Модификация поверхности металлов и полупроводников при токовой обработке в кислородосодержащих растворах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Махмуд-Ахунов Марат Юсупович

• Махмуд-Ахунов Марат Юсупович
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Махмуд-Ахунов Марат Юсупович

Введение

Глава 1. Аналитический обзор

1.1. Состояние вопроса

1.2. Особенности электролитно-плазменной обработки

1.3. Особенности анодной модификации поверхности полупроводников

1.3.1. Элементарные полупроводники

1.3.2. Сложные полупроводники

1.4. Оксидные покрытия на металлах. Механизм роста анодного оксида алюминия

Глава 2. Методическая часть

2.1. Методика электролитно-плазменной обработки поверхности

2.1.1.Возбуждение стационарной плазмы над поверхностью

жидкого анода

2.1.2. Возбуждение стационарной плазмы в объеме электролита

2.1.3. Импульсное воздействие плазмы

2.1.4. Снятие спектров свечения электролитной плазмы

2.2. Модификация поверхности в режиме стандартной электрохимической анодной обработки

2.2.1. Схемы используемых установок

2.2.2. Конструктивные особенности используемых ячеек

2.3. Подготовка образцов и методика проведения опытов

2.3.1. Полупроводники

2.3.2. Металлы

2.4. Анализ сформированных структур

Глава 3. Электролитно-плазменная обработка

металлов и полупроводников

3.1. Теоретические аспекты зарождения и поддержания

стационарной электролитной плазмы

3.2. Режимы возбуждения электролитной плазмы

при катодной поляризации медного электрода

2

3.3. Особенности анодной поляризации медного электрода

в режиме возбуждения плазмы

3.4. Эффекты, сопровождающие процесс электролитно-плазменной обработки

3.4.1. «Отстрел» газовых пузырьков от поверхности

электрода

3.4.2. Присоединенная масса жидкости к движущемуся пузырьку

3.5. Электролитная плазма на сложных полупроводниках

3.6. Спектры плазменного излучения

3.7. Структурные преобразования катоднополяризуемых

электродов в режиме возбуждения плазмы

3.8. Ожидаемое структурирование окисного слоя

при его электрохимическом формировании

Глава 4. Анодное структурирование полупроводников

4.1. Особенности анодных оксидных пленок на кремнии

4.1.1. Топологические неоднородности оксидных пленок на кремнии

4.1.2. Фазовый и элементный анализ анодноформируемых окислов

на кремнии

4.2. Особенности анодной обработки

сложных полупроводников типа АШВУ

4.2.1. Топология оксидных пленок на полярных плоскостях

{111} п-ОаЛБ

4.2.2. Состав анодных пленок на полярных плоскостях

{111} п-ОаЛБ

Глава 5. Механизм порообразования в анодном оксиде алюминия

Основные результаты и выводы

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Модификация поверхности металлов и полупроводников при токовой обработке в кислородосодержащих растворах»

Введение

Основные свойства любого твердого материала во многом определяются состоянием его поверхности. Это адсорбционные и каталитические свойства [1], смачиваемость [2], фоточувствительность [3], способность к эмиссии электронов [4] и др. Среди существующих способов активной трансформации поверхности особенное место занимает электрохимическое и электроплазменное воздействие на металлические и полупроводниковые структуры.

При незначительных плотностях тока методом анодной поляризации можно не только формировать окисные пленки с активно развитой структурированной пористой структурой, но и на больших площадях создавать квантоворазмерные нити, радикально меняющие оптические свойства полупроводников (57, Ов, ОаАя). Однако, электрохимический метод анодной обработки сталкивается с сильной зависимостью свойств создаваемых структур от режимов токового воздействия. Более того, несмотря на большое число работ [5-10], в литературе практически отсутствует информация о стартовых моментах роста оксидных пленок и самоорганизации процессов анодного окисления. Это приводит к различным трактовкам кинетических особенностей создаваемых структур на начальных этапах роста. В частности, практически отсутствуют сведения о перестройке транспортных потоков окислителя в процессе анодного формирования окислов на монокристаллах. Не обсуждается и топологическая неоднородность электрохимически выращиваемых слоев.

Воздействуя же высокими значениями прикладываемого напряжения (и = 200-500 В), перестройка поверхности, в результате возникновения электролитной плазмы, происходит как при катодной, так и анодной поляризации. Однако, в литературе [11,12] обсуждаются лишь результаты воздействия плазмы на изменение структурных и механических свойств обрабатываемых объектов, практически не анализируя физические аспекты возбуждения плазмы и роль электролита в поддержании плазмы. Практически не рассматриваются и физико-химические процессы на межфазных границах формируемого оксида с электро-

литом и окисляемым объектом, хотя именно они предопределяют топологию и пористую структуру окисла. Таким образом, несмотря на расширяющуюся область практического применения электролитно-плазменной обработки поверхности, особенности ее формирования изучены не достаточно.

Поэтому целью диссертационной работы является теоретическое и экспериментальное описание особенностей плазменных процессов, реализуемых на металлах и полупроводниках, и морфологических преобразований поверхности при электрохимическом воздействия в водных растворах электролитов. Для достижения поставленных целей были рассмотрены и решены следующие задачи:

1. Выявлены особенности электролитно-плазменной обработки (ЭПО) металлов и полупроводников.

2. Описан механизм возникновения и поддержания электролитной плазмы.

3. Определена взаимосвязь морфологии анодноформируемой окисной пленки на полупроводниковых кристаллах с длительностью поляризации, поверхностной плотностью дефектов и концентрацией легирующей примеси.

4. Выявлена связь между формой образующихся оксидных выступов и кристаллографической ориентацией полупроводниковой подложки.

5. Показано топологическое различие окисла, формируемого на полярных плоскостях {111} полупроводниковых соединений AinBV.

6. Уточнен наиболее широко распространенный механизм анодного роста пористого оксида алюминия. Установлен единый механизм анодного формирования окисла на металлах и полупроводниках. Показана принципиальная невозможность получения планарных пленок окисла без выступов и барьерных слоев.

Научная новизна

1. Описаны теоретические аспекты стартового возбуждения плазмы в ионных растворах при экранировании пузырьками рабочего электрода (Al, Cu, GaAs).

2. Экспериментально выявлен стартовый рост окисных пленок на поверхности полупроводниковых монокристаллов в виде островков правильной формы, определяемых кристаллографической ориентацией подложки.

3. Впервые установлены топологические различия оксидных пленок, формируемых на полярных плоскостях {111} GaAs, определяемые элементным составом (Ga или As) окисляемых плоскостей, контактирующих с электролитом.

4. Установлен единый механизм анодного формирования окисла на металлах и полупроводниках, заключающийся в саморегулирующем механизме роста островков, геометрические размеры которых определяются диффузионной кинетикой подвода окислителя через тонкие барьерные слои, разделяющие окисляемую поверхность матричного образца и поры в окисле.

Теоретическая и практическая значимость работы

1. Разработана теоретическая модель, описывающая кинетику пузырькового экранирования при токовой обработке металлов и полупроводников, позволяющая определять основные параметры образования и поддержания электролитной плазмы.

2. Предложен метод определения краевого угла смачивания пузырьками электродной поверхности по геометрическим размерам и скорости их всплытия в процессе поляризации в водных растворах электролитов. Вскрыт механизм роста, отрыва и перемещения газовых пузырьков в преддверии искрового разряда в жидкости.

3. Установлено доминирующее влияние легирующей примеси и плотности дефектов в полупроводнике на топологию его поверхности и кинетику формирования окисла в результате анодной обработки.

4. На примере Л1, Si и GaAs вскрыт механизм распределения пор и особенности их зарождения при анодном окислении. Установлена жесткая взаимосвязь между геометрическими размерами пор, барьерных слоев и оснований растущих оксидных выступов.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Определяющая роль в формировании электролитной плазмы принадлежит газовым пузырькам на поверхности поляризуемого электрода. На основе математической модели, описывающей кинетику пузырьковой экранизации, опреде-

лены контролирующие параметры зажигания плазмы, к числу которых прежде всего относятся фактор экранирования и истинная плотность тока.

2. Искровой разряд в жидкости приводит к «отстрелу» газовых пузырьков с поверхности электрода и перемещению вглубь раствора за счет резко выросшего давления внутри газового пузырька.

3. Легирующая примесь и дефекты в полупроводнике (81, ОаЛБ) приводят к неоднородному росту аморфной или поликристаллической анодной оксидной пленки в виде островков, форма которых определяется кристаллографической ориентацией исследуемого кристалла.

4. Полярные свойства {111} ОаЛБ приводят к принципиальным топологическим различиям анодно-сформированных окислов. На плоскости (111 )Лб образуются островки окисла, в формировании которых доминирующая роль принадлежит дислокациям, тогда как на галлиевой (111)Оа поверхности дополнительно формируется и сплошная сетка микропор, образование которой контролируется примесными центрами, локализованными в подрешетке галлия.

5. При электрохимической анодной обработке металлов и полупроводников перераспределение транспортных потоков окислителя за счет локализации в местах наименьшего сопротивления приводит к неравномерному росту окисной пленки в виде островков, соединенных барьерным окисным слоем.

Личный вклад автора в получении результатов

Личный вклад автора состоит в постановке эксперимента, его непосредственном проведении и анализе полученных результатов; выполнении теоретических расчетов и их сопоставление с результатами эксперимента, а также обосновании всех выносимых на защиту положений.

Апробация результатов

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских научных конференциях и семинарах, в частности:

1. XII Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логии и микросистемы», Ульяновск, 2010.

2. Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием «Актуальные проблемы современной науки и образования», Ульяновск, 2010.

3. XIII Международная молодежная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов», Москва, 2013.

4. IX Всероссийская конференция молодых ученых «Наноэлектроника, на-нофотоника и нелинейная физика», Саратов, 2014.

5. II Всероссийская научная молодежная конференция «Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники», Уфа, 2014.

6. XVIII Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотех-нологии и микросистемы», Ульяновск, 2015.

7. XVIII Всероссийская молодежная научная школа-семинар «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники», Ульяновск, 2015.

Результаты, составившие содержание диссертации, использовались при выполнении работ по гранту, где соискатель выступал в роли исполнителя: РФФИ № 13-02-97051.

Автор диссертации выражает глубокую благодарность своему научному руководителю Орлову Анатолию Михайловичу за активное содействие и всестороннюю помощь при работе над экспериментальными исследованиям и подготов-

ке диссертации к написанию. Автор признателен И. О. Явтушенко, А. С. Амбро-

зевичу и Б. Б. Костишко за полезное сотрудничество и помощь в получении экспериментальных данных.

Публикации

Оригинальные результаты по теме работы опубликованы в 13 научных работах, в том числе 5 статей в Российских журналах из списка ВАК, 8 материалов Всероссийских и Международных конференций.

Степень достоверности результатов проведенных исследований

Достоверность полученных данных подтверждается использованием оригинальных апробированных методик, базирующихся на серийно выпускаемой измерительной аппаратуре, а также соответствием экспериментальных результатов теоретическим расчетам и данным независимых исследований.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех основных глав, содержит 146 страниц машинописного текста, включая 16 таблиц, 61 рисунок, 48 формул и список используемой литературы отечественных и зарубежных авторов из 162 наименований.

Глава 1. Аналитический обзор

Процесс электрохимической обработки металлов и полупроводников в водных растворах электролитов по отношению к термическому окислению является одним из наиболее простых и перспективных методов для получения структурированных слоев [13-15]. Основанный на принципе самофомирования, данный метод, за счет простоты и дешевизны технологии, получил широкое распространение в области материаловедения, оптики, микро- и наноэлектроники [16-18].

1.1. Состояние вопроса

Прохождение постоянного электрического тока повышенной плотности через межфазные границы токоподводящих электродов и ионных жидких сред, сопровождается радикальными изменениями объемных и пограничных областей раствора, проявляемых, прежде всего, в плазменных образованиях. Различные технологии электроплазменной обработки [19,20] обеспечивают качественное полирование поверхности металлов и полупроводников до зеркального блеска, сглаживание острых кромок, удаление загрязнений и обезжиривание поверхности. Эти технологии обеспечивают и электрохимическую подготовку поверхности для нанесения покрытий [21,22]. Более того, адсорбционное взаимодействие в определенном диапазоне потенциалов некоторых составляющих растворов с теми или иными металлами способствуют образованию плотного, практически непроницаемый барьерного слоя, препятствующего развитию коррозии либо замедляющего ее [23]. Однако, констатируя лишь результаты воздействия плазмы, авторы часто пренебрегают выяснением причин такого действия [24,25].

Что касается малых плотностей токов, то катодная поляризация используется для электрохимической защиты металлов от коррозии, либо для нанесения тонких защитных пленок. Структурные же преобразования, вызванные растворением либо окислением поверхностных слоев матрицы, преобразование поверхности происходят лишь на аноде. Несмотря на большое число работ по выращиванию анодноструктурированных слоев на поверхности металлов и полупроводников, в большинстве своем все они носят прикладной характер без детального ана-

лиза протекающих явлений, в особенности на старте рассматриваемых преобразований, предопределяющих последующий ход процессов. Прежде всего, это относится к образованию и росту пористого анодного оксида алюминия [26-29]. Что касается полупроводников, то большая часть работ по их электрохимическому преобразованию направлена на получение пористых материалов, в частности рог-81 и рот-ОаЛ8, во фторсодержащих электролитах [30-34]. Нами практически не было встречено работ по анодному формированию оксидных наноструктур на полупроводниковых монокристаллах. Все это приводит к необходимости активного исследования анодного структурирования металлов и, в особенности, полупроводников.

1.2. Особенности электролитно-плазменной обработки

Токовая обработка металлов и полупроводников в кислородсодержащих ионных растворах применяется для их травления (включая резку), окисления и полирования. В ряде случаев подобное воздействие может способствовать радикальному изменению их поверхностных свойств. Так, анодная обработка полупроводниковых структур позволяет сформировать на поверхности монокристалла наноразмерные губчатые или ливневые структуры, представляющие собой массив протяженных квантово-размерных стерженьков [11,12]. В отличие от традиционной электрохимической обработки, электролитно-плазменная обработка (ЭПО) осуществляется как при анодной, так и при катодной поляризации. В зависимости от этого на электроде возможно образование кислорода или водорода соответственно. В связи с этим на электроде реализуются и различные виды разряда. Так, авторы [35,36], сравнивая вольтамперные характеристики (ВАХ) разрядов, возникающих при катодной ЭПО с ВАХ известных типов разрядов, говорят о разряде «нового типа», параметры которого при атмосферном давлении, близки к параметрам столба тлеющего разряда при пониженных давлениях (менее 10 Па). А величина приэлектродного падения напряжения значительно меньше значения характерного для тлеющего разряда при низких давлениях, и близка к значениям дугового разряда при атмосферном давлении. При этом природа, механизм и воз-

можность возникновения такого разряда не оговаривается, что ставит вывод авторов под сомнение.

Авторы работы [37, 38] изучали развитие лидерного разряда по поверхности воды, при замыкании высокого напряжения (U=3-6 кВ) между торцом анодно-поляризованного нависающего электрода и катодно-поляризованной жидкой поверхностью (жидкий электрод). Причем в диапазоне исследуемых напряжений в пределах каждого разрядного цикла вначале реализуется коронный разряд, исходящий от анодно поляризованного нависающего электрода, затем он последовательно сменяется тлеющим и слабым искровым разрядом. Однако, более поздние исследования Полякова О.В., Бадаляна А.М. и Бахтурова Л.Ф. [39] отдают приоритет природе тлеющего разряда, так как реализация механизмов стационарной эмиссии электронов из электролита в газ за счет стабильно существующих состояний весьма маловероятна и практически является не осуществимой. Но поскольку рассматриваемые нами процессы проводились при атмосферном давлении, то возможность существования в данном случае тлеющего разряда маловероятно. К тому же, поддержание стационарного коронного разряда не требует металлического (катодно-поляризованного) источника электронов, так как возбужденные электроны возникают в результате естественного появления при ударной ионизации газа, реализуемого в поле высокого напряжения, поэтому предположение авторов [37,38] вполне логично и закономерно.

Особенностью ЭПО металлов является сопутствующий процесс полировки поверхности. В отличие электрохимической полировки, в плазменно-электролитной технологии используются экологически безопасные водные растворы солей аммония низкой концентрации (3-6%) [40], а также возможность работы как при анодной, так и катодной поляризации. Так авторам работы [41] при пропускании электрического тока высокого напряжения через образец, погруженного в нагретый электролит, отмечают образование вокруг его поверхности парогазовой оболочки (ПГО), приводящей к значительному увеличению сопротивления в цепи. При этом сила тока резко уменьшается, и почти все напряжение падает на образовавшуюся ПГО. Из-за высокой локальной напряженности электриче-

12

ского поля возникает частичная ионизация газа с протеканием электрического тока через ПГО в виде импульсных электрических разрядов. Наибольшая вероятность возникновения разрядов существует на микровыступах, что приводит к удалению материала. В результате обеспечивается сглаживание поверхности, наиболее интенсивно происходящее при замыкании плазмы на выступах катодно-поляризуемой поверхности металлического электрода. Отметим, что при малых плотностях тока, не обеспечивающих режим ЭПО, электрополировка обрабатываемого объекта может быть реализована лишь при анодной его поляризации.

Электролитно-плазменная обработка может быть использована и для скоростного нагрева обрабатываемого изделия с целью последующей его закалки в этом же растворе. Этот вариант позволяет проводить и циклическую термообработку (быстрый нагрев сменяется резким охлаждением) путем изменения электрического потенциала в слое плазмы, локализованной между проточным жидким электродом и катодно-поляризованной поверхностью образца [42]. Однако и известные нам работы этого цикла [43-45] демонстрируют лишь практическую значимость нового метода термического воздействия без углубленного анализа сути протекающих явлений.

Таким образом, несмотря на практическое применение метода ЭПО, протекающие при этом физические процессы еще недостаточно изучены и требуют как детального описания причин возникновения и поддержания плазмы, так и снятия сопутствующих характеристик для понимания природы данного процесса.

Стоит отметить что, существенным недостатком метода ЭПО является высокая энергоемкость, в особенности при импульсном воздействии, для осуществления которого требуются напряжения в несколько киловольт. При приложении малых внешних потенциалов, с практической точки зрения наибольший интерес представляют процессы, протекающие на поверхности анода, приводящие за счет участия кислорода к росту оксидных слоев.

1.3. Особенности анодной модификации поверхности

полупроводников

Отличительной особенностью полупроводниковых монокристаллов, особенно полярных соединений, является ярко выраженная анизотропия их физических свойств [46-48] и проявление вентильного эффекта в водных растворах [49,50]. Поэтому важную роль при описании любых процессов играет кристаллографическая ориентация исследуемой подложки и направление воздействующего на структуру тока. Большое влияние на структурные преобразования оказывают легирующие примеси и дефекты кристаллической решетки.

1.3.1. Элементарные полупроводники

Основным элементом современной микроэлектроники является кремний, на базе которого формируются дискретные и интегральные приборы. При создании сверхбольших (СБИС), и в особенности суперсверхбольших (ССБИС) интегральным схем, вторичные и последующие процессы высокотемпературного окисления становятся проблематичными, а часто и недопустимыми. Это особенно важно при работе с тонкими слоями кремния при высоком уровне интеграции [51]. Одна из проблем заключается в генерации больших концентраций неравновесных меж-доузельных атомов, которые в свою очередь могут приводить к формированию дефектов упаковки до размеров порядка нескольких микрометров, что многократно превышает линейные размеры активных элементов ИМС. Другая проблема -размытие ранее созданных диффузионных фронтов. В связи с этим используются и разрабатываются иные способы формирования окисла, включая и электрохимические [52-54].

Согласно последним результатам исследований [55], электрохимическое формирование типичных по толщине окисных пленок не в состоянии обеспечить высокие требования, предъявляемые к защитным и диэлектрическим покрытиям: выращенные пленки всегда неоднородны и представлены отдельными сочлененными выступами пористого слоя. Однако, начальный этап роста всегда начинается с образования сплошного однородного барьерного слоя, переходящего в про-

цессе последующего роста в пористую пленку с тонким барьерным слоем. В связи с этим следует ожидать, что электрохимическое формирование тончайших окис-ных слоев на совершенных гранях кристалла обеспечит высокое их качество, удовлетворяющее требованиям современной микроэлектроники. Результаты работы A. Ashok и P. Pal [56], свидетельствующие о прекрасной однородности и бездефектности тончайшего барьерного слоя (рис. 1.1), подтверждают это. К сожалению, авторы работы [56] ограничились лишь барьерным слоем, не затрагивая ни переходную область, ни морфологию поверхности более толстых слоев. Была исследована лишь взаимосвязь толщины, морфологии и состава формируе-

(с) (d)

Рис. 1.1. Микрофотографии оксидных пленок на р-31, полученных методом сканирующей электронной микроскопии [56]. Электролит: смесь этиленгликоля, 0.04 М КМОз и Н20. a и с - 0.2 об. % Н2О, Ь и d - 0.7 об. % Н2О;] = 5.5 мА/см2 (а и Ь) и 8 мА/см2 (с и d).

мых барьерных пленок.

К истокам этого направления следует отнести работу [51], авторы которой обеспечили частичное окисление тончайших пленок кремния (^=10 - 500 нм), локализованных на изоляторе (структура КНИ). Используемый здесь режим стаби-

15

лизации тока подразумевал непрерывное увеличение напряжения на электродах электрохимической ячейки. Следовательно, с течением времени качество формируемой пленки может снижаться за счет локализации тока на поверхностных дефектах Si и возможных электрических пробоев растущей пленки окисла. С этой точки зрения целесообразно применять потенциостатический режим анодной обработки, который и был реализован позднее A. Ashok и P. Pal [56] на той же системе.

Известно [57-59], что метод электрохимического (анодного) окисления, осуществляемый в самоорганизуемом процессе локализации тока в местах наименьшего сопротивления, всегда сопровождается изменением водородного показателя раствора pH в этих зонах. В результате повышенной щелочности происходит подтравливание оксида кремния. Представленная на рис. 1.2 информация косвенно подтверждает это, хотя увеличение скорости роста формируемой пленки при перемешивании раствора можно связать и со снижением транспортных затруднений при доставке окислителя OH через диффузионный слой жидкости. Однако [55], скорость роста окисла при электрохимическом его формировании контролируется не диффузионной, а химической кинетикой окисления, отражающей энергетическое различие вытравливаемых кристаллографических плоскостей Si. Следовательно, повышенная скорость роста окисла при перемешивании раствора действительно связано с понижением щелочности раствора на межфазной границе окисной пленки с электролитом, следовательно, и с меньшим ее подтравливанием, хотя разница и не превышает 3 - 4%.

1400

100 250

Напряжение, В

У/////А без перемешивания ШШ при перемешивании

Рис. 1.2. Влияние механического перемешивания электролита на толщину анодных пленок на р-$>1 при напряжениях формирования 100 и 250 В (потенциостатический режим). Каждый опыт прекращался при снижении тока от исходного значения до 2 мА [56].

Одним из важных параметров, определяющих свойства оксидных пленок, является кристаллическое состояние. Такая информация для анодного окисла практически отсутствует [60], хотя это мнение противоречиво и относительно термически окисленного кремния. Большинство авторов отдают предпочтение аморфному состоянию термически выращенного 8Ю2 [61], несмотря на постоянно присутствующие и неоднородно распределенные по толщине кристаллические включения а-кристобалита, а-кварца и а-тридимита. Тенденция к кристаллизации микрообластей зависит от влажности, скорости охлаждения, наличия и типа примесей. Так, японские исследователи [62] обнаружили, что бор усиливает, а фосфор и сурьма подавляют кристаллизацию окисла. Галлий в этом плане оказался индифферентной примесью, не оказывая никакого влияния на структуру пленки.

Однако, получаемые результаты анализа относительно кристаллической природы окисных пленок во многом зависят от методов анализа. Так в работах [61,63], посвященных исследованию свойств термических пленок 8Ю2 методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопия (РФС), указывается на их аморфную структуру, а также присутствие вблизи подложки переходного слоя толщиной ~ 5 нм, отличающегося по строению от объемного материала. Аналогичные результаты дает и масс-спектроскопия вторичных ионов, показывающая наличие нестехиометрических слоев 8ЮХ в близи границы раздела Б1/БЮ2. Тем не менее, авторами [63] методом РФС установлено присутствие в окисных пленках толщиной 12 нм кристаллической модификации кремнезема (а-тридимита). Результаты исследований методом полного внешнего отражения рентгеновских лучей (ПВОРЛ) также удается зафиксировать субмикрокристаллиты в пленке 8Ю2 за счет малоугловой (~ 6') съемки [64,65]. Помимо метода ПВОРЛ наиболее информативным методом, согласно [66], является электронография «на отражение» от поверхности. Данный способ основан на определении положения точки на поверхности вытравленного клина, в которой исчезает дифракционная картина от кристаллической фазы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Махмуд-Ахунов Марат Юсупович, 2016 год

Список литературы

1. Исследование в области адсорбции, катализа и электролиза на углеродных материалах, оксидных и наноструктурных покрытиях на металлах [Текст] / Н. Б. Кондриков [и др.] // Вестник ДВО РАН. - 2009. - №2. - С. 77-83. -ISSN: 0869-7698.

2. Kijima, T. Inorganic and Metallic Nanotubular Materials [text] / T. Kijima. -New York : Springer, 2010. - 295 p. - ISBN: 978-3-642-03620-0.

3. Чопра, К. Тонкопленочные солнечные элементы [Текст] : монография / К. Чопра, С. Дас. - пер. с англ. И. П. Гавриловой. - М. : Мир, 1986. - 435 с.

4. Батушев, В. А. Электронные приборы [Текст] : учеб. для вузов / В. А. Ба-тушев. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Высшая школа, 1980. - 383 с.

5. Горох, Г. Г. Нанопористые анодные оксидные пленки титана для газовых сенсоров [Текст] / Г. Г. Горох, А. М. Мозалев, Д. В. Соловей // «НАНО 2007» : сб. тезисов докладов II Всероссийской конференции по наномате-риалам (Новосибирск, 13-16 марта 2007 г.). - Новосибирск, 2007. - С. 363.

6. Синтез и исследование свойств пленок пористого TiO2, полученных анодным окислением [Текст] / Д. И. Петухов [и др.] // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» АЭЭ. - 2007. - Т. 1. -Вып. 45. - С. 65-69. - ISSN: 1608-8298.

7. Индикаторные устройства на жидких кристаллах [Текст] / З. Ю. Готра [и др.] / под ред. З. Ю. Готры. - М.: Сов. радио, 1980. - 240 с.

8. Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова [Текст] / О. В. Анисимов [и др.] // ФТП. - 2006. - Т. 40. - Вып. 6. - С 724-729. - ISSN: 0015-3222.

9. Granitzer, P. Porous Silicon - A Versatile Host Material [text] / P. Granitzer, K. Rumpf // Materials. - 2010. - N 3. - P.943-998. - ISSN: 1996-1944.

10. The Formation and Morphology of Highly Doped N-type Porous Silicon: Effect of Short Etching Time at High Current Density and Evidence of Simultaneous Chemical and Electrochemical Dissolutions [text] / Suriani, Y [et al.] // J. of Phys. Sci. - 2012. - V. 23(2). - P. 17-31. - ISSN: 1675-3402.

11. Electrolytic plasma processing for cleaning and metal-coating of steel surfaces [text] / E.I. Meletis [et al.] // Surf. Coat. Technol. - 2002. - V. 150. - N 2-3. - P. 246-256. - ISSN: 0257-8972.

12. Mastai, Y. Plasma electrolytic oxidation of valve metals [text] / Y. Mastai. - InTech, 2013. - 550 p. - ISBN: 978-953-51-1140-5.

13. Нефарадеевские емкостные сенсоры на основе пассивирующих пленок на-нопористого анодного оксида алюминия [Текст] / А. И. Драпеза [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : сб. тр. участников XX Международной Крымской конференция КрыМиКо'2010 (Севастополь, 1317 сентября 2010 г.). - Севастополь, 2010. - С. 1163-1164. - ISBN: 978-966335-329-6.

14. Сокол, В. А. Электрохимическая технология микро- и наноэлектронных устройств [Текст] / В. А. Сокол // Доклады БГУИР. - 2004. - № 3. - С. 1826. - ISSN: 1729-7648.

15. Buda, M. Anodization of n- and p-GaAs in ethylene glycol-water-tartaric acid mixture [text] / M. Buda, D. Cengher, D. Diaconescu // J. Appl. Electrochem. -1998. - N 28. - P. 745-749. - ISSN: 0021-0891X.

16. Гаврилов, С. А. Электрохимические процессы в технологии микро- и нано-электроники [Текст] : учеб. пособие / С. А. Гаврилов, А. Н. Белов. - М. : Высшее образование, 2009. - 257 с. - ISBN: 978-5-9692-0304-4.

17. Сокол, В. А. Особенности применения пористых оксидов алюминия [Текст] / В. А. Сокол, В.А. Яковцева, Д. Л. Шиманович // Доклады БГУИР. - 2012. -T. 64. - № 2. - С. 21-27. - ISSN: 1729-7648.

18. Tushar, K. Nanoporous Anodic Alumina Platforms: Engineered Surface Chemistry and Structure for Optical Sensing Applications [text] / K. Tushar, S. Abel, L. Dusan // Sensors. - 2014. - N 14. - P. 11878-11918. - ISSN: 1424-8220.

19. Электролитно-плазменная обработка материалов [Текст] : учебник / И. С. Куликов [и др.] // Объединенный ин-т энергетических исследований - Сосны. - Минск: Беларуская навука, 2010. - 232 с. - ISBN: 978-985-08-1215-5.

20. Воленко, А. П. Электролитно-плазменная обработка металлических изделий [Текст] / А. П. Воленко, О. В. Бойченко, Н. В. Чиркунова // Вектор науки ТГУ. - 2012. - Т. 22. - № 4. -С. 144-147. - ISSN: 2073-5073.

21. Лонгмайр, К. Физика плазмы [Текст] : учебник / К. Лонгмайр ; пер. с англ. О. П. Бегучева. - М. : Атомиздат, 1966. - 344 с.

22. Голант, В. Е. Основы физики плазмы [Текст] : учебник / В. Е. Голант, А. П. Жилинский, И. Е. Сахаров. - М.: Атомиздат, 1977. - 384 с.

23. Томашов, Н. Д. Пассивность и защита металлов от коррозии [Текст] : учебник / Н. Д. Томашов, Г. П. Чернова. - М. : Наука, 1965. - 208 с.

24. Formation of black ceramic layer on aluminum alloy by plasma electrolytic oxidation in electrolyte containing Na2WO4 [text] / I. J. Hwang [et al.] // Mater. Trans., JIM. - 2012. - V. 53. - N 3. - P. 559-564. - ISSN: 1345-9678.

25. Effects of anodic voltages on microstructure and properties of plasma electrolytic oxidation coatings on biomedical NiTi alloy [text] / J. Xu [et al.] //J. Mater. Sci. Technol. - 2013. - V. 29. - N 1. - P. 22-28. - ISSN: 0924-0136.

26. Growth of porous anodic alumina films in hot phosphate-glycerol electrolyte [text] / S. Yang [et al.] // J. Solid State Electrochem. - 2011. - V. 15. - N 4. - P. 689-696. - ISSN: 1432-8488.

27. Bwana, N. Synthesis of highly ordered nanopores on alumina by two-step anodi-zation process [text] / N. Bwana // J. Nanopart. Res. - 2008. - V. 10. - N 2. - P. 313-319. - ISSN: 1388-0764

28. Growth of alumina oxide nanowires in an aluminum anodization process [text] / Z. KaiGui [et al.] // Chin. Sci. Bull. - 2011. - V. 56. - N 18. - P. 1947-1950. -ISSN: 2095-9273.

29. Effect of the anodization voltage on the pore-widening rate of nanoporous anodic alumina [text] / M. M. Rahman [et al.] // NRL. - 2012. - V. 7:474. - 9 P. - ISSN: 1931-7573.

30. Двулучепреломление и анизотропия оптического поглощения в пористом кремнии [Текст] / А. И. Ефимова [и др.] // ЖЭТФ. - 2007. - Т. 132. - Вып. 3(9). - С. 680-693.

31. Zhao, Y. Al-assisted anodic etched porous silicon [text] / Y. Zhao, D. Li, D. Yang // J. Mater. Sci. - 2006. - V. 41. - N 16. - P. 5283-5286. - ISSN: 00222461.

32. Особенности формирования эпитаксиальных пленок на пористых подложках AIIIBV [Текст] / A. A. Ситникова // ФТП. - Т. 39. - Вып. 5. - С. 552-556. -ISSN: 0015-3222.

33. Улин, В. П. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AIIIBV (Часть I) [Текст] / В. П. Улин, С. Г. Конников // ФТП. -2007. - Т. 41. - Вып. 7. - С. 854-866. - ISSN: 0015-3222.

34. Улин, В. П. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AIIIBV (Часть II) [Текст] / В. П. Улин, С. Г. Конников // ФТП. -2007. - Т. 41. - Вып. 7. - С. 867-877. - ISSN: 0015-3222.

35. Исследование электролитно-плазменного процесса [Текст] / О. И. Хомутов [и др.] // Ползуновский вестник. - 2001. - С. 10-19. - ISSN: 2072-8921.

36. Словецкий, Д. И. Электрический разряд в электролитах - источник неравновесной плазмы при атмосферном давлении [Текст] / Д. И. Словецкий, С. Д. Терентьев // Химия высоких энергий. - 2003. - Т. 37. - № 5. - С. 355. ISSN: 0023-1193.

37. Белошеев, В. П. Самосогласованность развития и фрактальность структуры лидерного разряда по поверхности воды [Текст] / В. П. Белошеев // ЖТФ. -1999. - Т. 69. - Вып. 4. - С. 35-40. - ISSN: 0044-4642.

38. Белошеев, В. П. Самоорганизация структуры лидерного разряда по поверхности воды [Текст] / В. П. Бклошеев // ЖТФ. - 2000. - Т. 70. - Вып. 7. - С. 109-114. - ISSN: 0044-4642.

39. Поляков, О. В. Эмиссия электронов и самоподдержание разряда в условиях водного электролитного катода [Текст] / О. В. Поляков, А. М. Бадалян, Л. Ф. Бахтурова // Физико-химическая кинетика в газовой динамике. - 2007. -Т. 5. - С. 1-10. ISSN: 1991-6396

40. Куликов, И. С. Особенности электроимпульсного полирования металлов в электролитной плазме [Текст] / И. С. Куликов, С. В. Ващенко, В. И. Васи-

левский // ВЕСЦ1 АНБ сер. физ-техн. наук. - 1995. - №4. - С. 93-98. - ISSN: 0002-3566

41. Дураджи, В. Н. О распределении температуры в поверхностном слое на активном электроде при нагреве в электролитной плазме [Текст] / В. Н. Дураджи, Г. А. Фория // Электронная обработка материалов. - 1988. - № 2. -С. 54-57. - ISSN: 0013-5739.

42. Федоренкова, Л. И. Температурное воздействие электролитной плазмы на структуру поверхности металла [Текст] / Л. И. Федоренкова // Физика и техника высоких давлений. - 2014. - Т. 24. - № 1. - С. 136-144. - ISSN: 0868-5924.

43. Дураджи, В. Н. Химико-термическая обработка металлов с нагревом в электролитной плазме / В. Н. Дураджи // Арматуростроение. - 2010. - Т. 69. - № 6. - С. 59-61. - ISSN: 2411-1155.

44. Особенности электролитно-плазменного нагрева при электрохимико-термической обработке стали [Текст] / Ю. Г. Алексеев [и др.] // Наука и техника. - 2013. - № 6. - С. 20-23. - ISSN: 1683-0326.

45. Белкин, П. Н. Анодная электрохимико-термическая модификация металлов и сплавов [Текст] / П. Н. Белкин // Электрические методы обработки поверхности. - 2010. - № 6. -С. 29-41. - ISSN: 0013-5739.

46. Шаскольская, М. П. Кристаллография [Текст] : учеб. пособие для втузов/ М. П. Шаскольская. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Высшая школа, 1984. -376 с.

47. Попов, Г. М. Кристаллография [Текст] : учебник / Г. М. Попов, И. И. Шаф-рановский. - М. : Высшая школа, 1972. - 352 с.

48. Горелик, С. С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков [Текст] : учебник / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский. - М. : Металлургия, 1988. - 574 с.

49. Батенков, В. А. Электрохимия полупроводников [Текст] : учеб. пособие / В. А. Батенков. - изд. 2-е, допол. - Барнаул : Изд-во Алт. ун-та, 2002. - 162 с.

50. Sulaiman S. T. The Growth and Investigation of Interface of SiO2/Si by Anodic Oxidation Technique Using Acetic Acid Medium [text] / S. T. Sulaiman, Y. N. Al-Jammal, A. A. Issa // Raf. J. Sci. - 2012. - V. 23. - N. 4. - P. 117-126.

51. Антонов, В. А. Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе [Текст] / В. А. Антонов, Е. В. Спесивцев, И. Е. Тыс-ченко // ФТП. - 2011. - Т. 45. - Вып. - 8. - С. 1121-1125. - ISSN: 0015-3222.

52. In-situ Monitoring of Anodic Oxidation of p-type Si(100) by Electrochemical Impedance Techniques in Nonaqueous and Aqueous Solutions [text] / M.-S. Kim [et al.] // Bull. Korean Chem. Soc. - 1999. - V. 20. - N 9. - P. 1049-1055. -ISSN: 0253-2964.

53. Si nanostructures fabricated by anodic oxidation with an atomic force microscope and etching with an electron cyclotron resonance source [text] / E. S. Snow [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 66. - N 14. - P. 1729-1731. - ISSN: 0003-6951.

54. Characterisation of reactively sputtered silicon oxide for thin-film transistor fabrication [text] / S.-I. Jun [et al.] // Electron. Lett. - 2005. - V. 41. - N 14. - P. 822-823. - ISSN: 0013-5194.

55. Орлов, А. М. Топология анодно-сформированной окисной пленки на монокристалле кремния [Текст] / А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, М. Ю. Махмуд-Ахунов // ФТТ. - 2015. - Т. 57. - Вып. 8. - С. 1616-1621. - ISSN: 0367-3294.

56. Ashok, A. Growth and etch rate study of low temperature anodic silicon dioxide thin films [electronic resource] / A. Ashok, P. Pal // Scientific World Journal. -2014. - 106029. - 9 pp. - Режим доступа: http://www.hindawi.com/j ournals/tswj/2014/106029/

57. Алехин, С. А. «Живая» вода мифы и реальность [Текст] / С. А. Алехин, И. М. Байбеков // Сборник №6. - Ташкент: МИС-РТ, 1998. - 212 с.

58. Miroshnikov, A. I. Investigation of the biological activity of solutions activated electrochemically in a membrane electrolyzer [text] / A. I. Miroshnikov, V. F. Konovalov, I. S. Serikov // Biophysics. - 2006. - V. 51. - N 5. - P. 837841. - ISSN: 0006-3509.

59. Pickett, D. J. The behaviour of a two-compartment stirred-tank electrochemical reactor with two anodic reactions and with continuous flows of both anolyte and catholyte [text] / D. J. Pickett, S. J. Sudall // J. Appl. Electrochem. - 1984. - V. 14. - N 6. - P. 769-777. - ISSN: 0021-891X.

60. Румак, Н. В. Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике [Текст] / Н. В. Румак, В. В. Хатько. - Минск: Навука i Tэхнiка, 1990. - 190 с.

61. Grunthaner, F. J. Chemical structure of the transitional region of the SiO2/Si interface [text] / F. J. Grunthaner, J. Maserjian // Proceedings of the International Topical Conference on the physics of SiO2 and it's interfaces Held at the IBM Thomas J. Waston Research Center, Yorktown Heights. - New York, 1978. - P 389-395.

62. Ordered Structure and Ion Migration in Silicon Dioxide Films [text] / T. Sugano [et al.] // Jap. J. Appl. Phys. - 1968. - V. 7. - N 7. - P. 715-730. - ISSN: 13474065.

63. F. Rochet, S. Rigo, M. Froment et. al. // Advances in Physics 1986. V. 35. N 3. P. 237-274.

64. Румак Н. В. Система кремний - двуокись кремния в МОП-структурах. Мн., 1986.

65. Румак, Н. В. [Текст] / Н. В. Румак, А. Ф. Заико // Весщ АН БССР. Сер. фiз.-тэхн. навук. - 1985. - № 1. - С. 28-32.

66. Румак, Н. В. [Текст] / Н. В. Румак, В. В. Хатько // Электронная техника. -Сер. 3. - Микроэлектроника. - 1983. - № 1. - С. 44-49.

67. Infrared-spectroscopic analysis of SiOx films obtained by ion-beam sputtering of quartz targets [text] / A. P. Dostanko [et al.] // J. Appl. Spectrosc. - 1989. - V. 50. - N 3. - P. 436-439. ISSN: 0021-9037.

68. Tolstoy V. P. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films [text] / V. P. Tolstoy, I. V. Chernyshova, V. A. Skryshevsky. - USA. : Wiley-Interscince, 2003. - 710 p. - ISBN: 0-471-35404-X.

69. Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO2 и Si [Текст]

/ С. Н. Шамин [и др.] // ФТП. - 2010. - Т. 44. - Вып. 4. - С. 550-555. - ISSN: 0015-3222.

70. Формирование SiOx-слоев при плазменном распылении Si- и SiO2-мишеней [Текст] / А. Н. Карпов [и др.] // ФТП. - 2008. - Т. 42. - Вып. 6. - С. 747-752.

- ISSN: 0015-3222.

71. Копылов, А. А. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол [Текст] / А. А. Копылов, А. Н. Хо-лодилов // ФТП. - 1997. - Т. 31. - № 5. - С. 556-558. - ISSN: 0015-3222.

72. Васькевич, В. В. Синтез и исследование силикатных золь-гель-покрытий для микро- и наноэлектроники [Текст] / В. В. Васькевич, В. Е. Гайшун, Д. Л. Коваленко // Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. - 2014. - Т. 12.

- № 2. - С. 279-293. - ISSN: 1816-5230.

73. Инфракрасная спектроскопия поверхности кремния, подвергнутого бомбардировке ионами азота [Текст] / В. И. Бачурин [и др.] // ПЖТФ. - 1998. -T. 24. - № 6. - С. 18-23. - ISSN: 0320-0116.

74. Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин [Текст] / А. Г. Милехин [и др.] // ФТП. - 2006. - Т. 40. - Вып. 11. - С. 1338-1348. - ISSN: 0015-3222.

75. Бабич, В. М. Кислород в монокристаллах кремния [Текст] : учебник / В. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер. - К: Интерпресс ЛТД, 1997. - 240 с. -ISBN 966-501-021-2.

76. Лебедев, А. А. Широкозонные полупроводники для силовой электроники [Текст] / А. А. Лебедев, В. Е. Челноков // ФТП. - 1999. - Т. 33. - Вып. 9. - С. 1096-1099. - ISSN: 0015-3222.

77. Гуртов, В. А. Твердотельная электроника [Текст] : учеб. пособие / В. А. Гуртов. - М. : Техносфера, 2005. - 512 с. - ISBN: 978-5-94836-187-1.

78. Баранский, П. И. Полупроводниковая электроника [Текст] : справочник / П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. - К. : «Наукова Думка», 1975. - 699 с.

79. Пенской, П. К. Термическое окисление GaAs под воздействием композиций хемостимуляторов Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 с инертными компонентами Ga2O3, Al2O3, Y2O3 [Текст] : автореф. дис... канд. хим. наук / П. К. Пенской. - Воронеж: ВГУ, 2009. - 16 с.

80. Мокроусов, Г. М. Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа Апг^ [Текст] / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина // Известия Томского политехнического университета. - 2008. - Т. 313. - № 3. - С. 25-30. ISSN: 1684-8519.

81. Лежава, Н. Г. Применение собственного оксида арсенида галлия для создания изоляции активных элементов интегральных схем на GaAs [Текст] / Н. Г. Лежава, А. П. Бибилашвили, А. Б. Герасимов // Письма в ЖТФ. - 2005. -Т. 31. - Вып. 2. - С. 63-66. - ISSN: 0320-0116.

82. Анодные пленки Ga2O3 [Текст] / В. М. Калыгина [и др.] // ФТП. - 2011. - Т. 45. - Вып. 8. - С. 1130-1135. - ISSN: 0015-3222.

83. Анодные пленки Ga2O3. Влияние термического отжига на свойства пленок [Текст] / В. М. Калыгина [и др.] // ФТП. - 2012. - Т. 46. - Вып. 2. - С. 278284. - ISSN: 0015-3222.

84. Пшеничнов, Ю. П.. Выявление тонкой структуры кристаллов [Текст] : справочник / Ю. П. Пшеничнов. - М. : Металлургия, 1974. - 528 с.

85. Мильвидский, М. Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников [Текст] : учебник / М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский. - М. : Металлургия, 1984. - 256 с.

86. Saad, M. Novel optical and structural properties of porous GaAs formed by anodic etching of n+-GaAs in a HF:C2 HsOH:HCl:H2O2:H2O electrolyte: effect of etching time [text] / M. Saad, M. Naddaf // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. - 2013. - V. 24. - N 7. - P. 2254-2263. - ISSN: 0957-4522.

87. Горячев, Д. Н. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия [Текст] / Д. Н. Горячев, О. М. Сресели // ФТП. - 1997. - Т. 31. - № 11. - 1383-1386. -ISSN: 0015-3222.

88. Орлов, Л. К. Формирование структуры квантовых нитей InGaAs в матрице арсенида галлия [Текст] / Л. К. Орлов, Н. Л. Ивина // ФТТ. - 2004. - Т. 46. -Вып. 5. - С. 913-918. - ISSN: 0367-3294.

89. Торхов, Н. А. Формирование структуры собственного оксида на порвехно-сти n-GaAs при естественном окислении на воздухе [Текст] / Н. А. Торхов // ФТП. - 2003. - Т. 37. - Вып. 10. - С. 1205-1213. - ISSN: 0015-3222.

90. Рябцев, Н. Г. Материалы квантовой электроники [Текст] : учебное пособие / Н. Г. Рябцев. - М. : Советское радио, 1972. - 384 с.

91. Мямлин, В. А. Электрохимия полупроводников [Текст] : учебник / В. А. Мямлин, Ю. В. Плесков. М. : Наука, 1965. - 338 с.

92. Zaghdoudi, W. Microstructural and optical properties of porous alumina elaborated on glass substrate [text] / W. Zaghdoudi, M. Gaidi, R. Chtourou // J. Mater. Eng. Perform. - 2013. - V. 22. - N 3. - P. 869-874. - ISSN: 1059-9495.

93. Li, T. A new method for fabrication nano-porous aluminum grating array [text] / Y. Li, Y. Kanamori, K. Hane // Microsystem Technologies. - 2004. - V. 10. - N 4. - P. 272-274. - ISSN: 0946-7076.

94. The investigation of photoluminescence centers in porous alumina membranes [text] / J. H. Chen [et al.] // Appl. Phys. A. - 2006. - V. 84. - N 3. - P. 297-300. - ISSN: 0947-8396.

95. Preparation of alumina nanowires, nanorods, and nanowalls by chemical etching [text] / X. X. San [et al.] // Appl. Phys. A. - 2010. - V. 98. - N 2. - P. 263-267. - ISSN: 0947-8396.

96. Юнг, Л. Анодные оксидные пленки [Текст] / Юнг. Л. - Пер. с англ. Л. Н. Закгейм, Л. Л. Одынец. - Ленинград: Энергия, 1967. - 232 с.

97. Голубев, А. И. Анодное окисление алюминиевых сплавов [Текст] / А. И. Голубев. - М. : Изд-во АН СССР, 1961. - 192 с.

98. Strirland, D. J. Studies of the structure of anodic oxide films on Aluminium [text] / D. J. Strirland, R. W. Bicknell // J. Electrochem. Soc. - 1959. - V. 106. -P. 481-483. - ISSN: 0013-4561.

99. Томашов, Н. Д. Толстослойное анодирование алюминия и его сплавов [Текст] : учебник / Н. Д. Томашов, М. Н. Тюкина, Ф. П. Заливалов. - М. : Машиностроение, 1968. - 157 с.

100. Мошников, В. А. Формирование и анализ структур на основе пористого оксида алюминия [Текст] / В. А. Мошников, Е. Н. Соколова, Ю. М. Спивак // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - 2011. - № 2. - С. 13-19. - ISSN: 2071-8985.

101. Lira, L. New and modified anodic alumina membranes Part III. Preparation and characterisation by gas diffusion of 5 nm pore size anodic alumina membranes [text] / L. Lira, R. Paterson // J. Membr. Sci. - 2002. - V. 206. - N 1-2. -P. 375-387. - ISSN: 0376-7388.

102. Oxygen bubble mould effect: serrated nanopore formation and porous alumina growth [text] / X. Zhu [et al.] // Monatshefte für Chemie - Chemical Monthly. - 2008. - V. 139. - N 9. - P. 999-1003. - ISSN: 0026-9247.

103. Квантовые нити с управляемой шириной проводящего канала на основе гетероструктур In0.53Ca0.47As/InP [Текст] / С. В. Дроздов [и др.] // ФТП. - 1994. - Т. 28. - Вып. 2. - С. 302-309. - ISSN: 0015-3222.

104. Особенности фотолюминесценции нанокристаллитов карбида кремния кубической модификации, легированного галлием [Текст] / Б. М. Кос-тишко [и др.] // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28. - Вып. 17. - С. 74-81. -ISSN: 0320-0116.

105. Fabrication of Porous Anodic Alumina with Ultrasmall Nanopores [text] / G. Q. Ding [et al.] // Nanoscale Res. Lett. - 2010. - V. 5. - N 8. - P. 1257-1263. - ISSN: 1931-7573.

106. Богоявленский, А. Ф. О механизмах образования оксидной пленки на алюминии [Текст] / А. Ф. Богоявленский // Анодная защита металлов. - М. : Машиностроение, 1968. - 220 с.

107. Степанова, А. Ю. Нанопористые материалы на основе оксида алюминия: механизм образования и технология получения [Текст] / А. Ю. Степа-

нова И. В. Запороцкова, А. Н. Белов // Вестник ВолГУ. - 2011. - Серия 10. -№ 5. - С. 114-118. - ISSN: 2305-7815.

108. Микродуговое оксидирование (теория, технология, оборудование) [Текст] / И. В. Суминов [и др.]. - М. : ЭКОМЕТ, 2005. - 368 с. - ISBN: 589594-110-9.

109. Сокол, В. А. Особенности роста пористого оксида алюминия [Текст] / В. А. Сокол // Доклады БГУИР. - 2003. - T. 1. - № 1. — С. 75-82. - ISSN: 1729-7648.

110. Abd-Elnaiem, M. Parametric Study on the Anodization of Pure Aluminum Thin Film Used in Fabricating Nano-pores Template [text] / M. Abd-Elnaiem, A. Gaber // Int. J. Electrochem. Sci. - 2013. - V. 8. - N 7. - P. 9741-9751. - ISSN: 1452-3981.

111. Effect of process parameters on growth rate and diameter of nano-porous alumina templates [text] / P. Chowdhury [et al.] // Bull. Mater. Sci. - 2011. - V. 34. - N 3. - P. 423-427. - ISSN: 0250-4707.

112. Patermarakis, G. Formulation of a holistic model for the kinetics of steady state growth of porous anodic alumina films [text] / G. Patermarakis, J. Chandri-nos, K. Masavetas // J. Solid State Electrochem. - 2007. - V. 11. - N 9. - P. 1191-1204. - ISSN: 1432-8488.

113. Pulsed electrodeposition of metals into porous anodic alumina [text] / A. N. Belov [et al.] // Appl. Phys. A. - 2011. - V. 102. - N 1. - P. 219-223. - ISSN: 0947-8396.

114. Белов, А. Н. Особенности получения наноструктурированного анодного оксида алюминия / А. Н. Белов, С. А. Гаврилов, В. И. Шевяков // Российские нанотехнологии. - 2006. - Т. 1. - № 1-2. - С. 223-227. - ISSN: 19927223.

115. Левин, А. И. Теоретические основы электрохимии [Текст] : учебное пособие / А. И. Левин. - М. : Металлургиздат, 1963. - 432 с.

116. Справочник по электрохимии [Текст] : справочник / Под ред. А. М. Сухотина. - Л. : Химия, 1981. - 488 с.

117. Антропов, Л. И. Теоретическая электрохимия [Текст] : учеб. для хим.-технолог. спец. вузов. / Л. И. Антропов. - М. : Высшая школа, 1984. - 519 с.

118. Keshavarz, A. The effect of sulfuric acid, oxalic acid, and their combination on the size and regularity of the porous alumina by anodization [text] / A. Keshavarz, Z. Parang, A. Nasseri // J. Nanostruc. Chem. - 2013. - V. 3. - N 1. -4 P.

119. Миркин, Л. И.. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов [Текст] : справочник / Л. И. Миркин ; под ред. Я. С. Уманского. - М. : Государственное издательство физико-математической литературы, 1961. - 864 с.

120. Panagopoulos, C. Growth of anodic SiO2 films [text] // C. Panagopoulos, H. Badekas / Mater. Lett. - 1989. - V. 8. - N 6,7. - P. 212-215. - ISSN: 0167-577X.

121. Смит, А. Прикладная ИК-спектроскопия [Текст] / А. Смит. - Пер. с англ. Б. Н. Тарасевич. - под ред. А. А. Мальцева. - М. : Мир, 1982. - 328 с.

122. Liu, C. Y. Ordered anodic alumina nanochannels on focused-ion-beam-prepatterned aluminum surfaces [text] / C. Y. Liu, A. Datta, Y. L. Wang // Appl. Phys. Lett. - 2001. - V. 78. - N 1. - P. 120-122. - ISSN: 0003-6951.

123. Структурно морфологический анализ неоднородностей в металлических материалах по электронно-микроскопическим изображениям [Текст] / Б. Н. Грудин [и др.] // ФММ. - 2000. - Т. 90. - № 6. - С. 58-63. - ISSN: 00153230.

124. Солоненко, О. П. Плазменная обработка и напыление порошков оксидов металлов, состоящих из полых сфер [Текст] / О. П. Солоненко, И. П. Гуляев, А. В. Смирнов // Письма в ЖТФ. - 2008. - Т. 34. - Вып. 24. - С. 2227. - ISSN: 0320-0116.

125. Лисовский, В. А. Модифицированный закон Пашена для зажигания тлеющего разряда в инертных газах [Текст] / В. А. Лисовский, С. Д. Яковин // ЖТФ. - 2000. - Т. 70. - Вып. 6. - С. 58-62. - ISSN: 0044-4642.

126. Исследование устойчивости границы раздела жидкий электролит-плазма тлеющего разряда [Текст] / Д. В. Вялых [и др.] // ЖТФ. - 2005. - Т. 75. - Вып. 10. - С. 126-127. - ISSN: 0044-4642.

127. Альтеркоп, Б. А. О структуре заряженного слоя на границе плазмы с заряженным телом [Текст] // Б. А. Альтеркоп, И. Д. Дубинова, А. Е. Дуби-нов // ЖЭТФ. - 2006. - Т. 129. - Вып. 1. - С. 197-206. - ISSN: 0044-4510.

128. Курс физической химии [Текст] : в 2 т. Т. 2 / Под общ. ред. Я. И. Герасимова. - М. : Химия, 1966. - 656 с.

129. Орлов, А.М. Предшествующее плазменному разряду пузырьковое экранирование поверхности при электрохимической обработке металлов [Текст] / А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, М. Ю. Махмуд-Ахунов // ФХОМ. -2010. - № 4. - С. 25-30. - ISSN: 0015-3214.

130. Процессы массопереноса и легирования при электролитно-плазменной обработке чугуна / А. Д. Погребняк [и др.] // Письма в ЖТФ. -2003. - Т. 29. - Вып. 8. - С. 8-15. - ISSN: 0320-0116.

131. Аверьянов, Е.Е. Справочник по анодированию [Текст] : справочник / Под ред. Е. В. Медведева. - М. : Машиностроение, 1988. - 244 с.

132. Справочник химика [Текст] : в 7 т. Т. 1. / Под ред. Б. П. Никольского. - 2-е изд. перераб. и доп. - М.-Л. : Химия, 1966. - 1072 с.

133. Богородицкий, Н. П. Материалы в радиоэлектронике [Текст] / Н. П. Богородицкий, В. В. Пасынков. - М.-Л. : Госэнергоиздат, 1961. - 352 с.

134. Лозанский, Э.Д. Теория искры [Текст] / Э. Д. Лозанский, О. Б. Фир-сов. - М. : Атомиздат, 1975. - 271 с.

135. Базелян, Э. М. Искровой разряд [Текст] : учеб. пособие для вузов / Э. М. Базелян, Ю. П. Райзер. - М. : МФТИ, 1997. - 320 с. - ISBN: 5-89155-013-X.

136. Еремин, В. Я. О начальной стадии развития электрического разряда в жидкости [Текст] / В. Я. Еремин, А. В. Еремин, К. Д. Молчанов // Сб. тезисов IX Симпоз. : Электротехника 2030 г. Перспективы технологии электро-

энергетики (Московская обл., 29-31 мая 2007 г.). - Московская обл., 2007. -С. 284-285.

137. Bubble Production Mechanism in a Microfluidic Foam Generator [text] / M. Stoffel [et al.] // Phys. Rev. Lett. - 2012. - V. 108. - N 19. - P. 198302.

138. Тесленко, В. С. Автоцикличный кольцевой пробой в электролите с вынужденным коллапсом пузырьков [Текст] / В. С. Тесленко, А. П. Дрожжин, Г. Н. Санкин // Письма в ЖТФ. - 2006. - Т. 32. - Вып. 4. - С. 2431. - ISSN: 0320-0116.

139. Тесленко, В.С. Генерация автоколебательных процессов при диафраг-менном разряде в электролите [Текст] / В. С. Тесленко, А. П. Дрожжин, А. М. Карташов // Письма в ЖТФ. - 2001. - Т. 27. - Вып. 20. - С. 83-88. -ISSN: 0320-0116.

140. Орлов, А. М. Стартовые режимы зажигания плазмы в проводящих водных растворах [Текст] / А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, А. В. Журавлева // ЖТФ. - 2010. - T. 80. - Вып. 2. - С. 60-65. - ISSN: 0044-4642.

141. Шишкин, А. Г. Математическое моделирование электродинамических процессов в плазменных установках [Текст] : автореф. дис... канд. ф.-м.н. / А. Г. Шишкин. - Москва: МГУ, 2010. - 32 с.

142. Лыков, А. В. Теория теплопроводности [Текст] : учеб. пособие / А. В. Лыков. - М. : Высшая школа, 1967. - 600 c.

143. Шамирзаев, А. С. Экспериментальное исследование всплытия пузырька в канале малого размера [Текст] / А. С. Шамирзаев // Сб. тр. конф. молодых ученых СО РАН, посвященный М. А. Лаврентьеву : Секция механики, энергетики и горных наук (Новосибирск, 4-7 декабря 2001 г.). - Новосибирск, 2007. - С. 1-3.

144. Штеренлихт, Д. В. Гидравлика [Текст] : учеб. для вузов / Д. В. Ште-ренлихт. - М. : Энергоатомиздат, 1984. - 640 с.

145. Справочное пособие по гидравлике, гидромашинам и гидроприводам [Текст] : учеб. пособие / Я. М. Вильнер, Я. Т. Ковалев, Б. Б. Некрасов. -Минск : Вышэйшая школа, 1976. - 416 с.

146. Ландау, Л.Д. Гидродинамика [Текст] / Л. Д. Ландау, E. M. Лифшиц. -M. : Наука, 1986. - 736 с.

147. Караханов, С. M. Динамическое поведение политетрафторэтилена в волнах сжатия и разгрузки [Текст] / С. M. Караханов, С. А. Бордзиловский // Физика горения и взрыва. - 2000. - Т. 36. - № 5. - С. 109-118. - ISSN:

148. Гаман, В. И. Физика полупроводниковых приборов [Текст] : учебное пособие / В. И. Гаман. - Томск : Изд-во Том. ун-та, 1989. - 336 с.

149. Таблица спектральных линий [Текст] : справочник / А. Н. Зайдель [и др.]. - M. : Физматгиз, 1962. - 608 с.

150. Сварочные материалы для дуговой сварки [Текст] : справочное пособие / Б. П. Конищев [и др.]. - В 2-х томах. - Т. 1. / Под. общ. ред. Н. Н. Потапова. - M. : Mашиностроение, 1989. - 544 с.

151. Технология конструкционных материалов. Учебник для машиностроительных специальностей вузов [Текст] / А. M. Дальский [и др.]. - M. : Mашиностроение, 1985. - 448 с.

152. Технология СБИС [Текст] : в 2 т. / под ред. С. Зи. - Пер. с англ. - M. : Ыир, 1986. - 404 с.

153. Controlling factor of self-ordering of anodic porous alumina [text] / S. Ono [et al.] // J. Electrochem. Soc. - 2004. - V. 151. - N 8. - P. 473-478. - ISSN: 0013-4651.

154. Королев, M. А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем [Текст] : в 2 ч. Ч 1. / M. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, M. А. Ревелева. - M. : БИНОM. Лаборатория знаний, 2012. - 397 с. ISBN: 978-5-9963-0912-2.

155. Mухина, E. Технология обработки ультратонких полупроводниковых пластин [Текст] / У. Mухина // Электроника: наука, технология, бизнес. -2009. - № 3. - С. 80-81. - ISSN: 1992-4178.

156. Окисление, диффузия, эпитаксия [Текст] : учебник / Под ред. Р. Бур-гера и Р. Донована. - пер. с англ. В. Н. Mордковича, Ф. П. Пресса. - M. : Ыир, 1969. - 451 с.

157. Александров, О. В. Модель термического окисления кремния на фронте объемной реакции [Текст] / О. В. Александров, А. И. Дусь // ФТП. -2008. - Т. 42. - Вып. 11. - C. 1400-1406. - ISSN: 0015-3222.

158. Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n- и p-типа, методами XANES и ИК спектроскопии [Текст] / А. С. Леньшин [и др.] // ФТП. - 2011. - Т. 45. -Вып. 9. - С. 1229-1234. - ISSN: 0015-3222.

159. Жук, Н. П. Курс теории коррозии и защиты металлов [Текст] : учеб. пособие / Н. П. Жук. - М. : Металлургия, 1976. - 472 с.

160. Гантмахер, В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах [Текст] : учебник / В. Ф. Гантмахер. - М. ФИЗМАТЛИТ, 2013. - 288 с. - ISBN: 978-59221-1487-5.

161. Орлов, А. М. Трансформация компонентов воздушной атмосферы в зоне искрового разряда при анодной поляризации нависающего над раствором металлического электрода [Текст] / А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, Д. С. Боднарский // ЖТФ. - 2013. - Т. 83. - Вып. 3. - С. 54-60. - ISSN: 00444642.

162. Анодные оксидные покрытия на металлах и анодная защита [Текст] : монография / Под общ. ред. И. Н. Францевича. - Киев : Наукова думка, 1977. -280 с.