Исследование процессов низкотемпературного плазмостимулированного роста пленок диоксида циркония, стабилизированного иттрием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Наумов, Виктор Васильевич

• Наумов, Виктор Васильевич
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Наумов, Виктор Васильевич

ВВЕДЕНИЕ.

1. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ФИАНИТА (обзор).

1.1 Свойства фианита и его использование в микроэлектронике и других областях техники.

1.2 Методы получения пленок фианита.1.

1.3 Способы стимуляции упорядоченного роста пленок и эпитаксии.

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1 Ионно-плазменная напылительная установка.

2.2 Магнетронная напылительная установка.

2.3 Оборудование и методика изготовления мишеней.

2.4 Оборудование и методика исследования структуры.

2.5 Оборудование и методика исследования химического состава пленок.

2.6 Методики измерения толщины пленок.

2.7 Стенд и методика измерения токов утечки и пробойного напряжения.

2.8 Методика измерения параметров плазмы.

3. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ.

3.1 Технология получения пленок фианита.

3.2 Влияние содержания У203 в мишени на структуру и свойства пленок фианита.

3.3 Влияние технологических параметров на структуру поликристаллических пленок фианита.

3.4 Метод получения высокотекстурированных пленок фианита.

3.5 Исследование влияния параллельного подложке ВЧ поля на рост пленок фианита.

3.6 Исследование электрофизических свойств пленок фианита.

4. МОДЕЛЬ РОСТА ПЛЕНОК ФИАНИТА В УСЛОВИЯХ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ СТИМУЛЯЦИИ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процессов низкотемпературного плазмостимулированного роста пленок диоксида циркония, стабилизированного иттрием»

В последние годы наметился значительный интерес к проблеме низкотемпературной эпитаксии. Современное состояние в данной области исследований характеризуется большим количеством работ, в которых используется дополнительная стимуляция как самой поверхности подложки с растущей пленкой, так и падающего потока наносимого вещества. При этом используются различные виды воздействий. К ним относятся электромагнитные (радиоволны, свет, рентгеновское излучение) и корпускулярные (электроны, нейтроны, ионы и т.д.) воздействия, воздействие электрических и магнитных полей и т.д. При этом установлено наличие эффекта изменения структуры растущих пленок при этих воздействиях. Интерес к таким исследованиям обусловлен как перспективами применения данного эффекта в микроэлектронной технологии для снижения температуры эпитаксиального роста пленок, так и для выяснения фундаментальных механизмов роста пленок. Как известно, процессы упорядоченного роста при низких температурах в обычных условиях подавлены из-за малой подвижности адатомов и наличия диффузионных барьеров для межслойного транспорта возле моноатомных ступеней. Стимуляция ориентированного роста пленок путем ионной бомбардировки является весьма перспективной по ряду параметров (низкая стоимость технологии, высокая локализация воздействия в приповерхностном слое, широкие пределы варьирования энергии и направления воздействия). В ряде работ показана возможность стимуляции двухосевого упорядочения (формирование ограниченной текстуры) при напылении фианита - диоксида циркония, стабилизированного иттрием (yttria stabilized zirconia, YSZ), на кремний, стекло и поликристаллические подложки с использованием бомбардировки пучком низкоэнергетичных ионов аргона. Этот же эффект продемонстрирован на примере пленок ниобия. Подобные условия (ионная бомбардировка растущей поверхности) реализуются и при ионно-плазменном распылении в вакууме. При этом условия плазменной стимуляции роста пленок реализуются в случае подачи на подложку потенциала смещения. В условиях ионно-плазменного напыления со смещением на подложке другим важным фактором, влияющим на рост пленок, является внешнее параллельное поверхности подложки электро-магнитное поле, приводящее к изменению угла бомбардировки. В качестве основного материала для исследований выбран фианит (УЭг). Тонкие пленки фианита являются перспективным материалом для применения в микроэлектронной технологии. Благодаря своим уникальным характеристикам, эти пленки могут использоваться в качестве диэлектрических и буферных слоев в многослойных пленочных структурах, а также для формирования защитных и оптических покрытий. Как твердый электролит с ионной проводимостью при высоких температурах он используется в элементах питания. Важным свойством фианита является очень незначительное различие масс иттрия и циркония, не приводящее к изменению химического состава как при переносе материала из мишени в пленку, так и в процессе ионной бомбардировки (травления) пленки. В данной работе исследования были направлены на получение пленок фианита плазмо-стимулированным методом при низких температурах подложки для КНИ (кремний на изоляторе) структур.

Целью настоящей работы является:

Исследование процессов роста пленок фианита в условиях ионно-плазменной стимуляции, направленное на выявление механизмов стимулированного роста, изучение ориентирующего воздействия ионной бомбардировки, поиск путей снижения температуры ориентированного и эпитаксиального роста. Были поставлены следующие задачи.

1. Исследование влияния ВЧ смещения на подложке на рост пленок.

2. Исследование влияния динамики уменьшения ВЧ смещения на

§ структуру пленок на ранних стадиях роста.

3. Исследование влияния параллельного поверхности подложки ВЧ поля на структуру пленок.

4. Исследование совместного воздействия ВЧ смещения на подложке и параллельного поверхности подложки ВЧ поля на структуру пленок.

5. Разработка феноменологической модели роста пленок в условиях плазменной стимуляции.

Научная новизна.

Исследовано влияние ионно-плазменной стимуляции в процессе роста на структуру пленок фианита в рамках магнетронного метода. Было обнаружено, что при ионной стимуляции существенное изменение структуры пленок происходит при изменениях параметров стимуляции на ранних стадиях роста. Впервые предложен метод формирования аксиальной текстуры пленок фианита с изменяющимся во времени (на ранних стадиях роста) ВЧ смещением на подложке охлаждаемой водой. Таким методом получены пленки фианита на кремнии с осью текстуры [100] перпендикулярной поверхности подложки. Установлено, что текстура пленок не зависит от кристаллической ориентации подложки. Для лучших образцов разориентировка зерен от оси текстуры (полуширина кривой качания) составляет 6°. Последующий отжиг таких пленок не приводит к значительному изменению соответствующих рентгеновских отражений, что свидетельствует о высоком упорядочении в пленках. Напыление на нагретую до 500°С подложку, так же приводит лишь к незначительному улучшению структурного совершенства пленок.

Исследовано влияние на структуру пленок фианита параллельного подложке ВЧ поля. В условиях ионно-плазменной стимуляции без ВЧ смещения на подложке, но с приложением параллельного поверхности подложки ВЧ поля получены аксиально текстурированные пленки фианита с осью текстуры [111] перпендикулярной поверхности подложки. В этом случае напыление на нагретую до температуры 500°С подложку приводит к значительному улучшению структурного совершенства пленок (интенсивность соответствующих дифракционных пиков возрастает примерно вдвое).

Исследовано совместное влияние ВЧ смещения на подложке и параллельного подложке ВЧ поля на структуру пленок фианита. При определенных параметрах этих полей получены пленки с двухосевой (ограниченной) текстурой на охлаждаемых водой подложках кремния. Ось [111] расположена перпендикулярно поверхности подложки, а ось [110] фиксирована в плоскости подложки.

Практическая значимость.

Продемонстрирована возможность управления процессами роста пленок фианита при низких температурах подложки в условиях ионно-плазменной стимуляции. Полученные результаты дают основания полагать, что при определенном сочетании параметров параллельного и перпендикулярного ВЧ полей и их динамики будет происходить эпитаксиальный рост пленок при температурах подложки значительно меньших, чем требуется для стандартных методов получения эпитаксиальных пленок. Кроме того, использование ростовых механизмов (изменение ориентации растущей пленки при одновременном ионном травлении) позволит получать высоко ориентированные пленки на неупорядоченных подложках.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 150 страниц машинописного текста, включая 53 рисунка, 14 таблиц и список литературы из 106 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Наумов, Виктор Васильевич

Основные результаты работы сводятся к следующему:

1. Проведены исследования процессов роста пленок фианита в условиях ионной стимуляции. Впервые показано, что значительное влияние на свойства текстуры оказывает динамика уменьшения ВЧ смещения на подложке на начальных стадиях напыления. Условно эти стадии можно разделить на три: 1. травление подложки; 2. стадия, на которой происходит сращивание пленки с подложкой; 3. стадия на которой происходит ориентированный рост пленки.

2. В процессе исследований разработан плазмо- стимулированный метод получения аксиально текстурированных пленок фианита в условиях перпендикулярной к поверхности подложки ионной бомбардировки. Данным методом получены пленки фианита с ориентацией оси текстуры [100] на подложках кремния с ориентациями поверхности (100) и (111), сапфира с ориентацией (1-102). Показано, что в условиях данного метода структурное состояние пленки (параметры и ориентация кристаллической решетки, степень текстурированности, размер когерентно рассеивающих блоков) не зависит от подложки, а определяется только технологическими параметрами. Установлена высокая воспроизводимость структурных и электрофизических свойств полученных пленок.

3. Исследовано влияние различных временных и энергетических стадий ионной бомбардировки на формирование аксиальной текстуры пленок.

4. Впервые исследовано влияние параллельного поверхности подложки ВЧ поля частой 780 кГц на структуру растущей пленки. Показано, что в определенных технологических условиях с продольным полем без приложения ВЧ смещения растут аксиально текстурированные пленки фианита с осью текстуры [111] ориентированной перпендикулярно поверхности подложки. Такие пленки получены на кремнии с ориентацией поверхности (100) и (111). Установлено, что на подложке с ориентацией поверхности (111) степень текстурированности пленок значительно выше, чем на подложке с ориентацией (100).

5. Впервые показано, что совместное использование перпендикулярного и продольного поля позволяет получать пленки фианита с двухосевой текстурой.

6. Установлено, что значительный вклад в формирование двухосевого выравнивания вносит ионизированная часть распыляемого материала. Это дает основания полагать, что и в случае перпендикулярной бомбардировки этот вклад значителен.

7. Предложена модель конкурентного роста различно ориентированных зерен в условиях ионной бомбардировки, которая хорошо описывает наблюдаемые экспериментальные зависимости. В рамках данной модели, ведущие роли в процессах формирования аксиальной текстуры фианита отводятся эффектам селективного травления и затенения.

Исходя из полученных результатов сделаны следующие выводы.

1. В условиях ионно-плазменной стимуляции растущих пленок фианита, значительное изменение их структуры происходит при изменении динамики уменьшения ВЧ смещения на подложке на ранних стадиях роста.

2. Используя медленное уменьшение ВЧ смещения на подложке, получены аксиально текстур ированные (с осью текстуры [100] перпендикулярной поверхности подложки) пленки фианита на кремниевой подложке не зависимо от ориентации ее поверхности и температуры в пределах 20-500°С.

3. Использование одного продольного ВЧ поля (со = 0.78 МГц, Е = 3 кВ/см) в процессе роста пленок фианита на кремнии приводит к формированию аксиальной текстуры с осью [111] перпендикулярной к поверхности подложки. В этом случае ориентация подложки сильно влияет на степень текстурированности пленок.

4. При совместном использовании перпендикулярного и параллельного поверхности подложки ВЧ полей получены пленки фианита на кремнии с двухосевой (ограниченной) текстурой.

5. Все вышеприведенные ориентационные эффекты объясняются в рамках модели, основанной на различии в скоростях роста зерен с различной ориентацией, и анизотропии ионного травления кристаллитов в зависимости от угла бомбардировки.

По материалам диссертации получено 2 патента на изобретение [64, 81], опубликованы 22 печатных работы, в том числе 3 работы в центральной печати [82-84], 3 работы в сборнике "Труды ФТИ РАН" [8587] и 14 работ в трудах конференций [88-103].

В диссертации представлены защищаемые научные положения, сделаны выводы, непосредственно разработаны и поставлены методики структурного анализа, измерения параметров плазмы, разработана вся использованная в технологическом оборудовании дополнительная оснастка.

В работах, опубликованных в соавторстве, личный вклад автора состоит в предложении использования динамики ВЧ смещения на ранних стадиях роста пленок; в предложении использовать параллельное поверхности подложки ВЧ поле для формирования двухосевой текстуры, в расчете частоты этого поля; в анализе полученных результатов; в предложении феноменологической модели роста пленок в условиях плазменной стимуляции.

Автор выражает искреннюю благодарность и признательность научному руководителю к.ф-м.н., с.н.с. Бочкареву В.Ф. за полезные обсуждения результатов, постоянный интерес, помощь и поддержку при выполнении работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Наумов, Виктор Васильевич, 1999 год

1. J.D., Trublood K.N. The crystal structure of baddelayite (a-ZrC>2) // Acta crystallogr. 1959, v 18, N 7, p. 507-511.

2. Ruff O., Ebert F. Die Formen des Zirkondioxyds // Ztschr. anorg. und allgem. Chem. 1929, Bd. 181, N 1, s. 119.

3. Teufer G. The crystal structure of tetragonal ZrC>2 // Ibid. 1962, v. 15, N 11, p. 1187.

4. Боганов А.Г., Руденко B.C., Макаров А.П. Рентгенографическое исследование двуокиси циркония и гафния при температурах до 2750°С // Докл. АН СССР, 1965, т. 160, № 5, с. 1065-1068.

5. Wagner С. Anion-defect model of solid solution ZrCb-CaO, Zr02-Y203 //

6. Naturwis-senschaften. 1943., Bd. 31, s. 265.

7. Hund F. X-ray conductiviti and densiti of fluorite phase of system Zr02-Y203 // J.Electrochem. Soc.1951. Vol. 55. p. 363-367.

8. Bratton R.L. Defect structure of Y2O3-ZO2 solid solutions // J. Amer. Ceram. Soc. 1969. Vol. 52, №4. p. 213.

9. Филатов C.K., Франк-Каменецкий B.A. Структурные особенности кубической фазы Zr02, стабилизированной СаО // Кристаллография. 1969. Т.14,№3. с. 565.

10. Стрекаловский В.Н., Полежаев Ю.М., Пальгуев С.Ф. Оксиды с примесной разупорядоченностью / Москва, "Наука", 1987, 157с.

11. Стрекаловский В.Н., Пальгуев С.Ф. Рентгенографическое исследование твердых растворов окислов со структурой флюорита. Рентгенография минерального сырья / М.: Недра, 1970. Вып. 7, с. 30-35.

12. Горелов В.П., Пальгуев С.Ф. Проверка модели кислородных вакансий для твердых растворов в системе Zr02-Y203 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1977. Т 13, № 1. с. 181-186.

13. Длександров В.И., Вальяно Г.В., Лукин Б.В. и др. Стуктура монокристаллов стабилизированной двуокиси циркония // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1976. Т 12, № 2. с. 273-277.

14. Xiaoyun Li and Bjorn Hafskjold. Molecular dynamics simulation of yttrium-stabilized zirconia // J. Phys: Condens. Matter, 7, 1995, p. 12551271.

15. D.K. Fork, D.B. Fenner, G.A.N. Cornell, Julia M. Phillips, Т.Н. Geballe. Epitaxial ytria-stabilized zirconia on hydrogen-terminated Si by pulsed laser deposition //Appl.Phys.Lett, 1990, 57(11), p. 1137-1139.

16. A.Bardal, Th.Matthee, J.Wecker, K.Samwer. Initial stages of epitaxial growth of Y-stabilized Zr02 thin films on a-SiOx/Si(001) substrates // J.Appl.Phys. 1994, 75(6), p. 2902-2910.

17. X.D. Wu, R.E. Muenchausen and N.S. Nogar, A.Pique and R.Edwards, B. Wilkens, T.S. Ravi, D.M. Hwang and C.Y. Chen. Epitaxial ytria-stabilized zirconia on (1-102) sapphire for YBaCuO thin films // Appl. Phys. Lett, 1991, 58(3), p. 21.

18. B.M. Золотарев, B.H. Морозов, E.B. Смирнова. Оптические постоянные природных и оптических сред. Справочник. / Ленинград, Химия, 1984, 216 с.

19. А.А. Бабин, Ю.Н.Коноплев, Ю.А.Мамаев, В.Н.Старостин, А.А.Туркин. Просветляющие покрытия на интроокулярные линзы из сапфира и фианита // Оптика и спектроскопия, 1995, т.79, №4, с. 678-679.

20. А.Ю.Гасилов, О.В.Лукин, А.Н.Магунов. Диагностика пространственной неоднородности тонких прозрачных пленок на кремнии по интерферограммам в отраженном свете // Микроэлектроника, 1995, т. 24, №4, с. 295-302.

21. A.K. Stamper, D.W. Greve and Т.Е. Schlesinger. Deposition of textured yttria-stabilized Zr02 films on oxidized silicon // J. Appl. Phys., 1991, 70(4), p. 2046-2051.

22. Jiguang Cai and E.Anastassakis. Elasto-optical study of stabilized cubic zirconia//Phis. Rev. B. 1995, ser. Ill, v. 51, № 11, p. 6821-6826.

23. Ю.Г. Сухарев, И.Л.Акулюшин, В.С.Миронов, А.В.Андриянов, В.В.Жеревчук. Электрофизические свойства пленок систем Zr02-Y203, Hf02-Nd203, Hf02-Y203 // Неорг. Матер, 1994, т. 30, № 4, с.556-558.

24. Hirofumi Fukumoto, Takeshi Imura and Yukio Osaka. Heteroepitaxial Growth of Ytria-Stabilized Zirconia (YSZ) on Si // Jap.J.Appl.Phys, 1988, 27(8), L1404.

25. Yukio Osaka, Takeshi Imura, Yoshiki Nishibayashi and Fumitaka Nishiyama. Evaluation of crystalline quality of Zr02 films on silicon by means of ion-beam channeling // J.Appl.Phys, 1988, 63(2), p. 581.

26. J. Dieleman, E. van de Riet and J.C.S. Kools. Laser Ablation Deposition: Mechanism and Application // Jpn J.Appl.Phys, 1992, Vol.31, p. 1964-1971.

27. L.Beckers, F. Sanchez, J.Schubert, W.Zander, Ch.Buchal. Epitaxial growth of Y-doped SrZr03 films on MgO by pulsed laser deposition // J.Appl.Phys, 1996, 79(6), p. 3337-3339.

28. H. Myoren, Y. Nishiyama, H. Fukumoto et al. As-grown preparation of superconducting epitaxial Ba2YCu3Ox thin films sputtered on epitaxially grown Zr02/Si(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1989, 28(3), p. 351-355.

29. P. Legagneux, G.Garry, D.Dieumegard, C. Schwebel, C. Pellet, G. Gautherin, J. Sieyka. Epitaxial growth of yttria-stabilized zirconia films on silicon by ultrahigh vacuum ion beam sputter deposition // Appl. Phys. Lett, 1988, 53(16), p.1506-1508.

30. M. Schieber, M. Schwartz, G Koren and E. Aharoni. MOCVD layers of stabilized zirconia on sapphire as a substrate for laser ablated YBaCuO thin films // Appl. Phys. Lett, 1991, 58(3), p. 301-303.

31. J.W.Lee, T.E. Schlesinger, K.A. Stamper, M. Migliuolo, D.W.Greve, and D.E. Laughlin. Characterization of yttria-stabilized zirconium oxide buffer layers for high-temperature supercondactor thin films // J. Appl. Phys., 1988, 64, p. 6502-6505.

32. H. Fukumoto, T. Imura, Y. Osaka and F. Nishiyama. Evaluation of crystalline quality of heteroepitaxial yttria-stabilized zirconia films on silicon by means of ion beam channeling // J.Appl.Phys., 1989, 66 (2), p. 616-618.

33. H.Schmidt, K.Hradil, W.Hosler, W.Wersing, G.Gieres and R.J.Seebock. Epitaxial YBa2Cu30x thin films on sapphire using a Y-stabilized Zr02 bufer layer // Appl. Phys. Lett, 1991, 59(2), p. 222-224.

34. M. Rao, C. D'Souza, P. Apte, R. Pinto and L. Gupta. Microstructural study of yttria stabilized zirconia buffered supphire for YBa2Cu307 thin films // J.Appl.Phys., 1996, 79(2), p. 940-946.

35. H. Tomaszewski, J. Haemers, J. Denul, N. de Roo, R. de Gryse. Yttria-stabilized zirconia thin films grown by reactive r.f. magnetron sputtering // Thin Solid Films, 1996, 287, p. 104-109.

36. S. Horita, M. Murakawa, T. Fujiyama. Heteroepitaxial growth of yttria-stabilized zirconia film on silicon by reactive sputtering // Jpn. J. App. Phys., 1995, Vol. 34, p. 1942-1946.

37. E.V. Pechen, R. Schoenberger, B.Bruner, S.Ritzinger, and K.F.Renk. Epitaxiel growth of YBa2Cu307.x films on oxidizen silicon with yttria- and zirconia-based buffer layer // J. Appl. Phys., 1993, 74(5), p. 3614-3616.

38. G. Ockenfub et al. Sputtered YBa2Cu307.x thin films on saphire and silicon substrates using yttria stabilized Zr02 buffer layers//Phys.C, 1991, vl80, nl/4,p. 34-37.

39. Palmberg P.W, Rhodin T.N., Todd T. // Appl. Phys. Letters, 1967, v. 10, p. 122-124.

40. Palmberg P.W, Todd C.J,Rhodin T.N. // J.Appl. Phys, 1968, v. 39, p. 4650-4662.

41. Stirland D. J. // Appl. Phys. Latters, 1969, v. 15, p. 86-88.

42. Stirland D. J. // Appl. Phys. Latters, 1966, v. 8, p. 326-327.

43. Sharma S.K. // Thin Solid Films, 1970,v. 6, p. 17-23.

44. Постников B.C., Иевлев B.M, Аммер B.A. и др. Ядерно-радиационная физика и технология / Тула: изд. ТПИ, 1976, с. 69-74.

45. Tokitaka Н, Prutton М, Higginbotham I.G., Gallon Т.Е. // Surf. Science, 1970,v. 21, p. 233-240.

46. Глейтер Г, Чалмерс Б. Болыпеугловые границы зерен / Пер. с англ. М, Мир, 1975,376 с.

47. Vergard F, Bonelle С. // Sol. Stat. Com. 1972, v. 10, p. 397-402.

48. S.P.Morgan, D.V.Morgan. An ion-assisted deposition system for use in the fabrication of submicron dimension device ohmic contacts // Thin Solid Films, 1996, v. 272, N1, p. 107-111.

49. A. Lousa and S. Gimeno. Ion assisted deposition of thin films by substrate tuned radio frequency magnetron sputtering // J. Vac. Sci. Technol, 1997, A15(l),p. 62-65.

50. Wataru Shindo, Tadahiro Ohmi. Ion energy, ion flux, and ion mass effects on low-temperature silicon epitaxy using low-energy ion bombardment process // J. Appl. Phis, 1996, 79 (5), p. 2347-2351.

51. Lock See Yu, James M.E. Harper, Jerome J. Cuomo, and David A. Smith. Control of thin film orientation by glancing angle ion bombardment during growth // J. Vac. Sci. Technol, 1986, A4(3), p. 443-447.

52. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. / Под ред. Р. Бериша. Вып. 1, Москва, "Мир", 1984, 336 с.

53. T.V.Snouse and L.C.Haughney. // J. Appl. Phys. 37, 700, 1966.

54. T.J. Whetten, A.A. Armstead, T.A. Grzybowski, and A.L. Ruoff. // J.Vac. Sci. Technol., 1984, A2, p. 447.

55. Paul C. Mclntyre, Kevin G. Ressler, Nevil Sonnenberg, and Michael J.

56. Cima. Transmission electron microscopy investigation of biaxial alignment development in YSZ films fabricated using iob beam assisted deposition // J. Vac. Sci. Technol., 1996, A14(l), p. 210-215.

57. Kevin G. Lesler, Nevil Sonnenberg, fnd Michael J. Cima. The development of biaxial alignment in yttria stabilized zirconia films by ion biam deposition // J. Electron. Mater., 1996, v. 25, N 1, p. 35-42.

58. R. Mark Bradley, James M.E. Harper, and David A. Smith Theory of thin film orientation by ion bombardment during deposition // J.Appl.Phys., 1986, 60(12), p. 4160-4164.

59. S. Esch, M. Bott, T. Michely and G. Comsa. Nucleation of homoepitaxial films grown with ion assistance on Pt(l 11) // Appl.Phys. Lett., 1995, 67(21), p. 3209-3211.

60. M. Breeman, Th. Michely, G. Comsa. The influence of enhanced nucleation on thin film growth // Surface Science, 1997, 370, L193-L200.

61. R. Smith. A kinetic Monte Carlo simulation of fiber texture fomation during thin-film deposition//J.Appl.Phys, 1997, 81(3), p. 1196-1203.

62. F. Ying, R. Smith and D. Srolovitz. The mechanism of texture formation during film growth: The roles of preferential sputtering and shadowing // AppLPhys. Lett, 1996, 69(20), p. 3007-3009.

63. Kasturi L. Chopra. Thin Film Phenomena / McGraw-Hill, 1969. 844c.

64. Бочкарев В.Ф, Горячев A.A, Наумов B.B. "Установка для получения тонких цленок методом ионно-плазменного распыления". Патент № 2046840 от 27.10.95 г.

65. Ю.П.Райзер, М.Н.Шнейдер, Н.А.Яценко. Высокочастотный емкостной разряд / Москва, Наука-Физматлит, 1995, 310с.

66. Л.Н.Розанов. Вакуумная техника / Москва, Высшая школа, 1990, 320с.

67. R.Reade, P. Berdahl, and R. Russo. Lazer deposition of biaxially textured yttria-stabilized zirconia buffer layars on polycrystalline metallic alloys for high critical current Y-Ba-Cu-0 thin films // Appl. Phys. Lett, 1992, 61(18), p. 2231-2233.

68. Рентгенофлуоресцентный анализ / Под ред. Лосева Н.Ф. Новосибирск СО АН, 1991, 174 с.

69. В.Я. Борходоев. Програмное обеспечение рентгенофлуоресцентного анализа способом фундаментальных параметров для аналитического комплекса СРМ-25 //Журнал Аналит. Химии 1992, т.47, вып. 3, с. 438-447.

70. N. Spielberg Calibration techniques for X-ray fluorescence analysis of thin Nickel-Chromium films // Anal. Chem. 1966, v 38, n 2 , p.200.

71. Рентгеновский флуоресцентный анализ высокочистых веществ / Обзорная информация , серия "Реактивы и особочистые вещества" М: НИИТЭХИМ 1987.

72. М.А. Блохин, И.Г. Швейцер Рентгеноспектральный справочник / М. Наука 1982, 375с.

73. Б.И. Китов, В.В. Селезнев, Г.В. Павлинский. О расчете спектра рентгеновской трубки с массивным анодом // Зав.лаб. 1989, т55, п12, с.12-23.

74. Бахтияров А.В. Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ в геологии и геохимии / Ленинград "Недра" 1985, 142 с.

75. Верховодов П.А. Рентгеноспектральный анализ: вопросы теории и способы унификации / Киев, "Hayкова Думка", 1984,159с.

76. Bilbrey D.B. Comparison of fundamental parameters programs for quantitative X-ray fluorescence spectrometry // X-Ray Spectrom. 1988, vl7, n2, p.63-73.

77. Herbert Mayer. Phisics of thin layers / Stuttgart, 1950, 440 c.

78. P.S. Hauge. Polycristalline silicon film thikness measurement from analysis of visible reflectance spectra / Journal Opt, Soc. Am., 1979, V. 69, N 8, 1143.

79. Технология тонких пленок: Справочник / Под. ред. Майссела Л., Гленга Р.: Сов. радио, 1977. т. II, 768 с.

80. Методы исследования плазмы / Под ред. В. Лохте-Хольтгревена. Москва, Мир, 1971, 510 с.

81. В.Ф. Бочкарев, В.В. Наумов, А.А. Горячев. Способ получения эпитаксиальных пленок // Патент России № 2046837 от 27.10.1995.

82. О.С. Трушин, В.В. Наумов, В.Ф. Бочкарев Контроль стехиометрии тонких пленок методом рентгено-флуоресцентного спектрального анализа // Заводская лаборатория, 1995, №8, стр. 20-22.

83. В.В. Наумов , В.Ф. Бочкарев, О.С. Трушин Получение пленок фианита на кремниевой подложке // Неорганические материалы, 1998, т. 34, № 1, с. 57-61.

84. В.Ф. Бочкарев, В.В. Наумов, A.A. Горячев, О.С. Трушин Исследование физико-технологических основ получения ВТСП пленочных структур // Труды ФТИ РАН, 1994, т.7, с. 50-58.

85. В.Ф. Бочкарев, В.В. Наумов, О.С. Трушин, A.A. Горячев,

86. М.И. Маковийчук. Исследование процессов роста многослойных структур Si/YSZ/Si // Труды ФТИ РАН, 1995, т.9, с. 25-30.

87. В.Ф. Бочкарев, В.В. Наумов, О.С. Трушин, A.A. Горячев, Н.М. Тимина. Исследование процессов роста пленок в электрических и электромагнитных полях стимулирующих низкотемпературную эпитаксию // Труды ФТЙ РАН, 1997, т. 12, с. 86-98.

88. В.Ф. Бочкарев, A.A. Горячев, В.В. Наумов Исследование технологических параметров роста Y-Ba-Cu-0 пленок на водоохлаждаемые подложки // Тезисы докладов 6-го координационного совещания Вузов по физике магнитных материалов, 1992, Иркутск, с. 134-135.

89. В.В. Наумов, В.Ф. Бочкарев, A.A. Горячев, О.С. Трушин Исследование роста YSZ пленок на водоохлаждаемых подложках Si // Материалы V международной научно-технической конференции "Тонкие пленки в электронике", Москва-Йошкар-Ола, 1994, с.

90. В.В. Наумов, В.Ф. Бочкарев, A.A. Горячев, О.С. Трушин Исследование процессов роста YSZ пленок на водоохлаждаемых подложках Si // Материалы конференции "Физика и Техника плазмы", Минск , 1994, ч.2, с. 385-388.

91. В.Ф. Бочкарев, В.В. Наумов , A.A. Горячев , О.С. Трушин Исследование физико-технологических основ получения ВТСП пленочных структур // Тезисы докладов конференции "Новые магнитные материалы микроэлектроники", Москва, 1994, ч. 3, с. 47-48.

92. B.B. Наумов, В.Ф. Бочкарев, A.A. Горячев, О.С. Трушин. Исследование процессов роста текстурированных пленок YSZ на водоохлаждаемой подложке Si // Тезисы докладов конференции "Микроэлектроника-94", Звенигород, 1994, ч. 2, с. 463-464.

93. Бочкарев В.Ф, Наумов В.В, Горячев A.A., Маковийчук М.И. Исследование процессов роста многослойных структур Si/YSZ/Si // Тезисы докладов конференции "Микроэлектроника-94", Звенигород, 1994,ч. 2, с. 465-466.

94. О.С. Трушин, В.Ф. Бочкарев, Наумов В.В. Молекулярно-динамическое исследование процессов роста аморфных пленок Si // Тезисы докладов конференции "Микроэлектроника-94", Звенигород, 1994, ч. 2, с. 597598.

95. В.Ф. Бочкарев, В.В. Наумов, A.A. Горячев Исследование процессов роста многослойных структур Si/YSZ/Si // Материалы VI международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике", Москва-Киев-Херсон, 1995.

96. В.Ф. Бочкарев, В.В. Наумов, О.С. Трушин, A.A. Горячев Исследование процессов низкотемпературного плазмо-стимулированного роста пленок фианита на Si подложке // Материалы конференции "Актуальные проблемы технологии", Москва, МВТУ, 1997, с. 93-101.

97. Сергеев А.Н., Домбровская О.М., Наумов В.В. Инфракрасная спектроскопия многослойных структур Si(YSZ)Si // Сборник тезисов конференции " Современные проблемы естествознания. Физика." Ярославль. 1997, с. 35-36.

98. V.V.Naumov, V.F.Bochkarev, А.А. Goryachev, O.S. Trushin. Study of low temperature plasma-stimulated growth of YSZ thin films on Si substrate // Proceedings of Five European Conference on Thermal Plasma Processing, S. Petersburg, 1998, c. 309.

99. V.F.Bochkarev, O.S. Trushin, A.A. Goryachev, V.V.Naumov, E.G. Hasanov. Plasma stimulated growth of thin films // Proceedings of Five European Conference on Thermal Plasma Processing, S. Petersburg, 1998, c. 314.