Магнитные нанокомпозиты и полупроводниковые структуры вблизи перехода металл – диэлектрик тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Аронзон, Борис Аронович

• Аронзон, Борис Аронович
• доктор физико-математических наук
• 2012

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Аронзон, Борис Аронович, 2012 год

1. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979

2. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л., //Локализация электронов в магнитном поле, ЖЭТФ, 1973. Т. 64, 2222 2235 ().

3. В.А. Гергель, Сурис Р.А., Исследование флуктуаций поверхностоного потенциала в структурах металл-диэлектрик- полупроводник// ЖЭТФ 1978. Т. 75, С. 191 -203.

4. Гуляев Ю.В., Плесский В.П., Электронные свойства невырожденных сильнолегированных компенсированных полупроводников// ЖЭТФ, 1976. Т. 71, С. 1475.

5. Horing N. J. Ann. Phys. (Leipzig) 54, 405 (1969).

6. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л., Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников// ЖЭТФ, 1971. Т. 60, С. 867 878.

7. Tsidilkovskii I.M., Arapov J.G., Zvereva M.L., Brandt N.B., Kulbachinskii V.A., Gorbatyuk I.N., The Influence of Compensation on the Hall Effect and Magnetoresistance ofn-Hg0.8Cd0.2Te//Phys. Stat. Sol. (b), 1988. V. 148, P. 197-201

8. Gebhard J., Nimtz G., Photoconductivity of condensed electrons in the dilute metal n-type Hg(0.8)Cd(0.2)Te// Sol. St. Comm., 1985. V. 56, P. 131.

9. De Vos G., Herlach F., Myron H.W, Magnetotransport properties of HgixCdxTe in high magnetic fields// J. Phys.C. :Sol. St. Phys. 1986. V. 19, P. 2509 2516.

10. Shayegan M., Goldman V.J., Drew H.D., Nelson D.A., Tedrow P.M., Magnetic-field-induced localization in InSb and Hgo.79Cdo.21Te Phys. Rev., 1985. V. 32, P. 6952-6955.

11. Shayegan M., Drew H.D., Nelson D.A., Tedrow P.M., Electron correlation effects on the magnetic-field-induced metal-insulator transition in Hgo.79Cdo.21Te// Phys. Rev. B, 1985. V. 31, P. 6123 6126.

12. A.L. Efros and B.I. Shklovskii, Critical Behaviour of Conductivity and Dielectric Constant near the Metal-Non-Metal Transition Threshold// Phys.Stat. Sol. (b) 1989. V. 76, P. 475 485.

13. Арапов Ю.Г., Давыдов А.Б., Зверева M.JI., Стафеев В.И., Цидильковский И.М. локализация электронов в магнитном поле в п- Cd0.2Hg0.sTe// ФТП, 1983. Т. 17, С. 1392-1396 0

14. Гальперин Ю.М., Дричко И.Д., Литвак-Горская Л.Б. Индуцированный магнитным полем переход металл диэлектрик в легированном сильнокомпенсированном n-InSb// ФТТ, 1988. Т. 30, С. 3118 - 3125.

15. Цидильковский И.М., Арапов Ю.Г., Давыдов А.Б., Зверева М.Л., Индуцированный магнитным полем переход металл диэлектрик в CdHgTe// Письма в ЖЭТФ, 1986. Т. 44, С. 80 - 82.

16. Цидильковский И.М. Кристаллизация трехмерного электронного газа// УФН, 1987. Т. 152, С. 583 622.

17. Шик А. Я. Магнетосопротивление неоднородных полупроводников I и II// ФТП, 1975. Т. 9, С. 872-875 и С. 1152- 1154.

18. Шик А .Я. Перколяционный эффект Холла в сильном магнитном поле// ФТП, 1983. Т. 17, С. 2220 2222

19. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л., Теория протекания и проводимость сильнонеоднородных сред// УФН, 1975. Т. 117, С. 401- 435.

20. Дрейзин Ю.А., Дыхне A.M., Аномальная проводимость неоднородной среды в сильном магнитном поле// ЖЭТФ, 1972. Т. 63, С. 242.

21. Шик А.Я. Письма Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводников// ЖЭТФ , 1974. Т. 20, С. 14 -17.

22. Карпов В.Г., Шик А.Л., Шкловский Б.И. К теории эффекта Холла в случайно неоднородных полупроводниках// ФТП, 1982. Т. 16, С. 1406 1410.

23. Herring С., Effect of Random inhomogeneties on electrical and galvanomagnetic measurements//J. Appl. Phys., 1960. V. 31, P. 1939 1944.

24. Sampsell J.B., Garland J., Current distortion effects and linear magnetoresistance of inclusions in free-electron metals//Phys. Rev. В., 1976. V. 13, P. 583 586 ()

25. Елизаров A.M., Иванов-Омский В.И., Корнияш A.A., Петряков B.A. К вопросу об аномалии кинетических коэффициентов в n- CdxHgi.xTe при низких температурах// ФТП, 1984. Т. 18, С. 201 205.

26. Гитис М.Б., Гуляев Ю.В., Чайковский А.И. Поглощение звука в сильнолегированных компенсированных полупроводниках// Письма в ЖЭТФ, 1978. Т. 28, С. 537-540.

27. Дричко И.Л., Коган С.И. Влияние микронеоднородностей на электронное поглощение ультравзвука в n-InSb/ADTT, 1972. Т. 14, С. 3378 -3384.

28. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников, Наука, М., 1978

29. Stadler J., Nimtz G., Maier H., Ziegler J., Surface conductivity of n-type Hgo.gCdo.2 in high magnetic field// J. of Phys. D. 1985. V. 18, P. 2277 2283.

30. Gebhardt J., Nimtz G., Schlicht В., Stadler J.Viscous-liquid-like electron state in the dilute-metal-like n-type Hg0.gCd0.2Te// Phys. Rev. В., 1985. V. 32, P. 5449 -5452.

31. Robert J.L., Raymond A., Aulombard R.L., Bousqet C., Magnetic freeze-out in doped semiconductors the metal non-metal transition in и-type InSb// Phil. Mag., 1980. V. 42, P. 1003 1025.

32. Shlimak I., Kaveh M., Yosefin M., Lee M., Fozooni P., Crossover phenomenon for hopping conduction in strong magnetic fields// Phys. Rev. Lett., 1992. V. 68, P. 3076-3079.

33. Мурзин C.C. Влияние эффектов локализации и корреляции рассеяния на проводимость в ультраквантовом пределе// Письма в ЖЭТФ, 1987. Т. 45, С. 228 -231.

34. Shayegan М., Magnetic-Field-Induced Metal-Insulator Transition in Narrow Gap. Semiconductors// Phys. Rev.Lett., 1986. V. 57, P. 1056 1059.

35. Adams E., Holstein Т., Quantum Theory of Transverse Galvanomagnetic// J. Phys. Chem. Sol., 1959. V. 10, P. 254 276.

36. Aronzon B.A., Meilihov E.Z., Helicon damping in semiconductors in the quantum limit// Phys. Stat. Sol.(b), 1977. V. 79, P. 753 762.

37. Stadler J.P., Nimtz G., Heat capacity of a condensed electron system in the dilute metal «-Hgo.8Cdo.2Те// Phys. Rev. Lett., 1986. V. 56, P. 382 385.

38. Nimtz G., Stadler J.P., Heat capacity of free electrons at the degenerate-nondegenerate transition// Phys. Rev. В., 1985. V. 31, P. 5477 5478.

39. Коган Ш.М. К теории горячих электронов в полупроводниках//ФТТ, 1962. Т. 4, С. 2474-2484.

40. Хмельницкий Д.Е., Андерсоновская локализация в протекательной структуре// Письма в ЖЭТФ 1980. Т. 32, С. 248 -251.

41. Gefen Y., Thouless D. J., Imry Y., Localization effects near the percolation threshold//Phys. Rev. В 1983. V. 28, P. 6677-6680.

42. Levi Y.-E., Souillard В., Superlocalization of electrons and waves in fractal media// Europhys. Lett., 1987. V. 4, P. 577 -581.

43. А.Г.Аронов, М.Е.Гершензон, Ю.Е.Журавлев, Квантовые эффекты в пленках с протеканием. Гранулированные пленки Cui.xOx// ЖЭТФ 1984. Т. 87, С. 971-987.

44. Abrahams Е., Anderson P.W., Liccardello D.C., Ramakrishnan T.V., ScalingTheory of Localization: Absence of Quantum Diffusion in Two Dimensions// Phys. Rev. Lett. 1979. V. 42, P. 673-676.

45. B. L. Altshuler and A. G. Aronov Altshuler, P. A. Lee., Interaction Effects in Disordered Fermi Systems in Two Dimensions// Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44, P. 1288-1291., Solid State Comm. 1979. V. 39 P. 1167.

46. Patrick A. Lee, T. V. Ramakrishnan, Disordered electronic systems// Rev. Mod. Phys. 1985. V. 57, P. 287-337.

47. Altshuler B.L.and Aronov A.G. , in "Electron-Electron Interaction in Disodered Systems" Ed A.L.Efros and M.Pollak Amsterdam: North Holland, 1985 P. 155.

48. Morita S., Mikoshiba N., Koike Y., Fukase T., Ishida S., Kitagawa M. Effects of the anderson localization on magnetoconductivity in metallic n- InSb and n-GaAs// Solid State Electronics, 1985. V. 28, P. 113.

49. Aronzon B.A., Meilikhov E.Z. Lazarev S.D. Semiconductors in Table of Physical Quantaties, ed. by Meilikhov E.Z. and Grigoriev I.S., New York CRC, 1997.

50. Dubois H., Biskupski G., J.P. Spriet, Briggs A., Conductivity and mobility in InP at very low temperatures: new arguments for a sharp m-i transition// J.Phys.C; Sol.St.Phys., 1985. V. 18, P. L195

51. A.A.Oubraham, G. Biskupski, E. Zdanowcz, Negative magnetoresistance of n-type compensated cadmium arsenide (CdAs2) in the temperature range 11K-4.2K// Solid State Commun. 1991. V. 77, P. 351-354.

52. Raikh M. E., Czingon J., Ye Q., Koch F., Schoepe W., and Ploog K. Mechanisms of magnetoresistance in variable-range-hopping transport for two-dimensional electron systems// Phys. Rev. B 1992. V. 45, P. 6015-6022.

53. Wojtowicz T., Dietl T., Sawicki M., Plesiewicz W., and Jaroszynski J., Metal-insulator transition in semimagnetic semiconductors// Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56,P. 2419-2422.

54. Shapira Y., and. Kautz R. L, Effect of spin splitting of the conduction band on the resistivity and Hall coefficient: Model for the positive magnetoresistance in EuSe// Phys. Rev. В 1974. V. 10, P. 4781-4794.

55. Fukuyama H., Yosida Y. , Magnetoresistance in the anderson localized states near the metal-nonmetal transition// Journal of the Physical Society of Japan, 1980. V. 48, P. 1879-1884.Список наиболее существенных публикаций Б.А. Аронзонак главе 1

56. Aronzon В.A., Tsidilkovskii I.M., Magnetic field induced electron localization in fluctuation potential wells//Phys.Stat.Sol.(b), 1990. V. 157, P. 17-60.

57. Аронзон Б.А., Мейлихов E.3.,Копылов A.B., Гальваномагнитные свойства CdxHgi.xTe после перехода металл-диэлектрик// ФТП, 1986. Т. 20, С. 1457 -1462.

58. Аронзон Б.А., Копылов А.В.,Мейлихов Е.З. Раренко И.М., Тальянский Е.Б., Горбатюк И.Н. Индуцированная магнитным полем локализация электронов во флуктуационном потенциале в CdxHgl-xTe// ЖЭТФ, 1986. Т. 89, С. 126 133.

59. Аронзон Б.А., Никитин М.С., Сусов Е.В., Чумаков Н.К., Природа индуцированного магнитным полем перехода металл-диэлектрик CdxHg,xTe// ФТП, 1988. Т. 22, С. 897 906.

60. Аронзон Б.А., Дричко И.Л., Переход металл-диэлектрик в InSb в магнитном поле// ФТП, 1992. Т. 26, С. 1446 1461.

61. Аронзон Б.А., Копылов А.В.,Мейлихов Е.З., Высокочастотная проводимость CdxHgl-xTe вблизи перехода металл-диэлектрик//. ФТП, 1989. Т. 23, С. 471 -477.

62. Аронзон Б.А., Чумаков Н.К., Локализация электронов и гальваномагнитные свойства компенсированных кристаллов InSb and CdxHgixTe в квантующихмагнитных полях// ФТТ 1989. Т. 31, С. 10 22.

63. Аронзон Б.А., Арапов Ю.Г., Зверева M.JL, Чумаков Н.К.,Цидильковский И.М., Никитин М.С., Проводимость n-CdxHgl-xTe в магнитных полях превышающих поле перехода металл-диэлектрик// ФТП., 1990. Т. 24, С. 687 693.

64. Аронзон Б.А., Чумаков Н.К., Фазовая диаграмма состояния электронной системы сильнокомпенсированного полупроводника в магнитном поле// ФТП, 1996. Т. 30, С. 46-55.

65. Aronzon B.A., G.Galeczki, G.Nimtz, The electronic specific heat of narrow-gap semiconductors// Phil. Mag. B, 1993. V. 67, P. 847 854.

66. Аронзон Б.А., Копылов А.В.,Мейлихов Е.З Электронная теплоемкость CdxHgl-xTe вблизи перехода металл-диэлектрик// ФТП, 1986. Т. 21, С. 11121117.

67. Аронзон Б.А., Чумаков Н.К., Дитл Т., Вробель И., Двухямное отрицательное магнитосопротивление и квантовые эффекты в проводимости компенсированных кристаллов InSb // ЖЭТФ, 1994. Т. 105, С. 405 422.

68. М.Э. Райх, И.М. Рузин, Мезоскопическое поведение температурной зависимости поперечной прыжковой проводимости аморфной пленки// Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 43, С. 562 566.

69. А.О. Орлов, М.Э. Райх, И.М. Рузин, А.К. Савченко, Статистические свойства мезоскопических флуктуаций проводимости в коротко-канальных полевых транзисторах ОаАэ// ЖЭТФ. 1989. Т. 96, С. 2172 -2185.Литература к главе 2

70. А.И. Якимов, Н.П. Степина, А.В. Двуреченский, Мезоскопические эффекты в прыжковой проводимости облученного ионами аморфного кремния// ЖЭТФ. 1992. Т. 102, С. 1882 1891.

71. S.Manzini and A.Modelli, Hole mobility in /»-type silicon accumulation layersII J.Appl.Phys. 1989. V.65, P. 2361 2365.

72. A.S.Vedeneev, A.G.Gaivoronskii, A.G.Zhdan, V.V.Ryl'kov, Yu.Ya.Tkach, and A.Modelli, Field effect in weakly compensated Si under condition of impurity conduction// Appl.Phys. Lett 1994. V.64, P. 2566 2568.

73. Б.И.Шкловский, А.Л.Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

74. W.Versnel, Analysis of symmetrical Hall plates with finite contacts// J.Appl.Phys. 1981. V. 52, P. 4659 4665.

75. B.A. Гергель, Сурис P.A., Исследование флуктуаций поверхностоного потенциала в структурах металл-диэлектрик- полупроводник// ЖЭТФ. 1978 Т. 75, С. 191 -203.

76. Meir Y., Percolation type description of the metal-insulator transition in two dimension// Phys.Rev.Lett. 1999. V. 83. P. 3506 3509.

77. Buttiker M., quantized transmission of a saddle point constriction// Phys.Rev.B. 1990. V. 41, P. 7906 - 7909.

78. R. Landauer, Electrical transport in open and closed systems// Z. Phys. 1987. V. 68, P. 217-228.Список наиболее существенных публикаций Б.А. Аронзонак главе 2

79. Aronzon В.А., Rylkov V.V., Vedeneev A.S., Leotin J., Incoherent mesoscopic phenomena in macroscopic Si:B MOS structures// Physica A, 1997. V. 241, P. 259-266.

80. Б.А. Аронзон, А.С. Веденеев, А.А. Панферов, В.В. Рыльков. Мезоскопическне флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора// 2006. ФТП. Т. 40 (9), С. 1082-1086.

81. Аронзон Б.А., Д.А. Бакаушин, А,С,Веденеев, В.В. Рыльков, В.Е.Сизов, Проявление в спектре мелких пограничныхсостояний эффектов перколяционной проводимости короткоканальных полевых транзисторов// ФТП. 1997. Т. 31, С. 1460.

82. Аронзон Б.А., Д.А. Бакаушин, А,С,Веденеев, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков, Квазиодномерный транспорт невырожденных электронов в двумерных системах с флуктуационным потенциалом// Письма ЖЭТФ. 1997. Т. 66, С. 633.

83. Аронзон Б.А., Бакаушин Д.А., Веденеев А.С, Давыдов А.Б., Мейлихов Е.З., Чумаков Н.К., Проводимость электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик—металл// ФТП, Т.35, С. 448.