Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов соединений А3В5, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Лунина, Марина Леонидовна

• Лунина, Марина Леонидовна
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лунина, Марина Леонидовна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

ИССЛЕДОВАНИЯ.

1.1. Многокомпонентные твердые растворы на основе 1п8Ь, ваБЬ, 1пА и ваР.

1.2. Эпитаксиальные структуры, полученные с использованием висмута в качестве растворителя

1.3. Легирование твердых растворов на основе соединений А В висмутом.

1.4. Твердые растворы замещения на основе соединений А3В с участием висмута.

1.5. Постановка задачи исследования.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ФАЗОВЫХ РАВНОВЕСИЙ В ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ

МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ГЕТЕРОСИСТЕМАХ А3В

2.1. Закономерности изменения основных свойств твердых растворов замещения на основе соединений А3В5.

2.2. Термодинамическое описание фазовых диаграмм изоморфных многокомпонентных твердых растворов (МТР).

2.3. Определение термодинамических параметров для анализа висмутсодержащих МТР

2.4. Анализ фазовых равновесий в висмутсодержащих гетеросистемах на примере систем 1п-Аз-8Ь-В1 и Оа-1п-Аз-8Ь-В1.

2.5. Термодинамические ограничения и устойчивость висмутсодержащих МТР

2.6. Ограничение по плавкости.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 3. ТЕХНИКА ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ Вь СОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУРЫ.

3.1. Аппаратурное оформление ЗПГТ и специального оборудования для анализа кинетики роста полупроводниковых гетероструктур.

3.2. Анализ существующих и разработка новых технологических кассет для получения пленочных и многослойных гетероструктур.

3.3. Формирование транспортных раствор-расплавных зон, подготовка исходных материалов и гетерокомпозиций

3.4. Анализ источников погрешностей эксперимента.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ РОСТА МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ Bi-СОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР.

4.1. Морфология эпитаксиальных слоев Bi-содержащих гетероструктур

4.2. Зависимости кинетических характеристик от геометрических, термодинамических параметров и состава жидкой зоны.

4.3. Влияние высокотемпературного отжига жидкой зоны на скорость ее движения.

4.4. Распределение компонентов в твердых растворах GaAsxPi„x<Bi>

4.5. Особенности кристаллизации, структурное совершенство и состав 140 МТР InAsSbBi/InSb, InGaAsSbBi/InSb и InGaAs<Bi> tfnAs.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 5. СВОЙСТВА ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И ПУТИ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ В ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ.

5.1. Расчет спектров поглощения и отражения многослойных Bi-содержащих гетероструктур.

5.2. Расчет зависимости ширины запретной зоны от состава многокомпонентных висмутсодержащих твердых растворов на основе соединений А3В5.

5.3. Фотодетекторы на основе многослойных гетероструктур InSbi.xBix/InSb и светоизлучающие диоды на основе 165 пленок GaAs,.xPx<Bi>/GaP.

5.4 Электрофизические и фотолюминесцентные характеристики многослойных гетероструктур InSbi.xBix/InSb и GaSbj.xBix/GaSb

5.5. Анализ спектров фоточувствительности датчиков ИК излучения с помощью искусственных нейросетей.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов соединений А3В5, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры»

Поиск новых многокомпонентных полупроводниковых материалов и разработка эффективных технологий получения гетероструктур и приборов на их основе является одной из важнейших составляющих современного развития электроники.

Узкозонные твердые растворы А3В?\\,2\, изопериодные подложкам 1п8Ь, 1пАз и ваБЬ, перспективны в качестве высокочувствительной базы фотодетекторов в инфракрасной области спектра. Широкозонные гетероструктуры на основе арсенида-фосфида галлия необходимы для создания высокоэффективных оптоэлектронных приборов, работающих в видимом диапазоне. В тоже время существующие методы получения многокомпонентных твердых растворов (МТР), изопериодных подложкам 1п8Ь, ГпАб, ва8Ь и ваР, имеют ряд проблем [1]. Некоторые из них можно решить введением компонентов, которые позволят компенсировать структурные и термодинамические несоответствия. В качестве одного из таких компонентов может быть применен висмут[3-11]. Его введение в расплав при кристаллизации МТР обеспечивает морфологическую стабильность фронта кристаллизации, уменьшение плотности дефектов, вызванных отклонением от стехиометрии[3]. Указанные достоинства наиболее эффективно могут быть реализованы в методе зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ), для которого характерны малое пересыщение на фронте кристаллизации, высокая изотермичность, низкие значения концентрационного переохлаждения[1] и возможность управления распределением компонентов по толщине слоя. Кроме того, легирование висмутом дает возможность формировать заданную энергетическую структуру кристалла.

В этой связи налицо актуальность как с научной, так и с практической точек зрения диссертационной работы, посвященной исследованию процессов роста и свойств висмутсодержащих твердых растворов на основе 1п8Ь, ва8Ь, 1пАз и СаР.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Изучение процессов кристаллизации, выявление закономерностей кинетики эпитаксиального роста многокомпонентных твердых растворов с участием висмута на основе 1п8Ь, 1пАз и ваР в поле температурного градиента и исследование их свойств. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- разработка процессов кристаллизации слоев многокомпонентных твердых растворов; экспериментальные исследования процессов роста висмутсодержащих эпитаксиальных слоев на подложках 1п8Ь, 1пАз и ваР;

- теоретические исследования фазовых равновесий в многокомпонентных гетеросистемах А3В5 с висмутом;

- анализ термодинамических ограничений синтеза пятикомпонентной системы 1п-Са-Аз-8Ь-Ш и ее подсистем; исследование зависимости ширины запрещенной зоны твердого раствора 1пСаА&БЪВ1 от состава;

- исследование возможностей получения тонкопленочных и многослойных висмутсодержащих гетероструктур и анализ распределения компонентов в слоях МТР в зависимости от условий получения;

- исследование зависимости скорости роста от геометрических параметров, состава жидкой зоны и температурных условий;

- исследование дефектности эпитаксиальных слоев полученных твердых растворов;

- анализ оптических характеристик гетероструктур 1п8Ь1.хВ1х/1п8Ъ и СаБЬ ¡.^Вг/ОаБЬ и возможности их реализации в оптоэлектронных приборах.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ:

1. Предложена методика расчета фазовых равновесий многокомпонентных изоморфных систем в рамках модели простых растворов с использованием параметров виртуального соединения ваШ.

2. Определены термодинамические возможности синтеза, из жидкой фазы, твердых растворов 1пШАз8Ь и Оа1пВ1А88Ь изопериодных 1п8Ь, лимитированные с одной стороны распадом твердых растворов, а с другой - ограничениями по плавкости.

3. Установлен гистерезисный характер температурной зависимости скорости миграции в кристаллической фазе жидких зон йаАзРЕН, предварительно прошедших высокотемпературную обработку .

4. Определен механизм ограничения скорости миграции жидких зон при Т<1250 К для гетеросистемы Оа-АБ-Р-Ш.

5. Определена зависимость ширины запрещенной зоны (Ее) системы Ы-Оа-Аз-БЬ-В\ - ЫБЬ от состава МТР.

6. Исследовано влияние висмута на структурное совершенство эпитаксиальных слоев МТР А3В5, выращенных в поле температурного градиента.

7. Показано, что изменение коэффициента пропускания излучения в многослойных структурах 1п8ЬВЫп8Ь для создания отражателей (брэгговских зеркал) при числе слоев 10-15 и более и толщине слоев 0,1 мкм осуществляется путем изменения числа слоев и/или направления падающего пучка.

НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ:

1. Закономерности температурного изменения областей существования твердых растворов ОаМЯАзБЬ и ММАвБЬ аналогичны, однако добавление галлия приводит к сокращению областей термодинамической неустойчивости как со стороны 1п8Ь, так и других компонентов за исключением висмута.

2. В поле температурного градиента воспроизводимо кристаллизуются твердые растворы 1п1.2Са28Ь1.х.уА8уВЦ/1п8Ь сх< 0.03,у ^ 0.05 и г < 0.08;

А1у1п1у 8Ь].хВ1х/1п8Ь с х < 0.02 и у < 0.06; ОаАзхР]Х<В ¡>АЗаР с содержанием х < 0.075, и уровнем легирования В1 до Х^-, =0.15 мол. %, а при введении 1п (система в а- 1п -Аз-Р-ВО - Х^ =0.75 мол. % и X8 1П - до 2.5 мол. %.

3. Кинетика миграции зон при ЗПГТ, лимитируемая температурой отжига, приводит к гистерезисной зависимости скорости миграции от температуры.

4. При концентрациях висмута в расплаве 60+75 мол. % плотность дислокаций для Оа1пА8<В1>/1пА8 на гетерогранице и в слое понижается до значений ~ (Н2) 104 см*2. Превышение концентрации приводит к антиструктурному внедрению висмута в решетку твердых растворов, а снижение - к падению устойчивости системы по отношению к возмущениям межфазных границ, на что указывает анализ состава эпитаксиальных слоев.

5. Формирование минизонной структуры в ^/-содержащих ТР возможно при толщине образующих сверхрешетку слоев, порядка ( 100+300) нм.

ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ:

1. Получены варизонные гетероструктуры Inj.yGaySbi.xBix/InSb и А1у1п].у8Ь1.х В1хЛп8Ь толщиной до 100 мкм, пригодные для использования в качестве фоточувствительных элементов оптоэлектронных устройств в спектральном диапазоне X ~ ( 7+14) мкм.

2. Разработана методика легирования висмутом МТР на основе 1пАз и ва8Ь. На подложках ваР выращены эпитаксиальные пленки ОаА$Р<В> и Са1пА8Р<В1> толщиной до 30 мкм, легированные висмутом (п < 5-10 18 см"3), которые могут использоваться в качестве основы для фотоприемных устройств и светодиодов, работающих в видимой и ближней инфракрасной областях спектра.

3. Разработаны новые конструкции технологических кассет слайдерного и поршневого типов, позволяющие эффективно управлять составом жидкой фазы МТР по компонентам с высоким коэффициентом сегрегации и использовать структурно-формирующие свойства В! в гетерокомпозиции.

4. Разработаны конструкции резонансного р-1-п фотодиода на основе гетероструктуры р+-1п8Ъ/1-1п8ЪВУп1пБЬ.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международных научно-технических конференциях "Современные проблемы машиностроения" (Севастополь, 1999 г.), "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники"(Таганрог, 2002 и 2004 г.), II Всероссийской конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2000 г.), XI Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2004, 2008 г.), 51 Международном Коллоквиуме по Мехатронике и Нанотехнологиям в Техническом Университете Ильменау (Германия, сентябрь 2006 г,), X междунар. науч. конф. и школе-семинаре "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 2006 г.), международной научно-практической конф. "НАНОТЕХНОЛОГИИ-ПРОИЗВОДСТВУ" (Фрязино, 2006,2008 г.), VI и VII междунар. конф. "Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии" (Кисловодск, 2006, 2007, 2008 гг.).

ОБЪЕМ РАБОТЫ И ЕЕ СТРУКТУРА. Настоящая работа состоит из введения и пяти глав, общих выводов, списка литературы , содержит 187 страниц машинописного текста, 121 иллюстрации, 14 таблиц. Библиография включает 155 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы основная цель и задачи исследований, представлена научная новизна и практическая значимость работы, изложены основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе проведен обзор литературных данных по свойствам и методам эпитаксиального выращивания висмутсодержащих многокомпонентных твердых растворов на подложках.

Осуществлена постановка задачи исследования, включающая моделирование гетерогенных равновесий и экспериментальное изучение возможностей метода ЗПГТ для выращивания варизонных и однородных по составу висмутсодержащих слоев МТР на основе InSb, InAs и GaP, анализ процессов их кристаллизации, структурного совершенства, а также разработку практических рекомендаций по реализации приборных структур на их основе.

Вторая глава посвящена вопросам теории многокомпонентных висмутсодержащих твердых растворов. Основное внимание уделено моделированию гетерофазных равновесий. Впервые определены такие характеристики гетеросистем с висмутом, как термодинамические параметры взаимодействия компонентов в жидкой и кристаллической фазах; бинодальные и спинодальные изотермы In-Bi-As-Sb - InSb, Ga-In-Bi-As-Sb - InSb. Исследовано также ограничение по плавкости пятикомпонентной системы Ga-In-Bi-As-Sb- InSb.

В третьей главе описываются технологические аспекты формирования многокомпонентных висмутсодержащих твердых растворов.

В четвертойглаве обсуждаются результаты экспериментальных исследований процессов роста эпитаксиальных слоев ^/-содержащих МТР на основе InSb и GaP. Анализируются особенности изменения формы локальных жидких зон в Bi-содержащих гетеросистемах; эмпирически получены закономерности кинетики кристаллизации. Выявлены характер, основные особенности формирования и движения зон в кристаллах антимонида индия и фосфида галлия, распределение компонентов в образующихся твердых растворах, проведен анализ полученных результатов.

В пятой главе диссертации обсуждаются прикладные аспекты работы.

Приведены результаты расчета зависимости ширины запрещенной зоны (Eg) от состава для твердого раствора GaJni.xBiyAszSbby.z изопериодного InSb. Путем минимизации функционала плотности осуществлено прогнозирование энергетических зазоров указанных соединений и параметров квадратичной нелинейности в квазибинарных висмутсодержащих твердых растворах GalnBi, GaBiAs, GaBiSb InBiAs, InBiSb. Разработаны конструкции оптоэлектронных устройств на основе полученных полупроводниковых материалов.

Автор выражает глубокую благодарность профессору Благину A.B.(Южный научный центр РАН), чье пристальное внимание и конструктивные замечания в ходе научного руководства сделали возможным завершение работы над диссертацией. Автор благодарен также профессору В. М.Андрееву (Физико-Технический институт РАН им. А.Ф.Иоффе) за плодотворное обсуждение фотоэлектрических свойств исследованных материалов; профессору В.В.Кузнецову (Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет(ЛЭТИ)) за консультации по вопросам термодинамики многокомпонентных гетеросистем, а также за ценные советы и критические замечания; доценту И.А. Сысоеву (ЮжноРоссийский государственный технический университет - Новочеркасский политехнический институт) за научно-инженерную поддержку экспериментальных исследований по росту твердых растворов; профессору Д.В.Валюхову (СевероКавказский государственный технический университет) за любезно предоставленное оборудование Лаборатории Электронной Микроскопии; научному сотруднику Лаборатории Сканирующей и рентгеноспектральной микроскопии С.В.Чеботареву (ЮРГТУ-НПИ) за обсуждение результатов исследования поверхности и поэлементного состава гетерострукгур. Мы признательны профессору В.Н.Лозовскому, доцентам А.А.Бараннику и П.И.Разумовскому (ЮРГТУ-НПИ) за благожелательное участие в обсуждении результатов исследований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Лунина, Марина Леонидовна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. Предложена методика расчета гетерофазных равновесий в МТР Оа1пВ1А88Ь с использованием модели простых растворов с "виртуальным" соединением ваВ1 и квазирегулярным приближении жидкой и регулярном приближении твердой фазы. В системах А3В5, содержащих висмут, ограничения по плавкости приводят к резкому ограничению областей составов твердых растворов, доступных для получения методами ЖФЭ. Для систем 1пВ1хА8у8Ь1.ху и Оах1п].хВ1уА82.8Ь].у.7 твердые растворы могут быть получены вблизи соединения 1п8Ь? с содержанием В! не превышающем 5 ат.%, что, в первую очередь, связано с низкими температурами плавления висмутсодержащих компонентов.

2. Получены гетероструктуры 1п)^ва^ Ь] х.у АзуВ¡х/1п8Ь с х < 0.03, у < 0.05 и г < 0.08; А1у1п1у8Ь1.хВ1хЯп8Ь с х < 0.02 и у< 0.06; ОаА8хР,.х<В1>/СаР с содержанием х < 0.075, и уровнем легирования В1 до Х^ =0.15 мол. %, а при введении 1п- Х^ =0.75 мол. % и Xе 1„ до 2.5 мол. %. Выращены варизонные слои 1п1у Сау8Ь>1х В1х/1п8Ь и А1у1п!у8Ь1.х В1хЛп8Ь толщиной до 100 мкм, пригодные в качестве фоточувствительных элементов оптоэлеюронных устройств в диапазоне 7-И 4 мкм. На подложках ваР выращены эпитаксиальные пленки ОаАзР<В1> и Оа1пА8Р<В1> толщиной до 30 мкм, легированные висмутом (п < 5-1018 см"3), которые могут использоваться для разработки фотоприемных устройств и светодиодов в видимой и ближней инфракрасной области.

3. Выявлены закономерности кинетики ЗПГТ в системах 1пОа8ЬВь1п8Ь, Са1пА88ЬВь1п8Ь, А11п8ЬВМп8Ь и ОаА8Р<В1>-ОаР.

4. В гетеросистемах ОаАэРВх/ОаР и АНп8ЬВШп8Ь установлен и интерпретирован гистерезисный характер температурной зависимости скорости миграции жидкой зоны, прошедшей отжиг при высокой температуре. Высокотемпературный отжиг вещества жидкой зоны смещает область "насыщения" зависимости скорости зоны от ее толщины в сторону больших значений толщины и увеличивает скорость миграции зоны. Явление возникновения гистерезиса температурной зависимости скорости движения висмутсодержащих зон в кристаллических твердых растворах А3В5 связывается с разрушением обширных гомогенных кластеров атомов, резко различающихся по величине ковалентного радиуса (Р, ВО, а также комплексов компонентов с высоким коэффициентом сегрегации (А1).

5. Установлено, что для системы ваЬгАзВМпАз при концентрациях висмута в расплаве 60^-75 мол. % плотность дислокаций на гетерогранице и в слое понижается от (5-^7) 104 см"2до значений ~ (Н2)104 см"2 . Превышение указанного уровня концентрации В! приводит к антиструктурному внедрению висмута в решетку твердых растворов, а снижение — к падению устойчивости системы по отношению к кинематическим возмущениям межфазных границ, что подтверждено результатами рентгеностркуктурных и рентгеноспектральных исследований.

6. Разработана интерполяционная методика прогнозирования ширины запретной зоны висмутсодержащих твердых растворов АЗВ5; рассчитаны параметры нелинейности в квазибинарных твердых растворах ваМН, СаВ1Аз, СаВ18Ь, пЕЯАэ, 1пЕН8Ь. Определена функциональная зависимость Ей от состава твердого раствора вдоль изопериода 1п8Ь для Оах1п 1.хВ1уА$г5Ь¡.у., и 1пВ1уАз28Ь].у.2.

7. Исследованы возможности использования структур на основе МТР ОаАзР<ЕН> в качестве светоизлучающих диодов. Предложена оптимальная конструкция пленочного излучателя Оа1пРАз<В1>-ОаР . Показано, что на основе пленок СаАзР<В1>, полученных методом ЗПГТ, возможно создание высокоэффективных инжекционных излучателей. Установлено, что сверхрешетки 1пБЬ 1хВ1х/1пБЬ и СаБЬ 1.хВ1х/Са8Ь обладают высоким кристаллическим совершенством и пригодны в качестве элементной базы новых приборов оптоэлектроники - диодов ИК-излучения. Предложены конструкции фотодиодов на основе р4-п -структуры р -1п8ЪП-1пБЪВ1/п+1п8Ъ.

8. Изменение показателя пропускания излучения в многослойных структурах может осуществляться путем изменения числа слоев и/или направления падающего пучка. Многослойную структуру 1п8Ь1.хВ1х/1п8Ь можно применять в качестве отражателей (брэгговских зеркал) при числе слоев 10-15 и более и толщине слоев 0,1 мкм.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лунина, Марина Леонидовна, 2008 год

1. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений AIIIBV. (Новые материалы оптоэлектроники) Ростов-на-Дону: издательство РГУ, 1992.

2. Марончук И.Е., Шутов С.В., Кулюткина Т.Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута//Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995. т.31, № 12., С.1520-1522.

3. Акчурин Р.Х., Жегалин В.А., Сахарова Т.В., Серегин С.В. Получение многослойныхгетероструктур на основе арсенида-антимонида-висмутида индия методом "капиллярной" жидкофазной эпитаксии. Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. № 7. С. 51-55.

4. Van Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent system. III.-"Phys.Rev.", B, 1973, vol. 7, p. 1479.

5. Кузнецов B.B., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия. 1991. 176 с.

6. Акчурин Р.Х., Акимов О.Я//Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры

7. Asi.x-ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров // ФТП, 1995, т. 29, вып. 2, с. 362-369.

8. Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К.Д. и др. Получение твердых растворов

9. GaAsSb/GaSb и InGaAsSb/InAs в области составов, прилегающих к InAs // ЖПХ. -1994.Т. 67. В12. С.1951 1956.

10. Van Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent system. I.-"Phys.Rev.", 1969, vol. 182,p.891.

11. Акчурин P.X., Сахарова Т.В.//Получение узкозонных твердых растворов InAsi.x.ySbx

12. Biy методом жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1992, Т. 18. В.10. С. 16-20.

13. Зиновьев В.Г., Моргун А.И., Уфимцев В.Б. Поведение висмута в эпитаксиальных слоях GaSb<Bi> // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1993. Т.29. № 2. С.177-180.

14. Уфимцев В.Б., Зиновьев В.Г., Раухман М.Р.//Гетерогенные равновесия в системе In-Sb-Bi и жидкофазная эпитаксия твердых растворов на основе InSb // Известия АН СССР. Неорганические материалы, т. 15, №10,1979, с. 1740-1743.

15. KJeganathan, S.Saravanan, P.Ramasamy, J.Kumar. Effect of bismuth on liquid-phase epitaxy (LPE) grown GaAs layer using Ga-As-Bi meMJournal of Crystal Growth 200 (1999). P. 341-347.

16. Hwa-MokKim, Jae-Nyeon Leem, Tae-Won Kang. Gao.97Mn0.03As epitaxial layers grown from Ga-Mn-As-Bi solutions by liquid-phase epitaxy//Materials Letters 52 (2002). P. 43-46.

17. Gladkov P., Monova E„ Weber J. Liquid phase epitaxy and photoluminescence characterization of p-type GaSb layers grown from Bi melts. // J. Cryst. Growth. 146. (1995). Pp.319-325.

18. Osbourn G.C. J. Vac. Sci. Technol. Bl, 2, 379 (1983).

19. RogalskiA. InAsi-xSbx Infrared Detectors // Prog. Quant. Electr. 1989. V.13. P. 191-231.

20. G.C.Osborn. J. Appl. Phys., 53,158a6 (1982).

21. Hilsum C. Rees H. D. Tree — level accillator : a new for of transferred — electron device. Electron letters, 1970, V. 6. № 9. P. 277 278.

22. А.Берг, П. Дин. Светодиоды. Пер. с англ. Под ред. А.Э.Юновича. М.: Мир, 1979.

23. Максимов С.К. Формирование диссипативных структур при кристаллизации эпитаксиальных слоев многокомпонентных соединений A1 Bv и аморфных пленок Ta-Si Кристаллография. 1994. Т.39. № 2. С. 315-321.

24. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения АЗВ5: Справочник. М: Металлургия, 1984. - 144 с.

25. Долгинов JI.M., Дружинина JI.B., Мильвидский М.Г. и др. Дефекты структуры в эпитаксиальных слоях твердых растворов соединений АЗВ5// Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 2. С. 240.

26. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. М.: Итоги науки и техники, серия радиотехника, 1980. - С. 3-116.

27. Лунин Л.С., Лунина ОД., Сысоев И.А. и др. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5 в фотоэлектронике// Тез. Докл. II Всесоюзн. Науч. Конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад, 1991. С. 196-197.

28. Kawanishi Н, Suzuki Г. Liquid phase epitaxial growth of A1ZGai ZXInxAsyP i y pentanary on (100) GaAs substrate using two-phase solution technique. Appl. Phys. Lett., 1984, V.45, № 5, P. 560-562.

29. Лозовский B.H., Лунин Л.С., Аскарян Т.А. Физико-химические равновесия в пятикомпонентных полупроводниковых системах из соединений A3 В 5// Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1989, - Т.25, № 11 - с. 1778-1786.

30. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Благин A.B. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. — Ростов-на-Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2003.376 е.: ил.

31. Кузнецов В.В., Лунин Л.С., Ратушный В.И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений АЗВ5- Ростов-на-Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 е.: ил.

32. Лунин Л.С., Лунина ОД., Сысоев И.А. и др. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5 в фотоэлектронике// Тез. Докл. П Всесоюзн. Науч. Конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад, 1991. С. 196-197.

33. Лунин Л.С., Аскарян Т.А, Овчинников В.А. Исследование полупроводниковых гетероструктур InAlGaAsSb/GaSb // Изв. СКНЦ ВШ. Естеств. Науки. 1991. № з. с. 39-43.

34. Лунин Л.С., Овчинников В.А., Гапоненко В.Н. Выращивание пятикомпонентных твердых растворов на подложках антимонида галлия.// Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвуз. Сб., НПИ, 1991. С. 77-85.

35. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Лунина ОД., Овчинников В.А., Аскарян Т.А, Сысоев И.А. Выращивание пяти- и шестикомпонентных твердых растворов АЗВ5 в поле температурного градиента//Тез. докл. конф. по электронным материалам. Новосибирск, 1992. С. 103-104.

36. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Казаков В.В., Шевченко А.Г. Физико-химические основы технологии на основе соединений АЗВ5. Тез. докл российской науч.-техн. конф. Технол. процессы и материалы приборостроения и микроэлектроники. Москва, 1994. С. 7.

37. Лунин Л.С., Овчинников В.А., Благин A.B. Получение и исследование пятикомпонентных гетероструктур InGaAsSbBi на подложках антимонида индия. Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НГТУ, 1996.-С. 30-34.

38. Ратушный В.И., Благин A.B. Фотоприемники дальней ИК области на основе гетероструктур InGaAsSbBi/InSb, полученных из жидкой фазы в поле температурного градиента//Тр. докл. Третьей Всерос. Конф. с междунар. участием, Таганрог, 1996. С.26.

39. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В., Тарасов A.B., Уфимцев В.Б. Эпитаксиальный рост InAsi-x.y SbxBiy на подложках из InSb из висмутовых растворов // Изв. РАН. Неорганическиематериалы. Т.28. 1992. С.502-506.

40. Акчурин Р.Х., Зиновьев В.Г., Кузьмичева Г.М., Уфимцев В.Б. Кристаллохимический аспект легирования антимонида индия висмутом в условиях ЖФЭ // Кристаллография. 1982. Т.27. Вып. 3. С. 561-565.

41. Марьев В.Б. Зонная плавка с градиентом температуры в системах GaP и GaAsP:

42. Дис. .канд. ф.-м. наук, Новочеркасск, 1974.

43. Хансен М., Андерко К Структуры двойных сплавов. Т.П. М., Металлургиздат, 1962,910 с.

44. Rao М. V., Tiller W. A. The system In-Ga : thermodynamics and computed phase equilibria. J. Mater. Sei, 1972, V. 7, № 1, p. и -18.

45. Милъвидский М.Г., Пелевин O.B., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М., "Металлургия", 1974. 41 с.

46. Blom G. М., Plaskett Т. S. Indium gallium - antimony ternary phase diagram. J. Electrochem. Soc., 1971, V. 118, № 11, P. 1831 -1834.

47. Гаврилюк Ю.Н., Барба В.И., Круковский С.И. и др.//Тез. докл. V Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Калуга, 1990. Т. 1.1. С. 167-168.

48. Андреев В.М., Конников С.Г., Ларионов В.Р. и др. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 5. С. 533-537.

49. Андреев В.М., Минтаиров A.M., Смекалин К.Е. и др.// Тез. докл. V Всесоюз. конф.по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Калуга, 1990. Т. II. С. 27-28.

50. В.П.Кладъко, Г.Н.Семенов, Т.Г.Крыштаб, С.И.Круковский. Слои AlxGai.xAs в системе Ga-Bi-A 1 -GaAsZ/ЖТФ. Т. 64, Вып. 5. 1994.

51. Fujimoto III Jap. J. Appl. Phys. 1984. Vol. 23. № 5. P. L287-L289.

52. Krukovski S., Bobitski Ya. V. // Cryst. Growth. Pt 2. Trans, Tech. Publ. Switzerland -Germany-USA, 1991. P. 369-379.

53. Якушева H.A., Чикичев С.И. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23. № 10. С. 1607-1609.

54. Lideikis Т., Freideris G. // J. Cryst. Growth. 1989. Vol. 96. N 5. P. 790-794.

55. Бирюлин Ю.Ф., Воробьева B.B., Голубев В.Г. и др. // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 12. С. 2201-2209.

56. Nishizawa J., Оуата Y„ Tadano Н. et al. Observations of defects in LPE GaAs Revealed by New Chemical Etchant//J. Crist Growth. 1979.V.47.№3.P.434-436.

57. Литвин А.А., Марончук И.Е. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев из органического объема раствора-расплава//Кристаллография. 1997.Т.22.№2.С.425-428.

58. Марончук Ю.Е., Рудая Н.С., Якушева Н.А. Кратковременная жидкофазная эпитаксия арсенида галлия из висмутового расплава//Изв. АН СССР. Неорган, материалы.1986.T.22.№3.C.367-370.

59. Вальковская М.И., Пушкаш Б.М., Марончук Э.Е. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. Кишинев: Штиница, 1984.С.107.

60. Маллинз В., Секерка Р. Устойчивость плоской поверхности раздела фаз при кристаллизации разбавленного бинарного сплава//Проблемы роста кристаллов. М.:Мир,1968.С.406-426.

61. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1991. Т.27. № 2. С.225-230.

62. Казаков А.И., Мокрицкий В.А., Романенко В.Н., ХитоваЛ. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. -М.: Металлургия, 1987.

63. Френкель Я.К Кинетическая теория жидкостей. / Собр. избран, тр. JI.: Наука, 1975.

64. Чалмерс Б. Теория затвердевания. / пер. с англ. В.А. Алексеева, под ред. д.т.н.

65. М.В. Приданцева. — М.: Металлургия, 1968.

66. Акчурин Р.Х., Сахарова Т. В., Жегалин В.А. Исследование условий формирования гетероструктур InAsi-x-ySbxBiy/InSb методом ЖФЭ// Известия РАН. Неорганические материалы, 1995. Т. 31, № 11, с. 1434-1436.

67. Физико-химические свойства элементов. Справочник/под ред. чл.-корр. АН УССР Г.В.Самсонова. Киев: Наукова думка, 1985. 806 с.

68. Глазов В.М, Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники.1. М.: Наука, 1967.

69. Волошин А.Э., Вермке А., и др. Влияние условий эпитаксиального роста на характер твёрдого раствора, образующегося в слоях InSb<Bi> //Изв. РАН. Неорганические материалы. 1991.1.21. № 3. С.451^156.

70. Orders P.J., Usher B.F. Determination of critical layer thickness in InxGaj.xAs/GaAs heterostructures by X-ray diffraction. // Appl. Phys. Lett. 1987. V.50. №15. P.980-982.

71. Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т.32. № 1. С. 3-19.

72. Фальковский JT.A. Физические свойства висмута. // УФН. 1968. Т.94. №1. С. 3—41.

73. Акчурин Р.Х., Комаров Д.В. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии. I. Теоретические аспекты проблемы и расчетная модель. // ЖТФ. 1997. Т.67. №7. С.42-50.

74. Дейбук В.Г„ ВаклюкЯ.К, Раренко И.М. Расчет зонной структуры твердого раствора InSbBi// ФТП. 1999. Т.ЗЗ. Вып.З. С.289-292.

75. Lee J. J., KimJ.D., Razeghi M. Room temperature operation of 8-12 jjm InSbBi infrared photodetectors on GaAs substrates//J.Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. №5. P.30.

76. Wu M.C. and Chen C.C. J. Applied Phys. 72, 9 (1992) 4275-4280.

77. Coderre W.M., WoolleyJ.C. Canadian J. of Appl. Phys. 47. 1969. № 22, P. 2553-2564.

78. Миргаловская M.C., Стрельникова И.А., Тимошин A.C., Уфимцев В.Б. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. 4.2. Новосибирск: Наука,1975, с. 196-200.

79. Евгеньев С.Б. Тепловые эффекты фазовых превращений в системах Ga—Sb—Bi и In— Sb—Bi//H3B. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1988. Т.24. № 4. С. 877-879.

80. G.C.Osborn. J.Vac. Sci. Technol. B2,176 (1984).

81. Акчурин P.X., Жегалин В.А., Сахарова T.B. Анализ фазовых равновесий в системе 1п-As-Sb-Bi в связи с жидкофазной эпитаксией твердых растворов InAsi.x.ySbxBiy // Изв. вузов. Сер.Цв. Металлургия. 1995. № 7.

82. Clusters of atoms and molecules. // Springer Series in Chemical Physics, Berlin, Heidelberg, Springer Verlag, 1994. V.52.

83. В.Г. Дейбук, Я.И Виклюк, И.М. Раренко. ФТП, 33, 289 (1998).

84. Jean-Louis A.M., Ayrault В., Vargas J. Properiete des alliages InSbi.xBix// Phys. St. Sol. 1969. V.34.P.341.

85. Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Гончаров Е.Г. Дефектообразование в твердых растворах InAsj.xSbx//Известия РАН. Неорганические материалы. 1995. Т. 31. 3. С.304-307.

86. Kurtz S.R., Dawson L.R., Zipperian Т.Е. and Whaley R.D. II High-detectivity (1*1010 cm Hz/W) InAsSb strained-layer superlattice photovoltaic infrared detector // IEEE Electron Device Lett. 1990, v. 11, N 1, p. 54-56.

87. Osbourn G.C. J. Vac. Sci. Technol. B2,2, 176 (1984).

88. КурнаковН.С. Введение в физико-химический анализ. М.:- JL: Изд-во АН СССР,1990.-420 с.

89. Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. М.Наука, 1967.

90. Пирсон У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов. М. Мир 1977

91. ВолА.Е. Строение и свойства двойных металлических систем. М:Физматгиз, 1962

92. ПолингЛ. Общая химия М. Мир, 1974

93. Хансен М„ Андерко К. Структуры двойных сплавов. T.l М.: Металлургиздат, 1962.608 с.

94. Py6ifoe Э.Р., Сорокин B.C., Кузнецов В.В. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов А3В . // ЖФХ. 1997.Т.71.1. З.С. 415-420.

95. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Лебедев О.А. Фазовые равновесия пятерных систем из А3В5 // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1998. - т.34. - № 5. - с. 525 - 530.

96. Селин А.А., Ханин В.А. Метод расчета составов равновесных жидких и твердых фаз в многокомпонентных полупроводниковых системах // ЖФХ. 1979.Т. 53.11. С. 2734-2740.

97. Урусов B.C. Энергетическая кристаллохимия. М., Наука, 1975.

98. Phillips J.C. Dielectric definition of electronegativity//Phys.Rev.Lett. 1968. V.20.P.550.

99. Van Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent system. II.-Phys.Rev. 1969. V. 187. P.1007.

100. Кузнецов В.В. Исследование процессов эпитаксии фосфида галлия и твердых растворов на его основе с использованием изовалентных растворителей. Дис. .канд. ф.-м. наук, Ленинград, 1979

101. Панши М.Б., Илегемс М. Фазовые равновесия в тройных системах III-V/ Материалы для оптоэлектроники, М.: Мир, 1976. С. 39 — 92.

102. Stringfellow G.B.Hhoi Crystal Grow. -1974, v. 27, р.21/

103. Martha F. Berding, A. Sher, andA.-B. Chen Structural Properties of Bismuth-bearing Semiconductor Alloys / NASA Contractor Report 4030 /Contract NAS1-18180, December1986. 38 p.

104. DeWinter J.C., PollackM.A. Liquidus measurement of Ga-Sb and In-As in the 375-650°C// J. Appl. Phys. 1986.V. 59. №10. P. 3593 3595.

105. Баранов A.H., Кузнецов B.B., Яковлев Ю.П. и др. Жидкофазная эпитаксия изопериодических гетероструктур GaxIni .хAsySb iу/GaSbZ/Известия АН СССР. Неорган, материалы. 1991. Т. 27. № 4. С. 684 687.

106. Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968. 314с. m.J.M.Cahn, Acta Met. 10, 907,1962.

107. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.1. Наука, 1974.-384 с

108. Bhattacharya Р.К., Strinivasa S. The role of lattice strain in the phase equilibria of III-V ternary and quaternary semiconductors// J.Appl.Phys. 1983/.V.54. № 9. P.5090-5095.

109. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III/V phase diagrams//J. of Crystal Growth 1974. V. 27. P.21-37.

110. F.C. Larche and.M. Cahn, Acta Met. 26, 1579, 1978.

111. Meijering J.L. Segregation in regular ternary solutions // Philips research reports. 1950. V. 5. №.5. P. 333-356.

112. B.C. Сорокин, Э.Р. Py6ijoe/Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах А3В // Известия РАН Неорг. материалы. 1993. Т. 29. № 1. С.28 32.

113. Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К.Д. и др. Получение твердых растворов InGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/InAs в области составов, прилегающих к InAs/zOKHX. 1994. Т. 67. В.12. С. 1951 1956.

114. Баранов А.Н., Гусейнов A.A., Литвак A.M. и др. Получение твердых растворов InGaAsSb, изопериодных с GaSb, вблизи границы области несмешиваемости // Письма в ЖТФ. 1990. -т. 16. - № 5. - с. 33 - 38.

115. Благина Л. В. Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AlInSbBi и AlGalnSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента. Автореф. дис. .канд. техн. наук, Новочеркасск, 2001.

116. Алфимова Д.Л. Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3В5, полученные в поле температурного градиента. Автореф. дис. .канд. техн. наук, Новочеркасск, 2000.

117. Труфманов А.П. Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов А3В и А4В6, формируемых в поле температурного градиента. Автореф. дис. .канд. техн. наук, Новочеркасск, 2001.

118. Севостьянов A.C. Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона. Автореф. дис. .канд. техн. наук, Новочеркасск, 2005.

119. Shaw D. W. Inst, of Phisics, Bristol. Inst. Phis. Conf. Ser. 1982, № 7, p. 50.

120. Григорьянц А.Г., Соколов A.A. Лазерная обработка неметаллических материалов.-М.: Высшая школа, 1988. 156с.

121. Попов В.П. Неконсервативная жидкофазная эпитаксия полупроводников: Автореф. дис. . докт. техн. наук. Новочеркасск, 1987.

122. Уманский В.Е. Исследование деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений AmBv с помощью электронного зонда: Автореф. дис. .канд. физ.-мат. наук. Л., 1983.

123. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д. Н. Жидкофазная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. — М.: Советское радио. — 1975. 327 с.

124. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. — М.: Металлургия. 1983. - 222 с.

125. Ethels R.D., Grinbergl, Nudd G.R. Development of a three dimensional circuit integration and computer architecture//Proc. SPIE., 1981. V. 282. №1. P. 64-72.

126. Lozovski V.N., Popov V.P. Temperature gradient zone melting//Prog. Cryst. Growth Charact. 1983. - V.6, №1. - P.l - 23.

127. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов 3.A. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. - 1982. - 240 с.

128. Справочник по электротехническим материалам/Под ред. Ю.В. Корицкого,

129. B.В.Пасынкова, Б.М.Тареева. Т. 3. Л., Энергоатомиздат. - 1988. - 726 с.

130. Finch A.J, Quarreil A.C./ÍProc. Phys. Soc. L. - 1934. - V. 48. - P. 148.

131. Леденцов H.H., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. 1998. Т.32, № 4.1. C. 385-407.

132. Ван-дер-Мерве Дж. AV/Монокристаллические пленки: Сб. статей. -М.:Мир. 1966. С. 172-201.

133. Благин A.B. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных гетеросистемах на основе антимонида индия: Автореф. дис. .канд. техн. наук. Новочеркасск, 1996.

134. Кукушкин С.А., Осипов A.B. Рост, структура и морфологическая устойчивость зародышей, растущих из расплавов эвтектического состава. // ФТТ. 1997. Т.39. №8. С. 1464-1469.

135. Слезов В.В., Шмелъцер Ю.И Кинетика распада твердого раствора с образованием новой фазы сложного стехиометрического состава//ФТТ. 2001. Т.43. Вып.б. С.1101— 1109.

136. Павлов В.В. О «кризисе» кинетической теории жидкости и затвердевания: (Необходимость изменения традиционной молекулярной модели жидкости и твердого тела)/ Урал. гос. горно-геол. акад. Екатеринбург: УТСТА, 1997. 391 с.

137. Слезов В.В. Фазовые превращения в конденсированных средах при конечной скорости образования метастабильного состояния. // ФТТ. 2003. Т.45. Вып.2. С.317-320.

138. Петухов Б.В. Кинетика распада метастабильных состояний разупорядоченной линейной системы // ФТТ. 1999. Т.41. Вып.11. С.1988-1993.

139. Киреев Е.И. Исследование кинетики зонной плавки с градиентом температуры в системах кремний-золото, кремний-алюминий, кремний-алюминий-золото:

140. Автореф. .дис. канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1974.192 с.

141. Благш A.B., Бараннж A.A., Киреев Е.И., Лунина M.JI. Особенности кинетики миграции жидких зон в процессах кристаллизации висмутсдержащих твердыхрастворов//Изв. Вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. Науки. 2006. № 2. С. 55-58.

142. Константинова Г.С., Лозовский В.Н. Метод зонной перекристаллизации для "получения твердых растворов электронной техники. Учебное пособие для студентов и аспирантов. Новочеркасск, изд-во НПИ, 1991.

143. Бовин Л.Д., Александров C.B. Кинетика кристаллизации в двойных полупроводниковых системах. Санкт-Петебург-Киев. Наукова думка, 2002.216 с.

144. Скрипов Н.П. Метастабильная жидкость. М., Наука, 1972.

145. Попов А.И. Формирование структуры многокомпонентных твёрдых растворов замещения в гетеросистемах с резко различающимися ковалентными радиусами: Автореф. дис. .канд. физ.-мат. наук. Ставрополь, 2004.

146. Овчинников В.А. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InAlGaAsSb в поле температурного градиента: Автореф. дис. .канд. техн. наук. Новочеркасск, 1994.

147. Лозовский В.Н., Маръев В.Б. Кинетика роста эпитаксиальных слоев фосфида галлия при зонной перекристаллизации градиентом температуры // Изв. вузов. Физика. 1974. №7. С.115-118.

148. Кодин В.В. Получение варизонных твердых растворов InSbBi и InAsSbBi методом температурного градиента и исследование их свойств: Автореф. дис. . .канд. физ.-мат. наук. Ставрополь, 2004.

149. Калинин A.A., Мшъвидский М.Г., Нуллер Т.А., Шленский Ф.Ф., Югова Т.Г. //Кристаллография. 1991. Т36. Вып.З. С.750-756.

150. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. М.: Наука, 1970.

151. Лебедев В.К, Благин A.B., Драка O.E., Лунина М.Л. Расчет спектров отражения и пропускания многослойной структуры InSbi.xBix/InSb//M3B. вузов. Сев.- Кавк. регион. Техн. науки. 2004, спецвып., С. 63-64.

152. Чесноков А.Д., Левченко Л.А. Электронные и оптические процессы в коллапсирующих квантово-размерных структурах и сверхрешетках/Тез. докл. Всесоюзн. конф. по физическим основам твердотельной электроники. Ленинград,1989.ФТИ им. А.Ф.Иоффе. С. 230-231.

153. Колмогоров А.Н. О представлении непрерывных функций нескольких переменных суперпозициями непрерывных функций меньшего числа переменных // Докл. АН СССР, том 108, с. 2,1956.

154. Almeida L.B. A learning rule for asynchronous perceptrons with feedback in a combinatorial environment. Proc. 1st IEEE Intl. Conf. on Neural Networks, vol. 2, pp. 609618, San Diego, CA, June 1987.

155. Gilev S.E., Gorban A.N., Mirkes E.M. Several methods for acceleration the training process of neural networks in pattern recognition. USSR Academy of Sciences, Siberian Branch, Institute of Biophysics, Krasnoyarsk, 1990. Preprint N 146Б.