Исследование поверхностных слоев железосодержащих материалов методом электронной мессбауэровской спектроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Томашевский, Николай Антонович

  • Томашевский, Николай Антонович
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 1985, Киев
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 155
Томашевский, Николай Антонович. Исследование поверхностных слоев железосодержащих материалов методом электронной мессбауэровской спектроскопии: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Киев. 1985. 155 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Томашевский, Николай Антонович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДА И ОБЛАСТИ

ЕГО ПРИМЕНЕНИЯ (Литературный обзор)

1.1. Внутренняя конверсия ядерных гамма-переходов и взаимодействие ядерного излучения с веществом

1.2. Техника наблюдения электронных мессбауэровских спектров

1.3. Применение мессбауэровской электронной спектроскопии в физике твердого тела и металловедении

1.3.1. Исследование тонких пленок и аморфных материалов

1.3.2. Исследование состояния поверхностных слоев металлов после лазерного облучения

1.3.3. Изучение феррит-гранатовых пленок с цилиндрическими магнитными доменами и ионной имплантации

ГЛАВА 2. ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ЭЛЕКТРОНОВ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ НАБЛВДЕНИЯ МЕССБАУЭРОВСКИХ ЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ

2.1. Снижение фонового потока электронов

2.2. Определение оптимальных характеристик газоразрядных детекторов электронов

2.3. Проточные газоразрядные детекторы электронов

2.3.1. Цельнометаллический детектор

2.3.2. Кассетный детектор

2.4. Общая схема экспериментальной установки и обработка резонансных электронных спектров

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ СИСТЕМ Fe:Ti , Ге-ZVb , Ге-Zr И Ге-Та , ФОРМИРУЕМЫХ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ОБЛУЧЕНИИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ.

3.1. Взаимодействие лазерного излучения с металлами

3.2. Приготовление и обработка образцов

3.3. Расчет температурного поля в зоне лазерного воздействия.

3.4. Влияние режимов обработки на образование поверхностного слоя в системе Fe-Ti

3.5. Распределение интерметаллических соединений по глубине поверхностного слоя системы Fe-Nb

3.6. Изучение метастабильных фаз в системе Fe-ZГ и их превращение в процессе нагрева

3.7. Образование аморфной структуры в поверхностном слое системы Fe-Ta.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ЖЕЛЕ30ИТТРИЕВ0Г0 ФЕРРИТА-ГРАНАТА

4.1. Кинетика роста эпитаксиальных гранатовых пленок

4.2. Диффузия атомов железа в монокристалле желе-зоиттриевого граната

4.3. Влияние ионного имплантирования на состояние поверхностных слоев гранатовых пленок

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование поверхностных слоев железосодержащих материалов методом электронной мессбауэровской спектроскопии»

Актуальность темы. Одним из эффективных методов, позволяющих проводить без разрушения образца исследование свойств вещества на глубине до нескольких тысяч ангстрем, является мессбауэровская электронная спектроскопия. В научной литературе в настоящее время принято следующее сокращенное название метода: МСКЭ - мессбауэровская спектроскопия на электронах внутренней конверсии. Это сокращение использовано и в настоящей работе. Толщина исследуемого слоя зависит от максимальной длины пробега электронов конверсии в материале. Особенность наблюдения эффекта Мессбауэра на электронах конверсии заключается в том, что кроме информации, получаемой из расшифровки резонансных спектров, имеется возможность проводить послойный анализ поверхностных слоев, так как энергия этих электронов зависит от глубины их выхода из материала. Анализ электронов по энергии и углу их выхода, позволяет "просматривать" конечный слой на выбранной глубине. Практическое применение этот метод нашел в течении последних пяти- семи лет. Однако, необходимо отметить, что уже вскоре после открытия Р.Мёссбауэром в 1958 году / I / явления ядерной флуоресценции, советские ученые Митрофанов К.П. и Шпинель B.C. показали возможность наблюдения резонансного поглощения ядерных гамма-квантов в изотопе 0лово-П9м с энергией 23,8 кэВ по электронам внутренней конверсии. Ими были сформулированы основные принципы применения данного метода. В частности,было показано, что такой метод является эффективным, если сечение резонансного поглощения значительно больше сечения фотоэффекта и коэффициент внутренней конверсии достаточно велик. С 1961 года ядерный гамма-резонанс (ЯГР) при регистрации вторичных электронов наблюдался на 14-ти изотопах одиннадцати мессбауэровских элементов (табл.1).

Таблица I f 1 Изотоп E (кэВ) Основные компоненты спектра вторичных электронов Ее(кэВ) об о: <гР Год Литература

Sn119 23,8 К : LMM : 19,6 1,8 5,1 410 1961 / 3 /

V182 100,1 К : KLL: 30,5 42,8 3,8 200 1961 / 4 /

D</161 25,7 L : LM : 16,2 4,9 2,9 125 1969 / 5 /

57 Fe 14,4 К : LMM : 7,3 5,6 9 410 1970 / 2 /

P*145 61,2 К : KLL : 16,0 30,3 11,2 50 1975 / 6 /

H}180 93,3 К : KLL : 28,0 42,8 4,2 150 1975 / 6 /

V180 103,7 К : KLL : 34,2 42,8 3,4 200 1975 / 6 /

VI86 122,3 К : КLL : 50.7 42.8 1,6 300 1975 / 6 /

Os186 137,2 К : KLL : 63,3 47,9 1,3 400 1975 / 6 /

0£I88 155,0 К : KLL : 81,1 47,9 0,8 600 1975 / 6 /

TaI8I 6,2 М : М NN : 3.5 1.6 82 18 1977 / 7 /

Tn,189 8,4 М : ММА1 : 6,7 1,4 291 6 1980 / 8 /

21,6 L : UM : 13,6 4,5 28,6 25 1980 / 8 /

AM197 77,3 L : LMM : 62,9 7,5 4,3 50 1983 / 9 /

Одна из первых работ по МСКЭ на ядрах ^7Ге была выполнена {.Р.Свенсоном и Д.Д.Спикерманом в 1970 году / 2 /. В последние го-щ был достигнут значительный успех в развитии теории КЭМС, теории послойного анализа с помощью МСКЭ, создан ряд оригинальных экспериментальных установок и спектрометров. Все это позволило применить данный метод для исследования поверхностных слоев и яв-1ений в физике твердого тела и металловедении. Следует отметить ряд обзоров и монографий по технике Мёссбауэровской спектроскопии да конверсионных электронах и применение её для решения физических задач / 10-17 /, вышедших к настоящему времени в СССР и за рубежом.

Все шире метод МСКЭ применяется для решения задач, связанных з созданием новых технологий или совершенствования тех или иных видов обработки поверхности материалов. Наибольшая эффективность применения МСКЭ наблюдается там, где другие методы не позволяют аолучить достаточную информацию для успешного применения того или лного вида обработки материала. Одной из таких областей применения МСКЭ является исследование состояния поверхности металлов и згшавов после лазерного воздействия. Другой важной областью применения МСКЭ является изучение поверхностных свойств эпитаксиаль-шх. монокристаллических пленок ферритов-гранатов. Несмотря на интенсивное развитие работ, связанных с лазерной обработкой материалов, почти не изучались фазовая структура и свойства тонких ( ~100 нм) металлических приповерхностных слоев, подвергнутых лазерному облучению. Особый интерес представляет исследование процессов формирования на поверхности материала интерметаллических зоединений при лазерном "перемешивании" тонких слоев толщиной до

С /2

00 нм. Их охлаждение происходит с высокой скоростью ( 10'тЮ К )» что позволяет зафиксировать поверхностные слои в неравновесном состоянии. Это во многом и определяет их структуру, фазовый состав и свойства. Измельчение структуры поверхностного слоя и снижение уровня сегрегации с увеличением скорости охлаждения являются благоприятными факторами, повышающими прочность и пластичность /18/. Вопрос о природе фаз, возникающих при лазерном сплавлении тонких слоев, и последовательности их образования, с нашей точки зрения, является основным. Изучение особенностей формирования на поверхности материала тонкого слоя химического соединения из тугоплавких компонентов может явиться основой для создания новых лазерных технологических процессов, обеспечивающих улучшение физических и химических свойств поверхностных слоев, как например, повышение твердости и коррозионной стойкости в разных средах и т.д. Весьма важным является также и изучение электронной структуры приповерхностных слоев, так как многие физические и химические свойства вещества определяются его электронным строением, в частности, характером связи между атомами.

Применение метода МСКЭ для исследования поверхности монокристаллов железосодержащих материалов, синтезируемых в различных условиях, представляется перспективными до1 сих пор не было использовано. И, хотя в последнее время проведен целый ряд работ по изучению состояния пленок феррит-гранатов после ионного имплантирования поверхности, которое приводит к подавлению жестких цилиндрических магнитных доменов, работы по исследованию распределения атомов железа в поверхностных слоях этих материалов, чрезвычайно перспективных для создания сверхбольших микросхем памяти, до настоящего времени не выполнены. МСКЭ позволяет проводить изучение особенностей распределения атомов железа при различных режимах и условиях выращивания монокристаллических пленок, а также позволяет исследовать диффузию атомов железа по различным кристаллографическим позициям при термообработке, являясь при этом единственным прямым методом исследования.

При измерении и сопоставлении результатов от серии образцов, подвергнутых лазерному облучению, или в случае серии образцов от монокристаллов одного состава, но приготовленных на различных стадиях эпитаксиального роста, наиболее важным является возможность проведения измерений в идентичных условиях, т.е. воспроизводимость для каждого образца параметров регистрирующей системы. Методически, при использовании проточных газоразрядных детекто -ров электронов эта задача до настоящего времени не была решена. Хотя, часто критерием идентичности условий измерений выбирается одинаковая скорость счета для разных объектов исследования. Однако, взаимное изменение анодного напряжения, скорости прокачки газовой смеси и нижнего порога дискриминации амплитуды импульсов при замене образцов могут привести к одинаковой скорости счета, тогда как "эффективная" толщина просматриваемого слоя будет различной.

Цель работы. На основании вышеизложенного, цель работы формулируется как исследование особенностей распределения атомов железа в тонко пленочных системах Fe-Ti , Fe-Nb, Fe-Zr , Fz-Tcl после лазерного облучения и в поверхностных слоях эпи-таксиальных монокристаллических пленок железоиттриевого феррит-граната.

Решены следующие задачи:

1. Разработан принцип построения и оптимизации рабочих характеристик низкофонового детектора электронов и создана методика наблюдения серий образцов в идентичных условиях измерений при использовании газоразрядного детектора электронов.

2. Исследовано структурное состояние слоев, образующихся при лазерном плавлении тонкопленочных покрытий железа, нанесен ных на поверхность тугоплавких материалов.

3. Исследовано распределение атомов железа и их диффузион -ная подвижность в решетке железоиттриевого феррит-граната в процессе выращивания и при последующей имплантации ионов /Уе*

Научная новизна. В работе получены следующие результаты:

1. Экспериментально установлено, что независимо от глубины лазерного переплава поверхностного слоя 77 с тонкопленочным покрытием из Fe на поверхности материала образуется сплав железо-титан примерно постоянного состава.

2. Показано, что при лазерном облучении тонкопленочных покрытий из Fe на массивных образцах из Ti , Nb , Zr и Та » обеспечивающем плавление тугоплавкой основы, наблюдается образование метастабильных фаз и интерметаллических соединений. Впервые экспериментально показано, что на поверхности материала наблюдается преимущественное образование соединений с минимальной температурой плавления для данной системы.

3. Впервые показано, что при лазерном облучении ( X = КОбикм) с мощностью ^ 0.1 Дж покрытия из тонкой пленки тантала на массивном железе,в поверхностном слое образуется аморфный сплав

Ге -Та .

4. Впервые методом МСКЭ показано, что диффузионная подвижность атомов железа в монокристалле железоиттриевого феррит-граната по октаэдрическим позициям значительно выше, чем по тетра-эдрическим.

5. Впервые разработана методика регистрации мессбауэровских спектров по вторичным электронам серий образцов (до 6 шт.) в идентичных условиях, что позволило проводить корректное сопоставление получаемых результатов. Сформулированы основные требова -ния к конструкции газоразрядного детектора электронов, обеспечивающие снижение интенсивности фонового излучения, повышение стабильности и воспроизводимости параметров детектора.

Практическая ценность. Проведенные в работе экспериментальные исследования позволили расширить существующие представления об основных закономерностях формирования структуры поверхностных слоев, образующихся при лазерном сплавлении тонко пленочных покрытий. Полученные результаты расширили существующие представления о процессах образования интерметаллических фаз и особенностях кристаллизации поверхностных слоев в результате воздействия лазерного излучения. Полученные результаты могут быть использо -ваны при разработке жаропрочных и жаростойких покрытий, а также при разработке перспективных технологий формирования таких покрытий с помощью лазерного излучения.

В результате выполненного исследования тонкой структуры феррит-гранатов с цилиндрической магнитной доменной (ЩЦ) структурой получены данные о характере катионного распределения и диффузионной подвижности атомов железа в монокристаллических пленках. Полученные результаты имеют большое значение для развития представлений о природе одноосной магнитной анизотропии, ответственной за формирование ВДД структуры, и могут быть использованы для разработки новых перспективных материалов. Настоящие результаты были использованы для уточнения режимов нанесения на гранатовые пленки тонко пленочных управляющих структур при изготовлении микросхем памяти (см. приложение I).

Разработанная методика наблюдения резонансных мессбауэровс-ких спектров от серий нескольких образцов с регистрацией элект -ронов внутренней конверсии внедрена в Астраханском научно-исследовательском и технологическом институте вычислительных устройств для исследования тонкопленочных ЩД-ферритов в сильных магнитных полях (см. приложение П).

На защиту выносятся следующие положения:

1. При лазерном сплавлении поверхностных слоев тугоплавких металлов Ti , Nb , Zr и Та с тонкопленочным покрытием из наряду с равновесными интерметаллическими соединениями могут образовываться метастабильные кристаллические фазы и аморфные слои материала с преимущественным расположением на поверхности наиболее легкоплавких фаз.

2. Диффузионная подвижность атомов Fe по октаэдрическим позициям в монокристаллической эпитаксиальной пленке железоиттри-евого феррита-граната (Y,,5Sn>025 Uift5 Са^)(Тс^о5 Gq0^)OiZ значительно превосходит диффузионную подвижность по тетраэдриче-ским позициям.

Первая глава диссертации представляет собой критический обзор литературы по физическим основам метода мессбауэровской спектроскопии на вторичных электронах, области применения метода и экспериментальной технике наблюдения электронных мессбауэровских спектров.

Во второй главе изложены результаты по выработке принципов построения газоразрядных детекторов электронов с пониженным фоном вторичного электронного излучения. Описана методика наблюдения серий образцов в идентичных условиях, также предлагается метод экспериментальной оптимизации рабочих характеристик газоразрядных детекторов электронов для МСКЭ.

В третьей главе приведены результаты исследования влияния лазерного излучения на тонкопленочные слои из Ге , нанесенные на тугоплавкие основы из Ti , Nb , Zr и Та , а также тонкопленочных покрытий Ti , Mb , 1г и Та на Fe . Исследовано влияние различных доз мощностей облучений ниодимовым лазером с длиной волны X = 1.06 мкм. Сопоставление рентгенос.труктурных и мессбауэровских данных исследований тонкопленочных покрытий и эталонных сплавов позволяет сделать вывод о распределении фаз с различной температурой плавления для данной системы по глубине поверхностного слоя.

Рассмотрены процессы структурной релаксации после отжига в тонко пленочных системах Fe-Nb и Ге-Zr , сформированных при лазерном облучении.

Четвертая глава диссертации посвящена исследованию методом МСКЭ поверхностных слоев эпитаксиальных пленок железоиттриевого феррита-граната (\5Sm0^Luo z Саол5 )( Ге4 о5 ) 0;2 •

Изучались пленки, полученные в различных условиях выращивания. Варьировались температура кристаллизации и время роста пленок, т.е. их толщина. Для исследования причин различного содержания атомов железа в октаэдрических и тетраэдрических позициях в поверхностных слоях пленок, полученных при разных режимах выращивания, проведено изучение диффузии атомов железа в пленках феррита-граната.

Диссертационная работа завершается разделом, в котором изла> гаются основные результаты и выводы.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Томашевский, Николай Антонович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. В системе FeTi температура поверхности и глубина лазерного переплава в определенных пределах не являются критическими параметрами, определяющими фазовый состав образующегося сплава. Параметры мессбауэровского спектра свидетельствуют об однородности поверхностного слоя как по глубине так и по поверхности образца.

2. При имцульсном лазерном облучении происходит сплавление тонкопленочных покрытий из Fe с массивной подложкой. При этом в системах fe Nb , FeZr образуется сложная многофазная структура с преимущественным расположением вблизи поверхности наиболее легкоплавких фаз.

3. При воздействии лазерного излучения 1,06 мкм с плотностью энергии 2,4 Ю^Цж/см2 на тонкопленочные покрытия в системе Fe-Ta обнаружено образование сплава в аморфном состоянии.

4. При выращивании тонкопленочных монокристаллов железоит-триевых феррит-гранатов (ЖИГ) методом жидкофазной эпитаксии, увеличение времени выращивания и температуры раствора-расплава приводит к увеличению содержания ионов железа в октаэдрических позициях решетки феррит-граната.

5. Скорость диффузии атомов железа в тонкопленочных монокристаллах (ЖИГ) в направлении (III) по октаэдрическим позициям в три раза выше скорости диффузии по тетраэдрическим позициям.

6. Анализ ионного имплантирования ЖИГ показал высоную эффективность метода МСКЭ для исследования структурного и магнитного состояния имплантированных слоев в широком диапазоне энергий.

7. Разработанные конструкции детекторов позволили существенно (в 3-5 раз) снизить интенсивность фонового излучения и за счет этого обеспечили высокую чувствительность измерений, необходимую для исследований тонкопленочных материалов с природным содержани ем железа-57. Кассетное размещение образцов в детекторе впервые дало возможность проведения измерений с высокой относительной точностью для серий образцов, в связи с идентичностью условий измерений.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Томашевский, Николай Антонович, 1985 год

1. Solomon L., Y/est P.J., Weger G. Mossbauer conversion electron studies of Tantalum metal surface layers. 1977, v.5, HI, p.61-67.

2. S. Conversion electron Mossbauer spectroscopy of Euvropium-151 and Thulium-169 /Shnoy G.K., Hiavchos D., Viccaro P.J., Dun-lap B.D. In::"Mossbauer spectroscopy and its chemical applications", Stevens J.D., Shenoy G.K. ed., I981, p.642.

3. Conversion electron Mossbauer Spectroscopy of "^^Au /Sawicki J.A., Tyliszczak Т., Stanec J., e.a. Hucl. Instr. Meth., 1983, v.2I5, ^3, p.567-568. Э. Wagner P.B. Applications of Mossbauer scattering techniques.

4. Шпинель B.C. Резонанс гамма-лучей в кристаллах. М.: Наука, 1969, - те о.

5. Мухин К.Н. Введение в ядерную физику. М.: Атомиздат, 1965.722 с.

6. Альфа-, бета- и гамма-спектроскопия /Под ред. Зигбана К. -М.: Атомиздат, 1969, т.1. 568 с.

7. Kracowski E.A., 1'й11ег R.B. An analysis of backscatter Mossbauer spectra obtained, with internal conversion electron.-Nu.cl. Instr. Meth., 1972, v.100, N1, p.95-105. .

8. Берковский А.Г., Гаваниц В.A., Зейдель И.H. Вакуумные фотоэлектронные приборы. -. М.: Энергия , 1976. 343 с.

9. Козлов И.Г. Методы энергетического анализа электронных потоков. М.: Атомиздат, 1971, - 190 с.

10. Study of tin(IV) oxide layers using the Mossbauer effect /Chen Duk Tkhiep, Bonchev Та., Mitrikov M. e.a. Bolg. fiz. jor., 1974, A, 4, 1*2, p.I5O-I57.

11. Itoh J., Saneyoshi K.t Toriyam (E. A control and data aequs-tition system for an electron-Mossbauer spectrometer by useof a microcomputer.- Genshikaku konkyu, 1979» v.24, 1\TI, p.

12. Criogenic proportional counter for conversion electron Mossba-uer spectroscopy /Sawicki J.A., Stanek J., ICov/alski J., Sawicka B.D. Nucieonika, 1979, v.24, N12, p.II6I-II67.

13. Oswald R., Ohring H. Conversion electron Mossbauer spectroscopy of thin films.- J. Vac. Sci. Technol., 1976, v.I5, N1, p.40-44.55» Carbucicchio M. Scattering technique for electron Masbauerspectroscopy.- Uucl. Instr. Meth., 1977, v.144, N2, p.225-229.

14. Tricker M.J,, Thomas J.M., Winterbottom A.P. Conversion-electron Mossbauer spectroscopy for the study of solid surfaces. Surface Sci., 1974, v.45, H2, p.601-608.

15. Electroctatic cilindrical mirror spECtrometer for conversion electron Mossbauer spectroscopy /Parellada J., Polcart M.R., Burin K., Royhberg G.M. Nucl. Instr. Meth., I9SI, v.I7a, HI, p.IIJ-118.

16. Electrostatic spectrometer for measurment of internal conversion electrons in the 0,1-20 KeV region /Csermy Istvan, Morifc Gynla, Brabec Vlastislaw e.a. Nucl. Instr. Meth., 1982, v.192, N2-5, p.277-286.

17. Spherical electrostatic electron spectrometer /Xang T-S., Коlk В., Kachanowski T. e.a. Nucl. Instr. Meth., 1982, v.197, N2,3, p.545-556.

18. Takafuchi M., Isozumi I., Katano R. A proportional counter for Mossbauer spectroscopy by scattered electrons.- Bull. Inst. Chem. Res., Kyoto Univ., 1975, v.51, NI, p.I5-I8.

19. Сано X. Анализ состояния поверхностных слоев посредством мёссбауэровской спектроскопии.--Дэнки качаку оёби когё буцурн качаку, дэнки качаку, 1978, Мб, №5, с.240-246.

20. Sano Н., Endo К. Stadies on tin corrosion products by using conversion electron Mossbauer spectroscopy.- Rev. Silicon, Germanium, Tin, Lead. Compd., I9SO, v.4,. ЖЗ, 245-270.

21. Светлов M.H., Гроковский В.И., Копылев В.А. Улучшение изби!-рательности детекторов конверсионных электронов для мёссбау-эровской спектроскопии. В кн.: Физические методы исследования твердого тела., Свердловск, 1982, №4, с.92-95.

22. Isozumi Y., Lee D-J., Kadar J. A new Detector assembly forconversion electron and X-rays Mossbauer effect.- Mud. Instr. Meth., 1974, v.120, HI, p.23-28.

23. Sawicki J., Sawicka В., Growski 0. Conversion electron Mossbauer and lysis of glass surfaces.- Phys. status solidi (a), 1977, v.41, N1, p.I73-I76.

24. T-emperaturedependent conversion electron Mossbauer measure-57ment of implanted in silicon and germanium /Sawicka В.,

25. Cryogenic proportional counter for conversion electron

26. Петрикин ГО.В. Разработка и применение метода ядерной, гамма-резонансной спектроскопии на коверсионных электронах. Автореферат диссертации.на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук., М., МИФИ, 1975 , 24 с.

27. Петрикин D.B., Бабикова Ю.Ф., Алексеев В.Н., Бычков В.А., Харъкин А.И. Газоразрядный детектор электронов. Бюллетень, 1982, №11, Авт. свид. №915125.

28. Ave monolavers detectable by conversion electron Mossbauer spectroscopy (GEMS) / Petrera M,, Gonser U., Hasmann U. e.a. J. Phys. (Prance), 1977, v.37, N12, collog. N6,p.295-296.

29. Depth-selective conversion olectron Mossbauers spectroscopy of thin Fe films / Stanec S., Shigematsn 1., Kenne W., Pfannes H.D. J. Magn. and Magn. Mater., 1983» v.35, N1-3,p. 347-349.

30. Mink ova A., Schunck J.P. Study of superfine -FeOOH layers by means of Mossbauer effect. Dokl. Bolg. AN,1975» V.28, N9, p.II7I-H73

31. Pujita F.E. Mossbauer effect study of the structure and structural units in amorphous alloys. Atomic Energy Review, 1981, N4, Suppl., p.173-202.

32. Gonser U. Mossbauer spectroscopy on amorphous metals. -Atomic Energy Review, 1981, HI, Suppl., p.203-228.

33. Ok H.N., Morrish A.H. Origin of the perpendicular aniso-tropy in amorphous ribt,ons. Phys. Rev.(B), 1981, v.23, N5» p.2257-2261.

34. Schurer P.J., Morrish A.H., Stavn M.J. Anduced perpendicular anisotropy and surface crystallization in amorphous £,e78BI2SiI0 Ribbons. Phys. Status Solidi, 1981, v.A64, N1, p.343-349.

35. Crystallizati on of Fe(B, Si) amorphous alloys observed by Mossbauer spectrockopy and calorimetry / Gonser U,, Ghafa-ri M., Ackerman M. e.a.- Proc. 4th Ant. Conf. on Rapidly Querched Metals (Sendai, 1981), p.639-642.

36. Wagner H. -G., AckermamM.A., Gonser U. Crystallization of amorphous metal-metalloid, alloys. J. Non-Crystalline solids, 1984, v.6I,62, N4, p.647-852.

37. Gonser U., Ackermann M., Wagner H.-G. Magnetoelastic effects in amorphous metals due to surface crystallization and oxi -dation. J. Magn. Mater., 1985, v.51-54, pt.p, P.I6O5-I6O7.

38. Изучение структуры и ранних стадий кристаллизации.BC-I5 аморфного сплава Ре^В-^ /Балдохин Ю.В., Гольданский В.И., МакаровВДМ Щукин Н.Ф.- Поверхность , 1982, №8, с.48-54.

39. Применение конверсионной мессбауэровской спектроскопии на ядрах Fe^ для.исследования.поверхности / Балдохин Ю.В., Гольдан . ский В.И.Макаров В.А.,Щукин Н.Ф.-Поверхность,1982,№8,0^48-54.

40. Massenet 0., Daver H. Conversion electron Mossbauer spectro -scopy on thin amorphous PeGe films. Solid State Commun., 1977, v.2I, NI, p.57-40.

41. Massenet О., Daver Н. Low temperature conversion electron Mossbauer spectroscopy on Ee^Be-j- amorphous thin films. -Solid State Commun., 1978, v.25» Nil, p.917-920.

42. Белозерский Г.Н., Семенов В.Г., Чекашова.С.A., Изучение сверхтонких взаимодействий в аморфных сплавах, содержащих хром, с помощью мессбаузровской спектроскопии.~ФММ,1983,55,№5,с.923-930.

43. Ok H.N., Morrish А.Н. Surface crystallization and magnetic anisotropy in amorphous Fe^QNi^gMo^B-j-^ Ribfous. J. Appl. Phys.,1981, v.52, Pt.II, N3,.P.1835-1857.

44. Исследование магнитной структуры аморфных пленок Grd-Ре /Боровик-Романова С.Г., Балдохин.D.B.,.Повицкий В.А. и др.-В кн.:11се-минар по аморфному магнетизму.Тез. докл.Красноярск,1980,с.49-50.

45. Применение электрнной ЯГР-спектроскопии для исследования.лазерной аморфизации. сплавов Ре-В /Грузин ПЛ.-, Касимовский А.А., Пет-рикин ю.В. и. др.- В кн.: XXXII совещание.по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра: Тез. докл., Киев, 1982,с.509.

46. В4. Laser annealing studies on ion implanted iron silicon /Dam-gaard S., Oron M., Petersen I.W. e.a. Phys. status solidi (a), 1981, v.59, HI, p.65-67.

47. Laser implantation of impurity atoms into Silicon and Gallium Arsenide single crystals /Damgaard S., Nevolin V.I., Petersenй e.a. J. Appl. Phys., I9SI, v.§2, jjIIf p. 6907-6916

48. Magnetic characterization of Ca substituted Ba and Sr hexa-ferrites /Asti:G., Carbucicchio M., Derin A. e.a. J. Magn. and Magn. Mater., 1980, v.20, N1, p.44-46.

49. Cohevent and incohevent Mossbauer scattering observed using a newly designed ^ -ray diffractometer /Nakai Yutaka, Hirano Minoru, Ooi Yoshiharu, Kunitomi IfoDuniko. J. Phys. Sol. Jap., 1982, v.51, E3, P.929-936.

50. Picone P.J. and Morrish A.H. Magnetic structure of ion—unj— lauted bubble garnets. Sol. State. Commun., I98O, v.34, N9, P.743-747.

51. Picone P.J., Morrish A.H. OEMS characterization of ion-implanted babble garneta. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, IT J, p. 2471 -2476.

52. Smit P.H., Algra H.A., Robertson J.H. A conversion electron Mossbauer spectroscopy study in ion-implanted bubble garnets. -J. Appl. Phys., 1982, v.55. N3, p.2264-2266.

53. Hausen P., Heitmann Ы., Smit P.H. Nuclear tracks in ion garnet films. J. Phys. Rev. Condens. Matter., 1982, V.B26, N7, p.3539-5546.

54. Ion implantation effects in bubble garnet materials /Perez A., Mar est G., Gerard P., e.a. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., 1983, v.209-210, pt.2, P.II79-II85.

55. Конверсионные мессбаузровские исследования.эпитаксиальных пленок смешанных феррит-гранатов. /Башкиров М.Ш., Ивойлов В., Романов E.G.Дирменский А.П.- ФТТ, 1982, 24, №9, с.2641-2647.

56. Determination of surface-spin orientation of rare-earth iron garnet films by the Mossbauer spectroscopy./ Saneyoshi K., Toriyama Т., Itoh J., e.a. J. Magn. Magn. Mater., 1983, V.3I, pt.2, p.705-706.

57. Gosslet V.B., Thomas R.N. Multiple scattering of 5-3O kV electrons in evaporated metall films. I. Total Transmission and angular distribution. Brit. J. Appl.Phys., 1964, v.I5, N8,p.883-907.

58. Sawicka В., Sawicki J. Evidence of the electric quadrupole conpling of 57 implanted in Silicon. Hap. fust fir jadr. Kracow, 1977, W972/pl, Ю p.

59. Sawicka B.D., Sawicki J.A. Evidence of the electric quadru-pole conling of 57 implanted in Silicon. Phys. Lett., 1977, V.64A, N3, p.3H-3I2.

60. Mossbauer study of heat treated 57 implanted Silicon /Sawicki J., Sawicka В., Stanek J., Kowalski J. Phys. status solid! , 1976, V.77B, N1, KI-K4.

61. Sawicka В., Sawicki J., Stanec J. Study of Si, Ge and some metals implanted with by means of conversion electron Mossbauer spectroscopy. Nucleonika, 1976, v.2I, N7-8, p.94-9-955

62. Sawicka В., Sawicki J., Stanek J. Study of Si, Ge and some metals implanted with Fe by means of conversion electron Mossbauer spectroscopy. Nucleonika, 1976, v.I, N7,8 ,p.949-959.

63. Hyperfine interactions of iron implanted into Aluminium /Sawicka B.D., Drwiege H., Sawicki J., Stanek J. Hyperfine interact., 1978, v.5, N2, p.147-160.

64. Sawicka В., Sawicki J., Stanek J. Conversion electron Mossbauer spectroscopy of 57implanted in d-metals. Phys. Lett., 1976, V.A59, N1, p.59-61.

65. Atkinsont Rita, Longnorth Geoffrey. Mossbauer effect study of iron-implanted Gold alloys. J. Phys. F: Metals Phys., 1980, v.IO, N7, p.1603-1613.

66. CI2. Mossbauer spectroscopy study of 57 implanted in simpl ionic cristals /Stanec J., Kowalski J., Sawicka B.D., Sawicki J.A.-Nucl. Instr. Meth., I98I, v.182-183. Part 2, p.801-807.

67. Study of Iron-ion implantation in rutile single crystals /Gnermazi M., Marest G., Perez A. e.a. Mater. Hes. Bull., 1983, v.IB, H5, p.529-538.

68. Conversion electron Mossbauer study of LiP implanted withions /Kowalski J., Merest G., Perez A. e.a. 1983 , v.209/210, N1, p.145-152.

69. Sawicka В., Sawicki J. Hyperfine interaction of ^Fe in iron beam modified metals. Kadiant Eff., 1980, v.48, N1-4-, p.25-30.

70. Sawicka В., Sawicki J. Electric hyperfine interaction of Iron in Dimerie state in metals . International Confe -rence on the Applications of the Mossbauer Effect, Kyoto, 28 - Sept. 1978,"J. phys.", (Er) 1979, v.40, H3, collog N2, p.£76-578.

71. Sawicka B.D. Hyperfine interactions of Mossbauer spectrisco-py in Iron. Hap. fiz., jadr. Krakow., 1979, NI240/PL ,62 p.

72. Spinel ferrite formation in Iron implanted MgO crystals /Perez A., Treilleux M., Pritseh L. e.a. iTucl. Instr. Meth., 1981, v.182/183, pt.M, p.747-751.

73. Eymery J.P., Pnidiki A., Eiviere J.P. OEMS as applied to implantation studies in Ee-Al 40 at rtucl. Instr. Meth., 1983, v.209/210 , pt.2., p.919-924.

74. Mossbauer surface study of Ni trig en implanted high. Carbon martensite /Principi G., Matteazzi P., Ramons E., Long -worth G. J. Mater. Sci., 1980, v.I5, N12, p.2665-2668.

75. Thermal effect of Nitrogen implantation on high Carbon steels /Ramous E.* Principi G., Giordano L.f e.a. ThinScibd Pilms, 1985, v.102, N2, р.97-Ю6.

76. Carbucicchio M., Bardani L., Tosto 8. Surface Mossbauer analysis of 58NCD4 steel ion implanted with Nitrogen. J. Appl.

77. Phys., 1981, v. 52, N7, p.4589-4592.

78. Томашевский H.A., Разумов O.H., Галушко Ю.В. Пропорциональный счетчик для ркгистрации рассеянного гамма-излучения в мессбауэровской спектроскопии.-ПТЭ, 1977, №2, с.54-56.

79. Пропорциональный детектор электронов.для ядерной гамма-резонансной спектроскопии. /Немошкаленко В.В., Галушко Ю.В. , Разумов О.Н., Томашевский Н.А. ПТЭ, 1983, №5,с.39 -41.

80. Sano Н., Endo К. Studies on tin Corrosion products by using conversion electron Mossbauer spectroscopy. Rev. Silicon, Germanium, Tin, Lead Compd., 1980, v.4, N5, p.245-270.

81. Разумов O.H., Исследование распределения углерода в метастабильных состояниях стали методом ядерного гамма-резонанса. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Киев, 1977, 175 е.

82. Математическое обеспечение ЕС ЭВМ. 1965, вып.12.

83. Криштал М.А., Жуков А.А., Кокора А.А. Структура и свойства сплавов, обработанных излучением лазера. М.: Металлургия, 1973, 192 с.1.o.- Действие мощных световых потоков на металлы. /Лнисимов С.И.,

84. Бонч-Бруевич A.M., Ельяшевич М.А. и др. ГО, 1966, 36, №7, с. 1273-128 4.

85. Соколов А.В. Оптические свойства металлов. М«: Физматгиз, *II967, 464 с.

86. Карелоу Г., Згер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964, с.487.133#Рэди Дж.,Действие мощного лазерного излучения. М.: Мир, 1974, с.468.

87. Бокштейн Б.С., Войтковский Ю.Б. Исследование электронной структуры атомов железа в о^ и J2>-твердом .расплаве на основе титана методом Мессбауэра.- ФММ, 1970, 29, вып.4, с.893-896.

88. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике. Энергия, 1978,-279 с.

89. Stupel М.М., Ron М., Wiess B.Z. Phase identification in tita-numrich Ti-Ee system by Mossbauer spectroscopy. J. Appl. Phys., 1976, v.47, MI, p.6-12. .

90. Эллиот P.П. Структура двойных сплавов. TI. М.: Металлургия, 1970. -455 с.

91. Чал мерс В. Теория затвердевания. ~М.: Металлургия , 1968, с.287.

92. Vincze L., Van der Woude P., Scott M.G. Local structure of amorphous Zr^Fe. Solid State Comm., 1981, v.37, N2 ,p.567-570.

93. Buschou K.H,J., Vincze I., Vander Wonde F. Cristallization of amorphous Zr-rich alloys. J. of Non-Crystalline Solids, 1983, v.54, N1, p.101-106.

94. Бабшиэва Ю.Ф., Филипов Ф.П., Штань И.И. Новое интерметаллическое соединение цирконий железо. - Атомная энергия ,1972, 32, вып.б, с.484-485.

95. Base how K.H.J, thermal stability and magnetic properties of of amorphous Zrj^Pe^ alloys. J. Less-Common. Met., 1981, v.79, KI, p.243-253

96. О'Делл Т. Магнитные домены высокой подвижности. М.: Мир, 1978, 243 с.

97. Эшенфельдер А. Физика и техника цилиндрических магнитных доменов. ~М.: Мир, 1983, с.496.

98. Герцрикен С.Д., Дехтяр И.Я. Диффузия в металлах и сплавах в твердой фазе.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.