Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Наумова, Юлия Юрьевна

  • Наумова, Юлия Юрьевна
  • кандидат химических науккандидат химических наук
  • 2004, Воронеж
  • Специальность ВАК РФ02.00.21
  • Количество страниц 143
Наумова, Юлия Юрьевна. Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца: дис. кандидат химических наук: 02.00.21 - Химия твердого тела. Воронеж. 2004. 143 с.

Оглавление диссертации кандидат химических наук Наумова, Юлия Юрьевна

Введение

Глава I. Фазовые превращения в тонкопленочных системах, содержащих станнаты свинца, титанаты свинца и их твердые растворы

1. Особенности синтеза РЬТЮз, РЬБпОз и твердых растворов в данной системе

2. Нелинейные диэлектрические свойства сегнетоэлектрических соединений АВОз и твердых растворов на их основе

3. Сравнительная характеристика химической связи и кристаллической структуры в оксидах титана, свинца и олова

3.1. Химические и некоторые физические свойства простых оксидов титана, свинца и олова

3.2. Термическая устойчивость оксидов титана, свинца и олова

3.3. Нестехиометрия и дефекты структуры в оксидах титана, свинца и олова

Глава II. Получение тонких пленок станнатов-титанатов свинца и методы исследования

1. Подготовка исходных подложек

2. Метод магнетронного напыления

3. Отжиг тонких пленок в печи резистивного нагрева

4. Оксидирование при пониженном давлении кислорода и фотонном нагреве подложек

5. Методики исследования образцов

5.1. Осциллографический метод исследования петель гистерезиса

5.2. Измерения на переменном токе

Глава III. Синтез и фазовый состав тонких пленок станнатов свинца

1. Взаимодействие в тонкопленочных структурах свинца с оксидами олова и олова с оксидами свинца

2. Фазовые превращения в тонкопленочных структурах, содержащих свинец и олово на монокристаллическом кремнии, в процессе отжига в потоке кислорода

2.1. Отжиг гетероструктур с межфазными границами олово-свинец-кремний

2.2. Отжиг гетероструктур с межфазными границами свинец-олово-кремний

Глава IV. Фазовый состав и микроструктура тонких пленок станнатов-титанатов свинца

1. Особенности взаимодействия в гетероструктуре РЬ/ВпАЛ/Б! при самораспылении свинца из собственного расплава

2. Зависимость состава и структуры формируемых пленок . от межфазных границ в исходной тонкопленочной гетероструктуре

3. Зависимость состава и структуры формируемых пленок от температуры отжига

4. Зависимость состава и структуры формируемых пленок от содержания олова

Глава V. Электрофизические свойства твердых растворов станнатов-титанатов свинца

1. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от последовательности металлических слоев в исходной тонкопленочной гетероструктуре

2. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от температуры отжига

3. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от содержания олова

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Химия твердого тела», 02.00.21 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца»

Актуальность. Тонкие пленки сегнетоэлектрических фаз - один из актуальных объектов исследования в современной химии твердого тела, так как в этом случае решается важнейшая задача химии: изучение фундаментальных основ управляемого синтеза, заключающегося в установлении зависимости между составом, структурой и свойствами химических соединений. Настоящая работа развивает исследования сегнетоэлектрических тонких слоев на основе титаната свинца. Класс сложных оксидов, к которому относится титанат свинца, отличается разнообразием и многочисленностью родственных соединений, технологичностью, широтой технических применений. Однако, в силу высокой температуры Кюри РЬТЮз не может рассматриваться как функциональный материал современной электроники, поэтому актуальной является задача поиска подходящей легирующей примеси для варьирования электрофизических свойств в широких пределах. Хорошо известно, что почти любое замещение РЬ или Тл атомами других элементов, которые могут образовывать перовскитовую решетку, приводит к снижению точки Кюри, так как происходит деформация элементарной ячейки, вызывающая изменение характера химической связи. В этом отношении перспективным является олово, которое может замещать титан, т. к. имеет с ним близкие физико-химические параметры. Применение олова в качестве элемента, замещающего титан, приводит к образованию изоморфных структур РЬТьЗп^Оз, а механизм этого процесса изучен не достаточно.

Цель работы: изучение взаимосвязи состава, структуры и свойств тонкопленочного твердого раствора станната-титаната свинца, а также механизмов взаимодействия металлов и их оксидов друг с другом при синтезе веществ с заранее заданными свойствами.

Для достижения цели были сформулированы и решены следующие задачи:

1. Изучение взаимодействий в тонкопленочной гетероструктуре, содержащей свинец, олово и их оксиды на монокристаллическом кремнии, при термообработке в атмосфере кислорода и в вакууме.

2. Получение тонкопленочных твердых растворов станната-титаната свинца состава РЬ(8п0.5^0.5)Оз, обладающего нелинейными диэлектрическими свойствами.

3. Исследование физико-химических свойств (химического состава, кристаллической и микроструктуры) полученных пленок в зависимости от условий синтеза методами рентгенофазового анализа и растровой электронной микроскопии.

4. Изучение зависимости диэлектрических характеристик пленок от условий их формирования электрофизическими методами.

Методы исследования. Изучение физико-химических свойств тонкопленочных гетероструктур, содержащих оксида свинца, титана, олова, а также станнаты свинца и твердый раствор станната-титаната свинца на подложке монокристаллического кремния, проводили с применением комплекса современных методов и надежной статистической обработкой результатов измерений. Фазовый состав определялся методом рентгенофазового анализа, поверхностная морфология — методом растровой электронной микроскопии. Достоверность существования нелинейных диэлектрических свойств обеспечивалась применением совокупности электрофизических методов: измерением температурной зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности на переменном токе, используя электрическую схему типа моста Уинстона; наблюдением петли диэлектрического гистерезиса с применением модернизированной схемы Сойера - Тауэра, а также совпадением в частных случаях данных с известными из литературы.

Научная новизна:

- впервые синтезированы тонкие пленки станната свинца отжигом в вакууме при Г = 873 К гетероструктуры Pb/Sn(VSi, в которой слой олова был сформирован методом магнетронного напыления и подвергнут термическому оксидированию в потоке кислорода, после чего на полученный оксид олова был нанесен свинец;

- впервые синтезированы тонкие пленки твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb(Sno.55Tio.45)03 отжигом в потоке кислорода при Т\ = 473 К, Т2 = 973 К в течение 10 минут гетероструктуры с межфазными границами Sn/Pb/Ti/Si;

- установлен механизм формирования станната свинца и твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb(Sno.55Tio.45)03> заключающийся во взаимодействии металлического свинца с оксидами олова в гетероструктуре, содержащей титан;

- разработаны основы управляемого синтеза, позволяющие установить взаимосвязь между конфигурацией межфазных границ, составом, структурой и электрофизическими свойствами сформированных пленок.

Практическое значение. Разработаны условия управляемого синтеза станнатов свинца и твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb(Sno.55Tio.45)03 на кремнии, обладающего полным набором сегнетоэлектрических свойств и несколькими фазовыми переходами, что позволяет их использовать в качестве элементов памяти оперативных запоминающих устройств и высокоскоростных многопозиционных переключателей.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на двух Международных и трех Всероссийских научных конференциях: Third International Conference Single Crystal Growth, Strength Problems, and Head Mass Transfer (ICSC) (Obninsk, 1999); IX

Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2000» (Москва, 2000); Fourth International Conference Single Crystal Growth and Head & Mass Transfer (ICSC) (Obninsk, 2001); I Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» «ФАГРАН-2002» (Воронеж, 2002); X национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2002» (Москва, 2002).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 17 публикациях, в том числе 7 статьях в рецензируемых научных журналах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, включающего 150 наименований. Работа изложена на 143 страницах текста, иллюстрирована 57 рисунками и содержит 12 таблиц.

Похожие диссертационные работы по специальности «Химия твердого тела», 02.00.21 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Наумова, Юлия Юрьевна

ВЫВОДЫ

1. Установлен механизм взаимодействия компонентов в гетероструктурах РЬ/БпО* и 8п/РЮ на монокристаллическом кремнии. Показано, что станнат свинца формируется при взаимодействии свинца с оксидом олова: 2РЬ + 38п02 —► 2РЬБпОз + Бп. При взаимодействии олова с оксидом свинца происходит окисление олова и восстановление свинца из его оксида: 2РЮ + Бп 8п02 + 2РЬ.

2. Тонкие пленки, содержащие станнаты свинца, титанаты свинца и твердый раствор состава РЬ(8п0.55Т10.45)Оз, полученные при отжиге гетероструктур 8п/РЬЛП/81 (свинец напылялся из собственного расплава), проявляют нелинейные диэлектрические свойства. Обнаружены два фазовых перехода при температурах Т\ = 493 К и Т2 = 698 К, относящиеся к твердому раствору станната-титаната свинца и станнату свинца соответственно; коэрцитивное поле составило Ес = 232,07 кВ/см, а вектор Л остаточной поляризации Р0 = 0,103 мкКл/см .

3. Установлены закономерности, связывающие между собой состав, структуру, электрофизические свойства пленок, содержащих твердый раствор станната-титаната свинца, и условия синтеза, определяемые характером межфазных границ металлических слоев на поверхности монокристаллического кремния и способом распыления свинца. Доказано, что твердый раствор станната-титаната свинца формируется в том случае, когда в исходной гетероструктуре была следующая последовательность металлических слоев Би/РЬ/П/Б! и свинец распылялся из собственного расплава.

4. Изучены зависимости диэлектрических характеристик пленок от условий их формирования. При избытке титана (Бпо^/РЬЛПоУЗ!) формируются преимущественно титанаты свинца и диэлектрические характеристики отвечают именно этой фазе (квадратная петля сегнетоэлектрического гистерезиса, точка Кюри). Увеличение содержания олова приводит к образованию гетерофазных смесей, в которых присутствуют и твердые растворы станната-титаната свинца: при этом петля сегнетоэлектрического гистерезиса «растягивается» и приобретает насыщение, а на температурной зависимости диэлектрической проницаемости обнаруживаются два (Т\ = 493 К и Тг = 698 К), а в некоторых случаях и три (Т\ = 503 К, Т2 = 653 К, Г3 = 773 К) максимума, отвечающих разным фазам. При избытке олова в полученной пленке доминирует либо станнат свинца, либо оксид олова (IV). Варьируя состав и структуру, можно целенаправленно изменять температуру фазового перехода.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании полученных в работе результатов установлена зависимость состава, структуры и электрофизических свойств тонких пленок, содержащих станнат свинца и твердый раствор станната-титаната свинца от особенностей химического взаимодействия, обусловленного различным способом напыления свинца в исходные гетероструктуры при их отжиге в потоке кислорода.

В случае структуры олово-свинец-кремний оксиды олова, которые формируются на внешней границе раздела, при взаимодействии с металлическим свинцом, полученным самораспылением расплава, приводят к образованию станнатов свинца уже при температуре Т = 873 К. Это становится возможным потому, что свинец, напыленный из жидкой мишени, текстурирован и в связи с этим не окисляется вплоть до Т = 873 К. Если же свинец был получен распылением твердой мишени при сохранении последовательности металлических слоев в исходной гетероструктуре, температура формирования станната свинца увеличивается до 1123 К. Это связано с тем, что при более низкой температуре (Г = 873 К) происходит практически независимое образование оксидов олова и свинца с последующим их взаимодействием, приводящим к синтезу станната свинца. Очевидно, что для формирования станната свинца из оксидов свинца и олова, требуется более высокая температура. Следовательно, формирование станната свинца происходит при взаимодействии оксидов олова с металлическим свинцом. Кроме того, установлено, что для образования твердого раствора станната-титаната свинца необходимо присутствие оксидов олова и металлического свинца в гетероструктуре, содержащей титан.

Таким образом, изменяя конфигурацию и свойства межфазных границ, можно управлять составом, структурой и свойствами пленок, образующихся в процессе синтеза при термообработке исходных гетероструктур.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Наумова, Юлия Юрьевна, 2004 год

1. Логачева В. А. Синтез и физико-химические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе титана, свинца и их оксидов: Дис. . канд. хим. наук / В. А. Логачева. - Воронеж, 2001. - 153 с.

2. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами / А. М. Ховив, А. С. Сидоркин, С. О. Яценко и др. II Неорганические материалы. 1998. - Т. 34, № 4. - С. 462-463.

3. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца / А. С. Сидоркин, А. С. Сигов, А. М. Ховив. и др. II ФТТ. — 2000. -Т. 42,№.4.-С. 727-732.

4. Выращивание сегнетоэлектрических пленок титаната свинца на кремнии / О. Б. Яценко, В. А. Логачева, Е. А. Туренко и др. // IX Национальная конференции по росту кристаллов, Москва, 16-20 октября 2000 г.: Тез. докл. Москва, 2000. - С. 344.

5. Термическое оксидирование тонких пленок Ti и РЬ, напыленных на монокристаллический кремний / В. А. Логачева, Е. А. Туренко, А. М. Ховив и др. II Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 5. -С. 560-563.

6. Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. С Сидоркин, А. С. Сигов, А. М. Ховив и др. II ФТТ. 2002. — Т. 44, №4.-С. 745-749.

7. Ховив А. М. Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. М. Ховив, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова II Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2002. № 3. — С. 90-93.

8. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане; Пер. с англ. JI. А. Фейгина и Б. К. Севастьянова; Под ред. JI. А.Шувалова. М.: Мир, 1965.-555 с.

9. Физика сегнетоэлектрических явлений I Г. А. Смоленский, В. А. Боков,

10. B. А. Исупов и др. Л.: Наука, 1985. - 396 с.

11. Веневцев Ю. Н. К вопросу о метастаннате свинца PbSn03 / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов II Журнал физической химии. 1956. — Т. 30, вып. 6. - С. 1324-1326.

12. Веневцев Ю. Н. Рентгеноструктурное исследование твердых растворов сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов II Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1956. - Т. 20, № 2.1. C. 178-184.

13. Веневцев Ю. Н. Рентгенографическое исследование системы PbTi03-«PbSn03» / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов, Т. Н. Шендрик II Кристаллография. 1956. - Т. 1, № 6. - С. 657-665.

14. Веневцев Ю. Н. Влияние различных факторов на температуру Кюри сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов, С. П. Соловьев II Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1958. -Т. 22,№ 12.-С. 1476-1482.

15. Грановский В. Г. Характер химических связей в сегнетоэлектрических кристаллах АВ03 со структурой типа перовскита I В. Г. Грановский II Кристаллография. 1962. - Т. 7, вып. 4. - С. 604-607.

16. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Pb, Ba)Sn03, Pb(Ti, Sn)03 и Pb(Zr, Sn)03 I Г. А Смоленский., А. И. Аграновская, A. M. Калинина и др. IIЖТФ. 1955. - Т. 25, вып. 12. - С. 2134-2142.

17. Fujumoto S. Application of phenomenological analysis to ferroelectric stannated lead titanate under hydrostatic pressure (2) / S. Fujumoto, K. Kanai I I Ferroelectrics. 1994. -V. 154. - Issue 1-4, part 4. - P. 71-76.

18. Samara G. A. The relaxational properties of compositionally disordered AB03 perovskites / G. A. Samara II J. Phys.: Condens. Matter. 2003. - V. 15. — P. 367-411.

19. Bellaiche L. Virtual crystal approximation revisited: Application to dielectric and piezoelectric properties of perovskites / L. Bellaiche, D. Vanderbilt II Physical review B. 2000. - V. 61, № 12. - P. 7877-7882.

20. Prosandeev S. A. On the average charge of the oxygen vacancy in perovskites necessary for kinetics calculations / S. A. Prosandeev II J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - V. 14. - P. 745-748.

21. Direct current field adjustable ferroelectric behavior in (Pb, Nb)(Zr, Sn, Ti)03 antiferroelectric thin films / J.-W. Zhai, H. Chen, E. V. Colla et al. II J. Phys.: Condens. Matter. 2003. - V. 15. - P. 963-969.

22. Viehland D. Incommensuration in antiferroelectric tin-modified lead lead zirconate titanate / D. Viehland, Z. Xu, D. A. Payne II Ferroelectrics. 1994. — V. 151.-Issue 1-4,part l.-P. 151-157.

23. Xu Z. Incommensurate-commensurate phase transformation in antiferroelectric tin-modified lead lead zirconate titanate / Z Xu, D. Viehland, D. A. Payne II Journal of Materials Research. 1995. - V. 10. - Issue 2. - P. 453-460.

24. Yang T. Effects of compositional variations on antiferroelectric-ferroelectric phase transition of PZST ceramics / T. Yang, X. Yao, L. Zhang II Journal of Inorganic Materials. 2000. - V. 15. - P. 807-814.

25. Ellis D. E. Theoretical interpretation of metal substitution effects in PZT and PZST / D. E. Ellis, O. V Gubanova II Ferroelectrics. 1994. - V. 153. - Issue 1-4, part 3.-P. 61-66.

26. Ki H. Y. Electric fatigue and leakage characteristics in Sn modified lead zirconate titanate thin films IKY. Ki, J. H. Jang II Key Engineering Materials. 2002. - V. 214-215. - P. 95-100.

27. Hyuk Jang J. Electric fatigue in antiferroelectric and ferroelectric Pb(Zr, Sn, Ti)Nb03 thin films prepared by sol-gel process / J. Hyuk Jang, K. Hyuk Yoon II Japanese Journal of Applied Physics. 1998. - V. 37. - Issue 9B, part 1.-P. 5162-5165.

28. Hyuk Jang J. Effect of antiferroelectric buffer on electric fatigue and leakage in ferroelectric Pb(Zr, Sn,Ti)Nb03 thin films / J. Hyuk Jang, K. Hyuk Yoon II Thin Solid Films. 2001. - V. 401. - P. 67-72.

29. Pai N. Compositional dependence of electrical properties in PLZST thin films / N. Pai, B. Xu, L. E. Cross I I Integrated Ferroelectrics. 1998. - V. 22. -Issue 1-4, part2.-P. 501-513.

30. Шварцман В. В. Фазовые состояния и сегнетоэлектрические свойства керамики Pb(Zr, Sn, Ti)03 / В. В. Шварцман, С. Е. Аксенов, Е. Д. Политова IIЖТФ. 2000. - Т. 70, вып. 11. - С. 42^7.

31. Хи В. Synthesis of lead zirconate titanate stannate antiferroelectric thick films by sol-gel processing / B. Xu, L. E. Cross, D. Ravichandran II Journal of the American ceramic Society. 1999. - V. 82. - Issue 2. - P. 306-312.

32. Akiyama Y. Field-induced antiferroelectric-to-ferroelectric phase transition of lead niobium zirconate titanate stannate ceramics / Y. Akiyama, E. Fujisawa II Japanese Journal of Applied Physics. 1997. - V. 36. - Issue 9B, part 1. -P. 5997-6000.

33. Nam Y. W. Effect of PbO content on dielectric and electric field induced strain properties in Y-modified lead zirconate titanate stannate / Y. W. Nam, К. H. Yoon II Materials Research Bulletin. 1998. - V. 33. - Issue 2. -P. 331-339.

34. Akiyama Y Development of (Pb, Nb)(Zr, Sn, Ti)03 film using a sol-gel process and resulting antiferromagnetic properties / Y Akiyama, S. Kimura, I. Fujimura II Japanese Journal of Applied Physics. 1993. - V. 32. - Issue 9B, part 1. -P. 4154-4157.

35. Lee S. G. Pyroelectric properties of lead antimony stannate-lead titanate-lead zirconate ceramics modified with La and Mn / S. G. Lee, Y. H. Lee, C. Y Park II Japanese Journal of Applied Physics. 1993. - V. 32. - Issue 5S, part 1. — P. 2014-2019.

36. De Graef M. In situ domain multiplication and migration in the antiferroelectric ceramic PLSnZT / M. De Graef, D. R. Clarke, J. S. Speck II Regular paper.

37. Логачева В. А. Синтез и свойства тонких слоев в системе Si-Ti-Pb /

38. B. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова II Химия. Теория и технология: Сб. научных статей молодых ученых, аспирантов, соискателей, магистров и студентов хим. факультета. — Воронеж: ВГУ. — 2000. — Вып. 3. —1. C. 112-116.

39. Дулъкин Е. А. Влияние постростовой дефектной системы на ориентацию плоской межфазной границы в кристаллах РЬТЮз / Е. А. Дулъкин, В. Г. Гаврилянченко И Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23, № 21. - С. 40-44.

40. Бесконечная анизотропия пьезоэффекта в сегнетокерамике на основе РЬТЮз / Е. А. Дулъкин, Л. И. Гребенкина, Д. И. Макаръев и dp. II Письма в ЖТФ. 1999. -Т. 25, вып. 22. - С. 21-25.

41. Размерный эффект в изометрических кристаллах PbTi03 / В. Г. Гаврилянченко, В. Д. Комаров, А. В. Лейдерман и др. II ФТТ. — 1998. -Т. 40,№8.-С. 1546-1547.

42. Влияние кристаллохимических особенностей на электрические свойства титаната свинца / С. В. Титов, Л. А. Шилкина, О. Н. Разумовская и др. II Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 7. - С. 849-856.

43. Probing the polarity of ferroelectric thin films with x-ray standing waves / M. J. Bedzyk, A. Kazimirov, D. L. Marasco et al. II Physical review B. 2000. - V. 61, № 12. - P. 7873-7876.

44. Ai R. Influence of speeds of cooling on crystalline orientation of sputtered pellicles PbTi03 and (Pb, La)Ti03 / R. Ai, K. Wasa, Y. Ichikawa II Hyomen kagaku. 2000. - V. 21, № 8. - P. 456-461.

45. Глинчук M. Д. Динамическая диэлектрическая восприимчивость сегнетоэлектрических тонких пленок и их многослойных структур / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А. Стефанович II ФТТ. — 2002. Т. 44, вып. 5. -С. 912-922.

46. Особенности строения, диэлектрических и оптических свойств CdTiOj / Ю. В. Кабиров, М. Ф. Куприянов, Я. Дец и dp. II ФТТ. 2000. - Т. 42, вып. 7.-С. 1291-1295.

47. Кабиров Ю. В. Структурные фазовые переходы CdTi03 / Ю. В. Кабиров, Б. С. Кульбужев, М. Ф. Куприянов И ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 10. -С. 1890-1893.

48. Самойлова Т. Б. Влияние тепловых эффектов на нелинейность планарных конденсаторов на основе пленок титаната стронция на сапфире в поле СВЧ / Т. Б. Самойлова, К. Ф. Астафьев И ЖТФ. 2000. - Т. 70, вып. 6. -С. 90-97.

49. Диэлектрическая проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры БгТЮз/АЬОз I A.M. Прудан, Е. К. Гольман, А. Б. Козырев и др. II Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 9. С. 8-12.

50. Влияние отжига на диэлектрическую проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры SrTi03/Al203 / А. М. Прудан, Е. К. Гольман, А. Б. Козырев и др. II ФТТ. 1998. - Т. 40, № 8. - С. 1473-11478.

51. Дедык А. И. Избыточный объемный заряд в титанате стронция /

52. A. И. Дедык, Л. Т. Тер-Мартиросян II ФТТ. 1998. - Т. 40, № 2. -С. 245-247.

53. Свойства титаната стронция в многослойной структуре ЗгТЮз/СеОг/АЬОз / А. М. Прудан, Е. К. Голъман, А. Б. Козырев и др. II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 6. - С. 1024-1029.

54. Вендик О. Г. Феноменологическое описание зависимости диэлектрической проницаемости титаната стронция от приложенного электрического поля и температуры / О. Г. Вендик, С. 77. Зубко // Журнал технической физики. 1997. - Т. 67, № 3. - С. 29-33.

55. ЭПР-исследование примесей в пленках титаната стронция / М. Д. Глинчук, И. 77. Быков, А. М. Слипенюк и др. II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып. 5.-С. 809-812.

56. Критические концентрации в виртуальном сегнетоэлектрике 8гТЮ3 с примесью Ва / М. Е. Гужва, В. Клееман, В. В. Леманов и др. И ФТТ. — 1997. Т. 39, № 4. - С. 704-710.

57. Гужва М. Е. Спонтанная фоторефракция в Бг^СаДЮз (д: = 0,014) / М. Е. Гужва, В. Клееман, П. А Марковин II ФТТ. 1997. -Т. 39, № 4. -С. 711-713.

58. Леманов В. В. Фазовые переходы в твердых растворах на основе ЗгТЮз /

59. B. В. Леманов II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 9. - С. 1645-1651.

60. Гужва М. Е. Диэлектрические исследования фазовых переходов в сегнетоэлектрике СсШ03 и твердом растворе Зг^СёДЮз / М. Е. Гужва,

61. B. В. Леманов, П. А Марковин II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 11.1. C. 2058-2065.

62. Приседский В. В. Материалы с особыми диэлектрическими свойствами (сегнетоэлектрики АпВ1У03): Учеб. Пособие / В. В. Приседский, А. Г. Петренко. Киев: УМК ВО, 1988. - 76 с.

63. Квятковский О. Е. Поляризационный механизм сегнетоэлектрической неустойчивости решетки в кристаллах / О. Е. Квятковский IIФТТ. — 1997. -Т. 39, №4.-С. 687-693.

64. Dorfman S. Comparative study of 001. surface relaxations of perovskite titanates / S. Dorfman, D. Fuh, E. Kotomin II Thin Solid Films. 1998. -V. 318.-P. 65-68.

65. Полярное состояние в твердом растворе SrTi03 КТа03 / В. В. Леманов,

66. B. А. Трепаков, П. П.Сырников и др. II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 10.1. C. 1838-1840.

67. Диэлектрическая проницаемость и фазовые переходы в системе 8гТЮз-КТаОз / В. А. Трепаков, В. С. Вихнин, П. П. Сырников и др. II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 11. - С. 2040-2045.

68. Квятковский О. Е. Квантовые эффекты в виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриках / О. Е. Квятковский II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып 8. - С. 1345-1362.

69. Леманов В. В. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов SrTi03-PbTi03 / В. В. Леманов, Е. П. Смирнова, Е. А. Тараканов II ФТТ. -1997. Т. 39, № 4. - С. 714-717.

70. Павлов А. Н. Пьезорезистивный эффект в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках / А. Н. Павлов, И. П. Раевский И ФТТ. -2002. Т. 44, вып. 9. - С. 1671-1675.

71. Мясоедов А. В. Положительный температурный коэффициент сопротивления в свинецсодержащей керамике титаната бария /

72. A. В. Мясоедов, С. Р. Сырцов IIЖТФ. 1997. - Т. 67, № 9. - С. 126-127.

73. Свойства пленок Ва^г^/ГЮз, выращенных методом ВЧ магнетронного распыления на сапфире с подслоем SrTi03 / Е. К. Гольман,

74. B. И. Голъдрин, В. Е. Логинов и др. II Письма в ЖТФ. 1999. - Т. 25, вып. 14.-С. 1-5.

75. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Е. В. Пронина и др. // ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 11.-С. 2052-2057.

76. Тополов В. Ю. Эффективные электромеханические свойства сегнетопьезоактивных композитов «кристалл-керамика» на основе (PbixCajn03 / В. Ю. Тополов, С. В. Глушанин II Письма в ЖТФ. 2002. -Т. 28, вып. 7.-С. 38-45.

77. Мягкие полярные моды и фазовые состояния твердых растворов Са^РЬДЮз / А. А. Волков, Г. А. Командин, Б. П. Горшунов и др. II ФТТ. — 2004. Т. 46, вып. 5. - С. 899-912.

78. Sicron N. The relation between the local and the average structure of rhombohedral ferroeletric PbHfo.9Tio.1O3 / N. Sicron, E. A. Stern, Y. Yacoby II Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2000. - V. 61. - P. 243-249.

79. Козаков А. Т. Особенности аномальной электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрических пленок состава PbTi03 и Pb(Zr,Ti)03 / А. Т. Козаков, А. В. Никольский, И. В. Новиков II Письма в ЖТФ. 1997. -\ Т. 23, № 16.-С. 55-61.

80. Влияние нейтронного облучения на температуру Кюри-Вейсса антисегнетоэлектрической пленки цирконата свинца / Д. В. Куликов, Д. А. Лесных, Ю. В. Трушин и др. II Письма в ЖТФ. 2002. - Т. 28, вып. 15.-С. 17-23.

81. Дипольное упорядочение и устойчивость сегнетоэлектрического и антисегнетоэлектрического состояний в цирконате свинца / А. В. Лейдерман, И. Н. Леонтьев, О. Е. Фесенко и др. II ФТТ. 1998. -Т. 40, №7.-С. 1324-1327.

82. Электронный парамагнитный резонанс на энантиоморфных центрах в кристаллах PbZr03 : Gd3+ / А. В. Лейдерман, В. Г. Залетов, О. Е. Фесенко и др. И ФТТ. -1999. -Т. 41, вып. 7.-С. 1279-1281.

83. Наведенные светом собственные дефекты в керамике PLZT / В. В. Лагута, М. Д. Глинчук, А. М. Слипенюк и др. II ФТТ. 2000. - Т. 42, вып. 12.-С. 2190-2196.

84. Electric-field temperature phase diagram of the relaxor ferroelectric lanthanum-modified lead zirconate titanate / V. Bobnar, Z. Kutnjak, R. Pirc et al. II Physical review B. - 1999. - V. 60, № 9. - P. 6420-6427.

85. Гуреев Д. M. Исследование условий селективного лазерного спекания керамических порошковых материалов системы цирконата-титаната свинца / Д. М. Гуреев, Р. В. Ружечко, И. В. Шишковский II Письма в ЖТФ. 2000. - Т. 26, вып. 6. - С. 84-89.

86. Явление усталости в эпитаксиальных пленках цирконата-титаната свинца / В. Я. Шур, Н. Ю. Пономарев, Н. А. Тонкачева и др. И ФТТ. 1997. -Т. 39, №4.-С. 694-696.

87. Growth of highly oriented of Pb(Zr<, Tii^)03 film on porous silicon / Q. Chen, W. B. Wu, C. L. Mak et al. И Thin Solid Films. 2001. - V. 397. - P. 1-3.

88. Park S. M. Laser ablation of a Pb(Zr^Ti|J03 target in a pulsed oxygen jet / S.M. Park, J. Y. Moon II Applied Surface Science. 2001. - V. 174. -P. 87-92.

89. Механизм высокочастотного распыления сложных оксидов / В. М. Мухортое, Г. Н. Толмачев, Ю. И. Головко и др. II ЖТФ. 1998. - Т. 68, №9.-С. 99-103.

90. Антоненко А. М. Влияние доменной структуры на электромеханические свойства сегнетокерамики ЦТС и МНВТ / А. М. Антоненко, А. Ю. Кудзин, М. Г. Гавшин II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 5. - С. 920-921.

91. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов и др. II ФТТ. 2002. - Т. 44, вып. 4. - С. 739-744.

92. Влияние отжига на самополяризованное состояние в тонких сегнетоэлектрических пленках / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов и др. IIФТТ. 2002. - Т. 44, вып. 9. - С. 1659-1664.

93. Ярмаркин В. К. Диэлектрическая релаксация в тонкопленочных структурах металл-сегнетоэлектрик PZT-металл / В. К. Ярмаркин, С.П. Тесленко II ФТТ. 1998. - Т. 40, № 10.-С. 1915-1918.

94. Lee J. Y Orientation control and electrical properties of sputtered Pb(Zr, Ti)03 / J. Y Lee, B. S. Lee II Materials Science and Engineering. 2001. - V. B79. -P. 86-89.

95. Development of PZT sputtering method for mass-production / T. Masuda, Y Miyaguchi, M. Tanimura et al II Applied Surface Science. 2001. -V. 169-170.-P. 539-543.

96. Кинетика фазовых превращений при термическом отжиге в тонких золь-гель пленках PZT / В. Я. Шур, Е. Б. Бланкова, А. Л. Субботин и др. II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 5. - С. 869-873.

97. Шур В. Я. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата-титаната свинца при кристаллизации / В. Я. Шур, С.А.Негашев, A. Л. Субботин И ФТТ. 1999. - Т. 41, вып. 2. -С. 306-309.

98. Гольцман Б. М. Влияние подвижных заряженных дефектов на диэлектрическую нелинейность сегнетоэлектрических тонких пленок PZT / Б. М. Гольцман, В. К. Ярмаркин, В. В. Леманов И ФТТ. 2000. -Т. 42, вып. 6. - С. 1083-1086.

99. Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT / В. К. Ярмаркин, Б. М. Гольцман, М. М. Казанин и др. II ФТТ. 2000. - Т. 42, вып. 3. - С. 511-516.

100. Zr/Ti ratio dependence of the deformation in the hysteresis loop of Pb(Zr,Ti)03 thin films / E. G. Lee, J. K. Lee, J.-Y. Kim et al I I J. Mater. Sci. Lett. 1999. -V. 18.-P. 2025-2028.

101. Cho S. M. Effect of annealing conditions on the leakage current characteristics of ferroelectric PZT thin films grown by sol-gel process / S. M. Cho, D. Y. Jeon II Thin Solid Films. 1999. - V. 338, № 1-2. - P. 149-154.

102. Highly (111) oriented lead zirconate titanate thin films deposited using a non-polymeric route / M. H. M. Zai, A. Akiba, H. Goto et al. II Thin Solid Films. -2001.-V. 394.-P. 97-101.

103. Kim W. S. Influence of preferred orientation of lead zirconate titanate thin film on the ferroelectric properties / W. S. Kim, J.-K. Yang, H.-H. Park II Applied Surface Science. 2001. - V. 169-170. - P. 549-552.

104. Особенности электрофизических свойств при размытых фазовых переходах в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе цирконата-титаната свинца / А. И. Бурханов, А. В. Шилъников, Ю. Н. Мамаков и др. И ФТТ. 2002. - Т. 44, вып. 9. - С. 1665-1670.

105. Рентгеноструктурные и оптические исследования монокристаллов PbZr0.958Tio.o4203 в электрических полях до 4-10 V/m / А. В. Лейдерман, КН. Леонтьев, В. Ю. Тополов и др. II ФТТ. 1998. - Т. 40. №2. -С. 327-329.

106. Исупов В. А. Сосуществование фаз в твердых растворах цирконата-титаната свинца / В. А. Исупов II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып. 12. — С. 2166-2169.

107. Monoclinic-tetragonal phase transition in Pb(Zr!^TiJ03 studied by infrared spectroscopy / E. B. Araujo, K. Yukimitu, J.C. S. Moraes et al II J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - V. 14. - P. 5195-5199.

108. Hoon Oh S. Two-dimensional thermodynamic theory of epitaxial Pb(Zr, Ti)03 thin films / S. Hoon Oh, Jang M. Hyun I I Physical review B. 2000. - V. 62, №22.-P. 14757-14765.

109. Hoon Oh S. Epitaxial Pb(Zr, Ti)03 thin films with coexisting tetragonal and rhombohedral phases / S. Hoon Oh, Jang M. Hyun 11 Physical review B. -2001.-V. 63.-P. 1-4.

110. Тополов В. Ю. Новая моноклинная фаза и упругие эффекты в твердых растворах PbZr^TlA / В. Ю. Тополов, А. В. Турик IIФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 8.-С. 1525-1527.

111. Kang M.-G. Recovery of plasma-induced damage in PZT Thin Film with 02 gas annealing / M.-G. Kang, K.-T. Kim, C.-l Kim II Thin Solid Films. 2001.- V. 398-399. P. 448-453.

112. Design and fabrication of aspherical bimorph PZT optics / Т. C. Tseng, S.-J. Chen, Z. C. Yeh et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. -2001. -V. 467^68. P. 294-297.

113. Глинчук M. Д. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А Стефанович II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 5. - С. 882-887.

114. Описание сегнетоэлектрических фазовых переходов в твердых растворах релаксоров в рамках теории случайных полей / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А Стефанович и др. II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 7. -С.1247-1254.

115. Электрофизические свойства твердых растворов систем Pb(Ti, Zr)034(PbB',aB"a03)„ / Л. А. Резниченко, С. И. Дудкина, А. Я. Данцигер и др.1. Л=1

116. Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 10. - С. 1250-1253.

117. Тополов В. Ю. Межфазные границы и высокая пьезоактивность кристалла *PbTi03-(l-*)Pb(Zn1/3Nb2/3)03 / В. Ю. Тополов, А. В. Турик II ФТТ. 2001.- Т. 43, вып. 6. С. 1080-1085.

118. Мамин Р. Ф. К теории фазовых переходов в релаксорах / Р. Ф. Мамин II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 7. - С. 1262-1267.

119. Вакуленко А. А. Кинетика фазовых переходов в твердых телах под нагрузкой / А. А. Вакуленко, С. А. Кукушкин // ФТТ. 2000. - Т. 42, вып. 1. -С. 172-175.

120. Корженевский А. Л. Аномальная диффузия света в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом / А. Л. Корженевский, Л. С. Камзина II ФТТ.-1998.-Т. 40, №8.-С. 1537-1541.

121. Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких пленках / В. Н. Децик, Е. Ю. Каптелов, С. А. Кукушкин и др. II ФТТ. — 1997. Т. 39, № 1. - С. 121-126.

122. Слезов В. В. Кинетика распада твердого раствора с образованием новой фазы сложного стехиометрического состава / В. В. Слезов, Ю. П. Шмельцер II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып 6. - С. 1101-1109.

123. Лазарев В. Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин\ Отв. редактор И. В. Тананаев. М.: Наука, 1983. - 239 с.

124. Рипан Р. Неорганическая химия: В 2 т. / Р. Рипан, И.Четяну; Пер. с румынского И. Б. Берсукера и Н. И. Беличука; Под ред. В. И. Спицина и И. Д. Колли.-М.: Мир, 1971.-Т. 1.-560 с.

125. Спиваковский В. Б. Аналитическая химия олова: Серия «Аналитическая химия элементов» / В. Б. Спиваковский; Главный редактор А. П. Виноградов. М.: Наука, 1975. - 252 с.

126. Лазарев В. Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В. Б. Лазарев, В. Г. Красов, И. С. Шаплыгин\ Отв. редактор Н. М. Жаворонков. М.: Наука, 1979. - 168 с.

127. У гай Я. А. Введение в химию полупроводников: Учеб пособие для вузов. /Я. А. У гай. 2-е изд., перераб и доп. - М.: Высшая школа, 1975. - 302 с.

128. У гай Я. А. Общая и неорганическая химия: Учеб для вузов. 2-е изд., испр. /Я. А. Угай. М.: Высшая школа, 2000. - 527 с.

129. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б. Ф. Ормонт. 2-е изд., перераб и доп. - М.: Высшая школа, 1973. - 656 с.

130. Физические величины: Справочник. / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина,

131. A. М. Братковский и др.', Под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

132. Физико-химические свойства окислов: Справочник. / Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия, 1969. — 456 с.

133. Нестехиометрические соединения / Под ред. Л. Манделькорна; Пер. с англ. под ред. К. В. Астахова. — М.: Химия, 1971. 608 с.

134. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад; Пер. с англ. О. Е. Каширенинова; Под ред. Н. Н. Семенова. М.: Мир, 1975. — 399 с.

135. Третьяков Ю. Д. Химия нестехиометрических окислов / Ю. Д. Третьяков. — М.: Изд-во Московского ун-та, 1974. — 364 с.

136. Равновесие собственных дефектов в диоксиде олова / К. 77. Богданов, Д. Ц. Димитров, О. Ф. Луцкая и др. II Физика и техника полупроводников. 1998. - Т. 32, № 10. - С. 1158-1160.

137. Хансен М. Структура двойных сплавов: Справочник: В 2 т. / М. Хансен, К. Андерко; Пер. с англ. П. К. Новикова и др.; Под ред. И. Л. Гогельберга. 2-е изд., перераб. М.: Металлургиздат, 1962. - Т. 2. — 609 с.

138. Корнилов И. И. Диаграммы равновесия металлов IV группы титана, циркония и гафния / И. И. Корнилов, 77. Б. Будберг И Диаграммы состояния металлических систем: Обзор исследований. — М.: Наука, 1968. -С. 125-136.

139. Данилин Б. С. Магнетронные распылительные системы / Б. С. Данилин,

140. B. К. Сырчин. М.: Радио и связь. 1982. - 72 с.

141. Фесенко Е. Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество / Е. Г. Фесенко. М.: Атомиздат, 1972. - 248 с.

142. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2-х ч. / А. Вест; Пер. с англ. А. Р. Кауля и И. Б. Куценка; Под ред. Ю. Д. Третьякова. М.: Мир, 1988.-4.2.-336 с.

143. Третьяков Ю. Д. Твердофазные реакции / Третьяков Ю. Д. М.: Химия, 1978.-С. 40-41.

144. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. А. А. Равделя и А. М. Пономаревой. 8-е изд., перераб. - Л.: Химия. Ленинградское отделение, 1983. - 232 с.

145. Крыжановский Б. П. Характер нарушения стехиометрии и электропроводность моноокиси олова / Б. П. Крыжановский,

146. A.Я.Кузнецов // Журнал физической химии. 1961. — Т. 35, № 1. — С. 80-83.

147. Взаимодействие свинца и олова с тонкими пленками их оксидов на поверхности монокристаллического кремния / А. М. Ховив, О. Б. Яценко,

148. B. А. Логачева и др. II Неорганические материалы. 2004. — Т. 40, № 4.1. C. 400-403.

149. Формирование тонких слоев станнатов свинца на монокристаллическом кремнии / В. А. Логачева, Е. А. Туренко, А. М. Ховив и др. II Неорганические материалы. 2003. - Т. 39, № 10. - С. 1251-1259.

150. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс; Пер. с англ. под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского. М.: Мир, 1981.-736 с.

151. Ховив А. М. Фазовые переходы в тонких пленках твердых растворов титаната-станната свинца / А. М. Ховив, Ю. 77. Афиногенов, В. А. Логачева и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. - Т. 6, № 1.-С. 107-112.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.