Мезопористый кремний: от проблемы стабильности к композитным наноструктурам и диодам тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Ян Дмитрий Тхякбонович

• Ян Дмитрий Тхякбонович
• доктор наук
• 2026

Оглавление диссертации доктор наук Ян Дмитрий Тхякбонович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ФОРМИРОВАНИЕ И СТАБИЛЬНОСТЬ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ. ОПТИЧЕСКИЕ, ФОТО- И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

1.1. Механизмы образования пористого кремния

1.2. Оптические свойства пористого кремния

1.2.1. Диэлектрическая функция

1.2.2. Показатель преломления

1.2.3. Поглощение (прямой и непрямой переходы)

1.3. Фотолюминесценция ПК

1.3.1. Видимая фотолюминесценция

1.3.2. Сине-зеленая полоса

1.3.3. ИК-полоса

1.3.4. Модели ФЛ

1.4. Электролюминесценция ПК

1.5. Стабильность излучающих свойств пористого кремния

при длительном хранении и пассивация поверхности

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ

Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА,

МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Ячейка для электрохимического травления

2.2. Материалы для проведения эксперимента

2.2.1. Кристаллический кремний

2.2.2. Химические вещества

2.3. Получение пористого кремния

2.3.1. Электрохимическое травление

2.3.2. Электрохимическое окисление

2.4. Методы расчета оптических характеристик пористого кремния

2.4.1. Расчет оптических функций тонких пленок

в рамках двухслойной модели

2.4.2. Расчет оптических функций ПК

из соотношения Крамерса-Кронига

2.5. Экспериментальные методы исследования пористого кремния

2.5.1. ИК-спектроскопия пористого кремния

2.5.2. Спектроскопия комбинационного рассеяния

пористого кремния

2.5.3. Сканирующая электронная микроскопия

2.5.4. Энергодисперсионная спектроскопия

Глава 3. ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

3.1. Оптические функции и параметры зонной структуры

тонких слоев ПК в диапазоне энергий 0,1-6,2 эВ

3.2. Расчет диэлектрических функций тонких слоев мезо-ПК

в диапазоне энергий 0,1-6,2 эВ

3.3. Оценка значений межзонных переходов в мезопористом кремнии ... 97 ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ

Глава 4. ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

4.1. Характеристические частоты колебаний

в ИК-спектре мезопористого кремния

4.2. Влияние типа поверхностных связей

в мезопористом кремнии на кинетику фотолюминесценции

4.3. Оценка значений пористости мезо-ПК

из оптических спектров отражения

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ

Глава 5. МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ СТАБИЛЬНОСТИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

5.1. Влияние лазерного возбуждения

на фотолюминесценцию пористого кремния

5.2. Влияние предварительной плазменной обработки

на фотолюминесценцию пористого кремния

5.3. Погружение пористого кремния в водные растворы солей металлов с целью повышения интенсивности

фотолюминесценции

5.3.1. Модификация поверхности пористого кремния

в водных растворах LiBr

5.3.2. Кинетика изменения фотолюминесценции после погружения пористого кремния в растворы бромида лития

5.3.3. Модификация поверхности пористого кремния

в водных растворах Fe(NOз)з

5.3.4. Кинетика изменения фотолюминесценции после погружения пористого кремния в растворы нитрата железа

5.4. Электроосаждение никеля из водных растворов МС12

на мезопористый кремний

5.4.1. Влияние окисления и отжига на морфологию мезо-ПК

и распределение никеля в мезопористом кремнии

5.4.2. Люминесцентные свойства нанокомпозита никель

(силицид никеля) - мезопористый кремний

5.5. Формирование пленок силицида магния

на мезопористом кремнии в условиях высокого вакуума

5.5.1. Морфология и структура пленок силицида магния

5.5.2. Характеризация пленок силицида магния методами фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и оптической отражательной спектроскопии

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ

Глава 6. ФОРМИРОВАНИЕ И ФОТОСПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

6.1. Влияние плотности тока, времени анодирования и освещения на толщину пористого кремния в пластинах со встроенным р-п-переходом и его фотолюминесценцию

6.2. Формирование и фотоспектральные свойства

диодных структур мезо-ПК/81-р/Б1-п

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Мезопористый кремний: от проблемы стабильности к композитным наноструктурам и диодам»

Актуальность работы

Федеральная целевая программа «Развитие инфраструктуры наноинду-стрии в Российской Федерации», утвержденная постановлением Правительства Российской Федерации от 2 августа 2007 г., определила условия создания инфраструктуры национальной нанотехнологической сети для развития и реализации отечественной наноиндустрии. Среди основных результатов реализации Программы были определены: создание нового поколения нано-материалов и нанотехнологии для применения в ключевых областях науки и техники, ресурсо- и энергосбережении, промышленном производстве и здравоохранении.

Начиная со второй половины ХХ в. в ведущих научных лабораториях мира проводятся интенсивные исследования по усовершенствованию полупроводниковых приборов, применению для них новых материалов: этот процесс происходит по двум основным направлениям.

Первое из них относится к поиску и исследованию материалов и структур с малыми размерами - наноструктур (с размерами от единиц до десятков нанометров). Наука, изучающая эти структуры - наноэлектроника - устанавливает фундаментальные закономерности, определяет физико-химические особенности формирования наноструктур, их электронные и оптические свойства. Исследования в этой области особенно актуальны в настоящее время для разработки принципов создания систем получения и обработки информации нового поколения, обладающих малыми размерами и высоким быстродействием.

Второе направление исследования связано с излучательными свойствами новых полупроводниковых материалов. Разработка устройств на их основе открывает перспективу создания более эффективных оптоэлектронных приборов и систем.

В связи с этим большое внимание уделяется исследованию пористого кремния (ПК) - материала, получаемого в результате анодного травления мо-

нокристаллического кремния в растворе фтористоводородной кислоты (ИР). После открытия Кэнхамом явления видимой фотолюминесценции пористого кремния при комнатной температуре в 1990 г. [1] во многих научных и технологических лабораториях мира совершенствуются излучательные свойства структур на основе пористого кремния. Научный интерес к пористому кремнию значительно вырос за последние 25 лет благодаря тому, что этот материал обладает как ранее известными, так и совершенно новыми свойствами. Эти свойства принципиально отличаются от свойств кристаллического кремния, что сделало возможным использование этого материала в различных областях, начиная с электроники, а в настоящее время включают микросистемы, оптоэлектронику, оптику, акустику, преобразование энергии, медицинское оборудование и здравоохранение.

Процесс превращения кремния из ключевых материалов для микроэлектроники в перспективный материал для различных направлений является следствием возможности снижения его размерности с помощью простой и экономичной технологии, связанной с электрохимическим травлением. Фактически, электрохимическое травление монокристаллического кремния в контролируемых условиях приводит к образованию нанокристаллического Si, в котором квантовое ограничение фотовозбужденных носителей приводит к расширению запрещенной зоны и увеличению скорости излучательного перехода, что определяет эффективное излучение света. Полученный материал называется пористым кремнием (ПК) из-за его морфологии, состоящей из неупорядоченной сети пор, которые распространяются внутри объекта. Его структура является разветвленной системой наноразмерных кремниевых кристаллитов, в которой определяющую роль играют квантовые эффекты. Реализованные в настоящее время приборы на основе ПК используют квантовое ограничение (например, в светодиодах) или высокую реакционную способность его поверхности (например, сенсорные приложения). Вместе с тем неупорядоченное распределение размеров нанокристаллов, изменение состава поверхностных связей ограничивает применение структур на основе ПК.

Его значительная по площади и активная внутренняя поверхность определяет свойства, которые зависят от времени и окружающей среды, эффектов старения и приводят к снижению эффективности излучения. Исследование этих факторов, в совокупности с изучением оптических свойств и структуры поверхностных связей пористого кремния, определили тему представленной диссертационной работы.

При исследовании наноразмерных материалов важную роль играют методы, позволяющие исследовать химические связи и морфологию структуры, а также ее состав. Являясь неразрушающими, обладающими высокой чувствительностью, такие методы, как Фурье ИК-спектроскопия, спектроскопия комбинационного рассеяния света (КРС), сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) и энергодисперсионная спектроскопия (ЭДС) позволяют получить информацию о поверхности структуры, а так же о ее внутреннем строении.

Степень разработанности темы исследования

Пористый кремний, наноструктуры, тонкие пленки, композиты представляют собой широкий класс объектов, исследования различных свойств которых активно проводятся, начиная с 1990 г., после открытия явления видимой фотолюминесценции при комнатной температуре.

Автор открытия явления Л. Кэнхам внес большой вклад в разработку технологии и систематизацию исследований пористого кремния. В коллективной монографии «Handbook of porous silicon» под его редакцией представлены основные направления исследований пористого кремния и ссылки на активно работающие в этой области зарубежные и российские научные коллективы.

Из российских научных групп, работающих в настоящее время в области разработки технологии и исследования свойств наноструктур на основе пористого кремния, следует отметить научные группы В.Ю. Тимошенко, Л.А. Осминкиной (МГУ), проф. Е.И. Терукова, Е.В. Астровой, О.М. Сресели (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН), проф. В.А. Мошникова (ЛЭТИ), проф. Э.П. Домашевской и проф. П.В. Середина (ВГУ).

Заметный вклад в исследование твердотельных полупроводниковых структур, в том числе, на основе пористого кремния, принадлежит научному коллективу лаборатории оптики и электрофизики под руководством профессора Н.Г. Галкина (ИАПУ ДВО РАН, г. Владивосток).

Особенностью данной многолетней работы является применение широкого комплекса современных аналитических методик, которые позволяют получить качественную и достоверную информацию об особенностях строения и функциональных характеристиках исследуемых объектов: пористого и ме-зопористого кремния и композитов на их основе.

Методы исследований

Для исследования особенностей формирования композитных наноструктур на основе пористого кремния, определения закономерностей и взаимосвязей между морфологией, атомным и электронным строением, составом поверхности использовались следующие методы:

- Фурье ИК-спектроскопия;

- спектроскопия фотолюминесценции (ФЛ);

- спектроскопия комбинационного рассеяния света (КРС);

- сканирующая электронная микроскопия (СЭМ);

- атомная силовая микроскопия (АСМ);

- энергодисперсионная спектроскопия (ЭДС).

Объекты исследований

Объектами исследований являлся широкий ряд наноструктур и наноком-позитов на основе мезопористого кремния:

- образцы мезопористого кремния на подложках монокристаллического кремния р- и п-типа;

- нанокомпозиты на основе мезопористого кремния с осажденными ё-металлами группы железа, а также литием и магнием, полученные методами химического, электрохимического и вакуумного осаждения.

Цель работы

Установление закономерностей формирования наноструктур и нанокомпо-зитов на основе мезопористого кремния, определение их оптических свойств, формирование приборных структур на основе мезопористого кремния.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной цели, являются:

1) разработка методик формирования многофункциональных наноструктур на основе мезопористого кремния с широким диапазоном функциональных характеристик путем настройки технологических параметров синтеза и постобработки поверхности;

2) расчет оптических характеристик, типа и величины межзонного перехода в мезопористом кремнии, установление модели люминесценции;

3) определение механизмов изменения состава химических связей поверхностных слоев пористого и мезопористого кремния и связанных с ними фотолюминесцентных свойств, разработка методик стабилизации поверхности и повышения интенсивности фотолюминесценции (ФЛ);

4) разработка и создание диодных структур на основе мезопористого кремния со встроенным р-п-переходом. Проведение исследования вольтам-перных и фотоэлектрических спектральных характеристик двойных гетеро-диодов рог-З^Зьр/Бьп и эталонного диода с р-п-переходом.

Научная новизна полученных результатов

1. Определены и рассчитаны фундаментальные оптические характеристики мезопористого кремния: диэлектрическая функция, показатель преломления, доказан прямой тип межзоного перехода, проведена оценка его величины.

2. Разработаны оригинальные методики формирования и функциона-лизации наноструктур и металлосодержащих нанокомпозитов на основе мез-опористого кремния.

3. Предложены эффективные методики защиты поверхности от деградации и повышения интенсивности фотолюминесценции, связанные с постобработкой поверхности мезопористого кремния.

4. Предложен основной механизм фотолюминесценции в мезопористом кремнии, связанный с перестройкой поверхностных связей мезопористого кремния и формированием нестехиометрического оксида ^Ю^.

5. Созданы двойные гетеродиоды por-Si/Si-p/Si-n, проведен анализ их вольтамперных и фотоспектральных характеристик.

Теоретическая и практическая значимость исследований Установленные закономерности состава, морфологии и функциональных характеристик наноструктур и нанокомпозитов на основе мезопористого кремния значительно расширяют физические представления о строении и свойствах исследуемых систем.

Разработанные методики формирования и управления функциональными характеристиками наноструктур и нанокомпозитов на основе мезопористого кремния могут быть использованы для создания многофункциональных материалов и приборов оптоэлектроники.

Практические результаты работы используются в учебном процессе при изучении магистрантами направления «Фотоника и оптоинформатика» таких дисциплин, как «Наноматериалы», «Оптические свойства наноструктур», «Фотоиндуцированные процессы в наноразмерных средах» и ряд других. Основные положения, выносимые на защиту

1. Мезопористый кремний (мезо-ПК) с пористостью 45-50% является пря-мозонным полупроводником, ширина запрещенной зоны которого изменяется от 1,60 эВ до 1,75 эВ, бездисперсионный коэффициент преломления (По) находится в диапазоне 2,38-2,50, а высокочастотная диэлектриче-

Л

ская проницаемостью = п0 ) - в диапазоне 5,66-6,25.

2. Установлен основной механизм фотолюминесценции в мезопористом кремнии при длительном хранении, состоящий в излучательной рекомбинации в формируемом оксиде кремния с кислородными дефектами и

снижением плотности безызлучательных состояний за счет формирования связей О-БШ и SiOx.

3. Усиление фотолюминесценции в слое анодноокисленного мезопористого кремния под действием лазерного возбуждения связано с фотостимули-рованной модификацией структуры окисла на поверхности кремниевых кристаллитов, а также структурой интерфейса между кристаллитами и оксидом кремния.

4. Установлено, что предварительная обработка монокристаллического кремния в компрессионном плазменном потоке азота приводит при анодном травлении к формированию двух слоев пористого кремния: верхнего высокопористого ПК в напряженном слое Si (пик ФЛ при 510-520 нм) и нижнего слоя мезо-ПК (пик ФЛ при 690 нм). Увеличение эффективности ФЛ определяется сохранением гидридных связей в первый месяц хранения в обоих слоях ПК с последующим их разрушением и снижением интенсивности ФЛ.

5. При формировании нанокомпозитов Li ^е)/мезо-ПК в процессе погружения в водные растворы солей LiBr и Fe(NO3)3 образуются связи кремний-металл-кислород, что приводит к стабилизации пика ФЛ во времени и его высокоэнергетическому смещению для Li-композита и низкоэнергетическому смешению для Fe-композита при оптимальных концентрациях солей ф/2 - LiBr, 0,2 M - Fe(NOз)з).

6. Электроосаждение никеля на слой мезо-ПК из 0,1 мольного водного рас-

л

твора №С12 в режиме обратного смещения при плотности тока 0,6 мА/см

с временами 5-6 минут и последующим отжигом в среде аргона при 450 °С приводит к формированию прямозонного полупроводникового субоксида никеля (МОх), который обеспечивает резкое увеличение интенсивности фотолюминесценции нанокомпозита и ее коротковолновый сдвиг от 0,2 до 0,9 эВ в нанокомпозите М0/мезо-ПК/Б^100).

7. Доказано, что мезопористый кремний после отжига при температуре 450 °С в условиях высокого вакуума сохраняет свою микроструктуру и фото-

люминесцентные свойства, что позволяет формировать на нем слой силицида магния, оптимизировать спектр отражения нанокомпозита Mg2Si/мезо-ПК/Si и стабилизировать ФЛ не менее 8 месяцев без заметного спектрального сдвига.

8. В монокристаллическом кремнии П-типа проводимости с тонким (3 мкм) слоем р-типа проводимости на поверхности при анодном травлении с плотностями токов 10 и 20 мА/см2 формируется однослойная структура мезо-ПК при длительности анодирования не более 15 минут, а при большей длительности анодирования - формируется двухслойная структура с внешним древовидным слоем пористого кремния, вклад которого в фотолюминесценцию минимален.

9. Обнаружно, что усиление фотоответа в двойных гетеродиодах со структурой мезо-ПК^-р^ьп и толщиной мезо-ПК до 0,675 мкм при длинах волн 400-1100 нм происходит за счет эффективной фотогенерации электрон-дырочных пар и их разделения полем кремниевого р-п-перехода с последующим уменьшением эффективности с ростом толщины слоя ме-зо-ПК до 1,67 мкм.

Степень достоверности и апробация результатов

Достоверность результатов работы обеспечивается воспроизводимостью характеристик исследуемых объектов, многократной экспериментальной проверкой результатов измерений, использованием метрологически аттестованной измерительной техники, а также применением комплексного подхода к анализу объектов современными экспериментальными методами, в том числе с использованием ресурсов научных центров коллективного пользования (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ИАПУ ДВО РАН, ИХ ДВО РАН), апробацией экспериментальных результатов на российских и международных конференциях, публикацией статей в рецензируемых российских и международных журналах.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: 2-й Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, Россия, 1996), Международной конференции

EMRS (Страсбург, Франция, 1995), International Conference «Materials for Optoelectronics» (Sheffield, England, 1995), IV и VI Региональных конференциях по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (Владивосток, Россия, 2000 и 2002), 2-й Азиатско-Тихоокеанской конференции «Фундаментальные проблемы опто- и микроэлектроники» (Владивосток, Россия, 2001), 3-й Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Благовещенск, 2002), 4-й Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптоэлектронике (Санкт-Петербург, Россия, 2002), IX Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2015» (Санкт-Петербург, Россия, 2015), 15th Asia-Pacific Conference on Fundamental Problems of Opto- and Microelectronics (Khabarovsk, Russia, 2016), IX Международной конференция «Фундаментальные проблемы оптики» (Санкт-Петербург, Россия, 2016), VI Международной конференции по фотонике и информационной оптике (Москва, МИФИ, Россия, 2017), X Международная конференция «Фундаментальные проблемы оптики» (Санкт-Петербург, Россия, 2018), Всероссийской научной конференции по физике - Оптика кристаллов и наноструктур (Хабаровск, Россия, 2018), V Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (Vladivostok, Russia, 2020), XII Международная конференция «Фундаментальные проблемы оптики» (Санкт-Петербург, Россия, 2020), VI Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (Vladivostok, Russia, 2022), 20-th Asia-Pacific Conference on Fundamental Problems of Opto- and Microelectronics (APCOM-2022), Vladivostok, 2022), International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech-2022), (S.-Petersburg, Russia, 2022), XXI региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Благовещенск, Россия, 2023), XXII региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Хабаровск, Россия, 2024).

Личный вклад автора

В диссертацию включены результаты исследований, выполненных автором лично или в соавторстве в Институте автоматики и процессов управления (ИАПУ ДВО РАН, г. Владивосток). Автором поставлены цели и задачи диссертации, решение которых позволило сформулировать положения, выносимые на защиту, отработать экспериментальные методики, которые были использованы для решения задач диссертации. Методики формирования исследуемых структур на основе пористого кремния были разработаны непосредственно автором или при его непосредственном участии. Исследуемые образцы и наноструктуры были получены лично автором или при непосредственном его участии. Автором получены основные экспериментальные данные по фазовому составу, структуре, оптическим свойствам, энергетическому строению и функциональным характеристикам исследуемого мезопористого кремния и наноструктур на его основе, а также выполнен расчет оптических характеристик пористого кремния, проведена обработка экспериментальных данных. Он лично подготовил и опубликовал ряд статей. А в части статей с соавторами его вклад составляет не менее 50 %. Основные результаты и выводы получены лично автором.

В работе принимали активное участие сотрудники лаборатории Оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН (г. Владивосток) (зав. лабораторией -д.ф.-м.н., профессор Н.Г. Галкин). Работа по получению образцов, полученных обработкой плазмой, были выполнены в рамках совместного проекта с отделением физики плазмы и плазменных технологий Института тепло- и массообмена НАН Беларуси (НАНБ) (заведующий лаборатории - чл.-корр. НАНБ, профессор В.М. Асташинский). Работа по исследованию фотолюминесценции пористого кремния при лазерном возбуждении проводилась в ФТИ им. А.Ф.Иоффе в лаборатории Физики аморфных полупроводников (зав. лабораторией - д.ф.-м.н., профессор В.Г. Голубев).

Научные гранты и программы

Представленная диссертационная работа выполнена при поддержке Гранта ДВГУПС на подготовку диссертации доктора наук от 24 июня 2022 г., а основные исследования по диссертационной работе проводились в рамках госбюджетных работ лаборатории оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН с 2018 по 2024 гг. (номера тем: 0262-2019-0002 (2018-2020), FWFW-2021-0002 (2021-2024)).

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, 6 глав и заключения, изложенных на 246 страницах машинописного текста, включая 93 рисунка, 16 таблиц и списка литературы, состоящего из 300 наименований.

В первой главе на основе литературных данных представлен обзор механизмов формирования, оптических свойств мезопористого кремния и его физико-технологических характеристик: фото- и электролюминесценции, стабильности излучения и деградации поверхности при длительном хранении. В выводах приведено обоснование проводимых в диссертации исследований.

Вторая глава посвящена описанию экспериментальной установки, материалов и методов исследования. Приведено описание оригинальной ячейки для получения мезопористого кремния. Во второй главе представлены характеристики монокристаллического кремния, а также свойства используемых материалов и химических реагентов. Дано описание методик электрохимического травления и окисления мезопористого кремния, методов расчета оптических функций. Приведено описание экспериментальных методов исследования: Фурье ИК-спектроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС), сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) и энергодисперсионной спектроскопии (ЭДС).

В третьей главе представлены расчеты основных оптических характеристик мезопористого кремния из оптических спектров пропускания и отражения по двухслойной модели и методу Крамерса-Кронига: коэффициента преломления, экстинкции и диэлектрической функции (действительной и мни-

мой частей). Приведена оценка величины межзонного перехода в мезо- пористом кремнии.

В четвертой главе приведены характеристические частоты колебаний мезопористого кремния в ИК-спектре. Обсуждается влияние типа поверхностных связей на кинетику люминесценции в мезопористом кремнии. Проведена оценка величины пористости из оптических спектров отражения.

В пятой главе изложены методы повышения интенсивности фотолюминесценции пористого кремния. С целью увеличения интенсивности ФЛ предлагается предварительная обработка монокристаллического кремния в компрессионном плазменном потоке азота. Показано, что лазерное возбуждение пористого кремния вызывает фотостимулированную перестройку поверхностных связей, что приводит к росту ФЛ. Погружение пористого кремния в водные растворы солей металлов Fe, М) способствует значительному повышению интенсивности люминесценции.

Также представлены методы модификации с целью стабилизации поверхности от деградации при длительном хранении. Показано, что выдерживание мезопористого кремния в водных растворах солей металлов Fe) и электрохимическое осаждение никеля приводит к образованию устойчивых связей Ме-ПК, что способствует стабилизации поверхности и уменьшению деградации ФЛ.

В шестой главе обсуждается анодное травление кремния с р-п-переходом при освещении. Установлено, что в случае анодирования с плотностью

л

10-15 А/см и длительностью не выше 15 минут формируется тонкий меза-пористого кремния с толщиной меньше слоя р-типа проводимости (3 мкм), для которого наблюдается фотолюминесценция. При увеличении плотности тока и времени анодирования наблюдается формирование древовидной структуры, в которой фотолюминесценция отсутствует. Выпрямляющие характеристики и фотоответ наблюдаются только для диодов с тонким слоем меза-пористого кремния, что соответствует формированию гетероструктур мезо-ПК-р^ьр^ьп. Для них определены токи короткого замыкания, напряжения холостого хода,

коэффициент заполнения и спектр фотоответа в диодном режиме.

В заключении представлены основные результаты и выводы, полученные в диссертации.

ГЛАВА 1

ФОРМИРОВАНИЕ И СТАБИЛЬНОСТЬ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ. ОПТИЧЕСКИЕ, ФОТО- И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ

1.1. Механизмы образования пористого кремния

При создании разности потенциалов через границу раздела «кремний-электролит» протекает электрический ток, в результате чего происходит окислительно-восстановительная реакция с образованием пористого кремния (ПК). На рис. 1.1 представлены вольт-амперные характеристики (ВАХ) процесса электрохимического травления пластин монокристаллического кремния п- и р-типов в водном растворе фтористоводородной кислоты (НБ) [2].

Рисунок 1.1. ВАХ р-типа и п-типа кремния в процессе электрохимического травления в растворе НБ [2]

Вольтамперные кривые показывают сходство с соответствующими характеристиками диода Шоттки, но при этом есть некоторые важные отличия.

Например, в то время как знак основных носителей меняется между п- и р-типом, химические реакции на интерфейсе остаются прежними. Более того, темно-вые токи обратного смещения почти на три порядка выше, чем у диода Шот-тки. Еще одна аномалия - разомкнутая цепь потенциала для легированного кремния п- и р-типа, что не согласуется с различием между объемными Ферми-уровнями. При катодной поляризации как для материалов п-, так и для р-типа, Si стабилен. Катодная реакция представляет собой восстановление воды на границе с образованием газообразного водорода. Это происходит только при высоких катодных перенапряжениях или, используя терминологию диодов Шоттки, при обратном смещении. При анодной поляризации Si растворяется. При высоких анодных напряжениях Si подвергается электрополировке, в результате которой поверхность становится гладкой. Напротив, при низких анодных перенапряжениях в морфологии поверхности преобладает обширный лабиринт каналов, проникающих глубоко внутрь пористого кремния. Порообразование происходит только на начальном восходящем участке ВАХ при потенциале ниже потенциала небольшого острого пика, который соответствует процессу электрополировки (рис. 1.1, а). Количественные значения ВАХ, а также значения, соответствующие пику электрополировки зависят от параметров травления и легирования пластины. Для подложек п-типа это типичное поведение ВАХ наблюдается только при освещении (рис. 1.1, б), так как процесс травления происходит только при наличии дырок.

Растворение кремния

Для изучения процесса растворения кремния были изучены различные механизмы. Общепризнано, что дырки необходимы как для электрополировки, так и для формирования пор. При образовании пор на каждый растворенный атом Si выделяется два атома водорода [3, 4], выделение водорода уменьшается при приближении к режиму электрополировки и исчезает после нее. В процессе образования пор образуется два электрона на растворенный атом Si и четыре электрона в режиме электрополировки [5, 6].

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Ян Дмитрий Тхякбонович, 2026 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Canham, L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and

chemical dissolution of wafers / L.T. Canham // Applied Physics Letters. -

1990. - Vol. 57, no. 10. - P. 1046-1048.

2. Smith, R.L. Porous silicon formation mechanisms / R.L. Smith, S. Collins //

Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 71, no. 8. - R1-R22.

3. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degener-

ate and non-degenerate silicon / C. Pickering, M.I.J. Beale, D.J. Robbins [et al.] // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1984. - Vol. 17, no. 35. -P. 6535-6552.

4. Eddowes, M.J. Anodic dissolution of p- and n-type silicon: Kinetic study of the

chemical mechanism / M.J. Eddowes // Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry. - 1990. - Vol. 280, Iss. 2. - P. 297-311.

5. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of

porous silicon / M.I.J. Beale, J.D. Benjamin, M.J. Uren [et al.] // Journal of Crystal Growth. - 1985. - Vol. 73, Iss. 3. - P.622-636.

6. Lehman, V. Formation mechanism and properties of electrochemically etched

trenches in n-type silicon / V. Lehman, H. Foll // Journal of Electrochemical Society. - 1990. - Vol. 137, no.2. - P. 653-659.

7. Lehman, V. Porous silicon formation: A quantum wire effect / V. Lehman,

U. Gosele // Applied Physics Letters. - 1991. - Vol. 58, Iss. 8. - P. 856-858.

8. Rao, V.A. In-situ Fourier-transform electromodulated infrared study of porous

silicon formation: evidence of solvent effects of the vibrational linewidths / V.A. Rao, F. Ozanam, J.N. Chazalviel // Journal of Electrochemical Society.-

1991. - Vol. 138, no. 1. - P. 153-159.

9. Peter, L.M. In-situ characterization of the illuminated silicon-electrolyte inter-

face by Fourier-transform infrared spectroscopy / L.M. Peter, D.J. Blackwood, S. Pons // Physical Review Letters. - 1989. - Vol. 62, Iss. 3. - P. 308-311.

10. Optical characterization of porous silicon by synchrotron radiation reflectance spectra analyses / N. Koshida, H. Koyama, Y. Suda [et al.] // Applied Physics Letters. - 1993. - Vol. 63, Iss.20. - P. 2774-2776.

11. Interpretation of the dielectric function of porous silicon layers / U. Rossow, U. Frotscher, C. Pietryga [et al.] // Applied Surface Science. - 1996. -Vol. 102. - P. 413-416.

12. Theiß, W. Optical properties of porous silicon / W. Theiß // Surface Science Reports. - 1997. - Vol. 29, no. 3-4. - P. 91-93, 95-192.

13. Ludwig, M.H. Optical properties of silicon-based materials: A comparison of porous and spark-processing silicon / M.H. Ludwig // Critical Rewievs in Solid State and Materials Sciences. - 1996. - Vol. 21, no. 4. - P. 265-351.

14. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon / C. Pickering, M.I.J. Beale, D.J. Robbins [et al.] // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1984. - Vol. 17, Iss. 35. -P. 6535-6552.

15. Pavesi, L. Porous silicon dielectric multilayers and microcavities / L. Pavesi // La Rivista del Nuovo Cimento. - 1995. - Vol. 20. - P. 1-76.

16. Maxwell-Garnett, J.C. Colours of metal glasses and in metallic films / J.C. Maxwell-Garnett // Philosophical Transactions of the Royal Society of London. - 1904. - Vol. 203. - P. 385-420.

17. Bruggeman, D.A.G. Berechnung verschiedener physikalischer Konstanten von heterogenen Substanzen. I. Dielektrizitätskonstanten und Leitfähigkeiten der Mischkörper aus isotropen Substanzen / D.A.G. Bruggeman // Annalen der Physik. - 1935. - F. 5, B. 24. - P. 636-664.

18. Looyenda, H. Dielectric constant of heterogeneous mixtures / H. Looyenda // Phisica. - 1965. - Vol. 31. - P. 401-406.

19. Pavesi, L. Porous silicon microcavities: growth and physics / L. Pavesi, V. Mulloni // Journal of Luminescence. - 1998. - Vol. 80, Iss. 1-4. - P. 43-52.

20. Quantum confinement in nanoscale silicon: The correlation of size with bandgap and luminescence / J. Behren, T. Buuren, M. Zacharias [et al.] // Solid State Communications. - 1998. - Vol. 105, Iss. 5. - P. 317-322.

21. Grivickas, V. Optical absorption in porous silicon of high porosity / V. Grivick-as, P. Basmaji // Thin Solid Films. - 1993. - Vol. 235, Iss. 1-2. - P. 234-238.

22. Kanemitsu, Y. Microstructure and optical properties of free-standing porous silicon films: size dependence of absorption spectra in Si-nanometer sized crystallites / Y. Kanemitsu, H. Ito, Y. Masumoto // Physical Review B. - 1993. -Vol. 45, Iss. 4. - P. 2827-2831.

23. Absorption and luminescence studies of free-standing porous silicon films / Y.H. Xie, M.S. Hybertsen, W.L. Wilson [et al.] // Physical Review B. - 1994. - Vol. 49, Iss. 8. - P. 5386-5397.

24. Optical absorption evidence of a quantum size effect in porous silicon / I. Sagnes, A. Halimaoui, G. Vincent, P.A. Badoz // Applied Physics Letters. -1993. - Vol. 62, Iss. 10. - P. 1155-1157.

25. Influence of quantum confinement on the critical points of the band structure of Si / M. Ben-Chorin, B. Averboukh, D. Kovalev [et al.] // Physical Review Letters. - 1996. - Vol. 77, Iss. 4. - P. 763-766.

26. Kux, A. Band gap of porous silicon / A. Kux, M. Ben-Chorin // Physical Review B. - 1995. - Vol. 51, Iss. 24. - P. 17535-17541.

27. Investigation of optical properties of free-standing porous silicon films by absorption and mirage effect / G. Vincent, F. Leblanc, I. Sagnes [et al.] // Journal of Luminescence. - 1993. - Vol. 57, Iss. 1-6. - P. 217-221.

28. Chan, M.H. Optical absorption of free-standing porous silicon films / M.H. Chan, S.K. So, K.W. Cheah // Journal of Applied Physics. - Vol. 79, Iss. 6. - P. 3273-3275.

29. Lerondel, G. Optical properties of porous silicon. Porous silicon: from formation to application / G. Lerondel // CRC Press. - 2016. - Vol. 1. - P. 217-236.

30. The temperature dependence of the absorption coefficient of porous silicon / D. Kovalev, G. Polisski, M. Ben-Chorin [et al.] // Journal of Applied Physics. -1996. - Vol. 80, Iss. 10. - P. 5978-5983.

31. Picosecond dynamics of photoexcited carriers in free-standing porous silicon / F. Trojanek, P. Maly, I. Pelant [et al.] // Thin Solid Films. - 1995. - Vol. 255, Iss. 1-2. - P. 77-79.

32. Kocka, J. Light emitting silicon: recent progress / J. Kocka, I. Pelant, A. Feifar // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1996. - Vol. 198-200, Part 2. - P. 857-862.

33. Ryan, J.M. High pressure investigation of the photoluminescence of porous silicon / J.M. Ryan, P.R. Wamsley, K.L. Bray // Journal of Luminescence. -1993. - Vol. 57, Iss. 1-6. - P. 387-389.

34. Fauchet, P.M. The integration of nanoscale porous silicon light emitters: material science, properties and integration with electronic circuitry / P.M. Fauchet // Journal of Luminescence. - 1999. - Vol. 80, Iss. 1-4. - P. 53-64.

35. Gullis, A.G. The structural and luminescence properties of porous silicon / A.G. Gullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott // Journal of Applied Physics. - 1997.

- Vol. 82, Iss. 3. - P. 909-965.

36. Mizuno, H. Oxide-free blue photoluminescence from photochemically etched porous silicon / H. Mizuno, H. Koyama, N. Koshida // Applied Physics Letters.

- 1996. - Vol. 69, Iss. 25. - P. 3779-3781.

37. Fauchet, P.M. The strong visible photoluminescence in porous silicon: quantum confinement, not oxide-related defects / P.M. Fauchet, J. von Behren // Physica Status Solidi B. - 1997. - Vol. 204, Iss. 1. - R7-R8.

38. Properties of porous silicon // Edited by L.T. Canham. - 1997. - IEEE INSPEC London.

39. Lehman, V. Pore formation and propagation mechanism in porous silicon / V. Lehman, H. Cerva, U. Gosele // MRS Online Proceeding Library. - 1991. -Vol. 256. - P. 1-6.

40. Credo, G.M. External quantum efficiency of single porous silicon nanoparticles / G.M. Credo, M.D. Mason, S.K. Buratto // Applied Physics Letters. - 1999. -Vol. 74, Iss. 14. - P. 1978-1980.

41. Resonant two-photon excitation of silicon nanocrystals / G. Diener, D. Ko-valev, G. Polisski, F. Koch // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 74, Iss. 22. - P. 3350-3352.

42. Spectroscopic investigation of the luminescence mechanism of highly porous silicon / P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham [et al.] // Journal of Luminescence. - 1993. - Vol. 57, Iss. 1-6. - P. 257-259.

43. Breakdown of the k-conservation rule in Si nanocrystals / D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin [et al.] // Physical Review Letters. - 1998. -Vol. 81, Iss. 13. - P. 2803-2806.

44. Polarization of porous silicon photoluminescence: alignment and built-in ani-sotropy / D. Kovalev, M. Ben Chorin, J. Diener [et al.] // Thin Solid Films. -1996. - Vol. 276, Iss. 1-2. - P. 120-122.

45. Polarization phenomena in the optical properties of porous silicon / F. Koch, D. Kovalev, B. Averboukh [et al.] // Journal of Luminescence. - 1996. -Vol. 70, Iss. 1-6. - P. 320-322.

46. Saturation and voltage quenching of porous silicon luminescence and the importance of the Auger effect / I. Mihalcescu, J.C. Vial, A. Bsiesy [et al.] // Physical Review B. - 1995. - Vol. 51, Iss. 24. - P. 17605-17613.

47. Hole burning spectroscopy of porous silicon / D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin [et al.] // Physical Review B. - 1998. - Vol. 57, Iss. 7. - P. 3741-3744.

48. Tsybeskov, L. Blue emission in porous silicon: oxygen-related photoluminescence / L. Tsybeskov, J.V. Vandyshev, P.M. Fauchet // Physical Review B. -

1994. - Vol. 49, Iss. 11. - P. 7821-7824.

49. Kux, A. Time-delayed luminescence from oxidized porous silicon after ultraviolet excitation / A. Kux, D. Kovalev, F. Koch // Applied Physics Letters. -

1995. - Vol. 66, Iss. 1. - P. 49-51.

50. Kux, A. Time-delayed luminescence from oxidized porous silicon after ultraviolet excitation / A. Kux, D. Kovalev, F. Koch // Thin Solid Films. - 1995. -Vol. 255, Iss. 1-2. - P. 143-145.

51. Koyama, H. Activation of blue emission from oxidized porous silicon by annealing in water vapor / H. Koyama, Y. Matsushita, N. Koshida // Journal of Applied Physics. - 1998. - Vol. 83, Iss. 3. - P. 1776-1778.

52. Can oxidation and other treatments help us understand the nature of light-emitted porous silicon / P. Fauchet, E. Ettedgui, A. Raisanen [et al.] // MRS Online Proceedings Library. - 1993. - Vol. 298. - P. 271-276.

53. Koch, F. Models and mechanisms for the luminescence of porous Si / F. Koch // MRS Online Proceedings Library. - 1993. - Vol. 298. - P. 319-329.

54. Pavesi, L. Luminescence of porous and amorphous hydrogenated silicon / L. Pavesi // Solid State Phenomena. - 1995. - Vol. 44-46. - P. 261-274.

55. Properties of type II interfaces in semiconductor heterojunctions, application to porous silicon / M. Sacilotti, B. Champagnon, P. Abraham [et al.] // Journal of Luminescence. - 1993. - Vol. 57, Iss. 1-6. - P. 33-37.

56. Prokes, S.M. Light emission of thermally oxidized porous silicon: evidence for oxide-related luminescence / S.M. Prokes // Applied Physics Letters. - 1993. -Vol. 62, Iss. 25. - P. 3244-3246.

57. Qin, G.G. Mechanism of visible luminescence in porous silicon / G.G. Qin, Y.Q. Jia // Solid State Communications. - 1993. - Vol. 86, Iss. 9. - P. 559-563.

58. Luminescence and optical properties of siloxene / M. Stutzman, M.S. Brandt, M. Rosenbauer [et al.] // Journal of Luminescence. - 1993. - Vol. 57, Iss. 1-6. - P. 321-330.

59. Xu, Z.Y. Photoluminescence studies on porous silicon / Z.Y. Xu, M. Gal, M. Cros // Applied Physics Letters. - 1992. - Vol. 60, Iss. 11. - P. 1375-1377.

60. Origin of luminescence from porous silicon deduced by synchrotron-light-induced optical luminescence / T.K. Sham, D.T. Jiang, I. Coulthard [et al.] // Nature. - 1993. - Vol. 363. - P. 331-334.

61. Structural and optical properties silicon nanostructures / M. Lannoo, M.G. Allan, C. Delerue [et al.] // Gordon and Breach. Amsterdam. - 1997. - P. 187.

62. Microcrystalline semiconductors: Materials science and Devices / F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik [et al.] // MRS Pittsburgh PA. - 1993. -Vol. 283. - P. 197.

63. Canham, L.T. Handbook of porous silicon / L.T. Canham // Springer International Publishing. Switzerland. - 2014. - 1017 p.

64. Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: the role of oxygen / M.V. Wolkin, J. Jome, P.M. Fauchet [et al.] // Physical Review Letters. - 1999. - Vol. 82, Iss. 1. - P. 197-200.

65. Георгобиани, А.Н. Электролюминесценция полупроводников и полупроводниковых структур / А.Н. Георгобиани // Соросовский образовательный журнал. - 2000.- Т. 6, № 3. - С. 105-111.

66. Gee, A. Electroluminescence at a silicon anode in contact with electrolyte /

A. Gee // Journal of Electrochemical Society. - 1960. - Vol. 107, no.9. -P. 787-788.

67. Electroluminescence in the visible range during anodic oxidation of porous silicon films / A. Halimaoui, C. Oules, G. Bomchil [et al.] // Applied Physics Letters. - 1991. - Vol. 59, Iss. 3. - P. 304-306.

68. Pettinger, B. Electroluminescence in semiconductor electrodes caused by hole injection from electrolytes / B. Pettinger, H.R. Schöppel, H. Gerisher // Berichte der Bunsengesselschaft für physikalische Chemie - 1976. - Vol. 80, Iss. 9. -P. 849-854.

69. Morrison, S.R. Hole injection into silicon from ions in solution / S.R. Morrison // Journal of Applied Physics. - 1982. - Vol. 53, Iss. 2. - P. 1233-1235.

70. Gelloz, B. Electroluminescence with high and stable quantum efficiency and low threshold voltage from anodically oxidized thin porous silicon diode /

B. Gelloz, N. Koshida // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 88, Iss. 7. -P. 4319-4324.

71. Voltage-controlled spectral shift of porous silicon electroluminescence /

A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon [et al.] // Physical Review Letters. - 1993. -Vol. 71, Iss. 4. - P. 637-640.

72. Compositional vibrations of porous silicon layer prior to and during ionbeam analyses / A. Loni, A.J. Simons, L.T. Canham [et al.] // Journal of Applied Physics. - 1994. - Vol. 76, Iss. 5. - P. 2825-2832.

73. Porous silicon and its application for light emitting diodes / L. Pavesi, G. Mari-oto, O. Bisi [et al.] // Physical concepts and materials for novel optoelectronic device application II // SPIE. - 1993. - Vol. 1985. - P. 632-643.

74. Conduction in porous silicon contacted by a liquid phase / B. Gelloz, A. Bsiesy, F. Gaspard, F. Muller // Thin Solid Films. - 1996. - Vol. 276, Iss. 12. -P. 175-178.

75. Gelloz, B. Light-induced porous silicon photoluminescence quenching /

B. Gelloz, A. Bsiesy, R. Herino // Journal of Luminescence. - 1999. - Vol. 82, Iss. 3. - P. 205-211.

76. Gelloz, B. Electrically induced luminescence quenching in p+-type and anodi-cally oxidized n-type wet porous silicon / B. Gelloz // Journal of Applied Physics. - 2003. - Vol. 94, Iss. 4. - P. 2381-2389.

77. Gelloz, B. Carrier transport mechanisms in porous silicon contact with a liquid phase: a diffusion process / B. Gelloz, A. Bsiesy // Applied Surface Science. -1998. - Vol. 135, Iss. 1-4. - P. 2381-2389.

78. Photonic porous silicon-based hybrid particles by soft lithography / H. Cheng, X. Zhou, S.K. Tsang [et al.] // Physica Status Solidi. - 2011. - Vol. 8, Iss. 6. -P. 1754-1758.

79. Electroluminescence porous silicon devices with the external quantum efficiency greater than 0,1 % under CW operation / A. Loni, L.T. Canham, A.J. Simons, T.I. Cox // Electronic Letters. - 1995. - Vol. 31, Iss. 15 - P. 1288-1289.

80. Lalic, N. Characterization of a porous silicon diode with efficient and tunable electroluminescence / N. Lalic, J. Linros // Journal of Applied Physics. - 1996. - Vol. 80, Iss. 10. - P. 5971-5977.

81. Tsybeskov, L. Photoluminescence and electroluminescence in partially oxidized porous silicon / L. Tsybeskov, S.P. Duttagupta, P.M. Fauchet // Solid State Communications. - 1995. - Vol. 97, Iss. 7. - P. 429-433.

82. Gelloz, B. Electroluminescence with high and stable quantum efficiency and low threshold voltage from anodically oxidized thin porous silicon diode / B. Gelloz, N. Koshida // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 88, Iss. 7. -P. 4319-4324.

83. Gelloz, B. Stable electroluminescence of nanocrystalline silicon device activated by high pressure water vapor annealing / B. Gelloz, T. Shibata, N. Koshida // Applied Physics Letters. - 2006. - Vol. 89, Iss. 19. - P. 191103 (1-3).

84. Peng, C. Carrier transport in porous silicon light-emitting devices / C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet // Journal of Applied Physics. - 1996. - Vol. 80, Iss. 1. - P. 295-300.

85. Gelloz, B. Mechanism of remarkable enhancement in the light emission from nanocrystalline porous silicon annealed in the high-pressure water vapor / B. Gelloz, Koshida N. // Journal of Applied Physics. - 2005. - Vol. 98, Iss. 12. - P. 123509 (1-6).

86. Gelloz, B. Highly efficient and stable photoluminescence of nanocrystalline porous silicon by combination of chemical modification and oxidation under high pressure / B. Gelloz, N. Koshida // Japan Journal of Applied Physics. -2007. - Vol. 46, no. 4B. - P. 2429-2433.

87. Canham, L.T. Progress towards understanding and exploiting the luminescent properties of highly porous silicon, in: Optical properties of low dimensional silicon structures / L.T. Canham // Kluwer Academic Publishers. Dordrecht. -1993. - P. 81-94.

88. Anodic oxidation of porous silicon layers formed on lightly p-doped substrates / A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Herino [et al.] // Journal of Electrochemical Society. - 1991. - Vol. 138, no. 11. - P. 3450-3456.

89. Canham L.T. Chemical composition of intentionally oxidized porous silicon/ L.T.Canham // in: L.T. Canham (Ed.), Properties of Porous Silicon, IEE INSPEC. The Institution of Electrical Engineers. London. - 1997. - P. 158-162.

90. Photoluminescence of porous silicon, oxidized and deoxidized chemically / A. Nakajima, T. Itakura, S. Watanabe, N. Nakayama // Applied Physics Letters. - 1992. - Vol. 61, Iss. 1. - P. 46-48.

91. Large blue shift of light emitting porous silicon by boiling water treatment / X.Y. Hou, G. Shi, W. Wang [et al.] // Applied Physics Letters. - 1992. -Vol. 62, Iss. 10. - P. 1097-1098.

92. Improved capping layers for suppression of ambient ageing in porous silicon / T. Giaddui, L.G. Earwaker, K.S. Forcey [et al.] // Journal of Physics D: Applied Physics. - 1998. - Vol. 31, Iss. 10. - P. 1131-1136.

93. Tsybeskov, L. Photoluminescence and electroluminescence in partially oxidized porous silicon / L. Tsybeskov, S.P. Duttagupta, P.M. Fauchet // MRS Proceedings. - 1994. - Vol. 358. - P. 683-688.

94. Diethylsilane decomposition on silicon surface studied using transmission FTIR spectroscopy / A. C. Dillon, M.B. Robinson, M.Y. Han, S.M. George // Journal of Electrochemical Society. - 1992. - Vol. 139, no. 2. - P. 537-543.

95. Glass, J.A. FTIR studies of CH3OH on porous silicon / J.A. Glass, J.A. Wovchko, J.T. Yates // MRS Proceedings. - 1994. - Vol. 358. - P. 399-404.

96. Reciprocal space analysis of the microstructure of luminescent and non-luminescent porous silicon films / S.R. Lee, J.C. Barbour, J.W. Medernach [et al.] // MRS Proceedings. - 1994. - Vol. 358. - P. 417-422.

97. Kim, N.Y. Thermal Derivatization of Porous Silicon with Alcohols / N.Y. Kim, Laibinis P.E. // Journal of American Chemical Society. - Vol. 119, no. 9. - P. 2297-2298.

98. The effect of surface species on the photoluminescence of porous silicon / K.H. Li, C. Tsai, J.C. Campbell [et al.] // Journal of Electronic Materials. -1994. - Vol. 23, no. 4. - P. 409-412.

99. Surface reactivity of luminescent porous silicon / J.L. Coffer, S.C. Lilley, R.A. Martin, L.A. Files-Sesler // Journal of Applied Physics. - 1993. - Vol. 74, Iss. 3. - P. 2094-2096.

100. Buriak, J.M. Photoluminescence of porous silicon surfaces stabilized through Lewis acid mediated hydrosilylation / J.M. Buriak, M.J. Allen // Journal of Luminescence. - 1998. - Vol. 80, Iss. 1-4. - P. 29-35.

101. Chen, Q. Strong and stable ultraviolet luminescence in porous silicon in situ passivated by manganese / Q. Chen, D.L. Zhu, Y.H. Zhang // Applied Physics Letters. - 2000. - Vol. 77, Iss. 6. - P. 854-856.

102. Esmer, K. Influence of alkali metallization (Li, Na and K) on photoluminescence properties of porous silicon / K. Esmer, E. Kayaham // Applied Surface Science. - 2009. - Vol. 256, Iss. 5. - P. 1548-1552.

103. Photoluminescence enhancement and stabilization of porous silicon passivated by iron / M. Rahmani, A. Moadhen, M.-A. Zaïbi [et al.] // Journal of Luminescence. - 2008. - Vol. 128, Iss. 11. - P. 1763-1766.

104. Enhancement of porous silicon photoluminescence by electroless deposition of 1nickel / S. Amdouni, M. Rahmani, M.-A. Zaïbi [et al.] // Journal of Luminescence. - 2015. - Vol. 157, Iss. 1. - P. 93-97.

105. Optical study of annealed cobalt-porous silicon nanocomposites / M.B. Bou-zouraa, M. Rahmani, M.-A. Zaïbi [et al.] // Journal of Luminescence. - 2013. -Vol. 143, Iss. 2. - P. 521-525.

106. Electrochemical deposition of cerium on porous silicon to improve photoluminescent properties / M. Atyaoui, W. Dimassi, G. Monther [et al.] // Journal of Luminescence. - 2012. - Vol. 132, Iss. 1. - P. 277-281.

107. Influence of gold nanoparticles deposition on porous silicon properties / M. Hosny, W. Dimassi, I. Haddadi, H. Ezzaouia // Sensors and Transducers. -2014. - Vol. 27. - P. 202-208.

108. Gaspard, F. Electrical properties of thin anodic silicon dioxide layers grown in pure waters / F. Gaspard, A. Halimaoui, G. Sarabayrouse // Revue de Physique Appliquée. - 1987. - Vol. 22, no. 1. - P. 65-69.

109. Ян, Д.Т. Электронная структура, оптические и люминесцентные свойства слоев пористого кремния : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д.Т. Ян. - Владивосток, 2002. - 145 с.

110. Сильная фотоиндуцированная люминесценция анодно-окисленного пористого кремния / В.Г. Голубев, А.В. Жерздев, Г.К. Мороз [и др.] / Физика и техника полупроводников. - 1996. - Т. 30, № 5. - С. 853-858.

111. Mechanism of visible-light emission from electro-oxidized porous silicon / J.C. Vial, A. Bsiesy, F.Gaspard [et al.] // Physical Review B. - 1992. - Vol. 45, Iss. 24. - P. 14171-14176.

112. X-ray study of the anodic oxidation of p+ porous silicon / D. Bellet, S. Billat, G. Dolino [et al.] // Solid State Communications. - 1993. - Vol. 86, Iss. 1. -P. 51-54.

113. Galkin, N.G. Optical and photospectral properties of CrSi2 A-type epitaxial films on Si (111) / N.G. Galkin, A.M. Maslov, A.V. Konchenko // Thin Solid Films. - 1997. - Vol. 311, Iss. 1-2. - P. 230-238.

114. Ландау, Л.Д. Квантовая механика / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. -Москва : Физматгиз, 1963. - 751 с.

115. Gerischer, H. The mechanism of the anodic oxidation of silicon in acidic fluoride solutions revisited / H. Gerischer, H.P. Allongue, V. Costa Kieling // Berichte der Bunsengesselschaft für physikalische Chemie. - 1993. - Vol. 97, Iss. 6. - P. 753-756.

116. Searson, P. The anodic dissolution of silicon in HF solutions / P. Searson, X. Zhang // Journal of Electrochemical Society. - 1990. - Vol. 137, no. 8. -P. 2539- 2546.

117. Mechanism of HF etching of silicon surfaces - a theoretical understanding of hydrogen passivation / G. Trucks, K. Raghavachari, G. Higashi, Y.J. Chabal // Physical Review Letters. - 1990. - Vol. 65, Iss. 4. - P. 504-507.

118. Günzler, H. IR spectroscopy: an introduction / H. Günzler, H.-U. Gremlich // Wiley-VCH, Weinheim. - 2002. - 374 p.

119. Stuart, B.H. Infrared spectroscopy: fundamentals and applications / B.H. Stuart // Wiley. Hoboken, 2004. - 224 p.

120. Tolstoy, V.P. Handbook of infrared spectroscopy of ultra-thin films / V.P. Tolstoy, I.V. Chernyshova, V.A. Skryshevsky // Wiley-VCH. New York. - 2003. - 710 p.

121. Thermal hydrosilylation of undecylenic acid with porous silicon / R. Bou-kherroub, J. Wojtyk, D. Wayner, D.J. Lockwood // Journal of Electrochemical Society. - 2002. - Vol. 149, no. 2. - H59-H63.

122. Kato, Y. Initial oxidation process of anodized porous silicon with hydrogen atoms chemisorbed on the inner surface / Y. Kato, T. Ito, A. Hiraki // Japan Journal of Applied Physics. - 1988. - Vol. 27, no. 8A. - L1406-L1409.

123. Lucovsky, G. Structural interpretation of the vibrational-spectra of a-Si:H alloys / G. Lucovsky, R. Nemanich, J. Knights // Physical Review B. - 1979. -Vol. 19, Iss. 4. - P. 2064-2073.

124. Hydrogen in porous silicon - vibrational analysis of SiHx species / Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, M. Iwasaki // Journal of Electrochemical Society. - 1995. -Vol. 142, no. 1. - P. 195-201.

125. N2-based thermal passivation of porous silicon to achieve long-term optical stability / T.D. James, G. Parish, C.A. Musca, A. Keating // Electrochemical and Solid-State Letters. - 2010. - Vol. 13, no. 12. - H428-H431.

126. Johnson, F. Critical-point analysis of phonon spectra of diamond, silicon and germanium / F. Johnson, R. Loudon // Proceedings of the Royal Society A. -1964. - Vol. 281, Iss. 1385. - P. 274-290.

127. Knights, J. Hydrogen-bonding in silicon-hydrogen alloys / J. Knights, G. Lucovsky, R. Nemanich // Philosophical Magazine B. - 2006. - Vol. 37, Iss. 4. -P. 467-475.

128. Changes in the environment of hydrogen in porous silicon with thermal annealing / Y. Ogata, F. Kato, T. Tsuboi, T. Sakka // Journal of Electrochemical Society. - 1998. - Vol. 145, no. 7. - P. 2439-2444.

129. Characterization of the carbon-silicon stretch in methylated porous silicon -observation of an anomalous isotope shift in the FTIR spectrum / C.A. Canaria,

I.N. Lees, A.W. Wun [et al.] // Inorganic Chemistry Communications. - 2002. - Vol. 5, Iss. 8. - P. 560-564.

130. Chabal, Y.G. Surface infrared study of Si (100)-(2x1) H / Y.G. Chabal, K. Raghavachari // Physical Review Letters. - 1984. - Vol. 53, Iss. 3. -P. 282-285.

131. Unagami, T. Formation mechanism of porous silicon layer by anodization in HF solution / T. Unagami // Journal of Electrochemical Society. - 1980. -Vol. 127, Iss. 2. - P. 476-483.

132. Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n- и p-типа, методами XANES и ИК спектроскопии / A.C. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, № 9. - С. 1229-1234.

133. Effects of hydrogen-atoms on passivation and growth of microcrystalline Si / T. Ito, T. Yasumatsu, H. Watabe, A. Hiraki // MRS Symposium Proceedings. -1989. - Vol. 164. - P. 205-210.

134. Settle, F. Handbook of instrumental techniques for analytical chemistry / F. Settle // Prentice Hall. Upper Saddle River. - 1997. - 979 р.

135. Gupta, P. Hydrogen desorption-kinetics from monohydride and dihydride species on silicon surfaces / P. Gupta, V. Colvin, S. George // Physical Review B. -1988. - Vol. 37, Iss. 14. - P. 8234-8243.

136. Gupta, P. FTIR studies of H2O and D2O decomposition on porous silicon surfaces / P. Gupta, A. Dillon, A. Bracker // Surface Science. - 1991. -Vol. 245, Iss. 3. - P. 360-372.

137. Porosity and pore-size distributions of porous silicon layers / V.A. Barrows, Y.Chabal, G. Higashi [et al.] // Applied Physics Letters. - 1998. - Vol. 53, Iss.

II. - P. 998-1000.

138. Infrared-spectroscopy of Si (111) surfaces after HF treatment - hydrogen termination and surface-morphology / V.A. Burrows, Y. Chabal, G. Higashi [et al.] //Applied Physics Letters. - 1988. - Vol. 53, Iss.11. - P. 998-1000.

139. Oxidation of porous silicon under water-vapor environment / Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, M. Iwasaki // Journal of Electrochemical Society. - 1995. -V. 142, Iss. 5. - P. 1595-1601.

140. Unagami, T. Oxidation of porous silicon and properties of its oxide film / T. Unagami // Japan Journal of Applied Physics. - 1980. - Vol. 19, no. 2. -P. 231-241.

141. Rao, A. In situ Fourier-transform electromodulated infrared study of porous silicon formation - evidence for solvent effects on the vibrational linewidths / A. Rao, F. Ozanam, J. Chazalviel // Journal of Electrochemical Society. -1991. - Vol. 138, no. 1. - P. 153-159.

142. Garbowski, E. Electronic spectroscopy / E. Garbowski, H. Praliand // Ime-lik B., Vedrine J.C. (Eds), Catalyst Characterization. Fundamental and Applied Catalysis // Springer. Boston. MA. - 1994. - P. 61-89.

143. Ivanda, M.R. Raman spectroscopy of porous silicon / M.R. Ivanda // L. Can-ham. Handbook of porous silicon // Springer International Publishing AG, part of Springer Nature. - 2018. - P. 611-620.

144. Gregora, I. Raman investigation of light-emitting porous silicon layers: Estimate of characteristic crystallite dimensions / I. Gregora, B. Champagnon, A.J. Halimaoui // Journal of Applied Physics. - 1994. - Vol. 75, Iss. 6. -P. 3034-3039.

145. Campbell, I.H. The effects of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors / I.H. Campbell, P.M. Fauchet // Solid State Communications. - 1986. - Vol. 58, Iss. 10. - P. 739-741.

146. Киттель, Ч. Введение в физику твердого тела / Ч. Киттель. - Москва : Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1966. -790 с.

147. Koyama, H. Laser-induced thermal effects on the optical properties of freestanding porous silicon films / H. Koyama, P.M. Fauchet // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 87, Iss. 4. - P. 1788-1794.

148. Laser heating in porous silicon studied by micro-Raman spectroscopy / S. Manotas, S.F. Agullo-Rueda, J.D. Moreno [et al.] // Physica Status Solidi A.

- 2000. - Vol. 182, Iss. 1. - P. 331-334.

149. Measurement of porous silicon thermal conductivity by micro-Raman scattering / S. Perichon, V. Lysenko, B. Remaki [et al.] // Journal of Applied Physics.

- 1999. - Vol. 86, Iss. 8. - P. 4700-4702.

150. Raman spectroscopy of nanostructured silicon fabricated by metal-assisted chemical etching / I. Iatsunskyi, S. Jurga, V. Smyntyna [et al.] // Proceedings of SPIE: International Society for Optics and Photonics. - 2014. - Vol. 9132. -P. 913217:1-7.

151. Papadimitriou, D. High-pressure studies of photoluminescence in porous silicon / D. Papadimitriou, Y.S. Raptis, A.G. Nassiopoulou // Physical Review B.

- 1998. - Vol. 58, Iss. 21. - P. 14089-14093.

152. Studies of silicon nanoparticles uptake and biodegradation in cancer cells by Raman spectroscopy / E. Tolstik, L.A. Osminkina, C. Matthäus [et al.] // Na-nomedicine: Nanotechnology, Biology and Medicine. - 2016. - Vol. 12, Iss.7.

- P. 1931-1940.

153. Kuzik, L.A. Raman scattering enhancement in porous silicon microcavity / L.A. Kuzik, V.A. Yakovlev, G. Mattei // Applied Physics Letters. - 1999. -Vol. 75, Iss. 13. - P. 1830-1832.

154. Observation of folded acoustic phonons in a porous silicon superlattice / X.L. Wu, F. Yan, F.M. Pan [et al.] // Applied Physics Letters. - 1996. -Vol. 68, Iss. 5. - P. 611-612.

155. Enhanced-Raman scattering from silicon nanoparticle substrates / F.M. Liu, B. Ren, J.H. Wu [et al.] // Chemical Physics Letters. - 2003. - Vol. 382, Iss. 5-6.

- P. 502-507.

156. Raman study of free-standing porous silicon / H. Tanino, A. Kuprin, H. Deai, N. Koshida // Physical Review B. - 1996. - Vol. 53, Iss. 4. - P. 1937-1947.

157. Tuning the pore wall morphology of mesoporous silicon from branchy to smooth, tubular by chemical treatment / P. Kumar, T. Hofmann, K. Knorr [et al.] // Journal of Applied Physics. - 2008. - Vol. 103, Iss. 2. - P. 024303:1-6.

158. Modified Raman confinement model for Si nanocrystals / G. Faraci, S. Gibil-isco, P. Russo [et al.] // Physical Review B. - 2006. - Vol. 73, Iss. 3. -P. 033307(1-4).

159. Irmer, G. Raman scattering of nanoporous semiconductors / J. Irmer // Journal of Raman Spectroscopy. - 2007. - Vol. 38, Iss. 6. - P. 634-646.

160. Phonon confinement effects in Raman spectra of porous silicon at non-resonant excitation condition / M. Kosovic, O. Gamulin, M. Balarin [et al.] // Journal of Raman Spectroscopy. - 2014. - Vol. 45, Iss. 6. - P. 470-475.

161. Size-selective resonant Raman scattering in CdS doped glasses / L. Saviot, B. Champagnon, E. Duval, A.I. Ekimov // Physical Review B. - 1998. -Vol. 57, Iss. 1. - P. 341-346.

162. Raman analysis of light-emitting porous silicon / Z. Sui, P.P. Leong, I.P. Herman [et al.] // Applied Physics Letters. - 1992. - Vol. 60, Iss. 17. -P. 2086-2088.

163. Determination of nanosized particles distribution by low frequency Raman scattering: comparison to electron microscopy / M. Ivanda, A.M. Tonejc, I. Djerdj [et al.] // in: Watanabe Y., Heun S., Salviati G., and Yamamoto N. Nanoscale spectroscopy and its applications to semiconductor researce. Lecture notes in physics. Springer. Berlin. - 2002. - P. 16-27.

164. Kozlowski, F. Spatially resolved Raman measurements at electroluminescent porous n-silicon / F. Kozlowski, W. Lang // Journal of Applied Physics. -1992. - Vol. 72, Iss. 11. - P. 5401-5408.

165. Ristic, D. Application of the phonon confinement model on the optical phonon mode of silicon nanoparticles / D. Ristic, Ivanda M., Furic K. // Journal of Molecular Structure. - 2009. - Vol. 924-926. - P. 291-293.

166. Duan, Y. Raman investigation of silicon nanocrystals: quantum confinement and laser-induced thermal effects / Y. Duan, J.F. Kong, W.Z. Shen // Journal of Raman Spectroscopy. - 2012. - Vol. 43, Iss. 6. - P. 756-760.

167. Lamb, H. On the vibrations of an elastic sphere / H. Lamb // Proceedings of the London Mathematical Society. - 1881. - Vol. 13, Iss. 1. - P. 189-212.

168. Raman shifts in Si nanocrystals / J. Zi, H. Buscher, C. Falter [et al.] //Applied Physics Letters. - 1996. - Vol. 69, Iss. 2. - P. 200-202.

169. Campbell, I.H. The effects of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors / I.H. Campbell, P.M. Fauchet // Solid State Communications. - 1986. - Vol. 58, Iss. 10. - P. 739-741.

170. Lehman, V. Porous silicon formation: a quantum wire effect / V. Lehmann, U. Gosele // Applied Physics Letters. - 1991. - Vol. 58, Iss. 8. - P. 856-858.

171. Improved one-phonon confinement model for an accurate size determination of silicon nanocrystals / V. Paillard, P. Puech, M.A. Laguna [et al.] // Journal of Applied Physics. -1999. -Vol. 86, Iss. 4. - P. 1921-1924.

172. A detailed Raman study of porous silicon / H. Münder, C. Andrzejak, M. Berger [et al.] // Thin Solid Films. - Vol. 221, Iss. 1-2. - 1992. - P. 27-33.

173. Experimental observation of surface modes of quasifree clusters / F.M. Liu, L. Liao, G. Wang [et al.] // Physical Review Letters. - 1996. - Vol. 76, Iss. 4. -P. 604-607.

174. Mariotto, G. Light-emitting porous silicon: a structural investigation by high spatial resolution Raman spectroscopy / G. Mariotto, F. Ziglio, F.L. Freire // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1995. - Vol. 192-193. - P. 253-257.

175. Depth-resolved microspectroscopy of porous silicon multilayers / S. Manotas, F. Agullo-Rueda, J.D. Moreno [et al.] // Applied Physics Letters. - 1999. -Vol. 75, Iss. 7. - P. 977-979.

176. Montagna, M. Raman scattering from small spherical particles / M. Monta-gna, Dusi R. // Physical Review B. - 1995. - Vol. 52, Iss. 14. - P. 10080-10089.

177. Lehmann V. Electrochemistry of silicon / V. Lehmann // Wiley-VCH Verlag GmbH. Weinheim. - 2002. - Vol. 3.

178. Optical emission from SiO2-embedded silicon nanocrystals: a high-pressure Raman and photoluminescence study / J. Ibánez, S. Hernández, J. López-Vidrier [et al.] // Physical Review B. - 2015. - Vol. 92, Iss. 3. - 035432:1-7.

179. Fauchet, P.M. Raman spectroscopy of low-dimensional semiconductors / P.M. Fauchet, I.H. Campbell // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. - 1988. - Vol. 14, Iss. Sup.1. - S. 79-101.

180. Richter, H. The one phonon Raman spectrum in micro-crystalline silicon / H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley // Solid State Communications. - 1981. -Vol. 39, Iss. 5. - P. 625-629.

181. Kim, H. Morphological and nanostructural features of porous silicon prepared by electrochemical etching / H. Kim, N. Cho // Nanoscale Research Letters. -2012. - Vol. 7, Iss. 1. - P. 408-415.

182. Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: the role of oxygen / M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet [et al.] // Physical Review Letters. - 1999. - Vol. 82, Iss. 1. - P. 197-200.

183. Guider, R. Mechanical stress relief in porous silicon free standing membranes / R. Guider, C. Traversa, P. Bettotti // Optical Materials Express. - 2015. -Vol. 5, Iss. 10. - P. 2128-2135.

184. Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken [et al.] // Applied Physics Letters. - 2002. - Vol. 80, Iss. 25. - P. 4834-4836.

185. Raman investigation with excitation of various wavelength lasers on porous silicon / S. Zhang, Y. Hou, K. Ho [et al.] // Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 72, Iss. 9. - P. 4469-4471.

186. Thermal decomposition of silicon-rich oxides deposited by the LPCVD method / D. Ristic, M. Ivanda, K. Furie [et al.] // Proceedings of the 34th International Convention MIPRO. Opatija. Croatia. - 2011. - P. 25-26.

187. Saar, A. Photoluminescence from silicon nanostructures: the mutual role of quantum confinement and surface chemistry / A. Saar // Journal of Nanopho-tonics. - 2009. - Vol. 3, Iss. 1. - P. 032501:1-42.

188. Direct evidence for the amorphous silicon phase in visible photoluminescent porous silicon / J.M. Perez, J. Villalobos, P. McNeill [et al.] // Applied Physics Letters. - 1992. - Vol. 61, Iss. 5. - P. 563-565.

189. Tsu, R. Correlation of Raman and photoluminescence spectra of porous silicon / R. Tsu, H. Shen, M. Dutta // Applied Physics Letters. - 1992. - Vol. 60, Iss. 1. - P. 112-114.

190. Raman scattering of acoustical modes of silicon nanoparticles embedded in silica matrix / M. Ivanda, A. Hohl, M. Montagna [et al.] // Journal of Raman Spectroscopy. - 2006. - Vol. 37, Iss. 1-3. - P. 161-165.

191. Englert, T. Determination of existing stress in silicon films on sapphire substrate using Raman spectroscopy / T. Englert, G. Abstreiter, J. Pontcharra // Solid State Electronics. - 1980. - Vol. 23, Iss. 1. - P. 31-33.

192. Spontaneous Raman emission in porous silicon at 1,5 ^m and prospects for a Raman amplifier/ L. Sirleto, M.A. Ferrara, B. Jalali, I. Rendina // Journal of Optics A: Pure and Applied Optics. - 2006. -Vol. 8, Iss. 7. - S574-S577.

193. Monte-Carlo determination of crystallite size of porous silicon from X-ray line broadening / R.J. Martin-Palma, L. Pascual, P. Herrero, J.M. Martinez-Duart // Applied Physics Letters. - 2005. - Vol. 87, Iss. 21. - 211906:1-3.

194. Islam, M.N. Effects of crystallite size distribution on the Raman scattering profiles of silicon nanostructures / M.N. Islam, Pradhan A., Kumar S. // Journal of Applied Physics. - 2005. - Vol. 98, Iss. 2. - 024309:1-6.

195. Goodhew, P.J. Electron microscopy and analysis, 3rd edition / P.J. Goodhew, J. Humphreys, R. Beanland // Taylor & Francis. New York. - 2001. - 254 p.

196. Canham L.T. Properties of porous silicon / L.T. Canham // Institution of Engineering and Technology. - London, 1997. - 399 p.

197. Lehmann, V. Electrochemistry of silicon: instrumentation, science, materials and applications / V. Lehmann // Wiley-VCH. Weinheim. - 2002. - 271 p.

198. Sailor, M.J. Porous silicon in practice / M.J. Sailor //Wiley-VCH.Weinheim.-2011. - 249 p.

199. Highly flexible method for the fabrication of photonic crystal slabs based on the selective formation of porous silicon / G. Recio-Sancez, Z.Y. Dang, V. Torres-Costa [et al.] // Nanoscale Research Letters. - 2012. - Vol. 7, Iss. 1. - p. 449-456.

200. Image processing for the characterization of porous silicon nanostructure / W. Ludurczak, O. Garel, Y. Berthoumieu [et al.] // Springer International Publishing Switzerland. - 2018. - 1017 р.

201. Nanostructures formed by displacement of porous silicon with copper: from nanoparticles to porous membranes / H. Bandarenka, S. Redko, A. Smirnov [et al.] // Nanoscale Research Letters. - 2012. - Vol. 7, Iss. 1. - P. 477:1-10.

202. Grantizer, P. Magnetic nanoparticles embedded in a silicon matrix / P. Grantizer, K. Rumpf // Materials. - 2011. - Vol. 4, Iss. 5. - P. 908-928.

203. High-resolution imaging with SEM/T-SEM, EDX and SAM as a combined methodical approach for morphological and elemental analyses of single engineering nanoparticles / S. Rades, V.D. Hodoroaba, T. Salge [et al.] // Royal Society of Chemistry Advances. - 2014. - Vol. 4, Iss. 91 - P. 49577-49587.

204. Kanemitsu, Y. Luminescence properties of nanometer-sized Si crystallites: Core and surface states / Y. Kanemitsu // Physical Review B. - 1994. -Vol. 49, Iss. 23. - P. 16845-16848.

205. Andersen, O.K. Experimental study of the energy-band structure of porous silicon / O.K. Andersen, E. Veje // Physical Review B. - 1996. - Vol. 53, no. 23. - P. 15643-15652.

206. Оптические функции и оценка ширины запрещенной зоны пористого кремния с различной толщиной в диапазоне энергий фотонов 0,1-6,2 эВ / Н.Г. Галкин, Д.Т. Ян, К.Н. Галкин, А.М. Маслов // Физика, фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы Всероссийской научной конференции. - Хабаровск, 2024. - С. 146-156.

207. Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит. - Москва : Мир, 1982. - 558 с.

208. Handbook of optical constant of solids / Ed. By E. Palik. - New York, 1985. -Vol. 1. - 804 p.

209. Ян, Д.Т. Оптические свойства и параметры зонной структуры тонких слоев пористого кремния в диапазоне энергий 0,1-6,2 эВ / Д.Т. Ян // Наносистемы: физика, химия, математика. - 2011. - Т. 2, № 1. - С. 116-120.

210. Delerue, C. Optical bandgap of Si nanoclusters / C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo // Journal of Luminescence. - 1999. - Vol. 80, Iss. 1-4. - P. 65-71.

211. Optical properties of passivated Si nanocrystals and SiOx nanocrystals / L.N. Dinh, L.L. Chase, M. Balooch, F.Wooten // Physical Review B. - 1996. -Vol. 54, no. 7. - P. 5029-5037.

212. Влияние типа поверхностных связей в мезопористом кремнии на кинетику фотолюминесценции при длительном хранении / Н.Г. Галкин, Д.Т. Ян, К.Н. Галкин, С.В. Чусовитина // Химическая физика и мезоско-пия. - 2020. - Т. 22, № 2. - C. 143-154.

213. Aging behaviour of photoluminescence in porous silicon / Y. Fukuda, K. Fu-ruya, N. Ishikawa [et al.] // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82, Iss. 11. - P. 5718-5721.

214. Pankov, J.I. Optical process in semiconductors / J.I. Pankov // Dover Books on Physics. - New York, 2010. - 448 p.

215. Luminescence degradation in porous silicon / M.A. Tischler, R.T. Colins, J.H. Stathis, J.C. Tsang // Applied Physics Letters. - 1992. - Vol. 60, Iss. 5. -P. 639-641.

216. Infrared spectroscopy and secondary ion mass spectrometry of luminescent, non-luminescent and metal quenched porous silicon / J Hillard, D. Ansager L.A. Hassan [et al.] // Journal of Applied Physics. - 1994. - Vol. 76, Iss. 4. -P. 2423-2428.

217. Tsubeskov, L. Correlation between photoluminescence and surface species in porous silicon: Low temperature annealing / L. Tsubeskov, P.M. Fauchet // Applied Physics Letters. - 1994. - Vol. 64, Iss. 15. - P. 1983-1985.

218. Gardelis, S. The effect of surface modification on the luminescence of porous silicon / S. Gardelis, B. Hamilton // Journal of Applied Physics. - 1994. -Vol. 76, Iss. 9. - P. 5327-5333.

219. Prokes, S.M. Study of the luminescence mechanism in porous silicon structures / S.M. Prokes // Journal of Applied Physics. - 1993. - Vol. 73, Iss.1. -P. 407-413.

220. Light emission phenomena from porous silicon: Siloxene compounds and quantum size effect / H.J. Lee, Y.H. Seo, D.H. Oh [et al.] // Journal of Applied Physics. - 1994. - Vol. 75, Iss. 12. - P. 8060-8065.

221. Chang, I.M. Light emitting mechanism of porous silicon / I.M. Chang, Y.F. Chen // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82, Iss. 7. - P. 3514-3518.

222. Origin of Porous Silicon Photoluminescence Peaks in the Wavelength Range 460-700 nm / E.N. Abramova, A.M. Khort, A.G. Yakovenko [et al.] // Dokla-dy Chemistry. - 2018. - Vol. 481. - P. 166-169.

223. Karacali, T. Aging of porous silicon and the origin of blue shift / T. Karacali, B. Cakmak and H. Efeoglu // Optics Express. - 2003. - Vol. 11, Iss. 10. -P. 1237-1242.

224. Quantum confinement contribution to porous silicon photoluminescence spectra / D.W. Cooke, R.E. Muenchausen, B.L. Bennett [et al.] // Journal of Applied Physics. - 2004. - Vol. 96, Iss. 1. - P. 197-202.

225. Islam, M.N. Influence of surface states on the photoluminescence from silicon nanostructures / M.N. Islam, S. Kumar // Journal of Applied Physics. - 2003. -Vol. 93, Iss. 3. - P. 1753-1759.

226. Allan, G. Nature of Luminescent Surface States of Semiconductor Nanocrys-tallites / G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo // Physical Review Letters. - 1996. -Vol. 76, Iss. 16. - P. 2961-2964.

227. Ян, Д.Т. Люминесцентные свойства пористого кремния / Д.Т. Ян // Оптический журнал. - 2013. - Т. 80, № 7. - С. 21-26.

228. Ян, Д.Т. К вопросу о механизме люминесценции наноструктур пористого кремния / Д.Т. Ян, Н.Г. Галкин // Оптика и спектроскопия. - 2015. -Т. 119, № 5. - С. 741-744.

229. Плаченов, Т.Г. Порометрия / Т.Г. Плаченов, С.Д. Колосенцев. - Ленинград : Химия, 1988. - 176 с.

230. Завадский, С.А. Гравиметрические методы определения пористости анодно обработанного кремния / С.А. Завадский, А.В. Бондаренко // Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники. - 2017. - № 8. - С. 21-25.

231. Porosity and pore size distributions of porous silicon layers / R. Herino, G. Bomchil, K. Barla [et al.] // Journal of Electrochemical Society. - 1996. -Vol. 134, Iss. 8. - P. 1994-2000.

232. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon / C. Pickering, M.I. Beale, D.I. Robbins [et al.] // Journal of Physics C Solid State Physics. - 1984. - Vol. 17, Iss. 35. -P. 6535-6552.

233. Stable photoluminescence and electroluminescence from porous silicon / P.M. Fauchet, L. Tsybekov, S. P. Duttagupta, K.D. Hirschman // Thin Solid Films. - 1998. - Vol. 297, Iss. 1-2. - P. 254-260.

234. Atmospheric impregnation of porous silicon at room temperature / L.T. Can-ham, M.R. Houlton, W.Y. Leong [et al.] // Journal of Applied Physics // Thin Solid Films. - 1998. - Vol. 313-314, Iss.1. - P. 459-463.

235. Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсометрические исследования / Е.В. Астрова, В.Б. Воронков, А.Д. Ременюк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т. 33, № 10. - С. 1264-1270.

236. Ратников, В.В. Определение пористости синтетических опалов и пористого кремния рентгеновским методом / В.В. Ратников // Физика твердого тела. - 1997. - Т. 39, № 5. - С. 956-958.

237. Установление взаимосвязи между коэффициентами отражения, преломления и показателем пористости для слоев мезопористого кремния с различной морфологией поверхности / Н.Г. Галкин, Д.Т. Ян, К.Н. Галкин, А.В. Непомнящий // Химическая физика и мезоскопия. - 2021. - Т. 23, № 4. - С. 420-430.

238. Photoluminescence of high porosity and electrochemically oxidized porous silicon layers / A. Bsiesy, J.C. Vial, F. Gaspard [et al.] // Surface Science. -1991. - Vol. 254, Iss. 1-3. - P. 195-200.

239. Ян, Д.Т. Влияние лазерного возбуждения на фотолюминесценцию анод-ноокисленного пористого кремния / Д.Т. Ян // Оптический журнал. -2010. - Т. 77, № 8. - С. 67-71.

240. Mechanism of visible-light emission from electro-oxidized porous silicon // J.C. Vial, A. Bsiesy, F. Gaspard [et al.] // Phys. Rev. B. - 1992. - Vol. 45, Iss. 24. - P. 14171-14176.

241. X-ray study of anodic oxidation of p+ porous silicon / B. Bellet, S. Billat, G. Dolino [et al.] // Surface Science. - 1991. - Vol. 254, Iss. 1-3. - P. 195-200.

242. Galkin, N.G. Mechanism of luminescence of porous silicon / N.G. Galkin, D.T. Yan // Proceeding of SPIE. - 2017. - P. 101761W-101765W.

243. Баимбетов, Ф.Б. Обработка поверхности кремния импульсной азотной плазмой / Ф.Б. Баимбетов, Б.М. Ибраев, А.М. Жукешов // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, № 2. - С. 197-198.

244. Morphology, optical properties and band structure parameters of nanocrystal-line silicon modified by compressive plasma flow / N.G. Galkin, E.A. Chuso-vitin, K.N. Galkin [et al.] // Proceedings of Nanomeeting-2007: V.E. Boris-enko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific Publishing Company. Singapore. - 2007. - P. 495.

245. Bulk periodic structures formation of nanocrystalline silicon surface under the action of compression plasma flow / V.M. Astashinski, S.I. Ananin, A.S. Emelyanenko [et al.] // Applied Surface Science. - 2006. - Vol. 253, Iss. 4. - P. 1866-1872.

246. Dojcinovic, I.P. Diagnostics of silicon submicron cylindrical structures obtained by plasma flow action / I.P. Dojcinovic, M.M. Kuraica, J. Puric // Vacuum. - 2006. - Vol. 80, Iss. 11-12. - P. 1381-1385.

247. Formation of silicon-based nanostructures by compression plasma flow / Y.A. Petukhou, V.V. Uglov, N.T. Kvasov [et al.] // Applied Surface Science. -2006. -V. 253, Iss. 4. - P. 1866-1872.

248. Влияние предварительной плазменной обработки на люминесцентные свойства пористого кремния / Н.Г. Галкин, Д.Т. Ян, Е.А. Чусовитин [и др.] // Оптический журнал. - 2014. - Т. 81, № 8. - P. 1866-1872.

249. Influence of preliminary plasma processing on luminescent properties of porous silicon / N.G. Galkin, D.T. Yan, E.A. Chusovitin [et al.] // Solid State Phenomena. - 2014. -V. 213. - P. 90-95.

250. Фотолюминесцентные свойства пористого кремния, сформированные на подложках, обработанных плазмой / М.В. Боженко, Д.Т. Ян, Е.А. Чусовитин, А.Б. Расин // Оптический журнал. - 2015. - Т. 82, № 11. - С. 75-78.

251. Photoluminescent enhancement and stabilization of porous silicon passivated by iron / M. Rahmani, A. Moadhen, M.-A. Zaibi [et al.] // Journal of Luminescence. - 2008. - Vol. 128, Iss. 11. - P. 1763-1766.

252. Zhu, D. Transport properties in iron-passivated porous silicon / D. Zhu, Q. Chen, Y. Zhang // Applied Surface Science. - 2002. - Vol. 191, Iss. 1-4. -P. 218-222.

253. Strong and stable red luminescence from porous silicon prepared by Fe-contaminated silicon / D.Y. Lee, J.W. Park, J.Y. Lee [et al.] // Journal of Crystal Growth. - 2004. - Vol. 260, Iss. 3-4. - P. 394-399.

254. Relationship between the photoluminescence spectra and IR spectroscopy of mesoporous silicon samples during long-term storage: the effect of immersion in an aqueous LiBr solutions / N.G. Galkin, D.T. Yan, K.N. Galkin, S.V. Chusovitina / Solid State Phenomena. - 2020. - V. 312 - P. 38-44.

255. Relationship between the photoluminescence spectra and IR spectroscopy of mesoporous silicon samples during long-term storage: the effect of immersion in an aqueous Fe(NO3)3 solutions / N.G. Galkin, D.T. Yan, K.N. Galkin, S.V. Chusovitina // Solid State Phenomena. - 2020. - V. 312 - P. 54-61.

256. Porous silicon microstructure and composition characterization depending on the formation conditions / T.I. Garbanyuk, A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko [et al.] // Thin Solid Films. - 2006. - Vol. 495, Iss. 1-2. - P. 134-138.

257. Hamadache, F. Interface investigations of iron and cobalt metallized porous silicon: AES and FTIR analyses / F. Hamadache, C. Renaux, J.-L. Duvail, P. Bertrand // Physica Status Solidi A. - 2003. - V. 197, Iss. 1. - P. 168-174.

258. Zhu, D. Transport properties in iron-passivated porous silicon / D. Zhu, Q. Chen, Y. Zhang // Applied Surface Science. - 2002. - Vol. 191, Iss.1-4. -P. 218-222.

259. Metal deposition on porous silicon by immersion plating to improve photoluminescence properties / I. Haddadi, S.B. Amor, R. Bousbih [et al.] // Journal of Luminescence. - 2016. - V. 173. - P. 257-262.

260. Grantizer, P. Metal filled nanostructured silicon with respect to magnetic and optical properties / P. Grantizer, K. Rumpf // Frontiers in Physics. - 2020. -V. 8. - P. 1-12.

261. Сравнительный анализ воздействия иммерсии пористого кремния в водных растворах LiBr и Fe(NO3)3 на стабильность и интенсивность его фотолюминесценции / Н.Г. Галкин, Д.Т. Ян, Л.Н. Галкин, М.В. Боженко // Химическая физика и мезоскопия. - 2018. - Т. 20, № 2. - С. 188-201.

262. Comparative analysis on the effect of immersion of porous silicon in aqueous solutions of Li and Fe salts on the stability, peak position and intensity of its photoluminescence / N.G. Galkin, D.T. Yan, K.N. Galkin (et al.) / Defect and Diffusion Forum. - 2018. - V. 386. - P. 75-79.

263. Luminescent properties of nanocomposites based on porous silicon, nickel and nickel oxide in the photon energy range of 1,4-2,9 eV / N.G. Galkin, D.T. Yan, K.N. Galkin [et al.] / Proceedings of International Conference of Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech). - 2022. - P. 282-289.

264. Manikandan, A. Comparative investigation of NiO nano- and microstructures for structural, optical and magnetic properties / A. Manikandan, J.J. Vijaya,

L.J. Kennedy // Physica E: Low-Dimensional Systems Nanostructures. - 2013.

- V. 49. - P. 117-123.

265. Phase and layer stability of Ni and Ni (Pt)-silicides of narrow polysilanes / P.S. Lee, K.L. Pey, D. Mangelinck [et al.] // Journal of Electrochemical Society. - 2002. - V. 149, no. 6. - G331-G335.

266. Micro-Raman spectroscopy investigation of nickel silicides and nickelplatinum silicides / P.S. Lee, D. Mangelinck, K.L. Pey [et al.] // Electrochemical and Solid-State Letters. - 2000. - V. 3, no. 3. - P. 153-155.

267. Nanoidentation behaviour and annealed microstructural evolution of Ni/Si thin films / W.-S. Lee, T.-H. Chen, C.-F. Lim [et al.] // Materials Transactions.

- 2011. - V. 52, no. 7. - P. 1374-1380.

268. Identification of nickel silicide phases on a silicon surface from Raman spectra / V.A. Solodukha, A.S. Turtsevich, Y.A. Soloviev [et al.] // Journal of Applied Spectroscopy. - 2013. - V. 79. - P. 1002-1005.

269. Природа пиков фотолюминесценции пористого кремния в интервале длин волн 460-700 нм / Е.Н. Абрамова, А.М. Хорт, А.Г. Яковенко [и др.] // Доклады Академии Наук. - 2018. - Т. 481, № 5. - С. 503-506.

270. Temple, P.A. Multiphonon Raman spectrum of silicon / P.A. Temple, C.E. Hathaway // Phys. Rev. B. - 1973. - Vol. 7, Iss. 8. - P. 3685-3697.

271. Polman, A. Erbium implanted thin film photonic materials, Review / A. Pol-man // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82, Iss. 1. - P. 1-39.

272. Emission mechanisms in stabilized iron-passivated porous silicon: temperature and laser power dependences / M. Rahmani, A.M. Mabrouk, A. Kamkoum [et al.] // Physica B: Physics of Condensed Matter. - 2012. - Vol. 407, Iss. 3. -P. 472-476.

273. Structural, optoelectronic and electrochemical properties of nickel oxide films / B. Subramanian, I.M. Mohammed, K.R. Murali [et al.] // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. - 2009. - Vol. 20. - P. 953-957.

274. Dakhel, A.A. Investigation of Sn-doped Ni oxide thin films and their use as optical sensors devices / A.A. Dakhel // Journal of Non-Crystalline Solids. -2012.-V. 358, Iss. 2. - P. 285-289.

275. Semiconducting Mg2Si films prepared by molecular beam epitaxy / J.E. Ma-han, A. Vantomme, G. Loungouchi, J.P. Becker // Physical Review B. - 1996. - Vol. 54, Iss. 23. - P. 16965-16971.

276. Contact resistivity of some magnesium/silicon and magnesium silicide/silicon structures / P.L. Janega, J. McCaffrey, D. Landheer [et al.] // Applied Physics Letters. - 1988. - Vol. 53, Iss. 21. - P. 2056-2058.

277. Wittmer, M. Laser induced reaction of magnesium with silicon / M. Wittmer, W. Lüthy, M. Von Allmen // Physics Letters A. - 1979. - V. 75, Iss .1-2. -P. 127-130.

278. Tejeda, J. Valence band of the Mg2X (X= Si, Ge, Sn) semiconductor compounds / J. Tejeda, M. Cardona // Physical Review B. - 1976. - V. 14, Iss. 6. -P. 2559-2568.

279. Surface characterization of porous silicon after pore opening processes inducing chemical modifications / N. Errien, L. Vellutini, G. Louarn, G. Froyer // Applied Surface Science. - 2007. - V. 253, Iss. 17. - P. 7265-7271.

280. Lehman, V. The physics of macropore formation in low-doped n-type silicon / V. Lehman // Journal of Electrochemical Society. - 1993. - V. 140, no. 10. -P. 2836-2843.

281. Onari, S. Effect of stress on the Raman spectra of Mg2Si and Mg2Sn / S. Onari, M. Cardona, E. Schonherr, W. Stetter // Physica Status Solidi (b). -1977. - V. 79, Iss. 1. - P. 193-198.

282. Рост, структура и оптическое отражение пленок силицида магния, выращенных на пористом кремнии в условиях высокого вакуума / Н.Г. Галкин, А.В. Шевлягин, В.М. Ильященко [и др.] // Химическая физика и ме-зоскопия. - 2023. - Т. 25, № 2. - С. 170-185.

283. База данных ICDD PDF-2 2023. - URL: https://www.icdd.com/pdf-2/ (дата обращения: 10.01.2023).

284. Solid phase growth and properties of Mg2Si films on Si (111) / N.G. Galkin, S.V. Vavanova, A.M. Maslov [et al.] // Thin Solid Films. - 2007. - V. 515, Iss. 22. - P. 8230-8236.

285. Scouler, W.J. Optical properties of Mg2Si, Mg2Ge and Mg2Sn from 0,6 to 11,0 eV at 77 K / W.J. Scouler // Physical Review. - 1969. - V. 178, Iss. 3. -P. 1353-1357.

286. Fine structural and photoluminescent properties of Mg2Si nanosheet bundles rooted on Si substrates / T. Koga, R. Tamaki, X. Meng [et al.] // Japanese Journal of Applied Physics. - 2021. - V. 60, Iss. SB. - SBBK07.

287. Greenaway, D.L. Optical properties and band structure of semiconductors / D.L. Greenaway, G. Harbeke // Pergamon Press Ltd. Oxford London GB. -1968. - 160 p.

288. Chamard, V. Origin of parasitic surface film on p-type porous silicon / V. Chamard, G. Dolino, F. Muller // Journal of Applied Physics. - 1998. -V. 84, Iss. 12. - P. 6659-6666.

289. ZEISS. Education in microscopy and digital imaging. - URL: https:// zeiss-campus.magnet.fsu.edu/articles/lightsources/tungstenhalogen.html (дата обращения: 12.12.2023).

290. On the growth, structure and optical reflection of magnesium silicide grown on porous silicon under high-vacuum conditions / N.G. Galkin, A.V. Shevlyagin, V.M. Il'yashchenko [et al.] / Semiconductors. - 2024. -Vol. 58, no. 6. - P. 494-504.

291. Kleimann, P. Formation of wide deep pores in silicon electrochemical etching / P. Kleimann, J. Linnros, S. Peterson // Material Science and Engineering. -2000. - V. 69-70. - P. 29-33.

292. Levy-Clement, C. Morphology of porous n-type silicon obtained of electrochemical etching / C. Levy-Clement, A. Logoubi, M. Tomkiewicz // Journal of Electrochemical Society. - 1994. - V. 141, no. 4. - P. 958-967.

293. Photoluminescence change of as-prepared and aged porous silicon with NaOH treatment / Y. Fukuda, W. Zhou, K. Furuya, H. Suzuki // Journal of Electrochemical Society. - 1999. - V. 146, no. 7. - P. 2697-2701.

294. Influence of current density, anodization time and illumination on the thickness of porous silicon in wafers with the built-in p-n junction and its photoluminescence / D.T. Yan, N.G. Galkin, K.N. Galkin, A.V. Nepomnyaschiy // St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. - 2022. - V. 15, № 3.1. - P. 137-142.

295. Steiner, P. Blue and green electroluminescence from a porous silicon device / P. Steiner, F. Kozlowski, W. Lang // IEEE Electron Device Letters. - 1993. -Vol. 14, no. 7. - P. 317-319.

296. Effects of local ambient atmosphere on the stability of electroluminescent porous silicon diodes / L. Zhang, J.L. Coffer, B.E. Gnade [et al.] // Journal of Applied Physics. - 1995. - Vol. 77, no. 11 - P. 5936-5941.

297 Gelloz, B. Electroluminescence with high and stable quantum efficiency and low threshold voltage from anodically oxidized thin porous silicon diode / B. Gelloz, N. Koshida // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 88, no. 7. -P. 4319-4324.

298. Influence of current density, anodization time and illumination on the thickness of porous silicon in wafers with built-in p-n junction and its photoluminescence / K.N. Galkin, D.T. Yan, A.V. Nepomnyashchiy, N.G. Galkin // AS-CO-Nanomat 2022, Proceedings, Dalnauka Publishing, Vladivostok. - 2022. -P. 383.

299. Sze, S.M. Physics of semiconductor devices / S.M. Sze // 2nd Edition, John Wiley and Sons. - 1981. - 868 p.

300. The current-voltage characteristics and photoelectric properties of por-Si/Si-p/Si-n diodes with different porous layer's thickness / D.T. Yan, N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev // St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. - 2022. - V. 15, № 3.1. - P. 143-148.