Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления кремниевых P-I-N диодов для микрооптоэлектромеханических систем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Сауров Михаил Александрович

• Сауров Михаил Александрович
• кандидат наук
• 2026

Оглавление диссертации кандидат наук Сауров Михаил Александрович

Список сокращений

Введение

Глава 1. Конструктивно-технологический базис создания микрооптомеханических систем и способы повышения их устойчивости к внешнему воздействию

1.1 Современные тенденции развития микрооптоэлектромеханических систем (МОЭМС)

1.2 Технологическтий маршрут создания интегрально-оптических микрооптоэлектромеханических датчиков

1.3 Механизмы дефектообразования в кремниевых p-i-n диодах

1.4 Современные методики анализа дефектов кристаллической решетки и вычисления параметров центров рекомбинации

1.5 Влияние механизмов генерации и рекомбинации на вольт-амперные характеристики p-i-n-диодов

1.6 Влияние дефектообразования на свойства кремниевых р-ьп диодов

1.7 Выводы

Глава 2. Исследование механизмов деградации электрических характеристик p-i-n диодов

2.1 Применение метода рекомбинационной спектроскопии для определения энергии активации дефектов в кремниевых структурах

2.2 Апробация метода рекомбинационной спектроскопии на Au-легированных диодах

2.3 Сравнительный анализ методов рекомбинационной спектроскопии и DTLS

2.4 Исследование электрофизических характеристик кремниевых диодных структур после облучения гамма квантами

2.5 Исследование параметров центров генерации на основе обратных вольтамперных характеристик с учетом эффекта Френкеля

2.6 Метод оценки КПД p-i-n диода при наличии дефектов кристаллической решетки

2.7 Выводы

Глава 3. Разработка конструкции и технологии изготовления кремниевых p-i-n диодов для микрооптоэлектромеханических систем

3.1 Требования к конструкции кремниевого p-i-n диода для применения в микрооптомеханических системах

3.2 Технология изготовления p-i-n диодов для микрооптомеханических преобразователей и их характеристики

3.3 Определение параметров рекомбинационных центров облученных p-i-n диодов

3.4 Технология для изготовления p-i-n диодов с большой площадью активной области

3.5 Выводы

Глава 4. Применение эпитаксиальных p-i-n диодов в микрооптомеханических датчиках давления

4.1 Описание конструкции оптического датчика давления

4.2 Теоретическая оценка набега фаз оптического сигнала при деформации мембраны

4.3 Технологический процесс изготовления чувствительного элемента МОЭМС датчика давления

4.4 Изготовление кристаллов чувствительного элемента

4.5 Технологический процесс сборки и корпусирования

4.6 Исследование характеристик фотоприемного модуля на основе p-i-n диода

4.7 Исследование гибридной сборки

4.8 Перспективы создания гибридной сборки микрооптомеханического датчика давления

4.9 Выводы

Заключение:

Список используемых источников

Приложение

Список сокращений

МОЭМС - микрооптоэлектромеханическая система;

ВАХ - вольтамперная характеристика;

ТСЕ - метод термостимулированной емкости;

БЬТ8 - нестационарная спектроскопия глубоких уровней;

ИМЦ - интерферометр Маха-Цендера;

ОПЗ - область пространственного заряда;

МОМС - микрооптомеханическая система;

ММИ - многомодовый интерферометрический разветвитель;

ПХТ - плазмохимическое травление;

ЖХТ - жидкостное химическое травление

ГУ - глубокий уровень дефекта в полупроводнике

Введение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления кремниевых P-I-N диодов для микрооптоэлектромеханических систем»

Актуальность работы

Быстрое развитие оптоэлектронных и микросистемных технологий, включая кремниевые микрооптоэлектромеханические системы (МОЭМС), стимулирует рост требований к фотоприёмным элементам, интегрируемым в состав таких устройств. Ключевыми параметрами кремниевых р-1-п диодов, определяющими их применимость в задачах высокоточной регистрации оптических сигналов, являются фоточувствительность (квантовая эффективность/токовая чувствительность), уровень тёмного тока, стабильность обратной вольт-амперной характеристики (ВАХ), радиационная и температурная стойкость, а также технологическая совместимость с кремниевыми маршрутами изготовления и сборки. Среди различных типов фотоприёмников кремниевый р-1-п-диод занимает важное место благодаря сочетанию быстродействия, возможности формирования широкой обеднённой области и совместимости с планарными технологиями.

Одновременно с этим практическое применение р-ьп-струкктур выявляет ряд ограничений, связанных с деградацией электрических характеристик во времени и/или под действием технологических и эксплуатационных факторов. Существенную роль в ухудшении обратной ВАХ и росте тёмных токов играют дефекты кристаллической решётки и примесно-дефектные комплексы, формирующие уровни в запрещённой зоне и выступающие в качестве центров генерации-рекомбинации. Эти дефекты могут возникать на этапах диффузии/имплантации, термообработок, формирования контактов и пассивации, а также при последующих воздействиях (термоциклирование, механическое воздействие, радиация). Для повышения фоточувствительности и обеспечения стабильности параметров необходимо не только оптимизировать конструкцию р-1-п-диода, но и иметь достоверные методы диагностики дефектов, позволяющие устанавливать причинно-следственные связи между технологическими режимами, дефектообразованием и деградацией обратных характеристик.

Дополнительную сложность представляет интеграция р-1-п диода в МОЭМС. Необходимо осуществить согласование электрических, оптических и технологических решений, минимизации паразитных ёмкостей и утечек.

Таким образом, актуальной является комплексная задача разработки высокочувствительного кремниевого р-1-п-диода, основанная на современном

анализе конструктивно-технологических решений, идентификации дефектов, ответственных за деградацию обратной ВАХ, и интеграции фотоприёмника в кремниевые МОЭМС.

Целью диссертационной работы является исследование и разработка конструкции и технологии изготовления высокочувствительного кремниевого p-i-n диода интегрируемого в состав МОЭМС.

Для достижения поставленной цели решены следующие задачи:

1. Анализ информации, современных конструкций и способов изготовления кремниевого p-i-n диода с повышенной фоточувствительностью.

2. Разработка методов определения характеристик дефектов кристаллической решетки, определяющих деградацию обратных вольт-амперных характеристики pin-диода.

3. Разработка конструкции и технологии изготовления высокочувствительного кремниевого pin-диода.

4. Исследование влияния дефектообразования на электрические характеристики кремниевого pin -диода.

5. Исследование способов интеграции pin-диода в состав МОЭМС и разработка микрооптоэлектромеханического датчика давления в интегральном исполнении на основе интерферометра Маха-Цендера.

Научная новизна диссертации

1. Предложен метод на основе рекомбинационной спектроскопии, позволяющий определить параметры дефектов кремниевых pin-p-i-n диодов c помощью регрессионного анализа прямых вольтамперных характеристик без необходимости проведение температурных измерений.

2. Показано, что деградация обратной ВАХ кремниевых pin-диодов под воздействием гамма-излучения определяется увеличением концентрации центров рекомбинации с энергией активации 0.54 эВ. Установлено, что новые рекомбинационные центры с энергией активации 0.54 эВ являются комплексами двух вакансий с кислородом (V2-O).

3. Предложен метод расчета ВАХ p-i-n диодов и оценки КПД с учетом наличия рекомбинационных центров и протекания процессов генерации и рекомбинации в области пространственного заряда.

4. Предложена аналитическая модель преобразователя избыточного давления на основе интерферометра Маха-Цендера, связывающая величину измеряемого давления с фазовым сдвигом в измерительном плече интерферометра.

Практическая значимость работы

1. Разработан метод исследования дефектов в полупроводниковых структурах, позволяющий проводить экспресс-анализ и оперативный контроль характеристик дефектов и примесей в полупроводниковых структурах в процессе разработки и оптимизации технологии изготовления, а также для оценки деградации полупроводниковых структур в процессе эксплуатации.

2. Разработана технология изготовления высокочувствительных pin-диодов, которые предназначены для регистрации различных видов излучения, а также для интеграции в МОЭМС.

3. Разработан технологический маршрут создания МОЭМС, который позволяет создавать высокоточные, компактные датчики и измерительные системы для измерения физических величин используя принцип интерферометрического преобразования фазового сдвига в световой сигнал с амплитудной модуляцией.

4. Разработана конструкция микрооптомеханического датчика на основе интерферометра Маха-Цендера для использования в качестве измерителя избыточного давления жидкостей или газов.

5. Разработана аналитическая модель позволяющая производить расчёт и проектирование преобразователя избыточного давления на базе интерферометра Маха-Цендера по заданным требованиям к диапазону измерения и чувствительности.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Метод исследования параметров центров рекомбинации в кремниевых p-i-n диодах на основе рекомбинационной спектроскопии с помощью регрессионного анализа.

2. Метод оценки КПД р-ьп диода, при наличии дефектов кристаллической структуры, а также при различных интенсивностях падающего излучения.

3. Технологический маршрут для создания микрооптоэлектромеханических датчиков физических величин на основе фотонных интегральных схем с применением нитрид-кремниевой технологии.

4. Конструкция микрооптоэлектромеханического датчика давления в интегральном исполнении на основе интерферометра Маха-Цендера.

5. Аналитическая модель преобразователя избыточного давления на основе интерферометра Маха-Цендера, связывающая величину измеряемого давления с фазовым сдвигом в измерительном плече интерферометра.

Личный вклад автора

Результаты, изложенные в настоящей диссертационной работе и приведенные в положениях, выносимых на защиту, получены автором лично. Личный вклад автора включает постановку целей и задач исследования, участие в разработке конструкции и технологии создания р-ьп диодов и МОЭМС, в изготовлении и исследовании экспериментальных образцов, в проведении анализа теоретических и экспериментальных данных, в обобщении полученных результатов.

Апробация результатов диссертации

Основные результаты работы докладывались и демонстрировались на следующих научно-технических мероприятиях:

1. 6-я международной научно-технической конференции «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике» - «Исследование дефектообразования при гамма облучении кремния методом рекомбинационной спектроскопии.», 2019 г., г. Москва, Россия;

2. 26-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» - «Высокочувствительные р-ьп детекторы рентгеновского излучения», 2023 г., г. Ульяновск, Россия;

3. 31-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Микроэлектроника и информатика 2024» - «Кремниевый р-ьп детектор рентгеновского и гамма излучения», 2024 г., г. Зеленоград, Россия;

4. 32-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Микроэлектроника и информатика 2025» - «Исследование возможности интеграции кремниевой p-i-n структуры и фотонной интегральной схемы на основе Si3N4», 2025 г., г. Зеленоград, Россия;

5. 67-я Всероссийская научная конференция МФТИ - «Исследование технологических методов формирования тонких пленок Si3N4 с низкими механическими напряжениями для создания ФИС», 2025 г., г. Москва, Россия;

6. Международная научная конференция ФизикА.СПб - «Гетерогенная интеграция кремниевой фотонной интегральной схемы с активными элементами», 2025 г., г. Санкт-Петербург, Россия;

Публикации

По материалам диссертации опубликовано пятнадцать работ, включая 9 статей в изданиях, входящих в перечень ВАК, в базы RSCI и Scopus.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературных источников. Объем работы составляет 159 страниц и включает 92 рисунка, 6 таблиц, список источников из 110 наименований, одно приложение.

Глава 1. Конструктивно-технологический базис создания микрооптомеханических систем и способы повышения их устойчивости к

внешнему воздействию

1.1 Современные тенденции развития микрооптоэлектромеханических систем

(МОЭМС)

За последние годы микроэлектромеханические системы (МЭМС) утвердились в качестве ключевой технологии, открывшей широкие возможности для интеграции с микрооптикой. Эта технология, получившая название микрооптоэлектромеханическая система (МОЭМС), на ранних этапах своего развития была сосредоточена преимущественно на демонстрации миниатюризированных оптических компонентов [1, 2]. В этот период прогресс в области телекоммуникаций и волоконно-оптических технологий способствовал разработке множества компонентов МОЭМС, включая переменные оптические аттенюаторы для выравнивания мощности оптического сигнала [3, 4], оптические переключатели для матричных соединений в центрах обработки данных [5, 6], а также перестраиваемые лазеры [7]. В дальнейшем технологии МОЭМС нашли применение во многих других быстроразвивающихся областях.

Стремительное развитие микрооптоэлектромеханических систем обусловлено растущей потребностью в высокоточных датчиках, обладающих устойчивостью к электромагнитным помехам и способных функционировать в агрессивных средах. В отличие от классических МЭМС, где считывание сигнала происходит емкостным или пьезорезистивным методом [8], оптический принцип регистрации позволяет достичь принципиально иного уровня помехозащищенности и чувствительности. Особую актуальность приобретает задача построения датчиков физических величин — давления, ускорения, вибрации и температуры — предназначенных для работы в зонах повышенного радиационного фона, критических температур или сильных электромагнитных полей.

По сравнению с традиционными оптическими сенсорами, основанными на прямом взаимодействии света и материала датчика [9, 10], оптомеханические сенсоры, сначала преобразуют механическое воздействие в оптический сигнал. Это выделяет некоторые преимущества, к которым относятся более высокая

чувствительность, меньшие габариты за счет различных эффектов [11, 12], таких как фотоупругость и двулучепреломление [13, 14]. На основе этих эффектов разрабатываются различные конфигурации МОЭМС сенсоров, включая волноводы на фотонных кристаллах, размещенные на кантилеверах, свободновисящие микродисковые резонаторы, резонаторы Фабри-Перо и другие структуры [15, 16]. Среди них интерферометр Маха-Цендера приобрел существенную популярность благодаря своей простоте конструкции и высокими характеристиками. Архитектура данного устройства предполагает разделение когерентного светового потока на два плеча — опорное и измерительное. При воздействии внешних факторов, таких как давление, ускорение или вибрация, в измерительном плече, интегрированном с подвижной механической мембраной или консолью, возникают механические напряжения. Эти напряжения вызывают изменение показателя преломления материала волновода вследствие эффекта фотоупругости и дополнительный набег фазы из-за механического удлинения волновода. Возникающая фазовая задержка между лучами в опорном и измерительном плечах при их последующей интерференции преобразуется в изменение интенсивности выходного оптического сигнала, что позволяет детектировать микроскопические деформации с высокой точностью. [17]

Фундаментальным элементом оптической подсистемы таких датчиков выступают волноводы, материалом для которых все чаще выбирается нитрид кремния. В отличие от традиционного кремния, структуры на основе Si-SiзN4-Si обладают широким окном прозрачности, охватывающим видимый и ближний инфракрасный диапазоны, а также демонстрируют пренебрежимо малые потери на двухфотонное поглощение при высоких мощностях оптического сигнала. Использование нитрида кремния позволяет формировать волноводы с низкими потерями на распространение и высокой контрастностью показателя преломления относительно оболочки из оксида кремния, что критически важно для создания компактных изгибов и кольцевых резонаторов, сохраняющих высокую добротность в условиях жестких габаритных ограничений миниатюризированного чипа. [18]

Для регистрации модулированного оптического сигнала и его обратного преобразования в электрический ток в структуру МОЭМС интегрируются быстродействующие p-i-n диоды. Выбор р-ьп структур обусловлен их высокой чувствительностью, широкой полосой пропускания и возможностью оптимизации

толщины ьслоя для достижения баланса между квантовой эффективностью и скоростью отклика. В монолитных решениях p-i-n диоды формируются непосредственно на подложке в едином технологическом цикле с волноводами, однако технологическая несовместимость материалов вызывает необходимость применения гетерогенной интеграции или гибридной сборки. [19]

Особое внимание в современной инженерии МОЭМС уделяется вопросам компоновки и корпусирования, где наблюдается интерес к модульной сборке [20]. Данный подход предполагает физическое разделение чувствительного элемента (сенсорной головки) и блока оптоэлектронной обработки (источника излучения и фотоприемного тракта). Связь между модулями осуществляется посредством оптоволокна, что позволяет изолировать дорогостоящую электронику от зоны измерения, которая может характеризоваться высокими температурами, радиационным фоном или химической агрессивностью. Использование волоконно-оптических коммуникаций в такой архитектуре решает проблему наводок и обеспечивает гальваническую развязку системы. При этом критическим аспектом становится эффективность вывода излучения из волокна в планарный волновод на чипе, что решается применением торцевого согласования с использованием линзированных волокон, обеспечивающих минимальные оптические потери в местах сопряжения разнесенных модулей.

1.2 Технологическтий маршрут создания интегрально-оптических микрооптоэлектромеханических датчиков

Создание современных измерительных систем для мониторинга физических величин, таких как давление, требует разработки датчиков, обладающих высокой чувствительностью, малыми габаритами, устойчивостью к электромагнитным помехам и возможностью для массового производства. Естественным шагом для выполнения перечисленных требований является переход от традиционных электрических принципов измерения к оптическим и интегральным платформам, позволяющим одновременно повысить помехоустойчивость и обеспечить миниатюризацию при сохранении высокой технологичности. В этом контексте особый интерес представляют решения, в которых чувствительный элемент

реализуется методами микрообработки, а преобразование сигнала осуществляется оптическим способом. Интегрально-оптические технологии, совмещенные с методами микроэлектромеханических систем (МЭМС), открывают путь к созданию нового поколения микрооптомеханических систем (МОМС), в полной мере отвечающих этим требованиям. [21]

Конструкция чуствительного элемента основана на интерферометре Маха-Цендера (ИМЦ). Входное оптическое излучение от источника (лазера) поступает на Y-образный разветвитель (делитель), который делит мощность сигнала в соотношении 50:50 на два канала — измерительное и опорное плечо. Измерительное плечо располагается на тонкой деформируемой мембране, которая является механо-чувствительным элементом датчика. Опорное плечо находится на толстой, недеформируемой части подложки. При воздействии внешнего давления P на мембрану она прогибается. Этот прогиб вызывает механическое напряжение в волноводе измерительного плеча, что приводит к изменению его эффективного показателя преломления neff за счет эффекта фотоупругости. [22] Кроме того, происходит изменение геометрической длины волновода L. Суммарное изменение оптического пути приводит к сдвигу фазы Д^ проходящего по измерительному плечу излучения относительно фазы излучения в опорном плече. [23] На выходе интерферометра излучение из обоих плеч когерентно объединяется с помощью Y-образного сумматора.(2:1). Интенсивность излучения на выходе интерферометра модулируется разностью фаз и при идеальном делении 50:50 описывается выражением [24]:

h = у (1+ C0S(M + W(P)))

Где Iin — интенсивность излучения на входе ИМЦ, ^0 — начальный

фазовый сдвиг, обусловленный разницей длин плеч в отсутствие давления, ^(Р) — вызванный давлением фазовый сдвиг.

Фазовый сдвиг ^(Р) напрямую связан с изменением эффективного показателя преломления и длины волновода:

Аф(Р) = Ц- (L ■ bneff (P) + neff • ЩР))

л

Где ^ — длина волны излучения, f — изменение эффективного

показателя преломления, — изменение длины измерительного плеча.

Выходной оптический сигнал регистрируется p-i-n диодом. Таким образом, измеряя величину фототока, пропорциональную Iout, можно однозначно определить

фазовый сдвиг P и, следовательно, величину приложенного давления.

Выбор материалов для интегрально-оптической схемы является ключевым фактором, определяющим оптические потери, технологичность изготовления и эксплуатационные характеристики датчика. В качестве основного материала для волноводных структур обычно используется нитрид кремния (Si3N4) на подложке из оксида кремния (SiO2), сформированной на кремниевом (Si) основании.

Это обусловлено тем, что нитрид кремния обладает рядом преимуществ [25,

26]:

• Широкое окно прозрачности: Si3N4 прозрачен в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне, что позволяет использовать источники излучения с различными длинами волн, в частности 976 нм и 1550 нм.

• Низкие оптические потери: Современные технологии осаждения позволяют получать пленки Si3N4 с потерями менее 0.1 дБ/см в телекоммуникационном окне (около 1550 нм).

• Высокий показатель преломления: Показатель преломления Si3N4 (n ~ 2.0) значительно выше, чем у SiO2 (n ~ 145), что обеспечивает сильную локализацию оптического поля, позволяя создавать компактные волноводы и элементы с малым радиусом изгиба.

• Совместимость с КМОП-технологией: Процессы осаждения и травления Si3N4 хорошо интегрируются в стандартные технологические циклы микроэлектроники.

• Высокая механическая прочность и упругость: Данное свойство крайне важно для волновода, расположенного на деформируемой мембране. Конструкция волновода представляет собой полосковую структуру с

размерами сердцевины (ШхВ) 2 мкм х 0,45 мкм. Данные геометрические параметры обусловлены компромиссом между обеспечением одномодового режима распространения излучения и технологичностью изготовления. Для длины волны 1550 нм такая геометрия обеспечивает строго одномодовый режим для основной

TE-поляризации, минимизируя модовые дисперсионные искажения и повышая стабильность работы интерферометра. Для длины волны 976 нм данный волновод является слабо-многомодовым, однако при симметричном возбуждении и использовании плавных изгибов можно минимизировать возбуждение мод высших порядков и межмодовые биения.

В анализируемой конструкции Y-образные разветвители и сумматоры выбраны благодаря их простоте проектирования и технологической реализации. Они обеспечивают приемлемый уровень вносимых потерь и равномерное деление мощности.

Для преобразования выходного оптического сигнала в электрический ток был разработан кремниевый p-i-n диод. Выбор кремния в качестве материала для p-i-n диода обусловлен его низкой стоимостью и зрелостью технологии изготовления [27].

Также в известных работах предлагается конструкция p-i-n диода с торцевой засветкой (butt-coupling), при которой торец выходного волновода Si3N4 располагается вплотную к активной i-области p-i-n диода. Такая конфигурация обеспечивает пассивную юстировку и эффективный ввод излучения непосредственно в поглощающую область, минуя необходимость в сложных элементах ввода-вывода, таких как дифракционные решетки или зеркала [28, 29].

• На длине волны 976 нм кремний обладает высоким коэффициентом поглощения (а ~ 350-400 см1). Это позволяет создавать компактные p-i-n диоды с высокой квантовой эффективностью, так как практически все излучение поглощается на длине в несколько десятков микрон.

• На длине волны 1550 нм кремний является практически прозрачным материалом (а ~ 10"8 см1), так как энергия фотона (~ 0.8 эВ) меньше ширины запрещенной зоны кремния (~ 1.12 эВ). Прямое поглощение невозможно. Однако фототок может генерироваться за счет двухфотонного поглощения или поглощения на дефектах. Для эффективной детекции на этой длине волны в кремниевой фотонике обычно используют гетероструктуры SiGe. Для практического применения датчика на 1550 нм требуется либо использование другого p-i-n диода (например, на основе InGaAs), либо модификация детектора путем введения германия.

Таким образом, конструкция кремниевого р-ьп диода с торцевой засветкой может быть подходящим решением для датчика, работающего на длине волны 976 нм.

1.3 Механизмы дефектообразования в кремниевых р-1-п диодах

Кремниевые р-ьп диоды относятся к базовым элементам современной твердотельной электроники и сенсорики: они применяются как силовые выпрямители и ограничители перенапряжений, как высоковольтные переключательные элементы, а также как фотодетекторы и ионизационные детекторы, где критичны низкие токи утечки, высокая пробивная прочность и стабильная эффективность сбора носителей. Именно эта область во многом определяет ключевые параметры прибора: напряжение пробоя, ёмкость, скорость и полноту извлечения носителей, уровень генерационно-рекомбинационных токов, радиационную стойкость и долговременную деградацию.

Надёжность и предсказуемость характеристик р-ьп диодов в значительной степени ограничиваются дефектами кристаллической решётки и примесными центрами. Под дефектами в данном контексте понимают как точечные нарушения (вакансии, межузельные атомы, их комплексы с

кислородом/углеродом/легирующими примесями), так и протяжённые дефекты (дислокации, дефекты упаковки, микродефекты, области повышенной плотности дефектов), а также центры, возникающие на границах раздела и вблизи поверхностей. Эти центры формируют уровни в запрещённой зоне, меняют время жизни неосновных носителей, увеличивают скорость генерации в обеднённой области, смещают эффективную концентрацию примесей (компенсация), изменяют распределение поля и, как следствие, приводят к росту токов утечки, отклонению коэффициента идеальности от единицы, росту шумов и ухудшению быстродействия.

Несмотря на длительную историю исследований кремния, проблема дефектообразования в р-ьп структурах сохраняет актуальность по нескольким причинам. Во-первых, усложняются технологические маршруты (эпитаксия, ионная имплантация, высокотемпературные отжиги, пассивация), что увеличивает число потенциальных источников дефектов и их комплексов. Во-вторых, растут

требования к работе приборов в условиях повышенных полей, высоких плотностей тока, циклических тепловых нагрузок и длительных сроков эксплуатации; при этом даже «малые» концентрации глубоких уровней могут быть критичны для токов утечки и предсказуемости пробоя.

Дефекты могут возникать на этапах выращивания и формирования подложек, при эпитаксиальном наращивании /-слоя, при высокотемпературных операциях, а также в ходе эксплуатации под действием электрического поля и инжекции носителей (активация комплексов, миграция водорода, локальный разогрев, ускоренное старение слабых областей). При этом электрические проявления дефектов зависят от их энергетического положения в запрещённой зоне, сечений захвата, зарядового состояния, кинетики образования/распада и возможной метастабильности.

Важность данного исследования заключается в следующем:

• Надёжность и ресурс р-1-п диодов определяются дефектами сильнее, чем проектированием. Даже при корректном проектировании структуры реальная долговечность и разброс параметров между партиями часто задаются концентрацией и типом глубоких уровней, особенно в /-области, где генерационно-рекомбинационные процессы напрямую формируют ток утечки и шум.

• Необходимо понимание того, какие именно центры отвечают за ухудшение (например, рост утечки или уменьшение напряжения пробоя), позволяет перейти от «отбраковки» к управлению процессом: менять сырьё, технологию, отжиги и конструкцию.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Сауров Михаил Александрович, 2026 год

Список используемых источников

1. Wu M.C., Solgaard O., Ford J.E. Optical MEMS for lightwave communication // J. Lightwave Technol., Vol. 24, 2006. pp. 4433-4454.

2. Motamedi M.E. Micro-opto-electro-mechanical devices and on-chip optical processing // Opt. Eng, Vol. 36, 1997. pp. 1282-1285.

3. Lee C., Lin Y.S., Lai Y.J., Tasi M.H., Chen C., Wu C.Y. 3-V driven pop-up micromirror for reflecting light toward out-of-plane direction for VOA applications // IEEE Photon. Technol. Lett, Vol. 16, 2004. pp. 1044-1046.

4. Lee C. Design and fabrication of epitaxial silicon micromirror devices // Sens. Actuat. A Phys, Vol. 115, 2004. pp. 581-590.

5. Qiao Q., Yazici M.S., Dong B., Liu X., Lee C., Zhou G. Multifunctional mid-infrared photonic switch using a MEMS-based tunable waveguide coupler // Opt. Lett, Vol. 45, 2020. pp. 5620-5623.

6. Lee C., Wu C.Y. Study of electrothermal V-beam actuators and latched mechanism

for optical switch // J. Micromech. Microeng., Vol. 15, 2005. pp. 11-19.

7. Cai H., Liu A.Q., Zhang X.M., Tamil J., Tang D.Y., Zhang Q.X., Lu C. A miniature tunable coupledcavity laser constructed by micromachining technology // Appl. Phys. Lett., Vol. 92, 2008. pp. 031105-031193.

8. Zhu J., Liu X., Shi Q., He T., Sun Z., Guo X., Liu W., Sulaiman O.B., Dong B., Lee C. Development trends and perspectives of future sensors and MEMS/NEMS // Micromachines, Vol. 11, No. 7, 2020.

9. Chang Y., Dong B., Ma Y., Wei J., Ren Z., Lee C. Vernier effect-based tunable mid-infrared sensor // Opt. Express, Vol. 28, 2020. pp. 6251-6260.

10. Chang Y., Wei J., Lee C. Metamaterials-from fundamentals and MEMS tuning mechanisms to applications // Nanophotonics, Vol. 9, 2020. pp. 3049-3070.

11. Han K., Zhu K., Bahl G. Opto-mechano-fluidic viscometer // Appl. Phys. Lett., Vol. 105, 2014. P. 014103.

12. Li J., Zhu K.D. Nonlinear optical mass sensor with an optomechanical microresonator // Appl. Phys. Lett., Vol. 101, 2012. P. 141905.

13. Xia J., Qiao Q., Zhou G., Chau S., Zhou G. Opto-mechanical photonic crystal cavities for sensing application // Applied Sciences, Vol. 10, 2020. P. 7080.

14. Aspelmeyer M., Kippenberg T.J., Marquardt F. Cavity optomechanics // Rev. Mod. Phys., Vol. 86, 2014. pp. 1391-1452.

15. Li B., Ho C.P., Lee C. Tunable Autler-Townes splitting observation in coupled whispering gallery mode resonators // IEEE Photonics J., Vol. 8, 2016. pp. 1-10.

16. Ho C.P., Pitchappa P., Soon B.W., Lee C. Suspended 2-D photonic crystal aluminum nitride membrane reflector // Opt. Express., Vol. 23, 2015. pp. 10598-10603.

17. Xie Y., Zhang M., Dai D. Design Rule of Mach-Zehnder Interferometer Sensors for Ultra-High Sensitivity // Sensors (basel), Vol. 20, No. 9, 2020. P. 2640.

18. Liu X., Liu W., Ren Z., Ma Y., Dong B., Zhou G., Lee C. Progress of optomechanical micro/nano sensors: a review // INTERNATIONAL JOURNAL OF OPTOMECHATRONICS, Vol. 15, No. 1, 2021. pp. 120-159.

19. Xu J., Ren Z., Dong B., Liu X., Wang C., Tian Y., Lee C. anometer-scale heterogeneous interfacialSapphire Wafer bonding for enabling plasmonic-enhanced

nanofluidic mid-infrared spectroscopy // ACS Nano, Vol. 14, 2020. pp. 12159-12172.

20. Stenchly V., Reinert W., Quenzer H.J. Modular packaging concept for MEMS and MOEMS // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series, Vol. 922, 2017. P. 012015.

21. Schenk H., Piyawattanametha W. Silicon-based MOEMS and their applications // Journal of Microlithography, Microfabrication, and Microsystems, Vol. 7, 2008. pp. 020901-1.

22. Kolli V.R., Basavaprasad, Bahaddur I., Talabattula S. A high sensitive photonic crystal Mach-Zehnder-Interferometer based pressure-sensor // Results in Optics, Vol. 5, 2021. P. 100118.

23. Rochus V., Jansen R., Figeys B., Verhaegen F., Rosseel R., Merken P., Lenci S., Rottenberg X. Double MZI Micro-Opto-Mechanical Pressure Sensors for increased sensitivity and pressure range // 2017 19th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (TRANSDUCERS), 2017. pp. 954-957.

24. Porte H., Gorel V., Kiryenko S., Goedgebuer J.P., Daniau W., Blind P. Imbalanced Mach-Zehnder interferometer integrated in micromachined silicon substrate for pressure sensor // Journal of Lightwave Technology, Vol. 17, No. 2, 1999. pp. 229-233.

25. Rochus V., Jansen R., Goyvaerts J., Vandenboch G., van de Voort B., Neutens P., Callaghan J., Tilmans H., Rottenberg X. Design of a MZI Micro-Opto-Mechanical Pressure Sensor for a SiN photonics platform // 17th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2016. pp. 1 - 5.

26. Rochus V., Jansen R., Goyvaerts J., Neutens P., Callaghan J., Rottenberg X. Fast analytical model of MZI micro-opto-mechanical pressure sensor // Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol. 28, No. 6, 2018. P. 064003.

27. Piels M., Bowers J. Photodetectors for photonic integrated cirtuits // Photodetectors, 2020. pp. 3-20.

28. Virot L., Benedikovic D., Szelag B., Alonso-Ramos C., Karakus B., Hartmann J., Le Roux X., Crozat P., Cassan E., Marris-Morini D., et al. Integrated waveguide PIN photodiodes exploiting lateral Si/Ge/Si heterojunction // Optics Express, Vol. 25, No.

16, 2017. pp. 19487-19496.

29. Xue Y., Han Y., Wang Y., Li J., Wang J., Zhang Z., Cai X., Tsang H., Lau K. High-speed and low dark current silicon-waveguide-coupled III-V photodetectors selectively grown on SOI // Optica, Vol. 9, No. 11. pp. 1219-1226.

30. Lei Y., Yang Y., Liu Y., Li H., Wang G., Hu R., Xiong X., Luo S. The radiation damage of crystalline silicon PN diode // Applied Radiation and Isotopes, Vol. 60, 2013. pp.165-169.

31. Mikestikovâ M, Federicovâ P, P G., JirâsekR., Kozâkovâ J, Kroll J, Kvasnicka J, Latonovâ V, Mandic I, Masek K, et al. The study of gamma-radiation induced displacement damage in n+-in-p silicon diodes // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Vol. 1064, 2024. P. 169432.

32. Du Q. High energy radiation damage on silicon photonic devices: a review // Optical Materials Express, Vol. 13, No. 2, 2023. pp. 403-412.

33. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Технология полупроводниковых материалов. Мир, 1984. 264 с.

34. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1972. 384 с.

35. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. Радио и Связь, 1981. 248 с.

36. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. Наука, 1990. 216 с.

37. Hartmann F. Evolution of Silicon Sensor Technology in Particle Physics. Springer International Publishing AG, 2017. 275 pp.

38. Винецкий В.Л. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. 335 с.

39. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. Киев: Интерпресс ЛТД, 1997. 239 с.

40. Junkes A., Pintilie I., Fretwurst E., Eckstein D. A contribution to the identification of the E5 defect level as tri-vacancy(V3) // Physica: B. 2012. Vol. 407. pp. 3013-3015.

41. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральные радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов. МИЭМ, 1988. 95 с.

42. Pichler P. Intrinsic point defects, impurities, and they diffusion in silicon. Springer-Verlag, 2004. 554 pp.

43. Londos C.A., Aliprantis D., Sgourou E N., Chroneos A., Pochet P. Formation and evolution of oxygen-vacancy clusters in lead and tin doped silicon // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 111 (123508).

44. Makarenko L.F., Korshunov F P., Lastovskii S., Murin L.I., Moll M., Pintilien I. Formation and Annealing of Metastable (Interstitial Oxygen) - (Interstitial Carbon) Complexes in n- and p-type Silicon // Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 11. pp. 1456-1462.

45. Khana M.U., Chena D., Jafaria S., Ohshimab T., Abeb H., Hameiria Z., Chonga C., Abbotta M. Degradation and regeneration of radiation-induced defects in silicon: A study of vacancy-hydrogen interactions // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2019. Vol. 200 (109990).

46. Murin L.I., Gurinovich V.A., Medvedeva I.F., Markevich V. Thermally Stable Carbon-Oxygen Complexes in Irradiated Silicon Crystals. // Inorganic Materials: Applied Research. 2016. Vol. 7. No. 2. pp. 192-195.

47. Gaidar G.P. Annealing of Radiation Induced Defects in Silicon // Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2012. Vol. 48. No. 1. pp. 78-89.

48. Evans-Freemana J.H., Peakera A., Hawkinsa I.D., Kana P.Y.Y., Terrya J., Rubaldob L., Ahmedc M., Wattsc S., Dobaczewski L. High-resolution DLTS studies of vacancy-related defects in irradiated and in ion-implanted n-type silicon // Materials Science in Semiconductor Processing. 2000. No. 3. pp. 237-241.

49. Capan I., Pastuovic Z., Siegele R., Jacimovic R. Vacancy-related defects in n-type Si implanted with a rarefied microbeam of accelerated heavy ions in the MeV range // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2016. No. 372. pp. 156-160.

50. Hazdra P., Komarnitskyy V. Influence of radiation defects on formation of thermal donors in silicon irradiated with high-energy helium ions // Materials Science and Engineering: B. 2009. Vol. 159-160. pp. 346-349.

51. Chen G., Li Y., Liu L., Niu P., Niu S., D C. Annealing behaviors of vacancy in varied

neutron irradiated Czochralski silicon. // Trans. Nonferrous Met. SOC. China. 2006. Vol. 16. pp. 113-115.

52. Alfieri G., Monakhov E.V., Avset B.S., Svensson B.G. Evidence for identification of the divacancy-oxygen center in Si // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68 (233202).

53. Mikelsen M., Monakhov E.V., Alfieri G., Avset B.S., Svensson B.G. Kinetics of divacancy annealing and divacancy-oxygen formation in oxygen-enriched high-purity silicon // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72 (195207).

54. Аникин М.М., Лебедев А.А., Сыркин А.Л., Суворов А.В. Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии // Физика и техника полупроводников, Т. 19, № 1, 1985. С. 114-117.

55. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J.Appl.Phys, Vol. 45, 1974. P. 3023.

56. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. Санкт-Петербург. 1997.

57. Rein S., Rehrl T., Warta W., Glunz S.W. Lifetime spectroscopy for defect characterization: Systematic analysis of the possibilities and restrictions // Journal of Applied Physics. 2002. Vol. 91. pp. 2059-2070.

58. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Москва: Наука, 1977.

59. Timashev S.F. On the Frenkel effect during thermofield ionization of deep centers in the space charge layer in semiconductors // Physics of the Solid State. 1974. Vol. 16. pp. 804-811.

60. Bulyarskiy S.V. The effect of electron-phonon interaction on the formation of reverse currents of p-n-junctions of silicon-based power semiconductor devices // Solid State Electronics. 2019. Vol. 160 (107624).

61. Булярский С.В., Сауров А.Н. Физика полупроводниковых преобразователей. М. Изд. РАН, 2018. 276 с.

62. Borchi E., Bruzzi M. Radiation damage in silicon detectors. // Riv. Nuovo Cim. 1994. Vol. 17. pp. 1-63.

63. Shokley W. The theory of p-n-Junction in semiconductor and p-n-Junction transistors. Bell Syst Tech, 1949. 435 pp.

64. Sah C T., Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n-junctions and p-n junction characteristics // Proceedings of IRE. 1957. Vol. 45. pp. 1228-1243.

65. Priyadarshi S., Dubey V., Dubey S. Effect of Various Radiations on the Working of P-N Junction Diode. // International Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and Instrumentation Engineering. 2017. Vol. 6. pp. 4016 - 4022.

66. Prabket J. S.I., Ueamanapong S., Poyai A., Titiroongruang W., Niemcharoen S., Yupapin P.P. An improvement of electrical characteristics of P-N diode by X-ray irradiation method. // Scientific Research and Essays. 2012. Vol. 7. No. 11. pp. 1230-1236.

67. Dervos C.T., Skafidas P.D., Mergos J.A., Vassiliou P. Junction Photocurrent Modelling Evaluation under Optical and Electrical Excitation // Sensors. 2004. Vol. 5. pp. 58-70.

68. Ahrenkiel R.K., Metzger W.K., Page M., Reedy R. Relationship of Recombination Lifetime to Dark Current In Silicon p-n Junctions. // The 31st IEEE Photovoltaics Specialists Conference and Exhibition. Lake Buena Vista. 2005. pp. 895-898.

69. Simoen E., Claeys C., Vanhellemont J. Defect Analysis in Semiconductor Materials Based on p-n Junction Diode Characteristics // Defect and Diffusion Forum. 2007. Vol. 261-262. pp. 1-24.

70. Sze S.M. Semiconductor Devices Physics and Technology. John Wiley & Sons, 2002. 564 pp.

71. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие. Петрозаводск: ПетрГУ, 2004. 312 с.

72. Таперо К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. М. : БИНОМ, 2014. 307 с.

73. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М: Изд. МГУ, 1997. 432 с.

74. Ridley B. Quantum Processes in Semiconductors. 2nd ed. Oxford: Clarendon Press, 1988. 356 pp.

75. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Quantum model for phonon assisted tunnel ionization of deep levels in semiconductors // Phys. Rev. 1982. Vol. 25. No. 10. pp. 1082 - 1090.

76. Karpus V., Perel V.I. Multiphonon ionization of deep centers in semiconductors in an electric field. // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 1986. Vol. 64. pp. 1376 -1391.

77. Macdonald D., Cuevas A. Validity of simplified Shockley-Read-Hall statistics for modeling carrier lifetimes in crystalline silicon // Physical Review. 2003. P. 67.

78. Wittenburg, K. Radiation damage in PIN-photodiodes // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Vol. 270, No. 1, 1988. pp. 56-61.

79. Jafari H., Feghhi S.A.H., Boorboor S. Evaluation of gamma dose effect on PIN photodiode using analytical model // Radiation Physics and Chemistry, Vol. 144,

2018. pp. 379-385.

80. Милнс А. Глубокие уровни в полупроводниках. М: Мир, 1978.

81. Sah C.T., Forbes L., Rosier L.L., Tasch A.F. Thermal and Optical Emission and Capture Rates and Cross Sections of Electrons and Holes at Imperfection Centers in Semiconductors from Photo and Dark Junction Current and Capacitance Experiments // Solid-State Electronics. 1970. Vol. 13. pp. 759-788.

82. Tavendale A.J., Pearton S.J. Deep level, quenched-in defects in silicon doped with gold, silver, iron, copper or nickel // Journal of Physics C: Solid State Physics. 1983. Vol. 16. pp. 1665-1671.

83. Corsetti F., Mostofi A.A. Negative-U properties for substitutional Au in Si // EPL. 2014. Vol. 105.

84. Larkins E.C., Harris J.S. Molecular Beam Epitaxy of High-Quality GaAs and AlGaAs // In: Molecular Beam Epitaxy / Ed. by Farrow R.F.C. William Andrew Publishing, 1995. pp.114-274.

85. Лакалин А.В., Сауров М.А. Исследование дефектообразования при гамма облучении кремния методом рекомбинационной спектроскопии // 6-я Международная научно-техническая конференция «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике». - Труды конференции.

2019. С. 143 - 145.

86. Булярский С.В., Лакалин А.В., Сауров М.А. Исследование дефектообразования при облучении кремния у-квантами // Микроэлектроника, Т. 49, № 2, 2020. С.

111 - 115.

87. Bulyarskiy S.V., Lakalin A.V., Saurov M.A., Gusarov G.G. The effect of vacancy-impurity complexes in silicon on the current-voltage characteristics of p-n junctions // Journal of Applied Physics, No. 128, 2020. pp. 155702-1 - 155702-12.

88. Акимов Ю.К., Игнатьев О.В. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике. Энергоатомиздат, 1989. 325 с.

89. Булярский С.В., Кицюк Е.П., Лакалин А.В., Сауров М.А., Светухин В.В., Орлов А.П., Рудаков Г.А. Влияние условий формирования кремниевых диодов на их обратные токи // Физика и техника полупроводников, Т. 56, № 5, 2022. С. 502-507.

90. Berskuer I.B. Electronic Structure and Properties of Transition Metal Compounds. New York: Wiley-Interscience, 1996.

91. Тимашев С.Ф. Об эффекте Френкеля при термополевой ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках // ФТТ. 1974. Т. 16. С. 804.

92. Далидчик Ф.И. Многофононные туннельные процессы в однородном электрическом поле // ЖЭТФ. 1978. Т. 74. № 2. С. 472.

93. Булярский С.В., Лакалин А.В., Сауров М.А. Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения у-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов // ФТП, Т. 55, № 1, 2021. С. 69 - 74.

94. Виноградов В.С. Теория многофононного поглощения света // ФТТ. 1970. Т. 12. № 12. С. 3081.

95. Makram-Ebeid S. Effect of electric field on deep-level transients in GaAs and GaP // Appl. Phys. Lett. 1980. Vol. 37. No. 5. P. 464.

96. Тимашев С.Ф. О термическом поглощении в сильном электрическом поле ниже края поглощения // ФТТ. 1972. Т. 14. С. 2621.

97. Старосельский В.И. Моделирование тока генерации-рекомбинации носителей заряда в p-n переходе // Микроэлектроника, Т. 23, № 50-56, 1994.

98. Сауров М.А., Лакалин А.В., Путря М.Г. Расчет КПД фотодиода при наличии генерации и рекомбинации в ОПЗ // Известия высших учебных заведений. Электроника, Т. 29, № 5, 2024. С. 595-607.

99. Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. Рекомбинация в области пространвстенного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора // ФТП, Т. 31, 1997. С. 1146-1150.

100. Булярский С.В., Грушко Н.С., Лакалин А.В. Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-перехода // ФТП, Т. 32, 1998. С. 1193-1196.

101. Сауров М.А., Генералов С.С., Горелов Д.В. Исследование возможности интеграции кремниевой p-i-n структуры и фотонной интегральной схемы на основе Si3N4 // Материалы научно технической конференции «Микроэлектроника и информатика 2025»: сборник статей. 2025. С. 175 - 179.

102. Lindstrom J.L., Murin L.I., Svensson B.G., Markevich V.P., Hallberg T. The VO2* defect in silicon // Physica B: Condensed Matter. 2003. Vol. 340-341. pp. 509-513.

103. Сауров М.А. Оптимизация параметров преобразователя излучения на основе кремниевого p-i-n диода // Известия высших учебных заведений. Электроника, Т. 28, № 4, 2023. С. 431-440.

104. Сауров М.А., Новиков С.Г., Беринцев А.В. Высокочувствительные p-i-n детекторы рентгеновского излучения // 26-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники». - Труды конференции. 2023. С. 290 - 292.

105. Сауров М.А. Кремниевый p-i-n детектор рентгеновского и гамма излучения // Тезисы докладов «Микроэлектроника и информатика 2024». Зеленоград. 2024. С. 110.

106. Сауров М.А., Горелов Д.В., Кадочкин А.С., Светухин В.В. Разработка микрооптомеханического датчика давления на основе интерферометра Маха-Цендера // Наноиндустрия, Т. 18, № 7-8, 2025. С. 420- 431.

107. Timoshenko S., Woinowsky-Krieger S. Theory of plates and shells. 1959.

108. Горелов Д.В., Моляков Н.А., Сауров М.А., Рязанов Р.М. Исследование технологических методов для снижения растрескивания толстых пленок Si3N4 для создания ФИС // Труды МФТИ, Т. 17, № 3, 2025. С. 146-158.

109. Сауров М.А., Горелов Д.В., Базарова М.И. P-i-n фотодетекторы для микрооптомеханических преобразователей физических величин //

Наноиндустрия, Т. 18, № 12, 2025. С. 141-144. 110. Сауров М.А., Ладугин М.А., Гультиков Н.В., Светухин В.В. Гетерогенная интеграция кремниевой фотонной интегральной схемы с активными элементами // Тезисы докладов «Физика.СПБ». Санкт-Петербург. 2025. С. 308 -309.

Приложение 1

УТВЕРЖДАЮ

АКТ

о внедрении результатов диссертационной работы на соискание ученой

Настоящим актом подтверждается, что результаты диссертационной работы Саурова Михаила Александровича «Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления кремниевых р-ьп диодов для микрооптоэлектромеханических систем» в части формирования р-1-п диодов и их внедрения в МОЭМС использовались в НПК «Технологический центр» в научно-исследовательской лаборатории перспективных процессов и отделе микросистемной техники при проведении научно-исследовательских работ.

степени кандидата технических наук Саурова М.А.

К.т.н., начальник ОМСТ

К.т.н., начальник НИЛ ПП