета ВГУ лекционного курса "Сенсоры измерительно-информационных систем". Объекты и методы исследования.

Объектами исследования являлись следующие материалы и структуры:

1) БЮг/Б^

2) УВагСизОу/ггОг/Э!;

3) (гпО, МО, Р<ЮХ, ЭпОг, \¥03, М)205; А1203)/81;

4) а-У/03№;

5) рог-Б^;

6) полиамид/8ц прополис/Б^ гидроксиапатит/Бь

Для получения указанных материалов и структур использовались следующие технологические методы:, вакуумная конденсация с термическим испарением, реактивным магнетронным распылением на постоянном токе и токе высокой частоты; термическое оксидирование; электрохимическое анодирование.

В исследованиях использовались следующие аналитические методы: рентгеновская спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, Оже-электронная спектроскопия, спектроскопия оптического поглощения, дифракция рентгеновских лучей, дифракция электронов высокой энергии; физико-химические методы: рН-метрия, хемография; электрофизические методы: вольт-амперных характеристик, диэлектрометрия, вольт-фарадных характеристик.

Были разработаны методики адсорбционно-емкостной порометрии, "поверхностной" емкости, высокочастотных вольт-амперных характеристик МДП структур.

Цель работы - установление фундаментальной связи "состав-строение-свойство" и закономерностей электронных процессов в сенсорных гетероструктурах, образуемых монокристаллическим кремнием со структурно - неоднородными широкозонными полупроводниками и диэлектриками, в том числе в условиях протекания поверхностных физико-химических реакций, вызванных адсорбцией газов.

В задачи исследования входило:

1. Определение характера воздействия наносекундных импульсов ЭМИ на параметры границы.раздела 8102/81 в кремниевых МДП структурах.

2. Определение технологических режимов воспроизводимого получения термическим испарением аморфных пленок триоксида вольфрама на различных подложках; изучение их структурных, электронных, оптических, электрофизических свойств и влияния на них внешних факторов - протекания тока, УФ облучения, сорбции газов и паров:

3. Разработка методики исследования влияния сорбции паров воды на электрофизические свойства гетероструктур а-ЛУОз/Б^ рог-81/8!, полиамид/кремний. Определение параметров прототипов сенсоров влажности емкостного типа на основе указанных структур.

4. Разработка методики исследования физико-химических свойств пористого кремния — хемографии, рН-метрии, адсорбционно-емкостной порометрии. Определение основных физико-химических характеристик пористого кремния.

5. Определение возможностей анализа высокочастотных вольт-фарадных характеристик МОП структур как косвенного метода исследования фазо- и дефектообразования при оксидировании тонких пленок металлов на кремнии. Развитие методики измерения "поверхностной" емкости.

6. Опредление основных электрофизических характеристик кремниевых МОП структур с несобственным оксидным слоем — БпОг, ZnO, АМОз, N10, МЬ205, РсЮх. Установление закономерностей в энергетическом распределении плотности поверхностных состояний.

Научная новизна работы.

1. Впервые установлено, что непродолжительное (секунды) воздействие на структуру 8102/81 видеоимпульсов электромагнитного излучения может индуцировать долговременную (сутки) релаксацию квазиравновесной дефектной системы диэлектрика и границы раздела. Во время воздействия наблюдается динамическая неравновесность ВЧ ВФХ.

2. Установлены различия в проявлении электро- и фотохромного процессов в стехиометрических и кислород-дефицитных пленках аморфного триоксида вольфрама. Предложена общая структурно-энергетическая модель образования центров окраски и объемного механизма газовой чувствительности а^Оз.

3. Разработана методика адсорбционно-емкостной порометрии и определены основные структурно-фазовые характеристики образцов пористого кремния, полученного электрохимическим анодированием.

4. Установлено, что сорбция паров воды влияет на объемную и поверхностную составляющие электрофизических характеристик аморфных пленок триоксида вольфрама, пористого кремния, ароматических полиамидов. Показано, что выбором частоты тестирующего сигнала возможно разделение вкладов от свободной и связанной воды, а также управление кинетикой сенсора. Обнаружено явление растекания заряда по проводящему слою гидратированных диэлектриков, а также возможность электролиза воды в сенсорах влажности.

5. Обнаружена общая особенность МОП структур с нестехиометрическими (анион-дефицитными) оксидами, заключающаяся в появлении моноэнергетического уровня на фоне непрерывного спектра поверхностных состояний. Установлено, что термооксидированием пленок металлов на кремнии с естественным подслоем ЭЮг могут быть сформированы МОП структуры с низкой плотностью поверхностных состояний гетерограницы.

6. Обнаружена хемографическая активность пористого кремния и показано, что его взаимодействие с водой сопровождается выделением водорода в ионной и атомарной формах. Измерен водородный показатель водной вытяжки пористого кремния и установлено, что вода в рог-Э! представляет собой протонный электролит.

7. Развита методика измерения "поверхностной" емкости МДП структур в условиях газовой адсорбции, и обнаружено явление немонотонной зависимости емкости от парциального давления сорбируемого газа при различном напряжении смещения.

8. Предложена альтернативная форма представления вольт-сименсных характеристик МДП структур как динамических вольт-амперных характеристик.

Практическая значимость исследований.

1. Облучение кремниевых МОП структур видеоимпульсами электромагнитного излучения наносекундной длительности может быть использовано в качестве неразрушающего бесконтактного метода выявления потенциально ненадежных структур.

2. Структурно-стабилизированные аморфные пленки триоксида вольфрама и кремниевые гетероструктуры на его основе могут быть использованы в качестве активного элемента газовых и химических сенсоров с объемным механизмом чувствительности к кислороду, водороду и водородсодержащим газам.

3. Поликристаллические пленки триоксида вольфрама представляют интерес для полупроводниковой микроэлектроники МОП структур как материал с большой диэлектрической проницаемостью (е ~ 200).

4. Конденсаторные структуры с пленками а-АЛЮз, рог-81 и полиамидов с ионогенными группами могут быть использованы в качестве сенсоров влажности емкостного типа, имеющих достаточно высокие чувствительность и быстродействие, а также как инструмент исследования сорбционных характеристик этих материалов, отличающийся высокой чувствительностью и локальностью анализа.

5. Использование методов хемографии и рН-метрии может быть применено для оценки пассивации поверхности рог-81 и ее планарной однородности.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту:

1. Зависимость электрической емкости кремниевых гетероструктур с пленками гидрофильных диэлектриков (аморфного триоксида вольфрама, пористого кремния, ароматических полиамидов) от относительной влажности определяется количеством сорбированной воды и характером ее распределения в диэлектрических слоях.

2. Методика адсорбционно-емкостной порометрии, основанная, на анализе зависимости высокочастотной емкости МДП сенсора от давления паров воды как изотермы адсорбции, позволяет определить основные структурно-фазовые характеристики пористого кремния - объемную пористость, степень связности пор, долю оксидной фазы.

3. Взаимодействие пористого кремния с водой, представляющее собой окислительно-восстановительный процесс, сопровождается ростом отрицательного электродного потенциала и выделением водорода в ионной и атомарной формах.

4. Механизм объемной хемосорбции водорода аморфными пленками триоксида вольфрама включает процессы адсорбции, диссоциации, диффузии и последующие структурно-энергетические перестройки, приводящие к образованию водородно-вольфрамовых бронз Нх^УОз.

5. Релаксация метастабильных электрически-активных дефектов границы раздела структуры ЗЮг/З!, индуцированная видеоимпульсами электромагнитного излучения наносекундной длительности, в зависимости от энергии последних, приводит к появлению динамической или необратимой неравновесности вольт-фарадных характеристик и изменению спектра поверхностных состояний.

6. Электронная структура границы раздела монокристаллического кремния с высшими оксидами металлов (\\Юзх, БпОг-х), сформированной в условиях дефицита кислорода, характеризуется моноэнергетическим уровнем на фоне непрерывного спектра плотности поверхностных состояний.

Личный вклад автора.

Выносимые на защиту положения представляют результаты диссертации, в получении которых участие соискателя было основным или существенным. Автором осуществлен выбор направления исследований, анализ научной литературы, разработка и реализация значительной части экспериментов, интерпретация и обобщение полученных результатов, формулировка основных положений и выводов.

Совокупность полученных в рамках этого исследования результатов составляет крупное научное достижение, вносящее вклад в решение актуальной проблемы химии твердого тела - установление закономерностей гетерофазных процессов на поверхностях и границах раздела твердотельных структур, характера влияния внешних воздействий на динамику электрически активных дефектов и физико-химические характеристики гетерогенных систем.

Достоверность полученных результатов.

Достоверность результатов диссертации определяется воспроизводимостью характеристик исследуемых объектов, использованием метрологически аттестованной измерительной техники, многократной экспериментальной проверкой и согласованием полученных в работе результатов с известными из научной литературы данными.

Публикации и апробация работы.

По материалам диссертации опубликовано 48 печатных работ, в том числе 41 статья, из которых 25 в журналах, рекомендованных перечнем ВАК, 7 работ в материалах конференций.

Основные результаты диссертационной работы были представлены на Всесоюзном совещании "Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов" (Калинин,

1985); I Сессии по проблемам прикладной кристаллохимии (Воронеж, 1986); VI Seminar on electron spectroscopy of socialist countries (Liblice, Czechoslovakia, 1986); XI Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков (Черновцы, 1986); IV Всесоюзном совещании по кристаллохимии неорганических и- координационных соединений (Бухара,

1986); 3 Всесоюзной конференции "Актуальные проблемы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов" (Москва, 1987); II Всесоюзной научной конференции "Физика окисных пленок" (Петрозаводск, 1987); XIII Всесоюзной конференции по электронной микроскопии (Сумы, 1987); XV Всесоюзном совещании по рентгеновской и электронной спектроскопии (Ленинград, 1988); IX Научном семинаре "Ионика твердого тела" (Рига, 1988); 7th European conf. on applications of surface and interface analysis" (Goteborg, Sweden, 1997); E-MRS Spring Meeting (Strasbourg, France, 1994; ■ 1995; 1996; 1999); Международной конференции по электротехническим материалам и компонентам (Крым, 1995); XIV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Иваново, 1995); Int. Symposium "Si Heterostructures: from physics to devices" (Heraklion, Crete, Greece, 1995); MRS Fall Meeting (Boston, USA, 1995); 3 Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1996); 5 Международной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников" (Москва, 1997); VI Международной конференции "Физика и технология тонких пленок"

Ивано-Франковск, Украина, 1997); Eurosensors-XII (Southampton, UK, 1998); Всероссийской научно-технической конференции "Новые материалы и технологии" (Москва, 1998); Первой Всероссийской конференции "Химия поверхности и нанотехнология" • (Хилово, Псковская обл., 1999); XX Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 1999); Всероссийском семинаре "Наночастицы и нанохимия" (Черноголовка, 2000); 4 Международном семинаре "Российские технологии для индустрии. Физические, химические и биологические сенсоры" (С.-Петербург, Россия, 2000); 7, 11, 12 Международной научно-технической конференции "Радиолокация, навигация, связь" (Воронеж, 2001; 2005; 2006); I, II, III Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" (Воронеж, 2002; 2004; 2006); III и VII Международной научной конференции "Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии" (Кисловодск, 2003-, 2007); Международной научно-технической- конференции "Сенсорная электроника и микросистемные технологии" (Одесса, Украина, 2004); Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва, 2006); VII Международной научно-технической конференции "Кибернетика и высокие технологии XXI века" (Воронеж, 2006); Всероссийской научно-практической конференции "Современная химия. Теория, практика, экология" (Барнаул, 2006); 6 Всероссийской школе-конференции "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 2007); 6th Int. conf. "Porous semiconductors - science and technology" (Mallorca, Spain, 2008); Первом Международном Междисциплинарном симпозиуме "Физика низкоразмерных систем и поверхностей" (Ростов-на-Дону - JIoo, 2008); научных сессиях Воронежского госуниверситета.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, содержащего основные результаты и выводы, и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 294 страницы, в том числе 95 рисунков и 6 таблиц. Список литературы содержит 294 библиографических ссылки.

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Тутов, Евгений Анатольевич

Основные результаты и выводы состоят в следующем:

1. Разработаны физико-химические основы воспроизводимого получения аморфных пленок триоксида вольфрама, обладающих выраженными электро- и фотохромными свойствами. По результатам комплексных исследований атомного строения, электронной структуры, оптических и электрофизических характеристик с учетом воздействия различных факторов предложена структурно-энергетическая модель обратимого изменения оптической плотности при двойной инжекции электронов и катионов (протонов), объясняющая механизм абсорбционной чувствительности образованием водородно-вольфрамовых бронз Нх^\Юз.

2. Электро- и фотохромный процессы, представляющие собой окислительно-восстановительную реакцию, в пленках а-^\Юз и а-^\Ю3х (х > 0,1) имеют различные механизмы: при электрохромизме в анион-дефицитных пленках окрашивание происходит с участием моноуровня поверхностных электронных состояний; , при фотохромизме этот моноуровень исчезает, то есть одновременно с появлением центров окраски происходит доокисление пленки.

3. Сорбция водяных паров в структурно-стабилизированных (состаренных) пленках а-\УОз, построенных из аксиально-деформированных вольфрам-кислородных октаэдров, образующих планарную сетку, протекает преимущественно по физическому механизму и является обратимым процессом. Зависимость высокочастотной (1 МГц) емкости конденсаторной структуры с такой пленкой от относительной влажности имеет вид изотермы адсорбции паров воды.

4. На основе анализа функциональной реакции емкостного сенсора влажности с пористым кремнием определены структурно-фазовые характеристики рог-81 и установлено, что при анодном травлении монокристаллического кремния ориентации (100) возможно получение структуры с изолированными цилиндрическими порами, в то время как в кремнии ориентации (111) в тех же условиях образуется связная сеть пор.

5. Высокочастотные вольт-фарадные характеристики МДП структуры со слоем ароматического полиамида, содержащего сульфонатные ионогенные группы, зависят от относительной влажности и позволяют исследовать процесс сорбции паров, приводящий к образованию фазы свободной воды. Ароматические полиамиды, не содержащие ионогенных групп, сорбируют воду в связанном состоянии, которая не влияет на их высокочастотную электрическую емкость.

6. Термооксидированием тонких пленок металлов 8п, Тп, Мэ) на монокристаллическом кремнии со слоем естественного оксида 8Ю2 формируются гетероструктуры с низкой плотностью поверхностных состояний. Оксиды "ЭДХЭз и ТМЪ205 характеризуются высокой диэлектрической проницаемостью (200 и 20 соответственно). Общей особенностью электронной структуры границы раздела монокристаллического кремния с высшими оксидами металлов 8п02.х), сформированными в условиях дефицита кислорода, является возникновение моноэнергетического уровня на фоне непрерывного спектра поверхностных состояний.

7. Релаксация метастабильных дефектов границы раздела структуры 8Ю2/81, индуцированная видеоимпульсами электромагнитного излучения с энергией 2,4 • Ю"4 Дж, приводит к появлению динамической и необратимой неравновесности вольт-фарадных характеристик и росту полной проводимости структуры.

266

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Подводя некоторые итоги, обозначая проблемы и оценивая перспективы развития электрофизики сенсорных гетероструктур как самостоятельного научно-технического направления, можно отметить следующие моменты.

Электроника многослойных полупроводниковых гетероструктур, в особенности кремниевых МДП и МОП структур, в настоящее время является и, по прогнозам, будет оставаться одним из самых динамично развивающихся направлений твердотельной микро- и наноэлектроники, базирующимся на фундаментальных достижениях физики конденсированных сред, химии и технологии поверхностей и межфазных границ металлов, полупроводников и диэлектриков.

Планарная конструкция МДП приборов различного функционального назначения, работа которых основана на использовании эффекта поля в приповерхностной области полупроводника, особенно чувствительна к электрическим характеристикам поверхностей, межфазных границ и переходных областей, в частности, к концентрации и параметрам электрически активных точечных дефектов в диэлектрическом слое.

Изменение этих параметров под действием различных внешних факторов, например, адсорбционно-десорбционных процессов в газовых и жидких средах, лежит в основе использования микроэлектронных МДП структур в качестве чувствительных элементов для "электронного носа" и "электронного языка". Хемосорбционный эффект поля используется как для управления потенциалом затворного электрода в GASFET (gas sensitive field effect transistor) и ISFET (ion sensitive field effect transistor) приборах, так и может приводить к изменению характеристик подзатворного диэлектрика. Такими "активными" в отношении хемосорбции диэлектриками являются, прежде всего, оксиды переходных металлов (ZnO, TÍO2, Sn02, í

WOз, №0), широко изучаемые и используемые в газовых сенсорах и более простого резистивного типа.

Для изучения физико-химических процессов, происходящих при гетерогенных реакциях адсорбции-десорбции различных газов на поверхности металл оксидных пленок, весьма продуктивными оказались экспериментальные методики исследования МДП структур, особенно методика; вольт-фарадных характеристик, позволяющая существенно увеличить чувствительность и информативность по сравнению с обычным измерением резистивного отклика сенсоров.

Из практических целей обеспечения высокой чувствительности сенсоров, работающих на переменном токе, частота последнего, как правило^ не превышает 10 кГц, однако возможности получения: информации о свойствах материалов и процессах в них примерно такие же, как при измерениях на постоянном токе. Для исследовательских целей высокочастотные измерения 1 МГц) могут оказаться более информативными в силу ограничения количества трудно учитываемых влияющих факторов. Кроме того, как оказалось, высокочастотные измерения дают возможность существенно повысить кинетику регистрируемого отклика сенсора, правда, со снижением при этом его чувствительности, но это уже проблема оптимизации.

Модификация методики применительно к измерению "поверхностной" емкости сенсорных структур также оказалась достаточно продуктивной в плане получения информации о тонких деталях процессов межфазных взаимодействий. Возможности методики ВЧ ВФХ в исследовании фазо-и дефектообразования в металлоксидных пленках, в том числе в аморфном состоянии, удачно дополняют традиционный арсенал прямых и косвенных структурных методов.

Характерной чертой сенсорики как научно-технического направления является расширение номенклатуры разрабатываемых сенсоров; эффектов и принципов, на которых они функционируют; материалов, используемых в их чувствительных и преобразовательных элементах. В сенсорных гетероструктурах функции рецептора (чувствительного элемента) и трансдьюсера (преобразователя сигнала) могут быть разделены, что предоставляет более широкие возможности в оптимизации их характеристик.

Основные задачи развития сенсорики можно сгруппировать вокруг следующих проблем: физико-химических, технологических, конструктивных, схемотехнических, метрологических. Развитие аппаратных и особенно программных методов повышения технических и эксплуатационных характеристик сенсорных устройств опережает решение материаловедческих проблем, и здесь полупроводниковые сенсорные гетероструктуры как продукт микроэлектронного приборостроения, основанного на групповой технологии и микропроцессорной технике, безусловно, имеют хорошие перспективы.

Итогом диссертационной работы является развитие научных основ применения функциональных (сенсорных) структур с сосредоточенными и распределенными гетерограницами для исследования неупорядоченных материалов и электронных процессов в гетерогенных системах. На основании экспериментального изучения кремниевых гетероструктур с широкой группой диэлектрических/полупроводниковых материалов показана эффективность комбинации методики ВЧ ВФХ и сорбционного воздействия в исследовании гетерофазных процессов, установлены фундаментальные закономерности "состав — строение — свойство" и особенности электронных процессов в условиях адсорбции газов и паров.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Тутов, Евгений Анатольевич, 2009 год

1. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников. Том 1. / Пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. — Воронеж : изд-во "Водолей", 2004. - 982 с.

2. Бормонтов E.H. Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами : дис. . д-ра физ.-мат. наук / E.H. Бормонтов. Воронеж, 2001. - 386 с.

3. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела / В.Н. Чеботин. М. : Химия, 1982.-320 с.

4. Третьяков Ю.Д. Введение в химию твердофазных материалов / Ю.Д. Третьяков, В.И. Путляев. М. : Наука, 2006. - 399 с.

5. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров / Р.Б. Васильев и др. // Успехи химии. 2004. - Т. 73, № 10. - С. 1019-1038.

6. Полупроводниковые свойства диарсенида германия / А.Е. Попов и др. // Физико-химия гетерогенных систем : сб. науч. тр. — Воронеж, 1984. —1. С. 73-78.

7. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж.И. Алферов // ФТП. 1998. - Т.32, № 1. - С. 3-18.

8. Кулак А.И. Электрохимия полупроводниковых гетероструктур / А.И. Кулак. Минск : изд-во "Университетское", 1986. - 189 с.

9. Тутов Е.А. Атомное и электронное строение аморфных пленок триоксида вольфрама с центрами окраски : дис. . канд. физ.-мат. наук / Е.А. Тутов. -Воронеж, 1992. 138 с.

10. Балагуров Л.А. Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения / Л.А. Балагуров // Материаловедение, 1998. — № 1. — С. 50-58 иЫЗ.-С. 23-43.

11. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы / А.И. Гусев, A.A. Ремпель. — М : Физматлит, 2000. 224 с.

12. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1 / С.М. Зи ; пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса. М. : Мир, 1984. - 456 с.

13. Гуртов В.А. Электронные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / В.А. Гуртов. Петрозаводск, 1984. — 116 с.

14. Бормонтов Е.Н. Физика и метрологияМДП структур : учеб. пособие / Е.Н. Бормонтов. — Воронеж : изд-во ВГУ, 1997. 184 с.

15. Иванов-Шиц А.К. Ионика твердого тела. Т. 1. / А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурин. СПб. : изд-во С.-Петерб. ун-та, 2001. - 616 с.

16. Тутов Е.А. Метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик в исследованиях сенсорных гетероструктур / Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов // Полупроводниковые гетероструктуры : сб. науч. тр. / Воронеж, гос. технол. акад. Воронеж, 2005. — С. 81-95.

17. Сысоев Б.И. К вопросу об управлении приповерхностным зарядом в полупроводниках с помощью тонких слоев широкозонных полупроводников / Б.И. Сысоев, В.Ф. Сыноров // ФТП. 1972. - Т. 6, № 10.-С. 1856-1859.

18. Киселев В.Ф. Основы физики поверхности твердого тела / В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. -М. : Изд-во Московского ун-та, физический факультет МГУ, 1999. 284 с. •

19. Brattain W.H. Surface properties of germanium / W.H. Brattain, J. Bardeen // Bell. Syst. Technol. J. V. 32. - 1953. -Pl-32.

20. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И.А. Мясников и др.. М. : Наука, 1991. - 327 с.

21. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников / Ф.Ф. Волькенштейн. М: : Наука, 1973. - 399 с.

22. Киселев В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. — М. : Наука, 1978.-317 с.

23. Киселев В.Ф. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках / В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. М. : Наука, 1979.-236 с.

24. Снитко О.В. Проблемы физики поверхности полупроводников / О.В. Снитко и др.. Киев : Наук, думка, 1981. — 332 с.

25. Датчики измерительных систем / Ж. Аш и др.. М. : Мир, 1992. - Т. 2. — 419 с.

26. Сенсоры в контрольно-измерительной технике / П.М. Таланчук и др. -Киев : Тэхника, 1991. 175 с.

27. Виглеб Г. Датчики / Г. Виглеб. М. : Мир, 1989. - 196 с.

28. Каттралл Р.В. Химические сенсоры / Р.В. Каттралл. М. : Научный мир, 2000. -144 с.

29. Датчики для контроля содержания примесей в атмосфере / А.И. Бутурлин и др. // Зарубежная электронная техника. 1983. - Вып. 2. - С. 95-112.

30. Фоменко C.B. Микроэлектронные первичные преобразователи концентрации / C.B. Фоменко // Зарубежная электронная техника. — 1983. -Вып. 2.-С. 3-41.

31. Газочувствительные датчики на основе металлоокисных полупроводников / А.И. Бутурлин и др. // Зарубежная электронная техника. 1983. - Вып.Ю. - С. 3-39.

32. Электронные датчики для контроля концентрации этанола в выдыхаемом воздухе / А.И. Бутурлин и др. // Зарубежная электронная техника. -1983. -Вып.11. С. 67-87.

33. Подлепецкий Б.И. Микроэлектронные датчики влажности / Б.И. Подлепецкий, A.B. Симаков // Зарубежная электронная техника. -1987.-Вып. 2.-С. 64-97.

34. Микроэлектронные датчики химического состава газов / A.B. Евдокимов и др. // Зарубежная электронная техника. — 1988. Вып. 2. - С. 3-39.

35. Мясоедов Б.Ф. Химические сенсоры: возможности и перспективы / Б.Ф. Мясоедов, А.В. Давыдов // Журнал аналитической химии. — 1990. Т. 45. -Вып. 7.-С. 1259-1278.

36. Арутюнян В.М. Микроэлектронные технологии — магистральный путь для создания химических твердотельных сенсоров / В.М. Арутюнян // Микроэлектроника. 1991. - Т. 20, вып. 4. - С. 337-355.

37. Chu C.W. Sensors for detecting sub-ppm NO2 using photochemically produced amorphous tungsten oxide / C.W. Chu, M.J. Deen, R.H. Hill // J. Electrochem. Soc. 1998. -V. 145. - P. 4219-4225.

38. Sensing characteristics of dc reactive sputtering W03 thin films as an NOx gas sensors / T.S. Kim et al. // Sens. Actuators B. 2000. - V. 62. - P. 102 - 108.

39. Selective detection of NH3 over NO in combustion exhaust by using Au and M0O3 doubly promoted WO3 element / C.N. Xu et al. // Sens. Actuators B. -2000.-V. 65.-P. 163 165.

40. Wang X. Study of W03-based sensing materials for NH3 and NO detection / X. Wang, N. Miura, N. Yamazoe // Sens. Actuators B. 2000. - V. 66. - P. 74 - 76.

41. Ling Z. NO2 sensitivity of a heteroj unction sensor based on W03 and doped Sn02 / Z. Ling, C. Leach, R. Freer // J. Eur. Ceram. Soc. 2003. - V. 23. - P. 1881-1891.

42. Fabrication of highly selective tungsten oxide ammonia sensor / E. Llobet et al. // J. Electrochem. Soc. 2000. - V. 147. - P. 776-779.

43. Nanocrystalline tungsten oxide thick films with high sensitivity to H2S at room temperature / J.L. Solis et al. // Sens. Actuators B. — 2001. V. 77. -P. 316-321.

44. Low-level detection of ethanol and H2S with temperature-modulated WO3 nanoparticle gas sensors / R. Ionescu et al. // Inorganic Chemistry. 2004. - V. 43, Iss. 17. - P. 5442-5449.

45. Core level and valence band investigation of WO3 thin films with synchrotron radiation / L. Ottaviano et al. // Thin Solid films. — 2003. V. 436.-P. 9-16.

46. Moulzolf S.C. Stoichiometry and microstructure effects on tungsten oxide chemoresistive film / S.C. Moulzolf, S. Ding, RJ. Lad // Sens. Actuators B. 2001. - V. 77. - P. 375 - 382.

47. Oxidizing gas sensing by SiC/ZnO heterocontact — NOx sensing / Y. Nakamura et al. // J. Ceram. Soc. Jpn. 1991. - V. 99. - P. 823-825.

48. Ushio Y. Fabrication of thin-film CuO/ZnO heterojunction and its humidity-sensing properties // Y. Ushio, M. Miyayama, H. Yanagida // Sens. Actuators B. 1993. -V. 12. -P. 135-139.

49. Jung S J. The characterization of CuO/ZnO heterocontact type gas sensor having selectivity for CO gas / S.J. Jung, H. Yanagida // Sens. Actuators B. -1996.-V. 37.-P. 55-60.

50. Yu J.H. Electrical and CO gas-sensing properties of Zn0/Sn02 heterocontact / J.H. Yu, G.M. Choi // Sens. Actuators B. 1999. - V. 61. - P. 59-67.

51. Равновесие собственных точечных дефектов в диоксиде олова / К.П. Богданов и др. // ФТП. -1998. Т. 32, вып. 10. - С. 1158-1160.

52. Рожков В.А. Энергетические барьеры и центры захвата в кремниевых МДП-структурах с диэлектриком из оксида самария и иттербия / В.А. Рожков, А.Ю. Трусова, И.Г. Бережной // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24, вып. 6. - С. 24-29.

53. Рожков В.А. Энергетические барьеры на межфазных границах в МДП системе Me-Yb203-Si / В.А. Рожков, А.Ю. Трусова // ЖТФ. 1999. - Т. 69, вып. 4. - С. 60-64.

54. Рожков В.А. Электрофизические свойства структур металл — оксид диспрозия — оксид гадолиния кремний / В.А. Рожков, М.А. Родионов // Письма в ЖТФ. -2004. - Т. 30, вып. 12. - С. 16-21.

55. Hydrogen sensitive field effect transistor /1. Lundstrom et al. // Applied Physics Letters. 1975. - V. 26. - P. 55.

56. From hydrogen sensors to olfactory images — twenty years with catalytic field-effect devices /1. Lundstrom et al. // Sens. Actuators B. 1993. - V. 13-14. -P.16-23.

57. Mechanism of hydrogen sensing by Pd/Ti02 Schottky / H. Kobayashi et al. // Sens. Actuators В. 1993.-V. 13-14.-P. 125-127.

58. Morita Y. Langmuir analysis on hydrogen gas response of palladium-gate FET / Y. Morita, K.-I. Nakamura, C. Kim // Sens. Actuators B. 1993. - V. 33, № 1-3.-P. 96-99.

59. Si МДП фотодетектор как детектор водорода / Г.Г. Ковалевская и др. // ЖТФ. 1993. - Т. 63, вып. 4. - С. 185-190.

60. Слободчиков С.В. Влияние водорбда на фотовольтаическую и фотодиодную чувствительность туннельных структур Pd-Si02-n(p)-Si / С.В. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, Х.М. Салихов // Письма в ЖТФ. -1994. Т. 20, вып. 10. - С. 66-70.

61. Изменение структуры палладиевого электрода МДП сенсора при циклическом воздействии водорода / Л.И. Кикоин и др. // ЖТФ. 1994. -Т. 64, вып. 7. - С. 131-136.

62. Modified palladium metal-oxide-semiconductor structures with increased ammonia gas sensitivity / F. Winquist et al. // Applied Physics betters. -1983. —V. 43. P. 839.

63. Коз ленков В.П. Чувствительность к аммиаку МДП-структуры с тонким платиновым затвором / В.П. Коз ленков, И.Н. Николаев, Д.Г. Ставкин // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. - № 2. - С. 67-71.

64. Структуры металл Si02 - Si, чувствительные к аммиаку / В.П. Воронков и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1995. - № 2. — С. 35-40.

65. Особенности чувствительности МДП-сенсоров к аммиаку / Е.В. Емелин и др. // Сенсор. 2005. - № 4. - С. 7-10.

66. Shivaraman M.S. Detection of H2S with Pd-gate MOS field-effect transistors / M.S. Shivaraman // J. of Applied Physics. 1976. - V. 28, № 8. - P. 3592.

67. Повышение стабильности и уменьшение деградации характеристик сероводородного МДП-сенсора / И.Н. Николаев и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 1997. № 10.-С. 46-49.

68. Николаев И.Н. Чувствительность МДП-сенсоров к концентрациям H2S и N02 в воздухе / И.Н. Николаев, Е.В. Емелин, A.B. Литвинов // Сенсор. — 2004.-№3.-С. 37-40.

69. Емелин Е.В. Портативный газоанализатор N02 на основе МДП-сенсора / Е.В. Емелин, И.Н. Николаев // Научная сессия МИФИ. 2004. - Т. 4. - С. 198-199.

70. Сенсоры водорода на основе МДП-структур с подзатворным слоем из полимерного твердого электролита / A.A. Васильев и др. // Сенсор. -2002.-№4.-С. 9-16.

71. Сенсоры водорода на основе МДП-структур с подзатворным протонпроводящим слоем / A.A. Васильев и др. // Сенсор. 2005. - № 5. -С. 17-20.

72. Мамедов А.К. Сигнализатор влажности на органической пленке / А.К. Мамедов // Сенсор. 2002. - № 4. - С. 16-19.

73. Адсорбционно-чувствительный диод на пористом кремнии / В. М. Демидович и др. // Письма в ЖТФ. -1992. Т. 18, вып. 14. - С. 57-59.

74. Усиление фототока в диодных структурах Pd Si02 - n(p)-Si / C.B. Слободчиков и др. // ФТП. -1993. - Т. 27, вып. 7. - С. 1213-1216.

75. Вашпанов Ю.А. Электронные свойства микропористого кремния при освещении и адсорбции аммиака / Ю.А. Вашпанов // Письма в ЖТФ. -1997. Т. 23, вып. 11. - С. 77-82.

76. Электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур n-Si/пористый кремний/Pd и влияние на них газообразного водорода / C.B. Слободчиков и др. // ФТП. -1999. Т. 33, вып. 3. - С. 340-343.

77. Эффект памяти, управляемой электрическим полем, в гетероструктурах для газовых сенсоров / Р.Б. Васильев и др. // Письма в ЖТФ. -1999. Т. 25, вып. 12. - С. 22-29.

78. Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-Sn02 на p-Si в условиях газовой адсорбции / Р.Б. Васильев и др. // ФТП. 2000. - Т. 34, вып. 8. - С. 993-997.

79. Состояния на границе раздела и вольт-фарадные характеристики гетероструктур n-SnC>2(Ni)/p-Si в условиях газовой адсорбции / Р.Б. Васильев и др. // ФТП. 2001. - Т. 35, вып. 4. - С. 436-438.

80. Стриха В.И. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) / В.И. Стриха Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевский. -М. : Сов. радио, 1974. 248 с.

81. Ламперт М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк. М. : Мир, 1973. - 416 с.

82. Лазарев В.Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин. М. : Наука, 1979. - 168 с.

83. Духин С.С. Диэлектрические явления и двойной слой в дисперсных системах и полиэлектролитах / С.С. Духин, В.Н. Шилов. Киев : Изд-во "Наукова думка", 1972. - 206 с.

84. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П.Т. Орешкин. М. : Высшая школа, 1977. - 448 с.

85. Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов / Ю.Д. Третьяков. М.: Изд-во Московского университета, 1974. - 364 с.

86. Кукуев В.И. Характер взаимодействий и физико-химические свойства оксидных пленок сложного состава : дис. . д-ра физ.-мат. наук /

87. B.И. Кукуев. Москва, 1996. - 339 с.

88. Отжиг ВТСП слоев токами высокой частоты / Е.С. Рембеза, A.B. Арсенов, М.В. Лесовой, Е.А. Тутов, Э.П. Домашевская, В.И. Кукуев // Тонкие пленки и нитевидные кристаллы: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж, 1993.1. C. 24-31.

89. Кузнецов В.И. Радиосвязь в условиях радиоэлектронной борьбы / В.И. Кузнецов. Воронеж : ВНИИС, 2002. - 403 с.

90. Влияние мощных импульсных микроволновых помехна полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы / В.В. Антипин и др. // Заруб, радиоэлектроника. 1995. - № 1. - С. 37-53.

91. Беляев A.A. Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур / A.A. Беляев и др. // ЖТФ. 1998. -Т. 68, № 12.-С. 49-53.

92. Левин М.Н. Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на систему кремний — двуокись кремния : дис. . д-ра физ.-мат. наук / М.Н. Левин. Воронеж, 1997. - 314 с.

93. Левин М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si / М.Н. Левин, Б.А. Зон // ЖЭТФ. 1997. - Т. 111, вып. 4. - С. 13731397.

94. Рукин С.Н. Генераторы мощных наносекундных импульсовс полупроводниковыми прерывателями тока / С.Н. Рукин // ПТЭ. - 1999. - N 4. - С. 5-36.

95. Карауш A.C. Генератор импульсов наносекундной длительности на лавинных диодах / A.C. Карауш, Р.В. Потемкин // Электронная промышленность. 1998. - N 1 - 2. - С. 93 - 95.

96. Новый источник ультрокоротких микроволновых импульсов, основанный на эффекте сверхизлучения субнаносекундных электронных сгустков / В.Г. Шпак и др. // Доклады РАН.' 1999. - N 1. - С. 50-53.

97. Вайнштейн Л.А. Распространение импульсов / Л.А. Вайнштейн // УФН. -1976.-Т. 118,вып. 2.-С. 339-367.

98. Шварцбург А.Б. Импульсная электродинамика негармонических сигналов / А.Б. Шварцбург // УФН. 1994. - Т. 164, № 3. - С. 333-335.

99. Шварцбург А.Б. Видеоимпульсы и непериодические волныв диспергирующих средах (точно решаемые модели) / А.Б. Шварцбург //УФЫ. 1998.-Т. 168, № 1.-С. 85-103.

100. Усанов Д.А. Возникновение отрицательного сопротивленияв структурах на основе р-п-перехода в СВЧ поле / Д.А. Усанов, A.B. Скрипаль, Н.В. Угрюмова // ФТП. 1998. - Т. 32, № 11. - С. 1399-1402.

101. Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур / А.А.Беляев // ЖТФ. 1998. - Т. 68, № 12. - С. 49-53.

102. Усанов Д.А. Возникновение S-образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с р-п-переходом под действием СВЧ-излучения // Д.А. Усанов, A.B. Скрипаль, Н.В. Угрюмова // Письмав ЖТФ. 1999. - Т. 25, № 1. - С. 42^14.

103. Усанов Д.А. Отрицательное дифференциальное сопротивление туннельного диода, наведенное внешним СВЧ-сигналом / Д.А. Усанов, С.Б. Вениг, В.Е. Орлов // Письма в ЖТФ. 1999. - Т. 25, № 2. - С.-39-42.

104. Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ сигнала / Д.А. Усанов и др. // ФТП. 2000. - Т. 34, № 5. -С. 567-572.

105. Стрюков Б.А. О некоторых закономерностях кинетики деградации полупроводниковых структур под воздействием мощных сверхвысокочастотных импульсов / Б.А. Стрюков // Радиотехника и электроника. 2000. - № 7. - С. 887-892.

106. Получение, свойства, применение тонких пленок керамических высокотемпературных сверхпроводников / В.А. Лабунов и др. // Зарубежная электронная техника. 1989. - Вып. 3. — С. 3-57.

107. Пленки высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu307.x, полученные методом плазменного нанесения / Г.П. Попов, Е.А. Тутов, О.Я. Слободенюк, A.M. Самойлов, В.И. Кукуев // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1990. - Т. 3, № 6. - С. 1291-1296.

108. Поверхностные и промежуточные слои в конденсатах YBa2Cu307s /

109. B.И. Кукуев, Ю.Я. Томашпольский, Э.П. Домашевская, В.И. Золотарева, И.Н. Неврюев, М.А. Севостьянов, Е.А. Тутов // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1991. - Т. 4, № 10. - С. 1879-1883.

110. Robertson J. Electronic structure of amorphous semiconductors / J. Robertson // Advances in Physics. V. 32. - 1983. - P. 361.

111. The physics and chemistry of Si02 and Si-Si02 interfaces / E.H. Poindexter et al.. New York : Plenum, 1988. - 299 p.

112. Барабан А.П. Электроника слоев Si02 на кремнии / А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. JI. : Изд-во Ленинградского ун-та, 1988. -304 с.

113. Вавилов B.C. Дефекты в кремнии и на его поверхности / B.C. Вавилов,

114. B.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. М. : Наука, 1990. - 216 с.

115. Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах / В.А. Гриценко. — Новосибирск : ВО «Наука», 1993.-280 с.

116. Ховив А.М. Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе металлов и их оксидов, проявляющих нелинейные свойства : дис. . д-рахим; наук : 020001 : защищена 16.12.2005 / A.M. Ховив. -Воронеж, 2005. 353 с.

117. Тутов Е.А. Механизмы токопереноса в структуре Al/ZnO/Si / Е.А. Тутов, Ф.А. Тума, В.И. Кукуев // Конденсированные среды и межфазные границы. 2006. - Т. 8, № 4. - С. 334-340.

118. Тутов Е.А. Сенсорные гетероструктуры объект и инструмент исследования / Е.А. Тутов // Сенсор. - 2005. - № 5. - С. 2-12.

119. Кремниевые МОП-структуры с нестехиометрическими металлоксидными полупроводниками / Е.А. Тутов, C.B. Рябцев, Е.Е. Тутов, E.H. Бормонтов // ЖТФ. 2006. - Т. 76, вып. 12. - С. 65-68.

120. Кремниевые МОП структуры с металлоксидными полупроводниками / Е.А. Тутов, C.B. Рябцев, Е.Е. Тутов, Ф.А. Тума, E.H. Бормонтов // Матер. XII-й междун. науч.-техн. конф. "Радиолокация, навигация, связь". Воронеж, 2006. - Т. 2. - С. 1351-1358.

121. Альтернативные оксиды для кремниевых МОП структур / Е.А. Тутов,

122. C.B. Рябцев, Е.Е. Тутов, Ф.А. Тума, E.H. Бормонтов // Матер. VII-й междун. науч.-техн. конф. "Кибернетика и высокие технологии XXI века". Воронеж, 2006. - Т. 1. - С. 258-262.

123. Электрофизические методы в исследовании оксидирования тонких пленок металлов на кремнии / Е.Л. Тутов и др. // Вестник ВГУ, Серия: Физика. Математика. 2007. - № 1. - С. 36-41.

124. Особенности структуры края собственного поглощения пленок олова, оксидированных в потоке кислорода / A.M. Ховив и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2005. - Т. 7, № 1. -С. 89-97.

125. Оптические свойства нанослоев Sn02-X / Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, Ю.А. Юраков, О.А. Чувенкова, А.Н. Лукин // Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 32, вып. 18. - С. 7-12.

126. Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Окись цинка. Получение и оптические свойства. -М.: Наука, 1984. 166 с.

127. Morrison S.R. Selectivity in semiconductor gas sensors / S.R. Morrison // Sensors and Actuators. 1987. - V. 12. - P. 425-440.

128. Electronic interaction between metal additives and tin dioxide in tin dioxide-based gas sensors / S. Matsushima et al. // Jap. J. of Appl. Physics. — 1988. — V. 27,№ 10.-P. 1798-1802.

129. The determining effect of ultralow metal addition on the response of semiconductor gas sensors / E.E. Gutman et al. // Sensors and Actuators B. — 1993.-V. 15-16.-P. 338-343.

130. Исследование механизмов сенсибилизации допированных газовых сенсоров / С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, А.Н. Лукин, А.В. Шапошник // Сенсор. 2001. - № 1. - С. 26-30.

131. Capacitance effects and gaseous adsorption on pure and doped polycrystalline tin oxide / M. Labeau et al. // Sensors and Actuators B. 1995. - V. 26-27. - P. 49-52.

132. Use of complex impedance spectroscopy in chemical sensor characterization / J. Gutierrez et al. // Sensors and Actuators B. 1991. - V. 4. - P. 359-363.

133. Weimar U. A.c. measurements on tin oxide sensors to improve selectivities and sensitivities / U. Weimar, W. Gopel // Sensors and Actuators B. 1995. -V. 26-27.-P. 13-18.

134. Взаимодействие металлических наночастиц с полупроводником в поверхностно-легированных газовых сенсорах / C.B. Рябцев, Е.А. Тутов, E.H. Бормонтов, A.B. Шапошник, A.B. Иванов // ФТП. 2001. - Т. 35, вып. 7. - С. 869-873.

135. Примаченко В. Е. Физика легированной металлами поверхности полупроводников / В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Киев. : Наук, думка, 1988.-232 с.

136. Мильвидский М.Г. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках — новый подход к формированию свойств материалов. Обзор / М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев // ФТП. 1998. - Т. 32, № 5. -С. 513-522.

137. Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SÍO2/SÍ с тонкими слоями анодного оксида кремния / И.Л. Баранов и др. // ФТП. 2006. - Т. 40, вып. 8. - С. 944-948.

138. Зарядовые свойства слоев оксида алюминия, синтезированных методом молекулярного наслаивания / С.Г. Сазонов и др. // Письма в ЖТФ. -1998. Т. 24, вып. 13. - С. 58-63.

139. Свойства межфазовой границы AI2O3/SÍ / A.C. Шулаков и др. // ФТТ. -2004. Т. 46, вып. 10. - С. 1868-1872.

140. Емельянов В.И. Динамика самоорганизации гексагональных структур пор при анодном травлении и окислении полупроводников и металлов / В.И. Емельянов, В.В. Игумнов, В.В. Старков // Письма в ЖТФ. 2004. -Т. 30, вып. 10. - С. 83-88.

141. Юнг JI. Анодные оксидные пленки / JI. Юнг. JI. : Энергия, 1967. — 218 с.

142. Петрова В.В. Исследование процесса формирования пористой структуры анодных оксидных пленок алюминия /В.В. Петрова, Н.В. Сыромятина // Электрохимия. 1989. — Т. 25, вып. 10. — С. 18-22.

143. Гаврилов С.А. Пористый анодный оксид алюминия для оптоэлектроники и интегральной оптики / С.А. Гаврилов, Д.А. Кравченко // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т. 70, вып. 3. - С. 68-72.

144. Ефремов Г.И. Моделирование и разработка перспективных микроэлектромеханических структур на основе анодного оксида алюминия / Г.И. Ефремов, Н.И. Мухуров // Нано- и микросистемная техника. 2006. - №1. - С. 27-34.

145. Лексовский A.M. Эволюция ансамбля мезодефектов при деформировании гетерогенного материала с регулярной структурой / A.M. Лексовский, А.В. Гаврилин; Б.Л. Баскин // Письма в ЖТФ. — 2008. -Т. 34, вып. 5.-С. 46-53.

146. Драпак С.И. Фоточувствительность гетероконтактов в системе слоистый полупроводник (А3Вб) — камедь / С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. // ЖТФ. -2007. Т. 77, вып. 9. - С. 76-80.

147. Наноматериалы. Нанотехнологии. Наносистемная техника / под ред. П.П. Мальцева. — М. : Техносфера, 2006. 152 с.

148. Адсорбция паров воды в пленочных структурах с упорядоченным расположением мезодефектов / В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, В.В. Чернышев, И.Г. Шаптала // Сорбционные и хроматографические процессы. 2008. — Т. 8, № 6. - С. 942-947.

149. Deb S.K. A novel electrophotographic system / S.K. Deb // Appl.Opt.Suppl. on Electrophotography. 1969. - V. 3. - P. 192-195.

150. Deb S.K. Optical and photoelectric properties and colour centres in thin ilms of tungsten oxide / S.K. Deb // Phil.Mag. 1973. - V. 27. - P. 801-822.

151. Луценко В.А. Электрохемихромные индикаторы / В.А. Луценко,

152. А.И. Мазур // Зарубежная электронная техника. 1977. - № 16. - С. 3-42.

153. Dautremont-Smith W.C. Electrochromism and electrochromic materials / W.C. Dautremont-Smith // Displays. 1982. - V. 3. - P. 3-49.

154. Dautremont-Smith W.C. Transition metal oxide electrochromic materials and displays: a review / W.C. Dautremont-Smith // Displays. 1982. - V. 3. -P. 67-80.

155. Фаунен Б.В., Крэнделл P.С. Электрохромные дисплеи на основе WO3// Дисплеи : пер. с англ. / под ред. Ж. Панкова. М. : Мир, 1982. - С. 228266.

156. Lampert С.М. Electrochromic materials and devices for energy efficient windows / C.M. Lampert // Solar Energy Materials. 1984. - V. 11, № 1-2. -P. 1-27.

157. Oi T. Electrochromic materials / T. Oi // Ann. Rev. Mater. Sci. 1986. - V. 16.-P. 185-201.

158. Agnihotry S.A. Physics and technology of thin film electrochromic displays. Part I. Physicochemical properties // S.A. Agnihotry, K.K. Saini, Chandra Subhas // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1986. - V. 24, № 1. - P. 19-33.

159. Agnihotry S.A. Physics and technology of thin film electrochromic displays. Part II. Device technology // S.A. Agnihotry, K.K. Saini, Chandra Subhas // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1986. - V. 24, № 1. - P. 34-40.

160. Donnadieu A. Electrochromic materials / A. Donnadieu // Mater. Sci. and Eng. B. 1989. - V. 3, № 1-2. - P. 185-195.

161. Гаврилюк А.И. Электрохромизм и фотохромизм в оксидах вольфрама и молибдена / А.И. Гаврилюк, Н.А., Секушин. JI. : Наука, 1990. - 104 с.

162. Granqvist C.G. Handbook of Inorganic Electrochromic Materials / C.G. Granqvist. Elsevier, Amsterdam, 1995. - 650 p.

163. Электрохромный эффект : межвуз. сб. науч. трудов. Сыктывкар : Пермский ун-т, 1980. - 164 с.

164. Оксидные электрохромные материалы : межвуз. сб. науч. трудов. -Рига : Латв. ГУ им. П. Стучки, 1981. 155 с.

165. Электрохромизм : сб. науч. трудов. — Рига : Латв. ГУ им. П. Стучки,1987.-143 с.

166. Получение электрохромных пленок на основе триоксида вольфрама методом испарения и конденсации в вакууме / В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, A.M. Солодуха, М.В. Лесовой, Э.П. Домашевская // Электронная техника. Сер. 6 : Материалы. 1985. - Вып. 6. - С. 3-6.

167. Исследование образования порошков и пленок WO3, полученных методом алкоксотехнологии / И.Е. Обвинцева и др. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1988. - Т. 24, № 5. - С. 780-795.

168. Влияние примеси молибдена в пленке триоксида вольфрама на характеристики твердотельного электрохромного устройства / П.Д. Цикмач и др. //ЖТФ. 1990. - Т. 60, вып. 7. - С. 171-175.

169. Изменения ближнего атомного порядка в пленках a-WO3 в процессе окрашивания, адсорбции воды и в результате старения / В. И. Кукуев, Е.А. Тутов, М.В. Лесовой, Э.П. Домашевская // Кристаллография.1988. Т. 33, вып. 6. - С. 1551-1552.

170. Application of HEED, XPS and XES techniques in the study of local order and electronic structure of electrochromic (photochromic) WO3 thin films / V.l. Kukuev et al. // J. Microsc. Spectrosc. Electron. 1989. - V. 14. - P. 471-485.

171. Татаринова Л.И. Электронография аморфных веществ / Л.И. Татаринова. -М. : Наука, 1972.-102 с.

172. Влияние адсорбции воды на структуру аморфных пленок триоксида вольфрама / Я.А. Угай, В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, И.А. Попова, М.В. Лесовой, Ю.Н. Перин // Физико-химия материалов и процессов в микроэлектронике : сб. науч. тр. Воронеж, 1989. - С. 37-47.

173. Майзель А. Рентгеновские спектры и химическая связь / А. Майзель, Г. Леонхардт, Р. Сарган. Киев : Наукова думка, 1981. - 419 с.

174. Нефедов В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия неорганических соединений. Справочник / В.И. Нефедов. М. : Химия, 1984. - 256 с.

175. Терехов В.А. Локальная плотность электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках : дис. . д-ра физ.-мат. наук / В.А. Терехов. — Воронеж, 1994. 278 с.

176. Кукуев В.И. Физические методы исследования тонких пленок и поверхностных слоев : учеб. пособие / В.И. Кукуев, И .Я. Миттова, Э.П. Домашевская. — Воронеж : изд-во ВГУ, 2001. 144 с.

177. Поверхностные состояния и заряд в МДП-структуре с пленкой триоксида вольфрама / В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, М.В. Лесовой, Л.Ф. Комолова, Н.Ф. Шевцова, И.В. Разумовская // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. - № 11. - С. 87-92.

178. Управление плотностью эффективного поверхностного заряда в МДП структуре с пленкой триоксида вольфрама / В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, Э.П. Домашевская, М.И. Яновская, И.Е. Обвинцева, Ю.Н. Веневцев //ЖТФ. 1987. - Т. 57, вып. 10. - С. 1957-1961.

179. Электронные процессы в гетероструктуре a-W03/Si при электро- и фотохромизме / Е.А. Тутов, В.И. Кукуев, A.A. Баев, E.H. Бормонтов, Э.П. Домашевская // ЖТФ. 1995. - Т. 65, вып. 7. - С. 117-124.

180. Tutov Е.А. Charge transfer processes in heterostructure a-W03/Si during electro- and photochromism / E.A. Tutov, A.A. Baev // Applied Surface Science. 1995. - V. 90. - P. 303-308.

181. Тутов Е.А. МОП-структуры с аморфным триоксидом вольфрама для емкостных сенсоров влажности / Е.А. Тутов // Известия вузов. Электроника. 2007, - № 5. - С. 36-39.

182. Тутов Е.Е. Особенности электронных процессов емкостных сенсорах влажности / Е.Е. Тутов, E.H. Бормонтов // Матер. XIII-й междун. науч.-техн. конф. "Радиолокация, навигация, связь". Воронеж, 2007. - Т. 2. — С. 1351-1358.

183. Грег С. Адсорбция, удельная поверхность, пористость / С. Грег, К. Синг. — М. : Мир, 1984.-304 с.

184. Tutov E.A. Bulk-surface gas sensors based on a-WC>3 / E.A. Tutov, S.V. Ryabtsev, E.P. Domashevskaya //Proc. Eurosensors-XII, 1998, Southampton, UK. Vol. 1. - P. 665-668.

185. Абсорбционная чувствительность аморфного триоксида вольфрама / E.A. Тутов, C.B. Рябцев, А.Ю. Андрюков, A.B. Арсенов // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. - Т. 1, № 3. - С. 256-259.

186. Тутов Е.А. Тонкие пленки аморфного триоксида вольфрама и гетероструктуры a-W03/Si для химических сенсоров / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, Э.П. Домашевская // Перспективные материалы. 2001. - № 2. - С. 23-27.

187. Терентьев A.A. Влияние структуры электрода на селективность газовых сенсоров / A.A. Терентьев, В.И. Филиппов, С.С. Якимов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. - № 2. - С. 72-77.

188. Тутов Е.А. Детектирование диоксида азота аморфными пленками триоксида вольфрама / Е.А. Тутов, C.B. Рябцев, А.Ю. Андрюков // Письма в ЖТФ. 2000. - Т. 26, вып. 3. - С. 38-43.

189. Тутов Е.А. Функциональные свойства гетероструктур кремний / несобственный оксид / Е.А. Тутов, C.B. Рябцев, E.H. Бормонтов // Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23, вып. 12. - С. 7-13.

190. Functional applications of large-area heterostructures of monocrystalline silicon disordered semiconductors /Е.А. Tutov, A.A. Baev, S.V. Ryabtsev, A.V. Tadeev // Thin Solid Films. - 1997. - V. 296. - P. 184-187.

191. Новые области применения пористого кремния в полупроводниковой электронике / В.П. Бондаренко и др. // Зарубежная электронная техника. 1989. - Вып. 9. - С. 55-84.

192. Jung К.Н. Developments in luminescent porous Si (review) / K.H. Jung, S. Shih, D.L. Kwong // J. Electrochem. Soc. 1993. - V. 140, № 10. - P. 3046-3064.

193. Properties of porous silicon / Ed. by L. Canham // EMIS Datareviews ser. № 18. IEE, London, 1997. - 400 p.

194. Влияние адсорбции на перенос заряда в системе пористый кремний-металл / В.М. Демидович и др. // Вестник МГУ. 1996. - Сер. 3, № 4. -С. 99-103.

195. Shechter I. Gas sensing properties of porous silicon /1. Shechter, M. Ben-Chorin, A. Kux // Anal. Chem. 1995. - V. 67. - P. 3727-3732.

196. Anderson R.C. Investigations of porous silicon for vapour sensing / R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias // Sens. Actuators A. 1990. - V. 21-23. -P. 835-839.

197. Ковалевский A.A. Взаимосвязь пористости с чувствительностью к влаге тонкопленочных конденсаторных структур на пористом кремнии / А.А. Ковалевский, И.Л. Баранов / Микроэлектроника. — 1996. Т.25, №4.-С. 298-302.

198. Козлов С.Н. Влияние адсорбции воды на импеданс системы кремний-пористый кремний-металл / С.Н. Козлов, А.Н. Невзоров, А.А. Петров // Вестник МГУ. 1999. - Сер. 3, № 1. - С. 63-64.

199. Humidity sensors using porous silicon layer with mesa structure / S.-J. Kim et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. - V. 33. - P. 1781-1784.

200. Thick oxidized porous silicon layer as a thermo-insulating membrane for high-temperature operating thin- and thick-film gas sensors / P. Maccagnani et al. // Sens. Actuators B. 1998. - V. 49. - P. 22-29.

201. A study of hydrogen detection with palladium modified porous silicon / V. Polishchuk et al. // Analytica Chimica Acta. 1998. - V. 375 - P. 205-210.

202. Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система / Л.В. Беляков и др. // ФТП. 1998. - Т. 32, вып. 9.-С. 1122-1124.

203. Pore size distribution in porous silicon studied by adsorption isotherms / G. Bomchil et al. // J. Electrochem. Soc. 1983. - V. 130, № 7. - P. 16111614.

204. Porosity and pore size distributions of porous silicon layers / R. Herino et al. //J. Electrochem. Soc. 1987. -V. 134, № 8. - P. 1884-2000.

205. Connectivity of pore networks in chemically sensitive materials / H.-T. Sun et al. // Sens. Actuators B. 1995. - V. 24-25. - P. 865-870.

206. Electrical behaviour of fresh and stored porous silicon films / M.L. Ciurea et al. // Thin Solid Films. V. 325, № 1-2. - P. 271-277.

207. Porous polycrystalline silicon conductivity sensor / P.G. Han et al. // J. Vac. Sci. andTechnol. A4. — 1999. V. 17.-P. 1832-1835.

208. Porous silicon membranes for gas-sensor applications / T. Taliercio et al. // Sens. Actuators A. 1995. - V. 46-47. - P. 43-46.

209. Searson P.C. The formation, morphology, and optical properties of porous silicon structures / P.C. Searson, J.M. Macaulay, S.M. Prokes // J. Electrochem. Soc. 1992. - V. 139, № 11. - P. 3373-3378.

210. Porous silicon as a material in microsensor technology / S. Barrett et al. // Sens. Actuators A. 1992. - V. 33. - P. 19-24.

211. Kim S.-J. Capacitive-type organic gas sensors using porous silicon layer measurable at room temperature / S.-J. Kim, B.H. Jeon, k.S. Choi // Electrochem. Soc. Proc. 1999. - V. 99-23. - P. 407-415.

212. Тутов E.A. Определение структурно-фазовых параметров пористого кремния из измерений емкости / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, В.М. Кашкаров // Журнал прикладной химии. 2000. - Т. 73, № 7. - С. 10711074.

213. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием / Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов, В.М. Кашкаров, М.Н. Павленко, Э.П. Домашевская // ЖТФ. 2003. - Т. 73, вып. 11.-С. 83-89.

214. Емкостный сенсор влажности на основе пористого кремния / Е.А. Тутов и др. // Сорбционные и хроматографические процессы. 2007. - Т. 7, № 3. - С. 534-537.

215. Митчелл Дж. Акваметрия / Дж. Митчелл, Д. Смит. — М. : Химия, 1980. -600 с.

216. Тутов Е.А. Неравновесные процессы в емкостных сенсорах на основе пористого кремния / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, C.B. Рябцев // Письма в ЖТФ. 2000. - Т. 26, вып. 17. - С. 53-58.

217. Тутов Е.А. Адсорбционно-емкостная порометрия / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, E.H. Бормонтов // ФТП. 2001. - Т. 35, вып. 7. - С. 850-853.

218. Взаимодействие пористого кремния с водой: хемографический эффект / Е.А. Тутов, М.Н. Павленко, И.В. Протасова, В.М. Кашкаров // Письма в ЖТФ. 2002. - Т. 28, вып. 17. - С. 45-50.

219. Тутов Е.А. Фотостимулированная релаксация в газовых сенсорах на основе пористого кремния / Е.А. Тутов, C.B. Рябцев, A.B. Арсенов // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. - Т. 4, № 3. — С. 236-241.

220. Равновесные и неравновесные электродные процессы на пористом кремнии / Е.А. Тутов, М.Н. Павленко, Е.Е. Тутов, И.В. Протасова, E.H. Бормонтов // Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 32, вып. 13. - С. 6-11.

221. Плаченов Т.Г. Порометрия / Т.Г. Плаченов, С.Д. Колосенцев. — JL : Химия, 1988.-174 с.

222. Черемской П.Г. Методы исследования пористости твердых тел / П.Г. Черемской. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 260 с.

223. Петрова В.В. Микропористость анодных оксидных пленок алюминия / В.В. Петрова. Петрозаводск : изд-во Петрозаводского ун-та, 1992. -95 с.

224. Одынец JI.JI. Анодные оксидные пленки / Л.Л. Одынец, В.М. Орлов. -Л. : Наука, 1990. 192 с.

225. Белов А.Н. Особенности получения наноструктурированного анодного оксида алюминия / А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, В.И. Шевяков // Российские нанотехнологии. 2006. - Т. 1, № 1-2. - С. 223-227.

226. Александров Л.Н. Моделирование образования структур пористого кремния / Л.Н. Александров, П.Л. Новиков // Письма в ЖЭТФ. 1997. -Т. 65, вып. 9. - С. 685-690.

227. Влияние режимов обработки на морфологию и оптические свойства пористого кремния п-типа / Э.Ю. Бучин и др. // Письма в ЖТФ. -1995.-Т. 21, вып. 1.- С. 60-65.

228. XPS, USXS and PLS Investigations of porous silicon / E.P. Domashevskaya et al. // J. Electron. Spectroscopy and Related Phen. 1998. - V. 88-91. - P. 958-962.

229. Исследование слоев пористого кремния методом аннигиляции позитронов / В.П. Шантарович и др. // ФТТ. -1996. Т. 38, вып. 9. - С. 2686-2692.

230. Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии / В.И. Графутин и др. // ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 8. - С. 1376-1380.

231. Мамыкин А.И. Магнитно-резонансная спектроскопии пористых квантово-размерных структур / А.И. Мамыкин, В.А. Мошников, А.Ю. Ильин // ФТП. 1998. - Т. 32, № 3. - С. 356-358.

232. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф.Ф. Волькенштейн. М : Наука, 1987.-432 с.

233. Физика соединений AnBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. М. : Наука, 1986. - 320 с.

234. Light and thermally induced effects in porous silicon layers / Md.N. Islam et al. // Solid State Commun. 1998. - V. 107, № 1. - P. 43-46.

235. Перевощиков B.A. Многослойное строение структур с пористым кремнием / В.А. Перевощиков, В,Д. Скупцов, В.Г. Шенгуров // Поверхность : Рентген., синхротрон, и нейтрон, исслед. 1998. - № 4. -С. 44-46.

236. Staebler D.I. Reversible conductivity changes in discharge-produced amorphous Si / D.I. Staebler, C.R. Wronski // Appl. Phys. Lett. 1977. - V. 31.-P. 292-294.

237. Wronski C.R. The Staebler-Wronski effect / in J. Pankove, Semiconductors and semimetals 21 C. Academic Press, Orlando. - 1984. - P. 147-174.

238. Джумаев Б.P. Обратимые и необратимые изменения спектров фотолюминесценции пористого кремния при выдерживании в воде / Б.Р. Джумаев // ФТП. 1999. - Т. 33, № 11. - С. 1379-1383.

239. Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремнияв процессе естественного и высокотемпературного старения / A.M. Орлов и др. // Письма в ЖТФ. 2001. - Т. 27, вып. 2. - С. 76-83.

240. Salonen J. The room temperature oxidation of porous silicon / J. Salonen, V.-P. Lehto, E. Laine // Applied Surface Science. 1997. - V. 120. - P. 191-198.

241. Горячев Д.Н. Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой / Д.Н. Горячев, Г. Полисский, О.М. Сресели // ФТП. -1998. Т. 32, № 8. - С. 1016-1018,

242. Real-time photoluminescence and Raman spectral study of porous Si duringand H20 exposure / T. Wadayama et al. // J. of Luminescence. — 1998. -V. 78.-P. 111-116.

243. Костишко Б.М. Механизм водного дотравливания пористого кремния n-типа проводимости в электрическом поле / Б.М. Костишко, Ю.С. Нагорнов // ЖТФ. 2001. - Т. 71, вып. 7. - С. 60-66.

244. Елизаров А.И. Исследование эффекта взаимодействия поверхности твердых тел с фотоэмульсией в системе кристалл-жидкость-фотопленка / А.И. Елизаров, B.JI. Терещенко // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. - Т. 1, № 2. - С. 129-132.

245. Хемографический эффект в алюминиевых сплавах / А.И. Елизарови др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. - Т. 1, №3,4.-С. 250-255.

246. Elizarov A.I. New method for visualizing heterogeneous reactions / A.I. Elizarov, A.V. Sukachov // Vacuum. 1999. - № 54. - P. 233-237.

247. Богобоящий В.В. Десорбция атомарного водорода при окислении Si и его диффузия в водной среде // В.В- Богобоящий, М.А. Елизаров // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2004. Т. 6, № 2. — С. 133 -139.

248. Джеймс Т. Теория фотографического процесса / Т. Джеймс. JI.: Химия, 1980.-672 с.

249. Гурский Л.И. Зарядовые свойства МОП-структур / Л.И. Гурский, Н.В. Румак, В.В. Куксо. Минск : Наука и техника, 1980. - 200 с.

250. Бейтс Р. Определение рН. Теория и практика / Р. Бейтс. Л. : Химия, 1968.-400 с.

251. Боонстра А. Поверхностные свойства германия и кремния / А. Боонстра. М. : Мир, 1970.-176 с.

252. Зимин С.П. Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки / С.П. Зимин, А.Н. Брагин // ФТП. 1999. - Т. 33, № 4. - С. 476-480.

253. Розанов В.В. Спилловер водорода в гетерогенном катализе /В.В. Розанов, О.В. Крылов. //Успехи химии. 1997. - Т. 66, вып. 2. — С. 117130.

254. Химическая энциклопедия // М.: Большая Российская энциклопедия, 1992.-Т. 3.-639 с.

255. Валуев В.В. Сорбционные свойства сульфонатсодержащих ароматических полиамидов / В.В. Валуев и др. // ЖФХ. 1994. - Т. 68, №9.-С. 1667-1672.

256. Кирш Ю.Э. Селективный перенос одно- и двухвалентных катионов в мембранах из сульфонатсодержащих ароматических полиамидов / Ю.Э. Кирш и др. // ЖФХ. 1993. - Т. 67, № 11. - С. 2312 - 2314.

257. Чалых А.Е. Диффузия в полимерах / А.Е. Чалых. — М.: Химия, 1987. — 305 с.

258. Волков В.И. Диффузионная подвижность молекул воды в катионообменных мембранах на основе сульфонатсодержащих полифениленфталамидов / В.И. Волков и др. // ЖФХ. 1994. - Т. 68. -С. 1310-1316.

259. Челидзе Т.Л. Электрическая спектроскопия гетерогенных систем / Т.Л. Челидзе, А.И. Деревянко, О.Д. Куриленко. Киев. : Наук, думка, 1977. -232 с.

260. Тимашев С.Ф. Физикохимия мембранных процессов / С.Ф.Тимашев. — М. : Химия. 1988. - 240 с.

261. Шапошник В.А. Кинетика электродиализа / В.А. Шапошник. Воронеж: Издательство ВГУ, 1989. - 176 с.

262. Селективный перенос одно- и двухвалентных катионов в мембранах из сульфонатсодержащих ароматических полиамидов / Ю.Э. Кирш и др. // ЖФХ. 1993. - Т. 67, № 11. - С. 2312-2314.

263. Горелов И.П. Сенсоры на основе электронпроводящих полимеров в аналитической химии / И.П. Горелов, С.С. Рясенский // Сенсор. 2004. — № 1.-С. 2-14.

264. Определение газов полупроводниковыми сенсорами с полимерными покрытиями / П.В. Яковлев и др. // Журн. аналит. химии. — 2002. Т. 57, № 3. - С. 326-329.

265. Электрические транспортные и релаксационные процессы в полимерных материалах: моделирование и экспериментальные результаты / А.Т. Пономаренко и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. -2001.-Т. 3, № 1.-С. 73-81.

266. Состояние воды в катионообменных мембранах различной химической природы / В.В. Котов и др. // ЖФХ. 2004. - Т. 78, № 10. - С. 18691873.

267. МДП структура с полиамидным диэлектриком в условиях сорбции паров воды / Е.А.Тутов и др. // ЖТФ. 2005. - Т. 75, вып. 8. - С. 85-89.

268. Вода в полимерах / Под ред. С.М! Роуленда. М. : Мир. - 1984. - 555 с.

269. Нетесова Г.А. Массоперенос воды и предельных алифатических спиртов в системах с катионообменными мембранами : дис. . канд. хим. наук / Г.А. Нетесова. — Воронеж, 2005. 157 с.

270. Драпак С.И. Спектрально-люминесцентные свойства пчелиного клея / С.И: Драпак // ЖТФ. 2007. - Т. 77, № 8. - С. 74-78.

271. Эггинс Б. Химические и биологические сенсоры / Б. Эггинс. М. : Техносфера, 2005. - 336 с.

272. Электрофизические и сорбционные характеристики гетероструктуры прополис/кремний / Е.А.Тутов, и др. // Сорбционные и хроматографические процессы. 2009. — Т. 9 (направлена в печать).

273. Рентгеновские исследования структуры пленок прополиса / С.И. Драпаки др.//ФТТ. 2006. - Т. 48, вып. 8.-С. 1515-1517.

274. Фрайден Дж. Современные датчики. Справочник. / Дж. Фрайден. -М. : Техносфера, 2006. 592 с.

275. Тарасевич Ю.Ю. Перколяция: теория, приложения, алгоритмы / Ю.Ю. Тарасевич. М. : Едиториал УРСС, 2002. - 112 с.

276. Драпак С.И. Обнаружение фоточувствительности гетероконтакта полупроводник — терпентин / С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк // Письма в ЖТФ. 2004. - Т. 30, вып. 6. - С. 73 - 78.

277. Азимов Ш.Ю. Апатиты и их редкоземельные аналоги / Ш.Ю. Азимов,

278. A.A. Исматов, Н.Ф.Федоров. Ташкент : ФАН, 1990. - 116 с.

279. Каназава Т. Неорганические фосфатные материалы / Под ред. А.П. Шпака и B.JI. Карбовского. Киев : Наукова думка, 1998. - 298 с.

280. Шпак А.П. Апатиты / А.П. Шпак, B.JI. Карбовский, В.В. Трачевский. -Киев : Академпериодика, 2002. — 414 с.

281. Вересов А.Г. Достижения в области керамических биоматериалов / А.Г. Вересов, В.И. Путляев, Ю.Д. Третьяков // Рос. хим. журн. 2000. - Т. 94,6, Ч. 2. С. 32-46.

282. Баринов С.М. Биокерамика на основе фосфатов кальция / С.М. Баринов,

283. B.C. Комлев. М. : Наука, 2005. - 204 с.

284. Захаров H.A. Диэлектрические характеристики биосовместимого Са10(РО4)б(ОН)2 / H.A. Захаров, В.П. Орловский // Письма в ЖТФ. 2001. - Т. 27, вып. 15. - С. 22-26.

285. Шапошник A.B. Селективное определение газов полупроводниковыми сенсорами : дис. . д-ра хим. наук : 020002 : защищена 23.12.2005 / A.B. Шапошник. Воронеж, 2005. — 280 с.

286. Качественное и количественное определение газов и паров химических производств полупроводниковой сенсорной матрицей / A.B. Шапошник и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2005. - Т. 7, №2.-С. 195-199.

287. Селективное детектирование паров этанола и ацетона системой полупроводниковых сенсоров / Н.С. Демочко и др. // Сенсор. 2005. -№2.-С. 34-38.

288. Zisman W. A new method of measuring contact potential differences in metals / W. Zisman // The review of scientific instruments. — 1932. № 7. -P. 367-370.

289. Mizsei J. Simultaneous response of work function and resistivity of some Sn02-based samples to H2 and H2S / J. Mizsei, V. Lantto // Sens. Actuators B. 1991. — V. 4.-P. 163-168.

290. Mizsei J. Olfactory images by scanning Kelvin method / J/ Mizsei // Proc. Eurosensors-XI, 1997, Warsaw, Poland. 1P1-23. - P. 167-170.

291. Будко B.H. Измерение потенциала поверхности металлов и полупроводников компенсационным методом Кельвина-Зисмана / В.Н. Будко, В.В. Крячко // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2003. Т. 5, № 2. - С. 155-161.

292. Бесконтактный метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик / В.В. Крячко и др. // ЖТФ. 2004. -Т. 74, вып. 10.-С. 128-133.

293. Бутусов И.Ю. Исследование электрического разряда структур Si-Si02 методом зонда Кельвина / И.Ю. Бутусов, Е.А. Татохин, Е.А. Тутов // Вестник ВГУ, Серия: Физика. Математика. 2007. - № 1. - С. 5-8.