Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Штрекерт, Ольга Юрьевна

• Штрекерт, Ольга Юрьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Штрекерт, Ольга Юрьевна

- Введение.

глава 1.рбзор литературы.

1.1. Солнечные элементы с гетеропереходом на основе неорганических полупроводников.

1.2.Солнечные элементы с гетеропереходом на основе органических полупроводников.

1.3. Солнечные элементы р-1-п-структуры на основе неорганических полупроводников.

1.5.0сновные свойства металлфталоцианинов.

1.5.1 .Структура и оптические свойства металлфталоцианинов

1.5.2.Полупроводниковые свойства металлфталоцианинов.

1.5.3.Легирование металлфталоцианинов.

глава 2. методика эксперимента.

2.1.Электронная спектроскопия.

2.2.Выбор компонентов для получения р4-п-гетероструктуры р-СиРсД-СиРс/п-СаАБ.

2.3.Методика планирования эксперимента.

2.4.Экспериментальная установка.

2.5.Изготовление р4-п-гетероструктуры р-СиРсЛ-СиРс/п-СаАБ.

ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБРАБОТКА ДАННЫХ

ЭКСПЕРИМЕНТА.

3.1.Энергетическая зонная диаграмма рЛ-п-гетероструктуры.

3.2.Методика обработки результатов эксперимента.

3.3. Спектральные характеристики р4-п-гетероструктуры.

3.4.Вольт-амперные характеристики р-1-п-гетероструктуры.

3.5.Люкс-амперные характеристики р-1-п-гетероструктуры.

3.6. Изучение деградации р-1-п-гетероструктуры.

ГЛАВА 4. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ПО

ИССЛЕДОВАНИЮ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В Р-1-1\-ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ р-СиРсЛ-СиРс/п-СаАБ

4.¡.Расчет тока, протекающего через барьер в р4-п-гетероструктуре.

4.2.Математическая модель природы фотоэффекта в р4-п-гетероструктуре.

4.3.Гибридная модель двойной инжекции в р4-п-гетероструктуре.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs»

Актуальность проблемы. В последние годы многими учеными рассматриваются вопросы получения и исследования р-ьп-структур на основе только неорганических полупроводниковых материалов. На основе рч-п-структур создаются фотоэлектрические преобразователи световой энергии. Данные структуры могут быть использованы также для измерителей интенсивности излучения. Они открывают принципиально новые возможности для построения приборов, применяемых в микро-и оптоэлектронике, интегральной оптике и других областях полупроводниковой техники, а также в экологии.

В р-1-п-структурах в качестве исходных материалов для получения фотоэлементов используются в основном неорганические полупроводники (а-81, мк-81, пк-81, гп8е, ОаАз). Хотя фотоприемники, изготовленные на основе неорганических полупроводников, дают коэффициент полезного действия (КПД) до 20%, но не все из них обладают широким спектром поглощения и широкой спектральной характеристикой.

Органические - неорганические р-ьп-гетероструктуры потенциально открывают новые области- исследований и- развития в- оптоэлектронных материалах и приборах путем использования оптических функций органических молекул, высокой подвижности и физической прочности неорганических материалов, а также приконтактных функций в одной системе.

Поэтому для расширения области спектральной чувствительности в данной работе были разработаны р-1-п-гетероструктуры р-СиРсЯ-СиРс/п-СаАБ. Чувствительность фотоэлементов на основе неорганических полупроводников примерно в 10 раз ниже, чем у фотоэлементов, изготовленных на основе органический - неорганических полупроводник. Получение тонких (до 10 нм) слоев для фотоэлементов на основе неорганических полупроводников затруднено.

В качестве неорганического полупроводника был выбран ваАБ, а в качестве органического полупроводника - фталоцианин меди (СиРс). Выбор компонентов для рч-п-гетероструктуры органический - неорганический полупроводник обусловлен, прежде всего, для органического полупроводника — присущей фталоцианину меди уникальной сочетаемости в себе широкого диапазона оптических, электрических и фотоэлектрических свойств, химической стойкости и термостабильности, достаточной технологичности, способности сублимироваться в вакууме, создавая тонкие слои; для неорганического полупроводника - арсенида галлия - многосторонне изученного материала, обладающего высокой подвижностью носителей заряда, физической прочностью, область чувствительности которого, совместно с фталоцианином меди, позволили расширить спектральную чувствительность созданной р-ьп-гетероструктуры.

Применение рч-п-гетероструктур органический - неорганический полупроводник позволяет получать фотоэлементы с высокой (в 10 раз большей, чем у фотоэлементов с гетеропереходом) фоточувствительностью в интервале длин волн от 400 до 500 нм.

На основе таких высокочувствительных фотоэлементов можно изготовить измерители интенсивности излучения и устройства сенсорного типа для широкой спектральной области.

Таким образом, теоретическое обоснование физической природы р-ьп-гетероструктуры, разработка способа изготовления фотоэлемента р-ьп-гетероструктуры на основе органический - неорганический полупроводник, исследование его характеристик представляет собой направление, которому и посвящена данная работа.

Целью диссертационной работы является исследование физических процессов, протекающих в р-ьп-гетероструктурах органический -неорганический полупроводник.

Для достижения этой цели в работе поставлены следующие основные задачи:

1.Выбор компонентов для получения высокочувствительной р-ьп-гетероструктуры органический - неорганический полупроводник (р-СиРс/ь СиРс/п-ОаАз).

2.Разработка способа изготовления р-1-п-гетероструктуры органический — неорганический полупроводник.

3.Исследование оптических и фотоэлектрических характеристик фотоэлемента р-ьп-гетероструктуры р-СиРс/ьСиРс/п-ваАз.

4.Изучение фотоэлектрических свойств р-ьп-гетероструктуры органический — неорганический полупроводник.

5.Исследование влияния температуры на ток короткого замыкания и фото-э.д.с. фотоэлемента р-СиРсЛ-СиРс/п-ОаАБ.

Научная новизна.

1.Впервые разработан способ получения р-ьп-гетероструктуры р-СиРс/ь СиРс/п-ОаАэ, отличающийся введением органического ¡-слоя между полупроводниками п- и р-типа, что позволило повысить фоточувствительность рч-п-гетероструктуры от 2 до 10 раз.

2.Впервые обоснована конструкция и технология получения р-ьп-гетероструктуры р-СиРс/ьСиРс/п-ваАз.

3.К новым результатам можно отнести полученные спектральные характеристики р-ьп-гетероструктуры р-СиРсЛ-СиРс/п-СаАБ, позволяющие произвести расчет тока короткого замыкания в слое ьСиРс. Сделан вывод о том, что генерация носителей заряда происходит в ¡-слое вблизи границы с р-полупроводником.

4.Установлен механизм деградации параметров р-ьп-гетероструктуры р-СиРсЛ-СиРс/п-ваАз, состоящей в диффузии кислорода воздуха к границе

раздела полупроводников р- и ¡-типа и образованию поверхностных состояний и, как результат, смещение уровня Ферми к средине запрещенной зоны.

Практическая ценность работы

1 .Впервые предложена технология получения р-1-п-гетероструктур, которая не требует сложного оборудования. Количество этапов, входящих в технологию получения р-ьп-гетероструктуры р-СиРсЛ-СиРс/п-ваАз, в два раза меньше, чем для гетероструктур, изготавливаемых на основе только лишь неорганических полупроводников.

2.Разработана конструкция, на которую подана заявка, позволяющая получать газоанализаторы.

3.Показана возможность использования р-ьп-гетероструктуры р-СиРсЛ-СиРс/п-ОаАБ в устройствах измерения интенсивности излучения в диапазоне от 400 нм до 950 нм.

Положения, выносимые на защиту

1.Физическая модель р-ьп-гетероструктуры р-СиРсЛ-СиРс/п-ОаАз, позволяющая произвести расчет плотности тока короткого замыкания с учетом влияния 1-слоя.

2.Результаты исследования фотоэлектрических свойств рЧ-п-гетероструктуры р-СиРсЛ-СиРс/п-ваАз, в которых показаны услоя достижения максимальной чувствительности р-ьп-гетероструктур, максимальной фото-э.д.с. Исследование зависимости^ тока короткого замыкания^ и фото-э.д.с.- от-температуры.

3.Способ получения р-1-п-гетероструктуры р-СиРсЛ-СиРс/п-ОаАБ. Введением ¡-слоя удалось увеличить фото-э.д.с. в 2-10 раз.

4.Механизм деградации параметров (напряжения холостого хода и тока короткого замыкания) р-ьп-гетероструктуры заключается в смещении уровня Ферми к середине запрещенной зоны в р-слое.

Вклад автора

Все экспериментальные результаты получены автором. Обсуждение результатов проведено с научным руководителем Федоровым Михаилом Ивановичем.

Достоверность и обоснованность полученных результатов подтвериадается:

- доказательством корректности полученных теоретических результатов и хорошим их совпадением с результатами эксперимента;

- использованием общепринятых теорий и методов для построения зонных диаграмм и обработки экспериментальных результатов;

Апробация работы

Основные результаты работы доложены на Второй международной научно-технической конференции, Вологда, ВоГТУ, 2003; на Всероссийской научно-практической конференции "Энергетика, экология, экономика средних и малых городов. Проблемы и пути их решения", Великий Устюг," 2003; на Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов "Молодые исследователи - региону", Вологда, 2003; на Международной научно-технической конференции "Современные проблемы строительства и реконструкции зданий и сооружений", Вологда, 2003; на Всероссийском постоянно действующем научно-техническом семинаре "Экологическая безопасность регионов России и риск от техногенных аварий и катастроф", Пенза, 2004; в журнале "Экология промышленного производства", 2005, №1,2; на третьей Всероссийской научно-технической конференции "Вузовская наука- региону", Вологда, 2005; на пятой Международной научной конференции "Химия твердого тела и современные микро - и нанотехнологии", Кисловодск, 2005; на третьей Международной научно-технической конференции "Информатизация процессов формирования открытых систем на основе САПР, АСНИ, СУБД и систем искусственного интеллекта (ИНФОС-2005)", Вологда, 2005; на третьей научной конференции "Приоритетные направления развития науки, технологий и техники", Хургада (Египет), 2005.

Публикации

Основное содержание диссертации отражено в 6 печатных трудах. По смежным направлениям опубликовано 3 печатных труда. Две статьи в журнале "Экология промышленного производства". Получен приоритет в изобретении способа получения фотоприемника р-1-п-гетероструктуры на основе неорганического полупроводника ваАБ и органического полупроводника СиРс. Заявка № 06-18/49 от 01.04.2005.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, библиографического списка и изложена на 122 страницах машинописного текста, содержит 35 рисунков, 8 таблиц. Библиографический список содержит 120 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Штрекерт, Ольга Юрьевна

Выводы:

Г.Из таблицы 4.1 и рисунка 4.1. видно, что формула (4.10) дает хорошее соответствие между экспериментальными и расчетными данными (погрешность результата около 1%).

2.Расчет тока короткого замыкания на длине волны к=420 нм по формуле (4.19) доказывает, что физическая природа рч-п-структуры, полученной по выше изложенному способу (см.гл.2), объясняется генерации носителей заряда в основном в слое СиРс, а именно в барьере ¡-р, а ОаАэ играет роль подложки п-типа.

3. Для описания процессов, происходящих в р-ьп-структуре, предложена гибридная модель двойной инжекции, которая охватывает две других модели инжекции носителей заряда: поледоминирующую и диффузионно-доминирующую модели.

4.Дано физическое обоснование модели двойной инжекции.

107

Заключение содержит следующие результаты и выводы.

1.Для получения р-ьп-гетероструктуры р-СиРс/(ьСиРс)/п-СаАз были выбраны следующие компоненты: арсенид галлия, так как он обладает высокой л подвижностью электронов (|д.п= 11500 см /В-с), большой шириной запрещенной зоны (Её=1,43 эВ при 300 К); фталоцианин меди, обладающий следующими полупроводниковыми и оптическими свойствами - спектр поглощения от 400 до 800 нм, ширина запрещенной зоны Её=2,0 эВ; данные полупроводники взаимно дополняют друг друга и имеют приконтактные функции в одной системе.

2.Предложен способ создания р-ьп-гетероструктуры органический -неорганический полупроводник, отличающийся тем, что в качестве неорганического полупроводника используют арсенид галлия п-типа (п-ваАз), а в качестве органического полупроводника наносят тонкий слой фталоцианина меди высокой степени чистоты (содержание остаточных примесей < 10"4%), р-типа (р-слой) нанометровой толщины (с! < 20 нм), а между слоем п-типа и слоем р-типа создается слой собственного полупроводника (ьслой толщиной с1,=20-25 нм).

3.Исследованы оптические и фотоэлектрические характеристики р-ьп-гетероструктуры. Изготовление р-ьп-гетероструктуры предлагаемым способом позволяет повысить чувствительность по фото-ЭДС в 10 раз по сравнению с гетеропереходом р-СиРс/п-ваАз (А,=420нм). Чувствительность по фото-э.д.с. для фотоэлемента р-1-п-гетероструктуры составляет 8=100*104 В/Вт, а чувствительность по Ихх для фотоэлемента с гетеропереходом составляет 8= 10*104 В/Вт. В области длин волн 400-500 нм чувствительность у фотоэлемента р-ьп-гетероструктуры возрастает от 2 до 10 раз, по сравнению с чувствительностью фотоэлемента с гетеропереходом. Спектр фоточувствительности смещен в сторону коротких длин волн, что указывает на наличие ьобласти между р- и п-слоями.

4.Предложена физическая модель p-i-n-гетероструктуры для расчета тока короткого замыкания в барьере слоя i-CuPc (d=20 нм). Она отличается от физической модели для гетероперехода коэффициентом Ar, который показывает вклад i-области при поглощении света в слое СиРс. Экспериментальное значение тока совпадет с теоретическим значением с точностью до 1%.

5.Изучена зависимость В АХ от температуры (Т изменяется от 293 К до 323 К). Главным свойством этих структур является наличие обычных для неорганических полупроводников степенных зависимостей тока от напряжения I со Um.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Штрекерт, Ольга Юрьевна, 2005 год

1. Шарма, Б.Д., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио.-1979.-232с.

2. Kamoun, N. Cellules solaires CdS/CuInSe2, prepares par pulverization chemique sans air/ N. Kamoun, S. Belgacem, M. Dachraoui, R. Bennaceu// Rev. Phys. Appl.-1987.-Vol.22, № 9.-P. 991-998.

3. Reiß, J. Analysis of recombination losses im chalcohyrite solar cells/ J. Reiß, R. Klenk, M.C. Lux-Steiner// Ber. Hahn-Meitner-Inst.-2001, №587.-P.105.

4. Катеринчук, B.H. Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм/В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, А.Д. Огородник// Инст. проблем материаловед. Академии наук Украины, Черновцы, Украина.-1994.-Вып.12, Т.28.-С.2096-2098.

5. Бондарь, И.В. Фотовольтаические свойства оптического гетероконтакта InSe/CuAlS2/ И.В. Бондарь, В.Ю. Рудь, Ю.В: Рудь// Физ.-тех. инст. им. Иоффе РАН, С-П6.-1994,- №12, Т.28.-С.2129-2133.

6. Kuroyanagi, А. Фотоэлектрические характеристики гетеропереходов CdS/Zn3P2 со слоем CdS, нанесенным в процессе вакуумного испарения с ионизацией/ A. Kuroyanagi, Т. Suda// Trans. Inst. Elec. Eng. Jap.-1988.-Vol.108, №ll.-P.891-895.

7. Basak, R.L. Photovoltaic properties of CdS/InP solar cells/ R.L. Basak, S. Chaundhuri, A.K. Pal// J. Mater. Sei. Lett.-1988.-Vol.9, №10.-P. 1048-1049.

8. Szatkowski, J. Solar energy conversion in Mg-Zn3P2 junction/ J. Szatkowski, K. Siezanski, J. Misiewicz, N. Mirowska, F. Krolicri// Opt. Appl.-1988.-Vol.18, №3.-P.231-236.

9. Chaundhuri, S. Electrical and optical properties of CdTe films and junction/ S. Chaundhuri, S.K. Das, A.K. Pal// Adv. Sol. Energy Technol.: Proc. Bien. Congr. Inf. Sol. Enegy Soc., Hamburg, 13-18 Sept., 1987. Vol.l-Oxford etc.-1988.-P. 175-179.

10. Rakhshani, A.E. Heterojunction properties of electrodeposited CdTe/CdS solar cells//J. Appl. Phys.-2001.-Vol.90, №8.-P.4265-4271.

11. Tsugami, M. GaAs solar cells by MOCVD/ M. Tsugami, K. Mistsui// Optoelec.=Devices and Technol.-1989.-Vol.4,№l.-P.59-66.

12. Torchynska, T.V. III-V material solar cells for space application/ T.V. Torchynska, G.P. Polupan// Semicond. Phys., Quantum Electron, and Optoelectron.-2002.-Vol.5, № 1 .-P.63-70.

13. Singh, M. Current-voltage characteristics of polar heterostructure junction/ M.Singh, J. Singh, U. Mishra// J. Appl. Phys.-2002.-Vol.91, №5.-P.2989-2993.

14. Haw., Dec.5-9, 1994., Conf. Rec. 24th IEEE Photovolt. Spec. Conf.-94.-Vol.2.-Piscataway (N. Y.), 1994.-P. 1295-1298.

15. Van Cleef, M.W.M. Significance of tunneling in p+amorphous silicon carbide/ n crystalline silicon heterojunction solar cells/ M.W.M. Van Cleef, R.E.I. Schropp// Appl. Phys. Lett.-1998.-Vol.73, №18.-P.2609-2611.

16. Froitzheim, A. Amorphous/crystalline-silicon heterojunction solar cells/ A. Froitzheim, R. Stange, H. Angermann, L. Elstner, W. Fuhs, K. Kliefoth, M. Schmidt// Ber. Hahn-Meitner-Inst.-2001, №587.-P.99.

17. Ultra-thin solar cells developed// Mod. Power Syst.-2003.-Vol.23, №5.-P.ll.

18. Федоров, М.И. Влияние легирования на фотопроводимость слоев фталоцианинов: Дис. .канд. физ.-мат. наук/ М.И. Федоров.-Черноголовка: ИХФ, 1972.-147с.

19. Федоров, М.И. Исследование спектральной фоточувствительности двухслойных солнечных элементов на основе органических полупроводников/ М.И. Федоров, С.В. Масленников, В.А. Шорин, Ш.Р. Мелконян.- М.: 1989.-20с.- Деп. В ВИНИТИ 05.10.89, № 6129-В89.

20. Федоров, М.И. Физико-химические, оптические и фотоэлектрические свойства органического полупроводника бордо периленового/ М.И.Федоров, С.В. Масленников, В.А. Шорин, Ш.Р. Мелконян// Журнал физической химии.- 1989.- Т. 63, Вып. 11.- С. 3081-3084.

21. Федоров, М.И.Исследование физической природы гетеропереходов органический неорганический полупроводник и их применение: Дис. .докт. физ.-мат. наук/ М.И. Федоров.- Рязань, 2004.-229с.

22. Масленников, C.B. Солнечные элементы с гетеропереходом на основе органических полупроводников/ C.B. Масленников, М.И, Федоров// Изв. вузов. Физика.- 1997.-Т.40,№1.-С.69-72.

23. Пат. №2071148 РФ. Способ изготовления твердотельного фотогальванического элемента для преобразования энергии света в электрическую энергию/ М.И. Федоров, В.А. Шорин, C.B. Масленников, С.К. Корнейчук,ВоПИ. Опубл. 27.12.1997. Бюлл. №36.

24. Пат. №2206148 Кл H01L 31/18. Способ увеличения фоточувствительности фотоприемника с гетеропереходом/ М.И. Федоров, A.M. Чередник, В.К. Максимов, С.К. Корнейчук, ВГТУ.Опубл. 10.06.2003. Бюлл. №16.

25. Корнейчук, С.К. Фотоэлектрические характеристики фотоприемника на основе GaAs/CuPc/ С.К. Корнейчук, М.И. Федоров// Известия вузов. Физика.-1996.- №7.-С.41-45.

26. Пат. №2111461 Кл G01 J 1/48. Измеритель интенсивности светового излучения/ М.И. Федоров, В.А. Шорин, C.B. Масленников,. С.К.Корнейчук, ВоПИ. Опубл. 20.05.98. Бюлл. №14.

27. Федоров, М.И. Измерители интенсивности излучения в широкой области спектра на основе n+-GaAs/n-ClInPc/ М.И.Федоров, М.Н. Смирнова // Научно-методический журнал Саранского университета. -1999.-№2-с. 55-65.

28. Breeze, A J. Polymer-perylene diimide heterojunction solar cells/ A.J. Breeze, A. Salomon, D.S. Ginley, B.A. Gregg, H. Tillmann// Appl. Phys. Lett.-2002.-Vol.81, № 16.-P.3 085-3087.

29. Winder, C. Towards increasing the photon harvesting in bulk heterojunction polymer solar cells/ C. Winder, M.A. Loi, N.S. Saricifici and et.// 3 Conference on "Organic photovoltaic" , Seattle, Wash., 10-11 July, 2002. Proc. SPIE. 2002. - P.22-23.

30. Yakimov, A. High photovoltage multiple-heterojunction organic solar cells incorporating interfacial metallic nanoclusters/ A. Yakimov, S.R. Forrest// Appl. Phys. Lett.-2002.-Vol.80, №9.-P. 1667-1669.

31. Vertsimakha, Ya.I. Photoelectrical properties of interfaces between organic films and CdSSe// Mol. Cryst. and Liq. Cryst. Sci. and Technol. A.-2001.-Vol.355.-P.275-288.

32. Podinger, F. Effects.of postproduction treatment . on plastic solar cells/. F. Podinger, R.S. Rittberger, N.S. Saricifici// Adv. Funct. Mater.-2003.-Vol.13, №l.-P.85-88.

33. Peumans, P. Small molecular weight organic thin-film photodetectors and solar cells/ P. Peumans, A. Yakimov, S.R. Forrest// J. Appl. Phys.-2003.-Vol.93, №7.-P.3693-3723.

34. Chirvase, D. Temperature dependent characteristics of poly (3hexyethiophene)-fullerene based heterojunction organic solar cells/ D. Chirvase, Z. Chiquvase, M. Knipper, J. Parisi, V. Dyakonov, J.C. Hummelen//J. Appl. Phys.-2003.-Vol.93, №6.-P.3376-3383.

35. Shaheen, S.E. Fabrication of bulk heterojunction plastic solar cells by screen printing/ S.E. Shaheen, R. Radspinner, N. Peyghambarian, G.E. Yabbour// Appl. Phys. Lett.-2001.-Vol.59, №18.-P.2996-2998.

36. Carlson, D.E.// IEEE Trans, on Electron Devices, ED-24.-1977.-P.499.46.0kamoto, H.// Surf. Sci.-1979.-Vol.86.-P.486.

37. Хамакава, И. Аморфные полупроводники и приборы на их основе/ Под. ред. Й. Хамакавы. Пер. с англ. А.Н. Морозова. М.: Металлургия, 1986.-376с.

38. Hamakawa, Y.: Amorphous Semiconductors Technologies and Devices, ed. Y. Hamakawa (Ohm * North Holland, 1982) p. 134.

39. Yamaguchi, T. et al. Jpn. J. Appl. Phys.- 1981.- Vol.20 Suppl 20 - 2 .-p.195.

40. Williamson, P.A. Failure analysis of amorphous silicon solar cells/ P.A. Williamson, J.W. Lathrop// IEEE SOUTHEASTCON 87, Tampa, Fla, Apr.5-8., 19$7. Conf. Proc. Vol.1, N.Y., 1987.-P.182-185.

41. Fang, P.H. Excimer laser induced silicon amorphous-microcrystalline transformation and its solar cells applications// Sol. Cells.-1988.-Vol.25, №l.-P.27-29.

42. Sazuki, К. Influence of oxides at metal electrode-amorphous silicon interface on solar cells characteristics/ K. Sazuki, M. Hirasaka, K. Nakatahi, H. Okaniwa//Thin. Solid Films.-1988.-Vol.l67.-P.85-93.

43. Fukuda, N. Солнечный элемент с высоким КПД, изготовленный с использованием дисилана/ N. Fukuda, К. Miyachi, Н. Tanaka, Y. Ashida, Y. Ohashi// Trans. Inst. Elec. Eng. Jap. Cr.-1988.-Vol.102, №8.-P.539-546.

44. Van Veen, M.K. Beneficial effect of a low deposition temperature of hotwire deposited intrinsic amorphous silicon for solar cells/ M.K. van Veen, R.E.I. Schropp// J. Appl. Phys. 2003.- Vol.93,№1.- P.121-125.

45. Nevin, W.A. Light-induced changes in hydrogenated and deuterated amorphous silicon films and solar cells/ W.A. Nevin, H. Yamagishi, K. Asaoka, H. Nishio, Y. Tawada// Appl. Phys. Lett.-1991.-Vol.59, №25.-P.3294-3296.

46. Garikepati, P. Charge transport in a-Si:H pin. solar cells under AC excitation/ P. Garikepati, T. Xue// Sol. Energy Mater, and Sol. Cells.-1992.-Vol.27, №l.-P.69-77.

47. Lips, K. Transport and recombination in amorphous p-i-n-type solar cells studied by electrically detected magnetic resonance/ K. Lips, W. Fuhs//J. Appl. Phys.-1993.-Vol.74, №6.-P.3993-3999.

48. Wang, K. Electroluminescence and forward bias current in p-i-n and p-b-i-n a-Si:H solar cells/ K. Wang, M. Silver, D. Han// J. Appl. Phys.-1993.-Vol.73, №9.-P.4567-4570.

49. Chatterjee, P. Effect of a wide bandgapemitter layer and its pattering on the performance of a-Si:H based heterojunction solar cells// IEEE 1st World Conf. Photovolt. Energy Convers., Waikoloa, Haw, Dec.5-9, 1994: Conf.

50. Rec.24th IEEE Photovolt. Spec. Conf.94.-Vol. 1 .-Piscataway (N.Y.), 1994.-P.595-598.

51. Asensi, J.M. Collection asymmetry in a drift-driven p-i-n solar cell/ J.M. Asensi, D. Soler, M. Fonrodona, J. Bertomeu, J. Andreu// J. Non-Cryst. Solids.-2002.-Vol.299-302.-P:i 142-1146.

52. Caputo, D. Degradation and annealing of amorphous by current injection experiment and modeling// Sol. Energy Mater, and Sol. Cells.-1999.-Vol.59, №3.-P.289-298.

53. Fujioka, H. Characteristics of field effect a-Si:H solar cells/ H. Fujioka, M. Oshima, C. Hu// J. Non-Cryst. Solids.-1998.-Vol.227-230.-P.1287-1290.

54. Wen, L. The relationship between the performance of a-Si:H p-i-n- solar cells and their structural parameters/ L. Wen, C. Ji, F. Zwang, J. Zhao// J. Beijing Norm. Univ. Natur. Sci.-1999.-Vol.35, №3.-P.361-365.

55. Merten, J. Improved equivalent circuit and analytical model for amorphous silicon cells and modules/ J. Merten, J.M. Asensi, C. VozII IEEE Trans. Electron Devices.-1998.-Vol.45, №2.-P.423-429.

56. Lu, В. Исследование и изготовление солнечных элементов из аморфного кремния, предназначенных для работы при низкой освещенности/ В. Lu, J. Zheng, В. Zou, X. Wang, Z. Jia// Bandaoti guangdian= Semiconduct. Optoelectron.-2002.-Vol.23, №5.-P.317-319.

57. Takahama, Т. Новый тип солнечного элемента на основе кристаллического кремния/ Т. Takahama, Т. Nakai, Т. Sawada, М. Taguchi, S. Tsuge// San уо denki giho= Sanyo Techn. Rev.-1996.-Vol.28, №1.-P.98-104.

58. К. Duan// Bandaoti guangdian= Semiconduct. Optoelectron.-2002.-Vol.23, №2.-P.92-95.

59. Matsui, T. Microstructural dependence of electron and hole transport in low-temperature-grown polycrystalline silicon thin-film solar cells/ T. Matsui, P. Muhida and et.// Appl. Phys. Lett.-2002.-Vol.81, №25.-P.4751-4753.

60. Пат. 6521826 СШАб МПК7 H01L31/036. Thin film solar cell and fabrication method therefore/ K.K. Sharp, K. Wada/Юпубл. 18.02.2003, Бюлл. №11-340283.

61. Wyrsch, N. Microcrystalline p-i-n-cells: a drift-controlled device?/ N. Wyrsch, P. Torres, J. Meier, A. Shah// J. Non-Ciyst. Solids.-1998.-Vol.227-230.-P.1272-1276.

62. Meier, J. Recent progress in micromorphous solar cells/ J. Meier, S. Dubail, J. Coperus, N.H. Kroll// J.^Non-Cryst. Solids.-1998.-Vol.227-230.-P.1250-1256.

63. Fantoni, A. Transport properties im microcrystalline silicon solar cells under AM 1,5 illumination analysed by two-dimensional numerical simulation/ A. Fantoni, M. Vieira, R. Martins// Solid-State Electron.-1999,-Vol.43, №9.-P. 1709-1714.

64. Lord, K. Light-induced increase in the open-circuit voltage of thin-film heterogeneous silicon solar cells/ K. Lord, B. Yan, J. Yang, S. Guha// Appl. Phys. Lett.-2001.-Vol.79, №23 .-P.3 800-3 805.

65. Пат.6380479 США, МПК7 H01L25/00. Photovoltaic element and method for manufacture thereof T. Nakai, H. Taniguchi, T. Ienada, Y. KadonadaII Опубл. 30.04.2002, Бюлл. №9-67690.

66. Пат.6566596 США, МПК7 H01L31/04, H 01L31/0352. Solar cell and process of manufacturing the same/ K.K. Sharp, Y. Suzuki. 0публ.20.05.2003, Бюлл. №2000-334752.

67. Pusu, M. Contribution of the ZnSe/CuGaSe2 heterojunction in photovoltaic performances of chalcopyrite-based solar cells/ M. Pusu, S. Sadewasser, Th. Glatsel and et.// Thin Solid Films.-2002.-Vol.403-404.-P.344-348.

68. Fritsche, J. Band energy diagram of CdTe thin film solar cells/ J. Fritsche, D. Kraft, A. Thi{3en, T. Mayer, A. Klein, W. Jaegermann// Thin Solid Films.-2002.-Vol.403-404.-P.252-257.

69. Шур, M. Современные приборы на основе арсенида галлия/ М.Шур.-М.: Мир, 1991.-632с.

70. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение/ Под ред. Ф.М. Кесаманлы, Д.Н. Наследова.- JL: Наука, 1973.-472с.

71. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения А3В5 типа)/ Под ред. Р. Уиллардсона, А. Вира.- М.: Мир,1970.-488с.

72. Мосс, Т. Полупроводниковая оптоэлектроника/ Т. Мосс, А.Б. Вербицкий, Я.И. Верцимаха, В.И. Трофимов.- М.: Мир', 1976.-431с.

73. Алферов, Ж.И. Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов p-AlxGai.xAs-n-GaAs/ Ж.И. Алферов, В.М. Андреев// ФТП.-1970.-Т.4, Вып. 12.-С.2378-2379.

74. Андреев, В.М. Каскадные СЭ на основе соединений А3В5/ В.М. Андреев, В. Д. Румянцев, Л.Б. Карлина, В.П. Хвостиков// Теплоэнергетика.-1997.-№4.-С. 16-20.

75. Симон, Ж. Молекулярные полупроводники. Фотоэлектрические свойства и солнечные элементы: Пер. с англ. / Ж. Симон, Ж.-Ж. Андре.- М: Мир,1988.-344с.

76. Гутман,Ф. Органические полупроводники: Пер.с англ./ Ф. Гутман, Л. Лайонс.- М.: Мир,1970.-696с.

77. Акопов, А.С. Термоокислительная деструкция металлфталоцианинов на воздухе/ А.С. Акопов, Б.Д. Березин, В.Н. Клюев, Г.Г. Морозова// Журнал неорганической химии.-1975.- Т.20,№5.- С.1264-1265.

78. Yusunaga, Н. Effect oxygen on electrical properties of lead phthalocyanine/ H. Yusunaga, K. Kjima, H. Yahda// J. Phys. Soc. Japan.-1974.-Vol.37,№4.-P. 1024-1030.

79. Fan, F.R. Photovoltaic effects of metal free and zinc phthalocyanine properties of illuminated thin-film cells/ F.R. Fan, L.R. Faulkner// J. Chem. Phys.-1978.-Vol.69.-P.3341-3349.

80. Amal, K.G. Merocyanine organic solar cells/ K.G. Amal, T. Fend// J. Appl. Phys.-1978.-Vol.49.-P.5982-5989.

81. Kanicki, T. Photovoltaic propertiesof pb/trans (CH)X Schottky barriers/ T. Kanicki, E.V. Donoct, S. Bauc// Solar cells.-1983 .-Vol.9.-P.281-288.

82. Силинын, Э.А. Органические полупроводники/ Э.А. Силинын, Л.И, Тауре.- М.: Знание, 1980.-64с.

83. Lever, А.В.Р. // Adv. Inorg. and Radiochem.-1965.-Vol.7.-P.27.

84. Moser, F.H. Phthatocyanines, A.C.S.// F.H. Moser, A.L. Thomas Monograph 157, N.Y., Reinhold Publishing Corp., 163.1 lO.Berezin, B.D. Coordination Compounds of Porphyris and Phthatocyanines, N.Y., J. Wiley & Sons, 1981.

85. Ш.Вербицкий, А.Б. Влияние кислорода на фото-э.д.с. пленок фталоцианина свинца в ближней ИК области/ А.Б. Вербицкий, Я.И. Верцимаха, В.И. Трофимов// Укр. журнал.-1994.-Т.39.-№7,8.-С.894-895.

86. Фотоника органических полупроводников. Сборник статей института физики АН Укр. ССР/ Под ред. М.В. Курик.- Киев: Наукова думка.-1977.-188с.

87. ИЗ.Курик, М.В. Молекулярные солнечные элементы/ М.В. Курик// Зарубежная радиотехника.- 1988.- №10.-С.80-87.

88. М.Смирнова, О.Ю. Фотоэлектрические характеристики солнечного элемента с p-i-n-структурой на основе n-GaAs и р-СиРс/ О.Ю. Смирнова, М.И. Федоров// Экология промышленного произволства.-2005.- Вып.1.-С.52-55.

89. Пб.Смирнова, О.Ю. Исследование основных характеристик солнечного элемента p-i-n-структуры на основе СиРс/ Молодые исследователи — региону: Материалы Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов,- Вологда: ВоГТУ, 2003.- С.34-35.

90. Смирнова, О.Ю. Фотоэффект p-i-n-структуры на основе органического полупроводника СиРс/ Вузовская наука региону: Материалы третьей всероссийской научно-технической конференции. В 3-х т.- Вологда: ВоГТУ, 2005.- Т.1.- С.261-263.

91. Смирнова, О.Ю. Исследование физической природы гетероперехода органический неорганический полупроводник/ О.Ю. Смирнова, М.И. Федоров, А.А, Абильдин// Экология промышленного производства.-2005.- Вып.2.-С.48-50.

92. Rose, A. Comparative Anatomy of Models for Double Injection of Electrons and Holes into Solids/ J. Appl. Phys. -1964.- Vol. 35,№ 9.-P.2664-2678.

93. Hocob, Ю.Р. Оптоэлектроника/ 2-е изд., перераб. и доп.-М.: Радио и связь, 1989.-360с.