Магнетосопротивление в структуре ферромагнетик/полидифениленфталид/немагнитный металл тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Лачинов, Алексей Алексеевич

• Лачинов, Алексей Алексеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лачинов, Алексей Алексеевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. СПИНТРОНИКА

§ 1. Фундаментальные предпосылки для управления транспортом 10 носителей заряд путем воздействия на их спин.

§2. Металлическая и полупроводниковая спинтроника.

§3. Органическая спинтроника.

§4. Транспортные свойства несопряженных полимеров.

ГЛАВА II. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ В СТРУКТУРЕ

ФЕРРОМАГНЕТИК/ПДФ/НЕМАГНИТНЫЙ МЕТАЛЛ

§ 1. Объект исследования.

§2. Исследование образцов с массивным ферромагнитным 64 электродом.

§3. Исследование образцов с пленочным ферромагнитным 66 электродом.

ГЛАВА III. РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ

ФЕРРОМАГНЕТИК/ПДФ/НЕМАГНИТНЫЙ МЕТАЛЛ

§ 1. Магнетосопротивление структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл с массивным ферромагнитным электродом.

1.1 Регистрация магнетосопротивления в структуре 69 ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

1.2. Вольтамперные характеристики структуры 73 ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

1.3. Влияние магнитострикции на магнетосопротивление 88 структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

§2. Магнетосопротивление структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл с массивным с пленочным ферромагнитным электродом.

2.1. Регистрация магнетосопротивления в структуре 94 ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

2.2. Влияние электрического поля на магнетосопротивление 97 структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл

2.3. Вольтамперные характеристики структуры 100 ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

2.4. Зависимость магнетосопротивления структуры 107 ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл от материала электродов.

2.5. Влияние толщины полимерной пленки на 111 магнетосопротивление структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

§3. Механизм влияния магнитного поля на транспортные 112 свойства структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

3.1. Влияние спиновой поляризации на 112 магнетосопротивление структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

3.2. Обсуждение зонной модели магнетосопротивления 119 структуры ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Магнетосопротивление в структуре ферромагнетик/полидифениленфталид/немагнитный металл»

В настоящее время транспорт спинполяризованных носителей заряда активно исследуется, что в первую очередь связано с его применением в устройствах хранения данных.

Впечатляющее развитие этой сферы микроэлектроники происходит из возможности считывать спиновое состояние движущихся электронов ферромагнитными электродами в считывающей головке [1,2]. Последние исследования фокусировались на инжекции и транспорте спина в классических полупроводниках, 81 и ОаАэ [3], они принесли много оригинальных физических результатов, но не достигли значительного ожидаемого прикладного успеха. Одна из проблем неорганических материалов относительно небольшие времена релаксации спина. В последние несколько лет исследовательский интерес обратился к таким же явлениям, но на органических материалах. [3, 4, 5, 6, 7, 8]

Существуют фундаментальные отличия между органическими и неорганическими полупроводниками (ПП), которые связаны с распределением энергии в обоих случаях. В неорганических полупроводниках уместно рассматривать транспорт практически свободных электронов, что приводит к введению валентной зоны, зоны проводимости с резковыраженной формой и малой эффективной массой. Электроны и дырки перемещаются с большой подвижностью и большими временами жизни, так как случаи рассеивания их спинов довольно редки:

В аморфном органическом проводнике молекулярные орбитали определяются делокализованными 2р тс-электронами. Перекрытие орбиталей соседних молекул настолько мало, что зоны в органических материалах плоские с малой дисперсией и большой эффективной массой.

В последние несколько лет было установлено, что в органических материалах реализуется значительно большее время релаксации спина. Однако органическим материалам присущи другие проблемы: малая концентрация носителей заряда и малая их подвижность. Например, в рубрене, одном из лучших органических полупроводников, подвижность дырок составляет 10 см^^сек"1 при

2 11 • 2 11 комнатной температуре (450 см В" сек" для р-81, 400 см В" сек' для р-ваАз) (рис.

1).

Это в свою очередь приводит к малым величинам электрических токов, которыми можно управлять и малому относительному изменению сопротивления конечных устройств в магнитном поле. Эти принципиальные ограничения связывают с особенностями использования сопряженных органических материалов.

В то же время, существует большой класс несопряженных полимерных материалов, которые в тонких пленках демонстрируют высокие уровни, практически металлической, проводимости и подвижности носителей заряда сопоставимые с параметрами хороших неорганических полупроводников.

10-1в „ 10°

Рис. 1. Зависимость длина спиновой диффузии 15 от времени релаксации сп: различных материалов. Органические полупроводники находятся в верхнее углу. Они имеют долгие времена жизни, но короткие длины диффузии из-за н подвижности. [1]

Одним из представителей этого класса является полидифени^г

Нфталид

ПДФ), обладающий несопряженной системой валентных тс-элекг—:~■гр0нов и отличающийся нетипичными для диэлектриков электронными ^прятт^др— ^тиками

Одной из таких характеристик является способность изменять Механизм проводимости от диэлектрической до металлической под действие! полей. Такая смена является обратимой и может приводить к внешних 'Менению сопротивления до 1 ГОм. Изменением проводимости в таких материа^ас— управлять электрическим полем, давлением, граничными условиям] магнитным полем. Эффект изменения сопротивления под действием поля называется магнетосопротивлением (МС) и является базовым современной области электроники, как спинтроника. можно а также -^гнитного -Ал я такой

Поэтому исследование механизма переноса заряда в несопряженном органическом материале под действием магнитного поля представляет огромный интерес, как с точки зрения фундаментальной науки, так и с точки зрения практического применения.

Таким образом, цель настоящей работы — это исследование закономерностей переноса заряда в тонких пленках полимера полидифениленфталида в многослойной структуре ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл под действием внешнего магнитного поля.

В связи с этим защищаемые положения можно сформулировать следующим образом:

1. В многослойной структуре ферромагнетик/полимер/металл реализуется магнетосопротивление с аномально большими коэффициентами.

2. Магнетосопротивление в многослойной структуре ферромагнетик/полимер/металл имеет инжекционную природу.

3. Изменение проводимости ферромагнетик/полимер/металл происходит под влиянием магнитного поля на параметры потенциального барьера на границе ферромагнетик/полимер таким образом, что возникает инжекция спин поляризованных носителей с уровня Ферми ферромагнетика в узкую зону в середине запрещенной зоны полимера.

Диссертация состоит из трех глав, введения и основных выводов.

Во введении обоснована актуальность темы, сформулирована цель и задачи работы, показана ее научная новизна.

В первой главе приводится литературный обзор экспериментальных и теоретических работ, связанных с эффектами магнетосопротивления.

Во второй главе описываются объекты и методики проведенных исследований.

В третьей главе приведены результаты, полученные в ходе проведенных экспериментов.

В качестве заключения кратко изложены основные выводы работы.

В диссертации содержится 142 страницы, 38 иллюстраций, библиография включает 92 названия.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Лачинов, Алексей Алексеевич

ОСНОВНЫЕ выводы

1. В структуре металл/полидифениленфталид/металл можно реализовать огромное магнетосопротивление при условии, что хотя бы один из металлов будет ферромагнетиком. Особенностями этого эффекта являются:

1). Коэффициент магнетосопротивления до 1011 %.

2). Обратимость изменения сопротивления.

3). Малые поля воздействия: до 300 мТл.

4). Комнатная температура и обычная атмосфера.

2. Магнетосопротивление обусловлено инжекцией спинполяризованных носителей из ферромагнетика в широкозонный полимерный слой.

3. Установлено, что увеличение разности потенциалов на электродах в структуре ферромагнетик/полидифениленфталид/немагнитный металл приводит к уменьшению величины магнитного поля, индуцирующего изменение электропроводности экспериментальной структуры.

4. Влияние гальваномагнитных явлений и магнитострикции на огромное магнетосопротивление в структуре ферромагнетик/ПДФ/немагнитный металл незначительно.

5. Предложен механизм изменения проводимости в структуре ферромагнетик/полидифениленфталид/немагнитный металл, вызванного магнитным полем, который заключается в изменении параметров потенциального барьера на границе ферромагнетик/полимер в магнитном поле таким образом, что возникает инжекция спин поляризованных носителей с уровня Ферми ферромагнетика в узкую зону в середине запрещенной зоны полимера.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лачинов, Алексей Алексеевич, 2011 год

1. A spin of their own / G. Szulczewski, S. Sanvito and M. Coey // Nature Mat. - 2009 - Vol 8.

2. Coey, J. M. D. Magnetism and Magnetic Materials / J. M. D. Coey // Cambridge Univ. Press 2009.

3. Awschalom, D. A. Challenges for semiconductor spintronics / D. A. Awschalom, M. E. Flatté // Nature Phys. 2007 - V. 3 - P. 153-159.

4. Dediu, V. A. Spin routes in organic semiconductors / V. A. Dediu, L.E. Hueso, I. Bergenti, C. Taliani // Nature Mater. 2009 - V. 8 - P. 707-716.

5. Xiong, Z. H. Giant magnetoresistance in organic spin-valves / Z. H., Xiong, D. Wu, Z. V. Vardeny, J. Shi // Nature 2004 - V. 427 - P. 821824.

6. Wagemans, W. A two-site bipolaron model for organic magnetoresistance / W. Wagemans, F. L. Bloom, P. A. Bobbert, M. Wohlgenannt, B. J. Koopmans // App. Phys. 2008 - V. 103 - P. 07F303.

7. Dediu, V. A. Room temperature spin polarized injection in organicsemiconductor / V. A. Dediu, M. Murgia, F. C. Matacotta, C. Taliani, S. Barbanera // Solid State Commun. 2002 - V. 122 - P. 181-184.

8. Slonczewski, J.C. Conductance and exchange coupling of two ferromagnets separated by a tunneling barrier /J.C. Slonczewski // Phys. Rev. B 1989 - V. 39 - P. 6995.

9. Julliere, M. Tunneling between ferromagnetic films / M. Julliere // Phys. Lett. 1975 -Y. 54A-P. 225.

10. Gafvert, U. Electron Tunneling between Ferromagnetic Films / U. Gafvert, S. Maekawa,// IEEE Trans. Magn. 1982 - MAG-18 - P. 707.

11. Y. Suezawa, Y. Gondo, // Proceedings of the International Symposium on Physics Of Magnetic Materials, edited by M. Takahashi, S. Maekawa, Y. Gondo H. Nose 1987 - World Scientific - Singapore - P.303.

12. Pomerantz, M. Strongly coupled ferromagnetic resonances of Fe films /M. Pomerantz, J.C. Slonczewski, E. Spiller // J. Appl. Phys. 1987 - V. 61 -P. 3747.

13. M. Pomerantz, Proceedings of the International Symposium on Physics Of Magnetic Materials / M. Pomerantz, J.C. Slonczewski, E. Spiller //, edited by M. Takahashi, S. Maekawa, Y. Gondo, H. Nose — World Scientific — 1987 Singapore- P. 64.

14. Wolf, E.L. Principles of Electronic Tunneling Spectroscopy / E.L. Wolf // Oxford University Press 1985 - sec. 8.2.4 — New York.

15. Johnson, M. Coupling of electronic charge and spin at a ferromagnetic-paramagnetic metal interface / M. Johnson, R.H. Silsbee // Phys. Rev. B, — 1988-V. 37-P. 5326.

16. Baibich, M.N. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices / M.N. Baibich, J.M. Broto, A. Fert, F.N. Van Dau, F. Petroff, P. Eitenne, G. Creuzet, A. Friederich, J. Chazelas, // Phys. Rev. Lett. -1988 V. 61 - P. 2472-2475.

17. Binasch, G. Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange / G. Binasch, P. Grunberg, F. Saurenbach, W. Zinn // Phys. Rev. B -1989 V. 39 - P. 7.

18. Grunberg, P. Layered magnetic structures: evidence for antiferromagnetic coupling of Fe layers across Cr interlayers / P. Grunberg, R. Schreiber, Y. Pang, M.B. Brodsky, H. Sowers // Phys. Rev. Lett. 1986 - V. 57 - P, 2442.

19. Grunberg, P. Layered magnetic structures: Evidence for antiferromagnetic coupling of Fe layers across Cr interlayers / P. Grunberg, R. Schreiber, Y. Pang, U. Walz, M.B. Brodsky, H. Sowers, // J. Appl. Phys. 1987 - V. 61-P. 3750.

20. Grunberg, P. Thin Film Growth Techniques For Low Dimensional Structures, edited by R.F.C. Farrow, S.S.P. Parkin, P.J. Dobson, J.H. Neave, A.S. Arrott / P. Grunberg // 1987 Plenum - New York.

21. McGuire, R.T. Anisotropic magnetoresistance in ferromagnetic 3d-alloys / R.T. McGuire, R.I. Potter // IEEE Trans. Magn. 1975 - V. 11, P. 1018.

22. Shen, A. Epitaxy of (Ga, Mn)As, a new diluted magnetic semiconductor based on GaAs / A. Shen H. Ohnoa, b, F. Matsukuraa, Y. Sugawaraa, N. Akibaa, T. Kuroiwaa, A. Oiwac, A. Endoc, S. Katsumotoc and Y. Iye // J. Cryst. Growth 1997 - V. 175 - P. 1069.

23. Cowbum, R. P. Magnetic switching and in-plane uniaxial anisotropy in ultrathin Ag/Fe/Ag(100) epitaxial films / R. P. Cowburn, S. J. Gray, J. Ferre., J. A.C. Bland, and J. Miltat // J. Appl. Phys. 1995 - V. 78 - P. 7210.

24. Prinz, G.A. Magnetoelectronics / G.A. Prinz // Science 1998 - V. 282 -P. 1660.

25. Park, J.-H. Direct evidence for a half-metallic ferromagnet / J.-H. Park, E.

26. Vescovo, H.-J. Kim, et al // Nature -1998 V. 392 - P. 794.

27. Schoen, J.H. An organic solid state injection laser / J.H. Schoen, C. Kloc, A. Dodabalapur, et al. // Science 2000 - V. 289 - P. 599.

28. Torsi, L. Charge transport in oligothiophene field-effect transistors / L. Torsi, A. Dodabalapur, L.J. Rothberg, A. W. P. Fung, and H. E. Katz // Phys. Rev. B 1998 -V. 5 - P. 2271.

29. Satpathy, S. Electronic Structure of the Perovskite Oxides: LaCaMnOs / S. Satpathy, Z.S. Popovic, F.R. Vukajlovic // Phys. Rev. Lett. 1996 - V. 76 -P. 960.

30. Rashba, E.I. Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem / E.I. Rashba // Phys. Rev. B 2000 - V. 62 - P. R16267.

31. Kirczenow, G. Ideal spin filters: A theoretical study of electron transmission through ordered and disordered interfaces between ferromagnetic metals and semiconductors / G. Kirczenow // Phys. Rev. B —2001 -V. 63-P. 054422.

32. Bennati, M. Zero-field-splitting and ji-electron spin densities in the lowest excited triplet state of oligothiophenes / M. Bennati, K. Nemeth, P.R. Surjan, et al. // J. Chem. Phys. 1996 - V. 015 - P. 4441.

33. Friend, R. H. Electroluminescence in conjugated polymers. / R. H. Friend et al. //Nature 1999 - Y. 397 - P. 121-128.

34. Lee, S. T. Energy level alignment at AlQ/metal interfaces / S. T. Lee, X. Y. Hou, M. G. Mason, C. W. Tang // Appl. Phys. Lett. 1998 - V. 72 - P. 1593-1595.

35. Arisi, E. Organic light emitting diodes with spin polarized electrodes / E. Arisi, et al. // J. Appl. Phys. 2003 - V. 93 - P. 7682-7683.

36. Dieny, B. Giant magnetoresistance of magnetically soft sandwiches: dependence on temperature and on layer thicknesses / B. Dieny, et al. // Phys. Rev. B 1992-V. 45 - P. 806-813.

37. De Teresa, J. M. Inverse tunnel magnetoresistance in Co/SrTi03/La0.7Sr0.3Mn03: new ideas on spin-polarised tunnelling / J. M. De Teresa, et al. // Phys. Rev. Lett. 1999 - V. 82 - P. 4288-4291.

38. Francis, T.L. Large magnetoresistance at room temperature in semiconducting polymer sandwich devices / T.L. Francis, O. Mermer, G. Veeraraghavan, M. Wohlgenannt // New Jour, of Phys. — 2004 V. 6, - P. 185.

39. Wohlgenannt, M. Formation cross-sections of singlet and triplet ezis—^icitons in ^-conjugated polymers / M. Wohlgenannt, K. Tandon, S. Mazurc^L <zlar, S Ramasesha and Z. V. Vardeny // Nature 2001 - V. 409 - P. 494.

40. Frankevich, E. Polaron-pair generation in poly(phenylene vinylen^^ s^ / j? Frankevich, A. A. Lymarev, I. Sokolik, F. E. Karasz, S. Blumsterx^a^el, R H. Baughman, and H. H. Horhold // Phys. Rev. B 1992 - V. — p 9320.

41. Buchachenko, A. L. Chemical Generation and Reception of RacLx and Microwaves / A. L. Buchachenko, E. L. Frankevich // 1994.

42. Baldo, M.A. Interface-limited injection in amorphous cz»:rganic semiconductors / M.A. Baldo and S.R. Forrest // Phys. Rev. B 20O y 64 — P.085201.

43. Ениколопян, Н.С. Аномально низкое электрическое сопротивление тонких пленок диэлектриков / Н.С. Ениколопян, Ю. А. Берлин, С. И. Бешенко, В. А. Жорин // Письма в ЖЭТФ 1980 - Т. 33 (10) - С. 508.

44. Ениколопян, Н.С. Новое высокопроводящее состояние композиций металл полимер / Н.С. Ениколопян, Ю. А. Берлин, С. И. Бешенко, В. А. Жорин // ДАН СССР, сер. Физ. химия. 1981 - Т. 258 (6) - С. 1400.

45. Берлин, Ю.А. О возможном механизме аномально высокой проводимости тонких пленок диэлектриков / Ю.А. Берлин, С.И. Бешенко, В.А. Жорин, А.А. Овчинников, Н.С. Ениколопян // ДАН СССР, сер. Физ. Хим. 1981 - Т. 260 (6) - С. 1386.

46. Лачинов, А.Н. Электроника тонких слоев широкозонных полимеров /

47. A.Н. Лачинов, Н.В. Воробьева // УФН 2006 - Т. 176 - №. 12.

48. Johansson, N. A theoretical study of the chemical structure of the non-conjugated polymer poly(3,3,-phthalidylidene-4,4'-biphenylene) / N. Johansson, A.N. Lachinov, S. Stafstrom, W.R. Salaneck // Synth. Metals -1994-V. 67-P. 319.

49. Zykov, B.G. Valence electronic structure of phtalide-based polymers /

50. B.G. Zykov, V.N. Baydin, Z.Sh. Bayburina, M.M. Timoshenko, M.G. Zolotukhin, A.N. Lachinov // Journal of Electron Spectroscopy and Rel. Phenomena 1992 - V. 61 - P. 123.

51. Зыков, Б.Г. Резонансный захват электронов низких кинетических энергий молекулами производных фталида / Б.Г. Зыков, Ю.В. Васильев, B.C. Фалько, А.Н. Лачинов, В.И. Хвостенко, Н.Г. Гилева // Письма в ЖЭТФ 1996 - Т. 64 (6) - С. 402.

52. Лачинов, А.Н. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении / А.Н. Лачинов, А.Ю. Жеребов, В.М. Корнилов // Письма в ЖЭТФ 1990 - Т. 52 (2) - С. 742.

53. Антипин, В.А. Электролюминесценция в тонких пленках полимеров, обладающих аномально высокой проводимостью / В.А. Антипин, И.Л. Валеева, А.Н. Лачинов // Письма в ЖЭТФ 1992 - Т. 55 (9) - С. 526.

54. Zherebov, A.Yu. On the mutual influence of uniaxial pressure and electric field on the electronic instabilities in polydiphenylenephthalide / A.Yu. Zherebov, A.N. Lachinov // Synth. Metals 1991 - V. 44 - P. 99.

55. Lachinov, A.N. Thermostimulated switching in thin polymer films / A.N. Lachinov, A.Yu. Zherebov, M.G. Zolotukhin // Synth. Metals 1993 - V. 59 -P.377.

56. Корнилов, В.М. Электронностимулированный переход диэлектрик металл в электроактивных полимерах / В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // Письма в ЖЭТФ 1995 - Т. 61 (6) - С. 504.

57. Ионов, А.Н. Сверхпроводящий ток в тонкойпленкеполифталидилиденбифенилена / А.Н. Ионов, А.Н. Лачинов, Р. Ренч // Письма в ЖТФ 2002 - Т. 28 (14) - С. 69.

58. Корнилов, В.М. Электропроводность в системе металл -полимер металл: роль граничных условий / В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // ЖЭТФ- 1997-Т. 111 (4)-С. 1513.

59. Корнилов, В.М. Модификация поверхности системы Si—Si02— полимер с помощью сканирующего туннельного микроскопа / В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // Микросистемная техника — 2003 Т.З - С. 78.

60. Lachinov, A.N. Electron émission from polymer films under electric-field influence / A.N. Lachinov, V.M. Kornilov, Yu. M. Yumaguzin, E.E. Tchurlina // Journal of Society for Information Display — 2004 V. 12 (2) -P.149.

61. Лачинов, А.Н. Электроника несопряженных полимеров: Электропроводящие полимеры / А.Н. Лачинов // Вестник Академии наук РБ 2005 - Т. 10 (3) - С. 5.

62. Sze, S.M. Physics of Semiconductor Devices / S.M. Sze // 1981 Wiley-Interscience.

63. Лачинов, А.Н. Высокопрводящее состояние в тонких пленках полимеров. Влияние электрического поля и одноосного давления / А.Н. Лачинов, А.Ю. Жеребов, В.М. Корнилов // ЖЭТФ. 1992 - Т.102.С. 187.

64. Воробьева, Н.В. Обнаружение гигантского магнетосопротивления в системе Fe/Ni-полимвр-Си / Н.В. Воробьева, А.Н. Лачинов, Б.А. Логинов // Поверхность. В. 2006 — Т. 5 - С. 22.

65. Osborn, J.A. Demagnetizing factors of the general ellipsoid / J.A. Osborn //Phys. Rev. В.-1945-V. 57.-No. 11-12.-P. 351.

66. Вонсовский, C.B. Магнетизм / C.B. Вонсовский // 1971 -Москва. Наука. С. 920.

67. Holtzberg, F. Detection of magnetic domains by tunnel junctions / F. Holtzberg, A.F. Mayadas, W.A. Thompson, S. Molnar // US Patent -1976.-№3972035.

68. Gatner, K. Fermi level and phase transformations in GdCo / K. Gatner, A.N. Lachinov, M. Matlak, A. Slebarski, T.G. Zagurenko // arXiv:cond-mat/0503432vl cond-mat.str-el.

69. Лачинов, А.Н. К вопросу о высокой проводимости несопрояженных полимеров / А.Н. Лачинов, В.М. Корнилов, Т.Г. Загуренко, А.Ю. Жеребов // ЖЭТФ 2006 - Т. 129 - № 4 - С. 728.

70. Салихов, Р.Б. О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-металл / Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, Р.Г. Рахмеев // ФТП 2007 - Т.41 - № 10-С. 1182.

71. Майссел, Л. Технология тонких пленок / Л. Майссел, Р. Глэнг // 1977- Москва, Советское радио С. 664.

72. Ю.В. Гуляев, Ю.В. Гуляев, П.Е. Зильберман, Э.М. Эпштейн // Новые магнитные материалы микроэлектроники: Сб. трудов XX международной школы-семинара 2006 - г. Москва, Изд-во физ. фак. МГУ, М.,-С. 871.

73. Lachinov, A.N. Giant Magnetoresistance in the Polymer-Ferromagnetic System A.N. Lachinov, N.V. Vorobieva, A.A. Lachinov // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2007 - V.467 - P. 135.

74. Dieny, B. Magnetotransport properties of magnetically soft spin-valve structures / B. Dieny, V.S. Speriosu, S. Metin, S.S.P. Parkin, B.A. Gurney, P. Baumgart, D.R. Wilhoit // J. Appl. Phys. 1991 - V. 69 (8).

75. Cowley, A.M. Surface states and barrier height of metal semiconductor systems / A.M. Cowley, S.M. Sze //, J. Appl. Phys. - 1965 - V. 36 - P. 3212.

76. Cabrera, G.G. Theory of the residual resistivity of Bloch walls: I Paramagnetic effects / G.G. Cabrera, L.M. Falicov // Phys. Status Solidi (b)- 1974-V. 61-P. 539.

77. Prinz, G.A. Molecular beam epitaxial growth of single-crystal Fe films on GaAs / G.A. Prinz, J.J. Krebs // Appl. Phys. Lett. 1981 - V. 39 - P. 397.

78. Santos, T. S. Room-Temperature Tunnel Magnetoresistance and Spin-Polarized Tunneling through an Organic Semiconductor Barrier / T. S.

79. Santos, J. S. Lee, P. Migdal, I. C. Lekshmi, B. Satpati, and J. S. Moodera // Phys. Rev. Lett. 2007 -V. 98 - P. 016601.

80. Edmonds, K.W. High-Curie-temperature Gal—xMnxAs obtained, by resistance-monitored annealing / K.W. Edmonds, K.Y. Wang, p Campion, A.C. Neumann, N. R. S. Farley, B. L. Gallagher, and C.T Foxon // Appl. Phys. Lett. 2002 - V. 81 - P. 4991.

81. Schott, G.M. Influence of growth conditions on the lattice constant and composition of (Ga,Mn)As / G.M. Schott, G. Schmidt, G. Karczewski L.W. Molenkamp, R, Jakiela, A. Barcz, and G. Karczewski // Appl. Phys Lett. 2003 - V. 82 - P. 4678.

82. Parkin, S. S. P. Handbook of Magnetism and Advanced Ivtagentic Materials Vol. 5 (eds Kronmiiller, H. & Parkin, S. S. P.) / S. S. P-Parkin // 2008 Ch. 1-Wiley.

83. Smidt, G. J. Concepts for spin injection into semiconductors / G.J. Smidt // Phys. D. -2005 V. 38 - P. 107.

84. Tang, H. X. Giant Planar Hall Effect in Epitaxial (Ga,Mn)As Devices / H X. Tang, R. K. Kawakami, D. D. Awschalom, and M. L. Roukes, // Phys Rev. Lett. 2003 - V. 90 - P. 107201.

85. Dediu, V. Micro-Raman and resistance measurements of epitaxial La0.7Sr0.3Mn03 film / V.Dediu, J. Lopez, F.C. Matacotta, P. Nozar, G. Ruani, R. Zamboni, and C. Taliani // Phys. Stat. Sol. (b) 1999 - V. 2151. P. 1095.

86. Murgia, M. In-situ characterisation of the oxygen induced changes in a UHV grown organic light-emitting diode / M. Murgia, R.H. Michle, G. Ruani, W. Gebauera, O. Kapoustaa, R. Zambonia and C. Taliani // Synth. Met.-1999-V. 102-P. 1095.

87. DeVries, J. Measurement of the work function of YlBa2Cu307—5 under ambient conditions / J. DeVries, S.S. Wakisaka, R.E. Spjut // J. Mater. Res 1993-V. 8-P. 1497.

88. Oh, J.H. Air-stable n-channel organic thin-film transistors with high field-effect mobility based on N,N'-bis(heptafluorobutyl)-3,4:9,10-perylene diimide / J.H. Oh, S. Liu, Z. Bao, R. Schmidt, F. Wurthner //, Appl. Phys. Lett 2007 - V. 91 - P. 212107.\