Исследование и разработка методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Шабанов Андрей Александрович

• Шабанов Андрей Александрович
• кандидат наук
• 2023

Оглавление диссертации кандидат наук Шабанов Андрей Александрович

Введение

Глава 1. Анализ основных тенденций развития и методик оценки взаимозаменяемости ЭКБ для РЭА

1.1 Анализ особенностей и тенденции развития РЭА на примере радиолокационной аппаратуры

1.2 Анализ особенностей и тенденции развития ЭКБ для РЭА

1.3 Исследование и анализ особенностей производства ЭКБ для РЭА

1.4 Анализ основных и перспективных типов технологий, применяемых при изготовлении ЭКБ для РЭА

1.5 Анализ основных способов подбора аналогов микросхем и методик оценки эффективности взаимозаменяемости ЭКБ для РЭА

1.6 Выводы к первой главе

Глава 2. Исследование и анализ основных характеристик РЭА и параметров ЭКБ, применяемой в РЭА

2.1 Исследование и анализ основных характеристик функциональных блоков радиоэлектронной аппаратуры

2.2 Исследование и анализ основных параметров ЭКБ для РЭА

2.3 Зависимость базовых характеристик радиоэлектронной аппаратуры от базовых параметров ЭКБ

2.4 Выводы ко второй главе

Глава 3. Методика оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик

3.1 Описание «Методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик»

3.2 Методика формирования критической совокупности параметров ЭКБ

3.3 Методика сравнительного анализа потенциальных аналогов микросхем

3.4 Выводы к третьей главе

Глава 4. Апробация «Методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик»

4.1 Апробация «Методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик» на примере задачи по замене микросхемы МАСОМ ХЬ5017-ОТ

4.2 Сравнительный анализ процедур замены ЭКБ для РЭА с использованием и без использования «Методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик»

4.3 Анализ эффективности «Методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик» для проектного анализа технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские

работы по разработке ЭКБ для РЭА

4.4 Выводы к четвертой главе

Заключение

Список использованных источников

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 - АКТЫ ВНЕДРЕНИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ

ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик»

Введение.

Актуальность темы. На современном этапе развития гражданской радиоэлектронной аппаратуры (далее - РЭА) и техники специального назначения существует ряд особенностей РЭА, таких как:

- большое разнообразие как существующих, так и вновь разрабатываемых образцов техники, множество допустимых, технически реализуемых составов одного изделия;

- необходимость работы в большом температурном диапазоне;

- наличие в эксплуатации средств различного технологического уклада (ламповая техника, техника, снятая с производства, отсутствие электронной компонентной базы (далее - ЭКБ)) для текущего ремонта;

- применение новых технологических, конструктивных и схемотехнических решений на базе современных и перспективных материалов, для улучшения характеристик РЭА за счет улучшения параметров ЭКБ, входящих в состав РЭА;

- уход от технологии печатных плат к технологии систем на кристалле;

- длительный жизненный цикл аппаратуры (25-30 лет);

- разработка микросхем с повышенной стойкостью к внешним воздействующим факторам (далее - ВВФ) для эксплуатации в перспективной ракетно-космической аппаратуре.

В то же время, в органах государственного управления (Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (далее - РФ) и др.) и ведущих промышленных предприятий, выпускающих радиоэлектронную аппаратуру, существует необходимость [1]:

- формирования совокупности схемотехнических и параметрических требований к используемой и разрабатываемой электронной компонентной базе для проведения модернизации РЭА, которые позволят при модернизации существующих аппаратных решений, разработке новых отечественных образцов, или замещения используемых иностранных микросхем в аппаратуре обеспечить требуемую совокупность характеристик РЭА;

- оценки потенциала и реализуемости поступающих от промышленных предприятий и дизайн-центров предложений по разработке перспективной ЭКБ.

В то же время, отсутствует или недостаточно проработан методический аппарат, который позволит оценить предложения по взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре. Отсутствует системный подход к вопросу о взаимозаменяемости микросхем в РЭА.

На основании анализа опубликованных на сегодняшний день результатов исследований взаимозаменяемости ЭКБ в области отечественной микроэлектроники для РЭА можно выделить следующие ключевые направления:

1) Исследования в области импортозамещения, а также важность и необходимость этого процесса. Данные исследования ориентированы в большей степени на конкретное целевое применение и замену импортных микросхем в технике специального назначения, а также направлены на изучение основных проблем качества разрабатываемой РЭА. [2, 3, 4, 5]

2) Исследования, направленные на создание информационных ресурсов и баз данных отечественной и зарубежной ЭКБ. [6]

3) Исследования, направленные на разработку и улучшение методов идентификации ЭКБ для проверки соответствия произведенной ЭКБ её образцу и/или описанию. [7, 8, 9]

В опубликованных на сегодняшний день результатах исследований отсутствует конкретная методика по оценке эффективности взаимозаменяемости микросхем, нет рекомендаций для формирования критических совокупностей параметров в технических заданиях (далее - ТЗ) на разработку ЭКБ, а лишь показана существующая проблема отсутствия централизованной базы данных отечественных микросхем и иностранных аналогов, и подчеркнута необходимость улучшения качества разрабатываемой отечественной ЭКБ в сравнении с иностранными аналогами.

Выходом из данной ситуации является разработка методики, позволяющей

оптимизировать процесс замены микросхем для модернизации, ремонта или

замещения в аппаратуре, без ухудшения ее эксплуатационных и надежностных

5

характеристик, с одновременным повышением эффективности соответствующих процедур на основании критической совокупности их характеристик, что является актуальной задачей.

Оптимизация может быть достигнута путём формирования критической совокупности характеристик аппаратуры и сопряжения ее с критической совокупностью схемотехнических и параметрических характеристик микросхем, входящих в ее состав.

В нашем случае под критической совокупностью характеристик (параметров) понимается минимальный набор характеристик (параметров) радиоэлектронной аппаратуры (ЭКБ), необходимый и достаточный для выполнения ее функциональных задач и обеспечения заданной надежности.

Соответственно, существует актуальная задача оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик.

Разработка методики позволит провести оценку взаимозаменяемости, а также, в случае необходимости, обосновать необходимость разработки новой ЭКБ.

Целью диссертационной работы является разработка методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик.

Поставленная цель достигается решением следующих научных задач:

1. Исследование особенностей и проблем разработки и производства ЭКБ для РЭА на примере радиолокационной аппаратуры (далее - РЛА).

2. Исследование существующих методик оценки взаимозаменяемости ЭКБ в РЭА.

3. Исследование и анализ основных параметров ЭКБ и характеристик функциональных блоков РЭА, формирование критической совокупности базовых параметров ЭКБ и характеристик РЭА.

4. Исследование основных зависимостей базовых характеристик РЭА от базовых параметров ЭКБ.

5. Разработка «Методики сравнительного анализа потенциальных аналогов микросхем» и «Методики формирования критической совокупности параметров ЭКБ».

6. Разработка и апробация «Методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик».

7. Анализ эффективности «Методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик» для проектного анализа ТЗ на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы по разработке ЭКБ для РЭА.

Научная новизна работы.

1. На основании проведенного исследования основных параметров ЭКБ и характеристик РЭА предложено и обосновано разделение параметров ЭКБ и характеристик РЭА на базовые и частные параметры (характеристики). Сформулированы определения базовых и частных параметров ЭКБ и характеристик РЭА.

2. Выделены основные базовые параметры ЭКБ и базовые характеристики РЭА и сформирована минимальная совокупность зависимостей базовых характеристик РЭА от базовых параметров используемой ЭКБ.

3. Разработана и предложена «Методика формирования критической совокупности параметров ЭКБ», необходимая для формирования критической совокупности параметров ЭКБ в ТЗ на разработку ЭКБ для РЭА для обеспечения работоспособности РЭА с заданной критической совокупностью характеристик.

4. Разработана и обоснована «Методика сравнительного анализа потенциальных аналогов микросхем», позволяющая провести качественную

оценку взаимозаменяемости аналогов микросхем.

7

5. Разработана и апробирована «Методика оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик».

6. На базе «Методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик» сформирован алгоритм проектной оценки качества разработки ТЗ на основании заданных базовых и частных параметров.

Практическая значимость работы.

Предложенная совокупность методик позволила систематизировать процесс замены ЭКБ для радиоэлектронной аппаратуры, уменьшить трудовые и финансовые затраты при сохранении общей работоспособности аппаратуры, в том числе надежностных и технических характеристик, а также упростить и ускорить процесс подбора аналогов электронной компонентной базы.

В перспективе, разработанная совокупность методик может быть использована органами государственного управления (Министерством промышленности и торговли Российской Федерации и др.) и ведущими предприятиями радиоэлектронной промышленности для разработки единой системы государственных стандартов Российской Федерации и нормативных стандартов для систематизации подхода к созданию технических заданий на разработку и изготовление ЭКБ для различных типов аппаратуры, а также при оценке потенциала и реализуемости поступающих от промышленных предприятий и дизайн-центров предложений по разработке перспективной ЭКБ.

Результаты работы использованы в АО «БАЙКАЛ ЭЛЕКТРОНИКС» при

выполнении этапа «Изготовление испытательной оснастки» в рамках реализации

комплексного проекта «Разработка и реализация отечественного

энергоэффективного микропроцессора для серверных решений Байкалв

соответствии с Договором № 16411.1940168580.11.004 от «13» октября 2016 г.

между Министерством промышленности и торговли РФ и АО «БАЙКАЛ

ЭЛЕКТРОНИКС» о предоставлении субсидии на финансовое обеспечение части

8

затрат на создание научно-технического задела по разработке базовых технологий производства приоритетных электронных компонентов и радиоэлектронной аппаратуры.

Материалы диссертационной работы использованы в федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» при выполнении НИР «Исследование физических принципов построения и функционирования перспективных устройств наноэлектроники для создания ЭКБ нового поколения», по Соглашению о предоставлении субсидии из федерального бюджета на финансовое обеспечение выполнения государственного задания на оказание государственных услуг (выполнение работ) №075-03-2022-212 от 12.01.2022г. Шифр темы FSMR-2020-0017.

Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 19-37-90043.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Методика формирования критической совокупности параметров ЭКБ, разработанная на основании исследования функциональных и эксплуатационных параметров ЭКБ.

2. Методика сравнительного анализа потенциальных аналогов микросхем.

3. Методика оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик, разработанная на основании исследования функциональных и эксплуатационных параметров ЭКБ, включая вопросы качества, надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам.

4. Результаты апробации на примере задачи замены микросхемы XL5017 -QT платы малошумящего усилителя приемного тракта аналогового радиочастотного блока.

Апробация работы и публикации. Основные положения и результаты диссертационной работы были представлены на следующих конференциях:

• Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули», Республика Крым, г. Алушта, 2018 г.

• Международный форум «Микроэлектроника-2019». 5-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули», Республика Крым, г. Алушта, 2019 г.

• 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), Москва, Зеленоград. МИЭТ, 2020 г.

• IX Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2020» (МЭС-2020).

• XIII Международная конференция "Кремний-2020" и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, г. Ялта, 2020 г.

• Российский форум "Микроэлектроника-2021", Республика Крым, г. Алушта, 2021 г.

Список опубликованных работ по теме диссертации:

Работы, опубликованные в изданиях, входящих в базу Scopus:

1. Shabanov, A., Putrya, M. Approbation of Method of Microcircuits Interchangeability Efficiency Evaluation In Domestic Radar Equipment Based on Critical Circuit and Parametric Characteristics Set. 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus) - 2020. - P. 2184 -2186.

Работы, опубликованные в изданиях, входящих в перечень ВАК:

2. Шабанов, А. А. Апробация основных положений методики оценки критических параметров электронной компонентной базы на примере сравнения

модуляторов / А. А. Шабанов, А. В. Коровин // Наноиндустрия. - 2019. - № S(89).

- С. 470-473.

3. Shabanov, A. A. Development and approbation of the method of microcircuits interchangeability efficiency evaluation in radar equipment based on critical circuit and parametric characteristics set / A. A. Shabanov, M. G. Putrya // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2020. - No 3. - P. 147150.

Прочие публикации:

4. Шабанов А.А. Апробация основных положений методики оценки критических параметров электронной компонентной базы на примере сравнения модуляторов [Текст] / А.А. Шабанов, А.В. Коровин // Международный форум «Микроэлектроника-2018» 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули»: сборник тезисов.

- М.: Техносфера, 2018. - C. 419-421.

5. Шабанов А.А. Исследование и разработка методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиолокационной аппаратуре отечественного производства на основании критической совокупности схемотехнических и параметрических характеристик / А.А. Шабанов, А.В. Коровин // Международный форум «Микроэлектроника-2019» 5-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. - М.: Техносфера, 2019 г. - С. 188 - 191.

6. Шабанов А.А., Путря М.Г. Исследование и апробация методики оценки

эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на

основании критической совокупности параметрических характеристик.

Международный форум «Микроэлектроника - 2020». Школа молодых ученых

«Микроэлектроника - 2020. XIII Международная конференция «Кремний - 2020».

XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики,

материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и

приборов на его основе. Сборник тезисов: Республика Крым, г.Ялта, 21-25 сентября

2020 г. / Под ред. Е.С. Горнева. - Москва: МАКС Пресс, 2020. - С. 316-318.

11

7. Шабанов, А. А. Разработка и апробация методики формирования критической совокупности параметров микросхем / А. А. Шабанов, М. Г. Путря // Наноиндустрия. - 2021. - Т. 14. - № S7(107). - С. 823-824.

8. Шабанов, А. А. Разработка и апробация методики формирования критической совокупности параметров микросхем / А. А. Шабанов, М. Г. Путря // Наноиндустрия. - 2022. - Т. 15. - № S8-2(113). - С. 620-625.

Глава 1. Анализ основных тенденций развития и методик оценки взаимозаменяемости ЭКБ для РЭА.

1.1 Анализ особенностей и тенденции развития РЭА на примере радиолокационной аппаратуры

Для исследования основных характеристик РЭА и последующей разработки методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре проведем анализ особенностей и тенденций развития РЭА на примере радиолокационной аппаратуры.

Радиолокационная станция - радиоэлектронное устройство, которое решает основные задачи радиолокации, такие как поиск объектов в пространстве и обнаружение радиосигналов с последующей обработкой и выделением из полученного сигнала полезной информации. [10]

Упрощенная структурная схема радиолокационной станции приведена на рисунке 1.1.

Рисунок 1.1 - Упрощенная структурная схема радиолокационной станции

Для проведения последующего исследования основных характеристик РЭА на примере радиолокационной аппаратуры рассмотрим алгоритм работы вышеуказанной упрощенной структурной схемы радиолокационной станции.

Алгоритм работы упрощенной радиолокационной станции (далее - РЛС) следующий:

- Синхронизатор вырабатывает импульсы магой длитель^сти, которые обеспечивают последовательную и корректную работу радиопередающего, радиопринимающего и индикаторного блоков РЛС.

- Передатчик РЛС модулирует и выдает радиоволновые сигналы;

- Мультиплексор (в данном случае антенный переключатель) переключает режимы работы антенны РЛС между приемом и передачей. Переключение мультиплексором необходимо не только для изменения режима работы, но и для предотвращения разрушения приемника в случае получения на вход мощных импульсных сигналов, способных вывести устройство из строя;

- Антенна передает радиосигналы в пространство с требуемой диаграммой направленности и эффективностью. Этот процесс проходит аналогичным образом и при приеме радиосигнала.

- Передаваемые радиосигналы излучаются в виде электромагнитной волны, которая проходит по прямой линии с постоянной скоростью и затем отражается от объекта наблюдения;

- После отражения сигнала антенна принимает отраженный сигнал, который называется эхо-сигналом;

- При приеме эхо-сигнала мультиплексор уменьшает их мощность и подает на вход приемника;

- Приемник усиливает и демодулирует принятые радиосигналы и выдает полезную информацию на выход;

- Индикатор отображает положение объекта относительно РЛС в графическом виде. [11]

Необходимо учитывать, что радиолокационная аппаратура имеет обширное применения в отечественной и зарубежной технике и выполняет большое количество задач обнаружения и выделения полезного сигнала.

Подчеркнем, что мощность принимаемого радиосигнала мала и зависит от

расстояния до цели, а также от степени поглощения энергии радиосигнала при его

распространении. Кроме того, на интенсивность отраженного радиосигнала

влияют геометрические размеры целей и среда распространения. Случайный

14

характер сигнала обусловлен изменениями отраженного от цели радиоволнового сигнала из-за случайных перемещений составных частей цели (колеса автомобиля, элероны самолета и т.п.) при отражении сигнала и рядом других факторов, связанных с хаотичностью амплитуды распространяемого сигнала.

В результате принимаемый сигнал в тракте радиоприемника по виду и интенсивности очень похож на помехи и шумы. Для решения данной задачи используют специальное радиоэлектронное устройство - обнаружитель, в котором задаются определенные алгоритмы обнаружения и отбора полезного сигнала. [12]

Приведем краткую классификацию радиолокационной аппаратуры:

- по сфере применения (гражданское или специальное);

- по диапазону радиоволн (декаметровые, метровые, дециметровые, многодиапазонные и т.д.), подробное описание волновых диапазонов приведено в таблице 1.1;

- по происхождению принимаемого сигнала (РЛС с активным ответом, РЛС с пассивным ответом, РЛС с совмещенным ответом);

- по типу носителя (береговые, морские, мобильные и бортовые РЛС);

- по числу каналов приемо-передающего тракта (одноканальные, многоканальные);

- по месту установки (наземные, воздушные, корабельные, спутниковые, смешанные);

- по назначению (обзорные, следящие, обеспечения полетов, метеорологические, навигационные, многофункциональные). [13]

Приведенная классификация радиолокационных станций является одной из возможных и включает в себя основные типы радиолокационных устройств. Данная классификация показывает большое количество различных вариантов применения РЛС, которые, в свою очередь, задают определенные конструктивно -технологические требования, требования к стойкости к внешним воздействующим факторам и надежности, требования к частотным параметрам и потребляемой мощности для ЭКБ, применяемой в них.

Таблица 1.1

Наименование волн Волновой диапазон Частотный диапазон

Декамегаметровые 104-105 км 3-30 Гц

Мегаметровые 103-104 км 30-300 Гц

Гектокилометровые 102-103 км 300-3000 Гц

Мириаметровые 101-102 км 3-30 кГц

Километровые 1-10 км 30-300 кГц

Гектометровые 100-1000 м 300-3000 кГц

Декаметровые 10-100 м 3-30 МГц

Метровые 1-10 м 30-300 МГц

Дециметровые 10-100 см 300-3000 МГц

Сантиметровые 1-10 см 3-30 ГГц

Миллиметровые 1-10 мм 30-300 ГГц

Децимиллиметровые 0,1-1 мм 300-3000 ГГц

В целях проведения последующего анализа влияния параметров ЭКБ на характеристики РЭА на примере характеристик основных блоков радиолокационной аппаратуры, кратко опишем основные характеристики РЛС.

Основными тактическими характеристиками РЛС являются: область обзора (зона видимости), разрешающая способность, помехозащищённость, точность, пропускная способность, эксплуатационная эффективность, климатические условия использования, надежность, мобильность, экономичность и перспективность. [10]

Зона видимости - пространственная область, в пределах которой цель с определенными свойствами может быть обнаружена с вероятностью правильного обнаружения и ложной тревоги не хуже заданных. Данный параметр РЛС характеризуется максимальной и минимальной дальностями обнаружения и секторами обзора по азимуту и углу места.

Основное уравнение радиолокации устанавливает связь между максимальной дальностью действия радиолокационной станции и параметрами ее составных частей, а также характеристик цели.

Мощность сигнала антенны приемного тракта Рг определяется по формуле

1.1:

где Gt - коэффициент усиления передающей антенны; Р1; - уровень мощности излученного сигнала; о - эффективная площадь рассеяния цели;

Б - коэффициент потерь при распространении сигнала (в вакууме и без помех этот коэффициент равен 1);

К - расстояние от передающей антенны до цели; Яг - расстояние от цели до приемной антенны; Лг - эффективная площадь антенны.

Если для приема и передачи радиосигнала применяется одно и то же антенно-фидерное устройство, то Яг = Яг = Я.

Эффективная площадь приемной антенны определяется по формуле 1.2:

^ = , 0.2)

где Ог - коэффициент усиления приемной антенны;

с - скорость распространения электромагнитной волны в вакууме, с = 3108 м с-1;

Г - несущая частота.

Аналогично вышесказанному, в случае, если для приема и передачи радиосигнала применяется одно и то же антенно-фидерное устройство, принимаем О! = Ог = О.

Рабочая длина волны передаваемого сигнала Я определяется по формуле 1.3:

А= с- (1.3)

Учитывая уравнения, приведенные выше, запишем основное уравнение радиолокации по формуле 1.4:

4 /Р^А2^4

* = ^Г (Ы)

Максимальная дальность действия достигается при минимальной чувствительности приемного тракта РЛС.

Минимальная чувствительность радиоприемника в РЛС - минимальная мощность, при получении которой приемник может обнаружить отраженный целью обратный сигнал, задается формулой 1.5:

Prmin = kTAfrknkd , (I-5)

где k - постоянная Больцмана, равная 1,380 649 -10-23 Дж/К; T - абсолютная температура приемника; Af - полоса пропускания приемника; kn - коэффициент шума приемника;

kd - коэффициент различимости (отношение энергий сигнал/шум на входе приемника, при котором обеспечивается прием сигналов с заданными параметрами).

Минимальная дальность действия РЛС определяется длительностью импульса сигнала т и временем восстановления антенного переключателя Trec и задается формулой 1.6:

Rmin = CX(Ti+2 Тгвс)+ ЛИи , (1.6)

где Trec - время восстановления антенного переключателя,

Tree = 0,2* Т{,

ARu - разрешающая способность по дальности.

Разрешающая способность - это параметр РЛС, характеризующий способность различать минимально возможное смещение одной цели относительно другой по соответствующей координате (при одинаковых значениях всех других координат), при котором остаётся возможным раздельное наблюдение и измерение их координат, а также параметров движения. Величина разрешающей способности по дальности зависит от длительности излучаемого импульса, типов и размеров целей, а также эффективности приемника и индикаторного устройства. Основными определяющими факторами являются длительность и мощность импульса, напрямую зависящие от параметров ЭКБ, входящих в состав РЛС,

например, от выходной мощности модулятора и диапазона рабочих частот ЭКБ. [10, 14]. Основные разновидности разрешающей способности: по дальности, по азимуту, по углу места и по скорости.

Помехозащищённость складывается из помехоустойчивости и скрытности и характеризует способность РЛС эффективно работать с требуемыми точностными характеристиками при воздействии искусственных или естественных помех определенного типа. Мерой помехозащищенности является предельное значение помех, при котором радиолокационная станция сохраняет свою работоспособность [15]. Повышение помехозащищенности позволяет увеличить качество линии связи.

Необходимо подчеркнуть, что помехоустойчивость радиосигналов зависит от типа модуляции. Сравнивая основные типы модуляции, стоит отметить, что амплитудная модуляция существенно уступает фазовой и частотной по показателям помехоустойчивости, и поэтому в современных радиолокационных станциях её применение значительно ограничено. Однако, амплитудная модуляция широко применяется в ряде действующих радиолокационных систем, работающих в длинно-, средне- и коротковолновых диапазонах волн [16].

При оценке точности измерений РЛС принимают во внимание лишь случайные составляющие ошибок измерений. Систематические ошибки устраняют (компенсируют) или учитывают. Поэтому, точность измерений РЛС определяется в основном случайными составляющими ошибок измерений.

Числовые характеристики случайных ошибок - их среднеквадратические, срединные или максимальные значения. Величина случайных ошибок зависит от способа съема координат: визуальный съем координат оператором, автоматический съем координат оператором, автоматический съем координат без участия оператора.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Шабанов Андрей Александрович, 2023 год

Список использованных источников

1. Стратегия развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года: [Электронный ресурс]. - URL: https://minpromtorg.gov.ru/docs/#!strategiya razvitiya elektronnoy promyshlennosti r ossiyskoy federacii na period do 2030 goda1233 (Дата обращения: 22.02.2021).

2. Урличич Ю., Субботин В., Стешенко В. Обеспечение аппаратуры ракетнокосмической техники электронной компонентной базой // Аэрокосмический курьер № 5(77)-2011. [Электронный ресурс]. - URL: http://www.spacecorp.ru. (Дата обращения: 10.10.2021).

3. Импортозамещение электронной компонентной базы в оборонном производстве [Текст] / А. Э. Алямов, И. Ю. Баласов, В. А. Бажанов // ЭКО: всероссийский экономический журнал. - 2015. - N 11. - С. 17-27.

4. О. В. Власов, А. С. Коротков. Импортозамещение в сегменте СВЧ -микросхем. Разумный подход//Новый оборонный заказ. Стратегии. № 2 (39). -2016. - С. 89.

5. Госпрограмма развития электронной и радиоэлектронной промышленности на 2013-2025 гг.: [Электронный ресурс] - URL: https ://budget.minpromtorg. gov.ru/citizens/card/razvitiye-elektronnoy-i-radioelektronnoy-promyshlennosti-2 (Дата обращения: 19.04.2020).

6. Исаев В.М. Объединенное информационное пространство как основа создания аппаратуры отечественного производства [Текст] / В.М. Исаев, А.А. Чупринов // Москва: Наноиндустрия. Спецвыпуск 2018 (82). - М.: Техносфера, 2018. - С. 28-30.

7. Афанасьев М.С., Гродзенский С.Я., Грудзинский П.В. Система менеджмента качества испытательной лаборатории при проведении сертификационных испытаний электро-радио изделий // Труды Международной научно-практической конференции «Инновационные информационные технологии» (I2T) (г. Прага, апрель 2013 г.), Т. 2, С. 174-177.

8. Агеев А.В. Оценка выбора поставщиков продукции // Экономический анализ: теория и практика. 2007. № 21. С. 42-47.

9. Гаценко В.П., Кузнецов В.В., Алексеев О.П., Грудзинский П.В. Порядок документирования и учета оборота и качества продукции при проведении сертификационных испытаний электронной компонентной базы//Качество и жизнь, 2015, № 1(5), С. 43-48.

10. Бакулев П. А. Радиолокационные системы. Учебник для вузов. Изд. 3-е, перераб. и доп. - М.: Радиотехника, 2015. - 440 с., ил.

11. Нурулин Р.Н. Основы построения аппаратуры навигации, топопривязки, ориентирования и радиолокационного опознавания — М.: Издательство «ПЕРО», 2019. - 52 с., ил.

12. Радиолокационные системы: учебник / В. П. Бердышев, Е. Н. Гарин, А. Н. Фомин [и др.]; под общ. ред. В. П. Бердышева. - Красноярск: Сиб. федер. ун-т . - 2011. - 400 с.

13. Денисов, В.П. Радиотехнические системы: учеб. пособие / В.П. Денисов, Б.П. Дудко. - Томск: Гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2006. - 253 с.

14. Дудник, П. И. Многофункциональные радиолокационные системы: учеб. пособие для вузов / П.И. Дудник, А.Р. Ильчук, Б.Г. Татарский; под ред. Б.Г. Татарского. - М.: Дрофа, 2007. - 283 с.: ил. - (Высшее образование. Радиотехнические системы).

15. Белоус А.И. СВЧ-электроника в системах радиолокации и связи. Техническая энциклопедия. Издание 2-е, дополненное. В 2-х книгах. Книга 1. / Белоус А.И., Мерданов М.К., Шведов С.В. - М.: Техносфера, 2018. - 818 с.

16. Подлесный, С. А. Устройства приема и обработки сигналов [Электронный ресурс]: Учеб. пособие / С. А. Подлесный, Ф. В. Зандер. -Красноярск: Сиб. федер. ун-т, 2011. - 352 с.

17. Денисов, В.П., Радиотехнические системы: учеб. пособие / В. П. денисов, Б. П. Дудко. - Томск : ТГУСУР, 2006. - 253 с.

18. Васильев А. Г., Колковский Ю. В., Концевой Ю. А. СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках. - М.: Техносфера, 2011. - С. 1018.

19. Каганов, В. И. Радиотехника: от истоков до наших дней : учеб. пособие / В. И. Каганов. - М. : Форум, НИЦ ИНФРА-М, 2015. - 352 с. - URL: http://znanium.com/bookread2.php?book=507404. (Дата обращения: 18.03.2021).

20. Быховский, М. А. Развитие телекоммуникаций. На пути к информационному обществу: развитие радиолокационных систем : учеб. пособие для вузов / М. А. Быховский. - М. : Горячая линия-Телеком, 2015. - 402 с.

21. E. Brookner, "Radar and Phased Array Breakthroughs," Microwave Journal, Vol. 58, No. 11, November 2015.

22. A. Hassanien, M. G. Amin, Y. D. Zhang and F. Ahmad, "High-Resolution Single-Snapshot DOA Estimation in MIMO Radar with Co-Located Antennas," IEEE Radar Conference, May 2015.

23. "Ground Moving Target Detection in MIMO-SAR System," 2016 IEEE International Geoscience and Remote Sensing Symposium (IGARSS), July 10-15, 2016.

24. Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, "Very-high power density AlGaN/GaN HEMTs," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, pp. 586-590, 2001.

25. Власов О.В. Импортозамещение электронной компонентной базы и локализация производственно-технологических центров [Текст] / Колегов К.А., Власов О.В., Коротков А.С. // Инновации. Номер 7 (213). - 2016. - С.71-74.

26. Госпрограмма развития электронной и радиоэлектронной промышленности на 2013-2025 гг.: [Электронный ресурс] - URL: https ://budget.minpromtorg. gov.ru/citizens/card/razvitiye-elektronnoy-i-radioelektronnoy-promyshlennosti-2 (Дата обращения: 19.04.2020).

27. Официальный сайт Федеральной службы государственной статистики [Электронный ресурс]: официальный сайт. - 2021. - URL: https://rosstat.gov.ru/storage/mediabank/god17.htm (Дата обращения: 15.10.2021).

28. Григорьева А. Российская и мировая полупроводниковая промышленность. Цифры и факты: [Электронный ресурс]// Живая электроника России. Российская электроника сегодня и завтра. - 2021. - URL: https://russianelectronics.ru/wp-content/uploads/2021/04/2104.pdf (Дата обращения: 20.02.2021)

29. Cadence Corporate Site [Электронный ресурс]: официальный сайт. -2021. - URL: https://www.cadence.com/ (Дата обращения: 15.09.2021).

30. Эннс В.И. Проектирование аналоговых КМОП-микросхем. Краткий справочний разработчика / В.И. Эннс, Ю.М. Кобзев. - М.: Горячая линия -Телеком, 2005. - 454 с.

31. Официальный сайт АО «Микрон» [Электронный ресурс]: официальный сайт. - 2021. - URL: https://www.mikron.ru/capabilities/technology/ (Дата обращения: 15.09.2021).

32. Официальный сайт АО «Ангстрем» [Электронный ресурс]: официальный сайт. - 2021. - URL: https://www.angstrem.ru/services/detail/kristalnoe proizvodstvo/ (Дата обращения: 15.09.2021).

33. Vendelin G.D. Microwave Circuit Design Using Linear and Nonlinear Techniques. 1990. - 757 p.

34. Larson, L. E., "Silicon Bipolar Transistor Design and Modeling for Microwave Integrated Circuit Applications," Bipolar Circuits Technol. Meeting Tech. Dig., 142, 1996.

35. Rieh, J.-S., Jagannathan, B., Chen, H., Schonenberg, K. T., Angell, D., Chinthakindi, A., Florkey, J., Golan, F., Greenberg, D., Jeng, S.-J., Khater, M., Pagette, F., Schnabel, C., Smith, P., Stricker, A., Vaed, K., Volant, R., Ahlgren, D., Freeman, G., Stein, K., and Subbanna, S., "SiGe HBT's with cutoff frequency of 350 GHz," Int. Electron Devices Meeting, Tech. Dig., 771, 2002.

36. H. S. Momose, R. Fujimoto, S. Ohtaka, E. Morifuji, T. Ohguro, T. Yoshitomi, H. Kimijima, S. Nakamura, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Tanimoto, and

H. Iwai, "RF Noise in 1.5 nm Gate Oxide MOSFETs and the Evaluation of the NMOS

133

LNA Circuit Integrated on a Chip," Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers, p. 96, Honolulu, 1998.

37. Schlechtweg, M. et al., "Millimeter-wave and mixed-signal integrated circuits based on advanced metamorphic HEMT technology," 16th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 609-614, 2004.

38. D.L. Lile, "The History and Future of InP-Based Electronics and Optoelectronics," 10th International Conference on Indium Phosphide and Related Compounds, May 11-15, 1998, Tusukuba, Japan, pp. 6-9.

39. Ware, R., Higgins, W., O'Hearn, K., and Tiernan, M., "Growth and Properties of Very large Crystals of Semi-Insulating Gallium Arsenide," presented at the 18th IEEE GaAs IC Symposium, Orlando, FL, 1996, p. 54.

40. Scotten W. Jones, 300mm Prime and prospect for 450mm wafers // Solid State Technology, December 2009, pp. 14-15.

41. Майская В. SiGe устройства: нужная технология, в нужное время // Электроника: наука, технология, бизнес. 2001. № 1. С. 28-33.

42. Cressler J.D. The Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits, and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy // CRC Press. 2005. 1210 р.

43. Ashburn, P., SiGe Heterojunction Bipolar Transistors // Wiley, Chichester,

2003.

44. Meister, T. F., Schäfer, H., Aufinger, K., Stengl, R., Boguth, S., Schreiter, R., Rest, M., Knapp, H., Wurzer, M., Mitchell, A., Böttner, T., and Böck, J., "SiGe Bipolar Technology with 3.9 ps Gate Delay," Proceedings of IEEE BCTM, 103 2003.

45. Радауцан С.И, Вернер В.Д, Руссу Е.В, Радауцан Г.И. Некоторые аспекты применения фосфида индия в микроэлектронике. Полупроводниковые материалы и приборы / под ред. С.И. Радауцана. - Кишинев: Штиинца, 1987. - С. 3 - 29.

46. C. H. Diaz, D. D. Tang, and J. Sun, "CMOS Technology for MS/RF SoC," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-50, p. 557, 2003.

47. M. Kameche and N.V. Drozdovski, "GaAs-, InP- and GaN HEMT-Based Microwave Control Devices: What is Best and Why," Microwave Journal, 48, May 2005, 164-180.

48. Коберниченко В.Г. Особенности формирования изображений в космических радиолокаторах с синтезированной апертурой // Вестник УГТУ-УПИ. Теория и практика радиолокации земной поверхности. Сер. радиотехническая, Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2005. № 19(71).

49. T. Sowlati, C.A.T. Salama, J. Sitch, G. Robjohn and D. Smith, "Low-Voltage, High-Efficiency Class E GaAs Power Amplifiers for Mobile Communications", in IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig., pp. 171-174, 1994.

50. Доценко, В.В. Разработка и изготовление СВЧ монолитных интегральных схем на основе GaAs / В.В. Доценко, С.В. Ишуткин, Д.С. Хохол, И.В.Юнусов // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем «СВЧ-2012»: материалы конф. (Омск, Россия, 10-13 окт. 2012 г.). - 2012. - С. 54-64.

51. Шалимова К. В. Физика полупроводников: Учебник. 4-е изд., стер. -Санкт-Петербург: Издательство «Лань». - 2010. - 400 c.

52. Шахнович И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Состояние и перспективы // Электроника: НТБ. - 2005. - № 5. - C. 58-64.

53. F. Yamaki, K. Inoue, N. Ui, A. Kawana, and S. Sano, "A 65% drain efficiency GaN HEMT with 200 W peak power for 20 V to 65 V envelope tracking base station amplifier," in IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig., Baltimore, MD, Jun. 2011.

54. L. Dunleavy, C. Baylis, W. Curtice, and R. Connick, "Modeling GaN: Powerful but challenging," IEEE Microw. Mag., pp. 83-96, Oct. 2010.

55. A. Prejs, S. Wood, R. Pengelly, and W. Pribble, "Thermal analysis and its application to high power GaN HEMT amplifiers," in IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig., Boston, MA, Jun. 2009, pp. 917-920.

56. Briere M.A. Commercial 600 V GaN-based Power Devices Coming of Age. - Power Electronics Technology, 2011, July, p.26-28.

57. Гольцова М. Mompbte GaN-транзисторы: истинно революционная технология//Электроника: НТБ. 2012. № 4. - С.86 - 101.

58. Тарасов С.В., Дикарев В.И., Цоцорин А.Н. Мощные GaN транзисторы для применения в перспективных системах связи и радиолокации // Москва: Наноиндустрия. Техносфера, 2017. - С. 506 - 512.

59. MacDonald T. Advantages of International Rectifiers GaN power devices. // Novosti elektroniki [News electronics], 2010, № 7, pp. 29-32.

60. Lidow A., Strydom J., M. de Rooij, Reusch D. GaN transistors for efficient power conversion. - Second edition. - Wiley, 2015, 250 p.

61. Кулиев М.В. Обзор современных GaN транзисторов и направления развития // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 2 (245) 2017. - С. 18-28.

62. Майская В. СВЧ-полупроводниковые технологии - статус равен. Но у кого он ровнее? // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. №5 (71), Техносфера, 2006. - с. 20-27.

63. Единый реестр российской радиоэлектронной продукции (в соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 10 июля 2019 г. № 878): [Электронный ресурс]. - URL: https://minpromtorg.gov.ru/common/upload/o_data/addition_material/Edinyy_reestr_R EP 15 11 19 .xlsx ((Дата обращения: 23.09.2020).

64. Перельман Б.Л., Шевелев В.И. Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги. - М.: ООО "НТЦ Микротех", 1998. - 375 с.

65. ГОСТ Р 58857-2020 Ракетно-космическая техника. Электронная компонентная база. Общие положения: [Электронный ресурс]. - URL: http://docs.cntd.ru/document/1200173331 (Дата обращения: 18.01.2020).

66. Васин, В.А. Радиосистемы передачи информации: учебное пособие для вузов / В.А. Васин, В.В. Калмыков, Ю.Н. Себекин, А.И. Сенин, И.Б. Федоров; под ред. И.Б. Федорова и В.В. Калмыкова. - М.: Горячая линия - Телеком, 2005. - 472 с. : ил.

67. Биккенин, Р.Р. Теория электрической связи: учеб. пособие для студ. высших учебных заведений / Р.Р. Биккенин, М.Н. Чесноков. - М. : Издательский центр «Академия», 2010. - 336 с.

68. Конструкторско-технологическое проектирование электронной аппаратуры: Учебник для вузов/ К.И. Билибин, А.И. Власов, Л.В. Журавлева и др.; Под общ. ред. В.А. Шахнова - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Изд. МГТУ им. Баумана, 2005. - 568 с.: ил. - (Информатика в техническом университете).

69. Надёжность систем и техногенный риск / В.А. Акимов, В. Л. Лапин, В.М. Попов [и др.]. - М.: ЗАО ФИД «Деловой экспресс», 2002. - 368 с.

70. Баканов, Г.Ф. Конструирование и производство радиоаппаратуры: учеб. пособие / Г.Ф.Баканов, С.С.Соколов. - М.: Издат. центр «Академия», 2011. -384 с.

71. Бородин, С.М. Обеспечение надёжности при проектировании РЭС: учеб. пособие / С.М.Бородин. - Ульяновск: Изд-во УлГТУ, 2010. - 106 с.

72. Ямпурин, Н. П. Основы надежности электронных средств: учебное пособие для студ. высш. учеб. заведений / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова; под ред. Н. П. Ямпурина. - М.: Издательский центр «Академия», 2010. - 240 с.

73. Технологические основы производства полупроводниковых интегральных схем: учебное пособие / М.Ф. Жаркой; Балт. гос. техн. ун-т. - СПб., 2016. - 123 с.

74. William J. Greig. Integrated Circuit Packaging, Assembly and Interconnections. - Springer Science+Business Media LLC, 2007. - 300 p.

75. Филиппов Б.И., Малахова Е.А. Расчет надежности донной части аппаратуры гидроакустического канала связи // сб. науч. Трудов НГТУ. - 2015. -№ 3(81). - 79-97.

76. Филиппов Б.И., Чернецкий Г.А. Анализ статистических характеристик сигналов и помех в гидроакустических каналах связи // Вестник Астраханского государственного технического университета. Серия: Управление, вычислительная техника и информатика. - 2015. - № 3. - С. 78-84.

77. Shabanov, A., Putrya, M. Approbation of Method of Microcircuits Interchangeability Efficiency Evaluation In Domestic Radar Equipment Based on Critical Circuit and Parametric Characteristics Set. 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus) - 2020. - P. 2184 -2186.

78. R. Shabardin, N. Shabardina, I. Mukhin, D. Morozov and L. Nedashkovskiy, "The development of quadrature modulators and demodulators 1800 mhz - 6 ghz with digital correction of parameters," Proceedings of the 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2019, 2019, pp.1612-1615.

79. Васин, В.А. Информационные технологии в радиотехнических системах / В.А. Васин, И.Б. Власов, Ю.М. Егоров и др. ; под ред. И.Б. Федорова -М. : Изд. МГТУ, 2004.

80. Сети и стандарты мобильной связи: учебное пособие / В. И. Данилов; СПбГУТ. - СПб., 2015. - 100 с.

81. Шабанов, А. А. Разработка и апробация методики формирования критической совокупности параметров микросхем / А. А. Шабанов, М. Г. Путря // Наноиндустрия. - 2022. - Т. 15. - № S8-2(113). - С. 620-625.

82. Shabanov, A. A. Development and approbation of the method of microcircuits interchangeability efficiency evaluation in radar equipment based on critical circuit and parametric characteristics set / A. A. Shabanov, M. G. Putrya // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). -2020. - No 3. - P. 147-150.

83. Цветков В.К., Лялин К.С. Проблемы разработки приемного устройства РСА для БПЛА. Проектирование и экспериментальное исследование // Материалы 1-ой Всероссийской микроволновой конференции: [Электронный ресурс]. - URL: http://jre.cplire.ru/alt/dec 13/16/text.html (Дата обращения: 20.12.2021).

84. Analog devices: [Электронный ресурс]. - URL: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc996.pdf (Дата обращения: 17.11.2021).

85. ООО "ТОК ЭЛЕКТРОНИКС": [Электронный ресурс]. - URL: https://www.west-l.com/uploads/tdpdf/sf xl5017 qt.pdf (Дата обращения: 17.11.2021).

86. Analog devices: [Электронный ресурс]. - URL: https://www.analog.com/media/en/quality/hmc-qtr/QTR 2013-00269.pdf (Дата обращения: 18.11.2021).

87. Analog devices [Электронный ресурс]: официальный сайт. - URL: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADL5375-EP.pdf (Дата обращения: 02.04.2021).

88. Беневоленский С.Б., Метелкин Е.В. и др. Физические основы работы полупроводниковых приборов. - М.: Физматлит, 2003. - 340 с.

89. Сайт АО «НИИМА «Прогресс» [Электронный ресурс]: официальный сайт. - URL: https://mri-progress.ru/products/all-lists/1327MA015.pdf (Дата обращения: 02.04.2020).

90. Шабанов, А. А. Апробация основных положений методики оценки критических параметров электронной компонентной базы на примере сравнения модуляторов / А. А. Шабанов, А. В. Коровин // Наноиндустрия. - 2019. - № S(89). - С. 470-473.

91. Аникейчик Н.Д., Кинжагулов И.Ю., Федоров А.В. Планирование и управление НИР и ОКР. Учебное пособие. - СПб: Университет ИТМО, 2016. - 192 с.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 - АКТЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

ВНЕДРЕНИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ

W ELECTRONICS

«

УТВЕРЖДАЮ»

Генеральный директор

тел.: [phone]

wwu.hajkildKtroilics.ru

14<421.1'оссийская Федерация. Московская области, юродской округ Красногорск, герриторн» автолорош «Балтия». 26-й киломшр. дом 5. строение 1.5 паж.

АКТ

об использовании результатов диссертационной работы Шабанова Андрея Александровича

Настоящим актом подтверждается, что методики, разработанные Шабановым А. А. в ходе работы над кандидатской диссертацией «Исследование н разработка методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик», позволили упростить и ускорить процесс подбора аналогов электронной компонентной базы для выполнения этапа «Изготовление испытательной оснастки» в рамках реализации комплексною проекта «Разработка и реализация отечественного энергоэффективного микропроцессора для серверных решений Байкал-Б» в соответствии с Договором № 16411.1940168580.11.004 от "13" октября 2016 г. между Министерством промышленности и торговли РФ и АО «БАЙКАЛ ЭЛЕК'ГРОНИКС»о предоставлении субсидни на финансовое обеспечение части затрат на создание научно-технического задела по разработке базовых технологий производства приоритетных электронных компонентов и радиоэлектронной аппаратуры.

Заместитель Генерального директора по операционным вопросам, кандидат экономических наук

Колбасов И.В.

«УТВЕРЖДАЮ»

«/#>> 0/Г 2022 г.

АКТ

об использовании результатов диссертационной работы Шабанова Андрея Александровича

Настоящим актом подтверждается, что методики, разработанные Шабановым А. А. в ходе работы над кандидатской диссертацией «Исследование и разработка методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик», а именно, «Методика формирования критической совокупности параметров ЭКБ» и «Методика оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик», использованы в федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» при выполнении НИР «Исследование физических принципов построения и функционирования перспективных устройств наноэлектроники для создания ЭКБ нового поколения», по Соглашению о предоставлении субсидии из федерального бюджета на финансовое обеспечение выполнения государственного задания на оказание государственных услуг (выполнение работ) №075-03-2022-212 от 12.01.2022г. Шифр темы РЯМК-2020-0017.

Заместитель заведующего кафедрой ИЭМС, Крупкина Т.Ю.

доктор технических наук, профессор