Исследование процессов радиационного дефектообразования и радиационного легирования в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Румянцев, Дмитрий Сергеевич

• Румянцев, Дмитрий Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Румянцев, Дмитрий Сергеевич

ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ СОКРАЩЕНИЯ.

СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

§1.1 Основные физические свойства карбида кремния.

§ 1.2 Технология получения объемных кристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния.

§ 1.2.1. Получение эпитаксиальных слоев карбида кремния методом сублимации в открытой ростовой системе.

§ 1.2.2. Метод химического осаждения карбида кремния из газовой фазы.

§ 1.3 Основные легирующие примеси в карбиде кремния.

§ 1.4 Собственные и радиационные дефекты в карбиде кремния.

§ 1.4.1. Собственные и радиационные дефекты в в 6Н политипе карбиде кремния.

§ 1.4.2. Собственные и радиационные дефекты в в 4Н политипе карбиде кремния.

ГЛАВА 2 РАДИАЦИОННОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ ЕГО ПРОТОНАМИ И ЭЛЕКТРОНАМИ.

§2.1 .Методика эксперимента.

§ 2.1.1. Физические основы использованных экспериментальных методов.

§ 2.1.2. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней.

§ 2.1.3. Токовая спектроскопия глубоких уровней.

§ 2.2. Описание комбинированной экспериментальной установки.

§ 2.2.1. Измерения емкостных спектров DLTS.

§ 2.2.2. Измерения токовых спектров DLTS.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процессов радиационного дефектообразования и радиационного легирования в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии»

§ 3.4.2. Описание эксперимента.109

§ 3.4.3. Экспериментальные результаты.ш

§ 3.4.4. Анализ полученных результатов.ш

ВЫВОДЫ.123

ЛИТЕРАТУРА.125

ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ СОКРАЩЕНИЯ

ACM - атомно-силовая микроскопия

БЖЭ - бесконтейнерная жидкостная эпитаксия

ВАХ - вольт амперные характеристики

ГЦ - глубокий центр

ГУ - глубокий уровень

ИЛП - ионно-лучевое перемешивание

MMJI — модифицированный метод Лели

СЭ - сублимационная эпитаксия

РД - радиационные дефекты

СОЗ — слой объёмного заряда

ФЛ - фотолюминесценция

ЭПР - электронный парамагнитный резонанс DLTS - deep level transient spectroscopy (нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней)

CV — вольт-фарадные характеристики

CVD - chemical vapor deposition (метод химического осаждения из газовой фазы)

PAS — спектроскопии аннигиляции позитронов

СПИСОК ПРИНЯТЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

Eg - ширина запрещенной зоны

Т — температура

Ех — энергия связи экситона

Есг — напряженность критического поля пробоя

ЛР — подвижность дырок

Nd - концентрация доноров

Na - концентрация акцепторов

Q - заряд

С — ёмкость

U - приложенное напряжение еа - абсолютная диэлектрическая проницаемость полупроводника

Ud - контактная разность потенциалов q - элементарный заряд

N - концентрация нескомпенсированной примеси в базе h - расстояние между обкладками

S - площадь р-n перехода

М - концентрация ионизированных ГЦ

Мо — полная концентрация глубоких центров п — концентрация электронов в зоне проводимости р - концентрация дырок в валентной зоне

Cn - скорость захвата электронов из зоны проводимости на глубокий уровень cp — скорость захвата дырок из валентной зоны на уровень

RP - глубина пробега протонов en - скорость тепловой эмиссии электронов с уровня в зону проводимости ep — скорость тепловой эмиссии дырок с уровня в валентную зону

CTn , CTp — сечения захвата на уровень электронов и дырок, соответственно vtn, Vtp — тепловая скорость носителей в зоне проводимости и валентной зоне, соответственно

Nc,Nv — эффективная плотность состояний в зоне проводимости и валентной зоне

Ec — энергия дна зоны проводимости

Ev - энергия потолка валентной зоны

ET — энергетический уровень глубокого центра к — постоянная Больцмана

Ec — уровень дна зоны проводимости

Ev - потолок валентной зоны

Eti, Ea — уровни электронной и дырочной ловушек, соответственно квазиуровень Ферми для электронов и дырок соответственно t(T) — постоянная времени релаксации ёмкости

-ток см (t) - ток смещения iP(t) - ток проводимости

Ws — стационарное значение ширины СОЗ

X — длинна на волны

- частота вероятность миграции

Ly - диффузионная длина радиационного дефекта

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность исследований

Твердые тела с шириной запрещенной зоны (Eg) ~ (2.5-3.0) эВ занимают промежуточное положение между «типичными» полупроводниками (Eg <1.5 эВ) и «типичными» диэлектриками (Eg > 4.0 эВ). В последнее время резко возрос интерес к исследованию полупроводниковых состояний таких твердых тел, в связи с чем появился термин «широкозонные полупроводники». К широкозонным относят полупроводники с Eg >2,3 - 2,4 эВ (политипы SiC, алмаз, GaN, A1N, BN и др.). Стремительное развитие ростовых технологий и эпитаксиальных методов (в частности метода сублимационной эпитаксии) для одного из этих материалов — карбида кремния (SiC) позволило получить >W материалы п- и р- типов проводимости в широком диапазоне концентраций легирующих примесей и приступить к созданию приборов на основе SiC.

Уникальные электронные и тепловые свойства карбида кремния допускают для SiC приборов очень высокие значения рабочей температуры, полезной мощности и частоты. С такими параметрами карбид кремния находится вне конкуренции при создании, например, силовых (особенно высокотемпературных) приборов. Существенной проблемой при создании силовых высоковольтных приборов является поверхностный пробой высоковольтного перехода, что ограничивает диапазон рабочих напряжений и снижает надежность приборов. Традиционные методы борьбы с поверхностным пробоем, хорошо зарекомендовавшие себя при изготовлении кремниевых приборов, - профилирование, химическая обработка и защита боковой поверхности, для SiC-переходов, как правило, оказываются недостаточно эффективными и не позволяют решить проблему полностью. В последнее время широкое развитие в полупроводниковой электронике находят радиационные методы. Так, в работе [1] контролируемое введение радиационных дефектов (легирование радиационными дефектами) при т облучении протонами используется для создания высокоомных областей GaAs и пассивации периферии высоковольтных р-n структур на основе GaAs. Для карбида кремния таких работ до настоящего времени не проводилось.

Еще один существенный параметр полупроводников - пороговая энергия образования дефектов (предпосылка радиационной стойкости). Для SiC этот параметр в несколько раз больше, чем для кремния или арсенида галлия [133]. Поэтому при выборе материалов для таких приборов, как полупроводниковые детекторы ядерных излучений, значительное внимание уделяется карбиду кремния. Для комплексной оценки радиационной стойкости полупроводника (влияния неконтролируемого введения радиационных дефектов в активную область прибора) необходимо знать о полном спектре радиационных дефектов (РД), вводимых различными видами излучения, а также знаниями о свойствах этих РД и их влиянии на физические свойства материала (термическая стабильность, зарядовое состояние, и т.д.). До выполнения настоящей работы этих знаний было недостаточно.

Для реализации преимуществ приборов на основе SiC необходимо решить ряд проблем, среди которых одной из главных является проблема создания стабильных омических контактов к материалу как п-, так и р-типа проводимости. При формировании этих контактов определяющую роль играет химическая реакция металла с SiC с образованием твердофазного продукта, -силицида металла. В результате протекания такой гетерогенной (топохимической) реакции контакты имеют, как правило, островковую морфологию. Топохимические реакции начинаются в области протяженных дефектов кристаллической решетки (дислокаций, границ зерен и т.п.), где потери энергии на деформацию связей минимальны и существует некоторый свободный объем, облегчающий переориентацию реагирующих частиц. Поэтому такие реакции весьма чувствительны ко всем нарушениям структуры, облегчающим образование зародышей новой фазы. Они могут быть активированы термическими, механическими и другими воздействиями, увеличивающими концентрацию дефектов. Важную роль здесь могут играть радиационные методы. До настоящего времени влияние облучения на металлургические реакции металл-карбид кремния не изучалось.

Целью настоящей работы является комплексное исследование процессов радиационного дефектообразования и радиационного легирования в слоях п- и p-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии. Из поставленной цели вытекают следующие задачи работы:

- определение параметров и динамики изменения концентраций РД, возникающих в 6Н- и 4H-SiC при воздействии на них протонного и электронного облучения;

- исследование зависимости процессов компенсации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях SiC от уровня легирования и температуры;

- исследование формирования омических контактов путем стимулирования металлургических реакций на границе Ni-SiC протонным облучением.

Научная новизна диссертационной работы определяется тем, что в ней впервые:

1. Методом DLTS (нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней или deep level transient spectroscopy) исследовано радиационное дефектообразование в п- и p-SiC при облучении протонами и электронами. Показано, что облучение карбида кремния приводит к количественному изменению концентрации глубоких центров (ГЦ) в SiC, однако характер спектра дефектов практически не изменяется. В спектрах доминируют центры, являющиеся основными фоновыми дефектами в SiC в данных политипах и присутствующие в слоях до облучения. Показано, что скорость введения основных РД в слоях SiC, полученных методом сублимационной эпитаксии, почти на порядок меньше, чем в CVD-слоях (слоях выращенных методом химического осаждения из газовой фазы ).

2. Проведено исследование контролируемого введения РД для направленного изменения электрофизических свойств SiC (легирования радиационными дефектами). Показана возможность формирования высокоомных (>108 Ом см при комнатной температуре) областей SiC за счет радиационного легирования.

Методом Оже-спектроскопии с послойным распылением материала аргоновым пучком показано, что протонное облучение сэндвича Ni - SiC при повышенных температурах (700 - 750°С) усиливает процесс диффузии кремния из SiC в никелевую пленку за счет механизма восходящей диффузии, стимулированной радиационным дефектообразованием в пленке никеля. Наиболее интенсивное перемешивание достигается в случае совпадения толщины пленки металла с величиной проецированного пробега протонов, т.е. при условии, когда максимум неравномерного по глубине распределения радиационных дефектов приходится на область границы раздела металл - карбид кремния (интерфейс). В этом случае, относительный вклад ИЛП (ионно-лучевого перемешивания) в миграционные процессы на интерфейсе Ni - SiC может превышать 50%. Проведены численные расчеты перераспределения никеля и кремния за счет механизма восходящей диффузии (обратного эффекта Френкеля), и определены оптимальные параметры максимального перемешивания интерфейса «металл-полупроводник» и формирования омических контактов.

С помощью метода атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследована возможность применения высокодозного облучения протонами низких энергий для формирования захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов. Впервые показано, что для карбида кремния характерно наличие как нижнего, так и верхнего предела по дозе имплантации водорода, необходимой для осуществления эффекта» блистеринга» и реализации технологии водородного расслоения (в английской литературе - "Smart Cut"). Данный факт, объяснен эффектом аморфизации карбида кремния в области захороненных дефектных слоев, препятствующим формированию плоских двумерных вакансионно-водородных дефектов, наблюдающихся только в кристаллическом материале и являющимся одним из начальных звеньев в развитии микротрещин в плоскости скрытых дефектных слоев.

Практическая значимость работы:

1. Результаты проведенных исследований радиационного дефектообразования в карбиде кремния под воздействием основных составляющих «космического ветра» (протоны с энергией 8 МэВ и электроны с энергией 1 МэВ) позволяют прогнозировать повышенную стойкость детекторов ядерных излучений, создаваемых на сублимационных слоях карбида кремния.

2. Результаты проведенных исследований радиационного легирования карбида кремния (направленного изменения электрофизических свойств путем контролируемого введения радиационных дефектов) позволяют рекомендовать этот метод для повышения пробивных напряжений высокотемпературных силовых и высоковольтных приборов.

3. Результаты расчетов и экспериментов по стимулированию металлургических реакций на интерфейсе Ni-SiC протонным пучком позволили определить оптимальные условия формирования омических контактов к n-SiC.

4. Модифицирована конструкция мишенного устройства нейтронного генератора НГ-200У для проведения высокотемпературных облучений.

5. Автоматизирована установка для измерения DLTS спектров глубоких центров.

Положения, выносимые на защиту:

1. Скорость введения основных радиационных дефектов в слоях SiC, полученных методом сублимационной эпитаксии, почти на порядок меньше, чем в слоях, полученных методом CVD-эпитаксии (методом химического осаждения из газовой фазы), что прогнозирует повышенную стойкость детекторов ядерных излучений, создаваемых на основе сублимационных слоев SiC.

2. Контролируемое введение радиационных дефектов в SiC (легирование радиационными дефектами) приводит к росту сопротивления материала почти на 7 порядков за счет захвата носителей заряда глубокими уровнями радиационных дефектов, что прогнозирует перспективность радиационного легирования для пассивации периферийных областей высокотемпературных силовых приборов на основе SiC.

3. Облучение структур Ni-SiC протонами при повышенных температурах способствует ускорению металлургических реакций на интерфейсе Ni-SiC за счет механизма восходящей диффузии (обратного эффекта Френкеля), стимулированной радиационным дефектообразованием, что позволяет формировать стабильные омические контакты к приборам на основе n-SiC.

Публикации и апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях и семинарах:

- 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Lion.

2003 (ICSCRM2003).

- IX Международный семинар «Карбид кремния и родственные материалы»,

Великий Новгород, 2003 г.

- XXXIII,XXXIV Международные конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва. 2003, 2004 гг.

- XIII,XIV Международные совещания "Радиационная физика твердого тела".

Севастополь. 2003, 2004 гг.

- IX Всероссийская конференция по проблемам науки и высшей школы

Фундаментальные исследования в технических университетах», СПбГПУ, 2005г.

Материалы диссертации проходили регулярную апробацию на семинарах кафедры экспериментальной физики в СПбГПУ.

По материалам диссертации опубликовано 11 работ, 4 из которых — в ведущих российских и зарубежных изданиях.

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, 3 глав, заключения и списка цитируемой литературы из 165 наименований. Общий объём диссертации составляет 140 страниц, в том числе 26 рисунка и 5 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Румянцев, Дмитрий Сергеевич

ВЫВОДЫ

В работе были исследованы спектры DLTS радиационных дефектов в эпитаксиальных слоях p-4H-SiC после облучения протонами с различными дозами. Изучены основные изменения электрических характеристик, происходящие в результате облучения диодов Шоттки на базе p-4H-SiC протонами. Установлена связь изменений электрических характеристик с радиационными дефектами.

В результате проведенных исследований получена новая информация и установлены новые закономерности о физических явлениях, протекающих в карбиде кремния при его облучении протонами и электронами.

1. Показано, что, облучение карбида кремния приводит к количественному изменению концентрации глубоких центров (ГЦ) в SiC, однако характер спектра дефектов практически не изменяется. Так, при облучении p-SiC протонами с энергией 8 МэВ (одна из составляющих «космического ветра»), основными ГЦ являются центры с энергией ионизации 1.03 эВ и 1.09 эВ. При облучении n-SiC электронами с энергией 1 МэВ (вторая составляющая «космического ветра») основными вводимыми дефектами являются Zi/Z2 и R - центры с энергией ионизации 0.8 эВ и 1.3 эВ. Слабая зависимость спектра РД от уровня легирования и вида заряженных частиц, использованных для облучения (протоны, электроны), свидетельствует в пользу гипотезы о том, что РД в SiC , отличие от РД в Si, в основном являются дефектами собственного, а не примесного типа. Показано, что скорость введения основных РД в слоях SiC, полученных методом сублимационной эпитаксии, почти на порядок меньше, чем в CVD-слоях, что прогнозирует повышенную стойкость детекторов ядерных излучений, создаваемых на сублимационных слоях SiC.

2. Показано, что под действием облучения в обоих исследованных политипах карбида кремния 6H-SiC и 4H-SiC, происходит образование глубоких центров, на которые переходили носители заряда с более мелких легирующих уровней. Это приводит к углублению положения уровня Ферми и созданию полуизолирующих (при комнатной температуре) слоев 6Н и 4H-SiC. Показано, что контролируемое введение радиационных дефектов в SiC (легирование радиационными дефектами) приводит к росту сопротивления материала почти на 7 порядков за счет захвата носителей заряда глубокими уровнями радиационных дефектов. Облученные образцы сохраняли высокое значение удельного сопротивления вплоть до температур отжига порядка 750К, что свидетельствует о термической стойкости РД в этих кристаллах, и прогнозирует перспективность радиационного легирования при создании высоковольтных и силовых приборов.

3. Показано, что облучение структур Ni-SiC протонами при повышенных температурах способствует ускорению металлургических реакций на интерфейсе Ni-SiC за счет механизма восходящей диффузии (обратного эффекта Френкеля), стимулированной радиационным дефектообразованием. Проведены численные расчеты диффузионных уравнений и определены оптимальные параметры максимального перемешивания интерфейса «металл-полупроводник» и формирования омических контактов.

4. Модифицирована конструкция мишенного устройства нейтронного генератора НГ-200У для проведения высокотемпературных облучений.

5. Автоматизирована установка для измерения DLTS спектров глубоких центров.

§ 2.4. Заключение

В главе 2 рассмотрены основные принципы используемых измерительных методов: нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и токовой релаксационной спектроскопии (i-DLTS), а также физические процессы, лежащие в их основе, а так же технология и методика облучения. Представленный в настоящей главе материал будет использоваться при рассмотрении экспериментальных результатов в следующих главах.

Специфика радиационных дефектов, исследованию которых посвящена данная работа, привела к необходимости иного подхода к определению концентрации ГЦ по спектрам DLTS и новым методам облучения.

Предложен метод определения концентрации ГЦ, основанный на использовании интеграла от сигнала DLTS по температуре. Вместо амплитуды пика в выражении для концентрации ГЦ предложено использовать отношение интегралов экспериментального пика и нормированного расчётного пика для данного центра.

Для облучения образцов было предложено использовать модернизированные мишенные устройства на стандартных ускорителях.

В настоящей работе использована комбинированная установка, позволяющая измерять как емкостные спектры DLTS, так и спектры i-DLTS. Емкостная часть собрана по традиционным принципам. Токовый спектрометр представляет собой доработанный спектрометр, описанный в [123].

В целом, установка DLTS обладает достаточно высокой чувствительностью и позволяет осуществлять измерения в широком диапазоне температур, что является необходимым при исследовании таких широкозонных полупроводников, как карбид кремния.

ГЛАВА3

РАДИАЦИОННОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ

ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ ЕГО ПРОТОНАМИ И ЭЛЕКТРОНАМИ

§ 3.1 Исследование радиационного дефектообразования в n-типе карбида кремния после облучения электронами

Как отмечалось в Главе 1, до начала настоящей работы в статьях различных авторов существовал разброс экспериментальных данных по определению радиационной стойкости карбида кремния. Согласно данным, полученным в Университете Осло (Норвегия) радиационная стойкость SiC уступала радиационной стойкости кремния [125-127]. Этот результат выглядел достаточно странным, так как согласно расчетам пороговая энергия дефектообразования для SiC выше, чем для Si [127]. В тоже время, в работах выполненным во ФТИ им. Иоффе радиационная стойкость SiC была определена выше, чем для кремния [128,129].

Согласно данным работ [128,129] компенсация SiC при облучении возникала за счет образования глубоких акцепторных центров в объеме полупроводника, на которые уходили электроны с мелких донорных уровней. При этом при нагреве исследуемых образцов наблюдалось восстановление концентрации свободных носителей в зоне проводимости (за счет термической ионизации глубоких РД). Причем в 6H-SiC при температурах образца ~ 600 К наблюдалась большая концентрация электронов, чем была в исходном образце до облучения. Т.е. наблюдалась отрицательная скорость удаления носителей. Это объяснялось тем, что при облучении протонами в 6H-Sic происходило образование как акцепторных, так и донорных РД, причем доноры преобладали.

В работах, выполненных в Университете Осло и ряде других зарубежных центров, радиационная компенсация SiC связывалась с деактивацией донорных атомов азота [125,126]. Согласно [125,126] образующиеся при облучении SiC элементарные дефекты взаимодействуют с донорными уровнями азота с образованием нейтральных комплексов. В качестве возможного кандидата на роль такого элементарного дефекта рассматривалась кремниевая вакансия (Vsi).

Более подробное изучение литературы показало, что при экспериментах в университете Осло использовались образцы SiC, выращенные методом CVD. В то же время во ФТИ им.А.Ф.Иоффе были исследованы образцы, выращенные методом сублимационной эпитаксии. Таким образом, различия в полученных экспериментальных данных могли быть связаны с различиями в технологии изготовления образцов. Для проверки этого предположения было принято решение провести совместный эксперимент с участием Университета г.Осло. Для этого во ФТИ им. А.Ф.Иоффе были выращены эпитаксиальные слои п-6Н-SiC с концентрацией нескомпенсированных доноров (Nd-Na) ~5 1016 см"3. На поверхности образцов были сформированы барьеры Шоттки методом магнетронного нанесения Ni с последующей фотолитографией. Эти образцы были облучены в Университете г.Осло в тех же технологических условиях, в которых до этого облучались образцы SiC, выращенные методом CVD ( электроны 6 мэВ, дозы ЗхЮ15 - 3 1016 см" ). После каждой дозы облучения проводились независимые измерения электрических характеристик образцов в обоих исследовательских центрах. Исследования проводились методом C-V характеристик и DLTS. Полученные результаты представлены в Таблице 3.1 и на рисунках 3.1-3.3.

Как видно из таблицы, образцы, выращенные методом сублимационной эпитаксии сохраняли проводимость при комнатной температуре после дозы

1/ л облучения Зх 10 см" , когда CVD образцы уже становились полуизолирующими. Температурная зависимость удельной емкости структур представлена на рисунке 1.

Ступеньки в низкотемпературной части зависимости C=F(T) на Рис 1. показывают, что компенсация при этих температурах вызвана глубокими центрами. Как только температура образца становится достаточной для

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Румянцев, Дмитрий Сергеевич, 2005 год

1. Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов. (СПб.: Наука, 2003).

2. Верма А., Кришна П. Политипизм и полиморфизм в кристаллах. М. Мир-1969-390 с.

3. Ramsdell L.S. Studes on Silicon carbide // Am.Mineral-1947-v.32- pp.64-82

4. Хэпиш Г., Рой P.M. Карбид кремния. // М.Мир, 1972- 386 с.

5. Humpreys R.G., Bimlery D., Choyke W.J.//Solid State Commun-1981-v.39-p.163.

6. Дубровский Г.Б. Структура, энергетический спектр и политипизм в кристаллах карбида кремния // ФТТ-1971- т. 13- в.8 с.2505-2507.

7. Дубровский Г.Б., Лепнёва Г.А. Энергетическая зонная структура и оптические спектры кристаллов карбида кремния. // ФТТ-1977-т.19.в.-5-с.1252-1259.

8. Водаков Ю.А., Константинов А.О., Литвин Д.П., Санин В.И. Лавинная ионизация в карбидкремниевых р-n структурах.// Письма вЖТФ-1981-т.7 -в.-12- с.705-708.

9. Константинов А.О. Температурная зависимость ударной ионизации и лавинного пробоя в карбиде кремния // ФТП-1989- т. 23-в.1-с. 52-57.

10. Choyke W., Patrik L. Exiton Recombination Radiation and Phonon Spectrum //Phys. Rev.-1962-v. 127-N 6 -pp. 1868-187711 .Пихтин A.H., Яськов Д.А. Край основной полосы поглощения SiC 6Н // ФТТ-1970-т. 12-в.6-с. 1597-1604

11. Acheson E.G. // Chem News, -1893- B.68 -S.179

12. Lely J.A. Darstellung von Einkristallen von Siliziumcarbid und Beherrshung von Art und Menge der eingebauten verunreiningen // Ber. Dt. Keram. Ges -1955-55-S.229

13. Глаговский А.А., Граневский Э.В., Дроздов A.K. и др. Некоторые вопросы получения карбида кремния и эпитаксиальных структур на егооснове / Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников, Ленинград -1980-С.226-240

14. Tairov Yu.M. and Tsvetkov V.F. Investigation of Growth procces of ingots of silicon carbide single crystals // J.Crystal Growth -1978 -v.43 pp.209-212

15. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Современное состояние и перспектива получения монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния Вег. Dt. Keram. Ges. -1955-55-С.122-135

16. Tsvetkov V.F., Allen S.T., Kong M.S., Carter C.H. Jr. Recent progress in SiC crystal growth // Inst. Phys. Conf. Ser. 1996 - 142 - pp. 17-22

17. Yakimova R., Yakimov Т., Hitova L., Janzen E. Defect mapping in 4H-SiC wafers // Mat. See. Eng. 1997 - В 46 - pp.287-290

18. Vodakov Yu. A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.O. Epitaxial growth of silicon carbide layers by sublimations "sandwich-method" // Crystal and Technical. -1979-V. 14 pp.729-740

19. Константинов A.O., Литвин Д.П., Санкин В.И. Резкие струкрурносовершенные карбидокремниевые р-п переходы // Письма в Ж.Т.Ф.-1981-Т.7-В.21-С.1335-1339

20. Brander R.W., Sutton R.,Brit. J. Solution grown SiC p-n junctions // Appl Phys D2-N2-pp.309-318

21. Ziegler and Theis D.A New Degradation Phenomenon in Blue Light Emitting Silicon Carbide Diodes // IEEE Transaction on electron devices 1981 - V.28 -N4-pp.425-.427

22. Дмитриев В.А., Иванов П.А., Морозенко Я.В.и др. Карбидокремниевые светодиоды с излучением в синефиолетовой области спектра // Письма в ЖТФ. -1985-T.ll-B.18-c.98

23. Дмитриев В.,А., Коган JI.M., Морозенко Я.В.и др. Индикаторы с синим свечением на основе карбида кремния, выращенный бесконтейнерной жидкостной эпитаксией // Письма в ЖТФ 1985 - Т. 12 - В7 - с.385-388

24. Lebedev A.A., Tregubova A.S., Chelnokov V.E., Scheglov M.M.,Glagovskii A. A. Growth and investigations of the big area Lely-grown substrates // Mater. Sci. Eng. В 1997 - v.46 - pp. 291-295

25. Savkina N.S., Lebedev A.A., Tregubova A.S., Scheglov M.P. Structural and optical studies of low doped n-6H SiC layers grown by vacuum sublimation // Materials Science Forum Vols 2000 - w.338-342 - pp.509-512

26. Tuominen M., Yakimova R., Syvajarvi M., Janzen E. Domain misorientation in sublimation grown 4H-SiC epitaxial layers // Mater. Sci. Eng. В 1999 — w.61-62 - pp. 168-171

27. Minagva S., Gatos H.C. Epitaxial growth of a-SiC from the vapor phase // JapJ.Appl.Phys. 1971 - v. 10 - pp. 1680-1690

28. Fatemi M., Nordquist P.E.R. An x-ray topographic study of P-SiC films on Si substrates // J.Appl.Phys. 1987 - v.61 - pp. 1883-1890

29. Janzen E., Kordina O. Recent progress in epitaxial growth of SiC for power device applications // Inst Phys Conf. Ser. 1996 - v.142 - pp. 653-658

30. Kimoto Т., Nakazava S., Hashimoto K., Matsunami H. Reduction of doping and trap concentrations in 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 2001 - v.19 - p. 2761

31. Buk A.A., O'Loughlin M.J., Mani S.S. SiC epitaxial layer growth in a novel multi-wafer VPE reactor // Mat.Sci.Forum 1998 - w.264-268 - pp.83-88

32. Karamann S., Haberstroh C., Engelbrecht F., Suttrop W., Schoner A., Schadt M., Helbig R., Pensl G., Stein R. A. and Leibenzeder S., CVD growth and characterization of single-crystalline 6H silicon carbide // Physica В -1993 -v. 185, pp. 75-78

33. Larkin D.J., Neudek P.G., Powell J.A., Matus L.G. Site-competition epitaxy for superior silicon carbide electronics // Appl. Phys. Lett. 1994 - v.65 -pp. 1659-1661

34. Kimoto Т., Itoh A., Matsunami H. Incorporation mechanism of N, Al, and В impurities in chemical vapor deposition of SiC // Appl.Phys.Lett. 1995 - v.67 -p.2385

35. Rupp.R., Langing P., Volki J., Stephani D. First results on silicon carbide vapor phase epitaxy growth in a new type of vertical low pressure chemical vapor deposition reactor // J.Cryst. Growth 1995 - v. 146 - pp.37-41

36. Wagner G., Leitenberger W., Irmscher K., Schmid F., Laube M., Pensl G. Aluminium incorporation in 4H-SiC layers during epitaxial growth in a hot-wall CVD system // Mat. Sci. Forum Vols. 2002 - w.3 89-393 - pp.207-210

37. Janson M.S., Hallen A., Linnarsson M.K., Svensson B.G. Hydrogen diffusion, complex formation, and dissociation in acceptor-donor silicon carbide // Phys. Rev. В 2001 - v.64 - pp.195-202

38. Aradi В., Gali A., Deak P., Son N.T., Jansen E. Passivation of p-type dopants in 4H-SiC by hydrogen // Physical В 2001 - w.308-310 - pp.722-725.

39. Patric L. Inequalent Sites and Multiplet Donor and Acceptor Levels in SiC Polytypes // Phys. Rev 1962 - v. 127 - N 6- pp.l878-1880

40. Rao M.V., Gardner J., Holland O.W. et al. Hot implantation of N* into a-SiC epilayers // Inst.Phys.Conf.Ser. 1996 - N142 - pp.521-524

41. Suttrop W., Pensl G., Choyke W.J., Steine R, Leibenzeder S. Hall effect and adsorption measurements on nitrogen donors in 6H-silicon carbide // J. Appl. Phys. 1992 - v.72 - pp.3708 -3713

42. Raynaud C., Ducroquet F., Guillot G., Porter L. M., Davis R. F. Determination of ionization energies of the nitrogen donors in 6H-SiC by admittance spectroscopy // J. Appl. Phys. 1994 - v.76 - pp.1956-1958

43. Gotz W., Schoner A., Pensl G., Suttrop W., Choyke W.J., Steine R., Leibenzeder S. Nitrogen donors in 4H-silicon carbide // J.Appl Phys 1993 -v.73 — p.3332

44. Woodbery H.H., Ludwig G.W., Electron Spin Resonance Studies in SiC. // Phys.Rev. 1961 - V124-pp. 1083-1089

45. Troffer Th., Gotz W., Schoner A. et al. Hall effect and infrared absorption measurements on nitrogen donors in 15R-SiC // Inst.Phys.Conf.Ser. 1994 -N137 — pp.173-176

46. Nikolaev A.E., Nikitina I.P., Dmitriev V.A. Highly nitrogen doped 3C-SiC grown by liquid phase epitaxy //Inst.Phys.Conf. Ser. 1996 - v. 142 - p. 125128

47. Euwarage A.O., Smith S.R., and Mitchel W.C. Shallow levels in n-type 6H-silicon carbide as determined by admittance spectroscopy // J.Appl Phys — 1994 v.75 - pp.3472-3476

48. Водаков Ю.А., Калабухова E.H., Лукин C.H., Лепнева А.А., Мохов Е.Н., Шанина Б.Д. // ЭПР в 2-мм диапазоне и оптическое поглощение собственного дефекта в эпитаксиальных слоях 4H-SiC // ФТТ 1991 -т.ЗЗ-сс.ЗЗ 15-3326

49. Dean P.J., and Hartman R.L. Magneto-optical properties of the dominant bound exitons in undoped 6H SiC // Phys. Rev. В 1972 - v.5 - pp.4911-4924

50. Van H. Daal., Knippenberg W.F,. Wassher J.D. On the electronic conduction of a-SiC crystals between 300 and 1500 К // J.Phys.Chem.Solids 1963 -v.24 -pp.109-127

51. Ломакина Г.А., Водаков Ю.А., Мохов. E.H., Одинг В.Г., Холуянов. Г.Ф. Сравнительные исследования электрических свойств трех политипов карбида кремния // ФТТ 1970 - т. 12 - сс.2918-2922

52. Кодрау И.В., Макаров В.В. Исследование голубой люминесценции карбида кремния с применением ионной имплантации алюминия и азота // ФТП 1977 - т. 11 - сс.969 -972

53. Мохов Е.Н., Усманов. М.М., Юлдашев Г.Ф., Махмудов Б.С. Легирование SiC элементами III А подгруппы при росте кристаллов из паровой фазы // Неорганиические материалы 1984 - т.20 - сс. 1383-1386

54. Schoner A., Nordell N., Rottner К., Helbig R., Pensl G. Dependence of the aluminium ionization energy on doping concentration and compensation in 6H-SiC // Inst.Phys.Conf.Ser. 1996 - N142 - pp.493-496

55. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Структура примесной зоны слаболегированных полупроводников (Обзор) // ФТП 1980 - т. 14 -с.825-858

56. Kuznetsov N.I., Zubrilov A.S. Deep centers and electroluminescence in 4H SiC diodes with a p-type base region // Mat. Science and Eng. В 1995 - v.29 — pp.181-184

57. Heera V., Pezold J., Ning X., and Pirouz P. High dose co-implantation of aluminium and nitrogen in 6H-silicon carbide // Inst.Phys.Conf.Ser. 1996 -N142 — pp.509-512

58. Clemen L.L., Devaty R.P., Choyke W.J., Powel J.A., Larkin D.J., Edmond J.A., Burk A.A. Recent developments in the characterization of the aluminum centre in 3C, 4H, 6H and 15R // Inst.Phys.Conf. Ser. 1994 - N137 - pp.297300

59. Водаков Ю. А., Ломакина Г.А., Мохов E.H. Нестехиометрия и политипизм карбида кремния // ФТТ 1982 - т.24 - сс. 1377-1383

60. Andreev A.N., Anikin М.М., Lebedev А.А., Poletaev N.K., Strel'chuk A.M., Syrkin A.L. and Chelnokov V.E. A relationship between defect electroluminescence and deep centers in 6H SiC // Inst.Phys.Conf.Ser. 1994 -N137 - pp.271-274

61. Вейнгер А.И., Водаков Ю.А., Кулев Ю., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Соколов В.И. Примесные состояния бора в карбиде кремния // Письма в ЖТФ -1980 -т.6 сс. 1319-1323

62. Balandovich V.S., Mokhov E.N. // Transactions Second Intern. High Temperature Electronics Conference, (Charlotte NC, 5-10 June 1994, USA) -V.2 pp.181-184

63. Лебедев A.A., Андреев A.H., Мальцев A.A., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Челноков В.Е. Получение и исследование эпитаксиальной диффузии 6H-SiC р-n структур // ФТП 1995 - т.29 - с. 1635

64. Аникин М.М., Лебедев А.А., Сыркин А.Л., Суворов А.В. Исследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии // ФТП -1985 т.19 - сс.114-117

65. Suttrop W., Pensl G., Laning P. Boron-Related Deep Centers in 6H-SiC // Appl. Phys. A.- 1991 -v.51 -pp.231-237

66. Anikin M.M., Lebedev A.A., Poletaev N.K., Strel'chuk A.M., Syrkin A.L. and Chelnokov V.E. Deep centers and blue-green electroluminescence in 4H-SiC // Inst.Phys.Conf.Ser. 1994 - N137 - pp.605-607

67. Лебедев A.A., Полетаев H.K. Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SiC р-n структур // ФТП 1996 - т.ЗО - сс.54-55

68. Константинов А.О. Инжекция неравновесных точечных дефектов при диффузии примесей в кристаллах со смешанным механизмом самодиффузии // ФТП 1991 - т.25 - сс.1175-1181

69. Баранов П.Г. Радиоспектроскопия широкозонных полупроводников: SiC и GaN // ФТТ 1999 - т.41 - в.5 - сс.789-793

70. Jang S., Kimoto Т., Matsunami Н. Deep levels in 6H SiC wafers and step-controlled epitaxial layers // Appl.Phys.Lett. 1994 - v.65 - pp.581-583

71. Mazzola M.S., Saddow S.E., Neudeck P.G., Lakdawala V.K., We S. Observation of the D-centre in 6Hp-n diodes grown by chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett. 1994 - v.64 - pp.2730-2735

72. H.Zhang, G.Pensl, A.Dorner, S.Leibenzeder. // Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Mtg.- 1989-p.699.

73. Аникин M.M., Андреев A.H., Лебедев A.A., Пятко C.M., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., СТрельчук A.M., Сыркин А. Л., Челноков В.Е. Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H // ФТП 1991 - т.25 - в.2 - сс.328-333

74. Аникин М.М., Зубрилов А.С., Лебедев А.А., Стрельчук A.M., Черенков А.Е. Рекомбинационные процессы в 6Н SiC р-п структурах и влияние на них глубоких центров // ФТП 1991 - т.25 - сс.479-489

75. Балландович B.C. Релаксационная спектроскопия радиационно-индуцированных дефектов в 6H-SiC // ФТП 1999 - т.ЗЗ - сс.1314-1319

76. Gong М., Fung S., Bellig C.D., ZhipuYou Electron-irradiation-induced deep levels in n-type 6H-SiC // J. Appl. Phys. 1999 - v.85 - pp.7604-7608

77. Вейнгер А.И., Ильин В.А., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Исследование параметров парамагнитных глубоких центров вакансионной природы в 6H-SiC // ФТП- 1981 т.15 - с.1557

78. Dalibor Т., Pensl G., Matsunami Н., Kimoto Т., Choyke W.J., Schoner А., Nordell N. Deep defect centers in silicon carbide monitored with deep level transient spectroscopy // Phys. Stat. Sol. (a) 1997 - 162 - p. 199

79. Лебедев A.A. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния // ФТП — 1999-т.ЗЗ -сс. 129-155

80. Lebedev А.А., Strel'chuk A.M., Kozlovskii V.V., Savkina N.S., Davydov D.V., Solov'ev V.V. Studies of the effect of proton irradiation on 6H-SiC pn junction properties // Mat. Sci. Eng. В 1999 - w.61-62 - pp.450-453

81. Hemmingsson C.G., Son N.T., Janzen E. Observation of negative-U centers in 6H silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 1999 - v.74 - pp.839-841

82. Kawasuso A., Weidner M., Redmann F., Frank Т., Sperr P., Krause-Rehberg R., Triftshauser W., Pensl G. Vacancies in He-implanted 4H and 6H SiC epilayers studied by positron annihilation // Physica В — 2001 w.308-310 -pp.660-663.

83. Gong M., Fung S.and Beling C.D. A deep level transient spectroscopy study of electron irradiation induced deep levels in p-type 6H-SiC. J. Appl. Phys. v. 85, N 10, pp. 7120-7122.

84. Brauer G., Anwand W., Bicht E.-M., Kuriplach J., Sob M., Wagner N., Coleman P.G., Pushka M.J., Korhonen T. Evaluation of some basic positron-related characteristics of SiC // Phys. Rev. В 1996 - v.54 - pp.2512-2517

85. Rybicki G.C. A deep level defects in alpha particle irradiated 6H silicon carbide // J. Appl. Phys. 1995 - v.78 - pp.2996-3000

86. Son N.T., Sorman E., Chen W.M., Kordina O., Monemar В., Janzen E. Possible lifetime-limiting defect in 6H SiC // Appl.Phys.Lett. 1994 - v.65 -p.2687

87. Rybicki George C. Deep level defects in alpha particle irradiation 6H siliconcarbide // J. Appl. Phys. v. 75, N 5, pp. 2996 3000.

88. Itoh H., Kawasuso A., Ohshima Т., Yoshikawa M., Nashiyama I., Tanigawa S., Misawa S., Okumura H., Yoshida S. Intrinsic Defects in Cubic Silicon Carbide//Phys. Stat. Sol. (a)- 1997- 162-pp. 173-198

89. Lebedev A.A., Chelnokov V.E. Measurement of electro-physical properties of silicon carbide epitaxial films // Diamond and Related Materials 1996 - v.3 -pp.1393-1397

90. Кузнецов Н.И., Дмитриев А.П., Фурман А.С. Свойства центра связанного с примесью А1 в 6H-SiC // ФТП- 1994 т.28 - N6 - сс.1010-1014

91. Doile J.P., Linnarsson M.K., Pellegrino P., Keskitalo N., Svensson B.G., Schoner A., Nordell N., Lindstrom J.L. Electrically active point defects in n-type 4H-SiC // J. Appl. Phys 1998 - v.84 - pp.1354-1357.

92. Hemmingsson C., Son N.T., Kordina O., Bergman J.P., Jansen E., Lindstrom J.L., Savage S., Nordell N. Deep level defects in electron irradiated 4H SiC epitaxial layers // J. Appl. Phys -1997 v.81 - pp.6155-6159.

93. Son N.T., Magnusson B. and Janzen E. Photoexcitation-electron-paramagnetic-resonance studies of the carbon vacancy in 4H-SiC // Appl. Phys. Lett. v. 81, N 21, pp. 3945 3947.

94. Castaldini A., Cavalini A., Rigutti L., Nava F.Low temperature anneling of electron irradiation induced defects in 4H-SiC // Appl. Phys. Lett. v. 85, N 1, p. 3780-3782 (2004).

95. Stucsta L., Beryman J.P., Janzen E. and Uenry A., Lu J. Deep levels created by low energy electron irradiation in 4H-SiC // J. Appl. Phys. v.96, N9, pp. 4909-4915.

96. David M.L., Alferi G., Monakhov E.M., Hallen A., Blanchard C., Svensson B.G., Barlot J.F. Electrically active defects in irradated 4H-SiC // J. of Appl. Phys. v. 95, N9, p. 4728-4733. (2004).

97. Martin D.M., Nielsen H.K., Levegne P., Hallin A., Alfini G., Svensson B.G. Bistable defect in mega-electron-volt proton implanted 4H silicon carbide // Appl. Phys. Lett. v. 84, N 10, p. 1704-1706 (2004)

98. Zhang C.H., Donnelly S.E., Vishnyakov V.M., Evants J.H., Dose dependent of formation of nanoscale cavities in helium-implanted 4H-SiC // J. Appl. Phys. v. 94, N 9, p. 6017 -6022 (2003)

99. Zolnai Z., Son N.T., Hallin C., Janzen E. Annealing behavior of the carbon vacancy in electro-irradiated 4H-SiC // J. of Appl. Phys. v. 96, N 4, p. 24062408 (2004).

100. Matsuura H., Aso K., Kayamihara S., Iwata H., Ishida T. Decrease in A1 acceptor density in Al-doped 4H-SiC by irradiation with 4,6 MeV electrons // Appl. Phys lett. v. 83, N 24, p. 4981-4983 (2003).

101. Hemmingsson C.G., Son N.T., Ellison A., Zhang J., Jansen E. Negative-U centers in 4H silicon carbide // Phys. Rev. В 1998 - v.58 - pp.R10119-R10122

102. Bergman J.P., Stoats L., Carlsson F.H.C., Sridhara S., Magnusson В., Janzen E. Defects in 4H silicon carbide // Physica В 2001 - w.308-310 - pp.675679

103. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. 1974 - v.45 - N7 - pp.3023-3032

104. Физический энциклопедический словарь. M., 1996 , т.5 , стр.445

105. Зи С. М. Физика полупроводников. // Энергия, Москва. -1973- С.656

106. Berman L.S. Purity control of semiconductors by the method of capacitance transient spectroscopy, // "Electronic integral systems", St. Petersburg, 1995, 114 p.

107. Астрова E.B., Лебедев A.A., Лебедев A.A. Влияние последовательного сопротивления на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней //ФТП- т. 19 в.8 - сс.1382-1385

108. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. // Л.; Наука, 1981, стр.175

109. Кузнецов Н.И. Токовый спектрометр для измерения параметров глубоких центров в полупроводниковых структурах // ПТЭ 1990 - N6 -сс.163-165

110. Лебедев А.А., Кузнецов Н.И. Установка для автоматического измерения спектров НЕСГУ. Препринт ФТИ N 1046 1986 - 26 стр.

111. Aberg D., Hallen A., Pellegrino P.and Swensson В.G."Nitrogen deactivation by implantation-induced defects in 4H-SiC // Appl.Phys.Lett. 78 (2001) 2908.

112. Aberg D., Hallen A., Pellegrino P.and Swensson B.G. "Nitrogen passivation by implantation-induced point defects in 4H-SiC epitaxial layers" // Appl.Surf.Science 184 (2001) 263-267.

113. Лебедев A.A., Иванов A.M., Строкан Н.Б.Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе. // Обзор ФТП, 38 (2004)

114. Lebedev A.A., Veinger A.I., Davydov D.V., Kozlovski V.V., Savkina N.S., Strel'chuk A.M. "Doping of n-type 6H-SiC and 4H-SiC with defects created with a proton beam" // J.Appl.Phys. V 88 pp. 6265-6271 (2000).

115. Lebedev A.A., Davidov D.V., Strelchuk A.M., Kozlovski V.V., Kuznetsov A.N., Bogdanova E.A., Savkina N.S. Deep centers appearing in 6H and 4H -SiC after priton irradiation. // Mater. Sci. Forum. 200. Vol. 338-342. P. 973976.

116. Лебедев A.A., Вайнгер А.И., Давыдов Д.В., Козловский В.В, Савкина Н.С., Стрельчук A.M. Радиационные дефекты в n-6H-SiC, облучённом протонами с энергией 8 МэВ // ФТП. 2000. Т. 34, № 8. С. 897 -902.

117. Лебедев А.А., Вайнгер А.И., Давыдов Д.В., Козловский В.В, Савкина Н.С., Стрельчук A.M. Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облучённом протонами с энергией 8 МэВ // ФТП. 2000. Т. 34, № 9. С. 1058 -1062.

118. Лебедев А.А., Козловский В.В., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В., Иванов A.M., Стрельчук A.M., Якимова Р. Радиационная стойкость широкозонных полупроводников. (На примере карбида кремния) // ФТП. 2002. Т. 36, № 11. С. 1354-1359.

119. Козлов В.А., Козловский В.В., Титков А.Н., Дунаевский М.С., Крыжановский А.К. Скрытые наноразмерные дефектные слои, сформированные в кристаллах Si и SiC высокодозной имплантацией протонов. // ФТП, 36, 1310 (2002).

120. Balandovich V.S., Violina G.N., // Cryst. Lattice Defect Amorphous Mater., 13, 189(1987).

121. Koshka Y. and Mazzola M. Effect of hydrogenation on Al-related photoluminescence in 6H-SiC // Appl.Phys.Lett, 79, 752 (2001).

122. Koshka Y., Mazzola M.S. Photoluminescence Investigation of Hydrogen Interaction with Defects in SiC // Material Science Forum, 389-393, 609 (2002).

123. Htilsen C., Achtziger N., Reislohner U., Witthuhn W. Reactivation of Hydrogen-Passivated Aluminum Acceptors in p-type SiC // Material Science Forum, 338-342, 929 (2000).

124. Dalibor Т., Pensl G., Kimoto Т., Choyke W.J., Schoner A., and Nordell N. // Phys. Stat. Sol.(a), 162, 199(1997).

125. Lebedev A.A., Veinger A.I., Davydov D.V., Kozlovski V.V., SavkinaN.S. and Strel'chuk A.M. Doping of и-type 6H-SiC and 4H-SiC with defects created with a proton beam // J.Appl.Phys., 88, 6265 (2000).

126. Лебедев A.A., Соболев H.A. // ФТП, 16, 1874 (1982).

127. Poate J.M., Tu K.N., Mayer J.W. Thin Films-interdiffusion and reactions. New York, 1978.

128. Nakamura Т., Shimada H., Satoh M. Ohmic Contact Formation on n-Type 6H-SiC using NiSi2. // Proc. of the ICSCRM 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, 1999, Materials Science Forum, 338-342, 985 (2000).

129. Kelly R., Sanders J.B. Recoil implantation from a thin source: Underlying theory and numerical results // Surf. Science, 57, 143 (1976).

130. Winterborn K.B. On the theory of recoil implantation. // Radiation Effects, 49, 97 (1980).

131. Mayer J.W., Tsaur B.Y., Lau S.S., Hung L.S. Ion-beam-induced reactions in metal-semiconductor and metal-metal thin film structures. // Nucl. Instn Meth., 182/183, 1 (1981).

132. Poker D.B., Appleton B.R. Linear dose dependence of ion beam mixing of metals on Si // J.Appl.Phys., 57, 1414 (1985).

133. Sarkar D.K., Dhara S., Nair K.G.M., Chaudhury S. // Nucl.Instr.Meth. in Phys.Res.B., 161, 992 (2002).

134. Poate J.M., Foti G., and Jacobson D.C. Surface modification and alloying by Laser, Ion, and Electron Beams. // N.Y., Plenum Press, 1983.

135. Williams J.S., Elliman R.G., Ridgway M.C. Ion Beam Modification of Materials.//North-Holland, 1996.

136. Козловский B.B., Ломасов B.H. Ионио стимулированные процессы на границе раздела металл полупроводник при повышенных температурах облученияю // Поверхность. Сер. Физика, Химия, Механика, 3, 146 (1987).

137. Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов // ФТП, 34, 129 (2000).

138. Bellina J.J. and. Zeller M.V. In "Novel Refractory Semiconductors", ed. by D. Emin, T.L. Aselage and C. Wood, // Mat. Res. Soc., Pittsburg, PA, (1987) p. 265.

139. Andersen H.H. and Ziegler J.F. Hydrogen stopping powers and ranges in all elements, // Pergamon Press, NY, 1977.

140. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов M.A., Темкин М.М. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде столкновений в твердых телах. // М., Энергоатомиздат, 1985.

141. Biersack J.P., Haggmark L.G., // Nuclear. Instrum. and Methods, 174, 257 (1980).

142. Morschbacher M.J., Behar M. Carbon deposition in Si as a consequence of H and He irradiations: A systematic study. //J.Appl.Phys., 91 (10), 6481-6487 (2002).

143. Morikawa Y., Yamamoto K., and Nagami K. Uphill diffusion mechanism in proton-irradiated silicon // Appl. Phys. Lett., 36, 997 (1980).

144. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках. // СПб.,Наука, 1999.Maby E.W. Bombardment-enhanced diffusion of arsenic in silicon // J.Appl.Phys., 47, 830 (1976).

145. Rastegaeva M.G., Andreev A.N., and Babanin A.I. Abstracts of the 2nd Int. Seminar on semiconductor SiC and related materials, // Novgorod, Russia, 1997, p. 38.

146. Andreev A.N., Rastegaeva M.G., Babanin A.I., and Savkina N.S. Abstracts of the 2nd Int. Seminar on semiconductor SiC and related materials, // Novgorod, Russia, 1997, p. 36.