Лазерная генерация на кристаллах LiYxLu1-xF4:RE (RE=Ce, Yb; x=0..1) с применением принципов управления фотодинамическими процессами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат наук Нуртдинова, Лариса Альвертовна

  • Нуртдинова, Лариса Альвертовна
  • кандидат науккандидат наук
  • 2015, Казань
  • Специальность ВАК РФ01.04.05
  • Количество страниц 192
Нуртдинова, Лариса Альвертовна. Лазерная генерация на кристаллах LiYxLu1-xF4:RE (RE=Ce, Yb; x=0..1) с применением принципов управления фотодинамическими процессами: дис. кандидат наук: 01.04.05 - Оптика. Казань. 2015. 192 с.

Оглавление диссертации кандидат наук Нуртдинова, Лариса Альвертовна

Введение

Основные положения, выносимые на защиту

Глава 1 Обзор

1.1 Процессы поглощения из возбужденных состояний РЗИ в активных средах

1.2 Центры окраски в кристаллах 1ЛУР4 и ЫЬиЕ)

1.3 Лазерная генерация на кристаллах ГлУР^Се и 1лЬиР4:Се

1.4 Ширина запрещенной зоны в кристаллах ЫУР^, 1лЬиР4

1.5 Модель фотодинамических процессов в активных средах в условиях интенсивного УФ возбуждения

Глава 2 Спектрально-кинетические характеристики смешанных кристаллов

44-

1лУх1л11_хГ4, активированных ионами Се

2.1 Образцы для исследований

2.2 Кристаллохимические характеристики объектов исследования

2.3 Техника эксперимента

2.4 Спектрально-кинетические характеристики кристаллов

2.4.1 Спектры поглощения и люминесценции в кристаллах

2.4.2 ЫУхЬи, _х1ч4з активированных ионами Се3+

2.4.3 Спектры возбуждения люминесценции в кристаллах 1лУхЬи1_хР4, активированных ионами Се3+

2.4.4 Спектры возбуждения и кинетики люминесценции в кристаллах

2.4.5 ЫУхЬи^хР,), активированных ионами Се3+, при синхротронном возбуждении

2.5 Результаты и выводы

Глава 3 Исследования фотодинамических процессов в кристаллах

Ь1УхЬи1.хГ4:Се при помощи измерений фотопроводимости

3.1 Техника эксперимента

3.1.6 Традиционная методика

3.1.7 Микроволновая методика

3.2 Образцы для исследований

3.3 Результаты измерений фотопроводимости, полученные при помощи традиционной методики

3.3.1 Спектры фотопроводимости кристаллов 1лУхЬи1_хР4:Се при одноступенчатом возбуждении

3.3.2 Спектры фотопроводимости кристаллов LiYxLui.xF4:Ce при двухступенчатом

возбуждении

3.4 Результаты измерений фотопроводимости кристаллов

LiYxLui_xF4:Ce полученные при помощи микроволновой методики при одноступенчатом возбуждении

3.5 Результаты и выводы

Глава 4 Лазерные эксперименты в кристаллах LiYxLu1.xF4:RE

4.1 Образцы для исследований

4.2 Техника эксперимента

4.3 Лазерная генерация в образцах с низкой концентрацией примесных ионов. Учет насыщения поглощения излучения накачки

4.4 Лазерная генерация в образцах с высокой концентрацией примесных ионов

4.4.3 Лазерная генерация на смешанном кристалле LiY0.4Lu0.6F4:Ce,Yb

4.4.4 Получение лазерной генерации на кристаллах LiLuF4:Ce, LiY0.3Lu0.7F4:Ce и LiYo.3Luo.7F4:Ce,Yb

4.4.5 Лазерная генерация на кристалле LiY0.5Luo.5F4:Ce

4.5 Лазерная генерация при охлаждении активного элемента

4.6 Лазерная генерация при подсветке активного элемента лазерным излучением с длиной волны, отличной от длины волны накачки

4.7 Лазерная генерация при изменении частоты следования импульсов накачки

4.8 Результаты и выводы

Заключение

Заключительное слово автора

Условные обозначения

Публикации автора по теме диссертации

Список литературы

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Оптика», 01.04.05 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Лазерная генерация на кристаллах LiYxLu1-xF4:RE (RE=Ce, Yb; x=0..1) с применением принципов управления фотодинамическими процессами»

Введение

Актуальность темы исследования

Ультрафиолетовые (УФ) лазеры сегодня являются важным инструментом во многих областях науки и техники. Наиболее востребованные применения включают мониторинг окружающей среды (в составе лидаров [1,2]), диагностика процессов горения в двигателях внутреннего сгорания [3], производство полупроводниковых приборов [4], прецизионная обработка материалов [5], оптическая связь [6], фотолитография [7], а также в медицина (в дерматологии [8], косметологии [9,10], глазной хирургии [11]) и биология [12]. Существует ряд способов получения перестраиваемой лазерной генерации в УФ диапазоне спектра, например, нелинейное преобразование частоты лазеров других диапазонов спектра или использование параметрических генераторов света. Однако использование твердотельных лазеров, которые могли бы напрямую генерировать когерентное излучение в УФ диапазоне, становится заманчивой альтернативой существующим источникам УФ излучения благодаря простоте, долговечности и малым габаритам таких приборов, не говоря уже о возможности наращивать выходную мощность за счет дополнительных каскадов усиления.

Поиск активных сред УФ диапазона спектра на основе оптических переходов примесных ионов в настоящее время ограничивается широкозонными диэлектрическими кристаллами. При активации таких кристаллов вероятность прямой ионизации примесных ионов УФ излучением мала вследствие большой ширины запрещенной зоны кристаллической матрицы (порядка 10 эВ или 80 ООО см"1) и такой локализации энергетических уровней примеси в запрещенной зоне, что энергии кванта УФ накачки недостаточно, чтобы перекрыть энергетический зазор между основным состоянием примеси и дном зоны проводимости. Также проблему стабильности оптических материалов по отношению к УФ излучению решают повышением химической чистоты и уменьшением числа дефектов в лазерных кристаллах. В качестве активаторных ионов для таких сред используют ионы редкоземельного ряда (РЗИ), среди которых наиболее простой схемой энергетических состояний обладает ион Се3+. Лазеры на основе церий-

активированных фторидных кристаллов генерируют излучение с перестройкой длины волны в области 280-340 нм.

Однако первые попытки получения лазерной генерации на межконфигурационных 41р-5с1 переходах трехвалентных ионов церия во фторидных кристаллах были гораздо менее успешными [13-16]. До 1992 года только на двух церий-активированных активных средах была получена лазерная генерация в УФ области спектра: на кристаллах ЫУР^Се (УЬР:Се) и ЬаР3:Се [17,18]. Такое положение вещей связано с совокупным действием двух паразитных процессов, возникающих под действием УФ излучения накачки: поглощением из возбужденных состояний (ПВС) иона-активатора, сопровождающимся быстрой (субпикосекундной [19,20]) ионизацией примесного центра или, иначе говоря, термализацией электрона (далее такой процесс будет коротко называться фотоионизацией примеси), и поглощением образовавшихся в результате захвата высвобожденных носителей заряда дефектами кристаллической решетки центров окраски (ЦО). Свойства ЦО в этих активных средах таковы, что они могут и создаваться, и обесцвечиваться как излучением накачки, так и лазерной генерации [16,21,22], что неизбежно приводит к потерям в обоих каналах. Эти два процесса - ПВС и поглощение ЦО - являются основными факторами ухудшения лазерных характеристик среды и зачастую приводят к невозможности получения лазерной генерации. Такие процессы называются фотодинамическими (ФДП) [23].

о I 1 I

На сегодняшний день кристаллы 1лСаА1Рб:Се (1ЛСАР:Се) и 1л8гАШ6:Се (Ы8АР:Се) [24-28] являются одними из немногих активных сред, на которых наблюдается стабильная лазерная генерация, перестраиваемая в широком диапазоне длин волн (280-310 нм) в УФ области спектра.

Ранее был предложен кристаллохимический подход [29] повышения стабильности оптических свойств активных сред по отношению к УФ излучению накачки, который позволяет реализовать потенциал спектральных и энергетических характеристик активных сред на основе других кристаллов. Суть кристаллохимического подхода заключается в организации дополнительных

каналов рекомбинации для фотоиндуцированных свободных носителей заряда, конкурирующих с их захватом дефектами кристаллической решетки (образованием ЦО). При этом вариация химического состава твердых растворов

I

LiY1.xLuxF4-.Ce приводит к взаимному смещению полос 5с1-4£-

люминесценции ионов Се и полос поглощения ЦО. Кроме того, при возрастании концентрации ионов Lu в этих соединениях интенсивность полос ЦО уменьшается [30], что свидетельствует о более высокой фотохимической стабильности Lu-coдepжaщиx материалов. За счет этих двух факторов удается уменьшить потери в области частот вынужденного излучения на 5с1-4Г переходах

п 1

ионов Се в этих кристаллах и реализовать более широкую полосу усиления УФ-излучения [31,32,А8]. Таким образом, изменение химического состава кристаллов активных сред открывает возможность направленного изменения как спектрально-кинетических характеристик примесных ионов, так и параметров наведенных излучением накачки потерь, а также улучшения энергетических и спектральных характеристик лазеров на их основе.

Кроме того известно, что динамическое равновесие процессов образования и разрушения ЦО можно смещать в ту или иную сторону за счет подбора внешних условий. Так, был обнаружен максимум дифференциального КПД лазерной генерации на кристалле LiLuF4:Ce3+ при температуре активной среды 273 К, что соответствовало такому распределению населенностей на состояниях ЦО, при котором поглощение в области длин волн лазерной генерации оказывалось минимальным [33]. Также было продемонстрировано улучшение энергетических характеристик лазера на основе кристалла LISAF:Ce при дополнительном облучении активной среды излучением с длиной волны 532 нм [27], в результате которого ЦО разрушались, уменьшая потери в канале лазерной генерации. Таким обесцвечивающим излучением может также являться и вынужденное излучение самой активной среды [28]. В этом заключается фотофизический подход управления фотодинамическими процессами. В результате такого воздействия величина коэффициента усиления активной среды

будет зависеть как от интенсивности излучения накачки, так и от интенсивности вынужденного излучения в активной среде.

Таким образом, использование комбинации кристаллохимического (изменение химического состава активной среды) и физического подходов (дополнительное излучение, изменение температуры) представляется весьма перспективным при создании новых активных сред лазеров УФ диапазона, а также позволит расширить и углубить объем фундаментального научного знания в этой области.

Учитывая, что проблемами создания новых твердотельных активных сред УФ диапазона в силу сложности их решения и, в то же время, острой практической необходимости в эффективных перестраиваемых лазерных УФ источников занимаются ведущие научные центры мира (RIKEN (Япония), Livermore Research Lab (США), Oxford University (Англия) и несколько аффилиированных с ними университетов), а успешных работ в этой области не так уж много, уже сам факт получения перестраиваемой УФ лазерной генерации на новой активной среде является достижением, находящемся на переднем крае мировой науки. Оригинальность предлагаемого в настоящем исследовании подхода заключается в комплексном применении кристаллохимических и физических методик улучшения характеристик УФ лазерной генерации, основанного на понимании ФДП, происходящих в активных средах в условиях накачки и лазерной генерации. Поскольку такой комплексный подход до сих пор не использовался в мировой практике, полученные результаты будут новыми, а решенные задачи иметь как прикладное (новая эффективная твердотельная УФ активная среда, новый прибор квантовой электроники), так и фундаментальное (установление ключевых параметров и особенностей ФДП в УФ активных средах и разработка методов управления ими) значение. Целью диссертационной работы

являлось создание новой эффективной твердотельной активной среды квантовой электроники УФ диапазона спектра на основе фторидных кристаллических материалов со структурой шеелита, активированных ионами Се , с применением

принципов управления фотоиндуцированными процессами в этих активных средах.

Основные задачи

1. Комплексное исследование фотодинамических процессов в

■7 I

кристаллах ЬУЪР:11Е (ИЕ = Се, УЬ) методами оптической, лазерной спектроскопии и фотопроводимости.

2. Определение ключевых параметров фотодинамических процессов, обуславливающих потери в кристаллических активных средах УФ диапазона.

3. Исследование зависимостей параметров лазерной генерации от внешних физических факторов (дополнительного оптического излучения, температуры активного элемента, частоты следования импульсов накачки) и химического состава образцов.

4. Установление оптимальных химического состава и условий получения лазерной генерации для активной среды ЬУЫ^ЛЕ (КЕ = Се, УЬ).

5. Построение наиболее полной модели фото динамических процессов в системе «кристаллическая матрица - приместой ион» в активной среде ЬУЪР:ЮЗ (КЕ = Се, УЬ).

Научная новизна

1. Впервые проведены комплексные исследования фотодинамических процессов в кристаллах состава ЬУЪР:11Е (ИЕ = Се, УЬ) методами оптической, лазерной спектроскопии и фотопроводимости; определены спектральные характеристики и величины основных параметров фотодинамических процессов в этих средах; установлена природа перехода из возбужденного состояния ионов Се3+; определено положение основного состояния ионов Се3+ относительно дна зоны проводимости в кристаллах состава ЬУРЛ^Се (х = 0..1); построена наиболее полная модель фотодинамических процессов в этих активных средах.

2. Впервые выявлен оптимальный химический состав лазерной среды и установлены оптимальные условия получения лазерной генерации для активной среды ЬУЫ^ЯЕ (ИЕ = Се, УЬ)

3. Впервые проведены эксперименты по исследованию влияния на лазерные характеристики активной среды ЬУЪР:ЯЕ (ЯЕ = Се, УЬ) частоты следования импульсов накачки, химического состава образцов, температуры активного элемента и применения дополнительной подкачки активного элемента излучением с длиной волны, обесцвечивающей и наводящей ЦО в активной среде; установлена возможность управления эффективностью лазерной генерации при использовании внешних воздействий (температура, подсветка, химический состав активного элемента) за счет смещения равновесия между различными фотодинамическими процессами в активной среде. Научная и практическая значимость

1 I О |

Установлен оптимальный диапазон концентраций ионов У /Ьи , а также установлены оптимальные условия накачки в активной среде ЬУЪР:ЯЕ (КБ = Се, УЬ), при которых реализуются максимальные для данной активной среды дифференциальный КПД лазерной генерации и ширина полосы перестройки лазерного излучения. Разработанный комплексный подход исследования фотодинамических процессов, сочетающий методы оптической, лазерной спектроскопии и фотопроводимости, позволяет построить наиболее полную на сегодняшний день модель фотодинамических процессов в активной среде, оценить ее перспективность и установить оптимальные условия ее возбуждения. Подтверждены и продемонстрированы возможности использования фотофизического подхода для управления фотодинамическими процессами в активных средах, которые могут быть применены в различных устройствах квантовой электроники (лазерный элемент, оптический затвор, насыщающийся поглотитель и т.д.)

Основные положения, выносимые на защиту

1. Фотопроводимость, возникающая при облучении кристаллов фторидов со структурой шеелита ЬУТЛ7, активированных ионами Се3+, в диапазоне длин волн 240-300 нм с максимумом вблизи 270 нм, обусловлена процессами ПВС в результате 5<^-6б переходов ионов Се .

2. Оптимальными условиями возбуждения лазерной генерации на 5d-4f переходах ионов Се3+ в кристаллах фторидов со структурой шеелита состава LYLF, соответствующими наименьшей вероятности фотоионизации ионов Се , являются тс-поляризованное излучение накачки с длиной волны более 290 нм.

3. Кристалл LiYxLui.xF4:Ce,Yb (х=0.5-0.3, концентрация ионов Се3+ 0.3-1 ат.%) является эффективной активной средой лазера УФ диапазона спектра на основе 5d-4f переходов ионов Се3+.

4. Изменение температуры и применение дополнительной подсветки активного элемента лазерным излучением в полосы поглощения из

о I

возбужденного состояния ионов Се либо в полосы поглощения ЦО за счет смещения равновесия процессов образования и разрушения ЦО позволяет обратимым образом изменять дифференциальный КПД и диапазон перестройки длины волны лазерной генерации. Достоверность результатов

обеспечивалась воспроизводимостью экспериментальных данных, получаемых на образцах различного происхождения (цикл роста, качество обработки), а также применением зарекомендовавших себя экспериментальных методик, использованием современного поверенного оборудования и измерительных приборов. Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих международных и всероссийских конференциях и симпозиумах: XI, XVI и XVII всероссийская молодежная научная школа "Когерентная оптика и оптическая спектроскопия"(Казань 2006, 2008 и 2013); International Conference on Excited States of Transition Elements (ESTE 2010), Wroclaw & Piechowice, Poland 04 - 09 September 2010; 11th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials (EURODIM 2010), Pecs, Hungary 02-16 July, 2010; XV International Feofilov symposium on spectroscopy of crystals activated by rare-earth and transition metal ions, Kazan, Russia, Sep. 16-20, 2013; 18th International

Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'13), Fuzhou, China, August 4-9, 2013; 17th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL2014), Wroclaw, Poland, 13-18 July, 2014. Публикации

Основные результаты работы опубликованы в девяти статьях в рецензируемых научных журналах [А1-А9]. Из них семь публикации в международных журналах [А1,АЗ-А6,А8,А9], одна публикация в российском журнале [А2], входящем в перечень научных изданий ВАК, и одна публикация в международном электронном журнале [А7]. Результаты работы также отражены в тезисах конференций [А10-А26]. Личный вклад автора.

Активное участие в постановке задач и планировании экспериментов, подготовке образцов для исследований, анализе экспериментальных данных и формулировке результатов и выводов. Непосредственно автором проведены все экспериментальные работы, за исключением регистрации спектров возбуждения и кинетик люминесценции образцов при синхротронном возбуждении, написаны компьютерные программы для проведения численных расчетов и моделирования фотодинамических процессов в исследуемых активных средах, проведены расчеты, анализ экспериментальных данных, написаны статьи. Все кристаллы, исследовавшиеся в работе, выращены Кораблевой С.Л., образцы кристаллов для лазерных экспериментов подготовлены Марисовым М.А. Низамутдиновым A.C. была оказана консультативная помощь в написании программ для проведения численных расчетов, а также в обсуждении результатов, получаемых в результате проведенных экспериментов и численного моделирования. Постановка задач осуществлялась Семашко В.В. Структура диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка сокращений, списка публикаций автора и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 192 страниц, включая 67 рисунков и 1 таблицу. Список литературы содержит 190 наименований.

В первой главе приводится обзор литературных данных по фотодинамическим процессам и лазерной генерации в церий-активированных УФ активных средах. Во второй главе излагаются результаты спектрально-кинетических исследований кристаллов ЬУЪР:Се. Третья глава диссертации посвящена измерениям фотопроводимости в кристаллах ЬУЪР:Се,УЪ, а также результатам расчетов параметров ФДП. В четвертой главе приведены результаты лазерных экспериментов в активной среде ЫУхЬ]_хр4:Се(1 ат.%),УЬ( 1 ат.%) (х=0, 0.3).

Диссертационная работа выполнена в лаборатории магнитной радиоспектроскопии и квантовой электроники им. С.А. Альтшулера при кафедре квантовой электроники и радиоспектроскопии института физики Казанского федерального университета и в лаборатории физико-химических процессов в люминесцентных материалах университета Лион-1 им. Клода-Бернара (Лион, Франция). Исследования были частично поддержаны госконтрактами ФЦП в 2009-2011 и 2011-2013 гг., а также грантами РФФИ № 12-02-97046-р_поволжье_а и №12-02-31578-мол а.

Глава 1 Обзор

1.1 Процессы поглощения из возбужденных состояний РЗИ в активных

средах

Когда населенность возбужденного состояния системы значительна, становится возможным индуцировать оптические переходы из этого возбужденного состояния. В зависимости от длины волны внешнего излучения и от схемы энергетических уровней системы, это могут быть переходы не только связанные с вынужденным излучением, но и с поглощением света. Исследования такого поглощения из возбужденных состояний (ПВС) примесных ионов позволяют получить важные характеристики вышележащих уровней системы, которые невозможно получить из исследований поглощения из основного состояния (ПОС). Кроме того, если спектр ПВС перекрывается со спектром люминесценции иона-активатора, ПВС является одним из основных механизмов потерь в твердотельных лазерных средах. Это особенно критично в материалах, характеризующихся колебательно-уширенными полосами в спектрах люминесцеции и поглощения, используемых в качестве активных сред перестраиваемых лазеров. В таких материалах ПВС может негативно сказываться на их лазерных характеристиках, вызывая снижение коэффициента усиления и сужение диапазона перестройки лазерной генерации.

Традиционно спектроскопия ПВС в активных средах представляет собой нелинейную спектроскопию с использованием сильных световых полей. Эта методика не только дополняет и расширяет возможности традиционной спектроскопии ПОС, но и открывает новые возможности исследования в спектроскопии активированных материалов. В основе спектроскопии ПВС примесных центров лежит заселение некоторого (обычно метастабильного) состояния при помощи оптической накачки с энергией Е » кТ, которое в нормальных условиях не заселено. Затем регистрируется и анализируется спектр поглощения из этого состояния (наведенное поглощение). Таким образом, появляется возможность исследовать переходы на состояния, которые были

запрещены правилами отбора для спектроскопии ПОС, так как запрет может быть частично или полностью снят для возбужденных состояний. Спектроскопия ПВС позволяет наблюдать высокоэнергетичные состояния примесных ионов, которые в спектре ПОС перекрываются с фундаментальным поглощением кристаллической решетки. Наконец, эта методика позволяет наблюдать полосы поглощения, связанные с переносом заряда между примесным ионом и близлежащими лигандами, что особенно важно с точки зрения соотнесения энергетических спектров примесных центров и матрицы-основы. Применение спектроскопии ПВС к поиску новых лазерных материалов весьма успешно, так как позволяет исследовать наведенное поглощение вблизи лазерного перехода, а также кинетику населенностей возбужденных состояний и другие важные характеристики.

Однако зачастую интерпретация получаемых с помощью этого метода результатов затрудняется наложением спектральных особенностей различных процессов друг на друга (полос с переносом заряда, фундаментального поглощения и т.д.). В этой связи получение представления о взаимном расположении и взаимодействии энергетических состояний примесных ионов с энергетическими зонами кристаллической матрицы помогло бы разобраться, как эти процессы влияют на люминесцентные свойства исследуемых объектов [34]. К примеру, перенос заряда между примесными РЗИ и кристаллической решеткой приводит к появлению широких полос поглощения в видимой и УФ области спектра, а также способствует образованию ЦО. Поскольку эффективность перехода с переносом заряда зависит от степени пространственного перекрывания начального и конечного состояний этого перехода, можно ожидать появления дополнительной полосы в спектре ПВС, даже если спектры ПОС не демонстрируют никаких спектральных особенностей, связанных с этим процессом. Состояния ионов кристаллической решетки, образующие энергетические зоны, также могут оказывать влияние на локализованные переходы примесных центров, вызывая уширение и возрастание вероятности запрещенных переходов посредством гибридизации, а взаимодействуя с №

электронами РЗИ, обуславливают возможности для процессов передачи энергии, безызлучательной релаксации и нелинейных оптических эффектов. Такие процессы представляют фундаментальный интерес хотя бы потому, что являются результатом взаимодействия между двумя противоположностями: крайне локализованными и сильно коррелированными 4f электронами РЗИ и делокализованными объединенными в энергетические зоны состояниями кристаллической матрицы.

Одним из предпочтительных методов исследования, позволяющим определять энергии фотоионизации примесного иона по порогу фотопроводимости, является техника фотопроводимости. Традиционно эта техника применяется в физике полупроводников, однако сходный подход можно применить и к исследованию процессов в диэлектрических кристаллах. Основным преимуществом метода фотопроводимости является то, что вклад в сигнал фотопроводимости дают только те электроны, которые попали в зону проводимости в результате двухступенчатого поглощения квантов накачки примесными ионами и последующей их ионизации, а значит, только те электроны, которые дают вклад в ФДП. А применение численного моделирования ФДП на основе модели, учитывающей наиболее значимые в данной системе варианты развития событий, позволит не только получить общее представление о системе, но и определить значения конкретных физических параметров ее характеризующих, а также понять и корректно описать основные механизмы поведения активной среды под действием УФ возбуждения. Дополнив результаты измерений фотопроводимости спектрами ПОС, возбуждения люминесценции и ПВС, можно получить информацию о системе, которую не удается получить никаким иным способом (особенно когда люминесценция примесного иона частично или полностью потушена в результате ФДП). Кроме фотопроводимости для решения задачи об определении положения основных 4f состояния в серии редкоземельных примесных центров применяется, к примеру, резонансная эмиссионная [34] и фотоэлектронная спектроскопия [35].

Первые и наиболее разносторонние исследования процессов ПВС ионов Се3+ проводились в оксидных кристаллах Y3A15Oi2 (YAG) [13-15,34,36,37]. Характеристики кристалла YAG:Ce делают его перспективным материалом для применения в качестве активной среды твердотельных перестраиваемых лазеров. Широкополосная люминесценция (500-650 нм) при комнатной температуре обладает квантовым выходом близким к единице. Разрешенные в дипольном приближении 4f-5d переходы ионов Се3+ открывают широкие возможности для накачки. Температурные и оптические характеристики кристалла YAG хорошо изучены. Ширина запрещенной зоны кристалла YAG исследовалась в работе [38] для нескольких образцов различного происхождения и составила -50 ООО см'1 (6.2 эВ). Однако ранние попытки получения лазерной генерации на кристалле YAG:Ce при комнатной температуре не были успешными из-за весьма эффективных процессов ПВС, наблюдаемые в этой активной среде.

Проводя pump-probe эксперименты по наблюдению усиления/потерь в активной среде (при накачке на длине волны 351 нм и зондировании в диапазоне 550-610 нм), авторы [14] наблюдали поглощение зондирующего излучения, причем эти наведенные потери на поглощение монотонно снижались (более чем на порядок величины) с понижением температуры образца от 295 до 250 К. Время жизни наблюдаемого авторами наведенного поглощения состояло из двух компонент - короткой (-75 не) и длинной (400-800 не). Соответствие короткой компоненты времени жизни нижнего 5d состояния Се в YAG указывало в пользу того, что потери обусловлены именно процессами ПВС ионов церия, тогда как длинная компонента может возникать в результате поглощения зондирующего излучения центрами окраски, наведенными излучением возбуждения. Авторы оценивают сечение ПВС между нижним и более

3"Ь 18 2

высоколежащими 5d состояниями ионов Се в (0.5-1)* 10" см , что на порядок величины превышает сечение поглощения из основного 4f состояния ионов Се на длине волны 351 нм (вблизи максимума полосы поглощения). Авторы отмечают, что это весьма большое значение сечения поглощения для запрещенных по четности 5d - 5d переходов, и это может означать, во-первых,

примешивание более высоколежащих состояний противоположной четности к состояниям 5d конфигурации, во-вторых, переходы с 5d состояний на состояния противоположной четности, не принадлежащие 5d конфигурации ионов Се3+, и наконец, в-третьих, переходы с переносом заряда. Ввиду сильной температурной зависимости процессов наведенного поглощения при понижении температуры от +20 до -20 °С авторы рекомендуют проведение исследований этих процессов при пониженных температурах.

Похожие диссертационные работы по специальности «Оптика», 01.04.05 шифр ВАК

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Нуртдинова, Лариса Альвертовна, 2015 год

Список литературы

1. Ray, М. D. Ultraviolet mini-Raman lidar for stand-off, in situ identification of chemical surface contaminants / M. D. Ray, A. J. Sedlacek, and M. Wu // Review of Scientific Instruments. - 2000. - Vol. 71. - №9. - P. 3485-3489.

2. Alvarez II, R. J. Development and Application of a Compact, Tunable, Solid-State Airborne Ozone Lidar System for Boundary Layer Profiling / R. J. Alvarez И, C. J. Senff, A. O. Langford, A. M. Weickmann, D. C. Law, J. L. Machol, D. A. Merritt, R. D. Marchbanks, S. P. Sandberg, W. A. Brewer, R. M. Hardesty, and R. M. Banta // J. Atmos. Oceanic Technol. - 2011. - Vol. 28. - №10. - P. 1258-1272.

3. Fajardo, C. Development of a high-speed UV particle image velocimetry technique and application for measurements in internal combustion engines / Fajardo, C., Sick, V. // Exper. in Fluids. - 2009. - Vol. 46. - №1. - P. 43-53.

4. Delmdahl, R. Large-Area Laser-Lift-Off Processing in Microelectronics / R. Delmdahl, R. Patzel, J. Brune //Phys. Proc..-2013. - Vol. 41. - P. 241-248

5. Romoli, L. A study on UV laser drilling of PEEK reinforced with carbon fibers / L. Romoli, F. Fischer, R. Kling // Optics and Lasers in Engineering. - 2012. -Vol. 50. - P. 449-457

6. Herman, P.R Laser shaping of photonic materials: deep-ultraviolet and ultrafast lasers / P.R. Herman, R.S. Marjoribanks, A. Oettl, K. Chen, I. Konovalov, S. Ness // Appl. Surf. Science. - 2000.-Vol. 154-155.-P. 577-586.

7. B. Paivanranta. Sub-10 nm patterning using EUV interference lithography / B. Paivanranta, A. Langner, E. Kirk, C. David, and Y. Ekinci // Nanotechnology. - 22. -2011.-375302.

8. Anderson, R.R. Lasers in dermatology - A critical update / R.R. Anderson // Journal of Dermatology. - 2000. - Vol. 27. - №11. - P. 700-705.

9. Situm, M. Benefits of controlled ultraviolet radiation in the treatment of dermatological diseases / Situm, M., Bulat, V., Majcen, K., Dzapo, A., Jezovita, J. // Collegium antropologicum. - 2014. - Vol. 38. - №4. - P. 1249-1253.

10. Gerber, W. Ultraviolet B 308-nm eximer laser treatment of psoriasis: a new phototherapeutic approach / Gerber W, Arheilger B, Ha TA, Hermann J, Ockenfels HM. //Brit. J. ofDermat.-2003.-Vol. 149.-№6.- P. 1250-1258.

11. Schastak, S. Flexible UV light guiding system for intraocular laser microsurgery / Schastak, S., Yafai, Y., Yasukawa, T., Wang, Y.S., Hillrichs, G., Wiedemann, P. // Lasers In Surgery And Medicine. - 2007- Vol. 39. - № 4. - P. 353357.

12. Alifano, P. Results of UV laser application on biological material / P. Alifano, V. Nassisi, P. P. Pompa, A. Candido // Proc. SPIE. - 4762. - P.334-342.

13. Miniscalco, W. J. Measurements of excited-state absorption of Ce3+:YAG / W. J. Miniscalco, J. M. Pellegrino, W. M. Yen // J. Appl. Phys. - 1978. - Vol. 49. - P. 6109-6111.

14. Jacobs, R. R. Measurements of excited-state-absorption loss for Ce3+ in Y3A15012 and implications for 5d-4f rare earth ion lasers / R. R. Jacobs, W. F. Krupke, and M. J. Weber // Appl. Phys. Lett. - 1978. - Vol. 33. - P. 410^112.

15. Hamilton, D. S. Optical-absorption and photoionization measurements from the excited states of Ce3+:Y3A15012 / D. S. Hamilton, S. K. Gayen, G. J. Pogatshnik, R. D. Ghen, and W. J. Miniscalco // Phys. Rev. B - 1989. - Vol. 39. - P. 8807-8815.

16. Pogatshnik, G. J. Excited-state photoionization of Ce3+ ions in Ce3+:CaF2 / G. J. Pogatshnik, D. S. Hamilton // Phys. Rev. B. - 1987. - Vol. 36. - P.8251-8257

17. Ehlrich, D. J. Optically pumped Ce:LaF3 laser at 286 nm / D. J. Ehlrich, P. F. Moulton, and R. M. Osgood Jr. // Opt. Lett. - 1980. - Vol. 5. - P. 339-341.

18. Ehlrich, D. J. Ultraviolet solid state Ce:YLF laser at 325 nm / D. J. Ehlrich, P. F. Moulton, and R. M. Osgood Jr. // Opt. Lett. - 1979. - Vol. 4. - P. 184-186.

19. Quere, F. Time-Resolved Study of Laser-Induced Breakdown in Dielectric / Quere, F., Guizard, S., Martin, P. // Europhys. Lett. - 2001. - 56. - P. 138-144.

20. Martin, P. Subpicosecond Study of Carrier Trapping Dynamics in WideBand-Gap Crystals / Martin P., Guizard S., Daguzan P., Petite G., D'Oliveira P., Meynadier P., Perdrix M. // Phys. Rev. B. - 1997. - Vol. 55. - P. 5799-5810.

21. Lim, K.-S. Optical gain and loss studies in Ce3+:YLiF4 / K.-S. Lim and D. S. Hamilton // J. Opt. Soc. Am. B. - 1989. - Vol. 6. - № 7 - P. 1401-1406.

22. Lim, K.-S. UV-induced loss mechanisms in a Ce3+:YLiF4 laser / K.-S. Lim and D. S. Hamilton //J. Lumin. - 1988. - Vol. 40-41. - P. 319-320.

23. Nizamutdinov, A. S. Photodynamic processes in CaF2 crystals, doped with Ce3+ and Yb3+ ions / A. S. Nizamutdinov, V. V. Semashko, A. K. Naumov, R. Yu. Abdulsabirov, S. L. Korableva, and M. A. Marisov // Phys. of Sol. St. - 2005. - Vol.47. - № 8. - P. 1403-1405.

24. Pinto, J. F. Tunable solid-state laser action in Ce3+:LiSrAlF6 / J. F. Pinto, G. H. Rosenblatt, L. Esterowitz, and G. J. Quarles // Electron. Lett. - 1994. - Vol. 30. - P. 240-241.

25. Marshall, C. D. Ultraviolet laser emission properties of Ce -doped LiSrAlF6 and LiCaAlF6 / C. D. Marshall, J. A. Speth, S. A. Payne, W. P. Krupke, G. J. Quarles, V. Castillo, В. H. T. Chai // J. Opt. Soc. Amer. B. - 1994. - Vol. 11. - P. 2054-2065.

26. Pinto, J. F. High performance Ce3+:LiSrAlF6/LiCaAlF6 UV lasers with extended tenability / J. F. Pinto, L. Esterovitz, G. J. Quarles // Electronics Letters. — 1995. - Vol. 31. - № 23. - P. 2009-2011.

27. Bayramian, A. J. Ce:LiSrAlF6 laser performance with antisolarant pump beam / A. J. Bayramian, C. D. Marshall, J. H. Wu, J. A. Speth, S. A. Payne, G. J. Quarles, V. K. Castillo // J. of Lum. - 1996. - Vol. 69. - P. 85-94.

28. Kozeki, T. Observation of new excitation channel of cerium ion through highly vacuum ultraviolet transparent LiCAF host crystal / T. Kozeki, Y. Suzuki, M. Sakai, H. Ohtake, N. Sarukura, Z. Liu, K. Shimamura, K. Nakano, T. Fukuda // J. of Crystal Growth. - 2001. - Vol. 229. - P. 501-504.

29. Низамутдинов, A.C. Влияние катионов основы на спектрально-кинетические и лазерные характеристики кристаллов двойных фторидов со структурой шеелита, активированных ионами СеЗ+: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Низамутдинов А.С. - Казань, 2007. - 139 с.

30. Laroche, M. Beneficial effect of Lu3+ and Yb3+ ions in UV laser materials / M. Laroche, S. Girard, R. Moncorge, M. Bettinelli, R. Abdulsabirov, V. Semashko // Optical Materials. - 2003. - Vol. 22. - P. 147-154.

31. Nizamutdinov, A. S. Spectral characteristics of solid solutions LiYl-XLuXF4 doped by Ce3+ ions / A. S. Nizamutdinov, V. V. Semashko, A. K. Naumov, L. A. Nurtdinova, R. Yu. Abdulsabirov, S. L. Korableva and V. N. Efimov // Physics of the Solid State. - 2008. - Vol. 50. - № 9. - P. 1648-1651.

32. Nizamutdinov, A.S. Optical and gain properties of series of crystals LiF-YF3-LuF3 doped with Ce3+ and Yb3+ ions / A.S. Nizamutdinov, V.V. Semashko, A.K. Naumov, S.L. Korableva, R.Yu. Abdulsabirov, A.N. Polivin, M.A. Marisov // J.of Luminescence. - 2007. - Vol. 127. - P. 71-75.

33. Johnson, K.S. Efficient all-solid-state Ce:LiLuF4 laser source at 309 nm / K.S. Johnson, H.M. Pask, M.J. Withford, D.W. Coutts // Opt. Com. - 2005. - Vol. 252. -P. 132-137.

34. Thiel, C.W. Systematics of 4f electron energies relative to host bands by resonant photoemission of rare-earth ions in aluminum garnets / C. W. Thiel, H. Cruguel, H. Wu, Y. Sun, G. J. Lapeyre, R. L. Cone, R. W. Equall, and R. M. Macfarlane // Phys. Rev. B. - 2001. - 64. - 085107.

35. Thiel, C.W. Spectral hole burning and energy level structure of Tb3+:LiYF4 / C.W. Thiel, Y. Sun, R.W. Equall, R.L. Cone // Journal of Luminescence. - 2004. -Vol. 107.-P. 236-244.

36. Owen, J. F. Excited-state absorption in Eu2+:CaF2 and Ce3+:YAG single crystals at 298 and 77 K / J. F. Owen, P. B. Dorain, and T. Kobaysi // J. Appl. Phys. -1981.-Vol. 52.-P. 1216-1223.

37. Pedrini, C. Photoionization thresholds of rare-earth imputiry ions. Eu2+:CaF2, Ce3+:YAG, and Sm2+:CaF2 / C. Pedrini, F. Rogemond, D. S. McClure // J. Appl. Phys. - 1985. - Vol. 59. -№ 4. - P. 1196-1201.

38. Slack, G. A. Optical Absorption of Y3A15012 from 10- to 55 000-cm-l Wave Numbers / G. A. Slack, D. W. Oliver, R. M. Chenko, and S. Roberts // Phys. Rev. -1969.-Vol. 177.-P. 1308-1314.

39. Lawson, J. K. Excited-state absorption of Eu2+-doped materials / J. K. Lawson and S. A. Payne // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 47. - P. 14003.

40. Pedrini, C. Photoionization thresholds of divalent rare earth ions in alkaline earth fluorides / C. Pedrini, D. S. McClure, C. H. Anderson // J. Chem. Phys. - 1979. -Vol. 70. - № 11. - P. 4959-4962.

41. Yen, W. M. Optical and photoconductive properties of cerium-doped crystalline solids / W. M. Yen, M. Raukas, S. A. Basun, W. van Schaik, and U. Happek // J. of Luminescence. - 1996. - Vol. 69.- P. 287-294.

42. Raukas, M. Luminescence efficiency of cerium doped insulators: The role of electron transfer processes / M. Raukas, S. A. Basun, W. van Schaik, W. M. Yen, and U. Happek // Appl. Phys. Let. - 1996. - Vol. 69. - № 22.- P. 3300.

43. Choi, J. Excited state impurity band conductivity in Y2(Si04)0:Ce3+ / J. Choi, S.A. Basun, L. Lu, W.M. Yen, U. Happek // J. of Luminescence. - 1999. - Vol. 83-84. -P.461-464.

44. Yen, W.M. Photoconductivity and derealization in rare earth activated insulators / W. M. Yen // J. of Lum. - 1999. - Vol. 83-84. - P. 399-404.

45. Van der Kolk, E. Temperature dependent spectroscopic studies of the electron derealization dynamics of excited Ce ions in the wide band gap insulator, Lu2Si05 / E. van der Kolk, S. A. Basun, G. F. Imbusch, W. M. Yen // Appl. Phys. Let. -2003.-Vol. 83.-№ 9.- P. 1740-1742.

46. McClure, D. S. Excitons trapped at impurity centers in highly ionic crystals / D. S. McClure, C. Pedrini // Phys. Rev. B. - 1985. - Vol. 32. - № 12.- P. 8465.

47. Elias L. R. Excitation of UV fluorescence in LaF3 doped with trivalent cerium and praseodymium/ L. R. Elias, W. S. Heaps, W. M. Yen// Phys. Rev. B. -1973. - V. 8. - № 11. - P. 4989-4995.

48. Heaps, W. S.Vacuum-ultraviolet absorption bands of trivalent lanthanides in LaF3 / W. S. Heaps, L. R. Elias, and W. M. Yen // Phys. Rev. B. - 1976. - Vol. 13. - № 1.-P. 94-104.

49. Loh, E. Ultraviolet absorption spectra of Ce3+ in alkaline-earth fluorides / E. Loh // Phys. Rev. B. - 1967. - Vol. 154. - № 2 - P. 270-276.

50. Pedrini, С. One- and two-photon spectroscopy of Ce3+ ions in LaF3-CeF3 mixed crystals / C. Pedrini, B. Moine, J. C. Gacon and B. Jacquier // J. Phys: Condens. Matter. - 1992. - Vol. 4. - P. 5461-5470.

51. Pogatshnik, G.J. Rate equation description of multi-photon creation of colorcenters and simultaneous one-photon annihilation / G.J. Pogatshnik and D.S. Hamilton // J. of Luminescence. - 1987. - Vol. 38. - P. 201-203.

52. Lyu, L.-J. Radiative and nonradiative relaxation measurements in Ce3+ doped crystals / L.-J. Lyu and D.S. Hamilton // Journal of Luminescence/ - 1991. - Vol. 48-49.-P. 251—254.

53. Hamilton D. S. Trivalent cerium doped crystals as tunable system. Two bad apples/ D. S. Hamilton; eds. P. Hammerling, A. B. Budger, A. Pinto // Tunable solid state lasers. - Berlin, 1985. - P. 80-90.

54. Lim, K.-S. UV-induced color centers and gain measurements in trivalent cerium ion doped lithium yttrium fluoride: PhD thesis / K.-S. Lim. University of Connecticut, 1977, 100 p.

55. Dorenbos, P. Ce3+ 5d-centroid shift and vacuum referred 4f-electron

«

binding energies of all lanthanide impurities in 150 different compounds / P. Dorenbos //Journal of Luminescence. -2013. - Vol. 135. - P. 93-104.

56. Ivey, H. F. Spectral Location of the Absorption Due to Color Centers in Alkali Halide Crystals / H. F. Ivey // Phys. Rev. -Vol. 72. - № 4 (1947) - P. 341-343.

57. Renfro, G. M. Radiation effects in LiYF4 / G. M. Renfro, L. E. Halliburton, W. A. Sibley and R. F. Belt // J. Phys. C: Solid St. Phys. - 1980. - Vol. 13. - P. 19411950.

58. Тавшунский, Г.А. Радиационное окрашивание кристаллов LiYF4 I Г.A. Тавшунский, П.К. Хабибулаев, О.Т. Халиков, К.Б. Сейранян // ЖТФ. -1983. — Т.53. -№3. - С.803-805.

59. Каплянский, А. А. Спектры двухвалентных ионов редких земель в кристаллах щелочноземельных фторидов: II Европий и иттербий / А. А. Каплянский, П. П. Феофилов // Опт. и спектр. - 1962. - Т. 13. - С. 235-241.

60. Morato, S. P. F and photochromic centers in LiYF4:Nd crystals / S. P. Morato and Т. C. A. Macedo // Rad. Eff. - 1983. - Vol. 72. - P. 229-235.

61. Никанович M. В. Радиационные центры окраски в кристалле LiLuF4/ М. В. Никанович, А. П. Шкадаревич, Ю. С. Типенко, С. В. Никитин, Н. И. Силкин, Д. С. Умрейко// ФТТ. - 1988. - Т. 30. - № 6. - С. 1861-1863

62. Nikanovich, М. V. Studies of radiation-induced defects in LiYF4 crystals / M. V. Nikanovich, A. P. Shkadarevich, Yu. S. Tipenko, and D. S. Umreiko // J. of Applied Spectroscopy. - Vol. 58. - № 1-2. - P. 143-148

63. Basiev, Т. T. Spectral luminescent characteristics and photo-thermochromism of radiationally created color centers in LiYF4 crystals / T.T.Basiev, F.A.Vakhidov, S.B.Mirov, Yu.V.Orlovsky // VI All-Union Conf. on radiational physics and chemistry of ionic crystals: Abstr. Book (Riga, 9-11 October, 1986). - Riga, 1986. -P. 169-170.

64. Peakheart, D. W. Radiation-induced defects in lithium yttrium fluoride / D. W. Peakheart // Rad. Eff. and Def. in Sol. - 1998. - Vol. 143. - P. 213-224.

65. Compton, W.D. F-Aggregate Centers in Alkali Halide Crystals / W.D. Compton and H. Rabin // Solid State Physics. Advances in Research and Applications. -1964.-Vol. 16-P. 121-226.

66. Deshpande, S.P. Radiation effect on the luminescence of LiYF4:Er3+ / S.P. Deshpande, S.J. Dhoble, W.K. Pokale, B.T. Deshmukh, R.B. Pode, Т.К. Gundurao // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 1998. - Vol. 134 - P. 385392.

67. Herget, M. EPR of the Fmath image Center in LiYF4 (pages K83-K87) / M. Herget, A. Hofstaetter, A. Scharmann // Phys. Stat. Solidi. B. - 1985. - Vol. 127. - P. K83-K87.

68. Bensalah, A. X-ray induced color centres in pure and doped LiYF4 and LiLuF4 single crystals / A. Bensalah, M. Nikl, A. Vedda, K. Shimamura, T. Satonaga, H. Sato, T. Fukuda and G. Boulon // Radiation Effects & Defects in Solids. - 2002. -Vol. 157.-P. 563-567.

69. Sato, H. Induced Absorption Phenomena, Thermoluminescence and Colour Centres in KMgF3, BaLiF3 and LiCaAlF6 Complex Fluorides / Sato, H., Shimamura, K., Bensalah, A., Solovieva, N., Beitlerova, A., Vedda, A., Martini, M., Machida, H., Fukuda, T. and Nikl, M. // Jpn. J. Appl. Phys. -2002. - Vol. 41. - P. 2028-2033.

70. Riley, C. R. Color Centers in KMgF3 / Riley, C. R. and Sibley, W. // Phys. Rev. B. - 1970. - Vol. 1.-2789-2798.

71. Dhoble, S. J. Radiation-induced defects in Pr3+-activated LiYF4 laser host / S. J. Dhoble, S. P. Deshpande, R. B. Pode, N. S. Dhoble, T. K. Gundurao // Radiation Effects & Defects in Solids. - 2004. - Vol. 159. - P. 667-679.

72. Courrol, L. C. Production of stabilized color centers in YLiF4 crystals by high-intensity ultrashort laser pulses / L. C. Courrol, R. E. Samad, I. M. Ranieri, L. Gomes, S. L. Baldochi, A. Z. de Freitas, and N. D. Vieira, Jr. // J. Opt. Soc. Am. B. -2005.-Vol. 22.-№ 12-P. 2560-2563.

73. Courrol, L. C. Study of color centers produced in thulium doped YLF crystals irradiated by electron beam and femtosecond laser pulses / L. C. Courrol, I. M. Ranieri, S. L. Baldochi, R. E. Samad, A. Z. de Freitas, L. Gomes, N. D. Vieira Jr. // Opt. Commun. - 2007. - Vol. 270.- P. 340-346.

74. Basiev, T.T. Spontaneous and induced radiation, photo- and thermochromism in a new LiYF4 color center laser crystals / T.T. Basiev, F.A. Vakhidov, S.B. Mirov, Yu.V. Orlovskii, V.V. Osiko, A.M. Prokhorov // X International Conference on Quantum Electronics Technical Digest Series. - vol. 21. - 1987. — P. 194.

75. Kaczmarek, S. M. y-Ray induced color centers in pure and Yb doped LiYF4 and LiLuF4 single crystals / S. M. Kaczmarek, A. Bensalah, G. Boulon // Optical Materials. - 2006. - Vol. 28- P. 123-128.

76. Voronova, V. Carriers trapping and radiative recombination in Ce, Eu and Pr-doped LiLuF4 crystals / V. Voronova, N. Shiran, A. Gektin, V. Nesterkina, K. Shimamura, E. Villora // Rad. Measur. - Vol. 42. - 2007. - P. 823 - 826.

77. Song, M. Ab-initio study on the electronic structures of LiLuF4 crystal containing F and F2 color centers / M. Song, Q. Zhang, T. Liu, Q. Song, J. Yin, X. Guo, H. Zhang, X. Wang, H. Song // Optical Materials. - 2009. - Vol. 31 - P. 1118-1122.

78. Yin, J. Ab initio calculations of electronic structures of LiYF4 crystals containing F-type color centers / J. Yin, Y. Hang, L. Zhang // Optical Materials. - 2009. -Vol. 32.-P. 194-197.

79. Yin, J. Ab initio lattice relaxation and electronic structures of LiYF4 crystals containing VF color center / J. Yin, Q. Zhang, T. Liu, X. Guo, M. Song, X. Wang, H. Zhang // Physica B. - 2009. - Vol. 404. - P. 1053-1057.

80. Yin, J. First-principles study of the H and F centers in LiYF4 / J. Yin, Y. Hang, L. Zhang//J. ofPhys. and Chem. of Solids. -2010. - Vol. 71. - P. 248-252.

81. Yin, J. Origin of the 330 nm absorption band and effect of doping Yb in LiYF4 crystals / J. Yin, Y. Hang, L. Zhang, C. Zhao, J. Xiong, P. Hua // Journal of Luminescence.-2010.-Vol. 130.-P. 1338-1342.

82. Sarukura, N. Ce3+ activated fluorides crystals as prospective active media for widely tunable ultraviolet ultrafast lasers with direct 10-ns pumping / N. Sarukura, M. A. Dubinskii, Z. Liu, V. V. Semanshko, A. K. Naumov, S. L. Korableva, R. Yu. Abdulsabirov, K. Edmatsu, and Y. Suzuki // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. -1995.-Vol. l.-P. 792-804.

83. Sarukura, N. All-solid-state tunable ultraviolet subnanosecond laser with direct pumping by the fifth harmonic of a Nd:YAG laser / N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, M. A. Dubinskii, R. Yu. Abdulsabirov, and S. L. Korableva // Appl. Opt. -1998. - Vol. 37. - P. 6446-6448.

84. Laroche, M. Compact and tunable UV-visible laser based on Ce-doped laser crystals / M. Laroche, S. Girard, R. Moncorge, G.J. Quarles, J.Y. Gesland // Las. and Electro-Optics Europe, 2000. Conf. Digest. - 2000. - CtuF2. - P. 69.

85. McGonigle, A.J.S. 10 kHz continuously tunable Ce:LiLuF4 laser / A.J.S. McGonigle, S. Girard, D.W. Coutts and R. Moncorge // Electronics Letters - 1999. -Vol. 35. -№ 19.-P. 1640-1641.

86. Johnson, K.S. Efficient all-solid-state Ce:LiLuF laser source at 309 nm / K.S. Johnson, H.M. Pask, M.J. Withford, D.W. Coutts // Optics Communications. -2005. - Vol. 252. - P. 132-137.

87. Okada, F. Solid-state ultraviolet tunable laser: A Ce3+ doped LiYF4 crystal / F. Okada, S. Togawa, and K. Ohta, S. Koda // J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 75. - № 1. -P. 49-53.

88. Dubinskii, M. A. A new active material for a solid state UV laser with an excimer pump / M. A. Dubinskii, R. Yu. Abdulsabirov, S. L. Korableva, A. K. Naumov, and V. V. Semanshko // Laser Physics. - 1994. - Vol. 4.- P. 480-484.

89. Rambaldi, P. Efficient and stable pulsed laser operation of Ce: LiLuF4 around 308 nm / P. Rambaldi, R. Moncorge, J. P. Wolf, C. Pedrini, and J. Y. Gesland // Opt. Commun.- 1998.-Vol. 146.-P. 163-166.

90. Rambaldi, P. Efficient UV laser operation of Ce:LiLuF4 single crystal / P. Rambaldi, R. Moncorge, S. Girard, J.P. Wolf, C. Pedrini, J.Y. Gesland // OSA TOPS Advanced Solid State Lasers. - 1998. - Vol. 19. - P. 10-12.

91. McGonigle, A. J. S. A 380-mW 7-kHz cerium LiLuF laser pumped by the frequency doubled yellow output of a copper-vapor laser / A. J. S. McGonigle, D. W. Coutts, and С. E. Webb // IEEE J. of Sel. Topics in Quant. E. - 1999. - VOL. 5. - № 6.-P. 1526-1531.

92. McGonigle, A. J. S. Temperature-dependent polarization effects in Ce:LiLuF / A. J. S. McGonigle, R. Moncorge, and D. W. Coutts // Appl. Opt. - 2001. - Vol. 40. -№24.-P. 4326 4333.

93. Liu, Z. High-energy pulse generation from solid-state ultraviolet lasers using large Ce:fluoride crystals / Z. Liu, K. Shimamura, T. Fukuda, T. Kozeki, Y. Suzuki, N. Sarukura // Optical Materials. - 2002. - Vol. 19. - P. 123-128.

94. Johnson, K.S. Influence of temperature dependent excited state absorption on a broadly tunable UV Ce:LiLuF laser / K. S. Johnson and D.W. Coutts // Proc. SPIE. -2003.-5137.-P. 28-36.

95. Semashko, V. V. Laser tests as a tool for studying photodynamic processes in UV active media / V. V. Semashko, A. K. Naumov, A. S. Nizamutdinov, R. Yu. Abdulsabirov, S. L. Korableva // Proc. SPIE. - 2004. - 5402.- P. 421-429.

96. Cefalas A.C. Vacuum ultraviolet 4f95d - 4fl0 interconfigurational transitions of Ho3+ ions in LiLuF4 single crystals / A. C. Cefalas, E. Sarantopoulou, andZ. Kollia//J. Opt.Soc.Am. B. - 1999.-Vol. 16. -№ 4. -P.625-630.

97. Moncorge, R. Spectroscopy of broad-band UV-emitting materials based on trivalent rare-earth ions / R.Moncourge; eds. P.Misra and M.A.Dubinskii // Ultraviolet Spectroscopy and UV Lasers. - New York-Basel (USA):Marcel Dekker Inc., 2002. -P.337-370.

98. Yang, K.H. Vacuum-ultraviolet excitation studies of 5dl4fn-l to 4fn and 4fn to 4fn transitions of Nd3+-, Er3+-, and Tm3+-doped trifluorides / K.H. Yang, J.A. De Luca // Phys. Rev. B. - 1978. - Vol. 17- P. 4246-4235.

99. Krupa, J.C. UV and VUV optical excitations in wide band gap materials doped with rare earth ions: 4f-5d transitions / J.C. Krupa, and M. Queffelec // J. of Alloys and Compounds. - 1997. - Vol.250. -P.287-292.

100. Kirikova, N.Yu. Low-temperature high-resolution VUV spectroscopy of Ce3+ doped LiYF4, LiLuF4 and LuF3 crystals / N.Yu. Kirikova, M. Kirm, J.C. Krupa, V.N. Makhov, E. Negodin, J.Y. Gesland // Journal of Luminescence. - 2004. - Vol. 110.-P. 135-145.

101. Blanc, W. Processus de scintillation dans des materiaux fluores a base de lutecium actives au cerium: PhD thesis / Blanc W. - Lyon, 2000, 137 p.

102. van Pieterson, L. 4fn—4fn-15d transitions of the light lanthanides: Experiment and theory / L. van Pieterson, M.F. Reid, R.T. Wegh, S. Soverna, A.Meijerink // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65.- P. 045113.

103. Combes, C.M. Scintillation properties of 6Li-based materials for thermal neutron detection: PhD thesis / Combes, C.M. Delft University of Technology, 1999, 114 p.

104. Dorenbos, P. The Eu3+ charge transfer energy and the relation with the band gap of compounds / P. Dorenbos // Journal of Luminescence. - 2005. - Vol. 111. - P. 89-104.

105. Dorenbos, P. Determining binding energies of valence-band electrons in insulators and semiconductors via lanthanide spectroscopy / P. Dorenbos // Phys. Rev. B. - 2013. - Vol. 87. - P. 035118.

106. Kaminskii A. A. Laser Crystals / A. A. Kaminskii. - Springer, Berlin, 1981. -456 P.

107. Феофилов П. П. О спектрах поглощения и люминесценции ионов Се3+/ П. П. Феофилов// Опт. и спектроскопия. - 1959. - Т. 6. - № 2. - С. 234-236.

108. Happek, U. Electron transfer processes in rare earth doped insulators / U. Happek, S.A. Basun, J. Choi, J.K. Krebs , M. Raukas // J. of Alloys and Compounds. -2000. - Vol. 303-304. - P. 198-206.

109. Yen, W. M. Photoconductivity and derealization in rare earth activated insulators / W. M. Yen // J. of Lum. - 1999. - Vol. 83-84. - P. 399-404.

110. Pedrini, C. Scintillation mechanisms and limiting factors on each step of relaxation of electronic excitations / C. Pedrini // ФТТ. - 2005. - T. 47. - № 8. - C. 1359-1363.

111. Thiel, C.W. Investigating material trends and lattice relaxation effects for understanding electron transfer phenomena in rare-earth-doped optical materials / C.W. Thiel, R.L.Cone // J. of Lum. - 2011. - Vol. 131. - P. 386-395.

112. Zhuang, Y. Band-gap variation and a self-redox effect induced by compositional deviation in ZnxGa203+x:Cr3+ persistent phosphors / Y. Zhuang, J. Ueda, S. Tanabec and P. Dorenbos // J. Mater. Chem. C. - 2014. - Vol. 2. - 5502-5509.

113. Dorenbos, P. Afterglow and thermoluminescence properties of Lu2Si05:Ce scintillation crystals / P. Dorenbos, C. W. E. van Eijk, A. J. J. Bos and C. L. Melcher // J. Phys.: Condens. Matter. - 1994. - Vol. 6. - P. 4167-4180.

114. Loh, E. Lowest 4f-5d transition of trivalent rare-earth ions in CaF2 crystals / E. Loh//Phys. Rev. - 1966. - Vol. 147. -№ 1. -P.332-335.

115. Dorenbos, P. 5d-level energies of Ce3+ and the crystalline environment. I. Fluoride compounds / P. Dorenbos // PHYS. REV. B. - 2000. - VOL. 62. - № 23. - P. 15640-15649.

116. Dorenbos, P. 5d-level energies of Ce3+ and the crystalline environment. II. Chloride, bromide, and iodide compounds / P. Dorenbos // PHYS. REV. B. - 2000. -VOL. 62.-№23.-P. 15650-15659.

117. Dorenbos, P. Predictability of 5d level positions of the triply ionized lanthanides in halogenides and chalcogenides / P. Dorenbos // J. of Luminescence. -2000. - Vol. 87-89. - P. 970-972.

118. Dorenbos, P. The 4fn—4fn-l 5d transitions of the trivalent lanthanides in halogenides and chalcogenides / P. Dorenbos // J. of Luminescence. - 2000. - Vol. 91. -P. 91-106.

119. Dorenbos, P. 5d-level energies of Ce3+ and the crystalline environment. III. Oxides containing ionic complexes / P. Dorenbos // PHYS. REV. B. - 2000. - VOL. 64. -P. 125117.

120. Dorenbos, P. 5d-level energies of Ce3+ and the crystalline environment. IV. Aluminates and "simple" oxides / P. Dorenbos // J. of Luminescence. - 2002. - Vol. 99. - P. 283-299.

121. Dorenbos, P. Crystal field splitting of lanthanide 4fn-l-5d-levels in inorganic compounds / P. Dorenbos // J. of Alloys and Compounds. - 2002. - Vol. 341. -P. 156-159.

122. Dorenbos, P. Relating the energy of the [Xe]5dl configuration of Ce3+ in inorganic compounds with anion polarizability and cation electronegativity / P. Dorenbos // PHYS. REV. B. - 2002. - VOL. 65. - P. 235110.

123. Andriessen, J. The centroid shift of the 5d levels of Ce3+ with respect to the 4f levels in ionic crystals, a theoretical investigation / J. Andriessen, P. Dorenbos, C.W.E van Eijk // Nucl. Instr. and Met. in Phys. Res. A. - 2002. - VOL. 486. - P. 399402.

124. Dorenbos, P. f-d transition energies of divalent lanthanides in inorganic compounds / P. Dorenbos // J. Phys.: Condensed Matter. - 2003. - VOL. 15. - P. 575594.

125. Dorenbos, P. Systematic behaviour in trivalent lanthanide charge transfer energies / P. Dorenbos // J. Phys.: Condensed Matter. - 2003. - VOL. 15. - P. 84178434.

126. Dorenbos, P. Locating lanthanide impurity levels in the forbidden band of host crystals / P. Dorenbos // J. of Lum. - 2004. - Vol. 108. - P. 301-305.

127. Dorenbos, P. Valence Stability of Lanthanide Ions in Inorganic Compounds / P. Dorenbos // Chem. Mater. - 2005. - Vol. 17. - P. 6452-6456.

128. Dorenbos, P. Absolute location of lanthanide energy levels and the performance of phosphors / P. Dorenbos // J. of Luminescence. - 2007. - Vol. 122-123. -P. 315-317.

129. Dorenbos, P. Fundamental Limitations in the Performance of Ce3+-, Pr3+-and Eu2+-Activated Scintillators / P. Dorenbos // IEEE Transactions On Nuclear Science.-2010.-Vol. 57.-№3.-P. 1162-1167.

130. Rogers, E. Systematics in the optical and electronic properties of the binary lanthanide halide, chalcogenide and pnictide compounds: an overview / E. Rogers, P. Dorenbos and E. van der Kolk // New Journal of Physics. — 2011. - Vol. 13. - P. 093038.

131. Dorenbos, P. Electronic structure engineering of lanthanide activated materials / P. Dorenbos // J. of Mat. Chem. - 2012. - Vol. 22. - P.22344-22349.

132. Dorenbos, P. Modeling the chemical shift of lanthanide 4f electron binding energies// PHYS. REV. B.-2012.-VOL. 85.-P. 165107.

133. Dorenbos, P. Lanthanide 4f-electron binding energies and the nephelauxetic effectin wide band gap compounds / P. Dorenbos // J. of Luminescence. - 2013. - Vol. 136.-P. 122-129.

134. Dorenbos, P. Electron binding energies and how it relates to activator luminescence and bonding in compounds / P. Dorenbos // J. of Luminescence. - 2014. - doi: 10.1016/j.jlumin.2014.12.004.

135. Dorenbos, P. The electronic structure of lanthanide doped compounds with 3d, 4d, 5d, or 6d conduction band states / P. Dorenbos // J. of Luminescence. - 2014. -Vol. 151.-P. 224-228.

136. Rogers, E. Unification of the point charge electrostatic model with the chemical shift model for lanthanide 5d states / E. Rogers, P. Dorenbos // J. of Luminescence. - 2014. - Vol. 146. - P. 445-449.

137. Rogers, E. Vacuum Referred Binding Energies of the Lanthanides in Transition Metal Oxide Compounds / E. Rogers, P. Dorenbos // ECS J. of Solid State Science and Technology. - 2014. - VOL. 3. -№ 8. - P. R150-R158.

138. Rogers, E. Vacuum Referred Binding Energies of the Single 3d, 4d, or 5d Electron in Transition Metal and Lanthanide Impurities in Compounds / E. Rogers, P. Dorenbos // ECS J. of Solid State Science and Technology. - 2014. - VOL. 3. - № 10. -P. R173-R184.

139. Bridgman, P. W. Certain Physical Properties of Single Crystals of Tungsten, Antimony, Bismuth, Tellurium, Cadmium, Zinc, and Tin / P.W. Bridgman // Proc. of the Amer. Acad, of Arts and Sciences. - 1925. - Vol. 60. - № 6 - P. 305-383.

140. Stockbarger, D. C. The Production of Large Single Crystals of Lithium Fluoride / D.C. Stockbarger//Rev. of Sci. Instr. - 1936. - Vol. 7. -№ 3.-P. 133-136.

141. J. Czochralski. Ein neues Verfahren zur Messung der Kristallisationsgeschwindigkeit der Metalle // Zeitschrift fur Physikalische Chemie. -1918.-Vol. 92.-P. 219-221.

142. Марисов, M.A. Спектроскопические, фотохимические и лазерные характеристики флюоритоподобных кристаллов, активированных ионами СеЗ+: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Марисов М.А. - Казань, 2010. - 133 с.

143. Меланхолии, Н.М. Методы исследования оптических свойств кристаллов / Н.М. Меланхолии. - Москва: Наука, 1970.

144. Кораблева, C.JI. Выращивание монокристаллов LiLnF4 и контроль их качества методом магнитного резонанса / С.Л.Кораблева, М.С.Тагиров, М.А.Теплов // Парамагнитный резонанс. - 1980. - №16. - С.7-14.

145. Lempicki, A. Fundamental limits of scintillator performance / A. Lempicki, A.J. Wojtowicz, E. Berman // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. -1993.-Vol. 333 -P. 304.

146. Lempicki, A. Fundamental limitations of scintillators / Lempicki, A.J. Wojtowicz // J. Luminescence. - 1994. - Vol. 60-61 - P. 942.

147. Rodnyi, P.A. Energy Loss in Inorganic Scintillators / P.A. Rodnyi, P. Dorenbos, C.W.E. vanEijk//Phys. Stat. Sol. B. - 1995. - Vol. 187-P. 15.

148. Lang, R. J. The Spectrum Of Trebly Ionized Cerium / R. J. Lang // Canadian Journal of Research. - 1936. - Vol. 14a. - № 7.- P. 127-130.

149. JI.K. Аминов. Суперсверхтонкая структура спектров ЭПР и оптических спектров примесных f-ионов в диэлектрических кристаллах (Обзор) / Л.К. Аминов, И.Н. Куркин, Б.З. Малкин //Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55. - № 7.-С. 1249-1267.

150. Ranon, U. Paramagnetic Resonance of УЪЗ+ in CaW04 / U. Ranon and V. Volterra // Phys. Rev. - 1964. - Vol. 134. - P. A1483.

151. Verweij J. W. M. Fluorescence of Ce3+ in LiREF4 (RE=Gd, Yb) / J. W. M. Verweij, C. Pedrini, D. Bouttet, C. Dujardin, H. Lautesse, B. Moine // Opt.Mat. - 1995. -Vol. 4.-P. 575-582.

152. Nizamutdinov A.S. On the Distribution Coefficient of Ce3+ Ions in LiF-LuF3-YF3 Solid Solution Crystals/ A. S. Nizamutdinov, V. V. Semashko, A. K. Naumov, V. N. Efimov, S. L. Korableva, and M. A. Marisov // JETP Let. - 2010. - Vol. 91.-№ 1.-P. 21-23.

153. Shannon, R.D. Effective Ionic Radii in Oxides and Fluorides / R.D. Shannon And C.T. Prewitt // Acta Cryst. B. - 1969. - Vol. 25.- P. 925-945.

154. Марисов, M.A. Спектрально-кинетические характеристики ионов СеЗ+ в кристаллах двойных фторидов со структурой шеелита / М.А.Марисов, А.С.Низамутдинов, В.В.Семашко, А.К.Наумов, Р.Ю,Абдулсабиров, С.Л.Кораблева // ФТТ. - 2005. - Т.47. - № 5.- С. 1406-1408.

155. Moine, В. VUV-extended measurements of quantum efficiency of sodium salicylate and of some NBS standard phosphors / B. Moine, G. Bizarri, В. Varrel, J.-Y. Rivoire // Opt. Mat. - 2007. - Vol. 29. -1148-1152.

156. Beauzamy, L. Etude de luminophores de rendement supérieur a 1 sous irradiation VUV: PhD thesis / L. Beauzamy. - Lyon, 2007, 184 p.

157. Bensalah, A. Caractérisation spectroscopique et potentialité laser proche infrarouge de l'ion Yb3+ dans les monocristaux massifs de fluorures YLiF4, LuLiF4, BaY2F8 et KY3F10 tirés par la method Czochralski: PhD thesis / A. Bensalah. - Lyon, 2002,211 p.

158. The SUPERLUMI setup // [офиц. сайт Исследовательского центра Ассоциации им. Гельмгольца]. URL: http://photon-science.desy.de/sites/site_photonscience/content/e62/e 164663/е 165 787/е 166664/е 1666 90/ (дата обращения: 3.04.2015).

159. Piess, W. H. Numerical recipes in С : the art of scientific computing / W. H. Piess, S. A. Teukolsky, W. T. Vetterling, B. P. Flannery 2nd éd., Cambridge Univeisity Press, 1992. - 735 p.

160. Malkin B.Z. Theoretical studies of electron-vibrational 4fN-4fN-l 5d spectra in LiYF4:RE3+ crystals / B.Z. Malkin, O.V. Solovyev, A.Yu. Malishev, S.K. Saikin// J. ofLumin.-2007.-Vol. 125.-P. 175-183.

161. Reid, M. F. Spectroscopy and calculations for 4fn—4fn-15d transitions of lanthanide ions in LiYF4 / M. F. Reid, L. van Pieterson, R. T. Wegh, and A. Meijerink // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 62. - P. 14744.

162. Pascual, J.L. Large anomalies due to insufficiency of Madelung embedding in ab initio calculations of 4f-5d and 4f-6s excitations of lanthanides in ionic crystals: The BaF2:Ce3+ crystal / J.L. Pascual, J. Schamps, Z. Barandiarân, L. Seijo // Phys. Rev. В.-2006.-Vol. 74.-P. 104105.

163. Dujardin, C. Spectroscopic properties of CeF3 and LuF3:Ce3+ thin films grown by molecular beam epitaxy / C. Dujardin, C. Pedrini, N. Gamier, A.N. Belsky, K. Lebbou, J.M. Ko, T. Fukuda // Optical Materials. - 2001. - Vol. 16. - P. 69-76.

164. Ma, C.-G. Spectroscopy and Calculations for 4fN —> 4fN-15d Transitions of Lanthanide Ions in K3YF6 / C.-G. Ma, M.G. Brik, W. Ryba-Romanowski, H.C. Swart, M.A. Gusowski // J. Phys. Chem. A. - 2012. - Vol. 116 - P. 9158-9180.

165. Kaczmarek, S. M. y-Ray induced color centers in pure and Yb doped LiYF4 and LiLuF4 single crystals / S. M. Kaczmarek, A. Bensalah, G. Boulon // Optical Materials. - 2006. - Vol. 28- P. 123-128.

166. Aull, B. F. Impact of ion-host interactions on the 5d-to-4f spectra of lanthanide rare-earth-metal ions. II. The Ce-doped elpasolites / B. F. Aull, H. P. Jenssen // Phys. Rev. B. - 1986. - Vol. 34. - № 10. - P. 6647-6655.

167. Pavlov, V.V. A new technique of the excited-state photoionization studies in Ce:LiYF4 and Ce:LiLuF4 crystals / V.V. Pavlov, M.A. Marisov, V.V. Semashko, A.S.Nizamutdinov, L.A. Nurtdinova, S.L. Korableva. - J. of Luminescence. - 2013. -Vol. 133.-P. 73-76.

168. Hayes, W. Optical Detection of Exciton EPR in LiYF4 / Hayes, W., Yamaga, M., Robbins, D., Cockayne, B. // J. Phys. C: Solid State Phys. - 1980. - Vol. 13.-P. L1011-5.

169. Belsky, A. Estimation of the Electron Thermalization Length in Ionic Materials / A. Belsky, K. Ivanovskikh, A. Vasil'ev, M.-F. Joubert, C. Dujardin // J. Phys. Chem. Lett. - 2013. - Vol. 4. - P. 3534-3538.

170. Makhov, V.N. Luminescence excitation spectra of LiGdF4 and LiLuF4 in the region of interconfigurational 4fn—4f n-1 5d transitions in the Gd3+ and Lu3+ ions / V.N. Makhov, M. Kirm, G. Stryganyuk // Radiation Measurements. - 2007. - Vol. 42. - P. 865-868.

171. Kirm, M. VUV-luminescence and excitation spectra of the heavy trivalent rare earth ions in fluoride matrices / M. Kirm, V.N. Makhov, M. True, S. Vielhauer, G. Zimmerer // ФТТ. - 2005. - Vol. 47. - № 8. - P. 1368-1375.

172. Belsky, A. Selective excitation of energy transfer processes from host excitations to doped ion in Li(Lu,Y)F4:Ce crystals / Belsky A. // доклад на XV Межд. Феофиловском симпозиуме. - Казань, Сентябрь 16-20, 2013.

173. Belsky, A. Energy transfer in inorganic scintillators / A. Belsky, C. Pedrini, A. Vasil'ev//Rad. Eff. & Def. in Sol. - 1999. - Vol. 150. - P. 1-10.

174. Рыбкин, C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С.М. Рыбкин - Москва: Гос. изд. физико-математической литературы, 1963.

175. Трухан, Э.М. Установка для измерения малых потерь и эффекта Холла на С.В.Ч. / Э.М. Трухан // Приб. и техн. экспер. - 1965. - Т. 4. - С. 198-203.

176. Joubert, M.-F. A new microwave resonant technique for studying rare earth photoionization thresholds in dielectric crystals under laser irradiation / M.-F. Joubert, S.A. Kazanskii, Y. Guyot, J.-C. Gacon, J.-Y. Rivoire, and C. Pedrini // Phys. Rev. B. -2003.-Vol. 24.-P. 137-141.

177. Новиков, Г.Ф. Исследование кинетики электрон-ионных процессов в полупроводниках методом СВЧ-фотопроводимости : учеб. пособие для студентов специальностей Физика 010701 и 010700 / Новиков Г.Ф., Леонова Л.Ю., Овчинников О.В., Латышев А.Н. - Воронеж : Изд-во ВГУ, 2004. - 23 с.

178. Joubert, M.-F. Microwave study of photoconductivity induced by laser pulses in rare-earth-doped dielectric crystals / M.-F. Joubert, S.A. Kazanskii, Y. Guyot, J.-C. Gacon, and C. Pedrini // Phys. Rev. B. - 2004. - Vol. 69. - P. 165217.

179. Методы расчета оптических квантовых генераторов. Том 1. / под общ. ред. Б.И. Степанова. - Минск: Наука и техника, 1966. - 484 с.

180. Волькенштейн, Ф.Ф. Механизм электронной проводимости в диэлектриках и полупроводниках / Ф.Ф. Волькенштейн / УФН. - 1932. - Т. 12. -№2-3.-С. 351-356.

181. Mott, N.F.Electronic processes in ionic crystals / Mott N.F., Gurney R.W. -2nd edition. - Oxford: Clarendon Press, 1950. - 275 p.

182. Блатт, Ф.-Д. Теория подвижности электронов в твердых телах / Ф. Д. Блатт; пер. с англ. В. Л. Гуревича; под ред. проф.А. И. Ансельма. - Москва : Физматгиз, 1963.-224 с.

183. Гудден, Б. Электропроводность электронных полупроводников / Б. Гудден // УФН. - 1935. - Т. 15. - № 6.- С. 703-738.

184. Reiber, К. Photoleitfahigkeit von CaW04-Einkristallen / К. Reiber, A. Scharmann // Zeitschrift ftir Physik. - 1966. - Vol. 191.- P. 480-486.

185. Fröhlich, H. heory of Electrical Breakdown in Ionic Crystals / H. Fröhlich and N. F. Mott // Proc. Roy. Soc. A. - 1937. - Vol. 160. - P. 230-241.

186. Fröhlich, H. The Mean Free Path of Electrons in Polar Crystals / H. Fröhlich and N. F. Mott // Proc. Roy. Soc. A. - 1939. - Vol. 171. - P. 496-504.

187. Куликов, Д.В. Концентрация и время жизни неравновесных носителей в Csl, NaCl пр- рентгеновском возбуждении / Д.В. Куликов // ФТТ. - 2001. - Т. 43. - № 9. - С. 1580-1583.

188. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристалло-фосфоров /В.В. Антонов-Романовский. - Москва: Наука, 1966. - 324 с.

189. Bunday, B.D. Basic Optimization Methods / В. D. Bunday. - London: Edward Arnold, 1984. - 136 p.

190. Thiel, C.W. Energies of rare-earth ion states relative to host bands in optical materials from electron photoemission spectroscopy: PhD thesis / C.W. Thiel. - Lyon, 2003, 380 p.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.