Моделирование кинетических параметров плазмы магнетронного разряда в аргоне и дейтерии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат физико-математических наук Обручников, Александр Евгеньевич

• Обручников, Александр Евгеньевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Обручников, Александр Евгеньевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Обзор литературы.

Часть 1. Магнетронное распыление.

1.1.1. Теоретические основы магнетронного распыления.

1.1.2. Характеристики разрядного промежутка MPC.

1.1.3. Зондовые методы исследования магнетронного разряда,-.:.

1.1.4. Вольт-амперные характеристики магнетронного разряда.

1.1.5. Моделирование магнетронного разряда.

1.1.6. Моделирование потоков распыленного вещества.

1.1.7. Магнетронное распыление в присутствии реактивного газа.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование кинетических параметров плазмы магнетронного разряда в аргоне и дейтерии»

Актуальность проблемы.

Одним из перспективных направлений в области развития новых и экологически безопасных источников энергии является получение энергии с помощью управляемого термоядерного синтеза. Наиболее перспективными устройствами для осуществления этого синтеза являются установки типа ТОКАМАК. Одной из проблем, связанных с работой таких устройств является распыление внутреннего покрытия вакуумной камеры. Одним из перспективных материалов для такого покрытия является углерод, но его распыление ведет к осаждению пленок, содержащих углеводороды, а следовательно к поглощению дейтерия и трития из газовой фазы. Для всестороннего исследования этого явлением необходимо изучить закономерности процесса распыления углерода в дейтерий - тритиевой плазме. Изучение этого процесса в самом ТОКАМАКе - является весьма дорогостоящим экспериментом, поэтому актуальным является изучение закономерностей распыления углерода в, водородной плазме в более простых устройствах и применение выявленных закономерностей к процессам в ТОКАМАКе. Использование для моделирования процессов распыления углерода ионами дейтерия плазмы магнетронного разряда представляется предпочтительным, так как он позволяет работать в нужном диапазоне давлений (1-5 Па) и в широком диапазоне потоков ионов на мишень. В настоящее время не существует достаточно полного теоретического описания, позволяющего построить полноценную модель процессов, происходящих в магнетронном разряде, поэтому приведенная в данной работе эмпирическая модель и расчет на ее базе процессов, происходящих в объеме магнетронной распылительной системы (MPC) при распылении графитовой мишени ионами дейтерия представляются актуальными. . - - - V , ■ ' .

Предложенный подход к моделированию магнетронного разряда представляет интерес и в плане традиционного применения магнетронного распыления - нанесения тонких пленок с желаемыми свойствами, поскольку MPC является в настоящее время основным инструментом для осаждение пленок в производстве изделий микроэлектроники. В связи с этим, изучение процесса получения и свойств тонких пленок также является актуальным.

Целью работы являлось построение адекватной модели разряда в MPC и вычислении на ее базе распределения концентраций атомарного дейтерия, а также применение результатов моделирования для оптимизации процесса получения тонких пленок ТЮ2, напыленных на сегнетоэлектрическую подложку и экспериментальное исследование их свойств.

Научная новизна.

1. Установлены особенности влияния изменения давления на зондовые характеристики в плазме аргона при разряде в MPC и уточнена методика вычисления параметров плазмы при пониженных давлениях.

2. Предложена приближенная модель разряда в MPC (распределение температуры и концентрации электронов по объему зоны свечения) и на ее основе произведен расчет концентраций активных частиц в плазме аргона и дейтерия в диапазоне токов разряда 0,08 - 1,5 А и давлений 0,2 - 25 Па.

3. Показано, что эффект "стягивания" разряда к мишени с увеличением давле- -ния может быть объяснен различиями в распределении по расстоянию от мишени концентраций возбужденных атомов из-за изменения температуры электронов.

4. Обнаружены пьезоэлектрические свойства пленки ТЮ2, напыленной на сегнетоэлектрическую подложку (триглицинсульфат), в том числе при температурах, более высоких, чем точка Кюри подложки. Подобный эффект запрещен для объемного монокристалла, так как он имеет точечную группу 4/шшт. Выполнены исследование диэлектрических свойств пленки ТЮ2 в диапазоне частот 10 - 106 Гц.

Практическая ценность работы.

Полученные результаты могут быть использованы для расчета концентраций и потоков активных частиц в MPC, а следовательно и для моделирования процессов эрозии в ТОКАМАКе, для оптимизации процесса получения тонких пленок-с жела- *, емыми свойствами, а также при построении моделей физико-химических процессов в разряде MPC.

Апробация работы и публикации.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и симпозиумах:

VIII Всесоюзная конференция по физике газового разряда, Рязань (1996), 37-microsymposium on biodegradable polymers: chemical, biological and environmental aspects, Prague (1996), итоговой научной конференции ИвГУ, Иваново (1997), 3 Российской конференции "Высокие технологии в промышленности России", Москва (1997), 1 Всероссийской научной конференции "Молекулярная физика неравновесных систем", Иваново (1999), 4- international symposium on diamond films and related materials, Kharkov (1999), 6 международной конференции "Высокие технологии в промышленности России", Москва (2000).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Общий объем диссертации - 120 страниц, рисунков -58, таблиц - 12. Библиография включает 120 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Обручников, Александр Евгеньевич

выводы

В результате выполнения диссертационной работы:

1. Произведены зондовые исследование плазмы MPC в аргоне с вольфрамовой мишенью в диапазоне давлений 1 - 25 Па и в дейтерии с графитовой мишенью в диапазоне давлений 0,2 - 4 Па.

2. На основании зондовых исследований Те, пе и предложенной модели разряда в MPC:

- рассчитаны распределения возбужденных состояний атомов Ar 4s и Аг 4р и скорости генерации ионов аргона в зоне магнитной ловушки MPC, показана их зависимость от изменения давления;

- рассчитано распределение атомарного дейтерия по объему магнетрона.

3. Выполнено исследование диэлектрических свойств пленок ТЮ2, напыленных на сегнетоэлектрическую подложку ТГС и произведено исследование ее диэлектрических свойств при изменении частоты в диапазоне 10 - 106 Гц.

Были установлены:

1. Особенности влияния изменения давления на зондовые характеристики в плазме аргона в MPC и уточнена методика вычисления параметров плазмы при пониженных давлениях.

2. Дано объяснение эффекту "стягивания" разряда к мишени с увеличением давления, который может быть объяснен различиями в распределении по высоте концентраций возбужденных атомов из-за изменения по высоте температуры электронов.

3. Пространственное распределение атомарного дейтерия по объему MPC в диапазоне 0,2 -1,3 Па.

4. Наличие пьезосвойств у пленки Ti02, напыленной на сегнетоэлектрическую подложку (триглицинсульфат), в том числе при температурах более высоких, чем точка Кюри подложки.

1.1.8. Заключение.

Представленные в этой главе литературные данные показывают, что хотя физика всех происходящих в MPC процессах давно известна, цельная теоретическая модель магнетронного разряда отсутствует. Наиболее привлекательные приемы теоретического моделирования требуют сложного предварительного исследования конфигурации магнитного поля в магнетроне и, хотя и дают приемлемое согласие между наблюдаемыми и вычисляемыми величинами, но хорошо согласуются в небольшом диапазоне изменения внешних параметров разряда (ток, давление), а применяемый в них метод Монте-Карло требует больших вычислительных ресурсов. Кроме того, в литературе отсутствуют результаты точных комплексных исследований влияния внешних параметров на электронную компоненту разряда - профиль функции распределения, концентрацию заряженных частиц.

Учитывая эти факторы, можно сформулировать следующие задачи диссертационной работы: - найти алгоритм, который на основании локальных измерений концентрации и температуры электронов позволил бы рассчитать внутренние параметры системы - плотность и температуру электронов, концентрации и потоки активных частиц в плазме магнетронного разряда в широком диапазоне параметров для решения конкретных технологических задач, в том числе для получения тонких пленок с заданными свойствами.

Часть 2. Тонкие пленки ТЮ2 1.2.1. Свойства двуокиси титана.

Двуокись титана (ТЮ2) - давно и хорошо известный материал, имеющий множество применений - от компонента белил и фотокатализатора [48] до интегральной схемотехники. Исследования его представлены в литературе весьма широко. В объемной фазе известны 4 аллотропные модификаций ТЮ2 [49], таблица 1.2:

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Обручников, Александр Евгеньевич, 2000 год

1. К. Wasn, S. Hayakawa. Some features of magnetron sputtering. - Thin Solid Films 1978, V52Nlpp31-43.

2. M.K. Марахтанов. Магнетронные системы ионного распыления. 1990, М., изд-во МГУ, 75с.

3. Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. Магнетронные распылительные системы. М., "Радио и связь", 1982, 72с.

4. И.Г. Кесаев, В.В. Пашкова. Электромагнитная фиксация катодного пятна. -ЖТФ, 1959, Т.29, N3, с. 287 298.

5. J.S. Chapin. The planar magnetron. Vacuum technology, 1974, v.25, N1, pp. 37 -40.

6. Thin solid process. Ed. Jd. L. Vossen, W. Kern. NY, "Academic press", 1978, 457p.

7. S.M. Rossnagel et al. Collimated magnetron sputter deposition. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N2 pp 261 - 265.

8. G.K. Muralidhar et al. Discharge characteristics of facing target sputtering device using unbalanced magnetrons. J. Vac. Sci. Technol. A 1996 V14 N4 pp 2182 -2186.

9. Марахтанов M.K., Понкратов А.Б. Разряд низкого давления в парах металла собственного катода. Письма в ЖТФ., 1989, т. 15, N4, стр.91 - 94.

10. N.D. Telling et al. Simple method for the control of substrate ion fluxes using an unbalanced magnetron. J. Vac. Sci. Technol. A 1998 V16 N1 pp 145 - 147.

11. T.Miura and T.Asakaki. Theory on high-vacuum planar magnetron discharge. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, v.36, N2, pp 787-791.

12. Б.С. Данилин. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М., "Энергоатомиздат", 1989, 326с.

13. Т.Е. Sheridan et al. Electron distribution functions in a sputtering magnetron discharge. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, v.34, pt.l, N9A, pp 4977-4982.

14. A. M. Ховатсон. Введение в теорию газового разряда. М., "Атомиздат", 1980, 182с.

15. D. Rohde et al. Thin film deposition by reactive magnetron sputtering: On the influence of target oxidation and its effect on surface properties. Thin Solid Films 1997 V305 N1-2, pp 164 - 171.

16. Калашников B.K., Ким В. Разряд в магнетронной распылительной системе. -Физика плазмы 1991. т.17, вып.8, стр. 1003 1011.

17. Y.W. Choi et al. A study of sheath electric fields in planar magnetron discharges using laser induced fluorescence spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, v.35, pt.l, N11, pp 5858-5861.

18. F. Debal M., Wauntlet et al. Correlation between the cathode erosion, the optical emission and the magnetic field distribution in magnetron sputtering systems. J. Phys. D: Appl. Phys. 1998, V31, N8, pp. 31-33.

19. Ю.А. Иванов, Ю.А. Лебедев, JI.C. Полак. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии. М., "Наука", 1981, 142с.

20. Б. В. Алексеев, В.А. Котельников. Зондовый метод диагностики плазмы. М., "Энергоатомиздат", 1988,240с.

21. S.M.Rossnagel. Langmuir probe characterization of magnetron operation. J. Vac. Sci. Technol. A 1986 V4 N3 pp 1822 - 1825.

22. T.E.Sheridan et al. Observation of two-temperature electrons in a sputtering magnetron plasma. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N3 pp 688 - 690.

23. W.H. Tao et al. Spatial distributions of electron density and electron temperature in direct current glow discharge. J. Vac. Sci. Technol. A 1996 V14 N4 pp 21132121.

24. A.E.Wendt, M.A.Lieberman. Spatial structure of a planar magnetron discharge. J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8 N2 pp 902 - 907.

25. Физика и химия обработки материалов 1986 № 2 стр. 131 - 132

26. Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. Магнетронные системы ионного распыления. -Электронная промышленность, вып.5, 1976.

27. Зайцев В.В., Сандлер В.А., Копытова Н.В. Эффект отрицательной динамической проводимости плазмы и кинетики осаждения тонких пленок в магне-тронном разряде. Тез. докл. VII Всероссийской конференции по физике газового разряда, Рязань, 1996, с. 109 110.

28. Зайцев В.В., Копытова Н.В., Обручников А.Е. Вольт-амперные и кинетические характеристики магнетронного разряда. Материалы 2 Российской конференции "Высокие технологии в промышленности России" Москва, 1997, с.64-68.

29. Абдуев А.Х., Магомедов A.M. Устойчивые токовые осцилляции при магне-тронном распылении оксидных мишеней. Письма в ЖТФД998, т.24, N5, стр. 58 - 62.

30. F.Guimaraes et al. Modeling of energy deposition mechanisms in an argon magnetron planar discharge. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N1 pp 133 - 140.

31. T.E.Sheridan et al. Electron and ion transport in magnetron plasmas. J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8 N3 pp 1623 - 1626.

32. J.E.Miranda et al. Monte Carlo simulation of ionization in a magnetron plasma. J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8 N3 pp 1627 - 1631.

33. K. Nanbu and S. Kondo. Analysis of three-dimensional DC magnetron discharge by particle-in-cell/Monte Carlo method. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, v.36, pt.l, N7B, pp 4808-4814.

34. G. Lister. Influence of electron diffusion on the cathode sheath of a magnetron discharge. J. Vac. Sci. Technol. A 1996 V14 N5 pp 2736-2743.

35. MJ.Goeckner et al. Laser-induced fluorescence characterization of ions in a magnetron plasma. J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8 N6 pp 3920 - 3924.

36. B. Window. Removing the energetic neutral problem in sputtering. J. Vac. Sci. Technol. A 1993 VI1 N4 pp 1522 - 1527.

37. Y. Yamamura, M. Ishida. Monte Carlo simulations of sputtered atoms and reflected atoms in magnetron sputtering discharge. J. Vac. Sci. Technol. A 1995 VI3 N1 pp 101 - 112.

38. G.M.Turner. Monte Carlo calculation of gas rarefraction in a magnetron sputtering discharge. J. Vac. Sci. Technol. A 1995 VI3 N4 pp 2161 - 2169.

39. Знаменский А.Г., Марченко В.А. Магнетронное напыление при повышенных давлениях: процессы в газовой среде. ЖТФ, 1998, т.68, N7, стр. 24 - 32.

40. P. Carlsson et al. Reactive sputtering using two reactive gases, experiment and computer modelling. J. Vac. Sci. Technol. A 1993 VI1 N4 pp 1534 - 1539.

41. H.Ohner et al. A reactive sputtering model applied to A1N. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N5 pp 2795-2796.

42. S.S.Nandra. High-rate sputter deposition of Si02 and Ti02 films for optical applications. J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8 N4 pp 3179 - 3185.

43. G.M.Rao, S.Mahan. Studies on glow-discharge characteristics during dc reactive magnetron sputtering. J. Appl. Phys. 1991, V69 N9 pp 6652 - 6655.

44. J.L.Vossen et al. Some experiments that provide direct visualization of reactive sputtering phenomena. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N3 pp 600 - 603.

45. L.Hultman. Low-energy (-100eV) ion irradiation during growth of TiN deposited by reactive magnetron sputtering: effects of ion flux on film microstructure. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N3 pp 434 - 438.

46. E. Kusano et al. An approach to estimate gettering effects in Ti 02 reactive sputtering process. - J. Vac. Sci. Technol. A 1992 V10 N4 pp 1696 - 1700.

47. M.A. Артемьева, Ю.М. Артемьев. Фотостимулированное разрушение метиле-нового синего в озонируемых водных суспензиях ТЮ2 и Nb2Os. Вестник СПбГУ, 1993, вып.4, N25, стр. 90 - 92.

48. E.Tillmans et al. Variations on the theme of closest packing: the structural chemistry of bariun titanate compounds. J. solid state chemistry 1985 V58 pp 14 - 28.

49. F.A.Grant. Properties of rutile. Reviews of modern physics 1959 V31 N8 pp 646 -674.

50. T. Radhakrishnan. The optical properties of titanium dioxide. Proceeding of the indian academy of sciences, section A, 1952, v26, pp.117 - 125.52. www.cerac.com

51. T. Yasutaka et al. Structural and electrochemical properties of Ti02 film grown by organometallic CVD. J. chem. soc., Faraday trans. I, 1982, v.78, pp. 2563 - 2571.

52. K. Tomoji. Photocatalytic hydrogen production from water and organic substrate by visible light with CdS/Pt and Ti02/Pt. 4 int. conf. photochem. convers. and storage solar energy. Jerusalem, aug. 8-13, 1982, abstr., pp. 284-286.

53. H. Minoura et al. Comparative studies of photoelectrochemical behaviors of rutile and anatase electrodes, prepared by OMCVD technique. Berg. Bunsenges phys. chem., 1985, v.89, N10, pp 1064 - 1069.

54. Кулак JI.K. и др. Катодный фототок в электрохимических системах на основе ТЮ2. Весщ АНБССР, сер. химическая, 1987, N4, стр. 24 - 30.

55. Бовтун В.П., Грунин B.C. Диэлектрические спектры монокристаллов ТЮ2 модификации брукит. сб. "Диэлектрики и полупроводники", Киев, "Наукова думка", 1984, N26, с.31-32.

56. Акустические кристаллы. Справочник под ред. М.П. Шаскольской. М., "Наука", 1982, 632 с.

57. M.D.Wiggins et al. Phase development in sputter deposited titanium dioxide. J. Vac. Sci. Technol. A 1996V14N3 pp 772 - 776.

58. G.H.Haertling. Ferroelectric thin films for electronic applications. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N3 pp 414 - 420.

59. A.H.Musa, W.E.J. Neal. Ellipsometric observation on thermally grown oxide films on titanium. US department of commerce, National bureau of standards, special publication 1980, N574, pp 108 - 113

60. Акимов А.Г., Дагуров B.T. Исследование состава поверхности при окислении титана и его сплавов. Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, N6, стр. 75-80.

61. Y.Saito et al. On the polymorphism of titanium dioxide films crystallized by electron beam heating. Jap. J. Appl. Phys. 1986 V25 N2 pp LI24 - LI26.

62. A. Hugot-Le Goff. Structure of very thin Ti02 films studied by Raman spectroscopy with interference enhancement. Thin Solid Films 1986 VI42 pp 193 - 197.

63. S.A.Chambers et al. Molecular beam epitaxial grown and characterization of mixed (Ti,Nb)02 rutile films on Ti02 (100). J. Vac. Sci. Technol. A 1996 V14 N3 pp 1387- 1394.

64. S. Chen et al. Ultrahigh vacuum metalorganic chemical deposition grown and in situ characterization of epitaxial Ti02 films. J. Vac. Sci. Technol. A 1993 VI1 N5 pp 2419 - 2429.

65. L.M. Williamsand D.W. Hess. Structural properties of titanium dioxide films deposited in rf glow discharge/ J. Vac. Sci. Technol. A 1983 VI N4 pp 1810 -1819.

66. G.A. Al-Jumally et al. Effect of ion assisted deposition on optical scatter and surface microstructure of thin films. J. Vac. Sci. Technol. A 1985 V3 N3 pp 651 - 655.

67. K.N.Rao, S.Mohan. Optical properties of electron-beam evaporated Ti02 films deposited in an ionized oxygen medium. J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8 N4 pp 3260 - 3264.

68. K.Fukushima. Surface smoothness and crystalline structure of ICB deposited Ti02 films. Applied Surface Science 1989 V43 N1-4 pp32 - 36.

69. R.F.Bunshah, C.V.Deshpandey. Plasma assisted physical vapor deposition. J. Vac. Sci. Technol. A 1985 V3 N3 pp 554 - 560.

70. K. Okimura et al. Preparation of rutile Ti02 films by RF magnetron sputtering. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, v.34, pt.l, N9A, pp 4950-4955.

71. M. Georgson et al. The influence of preparation conditions on the optical properties of titanium nitride based solar control films. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N4 pp 2191 -2195.

72. M.Georgson et al. In situ chemical analysis in thin film production using soft x-ray emission spectroscopy. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N3 pp 638 - 643.

73. Фелдман JI., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок, пер с англ под ред. В.В. Белошитского. М., "Мир", 1989, 342с.

74. Еловиков С.С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок.

75. W.S. Oh. Preparation and characterization of epitaxial titanium oxide films on Mo(100). J. Vac. Sci. Technol. A 1997 V15 N3 pp 1710-1715.

76. S.Miyake et al. Titaniun oxide formation by ion beam mixing. J. Vac. Sci. Technol. A 1991 V9 N6 pp 3036-3039.

77. N.Iwamoto, Y. Makino. Characterization of plasma-sprayed titanias by x-ray photoelectron spectroscopy and electron spin resonance spectroscopy. Thin Solid Films 1986 V136 pp 299 - 307.

78. Крылова Т.Н. Интерференционные покрытия. Оптические свойства и методы исследования. Л., "Машиностроение", 1973, 224с.

79. W.C.Fan, A.Ignatiev. The effect of surface roughness on reflection high-energy electron diffraction rocking curves and impact on reflection high-energy electron diffraction intensity oscillation. J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8 N4 pp 3479 -3483.

80. J.E.Mahan et al. A review of geometrical fundamentals of reflection high-energy electron diffraction with application to silicon surfaces. J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8 N5 pp 3692 -3700.

81. Жукова JI.А. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. М., 1971. 143с.

82. L.J.Atanasoska et al. Single crystal Ru02/Ti and Ru02/Ti02 interface: LEED, Auger and XPS study. Surface science 1990 V230 N1 pp 95 - 112

83. Белянин А.Ф., Пащенко П.В. Конструирование МРС, используемых для производства ГИС и устройств функциональной электроники. Техника средств связи, сер. ТПО, 1992, вып. 1-2, стр. 28 - 47.

84. Mott-Smith Н., Langmuir I. The theory of collectors in gaseous discharges. Physical Review, 1926, v.28, pp. 727 763.

85. Swift J.D. Effect of finite probe size in the determination of EEDF. Proc. Phys. Soc., 1962, v.79, pp. 697-701.

86. Шотг JI. Электрические зонды. "Методы исследования плазмы". М., "Мир", 1971, с.459-505.

87. Луковников А.И., Новгородов М.З. Об искажении ФРЭЭ, измеренной цилиндрическим зондом. Краткие сообщения по физике. М., ФИАН СССР, 1971, N1, с.27-34.

88. Никольский В.В. Теория электромагнитного поля. М:, "Высшая школа", 1964, 383с.

89. М.А. Makowski and G.A. Emmert. New method to measure plasma potential with emissive probes. Rev. sci. instrum., 1983, v.54, N7, pp. 830 - 836.

90. Т.Е. Sheridan et al. Model of energetic electron transport in magnetron discharges. -J. Vac. Sci. Technol. A 1990 V8N1 pp30-37.

91. M.J. Goeckner et al. Monte Carlo simulation of ions in a magnetron plasma. IEEE transactions on plasma science, 1991, V.19, N2, pp. 301 - 308.

92. M.J.Murphy, D.C.Cameron. Magmetic field in two-dimensional magnetrons. J. Vac. Sci. Technol. A 1995 V13 N4 pp 2151-2156.

93. S. Ashida et al. Spatially averaged (global) model of time modulated high density argon plasmas. J. Vac. Sci. Technol. A 1995 V13 N5 pp 2498-2506.103. http://www.physics.nist.gov/cgi-bin/ionization/elltable.html

94. Д. И. Словецкий. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме. М., "Наука", 1980, 310с.

95. Физические величины. Справочник под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М., "Энергоатомиздат", 1991, 1232с.

96. Лавров Б.П., Симонов В.Я. Определение степени диссоциации водородной плазмы. ТВТ, 1987, т. 25, N4, с. 649 - 653.

97. R.M.Bueno et al. Study of the optical determination of thin films: Dependence on theoretical assumptions. J. Vac. Sci. Technol. A 1995 V13 N5 pp 2378 - 2383.

98. Раков A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М., "Советское радио", 1975, 175с.1090.С. Хевенс. Измерение оптических констант тонких пленок. Сборник "Физика тонких пленок", под ред. Г. Хасса, т.2, "Мир", 1967, с. 136 185. .

99. Дж. Най. Физические свойства кристаллов. М., "Мир" 1967, 385с.

100. Ш.М.Лайнс, А.Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Под ред. В.В.Леманова и Г.А.Смоленского. М., "Мир", 1981, 247с.

101. J. Won, R.Boivin. Mixed materials for fusion applications :a literature search. -ITER report: iter/us/96/iv-dv-02.116. http://www.iter.org/iterpublic/iter/construction.html117. http://www.aps.org/bapsdpp98/abs/s7000035.html

102. К. M. Арефьев. Явления переноса в газе и плазме. Д., "Энергоатомиздат", 1983, 112с.

103. K.M. Арефьев, М.А. Гусева, Н.Б. Балашова. Квантовая механика в расчетах переноса паров металлов в газах. Л., изд-во Ленинградского университета, 1990, 216с.

104. К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках. Под ред. Т.Д. Шермер-гора. М., "Мир", 1972.1. РОССИЙСКАЯ. f1. ГОСУДАРСТВЕННА•^БЛЧОШ^Г ? iо