Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Громов, Дмитрий Геннадьевич

• Громов, Дмитрий Геннадьевич
• доктор технических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор технических наук Громов, Дмитрий Геннадьевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В СИСТЕМАХ, СОСТОЯЩИХ ИЗ ДВУХ КОНТАКТИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ТВЕРДЫХ МАКРОФАЗ: СИСТЕМЫ МЕТАЛЛ/КРЕМНИЙ.

1.1. Физико-химическая модель взаимодействия двух контактирующих твердых фаз. Правило последовательности образования соединений.

1.2. Физико-химическое обоснование параметра AH/vV.

1.3. Предсказание и экспериментальные наблюдения последовательностей образования силицидов в результате взаимодействия контактирующих фаз металла и кремния.

1.3.1. Система Ni/Si.

1.3.2. Система Fe/Si.

1.3.3. Система Co/Si.

1.3.4. СистемаPt/Si.

1.3.5. СистемаPd/Si.

1.3.6. Система Ti/Si.

1.3.7. Система Zr/Si.

1.3.8. Система I If Si.

1.3.9. СистемаV/Si.

1.3.10. Система Mo/Si.

1.3.11. СистемаNb/Si.

1.3.12. Система Ta/Si.

1.3.13. СистемаCr/Si.

Выводы к Главе 1.

Глава 2. ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ ДВУХСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ МЕЖДУ ТОНКИМИ ПЛЕНКАМИ СПЛАВОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ И КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКОЙ.

2.1. Эффект формирования двухслойной структуры при взаимодействии между кремнием и тонкой пленкой бинарного сплава переходных металлов.

2.2. Факторы, определяющие формирование двухслойной структуры в процессе взаимодействия пленок бинарных сплавов переходных металлов с кремниевой подложкой.

2.3. Взаимодействие кремниевой подложки и пленки сплава, компоненты которого образуют интерметаллические соединения.

2.4. Движущие силы взаимодействия между Si и пленкой сплава, компоненты которого образуют интерметаллические соединения.

2.5. Воздействие дополнительного компонента на взаимодействие между пленкой сплава и кремнием.

2.6. Исследование взаимодействия между тонкой пленкой сплава Ti-Cr и подложкой Si.

2.7. Исследование взаимодействия тонких пленок сплавов

Ti-Co и Ti-Co-N с подложкой Si.

Выводы к Главе 2.

Глава 3. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ ДЕГРАДАЦИИ И ПРИНЦИПЫ ВЫБОРА МАТЕРИАЛОВ С ЦЕЛЬЮ ПОВЫШЕНИЯ СТАБИЛЬНОСТИ СИСТЕМ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ СБИС.

3.1. Анализ процессов деградации тонких контактных и диффузионно-барьерных слоев в системе металлизации кремниевой ИС.

3.2. Критерий выбора материала контактного слоя.

3.3. Критерии выбора материалов для диффузионно-барьерных слоев.

3.4. Исследование диффузионно-барьерной эффективности сплавов на основе вольфрама по отношению к кремнию и меди.

Выводы к Главе 3.

Глава 4. РАЗРАБОТКА САМОСОВМЕЩЕННОЙ

ТЕХНОЛОГИИ ОДНОВРЕМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОГО СИЛИЦИДНОГО И ДИФФУЗИОННО-БАРЬЕРНОГО СЛОЕВ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ

СБИС.

4.1. Обоснование выбора компонентов сплава.

4.1.1. CoSi2 - перспективный материал контактных слоев и межсоединений кремниевых СБИС с субмикронным уровнем: преимущества и проблемы формирования.

4.1.2. Диффузионно-барьерные слои в контактных системах на основе соединений нитрида титана.

4.2. Условия и методика проведения экспериментов.

4.3. Исследование электрофизических свойств контактной системы TiN/CoSi2, полученной методом ФДС из тонкой пленки сплава Ti-Co-N, и оптимизация режимов формирования.

4.4. Исследование процессов взаимодействия между подложкой кремния и тонкой пленкой сплава Ti-Co-N.

4.5. Влияние финишной очистки поверхности Si перед процессом формирования контактной системы CoSi2/Si из Co/Si и Co3oTi50N2o/Si.

4.6. Диффузионно-барьерные свойства контактной системы TiNCoSi2/Si, сформированной из пленки Ti-Co-N, по отношению к алюминию.

4.7. Разработка технологии самосовмещенного формирования диффузионно-барьерного слоя TiN и контактного слоя CoSi

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС»

Актуальность и перспективы

Система металлизации современной кремниевой сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) имеет многослойную структуру, включающую контактный, диффузионно-барьерный и один или несколько токоведущих слоев. Возникновение многослойной структуры металлизации является следствием основной тенденции микроэлектроники - уменьшения как горизонтальных (линейных), так и вертикальных (глубины залегания р-п переходов) размеров элементов интегральных схем. Вся история развития систем металлизации кремниевых интегральных схем показывает, что основной причиной усложнения металлизации является требования стабильности системы, которая снижается с уменьшением размеров элементов.

За последние годы основная тенденция привела к тому, что размеры элементов интегральных схем достигли субмикронного уровня (0,5-^0,1 мкм). Разрабатываемая для изделий с проектными нормами, лежащими в субмикронном диапазоне, технология формирования проводящих слоев в системе многоуровневой металлизации должна обеспечивать решение ряда ключевых проблем, характерных для области указанных минимальных топологических размеров элементов К числу таких проблем необходимо отнести следующие:

• обеспечение низких значений электрического сопротивления контактов между проводниками системы металлизации и легированными примесями р- и п-типа областями монокристаллического кремния (такими, как области стока/истока транзисторов) либо легированными примесями р- и п-типа электродами затвора/эмиттера из поликристаллического кремния, а также контактов между проводящими слоями двух смежных уровней металлизации;

• минимизация потребления материала подложки при формировании контактов к мелкозалегающим 20-50 нм) р-п переходам, а также исключение эрозии областей контактов к кремнию. Эта проблема, требующая сокращения толщины исходного материала для создания контактного слоя, привела к трудностям формирования и нестабильности Тл812, до недавнего времени широко используемого в технологии в качестве контактного слоя. Существование у этого соединения двух кристаллических модификаций (высокоомной С49 и низкоомной С54) вызвало возникновение проблемы трансформации из С49 в С54 со снижением толщины силицида. В результате этого требуются поиск новых силицидных материалов для его замены;

• снижение потерь легирующей примеси из областей контактов к р-п переходам транзисторов в монокристаллической подложке и к поликремниевым электродам затвора/эмиттера, возникающих за счет диффузии и сегрегации примеси в контактный слой силицида. Эта проблема также ставит под вопрос дальнейшее использование Т1812 из-за взаимодействия титана практически со всеми легирующими примесями;

• достижение высокой термостабильности структур контактной металлизации при многократных термических циклах в диапазоне значений температуры 500-800 °С и выше, которые сопровождают формирование проводящих и диэлектрических слоев многоуровневой системы металлизации. Эта проблема дополнительно обостряется из-за того, что узость алюминиевых токоведущих дорожек до предела обострила проблему электромиграции. В следствие этого в настоящее время в мире активно ведутся разработки по замене алюминия на медь, которая гораздо менее склонна к электромиграции и имеет в 1,58 раза меньшее электросопротивление. В свою очередь, это ставит другую задачу - поиска и разработки новых материалов диффузионно-барьерных слоев для меди;

• минимизация числа технологических операций, необходимых для создания системы металлизации. Сложность систем металлизации обуславливает большое число технологических операций, необходимых для формирования металлизации, что отражается на коэффициенте выхода годных изделий. Особенно критичными среди них при субмикронных размерах являются операции фотолитографии из-за высокой трудоемкости; чувствительности к дефектам фотошаблонов, контролировать которые очень трудно (опасным может быть дефект, размер которого составляет порядка 10% размера элемента) и необходимости обеспечения высокой точности совмещения топологических слоев (допустимая величина рассовмещения тем меньше, чем меньше размер элемента). В связи с этим, возникает серьезная проблема по поиску новых технологических решений, связанная с уменьшением числа фотолитографических операций.

Часть из указанных проблем, включая проблему стабильности, в том или ином виде уже возникала в истории развития систем металлизации и находила свое решение. Однако на субмикронном уровне они проявились в новом аспекте. Факт повторяемости проблем и анализ литературных данных указывает на то, что решение проблем металлизации носит чисто эмпирический характер. Причина этого состоит, прежде всего, в отсутствии понимания причин формирования и деградации тех или иных фаз или слоев, не смотря на обширный накопленный исследовательский материал и отдельные попытки его обобщения. В частности, например, хотя силициды давно используются в технологии СБИС, до сих пор не существует теории в полной мере объясняющей причины образования тех или иных силицидных фаз при взаимодействии тонкой пленки металла с кремниевой подложкой. Применение же классического принципа максимального изменения энергии Гиббса в данной ситуации ограничено из-за неравновесных условий в которых протекает взаимодействие. Ситуация с разработкой диффузионно-барьерных материалов еще более сложная. Анализ показывает, что в условиях необходимости перехода на медь, как материал токоведущих слоев, большая часть экспериментальных исследований относится к апробации под медь уже известных материалов диффузионных барьеров, что обусловлено отсутствием принципов выбора указанных материалов.

Целью диссертационной работы является развитие направления, связанного с разработкой физико-химических основ технологии металлизации кремниевых СБИС субмикронного уровня и в рамках этого направления:

• изучение, анализ и выявление закономерностей процессов твердофазного взаимодействия различных систем;

• разработка научно-обоснованных принципов выбора материалов и процессов получения функциональных слоев контактной системы кремниевых СБИС, которые обеспечивают высокую стабильность системы металлизации в процессе ее изготовления и эксплуатации;

• разработка технологических решений на основе выбранных материалов и процессов формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС субмикронного уровня.

Основные задачи, определяемые целями работы

• выявление и объяснение закономерностей взаимодействия в твердофазных системах металл/кремний;

• выявление и объяснение закономерностей взаимодействия в твердофазных системах сплавы переходных металлов/кремний;

• на основе выявленных закономерностей и анализа причин деградации многослойных систем металлизации разработка критериев выбора материалов для функциональных слоев металлизации кремниевых СБИС;

• на основе научно-обоснованных критериев разработка и исследование материалов диффузионно-барьерных слоев ;

• разработка новых технологических решений для создания систем металлизации кремниевых СБИС субмикронного уровня.

Научная новизна диссертационной работы: 1. Разработана новая модель, объясняющая характер физико-химического взаимодействия в системе, состоящей из двух контактирующих твердых фаз. Показано, что разработанная модель позволяет правильно предсказывать последовательности формирующихся соединений, даже в тех системах, поведение которых необъяснимо с позиции других известных моделей. В основу модели положена обнаруженная корреляция между величиной параметра ЛгН/уУ, где ЛГН - теплота химической реакции, в результате которой на границе двух контактирующих твердых фаз формируется новое соединение; где у и V - число молей и мольный объем нового соединения, соответственно, и формирующимися соединениями. Доказано, что параметр Д,-Н/уУ характеризует изменение плотности внутренней энергии системы в результате образования нового соединения. Модель позволяет с новой стороны объяснить процессы взаимодействия двух контактирующих твердых фаз, а именно, с позиции изменения плотности внутренней энергии, которая, как доказано, в твердофазной системе является эквивалентом давления в газовой системе.

2. Впервые разработан подход и выявлены факторы, которые определяют характер твердофазного физико-химического взаимодействия между кремнием и тонкими пленками сплавов переходных металлов и объясняют причины формирования однослойной или двухслойной структур силицидов. Показано, что относительная поверхностная активность компонентов системы и их теплоты смешения оказывают определяющее влияние на конечный результат взаимодействия между кремнием и пленкой сплава. Путем анализа литературных данных и результатов собственных исследований доказана правильность такого подхода. Обоснована роль модифицирующих добавок в получении двухслойной структуры при взаимодействии указанных сплавов с кремнием. Получено экспериментальное подтверждение выдвинутых теоретических положений и доказана возможность прогнозирования свойств формируемой многослойной системы металлизации.

3. На основе анализа процессов взаимодействия и деградации в многослойных системах разработаны принципы выбора материалов для формирования стабильных слоев различного функционального назначения в составе металлизации кремниевых СБИС. Обоснованы критерии выбора материалов диффузионно-барьерных слоев, главными из которых являются поверхностная инактивность компонентов материала диффузионно-барьерного слоя и его теплота образования по отношению к аналогичным параметрам контактирующих с ним .кремния и материала токоведущего слоя. На примере различных сплавов вольфрама экспериментально доказано, что эффективность барьерных свойств применительно к меди тем выше, чем более отрицательная теплота образования сплава.

4. Впервые для разработки селективных травителей использован теоретический подход, основанный на методе построения диаграмм электрохимических равновесий в водных растворах. Построены диаграммы электрохимических равновесий систем СозТ1-Н20, СогТьНгО и Т1Ы-Н20.

5. Разработана методика расчета содержания компонентов в пленке, осаждаемой в процессе реактивного ионно-плазменного распыления мозаичных мишеней.

6. Разработан новый метод расчета параметров диодов Шотки, позволяющий вычислять последовательное сопротивление в реальных диодах Шотки.

Практическая ценность результатов работы состоит в следующем:

1. Разработанная новая модель, которая объясняет характер физико-химического взаимодействия в системе, состоящей из двух контактирующих твердых фаз и может быть использована для теоретической оценки поведения и стабильности систем при разработке новых материалов в различных отраслях науки и техники, где используются многослойные структуры. Применительно к технологии микроэлектроники с помощью данной модели, в частности, показано, что перспективными для использования в качестве контактных слоев являются силициды с высоким содержанием кремния.

2. Выявление факторов, определяющих характер физико-химического взаимодействия между кремнием и тонкими пленками сплавов переходных металлов, позволило разработать новый способ создания контактных систем интегральных схем, основанный на принципе приведения системы в термодинамическое равновесие, что повышает термическую стабильность и надежность контактной системы.

3. Разработанные критерии выбора материалов диффузионно-барьерных слоев определяют направление поиска новых материалов, обеспечивающих высокую стабильность системы металлизации в составе кремниевой СБИС.

4. Разработана технология получения контактной системы на основе сплава Ti-Co-N с термической стабильностью контактного слоя до 850 °С и эффективными барьерными свойствами к диффузии AI до 590 °С.

5. Разработана новая самосовмещенная технология, позволяющая из пленки сплава Ti-Co-N без операции фотолитографии одновременно формировать не только контактный слой силицида CoSi2, но и диффузионно-барьерный слой TiN.

6. На основе разработанного метода расчета параметров диодов Шотки созданы компьютерная программа и автоматизированный измерительный комплекс.

Научные положения выносимые на защиту:

1. Модель взаимодействия двух контактирующих твердых фаз. Физико-химическое обоснование параметра ЛгН/уУ. Правило последовательности формирования фаз при взаимодействии двух контактирующих твердых фаз.

2. Роль относительной поверхностной активности компонентов системы и их теплот смешения в конечном результате взаимодействия между кремнием и тонкими пленками сплавов переходных металлов.

3. Принципы выбора материалов для формирования стабильных слоев различного функционального назначения в составе металлизации кремниевых СБИС. Критерии выбора материалов диффузионно-барьерных слоев.

4. Самосовмещенная безлитографическая технология формирования контактного силицидного слоя Со812 и диффузионно-барьерноного слоя Т^ из пленки сплава ТьСо-М.

5. Способ разработки селективного травителя с помощью метода построения диаграмм электрохимических равновесий.

6. Метод расчета параметров диодов Шотки, позволяющий учитывать последовательное сопротивление в реальных диодах.

Публикации и апробация работы.

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на:

VII Отраслевой научно-технической конференции "Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и ИС" (Махачкала,1990 г.);

XIII Международном совещании "Новые материалы микроэлектроники на основе соединений тугоплавких металлов" (Киев-Юрмала, 1992 г.);

Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1994);

Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика" (Москва, 1995);

II Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика-97" (Москва, 1997);

Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлектроника - 98" (МНЭ-98), (Звенигород, 1998);

1-ой научно-технической конференции АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон" (Москва, 1998);

2-ой научно-технической конференции АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон" (Москва, 1999)

3-ой научно-технической конференции АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон" (Москва, 2000)

Международной конференции "Thermodynamics of Alloys" (Stockholm, Sweden, 2000);

3-ей Международной научно-технической конференции "Электроника и информатика-XXI век" (Москва, 2000)

По материалам диссертации опубликовано 37 печатных работ, получено 2 патента, еще на 1 патент получено положительное решение.

Личный вклад. Автору принадлежит постановка задач исследований, обоснование способов их осуществления, непосредственное выполнение значительной части экспериментов, расчетов и подготовки их математического обеспечения, систематизация и анализ результатов.

Структура и объем работы. Диссертация содержит введение, пять глав, заключение и приложение. Список использованных источников, приведенный в конце диссертационной работы в номерном порядке, включает 152 ссылки. В работе имеется 62 рисунка и 50 таблиц. Ее полный объем 271 страница.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Громов, Дмитрий Геннадьевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

На основании выполненных исследований разработаны научные основы процессов твердофазного взаимодействия в силицидообразующих системах, включая одно и двух компонентные сплавы переходных металлов, выбора материалов диффузионно-барьерных слоев и комплекса методов целенаправленного воздействия на параметры технологического процесса, обеспечивающие возможность получения многослойной металлизации кремниевых СБИС субмикронного уровня.

1. Теоретически обоснована и подтверждена анализом опубликованных в литературе экспериментальных результатов модель взаимодействия двух контактирующих твердых фаз. Показано, что разработанная модель позволяет правильно предсказывать последовательности формирующихся соединений, даже в тех системах, поведение которых необъяснимо с позиции других известных моделей. В основу модели положена обнаруженная корреляция между величиной параметра ДгН/уУ, где ДГН - теплота химической реакции, в результате которой на границе двух контактирующих твердых фаз формируется новое соединение; где V и V - число молей и мольный объем нового соединения, соответственно, и формирующимися соединениями. Доказано, что параметр А,Н/уУ характеризует изменение плотности внутренней энергии системы в результате образования нового соединения. Модель позволяет с новой стороны объяснить процессы взаимодействия двух контактирующих твердых фаз, а именно, с позиции изменения плотности внутренней энергии, которая, как доказано, в твердофазной системе является эквивалентом давления в газовой системе.

2. Впервые разработан подход и выявлены факторы, которые определяют характер твердофазного физико-химического взаимодействия между кремнием и тонкими пленками сплавов переходных металлов и объясняют причины формирования однослойной или двухслойной структур силицидов. Показано, что относительная поверхностная активность компонентов системы и их теплоты смешения оказывают определяющее влияние на конечный результат взаимодействия между кремнием и пленкой сплава. Путем анализа литературных данных и результатов собственных исследований доказана правильность такого подхода. Применение разработанного подхода проиллюстрировано на примере системы ТьСо/Бг Показано, что понимание закономерностей взаимодействия дает возможность влиять на конечный результат взаимодействия и, одновременно, решать проблему повышения стабильности слоев в составе металлизации кремниевых СБИС.

3. На основе анализа процессов взаимодействия и деградации в многослойных системах разработан научно-обоснованный подход к целенаправленному выбору материалов для формирования стабильных слоев различного функционального назначения в составе металлизации кремниевых СБИС.

4. Обоснованы критерии выбора материалов диффузионно-барьерных слоев, главными из которых являются поверхностная инактивность компонентов материала диффузионно-барьерного слоя и его теплота образования по отношению к аналогичным параметрам контактирующих с ним .кремния и материала токоведущего слоя. На примере различных сплавов вольфрама экспериментально показано, что эффективность барьерных свойств применительно к меди тем выше, чем более отрицательная теплота образования сплава.

5. Изучены процессы взаимодействия пленок сплава ТьСо с 81. Показано, что при концентрации компонентов сплава, соответствующей области интерметаллических соединений, образование Со812 блокируется, а взаимодействие пленки с 81 приводит к формированию тройных силицидных соединений СохТ1у81. Теоретически обоснована необходимость введения третьего компонента с целью направленного изменения свойств многослойной контактной системы. Изучены процессы взаимодействия пленок сплава Т1-Со, модифицированного азотом, с 81. Обнаружено, что легирование сплава азотом при нанесении пленки приводит к протеканию фазового расслоения в процессе ее высокотемпературного отжига и одновременному формированию слоя Со812 на межфазной границе с 81 и верхнего слоя, состоящего в основном из ТИЧ. Исследовано влияние концентрации азота на реакцию с 81 пленок сплава

Т17зСо27-М. Определен диапазон концентрации азота, в котором формируется контактная система с оптимальными электрофизическими и механическими свойствами и высокой термической стабильностью. Изучены диффузионно-барьерные свойства верхнего слоя на основе Т1]Ч, формируемого из пленки сплава Т17зСо27-М. Показано, что легирование пленки сплава азотом позволяет повысить устойчивость барьерного слоя к диффузии и реакции с верхним слоем алюминия до 590 °С в сравнении с 400-450 °С для диффузионных барьеров на основе чистых тугоплавких металлов и с 550 °С для Т^ в структуре, формируемой послойно.

6. На основе проведенных исследований взаимодействия разработана новая самосовмещенная технология, позволяющая из пленки сплава ТЧ-Со-Ы без операции фотолитографии одновременно формировать не только контактный слой силицида Со812, но и диффузионно-барьерный слой ТОЧ. Показано, что использование метода построения диаграмм электрохимических равновесий позволяет существенно упростить процесс разработки селективных травителей. С использованием указанного метода разработан жидкостной травитель, позволяющий практически со 100%-ой селективностью удалить отожженную пленку Тл-Со-М с БЮ2 не затрагивая пленку в области контактного окна к кремнию.

7. Разработан новый метод расчета параметров контактов с барьером Шотки, позволяющий по сравнению с известными методами существенно расширить измерительный диапазон ВАХ и повысить точность расчетов. Разработано программное обеспечение для автоматического измерения параметров контактов с барьером Шотки. Показано, что рассчитываемые с помощью указанного метода параметры контактов с барьером Шотки дают возможность судить о качестве переходного контактного слоя.

8. Для получения пленок сплава ТьСо-Ы с определенной концентрацией ингредиентов предложена методика расчета состава мозаичной мишени и парциального давления реактивного газа (азота) при ионно-плазменном нанесении. Данная методика основана на усовершенствовании модели ионно

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Громов, Дмитрий Геннадьевич, 2000 год

1. Сирота Н. Н. Физико-химическая природа фаз переменного состава. Минск: Наука и техника. 1970, -244 с.

2. Walser R.M., Bene R.W. Appl. Phys. Lett., 28, 1976, p. 624.

3. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982, -576 с.4. d'Heurle F.M. Nucleation of new phase from the interaction of two adjacent phases: some silicides. J. Mater. Res. vol. 3, №1, 1988, p. 167-195.

4. Pretorius R. Prediction of silicide formation and stability using heats of formation // Thin Solid Films, 1996, v. 290-291, p. 477-484.

5. Pretorius R. Prediction of phase formation sequence and phase stability in binary metal-aluminum thin-film systems using the affective heat of formation rule // J. Appl. Phys., 1991, v. 70, № 7, p.3636-3646.

6. Gromov D.G., Pavlova L.M. The thermodynamic criterion of compound formation sequence in the system of two contacting solid phases // Abstract of Discussion Meeting on Thermodynamics of Alloys, Stockholm, Sweden, May 8-11, 2000, p. 73.

7. Громов Д.Г., Павлова JI.M. Предсказание последовательности формирующихся соединений при взаимодействии двух контактирующих твердых фаз // Тез. докл. 3-ей Международной НТК «Электроника и информатика-XXI век», Москва, 2000.

8. Громов Д.Г., Павлова J1.M. Термодинамическое обоснование последовательности формирующихся соединений при взаимодействии двух контактирующих элементарных твердых фаз // Журнал физической химии (в печати).

9. Эмануэль Н.М., Кнорре Д.Г. Курс химической кинетики. М.: Высшая школа, 1969, -432 с.

10. Сирота Н.Н. Физические свойства полупроводников в связи с энергией и характером межатомной связи, с. 7-20 в книге «Химическая связь в полупроводниках и термодинамика». Минск: Наука и техника, 1966, -340 с.

11. Цагарейшвили Д.Ш. Методы расчета термических и упругих свойств кристаллических неорганических веществ. Тбилиси: Мецниереба, 1977. -263 с.

12. Самсонов Г. В., Виницкий И. М. Тугоплавкие соединения. М.: Металлургия, 1976, -558 с.

13. Kubaschewski О., Alkock С.В. Metallurgical thermochemistry // Pergamon Press. Oxford, New York, Toronto, Sydney, Paris, Frankfurt, v. 24, ed. G.V.Raynov, 5th 1979, -449 p.

14. Meschel S.V., Kleppa O.J. Standard enthalpies of formation of some 3d transition metal silicides by high temperature direct synthesis calorimetry // J. Alloy. Compd., 1998, v.267, № 1-2, p. 128-135.

15. Searcy A. W., Firniie L.M. //J. Am. Ceram. Soc., 1962, v.45, p. 268.

16. Schlesinger M.E. Thermodynamics of solid transition-metal silicides // Chem. Rev., 1990, v. 90, p. 607-628.

17. Meschel S.V., Kleppa O.J. Standard enthalpies of formation of some 4d transition metal silicides by high temperature direct synthesis calorimetry // J. Alloy. Compd., 1998, v. 274, № 1-2, p. 193- 200.

18. Meschel S.V., Kleppa O.J. Standard enthalpies of formation of some 5d transition metal silicides by high temperature direct synthesis calorimetry // J. Alloy. Compd., 1998, v. 280, № 1-2, p. 231-239.

19. Hulgren R., Desai Pr.D., Hawkins D.J. at al. Selected values of thermodynamic properties of bibary alloys // Ohio: American Soc. Metals: Park, 1973, -1435 p.

20. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений. Справочник. Под. ред. Т.Я.Косолаповой. М.: Металлургия, 1986, -928 с.

21. G.Ottaviani. J. Vac. Sci. & Technjl., 16, p. 1112 (1979).

22. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.:Мир, 1986, -176 с.

23. Lau S.S., Feng J.S.-Y., Olowolafe J.O., Nicolet M.-A. Thin Solid Films, v. 25, 1975, p.415.

24. Molnar G.L., Peto G., Horvath Z.E., Zsoldos E., Khanh N.Q. Size dependent phenomena during the formation of Gd and Fe silicide thin films // Microelectron. Eng., v. 37-8, № 1-4, 1997, p. 565-572.

25. Fanciulli M., Degroote S., Weyer G., Langouche G. Investigation of the Fe/Si interface and its phase transformations // Surf. Sci., v. 377, № 1-3, 1997, p. 529533.

26. Chrost J., Hinarejos J.J., Segovia P., Michel E.G., Miranda R. Iron silicides grows on Si(100): Metastable and stable phases // Surf. Sci., v. 371, № 2-3, 1997, p. 297.

27. Baldwin N.R., Ivey D.G. Low temperature iron thin film silicon reactions // J. Mater. Sci., v. 31, № 1, 1996, p. 31-37.

28. Burte E.P., Ye M. Cobalt disilicide formed by rapid thermal annealing and through-metal arsenic implantation // J. Mater. Res., 1991, v. 6, № 9, p. 1892-1899.

29. Ye M., Burte E., Tsien P.H., Ryssel H. Cobalt silicide formation caused by arsenic ion-beam mixing and rapid thermal annealing // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B-Beam Interact. Mater. 1991, v. 55, № 1-4, p. 773-777.

30. Shim J.Y., Park S.W., Baik H.K. Silicide formation in cobalt amorphous silicon, amorphous Co-Si and bias-induced Co-Si films // Thin Solid Films, 1997, v.292, № 1-2, p. 31-39.

31. Shim J.Y., Kwak J.S., Baik H.K. Solid state reactions in cobalt/amorphous-silicon multilayer thin films // Thin Solid Films, 1996, v. 288, № 1-2, p. 309-314.

32. Miura H., Ma E., Thompson C.V. Initial sequence and kinetics of silicide formation in cobalt amorphous-silicon multilayer thin-films // J. Appl. Phys., 1991, v. 70, № 8, p. 4287-4294.

33. Zhou S.M., Hundhausen M., Stark Т., Chen L.Y., Ley L. Kinetics of platinum silicide formation followed in situ by spectroscopic ellipsometry // J. Vac. Sci. Technol. A-Vac. Surf. Films, v. 17, № 1, 1999, p. 144-149.

34. Harder C., Emsermann A., Hammer L., Muller K. AES-depth-profiling of thin annealed Pt-films on Si(100) // Czech. J. Phys., v. 44, № 3, 1994, p. 239-243.

35. Pant A.K., Murarka S.P., Shepard C., Lanford W. Kinetics of platinum silicide formation during rapid thermal-processing // J. Appl. Phys., v. 72, № 5, 1992, p. 1833-1836.

36. Canali C., Catellani C., Prudenziati M., Wadlin W.H., Evans C.A. Pt2Si and PtSi formation with high-purity pt thin-films // Appl. Phys. Lett., v. 31, № 1, 1977, p. 43-45.

37. Tsui B.Y., Chen M.C., Low-temperature reaction of thin-film platinum (less-than-or-equal-to-300A) with (100) silicon // J. Appl. Phys., v. 68, № 12, 1990, p. 6246-6252.

38. Massalski T.B., Bennett L.H., Murray J.L., Baker H. Binary alloy phase diagrams // ASM International: Metal Park, OH, 1986.

39. Благородные металлы. Справочник: Под ред. Е.М.Савицкого. -М.: Металлургия, 1984, -592 с.

40. Hutchins G., Shelepa A. Thin Solid Films, v. 18, 1973, p.343.

41. Langer H., Watchel E. Z. Metallk., v. 72, 1981, p. 769.

42. Wang M.H., Chen L.J. Phase formation in the inteifacial reactions of ultrahigh-vacuum deposited titanium thin-films on (lll)Si // J. Appl. Phys., 1992, v. 71, № 12, p.5918-5925.

43. Yamauchi Т., Zaima S., Mizuno K., Kitamura H., Koide Y., Yasuda Y. Solid-phase reactions and crystallographic structures in Zr/Si systems // J. Appl. Phys., v. 69, №10, 1991, p. 7050-7056.

44. Edwards A.M., Dao Y., Nemanich R.J., Sayers D.E., Kemner K.M. Structural investigation of the initial interface region formed by thin zirconium films on silicon (111) // J. Appl. Phys., v. 76, № 8, 1994, p. 4630-4635.

45. Shim J.Y., Kwak J.S., Chi E.J., Baik H.K., Lee S.M. Formation of amorphous and crystalline phases, and phase transition by solid-state reaction in Zr/Si multilayer thin films // Thin Solid Films, v. 269, № 1-2, 1995, p. 102-107.

46. Lin J.H., Hsieh W.Y., Chen L.J. Simultaneous occurrence of multiphase s in the interfacial reactions of ultrahigh-vacuum-deposited V and Zr thin films on (111) Si // J. Appl. Phys., v. 79, № 12, 1996, p. 9123-9128.

47. Zaima S., Wakai N., Yamauchi T., Yasuda Y. Interfacial solid-phase reactions, crystallographic structures, and electrical characteristics of Hf/(001)Si systems // J. Appl. Phys., v. 74, № 11, 1993, p. 6703-6709.

48. Hsieh W.Y., Lin J.H., Chen L.J. Simultaneous occurrence of multiphases in the interfacial reactions of ultrahigh-vacuum deposited Hf and Cr thin-films on (111) Si //Appl. Phys. Lett., v. 62, №10, 1993, p. 1088-1090.

49. Schutz R.J., Testardi L.R. The formation of vanadium silicides at thin-film interfaces // J. Appl. Phys., v. 50, № 9, 1979, p. 5773-5781.

50. Bouabellou A., Halimi R., Bechiri A. Silicide formation in Mo thin-films and Si single-crystal interactions // Inst. Phys. Conf. Ser., .№130, 1993, p.335-338.

51. Ijdiyaou Y., Azizan M., Ameziane E.L., Brunei M. On the formation of molybdenum silicides in Mo-Si multilayers the effect of Mo thickness and annealing temperature // Appl. Surf. Sci., v. 55, № 2-3, 1992, p. 165-171.

52. Zhang M., Yu W., Wang W.H., Wang W.K. Initial phase formation in Nb/Si multilayers deposited at different temperatures // J. Appl. Phys., v. 80, № 3, 1996, p. 1422-1427.

53. Zhang M., Yu W., Wang W.H., Wang W.K. Reinvestigation of the first nucleated phase in Nb/Si multilayers // Thin Solid Films, v. 289, № 1-2, 1996, p. 180183.

54. Zhang M., Xu Y.F., Wang W.K. Amorphous phase appearance at Nb-Si interfaces // J. Non-Cryst. Solids, v. 219, 1997, p. 84-88.

55. Zhang M., Wang W.K. Phase formation sequence induced by deposition temperatures in Nb/Si multilayers // J. Mater. Res., v. 13, № 5, 1998, p. 1373-1378.

56. Noya A., Takeyama M., Sasaki K., Nakanishi T. First-phase nucleation of metal-rich silicide in Ta/Si systems // J. Appl. Phys., v. 76, № 6, 1994, p.3893-3895.

57. Oustry A., Caumont M., David M.J., Berty J., Rocher A. Study of the Cr/Si (111) interfaces epitaxial-growth OF CrSi2 films // Microsc. Microanal. Microstruct., v. 3, № 1, 1992, p. 23-34.

58. Edelman F., Cytermann C., Brener R., Eizenberg M., Weil R., Beyer W. Phase-transformations in the Cr/a-Si system during low-temperature annealing // J. Non-Cryst. Solids, v. 137, 1991, p. 1063-1066.

59. Громов Д.Г. Физико-химические процессы формирования многослойной структуры при твердофазном взаимодействии тонких пленок сплавов переходных металлов с кремнием // Известия вузов. Электроника., № 12, 1999, с. 17-30.

60. Громов Д.Г. Факторы, определяющие формирование двухслойной структуры в процессе взаимодействия пленок бинарных сплавов с кремниевой подложкой // Сб. трудов 3-ой НТК АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон", Москва, 2000.

61. Gromov D.G., Mochalov A.I., Pugachevich V.P., Sorokin I.N. Interaction between binary alloy thin films and silicon substrate: the conditions of bilayer formation and the effect of additional component // Appl. Phys. A, v. 70, 2000, p. 333340.

62. Громов Д.Г. Закономерности взаимодействия между пленками бинарных сплавов переходных металлов и кремниевой подложкой // Известия вузов. Электроника, №6, 2000 (в печати).

63. Tu K.N. Shallow and parallel silicide contacts // J. Vac. Techn., 1981. V.19. N3. p.766-777.

64. Wittmer M. Silicide contacts for shallow junction devices// Thin Solid Films. 1985. V.107. N1. P.99-110.

65. Tu.K.N. Silicide contact for shallow junction devices //Jap. J.Appl.Phys. 1983. V.22. Suppl.l. P.141-151.

66. Tu K.N. Thin alloy films for metallization in microelectronic devices // Treatise on Mater. Sci. and Techn. 1982. V.24. P.237-282.

67. Eizenberg M., Ottaviani G. Tu K.N. Effect of substrate temperature on formation of shallow silicide contacts on Si using Pd-W and Pt-W alloys // Appl. Phys. Lett., 1980, V.37, N1, p.87-89.

68. Eizenberg M., Thompson R.D., Tu K.N. Thermal stability of Al/PdxWlOO-x/Si contact systems // J. Appl. Phys., 1985, V.58, N5, p. 1886-1892.

69. Eizenberg M., Tu K.N. Formation of shallow silicide contacts of high Schottky barrier on Si: alloying Pd and Pt with W is alloying Pd and Pt with Si // J. Appl. Phys., 1982, V.53, N3, p. 1577-1585.

70. Olowolafe J.O., Tu K.N., Angillelo J. Contact reaction between Si and Pd-W alloy films // J. Appl. Phys., 1979, V.50, N10, p. 6316-6320.

71. Ottaviani G., Tu K.N., Mayer J.W., Tsaur B Y. Phase separation in alloy-Si interaction // Appl. Phys. Lett., 1980, V.36, N4, p. 331-333.

72. Смекалова B.B., Сакович E.JI., Левчук H.E. Исследование процессов фазообразования в системе металлизации интегральных схем на кремнии// Докл. АН БССР, 1982, N2, с. 142-144.

73. Mayer J.W., Lau S.S., Tu K.N. Effect of substrate temperature on formation of shallow silicide contacts on Si using Pd-W and Pt-W alloys // Appl. Phys. Lett., 1980, V.37, N1, p. 87-89.

74. Harris J.M., Lau S.S., Nicolet M.-A., Nowicki. Studies of the Ti-W metallization system on Si // J. Electrochem. Soc., 1976, V. 123, № 1, p. 120-124.

75. Babcock S.E., Tu K.N. Titanium-tungsten contacts to Si: The effects of alloying on Schottky contact and silicide formation. // J. Appl. Phys., 1982, V.53, №10, p. 6898-6905.

76. Appelbaum A., Eizenberg M. Silicides formation for refractory metal alloys (Ta-V and Ta-V) on Si // J. Appl. Phys., 1984, V.56, № 8, p. 2341-2345.

77. Nava F., Mantovani S., Pignatel G., Queirolo G., Celotti G. The interaction of Ni-Pt alloy with silicon // Thin Solid Films, 1982, V.89, p.381-385.

78. Шебзухов А. А. Поверхностная сегрегация в разбавленных металлических растворах. Поверхность. Физика, химия, механика, 1983, №8, с. 13-22.

79. Miedema A.R., Boom R., De Boer F.R. On the heat of formation of solid alloys // J. Less-Common Metals, 1975, p. 283-298.

80. Appelbaum A., Eizenberg M., Brener R. Phase separation and layer sequence reversal during silicide formation with Ni-Cr alloys and Ni-Cr bilayers // J. Appl. Phys., 1984, V.55, N4, p.914-919.

81. Eizenberg M., Brener R. Contact reaction of silicon and thin films of Ir-V alloys // Thin Solid Films, 1982, V.89, p. 355-359.

82. Hsia S.L., Tan T.Y., Smith P., McGuire G.E. Formation of epitaxial CoSi2 films on (001) silicon using Ti-Co alloy and bimetal source materials // J. Appl. Phys.,1991, V.70, №12, p. 7579-7587.

83. Duchateau J.P.W.B., Crombeen J.E., Lathouwers E.G.C., Reader A.H. CoSi2 formation on Si (100) using amorphous Co-Ti alloy // Semicond. Sci. Technol., 1992, V.7, p. 1310-1315.

84. Ottaviani G., Tu K.N., Thompson R.D., Mayer J.W., Lau S.S. Interaction of Pd-Er alloys with silicon // J. Appl. Phys., 1983, V.54, №8, p.4614-4622.

85. Baglm J.E.E., d'Heurle F.M., Petersson C.S. // J. Appl. Phys., v. 52, 1981, p.2841.

86. Gromov D.G., Mochalov A.I., Pugachevich V.P. CoSi2 formation in contact systems based on Ti-Co alloy with low cobalt content // Appl. Phys. A, V.61, 1995, p. 565-567.

87. Gromov D.G., Mochalov A.I., Pugachevich V.P., Kirilenko E.P., A.Yu.Trifonov. Study of phase separation in Ti-Co-N thin films on silicon substrate. Appl. Phys. A, V.64, 1997, p. 517-521.

88. Yang F.M., Peng J.G., Huang T.S., Huang S.L., Chen M.C. Metallization of W/Ti-Co/Si and simultaneous formation of diffission barrier and shallow CoSi2 contact in normal flowing-nitrogen furnace // J. Vac. Sci. Technol. B, 1993, V. 11, №5, p. 1798-1806.

89. Gromov D.G., Mochalov A.I., Fedorov V.A., Korkishko Yu.N., Litchmanov I.O., Volk Ch.P. Effect of component surface activity on interaction between Si substrate and films of some refractory metal alloys // Appl. Phys. А (в печати).

90. Достанко А.П., Баранов В.В., Шаталов В.В. Пленочные токопроводящие системы СБИС.-Минск: Выш. шк., 1989. 238 с.

91. Громов Д.Г., Евдокимов B.JL, Личманов И.О, Мочалов А.И., Рыжов П.А., Сулимин А.Д. Критерии выбора материалов для диффузионно-барьерных слоев металлизации кремниевых СБИС //

92. Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоев нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых приборов// Обзоры по ЭТ. Сер.2. Полупроводниковые приборы. Вып. 6 (1366), 1988.

93. Громов Д.Г., Мочалов А.И., Соломатина Т.В., Евдокимов В.Л., Сулимин А.Д., Вахин И. Дисилицид кобальта в технологии КМОП СБИС субмикронного уровня: достоинства и проблемы формирования // Сб. трудов 3-ой НТК АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон", Москва, 2000.

94. Маех К. Silicides for integrated circiits: TiSi2 and CoSi2 // Mater. Sci. and Eng. Rll, №2/3, 1993, p. 53.

95. Валиев С. А. и др. Проблемы создания высоконадежных многоуровневых соединений СБИС // Микроэлектроника, 1990, Т. 19, Вып.2, с. 116131.

96. Маех К. CoSi2: an attractive alternative to TiSi2 // Semiconductor International, 1995, № 3, p.75-80.

97. Juang M.H., Cheng H.C. Film thickness effect on the epitaxial growth of CoSi2 on Si(l 11).//Thin Solid Films, 1992, V.215,№ 1,p. 71-75.

98. Norstrom H., Маех K., Vandernabeele P. Thermal stability and interface bowing of submicron TiSi2/polycrystalline silicon. // Thin Solid Films, 1991, V. 198, №1-2, p. 53-66.

99. Wang Q.F., Osburn C.M., Smith P.L., Canoval C.A., McGuire G.E. Thermal stability of thin submicrometer liners of CoSi2. // J. Electrochern. Soc., 1993, V.140, № 1, p.200-205.

100. Tu K.N. Contact for shallow junction // Thin Solid Films, 1986, V.140, № 1. p.71-78.

101. Качурина E.E., Мякиненков B.H., Щеглова В.В. Силициды тугоплавких металлов в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем // Обзоры по ЭТ. Сер.2 "Полупроводниковые приборы". Вып.6, 1982, с. 1-44.

102. Косолапова Т.Я., Дворина Л.Л., Сасов A.M. Тугоплавкие соединения в микроэлектронике // "Новые материалы для микроэлектроники", Киев, 1984, с.5-16.

103. Пугачевич В.П., Мочалов А.И., Чистяков Ю.Д. Использование силицидов переходных металлов для создания контактов и межсоединений кремниевых интегральных микросхем //"Новые материалы для микроэлектроники". Киев, Фрунзе, 1983, с.47-53.

104. Takahashi Yasuo, Ishii Hiromu, Murota Juonichi. New platinum silicide formation method using reaction between platinum and silane // J.Appl.Phys., 1985, V.58, №8, p.3190-3194.

105. West G.A., Beeson K.W., Gupta A. Laser-induced chemical vapor deposition of titanium silicide films // J.Vac.Sci. Techn., 1985, Y.A3, №6, p.2278-2282.

106. Blom H.-O., Berg S., Osting M., et al. Titanium silicide films prepared by reactive sputtering // J.Vac.Sci. Techn., 1985, V. B3, № 4, p.997-1003.

107. Eizenberg M., Foell H., Tu K.N. Formation of shallow Schottky contacts to Si using Pt-Si alloy films // J.Appl.Phys., 1981, V. 52, p.861-868.

108. Carriere B., Deville J.P. The early stages of oxigen adsorption on silicon surfaces as seen by electron spectroscopy // Sur. Sci., 1979, v. 80, p. 278-286.

109. Reader A.H., Duchateau J.P.W.B., Crombeen J.E., Naburgh E.P. The formation of epitaxial CoSi2 thin films on (001)Si from amorphous Co-W alloys. // Apllied Surface Science, 53 (1991), p.92-102.

110. Lavia F., Spinella C., Reader A.H., Duchateau J.P.W.B., Hakvoort R.A., Vanveen A. Formation and characterization of epitaxial CoSi2 on Si(001). // Apllied Surface Science, 1993, V.73, № 11, p. 108-116.

111. Kim G.B., Kwak J.S., Baik H.K., Lee S.M. Effect of Ti-capping thickness on the formation of an oxide- interlayer-mediated-epitaxial CoSi2 film by ex situ annealing. // J. Appl. Phys., 1999, V.85, № 3, p. 1503-1507.

112. Lauwers A., Sohreutelkamp R.J., Brijs B., Bender H., Maex K. Tehnological aspects of epitaxial CoSi2 layers for CMOS. // Appl. Surf. Sci., 1993, V.73, №11, p. 19-24.

113. Byun J.S., Kang S.B., Kim H.J., Kim C.Y., Park K.H. Epitaxial growth of CoSi2 on Si wafer using Co/Ta bilayer. // J. Appl. Phys., 1993, V.74, № 5, p.3156-3161.

114. Dehm C., Kasko I., Burte E.P., Gyulai J., Ryssel H. Influence of oxide thickness on ion-beam-induced and thermal CoSi2 formation. // Appl. Surf. Sci., 1993, V73, № 11, p.268-276.

115. Kasko I., Dehm C., Frey L., Ryssel H. Effect of ion-beam mixing temperature on cobalt siliside formation. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B-Beam Interact. Mater. Atoms. 1993, V.80-1, № 2, p.786-789.

116. Schreutelkamp R.J., Vandenabeele P., Deweerdt B.,Verbeeck R., Maex K. 2-step anneals to avoid bridging during Co silisidation. // Appl. Surf. Sci., 1993, V.73, MHD329, p. 162-166.

117. Гольдшмидт X. Дж. Сплавы внедрения// Пер. с англ. Под ред. Н.Т.Чеботарева.-М.: Мир, 1971, 464 с.

118. Chamberlain М.В. Diffusion of copper in thin films//Thin Solid Films., 1982, V. 91, № 1, p. 155-162.

119. Cheng N., von Seefeld H., Nicolet M.-A. Titanium nitride as a diffusion barrier in metallisation schemes//Proceedings of the Symposium on Thin Film Interfaces and Interactions., 1980, V. 80, № 2, p. 323-337.

120. Nowicki R.S., Nicolet M. -A. General aspects of barrier layers for veri-large-scale integration. Applications II. Practice //Thin Solid Films., 1982, V. 96, № 3, p. 317-326.

121. Wittmer M., Studer В., Melchior H. Electrical characteristics of TiN contacts to N silicon // J.Appl.Phis., 1981, V.52, № 9, p.5722-5726.

122. Suni J., Blomberg M., Saarilahti J. Performance of titanium nitride diffusion barriers in aluminum-titanium metallisation schemes for intergrated circuits// J. Vac. Sci. Technol. A, 1985, V.3, № 6, p.2233-2236.

123. Hosack H.H. Electrical, mechanical features of the platinum silicide-aluminum reaction // J. Appl. Phys., 1973, V. 44, № 8, p. 3474-3485.

124. Norstrom H., Nygren S., Wiklund P. et al. Limitation of Ti/TiN diffusion barrier lauers in silicon technology // Vacuum, 1985, V.35, № 12, p. 547-553.

125. Wittmer M. Interfacial reactions between aluminium and transition metal nitride and garbide films // J.Appl.Phys., 1982, V.53. № 2, p. 1007-1012.

126. Finetti M., Suni J., Nicolet M.-A. Titanium nitride as a diffusion barrier between nickel silicide and aluminum // J. Electronic Materials, 1984, V.13, № 2. p. 327-340.

127. Methods of surface analysis / под ред. A. Czanderna // Elsevier Scientific Publishing Company, Amsterdam, Oxford, New York, 1975.

128. Handbook of Auger electron Spectroscopy // Physical Electronics Industries, Inc., 1976.

129. Громов Д.Г., Мочалов A.M., Пугачевич В.П. Свойства контактной системы TiN/CoSi2, сформированной твердофазным ситезом из пленки сплава Ti-Co-N // Известия вузов. Электроника, 1998, № 1, с. 24-30.

130. Beechinor J.T., Kelly P.V., O'Connor G.M., Crean G.M. // in Proceedings of the 2nd Int. Sym. on Ultra-clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS'94), 1994, Brugge, Belgium, p.69.

131. Громов Д.Г., Мочалов А.И., Пугачевич В.П. Самосовмещенное формирование контактного слоя CoSi2 и диффузионно-барьерного слоя TiN // Известия вузов. Электроника. 1999, №3, с.20-25.

132. Гаврилов С.А., Громов Д.Г., Данилевич О.В., Мочалов А.И. Разработка селективного травителя для самосовмещенного формирования систем металлизации на основе пленок Ti-Co-N // Известия вузов. Электроника, №2, 2000, с. 33-36.

133. Pourbaix М., Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solutions, Pergamon Press, Cebelcor, 1966.

134. Pourbaix M., Lectures on Electrochemical Corrosion. Plenum Press. New-York-London. 1973.269

135. Сейдман JI.А. Получение пленок нитрида титана реактивным магнетронным распылением // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. Вып. 2(175), 1985.

136. Berg S., Blom Н.-О., Larsson Т., Nender С. Modeling of reactive sputtering of compound materials // J. Vac. Sei. Technol. A 5 (2), Mar/Apr 1987, p. 202-207.

137. Norde H. // J. Appl. Phys., 1979, V.50, p.5052.

138. Lien C.-D. et al. // IEEE Trans. Electron Dev., 1984, V.ED-31, p. 1502.

139. Cibils R. M., Buitrado R. H. // J. Appl. Phys., 1985, V.58, p. 1075.

140. Sato K., Yasumura Y. // J. Appl. Phys., 1985, V.58, p.3655.

141. Bohlin К. E. //J. Appl. Phys., 1986, V.60, p. 1223.

142. Werner J. H. // Appl. Phys. A, 1988, V.47, p.291.1. УТВЕРЖДАЮ

143. Зам.Генерального директора АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон» но научно-техническому^азвитию, .Дою ^технических наук /г^-^/^ Е.С.Горнев» 2000 г.1. АКТоб использовании результатов диссертационной работы Громова Д.Г.

144. Начальник лаборатории 461, кандидат технических наук1. Сулимин А.Д.