Люминесцентные и фотоэлектрические свойства пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат физико-математических наук Майорова, Татьяна Львовна

• Майорова, Татьяна Львовна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Майорова, Татьяна Львовна

Введение

Глава 1. Свойства кристаллофосфоров на основе CdS

1.1. Физические и химические свойства сульфида кадмия

1.1.1. Структура решетки и химическая связь

1.1.2. Структурные дефекты. Примеси

1.1.3. Ширина запрещенной зоны. Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры

1.1.4. Электрические свойства. Проводимость, эффективная масса, дрейфовая и холловская подвижность носителей

1.1.5. Оптические свойства. Поглощение и отражение

1.2. Фотолюминесценция сульфида кадмия

1.2.1. Природа центров свечения в кристалофосфорах на основе CdS

1.2.2. Природа центров свечения легированного CdS

1.3. Фотопроводимость пленок сульфида кадмия

1.3.1. Эффект фотопамяти в фотопроводящих слоях CdS

1.3.2. Температурная зависимость фототока

1.3.3. Ловушки и эффекты прилипания

1.4. Методы получения и свойства пленочных структур CdS:Me

1.4.1. Характеристика методов получения тонких пленок

1.4.2. Метод пульверизации

1.5. Перспективы использования сульфида кадмия

1.6. Постановка целей и задач исследования

Глава 2. Методика исследования

2.1. Методика получения образцов

2.2. Установка и методика для исследования фотолюминесценции

2.3. Методика обработки экспериментальных результатов.

Разложение спектров стационарной люминесценции на элементарные составляющие 75 2.4. Установка и методика для измерения кинетики фотопроводимости и ТСП

Глава 3. Фотолюминесценция пиролитических пленок CdS

3.1. Спектры стационарной фотолюминесценции

3.1.1. Фотолюминесценция пиролитических пленок

CdS, соактивированных галогенами

3.1.2. Спектры фотолюминесценции пленок CdS на основе комплексов [Cd(thio)2Cl2], [Cd(thio)2Br2], легированных щелочными металлами

3.2. Зависимость положения максимумов интенсивности полос люминесценции пленок CdS от состава и условий получения пленок

3.3. Зависимость интенсивности фотолюминесценции от условий синтеза пленок CdS

3.3.1. Зависимость интенсивности люминесценции от концентрации примеси и температуры напыления пленок

3.3.2. Влияние условий синтеза на излучательную рекомбинацию пленок CdS, легированных щелочными металлами

3.3.3. Влияние легирования щелочными металлами пленок CdS на интенсивность красной полосы фотолюминесценции

3.4. Зависимость интенсивности фотолюминесценции от длительности воздействия УФ излучением

Выводы

Глава 4. Фотопроводимость пиролитических пленок CdS

4.1. Спектральные зависимости фотопроводимости

4.2. Кинетика фотопроводимости пленок CdS

4.2.1. Экспериментальные данные исследования кинетики фотопроводимости

4.2.2. Механизм запасенной проводимости в пиролитических пленках CdS

4.3. Исследование уровней локализации электронов методом термостимулированной проводимости

4.4. Зонная энергетическая модель пиролитических пленок сульфида кадмия

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Люминесцентные и фотоэлектрические свойства пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных»

Наряду с объемно выращенными кристаллами в настоящее время все больше применяются и изучаются пленочные структуры соединений А2В6. В отличие от объемно выращенных кристаллов, синтез пленочных структур позволяет получать материалы с принципиально новыми свойствами.

В настоящее время актуальной является задача разработки и усовершенствования методов синтеза пленок сульфидов металлов, позволяющих получать материалы с контролируемыми свойствами. Одним из таких способов является метод распыления растворов тиомочевинных координационных соединений (ТКС) на нагретую подложку [1]. Перспективность практического применения данного метода заключается в простоте получения пленок сульфидов металлов смешанного состава при сравнительно низких температурах, в возможности введения в пленки активных примесей непосредственно в процессе получения и создания сложных гетероструктур, что позволяет расширить диапазон применения полезных свойств данных полупроводниковых материалов.

Проведенные ранее исследования [2] позволили сформулировать условия получения достаточно чистых слоев сульфидов металлов, твердых растворов и гетероструктур на их основе. Однако применение новых структур требует знания закономерностей образования структурных дефектов в этих материалах и выработки стратегии управления их свойствами.

Целью настоящей работы является изучение люминесцентных и фотоэлектрических свойств пленок CdS как чистых, так и легированных щелочными металлами совместно с С1 и без него, полученных методом распыления растворов ТКС на нагретую подложку. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

1) исследовать влияние условий синтеза, а именно температуры напыления, концентрации легирующей примеси, а также сорта атома легирующего металла, на люминесцентные свойства исследуемых пленок;

2) определить основные характеристики фотолюминесценции пиролитических пленок CdS и механизмы и модели центров рекомбинации в исследуемых структурах;

3) определить энергетические уровни локализации электронов в исследуемых структурах методом термостимулированной проводимости;

4) установить механизм влияния легирующих металлов на люминесцентные свойства пиролитических пленок CdS;

5) исследовать явление запасенной проводимости пиролитических пленок CdS;

6) исследовать устойчивость люминесценции пиролитических пленок CdS к воздействию ультрафиолетового света.

Научная новизна. В работе впервые установлено:

1) поликристаллические пленки на основе CdS, полученные методом пиролиза, характеризуются высоким квантовым выходом фотолюминесценции при комнатной температуре. Определены оптимальные условия синтеза пиролитических пленок CdS с наибольшей интенсивностью фотолюминесценции, а именно: температура напыления, концентрация примеси, а также сорт атома примесного щелочного металла;

2) установлена структура дефектов, ответственных за излучательную рекомбинацию;

3) предложен механизм влияния легирования щелочными металлами пиролитических пленок на основе CdS на люминесцентные свойства таких структур;

4) люминесцентные свойства поликристаллических пленок CdS, полученных методом пиролиза, устойчивы к воздействию УФ светом в течение длительного времени.

5) поликристаллические пленки CdS, полученные методом пиролиза, обладают фотопаматью в широком диапазоне температур от 77 до 323 °К.

6) определены энергетические положения уровней локализации электронов, играющих существенную роль в процессе запасания проводимости.

Практическая ценность работы. Легирование щелочными металлами пиролитических пленок на основе CdS приводит к увеличению интенсивности люминесценции по сравнению с интенсивностью чистых пленок CdS. Исследуемые пленки проявляют устойчивость к воздействию УФ светом в течение длительного времени. Кроме того, пиролитические пленки CdS обладают способностью запасать проводимость при комнатной температуре длительное время ~ 104 сек. Такие свойства практически важны для использования исследуемых структур в качестве оптоэлектронных элементов и датчиков УФ излучения. Полученные результаты позволяют оптимизировать технологию получения пиролитических пленок на основе CdS с контролируемыми свойствами.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Спектры стационарной фотолюминесценции поликристаллических пленок на основе CdS, полученных методом ТКС. Природа и модели центров рекомбинации, ответственных за наблюдаемые полосы фотолюминесценции исследуемых структур.

2. Результаты исследования влияния условий синтеза, а именно температуры напыления, концентрации примеси, а также сорта атома примесного щелочного металла, на люминесцентные свойства тонкопленочных структур на основе CdS.

3. Механизм влияния легирования щелочными металлами пиролитических пленок CdS на люминесцентные свойства таких структур.

4. Результаты исследования кинетики релаксации фототока и термостимулированной проводимости пиролитических пленок CdS.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на

V Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, 2003;

Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию». Москва, 2003;

Международной научно-технической конференции «Полиматериалы - 2003». Москва, 2003;

X Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых. Москва, 2004;

II Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах». Воронеж, 2004;

Международной научно-технической конференции «Тонкие пленки и наноструктуры - 2004». Москва, 2004;

VI Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Владимир - Ульяновск, 2005;

Международной конференции «Фундаментальные проблемы физики - 2005». Казань, 2005;

Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые - 2005». Москва, 2005;

VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2006г;

III Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах». Воронеж, 2006;

Всероссийском Симпозиуме "Нанофотоника". Черноголовка Московской области, 2007 г;

VII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2007г.

Публикации и вклад автора. Работа выполнялась на кафедре оптики и спектроскопии Воронежского госуниверситета. Тема диссертационной работы поддержана грантом РФФИ «Создание модельных нелинейных конденсированных сред для управления малыми световыми потоками» (№ 05-02-96-402-р-цчра) и Федеральной Целевой Программой «Индустрия наносистем и материалов» (ГОСТ контракт №02.513.11.3059).

Автором получены все экспериментальные результаты, проведены математическая обработка, анализ и интерпретация полученных данных. Обсуждение результатов проводилось совместно с научным руководителем д.ф.-м. наук, проф. Клюевым В.Г.

По результатам диссертационной работы опубликовано 21 работа, в том числе 5 статей в журналах, входящих в список ВАК и тезисы и материалы 16 докладов на международных и всероссийских научных конференциях и симпозиумах.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы, включающего 105 наименований. Работа содержит 146 страниц машинописного текста, 56 рисунков, 24 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Майорова, Татьяна Львовна

Выводы

1. Исследование фотопроводимости пленок, полученных из тиомочевинных координационных соединений [Cd(thio)2Cl2], [Cd(thio)2Br2] и [Cd(thio)4](N03)2, показало, что наличие галогена в структуре пленки увеличивает ее фоточувствительность. При этом максимум полосы фотопроводимости исследуемых пиролитических пленок CdS наблюдается в области 460-500 нм. Эта полоса обусловлена зона-зонным переходом, в результате которого происходит разделение носителей заряда.

2. Исследуемые пиролитические пленки CdS обладают способностью запасать проводимость при комнатной температуре на длительное время ~ 104 сек. Этот эффект обусловлен наличием рекомбинационных барьеров между низкоомными и высокоомными областями, обусловленных неоднородностью пиролитических пленок. Рекомбинационные барьеры также могут быть расположены на границах кристаллитов или на их поверхности. Кроме того, кислород, образующий акцепторные уровни вблизи зоны проводимости, способен увеличивать потенциальный барьер между зернами поликристаллических пленок.

3. В результате температурных исследований релаксации остаточной фотопроводимости определена её энергия активации: Е = 0,68±0,04 эВ, которую можно сопоставить с высотой потенциального барьера между низкоомной и высокоомной областями.

4. Исследование термостимулированной проводимости показало, что в «чистых» пиролитических пленках CdS имеются два уровня локализации электронов с глубиной 0,48 и 0,51 эВ. Легирование пленок CdS щелочными металлами приводит к появлению еще одного уровня локализации электронов с глубиной залегания 0,53 эВ. Такие уровни могут образовывать приповерхностные атомы щелочных металлов. Кроме того, наблюдаемая термостимулированная проводимость может быть обусловлена не только наличием уровней локализации электронов, но и взаимодействием их с потенциальным барьером, ответственным за запасенную проводимость. Наличие потенциального барьера, обуславливающего запасенную проводимость, приводит к тому что, пики кривой термостимулированной проводимости затягиваются в сторону высоких температур и накладываются друг на друга. Ионизация донорных уровней приводит к временному понижению этого потенциального барьера и повышению вероятности рекомбинации через барьер.

Заключение

1. Установлено, что в спектрах фотолюминесценции пиролитических пленок CdS, активированных галогеном, наблюдается широкая полоса в области от 650 нм до 850 нм и далее в ближнюю ИК область. Данная полоса содержит три элементарные составляющие с максимумами в интервалах 720-760 нм, 780-810 нм и 830-850 нм, которые обусловлены наличием дефектов: [VCd2~Vs2+]0, [VCd2"Hals+]- и [VCd2"Os2+]°. Фотолюминесценция исследуемых пленок обусловлена захватом свободных электронов на соответствующие центры рекомбинации «вакансионной», «галогенидной» и «кислородной» полос.

2. Легирование пиролитических пленок CdS щелочными металлами приводит к увеличению интенсивности люминесценции в красной области спектра в несколько раз по сравнению с пленками CdS, активированными только галогеном. При этом спектр люминесценции состоит из аналогичных полос, связанных с такими дефектами как [Vcd ~Vs [Vcd Hals ]" и [Vcd Os Г- Причиной такого увеличения интенсивности фотолюминесценции является блокировка каналов конкурирующей рекомбинации, которыми могут быть, например, центры типа Vcd, за счет того, что при синтезе пленок ионы металлов могут занимать вакантные места в решетке, в том числе и на поверхности, снижая количество центров конкурирующей рекомбинации, что и приводит к увеличению интенсивности люминесценции кристаллофосфора CdS.

3. Определены оптимальные условия синтеза пиролитических пленок CdS с максимальной интенсивностью люминесценции. Максимальной интенсивностью люминесценции обладают пленки, полученные при Тнш=450 °С с концентрацией примеси Сме=Ю~5ат.% для пленок, л легированных Li, Na, К, Rb, и Сме=Т0~ ат.% для пленок, легированных Cs. Улучшение люминесцентных свойств таких пленок обусловлено достижением наиболее совершенной структуры и наилучшей для

4. Установлено, что пиролитические пленки CdS, легированные щелочными металлами совместно с галогеном, устойчивы к воздействию УФ излучения с интенсивностью 1021 квант/с-см2 в течение часа. Это свойство вероятно связано с тем, что атомы легирующих примесей обладают меньшей электроотрицательностью по сравнению с атомами Cd и блокируют фотохимическую реакцию, наблюдаемую для монокристаллов CdS и приводящую к необратимому разрушению кристалла.

5. Исследуемые пиролитические пленки CdS обладают способностью запасать проводимость при комнатной температуре на длительное время ~ 104 сек. Этот эффект обусловлен наличием потенциального барьера между низкоомными и высокоомными областями, связанных с неоднородностью пиролитических пленок. Такой рекомбинационный барьер может быть расположен также на границе кристаллитов или на поверхности. Кроме того, кислород, образующий акцепторные уровни вблизи зоны проводимости, способен увеличивать потенциальный барьер между зернами поликристаллических пленок.

6. Методом термостимулированной проводимости получена информация об энергетических уровнях электронных ловушек в пиролитических пленках CdS. Определено, что в «чистых» пленках CdS имеются два типа уровней локализации электронов с глубиной 0,48 и 0,51 эВ. Легирование пленок CdS щелочными металлами приводит к появлению еще одного уровня с глубиной залегания 0,53 эВ. Такие уровни могут быть образованы приповерхностными атомами щелочных металлов. Кроме того, наблюдаемая термостимулированная проводимость может быть обусловлена не только наличием уровней локализации электронов, но и взаимодействием их с потенциальным барьером, ответственным за запасенную проводимость. Наличие потенциального барьера, обуславливающего запасенную проводимость, приводит к тому что, пики кривой термостимулированной проводимости затягиваются в сторону высоких температур и накладываются друг на друга. Ионизация донорных уровней приводит к временному понижению этого потенциального барьера и повышению вероятности рекомбинации через барьер.

7. На основе исследований фотолюминесценции и фотопроводимости представлена зонная энергетическая модель пиролитических пленок CdS, которая содержит центры локализации для электронов (t) (Hal's, V's), рекомбинационные центры (г) (VCd "Vs", Vcd"Hals', VCd"Os") и центры медленной рекомбинации (s) (Vs , Os,

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Майорова, Татьяна Львовна, 2007 год

1. Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности / под ред. Я.А. Угай. - Воронеж: ВГУ, 1981.

2. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений: дис. д-ра хим. наук: 45Д/71: защищена 27.06.02: утверждена 15.11.02 /В.Н. Семенов. Воронеж, 2002.-355 с.

3. Физика и химия соединений А^^ / под ред. Медведева В.И. М.: Мир, 1970.-624 с.

4. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Издат-во иностран. литры, 1962. - 558 с.

5. Физика соединений AW под ред. Георгобиани А.Н., Шейкман М.К. -М.: Наука, 1986.-320 с.

6. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов: в 2-х т. -М.: Металлургиздат., 1962. т. 1 - 608 с.

7. Weber К. X-ray investigation of alpha CdS // Thesis Submitted to the Technical High School at Munich, Central Publication House for Dissertations, Triltisch, Duseldorf, 1961.

8. Поулинг JI. Природа химической связи. М. - Л., 1947.

9. Gordy W., Thomas W.J.O. // Journal Chem. Phys. 1956. - V. 24. - P. 439.

10. Ю.Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.:

11. Высшая школа, 1982. 376 с.

12. П.Гурвич A.M., Катомина Р.В. О влиянии положения уровней собственных дефектов на отклонение от стехиометрии и электропроводность сульфидов цинка и кадмия // ФТТ. 1971. - Т. 5, №7. - С. 1351-1359.

13. Kroger Е.А. // Journal opt. Soc. Am. 1949. - V. 39. - P. 670.

14. Jenny D.A., Bube R.H. // Phys. Rev. 1954. - V. 96. - P. 1190.

15. Litton C.W., Reynolds D.C. // Phys. Rev. 1964. - V. 133. - P. A536.

16. Litton C.W., Reynolds D.C., Park Y.S., Collins T.C. // Bull. Am. Phys. Soc. -1966.-V. 11.-P. 226.

17. Park J.S., Zitton C.W. //Electronics. 1968. - V. 41. - P. 26.

18. Brodie D.E., Eastman P.S. // Canad J. Phys. 1965. - V. 43. - P. 969.

19. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. Люминесценция CdS монокристаллов, легированных различными донорами и акцепторами // Проблемы физики соединений AnBVI. -Вильнюс, 1972. - С. 76-80.

20. Новиков Б.В., Григорьев Р.В. Изменения фотоэлектрических свойств монокристаллов CdS при адсорбции и десорбции кислорода // Проблемы физики соединений АйВт. Вильнюс, 1972.-С. 283-287.

21. Миз К., Джеймс Т.Х. Теория фотографического процеса. -Л.:Химия, 1973.-572 с.

22. Tsay J.F., Mitra S.S. and Vetchino. // J. Phys. Chem. Solids. 1970. - V. 34. -P. 2167.

23. Varshni V.P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Physica. 1967. - V. 1. - P. 149.

24. Фотопроводящие пленки (типа CdS) / под ред. Кирьяшкиной З.И., Рокаха А.Г. Саратовский госуниверситет, 1979. - 192 с.

25. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. Москва, 1961.

26. Наумов А.В., Семенов В.Н., Гончаров Е.Г. Свойства пленок CdS, полученных из координационных соединений кадмия с тиомочевинной // Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 6. - С. 647-652.

27. Гринь В.Ф. Сальков Е.А., Хвостов В.А. О температурной зависимости экситонной люминесценции монокристаллов CdS // Проблемы физики соединений AnBVI. Вильнюс, 1972. - С. 24-27.

28. Семенов В.Н., Клюев В.Г., Кушнир М.А. и др. Спектрально-люминесцентные свойства пленок, полученных распылением растворовтиомочевинных комплексов кадмия на нагретую подложку // Журнал прикладной спектроскопии. 1993. - Т. 59, № 1-2. - С. 114-119.

29. Lozada-Morales R., Zelaya-Angel О., Torres-Delago G. On the yellow-band emission in CdS films // Appl. Phys. 2001. - V. A73. - P. 61 - 65.

30. Келле Х.И., Кире Я.Я., Тулва JI.T. К вопросу о происхождении оранжевой и красной люминесценции CdS // Проблемы физики соединений АпВщ. Вильнюс, 1972. - С. 85-89.

31. Менцер А.Н., Дуденкова А.В. Люминесцентные и электрофизические характеристики монокристаллических слоев CdS на сапфировых подложках И Проблемы физики соединений AnBVI. Вильнюс, 1972. - С. 245-249.

32. Гудыменко Л.Ф., Гуле Е.Г., Витриховский Н.И., Лисица М.П. Миграция энергии в монокристаллах А^^, легированных эрбием // Проблемы физики соединений AnBVI. Вильнюс, 1972. - С. 72-76.

33. Семенов В.Н., Авербах Е.М. О люминесценции пленок CdS ZnS в спектральном интервале 400 - 1200 нм // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности / под ред. Угай Я.А. - Воронеж, 1981.-200 с.

34. Kroger F.A., Vink Н. J., Volger J. // Philips Res. Rept. 1955. - V. 10. -P.39.

35. Марковский Л.Я., Перкман P.M., Петошина Л.Н. Люминофоры. М.-Л.: Химия, 1966.-231 с.

36. Абрикосов Н.Х. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В. и др. М.: Наука, 1975.-219 с.

37. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников М.: Высшая школа, 1975.-302 с.

38. Boer K.W., Gutsche Е., Jahne Е. Н Phys. Stat. Sol. 1963. - V. 3. - P. 922.

39. Химия: справочные материалы / под ред. Третьякова Ю.Д. М.: Просвещение, 1989. -224 с.41.0nuki M., Hase H. J. // Phys. Soc. Japan. 1965. - V. 20. - P. 171.

40. Dresner J., Shallcross F.V. // J. Appl. Phys. 1963. - V. 34. - P. 2390.

41. Карпович И.А., Звонков Б.Н. // Физика твердого тела. 1964. - В. 6. -С.3392.

42. Mankarious R.G. // Solid-State Electron. 1964. - V. 7. - P. 702.

43. Cusano D.A. Electronic Division / Extended Abstracts // Electrochem. Soc. -I960,-V. 9.-P. 84.

44. Гросс Е.Ф. и др. Исследование длинноволнового края собственного поглощения поликристаллических пленок CdS и ZnSe при низких температурах // ФТТ. 1960. - Т. 2. - С. 2945.

45. Гнатенко Ю.П., Курик М.Р. Экситон-фонноное взаимодействие в CdS // ФТТ.- 1970.-Т. 12.-С. 1143.

46. Kitamura S. Влияние нагрева на спеченные пленки сульфида кадмия // J. Phys. Sos. Japan. 1960. -V. 15. - P. 1697.49.3айман Д. Принципы теории твердого тела. М., 1966. - 79 с.

47. Гросс Е.Ф., Якобсон М.А. // ЖТФ. 1955. - Т. 25. - С. 364.

48. Гросс Е.Ф., Якобсон М.А. // ДАН СССР. 1955. - Т.102. - С. 485.

49. Соболев В.В. Спектры отражения и поглощения кристаллов группы AnBVI // Оптика и спектроскопия. 1965. - Т. 18. - С. 813 - 819.

50. Parinda V., Praveen Т., Pushan A., Singh В.Р., Rajarshi В. // Journal Physics: Condens. Matter. 2002. - V. 14. - P. 281-286.

51. Власенко H.A., Гринь В.Ф., Денисова 3.JL, Сальков Е.А. О природе краевой люминесценции пленок CdS, сильно легированного донорами // Проблемы физики соединений А^В41. Вильнюс, 1972. - С. 66 - 70.

52. Вехт А. Методы активации перекристаллизации пленок соединений А1^//Физика тонких пленок. — Москва, 1968. Т.З.

53. Калинкин И.П., Муравьева К.К. Эпитаксия соединений AnBVI Н Электролюминесцирующие пленки. Тарту, 1972. - С. 7.

54. Aven М., Garwacki W. J. // Electrochem. Soc. 1963. - V. 110. - P. 401.

55. Cullis A.G., Smith P.W., Parbrook P.J. et al. Structure of hexagonal and cubic CdS heteroepitaxial layers on GaAs studied by ТЕМ // Appl. Phys. Lett. -1989. V. 55, № 20. - P. 2081-2083.

56. Endoh Y., Kawakami Y., Taguchi Т., Hiraki A. Structural and photoluminescence characterization of CdS/GaAs films and CdS-ZnS strained-layer superlattices grown by low-pressure MOCVD method // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - V. 27, № 11. - P. L2199-L2202.

57. Ю.Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2Вб // Москва: Логос, 2003.-303 с.

58. Moss T.S. //Proc. IRE. 1955. -V. 43. -P. 1869.65.11ieva M., Dimova-Malinovska D., Ranguelov В., Markov I. High temperature electrodeposition of CdS thin films on conductive glass substrates // J.Phys.: Condens. Matter. 1999. - V. 11. - P. 1025-1031.

59. Chamberlin R.R., Skarman J.S. Chemical spray deposition process for inorganic films // J. Electrochem. Soc. 1966. - V.l 13, №1. - P.86-89.

60. Наумов A.B. Формирование пленок сульфида кадмия и меди термической деструкцией тиомочевины в координационных соединениях: дис. кандидата хим. наук: 02.00.01: защищена 11.10.2001: утверждена 14.12.2001 /А.В. Наумов. Воронеж, 2001. - 154 с.

61. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Погуляева И.В. Взаимодействие сульфида металла с поверхностью кварцевой подложки // Физико-химические процессы в гетероструктурах. Воронеж: изд. ВГУ, 1985. - С. 114 - 118.

62. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М., Шамшиева И.А. Исследования термического разложения дихлордитиомочевины кадмия (II) // Журнал общей химии, 1986. Т. 56, вып. 9. - С. 1945-1950.

63. Шейкман М.К., Маркевич И.В., Хвостов В.А. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CdS:Ag:Cl // ФТП, 1971.-Т. 5, в. 10.-С. 1904.

64. Сандомирский В.Б., Ждан А.Г., Мессерер М.А., Гуляев И.Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупроводников // ФТП, 1973.-Т. 7, в. 7.-С: 1314.

65. Маркевич И.В., Шейкман М.К. // ФТТ, 1970. № 12. - С. 3136.

66. Mullins J.T., Taguchi Т., Brown P.D. et al. Growth and optical properties of CdS:(Cd, Zn)S strained layer superlattices // Jap. J. Appl. Phys., 1991. V. 30, № 11A. - P. L1853-L1856.

67. Brown P.D., Loginov Y.Y., Mullins J.T. et al. ТЕМ studies of Cd:Zn:S-based superlattices and epitaxial layers // Microsc. Semicond. Mater. Bristol; London: Inst. Phys. Conf., 1991. Ser. № 117. - P. 627-630.

68. Mullins J.T., Taguchi T. Non-linear optical properties of the CdxZni xS:CdyZniyS strained layer superlattice system // J. Cryst. Growth., 1992. V. 117.-P. 501-504.

69. Yamada Y., Masumoto Y., Taguchi T. Ultraviolet lasing and excitonic gain in CdxZnixS-ZnS strained-layer multiple quantum wells // J. Cryst. Growth., 1994,-V. 138.-P. 570-574.

70. Turner A.K., Woodcock J.M., Qzsan M.E. et al. Stable, high-efficiency thin film solar-cells produced by electrodeposition of cadmium telluride // Solar Energy Mater., 1991. V. 23, № 2-4. - P. 388-393.

71. Barker J., Binns S.P., Johnson D.R. et al. Electrodeposited CdTe for thin film solar cells // J. Solar Energy, 1992. V. 12. - P. 79-94.

72. Touskova J., Kindl D., Tousek J. Photovoltaic cells on CdS/CdTe heterojunctions // Phys. Stat. Sol. (a), 1994. V. 142. - P. 539-549.

73. Chu T.L., Chu S.S., Ferekides C. et al. High-efficiency CdS/CdTe solar cells from solution-grown CdS films // Proc. 22nd IEEE Photov. Spec. Conf. Las Vegas; Nevada, 1991. P. 952-956.

74. Fardig D.A., Phillips J. E. J/V characteristics CdTe/CdS solar cells prepared by vacuum evaporation // Proc. 22nd IEEE Photov. Spec. Conf. Las Vegas; Nevada, 1991. P. 1146-1150.

75. Ahrenkiel R.K., Keyes B.M., Levi D.L. et al. Spatial uniformity of minority-carrier lifetime in polycrystalline CdTe solar cells // Appl. Phys. Lett., 1994. -V. 64.-P. 2879.

76. Loginov Y.Y., Galloway S.A., Durose K. et al. Transmission electron microcopy of CdTe/CdS based solar cells // J. Cryst. Growth., 1996. V. 161, № 1-4.-P. 159-163.

77. Nouhi A., Stirn R.J., Meyers P.V., Liu C.H. High-efficiency CdTe thin film solar cells using metalorganic chemical vapour deposition techniques // J. Vac. Sci. Technol. A., 1989. V. 7, № 3. - P. 833-836.

78. Simmons M.Y., Al Allak H.M., Brinkman A.W., Durose K. Electrical and optical characterization of epitaxial ZnTe/CdTe/CdS and ZnTe/CdTe/GaAs p-i-n solar cell structure grown by MOVPE // J. Cryst. Growth., 1992. - V. 117.-P. 959-963.

79. Boer K.W., Borchardt W., Borchardt E. // Z. Phys. Chem, 1954. Bd. 203. -S. 145.

80. Майорова Т.Л., Клюев В.Г., Семенов В.Н. Пленочные структуры на основе CdS, синтезированные в присутствии ионов Na+ и К+, устойчивые к УФ излучению // Труды V Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, 2003. С. 128.

81. Гурвич A.M., Катомина Р.В. Термодинамический анализ образования дефектов в люминесцирующих кристаллах ZnS С1 и CdS - С1. // Журнал физической химии, 1969. - Т. 43, №1. - С. 72-79.

82. Новиков Б.В., Григорьев Р.В. Изменения фотоэлектрических свойств монокристаллов CdS при адсорбции и десорбции кислорода // Проблемы физики соединений AnBVI. Вильнюс, 1972. - С. 283-287.

83. Роуз А. Основы теории фотопроводимости Москва: Мир, 1966. -192 с.

84. Bube R.H. // Journal. Chem. Phys. 1955. - V. 23, № 18.

85. Майорова Т.Л., Семенов В.Н., Клюев В.Г., Наумов А.В. Люминесценция и фотопроводимость пленок сульфида кадмия, легированных элементами I группы // Неорганические материалы. -2006. Т. 42, №5. - С. 523-529.

86. Майорова Т.Л., Клюев В.Г. Рекомбинационные процессы в поликристаллических структурах на основе CdS // X Международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах» 10-12 октября 2007 г

87. Эффект фотопамяти в высокоомных монокристаллах CdS:Си // ФТП, Петербург, 1995. Т. 29, вып. 8. - С. 1411-1415.