Методы повышения устойчивости микроэлектронных устройств в твердотельном сверхширокополосном усилительном модуле тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Вишневский Евгений Геннадьевич

• Вишневский Евгений Геннадьевич
• кандидат наук
• 2026

Оглавление диссертации кандидат наук Вишневский Евгений Геннадьевич

Введение

Глава 1. Обзор и анализ состояния развития твердотельных усилительных модулей, а также причин возникновения эффекта неустойчивости с точки зрения появления паразитных составляющих

в спектральной плотности энергии

1.1. Обзор твердотельных усилительных модулей и тенденции их развития

1.2 Обзор и состояние развития усилительных каскадов на биполярных транзисторах, выпускаемых отечественной промышленностью, и причины возникновения искажений спектральной плотности энергии

1.3 Обзор и состояние развития микрополосковых сумматоров, сумматоров выполненных на многослойной печатной плате с углеводородными ламинатами

1.4 Обзор и состояние развития полупроводниковых фазовращателей, формирующих фазоманипулированный сигнал для твердотельных

усилительных модулей, работающих в Б-режиме

Выводы по главе

Глава 2. Разработка методов повышения устойчивости твердотельного усилительного модуля к формированию паразитных составляющих в спектральной плотности энергии

2.1 Разработка усилительного каскада на биполярном транзисторе и схемы разнесения спада модуляции коллектора для снижения искажений в спектральной плотности энергии

2.2 Разработка сумматора на многослойной печатной плате с применением углеводородных ламинатов с повышенной устойчивостью к пробивному напряжению

2.3 Разработка полупроводникового плавного фазовращателя на мостах Ланге с применением варакторных диодов с управляемым временем переключения фазы

2.4 Разработка твердотельного усилительного модуля с пониженными

искажениями спектральной плотности энергии на выходе

Выводы по главе

Глава 3 Исследование влияния методов снижения искажений спектральной плотности энергии в диапазоне частот, диапазоне температур и при достижении максимальной выходной мощности

3.1 Экспериментальные исследования разработанного усилительного каскада, работающего в сугубо нелинейном режиме

3.2 Экспериментальные исследования разработанного сумматора

3.3 Экспериментальные исследования разработанного плавного фазовращателя

3.4 Экспериментальные исследования твердотельного усилительного модуля

Выводы по главе

Выводы и основные результаты

Заключение

Список использованных источников

Список сокращений

В данной диссертации использовались следующие сокращения: УМ - усилительный модуль СПЭ - спектральная плотность энергии КПД - коэффициент полезного действия КСВН - коэффициент стоячей волны по напряжению ММД - микромеханические устройства (в контексте — МЭМС) МЭМС- микроэлектромеханические системы (MEMS — Micro-ElectroMechanical Systems)

ЭМС - электромагнитная совместимость

PA - Power Amplifier (усилитель мощности)

ИС — интегральная схема (англ. IC — Integrated Circuit)

КМОП — комплементарная структура металл-оксид-полупроводник (англ.

CMOS — Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)

SOI — кремний на изоляторе (англ. Silicon-on-Insulator)

САПР — система автоматизированного проектирования

CAD — Computer-Aided Design

EDA — автоматизация проектирования электроники (англ. Electronic Design Automation)

ECAD — автоматизированное проектирование электронных устройств (англ. Electronic Computer-Aided Design)

Актуальность работы. В настоящее время твердотельные усилительные модули (УМ), являющиеся ядром современных радиолокационных станций, должны соответствовать не только международным требованиям, установленным ИКАО, но и отечественным нормативным стандартам, регламентирующие допустимые уровни спектральной плотности энергии (СПЭ) в рабочем диапазоне частот от 1 до 1,6 ГГц. Особенно остро проблема управления СПЭ встаёт при проектировании высокомощных УМ с выходной мощностью 10 кВт и выше, где аппаратура реализуется в виде сложных комплексированных моноблоков, включающих большое количество активных и пассивных компонентов. Каждый из этих элементов потенциально вносит собственный вклад в искажение спектральной плотности энергии излучаемого сигнала, что может привести к нарушению требуемых норм ЭМС и, как следствие, к деградации общей эффективности радиолокационных и связных систем.

Наиболее значимыми источниками спектральных искажений, согласно анализу полученных данных, являются фазовращатели, транзисторные каскады усиления и суммирующие устройства. Фазовращатели, обеспечивающие формирование фазоманипулированного сигнала, вносят нелинейные искажения в спектральную плотности энергии, особенно при высокой скорости переключения. Транзисторные каскады, даже при работе в линейном режиме, неизбежно генерируют гармоники и интермодуляционные продукты, способные выходить за пределы основной полосы частот. Суммирующие устройства, отвечающие за когерентное сложение мощностей отдельных каналов УМ, могут усиливать как фазовые, так и амплитудные несогласованности, что также приводит к расширению спектральной плотности энергии излучения при пробое.

Таким образом, научная и практическая актуальность настоящей работы заключается в необходимости разработки и внедрения методов, направленных на минимизацию паразитных составляющих спектра энергии на этапе проектирования твердотельных усилительных модулей. Это позволит не только соответствовать жёстким нормативным требованиям, но и повысить помехоустойчивость, надёжность и эффективность функционирования

5

радиолокационных систем нового поколения в условиях высокой плотности излучаемых сигналов и не приведет к ухудшению радиоэлектронной обстановки в целом.

Целью работы является создание твердотельного, сверхширокополосного усилительного модуля с минимальными искажениями спектральной плотности энергии на основе разработанных методов повышения устойчивости его отдельных микроэлектронных устройств.

Для достижения поставленной в работе цели решались следующие задачи:

1. Анализ разработанности исследований спектральных и мощностных характеристик твердотельных, сверхширокополосных усилительных модулей с выходной мощностью до 10 кВт в полосе частот 1-1,6 ГГц.

2. Разработка метода снижения искажений спектральной плотности энергии в твердотельном усилительном каскаде, работающем в сугубо нелинейном режиме с учетом модулирующего напряжения.

3. Разработка фазовращателя со сниженными искажениями спектральной плотности энергии в рабочей полосе частот 1-1,5 ГГц.

4. Разработка метода повышения пробивных напряжений при суммировании мощности усилительных каскадов, выполненных на биполярных транзисторах отечественного производства.

5. Разработка усилительного модуля с минимальными искажениями спектральной плотности энергии.

6. Исследование спектральных и мощностных характеристик твердотельного, сверхширокополосного усилительного модуля.

Методы исследования. Поставленные в настоящей работе задачи решались с применением теоретических и экспериментальных методов исследования.

К теоретическим методам можно отнести:

1. Анализ современной научно-технической литературы на предмет актуальных проблем при разработке и эксплуатации электронной компонентной базы в сложных усилительных системах.

2. Усовершенствование созданной на АО «НПП «Пульсар» В.Л. Ароновым математической модели мощного СВЧ биполярного транзистора в среде математического моделирования Matlab и её исследование.

3. Разработка и исследование электромагнитной модели фазовращателя в среде электромагнитного анализа AWR.

4. Разработка и исследование низкочастотных схемы модулятора коллектора мощного биполярного транзистора и схемы управления варакторными диодами фазовращателя в среде низкочастотного анализа MicroCap.

5. Разработка и исследование электромагнитной модели сумматора с переменным коэффициентом деления и сверхширокой полосой рабочих частот в среде электромагнитного моделирования HFSS.

К экспериментальным методам исследования можно отнести:

1. Проведение исследований с применением измерительного стенда с уровнем СВЧ мощности в заданном диапазоне частот до 10кВт.

2. Проведение исследований на стенде для оценки спектральных характеристик.

3. Проведение исследований временных характеристик усилительного каскада на разработанном стенде с применением демодуляции на осциллографе с полосой частот до 5 ГГц.

4. Проведение исследований параметров приемопередающего модуля с применением методик измерений из ГОСТа.

Научная новизна.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методы повышения устойчивости микроэлектронных устройств в твердотельном сверхширокополосном усилительном модуле»

В рамках данной работы:

1. Впервые проведены исследования влияния модулирующего напряжения на транзисторный кристалл при многокаскадном усилении в сверхширокополосном усилительном модуле.

2. Исследовано влияние геометрии многослойных печатных плат на пробивные характеристики усилительного модуля с выходной мощностью до 10 кВт.

3. Впервые разработан метод повышения устойчивости к пробивному напряжению сумматора на многослойной печатной плате.

4. Исследовано влияния ФЧХ плавного фазовращателя на спектральные характеристики твердотельных, сверхширокополосных усилительных модулей.

5. Впервые разработаны методы снижения искажений спектральной плотности энергии в твердотельном усилительном модуле.

6. Оригинальные конструкторские решения отражены в патенте на изобретение RU 2 551 804 C2 «Полосковое устройство квадратурного деления и сложения СВЧ сигналов».

Соответствие паспорту специальности. Тематика данной диссертационной работы соответствует п. 1 -3 и 5 направлений исследований научной специальности 2.2.2. «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств».

Личный вклад автора

1. Разработка метода снижения искажений спектральной плотности энергии усилительного каскада работающего при изменении напряжения коллектора.

2. Разработка плавного фазовращателя с улучшенными спектральными характеристиками.

3. Разработка электромагнитной модели, суммирующего устройства, обеспечивающего пробивную устойчивость при уровне мощности до 10 кВт и адаптированной к технологии изготовления многослойных печатных плат.

4. Проведение экспериментальных исследований.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Метод снижения искажений в спектральной плотности энергии на выходе усилительного модуля путем разнесения спада модулирующего напряжения усилительных каскадов, работающих в сугубо нелинейном режиме, в заданном диапазоне температур (-60 - +70 С) и полосе частот (1- 1,6 ГГц), позволил снизить искажения на 25 - 30 %.

2. Метод сложения мощности в многокаскадном усилительном модуле, который позволяет повысить уровень выходной мощности в диапазоне частот

1-1,6 ГГц и обеспечил пробивную устойчивость до 10 кВт, что полностью устраняет искажения спектральной плотности энергии на выходе твердотельного усилительного модуля при работе на несогласованную нагрузку с КСВН < 2.

3. Метод снижения искажений спектральной плотности энергии выходного сигнала твердотельного усилительного модуля на основе разработки схемы полупроводникового плавного фазовращателя работающего в S-режиме обеспечил уровень искажений спектральной плотности энергии на 35 - 40 % относительно дискретных фазовращателей.

4. Разработанный на основе методов снижения искажений спектральной плотности энергии твердотельный сверхширокополосный усилительный модуль позволил получить уровень искажений не более 20 % с выходной импульсной мощностью до 10 кВт и полосе частот 1-1,6 ГГц в диапазон температур (-60 - +70 °С).

Практическая значимость

1. Методы снижения искажений в спектральной плотности энергии применены при разработке задающего генератора двойного назначения в рамках опытно конструкторской работы «Сопка-2» (АО НПП «Пульсар»). Задающий генератор запущен в серийное производство;

2. Методы снижения искажений в спектральной плотности энергии применены при разработке твердотельного сверхширокополосного усилителя двойного назначения в рамках опытно конструкторской работы «Сопка-2» (АО НПП «Пульсар»); Усилитель запущен в серийное производство;

3. Методы снижения искажений в спектральной плотности энергии применены при разработке твердотельного сверхширокополосного формирователя сигналов в рамках опытно конструкторской работы «Лира-2К» (АО НПП «Пульсар»); Формирователь сигналов запущен в серийное производство;

4. Методы снижения искажений в спектральной плотности энергии применены при разработке твердотельного, сверхширокополосного формирователя сигналов в рамках опытно конструкторской работы «Лира-4К»

(АО НПП «Пульсар»). Формирователь сигналов запущен в серийное производство;

5. Методы снижения искажений в спектральной плотности энергии применены при разработке твердотельного сверхширокополосного усилителя с выходной мощностью до 10 кВт в рамках опытно конструкторской работы «Протокол-А» (АО НПП «Пульсар»). Усилитель запущен в серийное производство;

6. Методы снижения искажений в спектральной плотности энергии применены при разработке твердотельного сверхширокополосного усилителя двойного назначения с выходной мощностью до 5 кВт в рамках опытно конструкторской работы «Протокол-Е» (АО НПП «Пульсар»). Усилитель запущен в серийное производство;

7. Методы снижения искажений в спектральной плотности энергии применены при разработке стенд проверки пробивной устойчивости элементов приемопередающих трактов радиоэлектронной аппаратуры (ООО «НПП «Радар-Прибор»);

8. Методы снижения искажений в спектральной плотности энергии применены при разработке стенда для проверки элементов приемопередающих трактов радиоэлектронной аппаратуры (АО «Светлана-Электронприбор»).

Апробация работы. Основные результаты, изложенные в настоящей диссертационной работе, докладывались на научных конференциях:

1. 11-15 апреля 2022 года, Москва, Национальная научно-техническая конференция с международным участием «Перспективные материалы и технологии» РТУ МИРЭА;

2. 18 октября 2023 года, Москва, «XVI Всероссийская научно-техническая конференция» Пульсар-2023.

3. 3-4 декабря 2024 года, Москва, Научно-техническая конференция «Радиоэлектроника СВЧ - технологии, компоненты, приборы, комплексы», посвященная 20-летию АО «Микроволновые системы».

Публикации:

1. Д.А. Кравчук, Е.Г. Вишневский, И.П. Яковлев Метод повышения пробивной устойчивости и компенсация особенности технологии изготовления микрополосковой линии в делителях, сумматорах и направленных ответвителях для мощных СВЧ модулей // М.: Электронная техника. - 2021. - Серия 2. - Полупроводниковые приборы. - Вып. 2;

2. В.Л. Аронов, Е. Г. Вишневский Синтез широкополосных цепей согласования для мощного СВЧ усилительного каскада с использованием модели транзистора // М.: Электронная техника. - 2022. - Серия 2. -Полупроводниковые приборы. - Вып. 2

3. В.Л. Аронов, Е.Г. Вишневский Нештатная неустойчивость расчетной системы MATLAB при модельном анализе транзисторного усилителя мощности с эффектом реальной неустойчивости рабочего режима // М.: Электронная техника. - 2022. - Серия 2. - Полупроводниковые приборы. -Вып. 3;

4. В.Л. Аронов, Е.Г. Вишневский Особенности формирования спектральной плотности мощности в твердотельных передающих модулях с выходной мощностью до 10 кВт // М.: Электронная техника. - 2022. - Серия 2. - Полупроводниковые приборы. - Вып. 4;

5. Е.Г. Вишневский, А.А. Евстигнеев, И.П. Яковлев СВЧ сумматор на многослойной печатной плате // М.: Электронная техника. - 2023. - Серия 2. -Полупроводниковые приборы. - Вып. 3;

6. Е.Г. Вишневский, А.А. Евстигнеев Мощный усилительный модуль L-диапазона на HEMT GaN // М.: Электронная техника. - 2024. - Серия 2. -Полупроводниковые приборы. - Вып. 3..

Глава 1. Обзор и анализ состояния развития твердотельных усилительных модулей, а также причин возникновения эффекта неустойчивости с точки зрения появления паразитных составляющих в спектральной плотности энергии.

1.1. Обзор твердотельных усилительных модулей и тенденции их развития.

Твердотельные усилительные модули СВЧ-диапазона (SSPA) формируют основу современных радиоэлектронных систем — от спутниковых терминалов и радаров до массовых коммуникационных устройств 5G/6G. Критически важным аспектом проектирования остаётся устойчивость к самовозбуждению — способность усилителя подавлять паразитные обратные связи и избегать генерации нежелательных колебаний в рабочем и внеполосном диапазонах. Для кремниевых биполярных структур ^ ВХТ и SiGe НВТ) проблема устойчивости имеет особую специфику из-за высокого коэффициента усиления по току, чувствительности к паразитным ёмкостям подложки и склонности к низкочастотным колебаниям в цепях смещения. Российские школы СВЧ-электроники внесли фундаментальный вклад в теорию и практику обеспечения устойчивости усилительных каскадов, что нашло отражение в работах Д.И. Трубецкова, И.Л. Богданкевича, А.А. Рухадзе, В.И. Гвоздева и других выдающихся учёных.

Фундаментальный вклад в теорию устойчивости СВЧ-усилителей внёс Джон М. Роллетт, предложивший в 1962 г. инвариантный критерий устойчивости для линейных двухполюсников на основе -параметров:

( 1.1)

Условие безусловной устойчивости требует выполнения К>1 и |Д|<1 [1].

Однако, как показали исследования Д.И. Трубецкова (Саратовский

государственный университет) и его школы, классический критерий Роллетта

12

не учитывает нелинейные эффекты и динамические переходные процессы, характерные для мощных усилителей [2]. В монографии «Колебания и волны в нелинейных активных средах» (совместно с А.Г. Рожневым, Физматлит, 2002) Трубецков развил теорию бифуркационных переходов в активных СВЧ-структурах, показав, что усилитель может сохранять К>1 в стационарном режиме, но терять устойчивость при переходных процессах включения или при воздействии мощных импульсов [3]. Для преодоления ограничений критерия Роллетта М.Л. Эдвардс и Дж.Х. Сински в 1992 г. предложили геометрический критерий на основе параметра ц:

(1.2)

где условие ^>1 является необходимым и достаточным для безусловной устойчивости при любых пассивных нагрузках [4]. Российские исследователи экспериментально подтвердили применимость критерия ц для широкополосных усилителей на биполярных транзисторах в диапазоне 0,5-18 ГГц, выявив зоны «скрытой неустойчивости», где K>1, но ^<1 при определённых фазовых соотношениях в цепях обратной связи.

Для сложных интегральных схем (MMIC) с множеством активных элементов и паразитных связей классические двухполюсные критерии становятся неприменимыми. Прорыв в этой области осуществили Алон Платцкер и Уильям Струбл в 1993 г., предложив метод нормированной определительной функции (NDF — Normalized Determinant Function) для строгого анализа устойчивости N-портовых сетей [5]. Российская школа адаптировала метод NDF для анализа устойчивости многоэмиттерных SiGe HBT-структур с учётом паразитных ёмкостей «пальцев» эмиттера и их взаимного влияния через подложку. При работе в режиме насыщения или классах B/AB усилители ведут себя как нелинейные системы, где малосигнальные критерии недостаточны. Фундаментальный вклад в теорию нелинейной устойчивости внес К. Курокава в 1969 г. [6], а российские учёные

13

Д.И. Трубецков и А.Г. Рожнев развили эту теорию применительно к СВЧ-электронике в цикле работ по нелинейной динамике активных сред [7]. В частности, в статье «Хаотическая неустойчивость колебаний в СВЧ усилителях мощности при усилении бигармонического сигнала» (Журнал технической физики, т. 95, №1, 2025) коллектив авторов под руководством Л.П. Стрелкова (ИОФ РАН) экспериментально продемонстрировал переход усилителя на мощном биполярном транзисторе в хаотический режим при определённых соотношениях амплитуд двух входных частот [8]. Этот эффект, ранее предсказанный Трубецковым теоретически, представляет серьёзную угрозу для систем с многоканальной модуляцией (например, OFDM в 5G). Экспериментальные исследования В. Иглесиаса, А. Суареса и Дж.Л. Помальо подтвердили возможность сосуществования устойчивого усиления и паразитных колебаний в усилителях класса E/F при определённых условиях согласования нагрузки, что требует применения глобального анализа устойчивости вместо локальных критериев [9].

Кремниевые биполярные транзисторы склонны к генерации колебаний в диапазоне 10-500 МГц из-за высокого коэффициента усиления по току (ß>100) в сочетании с паразитной индуктивностью выводов эмиттера, резонанса между паразитной ёмкостью коллектор-база (Ccb) и индуктивностью цепи питания, а также наличия положительной обратной связи через подложку в интегральных структурах [10]. Теодор Грош в монографии «Small Signal Microwave Amplifier Design» (SciTech Publishing, 2011) детально исследовал механизмы самовозбуждения транзисторов с потенциальной неустойчивостью [11]. Российские исследователи В.И. Гвоздев и С.А. Майоров в работах 1980-1990-х гг. разработали методику анализа устойчивости объёмных интегральных схем (ОИС) СВЧ с учётом распределённых параметров подложки [12]. В учебном пособии «Объёмные интегральные схемы СВЧ — элементная база аналоговой и цифровой электроники» (М.: Радио и связь, 1987) Гвоздев показал, что для кремниевых подложек с удельным сопротивлением <10 Ом см паразитная связь через

14

подложку может снижать коэффициент стабильности KK на 30-50% по сравнению с расчётным значением для изолированной структуры. На частотах выше рабочего диапазона (10-100 ГГц) самовозбуждение в SiGe HBT вызывается резонансом паразитных индуктивностей выводов с межэлектродными ёмкостями. Роберт Джексон показал, что классические условия Баркгаузена не являются ни необходимыми, ни достаточными для возникновения колебаний в распределённых структурах [13]. Российская школа А.А. Семёнова (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») в докторской диссертации «Мультиферроидные материалы в СВЧ электронике и наноэнергетике» (2017) исследовала влияние ферромагнитных подложек на устойчивость биполярных усилителей, выявив возможность подавления ВЧ-колебаний за счёт магнитных потерь в диапазоне 30-100 ГГц [14]. Совместно с В.В. Витько и А.А. Никитиным (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») Семёнов разработал методику проектирования микрополосковых структур с интегрированными ферритовыми элементами для пассивной стабилизации усилительных каскадов без ухудшения шумовых характеристик [15].

Помимо самовозбуждения, критически важным аспектом является

подавление паразитных спектральных составляющих — гармоник и

интермодуляционных продуктов. Для кремниевых биполярных усилителей

характерны высокий уровень гармоник 2-го порядка из-за асимметрии ВАХ

коллекторного тока. Стив Криппс в фундаментальной работе «RF Power

Amplifiers for Wireless Communications» (Artech House, 2-е изд., 2006)

разработал методику анализа линейности усилителей на основе нагрузочных

линий и предложил архитектуру «усилителя Дугерти с предыскажением»,

позволяющую снизить уровень интермодуляционных искажений 3-го порядка

(IMD3) на 15-20 дБ при сохранении высокого КПД [16]. Российские

исследователи И.Л. Богданкевич, М.В. Кузелев и А.А. Рухадзе (Институт

общей физики РАН) в фундаментальной работе «Плазменная СВЧ

электроника» (Успехи физических наук, т. 133, №1, 1981) заложили основы

теории нелинейных взаимодействий в активных средах, которая позднее была

15

применена к анализу интермодуляционных искажений в твердотельных усилителях [17]. В частности, Богданкевич и соавторы показали, что при определённых условиях нелинейная ёмкость эмиттерного перехода может вызывать генерацию субгармоник (f0/2, f0/3) даже при отсутствии внешних источников на этих частотах — эффект, критически важный для систем с когерентной обработкой сигналов.

Джордж Венделлин, Энтони Павио и Ульрих Роде в классической монографии «Microwave Circuit Design Using Linear and Nonlinear Techniques» (Wiley, 3-е изд., 2016) систематизировали методы стабилизации СВЧ-усилителей, включая резистивную стабилизацию, индуктивно-ёмкостную развязку и применение глубоких траншей изоляции (DTI) для минимизации паразитной связи через подложку [18]. Исследования Дж. Кресслера (Georgia Tech) выявили, что DTI могут ухудшать радиационную стойкость из-за накопления заряда на границах раздела кремний/окисел [19].

Современные тенденции направлены на интеграцию адаптивных систем диагностики непосредственно в кристалл усилителя. Лаборатория СВЧ НИЯУ МИФИ (ныне НИЯУ МИФИ), основанная в 1958 г. для разработки линейных ускорителей, сохранила уникальную экспериментальную базу для исследования нелинейных явлений в СВЧ-трактах [20]. Под руководством Л.П. Стрелкова (ИОФ РАН) и Д.К. Ульянова проведены комплексные испытания мощных усилителей на биполярных транзисторах в условиях бигармонического возбуждения. В работе «Хаотическая неустойчивость колебаний в СВЧ усилителях мощности» (Журнал технической физики, 2025) авторы продемонстрировали, что при отношении амплитуд двух входных частот 1:3 и общей мощности >20 дБм усилитель на транзисторе КТ927Б переходит в хаотический режим с фрактальной размерностью аттрактора 2,32,7, что подтверждается спектральным анализом и отображением Пуанкаре [21]. АО «НИИ «Исток» им. Шокина» (Фрязино) располагает уникальным испытательным комплексом для верификации устойчивости СВЧ-модулей в

условиях реальной нагрузки с переменным КСВН до 10:1 [22]. В статье

16

«Методика оценки устойчивости СВЧ-усилителей мощности при изменении нагрузки» (СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, №4, 2022) А.С. Симонов и соавторы описали методику «динамического сканирования нагрузки», при которой имитатор нагрузки изменяет фазу отражённой волны с частотой 100 Гц в диапазоне 0-360° при фиксированной амплитуде. Этот метод позволяет выявить узкие зоны неустойчивости, пропускаемые статическими измерениями, и оценить запас устойчивости по фазе. Для усилителей на отечественных биполярных транзисторах серии КТ9149 запас устойчивости по фазе составил 45-60° в диапазоне 1-2 ГГц при выходной мощности 10 Вт.

Устойчивость к самовозбуждению остаётся ключевым фактором надёжности твердотельных СВЧ-усилителей. Российские школы СВЧ-электроники — от фундаментальных работ Д.И. Трубецкова по нелинейной динамике и И.Л. Богданкевича по плазменной электронике до прикладных разработок В.И. Гвоздева (МИЭМ), А.А. Семёнова (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») — внесли неоценимый вклад в теорию и практику обеспечения устойчивости усилительных каскадов. Особое значение имеют исследования хаотических режимов в мощных биполярных усилителях и разработка адаптивных систем диагностики (Оболенский, ННГУ). Для кремниевых биполярных структур характерна специфика механизмов неустойчивости — склонность к низкочастотным колебаниям в цепях смещения и чувствительность к паразитным связям через подложку. Современные тенденции направлены на интеграцию «умных» систем диагностики и коррекции устойчивости непосредственно в кристалл усилителя, что особенно актуально для кремниевых биполярных решений массового рынка 5G/6G и для критически важных применений в аэрокосмической и оборонной технике, где требования к надёжности и спектральной чистоте постоянно возрастают (рисунок 1.1).

Рисунок 1.1 - Усилительный модуль

В твердотельных усилительных модулях сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона формирование спектральных характеристик выходного сигнала представляет собой сложный физический процесс, определяемый взаимодействием активных и пассивных элементов тракта, среди которых ключевую роль играют транзисторные каскады, сумматоры мощности и управляемые фазовращатели. Научное обоснование влияния данных узлов базируется на анализе нелинейных динамических процессов, шумовых механизмов и эффектов взаимной связи, протекающих в полупроводниковых структурах и распределенных микроволновых системах.

Фундаментальным источником спектральных искажений в

усилительном модуле выступают транзисторные каскады, реализуемые на

основе широкозонных полупроводников (GaN, GaAs) или технологии

LDMOS. При работе в режимах, близких к насыщению, что характерно для

энергоэффективных передатчиков, передаточная характеристика транзистора

проявляет существенную нелинейность, описываемую механизмами

амплитудно-амплитудной (AM/AM) и амплитудно-фазовой (AM/PM)

18

конверсии. Данные эффекты приводят к генерации гармонических составляющих и интермодуляционных искажений третьего и высших порядков, вызывая так называемое спектральное разрастание (spectral regrowth) широкополосных сигналов, что подробно рассмотрено в монографии S. C. Cripps «RF Power Amplifiers for Wireless Communications» [24]. Дополнительным фактором деградации спектра являются эффекты памяти (memory effects), обусловленные тепловой инерцией кристалла и динамикой захвата носителей заряда на ловушки в буферных слоях полупроводника. Эти явления приводят к частотной асимметрии интермодуляционных продуктов, что усложняет их компенсацию методами цифровых предыскажений (DPD) и формирует остаточные спектральные компоненты, как отмечается в работах Ghannouchi и Hammi [25]. Особое значение имеет механизм преобразования низкочастотного фликкер-шума (1/f noise) в фазовый шум несущей частоты через нелинейные емкости транзистора, что определяет уровень ближних боковых составляющих спектра (close-in phase noise), что систематизировано в исследованиях отечественных ученых, опубликованных в журнале «Успехи современной радиоэлектроники».

Вторым критическим элементом, оказывающим существенное влияние

на спектр, являются сумматоры мощности, используемые для когерентного

сложения сигналов множества усилительных каналов в модулях высокой

мощности. Идеальное суммирование предполагает точное равенство

амплитуд и фаз складываемых сигналов, однако, в реальных условиях

неизбежен амплитудно-фазовый дисбаланс, приводящий к тому, что продукты

нелинейности отдельных каналов не компенсируют друг друга, а векторно

складываются, увеличивая уровень паразитных спектральных составляющих.

Классическая теория суммирования мощности, демонстрирует, что даже

незначительный фазовый разброс (превышающий 5-7 градусов) существенно

снижает эффективность подавления гармоник и увеличивает уровень боковых

лепестков спектра. Дополнительным фактором выступает импедансная

19

рассогласованность на стыке сумматора и выходных каскадов транзисторов: отраженная мощность изменяет нагрузочный импеданс в динамике (эффект Load Pull), что модулирует рабочую точку активного элемента и усиливает нелинейные искажения, генерируя паразитные компоненты на кратных частотах. Недостаточная изоляция портов сумматора также способна вызывать паразитную взаимную модуляцию сигналов различных каналов, проявляющуюся в виде дискретных спектральных выбросов (spurs).

Третьим значимым узлом, определяющим спектральную чистоту, являются управляемые фазовращатели, входящие в состав модулей для фазированных антенных решеток. В цифровых фазовращателях дискретность установки фазы приводит к эффекту фазового квантования, порождающему паразитные боковые составляющие (quantization sidebands), уровень которых определяется разрядностью управляющего кода и может маскировать полезные сигналы в частотной области. В активных фазовращателях собственный шум усилительных элементов аддитивно добавляется к сигналу, ухудшая отношение сигнал/шум по фазе, тогда как в пассивных реализациях на PIN-диодах или MEMS-структурах коммутационные переходные процессы генерируют широкополосные спектральные выбросы. Дополнительный механизм искажений связан с зависимостью вносимых потерь от установленного фазового сдвига (Insertion Loss Variation): возникающая при перестройке амплитудная модуляция через механизм AM/PM транзисторных каскадов трансформируется во вторичные фазовые искажения, замыкая петлю нелинейной связи. Данный аспект подробно анализируется в отечественной литературе, в частности, в журнале «Радиотехника и электроника» РАН [23].

Важно подчеркнуть, что спектральные характеристики усилительного

модуля не являются простой суперпозицией вкладов отдельных узлов, а

формируются в результате их системного взаимодействия. Например,

отражения от неидеального сумматора изменяют нагрузочный импеданс

транзистора, усиливая его нелинейность, которая, в свою очередь, генерирует

гармоники, способные переотражаться в фазовращателе и возвращаться в

20

тракт, создавая сложные интермодуляционные комбинации. Тепловые эффекты, распределенные по модулю, также вносят низкочастотную модуляцию, преобразуемую в фазовый шум. Таким образом, обеспечение высокой спектральной чистоты требует комплексного моделирования всех функциональных узлов с учетом нелинейной динамики, шумовых свойств и электромагнитной совместимости, что подтверждается как зарубежными исследованиями [4,5], так и работами российских ученых, включая фундаментальные труды Е. Д. Девяткова по миллиметровым волнам [22].

1.2 Обзор и состояние развития усилительных каскадов на биполярных транзисторах, выпускаемых отечественной промышленностью, и причины возникновения искажений спектральной плотности энергии.

Сверхвысокочастотные (СВЧ) усилительные каскады являются фундаментальными компонентами широкого спектра радиотехнических систем — от радиолокационных станций и спутниковой связи до мобильных сетей 5G и медицинских СВЧ-устройств. Их основная функция — усиление слабых СВЧ-сигналов с минимальными искажениями, минимальным уровнем собственных шумов и при сохранении заданных характеристик по полосе пропускания, линейности и стабильности. В отличие от усилителей на низких частотах, СВЧ-каскады сталкиваются с рядом специфических физических и технических вызовов: распределённый характер параметров компонентов, влияние паразитных ёмкостей и индуктивностей, необходимость импедансного согласования на входе и выходе, а также повышенные требования к тепловому режиму и надёжности [26, 28]. Эти особенности определяют специфику проектирования и выбора схемотехнических решений на частотах от сотен мегагерц до сотен гигагерц.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Вишневский Евгений Геннадьевич, 2026 год

Список использованной литературы

1. Rollett J.M. Stability and Power-Gain Invariants of Linear Twoports // IRE Trans. Circuit Theory. 1962. Vol. 9, № 1. P. 29-32.

2. Трубецков Д.И., Рожнев А.Г. Линейные колебания и волны. Саратов: Изд-во СГУ, 1997. 228 с.

3. Трубецков Д.И., Рожнев А.Г. Колебания и волны в нелинейных активных средах. М.: Физматлит, 2002. 464 с.

4. Edwards M.L., Sinsky J.H. A New Criterion for Linear 2-Port Stability Using a Single Geometrically Derived Parameter // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1992. Vol. 40, № 12. P. 2303-2311.

5. Platzker A., Struble W. A Rigorous Yet Simple Method for Determining Stability of Linear N-Port Networks // 15th GaAs IC Symp. Dig. 1993. P. 117-120.

6. Kurokawa K. Some Basic Characteristics of Broadband Negative Resistance Oscillator Circuits // Bell Syst. Tech. J. 1969. Vol. 48, № 6. P. 1937-1955.

7. Трубецков Д.И., Кузнецов А.П., Кузнецов С.П. Нелинейные волны, хаос и структуры в СВЧ электронике: обзор // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2021. Т. 29, № 4. С. 7-35.

8. Морозова Л.А. Савельев С.В. Хаотическая неустойчивость колебаний в СВЧ усилителях мощности при усилении бигармонического сигнала // Журнал технической физики. 2025. Т. 95, № 1. С. 159.

9. Iglesias V., Suarez A., Pomalaza-Raez J.L. Closed-Loop Stability Analysis of Microwave Amplifiers // IEE Proc.-Circuits Devices Syst. 2003. Vol. 150, № 5. P. 401-408.

10. Grosch T. Small Signal Microwave Amplifier Design. Raleigh, NC: SciTech Publishing, 2011. 412 p.

11. Там же.

12. Гвоздев В.И. Объёмные интегральные схемы СВЧ — элементная база аналоговой и цифровой электроники. М.: Радио и связь, 1987. 256 с.

13. Jackson R.W. Criteria for the Onset of Oscillation in Microwave Circuits // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1992. Vol. 40, № 3. P. 566-569.

14. Семёнов А.А. Мультиферроидные материалы в СВЧ электронике и наноэнергетике: дис. ... д-ра техн. наук. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017. 328 с.

15. Витько В.В., Никитин А.А., Семёнов А.А. Исследование влияния проводимости металлических электродов на СВЧ-свойства магнонных структур // Радиотехника и электроника. 2020. Т. 65, № 3. С. 278-285.

16. Cripps S.C. RF Power Amplifiers for Wireless Communications. 2nd ed. Norwood, MA: Artech House, 2006. 496 p.

17. Богданкевич И.Л., Кузелев М.В., Рухадзе А.А. Плазменная СВЧ электроника // Успехи физических наук. 1981. Т. 133, № 1. С. 3-62.

18. Vendelin G.D., Pavio A.M., Rohde U.L. Microwave Circuit Design Using Linear and Nonlinear Techniques. 3rd ed. Hoboken, NJ: Wiley, 2016. 1280 p.

19. Cressler J.D. et al. Radiation Effects in SiGe HBTs: A Comprehensive Review // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2021. Vol. 68, № 1. P. 1-25.

20. Лаборатория СВЧ НИЯУ МИФИ. История и современное состояние. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. 84 с.

21. Симонов А.С., Кугушев А.И., Дутышев Н.М. Методика оценки устойчивости СВЧ-усилителей мощности при изменении нагрузки // СВЧ-техника. 2022. № 4. С. 14-18.

22. Девятков Е. Д., Луничкин В. В. Миллиметровые волны и их современная техника. — М.: Радио и связь, 2019.

23. Методы компенсации интермодуляционных искажений в многоканальных усилительных модулях // Радиотехника и электроника. — 2022. — Т. 67, № 3.

24. Cripps S. C. RF Power Amplifiers for Wireless Communications. 2nd ed. — Artech House, 2016. — P. 85-120.

25. Ghannouchi F. M., Hammi O. Behavioral Modeling and Predistortion of Wideband Wireless Transmitters. — Wiley, 2019.

26. Pozar, D. M. Microwave Engineering. — Wiley, 2020.

27. Liao, S. Y. Microwave Devices and Circuits. 3rd ed. — Prentice Hall, 1990.

28. Gonzalez, G. Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design. 2nd ed. — Prentice Hall, 1997.

29. Grebennikov, A., Doherty, N. O., & Franco, M. RF and Microwave Transmitter Design. — Wiley, 2011.

30. Maas, S. A. Nonlinear Microwave and RF Circuits. 2nd ed. — Artech House, 2003.

31. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. — Регулярные публикации по MMIC, GaN-усилителям, методам согласования.

32. Гоноровский, И. С. Радиотехнические цепи и сигналы. — М.: Радио и связь, 10-е изд., 2020.

33. Малышев, А. Н., Кузнецов, А. А. Проектирование СВЧ-усилителей на основе современных полупроводниковых структур. — М.: МИРЭА, 2021.

34. Журнал «Радиотехника», серия «Электроника СВЧ», 2018-2025 гг. — статьи по GaN-транзисторам, MMIC, малошумящим усилителям.

35. Vuolevi, J., & Rahkonen, T. (2002). Distortion in RF Power Amplifiers. Artech House.

36. Gray, P. R., Hurst, P. J., Lewis, S. H., & Meyer, R. G. (2009). Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. Wiley.

37. Rohde, U. L., & Poddar, A. K. (2010). RF/Microwave Circuit Design for Wireless Applications. Wiley.

38. Raab, F. H. (2001). "Class-F power amplifiers with maximally flat waveforms". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 49(11), 2130-2134.

39. Cripps, S. C. (2006). RF Power Amplifiers for Wireless Communications (2nd ed.). Artech House.

40. Lee, T. H. (2004). The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits. Cambridge University Press.

41. Kenington, P. B. (2000). High-Linearity RF Amplifier Design. Artech House.

42. Morgan, D. R., et al. (2006). "A generalized memory polynomial model for digital predistortion of RF power amplifiers". IEEE Transactions on Signal Processing, 54(10), 3852-3860.

43. Gupta, K. C., et al. (2010). Microstrip Lines and Slotlines. Artech House.

44. Pozar, D. M. Microwave Engineering. — 4th ed. — Wiley, 2012.

45. Wilkinson, E. J. An N-Way Hybrid Power Divider // IRE Transactions on Microwave Theory and Techniques. — 1960. — Vol. 8, No. 1. — P. 116-118.

46. Balanis, C. A. Advanced Engineering Electromagnetics. — 2nd ed. — Wiley, 2016.

47. Hong, J.-S., Lancaster, M. J. Microstrip Filters for RF/Microwave Applications. — Wiley, 2001.

48. Gupta, K. C., Garg, R., Bahl, I. J., Bhartia, P. Microstrip Lines and Slotlines. — Artech House, 1979.

49. Афанасьев А. А., Петров И. Ю., Сидоров В. В. Широкополосные микрополосковые делители мощности для СВЧ-систем // Вестник НИЯУ МИФИ. — 2020. — Т. 9, № 4. — С. 312-320.

50. Костюченко Е. В., Иванов Д. С. Моделирование микрополосковых СВЧ-устройств в среде CST Studio // Известия вузов. Радиоэлектроника. — 2019. — Т. 62, № 5. — С. 45-53.

51. Гвоздев А. А., Максимов М. В., Соловьев А. А. Согласующие устройства в микрополосковом исполнении // Сборник научных трудов НГТУ. — 2018. — № 2(92). — С. 88-96.

52. Huang, Y. et al. "A 24-30 GHz 6-bit CMOS Phase Shifter with <3° RMS Phase Error for 5G Phased Arrays." IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 55, no. 5, pp. 1234-1245, 2020.

53. Pozar, D. M. Microwave Engineering. 4th ed., Wiley, 2011.

54. Ma, J. et al. "A High-Power GaN Phase Shifter for X-Band Phased Array Applications." IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 68, no. 11, pp. 4567-4576, 2020.

55. Collin, R. E. Foundations for Microwave Engineering. Wiley-IEEE Press, 2001.

56. Rebeiz, G. M. RF MEMS: Theory, Design, and Technology. Wiley, 2003.

57. Иванов С. Е., Козлов Д. А., Фролов А. В. «Разработка МЭМС-фазовращателя для СВЧ-диапазона на кремниевой платформе» // Известия вузов. Электроника, № 3, с. 45-52, 2021.

58. Zhang, Y. et al. "УОг-Based Reconfigurable Microwave Phase Shifters." IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, vol. 12, no. 6, pp. 987-995, 2022.

59. Комаров В. В. (ред.) Проектирование СВЧ-устройств на микрополосковых линиях: учебное пособие. - М.: НИУ «МИЭТ», 2015. - 168 с.

60. Pozar, D. M. Microwave Engineering. 4th ed. — Wiley, 2012. — P. 212.

61. Pucel, R. A., Masay, H., Becker, U. L. Noise Parameters of GaAs FET's at Microwave Frequencies // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1974. — Vol. 21, № 5. — P. 275-281.

62. Rollett, J. Stability and Power-Gain Invariants of Linear Two-Port Networks // IRE Transactions on Circuit Theory. — 1962. — Vol. 9, № 1. — P. 29-32.

63. Gonzalez, G. Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design. 2nd ed. — Prentice Hall, 1997. — P. 145.

64. Там же. — P. 152.

65. Мартьянов, А. Г., Букин, В. В. Нелинейное моделирование SiGe HBT -транзисторов методом динамических Y-параметров // Журнал радиоэлектроники (РАН). — 2020. — № 7.

66. Gonzalez, G. Указ. соч. — P. 167.

67. Белов, В. И., Козырев, А. Б. Сверхвысокочастотные полупроводниковые приборы: моделирование и проектирование. — М.: Физматлит, 2010. — С. 134.

68. Root, D. E. et al. X-Parameters: Characterization, Modeling, and Design of Nonlinear RF and Microwave Components. — Cambridge University Press, 2013.

— P. 205.

69.Захаров, А. Г., Ларионов, В. А. Термоэлектрическое моделирование кремниевых биполярных транзисторов для СВЧ-усилителей // Известия ЮФУ. Технические науки. — 2023. — № 12 (201). — С. 102-110.

70. Collin R. E. Foundations for Microwave Engineering. 2nd ed. — Piscataway: IEEE Press, 2001. — 598 p.

71. Hammerstad E. O., Jensen O. Accurate Models for Microstrip Computer-Aided Design // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. — 1980. — P. 407-409.

72. Буньков Б. В., Шейнкман Ю. А. Проектирование микрополосковых устройств СВЧ. — М.: Радио и связь, 1987. — 208 с.

73. Gupta K. C., Garg R., Bahl I., Bhartia P. Microstrip Lines and Slotlines. 2nd ed.

— Boston: Artech House, 1996. — 615 p.

74. G. D. Alley, Interdigital capacitors and their application to lumped-element microwave integrated circuits, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 18, no. 12, pp. 1028-1038, Dec. 1970.

75. A. E. Fathy, S. H. Wong, and S. A. Rosenau, "High-power microwave breakdown in microstrip circuits: effects of conductor edge geometry," IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 38, no. 11, pp. 1657-1665, Nov. 1990.

76. Вiswas S., Chakraborty A. A very accurate 0-90° monolithic analog phase shifter for L-band // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. -2007. - P. 1043-1046.

77. Cheung W., Mortazawi A. A wideband 360° analog phase shifter design // IEEE Radio and Wireless Symposium. - 2009. - P. 324-327.

78. Microwaves101 Encyclopedia. Phase Shifters [Electronic resource]. - URL: https://www.microwaves101.com/encyclopedias/phase-shifters

79. Park H., Kim J., Lee S. A 17.8-20.2 GHz Compact Vector-Sum Phase Shifter in 130 nm SiGe BiCMOS // Sensors. - 2023. - Vol. 23, № 11. - Art. 5234.

80. Cadence Design Systems. Phase Shifters in Microwave Technologies [Electronic resource]. - 2023. - URL:

https://resources.pcb.cadence.com/blog/2023-phase-shifters-in-microwave-technologies

81. Shur, M. S., Fazal, M. U. GaN-Based Microwave Power Amplifiers: Design Considerations and Performance Limitations // IEEE Transactions on Electron Devices. — 2018. — Vol. 65, № 5. — P. 1785-1793.

82. Бессонов, В. А., Шевцов, В. И. Сверхвысокочастотные устройства передачи и обработки сигналов. — М.: Радиотехника, 2019. — 312 с.

83. Гончаренко, И. В. Современные СВЧ-транзисторы и их применение в радиопередающих устройствах. — СПб.: Лань, 2021. — 288 с.

84. Скляр, Б. Цифровая связь. Теоретические основы и практическое применение. — М.: Техносфера, 2017. — 1104 с.

85. Maas S.A. Nonlinear Microwave and RF Circuits. Artech House, 2003.

86. Cripps S.C. Advanced Techniques in RF Power Amplifier Design. Artech House, 2002.

87. Григорьев А. Д. Теория и техника СВЧ-устройств. — М.: Физматлит, 2020.

88. Белоцерковский Г. Б. Расчёт и проектирование микрополосковых устройств. — М.: Радио и связь, 2019.

89. Skolnik, M. I. Introduction to Radar Systems, 3rd ed. — New York: McGraw-Hill, 2001.

7. 90. Arlon, Inc. AD1000 Series High-Frequency Laminate Data Sheet, 2023.

91. Matthaei, G. L., Young, L., Jones, E. M. T. Microwave Filters, Impedance-Matching Networks, and Coupling Structures. — Norwood, MA: Artech House, 1980.

92. Barton, D. K. Radar System Analysis and Modeling. — Boston: Artech House, 2005.

93. Keysight Technologies. Peak and Average Power Sensor Application Guide, 2022.

94. FLIR Systems. A8580sc High-Speed Infrared Camera Datasheet, 2023.

95. Komarov, V. V., et al. "Thermal and Dielectric Properties of High-Frequency Laminates under High-Power RF Conditions," IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, vol. 12, no. 5, pp. 789-797, 2022.

96. Lee, T. H. Planar Microwave Engineering: A Practical Guide to Theory, Measurement, and Circuits, Vol. 1. — Cambridge: Cambridge University Press, 2004.

97. Вишневский Е. Г, Евстигнеев Д. А. Усилитель мощности для наземных станций ВРЛ УВД двойного назначения. // Тезисы доклада IX научно-технической конференции. «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», Звенигород. - 2010.

98. Малорацкий Л. Г., Явич Л. Р. Проектирование и расчет СВЧ элементов на полосковых линиях. М.: Совецкое радио. 1972

99. ОСТ В 6-06-5100-96

100. http://www.Eltm.ru

101. http://www.rogerscorp.com

102. http://www.rezonit.ru

103. 103. IEC 60489-3:1992 «Methods of measurement for radio equipment used in mobile services - Part 3: Measurements on microwave devices».

104. 104. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques — регулярные публикации по современным фазовращателям (например, статья: «A 1-2 GHz

105. 105. GaAs MMIC Phase Shifter with 360° Continuous Phase Shift», Vol. 68, No. 4, 2020).

106. ITU-R Recommendation V.431-8. Nomenclature of the frequency and wavelength bands used in telecommunications. Geneva: ITU, 2021.

107. ГОСТ Р 51317.1-99. Совместимость технических средств электромагнитная. Часть 1. Общие положения. — М.: Стандартинформ, 1999.

108. Решение ГКРЧ № 21-19/1 от 07.02.2019. О выделении полос радиочастот для радиоэлектронных средств различного назначения. — М.: Минцифры России, 2019.

109. Keysight Technologies. Fundamentals of RF and Microwave Power Measurements. Application Note 1449-1, 2022.

110. Grebennikov A. RF and Microwave Transmitter Design. — Wiley, 2011. — 576 p.

111. Agilent Technologies. Spectrum Analysis Basics. Application Note 150, 2020.

112. IEC 60704-1:2020. Methods for the determination of power in microwave systems.

113. Бакулев П.А., Степанов М.Е. Радиолокационные системы: метрологическое обеспечение. — М.: Радиотехника, 2020.