Механизмы отклика углеродных нанотрубок и сверхпроводящего легированного бором алмаза при воздействии терагерцового излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Титова Надежда Андреевна

• Титова Надежда Андреевна
• кандидат наук
• 2026

Оглавление диссертации кандидат наук Титова Надежда Андреевна

Введение

Глава 1. Обзор литературы

1.1 Углеродные материалы от трехмерных до одномерных

1.1.1 Сверхпроводимость в легированном бором алмазе

1.1.2 Углеродные трубки -зонная структура

1.2 Детекторы на основе сверхпроводниковой пленки

1.3 Детекторы на основе углеродных наноструктур для ТГц излучения

Глава 2. Технологии получения образцов и экспериментальные методики

2.1 Описание метода изготовления образцов из сверхпроводящей алмазной пленки

2.1.1 Рост сверхпроводящих легированных бором алмазных пленок

2.1.2 Изготовление образцов из сверхпроводящих легированных алмазных пленок

2.2 Описание метода изготовления образцов на основе УНТ

2.2.1 Методика синтеза углеродных нанотрубок

2.2.2 Изготовление образцов из синтезированных однослойных

УНТ

2.3 Методы исследования основных характеристик и описание экспериментальных установок для ЛБА образцов

2.3.1 Исследование транспортных и сверхпроводящих характеристик образцов

2.3.2 Определение коэффициента электронной диффузии и концентрации носителей заряда методом Холла

2.3.3 Описание метода определения времени энергетической релаксации

2.4 Методы измерения основных характеристик материала и описание экспериментальной установки для образцов на основе УНТ

2.4.1 Транспортные измерения и фотоотклик устройств

2.4.2 Измерение вольт-ваттной чувствительности для о-УНТ и расчет мощности эквивалентной шуму

Глава 3. Исследование отклика на ТГц излучение в сверхпроводящих ЛБА

пленках

3.1 Транспортные характеристики ЛБА пленок

3.2 Сверхпроводящие характеристики ЛБА пленок

3.3 Экспериментальные результаты измерения времени энергетической релаксации методом амплитудно-модулированного излучения

3.4 Тепловой транспорт в нанокристаллической ЛБА пленке на аморфной подложке

3.5 Исследование металлических пленок на алмазных подложках для применения в гибридных микросхемах

3.6 Выводы главы

Глава 4. Исследование отклика от разреженных сеток и одиночных трубок

при комнатной температуре

4.1 Сравнение отклика в образцах с разным каналом детектирования при комнатной температуре

4.2 Устройства вида диодов Шоттки на основе одиночных УНТ как неохлаждаемые детекторы суб-ТГц и ТГц излучения

4.3 Широкополосность отклика для образцов с одиночными УНТ при комнатной температуре

4.4 Выводы главы

Глава 5. Сравнение отклика в канале одиночных трубок при комнатной и гелиевой температуре с разной контактной металлизацией в образцах

5.1 Исследование отклика в канале с индивидуальными трубками с барьером Шоттки и без него

5.2 Проявление болометрического режима в образцах с различной контактной металлизацией

5.3 Выводы главы

Глава. 6 Исследование влияния резонансного отклика в сетках УНТ на

детектирование ТГц излучения

6.1 Теоретические представления о двумерных плазмонах в плотных

сетях углеродных нанотрубок

6.2 Теоретическая оценка отклика образцов

6.3 Сравнение модели отклика с экспериментальными данными

6.4 Выводы главы

Заключение

Благодарности

Список публикаций автора

Список сокращений и обозначений

Список литературы:

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Механизмы отклика углеродных нанотрубок и сверхпроводящего легированного бором алмаза при воздействии терагерцового излучения»

Введение

В последние десятилетия наблюдается значительный рост интереса к углеродным материалам в различных областях, включая фотонику [1 — 3], плазмонику [4] и оптоэлектронику [5, 6]. Этот интерес обусловлен возможностью создания разнообразных устройств, таких как: кубиты [7 — 9], сверхпроводящие резонаторы [10], детекторы терагерцового и ИК диапазонов, которые могут быть изготовлены как из сверхпроводящих, так и не сверхпроводящих материалов [11 — 14]. Развитие и совершенствование технологий для создания этих устройств требуют постоянного поиска новых материалов и методов их исследования. Уникальные свойства и многообразие углеродных форм [15, 16], позволяющие наблюдать широкий спектр электрофизических характеристик, от диэлектрических до проводящих и сверхпроводящих, — в пределах одного материала, создают условия для разработки гибридных микросхем. На основе этих микросхем представляется возможным реализовать интеграцию волноводов, детекторов и однофотонных источников в едином устройстве (чипе) [17], что является перспективным направлением для дальнейших исследований и разработок в области нанотехнологий и микроэлектроники.

Для улучшения характеристик создаваемых приборов, важным этапом является понимание механизмов отклика и взаимодействия различных подсистем в материале при воздействии внешних факторов. На сегодняшний день существует множество научных работ, посвященных исследованию углеродных материалов. В рамках данной диссертации были выбраны две группы исследований, представляющих интерес в контексте разработки детекторов инфракрасного и терагерцового диапазона излучения. Первая группа включает работы, направленные на изучение сверхпроводящего легированного бором алмаза [8,18], а вторая — исследования, касающиеся взаимодействия электронной подсистемы низкоразмерных углеродных структур с ТГц излучением [19 — 32].

В первую очередь, будут рассмотрены работы, посвященные исследованию сверхпроводимости в алмазе, сильно легированного бором. Теоретические и

экспериментальные работы по изучению сверхпроводимости в вырожденных полупроводниках появились в начале 1960-х годов [33 — 35]. В этих работах было отмечено, что проявление сверхпроводимости возможно при легировании полупроводников или диэлектриков выше уровня перехода металл -диэлектрик [34]. На основании теоретических расчетов для сплава GeSi, проведенных в работе М. Cohen [33], было установлено, что сверхпроводящий переход ожидается в полупроводниках с многодолинной зонной структурой. В работе R. A. Hein и других [36] было подтверждено это предположение при исследования легированных материалов, таких как SnTe, GeTe, PbTe. Однако наблюдаемая в них сверхпроводимость была обнаружена при критической температуре перехода не более 100 мК.

Возрождение интереса к «сверхпроводящим полупроводникам» в начале XXI века было обусловлено открытием сверхпроводимости в алмазе при легировании акцепторной примесью [18]. Изучение данного явления показало, что при легировании алмаза бором свойства образцов изменяются от изолирующего состояния, при котором удельное сопротивление стремится к бесконечности при абсолютном нуле температуры, к металлическому поведению [37, 38], а при концентрации бора более 4.5 1020 см-3 образцы переходят в сверхпроводящее состояние [39]. Вскоре за открытием сверхпроводимости в алмазе было обнаружено, что легирование акцепторными примесями приводит к возникновению сверхпроводимости в кремнии [39] и германии [40].

Открытие сверхпроводимости в легированном бором алмазе (ЛБА) также

инициировало исследования механизмов спаривания куперовских электронов в

легированных полупроводниках [33 — 45]. Дальнейшее исследование сильно

легированных алмазных пленок выявило аномальное увеличение сопротивления

вблизи температуры сверхпроводящего перехода, а также выраженный пик

проводимости при нулевом смещении в вольт-амперных характеристиках,

отсутствующий в обычных (s-типах) гранулированных сверхпроводниках. Эти

наблюдения позволили исследовать зарядовый эффект Кондо в пленках ЛБА [46]

и рассмотреть ряд малоизученных явлений, возникающих вследствие конкуренции

5

между эффектом Кондо и сверхпроводимостью. Кроме того, было установлено, что

в гидрогенизированном алмазе, легированном бором, проявляется

ферромагнетизм, конкурирующий со сверхпроводимостью, что открывает

перспективы для изучения майорановских состояний. Следует отметить, что

присутствие ферромагнетизма в различных формах безметаллового (аморфного)

углерода представляет собой предмет научного интереса на протяжении последних

десятилетий [45, 46]. Полученные результаты предполагают возможность создания

гибридных систем, включающих разреженную двумерную ферромагнитную

решетку и сверхпроводник со спин-орбитальной связью. Также стоит отметить

фундаментальный интерес в контексте перехода Беринского-Костерлица-Таулеса

(БКТ) в сверхпроводящем алмазе, что может быть полезно для исследования

объемных гранулированных материалов с переходом металл - бозонный

изолятор - сверхпроводник или сверхпроводник - диэлектрик [47]. Наблюдение

двумерного транспорта в наноалмазных пленках свидетельствует о проявлении

тонких размерных эффектов в данной системе и открывает возможности для

тестирования теоретических моделей, связанных с топологическими

сверхпроводниками [48 — 50]. Кроме того, пленки ЛБА представляют собой

перспективный материал для разработки СКВИДов (ц-SQUID) [51, 52],

механических резонаторов [10], электрохимических конденсаторов [53, 54].

Легированные бором алмазы могут быть использованы при создании детекторов

ионизирующего излучения [55, 56], например, в виде диодов Шоттки в

псевдовертикальной геометрии, как это показано в статье М.А. Лобаева е!^. [57].

Также ЛБА могут быть использованы при изготовлении вакуумного

ультрафиолетового фотодетектора с барьером Шоттки [58]. Несмотря на то, что

ЛБА имеют спектр поглощения, согласованный с окнами прозрачности атмосферы,

и могут применяться для разработки фоточувствительных устройств как в УФ

области спектра, так и в ИК, работ, посвящённых детекторам в ИК или ТГц

диапазоне пока не представлено. Интерес к разработке ИК и ТГц детекторов на

основе сверхпроводящих ЛБА связан не только с прикладными аспектами, но и с

получением новых научных знаний. Рассмотрев детекторы ТГц излучения,

6

изготавливающиеся из сверхпроводящих материалов, можно увидеть, что в основе описания механизмов детектирования тонкой сверхпроводящей пленки в сильно неравновесном режиме лежит взаимосвязь тепловых и резистивных свойств [59]. Таким образом, необходимыми сведениями для оптимизации и создания детекторов являются данные о характерных временах и механизмах энергетической релаксации. Комплексные исследования характеристик сверхпроводящих ЛБА пленок должны включать исследование процессов энергетической релаксации резистивного состояния и теплопроводности данного материала, так как они важны для построения теоретических моделей работы вышеперечисленных устройств.

Далее будут рассмотрены работы, посвященные изучению углеродных

наноструктур в качестве чувствительных элементов терагерцового детектора.

Изучение взаимодействия данных структур с ТГц излучением важно не только для

развития прикладного направления, в котором на сегодняшний день представлены

такие типы УНТ-детекторов как диоды, болометры и фото-термоэлектрические

(ФТЭ) детекторы [19—32]. В работе R. Hartmann и других [60] представлены

сведения о динамике носителей заряда и особенностях одночастичных и

коллективных возбуждений электронной подсистемы при взаимодействии с

терагерцовым излучением, что позволяет разрабатывать новые более точные

теоретические модели. В работе D. Suzuki и других [61] была продемонстрирована

возможность изготовления гибкой ТГц видеокамеры на основе двухмерной

свободно подвешенной пленки УНТ и отмечено, что для таких устройств подложка

сильно влияет на отклик от ТГц излучения. Основным механизмом детектирования

в работе D. Suzuki и других [61] считается фото-термоэлектрический эффект,

обусловленный температурным градиентом в канале устройства под воздействием

излучения. В работе H. Shi и др. [62] были изготовлены устройства типа полевых

транзисторов (ПТ) на основе выровненных массивов нанотрубок высокой чистоты

при длине затвора 50 нм, демонстрирующие граничные частоты усиления по току

и мощности до 540 и 306 ГГц, соответственно. В данном устройстве отклик

связывается с возбуждением плазменных волн в канале между затвором и истоком,

7

при этом постоянная составляющая напряжения считывается со стока. В работе M. Yang и других [63] рассматривается случай, когда отклик связан с эффектом выпрямления на барьере между углеродной нанотрубкой и металлическим контактом.

Анализ выше перечисленных работ показывает, что для улучшения характеристик детекторов на основе УНТ все еще требуется исследование механизмов детектирования. Выявление физических эффектов, влияющих на проявление доминирующего механизма детектирования, позволит разграничить вклады от разных механизмов и усилить только нужные из них.

Таким образом, актуальность настоящего диссертационного исследования обусловлена рядом ключевых вопросов связанных с: а) исследованием влияния степени беспорядка на транспортные и сверхпроводящие свойства легированных бором алмазных пленок, выращенных на разных подложках; б) выявлением основных механизмов энергетической релаксации в легированных бором алмазных пленках на разных подложках; в) исследованием основных физических механизмов детектирования ТГц излучения с использованием образцов на основе УНТ с различными типами проводимости, как при комнатной температуре, так и при температуре жидкого гелия; г) выявлением практических требований к технологии изготовления устройств с УНТ, включая оценку влияния барьера Шоттки на выпрямление высокочастотных сигналов.

Все исследования, описанные в настоящей диссертации, были выполнены в рамках научно-исследовательских работ:

• ФЦП № 075-15-2019-1396 «Сверхпроводниковые болометры и полупроводниковые нанотрубки как детекторы терагерцового диапазона для интеллектуальных производственных технологий»

• РФФИ № 16-29-11779 офи_м «Исследование новых сверхпроводниковых материалов для чувствительных детекторов электромагнитного излучения видимого и инфракрасного диапазонов», с 2016 по 2019 гг.

• РНФ № 17-72-30036 «Взаимодействие излучения с квантовыми устройствами», 2017 по 2020 гг.

• РНФ №19-72-10101 «Резистивное состояние в окрестности сверхпроводящего перехода как стационарный случайный процесс», с 2019 по 2022 гг.

Целью данной работы является исследование механизмов отклика одномерных и трехмерных углеродных структур, таких как углеродные нанотрубки и сверхпроводящие легированные бором алмазные пленки, на терагерцовое излучение в зависимости от температуры.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Проведено исследование транспортных и сверхпроводящих характеристик нанокристаллических легированных бором алмазных (ЛБА) пленок, выращенных на различных подложках.

2. Исследован болометрический отклик на ТГц излучение в ЛБА пленках, выращенных на различных подложках, в диапазоне температур 1.7 — 4 К с приложенным магнитным полем.

3. Исследована чувствительность и частотный диапазон детектирования в образцах с конфигурацией полевого транзистора на основе индивидуальных УНТ и разреженных сеток с полупроводниковыми и квазиметаллическими нанотрубками.

4. Проведено экспериментальное исследование фотоотклика образцов с индивидуальными УНТ на ТГц излучение в широком диапазоне температур.

5. Исследованы образцы с конфигурацией полевого транзистора с разреженными сетками УНТ для выявления плазмонного механизма при детектировании излучения.

В качестве объекта исследования выбраны легированные бором алмазные (ЛБА) нанокристаллические пленки с толщинами от 140 до 500 нм, выращенные на подложках из монокристаллического кремния и аморфного оксидированного кремния. Также объектом исследования являются одиночные углеродные нанотрубки и разреженные сетки УНТ, интегрированные в структуру полевого транзистора с различной металлизацией на истоке и стоке образца. Предметом

исследования выступают механизмы отклика и энергетической релаксации в вышеперечисленных образцах.

Научная новизна.

1. Впервые исследовано время энергетической релаксации и его температурная зависимость в нанокристаллических ЛБА пленках, выращенных на подложках кремния и оксидированного кремния, в диапазоне температур от 1.7 до 4 К.

2. Выявлены доминирующие механизмы детектирования суб-ТГц и ТГц излучения в образцах с одиночными УНТ при различной контактной металлизации истока и стока (золото /ванадий и золото / никель) в диапазоне температур от 8 до 300 К.

3. Установлено, что величина вольт-ваттной чувствительности зависит от типа одиночных УНТ в диапазоне частот от 129 ГГц до 2.5 ТГц.

4. Впервые экспериментально показано, что чувствительность образца зависит от доли полупроводниковых и квазиметаллических УНТ в канале проводимости. Для частот 150 - 160 ГГц вольт-ваттная чувствительность образца увеличивается при отсоединении (выжигании) км-УНТ от контакта Шоттки (для п - УНТ) из-за устранения частичного шунтирования этим контактом.

Практическая значимость. В рамках данного диссертационного

исследования разработаны маршруты изготовления образцов из

нанокриссталлической ЛБА пленки. Исследованы сверхпроводящие и

транспортные характеристики ЛБА образцов на разных подложках. Выявлены

ключевые параметры, влияющие на критическую плотность тока в ЛБА образцах.

Также получены данные времени энергетической релаксации и его температурной

зависимости для нанокристаллических ЛБА пленок. Кроме этого, был разработан

маршрут изготовления устройств на основе разных типов УНТ. Определен

частотный диапазон детектирования в зависимости от типа проводящего канала

устройства. Определены доминирующие механизмы детектирования при

комнатной температуре и охлаждении до гелиевых температур для детекторов на

основе УНТ. Результаты исследования могут быть востребованы при создании

10

устройств нового поколения, таких как детекторы ТГц излучения, использующиеся в медицине и телекоммуникационных структурах.

Методы исследования. При выполнении работы использовались аналитические методы исследования поверхности пленки, такие как атомно-силовая микроскопия и сканирующая электронная микроскопия. Среди технологических методов изготовления образцов стоит отметить фото- и электронную литографию, сопровождающуюся плазмохимическим травлением и электронно-лучевым осаждением металлической пленки. Для измерения транспортных и сверхпроводящих характеристик образцов использовались стандартные методики по определению тока, протекающего в образце. Для определения наиболее значимых параметров исследуемых объектов был использован метод измерения фотоотклика транзисторных структур при различных температурах и метод измерения времени энергетической релаксации под воздействием амплитудно-модулированного излучения.

Положения, выносимые на защиту:

1. Время энергетической релаксации резистивного состояния в сверхпроводящих нанокристаллических легированных бором алмазных пленках, выращенных на кремниевой подложке, определяется электрон-фононным взаимодействием и в диапазоне температур 1.7 — 3 К описывается температурной зависимостью т~Т-2, обусловленной совокупностью процессов «чистого» электрон-фононного рассеяния и рассеяния носителей на бор-углеродных дефектах. Значение времени электрон-фононного взаимодействия достигает 435 нс при температуре 1.7 К.

2. В легированных бором алмазных пленках, выращенных на подложке оксидированного кремния, время электрон-фононного взаимодействия в диапазоне температур 1.7 — 4 К описывается температурной зависимостью т~Т-3. Значение времени электрон-фононного взаимодействия достигает 690 нс при температуре 1.7 К.

3. Структуры в виде полевых транзисторов с каналом проводимости из

одиночной полупроводниковой углеродной нанотрубки демонстрируют высокую

11

вольт-ваттную чувствительность при комнатной температуре в диапазоне частот от 129 Гц до 300 ГГц. Максимальное значение чувствительности составляет 100 В/Вт при частоте 129 ГГц.

4. Cтруктуры в виде полевых транзисторов с каналом проводимости из одиночной квазиметаллической углеродной нанотрубки демонстрируют чувствительность к излучению в широком диапазоне частот от 129 ГГц до 2.5 ТГц при комнатной температуре.

5. В структурах в виде полевых транзисторов с выжженными квазиметаллическими углеродными нанотрубками в канале проводимости вольт-ваттная чувствительность возрастает обратно пропорционально доли полупроводниковых углеродных нанотрубок в исходной разреженной сетке в частотном диапазоне 150-160 ГГц при комнатной температуре.

Степень достоверности и апробация результатов. Обоснованность выводов подтверждается воспроизводимостью наблюдавшихся результатов при многократном повторении измерений на различных образцах. Основные результаты работы докладывались на 6-ти международных конференциях:

1. Asymmetric devices based on carbon nanotubes as detectors of sub-THz radiation // 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN 2016», Санкт-Петербург, Россия, 28-30 марта, 2016.

2. Медленная релаксация горячих электронов в легированных бором пленках алмаза // XXI международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 13-16 марта 2017г.

3. Transport and non-equilibrium processes in superconducting boron-doped diamond nanostructures // 29th «International Conference on Diamond and Carbon Materials 2018», Дубровник, Хорватия, 2-6 Сентября 2018.

4. Carbon nanotube based terahertz radiation detectors // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN 2019», Санкт- Петербург, Россия, 22-25 апреля 2019г.

5. Исследование тепловой релаксации в сверхпроводящих пленках алмаза // XXIV международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 10-13 марта 2020 г.

6. Study of Thermal Relaxation Mechanisms in CVD Monocrystalline Boron-Doped Diamond Films by Noise Thermometry // «Spring Meeting European Materials Research Society 2022», Франция, с 30 мая по 3 июня 2022.

Публикации. Основные результаты по теме диссертации изложены в 9 печатных изданиях, 8 из которых входят в перечень Scopus и Web of Science.

Личный вклад автора.

В диссертации изложены результаты работ, выполненных автором самостоятельно и в соавторстве с коллегами. Изготавление и измерения исследованных образцов на основе предоставленных пленок нанокристаллического легированного бором алмаза и улеродных нанотрубок проводились непосредственно автором на базе Лаборатории квантовых детекторов МИТУ. Кроме этого, личный вклад автора включает работу с полученными в ходе экспереметов данными, их обработку и анализ, а также обсуждение и формулирование основных выводов работы.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, обзора литературы, 5 глав, заключения, списка сокращений и обозначений и библиографии. Общий объем диссертации 159 страниц, из них 136 страниц текста, включая 53 рисунка и 7 таблиц. Библиография включает 231 наименование на 23 страницах.

Во введении изложено обоснование актуальности темы, практической значимости диссертационной работы, сформулирована цель и задачи, показана научная новизна исследований, представлены выносимые на защиту научные положения.

В первой главе представлен обзор научной литературы, посвящённой исследованию сверхпроводимости в легированных бором алмазных пленках, а также рассмотрены работы по ТТц-детекторам на основе углеродных наноструктур

и сверхпроводящих материалов для определения наиболее важных параметров исследования ЛБА пленок и одностенных углеродных нанотрубок.

Во второй главе детально описаны процессы получения и структурирования ЛБА пленок и углеродных нанотрубок. Описаны методы и приведены схемы экспериментальных установок для определения транспортных и сверхпроводящих свойств. Также представлено описание методов по определению фотоотклика устройств, изготовленных на основе углеродных наноструктур, и времени энергетической релаксации в ЛБА пленках.

В третьей главе представлены результаты экспериментов для набора образцов из ЛБА пленок, выращенных на разных подложках и имеющих разную кристаллическую структуру и толщину. Описаны результаты измерений транспортных и сверхпроводящих характеристик, которые позволяют оценить качество и степень беспорядка в образцах. Представлены экспериментальные данные отклика на ТГц излучение в нанокристаллических ЛБА образцах, выращенных на подложках кремния и оксидированного кремния. На основе зависимостей отклика от частоты излучения проведено исследование взаимодействия между электронной и фононной подсистемами в рамках двухтемпературной модели. Также представлены результаты для температурной зависимости времени энергетической релаксации.

В четвертой главе приведены результаты исследования отклика на

терагерцовое излучение различных чувствительных элементов на основе УНТ с

целью определения оптимальной морфологии устройства. Приведены измерения

транспортных характеристик и отклика на излучение для образцов типа полевого

транзистора с разными каналами проводимости, включая неупорядоченные

смешанные сетки УНТ (состоящие из полупроводниковых и квазиметаллических

трубок) и одиночные полупроводниковые и квазиметаллические УНТ. Результаты

демонстрируют наличие сигнала постоянного напряжения при комнатной

температуре, который обусловлен комбинацией диодного и

фототермоэлектрического механизмов. На основании полученных данных

установлено, что образцы с каналом проводимости в виде одиночной УНТ

14

демонстрируют более выраженный отклик в субтерагерцовом диапазоне по сравнению с устройствами на основе неупорядоченных сеток УНТ.

В пятой главе представлены результаты экспериментальных исследований устройств с каналом проводимости в форме одиночной УНТ, проведенных при различных температурных условиях, включая комнатную температуру, температуру жидкого азота и гелия. Это позволило провести анализ вклада болометрического механизма в процесс детектирования излучения. Применение пар контактной металлизации, таких как ванадий-золото и никель-золото, за счет разных значений работы выхода электрона, позволило оценить влияние барьера Шоттки, формирующегося на границе раздела нанотрубка-металл, на характеристики отклика устройств в терагерцовом диапазоне частот.

В шестой главе представлены результаты исследования образцов с каналом проводимости на основе неупорядоченных смешанных сеток УНТ, выполненных в конфигурации полевого транзистора с металлическими контактами из ванадия и золота на стоке и истоке. Со стороны ванадия формируется контакт с барьером Шоттки, а со стороны золота формируется омический контакт. В данной главе рассматривается вклад плазмонного механизма в отклик на излучение. Исследуемая модель работы образцов основывается на концепции двумерных плазмонов в относительно плотных случайно ориентированных сетках УНТ. Данная модель позволяет прогнозировать спектральные характеристики чувствительности детектора, а также появление резких резонансных пиков чувствительности, вызванных возбуждением двумерных плазмонов. Теоретические и экспериментальные данные свидетельствуют о том, что чувствительность образца зависит от доли полупроводниковых и квазиметаллических УНТ в канале проводимости.

В Заключении представлены основные результаты полученные по итогу выполнения диссертационного исследования.

Глава 1. Обзор литературы

За последние три десятилетия было показано, что терагерцовый (ТГц) диапазон излучения имеет множество применений из-за того, что сочетает характеристики как электроники, так и фотоники [64]. Одним из компонентов ТГц технологий являются детекторы, которые могут быть реализованы из различных материалов. Основными параметрами, характеризующими детекторы, как правило являются их быстродействие, чувствительность или мощности эквивалентной шуму, спектральный диапазон, а также рабочая температура.

В данном обзоре рассмотрены работы по ТГц-детекторам на основе углеродных наноструктур и сверхпроводящих материалов для определения наиболее важных параметров исследования ЛБА пленок и одностенных углеродных нанотрубок (о-УНТ). Результаты планируемых исследований могут быть использованы при разработке и усовершенствовании детекторов.

1.1 Углеродные материалы от трехмерных до одномерных

Углерод один из фундаментальных элементов в природе с множеством аллотропных форм и соединений. Многообразие углеродных форм объясняется образованием межатомных связей трех конфигураций: sp3, sp2 и sp видов гибридизации [30, 65]. Каждый из типов гибридизации описывает одну аллотропную форму углерода: sp3-гибритизация сопоставляется с 3D-структурами, к которым относятся алмаз и графит; sp2-гибритизация - 2D-структурам (графен и отдельные слои графита); sp-гибритизация - Ш-структурам (однослойные и многослойные трубки) [66]. Столь широкий спектр структур позволяет наблюдать различные электрофизические свойства - от диэлектриков до проводников и сверхпроводников - в пределах одного материала.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Титова Надежда Андреевна, 2026 год

Список литературы:

1. Diamond as an electronic material / Ch. J.H. Wort, R. S. Balmer// Materials Today.

— 2008. — Т. 11. — С. 22-28

2. Graphene photonics and optoelectronics / Bonaccorso F. et al. //Nature photonics. — 2010. — Т. 4. — №. 9. — С. 611.

3. Carbon-nanotube photonics and optoelectronics / Avouris P., Freitag M., Perebeinos V. //Nature photonics. — 2008. — Т. 2. — №. 6. — С. 341.

4. Graphene plasmonics / Grigorenko A. N., Polini M., Novoselov K. S. //Nature photonics. — 2012. — Т. 6. — №. 11. — С. 749.

5. Photodetectors based on graphene, other two dimensional materials and hybrid systems / Koppens F. H. L. et al //Nature nanotechnology. — 2014. — Т. 9. — №. 10.

— С. 780.

6. Uncooled carbon nanotube photodetectors / He X., Léonard F., Kono J. //Advanced Optical Materials. — 2015. — Т. 3. — №. 8. — С. 989 - 1011.

7. Engineering high-coherence superconducting qubits / I. Siddiqi // Nature Reviews Materials. — 2021. — T. 6. — C. 875 - 891.

8. Quantum physics: Flawed to perfection/ E. Gibney // Nature. — 2014. — T.505. —C. 472 - 474.

9. Room temperature coherent control of defect spin qubits in silicon carbide/ W.F. Koehl, B. Buckley, F. Heremans, G. Calusine, D. Awschalom// Nature. —2011. — T.479. — C. 84 - 87.

10. Superconducting nano-mechanical diamond resonators / Tobias Bautze, Soumen Mandal, Oliver A. Williams, Pierre Rodière, Tristan Meunier, Christopher Bäuerle // Carbon. — 2014. — Т. 72. — С. 100-105

11. Graphene field-effect transistors as room-temperature terahertz detectors / Vicarelli L. et al. //Nature materials. — 2012. — Т. 11. №. 10. — С. 865

12. High performance bilayer-graphene terahertz detectors / Spirito D. et al. //Applied Physics Letters. — 2014. — Т. 104. — №. 6. — С. 061111.

13. Terahertz detection by epitaxial-graphene field-effect transistors on silicon carbide / Bianco F. et al. //Applied Physics Letters. — 2015. — T. 107. — №. 13. — C. 131104.

14. Antenna enhanced graphene THz emitter and detector / Tong J. et al. //Nano Letters. — 2015. — T. 15. — №. 8. — C. 5295 - 5301.

15. The physicochemical and electrochemical properties of 100 and 500 nm diameter diamond powders coated with boron-doped nanocrystalline diamond/ A. Ay, V. M. Swope and G. M. Swain // Journal of The Electrochemical Society. —2008. —T.155.

— № 10. — C. 1013 - 1022.

16. Nanostructures made from superconducting boron-doped diamond /S Mandal et al// Nanotechnology. — 2010. — T.21. — №119. — C. 195303.

17. Superconducting nanowire single-photon detectors with saturated quantum efficiency at 1550 nm on single-crystal diamond substrates / Zhi Qin, Mingxue Huang, Tao Tao, Xiaohan Wang, Han Bao, Tao Xu, Xuecou Tu, Labao Zhang, Qingyuan Zhao, Xiaoqing Jia, Lin Kang, Jian Chen, Peiheng Wu // Appl. Phys. Lett.

— 2024. — T.124. — C. 182602.

18. Superconductivity in diamond / E. A. Ekimov, V. A. Sidorov, E. D. Bauer, N. N. Mel'nik, N. J. Curro, J. D. Thompson, S. M. Stishov// Nature. — 2004. — T.428. — C. 542 - 545.

19. Terahertz detection in single wall carbon nanotubes / Fu K. et al. //Applied Physics Letters. — 2008. — T. 92. — №. 3. — C. 033105.

20. Terahertz detection mechanism and contact capacitance of individual metallic single-walled carbon nanotubes / Chudow J. D. et al. //Applied Physics Letters. — 2012. — T. 100. — №. 16. — C. 163503.

21. Large-area low-cost substrate compatible CNT Schottky diode for THz detection / Yang X., Chahal P. // IEEE 61st Electronic Components and Technology Conference (ECTC). — 2011. — C. 2158-2164.

22. Microwave-induced nonequilibrium temperature in a suspended carbon nanotube / Hortensius H. L. et al. //Applied Physics Letters. — 2012. — T. 100. — №. 22. — C. 223112.

23. Photocurrent response of carbon nanotube-metal heterojunctions in the terahertz range / Wang Y. et al. //Optics express. — 2014. — T. 22. — №. 5. — C. 5895-5903.

24. Terahertz photodetector based on double-walled carbon nanotube macrobundle-metal contacts / Wang Y. et al. //Optics Express. — 2015. — T. 23. — №. 10. — C. 13348-13357.

25. Carbon nanotube terahertz detector / He X. et al // Nano letters. — 2014. — T. 14.

— №. 7. — C. 3953-3958.

26. Terahertz sensing with a carbon nanotube/two-dimensional electron gas hybrid transistor / Kawano Y., Uchida T., Ishibashi K. //Applied Physics Letters. — 2009. — T. 95. — №. 8. — C. 083123.

27. Thermal device design for a carbon nanotube terahertz camera / Suzuki D., Ochiai Y., Kawano Y. //ACS Omega. — 2018. — T. 3. — №. 3. — C. 3540-3547.

28. A flexible and wearable terahertz scanner / Suzuki D., Oda S., Kawano Y. //Nature Photonics. — 2016. — T. 10. — №. 12. — C. 809

29. Fermi-Level-Controlled Semiconducting-Separated Carbon Nanotube Films for Flexible Terahertz Imagers / Suzuki D. et al. //ACS Applied Nano Materials. — 2018.

— T. 1. — №. 6. — C. 2469-2475

30. Carbon nanotubes: synthesis, structure, properties, and applications / M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, Ph. Avouris // Topics Appl. Phys. — 2001 —T.80. — C. 453, Springer-Verlag, Berlin.

31. Unexpected scaling of the performance of carbon nanotube Schottky-barrier transistors/ S. Heinze, M. Radosavljevic, J. Tersoff and Ph. Avouris // Phys. Rev. B. —2003. — T. 68. — C.235418.

32. Transport through the interface between a semiconducting carbon nanotube and a metal electrode / T. Nakanishi, A. Bachtold, C. D. Dekker //Phys. Rev. B. — 2002. — T. 66. — C. 073307.

33. The existence of a superconducting state in semiconductors / Cohen, M. L. // Rev. Mod. Phys. —1964. — T.36. — C. 240 - 243.

34. Superconductivity in the periodic system/ David Pines // Phys. Rev.— 1958. — T. 109. — C. 280-287.

35. Superconductivity from an Insulator / Mahito Kohmoto and Yasutami Takada // Journal of the Physical Society of Japan. — 1990. — T.59. — №№5. — C.1541 - 1544.

36. R. A. Hein, J. W. Gibson, R. S. Allgaier, B. B. Houston, Jr., R. Mazelsky, and R. C. Miller, in: Low Temperature Physics, LT9, edited by J. G. Daunt et al. (Plenum Press, New York). — 1965. — C. 604.

37. Superconducting group-IV semiconductors / X. Blase, E. Bustarret, C. Chapelier, Th. Klein, Ch. Marcenat // Nature Materials. — 2009. — T. 8. — C.375 - 382.

38. Recent advances in superconductivity of covalent superconductors / K. Iakoubovskii // Physica C. — 2009. — T.469. — C. 675 - 679.

39. Superconductivity in doped cubic silicon / E. Bustarret, C. Marcenat, P. Achatz, J. Kacmarcik, F. Levy, A. Huxley, L. Ortega, E. Bourgeois, X. Blase, D. Debarre and J. Boulmer // Nature. — 2006. — T. 444. — C. 465 - 468.

40. Superconducting state in a gallium-doped germanium layer at low temperatures / T. Herrmannsdörfer, V. Heera, O. Ignatchik, M. Uhlarz, A. Mücklich, M. Posselt, H. Reuther, B. Schmidt, K.-H. Heinig, W. Skorupa, M. Voelskow, C. Wündisch, R. Skrotzki, M. Helm, and J. Wosnitza // Phys. Rev. Lett. — 2009. — T.102. — C. 217003.

41. Resonating Valence Bond Mechanism of Impurity Band Superconductivity in Diamond / G. Baskaran // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. — 2008. — T.21. — C.45 - 49.

42. Low-Energy Electrodynamics of Superconducting Diamond / M. Ortolani, S. Lupi, L. Baldassarre, U. Schade, P. Calvani, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi and H. Kawarada //Phys. Rev. Lett. — 2006. — T. 97. — C. 097002.

43. Bottom-up superconducting and Josephson junction devices inside a group-IV semiconductor /Yun-Pil Shim, Charles Tahan //Nature Communications. — 2014. — T.5. — C. 4225.

44. Superconductivity in doped semiconductors / E. Bustarret // Physica C: Superconductivity and its Applications. — 2015. — T.514. — C. 36 - 45.

45. Flux pinning and improved critical current density in superconducting boron doped diamond films / D. Kumar, Sh. Samanta, K. Sethupathi and M.S. Ramachandra Rao // Journal of Physics Communication. — 2018. — T.2. — C. 045015.

46. Finite bias evolution of bosonic insulating phase and zero bias conductance in boron-doped diamond: A Charge-Kondo effect / D. Mtsuko, Chr. Coleman and S. Bhattacharyya // Europhysics Letters. —2018. — T. 124. — №5. — C. 57004.

47. Yu-Shiba-Rusinov bands in ferromagnetic superconducting diamond / G. Zhang, T. Samuely, N. Iwahara, J. Kacmarcik, Ch. Wang, P. W. MAY, J. K. Jochum, O. Onufriienko, P. Szabo, Sh. Zhou, P. Samuely, V. V. Moshchalkov, L. F. Chibotaru, H. Rubanh / /Science Advances. — 2020. — T.6. — C. 20.

48. Possible observation of the Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition in borondoped diamond films / C. Coleman and S. Bhattacharyya // AIP Advances. — 2017. — T.7. —C. 115119.

49. Signatures of 2D transport in superconducting nanocrystalline B-doped diamond films / C. Coleman and S. Bhattacharyya // EPL. — 2018. — T. 122. — C. 57004.

50. Charging effects and anomalous resistive features of superconducting boron doped diamond films / C. Coleman and S. Bhattacharyya // AIP Advances. — 2019. — T. 9. — C. 065118.

51. Fluctuation spectroscopy as a probe of granular superconducting diamond films / G. M. Klemencic, J. M. Fellows, J. M. Werrell, S. Mandal, S. R. Giblin, R. A. Smith, and O. A. Williams // Physical Review Materials. — 2017. —T.1. — C. 044801.

52. The Diamond Superconducting Quantum Interference Device / S. Mandal, T. Bautze, O. A. Williams, C. Naud, E. Bustarret, F. Omnes, P. Rodiere, T. Meunier, Ch. Bauerle, L. Saminadayar // ACS Nano. — 2011. — T. 5. — № 9. — C. 144-7148.

53. Diamond-coated silicon wires for supercapacitor applications in ionic liquids / F. Gao, G. Lewes-Malandrakis, M. T. Wolfer, W. Muller-Sebert, P. Gentile, D. Aradilla, Th. Schubert, Ch. E. Nebel // Diamond and Related Materials. — 2015. — T.51. — C. 1 — 6.

54. Porous boron-doped diamond/Carbon nanotube electrodes / H. Zanin, P. W. May, D. J. Fermin, D. Plana, S. M. C. Vieira, W. I. Milne, E. J. Corat // ACS Appl. Mater. Interf. — 2014. — Т. 6. — № 2. — С. 990-995.

55. A 3D diamond detector for particle tracking / Bachmair F., Bani L., Bergonzo P., Caylar B., Forcolin G., Haughton I., Hits D., Kagan H., Kass R., Li L., Oh A., Phan S., Pomorski M., Smith D. S., Tyzhnevyi V., Wallny R., Whitehead D. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. Sect. A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. — 2015. — T. 786. — C. 97 — 104.

56. Development of ionizing radiation detectors based on synthetic diamond material for the nuclear power industry /Amosov V. N., Azizov E. A., Blank V. D., Gvozdeva N. M., Kornilov N. V., Krasilnikov A. V., Kuznetsov M. S., Meshchaninov S. A., Nosukhin S. A., Rodionov N. B., Terent'ev S. A. // Instr. Exp. Techn. — 2010. — T.53. — C. 196 — 203.

57. CVD алмазные структуры с pn переходом - диоды и транзисторы / М.А. Лобаев, Д.Б. Радищев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, С.А. Краев, А.И. Охапкин, Е.А. Архипова, П.А. Юнин, Н.В. Востоков, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов // ЖТФ. — 2025. — Т. 95. — №. 3. — С. 540 - 548.

58. Vacuum-ultraviolet photodetectors / Lemin Jia, Wei Zheng, Feng Huang // PhotoniX. — 2020. — Т.1. — Article number: 22

59. Engineering Physics of Superconducting Hot-Electron Bolometer Mixers / Klapwijk T. M., Semenov A. V. // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. — 2017. — Т. 7. — № 6. — С. 627 — 648.

60. Terahertz science and technology of carbon nanomaterials / Hartmann R. R., Kono J., Portnoi M. E. //Nanotechnology. — 2014. — Т. 25. — №. 32. — С. 322001.

61. A Terahertz Video Camera Patch Sheet with an Adjustable Design based on Self-Aligned, 2D, Suspended Sensor Array Patterning / Daichi Suzuki, Kou Li, Koji Ishibashi, Yukio Kawano // Advanced Functional Materials. — 2021. — T. 31. — C. 2008931

62. Radiofrequency transistors based on aligned carbon nanotube arrays / Huiwen Shi,

Li Ding, Donglai Zhong, Jie Han, Lijun Liu, Lin Xu, Pengkun Sun, Hui Wang,

142

Jianshuo Zhou, Li Fang, Zhiyong Zhang, Lian-Mao Peng // Nature Electronics. — 2021. — T.4. — C. 405 — 415.

63. Carbon nanotube Schottky diode and directionally dependent field-effect transistor using asymmetrical contacts/ M. H. Yang, K. B. K. Teo, W. I. Milne, D. G. Hasko // Appl. Phys. Lett. — 2005 — T. 87 — C. 253116

64. Materials for terahertz science and technology / Bradley Ferguson, Xi-Cheng Zhang// Nature Materials. — 2002. — T. 1. — C.26 — 33.

65. Handbook of carbon, graphite, diamond, and fullerenes: properties, processing, and application /H.O. Pierson // Noyes, Park Ridge, New Jersey. — 1993. — C. 402

66. Carbon allotropes: a suggested classification scheme based on valence orbital hybridization /R.B. Heimann, S.E. Evsyukov, Y. Koga. // Carbon. —1997. — T.35.

— C. 1654.

67. Superconducting diamond: an introduction / E. Bustarret. // Phys. stat. sol. (a). — 2008. — T. 205. — №5. — C. 997 - 1008

68. Metal-insulator transition and superconductivity in boron-doped diamond / T. Klein, P. Achatz, J. Kacmarcik, C. Marcenat, F. Gustafsson, J. Marcus, E. Bustarret, J. Pernot, F. Omnes, Bo E. Sernelius, C. Persson, A. Ferreira da Silva, and C. Cytermann. Physical Review B. — 2007. — T. 75. — № 16. — C. 165313

69. Origin of the metallic properties of heavily boron-doped superconducting diamond / T. Yokoya, T. Nakamura, T. Matsushita, T. Muro, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, and T. Oguchi // Nature. — 2005. — T.438. —. № 7068

— C. 647-650.

70. Millimeter cyclotron resonance experiments in diamond / Conrad J. Rauch // Phys. Rev. Lett. — 1961. — T.7. — 83 - 84.

71. Band structure parameters of metallic diamond from angle-resolved photoemission spectroscopy// H. Guyot, P. Achatz, A. Nicolaou, P. Le Fevre, F. Bertran, A. Taleb-Ibrahimi, and E. Bustarret. Phys. Rev. B. — 2015. T. 92. — C. 045135.

72. Direct measurement via cyclotron resonance of the carrier effective masses in pristine diamond / N. Naka, K. Fukai, Y. Handa, and I. Akimoto // Phys. Rev. B. — 2013. — T.88. — C. 035205.

73. High-field cyclotron resonance and valence-band structure in semiconducting diamond / J. Kono, S. Takeyama, T. Takamasu, N. Miura, N. Fujimori, Y. Nishibayashi, T. Nakajima, and K. Tsuji // Phys. Rev. B. — 1993. — T. 48. — C. 10917.

74. Superconductivity in diamond thin films well above liquid helium temperature /

Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, M. Tachiki, T. Hatano, K. Kobayashi, H. Umezawa, and H. Kawarada // Applied Physics Letters. — 2004. — T. 85. № 14. — C. 2851.

75. Tunneling spectroscopy and vortex imaging in boron-doped diamond / B. Sacepe, C. Chapelier, C. Marcenat, J. Kacmarcik, T. Klein, M. Bernard, and E. Bustarret // Physical Review Letters. — 2006. — T. 96. — № 9. — C. 097006.

76. Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers / J. Kacmarcik, C. Marcenat, C. Cytermann, A. Ferreira da Silva, L. Ortega, F.

Gustafsson, J. Marcus, T. Klein, E. Gheeraert, and Etienne Bustarret // physica status solidi (a). — 2005. — T. 202. — №11. — C. 2160 -2165.

77. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy studies of superconducting boron-doped diamond films / R. Nishizaki, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, and N. Kobayashi // Science and Technology of Advanced Materials. — 2006. — T.7. — S22-S26.

78. Large carbon-isotope shift of TC in boron-doped diamond / Natalia Dubrovinskaia, Leonid Dubrovinsky, Thomas Papageorgiou, Alexey Bosak, Michael Krisch, Hans F. Braun, and Joachim Wosnitza // Applied Physics Letters. 2008 — T. 92. — №13. —

C.132506.

79. Structure and superconductivity of isotope-enriched boron-doped diamond / Evgeny A. Ekimov, Vladimir A. Sidorov, Andrey V. Zoteev, Julia B. Lebed, Joe

D. Thompson, and Sergey M. Stishov // Science and Technology of Advanced Materials. — 2008. —T.9. — № 4. — C. 044210.

80. Isotopic substitution of boron and carbon in superconducting diamond epilayers grown by {MPCVD}/ Achatz P., F. Omnes, L. Ortega, C. Marcenat, J. Vacik, V.

Hnatowicz, U. Köster, F. Jomard, and E. Bustarret // Diamond and Related Materials.

— 2010. — Т. 19. — С. 814.

81. R. Saito, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus. Physical properties of carbon nanotubes. Imperial College Press: London. - 1998

82. Дьячков, П. Н. Электронные свойства и применение нанотрубок / П. Н. Дьячков // М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. — 2010. — С. 488.

83. Chirality-selective optical scattering force on single-walled carbon nanotubes / Spesyvtseva S., Shoji S., Kawata S. Physical Review Applied. — 2015. — Т. 3.

— № 4. — С. 044003.

84. Interband optical transitions in left- and right-handed single-wall carbon nanotubes / Ge.G. Samsonidze, A. Grüneis, R. Saito, A. Jorio, A.G. Souza Filho, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. — 2004. — Т.69. — С. 205402.

85. Electronic structure of chiral graphene tubules / R. Saito, M. Fujita, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus // Appl. Phys. Lett. — 1992. — Т. 60. — С. 2204.

86. New One-Dimensional conductors: Graphitic Microtubules / N. Hamada, S. I. Sawada, and A. Oshiyama // Phys. Rev. Lett. — 1992. — Т. 68. — С. 1579.

87. Electronic and structural properties of carbon nanotubes / J.W. Mintmire, C.T. White // Carbon. — 1995. — Т.33. — №7. —С.893-902

88. Electronic properties of carbon nanotubes with polygonized cross sections / J.-C. Charlier, Ph. Lambin, and T. W. Ebbesen // Phys. Rev. B. — 1996. — Т.54. — С. R8377(R).

89. A Review of Electronic Band Structure of Graphene and Carbon Nanotubes Using Tight Binding / Davood Fathi // Journal of Nanotechnology. — 2011. — С. 471241

90. Electronic structure of graphene tubules based on C60 / R. Saito, M. Fujita, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. — 1992. — Т. 46. — С. 1804

91. First-principles calculations for the electronic band structures of small diameter single-wall carbon nanotubes / Zolyomi V., Kürti J. // Physical Review B. — 2004. — Т. 70. № 8. — С. 085403.

92. Size, shape, and low energy electronic structure of carbon nanotubes / Kane C. L., Mele E. J. // Physical Review Letters. — 1997. — Т. 78. —№ 10 . — С. 1932.

93. Electrical transport in single-wall carbon nanotubes / Michael J. Biercuk, Shahal Ilani, Charles M. Marcus, and Paul L. McEuen // Carbon Nanotubes. - Springer Berlin Heidelberg. —2008. - C. 455-493.

94. Tuning the band gap of semiconducting carbon nanotube by an axial magnetic field / G. Fedorov, P. Barbara, D. Smimov, D. Jiménez, and S. Roche // Applied Physics Letters. — 2010. — T. 96. — C. 132101.

95. Superconducting nanowire single photon detector on diamond / H. A. Atikian, A. Eftekharian, A. J. Salim, M. J. Burek, J. T. Choy, A. H. Majedi, and M. Loncar // Appl. Phys. Lett. — 2014 — T. 104(12) — C. 122602

96. Superconducting single-photon detectors integrated with diamond nanophotonic circuits / P. Rath, O. Kahl, S. Ferrari, F. Sproll, G. L. Malandrakis, D. Brink, K. Ilin, M. Siegel, C. Nebel, and W. Pernice // Light-Science & APPLICATIONS. — 2015.

— T. 4(10). — C. 338

97. High efficiency on-chip single-photon detection for diamond nanophotonic circuits / O. Kahl, S. Ferrari, P. Rath, A. Vetter, C. Nebel, and W. H. Pernice, J. Lightwave // Journal of Lightwave Technology. — 2016. — T. 34(2). — C. 249

98. Diamond nonlinear photonics / B. Hausmann, I. Bulu, V. Venkataraman, P. Deotare, M. Loncar // Nature Photonics. — 2014. — T. 8. — C. 369

99. Integrated photonic platform for quantum information with continuous variables / Francesco Lenzini, Jiri Janousek, Oliver Thearle, Matteo Villa, Ben Haylock, Sachin Kasture, Liang Cui, Hoang-Phuong Phan, Dzung Viet Dao, Hidehiro Yonezawa, Ping Koy Lam, Elanor H. Huntington, Mirko Lobino // SCIENCE ADVANCES. — 2018.

— T. 4. — C. 9331

100. Quantum detection by current carrying superconducting film /A. D. Semenov, G. N. Gol'tsman, and A. A. Korneev // Physica C. — 2001. — T. 351. —C. 349

101. Quasiparticle-phonon downconver sion in nonequilibrium superconductors / A. G. Kozorezov, A. F. Volkov, J. K. Wigmore, A. Peacock, A. Poelaert, and R. denHartog // Phys.Rev. B. — 2000. — T. 61. — C. 11807

102. Numerical analysis of detection mechanism models of superconducting nanowire single-photon detector / A. Engel and A. Schilling // J. Appl. Phys. — 2013. — T. 114. — C. 214501

103. Universal response curve for nanowire superconducting single-photon detectors / J. J. Renema, G. Frucci, Z. Zhou, F. Mattioli, A. Gaggero, R. Leoni, M.J.A. deDood, A. Fiore, andM.P. vanExter // Phys. Rev. B. — 2013. — T. 87. — C. 174526

104. Single-Photon Detection by a Dirty Current Carrying Superconducting Strip Based on the Kinetic-Equation Approach / D.Yu. Vodolazov // Phys. Rev. Appl. — 2017 — T. 7. — C. 034014

105. Superconducting hot-electron bolometer: from the discovery of hot-electron phenomena to practical applications / A Shurakov, Y Lobanov and G Goltsman // Superconductor Science and Technology. — 2016. — T. 29 (2). — C. 023001

106. Nanobolometers for THz Photon Detection / Karasik B. S., Sergeev A., Prober D. E. // IEEE Transactions on THz Science and Technology. — 2011. — T.1. — C. 97

107. Kinetic Inductance Detectors / Jochem Baselmans // Journal of Low Temperature Physics. — 2012. — T. 167. — C. 292-304

108. Recent progress and remaining challenges of 2D material-based terahertz detectors / Yingxin Wang, Weidong Wu, , Ziran Zhao// Infrared Physics and Technology. — 2019. — T.102. — C. 103024

109. Graphene-based materials in the infrared and terahertz detector families: a tutorial / A. Rogalski // Advances in Optics and Photonics. — 2019. — T. 11, № 2. — C. 314379

110. Thermoelectric terahertz photodetectors based on selenium-doped black phosphorus flakes / Leonardo Viti, Antonio Politano, Kai Zhang and Miriam Serena Vitiello // Nanoscale. — 2019. — T. 11. —C. 1995

111. Bolometric terahertz detection based on suspended carbon nanotube fibers / Y. Liu, Q. Hu, J. Yin, P. Wang, Y. Wang, J. Wen, Z. Dong, J.-L. Zhu, J. Wei, W. Ma, J.-L. Sun // Appl. Phys. Express. — 2019. — T. 12. — C. 096505

112. High-performance, ultra-broadband, ultraviolet to terahertz photodetectors based

on suspended carbon nanotube films / Y. Liu, J. Yin, P. Wang, Q. Hu, Y. Wang, Y.

147

Xie, Z. Zhao, Z. Dong, J. L. Zhu, W. Chu, N. Yang, J. Wei, W. Ma, J. L. Sun // ACS Appl. Mater. Interfaces. — 2018. — T. 10. — C. 36304

113. Carbon Nanotubes as Schottky Barrier Transistors / S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, and Ph. Avouris. // Physical Review Letters. — 2002. — T. 89. — C. 10

114. Carbon Nanotube Schottky Diodes Using Ti-Schottky and Pt-Ohmic Contacts for High Frequency Applications / H. M. Manohara, E. W. Wong, E. Schlecht, B. D. Hunt, and P. H. Siegel // Nano Lett. —2005. — T.5. — C. 1469

115. Progress of photodetectors based on the photothermoelectric effect / X. Lu, L. Sun, P. Jiang, X. Bao // Adv. Mater. — 2019. —T. 31. — C. 1902044

116. Tailored semiconducting carbon nanotube networks with enhanced thermoelectric properties / A. D. Avery, B. H. Zhou, J. Lee, E.-S. Lee, E. M. Miller, R. Ihly, D. Wesenberg, K. S. Mistry, S. L. Guillot, B. L. Zink, Y.-H. Kim, J. L. Blackburn, A. J. Ferguson // Nature Energy. — 2016. — T. 1. — C. 16033

117. High-performance and compact-designed flexible thermoelectric modules enabled by a reticulate carbon nanotube architecture / W. Zhou, Q. Fan, Q. Zhang, L. Cai, K. Li, X. Gu, F. Yang, N. Zhang, Y. Wang, H. Liu, W. Zhou, S. Xie // Nature Communications. — 2017. — T. 8. — C. 14886

118. Highly polarization-sensitive far infrared detector based on an optical antenna integrated aligned carbon nanotube film / B. Chen, Z. Ji, J. Zhou, Y. Yu, X. Dai, M. Lan, Y. Bu, T. Zhu, Z. Li, J. Hao, X. Chen // Nanoscale. — 2020. — 11808.

119. Carbon nanotube detectors and spectrometers for the terahertz range / J. Park, X. Liu, T. Ytterdal, M. Shur // Crystals. — 2020. — T. 10. — C. 601

120. Terahertz response of carbon nanotube transistors / D. Kienle, F. Leonard // Phys. Rev. Lett. — 2009. —T. 103. — C. 026601

121. Photogenerated Free Carrier Dynamics in Metal and Semiconductor Single-Walled Carbon Nanotube Films / Beard M. C., Blackburn J. L., Heben M. J. // Nano Letters. — 2008 — T. 8, № 12. — C. 4238—4242.

122. Terahertz processes in carbon nanotubes / Konstantin G. Batrakov, Oleg V. Kibis, Polina P. Kuzhir, Marcelo Rosenau da Costa, Mikhail E. Portnoi //Journal of Nanophotonics. — 2010. — T. 4, №. 1. — C. 041665.

123. Carbon nanotube-based photoconductive switches for thz detection: an assessment of capabilities and limitations / B Heshmat, H Pahlevaninezhad, TE Darcie // IEEE Photonics Journal. — 2012. — T. 4. — C. 970.

124. Detailed study of superconductivity in nanostructured nanocrystalline boron doped diamond thin films / S. Mandal, Cecile Naud, Oliver A. Williams, Etienne Bustarret, Franck Omnes, Pierre Rodiere, Tristan Meunier, Laurent Saminadayar, and Christopher Bauerle // Phys. Status Solidi A. — 2010. — C.1-6.

125. Enhanced diamond nucleation on monodispersed nanocrystalline diamond / O.A. Williams, Olivier Douheret, Michael Daenen, Ken Haenen, Eiji Osawa, Makoto Takahashi // Chemical Physics Letters. — 2007. — T. 445. — C. 255-258.

126. J.C. Angus, H.C. Will, and W.S. Stanko //J. Appl. Phys. — 1968. — T.39.

— C. 2915.

127. Growth, electronic properties and applications of nanodiamond / O. A. Williams, M. Nesladek, M. Daenen, S. Michaelson, A. Homan, E. Osawa, K. Haenen, and R. B. Jackman // Diamond and Related Materials. — 2008. — T.17. — C.1080-1088

128. Courtois, spatially correlated microstructure and superconductivity in polycrystalline boron-doped diamond / F. Dahlem, P. Achatz, O. A. Williams, D. Araujo, E. Bustarret, H. // Physical Review B. — 2010. — T. 82. — №№ 3. — C. 033306

129. Anomalous anisotropy in superconducting nanodiamond films induced by crystallite geometry / G. Zhang, J. Kacmarcik, Z. Wang, R. Zulkhamay, M. Marcin, X. Ke, S. Chiriaev, V. Adashkevich, P. Szabo, Y. Li, et al. // Physical Review Applied.

— 2019. — T. 12 (6). — C. 064042

130. Phase slips and metastability in granular boron-doped nanocrystalline diamond microbridges / G.M. Klemencic, D.T.S. Perkins, J.M. Fellows, C.M. Muirhead, R.A. Smith, S. Mandal, S. Manifold, M. Salman, S.R. Giblin, O. A. Williams. // Carbon.

— 2021. — T. 175. — C. 43-49

131. Optical and electronic properties of heavily boron-doped homo-epitaxial diamond / E. Bustarret, E. Gheeraert, and K. Watanabe // Physica status solidi (a). — 2003. —T.199(1). — C. 9-18.

132. Spectroscopic ellipsometry of homoepitaxial diamond multilayers and delta-doped structures / J. Bousquet, G. Chicot, D. Eon, and E. Bustarret // Applied Physics Letters.

— 2014. — T. 104(2). — C. 021905.

133. Synthesis of individual single-walled carbon nanotubes on patterned silicon wafers / Kong J, Soh H.T, Cassel A.M, Quate C.F and Dai H // Nature. — 1998. — T. 395.

— C. 878-881.

134. A photolithographic process for fabrication of devices with isolated single-walled carbon nanotubes / A. Tselev, K. Hatton, M. S. Fuhrer, M. Paranjape, and P. Barbara // Nanotechnology. — 2004. — T. 15. — C. 1475-1478.

135. The contrast mechanism in low voltage scanning electron microscopy of singlewalled carbon nanotubes / R.Y. Zhang, Y Wei, L A Nagahara, I Amlani and R K Tsui // Nanotechnology. — 2006. — T. 17. — C. 272.

136. Electron-microscopic imaging of single-walled carbon nanotubes grown on silicon and silicon oxide substrates / Y. Homma, D. Takagi, S. Suzuki, Ken-ich Kanzaki, Y. Kobayashi // Journal of Electron Microscopy. — 2005. — T. 54. — suppl_1. — i3-i7.

137. Raman spectroscopy of graphene and carbon nanotubes / R. Saito, M. Hofmann, G. Dresselhaus, A. Jorio, M. S. Dresselhaus // Advances in Physics. — 2011. — T. 60. — 413-550.

138. Raman spectroscopy of carbon nanotubes / M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, R. Saito, A. Jorio // Physics Reports. — 2005. — T. 409. — C. 47-99.

139. M. Bernard et al. / Diamond and Related Materials. — 2004. — T.13. — C. 282286

140. K. Srimongkon et al. / Diamond & Related Materials. — 2016. — T. 63. — C. 2125

141. L.B. Valdes / Proc. I.R.E. — 1954. — T. 42(2). — C. 420-427

142. Smits F. / Measurement of the Sheet Resistivities with the Four-Point Probe // Bell System Tech. J. — 1958. — Т. 37. — С. 711

143. Кардакова А.И. Энергетическая релаксация квазичастиц в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных бором пленках алмаза : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Кардакова Анна Игоревна — Москва, 2015 — С. 141

144. The spatial inhomogeneity and X-ray absorption spectroscopy of superconducting nanocrystalline boron doped diamond films / D. Kumar, G. Mangamma, M. Ratha, M.S. Ramachandra Raoa // Applied Surface Science. — 2019. — Т. 466. — С. 498 -502.

145. Superconducting Ferromagnetic Nanodiamond / Gufei Zhang, Tomas Samuely, Zheng Xu, Johanna K. Jochum, Alexander Volodin, et al // ACS Nano. — 2017. — Т. 11. — № 6. — С. 5358-5366

146. Recent experimental studies of electron dephasing in met al and semiconductor mesoscopic structures / Lin J. J., Bird J. P. // J. Phys.: Condens. Matter. — 2002 —Т. 14. — С. R501.

147. Electron-phonon interaction in ultrathin Nb films / Gershenzon E., Gershenzon M., Goltsman G. et al. // JEPT. — 1990. —Т. 70. — С. 505

148. Heating of electrons in a superconductor in the resistive state by electromagnetic radiation / Gershenzon E. M., Gershenzon M. E., Gol 'tsman G. N. et al. // Zh. Eksp. Teor. Fiz. —1984 — Т. 86— С. 758

149. Diffusion cooling mechanism in a hotelectron NbC microbolometer mixer / Karasik B. S., Il'in K. S., Pechen E. V., Krasnovobodtsev S. // Appl. Phys. Lett. — 1996. —Т. 68. — С. 2285.

150. Martin Philipp. Electrical Transport and Scattering Mechanisms in Thin Silver Films for Thermally Insulating Glazing: DISSERTATION... am Leibniz Institut fur Festkorper- und Werksto forschung (IFW) Dresden und am Institut des NanoSciences de Paris (INSP) angefertigt — 2011. — C. 141

151. K. Fuchs // Proceedings of the Cambridge Philosophical Society. — 1938. — Т. 34 — С. 100.

152. E. H. Sondheimer// Advances in Physics. — 1952. — T.1. — C. 1.

153. Electrical resistivity model for polycrystalline films: the case of specular reflection at external surfaces / A. F. Mayadas, M. Shatzkes and J. F. Janak // Applied Physics Letters. — 1969. —T.14. — C. 345.

154. Numerical Evaluation of the Resistivity of Polycrystalline Metal Films with the Mayadas-Shatzkes Model / EE Mola, JM Heras// Electrocompon. Sci. TechnoL (GB).

— 1974. — T. 1. — C.77.

155. Role of grain size in superconducting boron-doped nanocrystalline diamond thin films grown by CVD / Gufei Zhang, S. D. Janssens, J. Vanacken, M. Timmermans, J. Vac'ik, G. W. Ataklti, W. Decelle, W. Gillijns, B. Goderis, K. Haenen, P. Wagner, and V. V. Moshchalkov // Physical Review B. — 2011. — T. 84. — C. 214517.

156. Review Some transport properties of transition metal films / M. A. Angadi //Journal of Materials Science. — 1985. — T.20. — C. 761-796

157. J. M. Ziman, Electrons and Phonons / Oxford: Oxford University Press. —1960.

— Глава. XI.

158. Statistical Model for the Size Effect in Electrical Conduction /Stephen B. Soffer// J. Applied Physics. —1967. — T. 38. — C. 1710-1715

159. Scattering of Conduction Electrons by Localized Surface Charges / R. F. Greene and R. W. O'Donnell // Phys. Rev. — 1966. —T.147. — C. 599

160. Transport phenomena at metal surfaces / L.A. Falkovsky // Advances in Physics.

— 1983. — T. 32, № 5. — C. 753-789

161. Phase diagram of boron-doped diamond revisited by thickness-dependent transport studies / J. Bousquet, T. Klein, M. Solana, L. Saminadayar, C. Marcenat, and E. Bustarret // Physical Review B. — 2017. —T. 95. —C. 161301

162. Electronic and optical properties of boron-doped nanocrystalline diamond films / W. Gajewski, P. Achatz, O. A. Williams, K. Haenen, E. Bustarret, M. Stutzmann, and J. A. Garrido // Phys. Rev. B. — 2009. — T. 79. — C. 045206

163. Электропроводность нанофрагментированного и модифицированного

фуллереном алюминия / А.А Замешин, М.Ю. Попов, В.В. Медведев, С.А.

Перфилов, Р.Л. Ломакин, С.Г. Буга, В.Н. Денисов, А.Н. Кириченко, Е.В.

152

Татьянин, В.В. Аксененков, В. Д. Бланк // ТРУДЫ МФТИ. — 2012. — Т. 4, № 3.

— C. 74

164. Optical Single-Photon Detection in Micrometer-Scale NbN Bridges / Yu. P. Korneeva, D. Yu. Vodolazov, A. V. Semenov, I. N. Florya, N. Simonov, E. Baeva, A. A. Korneev, G. N. Goltsman, T. M. Klapwijk // Physical Review Applied. —2018. — T. 9. — C. 064037

165. Critical fields and Currents in Superconductors / John Bardeen // Reviews of Modern Physics. — 1962. — T. 34, № 4. — C. 667

166. Relaxation of the resistive superconducting state in boron-doped diamond films / A. Kardakova, A. Shishkin, A. Semenov, G. N. Goltsman, S. Ryabchun, T. M. Klapwijk, J. Bousquet, D. Eon, B. Sacépé, Th. Klein, and E. Bustarret // Phys. Rev. B.

— 2016. —T. 93. — C. 064506

167. Tinkham M. Introduction to Superconductivity. Second edition // Mc Graw-Hill, New York, 1996.

168. Quasiparticle and phonon lifetimes in superconductors / Kaplan S. B., Chi C. C., Langenberg D. N. et al. // Phys. Rev. B. — 1976. — T. 14. — C. 4854

169. Theory of thermal relaxation of electrons in metals /Allen P. B. // Phys. Rev. Lett. —1987. — T. 59. — C. 1460

170. Electron-phonon dephasing time due to the quasistatic scattering potential in metallic glass CuZrAl / Li L., Lin S. T., Dong C., Lin J. J. // Phys. Rev. B. — 2006 — T. 74. — C. 172201

171. Role of Phonon Dimensionality on Electron-Phonon Scattering Rates / DiTusa J. F., Lin K., Park M. et al. // Phys. Rev. Lett. — 1992 —T. 68 — C. 1156.

172. Insensitivity of Sub-Kelvin Electron-Phonon Coupling to Substrate Properties / Underwood J. M., Lowell P. J., O'Neil G. C., Ullom J. N. // Phys. Rev. Lett. — 2011.

— T. 107. — C. 255504

173. Formation of Boron-Carbon Nanosheets and Bilayers in Boron-Doped Diamond: Origin of Metallicity and Superconductivity// S. N. Polyakov, V. N. Denisov, B. N. Mavrin, A. N. Kirichenko, M. S Kuznetsov, S. Yu Martyushov, S. A. Terentiev and V. D. Blank // Nanoscale Research Letters. — 2016. — T. 11. — С.11

174. Peculiarities of boron distribution in as-grown boron-doped diamond / V D Blank, B A Kulnitskiy, I A Perezhogin, S A Terentiev, S A Nosukhin and M S Kuznetsov// Materials Research Express. — 2014. —T.1, № 3. — C. 035905

175. On surface superconductivity / V.L. Ginzburg // Phys. Letters. — 1964. — T.13.

— C.101

176. Electron-phonon interaction in disordered conductors: static and vibrating scattering potentials / Sergeev A., Mitin V. // Phys. Rev. B. — 2000. — T. 61. — C. 6041

177. Electron-Phonon Interaction via Electronic and Lattice Wannier Functions: Superconductivity in Boron-Doped Diamond Reexamined / Feliciano G., Yates J. R., Souza I. et al. // Phys. Rev. Lett. — 2007. — T. 98. — C. 047005.

178. Acoustic Matching of Superconducting Films to Substrates / Steven B. Kaplan // Journal of Low Temperature Physics. — 1979. — T. 37. — C. 343 - 365

179. Quasiparticle recombination and 2A-Phonon-Trapping in Superconducting Tunneling Junctions / W. Eisenmenger, K Lassmann, HJ Trumpp, R Krauß // Appl. Phys. — 1976 — T. 11, № 4. — C. 307

180. Kinetics of electron cooling in metal films at low temperatures and revision of the two-temperature model / Bezuglyj A. I., Shklovskij V. A. // J. Phys. Condens. Matter.

— 2018. — T. 30, № 29. — C. 295001

181. Thermal resistance at interfaces / Swartz E. T., Pohl R. O. // Appl. Phys. Lett. — 1987. — T. 51, № 26 — C. 2200

182. Hot electrons and energy transport in metals at millikelvin temperatures / ML Roukes, MR Freeman, RS Germain, RC Richardson, MB Ketchen // Phys. Rev. Lett.

— 1985. — T 55, № 4. — C. 422—425

183. Thermal relaxation in metal films bottlenecked by diffuson lattice excitations of amorphous substrates / E. M. Baeva, N. A. Titova, L. Veyrat, B. Sac'ep'e, A. V. Semenov, G. N. Goltsman, A. I. Kardakova, and V. S. Khrapai // Physical Review Applied. — 2021. — T.15 №5. — C. 054014

184. Hot-electron effects in metals / F. C. Wellstood, C. Urbina, and John Clarke // Physical Review B. — 1994. — T. 49, № 9. — C. 5942

185. The experimental study of electron-phonon scattering in metals / VF Gantmakher // Rep. Prog. Phys. — 1974. — T. 37. — C. 317

186. Opportunities for mesoscopics in thermometry and refrigeration: Physics and applications / Francesco Giazotto, Tero T. Heikkilä, Arttu Luukanen, Alexander M. Savin, and Jukka P. Pekola // Rev. Mod. Phys. — 2006. — T. 78. — C. 217

187. Thermal boundary resistance / Swartz E. T., Pohl R. O. // Rev. Mod. Phys. — 1989.-T. 61, № 3. — C. 605

188. Thermal conductivity of amorphous solids above the plateau / Cahill D. G., Pohl R. O. // Phys. Rev. B. — 1987. — T.35, №8. — C. 4067

189. Effect of neutron irradiation on the density of low-energy excitations in vitreous silica / Smith T. L., Anthony P. J., Anderson A. C. // Phys. Rev. B. — 1978. — T. 17, № 12. — C. 4997

190. Diamond-metal contacts: interface barriers and real-time characterization / D.A Evans, O. R Roberts, G. T Williams, A.R Vearey-Roberts, F Bain, S Evans, D.P Langstaff and D.J Twitchen // Journal of Physics: Condensed Matter. — 2009. — T. 21, № 36. — C. 364223

191. The use of niobium carbide (NbC) as cutting tools and for wear resistant tribosystems/ Mathias Woydt, Hardy Mohrbacher // International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. — 2015. — T. 49. — C. 212-218.

192. Physical Properties of the NbC Carbide/ M. G. D. V. Cuppari, S. F. Santos // Metals. — 2016. — T.6, №10. — C. 250

193. Synthesis and characterization of niobium carbide thin films on diamond surface for superconductive application / R.A. Khmelnitsky, V.P. Martovitsky, J.V. Bondareva, A.I. Kolbatova, N.A. Titova, G.N. Goltsman, F.S. Fedorov, A.V. Egorov, N.A. Matsokin, A.G. Kvashnin, D.G. Kvashnin, S.A. Evlashin // Journal of Alloys and Compounds. — 2024. — T. 976. —C. 173266.

194. Heteroepitaxy of Ni-Based Alloys on Diamond / Roman A. Khmelnitsky, Stanislav A. Evlashin, Victor P. Martovitsky, Pavel V. Pastchenko, Sarkis A. Dagesian, Alexandr A. Alekseev, Nikolay V. Suetin, Alexey A. Gippius //Crystal Growth and Design. —2016. — T. 16, № 3. — C.1420-1427

195. Selfheating hotspots in superconducting thinfilm microbridges / W. J. Skocpolt, M. R. Beasley, M. Tinkham // J. Appl. Phys. —1974. —T. 45. — C. 4054

196. Input bandwidth of hot electron bolometer with spiral antenna / A. Shurakov, S. Seliverstov, N. Kaurova, M. Finkel, B Voronov, G. Goltsman // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. — 2012. — T. 2. — № 4. — C. 400-405

197. Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube / S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker // Nature (London). — 1998. — T. 393 C. 49.

198. Intrinsic Electrical Properties of Individual Single-Walled Carbon Nanotubes with Small Band Gaps / Ch. Zhou, J. Kong, and H. Dai // Phys. Rev. Lett. — 2000. — T. 84. — C. 5604.

199. Observation of Anderson localization in an electron gas / Cutler M., Mott N. F. // Physical Review. — 1969. — T. 181. — № 3. — C. 1336

200. Modulation of thermoelectric power of individual carbon nanotubes / Small J. P., Perez K. M., Kim P. // Physical Review Letters. —2003. — T. 91. — № 25. — C. 256801

201. Terahertz detection mechanism and contact capacitance of individual metallic single-walled carbon nanotubes / Joel D. Chudow, Daniel F. Santavicca, Chris B. McKitterick, Daniel E. Prober and Philip Kim // Applied Physics Letters. —2012. — T. 100. — C. 163503

202. Two-dimensional plasmons in lateral carbon nanotube network structures and their effect on the terahertz radiation detection / V. Ryzhii, T. Otsuji, M. Ryzhii, V. G. Leiman, G. Fedorov, G. N. Goltzman, I. A. Gayduchenko, N. Titova, D. Coquillat, D. But, W. Knap, V. Mitin, M. S. Shur // J. Appl. Phys. — 2016. — T. 120. — C. 044501

203. Measurement of the quantum capacitance of interacting electrons in carbon nanotubes / S. Ilani, L. A. K. Donev, M. Kindermann, P. L. McEuen // Nature Physics. — 2006. — T.2. — C. 687

204. Asymmetric devices based on carbon nanotubes as detectors of sub-THz radiation / I. A. Gayduchenko, G. E. Fedorov, T. S. Stepanova, N. Titova, B. M. Voronov, D. But, D. Coquillat, N. Diakonova, W. Knap and G. N. Goltsman // Journal of Physics: Conference Series. — 2016. — T. 741. — C. 012143

205. Response of asymmetric carbon nanotube network devices to sub-terahertz and terahertz radiation / I. Gayduchenko, A. Kardakova, G. Fedorov, B. Voronov, M. Finkel, D. Jiménez, S. Morozov, M. Presniakov, G. Goltsman // J. Appl. Phys. — 2015. — T. 118. — C. 194303

206. Bolometric-Effect-Based Wavelength-Selective Photodetectors Using Sorted Single Chirality Carbon Nanotubes / S. Zhang, Le Cai, T. Wang, R. Shi, J. Miao, Li Wei, Y. Chen, N. Sepúlveda, Ch. Wang // Scientific Reports. — 2015. — T.5. — C. 17883

207. Simultaneous deposition of metallic bundles of single-walled carbon nanotubes using ac-dielectrophoresis / R. Krupke, F. Hennrich, H. B. Weber, M. M. Kappes, H. V. Löhneysen // Nano Lett. — 2003. — T. 3. — C. 1019

208. Ultra-large-scale directed assembly of single-walled carbon nanotube devices / A. Vijayaraghavan, S. Blatt, D. Weissenberger, M. Oron-Carl, F. Hennrich, D. Gerthsen, H. Hahn, R. Krupke // Nano Lett. — 2007. — T. 7. — C. 1556.

209. Tunnelling Versus Thermionic Emission in One-Dimensional Semiconductors / J. Appenzeller, M. Radosavljevic', J. Knoch, and Ph. Avouris // Phys Rev Lett. — 2004. — T. 92. — C. 048301

210. Epitaxial graphene quantum dots for high-performance terahertz bolometers / Abdel El Fatimy, Rachael L. Myers-Ward, Anthony K. Boyd, Kevin M. Daniels, D. Kurt Gaskill, Paola Barbara // Nature Nanotechnology. — 2016. — T. 11. — C. 335

211. Fast and sensitive terahertz direct detector based on superconducting antennacoupled hot electron bolometer / S. Seliverstov, S. Maslennikov, S. Ryabchun, M. Finkel, T. M. Klapwijk, N. Kaurova, G. Goltsman // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. — 2015. — T. 25 (3). — C. 1-4

212. Polarization-sensitive optical phenomena in semiconducting and metallic nanowires / H. E. Ruda and A. Shik // Phys. Rev. B. — 2005. — T. 72. — C. 115308

213. Theory of optical scattering by achiral carbon nanotubes and their potential as optical nanoantennas / G. Ya. Slepyan, M. V. Shuba, S. A. Maksimenko, and A. Lakhtakia // Phys. Rev. B. — 2006. — T. 73. — C. 195416

214. One dimensional plasmons in pyroelectric-semiconductor composites / A. P. Dmitriev and M. S. Shur // Journal of Applied Physics. — 2008. — T. 103. — C. 084511

215. Optical response of finite-length carbon nanotubes / T. Nakanishi and T. Ando // J. Phys. Soc. Japan. — 2009. — T. 78. — C. 114708

216. G. Ya. Slepyan, M. V. Shuba, and S. A. Maksimenko, C. Thomsen, and A. Lakhtakia, Terahertz conductivity peak in composite materials containing carbon nanotubes: Theory and interpretation of experiment, Phys. Rev. B 81(20) 205423, 2010

217. Plasmonic nature of the terahertz conductivity peak in single-wall carbon nanotubes / Qi Zhang, E. H. Haroz, Z. Jin, L. Ren, X. Wang, R. S. Arvidson, A. Luttge, and J. Kono // Nano Lett. — 2013. — T. 13(12). — C. 5991-5996

218. Carbon-based THz devices / X. He, W. Gao, Qi Zhang, L. Ren, and J. Kono // Proc. SPIE. — 2015. — T. 9476. — C. 947612

219. Length-dependent plasmon resonance in single-walled carbon nanotubes / T. Morimoto, S.-K. Joung, T. Saito, D. N. Futaba, K. Hata, and T. Okazaki // ACS Nano. — 2014. — T. 8. — C. 9897

220. Observation of a Luttinger-liquid plasmon in metallic single-walled carbon nanotubes / Zh. Shi, X. Hong, H. A. Bechtel, Bo Zeng, M. C. Martin, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y.-R. Shen, and F. Wang // Nat. Photonics. — 2015. — T. 9. — C. 515

221. Comparative study of gel-based separated arcdischarge, HiPCO, and CoMoCAT carbon nanotubes for macroelectronic applications / J. Zhang, H. Gui, B. Liu, J. Liu, Ch. Zhou // Nano Research. — 2013. — T. 6. — C. 906

222. Dynamic Conductivity and Two-Dimensional Plasmons in Lateral CNT Networks / M. Ryzhii, T. Otsuji, V. Ryzhii, V. Mitin, M. S. Shur, G. Fedorov and V. Leiman // International Journal of High Speed Electronics and Systems. — 2017. — T. 26. — C.109-118

223. Physics of Semiconductor Devices / M. S. Shur // Prentice Hall, New Jersey, 1990.

224. Plasma wave electronics: novel terahertz devices using two-dimensional electron fluid / M. I. Dyakonov and M. S. Shur // IEEE Trans. Electron Devices. — 1996. — T. 43. —C. 1640

225. Plasma waves in two-dimensional electron-hole system in gated graphene heterostructures / V. Ryzhii, A. Satou, and T. Otsuji // J. Appl. Phys. — 2007. — T. 101. — C. 024509

226. Relation between conduction property and work function of contact metal in carbon nanotube field-effect transistors / Y. Noshom Y. Ohno, S. Kishinoto, and T. Mizutani.. Nanotechnology. — 2006. — T. 17. — C. 3412

227. Effect of ambient pressure on resistance and resistance fluctuations in single-wall carbon nanotube devices / A. Vijayaraghavan, S. Kar, S. Rumyantsev, A. Khanna, C. Soldano, N. Pala, R. Vajtai, K. Kanzaki, Y. Kobayashi, O. Nalamasu, M. S. Shur, and P. M. Ajayan // J. Appl. Phys. — 2006. — T. 100. — C. 024315

228. Resonant terahertz detector utilizing plasma oscillations in two-dimensional electron system with lateral Schottky junction / V. Ryzhii and M. S. Shur // Jpn. J. Appl. Phys. — 2006. — T. 45. — L1118

229. Resonant terahertz detection antenna utilizing plasma oscillations in lateral Schottky diode / A. Satou, V. Ryzhii, T. Otsuji, and M. S. Shur // Int. J. High Speed Electron. Systems. — 2007. — T. 17. — C. 539

230. E. M. Lifshitz and L. P. Pitaevskii // Physical Kinetics (Elsevier, Amsterdam, 2008)

231. Complex Plasmas: Scientific Challenges and Technological Opportunities / M. Bonitz, J. Lokes, and K. Becker, H. Thomsen. Eds. Complex Plasmas // Springer, New York, 2014. — C. 504