Моделирование неравновесной зарядовой динамики в полупроводниковых системах методом приведенной матрицы плотности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Инербаев Талгат Муратович
Инербаев Талгат Муратович
доктор наук
2025
- Специальность ВАК РФ00.00.00
- Количество страниц 314
Оглавление диссертации доктор наук Инербаев Талгат Муратович
Введение
Глава 1. Описание неравновесной зарядовой динамики
методом матрицы плотности
1.1 Неравновесная зарядовая динамика
1.1.1 Матрица плотности
1.2 Временная эволюция матрицы плотности динамической системы
1.2.1 Эволюция матрицы плотности без учета диссипации энергии
1.2.2 Представление взаимодействия для матрицы плотности
1.2.3 Эволюция матрицы плотности с учетом диссипации энергии. Уравнение Редфилда
1.2.4 Численное решение уравнения Редфилда
1.2.5 Численное моделирование спектров фотолюминисценции
с использованием метода приведенной матрицы плотности
1.3 Методы расчета электронной структруры в адиабатическом приближении
1.3.1 Метод Хартри-Фока
1.3.2 Теория функционала плотности
1.4 Выводы по главе
Глава 2. Влияние легирования на неравновесную зарядовую
динамику в ХЮ2
2.1 Влияние легирования Ии на релаксацию заряда в 2Э
структурах ТЮ2 структуры анатаза
2.1.1 Одиночный атом Ии на поверхности (100) ТЮ2 структуры анатаза
2.1.2 Кластер Илю на поверхности (101) ТЮ2
2.2 Исследование релаксации в спин-поляризованных электронных возбуждений в кристалле ТЮ2 структуры анатаза, легированного ванадием
2.3 Динамика спин-поляризованной безызлучательной релаксации электронных возбуждений в нанопроволоке анатаза, легированной кобальтом
2.4 Выводы по главе
Глава 3. Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов
3.1 Зависимость фотолюминесценции кремниевых нанокристаллов
от размера и температуры
3.2 Кремниевая наночастица, со-легированная примесями р и п типа
3.3 Выводы по главе
Глава 4. Неравновесная зарядовая динамика и
фотолюминисценция наночастиц перовскитов МЛРЫз и С8РЪБг3
4.1 Фотоиндуцированные одно- и многоэлектронные динамические процессы, усиленные квантовым ограничением в квантовых
точках перовскита галогенида свинца
4.2 Влияние поверхностных лигандов и спин-орбитального взаимодействия на оптические свойства и неравновесную зарядовую динамику нанокристаллов СэРЬБг3
4.3 Спектральные характеристики электронных и дырочных поляронов в нанокристалле перовскита галогенида свинца
4.4 Выводы по главе
Глава 5. Фотолюминесценция боратных антицеолитов
5.1 Влияние собственных дефектов на оптические свойства
боратных антицеолитов
5.2 Механизмы фотолюминесценции в медьсодержащих кристаллах фторидборатов
5.3 Фотолюминесценции в Се-легированных кристаллах фторидборатов
5.4 Выводы по главе
Глава 6. Влияние дисперсии импульса на время жизни фотовозбужденных электронов в кремниевых нанопроволоках
6.1 Влияние дисперсии энергии электронных состояний на неравновесную электронную динамику в (100), (111) и (211) SiNW219
6.2 Влияние непрямых переходов на неравновесную электронную динамику в (100) и (111) SiNW
6.3 Выводы по главе
Заключение
Словарь терминов
Список рисунков
Список таблиц
Приложение А. Расчет матричных элементов оператора
неадиабатического взаимодействия
Приложение Б. Расчет силы осциллятора в базисе плоских волн
Приложение В. Расчет фотоЭДС
Приложение Г. Оценка времени жизни при излучательной
релаксации
Приложение Д. Закон энергетической щели
Приложение Е. Моделирование генерации множественных
экситонов
Приложение Ж.Аномалия в оптическом поглощении
антицеолитных боратов
Приложение И. Тестирование расширенного программного
пакета по расчету неравновесной зарядовой динамики с учетом спин-орбитального взаимодействия на примере Ьп3+ (Ьп=Се,Рг) легированных кристаллов |3^аУЕ4
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Другие cпециальности», 00.00.00 шифр ВАК
Люминесцентные методы изучения взаимодействия атомарных газов с поверхностью твердых тел2020 год, кандидат наук Яомин Ван
Модификация фотолюминесцентных свойств нанокристаллов кремния в процессе фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода2014 год, кандидат наук Гонгальский, Максим Брониславович
Направленный синтез и оптические свойства коллоидных двумерных наноструктур CdSe1-xSx/CdS(ZnS) – перспективных люминофоров белого света2021 год, кандидат наук Саиджонов Бедил Мукимжонович
Электронная спиновая динамика и корреляционные эффекты в полупроводниковых наносистемах2017 год, кандидат наук Пошакинский Александр Валерьевич
Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении2013 год, кандидат физико-математических наук Кожемякина, Елена Владимировна
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование неравновесной зарядовой динамики в полупроводниковых системах методом приведенной матрицы плотности»
Введение
Моделирование динамики возбужденных носителей заряда в полупроводниках представляет большой интерес из-за своей важности для практических приложений. Описание большинства квантовых процессов в сложных многоатомных системах чаще всего проводится с использованием адиабатического приближения (приближения Борна-Оппенгеймера), которое основано на том, что масса атомных ядер много больше массы электрона.[1] Соответственно, скорость движения ядер мала по сравнению со скоростью движения электронов и последние успевают мгновенно релаксировать при любом изменении ядерных координат, что позволяет игнорировать детали электронной динамики. В случаях, когда приближение Борна-Оппенгеймера применимо, возможно разделение электронных и ионных степеней свободы исследуемой системы.
Однако, при рассмотрении электронной динамики возбужденных горячих электронов почти всегда имеют место безызлучательные переходы между электронными уровнями, обусловленные переносом энергии из электронной подсистемы в ионную.[2] После поглощения фотона с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны полупроводникового материала, генерируются возбужденные носители заряда в форме пары электрон-дырка. При отсутствии немедленной рекомбинации имеют место следующие процессы: возбужденный горячий электрон в зоне проводимости в процессе охлаждения теряет свою избыточную энергию посредством взаимодействия с кристаллической решеткой, возбуждая фононы. В результате, электрон релаксирует ко дну зоны проводимости, тогда как возбужденная горячая дырка - к потолку валентной зоны посредством того же механизма. После релаксации к краям запрещенной зоны полупроводника электрон-дырочная пара может рекомбинировать либо излу-чательно с испусканием фотона, либо безызлучательно с передачей энергии в кристаллическую решетку в виде фононных возбуждений. Описанные процессы соответствуеют нарушению условий адиабатического приближения и требуют учета движения ядер при квантово-механическом описании электронной подсистемы.
Необходимо отметить, что динамика охлаждения носителей в полупроводниках является чрезвычайно важным фактором для многих практических применений. Например, эффективность фотокатодов зависит от инжекции горя-
чих электронов из полупроводников в вакуум [2]. Работа транзисторов на горячих электронах зависит от транспорта горячих электронов [3]. Для применения квантовых точек в лазерах критически важно, чтобы перед испусканием фотонов происходила безызлучательная релаксация фотогенерированных горячих носителей. [4] Понимание неравновесной динамики электронов в полупроводниках, находящихся в возбужденном состояний, имеет ключевое значение при разработке широкого круга новых материалов для преобразования солнечной энергии (фотовольтаика, фотокатализ)[5; 6], оптоэлектроники [7], обработки и хранения информации в квантовых компьютерах и других приложениях.[8] Совместная временная эволюция электронов и ядер в этих системах определяет свойства и механизмы функционирования материалов. Таким образом, главной теоретической задачей является описание квантово-механического поведения как электронов, так и ядер в контексте неадиабатической динамики возбужденных состояний.
Целью диссертационного исследования является изучение природы релаксации электронных возбуждений, моделирование спектров оптического поглощения и фотолюминисцентных спектров в материалах различной размерности, исследование эффектов, связанных со спиновой поляризацией, спин-орбитальным взаимодействием и дисперсией электронов.
Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:
1. Расширить программное обеспечения на случаи систем, в которых необходимо учитывать спин-орбитальное взаимодействие (наночасти-цы СэРЬБг3), спиновую поляризацию (легированные структуры ТЮ2) и дисперсию электронов (нанопроволоки Si).
2. Рассчитать компоненты тензора Редфилда и решить уравнения Ред-филда для приведенной матрицы плотности исследуемых полупроводниковых соединений при различных температурах с целью анализа неравновесной динамики электронных возбуждений и спектров фото-люминисценции;
3. Рассчитать и интерпретировать спектры оптического поглощения и фотолюминисценции чистых и легированных объемных кристаллов и наносистем при различных температурах. Сравнить полученные результаты с экспериментальными данными.
4. Для систем с открытой электронной оболочкой провести расчеты и сравнить неравновесную динамику, спектры оптического поглощения и спектры фотолюминисценции для электронов с разным направлением спина.
5. Для систем с большим вкладом спин-орбитального взаимодействия провести расчеты как с учетом, так и без учета вклада данного взаимодействия для выявления его роли в процессах оптического поглощения и релаксации электронных возбуждений. Исследовать влияние собственных дефектов, а также примесей переходных металлов и редкоземельных элементов, на спектры оптического поглощения и спектры фотолюминисценции антицеолитных фторидборатов. Сравнить полученные результаты с экспериментальными данными.
6. Провести моделирование скоростей неадиабатической релаксации электронных возбуждений в кремниевых нанопроволоках с учетом дисперсии энергии электронов. Исследовать влияние непрямых переходов на скорости неадиабатической релаксации.
Научная новизна:
1. Впервые проведено моделирование релаксации электронных возбуждений с учетом спиновой поляризации. В У-легированном объемном кристалле анатаза ТЮ2 зависимость электронной структуры от направления спина приводит к тому, что релаксация подсистемы электронов со спином вверх происходит медленнее, чем в подсистеме со спином вниз.
2. Впервые на примере рассмотрения наночастицы СЫ3КЫ3РЬ13 проведено сравнение путей релаксации через механизмы генерации множественных экситонов, неадиабатической релаксации, излучательной рекомбинации и безызлучательной релаксации и установлена иерархия скоростей прохождения данных процессов.
3. Впервые на примере рассмотрения наночастицы СэРЬБг3 показано, что спин-орбитальное взаимодействие ускоряет процесс неравновесной релаксации электронных возбуждений путем вовлечения в процесс переходов с переворотом спина.
4. Проведено комплексное теоретическое исследование влияния пассивации поверхности и формирования поляронов различных знаков на фотолюминисцентные свойства наночастиц перовскитов СэРЬБг3. В
результате флуктуации длин связи между поверхностными атомами наночастицы перовскита и пассивирующими лигандами приводят к "мерцанию"оптического поглощения в фемтосекундных масштабах времени; формирование положительно и отрицательно заряженных по-ляронов приводит к фотолюминисценции в инфракрасном диапазоне.
5. Впервые проведено моделирование неравновесной релаксации электронных возбуждений в кремниевых нанопроволоках с учетом возможности непрямых переходов, которые ускоряют процесс благодаря появлению дополнительных безызлучательных каналов релаксации.
6. Впервые проведено всестороннее моделирование спектров оптического поглощения и фотолюминисценции антицеолитных боратов с учетом дефектов типа F-центров и легирования атомами переходных (Cu) и редкоземельных металлов (Ce).
Основные положения, выносимые на защиту:
1. В зависимости от направления спина в системах с открытой электронной оболочкой существуют несколько классов путей релаксации электронных возбуждений, имеющих совершенно различную динамику даже при близких энергиях начального возбуждения. В результате возбуждения фотоном заданной длины волны возможны два независимых и несовпадающих по скорости пути релаксации электронных возбуждений в зависимости от направления спина.
2. Генерация множественных экситонов является наиболее вероятным путем релаксации фотовозбуждений в наноразмерном CH3NH3PbI3, что увеличивает эффективность преобразования света в возбужденные электроны. Сравнение путей релаксации через механизмы генерации множественных экситонов (MEG), неадиабатической релаксации (NAR), излучательной (RR) и безызлучательной рекомбинации (NRR) в фотовозбужденной наночастице CH3NH3PbI3 привело к вычисленным временным шкалам, следующим тенденции тmeg < Tnar < тдд < Tnrr, и со значениями характерных времен 10-14 с, 10-12 с, 10-11 c и 10-8 с, соответственно.
3. Учет спин-орбитального зваимодействия приводит к ускорению неадиабатической релаксации электронных возбужденных путем вовлечения в процесс переходов с переориентацией спина. Соотношение скоростей релаксации &(пс-1) с учетом (SOC) и без учета (SR) спин-орбиталь-
ного взаимодействия примерно описывается соотношениями к^ос = к^р ехр(2.64| АЕе11 - 0.33) и кЦос = ехр(-1.03| + 1.06), где АЕе1(^)(эВ) - разность энергии электрона(дырки) и уровней энергии дна зоны проводимости(потолка валентной зоны). Отличие во влиянии на скорости релаксации электронов и дырок связано с более сильным спин-орбитальным взаимодействием в зоне проводимости, формируемой РЬ-6р состояниями, по сравнению с валентной зоной, формируемой состояниями Бг-4р.
4. Поляроны в модельных пассивированных нанокристаллах дают фото-люминисценьные пики в инфракрасном диапазоне.
5. При возможности реализации непрямых переходов в кремниевых нанопроволоках горячие электроны охлаждаются быстрее из-за увеличенного числа путей релаксации. Число возможных путей релаксации зависит от плотности электронных состояний вблизи краев запрещенной зоны, что определяет скорость охлаждения горячих электронов в кремниевых нанопроволоках, ориентированных в различных кристаллографических направлениях.
6. Путем сравнения экспериментальных и теоретических данных установлено, что изменение спектров оптического пропускания нелегированных антицеолитных боратов происходит благодаря формированию вакансий фтора в полостях типа антикуб. Идентифицированы экспериментально наблюдаемые полосы излучения в спектрах фотолю-минисценции антицеолитных боратов, соответствующие переходам в Р-центрах, легирующих ионах Си+ и Си2+ путем рассмотрения нескольких каналов излучения из долгоживущих промежуточных состояний с учётом безызлучательных путей релаксации.
Личный вклад. Основные результаты диссертационного исследования получены лично автором. Автор принимал активное участие в формулировке цели и задач исследования, в разработке теоретических моделей и методов расчета, написании компьютерного кода в части пост-обработки данных, полученных при помощи первопринципных расчетов, анализе и сравнении результатов теоретических и экспериментальных исследований. Последующая обработка полученных данных в части численного решения уравнения Редфил-да проведена как автором самостоятельно, так и совместно с сотрудникамми группы проф. Д.С. Килина (Университет Штата Северная Дакота, США). Ис-
следование многоэлектронной динамики в наночастице перовскита СН^Н3РЬ13 выполнено проф. А. Крыжевским (Университет Штата Северная Дакота, США). Основные положения диссертационной работы опубликованы в соавторстве. В совместных работах вклад автора в результаты исследований является существенным.
Экспериментальное исследование, посвященное изучению влияния микроструктуры и температуры на фотолюминисцентные свойства наночастиц Si, проводилось в лаборатории проф. Э.К. Хобби(Е.К. НоЬЫе) (Университет Штата Южная Дакота, США). Экспериментальные исследования оптических и фотолюминисцентных свойств антицеолитных боратов проводились д.г.-м.н. Т.Б.Беккер (ИГМ СО РАН, г.Новосибирск). [415—437]
Достоверность обеспечивалась сравнением полученных расчётных данных с проведенными или доступными сторонними результатами экспериментальных исследований, а также с теоретическими оценками, сделанными в других научных группах. Результаты находятся в соответствии с результатами, полученными другими авторами.
Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на:
1. 241-я Национальная конференция и выставка Американского химического общества 27-31 марта 2011 г. Анахайм, США
2. 7 Общее собрание ACCMS-VO (виртуальной организации) в Университете Тохоку, Сендай, Мияги, Япония, 16-18 декабря 2012г.
3. 246-я Национальная конференция и выставка Американского химического общества 8-12 сентября 2013 г. Индианаполис, США
4. Второе заседание рабочей группы Азиатского консорциума по вычислительному материаловедению по вычислительному проектированию материалов для преобразования и хранения энергии. Астана, Казахстан. 5-7 июня 2014 г.
5. 9 Общее собрание ACCMS-VO (виртуальной организации) в Окинав-ском институте науки и технологий, Окинава, Япония, 20-22 декабря 2014г.
6. 10 Общее собрание ACCMS-VO (виртуальной организации) в Университете Тохоку, Сендай, Мияги, Япония, 1-3 ноября 2015г.
7. 8-я конференция Азиатского консорциума по вычислительному материаловедению (ACCMS-8) в Национальном Тайваньском Университете Науки и Технологии, Тайпей, Тайвань, 16-18 июня 2015 г.
8. 15-я Международная конференция по физике неидеальной плазмы 30 августа - 4 сентября 2015 г. Алматы, Казахстан
9. 1-й Международный симпозиум «Зеленая фотоника в Назарбаев Университете», 29-30 октября 2015 г., Астана, Казахстан
10. Международная конференция по функциональным материалам для передовых энергетических проблем (1СРМРЕ1 2015) 1-5 октября 2015 г.Новосибирск, Россия
11. Седьмая Азиатско-Тихоокеанская конференция по теоретической и вычислительной химии (АРСТСС 7) г.Гаосюн, Тайвань, 25-28 января 2016 года.
12. Азиатский консорциум по вычислительной материаловедению Тематическая встреча по анализу и эксперименту на основе первых принципов: роль в энергетических исследованиях 22-24 сентября 2016 г., Университет БИМ Ка^апки^Ьиг - 603 203, г. Ченнай, Тамил Наду, Индия
13. 11-ое Общее собрание АССМБ-УО (виртуальной организации) в Университете Тохоку, г. Сендай, Мияги, Япония, 19-21 декабря 2016г.
14. 9-я конференция Азиатского консорциума по вычислительному материаловедению (АССМБ-9), 8-11 августа 2017 г. в Куала-Лумпур, Малайзия
15. 12 Общее собрание АССМБ-УО (виртуальной организации) в Университете Тохоку, Сендай, Мияги, Япония, 18-20 декабря 2017г.
16. 5-я Международная конференция «Наноматериалы и передовые системы хранения энергии» 9-11 августа 2017 г. | Назарбаев Университет | Астана, Казахстан
17. 256-я Национальная конференция и выставка Американского химического общества 19-23 августа 2018 г. Бостон, США
18. 5-я Международная конференция по нанонауке и нанотехнологиям 28-30 января 2019 г., Ченнай, Индия
19. 10-я конференция Азиатского консорциума по вычислительному материаловедению (АССМБ-9), 22-26 июля 2019 г. в Гонконге, Китай.
Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения и 8 приложений. Полный объём диссертации составляет 314 страниц, включая 98 рисунков и 21 таблицу. Список литературы содержит 414 наименований.
Глава 1. Описание неравновесной зарядовой динамики методом
матрицы плотности
Исследование динамики возбужденных носителей заряда вызывает большой интерес из-за своей важности для практических приложений. При поглощении фотона с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны полупроводникового материала генерируются возбужденные носители заряда в виде электрон-дырочной пары.[4; 9] Возбужденный электрон, также называемый горячим электроном, затем теряет свою избыточную энергию за счет взаимодействия с кристаллической решеткой. Энергия, передаваемая электроном ионной подсистеме, возбуждает фононы, т.е. происходит нагрев решетки. При этом возбужденный электрон может релаксировать до дна зоны проводимости материала. Между тем возбужденная дырка релаксирует к потолку валентной зоны материала через тот же механизм. (Рисунок 1.1) В результате релаксации к краям энергетических зон полупроводника может происходить либо электрон-дырочная рекомбинация, сопровождающаяся испусканием фотона, либо безызлучательная релаксация через состояния ловушки.[10; 11]
Важным эффектом фотовозбуждения полупроводников является возможное пространственное разделение фотогенерированных электронов и дырок. Разделенные фотогенерированные носители могут либо создавать фотоЭДС и фототок [12], либо запускать электрохимические окислительно-восстановительные реакции на поверхности полупроводника. Эти два процесса составляют основу устройств/элементов, преобразующих солнечную энергию в электрическую (солнечные батареи) [13] или химическую энергию (например, в виде водорода, полученного путем расщепления воды).[14]
Процессы переноса заряда или энергии, излучательной и безызлучатель-ной рекомбинации электрон-дырочных пар, изменения энергии возбуждения -все это необходимо учитывать, чтобы быть в состоянии теоретически описать и, как следствие, иметь представление о возможности управления свойствами материалов для оптоэлектроники и солнечной энергетики. Для получения представления о процессах, проходящих на микроскопическом уровне, необходима теория, которая:
1. учитывает многоэлектронный характер исследуемых объектов и описывает переходы между различными электронными состояниями;
2. принимает во внимание связь электронных и ионных степеней свободы;
3. представляет собой теорию, зависящую от времени.
Наиболее часто используемое при описании многоатомных систем адиабатическое приближение подразумевает рассмотрение электронной подсистемы в рамках фиксированных ионных координат в каждый момент времени и напрямую для указанных целей не подходит, поскольку когда расстояние между электронными энергетическими уровнями сравнимо с энергией колебаний решетки, электронные переходы могут стимулироваться ионной динамикой и наоборот. Описание таких неадиабатических процессов требует более общего теоретического подхода.
Рисунок 1.1 — Динамика релаксации горячих носителей в полупроводниках.
Наиболее естественно описывать неадиабатическую электронную динамику в приближении, когда электроны являются квантовыми объектами, тогда как движение ионов можно рассматривается в рамках классической механики. Данный подход носит название приближения классических траекторий и является наиболее широко применямым при совместном описании электронной и ионной динамики.
Безызлучательная релаксация носителей заряда
ь+
1.1 Неравновесная зарядовая динамика
Такого рода динамика может быть характризована волновой функцией электронов, зависящей от времени £, координат электронов г и ионов И. Эволюция полной волновой функции системы описывается уравнением Шредингера, зависящим от времени:
.^(гИ) = ^ (г,Н,*)Ф(г,Н,*) (1.1)
с зависящим от времени гамильтонианом
н = ТУ + ^ + Ге + УУе + Уее, (1.2)
Дм Не1
где Т - оператор кинетической энергии, V - оператор потенциальной энергии взаимодействия, индексы е и N обозначают электроны и ядра, соответственно.
В каждый момент времени система имеет некоторую фиксированную геометрию и может быть рассмотрена в рамках адиабатического приближения. Тогда уравнение 1.1 переходит в независящее от времени уравнение Шредин-гера
Н (г,К(^))Ф(г,И(^)) = Е (К(^))Ф(г,И(^)), (1.3)
а вклад в полную энергию кинетической энергии ядер и потенциальной энергии взаимодействия ядер между собой можно рассматривать как внешние параметры.
Решение уравнения 1.1 можно искать в виде разложения по базису собственных функций {"ф^(г,К(£))}, полученных в результате решения уравнения 1.3:
Ф(г,Н,*) = 6(Н - Н(*)) ^ с^Мг,Н(*)) (1.4)
г
Зависимость от траекторий ионов здесь формальная и задается 6-функцией, которая ограничивает движение ионов по классической трактории И(£), так что электронную волновую функцию можно записать в виде:
Ф(г,*,Н(*)) = ^ с^(г,Н(*)) (1.5)
г
Зависимость от времени волновой функции Ф(г,£,К(£)) задается через координаты ионов И(£) и коэффициенты с^(£). Первый тип зависимости отвечает за адиабатические механизмы переноса заряда и энергии, тогда как второй лежит в основе механизмов неадиабатических переходов.
Подставляя разложение 1.5 в уравнение 1.1, после умножения слева на функцию "ф*(г,К(£)) и интегрирования по электронным координатам, используя условие ("фг|"ф_7) = , для коэффициентов с^Ь) получаем систему уравнений :
= + У*А)сз (г), (1.6)
3
где Не1^ - матричные элементы гамильтониана электронной подсистемы в адиабатическом приближении, точка над коэффициентом ^ означает дифференцирование по времени, а
К™ = -ИПО%А = | | №) (1.7)
- матричный элемент оператора неадиабатического электрон-ионного взаимодействия, который в явной форме записывается как
)НА = -гПГ)МА = -гП^. (1.8)
дг v 7
Способ практического расчета матричных элементов данного оператора описан в Приложении А. Решение системы уравнений 1.6 позволяет рассчитать заселенность ¿-го электронного уровня в зависимости от времени РЬ(Ь) = |с^(^)|2.
Для дальнейшего рассмотрения процессов изменения заселенности уровней введем понятие поверхности потенциальной энергии электронов. Волновые функции и уровни энергии, являющиеся решениями уравнения Шре-дингера 1.3 зависят от ядерных координат И(£) как от параметра. В результате, для различных атомных конфигураций поверхность потенциальной энергии Епредставляет собой зависимость энергии электронной подсистемы от ионных степеней свободы.
Для дальнейшего рассмотрения необходимо определить поверхности потенциальной энергии для одного электрона, которые в некоторый момент времени £ вычисляются как
Ег(Щ1)) = (^ (г,*,Н(*))|Я (г,*,Н(*))), (1.9)
В терминах поверхностей потенциальной энергии неадиабатическая релаксация представляет собой последовательные переходы электронных возбуждений с одной поверхности на другую с меньшей энергией. Простейшие примеры,
(а) (б)
Рисунок 1.2 — Два вида пересечения поверхностей потенциальной энергии, с наклоном при пересечении (а) одного и (Ь) противоположного знака. Показаны типичные траектории релаксации электронов: в случае (а) система релаксирует к изначальному основному состоянию, в случае (Ь) имеет место фотохимическая реакция с переходом начальной системы в новое состояние. Сплошные линии соответствуют квазипересекающимся поверхностям потенциальной энергии, пунктирные - коническим пересечениям.
иллюстрирующие процесс безызлучательной неравновесной релаксации электронных возбуждений, приведены на Рисунке 1.2.
Поглощение фотона приводит к тому, что электрон переходит с поверхности потенциальной энергии So, соответствующей основному состоянию, на поверхность потенциальной энергии возбужденного состояния Si. В результате движения ядер поверхности So и Si могут сойтись настолько близко (сплошные линии на Рисунке 1.2), что возможен безызлучательный переход электрона с поверхности Si на So, сопровождающийся возбуждением фонона. Данная ситуация соответствует так называемому квазипересечению энергетических уровней (avoided crossing). При этом возможно, что в ходе релаксации система или возвращается к своему начальному состоянию, или она переходит в новый локальный минимум как это показано на Рисунке 1.2(6). Последний случай соответствует переходу системы в новое состояние в результате фотохимической реакции.
Возможна ситуация, когда две поверхности потенциальной энергии пересекаются, как это показано пунктирными линиями на Рисунке 1.2 . Такие особенности поверхностей потенциальной энергии получили название конических пересечений (conical intersections), поскольку точка пересечения двух дву-
мерных потенциальных поверхностей является вершиной пары эллиптических конусов. Конические пересечения являются каналами, по которым происходят сверхбыстрые фотохимические процессы, сопровождающийся непрерывным переходом носителей заряда с одной поверхности потенциальной энергии на другую. Фотохимические реакции, ход течения которых связан с коническим пересечением, характерны для органических [15; 16] и металорганических молекул [17]. В данной работе рассмотрены неорганические кристаллы и на-ночастицы, в которых не происходят фотохимические реакции, а релаксация электронных возбуждений происходит благодаря неадиабатическим процессам. По этой причине можно утверждать, что конические пересечения поверхностей потенциальной энергии в них отсутствуют. Кроме того, отсутствие фотохимических реакций в исследованных в данной работе объектах позволяет сделать вывод, что вид поверхностей потенциальной энергии имеет качественный вид как это показано на Рисунке 1.2(а).
Одним из самых простых методов моделирования неравновесной электронной динамики является метод среднего поля, или метод Эренфеста.[18; 19] Даный метод основан на теореме Эренфеста, согласно которой квантовоме-ханические средние значения координат и импульсов частицы, а также силы, действующей на неё, связаны между собой уравнениями, являющимися полными аналогами уравнений классической механики. Так, движение 1-го иона описывается уравнением:
где волновая функция Ф(г,И,^) имеет вид 1.4 и находится из зависящего от времени уравнения Шредингера 1.1 с электронной частью гамильтониана Не1. Уравнения 1.10 и 1.1 определяют метод среднего поля и описывают связь ионной и электронной подсистем. В этом подходе ионная подсистема движется по поверхности потенциальной энергии, которая получена путем усреднения по всем квантовым электронным состояниям, взвешенным согласно соответствующими заселенностям уровней и в каждый момент времени определяется выражением:
Похожие диссертационные работы по специальности «Другие cпециальности», 00.00.00 шифр ВАК
Оптические и спиновые явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах2016 год, доктор наук Родина Анна Валерьевна
Релаксация углового момента и энергии в спиновых системах легированных полупроводников2020 год, доктор наук Кавокин Кирилл Витальевич
Процессы релаксации и энергообмена в массивах кремниевых нанокристаллов2013 год, кандидат наук Бурдов, Владимир Анатольевич
Оптическая спектроскопия анизотропных и примесных полупроводниковых нанокристаллов2015 год, кандидат наук Турков Вадим Константинович
Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии2010 год, доктор физико-математических наук Павлов, Сергей Геннадьевич
Список литературы диссертационного исследования доктор наук Инербаев Талгат Муратович, 2025 год
Список литературы
1. Давыдов А. Квантовая механика. — Москва : Наука, 1973.
2. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках / под ред. Ж. Алферова, и В.С. Вавилова. — Москва : Мир, 1973.
3. Зи С. Оптические процессы в полупроводниках / под ред. Р. Суриса. — Москва : Мир, 1984.
4. Nozik A. J. Spectroscopy and hot electron relaxation dynamics in semiconductor quantum wells and quantum dots // Annual Review of Physical Chemistry. — 2001. — т. 52, № 1. — с. 193—231.
5. Non-equilibrium dynamics, materials and structures for hot carrier solar cells: a detailed review / D. Konig [и др.] // Semiconductor Science and Technology. — 2020. — июнь. — т. 35, № 7. — с. 073002.
6. Kinetics and mechanisms of charge transfer processes in photocatalytic systems: A review / L. Zhang [и др.] // Journal of Photochemistry and Photobiology C: Photochemistry Reviews. — 2012. — т. 13, № 4. — с. 263—276.
7. 2D heterostructures for ubiquitous electronics and optoelectronics: principles, opportunities, and challenges / P. V. Pham [и др.] // Chemical Reviews. — 2022. — т. 122, № 6. — с. 6514—6613.
8. Mondal S., Sen D., Sengupta K. Non-equilibrium dynamics of quantum systems: order parameter evolution, defect generation, and qubit transfer // Quantum Quenching, Annealing and Computation / под ред. A. K. Chandra, A. Das, B. K. Chakrabarti. — Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2010. — с. 21—56.
9. Давыдов А. Физика твердого тела. — Москва : Наука, 1976.
10. Shockley W., Read W. T. Statistics of the recombinations of holes and electrons // Phys. Rev. — 1952. — сент. — т. 87, вып. 5. — с. 835—842.
11. Hall R. N. Electron-hole recombination in germanium // Phys. Rev. — 1952. — июль. — т. 87, вып. 2. — с. 387—387.
12. Бонч-Бруевич В.Л.; Калашников С. Физика полупроводников. — Москва : Наука, 1990.
13. Green M. A. Solar Cells - Operating Principles, Technology and System Application. — Kensington, Australia : University of NSW, 1992.
14. Nozik A. J. Photoelectrochemistry: applications to solar energy conversion // Annual Review of Physical Chemistry. — 1978. — т. 29, № 1. — с. 189—222.
15. Schuurman M. S., Stolow A. Dynamics at conical intersections // Annual Review of Physical Chemistry. — 2018. — т. 69, № 1. — с. 427—450.
16. Yarkony D. R. Diabolical conical intersections // Rev. Mod. Phys. — 1996. — окт. — т. 68, вып. 4. — с. 985—1013.
17. Mckinlay R. G., Zurek J. M, Paterson M. J. Vibronic coupling in inorganic systems: photochemistry, conical intersections, and the Jahn-teller and pseudo-Jahn-Teller effects // Theoretical and Computational Inorganic Chemistry. т. 62 / под ред. R. van Eldik, J. Harvey. — Academic Press, 2010. — с. 351—390. — (Advances in Inorganic Chemistry).
18. C. Tully J. Mixed quantum-classical dynamics // Faraday Discuss. — 1998. — т. 110, вып. 0. — с. 407—419.
19. Prezhdo O. V., Kisil V. V. Mixing quantum and classical mechanics // Phys. Rev. A. — 1997. — июль. — т. 56, вып. 1. — с. 162—175.
20. Tully J. C, Preston R. K. Trajectory surface hopping approach to nonadiabatic molecular collisions: the reaction of H+ with D2 // The Journal of Chemical Physics. — 1971. — июль. — т. 55, № 2. — с. 562—572.
21. Tully J. C. Molecular dynamics with electronic transitions // The Journal of Chemical Physics. — 1990. — т. 93, № 2. — с. 1061—1071.
22. Parandekar P. V., Tully J. C. Mixed quantum-classical equilibrium // The Journal of Chemical Physics. — 2005. — т. 122, № 9. — с. 094102.
23. Parandekar P. V., Tully J. C. Detailed balance in ehrenfest mixed quantum-classical dynamics // Journal of Chemical Theory and Computation. — 2006. — т. 2, № 2. — с. 229—235.
24. Akimov A. V., Prezhdo O. V. The PYXAID program for non-adiabatic molecular dynamics in condensed matter systems // Journal of Chemical Theory and Computation. — 2013. — т. 9, № 11. — с. 4959—4972.
25. Ландау Л.Д.; Лифшиц Е. Теоретическая физика. Том 3. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. — Москва : Наука, 1989.
26. Блум К. Теория матрицы плотности и ее приложения. — Москва : Мир, 1983.
27. Nitzan A. Chemical dynamics in condensed phases: relaxation, transfer and reactions in condensed molecular systems. — Oxford University Press, 04.2006.
28. Weiss U. Quantum Dissipative Systems. — 4th. — World Scientific, 2012.
29. Nakajima S. On quantum theory of transport phenomena: steady diffusion // Progress of Theoretical Physics. — 1958. — дек. — т. 20, № 6. — с. 948—959.
30. Zwanzig R. Ensemble method in the theory of irreversibility // The Journal of Chemical Physics. — 1960. — т. 33, № 5. — с. 1338—1341.
31. Белоусов Ю. М. Матрица плотности и спиновые системы : учебное пособие. — Москва, Долгопрудный : МФТИ, 2018.
32. Fano U. Description of states in quantum mechanics by density matrix and operator techniques // Rev. Mod. Phys. — 1957. — янв. — т. 29, вып. 1. — с. 74—93.
33. Redfield A. G. On the Theory of Relaxation Processes // IBM J. Res. Dev. — USA, 1957. — янв. — т. 1, № 1. — с. 19—31.
34. Redfield A. The theory of relaxation processes // Advances in Magnetic Resonance. т. 1 / под ред. J. S. Waugh. — Academic Press, 1965. — с. 1—32. — (Advances in Magnetic and Optical Resonance).
35. Fain B. Theory of Rate Processes in Condensed Media. — Berlin : Springer Berlin, Heidelberg, 1980.
36. Бахвалов Н.С. Жидков Н.П. К. Г. Численные методы. — Москва : Издательство "Лаборатория знаний", 2009.
37. Huang S., Kilin D. S. Charge transfer, luminescence, and phonon bottleneck in tio2 nanowires computed by eigenvectors of liouville superoperator // Journal of Chemical Theory and Computation. — 2014. — т. 10, № 9. — с. 3996—4005.
38. Kasha M. Characterization of electronic transitions in complex molecules // Discuss. Faraday Soc. — 1950. — т. 9, вып. 0. — с. 14—19.
39. Bockelmann U., Bastard G. Phonon scattering and energy relaxation in two-, one-, and zero-dimensional electron gases // Phys. Rev. B. — 1990. — нояб. — т. 42, вып. 14. — с. 8947—8951.
40. Review of the mechanisms for the phonon bottleneck effect in III-V semiconductors and their application for efficient hot carrier solar cells / Y. Zhang [и др.] // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. — 2022. — т. 30, № 6. — с. 581—596.
41. Ferreira R., Bastard G. Phonon-assisted capture and intradot Auger relaxation in quantum dots // Applied Physics Letters. — 1999. — т. 74, № 19. — с. 2818—2820.
42. Li X.-Q., Arakawa Y. Ultrafast energy relaxation in quantum dots through defect states: A lattice-relaxation approach // Phys. Rev. B. — 1997. — окт. — т. 56, вып. 16. — с. 10423—10427.
43. Inoshita T, Sakaki H. Electron relaxation in a quantum dot: Significance of multiphonon processes // Phys. Rev. B. — 1992. — сент. — т. 46, вып. 11. — с. 7260—7263.
44. Li X.-Q., Nakayama H., Arakawa Y. Phonon bottleneck in quantum dots: Role of lifetime of the confined optical phonons // Phys. Rev. B. — 1999. — февр. — т. 59, вып. 7. — с. 5069—5073.
45. May V., Kühn O. Charge and energy transfer dynamics in molecular systems. — John Wiley & Sons, 2023.
46. Heller E. J. The semiclassical way to molecular spectroscopy // Accounts of Chemical Research. — 1981. — т. 14, № 12. — с. 368—375.
47. Rego L. G. C, Batista V. S. Quantum dynamics simulations of interfacial electron transfer in sensitized TiO2 semiconductors // Journal of the American Chemical Society. — 2003. — т. 125, № 26. — с. 7989—7997.
48. Hartree D. R. The wave mechanics of an atom with a non-coulomb central field. part ii. some results and discussion // Mathematical Proceedings of the Cambridge Philosophical Society. — 1928. — т. 24, № 1. — с. 111—132.
49. Fock V. Näherungsmethode zur Lösung des quantenmechanischen Mehrkörperproblems // Z. Physik. — 1930. — т. 24, № 61. — с. 126—148.
50. Fock V. Selfconsistent field' mit Austausch fur Natrium // Z. Physik. — 1930. — т. 62. — с. 795—805.
51. David Sherrill C, Schaefer H. F. The configuration interaction method: advances in highly correlated approaches //. т. 34 / под ред. P.-O. Lowdin [и др.]. — Academic Press, 1999. — с. 143—269. — (Advances in Quantum Chemistry).
52. Bartlett R. J., Musial M. Coupled-cluster theory in quantum chemistry // Rev. Mod. Phys. — 2007. — февр. — т. 79, вып. 1. — с. 291—352.
53. M0ller C., Plesset M. S. Note on an approximation treatment for many-electron systems // Phys. Rev. — 1934. — окт. — т. 46, вып. 7. — с. 618—622.
54. Post-Hartree-Fock Methods // Methods of Molecular Quantum Mechanics. — John Wiley & Sons, Ltd, 2009. — гл. 8. с. 133—139.
55. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous electron gas // Phys. Rev. — 1964. — нояб. — т. 136, 3B. — B864—B871.
56. Kohn W, Sham L. J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects // Phys. Rev. — 1965. — нояб. — т. 140, 4A. — A1133—A1138.
57. Jones R. O, Gunnarsson O. The density functional formalism, its applications and prospects // Rev. Mod. Phys. — 1989. — июль. — т. 61, вып. 3. — с. 689—746.
58. Geerlings P., De Proft F., Langenaeker W. Conceptual density functional theory // Chemical Reviews. — 2003. — т. 103, № 5. — с. 1793—1874.
59. Calais J.-L. Density-functional theory of atoms and molecules. — Oxford University Press, New York, Oxford, 1993.
60. Martin R. M. Electronic structure: basic theory and practical methods. — Cambridge University Press, 2004.
61. Thomas L. H. The calculation of atomic fields // Mathematical Proceedings of the Cambridge Philosophical Society. — 1927. — т. 23, № 5. — с. 542—548.
62. Fermi E. Un Metodo Statistico per la Determinazione di alcune Prioprieta dell'Atomo // Endiconti: Accademia Nazionale dei Lincei. — 1927. — т. 6, № 5. — с. 602—607.
63. Dreizler R. M., Gross E. K. Density functional theory: an approach to the quantum many-body problem. — Springer Science & Business Media, 2012.
64. Gell-Mann M., Brueckner K. A. Correlation energy of an electron gas at high density // Phys. Rev. — 1957. — апр. — т. 106, вып. 2. — с. 364—368.
65. Ceperley D. M, Alder B. J. Ground state of the electron gas by a stochastic method // Phys. Rev. Lett. — 1980. — авг. — т. 45, вып. 7. — с. 566—569.
66. Perdew J. P., Zunger A. Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems // Phys. Rev. B. — 1981. — май. — т. 23, вып. 10. — с. 5048—5079.
67. Perdew J. P., Wang Y. Accurate and simple analytic representation of the electron-gas correlation energy // Phys. Rev. B. — 1992. — июнь. — т. 45, вып. 23. — с. 13244—13249.
68. Vosko S. H, Wilk L, Nusair M. Accurate spin-dependent electron liquid correlation energies for local spin density calculations: a critical analysis // Canadian Journal of Physics. — 1980. — т. 58, № 8. — с. 1200—1211.
69. Gunnarsson O, Lundqvist B. I. Exchange and correlation in atoms, molecules, and solids by the spin-density-functional formalism // Phys. Rev. B. — 1976. — май. — т. 13, вып. 10. — с. 4274—4298.
70. Gunnarsson O, Jonson M., Lundqvist B. Exchange and correlation in inhomogeneous electron systems // Solid State Communications. — 1977. — т. 24, № 11. — с. 765—768.
71. Burke K., Perdew J. P., Ernzerhof M. Why semilocal functionals work: Accuracy of the on-top pair density and importance of system averaging // The Journal of Chemical Physics. — 1998. — т. 109, № 10. — с. 3760—3771.
72. Tests of a ladder of density functionals for bulk solids and surfaces / V. N. Staroverov [и др.] // Phys. Rev. B. — 2004. — февр. — т. 69, вып. 7. — с. 075102.
73. Assessing the performance of recent density functionals for bulk solids / G. I. Csonka [и др.] // Phys. Rev. B. — 2009. — апр. — т. 79, вып. 15. — с. 155107.
74. Harl J., Schimka L, Kresse G. Assessing the quality of the random phase approximation for lattice constants and atomization energies of solids // Phys. Rev. B. — 2010. — март. — т. 81, вып. 11. — с. 115126.
75. Capelle K. A bird's-eye view of density-functional theory // Brazilian Journal of Physics. — 2006. — дек. — т. 36, 4A. — с. 1318—1343.
76. Perdew J. P., Burke K., Ernzerhof M. Generalized gradient approximation made simple // Phys. Rev. Lett. — 1996. — окт. — т. 77, вып. 18. — с. 3865—3868.
77. Perdew J. P., Burke K., Wang Y. Generalized gradient approximation for the exchange-correlation hole of a many-electron system // Phys. Rev. B. — 1996. — дек. — т. 54, вып. 23. — с. 16533—16539.
78. Lee C, Yang W, Parr R. G. Development of the Colle-Salvetti correlation-energy formula into a functional of the electron density // Phys. Rev. B. — 1988. — янв. — т. 37, вып. 2. — с. 785—789.
79. Generalized Kohn-Sham schemes and the band-gap problem / A. Seidl [и др.] // Phys. Rev. B. — 1996. — февр. — т. 53, вып. 7. — с. 3764—3774.
80. Hubbard-corrected DFT energy functionals: The LDA+U description of correlated systems / B. Himmetoglu [и др.] // International Journal of Quantum Chemistry. — 2014. — т. 114, № 1. — с. 14—49.
81. Cococcioni M. The LDA + U Approach : A simple hubbard correction for correlated ground states //. — 2012.
82. Hubbard J., Flowers B. H. Electron correlations in narrow energy bands // Proceedings of the Royal Society of London. Series A. Mathematical and Physical Sciences. — 1963. — т. 276, № 1365. — с. 238—257.
83. Hybrid exchange-correlation energy functionals for strongly correlated electrons: Applications to transition-metal monoxides / F. Tran [и др.] // Phys. Rev. B. — 2006. — окт. — т. 74, вып. 15. — с. 155108.
84. Electron-energy-loss spectra and the structural stability of nickel oxide: An LSDA+U study / S. L. Dudarev [и др.] // Phys. Rev. B. — 1998. — янв. — т. 57, вып. 3. — с. 1505—1509.
85. Levy M. Electron densities in search of Hamiltonians // Phys. Rev. A. — 1982. — сент. — т. 26, вып. 3. — с. 1200—1208.
86. Becke A. D. A new mixing of Hartree-Fock and local density-functional theories // The Journal of Chemical Physics. — 1993. — т. 98, № 2. — с. 1372—1377.
87. Ernzerhof M, Perdew J. P., Burke K. Coupling-constant dependence of atomization energies // International Journal of Quantum Chemistry. — 1997. — т. 64, № 3. — с. 285—295.
88. Becke A. D. Density-functional thermochemistry. III. The role of exact exchange // The Journal of Chemical Physics. — 1993. — т. 98, № 7. — с. 5648—5652.
89. Ashcroft N. W., Mermin N. D. Solid state physics. — New York, NY : Holt, Rinehart, Winston, 1976.
90. Kohn W. Density functional theory for systems of very many atoms // International Journal of Quantum Chemistry. — 1995. — т. 56, № 4. — с. 229—232.
91. Mardirossian N., Head-Gordon M. Thirty years of density functional theory in computational chemistry: an overview and extensive assessment of 200 density functionals // Molecular Physics. — 2017. — т. 115, № 19. — с. 2315—2372.
92. Heyd J., Scuseria G. E., Ernzerhof M. Hybrid functionals based on a screened Coulomb potential // The Journal of Chemical Physics. — 2003. — т. 118, № 18. — с. 8207—8215.
93. Heyd J., Scuseria G. E., Ernzerhof M. Erratum: "Hybrid functionals based on a screened Coulomb potential" [J. Chem. Phys. 118, 8207 (2003)] // The Journal of Chemical Physics. — 2006. — т. 124, № 21. — с. 219906.
94. Influence of the exchange screening parameter on the performance of screened hybrid functionals / A. V. Krukau [и др.] // The Journal of Chemical Physics. — 2006. — т. 125, № 22. — с. 224106.
95. Barth U. von, Hedin L. A local exchange-correlation potential for the spin polarized case. i // Journal of Physics C: Solid State Physics. — 1972. — июль. — т. 5, № 13. — с. 1629.
96. Blochl P. E. Projector augmented-wave method // Phys. Rev. B. — 1994. — дек. — т. 50, вып. 24. — с. 17953—17979.
97. Kresse G, Joubert D. From ultrasoft pseudopotentials to the projector augmented-wave method // Phys. Rev. B. — 1999. — янв. — т. 59, вып. 3. — с. 1758—1775.
98. Kresse G., Furthmuller J. Efficient iterative schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set // Phys. Rev. B. — 1996. — окт. — т. 54, вып. 16. — с. 11169—11186.
99. O'Regan B., Gratzel M. A low-cost, high-efficiency solar-cell based on dye-sensitized colloidal TiO2 films // Nature. — 1991. — окт. — т. 353, № 6346. — с. 737—740.
100. Chen X., Burda C. The electronic origin of the visible-light absorption properties of C-, N- and S-doped TiO2 nanomaterials // Journal of the American Chemical Society. — 2008. — т. 130, № 15. — с. 5018—5019.
101. Kovash C. S., Hoefelmeyer J. D., Logue B. A. TiO2 compact layers prepared by low temperature colloidal synthesis and deposition for high performance dye-sensitized solar cells // Electrochimica Acta. — 2012. — т. 67. — с. 18—23.
102. A. F., Honda K. Electrochemical photolysis of water at a semiconductor electrode // Nature. — 1972. — июль. — т. 238. — с. 37—38.
103. Nocera D. G. Chemistry of personalized solar energy // Inorganic Chemistry. — 2009. — т. 48, № 21. — с. 10001—10017.
104. Solar water splitting cells / M. G. Walter [и др.] // Chemical Reviews. — 2010. — т. 110, № 11. — с. 6446—6473.
105. Semiconductor-based photocatalytic hydrogen generation / X. Chen [и др.] // Chemical Reviews. — 2010. — т. 110, № 11. — с. 6503—6570.
106. Kudo A., Miseki Y. Heterogeneous photocatalyst materials for water splitting // Chem. Soc. Rev. — 2009. — т. 38, вып. 1. — с. 253—278.
107. Chen X., Mao S. S. Titanium dioxide nanomaterials: synthesis, properties, modifications, and applications // Chemical Reviews. — 2007. — т. 107, № 7. — с. 2891—2959.
108. Exciton migration and charge transfer in chemically linked P3HT-TiO2 nanorod composite / T. Xu [и др.] // RSC Adv. — 2012. — т. 2, вып. 3. — с. 854—862.
109. Park N.-G., Lagemaat J. van de, Frank A. J. Comparison of dye-sensitized rutile- and anatase-based TiO2 solar cells // The Journal of Physical Chemistry B. — 2000. — т. 104, № 38. — с. 8989—8994.
110. Gratzel M. Dye-sensitized solar cells // Journal of Photochemistry and Photobiology C-Photochemistry Reviews. — 2003. — окт. — т. 4, № 2. — с. 145—153.
111. Photocatalytic activity of bulk TiO2 anatase and rutile single crystals using infrared absorption spectroscopy / M. Xu [и др.] // Phys. Rev. Lett. — 2011. — март. — т. 106, вып. 13. — с. 138302.
112. Zhang H., Banfield J. F. Kinetics of crystallization and crystal growth of nanocrystalline anatase in nanometer-sized amorphous titania // Chemistry of Materials. — 2002. — т. 14, № 10. — с. 4145—4154.
113. Gribb A., Banfield J. Particle size effects on transformation kinetics and phase stability in nanocrystalline TiO2 // American Mineralogist. — 1997. — июль. — т. 82, № 7/8. — с. 717—728.
114. Structure and stability of the anatase TiO2 (101) and (001) surfaces / R. Hengerer [и др.] // Surface Science. — 2000. — т. 460, № 1. — с. 162—169.
115. Direct measurement of size, three-dimensional shape, and specific surface area of anatase nanocrystals / A. Feldhoff [и др.] // ChemPhysChem. — 2007. — т. 8, № 6. — с. 805—809.
116. Titanium dioxide for solar-hydrogen I. Functional properties / J. Nowotny [и др.] // International Journal of Hydrogen Energy. — 2007. — т. 32. — с. 2609—2629.
117. Self-energy and excitonic effects in the electronic and optical properties of TiO2 crystalline phases / L. Chiodo [и др.] // Physical Review B. — 2010. — июль. — т. 82, № 4.
118. Understanding TiO2 photocatalysis: Mechanisms and materials / J. Schneider [и др.] // Chemical Reviews. — 2014. — окт. — т. 114, № 19. — с. 9919—9986.
119. Visible-light photocatalysis in nitrogen-doped titanium oxides / R. Asahi [и др.] // Science. — 2001. — июль. — т. 293, № 5528. — с. 269—271.
120. Wang H., Lewis J. P. Second-generation photocatalytic materials: anion-doped TiO2 // Journal of Physics Condensed Matter. — United Kingdom, Jan 2006. — т. 18, № 2. — с. 421—434.
121. Choi W, Termin A., Hoffmann M. R. The role of metal ion dopants in quantum-sized TiO2: correlation between photoreactivity and charge carrier recombination dynamics // The Journal of Physical Chemistry. — 1994. — т. 98, № 51. — с. 13669—13679.
122. Choi J., Park H, Hoffmann M. R. Effects of single metal-ion doping on the visible-light photoreactivity of TiO2 // Journal of Physical Chemistry C. — 2010. — янв. — т. 114, № 2. — с. 783—792.
123. Analysis of electronic structures of 3d transition metal-doped TiO2 based on band calculations / T. Umebayashi [и др.] // Journal of Physics and Chemistry of Solids. — 2002. — т. 63, № 10. — с. 1909—1920.
124. Bulk and surface characterization of powder iron-doped titania photocatalysts / J. A. Navio [и др.] // Journal of Materials Science. — 1992. — июнь. — т. 27, № 11. — с. 3036—3042.
125. Characterization of iron titanium-oxide photocatalysts. 1. structural and magnetic studies / R. Bickley [и др.] // Journal of the Chemical Society-Faraday Transactions. — 1992. — февр. — т. 88, № 3. — с. 377—383.
126. Stoichiometric decomposition of water by titanium(IV) oxide photocatalyst synthesized in organic media: Effect of synthesis and irradiation conditions on photocatalytic activity / H. Kominami [и др.] // Phys. Chem. Chem. Phys. — 2001. — т. 3, вып. 18. — с. 4102—4106.
127. Sullivan J. M., Erwin S. C. Theory of dopants and defects in Co-doped TiO2 anatase // Phys. Rev. B. — 2003. — апр. — т. 67, вып. 14. — с. 144415.
128. Calculation of carrier-concentration-dependent effective mass in Nb-doped anatase crystals of TiO2 / H. A. Huy [и др.] // Physical Review B. — 2011. — апр. — т. 83, № 15.
129. Nair M., Rao K., Nair C. Investigation of the mixed oxide materials—TiO2 SiO2, TiO2 SiO2 Al2Oa, TiO2 SiO2 I^Oa and TiO2 SiO2 RuO2-In regard to the photoelectrolysis of water // International Journal of Hydrogen Energy. — 1991. — т. 16, № 7. — с. 449—459.
130. Effects of sintering on the photoelectrochemical properties of Nb-doped TiO2 electrodes / M.-H. Wang [и др.] // International Journal of Hydrogen Energy. — 1995. — т. 20, № 7. — с. 555—560.
131. de Lara-Castells M, Krause J. L. Theoretical study of the interaction of molecular oxygen with a reduced TiO2 surface // Chemical Physics Letters. — 2002. — т. 354, № 5. — с. 483—490.
132. Peluso E., Galarraga C, de Lasa H. Eggshell catalyst in Fischer-Tropsch synthesis: Intrinsic reaction kinetics // Chemical Engineering Science. — 2001. — т. 56, № 4. — с. 1239—1245.
133. Fischer-Tropsch synthesis: effect of water on the catalytic properties of a ruthenium promoted Co/TiO2 catalyst / J. Li [и др.] // Applied Catalysis A-General. — 2002. — июль. — т. 233, № 1/2. — с. 255—262.
134. Duvenhage D., Coville N. Fe : Co/TiO2 bimetallic catalysts for the Fischer-Tropsch reaction Part 2. The effect of calcination and reduction temperature // Applied Catalysis A-General. — 2002. — июль. — т. 233, № 1/2. — с. 63—75.
135. Characterization and comparison of the activity of boron-modified Co/TiO2 catalysts in butan-2-ol conversion and oxidative dehydrogenation of ethane / Y. Brik [и др.] // Journal of Catalysis. — 2002. — окт. — т. 211, № 2. — с. 470—481.
136. Efficient production of hydrogen over supported cobalt catalysts from ethanol steam reforming / J. Llorca [и др.] // Journal of Catalysis. — 2002. — июль. — т. 209, № 2. — с. 306—317.
137. Sakata T, Hashimoto K., Kawai T. Catalytic properties of ruthenium oxide on n-type semiconductors under illumination // Journal of Physical Chemistry. — 1984. — т. 88, № 22. — с. 5214—5221.
138. Zhang J., Alexandrova A. N. Double sigma-aromaticity in a surface-deposited cluster: Pd-4 on TiO2 (110) // Journal of Physical Chemistry Letters. — 2012. — март. — т. 3, № 6. — с. 751—754.
139. Zhang J., Alexandrova A. N. The golden crown: a single au atom that boosts the CO oxidation catalyzed by a palladium cluster on titania surfaces // Journal of Physical Chemistry Letters. — 2013. — июль. — т. 4, № 14. — с. 2250—2255.
140. Small au and pt clusters at the anatase TiO2(101) surface: Behavior at terraces, steps, and surface oxygen vacancies / X.-Q. Gong [и др.] // Journal of the American Chemical Society. — 2008. — янв. — т. 130, № 1. — с. 370—381.
141. Long R., Prezhdo O. V. Instantaneous generation of charge-separated state on TiO2 surface sensitized with plasmonic nanoparticles // Journal of the American Chemical Society. — 2014. — март. — т. 136, № 11. — с. 4343—4354.
142. Akimov A. V., Neukirch A. J., Prezhdo O. V. Theoretical insights into photoinduced charge transfer and catalysis at oxide interfaces // Chemical Reviews. — 2013. — июнь. — т. 113, № 6. — с. 4496—4565.
143. Laser-induced demagnetization at ultrashort time scales: Predictions of TDDFT / K. Krieger [и др.] // Journal of Chemical Theory and Computation. — 2015. — окт. — т. 11, № 10. — с. 4870—4874.
144. Ab initio two-component Ehrenfest dynamics / F. Ding [и др.] // Journal of Chemical Physics. — 2015. — сент. — т. 143, № 11.
145. Structure and dynamics of liquid water on rutile TiO2(110) / L.-M. Liu [и др.] // Phys. Rev. B. — 2010. — окт. — т. 82, вып. 16. — с. 161415.
146. Carrier recombination dynamics in anatase TiO2 nanoparticles / L. Cavigli [и др.] // Solid State Sciences. — 2010. — т. 12, № 11. — с. 1877—1880.
147. Subnanosecond relaxation dynamics in TiO2 colloidal sols (particle sizes Rp = 1.0-13.4 nm). Relevance to heterogeneous photocatalysis / N. Serpone [и др.] // The Journal of Physical Chemistry. — 1995. — т. 99, № 45. — с. 16655—16661.
148. Photovoltage in nanocrystalline porous TiO2 / V. Duzhko [и др.] // Phys. Rev. B. — 2001. — июль. — т. 64, вып. 7. — с. 075204.
149. Vazhappilly T, Kilin D. S., Micha D. A. Photoabsorbance and photovoltage of crystalline and amorphous silicon slabs with silver adsorbates // The Journal of Physical Chemistry C. — 2012. — т. 116, № 48. — с. 25525—25536.
150. Size effect of ruthenium nanoparticles in catalytic carbon monoxide oxidation / S. H. Joo [и др.] // Nano Letters. — 2010. — т. 10, № 7. — с. 2709—2713.
151. Density functional theory study on the metal-support interaction between ru cluster and anatase TiO2(101) Surface / S.-T. Zhang [h gp.] // Journal of Physical Chemistry C. — 2014. — ^eBp. — t. 118, № 7. — c. 3514—3522.
152. Photohole-oxidation-assisted anchoring of ultra-small Ru clusters onto TiO2 with excellent catalytic activity and stability / C. Li [h gp.] //J. Mater. Chem. A. — 2013. — t. 1, Bbm. 7. — c. 2461—2467.
153. Ultrafast plasmon-induced electron transfer from gold nanodots into TiO2 nanoparticles / A. Furube [h gp.] // Journal of the American Chemical Society. — 2007. — geK. — t. 129, № 48. — c. 14852+.
154. Clavero C. Plasmon-induced hot-electron generation at nanoparticle/metal-oxide interfaces for photovoltaic and photocatalytic devices // Nature Photonics. — 2014. — ^eBp. — t. 8, № 2. — c. 95—103.
155. Ultrafast charge separation and long-lived charge separated state in photocatalytic CdS-Pt nanorod heterostructures / K. Wu [h gp.] // Journal of the American Chemical Society. — 2012. — uroHb. — t. 134, № 25. — c. 10337—10340.
156. Martsinovich N., Troisi A. How TiO2 crystallographic surfaces influence charge injection rates from a chemisorbed dye sensitiser // Phys. Chem. Chem. Phys. — 2012. — t. 14, Bbm. 38. — c. 13392—13401.
157. Size and support effects for the water-gas shift catalysis over gold nanoparticles supported on model Al2O3 and TiO2 / M. Shekhar [h gp.] // Journal of the American Chemical Society. — 2012. — t. 134, № 10. — c. 4700—4708.
158. Effect of vanadia doping and its oxidation state on the photocatalytic activity of TiO2 for gas-phase oxidation of ethene / K. Bhattacharyya [h gp.] // The Journal of Physical Chemistry C. — 2008. — t. 112, № 48. — c. 19102—19112.
159. Effect of V doping concentration on the electronic structure, optical and photocatalytic properties of nano-sized V-doped anatase TiO2 / M. Khan [h gp.] // Materials Chemistry and Physics. — 2013. — t. 142, № 1. — c. 148—153.
160. Chang S.-m., Liu W.-s. Surface doping is more beneficial than bulk doping to the photocatalytic activity of vanadium-doped TiO2 // Applied Catalysis B: Environmental. — 2011. — t. 101, № 3. — c. 333—342.
161. Wu J. C.-S., Chen C.-H. A visible-light response vanadium-doped titania nanocatalyst by sol-gel method // Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry. — 2004. — t. 163, № 3. — c. 509—515.
162. Low temperature synthesis of visible light-driven vanadium doped titania photocatalyst / H. Li [h gp.] // Journal of Colloid and Interface Science. — 2010. — t. 344, № 2. — c. 247—250.
163. Li L, Liu C.-y, Liu Y. Study on activities of vanadium (IV/V) doped TiO2(R) nanorods induced by UV and visible light // Materials Chemistry and Physics. — 2009. — t. 113, № 2. — c. 551—557.
164. TiO2/V-TiO2 composite photocatalysts with an n-n heterojunction semiconductor structure / S. Liu [h gp.] // Journal of Molecular Catalysis A: Chemical. — 2010. — t. 332, № 1. — c. 84—92.
165. Howard C. J., Sabine T. M, Dickson F. Structural and thermal parameters for rutile and anatase // Acta Crystallographica Section B. — 1991. — aBr. — t. 47, № 4. — c. 462—468.
166. Hu Z, Metiu H. Choice of U for DFT+U Calculations for Titanium Oxides // The Journal of Physical Chemistry C. — 2011. — t. 115, № 13. — c. 5841—5845.
167. Vanadium-doped TiO2 anatase nanostructures: the role of V in solid solution formation and its effect on the optical properties / W. Avansi [h gp.] // CrystEngComm. — 2014. — t. 16, bhh. 23. — c. 5021—5027.
168. Huang S., Kilin D. S. Electronic structure and hot carrier relaxation in (001) anatase TiO2 nanowire // Molecular Physics. — 2014. — t. 112, № 3/4. — c. 539—545.
169. Huang S., Kilin D. S. Charge Transfer, Luminescence, and Phonon Bottleneck in TiO2 Nanowires Computed by Eigenvectors of Liouville Superoperator // Journal of Chemical Theory and Computation. — 2014. — t. 10, № 9. — c. 3996—4005.
170. Choudhury B., Choudhury A. Luminescence characteristics of cobalt doped TiO2 nanoparticles // Journal of Luminescence. — 2012. — t. 132, № 1. — c. 178—184.
171. Cobalt doped TiO2: A stable and efficient photocatalyst for continuous hydrogen production from glycerol: Water mixtures under solar light irradiation / G. Sadanandam [и др.] // International Journal of Hydrogen Energy. — 2013. — т. 38, № 23. — с. 9655—9664.
172. Dynamics of the photogenerated hole at the rutile TiO2(110)/water interface: A nonadiabatic simulation study / G. A. Tritsaris [и др.] // The Journal of Physical Chemistry C. — 2014. — т. 118, № 47. — с. 27393—27401.
173. Smith A. M, Nie S. Semiconductor nanocrystals: structure, properties, and band gap engineering // Accounts of Chemical Research. — 2010. — февр. — т. 43, № 2. — с. 190—200.
174. Howes P. D., Chandrawati R., Stevens M. M. Colloidal nanoparticles as advanced biological sensors // Science. — 2014. — окт. — т. 346, № 6205. — с. 53+.
175. Vanmaekelbergh D. Self-assembly of colloidal nanocrystals as route to novel classes of nanostructured materials // Nano Today. — 2011. — авг. — т. 6, № 4. — с. 419—437.
176. Winnik F. M, Maysinger D. Quantum dot cytotoxicity and ways to reduce it // Accounts of Chemical Research. — 2013. — март. — т. 46, № 3. — с. 672—680.
177. Toxicity of quantum dots and cadmium salt to caenorhabditis elegans after multigenerational exposure / E. Q. Contreras [и др.] // Environmental Science & Technology. — 2013. — янв. — т. 47, № 2. — с. 1148—1154.
178. Full assessment of fate and physiological behavior of quantum dots utilizing caenorhabditis elegans as a model organism / Y. Qu [и др.] // Nano Letters. — 2011. — авг. — т. 11, № 8. — с. 3174—3183.
179. Mangolini L. Synthesis, properties, and applications of silicon nanocrystals // Journal of Vacuum Science & Technology B. — 2013. — март. — т. 31, № 2.
180. Routes to achieving high quantum yield luminescence from gas-phase-produced silicon nanocrystals / R. J. Anthony [и др.] // Advanced Functional Materials. — 2011. — нояб. — т. 21, № 21. — с. 4042—4046.
181. Air-stable full-visible-spectrum emission from silicon nanocrystals synthesized by an all-gas-phase plasma approach / X. D. Pi [и др.] // Nanotechnology. — 2008. — июнь. — т. 19, № 24.
182. Mangolini L., Kortshagen U. Plasma-assisted synthesis of silicon nanocrystal inks // Advanced Materials. — 2007. — сент. — т. 19, № 18. — с. 2513+.
183. Silicon nanocrystals with ensemble quantum yields exceeding 60% / D. Jurbergs [и др.] // Applied Physics Letters. — 2006. — июнь. — т. 88, № 23.
184. Synthesis of ligand-stabilized silicon nanocrystals with size-dependent photoluminescence spanning visible to near-infrared wavelengths / C. M. Hessel [и др.] // Chemistry of Materials. — 2012. — янв. — т. 24, № 2. — с. 393—401.
185. Enhanced photoluminescence from Si nano-organosols by functionalization with alkenes and their size evolution / S. Liu [и др.] // Chemistry of Materials. — 2006. — февр. — т. 18, № 3. — с. 637—642.
186. Size and spectroscopy of silicon nanoparticles prepared via reduction of SiCl4 / J. Zou [и др.] // Journal of Cluster Science. — 2006. — дек. — т. 17, № 4. — с. 565—578.
187. Belomoin G., Therrien J., Nayfeh M. Oxide and hydrogen capped ultrasmall blue luminescent Si nanoparticles // Applied Physics Letters. — 2000. — авг. — т. 77, № 6. — с. 779—781.
188. Henderson E. J., Kelly J. A., Veinot J. G. C. Influence of HSiOi.s sol-gel polymer structure and composition on the size and luminescent properties of silicon nanocrystals // Chemistry of Materials. — 2009. — нояб. — т. 21, № 22. — с. 5426—5434.
189. Size-dependent absolute quantum yields for size-separated colloidally-stable silicon nanocrystals / M. L. Mastronardi [и др.] // Nano Letters. — 2012. — янв. — т. 12, № 1. — с. 337—342.
190. Silicon nanocrystals functionalized with pyrene units: Efficient light-harvesting antennae with bright near-infrared emission / M. Locritani [и др.] // Journal of Physical Chemistry Letters. — 2014. — окт. — т. 5, № 19. — с. 3325—3329.
191. Tunability limit of photoluminescence in colloidal silicon nanocrystals / X. Wen [и др.] // Scientific Reports. — 2015. — июль. — т. 5.
192. All-inorganic water-dispersible silicon quantum dots: highly efficient near-infrared luminescence in a wide pH range / H. Sugimoto [и др.] // Nanoscale. — 2014. — т. 6, № 1. — с. 122—126.
193. Ensemble brightening and enhanced quantum yield in size-purified silicon nanocrystals / J. B. Miller [и др.] // ACS Nano. — 2012. — авг. — т. 6, № 8. — с. 7389—7396.
194. Miller J. B., Harris J. M., Hobbie E. K. Purifying colloidal nanoparticles through ultracentrifugation with implications for interfaces and materials // Langmuir. — 2014. — июль. — т. 30, № 27. — с. 7936—7946.
195. Miller J. B., Hobbie E. K. Nanoparticles as macromolecules // Journal of Polymer Science Part B-Polymer Physics. — 2013. — авг. — т. 51, № 16. — с. 1195—1208.
196. Preparation of monodisperse silicon nanocrystals using density gradient ultracentrifugation / M. L. Mastronardi [и др.] // Journal of the American Chemical Society. — 2011. — авг. — т. 133, № 31. — с. 11928—11931.
197. Biocompatible luminescent silicon quantum dots for imaging of cancer cells / F. Erogbogbo [и др.] // ACS Nano. — 2008. — май. — т. 2, № 5. — с. 873—878.
198. Luminescent passive-oxidized silicon quantum dots as biological staining labels and their cytotoxicity effects at high concentration / K. Fujioka [и др.] // Nanotechnology. — 2008. — окт. — т. 19, № 41.
199. McVey B. F. P., Tilley R. D. Solution synthesis, optical properties, and bioimaging applications of silicon nanocrystals // Accounts of Chemical Research. — 2014. — окт. — т. 47, № 10. — с. 3045—3051.
200. Ultranarrow luminescence linewidth of silicon nanocrystals and influence of matrix / I. Sychugov [и др.] // ACS Photonics. — 2014. — окт. — т. 1, № 10. — с. 998—1005.
201. Highly luminescent covalently linked silicon nanocrystal/polystyrene hybrid functional materials: Synthesis, properties, and processability / Z. Yang [и др.] // Advanced Functional Materials. — 2014. — март. — т. 24, № 10. — с. 1345—1353.
202. Temperature dependent photoluminescence of size-purified silicon nanocrystals / A. R. Van Sickle [и др.] // ACS Applied Materials & Interfaces. — 2013. — май. — т. 5, № 10. — с. 4233—4238.
203. Dohnalova K., Gregorkiewicz T., Kusova K. Silicon quantum dots: surface matters // Journal of Physics-Condensed Matter. — 2014. — апр. — т. 26, № 17.
204. Surface brightens up Si quantum dots: direct bandgap-like size-tunable emission / K. Dohnalova [и др.] // Light-Science & Applications. — 2013. — янв. — т. 2.
205. Photoluminescence enhancement of silicon nanocrystals placed in the near field of a silicon nanowire / H. Kallel [и др.] // Physical Review B. — 2013. — авг. — т. 88, № 8.
206. Effects of inter-nanocrystal distance on luminescence quantum yield in ensembles of Si nanocrystals / J. Valenta [и др.] // Applied Physics Letters. — 2014. — дек. — т. 105, № 24.
207. Enhanced Luminescent Stability through Particle Interactions in Silicon Nanocrystal Aggregates / J. B. Miller [и др.] // ACS Nano. — 2015. — окт. — т. 9, № 10. — с. 9772—9782.
208. Efficient Exciton Transport between Strongly Quantum-Confined Silicon Quantum Dots / Z. Lin [и др.] // ACS Nano. — 2012. — май. — т. 6, № 5. — с. 4029—4038.
209. Near-unity internal quantum efficiency of luminescent silicon nanocrystals with ligand passivation / F. Sangghaleh [и др.] // ACS Nano. — 2015. — июль. — т. 9, № 7. — с. 7097—7104.
210. Exciton lifetime measurements on single silicon quantum dots / F. Sangghaleh [и др.] // Nanotechnology. — 2013. — июнь. — т. 24, № 22.
211. Temperature-dependent photoluminescence of surface-engineered silicon nanocrystals / S. Mitra [и др.] // Scientific Reports. — 2016. — июнь. — т. 6.
212. Size vs surface: Tuning the photoluminescence of freestanding silicon nanocrystals across the visible spectrum via surface groups / M. Dasog [и др.] // ACS Nano. — 2014. — сент. — т. 8, № 9. — с. 9636—9648.
213. Fundamental temperature-dependent properties of the Si nanocrystal band gap / A. M. Hartel [и др.] // Physical Review B. — 2012. — апр. — т. 85, № 16.
214. Origin and evolution of photoluminescence from Si nanocrystals embedded in a SiO2 matrix / X. Wang [и др.] // Physical Review B. — 2005. — нояб. — т. 72, № 19.
215. Wen X., Van Dao L, Hannaford P. Temperature dependence of photoluminescence in silicon quantum dots // Journal of Physics D-Applied Physics. — 2007. — июнь. — т. 40, № 12. — с. 3573—3578.
216. Rinnert H., Jambois O., Vergnat M. Photoluminescence properties of size-controlled silicon nanocrystals at low temperatures // Journal of Applied Physics. — 2009. — июль. — т. 106, № 2.
217. Photophysics of organically-capped silicon nanocrystals - A closer look into silicon nanocrystal luminescence using low temperature transient spectroscopy / F. Maier-Flaig [и др.] // Chemical Physics. — 2012. — сент. — т. 405. — с. 175—180.
218. Temperature dependence of the radiative lifetimes in Ge and Si nanocrystals / N. C. Forero-Martinez [и др.] // Nanoscale. — 2015. — т. 7, № 11. — с. 4942—4948.
219. Temperature and viscosity effects on the photoluminescence properties of alkyl-capped silicon nanoparticles dispersed in nonpolar liquids / H. Hamza [и др.] // Journal of Physical Chemistry C. — 2015. — июль. — т. 119, № 29. — с. 16897—16904.
220. Axial p — n junctions realized in silicon nanowires by ion implantation / S. Hoffmann [и др.] // Nano Letters. — 2009. — апр. — т. 9, № 4. — с. 1341—1344.
221. Understanding ultrafast carrier dynamics in single quasi-one-dimensional Si nanowires / M. A. Seo [и др.] // Applied Physics Letters. — 2012. — февр. — т. 100, № 7.
222. Minority carrier lifetimes and surface effects in VLS-grown axial p—n junction silicon nanowires / Y. Jung [и др.] // Advanced Materials. — 2011. — окт. — т. 23, № 37. — с. 4306—4311.
223. Highly efficient charge separation and collection across in situ doped axial VLS-grown si nanowire p — n junctions / A. D. Mohite [и др.] // Nano Letters. — 2012. — апр. — т. 12, № 4. — с. 1965—1971.
224. Control of photoluminescence properties of Si nanocrystals by simultaneously doping n- and p-type impurities / M. Fujii [и др.] // Applied Physics Letters. — 2004. — авг. — т. 85, № 7. — с. 1158—1160.
225. Phosphorus and boron codoping of silicon nanocrystals by ion implantation: Photoluminescence properties / T. Nakamura [и др.] // Physical Review B. — 2012. — янв. — т. 85, № 4.
226. Direct imaging of free carrier and trap carrier motion in silicon nanowires by spatially-separated femtosecond pump-probe microscopy / M. M. Gabriel [и др.] // Nano Letters. — 2013. — март. — т. 13, № 3. — с. 1336—1340.
227. Shirahata N. Colloidal Si nanocrystals: a controlled organic-inorganic interface and its implications of color-tuning and chemical design toward sophisticated architectures // Phys. Chem. Chem. Phys. — 2011. — т. 13, вып. 16. — с. 7284—7294.
228. Rohlfing M., Louie S. Excitonic effects and the optical absorption spectrum of hydrogenated Si clusters // Physical Review Letters. — 1998. — апр. — т. 80, № 15. — с. 3320—3323.
229. Ekimov A., Efros A., Onushchenko A. Quantum-size effect in semiconductor microcrystals // Solid State Communications. — 1993. — дек. — т. 88, № 11/ 12. — с. 947—950.
230. Kilina S., Ivanov S., Tretiak S. Effect of surface ligands on optical and electronic spectra of semiconductor nanoclusters // Journal of the American Chemical Society. — 2009. — июнь. — т. 131, № 22. — с. 7717—7726.
231. Mikhailov I. A.and Chen J., Schmitz A., Kilin D. S. Dynamics of charge transfer at p — n junction // Prepr. - Am. Chem. Soc., Div. Energy Fuels. — 2012. — т. 57. — с. 527.
232. Jensen S., Kilin D. Electronic properties of silver doped TiO2 anatase (100) surface // Nanotechnology for Sustainable Energy. т. 1140 / под ред. Y. Hu, U. Burghaus, S. Qiao. — Amer Chem Soc, Div Energy & Fuels; Amer Chem Soc. 2013. — с. 187—218. — (ACS Symposium Series).
233. Duncan W. R., Prezhdo O. V. Theoretical studies of photoinduced electron transfer in dye-sensitized TiO2 // Annual Review of Physical Chemistry. — 2007. — т. 58. — с. 143—184. — (Annual Review of Physical Chemistry).
234. Ab initio time-domain study of phonon-assisted relaxation of charge carriers in a PbSe quantum dot / S. V. Kilina [и др.] // Journal of Physical Chemistry C. — 2007. — март. — т. 111, № 12. — с. 4871—4878.
235. Kilina S. V., Kilin D. S., Prezhdo O. V. Breaking the phonon bottleneck in PbSe and CdSe quantum dots: Time-domain density functional theory of charge carrier relaxation // ACS Nano. — 2009. — янв. — т. 3, № 1. — с. 93—99.
236. Theoretical study of electron-phonon relaxation in PbSe and CdSe quantum dots: Evidence for phonon memory / S. V. Kilina [и др.] // Journal of Physical Chemistry C. — 2011. — нояб. — т. 115, № 44. — с. 21641—21651.
237. Hyeon-Deuk K., Madrid A.B., Prezhdo O. V. Symmetric band structures and asymmetric ultrafast electron and hole relaxations in silicon and germanium quantum dots: time-domain ab initio simulation // Dalton Transactions. — 2009. — № 45. — с. 10069—10077.
238. Ramdas A., Rodriguez S. Spectroscopy of the solid-state analogs of the hydrogen-atom - donors and acceptors in semiconductors // Reports on Progress in Physics. — 1981. — т. 44, № 12. — с. 1297—1387.
239. Pena M. A., Fierro J. L. G. Chemical structures and performance of perovskite oxides // Chemical Reviews. — 2001. — т. 101, № 7. — с. 1981—2018.
240. M0ller C. K. Crystal structure and photoconductivity of Cesium plumbohalides // Nature. — 1958. — нояб. — т. 182, № 4647. — с. 1436—1436.
241. Weber D. CH3NH3PbX3, a Pb(II)-system with cubic perovskite structure // Zeitschrift fur Naturforschung Section B-A Journal OF Chemical Sciences. — 1978. — т. 33, № 12. — с. 1443—1445.
242. Stranks S. D., Snaith H. J. Metal-halide perovskites for photovoltaic and light-emitting devices // Nature Nanotechnology. — 2015. — май. — т. 10, № 5. — с. 391—402.
243. Hybrid organic-inorganic perovskites: low-cost semiconductors with intriguing charge-transport properties / T. M. Brenner [и др.] // Nature Reviews Materials. — 2016. — янв. — т. 1, № 1.
244. Recent progress of organic-inorganic hybrid perovskite quantum dots: Preparation, optical regulation, and application in light-emitting diodes / Y. Han [и др.] // Laser & Photonics Reviews. — 2023. — т. 17, № 11. — с. 2300383.
245. A mixed-cation lead mixed-halide perovskite absorber for tandem solar cells / D. P. McMeekin [и др.] // Science. — 2016. — янв. — т. 351, № 6269. — с. 151—155.
246. Miller O. D., Yablonovitch E., Kurtz S. R. Strong internal and external luminescence as solar cells approach the shockley-queisser limit // IEEE Journal of Photovoltaics. — 2012. — июль. — т. 2, № 3. — с. 303—311.
247. Bright light-emitting diodes based on organometal halide perovskite / Z.-K. Tan [и др.] // Nature Nanotechnology. — 2014. — сент. — т. 9, № 9. — с. 687—692.
248. Efficient light-emitting diodes based on nanocrystalline perovskite in a dielectric polymer matrix / G. Li [и др.] // Nano Letters. — 2015. — апр. — т. 15, № 4. — с. 2640—2644.
249. Bright light-emitting diodes based on organometal halide perovskite nanoplatelets / Y. Ling [и др.] // Advanced Materials. — 2016. — янв. — т. 28, № 2. — с. 305—311.
250. A review on energy band-gap engineering for perovskite photovoltaics / Z. Hu [и др.] // Solar RRL. — 2019. — т. 3, № 12. — с. 1900304.
251. Shockley W., Queisser H. J. Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cells // Journal of Applied Physics. — 1961. — март. — т. 32, № 3. — с. 510—519.
252. Materials interface engineering for solution-processed photovoltaics / M. Graetzel [и др.] // Nature. — 2012. — авг. — т. 488, № 7411. — с. 304—312.
253. Heremans P., Cheyns D., Rand B. P. Strategies for increasing the efficiency of heterojunction organic solar cells: Material selection and device architecture // Accounts Of Chemical Research. — 2009. — нояб. — т. 42, 11, SI. — с. 1740—1747.
254. Smith C, Binks D. Multiple exciton generation in colloidal nanocrystals // Nanomaterials. — 2014. — март. — т. 4, № 1. — с. 19—45.
255. Third generation photovoltaics based on multiple exciton generation in quantum confined semiconductors / M. C. Beard [и др.] // Accounts Of Chemical Research. — 2013. — июнь. — т. 46, № 6. — с. 1252—1260.
256. Nozik A. J. Multiple exciton generation in semiconductor quantum dots // Chemical Physics Letters. — 2008. — май. — т. 457, № 1—3. — с. 3—11.
257. Optical gain and stimulated emission in nanocrystal quantum dots / V. I. Klimov [и др.] // Science. — 2000. — т. 290, № 5490. — с. 314—317.
258. Lead halide perovskite nanocrystals in the research spotlight: Stability and defect tolerance / H. Huang [и др.] // ACS Energy Letters. — 2017. — сент. — т. 2, № 9. — с. 2071—2083.
259. Giansante C, Infante I. Surface traps in colloidal quantum dots: A combined experimental and theoretical perspective // Journal of Physical Chemistry Letters. — 2017. — окт. — т. 8, № 20. — с. 5209—5215.
260. Nanocrystals of cesium lead halide perovskites (CsPbX3, X = Cl, Br, and I): Novel optoelectronic materials showing bright emission with wide color gamut / L. Protesescu [и др.] // Nano Letters. — 2015. — июнь. — т. 15, № 6. — с. 3692—3696.
261. Dismantling the "Red Wall" of Colloidal Perovskites: Highly Luminescent Formamidinium and Formamidinium-Cesium Lead Iodide Nanocrystals / L. Protesescu [и др.] // ACS Nano. — 2017. — март. — т. 11, № 3. — с. 3119—3134.
262. Water resistant CsPbX3 nanocrystals coated with polyhedral oligomeric silsesquioxane and their use as solid state luminophores in all-perovskite white light-emitting devices / H. Huang [и др.] // Chem. Sci. — 2016. — т. 7, вып. 9. — с. 5699—5703.
263. Colloidal CsPbX3 (X = CI, Br, I) nanocrystals 2.0: Zwitterionic capping ligands for improved durability and stability / F. Krieg [и др.] // ACS Energy Letters. — 2018. — март. — т. 3, № 3. — с. 641—646.
264. Surface- vs diffusion-limited mechanisms of anion exchange in CsPbBr3 nanocrystal cubes revealed through kinetic studies / B. A. Koscher [и др.] // Journal of the American Chemical Society. — 2016. — сент. — т. 138, № 37. — с. 12065—12068.
265. Zhu X. .-Y., Podzorov V. Charge carriers in hybrid organic-inorganic lead halide perovskites might be protected as large polarons // Journal of Physical Chemistry Letters. — 2015. — дек. — т. 6, № 23. — с. 4758—4761.
266. Excited-state vibrational dynamics toward the polaron in methylammonium lead iodide perovskite / M. Park [и др.] // Nature Communications. —
2018. — июнь. — т. 9.
267. Polaron stabilization by cooperative lattice distortion and cation rotations in hybrid perovskite materials / A. J. Neukirch [и др.] // Nano Letters. — 2016. — июнь. — т. 16, № 6. — с. 3809—3816.
268. Large polarons in lead halide perovskites / K. Miyata [и др.] // Science Advances. — 2017. — авг. — т. 3, № 8.
269. Devreese J. T., Alexandrov A. S. Frohlich polaron and bipolaron: recent developments // Reports on Progress in Physics. — 2009. — июнь. — т. 72, № 6.
270. Kartheuser E., Evrard R., Devreese J. Mechanism of absorption of light by free continuum polarons // Phys. Rev. Lett. — 1969. — янв. — т. 22, вып. 3. — с. 94—97.
271. Emin D. Optical-properties of large and small polarons and bipolarons // Physical Review B. — 1993. — нояб. — т. 48, № 18. — с. 13691—13702.
272. Dynamic disorder dominates delocalization, transport, and recombination in halide perovskites / K. T. Munson [и др.] // Chem. — 2018. — дек. — т. 4, № 12. — с. 2826—2843.
273. Vibrational probe of the structural origins of slow recombination in halide perovskites / K. T. Munson [и др.] // Journal of Physical Chemistry C. —
2019. — март. — т. 123, № 12. — с. 7061—7073.
274. Perovskite solar cells: film formation and properties / T.-B. Song [и др.] // Journal of Materials Chemistry A. — 2015. — т. 3, № 17. — с. 9032—9050.
275. Organometal halide perovskite thin films and solar cells by vapor deposition / L. K. Ono [и др.] // Journal of Materials Chemistry A. — 2016. — т. 4, № 18. — с. 6693—6713.
276. The role of intrinsic defects in methylammonium lead iodide perovskite / J. Kim [и др.] // Journal of Physical Chemistry Letters. — 2014. — апр. — т. 5, № 8. — с. 1312—1317.
277. Uratani H, Yamashita K. Charge carrier trapping at surface defects of perovskite solar cell absorbers: a first-principles study // Journal of Physical Chemistry Letters. — 2017. — февр. — т. 8, № 4. — с. 742—746.
278. Fast diffusion of native defects and impurities in perovskite solar cell material CH3NH3PbI3 / D. Yang [и др.] // Chemistry of Materials. — 2016. — июнь. — т. 28, № 12. — с. 4349—4357.
279. Defect migration in methylammonium lead iodide and its role in perovskite solar cell operation / J. M. Azpiroz [и др.] // Energy & Environmental Science. — 2015. — т. 8, № 7. — с. 2118—2127.
280. Trap states in lead iodide perovskites / X. Wu [и др.] // Journal of the American Chemical Society. — 2015. — февр. — т. 137, № 5. — с. 2089—2096.
281. Managing carrier lifetime and doping property of lead halide perovskite by postannealing processes for highly efficient perovskite solar cells / D. Song [и др.] // Journal of Physical Chemistry C. — 2015. — окт. — т. 119, № 40. — с. 22812—22819.
282. Defect tolerance in methylammonium lead triiodide perovskite / K. X. Steirer [и др.] // ACS Energy Letters. — 2016. — авг. — т. 1, № 2. — с. 360—366.
283. Polaron stabilization by cooperative lattice distortion and cation rotations in hybrid perovskite materials / A. J. Neukirch [и др.] // Nano Letters. — 2016. — т. 16, № 6. — с. 3809—3816.
284. CH3NH3SnxPb1-xI3 perovskite solar cells covering up to 1060 nm / Y. Ogomi [и др.] // The Journal of Physical Chemistry Letters. — 2014. — т. 5, № 6. — с. 1004—1011.
285. Gonzalez-Carrero S., Galian R. E., Pérez-Prieto J. Organic-inorganic and all-inorganic lead halide nanoparticles // Opt. Express. — 2016. — янв. — т. 24, № 2. — A285—A301.
286. Theoretical predictions on efficiency of bi-exciton formation and dissociation in chiral carbon nanotubes / A. Kryjevski [и др.] // The Journal of Chemical Physics. — 2016. — окт. — т. 145, № 15. — с. 154112.
287. Kryjevski A., Kilin D. Enhanced multiple exciton generation in amorphous silicon nanowires and films // Molecular Physics. — 2016. — t. 114, № 3/4. — c. 365—379.
288. Third Generation Photovoltaics based on Multiple Exciton Generation in Quantum Confined Semiconductors / M. C. Beard [h gp.] // Accounts of Chemical Research. — 2013. — t. 46, № 6. — c. 1252—1260.
289. Brennan M. C, Kuno M, Rouvimov S. Crystal structure of individual CsPbBr3 perovskite nanocubes // Inorganic Chemistry. — 2019. — t. 58, № 2. — c. 1555—1560.
290. Light absorption coefficient of CsPbBr3 perovskite nanocrystals / J. Maes [h gp.] // The Journal of Physical Chemistry Letters. — 2018. — t. 9, № 11. — c. 3093—3097.
291. Role of acid-base equilibria in the size, shape, and phase control of cesium lead bromide nanocrystals / G. Almeida [h gp.] // ACS Nano. — 2018. — t. 12, № 2. — c. 1704—1711.
292. Spectral and dynamical properties of single excitons, biexcitons, and trions in cesium-lead-halide perovskite quantum dots / N. S. Makarov [h gp.] // Nano Letters. — 2016. — t. 16, № 4. — c. 2349—2362.
293. Bright triplet excitons in caesium lead halide perovskites / M. A. Becker [h gp.] // Nature. — 2018. — hhb. — t. 553, № 7687. — c. 189—193.
294. Universal emission intermittency in quantum dots, nanorods and nanowires / P. Frantsuzov [h gp.] // Nature Physics. — 2008. — uronb. — t. 4, № 7. — c. 519—522.
295. Two mechanisms determine quantum dot blinking / G. Yuan [h gp.] // ACS Nano. — 2018. — anp. — t. 12, № 4. — c. 3397—3405.
296. Impact of postsynthetic surface modification on photoluminescence intermittency in formamidinium lead bromide perovskite nanocrystals / N. Yarita [h gp.] // The Journal of Physical Chemistry Letters. — 2017. — t. 8, № 24. — c. 6041—6047.
297. Kaduk B., Kowalczyk T., Van Voorhis T. Constrained density functional theory // Chemical Reviews. — 2012. — t. 112, № 1. — c. 321—370.
298. Ihn T. // Semiconductor nanostructures: Quantum states and electronic transport. — Oxford University Press, 11.2009.
299. Geometry distortion and small polaron binding energy changes with ionic substitution in halide perovskites / A. J. Neukirch [и др.] // The Journal of Physical Chemistry Letters. — 2018. — т. 9, № 24. — с. 7130—7136.
300. Competition between hot-electron cooling and large polaron screening in CsPbBr3 perovskite single crystals / T. J. S. Evans [и др.] // The Journal of Physical Chemistry C. — 2018. — т. 122, № 25. — с. 13724—13730.
301. Frost J. M, Whalley L. D., Walsh A. Slow cooling of hot polarons in halide perovskite solar cells // ACS Energy Letters. — 2017. — т. 2, № 12. — с. 2647—2652.
302. Slow cooling and highly efficient extraction of hot carriers in colloidal perovskite nanocrystals / M. Li [и др.] // Nature Communications. — 2017. — февр. — т. 8, № 1. — с. 14350.
303. Long-lived hot carriers in formamidinium lead iodide nanocrystals / P. Papagiorgis [и др.] // The Journal of Physical Chemistry C. — 2017. — т. 121, № 22. — с. 12434—12440.
304. The evolution of quantum confinement in CsPbBr3 perovskite nanocrystals / J. Butkus [и др.] // Chemistry of Materials. — 2017. — т. 29, № 8. — с. 3644—3652.
305. Spin-orbit interactions greatly accelerate nonradiative dynamics in lead halide perovskites / W. Li [и др.] // ACS Energy Letters. — 2018. — т. 3, № 9. — с. 2159—2166.
306. Jaeger H. M, Fischer S., Prezhdo O. V. Decoherence-induced surface hopping // The Journal of Chemical Physics. — 2012. — окт. — т. 137, № 22. — 22A545.
307. A New-type ultraviolet SHG crystal - ß-BaB2O4 / C. Chen [и др.] // Scientia Sinica Series B-Chemical Biological Agricultural Medical & EARTH ScienceS. — 1985. — т. 28, № 3. — с. 235—243.
308. Chen W, Jiang A., Wang G. Growth of high-quality and large-sized ß-BaB2O4 crystal // Journal of Crystal Growth. — 2003. — сент. — т. 256, № 3/4. — с. 383—386.
309. Development of the |3-BaB2O4 crystal growth technique in the heat field of three-fold axis symmetry / A. E. Kokh [и др.] // Journal of Crystal Growth. — 2011. — март. — т. 318, № 1. — с. 602—605.
310. Progress in growth of large |3-BaB2O4 single crystals / D. Perlov [и др.] // Crystal Research and Technology. — 2011. — июль. — т. 46, № 7. — с. 651—654.
311. New nonlinear-optical crystal - LiB3O5 / C. Chen [и др.] // Journal of the Optical Society of America B-Optical Physics. — 1989. — апр. — т. 6, № 4. — с. 616—621.
312. Growth and non-linear optical properties of lithium triborate crystals / N. Pylneva [и др.] // Journal of Crystal Growth. — 1999. — март. — т. 198, № 1. — с. 546—550.
313. Growth and morphology of large LiB3O5 single crystals / I. Nikolov [и др.] // Journal of Crystal Growth. — 2011. — сент. — т. 331, № 1. — с. 1—3.
314. Dynamic control over the heat field during LBO crystal growth by High temperature solution method / A. Kokh [и др.] // Journal of Crystal Growth. — 2012. — дек. — т. 360, SI. — с. 158—161.
315. New nonlinear-optical crystal - cesium lithium borate / Y. Mori [и др.] // Applied Physics Letters. — 1995. — сент. — т. 67, № 13. — с. 1818—1820.
316. Sasaki T, Mori Y, Yoshimura M. Progress in the growth of a CsLiBgO10 crystal and its application to ultraviolet light generation // 0ptical Materials. — 2003. — июль. — т. 23, № 1/2. — с. 343—351.
317. Growth of CsLiB6O10 crystals with high laser-damage tolerance / M. Nishioka [и др.] // Journal of Crystal Growth. — 2005. — май. — т. 279, № 1/2. — с. 76—81.
318. Bekker T., Kokh A., Fedorov P. Phase equilibria and |3-BaB2O4 crystal growth in the BaB2O4-BaF2 system // CrystEngComm. — 2011. — июнь. — т. 13, № 11. — с. 3822—3826.
319. Alekel T, Keszler D. The Pyroborate Fluoride Ba5(B2O5№ // Journal of Solid State Chemistry. — 1993. — окт. — т. 106, № 2. — с. 310—316.
320. A novel deep UV nonlinear optical crystal Ba3B6OnF2, with a new fundamental building block, B6O14 group / H. Yu [и др.] // Journal of Materials ChemistryY. — 2012. — т. 22, № 19. — с. 9665—9670.
321. McMillen C. D., Stritzinger J. T, Kolis J. W. Two novel acentric borate fluorides: M3B6O11F2 (M = Sr, Ba) // Inorganic Chemistry. — 2012. — апр. — т. 51, № 7. — с. 3953—3955.
322. Designing a deep-ultraviolet nonlinear optical material with a large second harmonic generation response / H. Wu [и др.] // Journal of the American Chemical Society. — 2013. — март. — т. 135, № 11. — с. 4215—4218.
323. Phase formation in the BaB2O4-BaF2-BaO system and new non-centrosymmetric solid-solution series Ba7(BO3)4_xF2+3x / T. B. Bekker [и др.] // CrystEngComm. — 2012. — т. 14, № 20. — с. 6910—6915.
324. A new mechanism of anionic substitution in fluoride borates / S. V. Rashchenko [и др.] // Journal of Applied Crystallography. — 2013. — авг. — т. 46, № 4. — с. 1081—1084.
325. Linear and nonlinear optical properties of the KBe2BO3F2 (KBBF) crystal / B. Wu [и др.] // Optical Materials. — 1996. — янв. — т. 5, № 1/2. — с. 105—109.
326. A novel deep UV nonlinear optical crystal Ba3B6O11F2, with a new fundamental building block, B6O14 group / H. Yu [и др.] // Journal of Materials Chemistry. — 2012. — т. 22, № 19. — с. 9665—9670.
327. Nonlinear optical borate crystals, principles and applications / C. Chen [и др.]. — Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.KGaA, 2012.
328. Optical and magnetic properties of Ba5(BO3)3F single crystals / A. P. Yelisseyev [и др.] // Physical Chemistry Chemical Physics. — 2014. — т. 16, № 45. — с. 24884—24891.
329. Electronic structure, magnetic and optical properties of the Ba7(BO3)4_xF2+3x crystal / P. Yelisseyev [и др.] // Journal of Solid State Chemistry. — 2015. — сент. — т. 229. — с. 358—365.
330. New fluoride borate solid-solution series Ba4_xSr3+x(BO3)4_yF2+3y / S. V. Rashchenko [и др.] // Crystal Growth & Design. — 2012. — июнь. — т. 12, № 6. — с. 2955—2960.
331. Growth and Optical Properties of LixNa1-x,Ba12(BO3)7F4 Fluoride Borates with "Antizeolite"Structure / T. B. Bekker [и др.] // Inorganic Chemistry. — 2017. — май. — т. 56, № 9. — с. 5411—5419.
332. Crystal chemical design of functional fluoride borates with "antizeolite" structure / T. Bekker [и др.] // Crystal Growth & Design. — 2020. — т. 20, № 6. — с. 4100—4107.
333. Chapter 1 - Introduction to luminescence and radiation dosimetry techniques / V. Chopra [и др.] // Radiation Dosimetry Phosphors / под ред. S. Dhoble [и др.]. — Woodhead Publishing, 2022. — с. 1—27. — (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials).
334. Omar R., Dhoble S. J. Chapter 14 - Dosimetric properties of gamma-irradiated borate materials // Radiation Dosimetry Phosphors / под ред. S. Dhoble [и др.]. — Woodhead Publishing, 2022. — с. 355—403. — (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials).
335. Mutailipu M, Poeppelmeier K. R., Pan S. Borates: A rich source for optical materials // Chemical Reviews. — 2021. — т. 121, № 3. — с. 1130—1202.
336. Optical and magnetic properties of cu-containing borates with "antizeolite" structure / V. P. Solntsev [и др.] // The Journal of Physical Chemistry C. — 2019. — т. 123, № 7. — с. 4469—4474.
337. Hybertsen M. S., Louie S. G. Electron correlation in semiconductors and insulators: Band gaps and quasiparticle energies // Phys. Rev. B. — 1986. — окт. — т. 34, вып. 8. — с. 5390—5413.
338. Fowler W. Physics of Color Centers. — Academic Press, 1968.
339. Silicon (Si), band structure: Datasheet from Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter ■ Volume 41A1ß: "Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties" in SpringerMaterials (https://doi.org/10.1007/10832182_432).
340. Rurali R. Colloquium: Structural, electronic, and transport properties of silicon nanowires // Rev. Mod. Phys. — 2010. — февр. — т. 82, вып. 1. — с. 427—449.
341. Brus L. Luminescence of silicon materials: chains, sheets, nanocrystals, nanowires, microcrystals, and porous silicon // The Journal of Physical Chemistry. — 1994. — т. 98, № 14. — с. 3575—3581.
342. Accurate single-particle determination of the band gap in silicon nanowires / R. Rurali [и др.] // Phys. Rev. B. — 2007. — сент. — т. 76, вып. 11. — с. 113303.
343. Vo T, Williamson A. J., Galli G. First principles simulations of the structural and electronic properties of silicon nanowires // Phys. Rev. B. — 2006. — июль. — т. 74, вып. 4. — с. 045116.
344. Quantum confinement and electronic properties of silicon nanowires / X. Zhao [и др.] // Phys. Rev. Lett. — 2004. — июнь. — т. 92, вып. 23. — с. 236805.
345. Top-down fabrication of sub-30 nm monocrystalline silicon nanowires using conventional microfabrication / S. Chen [и др.] // ACS Nano. — 2009. — т. 3, № 11. — с. 3485—3492.
346. Bondi R. J., Lee S., Hwang G. S. First-principles study of the structural, electronic, and optical properties of oxide-sheathed silicon nanowires // ACS Nano. — 2011. — т. 5, № 3. — с. 1713—1723.
347. Wu Y, Yang P. Direct observation of vapor-liquid-solid nanowire growth // Journal of the American Chemical Society. — 2001. — т. 123, № 13. — с. 3165—3166.
348. Chen L. J. Silicon nanowires: the key building block for future electronic devices //J. Mater. Chem. — 2007. — т. 17, вып. 44. — с. 4639—4643.
349. Wagner R. S., Ellis W. C. Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth // Applied Physics Letters. — 1964. — март. — т. 4, № 5. — с. 89—90.
350. oxide-assisted semiconductor nanowire growth / S. Lee [и др.] // MRS Bulletin. — 1999. — т. 24, № 8. — с. 36—42.
351. Diameter-controlled synthesis of single-crystal silicon nanowires / Y. Cui [и др.] // Applied Physics Letters. — 2001. — апр. — т. 78, № 15. — с. 2214—2216.
352. Small-diameter silicon nanowire surfaces / D. D. D. Ma [и др.] // Science. — 2003. — т. 299, № 5614. — с. 1874—1877.
353. Controlled growth and structures of molecular-scale silicon nanowires / Y. Wu [и др.] // Nano Letters. — 2004. — т. 4, № 3. — с. 433—436.
354. Theoretical investigation of silicon nanowires: Methodology, geometry, surface modification, and electrical conductivity using a multiscale approach / M.-F. Ng [и др.] // Phys. Rev. B. — 2007. — окт. — т. 76, вып. 15. — с. 155435.
355. Garnett E., Yang P. Light trapping in silicon nanowire solar cells // Nano Letters. — 2010. — т. 10, № 3. — с. 1082—1087.
356. Pauzauskie P. J., Yang P. Nanowire photonics // Materials Today. — 2006. — т. 9, № 10. — с. 36—45.
357. Garnett E. C, Yang P. Silicon nanowire radial p-n junction solar cells // Journal of the American Chemical Society. — 2008. — т. 130, № 29. — с. 9224—9225.
358. Silicon nanowire-based solar cells / T. Stelzner [и др.] // Nanotechnology. — 2008. — июнь. — т. 19, № 29. — с. 295203.
359. Maximum Li storage in Si nanowires for the high capacity three-dimensional Li-ion battery / K. Kang [и др.] // Applied Physics Letters. — 2010. — февр. — т. 96, № 5. — с. 053110.
360. Electroluminescence from silicon nanowires / J. Huo [и др.] // Nanotechnology. — 2004. — дек. — т. 15, № 12. — с. 1848—1850.
361. Tailoring the optical properties of silicon nanowire arrays through strain / D. Lyons [и др.] // Nano Letters. — 2002. — авг. — т. 2, № 8. — с. 811—816.
362. Huang Y, Duan X., Lieber C. Nanowires for integrated multicolor nanophotonics // Small. — 2005. — янв. — т. 1, № 1. — с. 142—147.
363. Wu Y, Yan H, Yang P. Semiconductor nanowire array: Potential substrates for photocatalysis and photovoltaics // Topics in Catalysis. — 2002. — т. 19, № 2. — с. 197—202.
364. Understanding ultrafast carrier dynamics in single quasi-one-dimensional Si nanowires / M. A. Seo [и др.] // Applied Physics Letters. — 2012. — февр. — т. 100, № 7.
365. Phosphorus and boron codoping of silicon nanocrystals by ion implantation: Photoluminescence properties / T. Nakamura [и др.] // Physical Review B. — 2012. — янв. — т. 85, № 4.
366. Control of photoluminescence properties of Si nanocrystals by simultaneously doping n- and p-type impurities / M. Fujii [и др.] // Applied Physics Letters. — 2004. — авг. — т. 85, № 7. — с. 1158—1160.
367. Fatima, Zepeda M, Oncel N. Scanning tunneling microscopy/spectroscopy measurements and density functional theory calculations on self-assembled monolayer of octanoic acid on graphite // Thin Solid Films. — 2017. — февр. — т. 623. — с. 135—137.
368. On the structural and electronic properties of Ir-silicide nanowires on Si(001) surface / Fatima [и др.] // Journal of Applied Physics. — 2016. — сент. — т. 120, № 9.
369. Theoretical study of the chemical gap tuning in silicon nanowires / B. Aradi [и др.] // Physical Review B. — 2007. — июль. — т. 76, № 3.
370. Leu P. W, Svizhenko A., Cho K. Ab initio calculations of the mechanical and electronic properties of strained Si nanowires // Physical Review B. — 2008. — июнь. — т. 77, № 23.
371. Hmiel A., Xue Y. Shape-tunable electronic properties of monohydride and trihydride [112]-oriented Si nanowires // Physical Review B. — 2009. — дек. — т. 80, № 24.
372. Li J., Freeman A. J. First-principles determination of the electronic structures and optical properties of one-nanometer (001) and (111) Si nanowires // Physical Review B. — 2006. — авг. — т. 74, № 7.
373. Scheel H, Reich S., Thomsen C. Electronic band structure of high-index silicon nanowires // Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics. — 2005. — окт. — т. 242, № 12. — с. 2474—2479.
374. The mechanism of slow hot-hole cooling in lead-iodide perovskite: first-principles calculation on carrier lifetime from electron-phonon interaction / H. Kawai [и др.] // Nano Letters. — 2015. — май. — т. 15, № 5. — с. 3103—3108.
375. Nonadiabatic excited-state molecular dynamics: Treatment of electronic decoherence / T. Nelson [и др.] // The Journal of Chemical Physics. — 2013. — июнь. — т. 138, № 22. — с. 224111.
376. Non-adiabatic excited-state molecular dynamics: theory and applications for modeling photophysics in extended molecular materials / T. R. Nelson [и др.] // Chemical Reviews. — 2020. — т. 120, № 4. — с. 2215—2287.
377. Molecular dynamics study of the photodegradation of polymeric chains / M. Erickson [и др.] // The Journal of Physical Chemistry Letters. — 2022. — т. 13, № 19. — с. 4374—4380.
378. Hammes-Schiffer S., Tully J. C. Proton transfer in solution: Molecular dynamics with quantum transitions // The Journal of Chemical Physics. — 1994. — сент. — т. 101, № 6. — с. 4657—4667.
379. Thomas W. Über die Zahl der Dispersionselektronen, die einem stationören Zustande zugeordnet sind. (Vorlöufige Mitteilung) // Naturwissenschaften. — 1925. — июль. — т. 13, № 28. — с. 627—627.
380. Kuhn W. Über die Gesamtstarke der von einem Zustande ausgehenden Absorptionslinien // Zeitschrift för Physik. — 1925. — дек. — т. 33, № 1. — с. 408—412.
381. Reiche F., Thomas W. Über die Zahl der Dispersionselektronen, die einem stationören Zustand zugeordnet sind // Zeitschrift för Physik. — 1925. — дек. — т. 34, № 1. — с. 510—525.
382. Krasnoslobodtsev A. V., Smirnov S. N. Surface-Assisted Transient Displacement Charge Technique. I. Photoinduced Charge Transfer in Self-Assembled Monolayers // The Journal of Physical Chemistry B. — 2006. — т. 110, № 36. — с. 17931—17940.
383. Schatz G., Ratner M. Quantum Mechanics in Chemistry. — Dover Publications, 2002. — (Dover Books on Chemistry).
384. Englman R., Jortner J. The energy gap law for radiationless transitions in large molecules // Molecular Physics. — 1970. — т. 18, № 2. — с. 145—164.
385. Energy gap law for nonradiative and radiative charge transfer in isolated and in solvated supermolecules / M. Bixon [и др.] // The Journal of Physical Chemistry. — 1994. — т. 98, № 30. — с. 7289—7299.
386. Onida G., Reining L, Rubio A. Electronic excitations: density-functional versus many-body Green's-function approaches // Rev. Mod. Phys. — 2002. — июнь. — т. 74, вып. 2. — с. 601—659.
387. Hobden M. V. Optical activity in a non-enantiomorphous crystal silver gallium sulphide // Nature. — 1967. — нояб. — т. 216, № 5116. — с. 678—678.
388. Hobden M. V. Optical activity in a non-enantiomorphous crystal of class 4: CdGa2S4 // Acta Crystallographica Section A. — 1969. — сент. — т. 25, № 5. — с. 633—638.
389. Spectral and gyrotropy characteristics of EuAl3(BO3)4 Crystals / V. Burkov [и др.] // Kristallografiya. — 1984. — т. 29, № 1. — с. 101—105.
390. Sign change of polarization rotation under time or space inversion in magnetoelectric YbAl3(BO3)4 / A. M. Kuzmenko [и др.] // Phys. Rev. B. — 2019. — июнь. — т. 99, вып. 22. — с. 224417.
391. Hopfield J. J., Thomas D. G. Polariton absorption lines // Phys. Rev. Lett. — 1965. — июль. — т. 15, вып. 1. — с. 22—25.
392. Laurenti J. P., Rustagi K. C, Rouzeyre M. Optical filters using coupled light waves in mixed crystals // Applied Physics Letters. — 1976. — февр. — т. 28, № 4. — с. 212—213.
393. Berry M. T., May P. S. Disputed mechanism for NIR-to-red upconversion luminescence in NaYF4:Yb3+,Er3+ // Journal of Physical Chemistry A. — 2015. — сент. — т. 119, № 38. — с. 9805—9811.
394. Size-dependent downconversion near-infrared emission of NaYF4:Yb3+,Er3+ nanoparticles / X. Chen [и др.] // Journal of Materials ChemistryY C. — 2017. — март. — т. 5, № 9. — с. 2451—2458.
395. Environmental impact on the excitation path of the red upconversion emission of nanocrystalline NaYF4:Yb3+,Er3+ / I. Hyppanen [и др.] // Journal of Physical Chemistry C. — 2017. — март. — т. 121, № 12. — с. 6924—6929.
396. The dynamics of nanoparticle growth and phase change during synthesis e-NaYF4 / P. B. May [и др.] // Journal of Physical Chemistry C. — 2016. — май. — т. 120, № 17. — с. 9482—9489.
397. Lanthanide-activated phosphors based on 4f-5d optical transitions: theoretical and experimental aspects / X. Qin [и др.] // Chemical Reviews. — 2017. — март. — т. 117, № 5. — с. 4488—4527.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.