Изменение состояния примесных атомов 119mSn в халькогенидных полупроводниках в процессе установления радиоактивного равновесия изотопов 119mTe/119Sb тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Жуков, Николай Николаевич

• Жуков, Николай Николаевич
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Жуков, Николай Николаевич

ИЗМЕНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ 119ш8п В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ В ПРОЦЕССЕ УСТАНОВЛЕНИЯ РАДИОАКТИВНОГО РАВНОВЕСИЯ ИЗОТОПОВ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Изменение состояния примесных атомов 119mSn в халькогенидных полупроводниках в процессе установления радиоактивного равновесия изотопов 119mTe/119Sb»

Мессбауэровская спектроскопия является одним из современных и эффективных методов исследования состояния примесных атомов в полупроводниках [1 - 3]. Параметры мессбауэровских спектров (ширина спектральных линий, изомерный сдвиг, квадрупольное и магнитное расщепление, коэффициент Мессбауэра) позволяют надежно определять зарядовое и координационное состояния примесных атомов, симметрию их локального окружения, детали сверхтонкого электростатического и магнитного взаимодействий мес-сбауэровского зонда, особенности его локальных колебаний).

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Жуков, Николай Николаевич

1. Установлено, что легирование халькогенидов свинца смесью материнских радиоактивных изотопов 119БЬ и 119тТе, находящихся в состоянии динамического равновесия, сопровождается:

- локализацией атомов 119БЬ (они обозначены как 119БЬ1) преимущественно либо в подрешетке халькогена (в электронных образцах), либо в подрешетке свинца (в дырочных образцах), причем доля таких атомов уменьшается с увеличением возраста мессбауэровского источника (т.е. времени, прошедшего с момента синтеза источника, и моментом начала измерения мессбауэровского спектра);

- локализацией атомов 119тТе (они обозначены как 119тТе1) только в подрешет-ках халькогенов, распадающихся с образованием атомов 119БЬ (они обозначены как 119БЬ2);

- большая часть атомов 119БЬ2 локализованы в узлах халькогенов, хотя незначительная их часть за счет энергии отдачи, возникающей в результате испускания антинейтрино, к моменту образования дочерних атомов 119тБи оказывается в узлах свинца.

2. Мессбауэровские спектры дочерних атомов 119тБи в электронных образцах теллурида свинца отвечают содержанию в образцах состояния олова 119т3и0 (оно образуются в результате распада материнских атомов 119БЬ1 и 119БЬ2, которые локализованы преимущественно в подрешетке теллура) и 119т3и2+ (они образуются в результате распада незначительного количества материнских атомов 119БЬ1 и 119БЬ2, в подрешетке свинца). Соотношение между концентрациями разновалентных состояний олова лишь незначительно меняется с возрастом источника, что объясняется компенсацией уменьшения концентрации атомов 119БЬ1 в узлах свинца (из-за их распада) увеличением концентрации атомов 119БЬ2 в узлах свинца (вследствие распада атомов 119тТе1) в процессе установления подвижного равновесия между атомами 119БЬ и 119тТе.

3. Мессбауэровские спектры дочерних атомов 119тБи в дырочных образцах тел-лурида свинца отвечают состояниям олова 119т3п° (они образуются в результате распада материнских атомов 119БЬ1 в подрешетке теллура) и 119т3п4+ (они образуются в результате распада материнских атомов 119БЬ2 в подрешетке свинца). Доля центров 119т3п4+ уменьшается с увеличением возраста источника вследствие уменьшения концентрации атомов 119БЬ1 (из-за их распада) и увеличением концентрации атомов 119БЬ2 (вследствие распада атомов 119тТе1) в процессе установления подвижного равновесия между атомами 119БЬ и 119тТе.

4. Мессбауэровские спектры дочерних атомов 119тБп в электронных образцах сульфида и селенида свинца отвечают преобладающему содержанию в образцах состояния олова 119т3п° (оно образуется в результате распада материнских атомов 119БЬ1 и 119БЬ2, которые локализованы преимущественно в подрешетке халькогена) и 119тБп2+, являющихся нейтральным состоянием донорного двух-электронного центра олова с отрицательной корреляционной энергией (они образуются в результате распада материнских атомов 119БЬ1 и 119БЬ2, в подрешетке свинца). Концентрация центров 119т3п2+ лишь незначительно уменьшается с увеличением возраста источника, что объясняется лишь частичной компенсацией уменьшения концентрации атомов 119БЬ1 в узлах свинца (из-за их распада), увеличением концентрации атомов 119БЬ2 в узлах свинца (вследствие распада атомов 119тТе1) в процессе установления подвижного равновесия между атомами 119БЬ и 119тТе.

5. Мессбауэровские спектры дочерних атомов 119тБп в дырочных образцах сульфида и селенида свинца отвечают состояниям олова 119т3п° (они образуются в результате распада материнских атомов 119БЬ1 в подрешетке теллура) и 119тБп4+, являющегося двукратно ионизованным состоянием донорного двух-электронного центра олова с отрицательной корреляционной энергией (они образуются в результате распада материнских атомов 119БЬ2 в подрешетке свинца). Доля центров 119т3п4+ уменьшается с увеличением возраста источника вследствие уменьшения концентрации атомов 119БЬ1 (из-за их распада) и

увеличением концентрации атомов 119БЬ2 (вследствие распада атомов 119тТе1)

в процессе установления подвижного равновесия между атомами 119БЬ и

119тТе.

6. Установлено, что легирование халькогенидов мышьяка смесью материнских радиоактивных изотопов 119БЬ и 119тТе, находящихся в состоянии динамического равновесия, сопровождается:

- локализацией атомов 119БЬ (они обозначены как 119БЬ1) оказываются в структурной сетке мышьяка, причем доля таких атомов уменьшается с увеличением возраста мессбауэровского источника;

- локализацией атомов 119тТе (они обозначены как 119тТе1) только в подрешет-ках халькогенов, распадающихся с образованием атомов 119БЬ (они обозначены как 119БЬ2);

- большая часть атомов 119БЬ2 локализованы в узлах халькогенов, хотя незначительная их часть за счет энергии отдачи, возникающей в результате испускания антинейтрино, к моменту образования дочерних атомов 119тБи оказывается в узлах свинца.

7. Мессбауэровские спектры дочерних атомов 119тБи в стеклообразном теллу-риде мышьяка отвечают содержанию в образцах состояния олова 119т3и2+ (оно образуются в результате распада материнских атомов 119БЬ1, которые локализованы преимущественно в структурной сетке мышьяка) и 119т3и0 (оно образуется в результате распада материнских атомов 119БЬ2, в подрешетке свинца). Доля центров 119т3и2+ уменьшается с увеличением возрастом источника, что объясняется уменьшением концентрации атомов 119БЬ1 в узлах мышьяка (из-за их распада) и увеличением концентрации атомов 119БЬ2 в узлах теллура (вследствие распада атомов 119тТе1) в процессе установления подвижного равновесия между атомами 119БЬ и 119тТе.

8. Мессбауэровские спектры дочерних атомов 119тБи в стеклообразных образцах сульфида и селенида мышьяка отвечают содержанию в образцах состояния олова 119т3и0 (оно образуется в результате распада материнских атомов

119БЬ1 и 119БЬ2, которые локализованы преимущественно в подрешетке халь-когена) и состояний 119т3п2+ и 119тБп4+, являющихся однократно ионизованными амфотерными двухэлектронными центрами олова с отрицательной корреляционной энергией (они образуются в результате распада материнских атомов 119БЬ1 и 119БЬ2, в подрешетке мышьяка). Концентрация центров 119т3п2+ и 119тБп4+ уменьшается с увеличением возраста источника, что объясняется уменьшением концентрации атомов 119БЬ1 в узлах мышьяка (из-за их распада) и увеличением концентрации атомов 119БЬ2 в узлах халькогена (вследствие распада атомов 119тТе1) в процессе установления подвижного равновесия между атомами 119БЬ и 119тТе.

9. Продемонстрировано, что измерение эмиссионных мессбауэровских спектров 119тБп источника, содержащего смесь материнских изотопов 119БЬ и 119тТе, находящихся в состоянии динамического равновесия, позволяет получить информацию как о месте локализации атомов сурьмы и теллура, так и о валентном состоянии дочерних атомов олова 119тБп в полупроводнике.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Жуков, Николай Николаевич, 2018 год

[1] Marchenko A. Dynamics of the two-electron processes in impurity semiconductors : mossbauer spectroscopy of impurity centers in semiconductors [Текст] / Marchenko A. , Nasredinov F., Seregin P. - Beau Bassin: LAP Lambert Academic Publishing, 2018. - 390 p.

[2] Bordovsky G.A. Mössbauer of negative U centers in semiconductors and superconductors [Текст] / Bordovsky G.A., Seregin P.P., Marchenko A.V. — Deutschland. Saarbrücken: LAP Lambert Academic Publishing, 2012. — 508 p.

[3] Марченко, Алла Валентиновна. Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках [Текст] : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07 / Марченко Алла Валентиновна; [Место защиты: Рос. гос. пед. ун-т им. А. И. Герцена].- Санкт-Петербург, 2012.- 250 с.: ил. РГБ ОД, 71 13-1/157

[4] Seregin N., Marchenko A., Seregin P. Emission Mössbauer spectroscopy. Electron defects and Bose-condensation in crystal lattices of high-temperature supercom-ductors. - Deutschland/Germany. Saarbrücken: LAP Lambert Academic Publishing, 2015. — 325 с.

[5] Марченко А., Серегин П. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия. Пространственное распределение электронных дефектов в высокотемпературных сверхпроводниках. — Deutschland/Germany. Saarbrücken: LAP Lambert Academic Publishing, 2015. — 284 с.

[6] Марченко А., Серегин П. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия. примеси и радиационные дефекты в полупроводниках. — Deutschland/Ger-many. Saarbrücken: LAP Lambert Academic Publishing, 2014. — 192 с.

[7] Бордовский Г.А. Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(GeSe)x [Текст] / Бордовский Г.А. Кастро Р.А., Марченко А.В., Немов С.А.,

Серегин П.П. // Физика и техника полупроводников. — 2007. — Т. 41. — №2 12. — С. 1429-1433.

[8] Бордовский Г.А. Свойства и структура стекол (Лв28е3)1-2 (Бп8е2)2-х(Т12Бе)х И (ЛБ28е3)1-2(8п8е)2-х(Т12 Бе)х [Текст] / Бордовский Г.А., Марченко А.В., Теруков Е.И., Серегин П.П., Лиходеева Т.В. // Физика и техника полупроводников. — 2008. — Т. 42. — № 11. — С. 1353-1356.

[9] Бордовский Г.А. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений [Текст] / Бордовский Г. А., Гладких П.В., Кожокарь М.Ю., Марченко А.В., Серегин П.П., Теруков Е.И. // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44. — № 8. — С. 1012-1016.

[10] Бордовский Г.А. Примесные центры олова в стеклообразных халькогени-дах мышьяка [Текст] / Бордовский Г. А., Дашина А.Ю., Марченко А.В., Серёгин П. П., Теруков Е.И. // Физика и техника полупроводников. — 2011. — Т. 45. — № 6. — С. 801-805.

[11] Бордовский Г.А. Примесные центры, образующиеся в результате ядерных превращений в стеклообразных халькогенидах мышьяка [Текст] / Бордовский Г.А., Марченко А.В., Дашина А.Ю., Серегин П.П. // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. — 2011. — № 141. — С.17-25.

[12] Бордовский Г.А. Ц-центры олова, образующиеся в результате ядерных превращений в стеклообразных сульфидах и селенидах мышьяка [Текст] / Бордовский Г. А., Кожокарь М.Ю., Марченко А.В., Налетко А. С., Серегин П.П. // Физика твердого тела. — 2012. — Т. 54. — № 7. — С. 1276-1280.

[13] Бордовский Г.А. Примесные атомы олова в стеклообразных Лбх81 - х и ЛБхЗе1 - х [Текст] / Бордовский Г. А., Марченко А.В., Серегин П.П., Бобоху-жаев К.У. // Неорганические материалы. — 2014. — Т. 50. — №2 11. — С. 12542260.

[14] Регель А.Р., Серегин П.П. Мессбауэровские исследования примесных атомов в полупроводниках (обзор) [Текст] // Физика и техника полупроводников.

— 1984. — Т. 18. — № 7. — С. 1153-1172.

[15] Насрединов Ф.С. Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца. (обзор) [Текст] / Насрединов Ф.С., Немов С. А., Мастеров В.Ф., Серегин П.П. // Физика твердого тела. — 1999. — Т. 41. — № 11. — С. 1897-1917.

[16] Немов С.А. Статистика электронов в РЬБ с Ц-центрами [Текст] / Немов С. А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. // Физика и техника полупроводников. — 2005. — Т. 39. — № 3. — С. 309-312.

[17] Немов С.А. Энергетические параметры двухэлектронных центров олова в РЬБе [Текст] // Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. // Физика и техника полупроводников. — 2005. — Т. 39. — № 6.

— С. 669-672.

[18] Теруков Е.И. Двухэлектронные центры германия с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца [Текст] / Теруков Е.И., Марченко А.В., Зайцева А.В., Серегин П.П. // Физика и техника полупроводников. — 2007. — Т. 41. — № 12. — С. 1434-1439.

[19] Марченко А.В. Электронный обмен между примесными центрами олова в халькогенидах свинца [Текст] / Марченко А.В., Жилина Д.В., Бобохужаев К.У., Николаева А.В., Теруков Е.И., Серегин П.П. // Физика твердого тела. — 2015. — Т. 57. — № 10. — С. 1928-1933.

[20] Теруков Е.И. Температурная зависимость частоты двухэлектронного обмена между примесными Ц-минус центрами олова в сульфиде свинца [Текст] / Теруков Е.И., Серегин П.П., Марченко А.В. // Письма в Журнал технической физики. — 2014. — Т. 40. — № 5. — С. 22-26.

[21] Марченко А.В. Двухэлектронный обмен между Ц-минус центрами олова в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках [Текст] / Марченко А.В., Николаева А.В., Серегин П.П., Шалденкова А.В.,

Бобохужаев К.У. // Физика и химия стекла. — 2016. — Т. 42. — № 2. — С. 232243.

[22] Бордовский Г.А. Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках (обзор) [Текст] / Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко А.В., Серегин П.П. // Физика и техника полупроводников. — 2012. — Т. 46. — № 1. — С. 3-23.

[23] Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в сульфиде свинца [Текст] / Бордовский Г.А., Марченко А.В., Анисимова Н.И., Зайцева А.В., Серегин П.П. // Физика и химия стекла. — 2013. — Т. 39.

— № 2. — С. 297-307.

[24] Электронный обмен между примесными Ц--центрами олова в твердых растворах РЬ828е1-г [Текст] / Марченко А.В., Теруков Е.И., Серегин П.П., Раснюк А.Н., Киселев В.С. // Физика и техника полупроводников, 2016. — Т. 50, — № 7. — С. 893-899.

[25] Двухэлектронный обмен между нейтральными и ионизованными Ц-ми-нус-центрами олова в халькогенидах свинца [Текст] / Марченко А. В., Бобохужаев К. У., Жаркой А. Б., Николаева А. В., Серегин П. П. // Неорганические материалы. — 2016. — Т. 52. — № 5. — С. 498-504

[26] Двухэлектронный обмен между примесными центрами олова в твердых растворах РЬБ73е1-7 [Текст] / Марченко А. В., Егорова А. Ю., Раснюк Е. Н., Серегин П. П., Шалденкова А. В. // Физика и химия стекла. — 2017. — Т. 43.

— № 1. — С.76-89.

[27] Положение примесных атомов сурьмы в решетке РЬТе, определенное методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии [Текст] / Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С. А., Серегин П.П., Троицкая Н.Н., Бондаревский С.И. // Физика и техника полупроводников. — 1997. — Т. 31. — № 11. — С. 1321-1322.

[28] Антиструктурные дефекты в полупроводниках типа PbTe [Текст] / Мастеров В.Ф., Бондаревский С.И., Насрединов Ф.С., Серегин Н.П., Серегин П.П. // Физика и техника полупроводников. — 1999. — Т. 33. — № 7. — С. 772-773.

[29] Положение примесных атомов сурьмы в решетке PbS, определенное методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sb(119mSn) [Текст] / Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Ермолаев А.В., Бондаревский С.И. // Физика и техника полупроводников. — 1999. — Т. 33. — № 8. — С. 913-915.

[30] Seregin N.P., Seregin P.P., Nemov S.A., Yanvareva A.Y. Antistructural defects in lead chalcogenides. Journal of Physics: Condensed Matter. — 2003. — Т. 15. — № 44. — С. 7591-7597.

[31] Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений [Текст] / Немов С. А., Серегин П.П., Кожа-нова Ю.В., Серегин Н.П. // Физика и техника полупроводников. — 2003. — Т. 37. — № 12. — С. 1414-1419.

[32] Положение примесных атомов мышьяка в решетке PbTe [Текст] / Немов С.А., Серегин П.П., Иркаев С.М., Серегин Н.П. // Физика и техника полупроводников. — 2003. — Т. 37. — № 3. — С. 279-281.

[34] Состояния атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца [Текст] / Бор-довский Г. А., Немов С. А., Марченко А.В., Зайцева А.В., Кожокарь М.Ю., Серегин П.П. // Физика и техника полупроводников. — 2011. — Т. 45. — № 4. — С. 437-440.

[35] Серегин П.П. Физические основы мессбауэровской спектроскопии. — СПб: СПбГПУ, 2002.

[36] Ovchinnikov V.V. Mössbauer analysis of the atomic and magnetic structure of alloys.Cambridge International Science Publishing. Cambridge, UK. — 2006.

[37] Gutlich P., Bill E., and Trautwein A.X. Mossbauer spectroscopy and transition metal chemistry. Fundamentals and applications. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg. — 2011.

[38] Георгобиани А.Н., Шейнкман М.К. Физика соединений AIIbvi. М: Наука, 1986. 320 с.

[39] Равич Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследование полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М. — 1968

[40] Абрикосов Н. X., Шелимова Л. Е., Полупроводниковые материалы на основе соединений А™В^. М. — 1975

[41] Немов С. А., Равич Ю.И. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности (обзор) // Успехи физических наук. — 1998. — Т.168. — № 8. — С. 817-842.

[42] Хужакулов Э.С. Мессбауэровское исследование донорных центров европия в PbS // Физика и техника полупроводников. — 2006. — Т. 40. — № 1. — С.38-40.

[43] Кастро Р.А. Наблюдение электронного обмена между примесными центрами европия в Pb1-xEuxS // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена. Естественные и точные науки (физика, математика, химия, современная техника и технология, естествознание). — 2007. — № 7(26). — С. 51-54.

[44] Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb1-xEuxTe от условий выращивания [Текст] / Пашкеев Д. А., Селиванов Ю.Г., Felder F., Засавицкий И.И. // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44(7). — С. 891-896.

[45] Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / Артамкин А.И., Добровольский А.А., Винокуров, В.П.Зломанов, Гаврилкин С.Ю., Иваненко О.М., Мицен К.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т. 44. — № 12. — С.1591-1595.

[46] Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением [Текст] / Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е. // Физика и техника полупроводников. — 2007. — Т. 41. — № 2. — С.149-153.

[47] Легирующий эффект олова в твердых растворах Pbi-xSnxSe и Pbi-xSnxS [Текст] / Прокофева Л.В., Виноградова М.Н., Зарубо С.В. // Физика и техника проводников. — 1980. — С. 2201-2204.

[48] Вейс А.Н., Суворова Н.А. Особенности процесса дефектообразования в Pbi-xSnxSe (x < 0.06) [Текст] // Физика и техника полупроводников. — 1998. — Т. 32. — № 4. —С. 445-449.

[49] Алексеева Г.Т., Ведерников М.В., Гуриева Е.А., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И. Концентрация дырок и термоэлектрическая эффективность твердых растворов Pbi-xSnxTe(Te) // Физика и техника полупроводников. — 2000, Т.34. — №8. — С. 935-939.

[50] Вейс А.Н. Оптическое поглощение в (Pb0.78Sn0.22)i-x 1^Те // Физика и техника полупроводников. — 2002. — Т.36. — №2. — Ci83-i86.

[51] Andersen O., Peaker A.R., Dobaczewski L., Nielsen K.B., Hourahine B., Jones R., Briddon P.R., Oberg S. Electrical activity of carbon-hydrogen centers in Si // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2002. v. 66. — № 23. art. — № 235205.

[52] Vainonen-Ahlgren E., Ahlgren T., Likonen J., Lehto S., Keinonen J., Li, W., Haapamaa J. dentification of vacancy charge states in diffusion of arsenic in germanium // Applied Physics Letters. — 2000. v. 77. — № 5. pp. 690-692.

[53] Mattausch A., Bockstedte M., Pankratov O. Structure and vibrational spectra of carbon clusters in SiC // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2004. v. 70. — № 23. pp. i-i5.

[54] Mattausch A., Bockstedte M., Pankratov O., Steeds J.W., Furkert S., Hayes J.M., Sullivan W., Wright N.G. Thermally stable carbon-related centers in 6H-SiC: Photoluminescence spectra and microscopic models // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2006. v. 73. — № i6. art. № i6i20i.

[55] Orellana W., Ferraz A.C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs // Applied Physics Letters. — 200i. v. 78. — № 9. pp. i23i-i233.

[56] Gil B., Morel A., Taliercio T., Lefebvre P., Foxon C.T., Harrison I., Winser A.J., Novikov S.V. Carrier relaxation dynamics for As defects in GaN // Applied Physics Letters. — 2001. v. 79. — № 1. pp. 69-71.

[57] Moyzhes B., Geballe T.H., Jeong S., Gitlin D., Karp J. Current through SiÜ2 gate oxide and its low frequency fluctuations: Trapping on charged dangling bonds with negative Hubbard U.//Journal of Applied Physics. — 2005. v.97. — № 7. art. № 074104.

[58] Lee E.-C., Ju H. Mutual deactivation of electrically active F interstitials and Ü vacancies into fluorine-oxygen-vacancy complexes in SiÜ2 // Physical Review B -Condensed Matter and Materials Physics. — 2009. v. 79. — № 19. art. № 193203.

[59] Shen C., Li M.F., Yu H.Y., Wang X.P., Yeo Y.-C., Chan D.S.H., Kwong D.-L. Physical model for frequency-dependent dynamic charge trapping in metal-oxide-semiconductor field effect transistors with HfÜ2 gate dielectric // Applied Physics Letters. — 2005. v. 86. — № 9. art. № 093510.

[60] Frank T., Pensl G., Tena-Zaera R., Zúñiga-Pérez J., Martínez-Tomás C., Muñoz-Sanjosé V., Ohshima T., Meyer B. Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide // Applied Physics A: Materials Science and Processing. — 2007. v. 88. — № 1. pp. 141-145.

[61] Babentsov Y., Franc J., Elhadidy H., Fauler A., Fiederle M., James R.B. Dependence of the Sn0/2+ charge state on the Fermi level in semi-insulating CdTe // Journal of Materials Research. — 2007. v. 22. — № 11. pp. 3249-3254.

[62] Wagner P., Ewels C.P., Suarez-Martinez I., Guiot V., Cox S.F.J., Lord J.S., Briddon P.R. Behavior of hydrogen ions, atoms, and molecules in a-boron studied using density functional calculations // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2011. v. 83. — № 2. art. № 024101.

[63] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Теруков Е.И. Экспериментальное определение пространственного распределения электронных дефектов в решетках La2-xSrxCuÜ4 и Nd2-xCexCuÜ4 // Письма в Журнал технической физики. — 2008. — Т. 34. — № 9. — С. 79-86. (0.2п.л./0.1п.л.)

[64] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Сайфулина А.Н. Двух-электронные центры с отрицательной корреляционной энергией в решетках Ьа2-хЗгхСи04, Ш2-хСехСи04 и УВа2Сщ07-х // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. Естественные и точные науки. — 2008. — № 10(64). — С. 25-37. (0.5п.л./0.3п.л.)

[65] Бордовский Г.А., Теруков Е.И., Марченко А.В., Серегин П.П. Идентификация двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в высокотемпературных сверхпроводниках // Физика твердого тела. — 2009. — Т. 51. — № 11. — С. 2094-2097. (0.2п.л./0.1п.л.)

[66] Бордовский Г. А., Марченко А.В., Серегин П.П. Заряды атомов в керамических образцах УВа2Сщ07, УВа2Сщ08 и У2ВадСш015 // Физика и химия стекла. — 2009. — Т. 35. — № 6. — С. 848-859. (0.45п.л./0.3п.л.)

[67] Бордовский Г.А., Марченко А.В. Определение зарядовых состояний атомов в решетках Т12Ва2Сап-1Сип02п+4 и В123г2Сап-1Сип02п+4 (п = 1, 2, 3) методом мессбауэровской спектроскопии // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. Естественные и точные науки. — 2010. — № 122. — С. 63-73. (0.4п.л./0.3п.л.)

[68] Доронин В.А., Рабчанова Т.Ю., Серегин П.П. Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди решеток высокотемпературных сверхпроводников, изученные методом мёссбауэровской спектроскопии. Изв.Российского государственного педагогического университета им. А.И.Герцена. — 2013. — № 157. — С. 40-49.

[69] Бордовский Г. А., Анисимова Н.И., Марченко А.В., Рабчанова Т.Ю., Серегин П.П., Томильцев Е.А. Сверхтонкие взаимодействия ионов меди в структурах высокотемпературных сверхпроводников [Текст] // Физика и химия стекла. — 2014. — Т. 40. — № 3. — С. 438-446.

[70] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Доронин В.А., Рабчанова Т.Ю., Серегин П. П. Тензор градиента электрического поля в позициях редкоземельных

металлов в решетках RBa2Cu3O7 [Текст] // Физика и химия стекла. — 2014. — Т. 40. — № 4. — С. 575-582.

[71] Shaldenkova A.V., Seregin P.P. Correlations of the 63Cu NMR data with the 67Cu ( 67Zn) and the 61Cu ( 61Ni) emission Mossbauer data for ceramic superconductors. Изв.Российского государственного педагогического университета им. А.И.Герцена. — 2014. — № 168. — С. 10-16.

[72] Nikolaeva A.V., Seregin P.P., Jarkoi A.B. Using the 57 m Fe 3+ Mossbauer probe to determine the EFG tensor parameters in the cooper sites to the lattices of CuO and La 2- x Sr x CuO 4 Изв.Российского государственного педагогического университета им. А.И.Герцена. — 2014. — № 165. — С. 43-52.

[73] Марченко А.В., Николаева А.В., Доронин В.А., Серегин П.П. Пространственная локализация точечных дефектов в La2-xSrxCuO4 [Текст] // Физика и химия стекла. — 2014. — Т. 40. — № 6. — С. 827-836.

[74] Bordovsky G.A., Marchenko A.V., Rabchanova T.Yu., Doronin V.A. Lattice efg tensors at the rare-earth metal sites in RBа2Сu3О7. Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. — 2014. — № 165. — С. 35-43.

[75] Бобохужаев К. У., Марченко А. В., Серегин Н. П., Шалденкова А. В. Атомные заряды в решетках сверхпроводников YBa2Cu3O7 и YBa2Cu4O8. Изв.Российского государственного педагогического университета им. А.И.Герцена. — 2014. — № 168. — С. 28-37.

[76] Bordovsky G.A., Marchenko A.V., Nikolaeva A.V., Seregin P.P., Bobokhu-zhaev K.U. Determination of atom charge states in lattices of superconducting metal oxides of copper by 61Cu(61Ni) and 67Cu(67Zn) emission Mossbauer spectroscopy. Glass Physics and Chemistry, 2015, Vol. 41, No. 2, pp. 237-243

[77] Бордовский Г. А., Теруков Е. И., Марченко А. В., Серегин П. П., Шалденкова А. В. Абсолютные заряды атомов решетки YBa2Cu3O7, полученные методом анализа параметров ядерного квадрупольного взаимодействия.Письма в ЖТФ. — 2017. — Том 43. — № 8. — С. 102-110.

[78] Насрединов Ф.С., Прокофьева Л.В., Серегин П.П. Идентификация нейтрального и ионизованного состояний донорного центра олова и наблюдение двухэлектронного обмена между центрами олова в твердых растворах на основе PbS и PbSe // ЖЭТФ. — i984. — Т. 87. — № 3. — С. 95i-959.

[79] Мастеров В. Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П. Исследование одно- и двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами в полупроводниках методом мессбауэровской спектроскопии // Физика и техника полупроводников. — i996. — Т. 30. — № 5. — С. 884-893.

[80] Горичок И.В. Энтальпия образования дефектов в полупроводниках // ФТТ. — 20i2. — Т. 54. — № 7. — С. i373-i376.

[81] Дембовский С.А., Чечеткина Е.А. Стеклообразование. М.: Наука. — i990. 278 с.

[82] Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. // М. Мир. — i986. 558 с.

[83] Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькоге-нидных системах. // М. Изд. Наука. — i984. i76 с.

[84] Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. // Л. Изд. ЛГУ. — i983. 344 с.

[85] Shpotyuk O., Hyla M., Boyko V. Compositionally-dependent structural variations in glassy chalcogenides: The case of binary As-Se system. Computational Materials Science. — 20i5. ii0, pp. i44-i5i.

[86] Golovchak R., Bureau B., Shpotyuk O., Boyko V., Hyla M. Bond-changing structural rearrangement in glassy As3Se 7 associated with long-term physical aging/ Journal of Non-Crystalline Solids. — 20i3. 377, pp. 43-45.

[87] Kozyukhin S. , Golovchak R., Kovalskiy A., Shpotyuk O., Jain H. Valence band structure of binary chalcogenide vitreous semiconductors by high-resolution XPS // Физика и техника полупроводников. — 20ii. — Т. 45. — № 4. — С.433-436.

[88] Yang G., Bureau B., Rouxel T., Gueguen Y., Gulbiten O., Roiland C., Soignard E., Lucas P. Correlation between structure and physical properties of chalcogenide glasses in the AsxSe1-x system // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2010. v. 82. — № 19. art. № 195206.

[89] Prasad N., Furniss D., Rowe H.L., Miller C.A., Gregory D.H., Seddon A.B. First time microwave synthesis of As40Se60 chalcogenide glass // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2010. v. 356. — № 41-42. pp. 2134-2145.

[90] Golovchak R., Kozdras A., Shpotyuk O. Optical signature of structural relaxation in glassy As10Se90 // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2010. v. 356. — № 23-24. pp. 1149-1152.

[91] Trunov M.L., Lytvyn P.M., Nagy P.M., Dyachyns'Ka O.M. Real-time atomic force microscopy imaging of photoinduced surface deformation in Asx Se100-x chalcogenide films // Applied Physics Letters. — 2010. v. 96. — № 11. art. № 111908.

[92] Taylor P.C., Su T., Hari P., Ahn E., Kleinhammes A., Kuhns P.L., Moulton W.G., Sullivan N.S. Structural and photostructural properties of chalcogenide glasses: Recent results from magnetic resonance measurements // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2003. v. 326-327. pp. 193-198.

[93] Корнева И.П., Синявский Н.Я., Ostafin M., Nogaj B. Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников // Физика и техника полупроводников. — 2006. — Т.40. — № 9. — С. 1120-1122.

[94] Korneva I., Ostafin M., Sinyavsky N., Nogaj B., Mackowiak M. Determination of the electric field gradient asymmetry from 2D nutation NQR spectra of 75As nuclei in oriented samples of As2Se3 semiconductor // Solid State Nuclear Magnetic Resonance. — 2007. v. 31. — № 3. pp. 119-123.

[95] Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A., Vlek M., Bureau B., Kovalskiy A., Jain H. Long-term physical ageing in As-Se glasses with short chalcogen chains // Journal of Physics Condensed Matter. — 2008. v. 20. — № 24. art. № 245101.

[96] Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A. On the reversibility window in binary As-Se glasses // Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics. — 2007. v. 370. — № 5-6. pp. 504-508.

[97] Kozyukhin, S.A., Kupriyanova, T.A., Vargunin, A.I. Molecular structure of Asx Sei00- x glasses studied by x-ray spectroscopy // Inorganic Materials. — 2007. v. 43.

— № 8. pp. 897-900.

[98] Golovchak R., Kovalskiy A., Miller A.C., Jain H., Shpotyuk O. Structure of Serich As-Se glasses by high-resolution x-ray photoelectron spectroscopy // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2007. v. 76. — № i2. art. № i25208.

[99] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П. Смирнова Н.Н., Теруков Е.И. Определение состава стекол и пленок As-Se методом рентгенофлуорес-центного анализа.// Письма в Журнал технической физики. — 2009. — Т. 35.

— № 22. — СЛ5-22.

[100] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Смирнова Н.Н., Теруков Е.И. Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентге-нофлуоресцентного анализа // Физика и техника полупроводников. — 20i0. — Т. 44. — № i. — С. 26-29.

[101] Бордовский В. А., Анисимова Н. И., Марченко А. В., Али Х. М., Серегин П. П. Структура стекол германий-сера, германий-селен и германий-теллур [Текст] // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. — 20i0. — № i35. — С.36-44.

[102] Марченко А.В., Дашина А.Ю., Дземидко И.А., Кожокарь М.Ю. Определение состава халькогенидных стекол и пленок методом рентгенофлуорес-центного анализа [Текст] // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. — 20ii. — № i38. — С. 45-5i.

[103] Бордовский Г. А., Гладких П.В., Еремин И.В., Марченко А.В., Серегин П. П., Смирнова Н. Н., Теруков Е. И. Рентгенофлуоресцентный анализ

халькогенидных стекол As-Ge-Se [Текст] // Письма в Журнал технической физики. — 2011. — Т. 37. — № 6. — С. 15-20.

[104] Марченко А. В. Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках [Текст] : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07 / Марченко Алла Валентиновна; [Место защиты: Рос. гос. пед. ун-т им. А. И. Герцена].- Санкт-Петербург, 2012.- 250 с.: ил. РГБ ОД, 71 131/157

[105] Алексеева Анна Юрьевна. Микроскопические параметры двухэлектрон-ных центров олова в халькогенидах свинца [Текст] : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Алексеева Анна Юрьевна; [Место защиты: Рос. гос. пед. ун-т им. А.И. Герцена]. - Санкт-Петербург, 2008. - 121 с. : ил. РГБ ОД, 61:08-1/85

[106] Кожокарь, Михаил Юрьевич. Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и стеклообразных халь-когенидных полупроводниках [Текст] : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Кожокарь Михаил Юрьевич; [Место защиты: Рос. гос. пед. ун-т им. А.И. Герцена].- Санкт-Петербург, 2013.- 139 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/795

[107] Дашина, Алёна Юрьевна. Идентификация и--центров олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка методом мессбауэровской спектроскопии [Текст] : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Дашина Алена Юрьевна; [Место защиты: Рос. гос. пед. ун-т им. А.И. Герцена].- Санкт-Петербург, 2012. — 153 с.

[108] Дземидко, Игорь Альфредович. Валентные состояния олова и физико-химические свойства оловосодержащих халькогенидных стекол на основе се-ленида мышьяка [Текст] : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Дземидко Игорь Альфредович; [Место защиты: Рос. гос. пед. ун-т им. А.И. Герцена].- Санкт-Петербург, 2012.- 144 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/25

[109] Шалденкова Анна Владимировна. Электронный обмен между примесными центрами олова в халькогенидах свинца, изученный методом мессбауэ-ровской спектроскопии [Текст] : диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 0i.04.07 / Шалденкова Анна Владимировна;[Место защиты: ФГБОУ ВО Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена], 20i7.- i30 с.

[110] Ambe F., S. Ambe, H. Shoji, and N. Saito. Mossbauer emission spectra of ii9Sn after the EC decay of ii9Sb in metals, oxides, and chalcogenides of antimony and tellurium. J. Chem. Phys. — i974. — V. 60. — P. 3773-3778.

[111] Ambe F., and Ambe S. Mossbauer emission studies of defect ii9Sn, ii9Sb, and ii9mTe atoms after nuclear decays and reactions in SnSb, SnTe, and Sb2Te3. J. Chem. Phys. — i980. — V. 73. — P. 2029-2036.

[112] Ambe F., and Ambe S. A site distribution study of dilute ii9Sb and ii9mTe on solidification of SnTe and SnSb by Mossbauer emission spectroscopy of ii9Sn. J. Chem. Phys. — i98i. — V. 75. — P. 2463-2465.

[113] Состояния атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца [Текст] / Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко А.В., Зайцева А.В., Кожокарь М.Ю., Серегин П.П. // Физика и техника полупроводников. — 20ii. — Т. 45. — № 4. — С. 437-440.

[114] Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в сульфиде свинца [Текст] / Бордовский Г. А., Марченко А.В., Анисимова Н.И., Зайцева А.В., Серегин П.П. // Физика и химия стекла. — 20i3. — Т. 39. — № 2. — С. 297-307.

[115] Бекман И. Н. Радиохимия. Том i. Радиоактивность и радиация. — М.: Онтопринт, 20ii. — 398 с.

[116] Watkins G. D. Negative-U properties for defects in solids // Festkoer-perprobleme. — i984. — V. 24. — № i. — P. i63-i89.

[117] Alexandrov A.S., Mott N.F. Bipolarons // Rep. Prog. Phys. 57. ii97 (i994).

[118] Simanek E. Superconductivity at disordered interfaces // Solid State Communications. — 1979. — V. 32. — № 9. — P.731-734.

[119] Asayama, K., Kitaoka, Y., Zheng, G.-Q., Ishida, K., Magishi, K. NMR study of high-TC superconductors // Physica B: Condensed Matter. — 1996. — V. 223224. — № 1-4. pp. 478-483.

[120] Shaked H., Keane P. M., Rodriguez J. C., Owen F. F., Hitterman R. L., Jorgensen J. D. Crystal Structures of the High-Tc Superconducting Copper-Oxides. Elsevier Science. Amsterdam. — 1994.

[121] Определение состава стекол и пленок As-Se методом рентгенофлуорес-центного анализа / Бордовский Г. А., Марченко А.В., Серегин П.П., Смирнова Н.Н., Теруков Е.И. // Письма в Журнал технической физики. — 2009. — Т. 35.

— С. 15-22.

[122] Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентге-нофлуоресцентного анализа [Текст] / Бордовский Г. А., Марченко А.В., Серегин П.П., Смирнова Н.Н., Теруков Е.И. // Физика и техника полупроводников.

— 2010. — Т. 44. — С. 26-29.

[123] Определение количественного состава стекол и пленок As—Se и Ge—Se методом рентгенофлуоресцентного анализа [Текст] / Бордовский В.А., Марченко А.В., Насрединов Ф.С., Кожокарь М.Ю., Серегин П.П. // Физика и химия стекла. — 2010. — Т. 36. — С. 504-509.

[124] Рентгенофлуоресцентный анализ халькогенидных стекол As-Ge-Se / Бордовский Г. А., Гладких П. В., Еремин И. В., Марченко А. В., Серегин П. П., Смирнова Н.Н., Теруков Е.И. // Письма в Журнал технической физики. — 2011. — Т. 37. — С. 15-20.

[125] Определение состава многокомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников методом рентгенофлуоресцентного анализа [Текст] / Бордовский Г. А., Марченко А. В., Кожокарь М. Ю., Насрединов Ф. С., Серегин П.П. // Физика и химия стекла. — 2013. — Т. 39. — С. 545-552.

[126] Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлуоресцентного анализа [Текст] / Бордовский Г. А., Марченко А.В., Николаева А.В., Серегин П.П., Теруков Е.И. // Физика и техника полупроводников. — 2014. — Т. 48. — С. 272-277.

[127] Блохин М. А., Швейцер И. Г. Рентгеноспектральный справочник. — М.: Наука, 1982. — 376 с.

[128] Вайнштейн Л. А., Собельман И.И., Юков Е.А. Возбуждение атомов и уширение спектральных линий. М. Наука. — 1979. — 318 с.

[129] Практикум для студентов физических специальностей «Определение из первых принципов зарядов атомов в решетках высокотемпературных сверхпроводников» [Текст] / А.В. Марченко, Г. А. Бордовский, Н.Н. Жуков, В. С. Киселев, П.П. Серегин, А.В. Шалденкова // Труды XIV Международной конференции «Физика в системе современного образования. ФССО-2017. — Ростов-на-Дону. — 2017. — С. 78-80.

[130] Лабораторный практикум «Двухэлектронный обмен между примесными центрами в полупроводниках» [Текст] / П. П. Серегин, Г. А. Бордовский, А. В. Марченко, В. С. Киселев, А. В. Шалденкова, Н. Н. Жуков // Труды XIV Международной конференции «Физика в системе современного образования. ФССО-2017. — Ростов-на-Дону. — 2017. — С. 93-95.

Список публикаций автора по диссертационной работе Жуков Н. Н. Радиоактивное равновесие изотопов 119тТе/1198Ь и мессбау-эровские спектры примесных атомов 119т8п в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках [Текст] / А. В. Марченко, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, Н. Н. Жуков // Физика и химия стекла. — 2017. — Т. 43. — № 6. — С. 572-582 (0.69 п.л./0.55 п.л.) = 1,042) [2] Жуков Н. Н. Структура мессбауэровских спектров примесных атомов 119т8п в халькогенидах свинца в условиях радиоактивного равновесия изотопов 119тТе/1198Ь [Текст] / Е. И. Теруков, А. В. Марченко, П. П.

Серегин, Н. Н. Жуков // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 6. (июнь)— 05.2018. — С. 560-564 (0.28 п.л./0.22 п.л.) (IF = 0,966)

[3] Жуков Н. Н. Эмиссионные мёссбауэровские спектры дочерних атомов олова, измеренные в условиях подвижного радиоактивного равновесия материнских изотопов теллура с дочерними изотопами сурьмы [Текст] / Н. Н. Жуков, А. В. Марченко, К. Б. Шахович // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. — 2018. — Т. 11. — № 1. (май) — 03.2018. — С. 34-43 (0.62 п.л./0.48 п.л.) (IF = 0,073)

[4] Жуков Н. Н. Радиоактивное равновесие изотопов 119mTe/119Sb и структура мессбауэровских спектров примесных атомов 119mSn в стеклообразных халькогенидах мышьяка [Текст] / А. В. Марченко, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, Н. Н. Жуков, А. В. Шалденкова // Труды Международной конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики. Секция I». Узбекистан. Ташкент. — 2017. — С. 32-35. (0.13 п.л./0.07 п.л.)

[5] Zhukov N. Two-electron exchange between impurity centers of tin in PbSzSe1-z solid solutions [Текст]/ P. Seregin, A. Marchenko, N. Zhukov, A. Shaldenkova, K. Bobokhuzhaev // Труды Международной конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики. Секция II». Узбекистан. Ташкент. — 2017. — C. 8-14. (0.15 п.л./0.08 п.л.)

[6] Zhukov N. N. Correlations Of The 63Cu NMR Data With The 67Cu(67Zn) Emission Mossbauer Data For Lattices Of Superconducting Metal Oxides Of Copper [Текст] / G. A. Bordovsky, N. P. Seregin, V. S. Kiselev, Zhukov N. N. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017): Материалы XIV Международной конференции, Санкт-Петербург, 29 мая - 2 июня 2017 г. — T. 1. — СПб.: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2017. — 348 с. — С. 273-275. (0.13 п.л./0.08 п.л.)

[7] Zhukov N. N. Correlations of the 67Cu(67Zn) EMS data with the 61Cu(61Ni) EMS data for ceramic superconductors [Текст] / G. A. Bordovsky, N. P. Seregin, Zhukov N. N. // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017): Материалы XIV Международной конференции, Санкт-Петербург, 29 мая - 2 июня 2017 г. — T. 1. —

СПб.: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 20i7. — 348 с. — С. 276-278. (0.i3 п.л./0.08 п.л.)

[8] Жуков Н.Н. Определение ab initio эффективных зарядов атомов в решетке Yba2Cu3O7 [Текст] / А. В. Марченко, Ф. С. Насрединов, А. В. Шалденкова, Н. Н. Жуков, В. С. Киселев // Физика диэлектриков (Диэлектрики-20!7): Материалы XIV Международной конференции, Санкт-Петербург, 29 мая - 2 июня 20i7 г. — T. i. — СПб.: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 20i7. — 348 с. — С. 3ii-3i3. (0.i3 п.л./0.08 п.л.)